TWI745384B - 半導體封裝體製造用支撐體、半導體封裝體製造用支撐體的使用及半導體封裝體的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係以提供對研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理等的各處理的耐久性優良的半導體封裝體製造用支撐體、該半導體封裝體製造用支撐體的使用、及半導體封裝體的製造方法為目標。本發明的半導體封裝體製造用支撐體,係具有:基材層;及鄰接於上述基材層的黏著層的半導體封裝體製造用支撐體,上述基材層係由含脂環結構樹脂薄膜所形成。

Description

半導體封裝體製造用支撐體、半導體封裝體製造用支撐體的使用及半導體封裝體的製造方法
本發明係關於半導體封裝體製造用支撐體、半導體封裝體製造用支撐體的使用、及半導體封裝體的製造方法。
先前,作為半導體封裝體的一種,已知WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package:晶圓級封裝,亦稱為FIWLP(Fan-In Wafer Level Package:扇入型晶圓級封裝)。)。
WLCSP,係對形成在晶圓上的半導體晶片形成再配線層之後,藉由個片化處理而得到的半導體封裝體。在WLCSP,由於封裝體面積與半導體晶片面積會相同,故有限制可設置的外部連接端子數的問題。
近幾年,用於解決此問題的方法,有扇出型晶圓級封裝(Fan-Out Wafer Level Package,以下有時稱為「FOWLP」。)的提案。
FOWLP,通常,係將形成在晶圓上的半導體晶片個片化之後,將該等再配置在支撐體上,接著,對樹脂鑄模所得到的層積體施行各種處理之後,藉由個片化處理而得。在FOWLP,由於封裝體面積較半導體晶片面積大,故在半導體晶片的外側區域亦可設置外部連接端子。
例如,在專利文獻1記載有一種半導體封裝體的製造方法,其具有:製作在一方的面形成複數個基準標記轉印部的支撐體的第1步驟;在上述一方的面,使電路形成面與上述一方的面相對之方式而配置半導體晶片的第2步驟;在上述一方的面形成覆蓋上述半導體晶片及上述複數個基準標記轉印部的密封樹脂,將上述複數個基準標記轉印部轉印到上述密封樹脂之與上述支撐體相接的主面,而形成複數個基準標記的第3步驟;去除上述支撐體,使上述電路形成面與上述主面露出的第4步驟;在上述電路形成面上及上述主面上,基於上述複數個基準標記形成而包含與上述半導體晶片電性連接的配線層支配線結構體的第5步驟。
在專利文獻2記載有一種半導體裝置的製造方法,其特徵在於,包含:在支撐體上配設黏著層的步驟;在上述黏著層上配設半導體元件的步驟;在配設上述半導體元件的上述黏著層上配設樹脂層,而在上述黏著層上形成包含上述半導體元件及上述樹脂層的基板的步驟;以及將上述基板從上述黏著層剝離的步驟;上述黏著層,在上述基板被剝離的方向的黏著力,較形成上述基板的面方向的黏著力弱。
在專利文獻2亦記載,使半導體元件的電路形成面(電極面),以朝向支撐體上的黏著層側之方式而配置的步驟。
在專利文獻3上,記載有一種半導體封裝體的製造方法,其特徵在於:將複數個半導體晶片,以互相分離之方式排列的狀態,使電極面朝上而裝載到支撐體上的凹部,將上述半導體晶片在上述支撐體上以絕緣樹脂而密封形成密封樹 脂部,在上述密封樹脂部的表面形成再配線圖案,在上述再配線圖案上形成外部連接端子,留下上述支撐體的增強構件,將上述支撐體的上述凹部的底面從上述密封樹脂部去除,沿著上述增強構件的外側切斷上述密封樹脂部而個片化。
如上所述,在專利文獻3所記載的半導體封裝體的製造方法,與專利文獻1、2所記載的製造方法不同,半導體晶片,係以與其電極面相反的面朝向支撐體側之方式而配置在支撐體上。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本特開2012-104757號公報
專利文獻2:日本特開2013-168541號公報
專利文獻3:日本特開2012-15191號公報
如專利文獻1~3所記載,製造FOWLP時,通常,係在具有金屬製基材層、玻璃製基材層、矽製基材層等的基材層的支撐體上配置半導體晶片之後,將樹脂鑄模而形成層積體。接著,按照需要,對該層積體施行研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理等的處理之後,藉由施行個片化處理,而得到FOWLP。
就成本面或品質面的觀點而言,較佳是使用具有樹脂製的基材層的支撐體取代上述支撐體。但是,具有樹脂製的基材層的 支撐體,由於在上述處理的耐久性差,實際情況是不得不使用具有金屬製基材層等的支撐體。
本發明係有鑑於上述實際情況而完成者,以提供對研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理等的各處理的耐久性優良的半導體封裝體製造用支撐體、該半導體封裝體製造用支撐體的使用、及半導體封裝體的製造方法為目標。
本發明者為了解決上述課題專心研究的結果,發現具有含脂環結構樹脂製的基材層的支撐體,對研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理的耐久性優良,而達至完成本發明。
根據本發明,可提供下述[1]的半導體封裝體製造用支撐體;[2]的半導體封裝體製造用支撐體的使用;及[3]~[6]的半導體封裝體的製造方法。
[1]一種半導體封裝體製造用支撐體,其係具有基材層;及鄰接於上述基材層的黏著層的半導體封裝體製造用支撐體,其特徵在於:上述基材層係由含脂環結構樹脂薄膜所形成。
[2]一種半導體封裝體製造用支撐體的使用,其係將[1]所述的半導體封裝體製造用支撐體,使用在扇出型晶圓級封裝體的製造。
[3]一種半導體封裝體的製造方法,其具有下述步驟(α)及(β):步驟(α):在[1]所述的半導體封裝體製造用支撐體的黏著 層上,配置複數個半導體晶片,接著,藉由樹脂鑄模,製造具有上述複數個半導體晶片的樹脂層形成在半導體封裝體製造用支撐體上而得到的層積體的步驟;步驟(β):對步驟(α)所得到的層積體,施行選自由研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理所組成之群之至少1種處理的步驟。
[4]如[3]所述的半導體封裝體的製造方法,進一步具有下述步驟(γ):步驟(γ):在步驟(β)之後,將構成層積體的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離,對上述具有複數個半導體晶片的樹脂層,施行背面處理及個片化處理,而製造半導體封裝體的步驟。
[5]如[3]所述的半導體封裝體的製造方法,其中在步驟(β)之後,至少進行1次下述步驟(δ):步驟(δ):將構成層積體的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離,將別的半導體封裝體製造用支撐體黏貼於該具有複數個半導體晶片的樹脂層,而得到層積體,接著,對上述層積體,進行選自由研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理所組成之群之至少1種處理的步驟。
[6]如[5]所述的半導體封裝體的製造方法,進一步具有下述步驟(ε):步驟(ε):在步驟(δ)之後,將構成層積體的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離,對上述 具有複數個半導體晶片的樹脂層,施行背面處理及個片化處理,而製造半導體封裝體的步驟。
根據本發明,可提供在研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理等的各處理的耐久性優良的半導體封裝體製造用支撐體、該半導體封裝體製造用支撐體的使用,及半導體封裝體的製造方法。
1a、1b‧‧‧樹脂薄膜
2a、2b‧‧‧UV硬化型黏著層
3a‧‧‧支撐體(A)、支撐體(B)
4‧‧‧半導體晶片
5‧‧‧鑄模樹脂層
6a‧‧‧層積體(A)
6b‧‧‧層積體(B)
7‧‧‧再配線層(多層的配線圖案)
11a‧‧‧樹脂薄膜
12a‧‧‧UV硬化型黏著層
13a‧‧‧支撐體
14a‧‧‧附有銅柱的半導體晶片
15a‧‧‧鑄模樹脂層
15b‧‧‧鑄模樹脂層
16a‧‧‧層積體
17a‧‧‧再配線層(多層的配線圖案)
第1圖係示意表示層積體的製造步驟的圖。
第2圖係示意表示半導體封裝體的製造步驟的圖(其1)。
第3圖係示意表示半導體封裝體的製造步驟的圖(其2)。
以下,將本發明分項為「1)半導體封裝體製造用支撐體」、以及「2)半導體封裝體製造用支撐體的使用、及半導體封裝體的製造方法」,而詳細說明。
1)半導體封裝體製造用支撐體
本發明的半導體封裝體製造用支撐體,其係具有基材層;及鄰接於上述基材層的黏著層的半導體封裝體製造用支撐體,其特徵在於:上述基材層係由含脂環結構樹脂薄膜所形成。
[基材層]
構成本發明的半導體封裝體製造用支撐體的基材層,係由含脂環結構樹脂薄膜所形成。
含脂環結構樹脂薄膜,係含有含脂環結構聚合物作為樹脂 成分的薄膜。含脂環結構聚合物,係在主鏈及/或側鏈具有脂環結構的聚合物。其中,就能夠形成機械性強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性等優良的支撐體而言,以在主鏈具有脂環結構的聚合物為佳。
作為脂環結構,可列舉飽和環狀烴(環烷)結構、不飽和環狀烴(環烯)結構等。其中,就容易得到機械性強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性等優良的支撐體而言,以環烷結構為佳。
構成脂環結構的碳原子數,並無特別限定,通常為4~30個,以5~20個為佳,以5~15個為更佳,以7~9個的範圍為特佳。藉由使構成脂環結構的碳原子數在該範圍內,可容易得到機械性強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性等的特性更高度地平衡的支撐體。
含脂環結構聚合物中之具有脂環結構的重複單位的比例,可適宜選擇。該重複單位的比例,相對於全重複單位,通常為30質量%以上,以50質量%以上為佳,以70質量%以上為更佳。藉由使含脂環結構聚合物中之具有脂環結構的重複單位的比例在30質量%以上,可容易得到機械性強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性等優良的支撐體。含脂環結構聚合物中之具有脂環結構的重複單位以外的殘部,並無特別限定,可適宜選擇。
含脂環結構聚合物的重量平均分子量(Mw),並無特別限定,通常為5,000~500,000,以8,000~200,000為佳,以10,000~100,000為更佳,以10,000~30,000為特佳。藉由使含脂環結構聚合物的重量平均分子量(Mw)在該等範圍內,可使支 撐體的機械性強度等的各種特性與製造含脂環結構樹脂薄膜時的作業性更高度地平衡。
含脂環結構聚合物的分子量分佈(Mw/Mn),並無特別限定,通常為1.0~4.0,以1.0~3.5為佳,以1.0~3.0為更佳,以1.0~2.5為特佳。
含脂環結構聚合物的重量平均分子量(Mw)及數目平均分子量(Mn),可遵照實施例所述的方法求得。
含脂環結構聚合物的玻璃轉移溫度(Tg),並無特別限定,通常為90~200℃,以90~170℃為佳。
藉由使含脂環結構聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)在90℃以上,容易得到耐熱性優良的支撐體。此外,含脂環結構聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)為200℃以下的含脂環結構聚合物,由於熔融時具有充分的流動性,而成形性優良,故製造含脂環結構樹脂薄膜時的作業性優良。
玻璃轉移溫度(Tg),可根據JIS K 6911測定。
作為含脂環結構聚合物的具體例,可列舉(1)降冰片烯系聚合物、(2)單環的環狀烯烴系聚合物、(3)環狀共軛二烯系聚合物、(4)乙烯基脂環烴系聚合物等。該等之中,就容易得到機械性強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性等優良的支撐體而言,以降冰片烯系聚合物為佳。
再者,在本說明書,該等聚合物,不只是聚合反應生成物,亦指該等的加氫物的意思。
(1)降冰片烯系聚合物
降冰片烯系聚合物,係將具有降冰片烯骨架的單體之降冰 片烯系單體聚合而得到的聚合物或其加氫物。
作為降冰片烯系聚合物,可列舉降冰片烯系單體的開環聚合物、降冰片烯系單體與可與其開環共聚合的其他單體的開環聚合物、該等開環聚合物的加氫物、降冰片烯系單體的加成聚合物、降冰片烯系單體與可與其共聚合的其他單體的加成聚合物等。
作為降冰片烯系單體,可列舉雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名:降冰片烯)及其衍生物(係指在環具有取代基者。)、三環[4.3.01,6.12,5]癸-3,7-二烯(慣用名:二環戊二烯)及其衍生物、四環[9.2.1.02,10.03,8]十四碳-3,5,7,12-四烯、橋亞甲基四氫芴(亦稱為7,8-苯並三環[4.3.0.12,5]癸-3-烯、1,4-橋亞甲基-1,4,4a,9a-四氫芴)及其衍生物、四環[4.4.12,5.17,10.0]十二碳-3-烯(慣用名:四環十二烯)及其衍生物等。
作為取代基,可列舉烷基、伸烷基(alkylene)、乙烯基、烷氧基羰基、亞烷基(alkylidene)等。
作為具有取代基的降冰片烯系單體,可列舉8-甲氧基羰基-四環[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3-烯、8-甲基-8-甲氧基羰基-四環[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3-烯、8-亞乙基-四環[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3-烯等。
該等降冰片烯系單體,可以1種單獨或組合2種以上使用。
作為可與降冰片烯系單體開環共聚合的其他單體,可列舉環己烯、環庚烯、環辛烯,及該等的衍生物等的單環環狀烯烴系單體等。作為該等的取代基,可列舉與例示作為降冰片烯系單體的取代基相同的取代基。
作為可與降冰片烯系單體加成共聚合的其他單體,可列舉乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯等的碳數2~20的α-烯烴、及該等的衍生物;環丁烯、環戊烯、環己烯、環辛烯等的環烯烴、及該等的衍生物;1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯、1,7-辛二烯等的非共軛二烯、及該等的衍生物。該等之中,以α-烯烴為佳,以乙烯為特佳。作為該等的取代基,可列舉與例示作為降冰片烯系單體的取代基相同的取代基。
降冰片烯系單體的開環聚合物、或降冰片烯系單體與可與其開環共聚合的其他單體的開環聚合物,係可使單體成分在習知的開環聚合觸媒的存在下聚合而合成。作為開環聚合觸媒,可列舉,例如,由釕、鋨等金屬的鹵素物、硝酸鹽或乙醯丙酮化合物、及還原劑所形成的觸媒;或由鈦、鋯、鎢、鉬等金屬的鹵化物或乙醯丙酮化合物、與有機鋁化合物所形成的觸媒等。
降冰片烯系單體的開環聚合物加氫物,通常係對上述開環聚合物的聚合溶液,添加包含鎳、鈀等的過渡金屬之習知的加氫觸媒,使碳-碳不飽和鍵結氫化而得。
降冰片烯系單體的加成聚合物、或降冰片烯系單體與可與其共聚合的其他單體的加成聚合物,係可使單體成分在習知的加成聚合觸媒的存在下聚合而合成。作為加成聚合觸媒,可列舉,例如,由鈦、鋯或釩化合物與有機鋁化合物所形成的觸媒。
該等降冰片烯系聚合物之中,就容易得到機械性 強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性等優良的支撐體而言,以降冰片烯系單體的開環聚合物加氫物為佳。
(2)單環的環狀烯烴系聚合物
作為單環的環狀烯烴系聚合物,可列舉,例如,環己烯、環庚烯、環辛烯等的單環的環狀烯烴系單體的加成聚合物。
該等的加成聚合物的合成方法,並無特別限定,可適宜利用習知的方法。
(3)環狀共軛二烯烴系聚合物
作為環狀共軛二烯烴系聚合物,可列舉,例如,將環戊二烯、環己二烯等的環狀共軛二烯烴系單體進行1,2-或1,4-加成聚合而得到的聚合物及其加氫物等。
該等加成聚合物的合成方法,並無特別限定,可適宜利用習知的方法。
(4)乙烯基脂環烴系聚合物
作為乙烯基脂環烴系聚合物,可列舉例如,乙烯基環己烯、乙烯基環己烷等的乙烯脂環烴系單體的聚合物及其加氫物;苯乙烯、α-甲基苯乙烯等的乙烯芳香族系單體的聚合物的芳香環部分的加氫物。此外,亦可為乙烯脂環烴系單體或乙烯芳香族系單體,與可與該等單體共聚合的其他單體的共聚物。作為該共聚物,可列舉隨機共聚物、嵌段共聚物等。
該等聚合物的合成方法,並無特別限定,可適宜利用習知的方法。
就可得到耐熱性等更優良的支撐體而言,作為含脂環結構聚合物,以結晶性的含脂環結構聚合物(以下,有時 稱為「聚合物(α)」。)為佳。
所謂「結晶性」,係藉由將測定條件等最佳化,而能夠在示差掃描熱卡計(DSC)觀測到熔點的性質,係依據聚合物鏈的立體規則性所決定的性質。
聚合物(α),可列舉國際公開第2012/033076號小冊所述的具有間規(syndiotactic)立體規則性的二環戊二烯開環聚合物氫化物、日本特開2002-249553號公報所述的具有等規(isotactic)立體規則性的二環戊二烯開環聚合物氫化物、日本特開2007-16102號公報所述的降冰片烯開環聚合物氫化物等。
聚合物(α)的熔點,以180~350℃為佳,以200~320℃為更佳,以220~300℃為特佳,以240~290℃為最佳。
熔點在此範圍的聚合物(α),可使耐熱性等的特性與成形性的平衡成為良好。
聚合物(α),以使用具有間規立體規則性的二環戊二烯開環聚合物氫化物(以下,有時稱為「聚合物(α1)」。)為佳。
聚合物(α1)的立體規則性的程度,並無特別限制,就容易得到機械性強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性更優良的支撐體而言,以立體規則性的程度較高者為佳。
具體而言,使二環戊二烯開環聚合,接著氫化而得到的重複單位之消旋二聯體(racemo‧dyad)的比例,以51%以上為佳,以60%以上為更佳,以70%以上為特佳。
消旋二聯體的比例越高,即,二環戊二烯的間規立體規則性越高,會成為具有高熔點的二環戊二烯開環聚合物加氫物。
消旋二聯體的比例,係能夠以13C-NMR光譜分析測定、定量。具體而言,以鄰二氯苯-d4作為溶劑,以150℃使用inverse-gated decoupling(反轉閘控去耦合)法進行13C-NMR測定,以鄰二氯苯-d4的127.5ppm的波峰作為基準位移,從來自消旋二聯體的43.43ppm的訊號的強度比,而決定消旋二聯體的比例。
在二環戊二烯,存在內型(endo)體及外型(exo)體的立體異構物,在本發明,其中任一者均可使用於作為單體。此外,亦可僅單獨使用其中一方的異構物,亦可為內型體及外型體以任意比例存在的異構物混合物。在本發明,就提升聚合物(α1)的結晶性,容易得到機械性強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性等更優良的支撐體而言,以提高一方的立體異構物的比例為佳。例如,內型體或外型體的比例,以80%以上為佳,以90%以上為更佳,以95%以上為進一步更佳,以99%以上為特佳。再者,就容易合成而言,以內型體的比例高為佳。
合成聚合物(α1)時,可僅使用二環戊二烯作為單體,亦可使用可與二環戊二烯共聚合的其他單體。作為其他單體,可列舉二環戊二烯以外的降冰片烯類或環狀烯烴類、二烯類等。
使用其他單體時,其使用量,在單體全量中,以10質量%以下為佳,以5質量%以下為更佳。
聚合物(α1)的合成方法,並無特別限定,可遵照習知的方法,進行開環聚合反應及氫化反應,藉此合成聚合物(α1)。
含脂環結構樹脂薄膜,在含脂環結構聚合物以 外,亦可含有添加劑等的其他成分。
作為其他成分,可列舉:除含脂環結構聚合物以外的樹脂、氧化防止劑、結晶核劑、填充劑、難燃劑、難燃助劑、著色劑、帶電防止劑、塑化劑、紫外線吸收劑、光安定劑、近紅外線吸收劑、潤滑劑等。
含脂環結構樹脂薄膜中的含脂環結構聚合物的含量,相對於含脂環結構樹脂薄膜,通常為50質量%以上,以60質量%以上為佳,以80質量%以上為更佳。
上述其他成分的含量,可配合目的適宜決定,惟相對於含脂環結構樹脂薄膜,通常為未滿50質量%,以未滿40質量%為佳,以未滿20質量%為更佳。
含脂環結構樹脂薄膜的厚度,並無特別限定。含脂環結構樹脂薄膜的厚度,通常為80~1000μm,以80~500μm為佳。
[黏著層]
構成本發明的半導體封裝體製造用支撐體的黏著層,係鄰接於基材層的層,係具有黏著性的層。其黏著力係以如下的方式調整為佳:在將半導體晶片配置在黏著層上之後,能夠防止半導體晶片的位移,另一方面,在支撐體完成其作用之後,能夠有效地將支撐體從層積體剝離去除的程度。
黏著層,只要具有上述特性,並無特別限定,例如,可使用習知的黏著劑形成黏著層。
黏著劑,只要具有適當的再剝離性,其種類並無限定。作為黏著劑,可列舉丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、矽酮系黏 著劑等。其中,以丙烯酸系黏著劑為佳。此外,黏著劑,亦可使用活性能量線硬化型黏著劑。
作為丙烯酸系黏著劑,可列舉,例如,使用(甲基)丙烯酸烷基酯的1種或2種以上作為單體成分而得到的丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的黏著劑。
丙烯酸系黏著劑,亦可含有添加劑。作為添加劑,可列舉,例如,架橋劑、黏著賦予劑、塑化劑(例如,偏苯三酸酯(trimellitic acid ester)系塑化劑、苯均四酸酯(pyrornellitic acid ester)系塑化劑等)、顏料、染料、填充劑、老化防止劑、導電材、帶電防止劑、紫外線吸收劑、光安定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、難燃劑、氧化防止劑等。
作為橡膠系黏著劑,可列舉,例如,將天然橡膠;聚異戊二烯橡膠、丁二烯橡膠、苯乙烯‧丁二烯(SB)橡膠、苯乙烯‧異戊二烯(SI)橡膠、苯乙烯‧異戊二烯‧苯乙烯嵌段共聚物(SIS)橡膠、苯乙烯‧丁二烯‧苯乙烯嵌段共聚物(SBS)橡膠、苯乙烯‧乙烯‧丁烯‧苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)橡膠、苯乙烯‧乙烯‧丙烯‧苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)橡膠、苯乙烯‧乙烯‧丙烯嵌段共聚物(SEP)橡膠、再生橡膠、丁基橡膠、聚異丁烯橡膠,或該等的變性體等的合成橡膠等作為基礎聚合物的黏著劑。
橡膠系黏著劑,亦可含有添加劑。作為添加劑,可列舉,例如架橋劑、加硫劑、黏著賦予劑、塑化劑、顏料、染料、填充劑、老化防止劑、導電材、帶電防止劑、紫外線吸收劑、光安定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、難燃劑、 氧化防止劑等。
作為矽酮系黏著劑,可列舉,例如,以有機聚矽氧烷等作為基礎聚合物的黏著劑。
矽酮系黏著劑,亦可含有添加劑。作為添加劑,可列舉,例如,架橋劑、加硫劑、黏著賦予劑、塑化劑、顏料、染料、填充劑、老化防止劑、導電材、帶電防止劑、紫外線吸收劑、光安定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、難燃劑、氧化防止劑等。
活性能量線硬化型黏著劑,係可藉由活性能量線的照射而硬化(高彈性模數化),或黏著力會下降的黏著劑。藉由使用活性能量線硬化型黏著劑形成黏著層,可更有效地進行支撐體的剝離去除。
作為活性能量線,可列舉γ射線、紫外線、可見光線、紅外線(熱線)、無線電波、α射線、β射線、電子束、電漿流、游離射線、粒子束等。
作為活性能量線硬化型黏著劑,可列舉含有活性能量線反應性成分的組合物。
作為活性能量線反應性成分,可列舉:具有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等的碳-碳多鍵鍵結的官能基之光反應性化合物(單體、寡聚物或聚合物);鎓鹽等的有機鹽類,與在分子內具有複數個雜環的化合物的混合物等。
含有活性能量線反應性成分的組合物,亦可含有其他成分。作為其他成分,可列舉不具有光反應性的聚合物、添加劑等。
作為不具有光反應性的聚合物,可列舉天然橡膠、聚異丁烯橡膠、苯乙烯‧丁二烯橡膠、苯乙烯‧異戊二烯‧苯乙烯嵌段共聚物橡膠、再生橡膠、丁基橡膠、聚異丁烯橡膠、丁腈橡膠(NBR)等的橡膠系聚合物;矽酮系聚合物;丙烯酸系聚合物等。
作為添加劑,可列舉活性能量線聚合起始劑、活性能量線聚合促進劑、架橋劑、塑化劑、加硫劑等。
黏著層,例如,能夠藉由以有機溶劑稀釋黏著劑而調製塗佈液,在基材層上塗佈該塗佈液,將所得到的塗膜乾燥而形成。
塗佈液的塗佈,例如,可使用多功能塗佈機、模具塗佈機、凹版塗佈機、塗抹器等進行。
塗膜的乾燥方法,並無特別限定,可藉由自然乾燥法、加熱乾燥法等乾燥塗膜。
黏著層的厚度,通常為1~300μm,以3~300μm為佳,以5~150μm為更佳,以10~100μm為進一步更佳。
本發明的半導體封裝體製造用支撐體,具有由含脂環結構樹脂薄膜所形成的基材層。因此,本發明的半導體封裝體製造用支撐體,與具有金屬製基材層、玻璃製基材層、矽製基材層等的支撐體相比,就費用與品質的觀點而言,可更良好地使用。
此外,本發明的半導體封裝體製造用支撐體,雖然是以樹脂製薄膜作為基材層,但由於機械性強度、耐熱性、耐藥性、低吸水性等的特性優良,故在半導體封裝體製造步驟的各種處 理的耐久性優良。
2)半導體封裝體製造用支撐體的使用、及半導體封裝體的製造方法
本發明的半導體封裝體製造用支撐體(以下,有時稱為「本發明的支撐體」。),可良好地使用在FOWLP的製造。
即,在FOWLP的先前的製造方法,藉由使用本發明的支撐體取代具有金屬製基材層、玻璃製基材層、矽製基材層等的支撐體,能夠抑制費用,並且可更有效地製造FOWLP。
本發明的支撐體,例如,可使用在具有下述步驟的半導體封裝體的製造方法。
步驟(α):在本發明的半導體封裝體製造用支撐體的黏著層上,配置複數個半導體晶片,接著,以樹脂鑄模,製造具有複數個半導體晶片的樹脂層(以下,有時記載為「含半導體晶片樹脂層」。)形成在本發明的半導體封裝體製造用支撐體上而得到的層積體的步驟;步驟(β):對步驟(α)所得到的層積體,施行選自由研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理所組成之群之至少1種處理的步驟。
使用於步驟(α)的半導體晶片,可依照與先前同樣的方法加工矽晶圓而製造。
此外,步驟(α),係使用本發明的支撐體作為支撐體,除了此點以外,可與先前的FOWLP製造方法的步驟同樣地進行。
在黏著層上配置半導體晶片時的半導體晶片的方向,可考慮在半導體封裝體的製造步驟的各處理等,而適宜決定。
例如,可依照日本特開2012-104757號公報、日本特開2013-16854號公報所述,以使形成再配線層的面與支撐體相對之方式(以下,有時稱為「面朝下的狀態」。)而配置,亦可如日本特開2012-15191號公報所述,以使形成再配線層的面的相反面與支撐體相對之方式(以下,有時稱為「面朝向上的狀態」。)而配置。
作為在步驟(β)的研磨處理,可列舉在以面朝下的狀態配置半導體晶片的情形,將含半導體晶片樹脂層平坦化,或使埋在含半導體晶片樹脂層的半導體晶片露出時的處理。
在CMP(化學機械研磨處理),有時使用含有藥品成分的研磨液,使用具有耐藥性差的樹脂製的基材層的支撐體時,支撐體有在研磨處理中變形之虞。此外,使用具有吸水性高的樹脂製的基材層的支撐體時,在研磨處理中,吸收水分的基材層會膨潤,而有妨礙正確的加工之虞。
另一方面,構成本發明的支撐體的基材層,係由含脂環結構樹脂薄膜所形成。由於含脂環結構樹脂的耐藥性及低吸水性優良,故使用本發明的支撐體,可解消該等問題。
作為在步驟(β)的加熱處理,可列舉含半導體晶片樹脂層含有熱硬化性樹脂時,為引起該硬化反應的加熱處理,或以面朝上的狀態配置半導體晶片時,在形成再配線層中的絕緣部時用於引起熱硬化性樹脂的硬化反應的加熱處理等。
具有耐熱性差的樹脂製的基材層的支撐體,有無法承受該等加熱處理之虞。
另一方面,構成本發明的支撐體的基材層,係由含脂環結 構樹脂薄膜所形成。由於含脂環結構樹脂的耐熱性優良,故使用本發明的支撐體,可解消此問題。
作為在步驟(β)的曝光‧顯影處理及鍍敷處理,可列舉以面朝上的狀態配置半導體晶片時,用於形成再配線層中的導體部所進行者。
在該等處理,通常會使層積體與藥品接觸,或將層積體加熱,故根據構成支撐體的基材層的樹脂成分,支撐體有變形或膨潤之虞。
另一方面,構成本發明的支撐體的基材層,係由含脂環結構樹脂薄膜所形成。由於含脂環結構樹脂的耐藥性、低吸水性、及耐熱性優良,故藉由使用本發明的支撐體,可解消該等問題。
作為在步驟(β)的真空處理,可列舉在以面朝上的狀態配置半導體晶片時,為了形成再配線層中的導體部,而進行濺鍍加工的情形等。
使用具有吸水性的樹脂製的基材層的支撐體進行真空處理時,在真空處理中有從基材層釋出水分,而污染半導體晶片之虞。
另一方面,構成本發明的支撐體的基材層,係由含脂環結構樹脂薄膜所形成。由於含脂環結構樹脂的低吸水性優良,故使用本發明的支撐體,可解消此問題。
在步驟(β)之後,通常從層積體分離去除支撐體,對露出的面(與在步驟(β)所加工之面相反的面)施行背面處理等。
即,在步驟(β)之後,通常進行下述步驟(γ)。
步驟(γ):在步驟(β)之後,將構成層積體的本發明的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離(以下,有時稱為「含半導體晶片樹脂層」),對該具有複數個半導體晶片的樹脂層,施行背面處理及個片化處理,藉此製造半導體封裝體的步驟。
在本發明,所謂背面處理,係指對含半導體晶片樹脂層的支撐體側的面施行處理。
例如,以面朝下的狀態配置半導體晶片時,作為背面處理,可列舉用於形成再配線層的處理或設置外部連接端子的處理等。
此外,以面朝上的狀態配置半導體晶片時,可列舉研磨處理等。
該等處理,可按照先前習知的方法進行。
對結束背面處理的含半導體晶片樹脂層進行個片化處理,藉此可到得目標的半導體封裝體。
個片化處理,可利用先前習知的切割法進行。
此外,在本發明的半導體封裝體的製造方法,可在步驟(β)之後,取代步驟(γ)而至少進行1次步驟(δ)。
步驟(δ):將構成層積體的本發明的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離,將別的半導體封裝體製造用支撐體黏貼於該具有複數個半導體晶片的樹脂層,而得到層積體,接著,對上述層積體,進行選自由研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理所組 成之群之至少1種處理的步驟。
如上所述,本發明的支撐體在各種處理的耐久性優良,但進行好幾次該等處理時,支撐體的性能有在中途降低之虞。步驟(δ),係在如此之情形下交換支撐體,再對含半導體晶片樹脂層進行各種處理的步驟。
在步驟(δ)的研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理,可列舉與步驟(用的處理所列舉相同的處理。
本發明的半導體封裝體的製造方法具有步驟(δ)時,通常係接著步驟(δ),進行步驟(ε)。
步驟(ε):在步驟(δ)之後,將構成層積體的本發明的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離,對該具有複數個半導體晶片的樹脂層,施行背面處理及個片化處理,藉此製造半導體封裝體的步驟。
步驟(ε),除了使用經過步驟(δ)的層積體之外,可與步驟(γ)同樣的進行。
根據具有上述步驟的本發明的半導體封裝體的製造方法,能夠廉價且效率良好地製造半導體封裝體。
實施例
以下列舉實施例,更詳細地說明本發明。再者,本發明不應有任何限定於以下的實施例。此外,在下述的實施例及比較例,「份」及「%」,若無特別提及,係質量基準。
在各例的測定,係以如下方法進行。
[玻璃轉移溫度及熔點]
使用示差掃描熱卡計(產品名「DSC6220」,日立HITECH SCIENCE公司製),以升溫速度10℃/分的條件進行示差掃描熱量測定,測定聚合物的玻璃轉移溫度及熔點。
[重量平均分子量(Mw)及分子量分佈(Mw/Mn)]
以四氫呋喃為溶劑,以40℃進行凝膠滲透層析(GPC),將重量平均分子量(Mw)及分子量分佈(Mw/Mn)以聚苯乙烯換算值求得。
測定裝置:凝膠滲透層析(GPC)系統「HLC-8220」(TOSOH公司製)
柱:「H型管柱」(TOSOH公司製)
[聚合物中的不飽和鍵結的氫化率]
根據1H-NMR測定,求得聚合物的不飽和鍵結的氫化率。
[製造例1][二環戊二烯開環聚合物氫化物的合成]對內部以氮置換的金屬製耐壓反應容器,加入154.5份環己烷、42.8份二環戊二烯(內型體含有率99%以上)的環己烷溶液(濃度70%)(使二環戊二烯成為30份)、1.9份1-己烯,將全容加熱為53℃。
另一方面,對0.014份四氯鎢苯基醯亞胺(四氫呋喃)錯合物溶解在0.70份甲苯而得到的溶液,加入0.061加份二乙基鋁乙氧化物(diethylaluminum ethoxide)的正己烷溶液(濃度19%),攪拌10分鐘,調製觸媒溶液。將該觸媒溶液添加到上述反應器內,以53℃進行4小時開環聚合反應,得到包含二環戊二烯開環聚合物的溶液。
對200份所得到的包含二環戊二烯開環聚合物的溶液,加入0.037份作為停止劑的1,2-乙二醇,以60℃攪拌1 小時,使聚合反應停止。之後,加入1份類水滑石化合物(產品名「KYOWAAD(註冊商標)2000」,協和化學工業公司製),加溫到60℃,攪拌1小時。加入0.4份過濾助劑(產品名「Radiolite(註冊商標)#1500」昭和化學工業公司製),使用PP卡匣過濾器裝置(產品名「TCP-HX」,ADVANTEC東洋公司製),過濾吸附劑,得到包含二環戊二烯開環聚合物的溶液。
使用該溶液的一部分,測定二環戊二烯開環聚合物的分子量,結果重量平均分子量(Mw)為28,100,數目平均分子量(Mn)為8,750,分子量分佈(Mw/Mn)為3.21。
對200份純化處理後的包含二環戊二烯開環聚合物的溶液(聚合物含量30份),添加100份環己烷、0.0043份氯氫化羰基三(三苯膦)釕,以氫氣壓6MPa,180℃進行4小時氫化反應。反應液係析出固體份的漿料液。
藉由將反應液離心分離,將固體份與溶液分離,將固體份以60℃減壓乾燥24小時,得到28.5份二環戊二烯開環聚合物氫化物。
在氫化反應的不飽和鍵結的氫化率為99%以上,玻璃轉移溫度為98℃,熔點為262℃。
[製造例2]含脂環結構樹脂粒料的製造
對100份製造例1所得到的二環戊二烯開環聚合物氫化物,混合0.8份氧化防止劑(四(亞甲基-3-(3',5'-二第三丁基-4'-羥苯基)丙酸酯]甲烷,產品名「IRGANOX(註冊商標)1010」,BASF日本公司製)之後,將混合物投入雙軸擠出機(TEM-37B,東芝機械公司製),藉由熱熔融擠出成形而得到膠條狀的成形 體之後,將其以膠條切割機裁切,而得到粒料。
將雙軸擠出機的運作條件表示如下。
‧料筒設定溫度:270~280℃
‧模具設定溫度:250℃
‧螺桿轉數:145rpm
‧供料器轉數:50rpm
[製造例3]含脂環結構樹脂薄膜成形體的製造
使用所得到的粒料,在如下條件進行成形處理,得到寬度120mm,厚度400μm的薄膜成形體。
‧成形機:具備T模具的熱熔融擠出薄膜成形機(產品名「Measuring Extruder Type Me-20/2800V3」,Optical Control Systems公司製)
‧料筒溫度設定:280℃~290℃
‧模具溫度:270℃
‧螺桿轉數:30rpm
‧薄膜捲取速度:1m/分
[製造例4]含脂環結構樹脂薄膜的製造
切出所得到的薄膜成形體的一部分之後,設置在小型延伸機(產品名「EX10-B型」,東洋精密機械製造所公司製),藉由進行逐步雙軸延伸處理而得到延伸薄膜。接著,將延伸薄膜固定在鐵板上,以200℃,在烘箱內實施加熱處理20分鐘,得到厚度100μm的樹脂薄膜。
將小型延伸機的運作條件表示如下。
‧延伸速度:10000mm/min
‧延伸溫度:100℃
‧延伸倍率:MD方向(Machine Direction)2.0倍
TD方向(Transverse Direction)2.0倍
[製造例5]含脂環結構樹脂薄膜的製造
切出所得到的薄膜成形體的一部分之後,設置在小型延伸機(產品名「EX10-B型」,東洋精密機械製造所公司製),藉由進行逐步雙軸延伸處理而得到延伸薄膜。接著,將延伸薄膜固定在鐵板上,以230℃,在烘箱內實施加熱處理20分鐘,得到厚度200μm的樹脂薄膜。
將小型延伸機的運作條件表示如下。
‧延伸速度:10000mm/min
‧延伸溫度:130℃
‧延伸倍率:MD方向(Machine Direction)1.4倍
TD方向(Transverse Direction)1.4倍
[製造例6]含脂環結構樹脂薄膜的製造
切出所得到的薄膜成形體的一部分之後,將薄膜成形體固定在不鏽鋼框,以240℃,在烘箱內實施加熱處理20分鐘,得到厚度400μm的樹脂薄膜。
[實施例1]
在製造例4所得到的樹脂薄膜1a的一方的面形成UV硬化型黏著層2a之後,將其裁切成直徑150mm的圓形,進一步切掉一端而形成定向平面,製作支撐體(A)3a[第1(a)圖]。由於在本實施例使用2片支撐體,故製作2片相同形狀的支撐體。以下,分別以支撐體(A)3a,支撐體(B)3a表示。
在支撐體(A)3a的UV硬化型黏著層上,以定向平面為基準,將半導體晶片4以面朝下的方向配置[第1(b)圖]。配置半導體晶片4之後,在支撐體(A)3a上滴下半導體密封用環氧樹脂,以120℃、10分鐘的條件壓縮成型,接著,以150℃、60分鐘的條件,使半導體密封用環氧樹脂硬化而形成鑄模樹脂層5,以得到層積體(A)6a[第1(c)圖]。
接著,對層積體(A)6a的鑄模樹脂層進行漿料研磨處理,以純水洗淨之後,以120℃、15分鐘的條件進行乾燥處理[第2(a)圖]。
對層積體(A)6a,從支撐體(A)3a側進行500mJ/cm2的UV照射之後,將支撐體(A)3a剝離[第2(b)圖]。
接著,對剝離支撐體(A)3a之後的鑄模樹脂層5的研磨處理面,貼上支撐體(B)3a,得到層積體(B)6b[第2(c)圖]。
對層積體(B)6b的半導體晶片4的露出面,以旋轉塗佈法塗佈感光性光阻,以120℃、2分鐘的條件熱處理之後,經由既定的配線圖案的罩幕進行300mJ/cm2的曝光處理。接著,以TMAH(四甲基氫氧化銨)水溶液(濃度2.38%)進行顯影處理之後,進行洗淨處理、乾燥處理。接著,使用Ti/Cu靶材進行濺鍍處理,形成Ti/Cu薄膜。接著,以剝離液去除感光性光阻之後,進行洗淨處理、乾燥處理。
在層積體(B)6b的乾燥處理之後,在其表面以旋轉塗佈法塗佈感光性聚醯亞胺,以120℃、5分鐘的條件熱處理之後,經由既定的配線圖案的罩幕進行500mJ/cm2的曝光處理。接著,以TMAH水溶液(濃度2.38%)進行顯影處理,形成既定的 圖案。接著,以250℃、60分鐘的條件進行熱處理,使感光性聚醯亞胺硬化之後,以無電電鍍法形成Cu圖案,以蝕刻液去除不需要的Cu。
再者,在層積體(B)6b的表面再度塗佈感光性聚醯亞胺,以重複同樣的步驟而形成多層的配線圖案7。接著,對既定的圖案進行無電電鍍Ni處理、無電電鍍Au處理、焊錫鍍敷處理,而形成凸塊,乙製作半導體封裝體[第2(d)圖]。
之後,藉由切割步驟個片化[第2(e)圖],從支撐體(B)3a側,對層積體(B)6b進行UV照射,取出所製作的半導體封裝體,得到各別的半導體封裝體[第2(f)圖]。
[實施例2]
在製造例5所得到的樹脂薄膜11a的一方的面形成UV硬化型黏著層12a之後,將其裁切成直徑200mm的圓形,進一步切掉一端而形成定向平面,製作支撐體13a(第3(a)圖)。
在支撐體13a的UV硬化型黏著層上,塗佈半導體密封用環氧樹脂,以150℃、60分鐘的條件,使半導體環氧樹脂硬化而形成鑄模樹脂層15a。再者,在鑄模樹脂層15a上,以定向平面為基準,將附有銅柱的半導體晶片14a,以面朝上的方向配置[第3(c)圖]。配置附有銅柱的半導體晶片14a之後,在支撐體13a上滴半導體密封用環氧樹脂,以120℃、10分鐘的條件壓縮成型,接著,以150℃、60分鐘的條件,使半導體密封環氧樹脂硬化而形成鑄模樹脂層15b,以得到層積體16a[第3(d)圖]。
接著,對層積體16a的模樹脂層15b進行漿料研磨處理, 以純水洗淨之後,以120℃、15分鐘的條件進行乾燥處理[第3(e)圖]。
對層積體16a的附有銅柱的半導體晶片14a的露出面,以旋轉塗佈法塗佈感光性光阻,以120℃、2分鐘的條件熱處理之後,經由既定的配線圖案的罩幕進行300mJ/cm2的曝光處理。接著,以TMAH水溶液(濃度2.38%)進行顯影處理之後,進行洗淨處理、乾燥處理。接著,使用Ti/Cu靶材進行濺鍍處理,形成Ti/Cu薄膜。接著,以剝離液去除感光性光阻之後,進行洗淨處理、乾燥處理。
在層積體16a的乾燥處理之後,在其表面以旋轉塗佈法塗佈感光性聚醯亞胺,以120℃、5分鐘的條件熱處理之後,經由既定的配線圖案的罩幕進行500mJ/cm2的曝光處理。接著,以TMAH水溶液(濃度2.38%)進行顯影處理,形成既定的圖案。接著,以250℃、60分鐘的條件進行熱處理,使感光性聚醯亞胺硬化之後,以無電電鍍法形成Cu圖案,以蝕刻液去除不需要的Cu。
再者,在層積體16a的表面再度塗佈感光性聚醯亞胺,以重複同樣的步驟而形成多層的配線圖案17a。對既定的圖案進行無電電鍍Ni處理、無電電鍍Au處理、焊錫鍍敷處理,而形成凸塊,以製作半導體封裝體[第3(f)圖]。
之後,藉由切割步驟個片化[第3(g)圖],從支撐體13a側,對層積體16a進行UV照射,取出所製作的半導體封裝體,得到各別的半導體封裝體[第3(h)圖]。
[實施例3]
在製造例6所得到的樹脂薄膜1a的一方的面形成UV硬化型黏著層之後,將其裁切成250mm×250mm的正方形,而製作支撐體。在支撐體上配置半導體晶片,使用與實施例1同樣的步驟製作半導體封裝體。
[比較例1]
將厚度700μm的硼矽酸鹽玻璃,裁切成直徑150mm的圓形,進行研磨處理直到厚度成為300μm。接著,在其一方的面形成UV硬化型黏著層,以製作支撐體(C)。
使用支撐體(C)取代支撐體(A)及支撐體(B),除此之外,以與實施例1同樣的步驟製作半導體封裝體。
在此製造方法具有以下問題:1)硼矽酸鹽玻璃昂貴、2)硼矽酸鹽玻璃的外形加工處理或研磨處理困難,且耗費成本、3)製作半導體封裝體之後,支撐體的廢棄亦需費用。
[比較例2]
使用厚度100μm的PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜取代製造例2所得到的樹脂薄膜,而製作支撐體,使用此支撐體製作半導體封裝體時,可預測會發生以下的問題:
(1)構成支撐體的基材層的PET薄膜,無法承受使感光性聚醯亞胺硬化時的加熱處理。
(2)以純水洗淨層積體之後,在120℃、15分鐘的乾燥條件下,無法充分去除水份。因此,在實施濺鍍時的真空步驟中,會有水份從PET薄膜釋出,而污染濺鍍裝置。
(3)使用於鍍敷處理的鍍液、或使用於曝光、顯影處理的鹼液會侵入PET薄膜,而使層積體變形。
1a‧‧‧樹脂薄膜
2a‧‧‧UV硬化型黏著層
3a‧‧‧支撐體(A)
4‧‧‧半導體晶片
5‧‧‧模樹脂層
6a‧‧‧層積體(A)

Claims (6)

  1. 一種半導體封裝體製造用支撐體,其係具有基材層;及鄰接於上述基材層的黏著層的半導體封裝體製造用支撐體,其特徵在於:上述基材層係由包含50質量%以上的結晶性的含脂環結構聚合物之含脂環結構樹脂薄膜所形成,其中上述結晶性的含脂環結構聚合物的熔點為180~350℃。
  2. 一種半導體封裝體製造用支撐體的使用,其係將如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝體製造用支撐體,使用在扇出型晶圓級封裝體的製造。
  3. 一種半導體封裝體的製造方法,其具有下述步驟(α)及(β):步驟(α):在如申請專利範圍第1項所述的半導體封裝體製造用支撐體的黏著層上,配置複數個半導體晶片,接著,藉由樹脂鑄模,製造具有上述複數個的半導體晶片的樹脂層形成在半導體封裝體製造用支撐體上而得到的層積體的步驟;步驟(β):對步驟(α)所得到的層積體,施行選自由研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理所組成之群之至少1種處理的步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的半導體封裝體的製造方法,進一步具有下述步驟(γ):步驟(γ):在步驟(β)之後,將構成層積體的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離,對上述具有複數個半導體晶片的樹脂層,施行背面處理及個片化處理,而製造半導體封裝體的步驟。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的半導體封裝體的製造方法,其中在步驟(β)之後,至少進行1次下述步驟(δ):步驟(δ):將構成層積體的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離,將別的半導體封裝體製造用支撐體黏貼於該具有複數個半導體晶片的樹脂層,而得到層積體,接著,對上述層積體,進行選自由研磨處理、加熱處理、曝光‧顯影處理、鍍敷處理、及真空處理所組成之群之至少1種處理的步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的半導體封裝體的製造方法,進一步具有下述步驟(ε):步驟(ε):在步驟(δ)之後,將構成層積體的半導體封裝體製造用支撐體與具有複數個半導體晶片的樹脂層分離,對上述具有複數個半導體晶片的樹脂層,施行背面處理及個片化處理,而製造半導體封裝體的步驟。
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