TWI770175B - 基板清洗裝置及基板處理裝置 - Google Patents

基板清洗裝置及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI770175B
TWI770175B TW107116219A TW107116219A TWI770175B TW I770175 B TWI770175 B TW I770175B TW 107116219 A TW107116219 A TW 107116219A TW 107116219 A TW107116219 A TW 107116219A TW I770175 B TWI770175 B TW I770175B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
cleaning
roller
shaft
driven roller
Prior art date
Application number
TW107116219A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201902585A (zh
Inventor
中野央二郎
國澤淳次
Original Assignee
日商荏原製作所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商荏原製作所股份有限公司 filed Critical 日商荏原製作所股份有限公司
Publication of TW201902585A publication Critical patent/TW201902585A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI770175B publication Critical patent/TWI770175B/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Abstract

本發明公開提出一種基板清洗裝置。在一實施態樣中,基板清洗裝置具備:第一軸群,該第一軸群包含第一驅動軸和惰輪軸,該第一驅動軸具有使基板旋轉的第一驅動輥,該惰輪軸具有藉由基板而旋轉的從動輥;第二軸群,該第二軸群包含複數個第二驅動軸,該複數個第二驅動軸分別具有使基板旋轉的第二驅動輥;清洗機構,該清洗機構對藉由第一驅動輥及複數個第二驅動輥而旋轉的基板進行清洗;以及旋轉檢測部,該旋轉檢測部對從動輥的轉速進行檢測,從動輥位於與基板藉由清洗機構而受到力的方向相反的一側。

Description

基板清洗裝置及基板處理裝置
本發明係關於基板清洗裝置、基板處理裝置、及基板清洗方法。
本申請基於2017年5月16日在日本申請的專利2017-097621號而主張優先權,將其內容援引於此。
在以往,已知一種如下述的日本專利第4937807號公報所示的用於基板處理裝置的基板清洗裝置。基板清洗裝置具備:在第一軸群與第二軸群之間一邊保持基板(例如,圓形形狀的半導體基板或半導體晶圓)一邊使基板旋轉的基板保持旋轉機構;以及清洗基板的清洗機構。第一軸群及第二軸群分別具備兩個使基板旋轉的驅動軸。由此等共計四個驅動軸來一邊保持基板一邊使基板旋轉,藉由清洗機構清洗基板。
另外,在這種基板清洗裝置中,為了使經清洗的基板的品質穩定,即不僅對於基板的中心附近還包含周緣部,盡可能地不產生清洗後的基板上的顆粒附著這一擔憂,而要求精度良好地測定基板的轉速。作為測定基板的轉速的方法,在日本特開平10-289889號公報中公開了如下結構:基板的外周緣與從動輥抵接,使從動輥與狹縫板一體地旋轉,檢測狹縫板的旋轉狀態。
然近年來,由於半導體基板的細微化在發展,對於以往未成為課題的細微的附著物,也要求盡可能地從基板上除去。因此,清洗時的基板清洗過程的管理也被要求更高水準,以盡量消除清洗基板後的顆粒附著這一擔憂。
例如,如上述日本特開平10-289889號公報的基板清洗裝置,在藉由檢測從動輥的轉速而間接地檢測基板的轉速的結構中,至今雖未成為通常問題,但已經發現在從動輥與基板之間產生的滑動會成為使基板的轉速的檢測精度下降的主因。起因於滑動的基板的轉速的檢測精度下降成為招致清洗性不均勻的原因之一。因此,為了抑制這樣的滑動的發生,例如,使從動輥對於基板的按壓力變大是有效的。
另一方面,在例如日本專利第4937807號公報的基板清洗裝置中,如前所述,使各軸50的保持旋轉部52與基板W的周緣部抵接,而保持基板W(參照同文獻圖9)。在如該日本專利第4937807號公報所示的四個驅動輥中,若保持旋轉部保持基板W的保持力變得不均等,則保持於保持旋轉部的基板W的旋轉會不穩定,也有基板W的清洗等的處理效率下降之虞。此外,假設在將用於測定基板的轉速的從動輥以較強的按壓力與基板抵接的情況下,則有施加於基板的力的平衡被破壞,並招致基板的變形等的情況。進一步,假設使與基板接觸的輥的數量增加,則伴隨清洗而附著於輥的污垢再次附著於基板,想必也容易產生基板被污染的現象。
基於如上理由,近年來對於半導體基板所要求的清洗水平進一步提高,為了回應這樣的要求,在以基板清洗裝置連續地清洗複數個基板的情況下,要使基板清洗裝置所使用的基板的清洗的品質穩定,同時精度良好地測定基板保持旋轉機構的基板的轉速變得不容易。
本發明是考慮這樣的情況所完成的,因此提供能夠使基板的清洗的品質穩定,同時使用從動輥精度良好地測定基板的轉速的基板清洗裝置、基板處理裝置及基板清洗方法。
本發明的第一態樣是基板清洗裝置,基板清洗裝置具備:第一軸群,該第一軸群包含第一驅動軸和惰輪軸,該第一驅動軸具有使基板旋轉的第一驅動輥,該惰輪軸具有藉由所述基板而旋轉的從動輥;第二軸群,該第二軸群包含複數個第二驅動軸,該複數個第二驅動軸分別具有使基板旋轉的第二驅動輥;清洗機構,該清洗機構對藉由所述第一驅動輥及複數個所述第二驅動輥而旋轉的所述基板進行清洗;以及旋轉檢測部,該旋轉檢測部對所述從動輥的轉速進行檢測,所述從動輥位於與所述基板藉由所述清洗機構而受到力的方向相反的一側。
在上述態樣的基板清洗裝置中,從動輥位於與基板藉由清洗機構而受到的力的方向相反的一側。由此,與例如從動輥位於基板藉由清洗機構而受到的力的方向的情況相比,能夠將清洗機構產生的按壓力作為將基板按壓於驅動輥的力而有效利用。因此,即使將日本專利第4937807號公報的結構中的一個驅動輥置換成從動輥,也能夠藉由各驅動輥確實地使基板旋轉。
另外,與在例如日本專利第4937807號公報的結構追加從動輥的情況相比,能夠減少與基板接觸的輥的數量,抑制由附著於這些輥的污垢而污染基板的現象發生。
進一步,即使使從動輥往基板的按壓力與驅動輥往基板的按壓力相等,由於施加於基板的力的平衡與上述日本專利第4937807號公報的結構相比並未惡化, 因此能夠抑制基板的變形等,同時能夠以強的力將從動輥按壓於基板,而抑制在從動輥與基板之間產生的滑動。
綜上,根據上述態樣的基板清洗裝置,旋轉檢測部檢測從動輥的轉速,從而能夠精度良好地測定基板的轉速,並且使基板的清洗的品質穩定。
在本發明的第二態樣中,在上述第一態樣的基板清洗裝置中,也可以使所述從動輥旋轉時的轉動慣量小於使所述第一驅動輥旋轉時的轉動慣量。
在該情況下,藉由將從動輥的轉動慣量變小,從動輥容易與基板一起旋轉。即,能夠抑制從動輥與基板之間產生滑動,因此能夠使旋轉檢測部進行的基板的轉速的檢測精度提高。
在本發明的第三態樣中,上述第一或第二態樣的基板清洗裝置也可以具備:第一移動機構,該第一移動機構將所述第一軸群保持成能夠滑動移動且能夠旋轉移動;以及第二移動機構,該第二移動機構將所述第二軸群保持成能夠滑動移動且不能夠旋轉移動。
在該情況下,當在第一軸群與第二軸群之間夾持了基板時,能夠藉由第一軸群旋轉移動,可使各軸產生的基板的保持力的平衡均勻化。
本發明的第四態樣是上述第一~第三態樣的中的任意一個態樣的基板清洗裝置,具有所述第一軸群及所述第二軸群的基板保持旋轉機構也可以是將基板保持成垂直的機構。
本發明的第五態樣是上述第一~第三態樣的中的任意一個態樣的基板清洗裝置,進一步具備卡爪及感測器,前述卡爪連接於前述惰輪軸,前述感測器生成相應於前述卡爪的移動所輸出的開/關訊號。
本發明的第六態樣是基板處理裝置,基板處理裝置具備:上述第一~第五態樣中的任意一個態樣的所述基板清洗裝置;以及研磨基板的研磨部。
根據上述態樣的基板處理裝置,在清洗於研磨部經研磨的基板進行時,能夠精度良好地測定基板的轉速,且抑制輥的污垢再次附著於基板,而使處理後的基板的品質穩定。
本發明的第七態樣是藉由上述第一~第五態樣中的任意一個態樣的基板清洗裝置清洗基板的方法,在基板清洗方法中,將所述基板保持於具有所述第一軸群及所述第二軸群的基板保持旋轉機構,使所述基板旋轉,一邊向所述基板噴射清洗液,一邊以所述清洗部件清洗所述基板,停止所述清洗液的噴射,使所述清洗部件從所述基板離開並使所述基板的旋轉停止。
根據本發明的上述態樣,能夠提供能夠使基板的清洗的品質穩定,同時使用從動輥來精度良好地測定基板的轉速的基板清洗裝置、基板處理裝置及基板清洗方法。
1:基板保持旋轉機構
2A、2B:清洗機構
3:分隔部件
10:第一移動機構
12:滑塊
13:連結部件
13a:開口部
14:軸承
14a:內輪
15:軸部件
16:蓋
17:基座部件
17a:凹部
18:引導部件
19:卡止部件
20:第二移動機構
21:浮動接頭
21a:突起部
21b:凹部
22:氣缸
24:桿
25:基座部件
26:軸
26a:上端部
28:馬達
28a:旋轉軸
29:傳動帶
30:清洗部件驅動機構
31:外殼
33:支柱部件
34:安裝部
36:滑軌
37:調節器
50A:第一驅動軸
50B:惰輪軸
50C:第二驅動軸
51:主體部
51a:安裝部
52:驅動輥
52a、54a:保持槽
53:旋轉檢測部
53a:卡爪
53b:感測器
54:從動輥
60:輥清洗部件
61:上部清洗部件
62:下部清洗部件
63、64:輥型海綿
65、66:輥型海綿安裝部件
67:旋轉軸
68:揺動臂
69:筆清洗部件
71:上部噴嘴
72:下部噴嘴
101:殼體
101a、101b:分隔壁
102:裝載/卸載部
103:研磨部
103A:第一研磨單元
103B:第二研磨單元
103C:第三研磨單元
103D:第四研磨單元
104:清洗部
105:控制部
106:第一線性傳送裝置
107:第二線性傳送裝置
111:升降機
110:研磨墊
120:前裝載部
121:行進機構
122:搬送機器人
130A、130B、130C、130D:研磨台
131A、131B、131C、131D:頂環
132A、132B、132C、132D:研磨液供給噴嘴
133A、133B、133C、133D:修整器
134A、134B、134C、134D:噴霧器
180:暫置台
190:第一清洗室
191:第一搬送室
192:第二清洗室
193:第二搬送室
194:乾燥室
200:基板處理裝置
201A:上側一次基板清洗裝置
201B:下側一次基板清洗裝置
202A:上側二次基板清洗裝置
202B:下側二次基板清洗裝置
203:暫置台
205A:上側乾燥組件
205B:下側乾燥組件
207:濾網風扇單元
209:第一搬送機器人
210:第二搬送機器人
211、212:支承軸
D:間隙
F:按壓方向
L:滑動方向
G1:第一軸群
G2:第二軸群
TP1:第一搬送位置
TP2:第二搬送位置
TP3:第三搬送位置
TP4:第四搬送位置
TP5:第五搬送位置
TP6:第六搬送位置
TP7:第七搬送位置
W:基板
圖1是表示本實施態樣的基板處理裝置的結構的概要俯視圖。
圖2A是表示清洗部的俯視圖。
圖2B是表示清洗部的側視圖。
圖3是表示圖1的基板清洗裝置所具備的基板保持旋轉機構的立體圖。
圖4是圖3的基板保持旋轉機構的A-A截面箭頭視圖。
圖5是圖3的基板保持旋轉機構的B-B截面箭頭視圖。
圖6是圖3的第一移動機構的俯視圖。
圖7是表示輥型的清洗機構的立體圖。
圖8是表示筆型的清洗機構的立體圖。
圖9A是對基板清洗裝置的動作進行說明的示意圖。
圖9B是對基板清洗裝置的動作進行說明的示意圖。
圖9C是對基板清洗裝置的動作進行說明的示意圖。
圖9D是對基板清洗裝置的動作進行說明的示意圖。
圖10是表示對基板進行清洗的流程的流程圖。
以下,利用圖1~圖10,詳細說明本實施態樣的基板清洗裝置及基板處理裝置的結構。另外,為了將各部分設為能夠認識的大小,以下的說明所使用的各附圖適當變更了縮尺。另外,為了容易理解各部分的結構,有時局部省略了各部分的圖示。
(基板處理裝置)
首先,對基板處理裝置的實施態樣進行說明。圖1是表示本實施態樣的基板處理裝置的整體結構的俯視圖。如圖1所示,基板處理裝置具備大致矩形狀的殼體101,殼體101的內部藉由分隔壁101a、101b而劃分成裝載/卸載部102、研磨部103及清洗部104。這些裝載/卸載部102、研磨部103及清洗部104分別獨立地組裝,獨立地排氣。另外,基板處理裝置具有控制基板處理動作的控制部105。
裝載/卸載部102具備兩個以上(本實施態樣中為四個)的前裝載部120,存放複數個基板(晶圓)的晶圓匣盒。這些前裝載部120與殼體101相鄰配置,沿基板處理裝置的寬度方向(與長度方向垂直的方向)排列。在前裝載部120係可搭載開放式匣盒、SMIF(標準機械接口:Standard Manufacturing Interface) 盒或FOUP(前開式晶圓傳送盒:Front Opening Unified Pod)。在此,SMIF、FOUP是將晶圓收納於內部匣盒且以分隔壁覆蓋,藉此可保持與外部空間獨立的環境的密閉容器。
另外,在裝載/卸載部102沿著前裝載部120的排列鋪設行進機構121,於行進機構121設置有兩台能夠沿著晶圓匣盒的排列方向移動的搬送機器人(裝載機)122。搬送機器人122藉由在行進機構121上移動而能夠存取搭載於前裝載部120的晶圓匣盒。各搬送機器人122上下具備兩個機械手,在將經處理的基板放回晶圓匣盒時使用上側的機械手,在將處理前的基板從晶圓匣盒取出時使用下側的機械手,而能夠分開使用上下的機械手。進一步,搬送機器人122的下側的機械手藉由繞其軸心旋轉,而構成來使基板能夠反轉。
裝載/卸載部102是最需要保持清潔的狀態的區域,因此裝載/卸載部102的內部常態維持比基板處理裝置外部、研磨部103及清洗部104都高的壓力。研磨部103由於使用漿料作為研磨液而係最髒的區域。因此,在研磨部103的內部形成負壓,該壓力維持低於清洗部104的內部壓力。在裝載/卸載部102設有濾網風扇單元(未圖示),該過濾器風扇單元具有HEPA濾網、ULPA濾網或化學濾網等清潔空氣濾網,並從濾網風扇單元常態吹出經除去顆粒、有毒蒸氣、有毒氣體的清潔空氣。
研磨部103是進行基板的研磨(平坦化、化學機械的研磨處理)的區域,具備第一研磨單元103A、第二研磨單元103B、第三研磨單元103C、第四研磨單元103D。如圖1所示,這些第一研磨單元103A、第二研磨單元103B、第三研磨單元103C及第四研磨單元103D沿著基板處理裝置的長度方向排列。
如圖1所示,第一研磨單元103A具備:研磨台130A,其安裝了具有研磨面的研磨墊110;頂環131A,其用於保持基板並且一邊將基板按壓至研磨台130A上的研磨墊110一邊研磨基板;研磨液供給噴嘴132A,用於供給研磨液、修整液(例如純水)至研磨墊110;修整器133A,用於進行研磨墊110的研磨面的修整;以及噴霧器134A,其將液體(例如純水)與氣體(例如氮氣)的混合流體或液體(例如純水)弄成霧狀並向研磨面噴射。
同樣的,第二研磨單元103B具備研磨台130B,其安裝了研磨墊110;頂環131B;研磨液供給噴嘴132B;修整器133B;及噴霧器134B,第三研磨單元103C具備研磨台130C,其安裝了研磨墊110;頂環131C;研磨液供給噴嘴132C;修整器133C;及噴霧器134C,第四研磨單元103D具備研磨台130D,其安裝了研磨墊110;頂環131D;研磨液供給噴嘴132D;修整器133D;及噴霧器134D。
第一研磨單元103A、第二研磨單元103B、第三研磨單元103C及第四研磨單元103D相互具有相同的結構,因此以下以第一研磨單元103A為代表進行說明。
接著,對用於搬送基板的搬送機構進行說明。如圖1所示,與第一研磨單元103A及第二研磨單元103B相鄰地配置第一線性傳送裝置106。該第一線性傳送裝置106是在沿著研磨單元103A、103B排列的方向的四個搬送位置(從裝載/卸載部側依次為第一搬送位置TP1、第二搬送位置TP2、第三搬送位置TP3、第四搬送位置TP4)之間搬送基板的機構。
另外,與第三研磨單元103C及第四研磨單元103D相鄰地配置第二線性傳送裝置107。該第二線性傳送裝置107是在沿著研磨單元103C、103D排列 的方向的三個搬送位置(從裝載/卸載部側依次為第五搬送位置TP5、第六搬送位置TP6、第七搬送位置TP7)之間搬送基板的機構。
基板藉由第一線性傳送裝置106而搬送至研磨單元103A、103B。如上所述,第一研磨單元103A的頂環131A藉由未圖示的頂環頭的擺動動作而在研磨位置與第二搬送位置TP2之間移動。因此,基板往頂環131A的交接是在第二搬送位置TP2進行。同樣的,第二研磨單元103B的頂環131B在研磨位置與第三搬送位置TP3之間移動,基板往頂環131B的交接是在第三搬送位置TP3進行。第三研磨單元103C的頂環131C在研磨位置與第六搬送位置TP6之間移動,基板往頂環131C的交接是在第六搬送位置TP6進行的。第四研磨單元103D的頂環131D在研磨位置與第七搬送位置TP7之間移動,基板往頂環131D的交接是在第七搬送位置TP7進行的。
在第一搬送位置TP1配置用於從搬送機器人122接收基板的升降機111。基板經由該升降機111從搬送機器人122送至第一線性傳送裝置106。閘門(未圖示)位於升降機111與搬送機器人122之間且設置於分隔壁101a,在搬送基板時打開閘門,來讓基板從搬送機器人122送至升降機111。另外,在第一線性傳送裝置106、第二線性傳送裝置107及清洗部104之間配置未圖示的擺動傳送裝置。該擺動傳送裝置具有能夠在第四搬送位置TP4與第五搬送位置TP5之間移動的機械手,基板從第一線性傳送裝置106往第二線性傳送裝置107的交接是藉由擺動傳送裝置進行。基板藉由第二線性傳送裝置107而搬送至第三研磨單元103C和/或第四研磨單元103D。另外,在研磨部103經研磨的基板經由擺動傳送裝置而搬送至清洗部104。
圖2A是表示清洗部104的俯視圖,圖2B是表示清洗部104的側視圖。如圖2A及圖2B所示,清洗部104劃分成第一清洗室190、第一搬送室191、第二清洗室192、第二搬送室193及乾燥室194。在第一清洗室190內配置沿著縱向排列的上側一次基板清洗裝置201A及下側一次基板清洗裝置201B。上側一次基板清洗裝置201A配置於下側一次基板清洗裝置201B的上方。同樣的,在第二清洗室192內配置沿著縱向排列的上側二次基板清洗裝置202A及下側二次基板清洗裝置202B。上側二次基板清洗裝置202A配置於下側二次基板清洗裝置202B的上方。這些基板清洗裝置201A、201B、202A、202B是使用清洗液對基板進行清洗的清洗機。這些基板清洗裝置201A、201B、202A、202B沿著垂直方向排列,因此會有占地面積較小這一優點。
在上側二次基板清洗裝置202A與下側二次基板清洗裝置202B之間設置有基板的暫置台203。在乾燥室194內配置沿著縱向排列的上側乾燥組件205A及下側乾燥組件205B。這些上側乾燥組件205A及下側乾燥組件205B相互隔離。在上側乾燥組件205A及下側乾燥組件205B的上部設有將清浄的空氣分別供給至乾燥組件205A、205B內的濾網風扇單元207、207。上側一次基板清洗裝置201A、下側一次基板清洗裝置201B、上側二次基板清洗裝置202A、下側二次基板清洗裝置202B、暫置台203、上側乾燥組件205A及下側乾燥組件205B經由螺栓固定於未圖示的框架。
在第一搬送室191配置有能夠上下動的第一搬送機器人209,在第二搬送室193配置有能夠上下動的第二搬送機器人210。第一搬送機器人209及第二搬送機器人210分別移動自如地支承於沿縱向延伸的支承軸211、212。第一搬送機器人209及第二搬送機器人210在其內部具有馬達等驅動機構,並沿著支承 軸211、212上下地移動自如。第一搬送機器人209與搬送機器人122同樣地具有上下二段的機械手。如圖2A的虛線所示,第一搬送機器人209的下側的機械手配置於能夠存取上述暫置台180的位置。在第一搬送機器人209的下側的機械手存取暫置台180時,讓設置於分隔壁101b的閘門(未圖示)打開。
第一搬送機器人209進行動作來在暫置台180、上側一次基板清洗裝置201A、下側一次基板清洗裝置201B、暫置台203、上側二次基板清洗裝置202A及下側二次基板清洗裝置202B之間搬送基板W。在搬送清洗前的基板(附著有漿料的基板)時,第一搬送機器人209使用下側的機械手,在搬送清洗後的基板時使用上側的機械手。第二搬送機器人210係動作來在上側二次基板清洗裝置202A、下側二次基板清洗裝置202B、暫置台203、上側乾燥組件205A、下側乾燥組件205B之間搬送基板W。第二搬送機器人210僅搬送經清洗的基板,因此僅具備一個機械手。圖1所示的搬送機器人122使用其上側的機械手從上側乾燥組件205A或下側乾燥組件205B取出基板,並將該基板放回晶圓匣盒。在搬送機器人122的上側機械手存取乾燥組件205A、205B時,讓設置於分隔壁101a的閘門(未圖示)打開。
清洗部104具備兩台一次基板清洗裝置及兩台二次基板清洗裝置,因此能夠構成並列清洗複數個基板的複數個清洗線。
在本實施態樣中,一次基板清洗裝置201A、201B及二次基板清洗裝置202A、202B是輥型海綿型的清洗機。另外,在此,所謂輥型海綿是在說長條狀的海綿,其未圖示之硬質的材料構成的旋轉軸沿長度方向設置。
上側一次基板清洗裝置201A、下側一次基板清洗裝置201B、上側二次基板清洗裝置202A及下側二次基板清洗裝置202B可以是相同類型的基板清 洗裝置,或者也可以是不同類型的基板清洗裝置。例如,也能夠將一次基板清洗裝置201A、201B設為以一對輥型海綿擦洗清洗基板的上下表面的輥型基板清洗裝置(參照圖7),並將二次基板清洗裝置202A、202B設為筆型基板清洗裝置(參照圖8)。
(基板清洗裝置)
接著,對作為上述基板清洗裝置201A、201B、202A、202B而使用之輥型或筆型的基板清洗裝置的詳細結構進行說明。這些基板清洗裝置共同具備圖3~圖6所示的基板保持旋轉機構1。在該基板保持旋轉機構1的上部設置輥型的清洗機構2A(參照圖7)或筆型的清洗機構2B(參照圖8),從而構成各基板清洗裝置201A、201B、202A、202B。
(基板保持旋轉機構)
首先,對基板保持旋轉機構1進行說明。如圖3所示,在基板保持旋轉機構1的中央部設置有驅動清洗機構2A或清洗機構2B的清洗部件驅動機構30。在夾著清洗部件驅動機構30的兩側配置第一移動機構10及第二移動機構20。第一移動機構10使第一軸群G1移動,第二移動機構20使第二軸群G2移動。第一軸群G1包含第一驅動軸50A及惰輪軸50B,第二軸群G2包含複數個第二驅動軸50C。
如圖7、圖8所示,第一驅動軸50A具有驅動輥52(第一驅動輥),惰輪軸50B具有從動輥54,各第二驅動軸50C分別具有驅動輥52(第二驅動輥)。
基板保持旋轉機構1一邊藉由各驅動輥52及從動輥54的保持槽52a、54a來保持基板W,一邊藉由驅動輥52的旋轉力使基板W旋轉。
清洗部件驅動機構30具備:設置於圖4所示的外殼31的內側的氣缸(圖4中未圖示);及被該氣缸驅動的棒狀的支柱部件33。支柱部件33突出於氣缸的上方,藉由氣缸3的驅動而能夠上下動。
如圖3所示,在支柱部件33的上端設有安裝部34,其安裝有後述的清洗機構。另一方面,在外殼31的兩側配設有夾著該外殼31相互平行地配置的一對直線狀的滑軌36。第一移動機構10及第二移動機構20能夠滑動移動地安裝於該一對滑軌36的兩端部。
(第一移動機構)
在此,對第一移動機構10的結構進行說明。如圖3、4所示,於各滑軌36中卡合有在截面觀察時大致U字形的滑塊12。滑塊12在滑軌36延伸的方向上相對於該滑軌36滑動移動。在各滑塊12的下表面安裝有形成為大致矩形的平板狀之連結部件13。在連結部件13的中央部中設有上下貫通的開口部13a,在該開口部13a的內周嵌合軸承14。在軸承14的內輪14a中安裝有大致圓柱狀的軸部件15。軸部件15在開口部13a內藉由軸承14保持成能夠相對於連結部件13旋轉。在開口部13a的上部安裝有蓋16,其覆蓋設置於開口部13a內的軸部件15的上表面。
在連結部件13的下表面側設置形成為大致矩形的平板狀之基座部件17。基座部件17其外形比連結部件13大,其上表面中央部以螺栓固定於軸部件15的下端面。由此,如圖6所示,基座部件17構成為以軸部件15為中心而與該軸部件15一體地在水平面內轉動。
如圖4所示,在基座部件17的上表面形成有收納連結部件13的下部的大致矩形狀的凹部17a。在凹部17a的內周面與連結部件13的外周面之間設有微小尺寸的間隙D(參照圖6)。因此,基座部件17相對於連結部件13,能以間隙D 而在連結部件13與基座部件17不接觸的範圍內轉動。另外,間隙D的寬度尺寸在本實施態樣中形成為大約2mm左右。
如圖5所示,在基座部件17的外側(滑軌36的延伸方向的外側)安裝有大致L字形且其一端朝向下方的引導部件18。在引導部件18的內側設置板狀的卡止部件19,其上端固定於下述分隔部件3。在卡止部件19的內側安裝有氣缸22,藉由該氣缸22而被進退驅動的桿24的前端經由浮動接頭21連結於引導部件18的內側。
浮動接頭21省略詳細的圖示,但係由分別安裝於桿24側和引導部件18側的一對連結件構成。一邊的連結件所具備的球形狀的突起部21a構成為旋轉自如地卡合於另一邊的連結件所具備的球面狀的凹部21b內。由此,引導部件18以相對於桿24在大致全方向上揺動(轉動)自如的狀態連結,因此能夠藉由氣缸22的驅動使基座部件17與連結部件13一體地沿滑軌36往復移動,並且讓這些基座部件17及引導部件18能夠獨立於卡止部件19或氣缸22而在水平面內自如轉動。
另外,如圖5所示,在引導部件18的內表面安裝有突起狀的止動部件23,其前端部與卡止部件19的外表面抵接,並將基座部件17及連結部件13的移動限制在指定位置。另外,37是安裝於氣缸22的調節器。如此,第一移動機構10具備:往復移動機構,其使基座部件17及連結部件13一體地在沿滑軌36的直線方向上往復移動;及轉動機構,其係設置成使基座部件17相對於連結部件13以軸部件15為中心在水平面內轉動自如。
即,第一移動機構10將第一軸群G1保持成能夠沿滑軌36滑動移動且能夠繞軸部件15旋轉移動。
如圖4所示,各軸50A、50B分別具有圓筒狀的主體部51和插通於主體部51內的軸26。另外,雖然省略圖示,但第二驅動軸50C的結構與第一驅動軸50A的結構相同。
如圖3所示,在各軸50A、50B的主體部51的上端部設有安裝驅動輥52或從動輥54(參照圖7)的安裝部51a。藉著從安裝部51a突出的軸26的上端部26a連接於驅動輥52或從動輥54,軸26與驅動輥52或從動輥54一體地旋轉。另外在圖3中,係表示已從安裝部51a取下驅動輥52及從動輥54的狀態。
另外,如圖4及圖6所示,基座部件17其兩側向各滑軌36的兩外側(與滑軌36的延伸方向正交的兩外側)突出,在突出的部分的上表面立設有第一驅動軸50A及惰輪軸50B。接著,如圖4所示,旋轉自如地設置於各軸50A、50B的主體部51內的軸26貫通基座部件17並突出於基座部件17的下表面側。在基座部件17的下方設有馬達28,在馬達28的旋轉軸28a與第一驅動軸50A內的軸26之間架設有傳動帶29。馬達28經由傳動帶29輸入驅動力至第一驅動軸50A的軸26,並使軸26及驅動輥52一體地旋轉。
如圖7所示,在驅動輥52及從動輥54的外周面形成與基板W的外周緣抵接的保持槽52a、54a。以在保持槽52a內保持了基板W的周緣部的狀態下,藉著各驅動輥52進行旋轉,而使基板W旋轉。另外,在從動輥54的保持槽54a內,以保持了基板W的狀態下,藉由基板W進行旋轉,惰輪軸50B的軸26與從動輥54一起從動旋轉。
如圖4所示,在惰輪軸50B的軸26的下端部設有旋轉檢測部53,其係由一對卡爪53a和檢測卡爪53a的旋轉的感測器53b構成。一對卡爪53a從惰輪軸 50B的軸26的中心軸向其外側延伸。作為感測器53b,可使用具有投光部和受光部的光學式的感測器等。
在旋轉檢測部53中,藉由卡爪53a是否位於感測器53b的投光部與受光部之間,感測器53b的輸出訊號會變化,而可根據輸出訊號變化的時間間隔等,檢測卡爪53a的轉速,即檢測從動輥54的轉速。基板W的轉速由於與從動輥54的轉速成比例關係,因此能夠從動輥54的轉速算出基板W的轉速。
如上述這樣,旋轉檢測部53能夠藉著檢測從動輥54的轉速,而間接地檢測基板W的轉速。
(第二移動機構)
取代上述第一移動機構10所具備的基座部件17及連結部件13,第二移動機構20具備相當於將這些部件13、17一體地構成的結構的一個基座部件25。另外,在第二移動機構20中,雖然省略圖示,但構成為藉由馬達使兩個第二驅動軸50C的軸26同步旋轉。第二移動機構20的其他部分的結構與第一移動機構10共同。因此,在第二移動機構20的圖示及其說明中,對與第一移動機構共同的部分標記相同的符號,省略其詳細的說明。
如圖3所示,在第二移動機構20中,並未設置相當於連結部件13及軸部件15的部件,而係將滑塊12的下表面直接安裝於基座部件25的上表面,僅具備使基座部件25在沿滑軌36的直線方向上往復移動的往復移動機構。
即,第二移動機構20將第二軸群G2保持成能夠在沿滑軌36的直線方向上滑動移動且不能旋轉移動。
(輥型的清洗機構)
接著,對安裝於基板保持旋轉機構1的上部的輥型的清洗機構2A進行說明。圖7所示的清洗機構2A具備:對基板W進行清洗的輥清洗部件60;向基板W的上表面供給清洗液的上部噴嘴71;及向基板W的下表面供給清洗液的下部噴嘴72。
輥清洗部件60由清洗基板W的上表面的上部清洗部件61和清洗基板W的下表面的下部清洗部件62構成。各清洗部件61、62具備:與基板W的上表面或下表面滑動接觸的圓柱狀的輥型海綿63、64;及將該輥型海綿63、64安裝為能夠旋轉的輥型海綿安裝部件65、66。作為輥型海綿63、64的材質,能夠使用多孔質的PVA製海綿、發泡聚氨酯等。這些清洗部件61、62配置成其長度方向在各軸群G1、G2之間延伸。
各輥型海綿63、64形成為其長度與基板W的直徑相同或其以上的尺寸,使得其能夠與基板W的上下表面的整個面滑動接觸。另外,上部清洗部件61安裝於未圖示的使輥型海綿63上下動且旋轉的驅動機構。另一方面,雖然省略詳細的圖示,但下部清洗部件62安裝於支柱部件33的安裝部34。
上部噴嘴71及下部噴嘴72與未圖示的清洗液供給源連接,向基板W的上表面或下表面噴射清洗液。作為清洗液,能夠使用超純水、氨水、氫氟酸(氟酸)等。
如圖7所示,輥型海綿63在與基板W的接觸部中,在將基板W朝向第二軸群G2推壓的方向上旋轉。同樣的,輥型海綿64在與基板W的接觸部中,在將基板W朝向第二軸群G2推壓的方向上旋轉。由此,基板W從輥清洗部件60受到向第二軸群G2推壓的力(參照箭頭F)。如此一來,以下,將基板W藉由清洗機構2A而受到力的方向僅稱為按壓方向F。
(筆型的清洗機構)
接著,對筆型的清洗機構2B進行說明。圖8所示的清洗機構2B具備旋轉軸67、揺動臂68及筆型的清洗部件69。揺動臂68繞旋轉軸67旋轉。清洗部件69安裝於揺動臂68的前端部的下表面。該實施態樣中的筆型的清洗部件69形成為上下方向延伸的圓柱狀。作為清洗部件69的材質,能夠使用發泡聚氨酯、PVA等。
當揺動臂68繞旋轉軸67旋轉時,安裝於揺動臂68的前端的筆清洗部件69描繪圓弧狀的軌跡而在基板W上移動。揺動臂68的前端延伸到基板W的中心為止,因此筆清洗部件69的移動軌跡通過基板W的中心。另外,使筆清洗部件69移動到基板W的外周為止。在基板W旋轉的狀態下,筆清洗部件69以如上所述的軌跡移動,而藉由筆清洗部件69來清洗基板W的上表面的整個面。
在此,如圖8的箭頭R所示,筆清洗部件69與基板W接觸期間揺動臂68的揺動方向是從第一軸群G1向第二軸群G2的方向。這樣,藉著揺動臂68進行揺動,基板W從筆清洗部件69受到朝向第二軸群G2的推壓力(參照箭頭F)。另外,箭頭F的方向是與圖7所示由輥清洗部件60所生的推壓力的方向相同的方向。即,筆型的清洗機構2B的按壓方向F是與輥型的清洗機構2A的按壓方向F相同的方向。
以如上方式構成的基板清洗裝置,其整體收納配置於箱型的機殼內,如圖4及圖5所示,滑軌36的上表面和外殼31的上表面固定於設置在機殼內的板狀的分隔部件3的下表面側。藉由分隔部件3將機殼內分隔成下部空間和上部空間,在下部空間收容基板保持旋轉機構1,在上部空間收容清洗機構2A或2B。藉由分隔部件3,防止由清洗機構2A或2B清洗基板時的清洗液等到達下部空間內的基板保持旋轉機構1。另外,各軸50A~50C或支柱部件33從設置於分隔部件3的開口部3a等向分隔部件3的上方突出。
接著,利用圖9A~圖9D及圖10對以如上方式構成的基板清洗裝置的作用進行說明。
圖9A~圖9D是基板清洗裝置從上方來看的示意圖。另外,圖9A~圖9D所示的直線L表示一對滑軌36所延伸的位置。以下,將滑軌36延伸的方向僅稱為滑動方向L。圖10表示清洗基板的流程。
在保持基板W時,如圖9A所示,藉由第一移動機構10及第二移動機構20使配置於在滑動方向L上夾持基板W的兩側的第一軸群G1及第二軸群G2向基板W移動。此時,第二軸群G2比第一軸群G1早接觸基板W。藉著第一軸群G1及第二軸群G2這兩者與基板W的周緣部抵接,而保持基板W(圖10的S101)。
然而,在這樣保持基板W時,也會考慮第一驅動軸50A的驅動輥52及惰輪軸50B的從動輥54不以相互均等的壓力與基板W的周緣部抵接。然而,在本實施態樣中,如圖9B所示,藉著驅動輥52或從動輥54中的一方與基板W的周緣部抵接,基座部件17以軸部件15為中心轉動,而另一方則與基板W的周緣部抵接。藉由該動作,驅動輥52及從動輥54保持基板W的保持力的不均衡被修正,各輥以相互均等的壓力與基板W的周緣部抵接。
接著,驅動馬達28而使各驅動軸50A、50C的驅動輥52旋轉,如圖9C所示,使基板W旋轉(圖10的S102)。此時,伴隨基板W的旋轉,從動輥54也從動旋轉。當從動輥54旋轉時,安裝於惰輪軸50B的軸26的卡爪53a也旋轉,並以與該轉速對應的間隔,切換感測器53b所輸出的開/關訊號。因此,能夠從切換開/關訊號的時間間隔,檢測從動輥54的轉速。進一步,從動輥54從動於基板W的旋轉,因此能夠間接地算出基板W的轉速。
當基板W開始旋轉時,噴嘴71、72一邊向基板W噴射清洗液,輥清洗部件60或筆清洗部件69一邊被按壓於基板W並清洗基板W(圖10的S103)。此時,如圖9D所示,從輥清洗部件60或筆清洗部件69受到之朝向第二軸群G2的按壓方向F的推壓力作用在基板W上。並且,第二軸群G2所具有的複數個驅動輥52均對基板W施加旋轉力。因此,與例如在第二軸群G2包含惰輪軸50B的情況相比,能夠確實地對基板W施加旋轉力。
在清洗結束後,停止清洗液的噴射,使輥清洗部件60或筆清洗部件69從基板W離開(圖10的S104),使基板W的旋轉停止(圖10的S105)。之後,在未圖示的基板把持機構(例如,機械手機構)接收基板W時,從第一軸群G1及第二軸群G2取下基板W(圖10的S106)。
另外,在本實施態樣中,被基板W旋轉的從動輥54位於與按壓方向F相反的一側。由此,例如與從動輥54位於基板W藉由清洗部件60、69而受力的方向上的情況相比,能夠將由清洗部件60、69所生的按壓力作為基板W被按壓於驅動輥52的力而有效利用。因此,能夠藉由驅動輥52更確實地使基板W旋轉。
另外,與對於例如日本專利第4937807號公報的結構追加從動輥54的情況相比,能夠減少與基板W接觸的輥的數量,抑制由於附著於這些輥的污垢而污染基板W這一現象的發生。
進一步,即使將從動輥54往基板W的按壓力與驅動輥52往基板的按壓力弄成相等,由於施加於基板W的力的平衡與日本專利第4937807號公報的結構相比並未惡化,因此可一邊抑制基板W的變形等,一邊以較強的力將從動輥54按壓於基板W,防止從動輥54與基板W之間產生滑動。
另外,第一移動機構10將第一軸群G1保持成能夠滑動移動且能夠旋轉移動,第二移動機構20將第二軸群G2保持成能夠滑動移動且不能旋轉移動。藉由該結構,當在第一軸群G1與第二軸群G2之間已夾持基板W時,藉著第一軸群G1旋轉移動,而能夠使各軸50A~50C所生的基板W的保持力的平衡均勻化。
另外,在其他實施態樣中,在驅動馬達28而使各驅動軸50A、50C的驅動輥52旋轉而使基板W旋轉後,也可以使用例如未圖示的設置於對輥進行支承的軸的荷重元,來檢測各輥是否以相互均等的按壓力與基板W的周緣部抵接,並基於該檢測結果,藉由未圖示的設置於第一移動機構10或第二移動機構20的任一移動機構的位置調整機構,修正第一軸群G1及第二軸群G2的相對距離,之後繼續進行清洗處理。或者,也可以考慮所述基板W的轉速的算出結果和使用未圖示的荷重元所檢測到的按壓力,對第一軸群G1及第二軸群G2的相對距離進行修正,之後繼續進行清洗處理。藉著這樣操作,變成可再更確實地一邊抑制基板的變形等,一邊以較強的力將從動輥按壓於基板,而能抑制在從動輥與基板之間產生的滑動,且精度良好地測定基板的轉速,並且使基板的清洗的品質穩定。
如以上所說明的,根據本實施態樣的基板清洗裝置,藉著旋轉檢測部53檢測從動輥54的轉速,變成可精度良好地測定基板W的轉速,並且使基板W的清洗的品質穩定。
進一步,根據本實施態樣的基板處理裝置,在由基板清洗裝置201A、201B、202A、202B清洗在研磨部103經研磨的基板W時,能夠精度良好地測定基板W的轉速,並且抑制驅動輥52、從動輥54的污垢再次附著於基板W等,使經處理的基板W的品質穩定。
另外,本發明的技術範圍不限定於上述實施態樣,在不脫離本發明的主旨的範圍內能夠施加各種各樣的變更。
例如,在上述實施態樣中,第一軸群G1及第二軸群G2分別具有兩個軸,但這些軸群G1、G2所包含的軸的個數也可以適當變更。
另外,在上述實施態樣中,藉由卡爪53a及感測器53b檢測了從動輥54的轉速,但也可以藉由其他態樣的旋轉檢測部來檢測從動輥54的轉速。例如,也可以藉由非接觸式速度計等,測定惰輪軸50B的軸26的周速,而檢測從動輥54的轉速。在該情況下,非接觸式速度計相當於旋轉檢測部。
另外,也可以使從動輥54旋轉時的轉動慣量小於驅動輥52旋轉時的轉動慣量。在該情況下,從動輥54容易伴隨基板W的旋轉而旋轉,從動輥54與基板W之間的滑動變得難以產生。由此,能夠更精度良好地檢測基板W的轉速。
另外,作為使將動輥54旋轉時的轉動慣量變小的方法,會考慮使惰輪軸50B的軸26的外徑小於其他軸50A、50C的軸26的外徑的結構。或者,也可以考慮使用密度比其他軸26的材質輕的材料,作為惰輪軸50B的軸26的材質。根據這些態樣,能夠一邊使作為消耗品的驅動輥52及從動輥54為相同種類的部件,一邊使從動輥54旋轉時的轉動慣量變小。即,使驅動輥52及從動輥54的部件通用化,能夠實現成本降低、維護性的提高等。
另外,在上述實施態樣中,對各軸50A~50C沿上下方向延伸、水平地保持基板W的基板保持旋轉機構1進行了說明,但也可以採用將基板W保持成垂直的所謂縱置型的基板保持旋轉機構。在該情況下,能夠採用將上述實施態樣中說明了的基板保持旋轉機構1整體翻轉了90°般的態樣。在該情況下,基板被按壓於軸時的轉速檢測,若要對從基板的中心來看位於下方的軸進行檢測,則想 必也有基板自身的荷重的影響,因此也可構成來對從基板的中心來看位於上方的軸進行檢測。
另外,上述實施態樣的基板處理裝置200具備輥型的基板清洗裝置及筆型的基板清洗裝置這兩者,但也可以採用具備任意一方的類型的基板清洗裝置的基板處理裝置200。另外,基板處理裝置200所具備的基板清洗裝置的數量及配置能夠適當變更。或者,取代上述的研磨裝置,也可以使用其他的半導體處理裝置,例如鍍覆裝置、研磨裝置,在它們的後段設置上述基板清洗裝置。
此外,在不脫離本發明的主旨的範圍內,能夠適當將上述實施態樣的結構要素置換成周知的結構要素,另外,也可以適當組合上述實施態樣、變形例。
2A:清洗機構
50A:第一驅動軸
50B:惰輪軸
50C:第二驅動軸
51:主體部
52:驅動輥
52a:保持槽
54:從動輥
54a:保持槽
60:輥清洗部件
61:清洗部件
62:清洗部件
63:輥型海綿
64:輥型海綿
65:輥型海綿安裝部件
66:輥型海綿安裝部件
71:上部噴嘴
72:下部噴嘴
F:按壓方向
G1:第一軸群
G2:第二軸群
W:基板

Claims (7)

  1. 一種基板清洗裝置,其具備:第一軸群,該第一軸群包含第一驅動軸和惰輪軸,該第一驅動軸具有使基板旋轉的第一驅動輥,該惰輪軸具有藉由所述基板而旋轉的從動輥;第二軸群,該第二軸群包含複數個第二驅動軸,該複數個第二驅動軸分別具有使基板旋轉的第二驅動輥;清洗機構,該清洗機構使清洗部件與藉由所述第一驅動輥及複數個所述第二驅動輥而旋轉的所述基板接觸而清洗所述基板;旋轉檢測部,該旋轉檢測部對所述從動輥的轉速進行檢測;第一移動機構,該第一移動機構將所述第一軸群保持成能夠滑動移動且能夠旋轉移動;以及第二移動機構,該第二移動機構將所述第二軸群保持成能夠滑動移動且不能夠旋轉移動,所述清洗部件在與所述基板接觸的時候以旋轉或搖動的方式,產生按壓所述基板的按壓力,所述按壓力在將所述基板從所述第一軸群朝向所述第二軸群按壓的方向上具有分量。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板清洗裝置,其中使所述從動輥旋轉時的轉動慣量小於使所述第一驅動輥旋轉時的轉動慣量。
  3. 一種基板清洗裝置,其具備:第一驅動輥及複數個第二驅動輥,該第一驅動輥及第二驅動輥使基板旋轉; 從動輥,該從動輥藉由與旋轉的所述基板接觸而旋轉;清洗機構,該清洗機構使清洗部件接觸旋轉的所述基板而清洗所述基板;旋轉檢測部,該旋轉檢測部對所述從動輥的轉速進行檢測;第一移動機構,該第一移動機構將所述第一驅動輥及所述從動輥保持成能夠滑動移動且能夠旋轉移動;以及第二移動機構,該第二移動機構將所述複數個第二驅動輥保持成能夠滑動移動且不能夠旋轉移動;所述清洗部件在與所述基板接觸的時候以旋轉或搖動的方式,產生按壓所述基板的按壓力,所述按壓力在將所述基板從所述第一驅動輥及所述從動輥朝向所述複數個第二驅動輥按壓的方向上具有分量,所述旋轉檢測部具備與所述從動輥一起旋轉的卡爪;及具有投光部和受光部的感測器,並構成為根據隨所述卡爪是否位於所述投光部與所述受光部之間而變化的所述感測器的輸出訊號,而檢測所述卡爪的轉速。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的基板清洗裝置,其中所述清洗部件係與旋轉的所述基板接觸的輥清洗部件,所述輥清洗部件係構成為在與所述基板的接觸部中在將所述基板朝向所述第二軸群推壓的方向上旋轉。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的基板清洗裝置,其中所述清洗機構係與旋轉的所述基板接觸的筆型的清洗部件, 所述清洗機構具有安裝了所述筆型的清洗部件,讓所述筆型的清洗部件在連結所述基板的中心與外周的指定軌跡上搖動的搖動臂,所述搖動臂係在所述筆型的清洗部件與所述基板接觸的時候,在從所述第一驅動輥及所述從動輥朝向複數個所述第二驅動的方向上搖動。
  6. 一種基板處理裝置,其係具備清洗部,該清洗部具有第一清洗室、第一搬送室、第二清洗室、第二搬送室及乾燥室,所述第一清洗室及所述第二清洗室係包含如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板清洗裝置。
  7. 一種基板處理裝置,其具備:研磨部,該研磨部研磨所述基板;清洗部,該清洗部具有如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板清洗裝置。
TW107116219A 2017-05-16 2018-05-14 基板清洗裝置及基板處理裝置 TWI770175B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017097621A JP6792512B2 (ja) 2017-05-16 2017-05-16 基板洗浄装置および基板処理装置
JP2017-097621 2017-05-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201902585A TW201902585A (zh) 2019-01-16
TWI770175B true TWI770175B (zh) 2022-07-11

Family

ID=64272527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107116219A TWI770175B (zh) 2017-05-16 2018-05-14 基板清洗裝置及基板處理裝置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10741423B2 (zh)
JP (1) JP6792512B2 (zh)
KR (1) KR102494451B1 (zh)
CN (1) CN108878314B (zh)
SG (1) SG10201804063YA (zh)
TW (1) TWI770175B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6792512B2 (ja) * 2017-05-16 2020-11-25 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板処理装置
JP7356811B2 (ja) * 2019-04-02 2023-10-05 株式会社荏原製作所 基板支持装置及び基板支持装置の制御方法
CN110148573B (zh) * 2019-04-17 2020-12-04 湖州达立智能设备制造有限公司 一种半导体设备工艺腔的晶圆升降装置
KR102428923B1 (ko) * 2020-01-22 2022-08-04 주식회사 씨티에스 씨엠피 장치
KR20220036517A (ko) * 2020-09-16 2022-03-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 방법
KR102590328B1 (ko) * 2020-12-24 2023-10-16 세메스 주식회사 기판 파지 장치 및 이를 포함하는 액 처리 장치, 및 기판 처리 설비
CN112820627B (zh) * 2020-12-30 2022-10-18 江苏亚电科技有限公司 一种高效晶圆片的清洗方法
CN113607980B (zh) * 2021-10-08 2021-11-30 南通优睿半导体有限公司 一种半导体器材料研发的选择测试装置
CN113621786B (zh) * 2021-10-13 2021-12-14 南通锦发电缆有限公司 一种用于电线电缆制造的退火装置
KR20230140641A (ko) * 2022-03-29 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 임프린트 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135468A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Shibaura Mechatronics Corp 洗浄装置とその方法および洗浄用ディスクブラシ
JPH11176790A (ja) * 1997-12-12 1999-07-02 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置
JP2016152382A (ja) * 2015-02-19 2016-08-22 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2582976B2 (ja) * 1991-12-19 1997-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置における基板の有無検出装置
JPH10289889A (ja) 1997-04-16 1998-10-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001038614A (ja) * 1999-07-26 2001-02-13 Ebara Corp 研磨装置
US7685667B2 (en) * 2005-06-14 2010-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Post-CMP cleaning system
US7938130B2 (en) * 2006-03-31 2011-05-10 Ebara Corporation Substrate holding rotating mechanism, and substrate processing apparatus
JP4937807B2 (ja) * 2006-03-31 2012-05-23 株式会社荏原製作所 基板保持回転機構、基板処理装置
US20080011325A1 (en) * 2006-06-05 2008-01-17 Olgado Donald J Methods and apparatus for supporting a substrate in a horizontal orientation during cleaning
KR100786627B1 (ko) 2006-07-24 2007-12-21 두산메카텍 주식회사 웨이퍼의 회전 감지장치
US7823241B2 (en) 2007-03-22 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System for cleaning a wafer
JP2010169606A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Mitsuboshi Belting Ltd 動力伝達機構の耐久試験機
JP2015220402A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板洗浄装置で実行される方法
KR102004109B1 (ko) * 2014-10-31 2019-07-25 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
SG10201601095UA (en) 2015-02-18 2016-09-29 Ebara Corp Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and substrate processing apparatus
JP6491908B2 (ja) * 2015-03-09 2019-03-27 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板洗浄方法、および基板処理装置
JP6328577B2 (ja) * 2015-02-24 2018-05-23 株式会社荏原製作所 荷重測定装置および荷重測定方法
JP6792512B2 (ja) * 2017-05-16 2020-11-25 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135468A (ja) * 1997-10-31 1999-05-21 Shibaura Mechatronics Corp 洗浄装置とその方法および洗浄用ディスクブラシ
JPH11176790A (ja) * 1997-12-12 1999-07-02 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置
JP2016152382A (ja) * 2015-02-19 2016-08-22 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180125887A (ko) 2018-11-26
US20200335363A1 (en) 2020-10-22
SG10201804063YA (en) 2018-12-28
US10741423B2 (en) 2020-08-11
CN108878314B (zh) 2023-09-29
US20180337072A1 (en) 2018-11-22
KR102494451B1 (ko) 2023-02-01
CN108878314A (zh) 2018-11-23
TW201902585A (zh) 2019-01-16
US11532491B2 (en) 2022-12-20
JP2018195680A (ja) 2018-12-06
JP6792512B2 (ja) 2020-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI770175B (zh) 基板清洗裝置及基板處理裝置
US9144881B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
CN112091809B (zh) 处理组件及处理方法
US20190118338A1 (en) Substrate processing apparatus
JP4763755B2 (ja) ポリッシング装置
US20160233118A1 (en) Workpiece transport device
US7938130B2 (en) Substrate holding rotating mechanism, and substrate processing apparatus
JP7161418B2 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、洗浄部材のセルフクリーニング方法
KR20160030855A (ko) 처리 모듈, 처리 장치 및 처리 방법
TW201643985A (zh) 基板搬送用手臂及基板處理裝置
JP6710129B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
TW202002049A (zh) 基板處理方法
TW201601877A (zh) 基板處理裝置
KR102307209B1 (ko) 버프 처리 장치 및 기판 처리 장치
JP7165104B2 (ja) 洗浄部材の着脱用治具
CN110600397A (zh) 用于基板输送系统的示教装置及示教方法
JP6426965B2 (ja) 処理コンポーネント、処理モジュール、及び、処理方法
WO2023037716A1 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、及び基板洗浄装置のメンテナンス方法
US20240139909A1 (en) Substrate processing apparatus
KR20240052946A (ko) 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 및 기판 세정 장치의 메인터넌스 방법
JP7186671B2 (ja) 基板処理装置の揺動部品用のカバー、基板処理装置の揺動部品、および、基板処理装置
CN117957638A (zh) 基板清洗装置、基板处理装置、及基板清洗装置的维护方法
JP6412385B2 (ja) コンディショニング部、バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、ドレスリンス方法