TWI765730B - 顯示設備 - Google Patents

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Abstract

一種顯示設備，其包括基板；位於基板之上的複數個顯示單元，而各顯示單元包括薄膜電晶體、鈍化層以及顯示裝置，薄膜電晶體包括至少一無機層，鈍化層位於薄膜電晶體之上，顯示裝置電性連接薄膜電晶體；以及分別封裝複數個顯示單元之複數個封裝層。基板包括複數個分隔區、複數個連接單元及複數個穿通孔，複數個分隔區彼此隔開及複數個連接單元連接複數個分隔區，複數個穿通孔穿透複數個連接單元之間的基板。複數個顯示單元分別位於複數個分隔區之上。至少一無機層及鈍化層於複數個連接單元之上延伸。鈍化層包括暴露至少一無機層之溝槽。封裝層透過溝槽接觸至少一無機層的暴露部分。

Description

顯示設備
相關申請案的交互參照。
本申請案聲明於西元2016年03月22日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請號第10-2016-0033989號的優先權及效益，其揭露內容藉由引用併入本文。
本揭露關於一種顯示設備。
隨著顯示技術迅速發展，具有例如薄外形、輕重量及低功率消耗之傑出特性的各種平板顯示設備已被引進。隨著顯示技術的近期發展，已研究及發展出可撓性顯示設備，並積極在研究及發展能改變成各種形狀之可伸展的顯示設備。
同時，具有薄外形及可撓性之顯示設備可包括封裝薄膜層以阻擋外來濕氣、氧氣等滲透物。習知的封裝薄膜層具有無機層和有機層交互堆疊之結構。然而，因為封裝薄膜層與顯示設備一體形成，封裝薄膜層可能降低顯示設備的可撓性，並當改變顯示設備的形狀時可能損壞封裝薄膜層。
本揭露的一個或多個實施例提供一種顯示設備。
其他態樣將在下文詳細地描述中闡述，且部分將從本揭露顯而易見，或可藉由實施本實施例而習得。
根據一個或多個實施例，顯示設備包括基板；位於基板之上的複數個顯示單元，而各顯示單元包括薄膜電晶體、鈍化層以及顯示裝置，薄膜電晶體包括至少一無機層，鈍化層位於薄膜電晶體之上，顯示裝置電性連接薄膜電晶體；以及分別封裝複數個顯示單元之複數個封裝層，其中基板包括複數個分隔區、複數個連接單元及複數個穿通孔，複數個分隔區彼此隔開及複數個連接單元與複數個分隔區互相連接，複數個穿通孔穿透複數個連接單元之間的基板，複數個顯示單元分別設置於複數個分隔區之上，至少一無機層及鈍化層於複數個連接單元之上延伸，鈍化層包括暴露至少一無機層的一部分之溝槽，以及封裝層透過溝槽接觸至少一無機層的暴露部分。
溝槽可設置於複數個連接單元之其中一個連接單元。
溝槽可延伸跨越連接單元的寬度，並與複數個分隔區之其中一個分隔區的側表面對準。
溝槽可位於複數個分隔區之其中一個分隔區之上，並可完全圍繞在複數個顯示單元之其中一個顯示單元。
至少一無機層可包括第一絕緣層及第二絕緣層，第一絕緣層位於主動層和薄膜電晶體的閘極電極之間及第二絕緣層設置於薄膜電晶體的閘極電極之上。溝槽可暴露第一絕緣層的一部分或第二絕緣層的一部分。
各封裝層可接觸複數個分隔區之相應分隔區的側表面。
複數個封裝層可包括錫氟磷酸鹽玻璃(tin fluorophosphates glass)、硫屬玻璃(chalcogenide glass)、亞碲酸鹽玻璃(tellurite glass)、硼酸鹽玻璃(borate glass)及磷酸鹽玻璃(phosphate glass)之其中至少一種。
各封裝層可包括至少一無機層和至少一有機層。至少一無機層經由溝槽可接觸薄膜電晶體的至少一無機層的暴露部分。
封裝層的至少一有機層和至少一無機層之其中至少一可包括含碳和氫之矽氧化物。
各封裝層可包括第一無機層、第二無機層及位於第一無機層和第二無機層之間的有機層。第一無機層和第二無機層之其中至少一可接觸分隔區的側表面及經由溝槽可接觸薄膜電晶體的至少一無機層的暴露部分。
複數個連接單元之其中一個連接單元可包括設置於連接單元的至少一部分之上的可撓部，及設置於封裝層的最外側之上的第二無機層可在可撓部上延伸。
各顯示單元可包括顯示區和在顯示區的周圍之非顯示區，以及圍繞在顯示區的至少一部分之壩攔單元(dam unit)可設置於非顯示區之中 。第一無機層及第二無機層可覆蓋壩攔單元，並在壩攔單元附近互相接觸。
薄膜電晶體可包括主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極。顯示裝置包括第一電極、第二電極及中間層，中間層包括位於第一電極和第二電極之間之有機發光層。第一電極可從源極電極和汲極電極之其一延伸。各顯示單元可設置於第一電極和分隔區之間，且其更可包括彩色濾波器，彩色濾波器包括與第一電極重疊的部分。
複數個分隔區和複數個連接單元可為一體的。
複數個分隔區重複出現在第一方向和不同於第一方向之第二方向。四個連接單元可與複數個分隔區互相連接。與複數個分隔區之其中一個分隔區連接之四個連接單元可在不同方向延伸，並分別連接圍繞在一個分隔區之鄰近的四個分隔區。
四個連接單元可包括一對第一連接單元及一對第二連接單元，一對第一連接單元位於一個分隔區的對側之上且其各向第一方向延伸，一對第二連接單元位於一個分隔區的對側之上且其各向第二方向延伸。第一接線單元可設置於兩個第一連接單元之上，以及第二接線單元可設置於兩個第二連接單元之上。第一接線單元和第二接線單元可相交於一個分隔區之上。
第一接線單可包括沿著複數個穿通孔之其中一個穿通孔於第二方向彎曲的區域，而第二接線單元可包括沿著穿通孔於第一方向彎曲的區域。
薄膜電晶體可包括主動層、閘極電極、源極電極及汲極電極。源極電極、汲極電極、第一接線單元及第二接線單元可包括相同材料。
第一接線單元可包括第一電壓線、第二電壓線及至少一資料線，而第二接線單元可包括至少一掃描線。
顯示裝置可包括第一電極、第二電極及中間層，中間層包含位於第一電極和第二電極之間之有機發光層。第一電壓線可電性連接分別包括在複數個顯示單元中及彼此隔開之第一電極。第二電壓線可電性連接分別包括複數個顯示單元中及彼此隔開之第二電極。
複數個分隔區中兩個鄰近的分隔區經由一個連接單元可互相連接。各該分隔區連接一個連接單元並在一個連接單元延伸之方向可形成一銳角。
各分隔區可具有一四邊形，且各分隔區之四個角可指向第一方向及第二方向。
顯示設備更可包括第一保護膜及第二保護膜，第一保護膜及第二保護膜分別設置於基板的上表面及基板的下表面。第一保護膜及第二保護膜包括延展片(elongation sheets)。
本揭露允許各種改變及許多實施例，且特定實施例將描繪於圖式及詳細描述於說明書中。然而，這未意指限定本揭露的範圍在特定實施模式，而應理解的是本揭露中包含的所有改變、等效物及取代物未脫離本揭露的技術和精神範圍。在本揭露的下列說明中，提供揭露的實施例之詳細說明以闡明本揭露的例示性特徵。
當可使用「第一(first)」、「第二(second)」等用語描述各種部件，這些部件未必限制於上述用語。可使用上述用語區分一個部件和另一個部件。
本說明書中使用的用語僅用以描述特定實施例，而未用以限制本揭露的範圍。除非上下文另有明確的不同意思，否則文中使用的單數形式包括複數形式。在圖式中，為了方便和清楚地解釋，可誇大、省略或示意性繪示部件。換句話說，圖式中部件的尺寸和厚度未可反映其實際尺寸及厚度。
將參考附圖在下文詳細描述一個或多個例示性實施例。相同或相應的部件都將以相同的元件符號表示，而與圖式編號無關，並可省略多餘的解釋。
第1圖係為根據本揭露的實施例之顯示設備10的平面示意圖，以及第2圖係為根據實施例之第1圖的A部分之平面放大圖。
參考第1圖，顯示設備10可包括基板100及位於基板100之上的顯示單元200。
基板100可包括各種材料。基板100可包括例如玻璃、金屬或有機材料之材料。
根據另一個實施例，基板100可包括可撓性材料。舉例來說，基板100可包括能易彎、易折或易捲曲之材料。可撓性基板可包括例如超薄玻璃、金屬或塑膠之可撓性材料。當基板100包括塑膠，基板100可包括聚醯亞胺(polyimide, PI)。另一個例子來說，基板100可包括另一種類型的塑膠材料。
基板100可包括複數個分隔區101、複數個連接單元102及複數個穿通孔V，複數個分隔區101彼此隔開及複數個連接單元102連接複數個分隔區101，複數個穿通孔V穿透複數個連接單元102之間的基板100。如參考第18圖描述的基板100，第一保護膜410及第二保護膜420可分別設置於基板100的上表面及基板100的下表面。
複數個分隔區101彼此分隔設置。舉例來說，複數個分隔區101可重複出現在第一方向X和不同於第一方向X的第二方向Y以形成平面格狀(lattice)圖案。舉例來說，第一方向X和第二方向Y可以90度角相交。另一個例子來說，第一方向X和第二方向Y可以銳角或鈍角相交。
複數個顯示單元200可分別設置於複數個分隔區101之上。各顯示單元可包括至少一顯示裝置以發出可見光。將參考第4圖於下文中詳細描述各顯示單元200。
複數個連接單元102可與複數個分隔區互相連接。舉例來說，延伸各分隔區101的四個連接單元102以連接在不同方向中鄰近的各分隔區，使得四個連接單元102可分別連接圍繞在特定分隔區101之四個鄰近的分隔區101。可以相同材料形成複數個分隔區101和複數個連接單元102且其可互相連接。換句話說，複數個分隔區101和複數個連接單元102彼此可一體形成。
穿通孔V穿透基板100。穿通孔V可在複數個分隔區之間提供分離區域，以在提升基板100的可撓性時減少基板的重量。當將基板100彎曲、捲曲或執行相似其動作時，改變穿通孔V的形狀以有效減少基板100形變時產生的應力。因此，可預防處於形變下的基板100的不正常的形變和應力集中，並可提升基板100的耐用度。
可經由蝕刻或相似其的方法移除基板100的選定區形成穿通孔V。另一個例子來說，可於基板100的製造期間製造包括穿通孔V的基板100。另一個例子來說，於基板100上形成複數個顯示單元200後，可經由圖案化基板100形成穿通孔V。可在基板100中以各種方式形成穿通孔V，且形成穿通孔V的方法可不限制於本文描述的例子。
下文中，把單元U被稱為基板100的基本單元，且將參考單元U詳細描述基板100的結構。
單元U可重複出現在第一方向X和第二方向Y。換句話說，基板100可理解為重複出現在第一方向X和第二方向Y之複數個單元U的組合。各單元U可包括分隔區101和連接分隔區101之至少一個連接單元102。舉例來說，四個連接單元102可連接一個分隔區101。
兩個鄰近的單元U的分隔區101可彼此分隔，且兩個鄰近的單元U的連接單元102可互相連接。單元U中所包括的連接單元102作為在單元U中的連接單元102的部分區域，或作為與兩個鄰近的分隔區101互相連接之兩個鄰近的分隔區101之間的連接單元102整體。
複數個單元U之其中四個鄰近單元U於四個單元U之間形成封閉曲線CL，且此封閉曲線CL可界定本文稱為穿通孔V之中空空間。穿通孔V也可稱為分離區域V。分離區域V經由移除基板100的一區域形成，並可於減少基板100形變產生的應力時改善基板100的可撓性。各連接單元102可具有小於各分隔區101寬度之寬度，且分離區域V可接觸四個單元U的分隔區101。
複數個單元U中的兩個鄰近的單元U可相互對稱。如第1圖所示詳細說明，一個單元U可與在第二方向Y鄰近一個單元U之另一個單元U於平行第一方向X的對稱軸對稱。同時，一個單元U可與在第一方向Y鄰近一個單元U之另一個單元U圍繞平行第二方向Y的對稱軸對稱。
連接單元102的延伸方向和連接單元102連接的分隔區101之側表面之間的角度θ可為銳角。舉例來說，當各分隔區101為四邊形並設置各分隔區使得其各角指向第一方向X或第二方向Y時，連接單元102可於鄰近四個角的區域連接分隔區及可在平行第一方向X或平行第二方向Y延伸。換句話說，連接指向第一方向X的角之連接單元102可指向第二方向Y或相對於第二方向Y的-Y方向，而連接指向第二方向Y的角之連接單元102可指向第一方向X或相對於第一方向X的-X方向。
因此，連接一個連接單元102之兩個鄰近的分隔區101的各側表面可分別與連接單元102的延伸方向形成銳角。因此，可密集地安置分隔區101，並可經由最小化連接單元102的長度而最大化分離區域的面積。如第2圖所示，基板100可顯出延展性。
第2圖係繪示在第一方向X和第二方向Y延展基板100之前和之後的基板100形狀。參考第2圖，當延展基板100時，連接單元102和與連接單元102連接的分隔區的側表面形成的角度增加(θ＜θ′)，而因此可擴大分隔區。因此，分隔區101之間的間距增加，而因此基板100可於第一方向X和第二方向Y延展。
因為各連接單元102具有小於各分隔區101的寬度之寬度，所以對應於施加外力在基板100時的增加角度θ之形狀改變可主要發生在連接單元102，而分隔區101的形狀於延展基板100的期間可無實質上改變。因此，即使在延展基板100時，分隔區101上的顯示單元200仍可維持不變，而顯示設備10因此可適用於可撓性顯示設備，舉例來說，可彎曲的顯示設備、可撓性顯示設備或可伸展的顯示設備。
再者，因為應力於基板100的延展期間集中於連接分隔區101的側表面之連接單元102的連接部分，連接單元102的連接區域C可包括彎曲表面，以預防由於應力集中導致連接單元的破裂等。
第3圖係為根據實施例之第1圖的單元之平面示意圖、第4圖係為根據實施例沿第3圖的截線I-I'的剖面圖、第5圖係為根據實施例沿第3圖的截線II-II'的剖面圖以及第6圖係為根據實施例沿第3圖的截線III-III'的剖面圖。第7圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線II-II'的剖面圖。第8圖係為另一個實施例之第1圖的單元之平面示意圖。
參考第3圖到第8圖，顯示單元200及封裝顯示單元200的封裝層300可位於單元U的分隔區101之上。
顯示單元200可設置於分隔區101之上且可包括顯示區DA及在顯示區DA周圍的非顯示區NDA。在顯示區DA中，可設置至少一個發光的有機發光裝置，例如紅光(R)、藍光(B)、綠光(G)或白光(W)。於本文中，有機發光裝置230可稱為及描述為顯示裝置。然而，本揭露的實施例未限制於此，且顯示單元200可包括各種其他類型的顯示裝置，例如液晶顯示裝置。
顯示單元200可包括發出紅光(R)、藍光(B)、綠光(G)或白光(W)的一個有機發光裝置，而一個顯示單元可因此形成子像素。另一個例子來說，顯示單元200可包括發出不同光的複數個有機發光裝置。舉例來說，一個顯示單元200可透過包括發出紅光(R)的有機發光裝置、發出綠光(G)的有機發光裝置及發出藍光(B)的有機發光裝置形成像素。另一個例子來說，顯示單元200可包括複數個像素。
可依有機發光層包括的材料之效率以各種配置結構在顯示單元200中設置有機發光裝置230，例如RGB配置結構、pentile 結構及蜂巢結構。
參考第4圖，可在分隔區101之上形成緩衝層202。舉例來說，可用無機材料(例如二氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦和氮化鈦形成緩衝層202、可用有機材料(例如聚醯亞胺(polyimide)、聚酯(polyester)和壓克力(acryl))形成緩衝層202或可用無機材料和有機材料的堆疊形成緩衝層202。可於分隔區101和連接單元102之上形成緩衝層202。
薄膜電晶體TFT可包括主動層203、閘極電極205、源極電極207及汲極電極208。將描述依記載順序依序設置主動層203、閘極電極205、源極電極207及汲極電極208之頂閘極類型(top gate type)薄膜電晶體TFT。然而，本實施例不限於此，而可使用各種類型的薄膜電晶體TFT，例如底閘極類型(bottom gate type)薄膜電晶體TFT。
主動層可包括半導體材料，例如非晶矽或多晶矽。然而，本實施例不限於此，而主動層203可包括各種材料。根據另一個實施例，主動層203可包括有機半導體材料或其相似物。根據另一個實施例，主動層203可包括氧化物半導體材料。舉例來說，主動層203可包括從第12族、第13族及第14族之金屬元素(例如鋅(Zn) 、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)和鍺(Ge))及其組合選定的材料的氧化物。
可於主動層203之上形成第一絕緣層204。可用例如二氧化矽或氮化矽之無機材料以多層結構或單層結構形成第一絕緣層204。第一絕緣層204讓閘極電極205與主動層203絕緣。可於分隔區101和連接單元102之上形成第一絕緣層204。
閘極電極205可於第一絕緣層204之上形成以與主動層203重疊。閘極電極205可連接施加開/關訊號給薄膜電晶體TFT的閘極接線(未繪示)。閘極電極可包括低電阻金屬材料。可用鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)及銅(Cu)之其中至少一種材料以多層結構或單層結構形成閘極電極205。
可於閘極電極205和第一絕緣層204之上形成第二絕緣層206。第二絕緣層讓閘極電極205與源極電極207和汲極電極208絕緣。可用無機材料以多層結構或單層結構形成第二絕緣層206。舉例來說，無機材料可為金屬氧化物或金屬氮化物。詳細地，無機材料可包括二氧化矽(SiO2 )、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2 O3 )、二氧化鈦(TiO2 )、五氧化二鉭(Ta2 O5 )、二氧化鉿(HfO2 )、二氧化鋯(ZrO2 )或其相似物。
根據另一個實施例，第二絕緣層206可為有機材料形成的單層或可為包括複數個有機材料層之多層結構。有機材料可包括商用的聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)或聚苯乙烯(polystyrene ,PS)、具有酚基群(phenol-based group)之衍生聚合物、 丙烯酸類聚合物( acryl-based polymer)、醯亞胺類聚合物(imide-based polymer)、丙烯醚類聚合物(acryl ether-based polymer)、醯胺類聚合物(amide-based polymer)、氟類聚合物( fluorine-based polymer)、對二甲苯類聚合物( p-xylene-based polymer)、乙烯醇類聚合物(vinyl alcohol-based polymer)、其混合物或其相似物。鈍化層209可為無機絕緣層和有機絕緣層之堆疊物。
可於分隔區101和連接單元102之上形成第二絕緣層206。
於第二絕緣層206之上形成源極電極207和汲極電極208。可用包括鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)及銅(Cu)之群中選定至少一種材料以多層結構或單層結構形成源極電極207和汲極電極208。源極電極207和汲極電極208經由第一絕緣層204和第二絕緣層206中形成的接觸孔接觸主動層203。
鈍化層209可覆蓋薄膜電晶體TFT。鈍化層209可平坦化薄膜電晶體TFT造成的梯狀結構，從而避免不平整導致有機發光裝置230損害。
鈍化層209可為有機材料形成的單層或可為包括複數個有機材料層之多層結構。有機材料可包括商用的聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)或聚苯乙烯(polystyrene, PS)、具有酚基群(phenol-based group)之衍生聚合物、 丙烯酸類聚合物(acryl-based polymer)、醯亞胺類聚合物(imide-based polymer)、丙烯醚類聚合物(acryl ether-based polymer)、醯胺類聚合物(amide-based polymer)、氟類聚合物(fluorine-based polymer)、 對二甲苯類聚合物(p-xylene-based polymer)、乙烯醇類聚合物(vinyl alcohol-based polymer)、其混合物或其相似物。鈍化層209可為無機絕緣層和有機絕緣層之堆疊物。
可於分隔區101和連接單元102之上形成鈍化層209。於連接單元102之上的鈍化層209可包括暴露於鈍化層209之下的無機層之溝槽T。暴露於鈍化層209之下的無機層可為緩衝層202、第一絕緣層204及/或第二絕緣層206。
溝槽T可延伸跨越連接單元102的寬度。因此，溝槽T可經由有機材料形成的鈍化層209減少或預防外部濕氣滲透到顯示單元200。
舉例來說，如第3圖所示，在分隔區101和連接單元102互相連接的連接區域C中，溝槽T可延伸跨越連接單元102的寬度，並且溝槽T可與分隔區101的側表面對準。詳細地，分隔區101的側表面可在溝槽T的寬度內延伸。
另一個例子來說，如第8圖所示，溝槽T'可設置於分隔區101之上以完全圍繞顯示單元200。因此，可於各分隔區101之上分別形成獨立的鈍化層209。
可於鈍化層209之上形成有機發光裝置230。有機發光裝置230可包括第一電極231、相對於第一電極231的第二電極232及在第一電極231和第二電極232之間的中間層233。
第一電極231可電性連接源極電極207或汲極電極208。第一電極231可具有各種形狀。舉例來說，可圖案化第一電極231以具有島的形狀。
可於鈍化層209之上形成第一電極231，且第一電極231可經由鈍化層209中形成的接觸孔電性連接薄膜電晶體TFT。舉例來說，第一電極231可為包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成的反射層之反射電極。另一個例子來說，第一電極231可包括於反射層之上的透明電極層。透明電極層可包括從氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2 O3 )、氧化銦鎵(IGO)及氧化鋅鋁(AZO)之群中選定至少一種。
第二電極232可電性連接第二電壓線V2，並可接收小於施加第一電極231的第一電壓ELVDD之第二電壓ELVSS。雖然顯示第二電壓線V2和第二電極232透過如第6圖所示的連接線216互相連接，本揭露的實施例不限於此。舉例來說，第二電壓線V2和第二電極232可直接互相接觸。
第二電極232可具有各種形狀。舉例來說，可圖案化第二電極232以具有島的形狀。因此，即使封裝層300完全覆蓋第二電極232，仍可避免第二電極232的部分暴露，且於分隔區101之上分別形成封裝層300。
第二電極232可為透明電極。第二電極232可包括含鋰(Li)、鈣(Ca) 、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或其組成物之金屬薄膜。輔助電極層或匯流(bus)電極可包括例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2 O3 )之材料。因此，第二電極232可傳送中間層233中所包括的有機發光層發出的光。換句話說，有機發光層發出的光可直接傳送至第二電極232，或其可由形成為反射電極的第一電極231反射並接著行進至第二電極232。
前文中參考第3圖到第8圖描述的例子中，顯示單元200為頂端放射類型。然而，顯示單元200根據另一個實施例而未限制於頂端放射類型。根據另一個實施例，顯示單元200可為有機發光層發出的光射向分隔區101之底端放射類型。於此案例中，第一電極231可為透明電極，而第二電極232可為反射電極。顯示單元200根據再另一個實施例可為光射向顯示單元200的頂表面及顯示單元200的底表面之兩個方向的雙端放射類型。
於第一電極231之上形成包括絕緣材料之像素定義層219。可經由使用例如旋轉塗佈的方法於包括聚醯亞胺(polyimide)、聚醯胺(polyamide)、壓克力樹脂(acryl resin)、苯環丁烯(benzocyclobutene, BCB)及酚醛樹脂(phenolic resin)之群中選定的至少一種絕緣材料形成像素定義層219。像素定義層219暴露第一電極231的區域。於第一電極231的暴露區域之上形成包括有機發光層之中間層233。換句話說，像素定義層219界定有機發光裝置的像素區域。
除了有機發光層之外，中間層233更可包括一層或多層功能層，例如電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。
可於第二電極232之上形成封裝顯示單元200之封裝層300。封裝層300可阻擋外來氧氣和濕氣，並可包括單層或複數層。
封裝層300可包括有機層和無機層之其中至少一種。
有機層可包括聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate , PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚苯乙烯(polystyrene ,PS)、 丙烯酸類樹脂( acryl-based resin)、環氧類樹脂(epoxy-based resin)、聚醯亞胺(polyimide)及/或聚乙烯(polyethylene)。無機層可包括從含氮化矽(silicon nitride)、氮化鋁(aluminum nitride)、氮化鋯(zirconium nitride)、氮化鈦(titanium nitride)、氮化鉿(hafnium nitride)、氮化鉭(tantalum nitride)、二氧化矽(silicon oxide)、氧化鋁(aluminum oxide)氧化鈦(titanium oxide)、氧化錫(tin oxide)、氧化鈰(cerium oxide)和氮氧化矽(silicon oxynitride)之群中選定至少一種。
根據另一個實施例，封裝層300可包括低溫黏性轉變(LVT)的無機材料。黏性轉變溫度表示低溫黏性轉變LVT無機材料能提供流動性之最小溫度。黏性轉變溫度可小於有機發光裝置所包括的材料之變質溫度。
低溫黏性轉變LVT的無機材料可例如為具備200℃的玻璃轉變溫度或更小之低液相溫度(low liquidus temperature, LLT)。詳細地，低液相溫度材料可包括錫氟磷酸鹽玻璃(tin fluorophosphates glass)、硫屬玻璃(chalcogenide glass)、 亞碲酸鹽玻璃(tellurite glass)、硼酸鹽玻璃(borate glass)及磷酸鹽玻璃(phosphate glass)之其中至少一種。
舉例來說，錫氟磷酸鹽玻璃可包括佔總重量20%-80%的錫(Sn)、佔總重量2%-20%的磷(P)、佔總重量3%-20%的氧(O)及佔總重量10%-36%的氟(F)，但不限於此。前述玻璃材料可更包括鎢(W)。當添加鎢(W)於玻璃材料時，能產生更穩定及更均勻的玻璃，並因此已可改善封裝層300的化學耐久性。
低溫黏性轉變LVT的無機材料可包括錫氧化物(例如氧化亞錫(SnO)或二氧化錫(SnO2 ))。舉例來說，當低溫黏性轉變LVT的無機材料包括氧化亞錫時，氧化亞錫含量可佔總重量20%-100%。
包括氧化亞錫之低溫黏性轉變LVT的無機材料更可包括磷氧化物(例如五氧化二磷(P2 O5 ))、硼磷化物(例如磷酸硼(BPO4 ))、錫氟化物(例如二氟化錫(SnF2 ))、鈮氧化物(例如一氧化鈮(NbO))及鎢氧化物(例如三氧化鎢(WO3 ))之其中至少一種，但不限於此。
舉例來說，低溫黏性轉變LVT的無機材料可包括氧化亞錫；氧化亞錫和五氧化二磷；氧化亞錫和磷酸硼；氧化亞錫、二氟化錫和五氧化二磷；氧化亞錫、二氟化錫、五氧化二磷和一氧化鈮或氧化亞錫、二氟化錫、五氧化二磷和三氧化鎢，但不限於此。
低溫黏性轉變LVT的無機材料可具有下列合成物的任何一種，但不限於此：
1.氧化亞錫(100wt%)；
2.氧化亞錫(80wt%)和五氧化二磷(20wt%)；
3.氧化亞錫(90wt%)和磷酸硼(10wt%)；
4.氧化亞錫(20-50wt%)、二氟化錫(30-60wt%)和五氧化二磷(10-30wt%)(其中，氧化亞錫、二氟化錫和五氧化二磷的總重為100wt%)；
5.氧化亞錫(20-50wt%)、二氟化錫(30-60wt%)、五氧化二磷(10-30wt%)和一氧化鈮(1-5wt%)(其中，氧化亞錫、二氟化錫、五氧化二磷和一氧化鈮的總重為100wt%)；
6.氧化亞錫(20-50wt%)、二氟化錫(30-60wt%)、五氧化二磷(10-30wt%)和三氧化鎢(1-5wt%)(其中，氧化亞錫、二氟化錫和五氧化二磷和三氧化鎢的總重為100wt%)；
因為封裝層300由玻璃材料形成，即使封裝層300未包括複數層，封裝層300仍可有效預防外部濕氣和氧氣的滲透。
封裝層300可形成於一個分隔區101上以封裝顯示單元200。換句話說，當第1圖的顯示設備10包括N個顯示單元200時，可形成N個封裝層300。因此，例如當延展顯示設備10時或當因彎曲、捲曲或相似其動作而形變的顯示設備時可避免封裝層300損壞或破裂，從而改善顯示設備10的可撓性和可靠性。
封裝層300可接觸顯示單元200的非顯示區中的顯示單元200的無機層的暴露部分。於此狀況中，顯示單元200的無機層可為緩衝層202、第一絕緣層204和第二絕緣層206之其中至少一種。封裝層300更可向分隔區101的下方延伸，並可接觸分隔區101的側表面。因此，封裝層300可有效預防外部濕氣及/或氧氣的滲透。
封裝層300可經由溝槽T接觸包括緩衝層202、第一絕緣層204及第二絕緣層206之其中至少一種的無機層的暴露部分。
舉例來說，如第5圖所示，當由無機材料形成第二絕緣層206時，封裝層300可經由溝槽T接觸第二絕緣層206的暴露部分。另一個例子來說，如第7圖所示，當由有機材料形成第二絕緣層206且由無機材料形成位於第二絕緣層206之下的第一絕緣層204時，可形成溝槽T以暴露第一絕緣層204的一部分，且封裝層300可經由溝槽T接觸第一絕緣層204的暴露部分。
溝槽T可與分隔區101的側表面對準。封裝層300及無機層完全圍繞及封裝顯示單元200，使得顯示單元200被隔離，因此可有效減少或預防外部濕氣及/或氧氣滲透至顯示單元200。
另一個例子來說，如第8圖所示，當溝槽T於分隔區之上形成且完全圍繞顯示單元200，封裝層300可經由溝槽T'接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露部分，並因此可有效減少或預防外部濕氣及/或氧氣滲透。
第9圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線I-I'的剖面圖。第10圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線II-II'的剖面圖以及第11圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線III-III'的剖面圖。
參考第3圖和第9圖至第11圖，於分隔區101之上形成顯示單元200和封裝層310。顯示單元200可包括至少一有機發光裝置230及與有機發光裝置230電性連接的薄膜電晶體TFT。因為分隔區101和顯示單元200與前文中參考第1圖至第8圖描述的分隔區101和顯示單元200一樣，可省略其重複敘述，而只著重於其間的差異。
可於一個分隔區101之上形成一個封裝層310以封裝一個顯示單元200。
封裝層310可例如包括彼此交互堆疊的至少一無機層(即無機層312和無機層314)和至少一有機層(即有機層316)。雖然在第9圖到第11圖中封裝層310包括無機層312和無機層314之雙層和單層有機層316，本揭露的實施例不限於此。舉例來說，封裝層310更可包括彼此交互堆疊的複數個無機層和複數個有機層，且未限制無機層的堆疊數目和有機層的堆疊數目。如前文中參考第4圖所描述的，可由低溫黏性轉變LVT的無機材料形成封裝層310或封裝層310可包括由低溫黏性轉變LVT的無機材料形成的層。
根據實施例，無機層312和無機層314可包括從含氮化矽、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰和氮氧化矽(SiON)之群中選定的至少一種。
有機層316可平坦化像素定義層219造成的梯狀結構，並可減少無機層312和無機層314上產生的應力。根據實施例，有機層316可包括從含聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate , PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚苯乙烯(polystyrene, PS)、 丙烯酸類樹脂(acryl-based resin)、環氧類樹脂(epoxy-based resin)、聚醯亞胺(polyimide)和聚乙烯(polyethylene)之群中選定的至少一種。
根據另一個實施例，有機層可包括含碳和氧之矽氧化物(下文中，稱為SiOCH)。舉例來說，可由具有組成式SiOx Cy Hz 之材料形成。
當由SiOCH形成有機層316，可經由使用原料(例如六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane))和反應氣體(例如氧氣)並接著電漿作用(plasma-curing)於先驅膜(precursor film)之電漿化學氣相沈積法(PECVD)於第一無機層312上形成先驅膜，而形成有機層316。可使用有相同腔體之相同方法形成有機層316、無機層312和無機層314，以減少於封裝層310形成期間的作業時間(tact time)。
根據另一個實施例，無機層312和無機層314之其中至少一可包括SiOCH。舉例來說，無機層312和無機層314之其中至少一可包括具有組成式SiOx Cy Hz 之材料。
當由SiOCH形成有機層316和至少一無機層312及314時，用以形成無機層312和無機層314之其中至少一層的SiOCH的組成比例可不同於用以用以形成有機層316的SiOCH的組成比例。詳細地，因為隨著氧含量比例增加和碳含量比例減少而SiOCH所形成的膜具有與無機層相似的特性，用以形成無機層312和無機層314之其中至少一層的SiOCH的氧含量可大於用以形成有機層316的SiOCH的氧含量，而用以形成無機層312和無機層314之其中至少一層的SiOCH的碳含量可小於用以形成有機層316的SiOCH的碳含量。
於生產SiOCH膜期間可調整SiOCH的碳和氧的含量。舉例來說，可經由使用原料(例如六甲基二矽氧烷(hexamethyldisiloxane))和反應氣體(例如氧氣)之電漿化學氣相沈積法(PECVD)形成SiOCH膜。於此狀況中，當增加作為反應氣體的氧之流量比，可增加SiOCH膜的氧含量，並可減少其碳含量。
如此，當以SiOCH形成有機層316和至少一無機層312及314時，可經由簡易調整反應氣體的流速而在相同腔體相繼形成有機層316、無機層312和無機層314，使得封裝層310的製造效率獲得改善。
根據一個實施例，無機層312和無機層314可具有大於有機層316區域之較大區域。無機層312和無機層314互相接觸並圍繞有機層316。無機層312和無機層314之其中至少一可於顯示單元200的非顯示區中接觸顯示單元200的無機層。於此狀況中，無機層可為緩衝層202、第一絕緣層204或第二絕緣層206。無機層312和無機層314之其中至少一更可延伸至分隔區101之下，並可接觸分隔區101的側表面。因此，可提升封裝層310的結合強度，且封裝層310可有效預防外部濕氣及/或氧氣滲透至顯示單元200。
可於連接單元102之上形成顯示單元200之緩衝層202、第一絕緣層204、第二絕緣層206和鈍化層209，且連接單元102之上的鈍化層209可包括暴露於鈍化層209之下的第一絕緣層204的一部分或第二絕緣層206的一部分之溝槽T。於此案例中，無機層312和無機層314之其中至少一可經由溝槽T接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露部分。
根據另一個實施例，可在顯示單元200的非顯示區中形成圍繞顯示單元200之至少一部分的顯示區DA之壩攔單元D。
舉例來說，壩攔單元D可包括用以形成鈍化層209材料形成之第一層和用以形成像素定義層219材料形成之第二層。然而，本揭露的實施例不限於此，且壩攔單元D可包括單層。根據一些實施例，可包括複數個壩攔單元D。當包括複數個壩攔單元D時，各壩攔單元D具有向分隔區101邊緣之方向增加的高度。
壩攔單元D可包括與用以形成於第一絕緣層204和像素定義層219之間的至少一層相同的材料。
於封裝層310的有機層316的形成期間，壩攔單元D可阻止有機材料或用以形成有機層的相似物流向分隔區101的邊緣，從而避免有機層316的尾端形成。因此，有機層316可面對或接觸壩攔單元D的內表面。另一個例子來說，有機層316可與壩攔單元D的一部分重疊，但其可不延伸至壩攔單元D之下。
然而，第一無機層312和第二無機層314可於壩攔單元D附近互相接觸，而第一無機層312和第二無機層314之其中至少一可透過溝槽T接觸第一絕緣層204的暴露部分或第二絕緣層206的暴露部分，且其也可接觸分隔區101的側表面。因此，可提升封裝層310的結合強度，且封裝層310可有效預防外部濕氣及/或氧氣滲透至顯示單元200。
第12圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線II-II'的剖面圖。
參考第12圖，可於分隔區101之上形成顯示單元200。顯示單元200可包括含有無機層的第4圖的薄膜電晶體TFT及與薄膜電晶體TFT電性連接的第4圖的有機發光裝置230。鈍化層209可介於薄膜電晶體TFT和有機發光裝置230之間。薄膜電晶體TFT的無機層可為第一絕緣層204和第二絕緣層206。
於分隔區101之上形成的鈍化層209、第二絕緣層206、第一絕緣層204和緩衝層202可延伸至連接單元102之上。於連接單元102之上的鈍化層209可包括暴露於鈍化層209之下的第一絕緣層204或第二絕緣層206的一部分之溝槽T。
封裝層310之無機層312和無機層314之其中至少一可經由溝槽T接觸第一絕緣層204或第二絕緣層206的暴露部分。
根據一個實施例，在顯示單元200的非顯示區中，可形成圍繞顯示單元200之至少一部分的顯示區DA之壩攔單元D。有機層316可面對或接觸壩攔單元D的內表面或可與壩攔單元D的一部分重疊，但其可不延伸至壩攔單元D之下。然而，無機層312和無機層314可覆蓋壩攔單元D，並可於壩攔單元D附近互相接觸。
根據一個實施例，封裝層310的最外層無機層可延伸至連接單元102之上。舉例來說，當封裝層310包括無機層312和無機層314之兩層時，於封裝層310的最外側之上的第二無機層314可形成於分隔區101和連接單元102之上
換句話說，第二無機層314可覆蓋形成於連接單元102之上的鈍化層209。因為可以如上述由有機材料形成鈍化層209，當無機材料形成的第二無機層314覆蓋形成於連接單元102之上的鈍化層209時，可避免鈍化層209的表面暴露於氧氣或濕氣，並可因此避免氧氣或濕氣經由鈍化層209滲透至顯示單元200。
根據一個實施例，可於連接單元102之上的至少一個部分區域之上形成可撓部P。舉例來說，可經由圖案化鈍化層209形成可撓部P。另一個例子來說，可使用各種方式於連接單元102之上形成可撓部P，例如形成步驟或相似其方法。未限制形成可撓部P的方法。
可於第3圖中分隔區101和連接單元102互相連接之連接區域C的對應位置形成可撓部P。可撓部P可於延展第1圖的基板10期間減少集中在連接單元102和分隔區101之間的連接部分之應力。舉例來說，可撓部P可避免延伸於連接單元102之上的第二無機層314損壞和破裂。
第13圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線I-I'的剖面圖。
參考第13圖，顯示單元200'可設置於分隔區101之上，並可包括源極電極2111、汲極電極2112、主動層2130、有機發光裝置2125、閘極電極2140、光保護層2105、彩色濾波器2106和輔助電極2150。為了方便解釋，第13圖未繪示顯示單元200'之上的封裝層。然而，可經由封裝層封裝顯示單元200'。
分隔區101可包括與先前實施例所述的材料相同之材料。可於分隔區101之上形成緩衝層2102。
可於緩衝層2102之上形成源極電極2111和汲極電極2112。也可於緩衝層2102之上形成有機發光裝置2125的第一電極2120。換句話說，可從源極電極2111或汲極電極2112延伸第一電極2120。換句話說，第一電極2120可包括與使用於形成源極電極2111或汲極電極2112相同之材料，並其可與源極電極2111或汲極電極2112一體形成。因此，可改善顯示單元200'的處理效率。
可於源極電極2111和汲極電極2112之上形成主動層2130。主動層2130對應於源極電極2111和汲極電極2112之間的間隔。
根據另一個實施例，主動層2130可接觸源極電極2111和汲極電極2112，並特別是可分別接觸互相面對之源極電極2111的側表面和汲極電極2112的側表面。舉例來說，主動層2130可接觸源極電極2111的側表面之中面對源極電極2112之側表面，並可接觸汲極電極2112的側表面之中面對源極電極2111之側表面。根據另一個實施例，主動層2130可接觸源極電極2111的上表面的一部分及汲極電極2112的上表面的一部分。因此，增加主動層2130和源極電極2111和汲極電極2112之間的接觸區域，而因此可實現短通道結構。
主動層2130可包括各種材料。舉例來說，主動層2130可包括氧化物半導體材料。根據另一個實施例，主動層2130可包括氧化鋅類的氧化物。根據再另一個實施例，主動層2130可包括含銦、鎵及/或錫之氧化物半導體材料。
根據再另一個實施例，主動層2130可包括G-I-Z-O [(In2 O3 )a(Ga2 O3 )b(ZnO)c]，其中a、b和c為分別滿足a≥0、b≥0和c＞0之實數。
根據再另一個實施例，主動層203可包括從第12族、第13族及第14族之金屬材料(例如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鎘(Cd)和鍺(Ge))及其組合選定材料的氧化物。
閘極電極2140具有與主動層2130的至少一部分重疊之區域。閘極電極2140可包括各種高導電性材料。根據另一個實施例，閘極電極2140可包括低電阻金屬材料，例如鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)或鈦(Ti)。
於閘極電極2140和主動層2130之間形成第一絕緣層2135。第一絕緣層2135讓閘極電極2140與主動層2130電性絕緣。
第一絕緣層2135可不覆蓋第一電極2120的至少一個區域。根據另一個實施例，第一絕緣層2135可覆蓋第一電極2120的至少一個邊緣。
於第一絕緣層2135之上形成閘極電極2140。第一絕緣層2135可包括各種絕緣材料。舉例來說，第一絕緣層2135可包括無機材料，例如二氧化矽、氮化矽或氧化鋁。另一個例子來說，第一絕緣層2135可包括含聚合物之有機材料。
於閘極電極2140之上形成第二絕緣層2144。第二絕緣層2144覆蓋閘極電極2140。於第一絕緣層2135之上形成第二絕緣層2144。第二絕緣層2144可不覆蓋第一電極2120之至少一區域。
根據另一個實施例，於對應第一電極2120的上表面之區域中，第二絕緣層2144可覆蓋第一絕緣層2135。
根據另一個實施例，於對應第一電極2120的上表面之區域中，可暴露第一絕緣層2135的至少一部分而未讓第二絕緣層2144覆蓋其。
第二絕緣層2144可包括各種絕緣材料。舉例來說，第二絕緣層2144可包括無機材料，例如二氧化矽、氮化矽或氧化鋁。另一個例子來說，第二絕緣層2144可包括含聚合物之有機材料。
可於第二絕緣層2144之上形成輔助電極2150。輔助電極2150接觸源極電極2111和汲極電極2112之其一的至少一部分。第一絕緣層2135和第二絕緣層2144可暴露源極電極2111和汲極電極2112之其中至少一個的至少一區域，且輔助電極2150可接觸暴露區域。
輔助電極2150可不面對未讓第一絕緣層2135和第二絕緣層2144覆蓋的第一電極2120完整區域中至少一部分。
輔助電極2150改善源極電極2111和汲極電極2112的電特性。特別是，當由透光材料形成源極電極2111和汲極電極2112時，可增加源極電極2111和汲極電極2112的電阻。可透過形成具有低電阻材料的輔助電極2150彌補此問題，以改善源極電極2111和汲極電極2112的電特性。
輔助電極2150可包括各種導電材料，例如高導電性金屬材料。根據另一個實施例，輔助電極可包括銅、銀、鋁、鉬或銅。根據一個實施例，形成與主動層2130隔開的輔助電極2150，以避免輔助電極2150部件擴散至主動層2130而損壞主動層2130。
根據一個實施例，於第二絕緣層2144之上，可形成輔助電極2150在不同於閘極電極2140的水平之水平之上，因而減少閘極電極2140的干擾，使得閘極電極2140和輔助電極2150的圖案化精準。然而，根據另一個實施例，在同等於閘極水平2140的水平之上，可形成輔助電極2150於第一絕緣體2135之上。
於第二絕緣層2144之上形成鈍化層2145。鈍化層2145覆蓋輔助電極2150。鈍化層2145可不覆蓋第一電極2120的至少一區域。
根據一個實施例，在對應於第一電極2120的上表面之區域中，鈍化層2145可覆蓋第二絕緣層2144。根據另一個實施例，在對應於第一電極2120的上表面之區域中，可暴露第二絕緣層2144的至少一部分而未鈍化層2145覆蓋其。
鈍化層2145可為有機材料形成的單層或可為包括複數個有機材料層之多層結構。有機材料可包括商用的聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)或聚苯乙烯(polystyrene ,PS)、具有酚基群(phenol-based group)之衍生聚合物、丙烯酸類聚合物(acryl-based polymer)、醯亞胺類聚合物(imide-based polymer)、丙烯醚類聚合物(acryl ether-based polymer)、醯胺類聚合物(amide-based polymer)、氟類聚合物(fluorine-based polymer)、 對二甲苯類聚合物(p-xylene-based polymer)、乙烯醇類聚合物(vinyl alcohol-based polymer)、其混合物或其相似物。鈍化層2145可為無機絕緣層和有機絕緣層之堆疊物。
於第3圖的連接單元102之上也可形成第一絕緣層2135、第二絕緣層2144和鈍化層2145。可經由第3圖的溝槽T暴露第一絕緣層2135或第二絕緣層2144。第一絕緣層2135的暴露部分或第二絕緣層2144的暴露部分可接觸第3圖的封裝層300。
於第一電極2120的側表面上形成中間層2123。中間層2123可包括有機發光層以產生可見光。中間層2123可產生各種顏色的光。換句話說，中間層2123可例如產生紅光(R)、綠光(G)和藍光(B)。根據另一個實施例，中間層2123可產生白光(W)。
於中間層2123之上形成第二電極2122。第二電極2122可包括各種導電金屬，例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)及銀(Ag)。
光保護層2105面對主動層2130。光保護層2105可面對與主動層2130的表面中面對閘極電極2140之表面相對的表面。因此，可避免光損害主動層。
根據一個實施例，可於基板上形成上塗佈層2103以覆蓋光保護層2105。可於緩衝層2102之下形成上塗佈層2103。
彩色濾波器2106面對第一電極2120的至少一區域。詳細地，彩色濾波器2106可面對第一電極2120中與中間層2123重疊的一區域。彩色濾波器2106可設置於第一電極2120和基板之間。
根據一個實施例，可於基板之上形成彩色濾波器2106，且可形成上塗佈層2103以覆蓋彩色濾波器2106。可於緩衝層2102之下形成上塗佈層2103。
彩色濾波器2106可面對第一電極2120，並因此可實踐產生各種顏色之顯示設備。
當彩色濾波器2106形成時，也可用以單色為基礎的彩色濾波器材料形成光保護層2105，例如紅色(R)。換句話說，於基板之上形成彩色濾波器2106和光保護層2105之後，可形成上塗佈層2103以覆蓋彩色濾波器2106和光保護層2105。
第14圖係為根據再另一個實施例沿第3圖的截線I-I'的剖面圖。
參考第3圖及第14圖，顯示單元200可形成於分隔區101之上，並可包括至少一有機發光裝置230和電性連接於有機發光裝置230之薄膜電晶體TFT。有機發光裝置230可包括第一電極231、中間層233和第二電極232。鈍化層209可設置於有機發光裝置230和薄膜電晶體TFT之間。為了方便解釋，第14圖未繪示顯示單元200之上的封裝層。然而，可經由封裝層封裝顯示單元200。
像素定義層219暴露第一電極231的區域，並界定有機發光裝置230的像素區域。可在像素定義層219界定的像素區域以外的其餘區域之上設置遮光層BL。
舉例來說，當顯示單元200為頂端放射類型，可於像素定義層219的上表面之上形成遮光層BL。然而，實施例不限於此，且像素定義層219或鈍化層209可包括能遮光的材料。另一方面，當顯示單元200為底端放射類型，可設置遮光層BL於分隔區101和薄膜電晶體TFT之間。
第15圖係為第1圖的A部分之平面放大圖。第16圖係為根據實施例之沿第15圖的截線VI-VI'的剖面圖，以及第17圖係為根據實施例之沿第15圖的截線VII-VII'的剖面圖。
參考第15圖至第17圖，顯示設備10可包括複數個分隔區101、與複數個分隔區101互相連接之複數個連接單元102以及分別設置於複數個分隔區101之上的複數個顯示單元200。可於分隔區101和連接單元102之上相繼形成顯示單元200的無機層和鈍化層209。無機層可分別為包括在第4圖的薄膜電晶體TFT中的緩衝層202、第一絕緣層204和第二絕緣層206。
可經由第4圖的封裝層300封裝各顯示單元200。封裝層300可經由溝槽T接觸第一絕緣層204的暴露部分或第二絕緣層206的暴露部分。
四個連接單元102連接一個分隔區101。詳細地，位於分隔區101的相對側且各向第一方向X延伸之一對第一連接單元102a和位於分隔區101的相對側且各向第二方向Y延伸之一對第二連接單元102b可連接於分隔區101。
第一接線單元可位於兩個第一連接單元102a之上，而第二接線單元可位於兩個第二連接單元102b之上。舉例來說，第一接線單元可包括第一電壓線V1、第二電壓線V2及至少一資料線DL，而第二接線單元可包括至少一掃描線SL。
第一接線單元及第二接線單元可相交於分隔區101之上。
第一接線單元可向第一方向X延伸，並可包括在第二方向Y上沿穿通孔V彎曲的區域。因為第一接線單元可向第一方向X延伸並可以固定間隔重複出現彎曲形狀，可減少或避免由於第一接線單元於顯示單元200之間造成的光不均勻性。可形成向相同方向延伸的複數個第一接線單元而未互相重疊，從而減少其之間的干擾。
相似地，因為第二接線單元可向第二方向Y延伸並可於第一方向X以固定間隔重複出現彎曲形狀，可減少或避免由於第二接線單元於顯示單元200之間造成的光不均勻性。可形成向相同方向延伸的複數個第二接線單元而未互相重疊，從而減少其之間的干擾。
第一接線單元和第二接線單元可包括相同材料。舉例來說，第一接線單元和第二接線單元可具有鈦/鋁/鈦之堆疊結構，並可包括與用以形成源極電極207和汲極電極208相同之高可撓性材料。
第16圖係繪示於第二連接單元102b之上形成掃描線SL之例子。可於第二連接單元102b之上以記載之順序相繼堆疊緩衝層202、第一絕緣層204、第二絕緣層206和鈍化層209，且可於鈍化層209之上形成掃描線SL。因為掃描線SL連接薄膜電晶體的閘極電極205而施加掃描訊號於薄膜電晶體，薄膜電晶體的掃描線SL和閘極電極205可經由接觸孔互相電性連接。
第17圖係繪示於第一連接單元102a之上形成第一電壓線V1、資料線DL和第二電壓線V2之例子。可於第一連接單元102a之上以指定順序相繼堆疊緩衝層202、第一絕緣層204、第二絕緣層206和鈍化層209，且可於鈍化層209之上形成第二電壓線V2。
資料線DL可連接薄膜電晶體的汲極電極208而施加資料訊號於薄膜電晶體。第一電壓線V1可電性連接分別包括在第4圖的複數個顯示單元中且彼此互相分隔的第一電極231。
根據本揭露的實施例，因為複數個顯示單元200各自包括第4圖中分隔的第二電極232而與分隔的第二電極232互相電性連接，第二電壓線V2可具有與第一電壓線V1之相似圖案或相同圖案，且第二電壓線V2可經由接觸孔電性連接於第二電極232。
第18圖係為第1圖的顯示設備10的變動例之顯示設備20之剖面示意圖。
參考第18圖，顯示設備20可包括基板100，基板100包括複數個分隔區101、複數個連接單元102、複數個顯示單元200、複數層封裝層300、第一保護膜410及第二保護膜420，複數個連接單元102與複數個分隔區101互相連接，複數個顯示單元200分別設置於複數個分隔區101之上，複數層封裝層300分別封裝複數個顯示單元200，第一保護膜410及第二保護膜420分別設置於基板100的上表面和下表面。基板100可包括穿透連接單元102之間的基板100之第1圖中的複數個穿通孔V。
因為基板100、顯示單元200和封裝層300與前文中前述實施例所述的相同，於此可省略其重複敘述。
第一保護膜410及第二保護膜420可預防外來材料或其相似物滲入至顯示設備20。由延展片形成第一保護膜410及第二保護膜420，並因此可於延展或改變顯示設備20的形狀時延展或改變第一保護膜410及第二保護膜420之形狀。舉例來說，第一保護膜410及第二保護膜420可為雙軸方向的聚丙烯(polypropylene)膜、雙軸方向的聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)膜或其相似物。根據另一個實施例，第一保護膜410及第二保護膜420可例如包括聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane, PDMS)膜，但不限於此。
第19圖係為第1圖的顯示設備10的另一個變動例的顯示設備30之剖面示意圖。
參考第19圖，顯示設備30可包括基板100、複數個顯示單元200、複數層封裝層300、第一保護膜410、第二保護膜420及功能層500，複數個顯示單元200設置於基板100之上，複數層封裝層300分別封裝複數個顯示單元200，第一保護膜410及第二保護膜420分別設置於基板100的上表面和下表面，功能層500位於第二保護膜420之上。
基板100可包括複數個分隔區101、複數個連接單元102及複數個穿通孔V，複數個連接單元102與複數個分隔區101互相連接，複數個穿通孔V穿透複數個連接單元102之間的基板100。
複數個顯示單元200可分別設置複數個分隔區101之上。分別封裝複數個顯示單元200之封裝層300也可設置於複數個分隔區101之上。
如前文中參考第18圖所描述的，第一保護膜410及第二保護膜420可預防外來材料或其相似物滲入至顯示設備30。
功能層500可包括至少一種極化層及觸控螢幕層。功能層500更可包括用於反射外來光的光學膜及保護層。能延展功能層500，並可於延展顯示設備30時延展功能層500。
第20圖係為根據另一個實施例之第1圖的A部分之平面放大圖。
參考第20圖，基板100可包括複數個分隔區101、複數個連接單元102及複數個穿通孔V，複數個分隔區101彼此隔開及複數個連接單元102與複數個分隔區101互相連接，複數個穿通孔V穿透複數個連接單元102之間的基板100。
複數個顯示單元200可分別設置於複數個分隔區101之上。各顯示單元200可包括至少一種發出可見光的顯示裝置。顯示裝置可為有機發光裝置。複數層封裝層300可獨立封裝複數個顯示單元200。
複數個連接單元102可與複數個分隔區101互相連接。舉例來說，四個連接單元102連接各分隔區101並於鄰近分隔區101的不同方向延伸，而因此四個連接單元102可分別連接圍繞分隔區101之其他四個鄰近分隔區101。
複數個分隔區101和複數個連接單元102可以相同材料形成，並可互相連接。換句話說，複數個分隔區101和複數個連接單元102可一體形成以取得一體。
可於分隔區101和連接單元102之上相繼形成第4圖的顯示單元200的鈍化層209和無機層。無機層可包括緩衝層202和內含於第4圖的薄膜電晶體TFT中的第一絕緣層204和第二絕緣層206。封裝層300可透過溝槽T接觸第一絕緣層204的暴露部分或第二絕緣層206的暴露部分。因此，封裝層300可經由有機材料形成的鈍化層209減少或預防外部濕氣和氧氣滲透至顯示單元200。
可於複數個分隔區101之上設置電性連接顯示單元200的接線單元。
參考第20圖，各連接單元102具有至少一個可撓部。因此，至少一個可撓部的形狀於延展基板100時改變，並可增加複數個分隔區101之間的間隔。因此，可於二維上或三維上改變第1圖的顯示設備10的形狀。
穿通孔V穿透基板100。穿通孔V可於複數個分隔區101之間提供分離區域，減少基板100的重量並改善基板100的可撓性。當彎曲、捲曲或相似其動作於基板100時，改變穿通孔V的形狀並有效減少基板100形變期間產生的應力。因此，可預防不正常的基板100形變，且可改善基板100的耐久性。因此，可改善顯示設備10的實用性和方便性，而顯示設備10可適用於可彎曲的顯示設備、可撓性顯示設備或可伸展的顯示設備。
根據本揭露的實施例，即使改變顯示設備的形狀，仍可避免損害封裝層，並可有效預防外部濕氣和氧氣的滲入，從而改善顯示設備的可靠性。應理解的是本揭露的範圍未限制於此效果。
應理解的是，本文描述的實施例應視為描述性觀念而非限制用途。各實施例的態樣或特徵之敘述通常應視為可用於其他實施例中相似的態樣或特徵。
雖然已參考圖式描述一個或多個實施例，所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是可在其中做各種形式上及細節上的改變而未脫離本揭露的範圍和精神。
10、20、30:顯示設備 100:基板 101:分隔區 102:連接單元 102a:第一連接單元 102b:第二連接單元 200、200':顯示單元 202、2102:緩衝層 203、2130:主動層 204、2135:第一絕緣層 205、2140:閘極電極 206、2144:第二絕緣層 207、2111:源極電極 208、2112:汲極電極 209、2145:鈍化層 216:連接線 219:像素定義層 230、2125:有機發光裝置 231、2120:第一電極 232、2122:第二電極 233、2123:中間層 300、310:封裝層 312、314:無機層 316:有機層 410:第一保護膜 420:第二保護膜 500:功能層 2103:上塗佈層 2105:光保護層 2106:彩色濾波器 2150:輔助電極 BL:遮光層 C:連接區域 CL:封閉曲線 D:壩攔單元 DA:顯示區 DL:資料線 NDA:非顯示區 P:可撓部 SL:掃描線 T、T':溝槽 TFT:薄膜電晶體 U:單元 V:穿通孔 V1:第一電壓線 V2:第二電壓線 X:第一方向 Y:第二方向 θ、θ′:角度 I-I'、II-II'、III-III'、VI-VI'、VII-VII':截線
這些及/或其他態樣將從下列實施例的描述並結合其附圖變得顯而易見及更容易理解：
第1圖係為根據本揭露的實施例之顯示設備的平面示意圖；
第2圖係為根據實施例之第1圖的A部分之平面放大圖；
第3圖係為根據實施例之第1圖的單元之平面示意圖；
第4圖係為根據實施例沿第3圖的截線I-I'的剖面圖；
第5圖係為根據實施例沿第3圖的截線II-II'的剖面圖；
第6圖係為根據實施例沿第3圖的截線III-III'的剖面圖；
第7圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線II-II'的剖面圖；
第8圖係為根據另一個實施例之第1圖的單元之平面示意圖；
第9圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線I-I'的剖面圖；
第10圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線II-II'的剖面圖；
第11圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線III-III'的剖面圖；
第12圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線II-II'的剖面圖；
第13圖係為根據另一個實施例沿第3圖的截線I-I'的剖面圖；
第14圖係為根據再另一個實施例沿第3圖的截線I-I'的剖面圖；
第15圖係為第1圖的A部分之平面放大圖；
第16圖係為根據實施例之沿第15圖的截線VI-VI'的剖面圖；
第17圖係為根據實施例之沿第15圖的截線VII-VII'的剖面圖；
第18圖係為第1圖的顯示設備的變動例之顯示設備之剖面示意圖；
第19圖係為第1圖的顯示設備的另一個變動例之剖面示意圖；以及
第20圖係為根據另一個實施例之第1圖的A部分之平面放大圖。
10:顯示設備
100:基板
101:分隔區
102:連接單元
200:顯示單元
CL:封閉曲線
U:單元
V:穿通孔
X:第一方向
Y:第二方向
θ:角度

Claims (12)

  1. 一種顯示裝置，包含：一第一顯示單元，以及與該第一顯示單元間隔開的一第二顯示單元；以及一封裝層，在該第一顯示單元及該第二顯示單元上；其中，該第一顯示單元及該第二顯示單元包含一薄膜電晶體、電連接於該薄膜電晶體的一顯示元件以及在該薄膜電晶體與該顯示元件之間依序堆疊的一無機層及一鈍化層；其中該無機層及該鈍化層在該第一顯示單元與該第二顯示單元之間延伸，其中該鈍化層包含暴露該無機層的一區域，以及其中，該封裝層直接接觸暴露在該區域的該無機層。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，該封裝層包含一第一無機層、一第二無機層以及在該第一無機層與該第二無機層之間的一有機層，該第一無機層及該第二無機層中的至少一個直接接觸暴露在該區域的該無機層。
  3. 如請求項2所述的顯示裝置，其中，該第一無機層、該第二無機層及該有機層中的至少一個包含含有碳和氫的氧化矽。
  4. 如請求項2所述的顯示裝置，其中，該有機層包含分別形成在該第一顯示單元及該第二顯示單元上的一有機膜。
  5. 如請求項2所述的顯示裝置，其中，該第一顯示單元及該第二顯示單元中包含一顯示區及在該顯示區之外的一非顯示區， 其中環繞該顯示區的一壩部位於該非顯示區。
  6. 如請求項5所述的顯示裝置，其中，該第一無機層及該第二無機層覆蓋該壩部並且在該壩部之外彼此接觸。
  7. 如請求項5所述的顯示裝置，其中，該壩部包含與該鈍化層相同的材料。
  8. 如請求項5所述的顯示裝置，其中，該顯示元件包含一第一電極、一第二電極及一中間層，該中間層包含在該第一電極與該第二電極之間的一發光層。
  9. 如請求項8所述的顯示裝置，其中，該第一顯示單元及該第二顯示單元進一步包含覆蓋該第一電極的邊緣部分的一像素定義層；以及其中，該像素界定層上的該第二電極向該壩部延伸，且該第二電極的端部設置於該壩部與該像素定義層之間。
  10. 如請求項9所述的顯示裝置，其中，該壩部包含一第一層及在該第一層上的一第二層，以及其中，該第一層包含與該鈍化層相同的材料，以及該第二層包含與該像素限定層相同的材料。
  11. 如請求項1所述的顯示裝置，其中，該無機層包含在一主動層與該薄膜電晶體的一閘極電極之間的一第一絕緣層，以及設置在該閘極電極上的一第二絕緣層。
  12. 如請求項1所述的顯示裝置，還包含：一基板，設置該第一顯示單元及該第二顯示單元，以及一第一保護膜及一第二保護膜，分別設置在該基板的上表面和 下表面，其中該第一保護膜和該第二保護膜包含一延展片。
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