CN108237801B - 两面金属叠层板、两面金属叠层板的制造方法、及图案的图像转印方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 530
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 530
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 152
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims description 57
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims abstract description 131
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims abstract description 130
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 100
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 49
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 19
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000124703 Torilis Species 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及两面金属叠层板、两面金属叠层板的制造方法、及图案的图像转印方法。提供一种在对配置于塑胶薄膜的表面的金属叠层体进行蚀刻而形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位的两面金属叠层板。两面金属叠层板包括塑胶薄膜、直接配置在所述塑胶薄膜的两面上的金属种子层、配置在所述金属种子层上的金属层,按照IPC‑TM‑650、2.2.4、方法C测出的该两面金属叠层板的尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内。
Description
技术领域
本发明涉及一种两面金属叠层板、两面金属叠层板的制造方法、及图案的图像转印方法。
背景技术
以便携式电话或车载电话等移动通信设备为首,平板计算机、电子书专用终端、智能电话、MP3播放机、电子游戏机等便携式电子设备的小型、轻量化的需求在扩大,而对于以微小间隔对电子部件进行高密度安装的高密度安装技术的期待也更高。随之,推动着印刷配线基板的多层化、配线间距的窄小化、导孔的微细化、IC封装体的小型多脚化的发展。另外,电容或电阻的受动元件,也相应地趋于小型化·集层化以及表面安装化。
尤其是,将电子部件直接安装在印刷配线基板等的表面或内部的技术,不仅能够实现高密度安装,还有利于提高信赖性。因以上理由,对印刷配线基板的尺寸精度,即配线间距精度的要求水平也提高,且,印刷配线基板还被要求其尺寸具有热稳定性。
作为印刷配线基板,通常使用在塑胶(plastic)薄膜的表面配置有金属层等的塑胶配线基板。作为塑胶配线基板的制造方法,已知以下2种具代表性的制造方法。
作为第1种方法,可以举出以热压(层压)法对用于形成电路的导体的金属箔与塑胶薄膜进行贴合的方法。
作为第2种方法,可以举出金属喷镀(metallizing)法,通过溅镀法、离子镀法、真空蒸镀法等干式镀法,在塑胶薄膜上形成薄膜状金属种子层以及第1金属层,在此之上,通过无电解镀法或作为电解镀法的湿式镀法,进一步形成第2金属层。
专利文献1、专利文献2公开了采用金属喷镀法进行的塑胶配线基板的制造方法的具体例。
例如,专利文献1公开了,采用溅镀法在热可塑性液晶聚合物薄膜上形成由镍、铬或这些的合金构成的金属种子层,然后通过溅镀法形成铜导电层,接着在该通过溅镀法形成的铜导电层之上,通过电解镀铜或无电解镀铜或者并用这两种方法,形成铜导电层的例子。
然而,为了在塑胶配线基板上高密度安装电子部件等,有时需要形成在塑胶薄膜的两个面上配置有金属层的两面金属叠层板。
例如,专利文献3中公开了一种在热可塑性液晶聚合物薄膜的两个表面上接合有金属片材的两面金属张贴叠层体。
另外,能够通过金属喷镀法制造两面金属叠层板。
在此,历来还使用仅在塑胶薄膜的单面设置金属叠层体的单面金属叠层板。单面金属叠层板中,在塑胶薄膜的一个面上设置金属种子层、金属层,且金属层由第1金属层、第2金属层构成。通常以干式镀法形成金属种子层及第1金属层,因此,在真空中对塑胶薄膜加热使之成为无水分状态之后,覆盖金属种子层及第1金属层。
然而,通过未设置金属种子层等的塑胶薄膜的另一个面,塑胶薄膜会吸湿,而塑胶薄膜的含水率达到平衡状态。另外,在形成完第1金属层的阶段,由于此时为设置第2金属层之前,可在尺寸变化几乎无抑制的状态下进行吸湿、膨胀。
从而,此后在第1金属层上形成第2金属层,对金属叠层体进行图案化而露出塑胶薄膜的一部分的情况下,几乎不会出现塑胶薄膜的急剧吸湿及随之产生的膨胀,能够将尺寸变化率抑制在原点±0.02%程度的范围内。
需要说明的是,原点是指,即使进行了金属叠层体的图案化也不会发生尺寸变化的情况,即,进行金属叠层体的图案化时,塑胶薄膜的含水率处于饱和状态的情况。
相对而言,在制造塑胶薄膜的两面上配置有金属叠层体的两面金属叠层板的情况下,通常也是在形成金属种子层及第1金属层时对塑胶薄膜进行真空加热,使之成为无水分的状态下在两面覆盖金属种子层及第1金属层。并且,塑胶薄膜的两面被金属种子层等覆盖后,塑胶薄膜几乎不能进行吸湿等,因此,被金属种子层等夹着的塑胶薄膜,直到进行图案化为止,基本维持绝对干燥的状态。
并且,形成第2金属层之后,对金属叠层体进行图案化时,随着吸湿会产生尺寸变化(膨胀),尺寸变化率在MD(Machine dimension,机械轴方向)及TD(transversedimension,横轴方向)均向正侧有较大移动。
如上所述,因急剧吸湿而发生大幅度尺寸变化时,形成的配线图案有时会偏位,造成问题。
因此,在历来的两面金属叠层板中,为了补充上述吸湿所致的尺寸变化,实现与单面金属叠层板同样的原点±0.02%以内的尺寸变化率,即,在金属种子层等的成膜时,進行加热条件及张力调整·展宽等处理。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1:日本特开2005-297405号公报
专利文献2:日本特开2009-026990号公报
专利文献3:日本特开2006-137011号公报
发明内容
<本发明要解决的课题>
然而,对两面金属叠层板,若在其制造工序中进行加热调整等,反而会造成变动要因增加,而难以维持较小的尺寸变化率,形成配线图案后,难以抑制配线图案发生偏位。
鉴于上述现有技术的问题,本发明的一个形态的目的在于提供一种在对配置在塑胶薄膜表面的金属叠层体进行蚀刻,形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位的两面金属叠层板。
<解决上述课题的手段>
为了解决上述问题,本发明的一个形态提供一种两面金属叠层板,其包括塑胶薄膜、直接配置在所述塑胶薄膜的两面上的金属种子层、配置在所述金属种子层上的金属层,且按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内。
<发明的效果>
根据本发明的一个形态,能够提供一种在对配置于塑胶薄膜表面的金属叠层体进行蚀刻,形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位的两面金属叠层板。
附图说明
图1是考虑图案化时的伸长部分及工序内张力所致的变化部分的基础上的中心值的说明图。
图2是本发明的实施方式的两面金属叠层板的剖面模式图。
图3是采用干式镀法的成膜装置的结构例的说明图。
图4是连续电解镀敷装置的结构例的说明图。
符号说明
10 两面金属叠层板
11 塑胶薄膜
12A、12B 金属种子层
13A、13B 第1金属层
14A、14B 第2金属层
具体实施方式
以下,关于本发明的两面金属叠层板、两面金属叠层板的制造方法以及图案的图像转印方法的一实施方式进行说明。
[两面金属叠层板]
本实施方式的两面金属叠层板可以包括塑胶薄膜、直接配置在塑胶薄膜的两面上的金属种子层及配置在金属种子层上的金属层。
并且,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内。
本发明的发明者,为获得对配置于塑胶薄膜表面的金属叠层体进行蚀刻,形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位的两面金属叠层板,进行了锐意研究。
其结果发现,形成配线图案时,通过抑制与作为基准的中心值相距的公差,能够抑制配线图案发生偏位,从而完成了本发明。
像上述现有的两面金属叠层板那样形成配线图案时,若想抑制相对于原点的尺寸变化率,需要调整制造工序的加热条件等,但因此造成变动要因增加,而导致尺寸变化率的偏差增大。因此,当形成配线图案时,配线图案有时会发生偏位。需要说明的是,原点是指,如上所述进行金属叠层体的图案化时也不会发生尺寸变化的点,即,意味着进行金属叠层体的图案化时,塑胶薄膜的含水率为饱和状态的情况。
相对而言,本实施方式的两面金属叠层板中,尺寸变化率的公差,即,与作为基准的中心值相距的尺寸变化率的误差被抑制在较小值。根据本发明的发明者的研究,关于上述原点与作为基准的中心值之间的偏位,例如,通过对形成配线图案时利用光掩膜的图案的转印条件进行修正,能够解消该偏位。因此,中心值并非一定要与原点一致,在考虑进行图案化时周围湿度所致的伸长部分及工序内张力所致的变化部分的基础上,通过决定独自的中心值,能够排除历来技术中为了接近原点而进行加热条件调整或展宽等所致的尺寸变化率偏差。
并且,减小与作为基准的中心值相距的误差,即尺寸变化率的公差,并根据中心值对利用光掩膜的图案的转印条件进行修正,从而能够抑制为了形成配线图案而对金属叠层体进行蚀刻时在配线图案发生的偏位。尤其能够应对近年来被要求的配线图案的微间距化(微细图案化)。
具体而言,如图1所示,例如在制造工序期间对塑胶薄膜进行图案化时,从绝对干燥状态的点A开始,以23℃、相对湿度55%及24小时左右的条件使其进行吸湿后,MD以及TD均延伸到+0.07%的点B。然后,以点B作为起点,在考虑两面金属叠层板的制造工序内的张力所致的变化部分的基础上,决定中心值C,并将尺寸变化率的公差,即,以该中心值C作为基准时相对于该基准的尺寸变化率的误差设为MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内。
如上所述,通过形成与中心值相距的公差属于规定范围内的两面金属叠层板,能够排除为了使中心值接近上述原点而进行加热条件的调整或展宽等所致的变动要因。由此,剩下的变动要因仅为制造工序内的控制变动与塑胶薄膜的特性公差,关于尺寸变化率,能够达成所规定的基准的中心值±0.02%以内。
另外,从制造工序内的控制变动这一点而言,在单面金属叠层板的制造工序中塑胶薄膜会吸湿延伸,因此难以进行张力控制。相对而言,在两面金属叠层板的制造工序中几乎不会吸湿,因此两面金属叠层板有利于张力控制,根据本实施方式的两面金属叠层板,与单面金属叠层板相比,在配线图案发生偏位等方面,能够获得偏差较小的产品。
以下,关于本实施方式的两面金属叠层板的结构例进行具体说明。
本实施方式的两面金属叠层板可以包括塑胶薄膜、直接配置在塑胶薄膜的两面上的金属种子层、配置在金属种子层上的金属层。金属层可以包括例如第1金属层及配置在第1金属层上的第2金属层。另外,金属层也可以由第1金属层、上述第2金属层构成。
并且,本实施方式的两面金属叠层板,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的MD以及TD的尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内。
在此,首先关于本实施方式的两面金属叠层板的结构,根据图2进行说明。图2是概略表示两面金属叠层板10的与塑胶薄膜11的主表面垂直的面上的剖面图。
两面金属叠层板10中,在塑胶薄膜11的一个面11a上,从塑胶薄膜11侧起依次叠层有金属种子层12A、第1金属层13A、第2金属层14A。另外,在塑胶薄膜11的另一个面11b上,也从塑胶薄膜11侧起依次叠层有金属种子层12B、第1金属层13B、第2金属层14B。
即,形成在塑胶薄膜11的两面(两个主表面)上分别依次叠层有金属种子层12A、12B与第1金属层13A、13B及第2金属层14A、14B的结构。
在此,金属种子层12A、12B被直接配置在塑胶薄膜11的两面上。即,配置时不利用黏着剂等。另外,各层之间,即金属种子层12A、12B与第1金属层13A、13B之间,第1金属层13A、13B与第2金属层14A、14B之间,也可以不利用黏着剂等,采用直接接触的结构。
接下来,关于各部件进行说明。
(塑胶薄膜)
首先,关于塑胶薄膜,以下进行详细说明。
作为塑胶薄膜的材料,并无特别限定,可以利用由各种塑胶材料形成的薄膜。
作为塑胶薄膜的材料,例如能够使用从聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene telephthalate)等的耐热性树脂、聚酰胺(polyamide)类树脂、聚酯(polyester)类树脂、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)类树脂、聚苯硫醚(Polyphenylene sulfide)类树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)类树脂、液晶聚合物类树脂中选择的1种以上的树脂。
另外,作为塑胶薄膜的材料,还可以使用2种以上树脂的混合材料。
作为塑胶薄膜的材料,考虑到良好的耐热性及绝缘性,优选使用聚酰亚胺树脂。即,塑胶薄膜优选是由聚酰亚胺形成的聚酰亚胺薄膜。
聚酰亚胺具有如化学式(1)所示的结构。化学式(1)中,R以及R’为芳香族的情况下,称之为芳香族聚酰亚胺,其被广泛应用于工业。一般而言,通过芳香族的酸酐与二胺的缩聚合反应可获得芳香族聚酰亚胺。因此,通过酸成分与二胺成分的组合,能够获得多样结构的聚酰亚胺,根据化学(分子)结构,有时可见耐热性等物性的不同。然而,作为本实施方式的两面金属叠层板的塑胶薄膜的材料使用聚酰亚胺的情况下,对该聚酰亚胺的结构并无特别限定,可使用各种结构的聚酰亚胺。
[化1]
例如,具有如化学式(2)或化学式(3)所示的结构的聚酰亚胺可用为塑胶薄膜的材料。
通过在有机溶剂中,使作为酸成分的均苯四甲酸二酐(pyromelliticdianhydride,PMDA)与作为二胺成分的4,4’-二氨基二苯醚(4,4’-diaminodiphenylether)(别名:4,4’-Oxybisbenzenamine,4,4’Oxydianiline=ODA)聚合,能够制造出化学式(2)的聚酰亚胺。
[化2]
化学式(3),作为酸成分使用联苯四甲酸二酐(Biphenyl tetracarboxylicDianhydride,BPDA),具有仅包含苯环与酰亚胺结合的结构。通过将该BPDA用为酸成分,与使用PMDA的具有化学式(2)的结构的聚酰亚胺相比,可显出更为刚直的结构等特性上的不同。
[化3]
如化学式(3)那样,通过酰亚胺键直接结合的芳香族环具有共轭结构,因此具有如上所述的刚直强固的结构。另外,芳香族环中排列于同一平面的分子链彼此致密充填(堆积),极性高的酰亚胺键具有强的分子间力,因此分子链之间的键合力也强固。
作为塑胶薄膜使用聚酰亚胺薄膜的情况下,也可以使用商业流通的聚酰亚胺薄膜,例如也可以使用东丽·杜邦株式会社制造的KAPTON(注册商标)系列、宇部兴产株式会社制造的UPILEX(注册商标)系列等。
关于塑胶薄膜的厚度,并无特别限定,例如优选5μm以上,更优选10μm以上。在此需要说明的是,关于塑胶薄膜的厚度的上限值虽无特别限定,但过厚时可能会造成两面金属叠层板的处理性降低,因此例如优选设为80μm以下。塑胶薄膜的厚度尤其优选为25μm以上38μm以下。
(金属种子层)
其次,关于金属种子层进行详细说明。
金属种子层例如具有提高塑胶薄膜与第1金属层的密接性的功能。
关于金属种子层的材料随无特别限定,但从提高与第1金属层的密接性的观点而言,例如优选使用金属材料。作为金属种子层的材料,例如可以举出镍、铬、钼、钛、钒、锡、金、银、锌、钯、钌、铑、铁、铝、铅、碳、铅-锡类焊锡合金等,且优选是包含这些金属的1种以上的金属或是合金。进而,金属种子层的材料更优选是从镍、铬、包含镍的合金、包含铬的合金、包含镍与铬的合金中选择的1种,尤其优选含镍以及铬的合金,例如,Ni-Cr合金。即,金属种子层更优选是由Ni-Cr合金构成的层。需要说明的是,即使在金属种子层是由Ni-Cr合金构成的层的情况下,也不排除包含例如在制造工序中混入的不可避免成分等。
关于金属种子层的厚度并无特别限定,例如优选为2nm以上50nm以下。这是因为在金属种子层的厚度小于2nm的情况下,为了形成配线等而进行图案化时,因蚀刻液的侵蚀,蚀刻液渗入金属种子层与塑胶薄膜之间,有时会造成配线浮起。相对而言,当金属种子层的厚度超过50nm时,为了形成配线等而进行图案化时,无法通过蚀刻完全除去应被除去的一部分金属种子层,成为残渣留在配线之间,可能导致发生绝缘不良。金属种子层的厚度尤其优选为2nm以上30nm以下。
(金属层)
以下,关于金属层进行详细说明。
在此,如上所述,金属层可以具有第1金属层与第2金属层,以下关于第1金属层、第2金属层进行说明。
关于第1金属层以及第2金属层的材料并无特别限定,可以选择具有与用途相符的导电率的材料,例如,第1金属层以及第2金属层的材料优选是由铜以及从镍、钼、钽、钛、钒、铬、铁、锰、钴、钨中选择的至少1种以上的金属构成的铜合金,或是包含铜的材料。此外,第1金属层以及第2金属层也可以是由铜构成的铜层。
需要说明的是,第1金属层以及第2金属层可以由相同的材料构成,也可以由不同的材料构成。
尤其是,铜通常被用为配线基板的材料,因此第1金属层以及第2金属层优选是由铜构成的层,即铜层。需要说明的是,即使在第1金属层以及第2金属层是由铜构成的层的情况下,也不排除包含例如在制造工序中混入的不可避免成分等。
关于第1金属层以及第2金属层的厚度并无特别限定,例如,可以根据本实施方式的两面金属叠层板被要求的电流提供量、加工该两面金属叠层板时的条件等,任意选择。例如,第1金属层的厚度与第2金属层的厚度的合计优选为0.1μm以上20μm以下。
作为使用本实施方式的两面金属叠层板来形成配线时的方法,可以举出减成法(subtractive process)或半加成法(semi-additive process)。例如,通过半加成法形成配线的情况下,使第1金属层以及第2金属层选择性地成长,来进行配线加工。
并且,通过使第1金属层的厚度与第2金属层的厚度的合计达到0.1μm以上,例如在本实施方式的两面金属叠层板形成配线作为配线基板的情况下,能够向构成配线的第1金属层与第2金属层提供充分的电流。
另一方面,通过使第1金属层的厚度与第2金属层的厚度的合计保持20μm以下,通过蚀刻进行配线加工时也能够维持充分高的生产效率,或能够充分抑制作为配线基板的总厚度,因此优选20μm以下。
第1金属层的厚度与第2金属层的厚度的合计更优选为0.4μm以上2.0μm以下。
另外,金属层也可以由第1金属层与第2金属层构成,因此,优选将金属层的厚度设在例如上述第1金属层的厚度与第2金属层的厚度的合计适宜范围内。
关于第1金属层的单独厚度也无特别限定,例如优选为10nm以上300nm以下。第2金属层如下所述,例如能够以湿式镀法形成,通过将第1金属层的厚度设为10nm以上,能够确保充分的供电量,形成均匀的第2金属层。另外,从生产性的观点而言,优选将第1金属层的厚度设为300nm以下。
另外,上述金属种子层以及第1金属层的合计厚度优选为350nm以下。这是因为,通过将金属种子层以及第1金属层的合计厚度设为350nm以下,例如采用电解镀法来形成第2金属层时,能够确保充分的供电量。另外,尤其能够提高第2金属层对塑胶薄膜的密接性。
关于金属种子层以及第1金属层的合计厚度的下限值并无特别限定,例如优选为12nm以上。
关于IPC标准规格,以下进行详细说明。
本实施方式的两面金属叠层板,按照上述IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的MD以及TD的尺寸变化率的公差可为,MD在±0.02%以内,TD在±0.01%以内。
按照IPC-TM-650:试验方法(测定方法)指南中的2.2节:尺寸检查法的No.2.2.4,对金属叠层板等柔韧性感应体材料的尺寸变化率(尺寸稳定性)进行评价。
IPC(Institute for Interconnecting and Packaging Electronic Circuits)是指“国际电子工业联接协会”,其制定制造业的业务工序中的质量标准规格。并且,在欧美及亚洲,IPC标准规格被电子机械业、印刷基板设计·制造业者、电子设备制造企业等众多厂商采用,上述IPC-TM-650是IPC制定的规格之一。
按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测定的MD以及TD的尺寸变化率是指,按照该IPC标准规格的IPC-TM-650的No.2.2.4(Revision C)公开的方法C的试验方法来评价的MD、TD的尺寸变化率。
如上所述,MD表示Machine Dimension(机械轴方向),是指两面金属叠层板的长边方向。另外,TD表示Transverse dimension(横轴方向),是指与MD正交的方向。
另外,在尺寸变化率这一指标中,收缩被表示为负值,伸长被表示为正值。
并且,根据上述方法C,蚀刻金属叠层体之后,可以进一步以150℃进行30分钟的热处理,然后评价尺寸变化率。
在此,关于按照IPC-TM-650:试验方法(测定方法)指南中的2.2节:尺寸检查法的No.2.2.4的方法C来对本实施方式的两面金属叠层板进行尺寸变化率评价时的顺序进行说明。具体而言,可按照以下(a)~(c)的顺序进行测定,并根据测定结果算出尺寸变化率。
(a)对作为被评价物的两面金属叠层板,以23℃、相对湿度55%进行24小时调湿,并测定初期尺寸(I)。
(b)其次,通过蚀刻除去金属叠层体的一部分之后,以23℃、相对湿度55%进行24小时调湿。
(c)接下来,以150℃进行30分钟加热之后,以23℃、相对湿度55%进行24小时调湿,并进行尺寸测定(A)。
根据(尺寸变化率)=(A-I)/I(%),算出方法C的尺寸变化率。在此,在2处实施尺寸测定,并以2处的尺寸变化率的平均值作为方法C的尺寸变化率。
并且,在本实施方式的两面金属叠层板中,能够将IPC-TM-650、2.2.4、方法C中的尺寸变化率的公差设为,MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内。
根据IPC-TM-650、2.2.4、方法C,如上所述,以150℃进行加热,及在相对湿度55%的环境下进行调湿。
一般的两面金属叠层板,在图案化时以及图案化后,被置于相对湿度55%程度的环境,这与方法C是相同的环境。另外,通过进行加热处理,能够除去两面叠层金属板在制造工序中包含的张力所致的变化部分。
因此,通过将IPC-TM-650、2.2.4、方法C中的MD、TD的尺寸变化率的公差设在上述范围,在以该公差的中心值作为基准形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案形成后的配线的偏位等。
需要说明的是,关于尺寸变化率的中心值并无特别限定,然而相对于原点产生过度的偏位时,若仅对利用光掩膜的图案的转印条件进行修正,有时难以充分应对。因此,本实施方式的两面金属叠层板,IPC-TM-650、2.2.4、方法C中的MD以及TD的尺寸变化率的中心值优选为,MD在0.00%以上0.06%以下的范围、TD在0.04%以上0.10%以下的范围。
在此,能够根据对金属叠层体进行图案化时的氛围等所致的吸湿条件及制造工序中施加于两面金属叠层板的张力等,算出两面金属叠层板的尺寸变化率的中心值。因此,IPC-TM-650、2.2.4、方法C中的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,可以是根据进行图案化时的氛围及两面金属叠层板的制造条件而推定、算出的MD以及TD的尺寸变化率的中心值。
具体例如,可以在考虑对金属叠层体进行图案化并以23℃、相对湿度55%进行24小时调湿的情况下的伸长部分、制造工序内施加(蓄积)于两面金属叠层板的张力所致的变化部分的基础上,算出中心值。
根据以上说明的本实施方式的两面金属叠层板,在考虑进行图案化时等的尺寸变化率的基础上决定中心值,并抑制与该中心值相距的公差。因此,在对配置于塑胶薄膜表面的金属叠层体进行蚀刻,形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位或断线。
[两面金属叠层板的制造方法]
关于本实施方式中的两面金属叠层板的制造方法的结构例进行说明。
在此,通过本实施方式中的两面金属叠层板的制造方法,能够制造成上述两面金属叠层板。因此,说明两面金属叠层板时,关于已说明过的事项,省略其部分说明。
关于本实施方式中的两面金属叠层板的制造方法,一个结构例中可以包括以下工序。
在塑胶薄膜的两面上,通过干式镀法形成金属种子层的金属种子层形成工序。
在金属种子层上形成金属层的金属层形成工序。
并且,可以将IPC-TM-650、2.2.4、方法C中的MD以及TD的尺寸变化率的中心值设为,MD在0.00%以上0.06%以下的范围、TD在0.04%以上0.10%以下的范围。另外,可以将尺寸变化率的公差设为,MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内。
在此,金属层形成工序例如可以包括以下工序。
在金属种子层上,通过干式镀法形成第1金属层的第1金属层形成工序。
在第1金属层上,通过湿式镀法形成第2金属层的第2金属层形成工序。
以下,关于各工序进行说明。
在金属种子层形成工序中,可以在塑胶薄膜的表面上形成金属种子层。关于金属种子层的形成方法并无特别限定,例如,优选使用蒸镀法或溅镀法等的干式镀法。作为金属种子层的形成方法,溅镀法尤其容易控制膜厚,因此优选采用溅镀法。在金属种子层形成工序中,关于形成金属种子层时的具体条件并无特别限定,可以根据金属种子层的材料、金属种子层被要求的性能等,任意选择。
在金属种子层形成工序中,也可以在塑胶薄膜的两面上同时形成金属种子层。
金属层形成工序,如上所述,例如可以包括第1金属层形成工序及第2金属层形成工序。因此,以下关于第1金属层形成工序及第2金属层形成工序分别进行说明。
在第1金属层形成工序中,可以在金属种子层上形成第1金属层。关于第1金属层的形成方法也无特别限定,优选采用蒸镀法或溅镀法等的干式镀法。作为第1金属层的形成方法,溅镀法尤其容易控制膜厚,因此优选采用溅镀法。
在第1金属层形成工序中,关于形成第1金属层时的具体条件并无特别限定,可以根据第1金属层的材料或第1金属层被要求的性能等,任意选择。
在第1金属层形成工序中,可以在分别形成于塑胶薄膜的两面上的金属种子层上,同时形成第1金属层。
以下,参照图3来说明进行金属种子层或第1金属层的成膜时可适宜使用的、采用干式镀法的成膜装置的结构例。
图3是示意表示成膜装置30的结构的图。
图3的成膜装置30是通过溅镀法进行成膜的装置,也称之为溅镀成膜机装置。另外,如下所述,通过变更磁控溅镀阴极37a~37d的结构等,还能够形成采用或并用溅镀法以外的其它成膜方法的成膜装置。
成膜装置30,在减压容器内,在将通过辊对辊方式被连续搬送的被成膜物保持在作为保持单元的辊筒32的保持面,即外周面的状态下,使从成膜单元朝向该被成膜物放出的成膜粒子堆积在该被成膜物的表面,从而能够进行成膜。
在此,能够在辊筒32的内部设置未图示的冷却单元,即使在产生热负荷的干式镀法的情况下,也不会对被成膜物造成热损伤,从而能够连续进行处理。
关于构成成膜装置30的各要素以及金属种子层、第1金属层等的成膜顺序,进行具体说明。
在作为减压容器的腔31内,设有卷出辊331及卷取辊332,在卷出辊331与卷取辊332之间能够以辊对辊方式搬送被成膜物。在此,关于腔31的形状及材质,只要能够承受减压状态,对此并无特别限定,能够采用各种结构。
关于塑胶薄膜F的搬送路径进行说明。首先,由卷出辊331提供作为被成膜物的长条状塑胶薄膜F。在此,仅形成第1金属层的情况下,作为长条状的塑胶薄膜F,能够使用在塑胶薄膜的一个或两个面上已形成有金属种子层的薄膜。
然后,在从卷出辊331至辊筒32的被成膜物的搬送路径上,例如能够依次配置用于引导塑胶薄膜F的自由辊341、用于对塑胶薄膜F进行张力测定的张力感应辊351、用于将由张力感应辊351送出的塑胶薄膜F导入辊筒3的电动机驱动的送料辊361。
另外,在从辊筒32卷取塑胶薄膜F至卷取辊332的搬送路径上,与上述情况同样,可以依次配置由电动机驱动的送料辊362、用于对塑胶薄膜F进行张力测定的张力感应辊352、用于引导塑胶薄膜F的自由辊342。
设在辊筒32近旁的送料辊361以及362优选是由电动机旋转驱动且能够对辊筒32的圆周速度进行调整的结构。另外,在卷出辊331,能够构成利用粉末离合器等的扭矩控制来保持塑胶薄膜F的张力平衡的结构。根据这样的结构,进行张力调整的同时被卷出的塑胶薄膜F,通过与辊筒32联动旋转的送料辊361以及362,而在紧贴于辊筒32的外周面的状态下被进行冷却,同时被进行干式镀层处理,并被通过电动机驱动的卷取辊332卷取。
在与辊筒32的外周面相对的位置,沿着塑胶薄膜F的搬送路径,配置有作为成膜单元的板状的磁控溅镀阴极37a~37d。因此,对被搬送的塑胶薄膜F的表面,能够实施作为干式镀层处理的溅镀成膜处理。
在成膜装置30实施的干式镀层处理并不仅限于上述溅镀法。还可以并用溅镀法及例如CVD(化学蒸镀)、离子镀、真空蒸镀等其它真空成膜方法。另外,还可以用上述其它真空成膜方法取代溅镀法。使用这些其它真空成膜方法的情况下,可以设置规定的真空成膜单元,以此替换磁控溅镀阴极37a~37d的一部分或全部。
在腔31,除了上述单元之外,还可以连接任意的未图示的各种单元等。例如,能够连接干泵、涡轮分子泵、低温线圈等排气单元,用于向腔31内提供气体的气体提供单元等,各种氛围控制单元。另外,例如,为了能够去除由卷出辊331提供的塑胶薄膜的水分,还可以沿着塑胶薄膜的搬送路径设置未图示的加热器等。
如上所述,金属种子层以及第1金属层均可通过干式镀法适宜形成。
因此,例如,也能够在进行了金属种子层成膜的真空室内连续处理第1金属层,即,连续形成。
使用上述成膜装置30,来说明连续形成金属种子层以及第1金属层的情况下的结构例。
首先,在卷出辊331安装塑胶薄膜。
并且,例如在磁控溅镀阴极37a安装具有与金属种子层对应的组成的金属种子层用靶,在磁控溅镀阴极37b~37d安装具有与第1金属层对应的组成的第1金属层用靶。
其次,由未图示的排气单元对腔31内进行排气,将腔31内减压至压力10-4Pa程度,然后由未图示的气体提供单元导入溅镀气体,将腔31内调整为0.1Pa以上10Pa以下程度的压力。需要说明的是,作为溅镀气体,可适宜使用氩等惰性气体,还可以根据目的添加氧等气体。
然后,由卷出辊331提供塑胶薄膜的同时,向磁控溅镀阴极37a~37d施加电压,从而能够在塑胶薄膜上叠层金属种子层与第1金属层。
形成第1金属层之后,如上所述,可以有第2金属层形成工序,通过湿式镀法在第1金属层上形成第2金属层。
在第2金属层形成工序中,从生产性的观点而言,优选在塑胶薄膜的两面上同时形成第2金属层。即,优选在形成于塑胶薄膜的一个面上的第1金属层上,及在形成于塑胶薄膜的另一个面上的第1金属层上,同时形成第2金属层。
在第2金属层形成工序中,关于通过湿式镀法形成第2金属层的具体条件等并无特别限定,可以使用根据构成第2金属层的材料等选择的镀液,例如采用电解镀法或无电解镀法,进行成膜。
通过电解镀法形成第2金属层的情况下,例如,能够使用如图4所示的连续电解镀敷装置40。在此,图4表示了能够在塑胶薄膜的两面上同时进行第2金属层成膜的连续电解镀敷装置的结构例。
图4表示了连续电解镀敷装置40的与两面金属叠层前驱体板F1的搬送方向平行的面的剖面图。
连续电解镀敷装置40包括:用于卷出作为两面上依次配置有金属种子层以及第1金属层的塑胶薄膜的两面金属叠层前驱体板F1的卷出辊41;装满镀液的镀液槽42;在镀液槽42内部彼此平行配置的阳极43a~43p;位于镀液槽42的内部,用于使两面金属叠层前驱体板F1的搬送方向上下逆转的浸渍辊44a~44d;位于镀液槽42的外部,用于向两面金属叠层前驱体板F1提供电力的供电辊45a~45e;用于卷取对两面金属叠层前驱体板F1进行电镀而获得的两面金属叠层板F2的卷取辊46。
由这些卷出辊41、浸渍辊44a~44d、供电辊45a~45e以及卷取辊46,构成两面金属叠层前驱体板F1的搬送单元,由此,能够将两面金属叠层前驱体板F1在保持其宽度方向于水平状态的情况下,沿着其长边方向以辊对辊方式进行搬送,并在镀液中进行多次浸渍。
供电辊及位于其近旁的阳极构成电性对(偶)。具体而言,供电辊45a与阳极43a、43b之间、供电辊45b与阳极43c~43f之间、供电辊45c与阳极43g~43j之间、供电辊45d与阳极43k~43n之间、供电辊45e与阳极43o、43p之间分别构成一对。各对从独立的电源(未图示)接受电力,不同的对之间形成各自的电流控制。
关于阳极43a~43p并无特别限定,可根据所使用的镀液等任意选择,例如可以使用可溶性阳极或不溶性阳极。关于装入镀液槽42的镀液,能够根据第2金属层的组成来任意选择,例如可以使用各种铜镀液,更具体例如是硫酸铜镀液(光泽浴)等。
作为镀液使用硫酸铜镀液的情况下,硫酸铜镀液可包含硫酸铜、硫酸、微量的氯离子以及各种添加剂等,能够根据目的适宜选择其组成。作为镀液使用硫酸铜镀液的情况下,使镀液中的铜离子还原,容易在两面金属叠层前驱体板F1的金属种子层上形成具有所希望的厚度的铜层。
以上说明的本实施方式的两面金属叠层板的制造方法中,并没有为了将尺寸变化率的中心值作为原点而实施加热条件及张力调整·展宽。因此,对获得的两面金属叠层板的金属叠层体进行蚀刻,形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位。
另外,本实施方式的两面金属叠层板的制造方法,还可以包括用于在两面金属叠层板形成配线图案的工序。在此情况下,例如还可以包括以下的工序。需要说明的是,通过实施以下的工序,能够获得具备配线图案的两面金属叠层板,即配线基板,因此,也可以说是配线基板的制造方法。
在金属层上形成抗蚀刻层的抗蚀刻层形成工序。
使用光掩膜在抗蚀刻层转印图案的图案转印工序。
在图案转印工序中,可以根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的抗蚀刻层形成工序之前为止的两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,来修正图案的转印条件。
并且,如下文所述,抗蚀刻层形成工序,换而言之是在第1金属层或第2金属层上形成抗蚀刻层的工序。
对两面金属叠层板的金属叠层体进行图案化,形成具有配线图案的两面金属叠层板的情况下,即形成两面配线基板的情况下,配线图案的形成处理,例如可以采用减成法或半加成法。
减成法是指,对包含金属种子层、第1金属层、第2金属层的金属叠层体,通过化学蚀刻来除去不属于配线图案的多余部分的方法。
此外,半加成法是指,使镀膜选择性地成长,形成电路的方法。
首先,以采用减成法形成配线图案的情况为例进行说明。
在抗蚀刻层形成工序中,可以在金属层上,具体是在第2金属层上形成抗蚀刻层。因此,可以在上述两面金属叠层板的制造方法的第2金属层形成工序之后,实施抗蚀刻层形成工序。
然后,在图案转印工序中,在通过抗蚀刻层形成工序形成的抗蚀刻层上,能够利用光掩膜转印图案。
如上所述,通过本实施方式的两面金属叠层板的制造方法所获得的两面金属叠层板,在其制造工序中,未实施以使公差的中心值接近原点为目的的加热条件的调整等。因此,通过本实施方式的两面金属叠层板的制造方法获得两面金属叠层板,尺寸变化率的中心值相对原点有偏位。对此,在上述图案转印工序中,优选根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的抗蚀刻层形成工序之前为止的两面金属叠层板(两面基板叠层前驱体板)的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,来对图案的转印条件进行修正。通过进行该修正,按照形成的图案对金属叠层体进行图案化,露出塑胶薄膜的一部分时,塑胶薄膜的尺寸变化已被纳入其中,因此能够抑制所形成的配线图案发生偏位。
在此,根据对金属叠层体进行图案化时的氛围等所致的吸湿条件,或制造工序中施加于两面金属叠层板的张力等,能够算出作为基准的两面金属叠层板的尺寸变化率的中心值。因此,IPC-TM-650、2.2.4、方法C中的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,可以视之为根据进行图案化时的氛围、两面金属叠层板的制造条件所推测出的MD以及TD的尺寸变化率的中心值。
关于图案的转印条件的修正内容并无特别限定,形成配线图案,露出塑胶薄膜的情况下,塑胶薄膜会吸湿、膨胀,因此更优选在考虑该膨胀部分的基础上进行图案转印。具体而言,关于欲转印的图案,更优选将其两面金属叠层板的尺寸变化率的中心值视为位于负值侧,来进行修正、调整并转印。
具体而言,例如,在图案转印工序中,更优选将使用光掩膜进行转印时的两面金属叠层板的尺寸变化率的中心值视为,MD为-0.06%以上0.00%以下、TD为-0.10%以上-0.04%以下,来修正图案的转印条件。因此,在蚀刻前,将尺寸变化率的实际中心值视为相对于算出的蚀刻后中心值位于负值侧,来转印图案,从而通过蚀刻形成配线图案的情况下,能够将配线图案配置在更恰当的位置。
关于对图案的转印条件进行修正的方法并无特别限定,例如,能够通过两面金属叠层板与光掩膜的位置调整、投影透镜与叠层板的距离、所使用的掩膜的选择等来实施修正。
在图案转印工序中,向抗蚀刻层转印图案之后,与通常的减成法同样,能够形成配线图案。例如可以具有以下工序。
除去抗蚀刻层中的多余部分,以此作为图案化抗蚀刻层的显影工序。
从抗蚀刻层的上面提供蚀刻液,进行化学蚀刻来除去金属叠层体的多余部分的蚀刻工序。
对两面金属叠层板进行洗净,以除去残留的蚀刻液等的洗净工序。
通过以上的步骤,能够形成具有所希望的配线图案的两面金属叠层板,即配线基板。
接下来,以通过半加成法形成配线图案的情况为例进行说明。
在抗蚀刻层形成工序中,能够在金属层上,具体而言在第1金属层或第2金属层上形成抗蚀刻层。因此,可以在上述两面金属叠层板的制造方法的第1金属层形成工序之后且第2金属层形成工序之前,或第2金属层形成工序之后,实施抗蚀刻层形成工序。
然后,在图案转印工序中,能够使用光掩膜,在通过抗蚀刻层形成工序形成的抗蚀刻层上转印图案。
在图案转印工序中,优选根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的抗蚀刻层形成工序之前形成的两面金属叠层前驱体板或两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,来对图案的转印条件进行修正。
另外,像减成法中已说明的那样,优选将使用光掩膜进行转印时的两面金属叠层前驱体板或两面金属叠层板的尺寸变化率的中心值视为,MD为-0.06%以上0.00%以下、TD为-0.10%以上-0.04%以下,来修正图案的转印条件。
在此,两面金属叠层前驱体板是指,形成第2金属层之前的,塑胶薄膜的两面上形成有金属种子层以及第1金属层的叠层板。
图案转印工序中,在抗蚀刻层上转印图案之后,能够与通常的半加成法同样,形成配线图案。例如,能够包含以下工序。
除去抗蚀刻层中的多余部分,即形成配线用金属层的部分,以此作为图案化抗蚀刻层的显影工序。
在金属层上,具体而言在第1金属层上或第2金属层上,即抗蚀刻层的開口部,形成配线用金属层的配线用金属层形成工序。
形成配线用金属层后,除去抗蚀刻层的抗蚀刻层除去工序。
除去通过除去抗蚀刻层而被露出的金属种子层以及金属层(第1金属层,或第1金属层与第2金属层)的蚀刻工序。
对两面金属叠层板进行洗净,以除去残留的蚀刻液等的洗净工序。
在此,配线用金属层,能够使用与例如在第2金属层中说明的材料相同的材料,并与第2金属层同样能够采用湿式镀法进行成膜。并且,例如在第1金属层上形成有配线用金属层的情况下,可将该配线用金属层作为第2金属层。另外,在第2金属层上形成有配线用金属层的情况下,可将第2金属层与配线用金属层合起来作为第2金属层。
根据以上说明的本实施方式的两面金属叠层板的制造方法中,在考虑进行图案化时等的尺寸变化率的基础上决定中心值,并抑制相对于该中心值的公差。因此,在对配置于塑胶薄膜表面的金属叠层体进行蚀刻,形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位。
通过本实施方式的两面金属叠层板的制造方法获得的两面金属叠层板,能够适宜应用于尤其要求抑制高密度安装的配线基板等的尺寸变化的各种用途。更具体为,例如,通过本实施方式的两面金属叠层板的制造方法获得的两面金属叠层板,作为用于接合电子部件、电连接并加以机械固定的配线基板的材料,非常之有用。
[配线图案的图像转印方法]
以下,关于本实施方式的配线图案的图像转印方法进行说明。
本实施方式的配线图案的图像转印方法是配线图案的图像转印方法,其包括:在具有塑胶薄膜、直接配置于塑胶薄膜的两面上的金属种子层、及配置于金属种子层上的金属层的两面金属叠层板的该金属层上,形成抗蚀刻层的抗蚀刻层形成工序;利用光掩膜,将图案转印到抗蚀刻层的图案转印工序。并且,在图案转印工序中,能够根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,来修正图案的转印条件。
更具体而言,例如作为本实施方式的配线图案的图像转印方法的第1结构例,可具有以下工序。
配线图案的图像转印方法,其包括:在具有塑胶薄膜、直接配置于塑胶薄膜的两面上的金属种子层、配置于金属种子层上的第1金属层、配置于第1金属层上的第2金属层的两面金属叠层板的第2金属层上,形成抗蚀刻层的抗蚀刻层形成工序;利用光掩膜,将图案转印到抗蚀刻层的图案转印工序。并且,在图案转印工序中,能够根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,来修正图案的转印条件。
另外,作为本实施方式的配线图案的图像转印方法的第2结构例,可具有以下工序。
配线图案的图像转印方法,其包括:在具有塑胶薄膜、直接配置于塑胶薄膜的两面上的金属种子层、配置于金属种子层上的第1金属层的两面金属叠层前驱体板的第1金属层上,形成抗蚀刻层的抗蚀刻层形成工序;利用光掩膜,将图案转印到抗蚀刻层的图案转印工序。并且,在图案转印工序中,能够根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的两面金属叠层前驱体板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,来修正图案的转印条件。
本实施方式的配线图案的图像转印方法的第1结构例,能够通过与上述两面金属叠层板的制造方法中以减成法或是在第2金属层上形成抗蚀刻层时以半加成法进行的抗蚀刻层形成工序、以及图案转印工序相同的方式来实施。
另外,本实施方式的配线图案的图像转印方法的第2结构例,能够通过与上述两面金属叠层板的制造方法中在第1金属层上形成抗蚀刻层时以半加成法进行的抗蚀刻层形成工序、以及图案转印工序相同的方式实施。
因此,省略重复部分的说明。
根据以上说明的本实施方式的配线图案的图像转印方法,在考虑进行图案化时等的尺寸变化率的基础上决定中心值,并根据该中心值来转印图案。因此,根据转印的图案来形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位。
本发明的实施方式的图案的图像转印方法,能够应用于两面配线基板的制造方法。
以下,将根据具体的实施例以及比较例来进行说明,但本发明并不限定于这些实施例。
在此,首先对获得的两面金属叠层板的评价方法进行说明。
关于获得的两面金属叠层板,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C,测定尺寸变化率,并评价了尺寸稳定性。
尺寸变化率这一指标中,收缩被表示为负值,伸张被表示为正值。
作为对金属叠层体进行蚀刻时的尺寸变化率,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C,测定了经过150℃、30分钟的热处理,及23℃、相对湿度55%条件下的24小时调湿之后的尺寸变化率。
以下,对各实施例以及比较例中的两面金属叠层板的制造条件进行说明。
[实施例1]
作为塑胶薄膜,准备了宽0.5m×长3000m的聚酰亚胺薄膜KAPTON100EN(东丽·杜邦株式会社制造)(塑胶薄膜准备工序)。在此,准备的KAPTON100EN的厚度为25μm,在以下的实施例2、3以及比较例1~3、7、8中也使用相同的塑胶薄膜。
其次,在塑胶薄膜的两面,通过溅镀法,形成了作为金属种子层的厚度8nm的Ni-20%Cr合金层(金属种子层形成工序)。在此,Ni-20%Cr合金是指,由20质量%的Cr及其余80质量%的Ni构成的Ni-Cr合金。
另外,在形成于塑胶薄膜的两面的金属种子层上,形成作为第1金属层的厚度0.1μm的铜层(第1金属层成膜工序)。
在此,使用图3所示的成膜装置30,连续实施了金属种子层形成工序、第1金属层形成工序。成膜时,先进行真空抽引使腔31内成为1×10-4Pa以下,然后向腔31内导入氩气,使腔31内的压力成为0.3Pa,然后在塑胶薄膜F的一个面上连续形成了金属种子层以及第1金属层。接下来,进行翻卷之后,在另一个面上也同样连续形成了金属种子层以及第1金属层。在此,在金属种子层以及第1金属层的成膜之前,由未图示的加热器对塑胶薄膜进行加热,使之成为绝对干燥状态。关于成膜装置30的结构上文中已说明,在此省略赘述。
然后,通过电解镀法,在塑胶薄膜的两面,具体而言在第1金属层上,同时形成了作为第2金属层的0.3μm厚度的铜层。在此,形成第2金属层时,使用除了阳极电極、供电辊、浸渍辊的个数有所不同之外其他结构与图4所示的连续电解镀敷装置40相同的连续电解镀敷装置。形成第2金属层时,将电流密度的初期值设为0.05A/dm2,然后以0.04A/dm2为单位使其逐渐上升,最终达到2A/dm2。作为镀液使用了硫酸铜镀液。
对获得的两面金属叠层板,进行了IPC-TM-650、2.2.4、方法C中的尺寸变化率评价。根据尺寸变化率的评价结果算出的相对于中心值的公差,及在此规定的尺寸变化率的中心值如表1所示。
在此,根据与方法C同样的吸湿(调湿)条件(23℃、相对湿度55%、24小时)、制造工序中的张力所致的变化,算出了尺寸变化率的中心值。
[实施例2、实施例3]
除了将第2金属层的厚度设为表1所示的厚度之外,其他按照与实施例1相同的条件,获得了两面金属叠层板。根据尺寸变化率的评价结果算出的相对于中心值的公差、算出的尺寸变化率的中心值如表1所示。
[实施例4~实施例6]
除了将塑胶薄膜的种类变更为如表1所示的种类,其他按照与实施例3相同的条件,获得了两面金属叠层板。根据尺寸变化率的评价结果算出的相对于中心值的公差、算出的尺寸变化率的中心值如表1所示。
在此,表1中,KAPON140ENZ(东丽·杜邦株式会社制造)、KAPTON150ENA(东丽·杜邦株式会社制造)的厚度分别为35μm、38μm。
另外,表1中UPILEX35SGAV1(宇部兴产株式会社制造)的厚度为35μm。
[比较例1~比较例6]
仅在塑胶薄膜的一个面上形成金属种子层、第1金属层、第2金属层之后,在塑胶薄膜的另一个面上也形成了金属种子层、第1金属层、第2金属层。除此之外,比较例1~比较例6中分别按照与实施例1~实施例6相同的条件,制造了两面金属叠层板。比较例1~比较例6中按单面分别形成金属叠层体,因此,在一个面上形成了第2金属层时,该塑胶薄膜的含水率为大致饱和状态,通过在一个面上形成第2金属层,能够抑制塑胶薄膜的尺寸收缩,从而能够维持与塑胶薄膜的含水率为大致饱和状态时同等程度的伸长状态(尺寸)。因此,塑胶薄膜的尺寸变化率的中心值,与大致饱和状态成为相同状态,即,在原点近傍,以原点作为中心值的情况下的公差如表1所示。
[比较例7、8]
降低了金属种子层形成工序以及第1金属层形成工序的加热温度,以及为了以塑胶薄膜的尺寸变化率的中心值作为原点,延长了第2金属层形成工序的时间,以使塑胶薄膜在第2金属层形成工序期间充分吸湿,使第2金属层的厚度成为如表1所示的值,除此之外按照与实施例1相同的条件,获得了两面金属叠层板。根据尺寸变化率的评价结果算出的相对于中心值的公差、算出的尺寸变化率的中心值如表1所示。
[表1]
根据表1所示的结果,确认到在实施例1~实施例6中,能够充分抑制相对于中心值的尺寸变化率的公差。
因此,关于实施例1~实施例6的两面金属叠层板,确认到,在第2金属层上形成抗蚀刻层,并根据算出的中心值来修正图案的转印条件,将图案转印到抗蚀刻层,然后使用该抗蚀刻层形成配线图案的情况下,能够抑制配线图案发生偏位。
相对而言,在比较例1~8中,确认到相对于中心值的尺寸变化率的公差较大。并且,关于比较例1~6,在第2金属层上形成抗蚀刻层,以尺寸变化率的中心值位于原点作为前提将图案转印到抗蚀刻层,并利用该抗蚀刻层形成配线图案的结果,确认到配线发生了偏位。就其理由可推测为,在比较例1~6中,由于按单面分别形成了金属叠层体,虽然塑胶薄膜的尺寸变化率的中心值在原点近旁,但吸湿程度产生了偏差。
另外,关于比较例7、8,与实施例1~实施例6同样在第2金属层上形成了抗蚀刻层,并根据算出的中心值对图案的转印条件进行修正,将图案转印到抗蚀刻层,然后使用该抗蚀刻层形成了配线图案。
然而,为了使尺寸变化率的中心值接近原点而对加热条件进行调整等的结果,尺寸变化率相对于中心值的公差增大,确认到配线发生偏位。
Claims (14)
1.一种两面金属叠层板,包括:
塑胶薄膜;
金属种子层,直接配置在所述塑胶薄膜的两面上;以及
金属层,配置在所述金属种子层上,
对塑胶薄膜进行图案化时,从绝对干燥状态的第1点开始,以23℃、相对湿度55%使其吸湿24小时,使MD以及TD均延伸到+0.07%的第2点后,以基于所述第1点和所述第2点的中心值作为基准时,相对于所述基准,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述两面金属叠层板的尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内,TD在±0.01%以内。
2.如权利要求1所述的两面金属叠层板,
按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的MD以及TD的尺寸变化率的中心值中,MD在0.00%以上0.06%以下的范围、TD在0.04%以上0.10%以下的范围。
3.如权利要求1或2所述的两面金属叠层板,
所述塑胶薄膜由聚酰亚胺构成。
4.如权利要求1或2所述的两面金属叠层板,
所述塑胶薄膜的厚度为25μm以上38μm以下。
5.如权利要求1或2所述的两面金属叠层板,
所述金属种子层是由Ni-Cr合金构成的层。
6.如权利要求1或2所述两面金属叠层板,
所述金属种子层的厚度为2nm以上30nm以下。
7.如权利要求1或2所述的两面金属叠层板,
所述金属层具有第1金属层及配置在所述第1金属层上的第2金属层。
8.如权利要求7所述的两面金属叠层板,
所述第1金属层的厚度为10nm以上300nm以下。
9.如权利要求7所述的两面金属叠层板,
所述金属种子层以及所述第1金属层的合计厚度为350nm以下。
10.一种两面金属叠层板的制造方法,包括:
金属种子层形成工序,通过干式镀法在塑胶薄膜的两面上形成金属种子层;
第1金属层形成工序,通过干式镀法在所述金属种子层上形成第1金属层;以及
第2金属层形成工序,通过湿式镀法在所述第1金属层上形成第2金属层,
对塑胶薄膜进行图案化时,从绝对干燥状态的第1点开始,以23℃、相对湿度55%使其吸湿24小时,使MD以及TD均延伸到+0.07%的第2点后,以基于所述第1点和所述第2点的中心值作为基准时,相对于所述基准,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值中,MD在0.00%以上0.06%以下的范围、TD在0.04%以上0.10%以下的范围,尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内。
11.如权利要求10所述的两面金属叠层板的制造方法,还包括:
抗蚀刻层形成工序,在所述第1金属层上或所述第2金属层上,形成抗蚀刻层;以及
图案转印工序,使用光掩膜,将图案转印到所述抗蚀刻层,
在所述图案转印工序中,根据在所述抗蚀刻层形成工序之前按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,以该中心值作为基准形成配线图案,抑制配线图案形成后的配线的偏位。
12.一种两面金属叠层板的制造方法,包括:
金属种子层形成工序,通过干式镀法在塑胶薄膜的两面上形成金属种子层;
第1金属层形成工序,通过干式镀法在所述金属种子层上形成第1金属层;
第2金属层形成工序,通过湿式镀法在所述第1金属层上形成第2金属层;
抗蚀刻层形成工序,在所述第1金属层上或所述第2金属层上,形成抗蚀刻层;以及
图案转印工序,使用光掩膜,将图案转印到所述抗蚀刻层,
对塑胶薄膜进行图案化时,从绝对干燥状态的第1点开始,以23℃、相对湿度55%使其吸湿24小时,使MD以及TD均延伸到+0.07%的第2点后,以基于所述第1点和所述第2点的中心值作为基准时,相对于所述基准,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值中,MD在0.00%以上0.06%以下的范围、TD在0.04%以上0.10%以下的范围,尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内、TD在±0.01%以内,
在所述图案转印工序中,根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述抗蚀刻层形成工序之前的所述两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,将使用所述光掩膜进行转印时的两面金属叠层板的尺寸变化率的中心值视为,MD在-0.06%以上0.00%以下、TD在-0.10%以上-0.04%以下,以该中心值作为基准形成配线图案,抑制配线图案形成后的配线的偏位。
13.一种配线图案的图像转印方法,包括:
抗蚀刻层形成工序,在具有塑胶薄膜、直接配置在所述塑胶薄膜的两面上的金属种子层、配置在所述金属种子层上的第1金属层、及配置在所述第1金属层上的第2金属层的两面金属叠层板的所述第2金属层上,形成抗蚀刻层;以及
图案转印工序,使用光掩膜,将图案转印到所述抗蚀刻层;
对塑胶薄膜进行图案化时,从绝对干燥状态的第1点开始,以23℃、相对湿度55%使其吸湿24小时,使MD以及TD均延伸到+0.07%的第2点后,以基于所述第1点和所述第2点的中心值作为基准时,相对于所述基准,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述两面金属叠层板的尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内,TD在±0.01%以内,
在所述图案转印工序中,根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述两面金属叠层板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,以该中心值作为基准形成配线图案,抑制配线图案形成后的配线的偏位。
14.一种配线图案的图像转印方法,包括:
抗蚀刻层形成工序,准备具有塑胶薄膜、直接配置在所述塑胶薄膜的两面上的金属种子层、及配置在所述金属种子层上的第1金属层的两面金属叠层前驱体板,在所述第1金属层上形成抗蚀刻层;
图案转印工序,使用光掩膜,将图案转印到所述抗蚀刻层;
对塑胶薄膜进行图案化时,从绝对干燥状态的第1点开始,以23℃、相对湿度55%使其吸湿24小时,使MD以及TD均延伸到+0.07%的第2点后,以基于所述第1点和所述第2点的中心值作为基准时,相对于所述基准,按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述两面金属叠层板的尺寸变化率的公差中,MD在±0.02%以内,TD在±0.01%以内,
在所述图案转印工序中,根据按照IPC-TM-650、2.2.4、方法C测出的所述两面金属叠层前驱体板的MD以及TD的尺寸变化率的中心值,以该中心值作为基准形成配线图案,抑制配线图案形成后的配线的偏位。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-254151 | 2016-12-27 | ||
JP2016254151A JP6880723B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 両面金属積層板、両面金属積層板の製造方法、及びパターンの画像転写方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108237801A CN108237801A (zh) | 2018-07-03 |
CN108237801B true CN108237801B (zh) | 2020-12-29 |
Family
ID=62701086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711393635.2A Expired - Fee Related CN108237801B (zh) | 2016-12-27 | 2017-12-21 | 两面金属叠层板、两面金属叠层板的制造方法、及图案的图像转印方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6880723B2 (zh) |
KR (1) | KR102514230B1 (zh) |
CN (1) | CN108237801B (zh) |
TW (1) | TWI806847B (zh) |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002124763A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路形成基板の製造方法、回路形成基板および回路形成基板用材料 |
TWI320046B (en) * | 2002-02-26 | 2010-02-01 | Polyamide-imide resin, flexible metal-clad laminate and flexible print substrate | |
JP4341023B2 (ja) | 2004-04-13 | 2009-10-07 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属被覆液晶ポリマーフィルムの製造方法 |
KR20080066882A (ko) * | 2004-06-23 | 2008-07-16 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 인쇄 배선판용 프리프레그, 금속박장 적층판 및 인쇄배선판, 및 다층 인쇄 배선판의 제조 방법 |
CN100566515C (zh) * | 2004-07-27 | 2009-12-02 | 加古川塑料株式会社 | 双层膜、双层膜的制造方法以及印刷电路板的制造方法 |
TWI375114B (en) * | 2004-10-22 | 2012-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof |
JP2006137011A (ja) | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Kuraray Co Ltd | 金属張積層体およびその製造方法 |
KR100973637B1 (ko) * | 2005-04-18 | 2010-08-02 | 토요 보세키 가부시기가이샤 | 박막 적층 폴리이미드 필름 및 연성 인쇄 배선판 |
JP2007196671A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-08-09 | Du Pont Toray Co Ltd | 銅張り板 |
TWI633365B (zh) * | 2006-05-16 | 2018-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
JP2008118105A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-05-22 | Hitachi Chem Co Ltd | イオンガン処理方法、ならびにそれを用いて作製された銅張積層板およびプリント配線基板 |
JP2008172025A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Sharp Corp | 多層プリント配線板の製造方法 |
JP5194602B2 (ja) | 2007-07-20 | 2013-05-08 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属被覆ポリイミド基板の製造方法 |
CN101808791B (zh) * | 2007-07-27 | 2016-01-20 | 宇部兴产株式会社 | 聚酰亚胺膜和配线板 |
US20100230142A1 (en) * | 2007-10-23 | 2010-09-16 | Ube Industries, Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
JP5266925B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2013-08-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属化ポリイミドフィルムとその製造方法 |
JP5267379B2 (ja) * | 2009-08-18 | 2013-08-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属被覆ポリイミドフィルムとその製造方法 |
CN101998761A (zh) * | 2009-08-26 | 2011-03-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种金属积层板及其制备方法 |
JP5541122B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-07-09 | 山一電機株式会社 | フレキシブル配線板 |
JP5746866B2 (ja) * | 2011-01-05 | 2015-07-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銅張積層板及びその製造方法 |
TWI568865B (zh) * | 2013-10-23 | 2017-02-01 | Sumitomo Metal Mining Co | Layer 2 flexible wiring substrate and manufacturing method thereof, and two-layer flexible wiring board and manufacturing method thereof |
TWI621381B (zh) * | 2014-04-02 | 2018-04-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Laminated body with metal foil with carrier |
JP2016015359A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-28 | 新日鉄住金化学株式会社 | 金属張積層体の寸法安定性の評価方法及び回路基板の製造方法 |
JP6252988B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2017-12-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 2層銅張積層板及びその製造方法、並びにそれを用いたフレキシブル配線板及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-12-27 JP JP2016254151A patent/JP6880723B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-20 TW TW106144842A patent/TWI806847B/zh active
- 2017-12-21 CN CN201711393635.2A patent/CN108237801B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2017-12-21 KR KR1020170177238A patent/KR102514230B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018103531A (ja) | 2018-07-05 |
KR20180076326A (ko) | 2018-07-05 |
JP6880723B2 (ja) | 2021-06-02 |
TW201830539A (zh) | 2018-08-16 |
TWI806847B (zh) | 2023-07-01 |
CN108237801A (zh) | 2018-07-03 |
KR102514230B1 (ko) | 2023-03-24 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |