TWI787174B - 覆金屬積層板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

覆金屬積層板(1)具有熱塑性液晶聚合物薄膜(2)、積層在熱塑性液晶聚合物薄膜(2)之一面上的金屬蒸鍍層(4)以及積層在熱塑性液晶聚合物薄膜(2)之另一面上的金屬片(6)。

Description

覆金屬積層板及其製造方法
本發明關於一種覆金屬積層板(metal-clad laminate)及其製造方法，其中，該覆金屬積層板使用的薄膜是設有金屬蒸鍍層且由能形成光學各向異性的熔融相的熱塑性聚合物(以下稱之為「熱塑性液晶聚合物」)構成的薄膜(以下稱之為「熱塑性液晶聚合物薄膜」)。
近年來，隨著智慧型手機和平板電腦等通訊設備的通訊速度的高速化、大容量化，就要求這些通訊設備所使用的電路基板實現電訊號之低損耗化、電路圖案之細節距(fine pitch)化、且要求在上述電路基板上高精度地形成微細電路。
軟性印刷電路基板一般透過半加成法(semi-additive process)和減去法(subtractive process)形成電路。減去法是用光阻劑(etching resist)掩蔽樹脂基板上的銅箔後，對電路以外的銅箔進行蝕刻，然後，除去光阻劑而形成電路的方法。上述電路形成方法因為能夠對較大的面積進行成批處理，且藥液管理比較容易，所以得到廣泛採用。然而，因為銅的蝕刻不僅在厚度方向上進行還在電路寬度方向上進行，所以電路的斷面形狀 變成梯形，對電路寬度之精確控制以及微細電路的形成受到限制，從而難以實現細節距化且難以高精度地形成微細電路。另一方面，半加成法是藉由電鍍銅、蒸鍍、濺鍍等形成晶種層(seed layer)，並僅在需要的部分將電路層疊起來的方法。在上述方法中，藉由濺鍍等將金屬薄膜作為晶種層覆蓋到薄膜上，在該薄膜上，形成光阻劑圖案之後，進行電鍍銅使電路生長，然後除去光阻劑，接著對電路間的晶種層進行蝕刻，由此便製成了配線板。透過半加成法進行的鍍敷，因為在光阻劑開口內僅在厚度方向上生長，所以能夠以所需鍍層厚度得到矩形斷面的電路形狀。因為電路寬度由光阻劑的光刻精度決定，所以能夠高精度地形成微細電路。與減去法相比，半加成法能夠提高電路寬度的精度，阻抗控制性良好，可以說是適用於高速傳輸用途之電路形成法。
低吸濕性、耐熱性、耐藥品性和介電特性等優異的熱塑性液晶聚合物薄膜作為絕緣薄膜備受矚目。已記載有如下製造方法：在特定的溫度條件下，將熱塑性液晶聚合物薄膜和金屬箔進行輥壓而得到覆金屬積層板(例如，參照專利文獻1)。
此外，還有人提出如下在絕緣薄膜上形成導電層的方法：將導體金屬蒸鍍到絕緣薄膜上。例如，在絕緣薄膜上進行金屬蒸鍍而形成蒸鍍膜後，對蒸鍍膜進行金屬鍍敷處理而形成金屬層(導電層)，然後，在導電層上形成電路圖案來製造電路基板的方法。上述蒸鍍方法因為能夠使藉由蒸鍍形成的金屬層較薄，所以有電路 的精細圖案(fine pattern)形成性優異之優點。
此外，例如有人提出了以下方法：透過真空蒸鍍法，在液晶聚合物薄膜上蒸鍍金屬薄膜後，用電鍍法形成金屬蒸鍍膜，然後，進行加熱處理。若藉由蒸鍍和鍍敷處理形成金屬蒸鍍膜，則因為能夠使金屬蒸鍍膜的厚度較薄，所以能夠實現細間距化，又因為藉由蒸鍍和鍍敷處理形成的金屬蒸鍍膜的表面粗糙度較小，所以有高頻特性優異之優點(例如，參照專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平5-42603號公報
[專利文獻2]日本特開2010-165877號公報
此處，對要求實現細間距化的電路基板而言，絕緣薄膜的尺寸穩定性很重要。例如，通常的微帶線形態的電路基板透過以下方法製造：在絕緣薄膜的兩面均有金屬層的雙面覆金屬積層板上，對一面的金屬層進行蝕刻處理而形成電路圖案，然後，積層用於保護該電路圖案的覆蓋膜而成。然而，若絕緣薄膜的尺寸穩定性差，則蝕刻處理時尺寸會發生變化，尤其是在高溫處理條件(如150℃下30分左右)下進行熱壓處理之覆蓋膜積層製程中發生的尺寸變化是一個問題。
因此，根據上述專利文獻2中記載的覆金屬積 層板的製造方法，即使是在形成了細間距性優異的金屬層之情況下，也會由於液晶聚合物薄膜本身的尺寸變化，而導致細間距性受損。
此外，在專利文獻2中記載的覆金屬積層板的製造方法中，為了提高密著強度而需要使蒸鍍膜的結晶尺寸較小，但要使蒸鍍膜的結晶尺寸較小(低於0.1μm)則需要提高真空度、降低處理速率。而且，因為在形成金屬蒸鍍膜後需要進行加熱處理，所以製造製程很複雜，難以提高液晶聚合物薄膜與金屬蒸鍍膜之間的密著強度。
於是，本發明正是鑑於上述問題而完成的，其目的在於：提供一種帶有金屬蒸鍍層之覆金屬積層板，該覆金屬積層板的尺寸穩定性優異，且熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬蒸鍍膜之間的密著強度優異。
為了達到上述目的，本發明的覆金屬積層板的特徵在於：具有熱塑性液晶聚合物薄膜、積層在熱塑性液晶聚合物薄膜之一面上的金屬蒸鍍層以及積層在熱塑性液晶聚合物薄膜之另一面上的金屬片。
又，本發明的覆金屬積層板的製造方法的特徵在於，包括：將金屬片積層到熱塑性液晶聚合物薄膜之一面上，而形成具有金屬片的單面覆金屬積層板的製程；以及一邊用捲對捲方式輸送單面覆金屬積層板，一邊用具有加熱輥的蒸鍍裝置，在熱塑性液晶聚合物薄膜之另一面上形成金屬蒸鍍膜的製程。
根據本發明，能夠提供一種覆金屬積層板，其尺寸穩定性優異，且熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬蒸鍍膜之間的密著強度優異。
1‧‧‧覆金屬積層板
2‧‧‧熱塑性液晶聚合物薄膜
3‧‧‧金屬層
4‧‧‧金屬蒸鍍層
5‧‧‧金屬鍍層
6‧‧‧金屬片(金屬箔)
7‧‧‧加熱輥
8‧‧‧耐熱橡膠輥
9‧‧‧加熱金屬輥
10‧‧‧連續熱壓裝置
12‧‧‧送膜輥
13‧‧‧加熱輥
14‧‧‧捲取輥
17‧‧‧坩堝
18‧‧‧電子槍
19‧‧‧單面覆金屬積層板
20‧‧‧蒸鍍裝置
圖1是顯示本發明的實施形態的覆金屬積層板的構造的剖視圖。
圖2是顯示本發明的實施形態的覆金屬積層板的製造方法中所使用的連續熱壓裝置的整體構成的示意圖。
圖3是顯示本發明的實施形態的覆金屬積層板的製造方法中所使用的蒸鍍裝置的整體構成的示意圖。
圖4是用來說明本發明的實施形態的覆金屬積層板之長度方向與寬度方向的俯視圖。
以下根據圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。需要說明的是，本發明不限於以下實施形態。
圖1是顯示本發明的實施形態的覆金屬積層板的構造的剖視圖。
如圖1所示，本實施形態的覆金屬積層板1由熱塑性液晶聚合物薄膜2、積層在熱塑性液晶聚合物薄膜2之一面上的金屬層3以及積層在熱塑性液晶聚合物薄膜2之另一面(即，與金屬層3一側相反之一側的表面)上的金屬片(金屬箔)6構成。
<金屬層>
本發明的金屬層3由金屬蒸鍍層4和形成在金 屬蒸鍍層4表面上的金屬鍍層5構成。
金屬蒸鍍層4沒有特別限制，例如能夠使用銅、金、銀、鎳、鋁、以及不銹鋼等，從導電性、易處理性和成本等觀點出發，使用銅、銀和金較佳。
金屬蒸鍍層4的厚度在0.1μm以上0.5μm以下較佳，在0.2μm以上0.4μm以下更佳。這是因為，若金屬蒸鍍層4的厚度較薄，則在鍍敷金屬鍍層5之際，有時會發生電流流入金屬蒸鍍層4而導致其破損之類的不良情況，若金屬蒸鍍層4較厚，則形成蒸鍍層需要較長時間，蒸鍍時間也變長，因而導致生產性低，成本大幅度增加。
此外，形成金屬蒸鍍層4的金屬之結晶粒徑沒有特別限定，從生產效率的觀點出發，在0.1μm以上較佳。
又，金屬鍍層5的厚度在2μm以上18μm以下較佳，在5μm以上16μm以下更佳，在8μm以上14μm以下又更佳。
此外，鍍敷後的金屬層3的厚度，在1μm以上200μm以下的範圍內較佳，在3μm以上20μm以下的範圍內更佳。這是因為，若鍍敷後的金屬層3的厚度小於1μm，則因為厚度過小，有時在覆金屬積層板1的製造製程中，流入大電流時會因為金屬箔的厚度較薄，而導致電路破損。若鍍敷後的金屬層3的厚度大於200μm，則因為厚度過大，例如將其用於軟性配線板時，彎折性能會下降，鍍敷時也更花費時間，成本增高，因此，鍍敷後的金屬層3的厚度為適當厚度較佳。
<金屬片>
本發明的金屬片6沒有特別限制，例如能夠使用銅、金、銀、鎳、鋁、以及不銹鋼等，從導電性、易處理性和成本等觀點出發，使用銅箔和不銹鋼箔較佳。需要說明的是，所使用的銅箔能夠透過軋延法或電解法製造。
又，金屬片6可以經過化學處理，該化學處理是指通常對銅箔進行的酸洗等處理。此外，金屬片6的厚度在2μm以上18μm以下較佳，從易處理性和難以產生皺褶的觀點出發，在6μm以上16μm以下更佳。
這是因為，若金屬片6的厚度小於2μm，則因為厚度過小，有時在覆金屬積層板1的製造製程中，金屬片6會產生皺褶等變形，若金屬片6的厚度大於18μm，則因為厚度過厚，例如將金屬片6用作軟性配線板時，有時彎折性能會下降。
此外，在本發明中，金屬片6的表面粗糙度沒有特別限定，但尤其是從高頻特性和密著強度之平衡的觀點出發，十點平均粗糙度Rz在0.5μm以上3.0μm以下的金屬片較佳。
一般而言，存在以下傾向：金屬片6的十點平均粗糙度Rz越小則高頻特性越優異，但壓接金屬片與薄膜之際，密著強度會變弱；相反，若Rz較大，則高頻特性變差，但金屬片與絕緣薄膜之間的密著強度變強。
因為本發明的金屬片6在作為熱塑性液晶聚合物薄膜的支撐件發揮作用的同時，還兼作導電層發揮作用，所以可以根據所需要的性能適當地對金屬片6的Rz 進行設定。尤其是將金屬片6用作微帶線的接地層時，重心就被放到了密著強度上，使用Rz在1.5μm以上2.5μm以下的金屬片6較佳。若要求金屬片6具有高頻特性，則從高頻特性與密著強度之平衡出發，金屬片6的Rz在2.0μm以下的範圍內較佳，在1.5μm以下的範圍內更佳，在1.1μm以下的範圍內尤佳。
在本發明中，若將銅箔用作金屬片6，則可以使用軋延箔或電解箔等。一般而言，軋延箔的表面粗糙度Rz比電解箔小(一般軋延箔的Rz在1.0μm左右)，從傳輸損耗(transmission loss)這一點看，軋延箔較佳，但從成本方面看，成本較低的電解箔較佳。當用本發明的覆金屬積層板1形成微帶線(具有以下構造的傳輸路徑：絕緣薄膜之一面具有導體箔作為接地面，另一面具有線狀電路圖案作為訊號面)時，例如用傳輸損耗小的金屬蒸鍍層作訊號面，用低成本的電解箔作接地面，就能夠形成低成本且傳輸損耗小的微帶線。
需要說明的是，此處所說的「表面粗糙度」是用接觸式表面粗糙度計(Mitutoyo Corporation製造，型號：SJ-201)測量出的金屬片表面的十點平均粗糙度Rz，即金屬片6的表面中與熱塑性液晶聚合物薄膜2接觸之面的粗糙度。
表面粗糙度的測量方法是按照ISO4287-1997規定而進行的方法。更具體而言，表面粗糙度Rz是從粗糙度曲線上在其平均線方向上取樣一段基準長度，用μm表示出的其中最高5個頂點(凸起處的頂點)的標高平均 值與最低5個凹點(凹陷處的最底點)的標高平均值之差，且顯示出十點平均粗糙度。
<熱塑性液晶聚合物薄膜>
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜2的原料沒有特別限定。例如有公知的熱向型液晶聚酯(thermotropic liquid crystal polyester)和熱向型液晶聚酯醯胺(thermotropic liquid crystal polyester amide)，其從分類於以下示例(1)到(4)的化合物及其衍生物導出。不過，為了得到能夠形成光學各向異性的溶融相的聚合物，顯然各種原料化合物的組合存在適當的範圍。
(1)芳香族或脂肪族羥基化合物(代表例參照表1)
Figure 106106768-A0202-12-0010-1
(2)芳香族或脂肪族二羧酸(代表例參照表2)
Figure 106106768-A0202-12-0010-2
(3)芳香族羥基羧酸(代表例參照表3)
[表3]
Figure 106106768-A0202-12-0011-3
(4)芳香族二胺、芳香族羥胺或芳香族胺基羧酸(代表例參照表4)
Figure 106106768-A0202-12-0011-5
此外，能夠從上述原料化合物得到的熱塑性液晶聚合物的代表例，例如有具有表5所示的構造單元的共聚物(a)~(e)。
Figure 106106768-A0202-12-0012-6
此外，從賦予薄膜所需的耐熱性和加工性的目的出發，本發明所使用的熱塑性液晶聚合物的熔點(以下稱之為「Mp」)在約200~約400℃的範圍內，尤其是在約250~約350℃的範圍內較佳。從薄膜的製造這一方面來看，熔點相對較低的熱塑性液晶聚合物較佳。
因此，若需要更高的耐熱性和熔點，則藉由對中途得到的薄膜進行加熱處理，就能夠提高到所需的耐熱性和熔點。舉加熱處理的條件之一例進行說明。即使中途得到的薄膜的熔點為283℃，只要以260℃加熱5小時，熔點就能變為320℃。
需要說明的是，Mp能夠藉由示差掃描熱量計(島津製作所股份有限公司製造，商品名：DSC)測量主吸熱峰出現時的溫度而求出。
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜2能夠透過將上述聚合物擠壓成型而得到。此時，能夠使用任一擠壓成型法，習知的T模拉伸製膜法、層壓體拉伸法、吹塑法等在工業上是有利的。尤其是採用吹塑法時，應力不僅施加於薄膜的機械軸(長度)方向(以下稱之為「MD方向」)上，而且施加於與上述方向正交的方向(以下稱之為「TD方向」)上，因此，能夠得到的薄膜在MD方向和TD方向上的機械性質和熱性質達到平衡。
此外，本實施方式的熱塑性液晶聚合物薄膜2之薄膜長度方向的分子取向度SOR(Segment Orientation Ratio)之範圍，設為0.90以上低於1.20的範圍較佳，設為0.95以上1.15以下的範圍更佳，設為0.97以上1.15以下的範圍又更佳。
具有該範圍之分子取向度的熱塑性液晶聚合物薄膜2之優點在於，不僅在MD方向和TD方向上的機械性質和熱性質有良好平衡且實用性高，而且如上述，有使用於電路基板的覆金屬積層板1之各向同性及尺寸穩定性良好之優點。
此外，若分子取向度SOR在0.50以下或在1.50以上，則液晶聚合物分子的取向偏差顯著，導致薄膜變硬，且在TD方向或MD方向容易裂開。若用於需要有加熱時不翹曲等形態穩定性的電路基板，則如上述，需要 分子取向度SOR之範圍為0.90以上低於1.15。尤其是若需要加熱時完全不翹曲，則分子取向度SOR之範圍為0.95以上1.08以下較佳。此外，藉由將分子取向設為0.90以上1.08以下，就能夠使薄膜介電常數變得均一。
需要說明的是，此處所說的「分子取向度SOR」是賦予構成分子之部分的分子取向之程度的指標，與先前的MOR(Molecular Orientation Ratio)不同，「分子取向度SOR」是考慮到物體厚度而定的值。
又，上述分子取向度SOR的計算方法如下。
首先，用習知的微波分子取向度測量儀，將熱塑性液晶聚合物薄膜2以薄膜面垂直於微波前進方向的方式插入微波共振波導管中，測量穿透該薄膜之微波的電場強度(微波穿透強度)。
其次，基於上述測量值，根據以下數學式(1)計算m值(稱之為折射率)。
m=(Zo/△z)X[1-vmax/vo]...(1)
(其中，Zo是儀器常數，△z是物體平均厚度，vmax是使微波頻率發生變化時，帶來最大微波穿透強度的頻率，vo是平均厚度為零時(即不存在物體時)，帶來最大微波穿透強度的頻率。)
然後，當物體繞微波振動方向旋轉的旋轉角為0°時，亦即，當微波振動方向與物体分子最常取向之方向(通常是擠壓成型的薄膜的長度方向)且帶來最小微波穿透強度之方向一致時，設m值為m0、旋轉角為90°時的m值為m90，用m0/m90計算出分子取向度SOR。
本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜2之厚度，雖然沒有特別限定，但是若使用的印刷配線板是將熱塑性液晶聚合物薄膜2用作電絕緣材料的覆金屬積層板1，則上述厚度為20~150μm之範圍較佳，25~100μm之範圍更佳。
這是因為，若薄膜厚度過薄，則薄膜的剛性和強度變低，在將電子元件封裝到製得的印刷配線板上時，印刷配線板受壓變形，配線的位置精度惡化，從而成為引發不良的原因。
此外，個人電腦等的主電路基板之電絕緣材料還可以使用上述熱塑性液晶聚合物薄膜與其他電絕緣材料的複合體，其他電絕緣材料例如是玻璃基材。需要說明的是，薄膜中還可以添加滑劑、抗氧化劑等添加劑。
此外，本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜2具有足夠的材料強度。在後述蒸鍍製程中的加熱處理中，尺寸變化小的薄膜較佳。從以上觀點出發，熱塑性液晶聚合物薄膜的韌性為30~100MPa較佳，40~90MPa更佳，60~85MPa又更佳。
需要說明的是，此處所說的「熱塑性液晶聚合物薄膜的韌性」是按照ASTM D882標準規定之方法，用拉伸試驗機(A&D COMPANY,LIMITED製造，商品名：RTE-210)測量伸長度和最大拉伸強度，並用上述測量值，藉由以下數學式(2)計算出的。
韌性=伸長度×最大拉伸強度×1/2...(2)
熱塑性液晶聚合物薄膜的熱膨脹係數為10~ 30ppm/℃較佳，12~25ppm/℃更佳，15~20ppm/°C又更佳。熱膨脹係數在上述範圍內，則因為熱塑性液晶聚合物薄膜與金屬片和金屬蒸鍍層之間的熱膨張差較小，所以在電路形成加工等時也能夠保持良好的尺寸穩定性。
需要說明的是，此處所說的「熱膨脹係數」是用熱機械分析裝置(TMA)，對寬5mm、長20mm的熱塑性聚合物薄膜兩端施加1g的拉伸負荷，並使其從室溫以5℃/分的速率升溫到200℃的情況下，基於30℃到150℃之間發生的長度變化計算出的。
此外，在不影響本發明之效果的範圍內，可以在熱塑性液晶聚合物中添加聚對苯二甲酸乙二酯、變性聚對苯二甲酸乙二酯、聚烯烴、聚碳酸酯、聚芳香酯、聚醯胺、聚苯硫醚、聚醚醚酮、氟碳樹脂等熱塑性聚合物以及各種添加劑，還可以根據需要添加填充劑。
需要說明的是，本發明的熱塑性液晶聚合物薄膜2例如可以使用Vecstar CT-Z(熔點335℃，可樂麗股份有限公司製造)、Vecstar CT-F(熔點280℃，可樂麗股份有限公司製造)。
下面，對本發明的實施形態中的覆金屬積層板的製造方法進行說明。
本實施形態的製造方法包括單面覆金屬積層板形成製程、蒸鍍製程、電鍍製程和電路形成製程，其中，該單面覆金屬積層板形成製程是在熱塑性液晶聚合物薄膜之一面上積層金屬片，形成具有金屬片的單面覆金屬積層板的製程，該蒸鍍製程是在熱塑性液晶聚合物 薄膜之另一面上，透過真空蒸鍍法，形成金屬蒸鍍層的製程，該電鍍製程是在金屬蒸鍍層的表面，形成金屬鍍層的製程，該電路形成製程是在金屬鍍層上形成電路的製程。
<單面覆金屬積層板形成製程>
首先，使長條的熱塑性液晶聚合物薄膜2處於繃緊狀態，將長條的金屬片6積層到熱塑性液晶聚合物薄膜2之單面上，讓二者通過加熱輥之間來壓接而積層起來。
需要說明的是，此處所說的「繃緊狀態」是指薄膜在薄膜長度方向(拉伸方向)上受到張力(如0.12~0.28kg/mm2)作用的狀態。
圖2是顯示本發明的實施形態的覆金屬積層板的製造方法中所使用的連續熱壓裝置的整體構成的示意圖。
該連續熱壓裝置10用於製造在熱塑性液晶聚合物薄膜2之一側表面上接合有金屬片6的單面覆金屬積層板19。如圖2所示，連續熱壓裝置10包括送膜輥22、送膜輥21和加熱輥7。其中，該送膜輥22上裝有捲狀熱塑性液晶聚合物薄膜2，該送膜輥21上裝有銅箔之類的捲狀金屬片6，該加熱輥將熱塑性液晶聚合物薄膜2和金屬片6熱壓接而接合起來，從而形成單面覆金屬積層板19。
製造單面覆金屬積層板時，例如用耐熱橡膠輥8和加熱金屬輥9這一對輥(二者之輥面硬度均在80度以上)作為加熱輥7。而熱橡膠輥8和加熱金屬輥9則是較佳地，將耐熱橡膠輥8配置在熱塑性液晶聚合物薄膜2一 側，且將加熱金屬輥配置在金屬片6一側。
又，製造單面覆金屬積層板時所使用的耐熱橡膠輥8，採用藉由JISK6301規定的A型彈簧式硬度測試機進行試驗而測量出的輥面硬度在80度以上的輥較佳，採用輥面硬度在80~95度的輥更佳。此時，若硬度低於80度，會導致熱壓接時壓力不足，單面覆金屬積層板19的接合強度就會不足。若硬度超過95度，則局部線壓作用於耐熱橡膠輥8與加熱金屬輥9之間，從而可能造成單面覆金屬積層板19的外觀不良。需要說明的是，80度以上的橡膠，藉由向矽氧系橡膠、氟碳系橡膠等合成橡膠或天然橡膠中添加硫化劑、鹼性物質等硫化促進劑而得到。
而且，如圖1所示，在將熱塑性液晶聚合物薄膜2和金屬箔6重疊起來的狀態下，沿薄膜長度方向輸送，由此，供給到耐熱橡膠輥8和加熱金屬輥9這一對輥之間，將熱塑性液晶聚合物薄膜2和金屬片6熱壓接而積層起來。
<蒸鍍製程>
首先，在真空蒸鍍裝置中的蒸鍍室內，載置裝有蒸鍍源(如純度在99%以上的Cu)的蒸鍍舟(由鎢或鉬這些電阻體形成)。其次，藉由給該蒸鍍舟通電而加熱，將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，從而在單面覆金屬積層板19的熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上形成金屬蒸鍍層4。
需要說明的是，還可以在真空環境氣體中， 將蒸鍍源裝入坩堝，用電子束照射坩堝來加熱蒸鍍源，由此將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，從而形成金屬蒸鍍層4。
此外，在本實施方式中，採用以下構成：在蒸鍍室內，一邊採用捲對捲方式輸送片狀熱塑性液晶聚合物薄膜2，一邊在熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上形成金屬蒸鍍層4。
圖3是顯示本發明的實施型態的帶有金屬蒸鍍層之熱塑性液晶聚合物薄膜的製造方法中所使用的蒸鍍裝置的整體構成的示意圖。
該蒸鍍裝置20包括送膜輥12、加熱輥13、捲取輥14以及導輥15、16。其中，該送膜輥12上裝有捲狀單面覆金屬積層板19，該加熱輥13用於以規定溫度將金屬蒸鍍到單面覆金屬積層板19的熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，從而形成金屬蒸鍍層4，該捲取輥14用於捲取帶有金屬蒸鍍層4的單面覆金屬積層板19，該導輥15、16用於透過捲對捲方式讓單面覆金屬積層板19移動。
然後，用電子槍18向配置在加熱輥13下方的坩堝17照射電子束，來加熱收容於坩堝17內的蒸鍍源，由此將金屬(如銅)蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上，從而形成金屬蒸鍍層4。
在本發明中，以熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點Mp為基準，以Mp-65℃以上Mp-40℃以下的溫度(即，將加熱輥13的溫度設為Mp-65℃以上Mp-40℃以下)將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面上來形成金屬 蒸鍍層4較佳，溫度在Mp-60℃以上Mp-50℃以下更佳。
且如上述，藉由將蒸鍍製程中的加熱溫度設為Mp-65℃以上Mp-40℃以下，熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬蒸鍍層4之間的密著力就會增大，因此剝離強度得到提高。其原因推測如下：藉由以與熱塑性液晶聚合物薄膜2的熱變形溫度相近的溫度進行蒸鍍，蒸鍍粒子(蒸鍍時飛散的粒子)就會鑽入因加熱而變軟的薄膜內部，因此熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬蒸鍍層4之間的密著力會增大。需要說明的是，鑽入薄膜內部的粒子，一般在數十Å左右，遠遠小於薄膜的表面粗糙度。
因此，不必對熱塑性液晶聚合物薄膜2的表面進行粗糙化處理，不必控制金屬蒸鍍層4的結晶大小，也不必在形成金屬層3之後進行加熱處理，就能夠提高熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬蒸鍍層4之間的密著強度。因此，能夠透過廉價簡單的方法，提供一種帶有金屬蒸鍍層4之熱塑性液晶聚合物薄膜2，其傳輸損耗低、密著強度優異。
此外，因為不必控制蒸鍍出的金屬蒸鍍層4的結晶大小，所以能夠高效率地(即，不降低生產性)提供一種密著強度優異的帶有金屬蒸鍍層4之熱塑性液晶聚合物薄膜2。
此外，因為本發明是在蒸鍍時一邊加熱熱塑性液晶聚合物薄膜2(例如，上述實施形態中是一邊用加熱輥加熱熱塑性液晶聚合物薄膜2)一邊進行蒸鍍，所以蒸鍍時形成的金屬蒸鍍層4的結晶尺寸因加熱而變大，不 過本發明中金屬蒸鍍層4的結晶大小沒有特別限制，可以設為大於0.1μm且在10μm以下。
此外，在本實施型態中，從捲對捲方式下提高生產性的觀點出發，將蒸鍍速率設為1nm/s以上5nm/s以下較佳。
此外，在本實施型態中，將捲對捲方式下熱塑性液晶聚合物薄膜2的移動速度設為0.1m/min~5m/min。
<電鍍製程>
然後，用電鍍法在金屬蒸鍍層4的表面上形成金屬鍍層5。更具體而言，將金屬(如銅)電鍍到藉由上述蒸鍍製程形成的金屬蒸鍍層(金屬底膜)4上，由此形成由金屬蒸鍍層4和金屬鍍層5構成的金屬層3。
上述電鍍法沒有特別限定，例如，若要形成銅鍍層來作為金屬鍍層5，則可以使用一般的用硫酸銅電鍍的方法。
此外，從生產性和電路縱橫比(aspect ratio)的觀點出發，金屬鍍層5的厚度在1μm以上10μm以下較佳。需要說明的是，若金屬鍍層較薄，則能夠得到縱橫比接近於“1”的銳(sharp)狀電路，其中，該縱橫比以電路上下寬度顯示。若金屬鍍層5較厚，則形成電路時電路縱橫比較小，呈梯形狀。毫米波、微波的電路形狀為縱橫比接近於“1”的銳狀電路較理想。
此外，從生產性的觀點出發，將陽極與陰極之間的電流密度設定在0.1A/dm2以上0.5A/dm2以下較佳。
此外，如上述，在本發明中能夠提高熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬層3之間的密著強度，但從電路可靠性的觀點出發，熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬層3之間的剝離強度係大於0.5kN/m較佳，在0.7kN/m以上更佳，在0.8kN/m以上又更佳。
此外，此處所說的「剝離強度」是按照JIS C 5016，透過90°法，測量以50mm/分的速度剝離銅蒸鍍層(銅層)時的強度。
<電路形成製程>
在本發明中，在電路形成製程中，可以透過減去法和半加成法形成電路。
採用減去法時，例如，用光阻劑掩蔽在金屬蒸鍍層4的表面上形成有金屬鍍層5的金屬層3後，進行蝕刻處理除去電路形成部分以外的金屬層3，然後除去光阻劑，由此就能夠形成電路。
從電路的細間距性的觀點出發，用半加成法形成電路更佳。此時，對處於已在熱塑性液晶聚合物薄膜2上形成有金屬蒸鍍層4之狀態的覆金屬積層板，在晶種層即金屬蒸鍍層4上形成光阻劑圖案之後，進行電鍍銅使電路生長。然後除去光阻劑，對電路間的晶種層進行蝕刻，由此便製成了電路圖案。此外，還能夠進一步在該蝕刻後的電路圖案上進行鍍敷處理，來任意調節電路厚度。例如，可以將電路厚度之範圍設為10μm~14μm(如12μm)。
採用半加成法時，在電鍍銅製程中，因為金屬鍍層在光阻劑開口內僅在厚度方向上生長，所以能夠根據所需鍍層厚度，得到矩形斷面的電路形狀。在半加成法中，因為電路寬度由光阻劑的光刻精度決定，所以能夠高精度地形成微細電路。與減去法相比，半加成法能夠提高電路寬度精度，阻抗控制性良好，可以說是適用於高速傳輸用途之電路形成法。
如上所說明，在本發明中，採用以下構成：形成在熱塑性液晶聚合物薄膜2之一面上積層有金屬片6的單面覆金屬積層板19，用捲對捲方式使單面覆金屬積層板19移動，由此，在熱塑性液晶聚合物薄膜2沒有積層金屬片6之另一面上，形成金屬蒸鍍層4。因此，因為形成金屬蒸鍍層4之際，積層在熱塑性液晶聚合物薄膜2之一面上的金屬片6發揮作用，抑制熱塑性液晶聚合物薄膜的熱應變，所以，與沒有積層金屬片的熱塑性液晶聚合物薄膜相比，能抑制熱塑性液晶聚合物薄膜2發生應變，從而提高熱塑性液晶聚合物薄膜2的尺寸穩定性。其結果是，在蝕刻處理時以及在高溫處理條件下進行熱壓處理之覆蓋膜積層製程中，熱塑性液晶聚合物薄膜2起因於應變的尺寸變化被抑制，因此，能夠得到細間距性優異的覆金屬積層板。
即，若對沒有積層金屬片的熱塑性液晶聚合物薄膜，用捲對捲方式形成金屬蒸鍍層，則熱塑性液晶聚合物薄膜會暴露在高溫中，因此輸送的熱塑性液晶聚合物薄膜就會伸長，熱塑性液晶聚合物薄膜發生應變， 尺寸穩定性下降。因此，因為在蝕刻處理時以及在高溫處理條件下進行熱壓處理之覆蓋膜積層製程中，熱塑性液晶聚合物薄膜產生的應變被釋放，所以即使是在形成了細間距性優異的金屬層之情況下，也會有由於液晶聚合物薄膜本身的尺寸變化，而導致細間距性受損的問題。
另一方面，在本發明中，如上述，因為對積層有金屬片6的單面覆金屬積層板19形成金屬蒸鍍層4，所以在用捲對捲方式向熱塑性液晶聚合物薄膜2施加張力之際，金屬片6發揮支撐件作用，即使是進行高溫條件下的蒸鍍也能夠防止熱塑性液晶聚合物薄膜2的熱應變的累積。因此，因為在形成金屬蒸鍍層4之際，能夠藉由金屬片6抑制熱塑性液晶聚合物薄膜2發生熱應變，所以能夠抑制熱塑性液晶聚合物薄膜2起因於應變的尺寸變化。
需要說明的是，覆金屬積層板1是否發生應變之判定指標，可以是加熱前的覆金屬積層板1與以50℃加熱30分後的覆金屬積層板1之間的尺寸變化率。如圖4所示，若覆金屬積層板1的長度方向L和寬度方向W上的尺寸變化率在±0.1%以下，則可以說覆金屬積層板1之應變的發生得到抑制。
需要說明的是，此處所說的「尺寸變化率」是按照IPC-TM650 2.4.4規定之方法，用熱風循環式乾燥機，在加熱溫度為150℃、加熱時間為30分的條件下測量出的覆金屬積層板1在加熱前後的尺寸變化率(%)。
此外，在本發明中，如上述，因為熱塑性液 晶聚合物薄膜2的尺寸穩定性得到提高，所以就不再需要為了改善尺寸穩定性而將加熱輥13的溫度設定得較低。即，如上述，因為能夠將加熱輥13的溫度設定得較高(即，設定為Mp-65℃以上Mp-40℃以下)，所以能夠提高熱塑性液晶聚合物薄膜2與金屬蒸鍍層4之間的密著強度。
[實施例]
下面根據實施例對本發明進行說明。需要說明的是，本發明不受該等實施例的限定，能夠基於本發明的主旨對該等實施例進行變形或變更，而不應把該等變形或變更排除到本發明的範圍之外。
(實施例1)
<單面覆銅積層板的製備>
首先，準備了具有50μm厚度的熱塑性液晶聚合物薄膜(可樂麗股份有限公司製造，商品名：Vecstar CT-Z)。其次，用連續熱壓裝置，將熱塑性液晶聚合物薄膜和12μm厚的電解銅箔(三井金屬礦業股份有限公司製造，商品名：3EC M2S-VLP(表面粗糙度：2.0μm)導入耐熱橡膠輥與加熱金屬輥之間進行壓接而接合，從而製備出單面覆銅積層板。
需要說明的是，銅箔的表面粗糙度Rz是用表面粗糙度測量器(Mitutoyo Corporation製造，商品名：SURFTEST SJ-201)，按照JIS B0601測量粗糙面的十點平均粗糙度而計算出的。在測量基準長度為0.8mm、評價長度為4mm、截取值為0.8mm、送料速度為0.5mm/秒的條件下，將測量位置變為與軋延方向平行，並進行10次 測量，求出10次測量結果的平均值。
此外，作為與熱塑性液晶聚合物薄膜接觸的耐熱橡膠輥，採用了樹脂包覆金屬輥(YURI ROLL MACHINE Co.,Ltd.製造，商品名：Super-Tempex，樹脂厚度：1.7cm)。
又，將加熱金屬輥的表面溫度設為比熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點低20℃的溫度。還對耐熱橡膠輥與加熱金屬輥之間施加給熱塑性液晶聚合物薄膜以及銅箔的壓力進行設定，使其換算為面壓時為120kg/cm2。在上述條件下，使熱塑性液晶聚合物薄膜沿耐熱橡膠輥移動後，將銅箔與熱塑性液晶聚合物薄膜疊合而接合起來。
<銅蒸鍍層的形成>
然後，採用捲對捲方式，用真空蒸鍍裝置(ROCK GIKEN Co.,LTD.製造，商品名：RVC-W-300)在單面覆銅積層板中的熱塑性液晶聚合物薄膜之另一面上形成銅蒸鍍層(厚：0.3μm)。
更具體而言，將單面覆銅積層板裝入供給側，將開放窗完全關閉後，抽真空，同時將加熱輥(用於將金屬蒸鍍到熱塑性液晶聚合物薄膜上的輥)的溫度設為100℃。
然後，取出銅錠，加入銅粒，使得銅的總重量達到450g。需要說明的是，所加入的銅粒進行了前處理，即用過硫酸鈉水溶液對銅粒進行清洗後，又用蒸餾水進行了清洗。
然後，在確認蒸鍍室內的真空度變為 7×10-3Pa以後，將加熱輥的設定溫度設為280℃。接著，提高EMI(電子槍的發射電流值)的輸出，使銅熔化。需要說明的是，此時調整了EMI輸出值，使得蒸鍍速率變為2.7nm/s。
然後，在確認加熱輥的溫度達到設定溫度(280℃)、蒸鍍室內的真空度下降到5×10-3Pa以下以後，將單面覆銅積層板的輸送速度設為0.5m/min，在此狀態下，進行銅的蒸鍍處理，從而形成厚度為0.3μm的銅蒸鍍層。
<外觀評價>
從相對於檢查燈的入射光軸的反射光軸一側，透過目視確認製備出的覆銅積層板上是否產生皺褶。上述結果顯示於表6。
<銅層的形成>
然後，透過電鍍法，在銅蒸鍍層的表面上形成銅鍍層(厚：12μm)，由此形成了由銅蒸鍍層和銅鍍層構成的12.3μm的銅層，從而製備出覆銅積層板。需要說明的是，是將形成有銅蒸鍍膜的熱塑性液晶聚合物薄膜置於高均一性酸性(high throw)之硫酸銅基本浴(含有40~100g/L的硫酸銅及150~250g/L的硫酸之硫酸銅鍍基本組成)中，使得銅鍍層的厚度變為12μm。
<尺寸穩定性評價>
然後，按照IPC-TM-650.2.2.4，對製備出的覆銅積層板進行加熱處理(在保持在150℃±2℃的烤箱內，將覆銅積層板靜置30分±2分，然後在23℃±2℃、 50%±5RH下靜置24小時)，測量加熱處理後的尺寸相對於加熱處理前的尺寸的變化率(%)，取平均值作為加熱引起的尺寸變化的尺寸變化率。將長度方向和寬度方向上的尺寸變化率均在±0.1%以下的情況定為尺寸穩定性良好。上述結果顯示於表6。
<剝離強度的測量>
銅蒸鍍層的剝離強度：用銅蒸鍍面經過鍍敷處理的覆銅積層板製出寬1.0cm的剝離試驗片。然後，用雙面膠帶將熱塑性液晶聚合物薄膜固定到平板上，按照JIS C 5016，透過90°法，測量了以50mm/分的速度剝離銅蒸鍍層(銅層)時的強度。
金屬片的剝離強度：同樣，製出寬1.0cm的剝離試驗片，用雙面膠帶將熱塑性液晶聚合物薄膜固定到平板上，按照JIS C 5016，透過90。法，測量了以50mm/分的速度剝離銅箔時的強度。
此外，從耐彎曲性等觀點出發，因為求出的剝離強度在0.8kN/m以上，所以判斷在具有0.8kN/m以上的強度時密著強度良好。上述結果顯示於表6。
<傳輸損耗的測量>
用製備出的覆銅積層板製出用於傳輸電磁波的50Ω之傳輸路徑(微帶線)，該傳輸路徑具有以下構造：在背面形成有導體箔的板狀介電體基板的表面上形成有線狀導體箔。然後，用微波網路分析儀(Agilent Technologies製造，商品名：8722ES)和探針(Cascade Microtech Japan,Inc製造，商品名：ACP40-250)，以40GHz測量了傳輸損耗。
需要說明的是，從高頻特性的觀點出發，將傳輸損耗在-0.6dB/10cm以下的情況定為良好，將傳輸損耗大於-0.6dB/10cm的情況定為不良。上述結果顯示於表6。
(實施例2)
實施例2使用的熱塑性液晶聚合物薄膜是厚50μm且熔點280℃的熱塑性液晶聚合物薄膜(可樂麗股份有限公司製造，商品名：Vecstar CT-F)，將形成銅蒸鍍層之際加熱輥的溫度設為230℃，除此以外，其他與上述實施例1相同，由此製備了覆銅積層板。之後，與上述實施例1同樣，進行了尺寸穩定性評價、剝離強度測量、傳輸損耗測量以及外觀評價。上述結果顯示於表6。
(實施例3)
實施例3除了使用的金屬片是厚12μm的軋延銅箔(JX日礦日石金屬股份有限公司製造，商品名：BHY-X，表面粗糙度：1.0μm)以外，其他與實施例1相同，由此製備了覆銅積層板。之後，與上述實施例1同樣，進行了尺寸穩定性評價、剝離強度測量、傳輸損耗測量以及外觀評價。上述結果顯示於表6。
(比較例1)
首先，準備了50μm厚的熱塑性液晶聚合物薄膜(可樂麗股份有限公司製造，商品名：Vecstar CT-Z)。然後，與上述實施例1同樣，在熱塑性液晶聚合物薄膜的兩面上形成由銅蒸鍍層和銅鍍層構成的銅層，從而製備出兩面形成有銅蒸鍍層的覆銅積層板。
之後，與上述實施例1同樣，進行了尺寸穩定性評價、剝離強度測量、傳輸損耗測量以及外觀評價。上述結果顯示於表6。
(比較例2)
比較例2除了將形成銅蒸鍍層之際加熱輥的溫度設為250℃以外，其他與上述比較例1相同，由此製備了兩面形成有銅蒸鍍層的覆銅積層板。
之後，與上述實施例1同樣，進行了尺寸穩定性評價、剝離強度測量、傳輸損耗測量以及外觀評價。上述結果顯示於表6。
(比較例3)
首先，準備了具有50μm厚的熱塑性液晶聚合物薄膜(可樂麗股份有限公司製造，商品名：Vecstar CT-Z)。然後，與上述實施例1同樣，藉由將軋延銅箔壓接到熱塑性液晶聚合物薄膜的兩面上而接合，從而製備出兩面設有銅箔的覆銅積層板。
之後，與上述實施例1同樣，進行了尺寸穩定性評價、剝離強度測量以及傳輸損耗測量。上述結果顯示於表6。
[表6]
Figure 106106768-A0202-12-0031-7
如表6所示，可知：在實施例1~3中，熱塑性液晶聚合物薄膜之一面上設有銅蒸鍍層，另一面上設有銅箔，在銅蒸鍍層形成製程中，熱塑性液晶聚合物薄膜上沒有產生皺褶，尺寸變化率小，尺寸穩定性優異。
還可知，實施例1使用電解銅箔作為金屬片層，實施例3使用的是軋延銅箔，與實施例3相比，實施例1在傳輸損耗方面毫不遜色，即使是在本發明使用了低成本的電解銅箔的情況下，也能夠製備出高頻特性優異的電路基板。
另一方面，比較例1~2中熱塑性液晶聚合物薄膜的兩面形成有銅蒸鍍層，對熱塑性液晶聚合物薄膜，用捲對捲方式形成金屬蒸鍍層，熱塑性液晶聚合物薄膜會暴露在高溫中，因此輸送的熱塑性液晶聚合物薄膜就會伸長，熱塑性液晶聚合物薄膜發生應變，尺寸穩定性下降。因為熱塑性液晶聚合物薄膜的熱應變未被釋放，所以在銅蒸鍍層形成製程中，熱塑性液晶聚合物薄膜上會產生皺褶，該皺褶在形成細間距電路時會成為很大的障礙。尤其可知，在比較例2中，因為形成銅蒸鍍層之際加熱輥的溫度較低，為250℃，所以剝離強度下降。
還可知，比較例3中熱塑性液晶聚合物薄膜的兩面形成有銅箔，因為形成在熱塑性液晶聚合物薄膜兩面上的電解箔之表面的凹凸比銅蒸鍍層大(Rz=2.0)，所以集膚效應較大，其結果是，傳輸損耗高達-0.75dB/10cm，高頻特性差。
[產業上之可利用性]
綜上前述，本發明關於一種使用了熱塑性液晶聚合物薄膜的覆金屬積層板及其製造方法。
1‧‧‧覆金屬積層板
2‧‧‧熱塑性液晶聚合物薄膜
3‧‧‧金屬層
4‧‧‧金屬蒸鍍層
5‧‧‧金屬鍍層
6‧‧‧金屬片(金屬箔)

Claims (8)

  1. 一種覆金屬積層板，其具有：熱塑性液晶聚合物薄膜，積層在前述熱塑性液晶聚合物薄膜之一面上的金屬蒸鍍層，以及積層在前述熱塑性液晶聚合物薄膜之另一面上的金屬片，其中前述熱塑性液晶聚合物薄膜與前述金屬蒸鍍層之間的剝離強度係大於0.5kN/m，該剝離強度係按照JIS C 5016規定之方法所測量者。
  2. 如請求項1之覆金屬積層板，其中，以150℃進行30分鐘加熱處理之長度方向和寬度方向上的尺寸變化率為±0.1%以下。
  3. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其中，前述金屬蒸鍍層的厚度為0.1μm以上0.5μm以下，前述金屬片的厚度為2μm以上18μm以下。
  4. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其中，形成前述金屬蒸鍍層的金屬之結晶粒徑為0.1μm以上。
  5. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其中，前述金屬蒸鍍層上形成有電路圖案。
  6. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其中，前述金屬蒸鍍層上設有金屬鍍層。
  7. 如請求項1或2之覆金屬積層板，其中，前述熱塑性液晶聚合物薄膜之薄膜長度方向的分子取向度SOR為0.90以上低於1.20。
  8. 一種覆金屬積層板的製造方法，其具有：將金屬片積層到熱塑性液晶聚合物薄膜之一面上，而形成具有金屬片的單面覆金屬積層板的製程，以及一邊用捲對捲方式輸送前述單面覆金屬積層板，一邊用具有加熱輥的蒸鍍裝置，在前述熱塑性液晶聚合物薄膜之另一面上形成金屬蒸鍍層的製程，其中，若將前述熱塑性液晶聚合物薄膜的熔點設為Mp，則前述加熱輥的溫度為Mp-65℃以上且Mp-40℃以下。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110050515B (zh) * 2017-02-17 2023-11-28 株式会社可乐丽 带金属蒸镀层的热塑性液晶聚合物薄膜、覆金属层压板及其制造方法
JP7138623B2 (ja) * 2017-04-07 2022-09-16 株式会社クラレ 金属張積層板およびその製造方法
WO2019203243A1 (ja) * 2018-04-20 2019-10-24 Ａｇｃ株式会社 ロールフィルム、ロールフィルムの製造方法、銅張積層体の製造方法、及びプリント基板の製造方法
KR20210084475A (ko) * 2018-10-29 2021-07-07 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 금속장 적층판 및 금속장 적층판의 제조 방법
EP3893272A4 (en) * 2018-12-04 2022-08-31 Kuraray Co., Ltd. HIGH VOLTAGE PRINTED CIRCUIT BOARD AND HIGH VOLTAGE DEVICE USING THE SAME
US11917753B2 (en) 2019-09-23 2024-02-27 Ticona Llc Circuit board for use at 5G frequencies
TWI740515B (zh) 2019-12-23 2021-09-21 長春人造樹脂廠股份有限公司 液晶高分子膜及包含其之積層板
JP2021171963A (ja) * 2020-04-22 2021-11-01 東洋鋼鈑株式会社 金属積層フィルム及びその製造方法
WO2023243491A1 (ja) * 2022-06-15 2023-12-21 株式会社クラレ 金属張積層板ロールおよびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09174786A (ja) * 1995-12-22 1997-07-08 Japan Gore Tex Inc 接着性表面又は金属表面を有する液晶ポリマーフィルム延伸物
TW200621480A (en) * 2004-11-10 2006-07-01 Kuraray Co Metallic laminate and method of making the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3245437B2 (ja) * 1991-04-05 2002-01-15 株式会社クラレ 積層体の製造方法
JP2001239585A (ja) 2000-02-28 2001-09-04 Kuraray Co Ltd 金属張積層体およびその製造方法。
JP2002020513A (ja) * 2000-07-06 2002-01-23 Toray Ind Inc エッチング方法
TW528676B (en) * 2001-03-07 2003-04-21 Kuraray Co Method for producing metal laminate
DE10393284T5 (de) * 2002-09-16 2005-09-08 World Properties, Inc., Lincolnwood Flüssigkristallpolymerverbundstoffe, Verfahren zu ihrer Herstellung und daraus hergestellte Gegenstände
JP2007158017A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 配線基板およびその製造方法
JP2006339365A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 配線基板およびその製造方法、多層積層配線基板の製造方法並びにビアホールの形成方法
JP5421598B2 (ja) * 2009-01-16 2014-02-19 株式会社ファインテック フレキシブルプリント基板の製造方法
JP2012020513A (ja) * 2010-07-15 2012-02-02 Canon Inc 印刷装置
JP5746866B2 (ja) * 2011-01-05 2015-07-08 Jx日鉱日石金属株式会社 銅張積層板及びその製造方法
CN102963074A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 住友化学株式会社 层叠基材的制造方法、液晶聚酯膜的制造方法
JP6035679B2 (ja) * 2013-02-19 2016-11-30 住友金属鉱山株式会社 めっき積層体の製造方法、及びめっき積層体
JP6028711B2 (ja) * 2013-10-23 2016-11-16 住友金属鉱山株式会社 両面成膜方法と金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法
KR102467102B1 (ko) * 2015-04-20 2022-11-14 주식회사 쿠라레 금속 클래드 적층판의 제조방법 및 이를 이용한 금속 클래드 적층판
JP6600985B2 (ja) * 2015-05-19 2019-11-06 大日本印刷株式会社 ロール状積層基板の製造方法及び積層基板
US20170208680A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper Foil, Copper-Clad Laminate Board, Method For Producing Printed Wiring Board, Method For Producing Electronic Apparauts, Method For Producing Transmission Channel, And Method For Producing Antenna

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09174786A (ja) * 1995-12-22 1997-07-08 Japan Gore Tex Inc 接着性表面又は金属表面を有する液晶ポリマーフィルム延伸物
TW200621480A (en) * 2004-11-10 2006-07-01 Kuraray Co Metallic laminate and method of making the same

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EP3424703A1 (en) 2019-01-09
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US11052638B2 (en) 2021-07-06
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