TWI783971B - 電氣特性之檢查治具 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種即便於在形成為微間距之焊墊或凸塊形成氧化膜之情形時，亦可檢查電氣特性之電氣特性之檢查治具。電氣特性之檢查治具具備可撓性薄片(11)、於可撓性薄片(11)之一面(11a)具有凹部(12a)之貫通電極(12)、及配置於貫通電極(12)之凹部(12a)之導電性彈性體(13)。藉由使焊墊或凸塊與導電性彈性體接觸，使探針與貫通電極(12)接觸，即便於在檢查對象物之焊墊或凸塊形成氧化膜之情形時，導電性彈性體(13)中之導電性粒子亦會穿破氧化膜，因而可檢查電氣特性。

Description

電氣特性之檢查治具
本技術係關於一種晶圓、晶片、封裝體等電子零件之電氣特性之檢查治具。本案係以2017年2月27日於日本申請之日本專利案號特願2017-034459為基礎而主張優先權者，本案藉由參照基礎申請而將基礎申請援用於本案。
目前，晶圓級之半導體裝置之電氣特性評價係使用探針卡使探針直接接觸於形成在晶圓之正面或背面之導電焊墊或凸塊而實施(例如參照專利文獻1)。
根據該方法，能進行封裝前或三維安裝前之檢查。
然而，為了去除晶圓之焊墊表面之氧化膜而表面帶著傷痕地實施探針檢查，因而存在於安裝檢查合格品之後，因檢查引起之損傷而產生不合格品之情形。又，隨著焊墊尺寸不斷變小，成為凸塊形成或安裝時之故障之原因的檢查時之傷痕之影響不斷變大。尤其是，近年來半導體晶片之微間距化愈發進展，故而檢查時之傷痕越來越成為大問題。
針對裸晶片或封裝體，進行使用有橡膠接頭(rubber connector)之處理機測試。關於成為檢查探針薄片之橡膠接頭，例如提出有如下各向異性導電性薄片，其係將經磁場配向之導電性粒子以貫通彈性體薄片之厚度方 向之方式配置而成(例如參照專利文獻2)。
專利文獻2所記載之檢查探針薄片由於在使導電性粒子於橡膠彈性彈性體樹脂中磁場配向時導電性粒子會於面內方向連結，故而難以應對微間距。又，雖然為了提昇耐久性而以包圍周圍之方式附加了框(frame)，但由於框內側之彈性體樹脂係容易因熱膨脹而伸縮之物質，故而變成耐久性下降之問題、或接點偏移(位置偏移)引起檢查故障之原因。尤其是，熱循環試驗等中之位置偏移係致命性的，難以應對今後進一步之微間距化。
又，一般於彈性體樹脂中配置導電性物質之橡膠接頭難以製造微間距之接頭，例如200μmP以下等級之檢查用接頭處於製造困難之狀況。因此，實際情況係對組裝後之封裝體實施檢查，結果，良率極度劣化，亦成為無法降低價格之主要原因。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2009-042008號公報
[專利文獻2] 日本專利特開2006-024580號公報
本技術係解決上述問題者，其提供一種即便於形成為微間距之焊墊或凸塊上形成氧化膜之情形時，亦可檢查電氣特性之電氣特性之檢查治具。
本技術之發明者等人進行了銳意研討後發現：藉由於形成於可撓性薄片之貫通電極之凹部配置導電性彈性體，即便於形成為微間距之焊墊或凸塊形成氧化膜之情形時，亦能檢查電氣特性。
即，本技術之電氣特性之檢查治具具備：可撓性薄片；貫通電極，其於上述可撓性薄片之一面具有凹陷之凹部；及導電性彈性體，其配置於上述貫通電極之凹部。
又，本技術之電氣特性之檢查方法具有：貼附步驟，其係於檢查對象物之電極面，貼附具備可撓性薄片、於上述可撓性薄片之一面具有凹陷之凹部之貫通電極、及配置於上述貫通電極之凹部之導電性彈性體的檢查探針薄片，使上述導電性彈性體與上述檢查對象物之電極接觸；及檢查步驟，其係使探針自上述可撓性薄片之另一面壓抵至貫通電極，檢查電氣特性。
根據本技術，藉由使焊墊或凸塊與導電性彈性體接觸，使探針接觸貫通電極，即便於在檢查對象物之焊墊或凸塊形成有氧化膜之情形時，亦可檢查電氣特性。認為此係導電性彈性體中之導電性粒子穿破氧化膜、或者因穿隧效應越過薄氧化膜而通電之效果。
10:檢查探針薄片
11:可撓性薄片
11a:一面
11b:另一面
12:貫通電極
12a:凹部
12b:凸部
13:導電性彈性體
20:檢查探針薄片
21:可撓性薄片
21a:一面
21b:另一面
22:貫通電極
22a:凹部
22b:凸部
23:導電性彈性體
30:半導體裝置
40:半導體裝置
50:線探針
圖1係表示第1實施形態之檢查探針薄片之一例之剖視圖。
圖2係表示形成有貫通電極之可撓性薄片之一例之剖視圖。
圖3係表示第2實施形態之檢查探針薄片之一例之剖視圖。
圖4係模式性表示使用第1實施形態之檢查探針薄片對電氣特性進行檢查之檢查步驟之剖視圖。
圖5係模式性表示使用第2實施形態之檢查探針薄片對電氣特性進行檢查之檢查步驟之剖視圖。
以下，按照下述順序詳細地說明本技術之實施形態。
1.電氣特性之檢查治具
2.電氣特性之檢查方法
3.半導體裝置之製造方法
<1.電氣特性之檢查治具>
本技術之電氣特性之檢查治具係所謂之檢查探針薄片，其具備可撓性薄片、於可撓性薄片之一面具有凹部之貫通電極、及配置於貫通電極之凹部之導電性彈性體。藉由使焊墊或凸塊與導電性彈性體接觸，使探針接觸貫通電極，即便於在檢查對象物之焊墊或凸塊形成有氧化膜之情形時，導電性彈性體中之導電性粒子亦會穿破氧化膜、或者因穿隧效應越過薄氧化膜而通電，因而可檢查電氣特性。
導電性彈性體可配合檢查對象物之焊墊或凸塊之形狀而成形，可自可撓性薄片之一面突出、亦可凹陷。
[第1實施形態]
圖1係表示第1實施形態之檢查探針薄片之一例之剖視圖，圖2係表示形成有貫通電極之可撓性薄片之一例之剖視圖。第1實施形態之檢查探針薄片10具備可撓性薄片11、於可撓性薄片11之一面11a具有凹部12a之貫通電極12、及配置於貫通電極12之凹部12a之導電性彈性體13，且導電性彈性體13自可撓性薄片11之一面11a突出。
可撓性薄片11較佳為具有可撓性及絕緣性、且熱膨脹係數低、耐熱性高之材料。作為可撓性薄片11之材料，列舉例如聚醯亞胺、聚醯胺、聚萘二甲酸乙二酯、雙軸配向型聚對苯二甲酸乙二酯、液晶聚合物等。與彈性彈性體相比，該等材料之尺寸穩定性良好，尤其是於熱循環試驗中不易 因位置偏移引起導通不良，耐久性亦優異，因而較佳。其中，較佳使用具有優異之耐熱性之聚醯亞胺。
可撓性薄片11之厚度若過薄則耐久性變差，因而較佳為5μm以上，更佳為10μm以上，進而較佳為20μm以上。可撓性薄片11之厚度若過厚則貫通電極之形成變得困難，因而較佳為500μm以下，更佳為100μm以下，進而較佳為50μm以下。
貫通電極12係各自獨立地存在，且與相鄰之貫通電極絕緣，可預先配合檢查對象物之焊墊或凸塊之位置而形成，亦可按照特定之間隔形成。
貫通電極12係於可撓性薄片11之厚度方向形成，且於可撓性薄片11之一面具有凹陷之凹部12a。凹部12a之深度較佳為可撓性薄片11之厚度之20~80%，更佳為40~80%，進而較佳為60~80%。藉此，可增大導電性彈性體13之厚度，可增大按下檢查探針薄片10時之移動量，且可追隨焊墊或凸塊之高度之不均。
又，貫通電極12之凹部12a之表面較佳為藉由Ni/Au鍍覆、Ni/Pd鍍覆、Ni/Pd/Au鍍覆等實施鍍覆處理，由金屬鍍覆膜所被覆。藉此，可利用凹部12a之錨固效應等提昇與導電性彈性體13之密接性，提昇耐久性，且可提昇與導電性彈性體13之導電性。
貫通電極12較佳為於可撓性薄片11之另一面具有突出之凸部12b。藉此，能夠使線探針前端之直徑形成為大於貫通電極12之直徑。
貫通電極12係由具有導電性之金屬或合金構成，其中較佳為由銅、鎳等金屬或合金構成。又，貫通電極12較佳為具有直徑自可撓性薄片11之一面11a朝向另一面11b而增加之所謂之「錐形狀」。藉此，能夠使線探針前端之直徑大於檢查對象物之焊墊或凸塊之尺寸。
導電性彈性體13自可撓性薄片11之一面11a突出。導電性彈性體13之突出高度若過低，則按下檢查探針薄片10時之移動量變小，難以追隨焊墊或凸塊之高度之不均。因此，導電性彈性體13之突出高度較佳為導電性粒子之平均粒徑之50%以上，更佳為100%以上，進而較佳為150%以上。又，導電性彈性體13之突出高度若過高，則突出部會彎折，故而較佳為導電性粒子之平均粒徑之400%以下，更佳為300%以上，進而較佳為250%以下。
導電性彈性體13係於彈性樹脂中分散導電性粒子而具有導電性。彈性樹脂只要具有橡膠彈性即可，較佳為具有耐熱性。由於檢查後宜儘量不於焊墊或凸塊留有殘渣，故而作為彈性樹脂之較佳例，列舉矽酮樹脂。藉此，能夠追隨半導體晶圓或晶片面內之焊墊或凸塊之高度之不均。
導電性粒子自貫通電極12連鎖，成為最端部自彈性樹脂之最表面露出之狀態，最端部與可撓性薄片11之另一面之貫通電極12電性連接。
導電性粒子只要具有導電性即可，較佳使用鎳、鈷、鐵等磁性金屬粒子、於樹脂核心或無機核心粒子鍍覆有磁性金屬之粒子。又，導電性粒子亦可藉由Ni/Au鍍覆、Ni/Pd鍍覆、Ni/Pd/Au鍍覆等進行鍍覆處理而由金屬鍍覆膜所被覆。於導電性粒子含有磁性金屬之情形時，藉由於將導電性彈性體13填充至貫通電極12之凹部時施加磁場，可容易地使導電性粒子彼此連鎖，自貫通電極12連結至位於彈性樹脂表層之導電性粒子為止而實現導通。
導電性粒子之平均粒徑越小則越可對應微小之焊墊或凸塊，因而較佳為20μm以下，更佳為10μm以下，進而較佳為5μm以下。
導電性粒子之形狀可為球形，亦可為多邊形、穗狀。於導電性粒子 之形狀為多邊形或穗狀之情形時，能更容易地穿破檢查對象物之焊墊或凸塊之氧化膜。
[第2實施形態]
圖3係表示第2實施形態之檢查探針薄片之一例之剖視圖。第2實施形態之檢查探針薄片20具備可撓性薄片21、於可撓性薄片21之一面21a具有凹部之貫通電極22、及配置於貫通電極之凹部之導電性彈性體23，且導電性彈性體23自可撓性薄片21之一面21a凹陷。導電性彈性體23之凹陷深度若過淺則難以對準凸塊，若過深則無法到達凸塊，因而較佳為凸塊高度之10%以上且90%以下，更佳為15%以上且70%以下，進而較佳為20%以上且50%以下。
於第2實施形態之檢查探針薄片20中，可撓性薄片21、貫通電極22、及導電性彈性體23之材料係與第1實施形態之檢查探針薄片10之可撓性薄片11、貫通電極12、及導電性彈性體13相同，因而此處省略說明。
[檢查探針薄片之製造方法]
其次，對檢查探針薄片之製造方法進行說明。首先，於可撓性薄片藉由雷射加工形成貫通孔，藉由電解電鍍於貫通孔半形成貫通電極，而形成凹部。又，較佳為將貫通電極及凹部側面藉由Ni/Au鍍覆、Ni/Pd鍍覆、Ni/Pd/Au鍍覆等進行鍍覆處理而由金屬鍍覆膜所被覆。
其次，使用微量分注器，向可撓性薄片之一面之貫通電極之凹部側均等地塗佈導電性彈性體分散液，並自可撓性薄片之一面之貫通電極之下側施加磁場。藉此，於導電性粒子含有磁性金屬之情形時，在將導電性彈性體填充至貫通電極之凹部時，可容易地使導電性粒子彼此連鎖，自貫通電極連結至位於彈性樹脂表層之導電性粒子為止而導通。
其次，於施加磁場使導電性粒子固定之狀態下在溫度100~200℃之烘箱中硬化0.5~3小時，進而以溫度150~250℃硬化1~4小時。藉此，可獲得貫通電極之凹部中填充有導電性彈性體之檢查用探針薄片。
<2.電氣特性之檢查方法>
應用本技術之電氣特性之檢查方法具有：貼附步驟(A)，其係於檢查對象物之電極面貼附具備可撓性薄片、於可撓性薄片之一面具有凹陷之凹部之貫通電極、及配置於貫通電極之凹部之導電性彈性體的檢查探針薄片，使導電性彈性體與檢查對象物之電極接觸；及檢查步驟(B)，其係使探針自可撓性薄片之另一面壓抵至貫通電極，對電氣特性進行檢查。藉此，即便於在檢查對象物之焊墊或凸塊形成氧化膜之情形時，導電性彈性體中之導電性粒子亦會穿破氧化膜，故而可檢查電氣特性。
作為檢查對象物之一例，列舉半導體裝置。半導體裝置可為形成於晶圓上之晶圓級、單片化之晶片級、封裝後之封裝級之任一者。以下，針對半導體裝置之晶片級之電氣特性之檢查方法，說明貼附步驟(A)、檢查步驟(B)、及檢查步驟後自半導體裝置剝離檢查探針薄片之剝離步驟(C)。再者，檢查探針薄片係與上述檢查探針薄片相同，因而此處省略說明。
[貼附步驟(A)]
於貼附步驟(A)中，於檢查對象物之電極面貼附檢查探針薄片，使導電性彈性體與檢查對象物之電極接觸。又，於貼附步驟(A)中，較佳為按壓檢查探針薄片。藉此，即便於在檢查對象物之焊墊或凸塊形成氧化膜之情形時，導電性彈性體中之導電性粒子亦會穿破氧化膜，因而可檢查電氣特性。
[檢查步驟(B)]
圖4係模式性表示使用第1實施形態之檢查探針薄片對電氣特性進行檢查之檢查步驟的剖視圖，圖5係模式性表示使用第2實施形態之檢查探針薄片對電氣特性進行檢查之檢查步驟的剖視圖。
如圖4、5所示，於檢查步驟(B)中，使線探針50自檢查探針薄片10、20之另一面10b、20b壓抵至貫通電極12、22，而對電氣特性進行檢查。認為壓抵線探針50時導電性彈性體中之導電性粒子亦會穿破焊墊31或凸塊41之氧化膜。
探針50係用於檢查電氣特性之探針，如圖4、5所示，較佳為相對於貫通電極之電極面垂直地豎立。探針50亦可排列有複數個銷。探針50之前端形狀並無特別限定，可為球面、平面、凹面、鋸齒面等。探針50之前端徑於貫通電極之電極不突出時較佳為小於電極之寬度，但於貫通電極之電極突出時，亦可於不與鄰接電極短路之範圍內大於電極之寬度。
電氣特性之檢查係藉由測定例如電晶體、電阻(電氣電阻)、電容器等之特性而進行。
[剝離步驟(C)]
於剝離步驟(C)中，自檢查對象物剝離檢查探針薄片。又，亦可於檢查探針薄片之剝離後洗淨檢查對象物。又，剝離之檢查探針薄片可使用複數次。
<3.實施例> [實施例]
以下，對本發明之實施例進行說明。於本實施例中，製作電氣特性之檢查治具，使用該電氣特性之檢查治具進行裸晶片之導通檢查。並且，評價導通檢查後之焊墊傷痕之有無。再者，本發明並不限定於該等實施例。
<實施例1> [具有貫通電極之可撓性薄片之製作]
於在聚醯亞胺薄片之兩面積層有銅之薄片(商品名：SPERFLEX、銅厚8μm、聚醯亞胺厚25μm、住友金屬礦山公司製)，藉由雷射加工以60μmP之格子狀間隔形成直徑30μm之貫通孔，並藉由電解電鍍於貫通孔形成經銅鍍覆之貫通電極。貫通電極係自薄片表面於厚度方向形成15μm之槽之凹部之半形成。其次，進行鎳與金之鍍覆加工後，藉由蝕刻而去除正面背面之銅層，藉此製作可撓性薄片。再者，鎳金鍍覆亦形成於凹部側面之聚醯亞胺表面。
[導電性彈性體分散液之製備]
於平均粒徑5μm之鎳粒子(Type123、Vale公司製)之表面藉由無電解之置換鍍覆施加鍍金層，藉此製作導電性粒子。作為彈性體，係將2液型液狀矽酮(KE-1204A/B、信越矽酮公司製)之A劑與B劑按1：1調配，並向其中混合導電性粒子，而獲得導電性彈性體分散液。
[檢查探針薄片之製作]
使用微量分注器(武藏高科技公司製)，於可撓性薄片之貫通電極之凹部側，以導電性彈性體自薄片表面突出10μm之方式均等地塗佈導電性彈性體分散液。於永久磁鐵上以塗佈面朝上而放置可撓性薄片，在經固定之狀態下於溫度160℃之烘箱中硬化1小時，進而以溫度200℃硬化2小時。藉此，製作導電性彈性體自可撓性薄片之表面突出10μm之檢查用探針薄片。
[導通檢查]
使用將直徑30μm之鋁焊墊以60μmP排列而成之6mm見方之裸晶片 (Dexerials評價基材)作為評價用裸晶片，使用30μmΦ之線探針(test-probe公司製)進行導通電阻檢查。更具體而言，如圖2所示，於將評價用裸晶片之電路面、與檢查探針薄片之導電性彈性體面對準之狀態下按壓，使線探針以荷重5g/pin與檢查探針薄片之電極面接觸，進行導通檢查。
表1中表示導通檢查後之鋁焊墊之傷痕之有無、及導通電阻值。鋁焊墊之傷痕無法藉由目視而確認，可進行導通檢查。認為此係由於導電性彈性體中之導電性粒子穿破了鋁焊墊之氧化膜。
<比較例1>
於實施例1之導通檢查中，不使用檢查探針薄片，而是直接使線探針以荷重5g/pin與評價用裸晶片之鋁焊墊接觸，進行導通檢查。
表1中表示導通檢查後之鋁焊墊之傷痕之有無、及導通電阻值。鋁焊墊之傷痕無法藉由目視而確認，無法進行導通檢查。認為此係由於線探針無法穿破鋁焊墊之氧化膜。
<比較例2>
於實施例1之導通檢查中，不使用檢查探針薄片，而是在利用線銷對評價用裸晶片之鋁焊墊造成傷痕之後，直接使線探針以荷重5g/pin與鋁焊墊接觸，進行導通檢查。
表1中表示導通檢查後之鋁焊墊之傷痕之有無、及導通電阻值。鋁焊墊之傷痕可藉由目視而確認，可進行導通檢查。認為此係由於預先利用線銷對鋁焊墊造成傷痕而去除了氧化膜。
Figure 107105500-A0305-02-0012-1
<實施例2> [具有貫通電極之可撓性薄片之製作]
與實施例1同樣地，製作具有貫通電極之可撓性薄片。
[導電性彈性體分散液之製備]
於平均粒徑2.5μm之Ni/Au鍍覆樹脂核心粒子(積水化學工業公司製)之表面藉由無電解之置換鍍覆施加鍍金層，藉此製作導電性粒子。作為彈性體，將2液型液狀矽酮(KE-1204A/B、信越矽酮公司製)之A劑與B劑按1：1調配，並向其中混合導電性粒子，而獲得導電性彈性體分散液。
[檢查探針薄片之製作]
使用微量分注器(武藏高科技公司製)，於可撓性薄片之貫通電極之凹部側，以導電性彈性體自薄片表面凹陷5μm之方式均等地塗佈導電性彈性體分散液。於電磁鐵上將塗佈面朝上放置可撓性薄片，於經固定之狀態下在溫度160℃之烘箱中硬化1小時，進而以溫度200℃硬化2小時。藉此，製作導電性彈性體自可撓性薄片之表面凹陷5μm之檢查用探針薄片。
[導通檢查]
使用將附高度20μm、30μmΦ之焊料帽之銅柱凸塊(以下稱為焊料凸塊)以60μmP排列而成之6mm見方之裸晶片(Dexerials評價基材)作為評價用裸晶片，使用30μmΦ之線探針(test-probe公司製)進行導通電阻檢查。更具體而言，如圖3所示，於將評價用裸晶片之電路面、與檢查探針薄片之導電性彈性體面對準之狀態下按壓，使線探針以荷重5g/pin與檢查探針薄片之電極面接觸，而進行導通檢查。
表2中表示導通檢查後之焊料凸塊之傷痕之有無、及導通電阻值。焊料凸塊之傷痕無法藉由目視而確認，可進行導通檢查。認為此係由於導電 性彈性體中之導電性粒子穿破了焊料凸塊之氧化膜。
<比較例3>
於實施例2之導通檢查中，不使用檢查探針薄片，而是直接使線探針以荷重5g/pin與評價用裸晶片之焊料凸塊接觸，而進行導通檢查。
表2中表示導通檢查後之焊料凸塊之傷痕之有無、及導通電阻值。焊料凸塊之傷痕無法藉由目視而確認，無法進行導通檢查。認為此係由於線探針無法穿破焊料凸塊之氧化膜。
<比較例4>
於實施例2之導通檢查中，不使用檢查探針薄片，而是利用線銷對評價用裸晶片之焊料凸塊造成傷痕後，直接使線探針以荷重5g/pin與焊料凸塊接觸，而進行導通檢查。
表2中表示導通檢查後之焊料凸塊之傷痕之有無、及導通電阻值。焊料凸塊之傷痕可藉由目視而確認，可進行導通檢查。認為此係由於預先利用線銷對焊料凸塊造成傷痕而去除了氧化膜。
Figure 107105500-A0305-02-0014-2
11‧‧‧可撓性薄片
11a‧‧‧一面
11b‧‧‧另一面
12‧‧‧貫通電極
13‧‧‧導電性彈性體

Claims (14)

  1. 一種電氣特性之檢查治具，其具備：可撓性薄片；貫通電極，其於上述可撓性薄片之一面具有凹陷之凹部；及導電性彈性體，其配置於上述貫通電極之凹部。
  2. 如請求項1之電氣特性之檢查治具，其中上述導電性彈性體自上述可撓性薄片之一面突出。
  3. 如請求項1之電氣特性之檢查治具，其中上述導電性彈性體自上述可撓性薄片之一面凹陷。
  4. 如請求項1之電氣特性之檢查治具，其中上述貫通電極於上述可撓性薄片之另一面具有突出之凸部。
  5. 如請求項1之電氣特性之檢查治具，其中上述貫通電極之凹部表面由金屬鍍覆膜所被覆。
  6. 如請求項1之電氣特性之檢查治具，其中形成於上述可撓性薄片之一面之凹部之貫通電極面及側面由金屬鍍覆膜所被覆而成。
  7. 如請求項1之電氣特性之檢查治具，其中上述凹部之深度係上述可撓 性薄片之厚度之20%以上、80%以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之電氣特性之檢查治具，其中上述貫通電極自上述可撓性薄片之一面朝另一面逐漸增加截面積。
  9. 如請求項2之電氣特性之檢查治具，其中上述導電性彈性體於彈性樹脂分散有導電性粒子而成，上述導電性彈性體之突出高度係上述導電性粒子之50%以上、400%以下。
  10. 一種電氣特性之檢查方法，其具有：貼附步驟，其係於檢查對象物之電極面貼附具備可撓性薄片、於上述可撓性薄片之一面具有凹陷之凹部之貫通電極、及配置於上述貫通電極之凹部之導電性彈性體的檢查探針薄片，使上述導電性彈性體與上述檢查對象物之電極接觸；及檢查步驟，其係使探針自上述可撓性薄片之另一面壓抵至貫通電極，對電氣特性進行檢查。
  11. 如請求項10之電氣特性之檢查方法，其進而具有剝離步驟，該剝離步驟係於上述檢查步驟後自上述檢查對象物剝離上述檢查探針薄片。
  12. 如請求項10或11之電氣特性之檢查方法，其中上述檢查對象物係半導體裝置。
  13. 如請求項10或11之電氣特性之檢查方法，其中上述檢查對象物之電極具有凸塊，上述導電性彈性體自上述可撓性薄片之一面凹陷，上述導電性彈性體之凹陷深度係上述凸塊高度之10%以上、90%以下。
  14. 如請求項12之電氣特性之檢查方法，其中上述檢查對象物之電極具有凸塊，上述導電性彈性體自上述可撓性薄片之一面凹陷，上述導電性彈性體之凹陷深度係上述凸塊高度之10%以上、90%以下。
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