JPWO2018003565A1 - 半導体パッケージ製造用支持体、半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

半導体パッケージ製造用支持体、半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理等の各処理における耐久性に優れる半導体パッケージ製造用支持体、この半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法の提供を目的とする。本発明の半導体パッケージ製造用支持体は、基材層と、前記基材層に隣接する粘着層とを有する半導体パッケージ製造用支持体であって、前記基材層が、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものである。

Description

本発明は、半導体パッケージ製造用支持体、半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法に関する。
従来、半導体パッケージの一種として、ＷＬＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ、ＦＩＷＬＰ（Ｆａｎ−Ｉｎ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）とも呼ばれる。）が知られている。
ＷＬＣＳＰは、ウェハ上に形成された半導体チップに再配線層を形成した後、個片化処理することにより得られる半導体パッケージである。ＷＬＣＳＰにおいては、パッケージ面積と半導体チップ面積が同じになるため、設置する外部接続端子数が制限されるという問題があった。
近年、この問題を解決する方法として、ファンアウト・ウェハレベルパッケージ（Ｆａｎ−Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ、以下、「ＦＯＷＬＰ」ということがある。）が提案されている。
ＦＯＷＬＰは、通常、ウェハ上に形成された半導体チップを個片化した後、それらを支持体上に再配置し、次いで、樹脂モールドして得られた積層体に対して各種処理を施した後、個片化処理することにより得られる。ＦＯＷＬＰにおいては、パッケージ面積が半導体チップ面積より大きくなるため、半導体チップの外側領域にも外部接続端子を設置することができる。
例えば、特許文献１には、一方の面に複数の基準マーク転写部が形成された支持体を作製する第１工程と、前記一方の面に、回路形成面が前記一方の面と対向するように半導体チップを配置する第２工程と、前記一方の面に、前記半導体チップ及び前記複数の基準マーク転写部を被覆する封止樹脂を形成し、前記封止樹脂の前記支持体と接する主面に前記複数の基準マーク転写部を転写して複数の基準マークを形成する第３工程と、前記支持体を除去し、前記回路形成面と、前記主面とを露出させる第４工程と、前記回路形成面上及び前記主面上に、前記複数の基準マークを基に前記半導体チップと電気的に接続される配線層を含む配線構造体を形成する第５工程と、を有する半導体パッケージの製造方法が記載されている。
特許文献２には、支持体上に粘着層を配設する工程と、前記粘着層上に半導体素子を配設する工程と、前記半導体素子が配設された前記粘着層上に樹脂層を配設し、前記粘着層上に前記半導体素子及び前記樹脂層を含む基板を形成する工程と、前記基板を前記粘着層から剥離する工程とを含み、前記粘着層は、前記基板が剥離される方向の粘着力が、前記基板が形成される面方向の粘着力よりも弱いことを特徴とする半導体装置の製造方法が記載されている。
特許文献２には、半導体素子の回路形成面（電極面）が、支持体上の粘着層側を向くように配置する工程も記載されている。
特許文献３には、複数の半導体チップを、互いに離間して整列した状態で、電極面を上にして支持体上の凹部に搭載し、前記半導体チップを前記支持体上で絶縁樹脂により封止して封止樹脂部を形成し、前記封止樹脂部の上面に再配線パターンを形成し、前記再配線パターン上に外部接続端子を形成し、前記支持体の補強部材を残して、前記支持体の前記凹部の底面を前記封止樹脂部から除去し、前記補強部材の外側に沿って前記封止樹脂部を切断し個片化することを特徴とする半導体パッケージの製造方法が記載されている。
上記のように、特許文献３に記載の半導体パッケージの製造方法においては、特許文献１、２に記載の製造方法と異なり、半導体チップは、その電極面とは逆の面が支持体側に向くようにして支持体上に配置される。
特開２０１２−１０４７５７号公報 特開２０１３−１６８５４１号公報 特開２０１２−１５１９１号公報
特許文献１〜３に記載されるように、ＦＯＷＬＰを製造する際は、通常、金属製基材層、ガラス製基材層、シリコン製基材層等の基材層を有する支持体上に半導体チップを配置した後、樹脂モールドして積層体を形成する。次いで、必要に応じて、この積層体に対して、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理等の処理を施した後、個片化処理を施すことにより、ＦＯＷＬＰが得られる。
費用面や質量面の観点からは、前記の支持体に代えて樹脂製の基材層を有する支持体を使用することが好ましい。しかしながら、樹脂製の基材層を有する支持体は、上記の処理における耐久性に劣るため、金属製基材層等を有する支持体を使用せざるを得ないというのが実情であった。
本発明は、上記した実情に鑑みてなされたものであり、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理等の各処理における耐久性に優れる半導体パッケージ製造用支持体、この半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、脂環構造含有樹脂製の基材層を有する支持体は、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理における耐久性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。
かくして本発明によれば、下記〔１〕の半導体パッケージ製造用支持体、〔２〕の半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び〔３〕〜〔６〕の半導体パッケージの製造方法、が提供される。
〔１〕基材層と、前記基材層に隣接する粘着層とを有する半導体パッケージ製造用支持体であって、前記基材層が、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものであることを特徴とする半導体パッケージ製造用支持体。
〔２〕ファンアウト・ウェハレベルパッケージの製造における、〔１〕に記載の半導体パッケージ製造用支持体の使用。
〔３〕下記工程（α）及び（β）を有する、半導体パッケージの製造方法。
工程（α）：〔１〕に記載の半導体パッケージ製造用支持体の粘着層上に、複数の半導体チップを配置し、次いで、樹脂でモールドすることにより、前記複数の半導体チップを有する樹脂層が、半導体パッケージ製造用支持体上に形成されてなる積層体を製造する工程
工程（β）：工程（α）で得られた積層体に対して、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理からなる群から選ばれる少なくとも１の処理を施す工程
〔４〕さらに下記工程（γ）を有する、〔３〕に記載の半導体パッケージの製造方法。
工程（γ）：工程（β）の後、積層体を構成する、半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層とを分離し、前記複数の半導体チップを有する樹脂層に対して、裏面処理及び個片化処理を施すことにより半導体パッケージを製造する工程
〔５〕工程（β）の後、下記工程（δ）を少なくとも１回行う、〔３〕に記載の半導体パッケージの製造方法。
工程（δ）：積層体を構成する、半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層とを分離し、別の半導体パッケージ製造用支持体を、この複数の半導体チップを有する樹脂層に貼着して積層体を得、次いで、前記積層体に対して、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理からなる群から選ばれる少なくとも１の処理を施す工程
〔６〕さらに下記工程（ε）を有する、〔５〕に記載の半導体パッケージの製造方法。
工程（ε）：工程（δ）の後、積層体を構成する、半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層とを分離し、前記複数の半導体チップを有する樹脂層に対して、裏面処理及び個片化処理を施すことにより半導体パッケージを製造する工程
本発明によれば、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理等の各処理における耐久性に優れる半導体パッケージ製造用支持体、この半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法が提供される。
積層体の製造工程を模式的に表す図である。 半導体パッケージの製造工程を模式的に表す図である（その１）。 半導体パッケージの製造工程を模式的に表す図である（その２）。
以下、本発明を、「１）半導体パッケージ製造用支持体」、並びに、「２）半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法」、に項分けして詳細に説明する。
１）半導体パッケージ製造用支持体
本発明の半導体パッケージ製造用支持体は、基材層と、前記基材層に隣接する粘着層とを有する半導体パッケージ製造用支持体であって、前記基材層が、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものであることを特徴とする。
〔基材層〕
本発明の半導体パッケージ製造用支持体を構成する基材層は、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものである。
脂環構造含有樹脂フィルムは、樹脂成分として脂環構造含有重合体を含有するフィルムである。脂環構造含有重合体は、主鎖及び／又は側鎖に脂環構造を有する重合体である。なかでも、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等により優れる支持体を形成できることから、主鎖に脂環構造を有するものが好ましい。
脂環構造としては、飽和環状炭化水素（シクロアルカン）構造、不飽和環状炭化水素（シクロアルケン）構造などが挙げられる。なかでも、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等により優れる支持体が得られ易いことからシクロアルカン構造が好ましい。
脂環構造を構成する炭素原子数は、特に限定されないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個、特に好ましくは７〜９個の範囲である。脂環構造を構成する炭素原子数がこれらの範囲内であることで、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等の特性がより高度にバランスされた支持体が得られ易くなる。
脂環構造含有重合体中の脂環構造を有する繰り返し単位の割合は、適宜選択することができる。この繰り返し単位の割合は、全繰り返し単位に対して、通常３０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上である。脂環構造含有重合体中の脂環構造を有する繰り返し単位の割合が３０質量％以上であることで、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等により優れる支持体が得られ易くなる。脂環構造含有重合体中の脂環構造を有する繰り返し単位以外の残部は、特に限定されず、適宜選択される。
脂環構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されないが、通常、５，０００〜５００，０００、好ましくは８，０００〜２００，０００、より好ましくは１０，０００〜１００，０００、特に好ましくは１０，０００〜３０，０００である。脂環構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこれらの範囲内であることで、支持体の機械的強度等の各種特性と、脂環構造含有樹脂フィルムを製造する際の作業性とがより高度にバランスされる。
脂環構造含有重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されないが、通常、１．０〜４．０、好ましくは１．０〜３．５、より好ましくは１．０〜３．０、特に好ましくは１．０〜２．５である。
脂環構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、実施例に記載の方法に従って求めることができる。
脂環構造含有重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、特に限定されないが、通常、９０〜２００℃、好ましくは９０〜１７０℃である。
脂環構造含有重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が９０℃以上であることで、耐熱性に優れる支持体が得られ易くなる。また、脂環構造含有重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以下の脂環構造含有重合体は溶融時に十分な流動性を有し、成形性に優れるため、脂環構造含有樹脂フィルムを製造する際の作業性に優れる。
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に基づいて測定することができる。
脂環構造含有重合体の具体例としては、（１）ノルボルネン系重合体、（２）単環の環状オレフィン系重合体、（３）環状共役ジエン系重合体、（４）ビニル脂環式炭化水素系重合体などが挙げられる。これらの中でも、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等に優れる支持体が得られ易いことから、ノルボルネン系重合体が好ましい。
なお、本明細書において、これらの重合体は、重合反応生成物だけでなく、その水素添加物も意味するものである。
（１）ノルボルネン系重合体
ノルボルネン系重合体は、ノルボルネン骨格を有する単量体であるノルボルネン系単量体を重合して得られる重合体又はその水素添加物である。
ノルボルネン系重合体としては、ノルボルネン系単量体の開環重合体、ノルボルネン系単量体とこれと開環共重合可能なその他の単量体との開環重合体、これらの開環重合体の水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とこれと共重合可能なその他の単量体との付加重合体などが挙げられる。
ノルボルネン系単量体としては、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）及びその誘導体（環に置換基を有するものをいう。）、トリシクロ［４．３．０1,6．１2,5］デカ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）及びその誘導体、テトラシクロ［９．２．１．０2,10．０3,8］テトラデカ−３，５，７，１２−テトラエン（メタノテトラヒドロフルオレン、７，８−ベンゾトリシクロ［４．３．０．１2,5］デカ−３−エン及びその誘導体、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレンともいう）及びその誘導体、テトラシクロ［４．４．１2,5．１7,10．０］ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロドデセン）及びその誘導体などが挙げられる。
置換基としては、アルキル基、アルキレン基、ビニル基、アルコキシカルボニル基、アルキリデン基などが挙げられる。
置換基を有するノルボルネン系単量体としては、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカ−３−エンなどが挙げられる。
これらのノルボルネン系単量体は、１種単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
ノルボルネン系単量体と開環共重合可能なその他の単量体としては、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、及びこれらの誘導体などの単環の環状オレフィン系単量体などが挙げられる。これらの置換基としては、ノルボルネン系単量体の置換基として示したものと同様のものが挙げられる。
ノルボルネン系単量体と付加共重合可能なその他の単量体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセンなどの炭素数２〜２０のα−オレフィン、及びこれらの誘導体；シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテンなどのシクロオレフィン、及びこれらの誘導体；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン及びこれらの誘導体；などが挙げられる。これらの中でも、α−オレフィンが好ましく、エチレンが特に好ましい。これらの置換基としては、ノルボルネン系単量体の置換基として示したものと同様のものが挙げられる。
ノルボルネン系単量体の開環重合体、又はノルボルネン系単量体とこれと開環共重合可能なその他の単量体との開環重合体は、単量体成分を、公知の開環重合触媒の存在下で重合させることにより合成することができる。開環重合触媒としては、例えば、ルテニウム、オスミウムなどの金属のハロゲン化物と、硝酸塩又はアセチルアセトン化合物、及び還元剤とからなる触媒、あるいは、チタン、ジルコニウム、タングステン、モリブデンなどの金属のハロゲン化物又はアセチルアセトン化合物と、有機アルミニウム化合物とからなる触媒等が挙げられる。
ノルボルネン系単量体の開環重合体水素添加物は、通常、上記開環重合体の重合溶液に、ニッケル、パラジウムなどの遷移金属を含む公知の水添触媒を添加し、炭素−炭素不飽和結合を水素化することにより得ることができる。
ノルボルネン系単量体の付加重合体、又はノルボルネン系単量体とこれと共重合可能なその他の単量体との付加重合体は、単量体成分を、公知の付加重合触媒の存在下で重合させることにより合成することができる。付加重合触媒としては、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒が挙げられる。
これらのノルボルネン系重合体の中でも、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等に優れる支持体が得られ易いことから、ノルボルネン系単量体の開環重合体水素添加物が好ましい。
（２）単環の環状オレフィン系重合体
単環の環状オレフィン系重合体としては、例えば、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテンなどの、単環の環状オレフィン系単量体の付加重合体が挙げられる。
これらの付加重合体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を適宜利用することができる。
（３）環状共役ジエン系重合体
環状共役ジエン系重合体としては、例えば、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエンなどの環状共役ジエン系単量体を１，２−又は１，４−付加重合した重合体及びその水素添加物などが挙げられる。
これらの付加重合体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を適宜利用することができる。
（４）ビニル脂環式炭化水素系重合体
ビニル脂環式炭化水素系重合体としては、例えば、ビニルシクロヘキセン、ビニルシクロヘキサンなどのビニル脂環式炭化水素系単量体の重合体及びその水素添加物；スチレン、α−メチルスチレンなどのビニル芳香族系単量体の重合体の芳香環部分の水素添加物；などが挙げられる。また、ビニル脂環式炭化水素系単量体やビニル芳香族系単量体と、これらの単量体と共重合可能な他の単量体との共重合体であってもよい。かかる共重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体等が挙げられる。
これらの重合体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を適宜利用することができる。
耐熱性等により優れる支持体が得られることから、脂環構造含有重合体としては結晶性の脂環構造含有重合体（以下、「重合体（α）」ということがある。）が好ましい。
「結晶性」とは、測定条件等を最適化することにより、示差走査熱量計（ＤＳＣ）で融点を観測することができるという性質をいい、重合体鎖の立体規則性により定まる性質である。
重合体（α）としては、国際公開第２０１２／０３３０７６号パンフレットに記載の、シンジオタクチック立体規則性を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素化物、特開２００２−２４９５５３号公報に記載の、アイソタクチック立体規則性を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素化物、特開２００７−１６１０２号公報に記載の、ノルボルネン開環重合体水素化物等が挙げられる。
重合体（α）の融点は、好ましくは、１８０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３２０℃、特に好ましくは２２０〜３００℃、最も好ましくは２４０〜２９０℃である。
融点がこの範囲にある重合体（α）は、耐熱性等の特性と成形性とのバランスが良好なものとなる。
重合体（α）としては、シンジオタクチック立体規則性を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素化物（以下、「重合体（α１）」ということがある。）が好ましい。
重合体（α１）の立体規則性の程度は特に限定されないが、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等により優れる支持体が得られ易いことから、立体規則性の程度がより高いものが好ましい。
具体的には、ジシクロペンタジエンを開環重合して、次いで水素化して得られる繰り返し単位についてのラセモ・ダイアッドの割合が、５１％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることが特に好ましい。
ラセモ・ダイアッドの割合が高いものほど、すなわち、シンジオタクチック立体規則性の高いものほど、高い融点を有するジシクロペンタジエン開環重合体水素化物となる。
ラセモ・ダイアッドの割合は、13Ｃ−ＮＭＲスペクトル分析で測定し、定量することができる。具体的には、オルトジクロロベンゼン−ｄ４を溶媒として、１５０℃でｉｎｖｅｒｓｅ−ｇａｔｅｄ ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ法を適用して13Ｃ−ＮＭＲ測定を行い、オルトジクロロベンゼン−ｄ４の１２７．５ｐｐｍのピークを基準シフトとして、メソ・ダイアッド由来の４３．３５ｐｐｍのシグナルと、ラセモ・ダイアッド由来の４３．４３ｐｐｍのシグナルの強度比からラセモ・ダイアッドの割合を決定することができる。
ジシクロペンタジエンには、エンド体及びエキソ体の立体異性体が存在するが、本発明においては、そのどちらも単量体として用いることができる。また、一方の異性体のみを単独で用いてもよいし、エンド体及びエキソ体が任意の割合で存在する異性体混合物を用いてもよい。本発明においては、重合体（α１）の結晶性が高まり、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等により優れる支持体が得られ易いことから、一方の立体異性体の割合を高くすることが好ましい。例えば、エンド体又はエキソ体の割合が、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上、特に好ましくは９９％以上である。なお、合成が容易であることから、エンド体の割合が高いことが好ましい。
重合体（α１）を合成する際、単量体として、ジシクロペンタジエンのみを用いてもよいし、ジシクロペンタジエンと共重合可能な他の単量体を用いてもよい。他の単量体としては、ジシクロペンタジエン以外のノルボルネン類や、環状オレフィン類、ジエン類等が挙げられる。
他の単量体を用いる場合、その使用量は、単量体全量中、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下である。
重合体（α１）の合成方法は特に限定されず、公知の方法に従って、開環重合反応及び水素化反応を行うことにより、重合体（α１）を合成することができる。
脂環構造含有樹脂フィルムは、脂環構造含有重合体の他に、添加剤等の他の成分を含有していてもよい。
他の成分としては、脂環構造含有重合体以外の樹脂、酸化防止剤、結晶核剤、充填剤、難燃剤、難燃助剤、着色剤、帯電防止剤、可塑剤、紫外線吸収剤、光安定剤、近赤外線吸収剤、滑剤等が挙げられる。
脂環構造含有樹脂フィルム中の脂環構造含有重合体の含有量は、脂環構造含有樹脂フィルムに対して、通常、５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは、８０質量％以上である。
前記他の成分の含有量は、目的に合わせて適宜決定することができるが、脂環構造含有樹脂フィルムに対して、通常、５０質量％未満、好ましくは４０質量％未満、より好ましくは２０質量％未満である。
脂環構造含有樹脂フィルムの厚みは特に限定されない。脂環構造含有樹脂フィルムの厚みは、通常、８０〜１０００μｍ、好ましくは８０〜５００μｍである。
〔粘着層〕
本発明の半導体パッケージ製造用支持体を構成する粘着層は、基材層に隣接する層であって、粘着性を有する層である。その粘着力は、粘着層の上に半導体チップを配置した後、半導体チップのずれを防止することができる一方で、支持体がその役割を終えた後は、積層体から支持体を効率よく剥離除去できる程度に調整されていることが好ましい。
粘着層は、上記特性を有するものであれば特に限定されない、例えば、公知の粘着剤を用いることにより、粘着層を形成することができる。
粘着剤は、適度な再剥離性があればその種類は限定されない。粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等が挙げられる。なかでも、アクリル系粘着剤が好ましい。また、粘着剤として、活性エネルギー線硬化型粘着剤を用いてもよい。
アクリル系粘着剤としては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上を単量体成分として用いて得られるアクリル系重合体をベースポリマーとする粘着剤が挙げられる。
アクリル系粘着剤は、添加剤を含有するものであってもよい。添加剤としては、例えば、架橋剤、粘着付与剤、可塑剤（例えば、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸エステル系可塑剤等）、顔料、染料、充填剤、老化防止剤、導電材、帯電防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、剥離調整剤、軟化剤、界面活性剤、難燃剤、酸化防止剤等が挙げられる。
ゴム系粘着剤としては、例えば、天然ゴム；ポリイソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレン・ブタジエン（ＳＢ）ゴム、スチレン・イソプレン（ＳＩ）ゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）ゴム、スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）ゴム、スチレン・エチレン・ブチレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）ゴム、スチレン・エチレン・プロピレン・スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）ゴム、スチレン・エチレン・プロピレンブロック共重合体（ＳＥＰ）ゴム、再生ゴム、ブチルゴム、ポリイソブチレンゴム、またはこれらの変性体等の合成ゴム；等をベースポリマーとする粘着剤が挙げられる。
ゴム系粘着剤は、添加剤を含有するものであってもよい。添加剤としては、例えば、架橋剤、加硫剤、粘着付与剤、可塑剤、顔料、染料、充填剤、老化防止剤、導電材、帯電防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、剥離調整剤、軟化剤、界面活性剤、難燃剤、酸化防止剤等が挙げられる。
シリコーン系粘着剤としては、例えば、オルガノポリシロキサン等をベースポリマーとする粘着剤が挙げられる。
シリコーン系粘着剤は、添加剤を含有するものであってもよい。添加剤としては、例えば、架橋剤、加硫剤、粘着付与剤、可塑剤、顔料、染料、充填剤、老化防止剤、導電材、帯電防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、剥離調整剤、軟化剤、界面活性剤、難燃剤、酸化防止剤等が挙げられる。
活性エネルギー線硬化型粘着剤は、活性エネルギー線の照射により硬化（高弾性率化）し、粘着力が低下する粘着剤である。活性エネルギー線硬化型粘着剤を用いて粘着層を形成することにより、支持体の剥離除去をより効率よく行うことができる。
活性エネルギー線としては、ガンマ線、紫外線、可視光線、赤外線（熱線）、ラジオ波、アルファ線、ベータ線、電子線、プラズマ流、電離線、粒子線等が挙げられる。
活性エネルギー線硬化型粘着剤としては、活性エネルギー線反応性成分を含有する組成物が挙げられる。
活性エネルギー線反応性成分としては、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基、アセチレン基等の炭素−炭素多重結合を有する官能基を有する光反応性の化合物（モノマー、オリゴマー又はポリマー）；オニウム塩等の有機塩類と、分子内に複数の複素環を有する化合物との混合物；等が挙げられる。
活性エネルギー線反応性成分を含有する組成物は、その他の成分を含有してもよい。
その他の成分としては、光反応性を有しない重合体、添加剤等が挙げられる。
光反応性を有しない重合体としては、天然ゴム、ポリイソブチレンゴム、スチレン・ブタジエンゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体ゴム、再生ゴム、ブチルゴム、ポリイソブチレンゴム、ニトリルゴム（ＮＢＲ）等のゴム系ポリマー；シリコーン系ポリマー；アクリル系ポリマー；等が挙げられる。
添加剤としては、活性エネルギー線重合開始剤、活性エネルギー線重合促進剤、架橋剤、可塑剤、加硫剤等が挙げられる。
粘着層は、例えば、粘着剤を有機溶剤で希釈して塗工液を調製し、この塗工液を基材層上に塗工し、得られた塗膜を乾燥することにより、形成することができる。
塗工液の塗工は、例えば、マルチコーター、ダイコーター、グラビアコーター、アプリケーター等を用いて行うことができる。
塗膜の乾燥方法は特に限定されず、自然乾燥法、加熱乾燥法等により塗膜を乾燥することができる。
粘着層の厚みは、通常、１〜３００μｍ、好ましくは３〜３００μｍ、より好ましくは５〜１５０μｍ、さらに好ましくは１０〜１００μｍである。
本発明の半導体パッケージ製造用支持体は、脂環構造含有樹脂フィルムからなる基材層を有するものである。したがって、本発明の半導体パッケージ製造用支持体は、金属製基材層、ガラス製基材層、シリコン製基材層等を有する支持体に比べて、費用や質量の観点からより好ましく用いられる。
また、本発明の半導体パッケージ製造用支持体は、樹脂製フィルムを基材層とするものでありながら、機械的強度、耐熱性、耐薬品性、低吸水性等の特性に優れるため、半導体パッケージ製造工程における各種処理における耐久性に優れるものである。
２）半導体パッケージ製造用支持体の使用、及び半導体パッケージの製造方法
本発明の半導体パッケージ製造用支持体（以下、「本発明の支持体」ということがある。）は、ＦＯＷＬＰの製造において好適に用いられる。
すなわち、ＦＯＷＬＰの従来の製造方法において、金属製基材層、ガラス製基材層、シリコン製基材層等を有する支持体に代えて、本発明の支持体を用いることで、費用を抑え、かつ、より効率よくＦＯＷＬＰを製造することができる。
本発明の支持体は、例えば、下記工程を有する半導体パッケージの製造方法において使用することができる。
工程（α）：本発明の半導体パッケージ製造用支持体の粘着層上に、複数の半導体チップを配置し、次いで、樹脂でモールドすることにより、複数の半導体チップを有する樹脂層（以下、「半導体チップ含有樹脂層」と記載することがある。）が、本発明の半導体パッケージ製造用支持体上に形成されてなる積層体を製造する工程
工程（β）：工程（α）で得られた積層体に対して、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理からなる群から選ばれる少なくとも１の処理を施す工程
工程（α）において用いる半導体チップは、従来と同様の方法に従ってシリコンウェハを加工することにより製造することができる。
また、工程（α）は、支持体として本発明の支持体を用いる点を除き、従来のＦＯＷＬＰ製造方法における工程と同様にして行うことができる。
粘着層上に半導体チップを配置する際の半導体チップの向きは、半導体パッケージの製造工程における各処理等を考慮して、適宜決定することができる。
例えば、特開２０１２−１０４７５７号公報、特開２０１３−１６８５４１号公報に記載されるように、再配線層が形成される面が支持体と対向するように（以下、「フェイスダウンの状態」ということがある。）配置してもよいし、特開２０１２−１５１９１号公報に記載されるように、再配線層が形成される面とは逆の面が支持体と対向するように（以下、「フェイスアップの状態」ということがある。）配置してもよい。
工程（β）における研磨処理としては、フェイスダウンの状態で半導体チップを配置した場合において、半導体チップ含有樹脂層を平坦化したり、半導体チップ含有樹脂層に埋められた半導体チップを露出させたりする際の処理が挙げられる。
ＣＭＰ（化学機械研磨処理）においては、薬品成分を含有する研磨液が用いられることがあり、耐薬品性に劣る樹脂製の基材層を有する支持体を用いた場合、研磨処理中に支持体が変形するおそれがある。また、吸水性が高い樹脂製の基材層を有する支持体を用いた場合、研磨処理中に、水分を吸収した基材層が膨潤し、正確な加工を妨げるおそれがある。
一方、本発明の支持体を構成する基材層は、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものである。脂環構造含有樹脂は、耐薬品性及び低吸水性に優れるため、本発明の支持体を用いることで、これらの問題を解消することができる。
工程（β）における加熱処理としては、半導体チップ含有樹脂層が熱硬化性樹脂を含有する場合に、その硬化反応を起こすための加熱処理や、フェイスアップの状態で半導体チップを配置した場合において、再配線層中の絶縁部を形成する際に熱硬化性樹脂の硬化反応を起こすための加熱処理等が挙げられる。
耐熱性に劣る樹脂製の基材層を有する支持体は、これらの加熱処理に耐えられない場合がある。
一方、本発明の支持体を構成する基材層は、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものである。脂環構造含有樹脂は、耐熱性に優れるため、本発明の支持体を用いることで、この問題を解消することができる。
工程（β）における露出・現像処理及びめっき処理としては、フェイスアップの状態で半導体チップを配置した場合において、再配線層中の導体部を形成するために行うものが挙げられる。
これらの処理においては、通常、積層体を薬品に接触させたり、積層体を加熱したりするため、支持体を構成する基材層の樹脂成分によっては、支持体が変形したり、膨潤したりするおそれがある。
一方、本発明の支持体を構成する基材層は、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものである。脂環構造含有樹脂は、耐薬品性、低吸水性、及び耐熱性に優れるため、本発明の支持体を用いることで、これらの問題を解消することができる。
工程（β）における真空処理としては、フェイスアップの状態で半導体チップを配置した場合において、再配線層中の導体部を形成するために、スパッタリング加工を行う場合等が挙げられる。
吸水性を有する樹脂製の基材層を有する支持体を用いて真空処理を行う場合、真空処理中に基材層から水分が放出され、半導体チップを汚染するおそれがある。
一方、本発明の支持体を構成する基材層は、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものである。脂環構造含有樹脂は、低吸水性に優れるため、本発明の支持体を用いることで、この問題を解消することができる。
工程（β）の後、通常、積層体から支持体を分離除去し、露出した面（工程（β）で加工した面とは逆の面）に対して裏面処理等を施す。
すなわち、工程（β）の後、通常、下記工程（γ）が行われる。
工程（γ）：工程（β）の後、積層体を構成する、本発明の半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層（以下、「半導体チップ含有樹脂層」ということもある）とを分離し、この複数の半導体チップを有する樹脂層に対して、裏面処理及び個片化処理を施すことにより半導体パッケージを製造する工程
本発明において、裏面処理とは、半導体チップ含有樹脂層の支持体側の面に対して施す処理をいう。
例えば、フェイスダウンの状態で半導体チップを配置した場合は、裏面処理としては、再配線層を形成するための処理や外部接続端子を設ける処理等が挙げられる。
また、フェイスアップの状態で半導体チップを配置した場合は、研磨処理等が挙げられる。
これらの処理は、従来公知の方法に従って行うことができる。
裏面処理を終えた半導体チップ含有樹脂層に対して個片化処理を施すことにより、目的の半導体パッケージが得られる。
個片化処理は、従来公知のダイシング法により行うことができる。
また、本発明の半導体パッケージの製造方法においては、工程（β）の後、工程（γ）を行う代わりに工程（δ）を少なくとも１回行ってもよい。
工程（δ）：積層体を構成する、本発明の半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層とを分離し、別の半導体パッケージ製造用支持体を、この複数の半導体チップを有する樹脂層に貼着して積層体を得、次いで、この積層体に対して、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理からなる群から選ばれる少なくとも１の処理を施す工程
上記のように本発明の支持体は各種処理における耐久性に優れるものであるが、これらの処理が何回も行われる場合は、途中で支持体の性能が低下するおそれがある。工程（δ）は、このような場合に支持体を交換して、再び、半導体チップ含有樹脂層に各種処理を施す工程である。
工程（δ）における、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理としては、工程（β）における処理と同様のものが挙げられる。
本発明の半導体パッケージの製造方法が工程（δ）を有するものである場合、通常、工程（δ）に続いて、工程（ε）が行われる。
工程（ε）：工程（δ）の後、積層体を構成する、本発明の半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層とを分離し、この複数の半導体チップを有する樹脂層に対して、裏面処理及び個片化処理を施すことにより半導体パッケージを製造する工程
工程（ε）は、工程（δ）を経た積層体を用いることを除き、工程（γ）と同様にして行うことができる。
上記工程を有する本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、安価に、かつ、効率よく、半導体パッケージを製造することができる。
以下、実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。また、下記の実施例及び比較例において、「部」及び「％」は特に断りのない限り、質量基準である。
各例における測定は、以下の方法により行った。
〔ガラス転移温度及び融点〕
示差走査熱量計（製品名「ＤＳＣ６２２０」、日立ハイテクサイエンス社製）を用いて、昇温速度が１０℃／分の条件で示差走査熱量測定を行い、重合体のガラス転移温度及び融点を測定した。
〔重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）〕
テトラヒドロフランを溶媒として、４０℃でゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を行い、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）をポリスチレン換算値として求めた。
測定装置：ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）システム「ＨＬＣ−８２２０」（東ソー社製）
カラム：「Ｈタイプカラム」（東ソー社製）
〔重合体中の不飽和結合の水素化率〕
1Ｈ−ＮＭＲ測定に基づいて、重合体中の不飽和結合の水素化率を求めた。
〔製造例１〕〔ジシクロペンタジエン開環重合体水素化物の合成〕
内部を窒素置換した金属製耐圧反応容器に、シクロヘキサン１５４．５部、ジシクロペンタジエン（エンド体含有率９９％以上）のシクロヘキサン溶液（濃度７０％）４２．８部（ジシクロペンタジエンとして３０部）、１−ヘキセン１．９部を加え、全容を５３℃に加熱した。
一方、テトラクロロタングステンフェニルイミド（テトラヒドロフラン）錯体０．０１４部を０．７０部のトルエンに溶解して得られた溶液に、ジエチルアルミニウムエトキシドのｎ−ヘキサン溶液（濃度１９％）０．０６１部を加えて１０分間攪拌し、触媒溶液を調製した。この触媒溶液を前記反応器内に添加し、５３℃で４時間、開環重合反応を行い、ジシクロペンタジエン開環重合体を含む溶液を得た。
得られたジシクロペンタジエン開環重合体を含む溶液２００部に、停止剤として、１，２−エタンジオール０．０３７部を加えて、６０℃で１時間攪拌し、重合反応を停止させた。その後、ハイドロタルサイト様化合物（製品名「キョーワード（登録商標）２０００」、協和化学工業社製）を１部加えて、６０℃に加温し、１時間攪拌した。濾過助剤（製品名「ラヂオライト（登録商標）＃１５００」昭和化学工業社製）を０．４部加え、ＰＰプリーツカートリッジフィルター（製品名「ＴＣＰ−ＨＸ」、ＡＤＶＡＮＴＥＣ東洋社製）を用いて、吸着剤を濾別し、ジシクロペンタジエン開環重合体を含む溶液を得た。
この溶液の一部を用いて、ジシクロペンタジエン開環重合体の分子量を測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２８，１００、数平均分子量（Ｍｎ）は８，７５０、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は３．２１であった。
精製処理後の、ジシクロペンタジエン開環重合体を含む溶液２００部（重合体含有量３０部）に、シクロヘキサン１００部、クロロヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム０．００４３部を添加し、水素圧６ＭＰａ、１８０℃で４時間水素化反応を行なった。反応液は、固形分が析出したスラリー液であった。
反応液を遠心分離することにより、固形分と溶液とを分離し、固形分を、６０℃で２４時間減圧乾燥し、ジシクロペンタジエン開環重合体水素化物２８．５部を得た。
水素化反応における不飽和結合の水素化率は９９％以上、ガラス転移温度は９８℃、融点は２６２℃であった。
〔製造例２〕脂環構造含有樹脂ペレットの製造
製造例１で得たジシクロペンタジエン開環重合体水素化物１００部に、酸化防止剤（テトラキス〔メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、製品名「イルガノックス（登録商標）１０１０」、ＢＡＳＦジャパン社製）０．８部を混合した後、混合物を二軸押出し機（ＴＥＭ−３７Ｂ、東芝機械社製）に投入し、熱溶融押出し成形によりストランド状の成形体を得た後、これをストランドカッターにて細断し、ペレットを得た。
二軸押出し機の運転条件を以下に示す。
・バレル設定温度：２７０〜２８０℃
・ダイ設定温度：２５０℃
・スクリュー回転数：１４５ｒｐｍ
・フィーダー回転数：５０ｒｐｍ
〔製造例３〕脂環構造含有樹脂フィルム成形体の製造
得られたペレットを用いて以下の条件で成形処理を行い、幅１２０ｍｍ、厚み４００μｍのフィルム成形体を得た。
・成形機：Ｔダイを備える熱溶融押出しフィルム成形機（製品名「Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ｅｘｔｒｕｄｅｒ Ｔｙｐｅ Ｍｅ−２０／２８００Ｖ３」、Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ社製）
・バレル温度設定：２８０℃〜２９０℃
・ダイ温度：２７０℃
・スクリュー回転数：３０ｒｐｍ
・フィルム巻き取り速度：１ｍ／分
〔製造例４〕脂環構造含有樹脂フィルムの製造
得られたフィルム成形体の一部を切り出した後、小型延伸機（製品名「ＥＸ１０―Ｂタイプ」、東洋精機製作所社製）に設置し、逐次２軸延伸処理を行うことにより延伸フィルムを得た。次いで、延伸フィルムを鉄板に固定し、２００℃で２０分間、オーブン内で加熱処理を実施し、厚さ１００μｍの樹脂フィルムを得た。
小型延伸機の運転条件を、以下に示す。
・延伸速度：１００００ｍｍ／ｍｉｎ
・延伸温度：１００℃
・延伸倍率：ＭＤ方向（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）２．０倍
ＴＤ方向（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）２．０倍
〔製造例５〕脂環構造含有樹脂フィルムの製造
得られたフィルム成形体の一部を切り出した後、小型延伸機（製品名「ＥＸ１０−Ｂタイプ」、東洋精機製作所社製）に設置し、逐次２軸延伸処理を行うことにより延伸フィルムを得た。次いで、延伸フィルムを鉄板に固定し、２３０℃で２０分間、オーブン内で加熱処理を実施し、厚さ２００μｍの樹脂フィルムを得た。
小型延伸機の運転条件を、以下に示す。
・延伸速度：１００００ｍｍ／ｍｉｎ
・延伸温度：１３０℃
・延伸倍率：ＭＤ方向（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）１．４倍
ＴＤ方向（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）１．４倍
〔製造例６〕脂環構造含有樹脂フィルムの製造
得られたフィルム成形体の一部を切り出した後、ステンレス製枠にフィルム成形体を固定し、２４０℃で２０分間、オーブン内で加熱処理を実施し、厚さ４００μｍの樹脂フィルムを得た。
〔実施例１〕
製造例４で得られた樹脂フィルム１ａの一方の側にＵＶ硬化型粘着層２ａを形成した後、これを直径１５０ｍｍの円形に切断し、さらに一端を切断してオリエンテーションフラットを形成し、支持体（Ａ）３ａを作製した〔図１（ａ）〕。本実施例においては支持体を２枚使用するため、同じ形状のものを２枚作製した。以下、それぞれ、支持体（Ａ）３ａ、支持体（Ｂ）３ａと表す。
支持体（Ａ）３ａのＵＶ硬化型粘着層上に、オリエンテーションフラットを基準にして半導体チップ４をフェイスダウンの向きで配置した〔図１（ｂ）〕。半導体チップ４の配置後、支持体（Ａ）３ａ上に半導体封止用エポキシ樹脂を滴下し、１２０℃１０分の条件で圧縮成型し、次いで１５０℃６０分の条件で半導体封止用エポキシ樹脂を硬化してモールド樹脂層５を形成し、積層体（Ａ）６ａを得た〔図１（ｃ）〕。
次いで、積層体（Ａ）６ａのモールド樹脂層にスラリー研磨処理を行い、純水で洗浄した後、１２０℃１５分の条件で乾燥処理を行った〔図２（ａ）〕。
積層体（Ａ）６ａに、支持体（Ａ）３ａ側から５００ｍＪ／ｃｍ2のＵＶ照射を行った後、支持体（Ａ）３ａを剥離した〔図２（ｂ）〕。
次いで、支持体（Ａ）３ａを剥離した後のモールド樹脂層５の研磨処理面に、支持体（Ｂ）３ａを張り付け、積層体（Ｂ）６ｂを得た〔図２（ｃ）〕。
積層体（Ｂ）６ｂの半導体チップ４露出面に、感光性レジストをスピンコート法で塗布し、１２０℃２分の条件で熱処理した後、所定の配線パターンのマスクを通して３００ｍＪ／ｃｍ2で露光処理を行った。次いで、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液（濃度２．３８％）で現像処理を行った後、洗浄処理、乾燥処理を行った。次いで、Ｔｉ／Ｃｕターゲットを用いてスパッタ処理を行い、Ｔｉ／Ｃｕ薄膜を形成した。次いで、感光性レジストを剥離液で除去した後、洗浄処理、乾燥処理を行った。
積層体（Ｂ）６ｂの乾燥処理後、その表面に感光性ポリイミドをスピンコート法で塗布し、１２０℃５分の条件で熱処理をした後、所定の配線パターンのマスクを通して５００ｍＪ／ｃｍ2で露光処理を行った。次いで、ＴＭＡＨ水溶液（濃度２．３８％）で現像処理を行い、所定のパターンを形成した。次いで、２５０℃６０分の条件で熱処理を行い、感光性ポリイミドを硬化させた後、無電解めっき法によりＣｕパターンを形成し、エッチング液で不要なＣｕを除去した。
さらに、積層体（Ｂ）６ｂの表面に感光性ポリイミドを再度塗布し、同様の工程を繰り返すことで多層の配線パターン７を形成した。次いで、所定のパターンに対して無電解Ｎｉめっき処理、無電解Ａｕめっき処理、はんだめっき処理を行い、バンプを形成し、半導体パッケージを作製した〔図２（ｄ）〕。
その後、ダイシング工程で個片化し〔図２（ｅ）〕、支持体（Ｂ）３ａ側から、積層体（Ｂ）６ｂにＵＶ照射を行い、作製した半導体パッケージを取り出し、個々の半導体パッケージを得た〔図２（ｆ）〕。
〔実施例２〕
製造例５で得られた樹脂フィルム１１ａの一方の側にＵＶ硬化型粘着層１２ａを形成した後、これを直径２００ｍｍの円形に切断し、さらに一端を切断してオリエンテーションフラットを形成し、支持体１３ａを作製した（図３ａ）。
支持体１３ａのＵＶ硬化型粘着層上に、半導体封止用エポキシ樹脂を塗布し、１５０℃６０分の条件で半導体用エポキシ樹脂を硬化してモールド樹脂層１５ａを形成した。さらにモールド樹脂層１５ａの上に、オリエンテーションフラットを基準にして銅ポスト付き半導体チップ１４ａをフェイスアップの向きで配置した（図３（ｃ））。銅ポスト付き半導体チップ１４ａの配置後、支持体１３ａ上に半導体封止用エポキシ樹脂を滴下し、１２０℃１０分の条件で圧縮成型し、次いで１５０℃６０分の条件で半導体封止用エポキシ樹脂を硬化してモールド樹脂層１５ｂを形成し、積層体１６ａを得た（図３（ｄ））。
次いで、積層体１６ａのモールド樹脂層１５ｂにスラリー研磨処理を行い、純水で洗浄した後、１２０℃１５分の条件で乾燥処理を行った（図３（ｅ））。
積層体１６ａの銅ポスト付き半導体チップ１４ａ露出面に、感光性レジストをスピンコート法で塗布し、１２０℃２分の条件で熱処理した後、所定の配線パターンのマスクを通して３００ｍＪ／ｃｍ2で露光処理を行った。次いで、ＴＭＡＨ水溶液（濃度２．３８％）で現像処理を行った後、洗浄処理、乾燥処理を行った。次いで、Ｔｉ／Ｃｕターゲットを用いてスパッタ処理を行い、Ｔｉ／Ｃｕ薄膜を形成した。次いで、感光性レジストを剥離液で除去した後、洗浄処理、乾燥処理を行った。
積層体１６ａの乾燥処理後、その表面に感光性ポリイミドをスピンコート法で塗布し、１２０℃５分の条件で熱処理をした後、所定の配線パターンのマスクを通して５００ｍＪ／ｃｍ2で露光処理を行った。次いで、ＴＭＡＨ水溶液（濃度２．３８％）で現像処理を行い、所定のパターンを形成した。次いで、２５０℃６０分の条件で熱処理を行い、感光性ポリイミドを硬化させた後、無電解めっき法によりＣｕパターンを形成し、エッチング液で不要なＣｕを除去した。
さらに、積層体１６ａの表面に感光性ポリイミドを再度塗布し、同様の工程を繰り返すことで多層の配線パターン１７ａを形成した。次いで、所定のパターンに対して無電解Ｎｉめっき処理、無電解Ａｕめっき処理、はんだめっき処理を行い、バンプを形成し、半導体パッケージを作製した〔図３（ｆ）〕。
その後、ダイシング工程で個片化し（図３（ｇ））、支持体１３ａ側から、積層体１６ａにＵＶ照射を行い、作製した半導体パッケージを取り出し、個々の半導体パッケージを得た（図３（ｈ））。
〔実施例３〕
製造例６で得られた樹脂フィルムの一方の側にＵＶ硬化型粘着層を形成した後、これを２５０ｍｍ×２５０ｍｍの正方形に切り出し、支持体を作製した。支持体の上に半導体チップを配置し、実施例１と同様の工程を用いて半導体パッケージを作製した。
〔比較例１〕
厚み７００μｍのボロシリケートガラスを直径１５０ｍｍの円形に切断し、厚みが３００μｍになるまで研磨処理を行った。次いで、その一方の側に、ＵＶ硬化型粘着層を形成し、支持体（Ｃ）を作製した。
支持体（Ａ）および支持体（Ｂ）の代わりに、支持体（Ｃ）を使用したこと以外は、実施例１と同様の工程により半導体パッケージを作製した。
この製造方法においては、１）ボロシリケートガラスは高価であること、２）ボロシリケートガラスの外形加工処理や研磨処理が困難であり、その費用がかかること、３）半導体パッケージを作製した後、支持体の廃棄にも費用がかかること、等の問題がある。
〔比較例２〕
製造例２で得られた樹脂フィルムに代えて、厚み１００μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムを用いて支持体を作製し、この支持体を用いて半導体パッケージを作製する場合、以下の問題が生じることが予想される。
（１）支持体の基材層を構成するＰＥＴフィルムが、感光性ポリイミドを硬化する際の加熱処理に耐えられない。
（２）積層体を純水で洗浄した後、１２０℃１５分の乾燥条件では水分を十分に除去することができない。このため、スパッタを実施する際の真空工程で、ＰＥＴフィルムから水分が放出され、スパッタ装置が汚染される。
（３）めっき処理に用いるめっき液や、露光、現像処理に用いるアルカリ液によりＰＥＴフィルムが侵され、積層体が変形する。
１ａ，１ｂ：樹脂フィルム
２ａ，２ｂ：ＵＶ硬化型粘着層
３ａ：支持体（Ａ）、支持体（Ｂ）
４：半導体チップ
５：モールド樹脂層
６ａ：積層体（Ａ）
６ｂ：積層体（Ｂ）
７：再配線層（多層の配線パターン）
１１ａ：樹脂フィルム
１２ａ：ＵＶ硬化型粘着層
１３ａ：支持体
１４ａ：銅ポスト付き半導体チップ
１５ａ：モールド樹脂層
１５ｂ：モールド樹脂層
１６ａ：積層体
１７ａ：再配線層（多層の配線パターン）

Claims (6)

  1. 基材層と、前記基材層に隣接する粘着層とを有する半導体パッケージ製造用支持体であって、
    前記基材層が、脂環構造含有樹脂フィルムからなるものであることを特徴とする半導体パッケージ製造用支持体。
  2. ファンアウト・ウェハレベルパッケージの製造における、請求項１に記載の半導体パッケージ製造用支持体の使用。
  3. 下記工程（α）及び（β）を有する、半導体パッケージの製造方法。
    工程（α）：請求項１に記載の半導体パッケージ製造用支持体の粘着層上に、複数の半導体チップを配置し、次いで、樹脂でモールドすることにより、前記複数の半導体チップを有する樹脂層が、半導体パッケージ製造用支持体上に形成されてなる積層体を製造する工程
    工程（β）：工程（α）で得られた積層体に対して、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理からなる群から選ばれる少なくとも１の処理を施す工程
  4. さらに下記工程（γ）を有する、請求項３に記載の半導体パッケージの製造方法。
    工程（γ）：工程（β）の後、積層体を構成する、半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層とを分離し、前記複数の半導体チップを有する樹脂層に対して、裏面処理及び個片化処理を施すことにより半導体パッケージを製造する工程
  5. 工程（β）の後、下記工程（δ）を少なくとも１回有する、請求項３に記載の半導体パッケージの製造方法。
    工程（δ）：積層体を構成する、半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層とを分離し、別の半導体パッケージ製造用支持体を、この複数の半導体チップを有する樹脂層に貼着して積層体を得、次いで、前記積層体に対して、研磨処理、加熱処理、露出・現像処理、めっき処理、及び真空処理からなる群から選ばれる少なくとも１の処理を施す工程
  6. さらに下記工程（ε）を有する、請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法。
    工程（ε）：工程（δ）の後、積層体を構成する、半導体パッケージ製造用支持体と複数の半導体チップを有する樹脂層とを分離し、前記複数の半導体チップを有する樹脂層に対して、裏面処理及び個片化処理を施すことにより半導体パッケージを製造する工程
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