TWI742228B - 顯示裝置、顯示模組及電子裝置 - Google Patents
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
本發明提供一種解析度高的顯示裝置或顯示品質高的顯示裝置。顯示裝置包括顯示部、第一端子群及第二端子群。顯示部包括像素、掃描線及信號線。第一端子群和第二端子群互相分開。第一端子群包括第一端子。第二端子群包括第二端子。掃描線的每一個與配置在列方向上的像素電連接。信號線的每一個與配置在行方向上的像素電連接。信號線的每一個與第一端子或第二端子電連接。顯示部包括第一區域。所述第一區域是其中電連接到第一端子的信號線和電連接到第二端子的信號線混在的區域。
Description
[0001] 本發明的一個實施例係關於一種顯示裝置、顯示模組及電子裝置。 [0002] 應注意，本發明的一個實施例不侷限於上述技術領域。作為本發明的一個實施例的技術領域的例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、電子裝置、照明裝置、輸入輸出裝置（例如，觸控面板等）、其驅動方法或者其製造方法。 [0003] 應注意，在本說明書等中，半導體裝置一般是指能夠藉由利用半導體特性而作用的裝置。可將顯示裝置（例如，液晶顯示裝置、發光顯示裝置等）、投影裝置、照明裝置、電光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、半導體電路、成像裝置及電子裝置等稱為半導體裝置。替代地，上述者可包括半導體裝置。
[0004] 近年來，解析度高的顯示裝置被要求。例如，全高清（像素數1920´1080）顯示裝置、4K（例如，像素數3840´2160或4096´2160等）顯示裝置、8K（例如，像素數7680´4320或8192´4320等）顯示裝置等像素數較多的顯示裝置的開發日益興盛。 [0005] 以液晶顯示裝置及發光顯示裝置為代表的平板顯示器廣泛地被用作顯示裝置。雖然主要使用矽作為構成這些顯示裝置的電晶體的半導體材料，但是，近年來，還開發出將使用金屬氧化物的電晶體用於顯示裝置的像素的技術。 [0006] 專利文獻1揭露將非晶矽用作電晶體的半導體材料的技術。專利文獻2及專利文獻3揭露將金屬氧化物用作電晶體的半導體材料的技術。 [專利文獻] [0007] [專利文獻1]日本專利申請公開第2001-53283號公報 [專利文獻2]日本專利申請公開第2007-123861號公報 [專利文獻3]日本專利申請公開第2007-096055號公報
[0008] 使用非晶矽或金屬氧化物的電晶體與使用多晶矽的電晶體相比具有如下優點：生產力高；以及容易被形成在大型基板上。另一方面，與使用多晶矽的電晶體相比，使用非晶矽或金屬氧化物的電晶體很難提高場效移動率，並且在連接到電晶體的負載大的情況下可能很難以高頻率驅動電晶體。 [0009] 在為電視機（也稱為電視或電視接收器）、顯示器裝置及數位看板（Digital Signage）等的用途時，被要求大螢幕化。此外，為了流暢地顯示動態影像，被要求提高圖框頻率(Frame Frequency)。但是，隨著解析度越高或者螢幕尺寸越大，負載的增大也越顯著，因此很難以高圖框頻率運作。 [0010] 本發明的一個實施例的目的之一是提供一種解析度高的顯示裝置。本發明的一個實施例的另一目的是提供一種可以以較高的圖框頻率運作的顯示裝置。本發明的一個實施例的另一目的是提供一種大型顯示裝置。本發明的一個實施例的另一目的是提供一種生產力高的顯示裝置。本發明的一個實施例的另一目的是提供一種顯示品質高的顯示裝置。 [0011] 應注意，這些目的之描述不妨礙其他目的之存在。本發明的一個實施例並不需要實現所有上述目的。另外，可以從說明書、圖式、申請專利範圍的描述中派生出上述目的以外的目的。 [0012] [1]本發明的一個實施例是一種包括顯示部、第一端子群及第二端子群的顯示裝置。顯示部包括多個像素、多個掃描線及多個信號線。第一端子群和第二端子群互相分開。第一端子群包括多個第一端子。第二端子群包括多個第二端子。多個掃描線的每一個與配置在列方向上的多個像素電連接。多個信號線的每一個與配置在行方向上的多個像素電連接。多個信號線的每一個與第一端子或第二端子電連接。顯示部包括第一區域。第一區域是其中電連接到第一端子的信號線和電連接到第二端子的信號線混在的區域。當將與第一端子電連接的信號線稱為第一信號線且將與第二端子電連接的信號線稱為第二信號線時，例如，在第一區域中，多個第一信號線中的一個位於多個第二信號線中的兩個之間。 [0013] 在上述[1]中，多個像素可以在2n行（n是2以上的整數）上配置。此時，第一區域較佳為包括與第n行的像素電連接的信號線以及與第n+1行的像素電連接的信號線。 [0014] 另外，在上述[1]中，多個像素可以在n行（n是300以上的整數）上配置。此時，第一區域較佳為包括兩個以上且300個以下的信號線。換言之，第一區域所包括的第一信號線和第二信號線的總數較佳為兩個以上且300個以下。 [0015] 另外，在上述[1]中，多個像素可以在m列n行（m及n都是2以上的整數）上配置。顯示部中信號線的個數可以係2n個。此時，第奇數列第j行（j是1以上且n以下的整數）的像素與第偶數列第j行的像素較佳為與互不相同的信號線電連接。另外，第i-1列第j行（i是1以上且m以下的整數）的像素較佳為與電連接到第一端子的信號線電連接，且第i列第j行的像素較佳為與電連接到第二端子的信號線電連接。 [0016] 在上述各結構中，在第一區域中，與第一端子電連接的信號線以及與第二端子電連接的信號線可以規則地配置。例如，第一區域較佳為交替地配置電連接到第一端子的信號線以及電連接到第二端子的信號線或者各自電連接到第一端子的信號線之組以及各自電連接到第二端子的信號線之組的區域。 [0017] 在上述各結構中，顯示部也可以包括第二區域及第三區域。此時，以夾著第一區域的方式設置有第二區域和第三區域。第二區域中的信號線的每一個與第一端子電連接。第三區域中的信號線的每一個與第二端子電連接。 [0018] 在上述各結構中，像素也可以包括顯示元件以及與顯示元件電連接的電晶體。顯示元件較佳為液晶元件或發光元件。電晶體的半導體層較佳為包含非晶矽。另外，電晶體的半導體層較佳為包含金屬氧化物。 [0019] 在上述各結構中，顯示部的對角線尺寸例如可以為50英寸以上、55英寸以上、60英寸以上或65英寸以上。 [0020] 在上述各結構中，顯示部的解析度較佳為4K以上，更佳為8K以上。 [0021] [2]本發明的一個實施例是一種包括具有上述結構中的任一個結構的顯示裝置、第一信號線驅動電路以及第二信號線驅動電路的顯示模組。第一信號線驅動電路與第一端子群電連接，且第二信號線驅動電路與第二端子群電連接。 [0022] 在上述[2]中，顯示模組較佳為還包括第一參考電壓產生電路及第二參考電壓產生電路。第一參考電壓產生電路與第一信號線驅動電路電連接。第二參考電壓產生電路與第二信號線驅動電路電連接。 [0023] 另外，在本說明書等中，有時將在顯示裝置的基板上安裝有軟性印刷電路板（Flexible printed circuit，以後記載為FPC）或TCP（Tape Carrier Package：捲帶式封裝）等連接器的結構或在基板上以COG（Chip On Glass：晶粒玻璃接合）方式等安裝IC的結構稱為顯示模組。 [0024] [3]本發明的一個實施例是一種電子裝置，該電子裝置包括具有上述結構中的任一個結構的顯示模組、以及天線、電池、外殼、照相機、揚聲器、麥克風和操作按鈕中的至少一個。 [0025] 根據本發明的一個實施例，可以提供一種解析度高的顯示裝置。根據本發明的一個實施例，可以提供一種可以以較高的圖框頻率運作的顯示裝置。根據本發明的一個實施例，可以提供一種大型顯示裝置。根據本發明的一個實施例，可以提供一種生產力高的顯示裝置。根據本發明的一個實施例，可以提供一種顯示品質高的顯示裝置。 [0026] 應注意，這些效果的描述不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施例並不需要實現所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的描述中派生出上述效果外的其它效果。
[0028] 以下參照圖式對實施例進行詳細的說明。應注意，本發明不侷限於以下說明，在所屬技術領域中具通常知識者可以很容易地理解到本發明之模式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施例所記載的內容中。 [0029] 應注意，在下面說明的發明的結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相似功能的部分，而省略重複說明。此外，當表示具有相似功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。 [0030] 為了便於理解，有時圖式中示出的各結構的位置、大小或範圍等並不表示其實際的位置、大小或範圍等。因此，所揭露的發明不一定侷限於圖式所揭露的位置、大小、或範圍等。 [0031] 另外，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，可以將“導電層”變換為“導電膜”。另外，可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。 [0032] 在本說明書等中，金屬氧化物（metal oxide）是指廣義上的金屬的氧化物。金屬氧化物被分類為氧化物絕緣體、氧化物導電體（包括透明氧化物導電體）和氧化物半導體（Oxide Semiconductor，也可以簡稱為OS）等。例如，在將金屬氧化物用於電晶體的半導體層的情況下，有時將該金屬氧化物稱為氧化物半導體。換言之，可以將OS FET稱為包含金屬氧化物或氧化物半導體的電晶體。 [0033] 在本說明書等中，有時將包含氮的金屬氧化物稱為金屬氧化物（metal oxide）。另外，也可以將包含氮的金屬氧化物稱為金屬氮氧化物（metal oxynitride）。 [0034] 實施例1 在本實施例中，參考圖1至圖24F說明本發明的實施例的顯示裝置及顯示模組。 [0035] 本發明的一個實施例是一種包括顯示部、第一端子群及第二端子群的顯示裝置。顯示部包括多個像素、多個掃描線及多個信號線。第一端子群和第二端子群互相分開。第一端子群包括多個第一端子。第二端子群包括多個第二端子。多個掃描線的每一個與配置在列方向上的多個像素電連接。多個信號線的每一個與配置在行方向上的多個像素電連接。多個信號線的每一個與第一端子或第二端子電連接。顯示部包括第一區域。第一區域是其中電連接到第一端子的信號線和電連接到第二端子的信號線混在的區域。 [0036] 本發明的一個實施例是一種包括具有上述結構的顯示裝置、第一信號線驅動電路、第二信號線驅動電路、第一參考電壓產生電路以及第二參考電壓產生電路的顯示模組。第一信號線驅動電路與第一端子群電連接。第二信號線驅動電路與第二端子群電連接。第一參考電壓產生電路與第一信號線驅動電路電連接。第二參考電壓產生電路與第二信號線驅動電路電連接。 [0037] 在將場效移動率低的電晶體用於解析度高的大型顯示模組的情況下，有時不能在一圖框週期中完成影像的改寫工作，而無法驅動。於是，可以採用將顯示部分為多個區域（例如四個區域），對其分別電連接掃描線驅動電路（也稱為閘極驅動器）及信號線驅動電路（也稱為源極驅動器）的結構。該結構是藉由在多個區域中同時改寫影像，在使用場效移動率低的電晶體時也可以實現在一圖框週期中的影像改寫的結構。 [0038] 例如，在顯示模組的解析度為8K的情況下，藉由將顯示部分割為四個，一個區域的解析度為4K。因此，可以使用多個4K顯示模組用IC晶片（也稱為IC）及多個印刷電路板（也稱為PCB（Printed Circuit Board））驅動一個8K顯示模組。亦即，針對8K顯示模組，可以轉用4K顯示模組用IC及印刷電路板等，並且可以有效利用有關低解析度顯示模組的技術。 [0039] 但是，難以使在各參考電壓產生電路中產生的參考電壓完全一致，在供應到信號線驅動電路的參考電壓之間容易產生差異。該差異有時導致從各信號線驅動電路供應到信號線的信號之間產生偏差。例如，當在兩個區域表示同一灰階時，如果供應到信號線的電位之間產生差異，則兩個區域以互不相同的亮度進行顯示，因此有可能使觀察者將兩個區域之間的邊界認作分割線（dividing line）。 [0040] 於是，在本發明的一個實施例的顯示模組中，在顯示部的被分割的兩個區域之間設置其中電連接到第一信號線驅動電路的信號線、以及電連接到第二信號線驅動電路信號線混在的區域。在該區域中，供應到兩個信號線驅動電路的參考電壓被平均化。亦即，上述區域是使兩個區域的亮度平均化的區域。因此，藉由在兩個區域之間設置該區域，可以使分割線不容易被看到。由此，可以抑制顯示模組的顯示品質的下降。 [0041] 在本說明書等中，在其中信號線x和信號線y混在的區域中，信號線x和信號線y的配置順序既可以有規則，又可以沒有規則。例如，交替地配置信號線x和信號線y或者信號線x之組和信號線y之組。另外，可以設置在兩個信號線y之間的信號線x的個數分階段地變化的區域、兩個信號線x之間的信號線y的個數分階段地變化的區域（亦稱作階度，gradation）。包含在本發明之實施例的顯示裝置中的信號線x和信號線y的個數較佳為相同。 [0042] 本發明的一個實施例的顯示裝置包括其中電連接到第一端子的信號線、以及電連接到第二端子的信號線混在的區域。因此，當電連接到第一端子群的信號線驅動電路、電連接到第二端子群的信號線驅動電路分別與不同的參考電壓產生電路電連接的情況下，可以使分割線不容易被看到。由此，可以抑制顯示裝置的顯示品質的下降。 [0043] ＜1-1.顯示模組的結構實例1＞ 參考圖1至圖5說明本發明的一個實施例的顯示模組的結構實例。 [0044] 圖1是本發明的一個實施例的顯示模組的俯視圖。 [0045] 圖1所示的顯示模組包括顯示裝置100（也稱為顯示面板）。顯示裝置100在由第一基板111和第二基板113密封的區域中包括顯示部101、掃描線驅動電路102及掃描線驅動電路103。顯示部101包括區域101a、區域101b及區域110。 [0046] 在與由第一基板111和第二基板113密封的區域不同的區域中，第一基板111與四個FPC162連接。以COF（Chip On Film：薄膜覆晶封裝）方式連接各FPC162與IC。IC160a、IC160b、IC160c及IC160d都包括信號線驅動電路。 [0047] 圖1所示的顯示模組包括兩個印刷電路板（印刷電路板150a及印刷電路板150b）。每一個印刷電路板連接有兩個FPC162，每一個印刷電路板藉由該FPC162與第一基板111連接。 [0048] 圖1示出顯示裝置100的一個邊連接有兩個印刷電路板的例子。 [0049] 印刷電路板150a設置有時序控制器151a及參考電壓產生電路152a。同樣地，印刷電路板150b設置有時序控制器151b及參考電壓產生電路152b。各印刷電路板也可以還包括其他積體電路。 [0050] 時序控制器151a、151b各產生時脈信號、啟動脈衝信號等信號，並將該信號輸出到IC所包括的信號線驅動電路。 [0051] 參考電壓產生電路152a、152b對IC所包括的信號線驅動電路供應參考電壓。 [0052] 圖1所示的顯示模組具有顯示裝置100安裝有IC及印刷電路板的結構。在本發明的一個實施例中，將積體電路連接到顯示裝置的方法沒有特別的限制，可以使用引線接合法、COG法、TCP法、COF法等。另外，對安裝到顯示裝置的IC及印刷電路板的個數沒有限制。 [0053] 圖1所示的顯示模組具有顯示裝置100內藏掃描線驅動電路的結構。但是，本發明的一個實施例不侷限於此，與信號線驅動電路同樣，掃描線驅動電路也可以外置在顯示裝置的基板上。 [0054] 圖2是本發明的一個實施例的顯示模組的方塊圖。 [0055] 如圖2所示，顯示部101包括多個像素115。圖2示出顯示部101包括配置為m列4n行（m及n都是1以上的整數）的矩陣狀的多個像素115的例子。 [0056] 顯示裝置100包括m個掃描線GL。m個掃描線GL都在列方向上延伸。此外，m個掃描線GL分別與在顯示部101中在列方向上排列的多個像素115電連接。 [0057] 在本說明書等中，在沒有特別的說明的情況下，以掃描線GL_i示出與第i列（i是1以上且m以下的整數）的像素115電連接的掃描線GL。 [0058] 掃描線GL的一端與掃描線驅動電路102電連接，掃描線GL的另一端與掃描線驅動電路103電連接。因此，掃描線驅動電路102和掃描線驅動電路103被設置成彼此相對並在其間夾著顯示部101。 [0059] 掃描線驅動電路102及掃描線驅動電路103具有對掃描線GL供應選擇信號的功能。掃描線GL具有將從掃描線驅動電路102及掃描線驅動電路103供應的選擇信號傳送到像素115的功能。 [0060] 掃描線驅動電路102及掃描線驅動電路103各具有從掃描線GL_1到掃描線GL_m依次供應選擇信號的功能。換言之，掃描線驅動電路102及掃描線驅動電路103各具有對掃描線GL_1至掃描線GL_m依次進行掃描的功能。在掃描到掃描線GL_m之後，再從掃描線GL_1依次進行掃描。 [0061] 藉由從掃描線驅動電路102及掃描線驅動電路103對同一掃描線GL同時供應選擇信號，可以提高對掃描線GL的選擇信號的供應能力。應注意，根據目的等，可以省略掃描線驅動電路102或掃描線驅動電路103。 [0062] 顯示裝置100包括4n個信號線SL。4n個信號線SL都在行方向上延伸。此外，4n個信號線SL分別與在顯示部101中在行方向上排列的多個像素115電連接。 [0063] 在本說明書等中，在沒有特別的說明的情況下，以信號線SL_j示出與第j行（j是1以上且4n以下的整數）的像素115電連接的信號線SL。 [0064] 4n個信號線SL都與信號線驅動電路電連接。信號線驅動電路具有對信號線SL供應影像信號的功能。信號線SL具有將從信號線驅動電路供應的影像信號傳送到像素115的功能。 [0065] 顯示裝置100包括四個端子群（端子群130a至端子群130d），各端子群包括多個端子（例如，端子群130a中的多個端子135a）。四個端子群彼此分開，並分別與不同的IC連接。同一個端子群所包括的多個端子與同一個IC（亦即，同一個信號線驅動電路）電連接。一個端子與一個信號線SL連接。亦即，連接的端子包括在同一個端子群中的多個信號線SL與同一個IC（同一個信號線驅動電路）電連接。 [0066] 參考圖2及圖3A說明各信號線與信號線驅動電路的連接關係。圖3A示出圖2所示的顯示部101中的區域101a與區域110之間的邊界、區域110與區域101b之間的邊界、以及該等邊界附近的詳細結構。各區域包括m個掃描線GL。在圖3A中，示出第1列的掃描線GL_1至第5列的掃描線GL_5。 [0067] 區域101a包括第1行的信號線SL_1至第2n-2行的信號線SL_2n-2。 [0068] 第1行的信號線SL_1至第n行的信號線SL_n分別與端子群130a中的多個端子135a中的任一個連接，並與IC160a所包括的信號線驅動電路電連接。 [0069] 第n+1行的信號線SL_n+1至第2n-2行的信號線SL_2n-2分別與端子群130b中的多個端子135b中的任一個連接，並與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接。 [0070] IC160a和IC160b都與時序控制器151a及參考電壓產生電路152a電連接。 [0071] 亦即，在區域101a中，從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SL。 [0072] 如此，在區域101a中，若干信號線與IC160a所包括的信號線驅動電路電連接，若干信號線與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接，但是上述兩個信號線驅動電路都與時序控制器151a及參考電壓產生電路152a電連接。因此，在供應到兩個信號線驅動電路的參考電壓之間產生的差異不大。因此，區域101a可以實現不容易被觀察者看到分割線的高顯示品質。 [0073] 區域101b包括第2n+3行的信號線SL_2n+3至第4n行的信號線SL_4n。 [0074] 第2n+3行的信號線SL_2n+3至第3n行的信號線SL_3n分別與端子群130c中的多個端子135c中的任一個連接，並與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接。 [0075] 第3n+1行的信號線SL_3n+1至第4n行的信號線SL_4n分別與端子群130d中的多個端子135d中的任一個連接，並與IC160d所包括的信號線驅動電路電連接。 [0076] IC160c和IC160d都與時序控制器151b及參考電壓產生電路152b電連接。 [0077] 亦即，在區域101b中，從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SL。 [0078] 如此，在區域101b中，若干信號線與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接，若干信號線與IC160d所包括的信號線驅動電路電連接，但是上述兩個信號線驅動電路都與時序控制器151b及參考電壓產生電路152b電連接。因此，在供應到兩個信號線驅動電路的參考電壓之間產生的差異不大。因此，與區域101a同樣，區域101b可以實現不容易被觀察者看到分割線的高顯示品質。 [0079] 區域101a和區域101b之間的區域110包括第2n-1行的信號線SL_2n-1至第2n+2行的信號線SL_2n+2。 [0080] 第2n-1行的信號線SL_2n-1以及第2n+1行的信號線SL_2n+1分別與端子群130c中的多個端子135c中的任一個連接，並與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接。 [0081] 第2n行的信號線SL_2n以及第2n+2行的信號線SL_2n+2分別與端子群130b中的多個端子135b中的任一個連接，並與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接。 [0082] 亦即，區域110是如下區域：其中交替地設置有從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SL、以及從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SL。 [0083] 圖3B示出圖3A所示的顯示模組中的信號線與該信號線藉由信號線驅動電路電連接的參考電壓產生電路的對應關係。在圖3B中，“a”是指信號線與參考電壓產生電路152a電連接的情況，“b”是指信號線與參考電壓產生電路152b電連接的情況。 [0084] 區域101a中的所有信號線與參考電壓產生電路152a電連接。區域101b中的所有信號線與參考電壓產生電路152b電連接。區域110中的四個信號線的每一個與參考電壓產生電路152a和參考電壓產生電路152b交替地電連接。在區域110中，與參考電壓產生電路152a電連接的一個信號線可以位於與參考電壓產生電路152b電連接的兩個信號線之間。 [0085] 應注意，區域110中的離區域101a最近的像素與區域101a中沒有像素電連接至其的信號線驅動電路電連接。同樣地，區域110中的離區域101b最近的像素與區域101b中沒有像素電連接至其的信號線驅動電路電連接。 [0086] 如此，在區域110中，若干信號線與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接，若干信號線與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接。上述兩個信號線驅動電路與互不相同的參考電壓產生電路電連接，因此，在供應到兩個信號線驅動電路的參考電壓之間有時產生差異。但是，在區域110中，多個信號線的每一個與兩個信號線驅動電路交替地電連接。在具有這樣的結構的區域110中，供應到兩個信號線驅動電路的參考電壓被平均化。因此，例如，當該等區域表示同一灰階時，觀察者將區域110的顯示亮度看作區域101a的顯示亮度與區域101b的顯示亮度之間的亮度。亦即，與區域101a和區域101b接觸的情況相比，在區域101a和區域101b之間設置有區域110的情況下，觀察者更不容易看到在表示同一灰階時在各區域之間的邊界產生的顯示亮度的差異。由此，可以抑制顯示裝置的顯示品質的下降。 [0087] 區域110較佳為包括顯示部101的中央部及其附近。例如，當多個像素115配置在2n行（n是2以上的整數）時，區域110較佳為包括與第n行的像素115電連接的信號線SL。由此，可以避免在顯示部101的中央部看到分割線，而抑制顯示裝置的顯示品質的下降。 [0088] 例如，區域110中的信號線SL的個數可以為2個以上且300個以下或4個以上且100個以下。隨著區域110中的信號線SL的個數越多，一部分的信號線SL的引導長度越長，因此其佈線電阻有時比其他信號線SL大。因此，區域110較佳為只設置在顯示部101的一部分中。 [0089] 在此，以不包括區域110的顯示模組為比較例子進行說明。 [0090] 圖4是比較例子的顯示模組的俯視圖。圖4所示的顯示模組與圖1所示的顯示模組的不同之處在於：顯示部101不包括區域110，且區域101a與區域101b彼此相鄰。 [0091] 圖5是比較例子的顯示模組的方塊圖。 [0092] 區域101a包括第1行的信號線SL_1至第2n行的信號線SL_2n。 [0093] 第1行的信號線SL_1至第n行的信號線SL_n分別與端子群130a中的多個端子135a中的任一個連接，並與IC160a所包括的信號線驅動電路電連接。 [0094] 第n+1行的信號線SL_n+1至第2n行的信號線SL_2n分別與端子群130b中的多個端子135b中的任一個連接，並與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接。 [0095] IC160a和IC160b都與時序控制器151a及參考電壓產生電路152a電連接。 [0096] 亦即，在區域101a中，從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SL。 [0097] 區域101b包括第2n+1行的信號線SL_2n+1至第4n行的信號線SL_4n。 [0098] 第2n+1行的信號線SL_2n+1至第3n行的信號線SL_3n分別與端子群130c中的多個端子135c中的任一個連接，並與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接。 [0099] 第3n+1行的信號線SL_3n+1至第4n行的信號線SL_4n分別與端子群130d中的多個端子135d中的任一個連接，並與IC160d所包括的信號線驅動電路電連接。 [0100] IC160c和IC160d都與時序控制器151b及參考電壓產生電路152b電連接。 [0101] 亦即，在區域101b中，從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SL。 [0102] 如此，區域101a中的與信號線電連接的信號線驅動電路不同於區域101b，區域101a中的與信號線驅動電路電連接的時序控制器及參考電壓產生電路也不同於區域101b。因此，例如，當區域101a和區域101b表示同一灰階時，區域101a和區域101b以互不相同的亮度進行顯示，兩個區域之間的邊界有可能被觀察者看成分割線108（圖4）。 [0103] 另一方面，圖1、圖2及圖3A所示的本發明的一個實施例的顯示模組包括上述區域110。藉由在區域101a和區域101b之間設置區域110，可以使分割線不容易被看到。因此，可以提高解析度高的大型顯示裝置的顯示品質。 [0104] ＜1-2.顯示模組的結構實例2＞ 參考圖6及圖7說明本發明的一個實施例的顯示模組的結構實例。應注意，在後面的結構實例中，有時省略與上述結構實例相似的部分的詳細說明。 [0105] 圖6是本發明的一個實施例的顯示模組的俯視圖。 [0106] 圖6所示的顯示模組的與圖1所示的顯示模組的不同之處在於：顯示裝置100的相對的兩個邊分別安裝有一個印刷電路板。 [0107] 圖7是詳細地示出圖6所示的顯示部101中的區域101a和區域110之間的邊界、區域110和區域101b之間的邊界、以及該等邊界附近的結構的方塊圖。 [0108] 圖7中的信號線與該信號線藉由信號線驅動電路電連接的參考電壓產生電路的對應關係與圖3B所示的對應關係相似。 [0109] 在圖3A所示的結構中，連接到端子群130b的信號線與連接到端子群130c的信號線相交。另一方面，在圖7所示的結構中，連接到端子群130b的信號線與連接到端子群130c的信號線沒有相交。當兩個信號線相交時，有時寄生電容及負載增大而導致信號的延遲。因此，有時難以以較高的圖框頻率進行工作。另外，當兩個信號線相交時，一個信號線的電雜訊傳達另一個信號線，而有時給顯示帶來影響。因此，較佳為使信號線相交部分的面積小，更佳的是，沒有信號線相交部分的面積。 [0110] ＜1-3.變形例子＞ 圖8A至圖8E各示出本發明的一個實施例的顯示模組中的信號線與該信號線藉由信號線驅動電路電連接的參考電壓產生電路的對應關係的例子。 [0111] 在圖8A至圖8E中，各以如圖2所示的顯示模組那樣的設置有4n個信號線的情況為例進行說明。亦即，可說第2n行的信號線SL_2n與第2n+1行的信號線SL_2n+1之間是顯示部101的中央部。 [0112] 在圖8A至圖8E中，“a”是指信號線與兩個參考電壓產生電路中的一個（也稱為參考電壓產生電路A）電連接的情況，“b”是指信號線與兩個參考電壓產生電路中的另一個（也稱為參考電壓產生電路B）電連接的情況。可以將兩個參考電壓產生電路換稱為圖2中的參考電壓產生電路152a及參考電壓產生電路152b。 [0113] 圖8A是區域110包括兩個信號線SL的例子，圖8B是區域110包括六個信號線SL的例子。在圖8A中，區域101a一側配置有電連接到參考電壓產生電路B的信號線（也稱為信號線B），區域101b一側配置有電連接到參考電壓產生電路A的信號線（也稱為信號線A）。在圖8B中，在區域110中，交替地配置信號線A與信號線B。 [0114] 圖8C是區域110包括八個信號線SL的例子，交替地配置一對信號線A與一對信號線B。 [0115] 圖8D是區域110包括七個信號線SL的例子，信號線A與信號線B被不規則地配置。 [0116] 圖8E是區域110包括16個信號線SL的例子。在區域110中，配置在兩個信號線B之間的信號線A的個數從區域101a一側分階段地變化，亦即為三個、兩個、一個這樣變化。同樣地，在區域110中，配置在兩個信號線A之間的信號線B的個數從區域101b一側分階段地變化，亦即為三個、兩個、一個這樣變化。 [0117] 如上所述，區域110中的信號線A和信號線B可以各種順序被配置。 [0118] ＜1-4.顯示模組的結構實例3＞ 參考圖9至圖12B說明本發明的一個實施例的顯示模組的結構實例。 [0119] 圖9是本發明的一個實施例的顯示模組的方塊圖。 [0120] 圖9所示的顯示模組的與圖2所示的顯示模組的不同之處在於：在顯示部101中，針對一個行的像素115設置兩個信號線SL，且電連接到一信號線SL之像素115與電連接到另一信號線SL之像素115被交替地配置。 [0121] 例如，顯示部101包括配置為2m列2n行（m及n都是1以上的整數）的矩陣狀的多個像素115。此時，顯示裝置100包括m個掃描線GL0
、2m個掃描線GL以及4n個信號線SL。 [0122] 在圖9所示的顯示模組中，兩個掃描線GL同時被供應選擇信號，藉此在行方向上相鄰的兩個像素115同時被選擇。掃描線GL0
的一端與掃描線驅動電路102電連接，掃描線GL0
的另一端與掃描線驅動電路103電連接。掃描線GL0
_i與掃描線GL_i及掃描線GL_i+1電連接，且掃描線GL_i及掃描線GL_i+1同時被選擇。 [0123] 因為可以同時選擇兩列中的掃描線GL，所以可以延長影像信號的寫入時間。由此，可以在圖框頻率較高的高速驅動中，可以防止影像信號的寫入不足。例如，在圖框頻率是120Hz以上的情況下也可以防止影像信號的寫入不足。 [0124] 替代地，在本發明的一個實施例的顯示裝置中，圖框頻率可以是在1Hz至120Hz的範圍內可變的。例如，在顯示靜態影像之情況下，低的圖框頻率可以降低顯示裝置的功耗。另外，高的圖框頻率可以提高動態影像的顯示中的可見度。 [0125] 本發明的一個實施例的顯示裝置的結構不侷限於針對一個行的像素115設置兩個信號線SL的結構，也可以針對一個行的像素115設置三個信號線SL、四個信號線SL或五個以上的信號線SL。 [0126] 在圖9至圖12B中，與第j行（j是1以上且2n以下的整數）的像素115電連接的信號線SL的個數為兩個，亦即為信號線SL_2j-1和信號線SL_2j。 [0127] 參考圖9及圖10A說明各信號線與信號線驅動電路的連接關係。圖10A特別示出圖9所示的顯示部101中的區域101a與區域110之間的邊界、區域110與區域101b之間的邊界、以及該等邊界附近的詳細結構。各區域包括2m個掃描線GL。在圖10A中，示出第1列的掃描線GL_1至第6列的掃描線GL_6。 [0128] 圖10B示出圖10A所示的顯示模組中的信號線與該信號線藉由信號線驅動電路電連接的參考電壓產生電路的對應關係。在圖10B中，“a”是指信號線與參考電壓產生電路152a電連接的情況，“b”是指信號線與參考電壓產生電路152b電連接的情況。 [0129] 在圖10B中，掃描線GL_i是奇數列的掃描線，掃描線GL_i+1是偶數列的掃描線。 [0130] 區域101a包括第1行的信號線SL_1至第2n-4行的信號線SL_2n-4。 [0131] 第1行的信號線SL_1至第n行的信號線SL_n分別與端子群130a中的多個端子135a中的任一個連接，並與IC160a所包括的信號線驅動電路電連接。 [0132] 第n+1行的信號線SL_n+1至第2n-4行的信號線SL_2n-4分別與端子群130b中的多個端子135b中的任一個連接，並與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接。 [0133] IC160a和IC160b都與時序控制器151a及參考電壓產生電路152a電連接。 [0134] 亦即，在區域101a中，從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SL。 [0135] 區域101b包括第2n+5行的信號線SL_2n+5至第4n行的信號線SL_4n。 [0136] 第2n+5行的信號線SL_2n+5至第3n行的信號線SL_3n分別與端子群130c中的多個端子135c中的任一個連接，並與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接。 [0137] 第3n+1行的信號線SL_3n+1至第4n行的信號線SL_4n分別與端子群130d中的多個端子135d中的任一個連接，並與IC160d所包括的信號線驅動電路電連接。 [0138] IC160c和IC160d都與時序控制器151b及參考電壓產生電路152b電連接。 [0139] 亦即，在區域101b中，從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SL。 [0140] 區域101a和區域101b之間的區域110包括第2n-3行的信號線SL_2n-3至第2n+4行的信號線SL_2n+4。 [0141] 第2n-3行的信號線SL_2n-3、第2n-2行的信號線SL_2n-2、第2n+1行的信號線SL_2n+1以及第2n+2行的信號線SL_2n+2分別與端子群130c中的多個端子135c中的任一個連接，並與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接。 [0142] 第2n-1行的信號線SL_2n-1、第2n行的信號線SL_2n以及第2n+3行的信號線SL_2n+3以及第2n+4行的信號線SL_2n+4分別與端子群130b中的多個端子135b中的任一個連接，並與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接。 [0143] 亦即，區域110是如下區域：其中交替地設置有從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路各被供應影像信號的一對信號線SL、以及從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路各被供應影像信號的一對信號線SL。因此，只要在同一行中，就從同一信號線驅動電路對奇數列的像素115和偶數列的像素115供應影像信號。 [0144] 在區域110中，若干信號線與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接，若干信號線與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接。由於上述兩個信號線驅動電路與互不相同的參考電壓產生電路電連接，因此不同的參考電壓可被供應到兩個信號線驅動電路。但是，在區域110中，交替地設置電連接到一信號線驅動電路之一對信號線與電連接到另一信號線驅動電路之一對信號線。在具有這樣的結構的區域110中，供應到兩個信號線驅動電路的參考電壓被平均化。因此，例如，當該等區域表示同一灰階時，觀察者將區域110的顯示亮度看作區域101a的顯示亮度與區域101b的顯示亮度之間的亮度。亦即，與區域101a和區域101b相鄰的情況相比，在區域101a和區域101b之間設置有區域110的情況下，觀察者更不容易看到在表示同一灰階時在各區域之間的邊界產生的顯示亮度的差異。由此，可以抑制顯示裝置的顯示品質的下降。 [0145] 圖11A示出與圖9及圖10A不同的區域110的結構。圖11B示出圖11A所示的顯示模組中的信號線與該信號線藉由信號線驅動電路電連接的參考電壓產生電路的對應關係。在圖11B中，“a”是指信號線與參考電壓產生電路152a電連接的情況，“b”是指信號線與參考電壓產生電路152b電連接的情況。 [0146] 在圖11B中，掃描線GL_i是奇數列的掃描線，掃描線GL_i+1是偶數列的掃描線。 [0147] 圖11A所示的區域110包括第2n-5行的信號線SL_2n-5至第2n+6行的信號線SL_2n+6。 [0148] 圖11A所示的區域110是如下區域：其中交替地設置有從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SL、以及從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SL。 [0149] 如圖11A及圖11B所示，區域110的奇數列的像素115各者與被供應來自電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路的影像信號的信號線SL電連接。區域110的偶數列的像素115各者與被供應來自電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路的影像信號的信號線SL電連接。亦即，例如，當該等區域表示同一灰階時，在奇數列，在區域101a顯示的亮度和區域110顯示的亮度之間有時產生差異，在偶數列，在區域101b顯示的亮度和區域110顯示的亮度之間有時產生差異。由於使信號線和參考電壓產生電路152a電連接的行與使信號線和參考電壓產生電路152b電連接的行之間的邊界就不同列而有所不同，由此可以使分割線不容易被觀察者看到。 [0150] 圖12A示出與圖9、圖10A及圖11A不同的顯示部101的結構。圖12B示出圖12A所示的顯示模組中的信號線與該信號線藉由信號線驅動電路電連接的參考電壓產生電路的對應關係。在圖12B中，“a”是指信號線與參考電壓產生電路152a電連接的情況，“b”是指信號線與參考電壓產生電路152b電連接的情況。 [0151] 在圖12B中，掃描線GL_i是奇數列的掃描線，掃描線GL_i+1是偶數列的掃描線。 [0152] 圖12A所示的區域110包括第2n-5行的信號線SL_2n-5至第2n+6行的信號線SL_2n+6。 [0153] 圖10A及圖11A所示的顯示部101具有交替地配置有一個電連接到奇數列的像素的信號線和一個電連接到偶數列的像素的信號線的結構。另一方面，圖12A所示的顯示部101具有交替地配置有一對各電連接到奇數列的像素的信號線與一對各電連接到偶數列的像素的信號線的結構。 [0154] 圖12A所示的區域110是如下區域：其中交替地設置有從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SL、以及從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SL。 [0155] 如圖12A及圖12B所示，在區域110中的奇數列與偶數列之間，像素115電連接到參考電壓產生電路152a與152b的順序不同。亦即，區域110中的某一個像素所電連接到的信號線驅動電路，與該某一像素上下左右相鄰的像素所電連接到的信號線驅動電路不同。另外，使用此類結構也可以使分割線不容易被觀察者看到。 [0156] ＜1-5.顯示模組的結構實例4＞ 參考圖13至圖15說明本發明的一個實施例的顯示模組的結構實例。 [0157] 圖13是本發明的一個實施例的顯示模組的俯視圖。 [0158] 圖13所示的顯示模組包括顯示裝置100。顯示裝置100在由第一基板111和第二基板113密封的區域中包括顯示部101、掃描線驅動電路102及掃描線驅動電路103。顯示部101包括區域101a、區域101b、區域101c、區域101d、區域110a、區域110b、區域110c及區域110d。各區域被電連接到不同組合的掃描線驅動電路與信號線驅動電路。 [0159] 在與由第一基板111和第二基板113密封的區域不同的區域中，第一基板111與12個FPC162連接。以COF方式連接各FPC162與IC。IC都包括信號線驅動電路。 [0160] 圖13所示的顯示模組包括四個印刷電路板。每一個印刷電路板連接有三個FPC162，且每一個印刷電路板係藉由該FPC162而與第一基板111連接。 [0161] 圖13示出顯示裝置100的相對的兩個邊的每一個連接有兩個印刷電路板的例子。 [0162] 各印刷電路板的結構與圖1所示的印刷電路板相似。明確而言，各印刷電路板上設置有一個時序控制器和一個參考電壓產生電路。 [0163] 圖14是本發明的一個實施例的顯示模組的方塊圖。 [0164] 如圖14所示，顯示部101包括多個像素115。在圖14中，示出顯示部101包括配置為2m列4n行（m及n都是1以上的整數）的矩陣狀的多個像素115的例子。 [0165] 顯示裝置100包括2m個掃描線GLa和2m個掃描線GLb。2m個掃描線GLa及2m個掃描線GLb都在列方向上延伸。2m個掃描線GLa與在顯示部101中在列方向上排列的第1行至第2n行的像素115電連接。2m個掃描線GLb與在顯示部101中在列方向上排列的第2n+1行至第4n行的像素115電連接。 [0166] 掃描線GLa的一端與掃描線驅動電路102電連接。掃描線GLb的一端與掃描線驅動電路103電連接。 [0167] 掃描線驅動電路102具有對掃描線GLa供應選擇信號的功能。掃描線驅動電路103具有對掃描線GLb供應選擇信號的功能。掃描線GLa及掃描線GLb具有將從掃描線驅動電路102或掃描線驅動電路103供應的選擇信號傳送到像素115的功能。 [0168] 顯示裝置100包括4n個信號線SLa及4n個信號線SLb。4n個信號線SLa及4n個信號線SLb都在行方向上延伸。4n個信號線SLa與在顯示部101中在行方向上排列的第1列至第m列的像素115電連接。4n個信號線SLb與在顯示部101中在行方向上排列的第m+1列至第2m列的像素115電連接。 [0169] 信號線SLa及信號線SLb都與信號線驅動電路電連接。信號線驅動電路具有對信號線SLa或信號線SLb供應影像信號的功能。信號線SLa及信號線SLb各具有將從信號線驅動電路供應的影像信號傳送到像素115的功能。 [0170] 顯示裝置100包括八個端子群（端子群130a至端子群130h），各端子群包括多個端子（例如，端子群130a中的多個端子135a）。八個端子群彼此分開，並分別與不同的IC連接。同一個端子群所包括的多個端子與同一個IC（亦即，同一個信號線驅動電路）電連接。一個端子與一個信號線SLa或信號線SLb連接。亦即，連接的端子包括在同一個端子群中的多個信號線與同一個IC（同一個信號線驅動電路）電連接。 [0171] 參考圖14及圖15說明各信號線與信號線驅動電路的連接關係。圖15特別示出圖14所示的顯示部101中的八個區域之間的邊界以及該等邊界附近的詳細結構。各區域包括m個掃描線GLa或m個掃描線GLb。在圖15中，示出第m-4列至第m+5列的掃描線。 [0172] 區域101a包括第1列的掃描線GLa_1至第m列的掃描線GLa_m。區域101a包括第1行的信號線SLa_1至第2n-2行的信號線SLa_2n-2。 [0173] 第1行的信號線SLa_1至第n行的信號線SLa_n分別與端子群130a中的多個端子135a中的任一個連接，並與IC160a所包括的信號線驅動電路電連接。 [0174] 第n+1行的信號線SLa_n+1至第2n-2行的信號線SLa_2n-2分別與端子群130b中的多個端子135b中的任一個連接，並與IC160b所包括的信號線驅動電路電連接。 [0175] IC160a和IC160b都與時序控制器151a及參考電壓產生電路152a電連接。 [0176] 亦即，在區域101a中，從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SLa。 [0177] 區域101b包括第1列的掃描線GLb_1至第m列的掃描線GLb_m。區域101b包括第2n+3行的信號線SLa_2n+3至第4n行的信號線SLa_4n。 [0178] 第2n+3行的信號線SLa_2n+3至第3n行的信號線SLa_3n分別與端子群130c中的多個端子135c中的任一個連接，並與IC160c所包括的信號線驅動電路電連接。 [0179] 第3n+1行的信號線SLa_3n+1至第4n行的信號線SLa_4n分別與端子群130d中的多個端子135d中的任一個連接，並與IC160d所包括的信號線驅動電路電連接。 [0180] IC160c和IC160d都與時序控制器151b及參考電壓產生電路152b電連接。 [0181] 亦即，在區域101b中，從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SLa。 [0182] 區域101c包括第m+1列的掃描線GLa_m+1至第2m列的掃描線GLa_2m。區域101c包括第1行的信號線SLb_1至第2n-2行的信號線SLb_2n-2。 [0183] 第1行的信號線SLb_1至第n行的信號線SLb_n分別與端子群130e中的多個端子135e中的任一個連接，並與IC160e所包括的信號線驅動電路電連接。 [0184] 第n+1行的信號線SLb_n+1至第2n-2行的信號線SLb_2n-2分別與端子群130f中的多個端子135f中的任一個連接，並與IC160f所包括的信號線驅動電路電連接。 [0185] IC160e和IC160f都與時序控制器151c及參考電壓產生電路152c電連接。 [0186] 亦即，在區域101c中，從電連接到時序控制器151c及參考電壓產生電路152c的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SLb。 [0187] 區域101d包括第m+1列的掃描線GLb_m+1至第2m列的掃描線GLb_2m。區域101d包括第2n+3行的信號線SLb_2n+3至第4n行的信號線SLb_4n。 [0188] 第2n+3行的信號線SLb_2n+3至第3n行的信號線SLb_3n分別與端子群130g中的多個端子135g中的任一個連接，並與IC160g所包括的信號線驅動電路電連接。 [0189] 第3n+1行的信號線SLb_3n+1至第4n行的信號線SLb_4n分別與端子群130h中的多個端子135h中的任一個連接，並與IC160h所包括的信號線驅動電路電連接。 [0190] IC160g和IC160h都與時序控制器151d及參考電壓產生電路152d電連接。 [0191] 亦即，在區域101d中，從電連接到時序控制器151d及參考電壓產生電路152d的信號線驅動電路將影像信號供應到信號線SLb。 [0192] 區域101a和區域101b之間的區域110a包括第2n-1行的信號線SLa_2n-1及第2n行的信號線SLa_2n。區域110a包括第1列的掃描線GLa_1至第m列的掃描線GLa_m。 [0193] 區域101a和區域101b之間的區域110b包括第2n+1行的信號線SLa_2n+1及第2n+2行的信號線SLa_2n+2。區域110b包括第1列的掃描線GLb_1至第m列的掃描線GLb_m。 [0194] 區域110a及區域110b是如下區域：其中交替地設置有從電連接到時序控制器151a及參考電壓產生電路152a的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SLa、以及從電連接到時序控制器151b及參考電壓產生電路152b的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SLa。 [0195] 區域101c和區域101d之間的區域110c包括第2n-1行的信號線SLb_2n-1及第2n行的信號線SLb_2n。區域110c包括第m+1列的掃描線GLa_m+1至第2m列的掃描線GLa_2m。 [0196] 區域101c和區域101d之間的區域110d包括第2n+1行的信號線SLb_2n+1及第2n+2行的信號線SLb_2n+2。區域110d包括第m+1列的掃描線GLb_m+1至第2m列的掃描線GLb_2m。 [0197] 區域110c及區域110d是如下區域：其中交替地設置有從電連接到時序控制器151c及參考電壓產生電路152c的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SLb、以及從電連接到時序控制器151d及參考電壓產生電路152d的信號線驅動電路被供應影像信號的信號線SLb。 [0198] 在區域110a、區域110b、區域110c及區域110d中，供應到兩個信號線驅動電路的參考電壓被平均化。因此，例如，當表示同一灰階時，觀察者將區域110a及區域110b的顯示亮度看作區域101a的顯示亮度與區域101b的顯示亮度之間的亮度。亦即，與區域101a和區域101b互相接觸的情況相比，在區域101a和區域101b之間設置有區域110a及與區域110b的情況下，觀察者更不容易看到在各區域之間的邊界產生的顯示亮度的差異。區域110c及區域110d也是與此同樣。藉由採用這種結構，可以抑制顯示裝置的顯示品質的下降。 [0199] ＜1-6.像素的結構實例＞ 參考圖16A至圖16E說明像素120的結構實例。 [0200] 像素120包括多個像素115。多個像素115各自被用作子像素。因為由呈現互不相同的顏色的多個像素115構成一個像素120，所以顯示部可以進行全彩色顯示。 [0201] 圖16A和圖16B所示的像素120各包括三個子像素。圖16A所示的像素120所包括的像素115所呈現的顏色組合是紅色（R）、綠色（G）以及藍色（B）。圖16B所示的像素120所包括的像素115所呈現的顏色組合是青色（C）、洋紅色（M）、以及黃色（Y）。 [0202] 圖16C至圖16E所示的像素120包括四個子像素。圖16C所示的像素120所包括的像素115所呈現的顏色組合是紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）以及白色（W）。藉由使用呈現白色的子像素，可以提高顯示部的亮度。圖16D所示的像素120所包括的像素115所呈現的顏色組合是紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）以及黃色（Y）。圖16E所示的像素120所包括的像素115所呈現的顏色組合是青色（C）、洋紅色（M）、黃色（Y）以及白色（W）。 [0203] 增加用作一個像素的子像素的數量，適當地組合呈現紅色、綠色、藍色、青色、洋紅色及黃色等顏色的子像素，由此可以提高半色調的再現性。因此，可以提高顯示品質。 [0204] 本發明的一個實施例的顯示裝置可以再現各種規格的色域。例如，可以再現如下規格的色域：在電視廣播中使用的PAL（Phase Alternating Line：逐行倒相）規格及NTSC（National Television System Committee：美國國家電視標準委員會）規格；在用於個人電腦、數位相機、印表機等電子裝置的顯示裝置中廣泛使用的sRGB（standard RGB：標準RGB）規格及Adobe RGB規格；在HDTV（High Definition Television，也被稱為高清）中使用的ITU-R BT.709（International Telecommunication Union Radiocommunication Sector Broadcasting Service（Television） 709：國際電信聯盟無線電通信部門廣播服務（電視）709）規格；在數位電影放映中使用的DCI-P3（Digital Cinema Initiatives P3：數位電影宣導聯盟P3）規格；以及在UHDTV（Ultra High Definition Television，也被稱為超高清電視）中使用的ITU-R BT.2020（REC.2020（Recommendation 2020：建議2020））規格等。 [0205] 當將像素120配置為1920´1080的矩陣狀時，可以實現能夠以所謂全高清（也稱為“2K解析度”、“2K1K”或“2K”等）的解析度進行全彩色顯示的顯示裝置。另外，例如，當將像素120配置為3840´2160的矩陣狀時，可以實現能夠以所謂超高清（也稱為“4K解析度”、“4K2K”或“4K”等）的解析度進行全彩色顯示的顯示裝置。另外，例如，當將像素120配置為7680´4320的矩陣狀時，可以實現能夠以所謂超高清（也稱為“8K解析度”、“8K4K”或“8K”等）的解析度進行全彩色顯示的顯示裝置。藉由增加像素120，還可以實現能夠以16K或32K的解析度進行全彩色顯示的顯示裝置。 [0206] ＜1-7.像素電路的結構實例＞ 作為本發明的一個實施例的顯示裝置所包括的顯示元件，可以舉出無機EL元件、有機EL元件、LED等發光元件、液晶元件、電泳元件、使用MEMS（微機電系統）的顯示元件等。 [0207] 以下，參考圖17A說明包括發光元件的像素電路的結構實例。另外，參考圖17B說明包括液晶元件的像素電路的結構實例。 [0208] 圖17A所示的像素電路438包括電晶體436、電容器433、電晶體251及電晶體434。此外，像素電路438與被用作顯示元件432的發光元件170電連接。 [0209] 電晶體436的源極電極和汲極電極中的一個與被供應影像信號的信號線SL_j電連接。並且，電晶體436的閘極電極與被供應選擇信號的掃描線GL_i電連接。 [0210] 電晶體436具有控制將影像信號寫入到節點435的功能。 [0211] 電容器433的一對電極中的一個電連接於節點435，另一個電連接於節點437。另外，電晶體436的源極電極和汲極電極中的另一個電連接於節點435。 [0212] 電容器433具有儲存寫入到節點435的資料的儲存電容器的功能。 [0213] 電晶體251的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線VL_a，另一個電連接於節點437。並且，電晶體251的閘極電極電連接於節點435。 [0214] 電晶體434的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線V0，另一個電連接於節點437。並且，電晶體434的閘極電極電連接於掃描線GL_i。 [0215] 發光元件170的陽極和陰極中的一個電連接於電位供應線VL_b，另一個電連接於節點437。 [0216] 作為電源電位，例如可以使用相對高電位一側的電位或低電位一側的電位。將高電位一側的電源電位稱為高電源電位（也稱為“VDD”），將低電位一側的電源電位稱為低電源電位（也稱為“VSS”）。此外，也可以將接地電位用作高電源電位或低電源電位。例如，在高電源電位為接地電位的情況下，低電源電位為低於接地電位的電位，在低電源電位為接地電位的情況下，高電源電位為高於接地電位的電位。 [0217] 例如，電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個被供應高電源電位VDD，而另一個被供應低電源電位VSS。 [0218] 在包括圖17A所示的像素電路438的顯示裝置中，由掃描線驅動電路102及/或掃描線驅動電路103依次選擇各列的像素電路438，由此使電晶體436及電晶體434成為開啟狀態來將影像信號寫入到節點435。 [0219] 由於電晶體436及電晶體434成為關閉狀態，而資料被寫入到節點435的像素電路438成為保持狀態。再者，根據寫入到節點435的資料的電位，控制流過在電晶體251的源極電極與汲極電極之間的電流量，並且，發光元件170以對應於流過的電流量的亮度發光。藉由逐列依次進行上述步驟，可以顯示影像。 [0220] 圖17B所示的像素電路438包括電晶體436以及電容器433。另外，像素電路438與可被用作顯示元件432的液晶元件180電連接。 [0221] 根據像素電路438的規格適當地設定液晶元件180的一對電極中的一個的電位。根據寫入到節點435的資料設定液晶元件180的配向狀態。此外，也可以對多個像素電路438分別具有的液晶元件180的一對電極中的一個供應共用電位。另外，可以對各列的像素電路438的每個液晶元件180的一對電極中的一個供應不同的電位。 [0222] 在第i列第j行的像素電路438中，電晶體436的源極電極和汲極電極中的一個電連接於信號線SL_j，另一個電連接於節點435。電晶體436的閘極電極電連接於掃描線GL_i。電晶體436具有控制將影像信號寫入到節點435的功能。 [0223] 電容器433的一對電極中的一個電連接於被供應特定電位的佈線（以下，電容線CL），另一個電連接於節點435。另外，液晶元件180的一對電極的另一個電連接於節點435。此外，電容線CL的電位值根據像素電路438的規格適當地設定。電容器433具有儲存寫入到節點435的資料的儲存電容器的功能。 [0224] 例如，在包括圖17B所示的像素電路438的顯示裝置中，由掃描線驅動電路102及/或掃描線驅動電路103依次選擇各列的像素電路438，由此使電晶體436成為導通狀態來將影像信號寫入到節點435。 [0225] 藉由使電晶體436成為關閉狀態，影像信號被寫入到節點435的像素電路438成為保持狀態。藉由逐列依次進行上述步驟，可以在顯示部101上顯示影像。 [0226] ＜1-8.顯示裝置的結構實例＞ 接著，參考圖18至圖21說明顯示裝置的結構實例。 [0227] 圖18是採用濾色片方式且具有頂部發射結構的發光顯示裝置的剖面圖。 [0228] 圖18所示的顯示裝置包括顯示部62及掃描線驅動電路64。 [0229] 在顯示部62中，在第一基板111上設置有電晶體251a、電晶體436a及發光元件170等。在掃描線驅動電路64中，在第一基板111上設置有電晶體201a等。 [0230] 電晶體251a包括被用作第一閘極電極的導電層221、被用作第一閘極絕緣層的絕緣層211、半導體層231、被用作源極電極及汲極電極的導電層222a及導電層222b、被用作第二閘極電極的導電層223以及被用作第二閘極絕緣層的絕緣層225。半導體層231包括通道區域及低電阻區域。通道區域隔著絕緣層225與導電層223重疊。低電阻區域包括與導電層222a連接的部分以及與導電層222b連接的部分。 [0231] 電晶體251a在通道的上下包括閘極電極。兩個閘極電極較佳為彼此電連接。與其他電晶體相比，具有兩個閘極電極彼此電連接的結構的電晶體能夠提高場效移動率，而可以增大通態電流（on-state current）。其結果是，可以製造能夠高速工作的電路。再者，能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使在使顯示裝置大型化或高解析度化時佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，而可以抑制顯示不均勻。並且，因為可以縮小電路部的佔有面積所以可以實現顯示裝置的窄邊框化。另外，藉由採用這種結構，可以實現可靠性高的電晶體。 [0232] 在導電層223上設置有絕緣層212及絕緣層213，在其上設置有導電層222a及導電層222b。在電晶體251a的結構中，容易使導電層221與導電層222a或導電層222b之間的物理距離拉開，所以能夠減少導電層221與導電層222a或導電層222b之間的寄生電容。 [0233] 對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，電晶體也可以具有頂閘極結構或底閘極結構。或者，也可以在通道的上下設置有閘極電極。 [0234] 電晶體251a在半導體層231中包含金屬氧化物。金屬氧化物可被用作氧化物半導體。 [0235] 電晶體436a及電晶體201a具有與電晶體251a相同的結構。在本發明的一個實施例中，這些電晶體的結構可以互不相同。驅動電路部所包括的電晶體和顯示部62所包括的電晶體可以具有相同的結構，也可以具有不同的結構。驅動電路部所包括的電晶體可以都具有相同的結構，也可以組合兩種以上的結構。同樣地，顯示部62所包括的電晶體可以都具有相同的結構，也可以組合兩種以上的結構。 [0236] 電晶體436a隔著絕緣層215與發光元件170重疊。藉由與發光元件170的發光區域重疊地設置電晶體、電容器及佈線等，可以提高顯示部62的開口率。 [0237] 發光元件170包括像素電極171、EL層172及共用電極173。發光元件170向彩色層131一側發射光。 [0238] 像素電極171和共用電極173中的一個被用作陽極，另一個被用作陰極。當對像素電極171與共用電極173之間施加高於發光元件170的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側而電子從陰極一側注入EL層172中。被注入的電子和電洞在EL層172中再結合，由此，包含在EL層172中的發光物質發光。 [0239] 像素電極171電連接到電晶體251a所包括的導電層222b。這些構件既可以直接連接，又可以藉由其他導電層連接。像素電極171被用作像素電極，並設置在每個發光元件170中。相鄰的兩個像素電極171由絕緣層216電絕緣。 [0240] EL層172是包含發光性物質的層。 [0241] 共用電極173被用作共用電極，並橫跨配置在多個發光元件170中。共用電極173被供應恆定電位。 [0242] 發光元件170隔著黏合層174與彩色層131重疊。絕緣層216隔著黏合層174與遮光層132重疊。 [0243] 發光元件170可以具有微腔結構。藉由組合濾色片（彩色層131）與微腔結構，可以從顯示裝置取出色純度高的光。 [0244] 彩色層131是使特定波長區域的光透過的有色層。例如，可以使用使紅色、綠色、藍色或黃色的波長區域的光透過的濾色片等。作為可用於彩色層131的材料，可以舉出金屬材料、樹脂材料、含有顏料或染料的樹脂材料等。 [0245] 另外，本發明的一個實施例不侷限於濾色片方式，也可以採用分別塗佈方式、顏色轉換方法或量子點方式等。 [0246] 遮光層132設置在相鄰的彩色層131之間。遮光層132遮擋相鄰的發光元件170所發出的光，從而避免相鄰的發光元件170之間的混色。這裡，藉由以其端部與遮光層132重疊的方式設置彩色層131，可以抑制漏光。作為遮光層132，可以使用遮擋發光元件170所發出的光的材料，例如可以使用金屬材料或者包含顏料或染料的樹脂材料等形成黑矩陣。另外，藉由將遮光層132設置於掃描線驅動電路64等顯示部62之外的區域中，可以抑制起因於導光等的非意圖的漏光，所以是較佳的。 [0247] 第一基板111和第二基板113由黏合層174貼合。 [0248] 本發明的一個實施例的顯示裝置具有連接到某個端子群的信號線與連接到其他端子群的信號線相交的部分（參照圖3A等）。在圖18中，以相交部260表示該部分的剖面結構實例。在相交部260中，導電層69電連接導電層65a和導電層65b，導電層69和導電層66隔著絕緣層211、絕緣層212及絕緣層213重疊。導電層65a、導電層65b及導電層69相當於一個信號線（或引線配線）的一部分，導電層66相當於其他一個信號線（或引線配線）的一部分。這些導電層較佳為使用與電晶體所包括的導電層相同的材料及相同的製程形成。在本實施例中，示出導電層65a、導電層65b及導電層66使用與被用作源極電極及汲極電極的導電層相同的材料及相同的製程形成，導電層69使用與被用作閘極電極的導電層相同的材料及相同的製程形成的例子。導電層65a藉由導電層255及連接器242與FPC162電連接。導電層66與其他FPC電連接。 [0249] 作為連接器242，可以使用各種異方性導電膜（ACF：Anisotropic Conductive Film）及異方性導電膏（ACP：Anisotropic Conductive Paste）等。 [0250] 圖19是採用分別塗佈方式且具有底部發射結構的發光顯示裝置的剖面圖。 [0251] 圖19所示的顯示裝置包括顯示部62及掃描線驅動電路64。 [0252] 在顯示部62中，在第一基板111上設置有電晶體251b及發光元件170等。在掃描線驅動電路64中，在第一基板111上設置有電晶體201b等。 [0253] 電晶體251b包括被用作閘極電極的導電層221、被用作閘極絕緣層的絕緣層211、半導體層231、被用作源極電極及汲極電極的導電層222a及導電層222b。絕緣層216被用作基底膜。 [0254] 電晶體251b在半導體層231中含有低溫多晶矽（LTPS（Low Temperature Poly-Silicon））。 [0255] 發光元件170包括像素電極171、EL層172及共用電極173。發光元件170向第一基板111一側發射光。像素電極171藉由形成在絕緣層215中的開口電連接到電晶體251b所包括的導電層222b。EL層172根據發光元件170分離地設置。共用電極173橫跨配置在多個發光元件170中。 [0256] 發光元件170被絕緣層175密封。絕緣層175被用作避免水等雜質擴散到發光元件170的保護層。 [0257] 第一基板111和第二基板113由黏合層174貼合。 [0258] 在相交部260中，導電層69電連接導電層65a和導電層65b，導電層69和導電層66隔著絕緣層212重疊。導電層65a、導電層65b及導電層69相當於一個信號線（或引線配線）的一部分，導電層66相當於其他一個信號線（或引線配線）的一部分。導電層65a藉由導電層255及連接器242與FPC162電連接。導電層66與其他FPC電連接。 [0259] 圖20是採用橫向電場方式且透過型液晶顯示裝置的剖面圖。 [0260] 圖20所示的顯示裝置包括顯示部62及掃描線驅動電路64。 [0261] 在顯示部62中，在第一基板111上設置有電晶體436c及液晶元件180等。在掃描線驅動電路64中，在第一基板111上設置有電晶體201c等。 [0262] 電晶體436c包括被用作閘極電極的導電層221、被用作閘極絕緣層的絕緣層211、半導體層231、雜質半導體層232、被用作源極電極及汲極電極的導電層222a及導電層222b。電晶體436c被絕緣層212覆蓋。 [0263] 電晶體436c在半導體層231中含有非晶矽。 [0264] 液晶元件180是採用FFS（Fringe Field Switching：邊緣場切換）模式的液晶元件。液晶元件180包括像素電極181、共用電極182及液晶層183。可以由產生在像素電極181與共用電極182之間的電場控制液晶層183的配向。液晶層183位於配向膜133a與配向膜133b之間。像素電極181藉由形成在絕緣層215中的開口與電晶體436c所包括的導電層222b電連接。共用電極182可以具有梳齒狀的頂面形狀（也稱為平面形狀）或形成有狹縫的頂面形狀。在共用電極182中，可以形成一個或多個開口。 [0265] 在像素電極181與共用電極182之間設置有絕緣層220。像素電極181具有隔著絕緣層220與共用電極182重疊的部分。此外，在像素電極181與彩色層131互相重疊的區域中，具有在像素電極181上沒有設置共用電極182的部分。 [0266] 較佳的是，設置與液晶層183接觸的配向膜。配向膜可以控制液晶層183的配向。 [0267] 來自背光單元52的光經過第一基板111、像素電極181、共用電極182、液晶層183、彩色層131及第二基板113射出到顯示裝置的外部。作為來自背光單元52的光透過的這些層的材料，使用使可見光透過的材料。 [0268] 較佳的是，在彩色層131或遮光層132與液晶層183之間設置外覆層121。外覆層121可以使包含在彩色層131及遮光層132等中的雜質減少擴散到液晶層183中。 [0269] 使用黏合層141將第一基板111與第二基板113貼合。在由第一基板111、第二基板113及黏合層141圍繞的區域中密封有液晶層183。 [0270] 以夾有顯示裝置的顯示部62的方式配置偏光板125a及偏光板125b。來自位於偏光板125a的外側的背光單元52的光經過偏光板125a進入到顯示裝置。此時，可以由施加到像素電極181與共用電極182之間的電壓控制液晶層183的配向，來控制光的光學調變。亦即，可以控制經過偏光板125b射出的光的強度。另外，因為入射光的指定波長範圍以外的光被彩色層131吸收，所以所射出的光例如成為呈現紅色、藍色或綠色的光。 [0271] 在相交部260中，導電層69電連接導電層65a和導電層65b，導電層69和導電層66隔著絕緣層212重疊。導電層65a、導電層65b及導電層69相當於一個信號線（或引線配線）的一部分，導電層66相當於其他一個信號線（或引線配線）的一部分。導電層65a藉由導電層255及連接器242與FPC162電連接。導電層66與其他FPC電連接。 [0272] 圖21是採用縱向電場方式的透過型液晶顯示裝置的剖面圖。 [0273] 圖21所示的顯示裝置包括顯示部62及掃描線驅動電路64。 [0274] 在顯示部62中，在第一基板111上設置有電晶體436d及液晶元件180等。在掃描線驅動電路64中，在第一基板111上設置有電晶體201d等。在圖21所示的顯示裝置中，彩色層131設置在第一基板111一側。由此，可以使第二基板113一側的結構簡化。 [0275] 電晶體436d包括被用作閘極電極的導電層221、被用作閘極絕緣層的絕緣層211、半導體層231、雜質半導體層232、被用作源極電極及汲極電極的導電層222a及導電層222b。電晶體436d被絕緣層217及絕緣層218覆蓋。 [0276] 電晶體436d在半導體層231中含有金屬氧化物。 [0277] 液晶元件180包括像素電極181、共用電極182及液晶層183。液晶層183位於像素電極181和共用電極182之間。配向膜133a與像素電極181接觸地設置。配向膜133b與共用電極182接觸地設置。像素電極181藉由形成在絕緣層215中的開口與電晶體436d所包括的導電層222b電連接。 [0278] 來自背光單元52的光經過第一基板111、彩色層131、像素電極181、液晶層183、共用電極182及第二基板113射出到顯示裝置的外部。作為來自背光單元52的光透過的這些層的材料，使用使可見光透過的材料。 [0279] 在遮光層132與共用電極182之間設置有外覆層121。 [0280] 使用黏合層141將第一基板111與第二基板113互相貼合。在由第一基板111、第二基板113及黏合層141圍繞的區域中密封有液晶層183。 [0281] 以夾有顯示裝置的顯示部62的方式配置偏光板125a及偏光板125b。 [0282] 在相交部260中，導電層69電連接導電層65a和導電層65b，導電層69和導電層66隔著絕緣層212重疊。導電層65a、導電層65b及導電層69相當於一個信號線（或引線配線）的一部分，導電層66相當於其他一個信號線（或引線配線）的一部分。導電層65a藉由導電層255及連接器242與FPC162電連接。導電層66與其他FPC電連接。 [0283] ＜1-9.電晶體的結構實例＞ 接著，參考圖22A至圖24F說明與圖18至圖21所示的結構不同的電晶體的結構實例。 [0284] 圖22A至圖22C及圖23A至圖23D示出在半導體層32中包含金屬氧化物的電晶體。由於半導體層32包括金屬氧化物，故在視訊沒有變化的期間或視訊的變化為一定水平以下的期間，可以將視訊信號的更新頻率設定為極低，因此可以實現低功耗化。 [0285] 各電晶體設置在絕緣表面11上。各電晶體包括被用作閘極電極的導電層31、被用作閘極絕緣層的絕緣層34、半導體層32以及被用作源極電極及汲極電極的一對導電層33a及導電層33b。半導體層32的與導電層31重疊的部分被用作通道形成區域。導電層33a和導電層33b與半導體層32接觸地設置。 [0286] 圖22A所示的電晶體在半導體層32的通道形成區域上包括絕緣層84。絕緣層84被用作導電層33a和導電層33b的蝕刻中的蝕刻停止層。 [0287] 圖22B所示的電晶體具有絕緣層84覆蓋半導體層32並在絕緣層34上延伸的結構。此時，導電層33a及導電層33b藉由形成在絕緣層84中的開口與半導體層32連接。 [0288] 圖22C所示的電晶體包括絕緣層85及導電層86。設置絕緣層85以覆蓋半導體層32、導電層33a及導電層33b。將導電層86設置在絕緣層85上，並與半導體層32重疊。 [0289] 導電層86位於隔著半導體層32與導電層31相反一側。當將導電層31用作第一閘極電極時，可以將導電層86用作第二閘極電極。藉由對導電層31及導電層86供應相同的電位，可以提高電晶體的通態電流。另外，藉由對導電層31和導電層86中的一個供應用來控制臨界電壓的電位且對導電層31和導電層86中的另一個供應用來驅動的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。 [0290] 圖23A是電晶體200a的通道長度方向的剖面圖，圖23B是電晶體200a的通道寬度方向的剖面圖。 [0291] 電晶體200a是圖21所示的電晶體201d的變形例子。 [0292] 電晶體200a在半導體層32的結構上與電晶體201d的不同。 [0293] 在電晶體200a中，半導體層32包括絕緣層34上的半導體層32_1以及半導體層32_1上的半導體層32_2。 [0294] 半導體層32_1及半導體層32_2較佳為包含相同的元素。半導體層32_1及半導體層32_2較佳為各包含In、M（M是Ga、Al、Y或Sn）、及Zn。 [0295] 半導體層32_1及半導體層32_2較佳為具有In的原子比大於M的原子比的區域。例如，較佳為將半導體層32_1及半導體層32_2的In、M及Zn的原子比設定為In:M:Zn=4:2:3附近。在此，“附近”包括如下情況：在In為4時，M為1.5以上且2.5以下，Zn為2以上且4以下的情況。另外，較佳為將半導體層32_1及半導體層32_2的In、M及Zn的原子比設定為In:M:Zn=5:1:6附近。如此，藉由使半導體層32_1的組成和半導體層32_2的組成大致相同，可以使用相同的濺射靶材形成半導體層32_1的組成和半導體層32_2，由此可以降低製造成本。另外，在使用相同的濺射靶材的情況下，可以在同一處理室中在真空下連續地形成半導體層32_1及半導體層32_2，所以可以抑制雜質進入半導體層32_1及半導體層32_2的介面。 [0296] 半導體層32_1可以包含其結晶性低於半導體層32_2的區域。半導體層32_1及半導體層32_2的結晶性例如可以藉由X射線繞射（XRD：X-Ray Diffraction）或穿透式電子顯微鏡（TEM：Transmission Electron Microscope）進行分析。 [0297] 半導體層32_1的結晶性低的區域被用作過剰氧的擴散路徑，可以將過剰氧擴散到其結晶性比半導體層32_1高的半導體層32_2。如此，藉由採用結晶結構不同的半導體層的疊層結構且將結晶性低的區域用作過剰氧的擴散路徑，可以提供可靠性高的電晶體。 [0298] 當半導體層32_2包含其結晶性比半導體層32_1高的區域時，可以避免雜質有可能進入半導體層32中。尤其是，藉由提高半導體層32_2的結晶性，可以降低對導電層33a及導電層33b進行加工時的損傷。半導體層32的表面，亦即半導體層32_2的表面暴露於對導電層33a及導電層33b進行加工時的蝕刻劑或蝕刻氣體。然而在半導體層32_2包含結晶性高的區域的情況下，其蝕刻耐性高於結晶性低的半導體層32_1。因此，半導體層32_2被用作蝕刻停止層。 [0299] 當半導體層32_1包含其結晶性比半導體層32_2低的區域時，有時半導體層32_1具有高載子密度。 [0300] 在半導體層32_1的載子密度高時，費米能階有可能相對於半導體層32_1的導帶變高。由此，有時半導體層32_1的導帶底變低，使半導體層32_1的導帶底與有可能形成在閘極絕緣層（在此，絕緣層34）中的陷阱能階的能量差變大。在該能量差變大的情況下，有時俘獲在閘極絕緣層中的電荷減少，可以降低電晶體的臨界電壓的變動。另外，在半導體層32_1的載子密度高時，可以提高半導體層32的場效移動率。 [0301] 雖然示出了在電晶體200a中半導體層32具有兩層的疊層結構的例子，但是不侷限於此，半導體層32也可以具有三層以上的疊層結構。 [0302] 說明設置在導電層33a及導電層33b上的絕緣層36的結構。 [0303] 在電晶體200a中，絕緣層36包括絕緣層36a、絕緣層36a上的絕緣層36b。絕緣層36a具有對半導體層32供應氧的功能以及避免雜質（典型的是水、氫等）進入半導體層32的功能。作為絕緣層36a，可以使用氧化鋁膜、氧氮化鋁膜(aluminum oxynitride film)或氮氧化鋁膜(aluminum nitride oxide)。尤其是，絕緣層36a較佳為藉由反應性濺射法形成的氧化鋁膜。作為藉由反應性濺射法的氧化鋁膜的形成方法的一個例子，可以舉出以下的方法。 [0304] 首先，對濺射處理室導入混合惰性氣體（典型的是Ar氣體）和氧氣體而成的氣體。接著，對配置在濺射處理室中的鋁靶材施加電壓，由此可以形成氧化鋁膜。作為對鋁靶材施加電壓的電源，可以舉出DC電源、AC電源或RF電源。尤其是，藉由使用DC電源可使生產力提高，所以是較佳的。 [0305] 絕緣層36b具有避免雜質（典型的是水、氫等）進入的功能。作為絕緣層36b，可以使用氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧氮化矽膜。尤其是，作為絕緣層36b較佳為使用藉由PECVD法形成的氮化矽膜。藉由PECVD法形成的氮化矽膜容易實現高膜密度，所以是較佳的。藉由PECVD法形成的氮化矽膜的氫濃度有時較高。 [0306] 在電晶體200a中，在絕緣層36b下設置有絕緣層36a，因此絕緣層36b所包含的氫不擴散到或者不容易擴散到半導體層32側。 [0307] 電晶體200a是單閘極電晶體。藉由使用單閘極電晶體，可以減少遮罩個數，所以可以提高生產力。 [0308] 圖23C是電晶體200b的通道長度方向的剖面圖，圖23D是電晶體200b的通道寬度方向的剖面圖。 [0309] 電晶體200b是圖22B所示的電晶體的變形例子。 [0310] 電晶體200b在半導體層32及絕緣層84的結構上與圖22B所示的電晶體不同。明確而言，在電晶體200b中，半導體層32具有兩層結構，包括絕緣層84a代替絕緣層84。並且，電晶體200b包括絕緣層36b及導電層86。 [0311] 絕緣層84a具有與上述絕緣層36a相似的功能。 [0312] 在絕緣層34、絕緣層84a及絕緣層36b中形成有開口53。導電層86藉由開口部53與導電層31電連接。 [0313] 藉由使用電晶體200a及電晶體200b的結構，可以使用原有生產線進行製造，而不進行大規模的設備投資。例如，可以將氫化非晶矽用製造廠簡單地改為使用氧化物半導體用製造廠。 [0314] 圖24A至圖24F示出在半導體層32中包含矽的電晶體。 [0315] 各電晶體設置在絕緣表面11上。各電晶體包括被用作閘極電極的導電層31、被用作閘極絕緣層的絕緣層34、半導體層32和半導體層32p中的一個或兩個、被用作源極電極及汲極電極的一對導電層33a及導電層33b、以及雜質半導體層35。半導體層的與導電層31重疊的部分被用作通道形成區域。半導體層與導電層33a或導電層33b接觸地設置。 [0316] 圖24A所示的電晶體是通道蝕刻型底閘極電晶體。在半導體層32與導電層33a或導電層33b之間包括雜質半導體層35。 [0317] 圖24A所示的電晶體在半導體層32與雜質半導體層35之間包括半導體層37。 [0318] 半導體層37可以由與半導體層32相似的半導體膜形成。半導體層37可以被用作在對半導體層35進行蝕刻時防止半導體層32由於蝕刻而消失的蝕刻停止層。應注意，圖24A示出半導體層37左右分離的例子，但是半導體層37的一部分也可以覆蓋半導體層32的通道形成區域。 [0319] 另外，半導體層37也可以包括其濃度低於雜質半導體層35的雜質。由此，可以將半導體層37用作LDD（Lightly Doped Drain）區域，而可以抑制驅動電晶體時所導致的熱載子劣化。 [0320] 在圖24B所示的電晶體中，在半導體層32的通道形成區域中設置有絕緣層84。絕緣層84被用作在對雜質半導體層35進行蝕刻時的蝕刻停止層。 [0321] 圖24C所示的電晶體包括代替半導體層32的半導體層32p。半導體層32p包括高結晶性的半導體膜。例如，半導體層32p包括多晶半導體或單晶半導體。由此結構，可以實現場效移動率高的電晶體。 [0322] 圖24D所示的電晶體在半導體層32的通道形成區域中包括半導體層32p。例如藉由對成為半導體層32的半導體膜照射雷射等來使該半導體膜局部晶化，由此可以形成圖24D所示的電晶體。由此，可以實現場效移動率高的電晶體。 [0323] 圖24E所示的電晶體在圖24A所示的半導體層32的通道形成區域中包括具有結晶性的半導體層32p。 [0324] 圖24F所示的電晶體在圖24B所示的半導體層32的通道形成區域中包括具有結晶性的半導體層32p。 [0325] [半導體層] 對用於本發明的一個實施例所揭露的電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或具有結晶性的半導體（微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體）。當使用具有結晶性的半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。 [0326] 作為用於電晶體的半導體材料，可以使用能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的金屬氧化物。典型地，可以使用包含銦的金屬氧化物等，例如可以使用後面說明的CAC-OS等。 [0327] 另外，使用其能帶間隙比矽寬且載子密度小的金屬氧化物的電晶體由於其關態電流小，因此能夠長期間保持儲存於與電晶體串聯連接的電容器中的電荷。 [0328] 作為半導體層例如可以採用包含銦、鋅及M（鋁、鈦、鎵、鍺、釔、鋯、鑭、鈰、錫、釹或鉿等金屬）的以“In-M-Zn類氧化物”表示的膜。 [0329] 當構成半導體層的金屬氧化物為In-M-Zn類氧化物時，較佳為用來形成In-M-Zn氧化物膜的濺射靶材的金屬元素的原子比滿足In≥M及Zn≥M。這種濺射靶材的金屬元素的原子比較佳為In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1: 1.2、In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:3、In:M:Zn=4:2:4.1、In:M:Zn=5:1:6、In:M:Zn=5:1:7、In:M:Zn=5:1:8等。應注意，所形成的氧化物半導體層的金屬元素的原子比分別可以在上述濺射靶材中的金屬元素的原子比的±40%的範圍內變動。 [0330] 關於作為半導體層較佳的金屬氧化物的詳細內容，可以參照實施例4。 [0331] 作為用於電晶體的半導體材料，例如可以使用矽。特別較佳為使用非晶矽。在使用非晶矽時，可以在大型基板上以高良率地形成電晶體，而可以提高大量生產性。 [0332] 另外，也可以使用微晶矽、多晶矽、單晶矽等具有結晶性的矽。尤其是，多晶矽與單晶矽相比能夠在低溫下形成，並且其場效移動率和可靠性比非晶矽高。 [0333] 如上所述，在本發明的一個實施例的顯示模組中，將顯示部分割為多個區域，將掃描線驅動電路及信號線驅動電路電連接到各區域。並且，藉由在多個區域同時改寫影像，即使採用場效移動率較低的電晶體，也可以實現在一圖框週期中的影像改寫。例如，當製造8K顯示模組時，可以轉用4K顯示模組用IC及印刷電路板，解析度高的顯示模組的製造變容易。 [0334] 在本發明的一個實施例的顯示模組中，在顯示部的被分割的兩個區域之間設置其中電連接到第一信號線驅動電路的信號線、以及電連接到第二信號線驅動電路的信號線混在的區域。因此，可以防止該兩個區域之間的邊界被觀察者看作分割線。因此，可以提高解析度高的大型顯示模組的顯示品質。 [0335] 本實施例可以與其他實施例適當地組合。另外，在本說明書中，當在一個實施例中示出多個結構實例時，可以適當地組合一些結構實例。 [0336] 實施例2 在本實施例中，對可用於在本發明的一個實施例中揭露的電晶體的半導體層的金屬氧化物進行說明。應注意，在將金屬氧化物用於電晶體的半導體層的情況下，也可以將該金屬氧化物稱為氧化物半導體。 [0337] 氧化物半導體分為單晶氧化物半導體和非單晶氧化物半導體。作為非單晶氧化物半導體之實例有CAAC-OS（c-axis-aligned crystalline oxide semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體）、多晶氧化物半導體、nc-OS（nanocrystalline oxide semiconductor：奈米晶氧化物半導體）、a-like OS（amorphous-like oxide semiconductor：類非晶氧化物半導體）以及非晶氧化物半導體等。 [0338] 另外，作為本發明的一個實施例所揭露的電晶體的半導體層可以使用CAC-OS（Cloud-Aligned Composite oxide semiconductor）。 [0339] 另外，本發明的一個實施例所揭露的電晶體的半導體層可以適當地使用上述非單晶氧化物半導體或CAC-OS。另外，作為非晶氧化物半導體，可以適當地使用nc-OS或CAAC-OS。 [0340] 另外，在本發明的一個實施例中，作為電晶體的半導體層較佳為使用CAC-OS。藉由使用CAC-OS，可以對電晶體賦予高電特性或高可靠性。 [0341] 以下，將對CAC-OS的詳細內容進行說明。 [0342] CAC-OS或CAC-metal oxide(CAC-金屬氧化物)在材料的一部分中具有導電性的功能，在材料的另一部分中具有絕緣性的功能，作為材料的整體具有半導體的功能。此外，在將CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的通道形成區域的情況下，導電性的功能是使被用作載子的電子（或電洞）流過的功能，絕緣性的功能是不使被用作載子的電子流過的功能。藉由導電性的功能和絕緣性的功能的互補作用，可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有開關功能（控制開啟/關閉的功能）。藉由在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分離，可以最大限度地提高各功能。 [0343] 此外，CAC-OS或CAC-metal oxide包括導電性區域及絕緣性區域。導電性區域具有上述導電性的功能，絕緣性區域具有上述絕緣性的功能。此外，在材料中，導電性區域和絕緣性區域有時以奈米粒子級分離。另外，導電性區域和絕緣性區域有時在材料中不均勻地分佈。此外，有時觀察到其邊緣模糊而以雲狀連接的導電性區域。 [0344] 此外，在CAC-OS或CAC-metal oxide中，導電性區域和絕緣性區域有時以0.5nm以上且10nm以下，較佳為0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。 [0345] 此外，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有不同能帶間隙的成分構成。例如，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有起因於絕緣性區域的寬隙的成分及具有起因於導電性區域的窄隙的成分構成。在該結構中，當使載子流過時，載子主要在具有窄隙的成分中流過。此外，具有窄隙的成分藉由與具有寬隙的成分的互補作用，與具有窄隙的成分聯動而使載子流過具有寬隙的成分。因此，在將上述CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的通道形成區域時，在電晶體的導通狀態中可以得到高電流驅動力，亦即大通態電流及高場效移動率。 [0346] 亦即，也可以將CAC-OS或CAC-metal oxide稱為基質複合材料（matrix composite）或金屬基質複合材料（metal matrix composite）。 [0347] CAC-OS例如是指材料的一種組成，其中構成金屬氧化物的元素以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸不均勻地分佈。應注意，在下面也將在金屬氧化物中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸混合的狀態稱為馬賽克（mosaic）狀或補丁（patch）狀。 [0348] 金屬氧化物較佳為至少包含銦。尤其較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。 [0349] 例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS（在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO）是指材料分成銦氧化物（以下，稱為InOX1
（X1為大於0的實數））或銦鋅氧化物（以下，稱為InX2
ZnY2
OZ2
（X2、Y2及Z2為大於0的實數））以及鎵氧化物（以下，稱為GaOX3
（X3為大於0的實數））或鎵鋅氧化物（以下，稱為GaX4
ZnY4
OZ4
（X4、Y4及Z4為大於0的實數））等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1
或InX2
ZnY2
OZ2
均勻地分佈在膜中的組成（以下，也稱為雲狀組成）。 [0350] 換言之，CAC-OS是具有以GaOX3
為主要成分的區域和以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域混在一起的組成的複合金屬氧化物。應注意在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子比大於第二區域的In與元素M的原子比時，第一區域的In濃度高於第二區域。 [0351] 應注意，包含In、Ga、Zn及O的化合物亦被稱作IGZO。作為典型例子，可以舉出以InGaO3
（ZnO）m1
（m1為自然數）或In（ 1 ＋ x0 ）
Ga（ 1-x0 ）
O3
（ZnO）m0
（-1≤x0≤1，m0為給定值）表示的結晶性化合物。 [0352] 上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC結構。應注意，CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。 [0353] 另一方面，CAC-OS與金屬氧化物的材料組成有關。CAC-OS是指在包含In、Ga、Zn及O的材料組成中，部分地觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子的區域和部分地觀察到以In為主要成分的奈米粒子的區域的組成。此等奈米粒子區域為隨機地分散以形成馬賽克狀。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。 [0354] 應注意，CAC-OS不包含原子比不同的兩種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。 [0355] 有時觀察不到以GaOX3
為主要成分的區域與以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域之間的明確的邊界。 [0356] 在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下組成：一部分中觀察到以該金屬元素為主要成分的奈米粒子狀區域和一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域，且此等奈米粒子狀區域為隨機地分散以形成馬賽克狀。 [0357] CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行意圖性的加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為沉積氣體，可以使用選自惰性氣體（典型的是氬）、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的沉積氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。 [0358] CAC-OS具有如下特徵：藉由X射線繞射（XRD：X-ray diffraction）測定法之一的面外(out-of-plane)法利用q/2q掃描進行測定時，觀察不到明確的峰值。亦即，根據X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。 [0359] 另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束（也稱為奈米束）而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構是在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc（nano-crystal，奈米晶體）結構。 [0360] 另外，例如在具有CAC組成之In-Ga-Zn氧化物中，根據藉由能量色散型X射線分析法（EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy）取得的EDX面分析影像，可確認到：具有以GaOX3
為主要成分的區域及以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的結構。 [0361] CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，在CAC-OS中，以GaOX3
等為主要成分的區域及以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域係互相分離的，以形成馬賽克狀。 [0362] 在此，以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域的導電性高於以GaOX3
等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率（m）。 [0363] 相反的，以GaOX3
等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
為主要成分的區域。換言之，當以GaOX3
等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換操作。 [0364] 因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaOX3
等的絕緣性及起因於InX2
ZnY2
OZ2
或InOX1
的導電性的互補作用可以實現高通態電流（Ion
）及高場效移動率（m）。 [0365] 另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於以顯示器為代表之各種半導體裝置中。 [0366] 本實施例可以與其他實施例適當地組合。 [0367] 實施例3 在本實施例中，對能夠用於電晶體的半導體層的晶化方法（多晶矽的形成方法）及雷射晶化裝置的一個例子進行說明。 [0368] 為了形成結晶性良好的多晶矽層，較佳為採用在基板上形成非晶矽層並對該非晶矽層照射雷射而進行晶化的方法。例如，作為雷射使用線狀光束，一邊移動基板一邊將該線狀光束照射到非晶矽層，由此可以在基板上的所希望的區域形成多晶矽層。 [0369] 使用線狀光束的方法的生產量比較好。然而，使用線狀光束的方法是將雷射以相對地移動的方式多次照射到一個區域的方法，因此，雷射的輸出變動及起因於雷射的輸出變動的光束分佈的變化容易導致結晶性不均勻。例如，當將用該方法晶化的半導體層用於顯示裝置的像素所包括的電晶體時，有時在顯示裝置上出現起因於結晶性不均勻的無規則的條紋。 [0370] 另外，理想的是線狀光束的長度為基板的一個邊的長度以上，但是線狀光束的長度受到雷射振盪器的輸出和光學系統的結構的限制。因此，當對大型基板進行處理時，對基板面內折回地照射雷射是現實的。因此，產生重複照射雷射的區域。該區域的結晶性容易與其他區域的結晶性不同，因此該區域有時發生顯示不均勻。 [0371] 為了避免上述問題的發生，也可以對基板上的非晶矽層局部性地照射雷射而使其晶化。藉由局部性地照射雷射，容易形成結晶性不均勻少的多晶矽層。 [0372] 圖25A是說明對形成在基板上的非晶矽層局部性地照射雷射的方法的圖。 [0373] 從光學系統單元821射出的雷射826被鏡子822反射而入射到微透鏡陣列823。微透鏡陣列823集聚雷射826而形成多個雷射光束827。 [0374] 形成有非晶矽層840的基板830固定在載物台815。藉由對非晶矽層840照射多個雷射光束827，可以同時形成多個多晶矽層841。 [0375] 微透鏡陣列823所包括的各微透鏡較佳為以顯示裝置的像素間距設置。或者，也可以以像素間距的整數倍的間隔設置。無論採用上述任何方式，都可以藉由重複在X方向或Y方向上移動載物台815並照射雷射來在對應於所有像素的區域形成多晶矽層。 [0376] 例如，在微透鏡陣列823以像素間距具有M列N行（M和N為自然數）的微透鏡的情況下，首先，藉由對指定的開始位置照射雷射，可以形成M列N行的多晶矽層841。然後，在列方向上移動載物台815相當於N行的距離並照射雷射，進一步形成M列N行的多晶矽層841，由此可以形成M列2N行的多晶矽層841。藉由重複進行該製程，可以在所希望的區域形成多個多晶矽層841。另外，在折回地照射雷射的情況下，重複進行在列方向上移動載物台815相當於N行的距離並照射雷射的製程及在行方向上移動載物台815相當於M列的距離並照射雷射的製程。 [0377] 另外，藉由適當地調節雷射的振盪頻率及載物台815的移動速度，即使是一邊在一個方向上移動載物台815一邊照射雷射的方法，也可以以像素間距形成多晶矽層。 [0378] 例如可以將雷射光束827的尺寸設定為包括一個電晶體的半導體層整體的程度的面積。或者，可以將其設定為包括一個電晶體的通道區域整體的程度的面積。或者，可以將其設定為包括一個電晶體的通道區域的一部分的程度的面積。上述尺寸根據所需要的電晶體的電特性適當地設定即可。 [0379] 另外，在製造一個像素包括多個電晶體的顯示裝置的情況下，可以將雷射光束827的尺寸設定為包括一個像素內的各電晶體的半導體層整體的程度的面積。另外，也可以將雷射光束827的尺寸設定為包括多個像素所包括的電晶體的半導體層整體的程度的面積。 [0380] 另外，如圖26A所示，也可以在鏡子822與微透鏡陣列823之間設置遮罩824。遮罩824中設置有對應於各微透鏡的多個開口。可以將該開口的形狀反映到雷射光束827的形狀，如圖26A所示，在遮罩824包括圓形開口的情況下，可以獲得圓形雷射光束827。另外，在遮罩824包括矩形開口的情況下，可以獲得矩形雷射光束827。例如，遮罩824在只想使電晶體的通道區域晶化的情況等下有效。另外，如圖26B所示，也可以將遮罩824設置在光學系統單元821與鏡子822之間。 [0381] 圖25B是說明對可用於上述局部性的雷射照射製程的雷射晶化裝置的主要結構的立體圖。雷射晶化裝置包括作為X-Y載物台的組件的移動機構812、移動機構813及載物台815。另外，還包括用來對雷射光束827進行成型的雷射振盪器820、光學系統單元821、鏡子822及微透鏡陣列823。 [0382] 移動機構812及移動機構813具有在水平方向上進行往復直線運動的功能。作為對移動機構812及移動機構813供應動力的機構，例如可以使用用電動機驅動的滾珠螺桿機構816等。移動機構812及移動機構813的各移動方向垂直地相交，所以固定在移動機構813的載物台815可以在X方向及Y方向上自如地移動。 [0383] 載物台815包括真空吸著機構等固定機構，可以固定基板830等。另外，載物台815也可以根據需要包括加熱機構。另外，雖然未圖示，但是載物台815包括推桿栓銷(pusher pin)及其垂直移動機構，在將基板830等搬出或搬入時，可以在垂直方向上移動基板830等。 [0384] 雷射振盪器820能夠輸出具有適於處理目的的波長及強度的光即可，較佳為使用脈衝雷射器，但是也可以使用CW雷射器。典型的是，使用能夠照射波長為351nm至353nm（XeF）或308nm（XeCl）等的紫外光的準分子雷射器。或者，也可以使用固體雷射（YAG雷射、光纖雷射等）的二倍頻（515nm、532nm等）或者三倍頻（343nm、355nm等）。另外，也可以設置多個雷射振盪器820。 [0385] 光學系統單元821例如包括鏡子、光束擴展器、光束均質器等，可以使從雷射振盪器820輸出的雷射825的能量的面內分佈均勻且擴展。 [0386] 例如可以使用介電質多層膜鏡子作為鏡子822，且以使雷射的入射角大致為45°的方式設置該鏡子。微透鏡陣列823例如可以具有在石英板的頂面或頂底面上設置有多個凸透鏡的形狀。 [0387] 藉由採用上述雷射晶化裝置，可以形成結晶性不均勻少的多晶矽層。 [0388] 本實施例可以與其他實施例適當地組合。 [0389] 實施例4 在本實施例中，參考圖27A至圖27D對本發明的一個實施例的電子裝置進行說明。 [0390] 本實施例的電子裝置在顯示部中包括本發明的一個實施例的顯示裝置，因此是可以實現高解析度的電子裝置。此外，可以實現兼具高解析度及大螢幕特性的電子裝置。 [0391] 在本實施例的電子裝置的顯示部上例如可以顯示具有全高清、4K2K、8K4K、16K8K或更高的解析度的影像。此外，顯示部的螢幕尺寸可以為對角線20英寸以上、30英寸以上、50英寸以上、60英寸以上或70英寸以上。 [0392] 作為電子裝置，例如除了電視機、桌上型或膝上型個人電腦、用於電腦等的顯示器、數位看板、彈珠機(pachinko)等大型遊戲機等具有較大的螢幕的電子裝置以外，還可以舉出數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音訊再生裝置等。 [0393] 可以將本實施例的電子裝置沿著房屋或高樓的內壁或外壁、或汽車的曲面內表面或曲面外表面的組裝。 [0394] 本實施例的電子裝置也可以包括天線。當藉由天線接收到信號時，電子裝置可以在顯示部上顯示影像或資料等。另外，在電子裝置包括天線及二次電池時，可以用天線進行非接觸電力傳送。 [0395] 本實施例的電子裝置也可以包括感測器（該感測器具有測定如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線）。 [0396] 本實施例的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊（靜態影像、動態影像、文字影像等）顯示在顯示部上的功能；觸控面板的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；執行各種軟體（程式）的功能；進行無線通訊的功能；讀出儲存在記錄媒體(recording medium)中的程式或資料的功能；等。 [0397] 圖27A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101中組裝有顯示部7000。此外在此示出利用支架7103支撐外殼7101的結構。 [0398] 可以對顯示部7000適用本發明的一個實施例的顯示裝置。 [0399] 可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關或另外提供的遙控器7111進行圖27A所示的電視機7100的操作。另外，也可以在顯示部7000中具備觸控感測器，也可以藉由用指頭等觸摸顯示部7000進行電視機7100的操作。另外，也可以在遙控器7111中具備顯示從該遙控器7111輸出的資料的顯示部。藉由利用遙控器7111所具備的操作鍵或觸控面板，可以進行頻道及音量的操作，並可以對顯示在顯示部7000上的影像進行操作。 [0400] 另外，電視機7100具備接收器及數據機等。可以藉由利用接收器接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機將電視機連接到有線或無線方式的通訊網路，從而進行單向（從發送者到接收者）或雙向（發送者和接收者之間或接收者之間等）的資訊通訊。 [0401] 圖27B示出膝上型個人電腦的一個例子。膝上型個人電腦7200包括外殼7211、鍵盤7212、指向裝置7213、外部連接埠7214等。在外殼7211中組裝有顯示部7000。 [0402] 可以對顯示部7000適用本發明的一個實施例的顯示裝置。 [0403] 圖27C和圖27D示出數位看板的例子。 [0404] 圖27C所示的數位看板7300包括外殼7301、顯示部7000及揚聲器7303等。此外，還可以包括LED燈、操作鍵（包括電源開關或操作開關）、連接端子、各種感測器、麥克風等。 [0405] 圖27D示出設置於圓柱狀柱子7401上的數位看板7400。數位看板7400包括沿著柱子7401的曲面設置的顯示部7000。 [0406] 在圖27C和圖27D中，可以對顯示部7000適用本發明的一個實施例的顯示裝置。 [0407] 顯示部7000越大，一次能夠提供的資訊量越多。此外，顯示部7000越大，越容易吸引人的注意力，例如可以提高廣告宣傳效果。 [0408] 藉由將觸控面板用於顯示部7000，不僅可以在顯示部7000上顯示靜態影像或動態影像，使用者還能夠直覺性地進行操作，所以是較佳的。另外，在用於提供路線資訊或交通資訊等資訊的用途時，可以藉由直覺性的操作提高易用性。 [0409] 如圖27C和圖27D所示，數位看板7300或數位看板7400較佳為藉由無線通訊可以與使用者所攜帶的智慧手機等資訊終端7311或資訊終端7411聯動。例如，顯示在顯示部7000上的廣告資訊可以顯示在可攜式資訊終端7311或可攜式資訊終端7411的螢幕上。此外，藉由操作可攜式資訊終端7311或可攜式資訊終端7411，可以切換顯示部7000上的顯示影像。 [0410] 此外，可以在數位看板7300或數位看板7400上以可攜式資訊終端7311或可攜式資訊終端7411的螢幕為操作單元（控制器）執行遊戲。由此，不特定多個使用者可以同時參加遊戲，享受遊戲的樂趣。 [0411] 本實施例可以與其他實施例適當地組合。 [0412] 實施例5 在本實施例中，參考圖28A和圖28B對本發明的一個實施例的電視機的例子進行說明。 [0413] 圖28A示出電視機600的方塊圖。 [0414] 本說明書的方塊圖示出在獨立的方塊中根據其功能進行分類的組件，但是，實際的組件難以根據功能被清楚地劃分，一個組件有時具有多個功能。 [0415] 電視機600包括控制部601、記憶部602、通訊控制部603、影像處理電路604、解碼器電路605、視訊信號接收部606、時序控制器607、源極驅動器608、閘極驅動器609、顯示面板620等。 [0416] 實施例1所示的顯示裝置可以適用於圖28A中的顯示面板620。由此，可以實現大型、高解析度且顯示品質高的電視機600。 [0417] 控制部601例如可以被用作中央處理器（CPU：Central Processing Unit）。例如控制部601具有藉由系統匯流排630控制諸如記憶部602、通訊控制部603、影像處理電路604、解碼器電路605及視訊信號接收部606等元件的功能。 [0418] 在控制部601與各元件之間藉由系統匯流排630傳輸信號。此外，控制部601具有對從藉由系統匯流排630連接的各元件輸入的信號進行處理的功能、產生向各元件輸出的信號的功能等，由此可以總體控制連接於系統匯流排630的各元件。 [0419] 記憶部602被用作控制部601及影像處理電路604能夠存取的暫存器、快取記憶體、主記憶體、二次記憶體等。 [0420] 作為能夠用作二次記憶體的記憶體裝置例如可以使用應用可重寫的非揮發性記憶元件的記憶體裝置。例如，可以使用快閃記憶體、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻隨機存取記憶體）、PRAM（Phase change RAM：相變隨機存取記憶體）、ReRAM（Resistive RAM：電阻式隨機存取記憶體）、FeRAM（Ferroelectric RAM：鐵電式隨機存取記憶體）等。 [0421] 作為能夠被用作暫存器、快取記憶體、主記憶體等暫時記憶體的記憶體裝置，也可以使用DRAM（Dynamic RAM：動態隨機存取記憶體）、SRAM（Static Random Access Memory：靜態隨機存取記憶體）等揮發性記憶元件。 [0422] 例如，設置在主記憶體中的RAM，例如可以使用DRAM，虛擬地分配並使用作為控制部601的工作空間的記憶體空間。儲存在記憶部602中的作業系統、應用程式、程式模組、程式資料等在執行時被載入於RAM中。被載入於RAM中的這些資料、程式或程式模組被控制部601直接存取及操作。 [0423] 另一方面，可以在ROM中儲存有不需要改寫的BIOS（Basic Input/Output System：基本輸入/輸出系統）或韌體等。可以使用遮罩式ROM、OTPROM（One Time Programmable Read Only Memory：一次可程式唯讀記憶體）、EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory：可抹除可程式唯讀記憶體）等作為ROM。作為EPROM，可以舉出藉由紫外線照射可以消除儲存資料的UV-EPROM（Ultra-Violet Erasable Programmable Read Only Memory：紫外線-可抹除可程式唯讀記憶體）、EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory：電子式可抹除可程式唯讀記憶體）以及快閃記憶體等。 [0424] 除了記憶部602外，還可以將可卸式記憶體裝置連接到電視機600。例如，較佳為包括與被用作儲存裝置（storage device）的硬式磁碟機（Hard Disk Drive：HDD）或固體狀態驅動機（Solid State Drive：SSD）等儲存媒體驅動器或者快閃記憶體、藍光光碟、DVD等儲存媒體(storage medium)連接的端子。使用此結構，可以儲存影像。 [0425] 通訊控制部603具有控制藉由電腦網路進行的通訊的功能。例如，通訊控制部603根據來自控制部601的指令控制用來連接到電腦網路的控制信號，而向電腦網路發送該信號。由此，可以連接於作為World Wide Web（WWW：全球資訊網）的基礎的網際網路、內聯網、外聯網、PAN（Personal Area Network：個人網）、LAN（Local Area Network：局域網）、CAN（Campus Area Network：校園網）、MAN（Metropolitan Area Network：都會區網路）、WAN（Wide Area Network：廣域網路）、GAN（Global Area Network：全域網路）等電腦網路，來進行通訊。 [0426] 通訊控制部603具有使用Wi-Fi（註冊商標）、Bluetooth（註冊商標）、ZigBee（註冊商標）等通訊標準與電腦網路或其他電子裝置進行通訊的功能。 [0427] 通訊控制部603也可以具有以無線方式通訊的功能。例如可以設置天線及高頻電路（RF電路），進行RF信號的發送和接收。高頻電路是用來將各國法制所規定的頻帶的電磁信號與電信號彼此變換且使用該電磁信號以無線方式與其他通訊設備進行通訊的電路。作為實用性的頻帶，一般使用幾十kHz至幾十GHz的頻帶。連接於天線的高頻電路具有對應於多個頻帶的高頻電路部，該高頻電路部可以具有放大器、混頻器、濾波器、DSP（Digital Signal Processor：數位信號處理器）、RF收發器等。 [0428] 視訊信號接收部606例如包括天線、解調變電路及AD轉換電路（類比-數位轉換電路）等。解調變電路具有解調從天線輸入的信號的功能。此外，AD轉換電路具有將被解調的類比信號轉換為數位信號的功能。將由視訊信號接收部606處理的信號發送到解碼器電路605。 [0429] 解碼器電路605具有如下功能：對從視訊信號接收部606輸入的數位信號所包括的視訊資料根據用於發送視訊資料的廣播規格進行解碼，產生發送到影像處理電路的信號。例如，作為8K廣播的廣播規格，有H.265 ｜ MPEG-H High Efficiency Video Coding（高效率視訊編碼）（簡稱：HEVC）等。 [0430] 作為視訊信號接收部606所包括的天線能夠接收的廣播電波，可以舉出地面波或從衛星發送的電波等。此外，作為天線能夠接收的廣播電波，有類比廣播、數位廣播等，還有影像及聲音的廣播或只有聲音的廣播等。例如，可以接收以UHF頻帶（大約300MHz至3GHz）或VHF頻帶（30MHz至300MHz）中的指定的頻帶發送的廣播電波。例如，藉由使用在多個頻帶中接收的多個資料，可以提高傳輸率，從而可以獲得更多的資訊。由此，可以將具有超過全高清的解析度的視訊顯示在顯示面板620上。例如，可以顯示具有4K2K、8K4K、16K8K或更高的解析度的視訊。 [0431] 另外，視訊信號接收部606及解碼器電路605也可以具有如下結構：利用藉由電腦網路的資料傳送技術發送的廣播資料而產生發送到影像處理電路604的信號。此時，在接收的信號為數位信號的情況下，視訊信號接收部606也可以不包括解調變電路及AD轉換電路等。 [0432] 影像處理電路604具有根據從解碼器電路605輸入的視訊信號產生輸出到時序控制器607的視訊信號的功能。 [0433] 時序控制器607具有如下功能：基於被影像處理電路604處理的視訊信號等中的同步信號產生對閘極驅動器609及源極驅動器608輸出的信號（時脈信號、啟動脈衝信號等信號）。此外，時序控制器607具有除了上述信號以外還產生輸出到源極驅動器608的視訊信號的功能。 [0434] 顯示面板620包括多個像素621。各像素621利用從閘極驅動器609及源極驅動器608供應的信號驅動。這裡示出具有對應於像素數7680´4320的8K4K規格的解析度的顯示面板的例子。此外，顯示面板620的解析度不侷限於此，也可以為對應於全高清（像素數為1920´1080）或4K2K（像素數為3840´2160）等規格的解析度。 [0435] 圖28A所示的控制部601或影像處理電路604例如可以包括處理器。例如，控制部601可以使用如CPU般作用的處理器。此外，作為影像處理電路604例如可以使用DSP（Digital Signal Processor：數位信號處理器）、GPU（Graphics Processing Unit：圖形處理器）等其他處理器。此外，控制部601或影像處理電路604也可以具有由FPGA（Field Programmable Gate Array：現場可程式邏輯閘陣列）或FPAA（Field Programmable Analog Array：現場可程式類比陣列）等PLD（Programmable Logic Device：可程式邏輯裝置）實現這種處理器的結構。 [0436] 處理器藉由解釋且執行來自各種程式的指令，進行各種資料處理或程式控制。可由處理器執行的程式可以儲存在處理器中的記憶體區域，也可以儲存在另外設置的記憶體裝置中。 [0437] 另外，也可以將控制部601、記憶部602、通訊控制部603、影像處理電路604、解碼器電路605、視訊信號接收部606及時序控制器607的各自具有的功能中的兩個以上的功能集中於一個IC晶片上，構成系統LSI。例如，也可以採用包括處理器、解碼器電路、調諧器電路、AD轉換電路、DRAM及SRAM等的系統LSI。 [0438] 此外，也可以將藉由在通道形成區域中使用氧化物半導體而實現了極小的關態電流的電晶體用於控制部601或其他元件所包括的IC等。由於該電晶體的關態電流極小，所以藉由將該電晶體用作保持流入被用作記憶元件的電容器的電荷（資料）的開關，可以確保長期的資料保持期間。藉由在控制部601等的暫存器或快取記憶體中利用該特性，可以僅在必要時使控制部601工作，而在其他情況下將之前的處理資訊儲存在該記憶元件中，從而可以實現常閉運算（normally off computing）。由此，可以實現電視機600的低功耗化。 [0439] 應注意，圖28A所示的電視機600的結構僅是一個例子，並不需要包括此處所示之所有組件。電視機600可以只包括圖28A所示的組件中必要的組件即可。此外，電視機600也可以包括圖28A所示的組件以外的組件。 [0440] 例如，電視機600也可以除了圖28A所示的組件以外還包括外部介面、聲音輸出部、觸控面板單元、感測單元、照相單元等。例如，作為外部介面，有USB（Universal Serial Bus：通用序列匯流排）端子、LAN（Local Area Network：局域網）連接用端子、電源接收用端子、聲音輸出用端子、聲音輸入用端子、視訊輸出用端子、視訊輸入用端子等外部連接端子、使用紅外線、可見光、紫外線等的光通訊用收發器、設置在外殼中的實體按鈕等。此外，作為聲音輸入/輸出部之實例有音響控制器、麥克風、揚聲器等。 [0441] 下面，對影像處理電路604進行更詳細的說明。 [0442] 影像處理電路604較佳為具有根據從解碼器電路605輸入的視訊信號執行影像處理的功能。 [0443] 作為影像處理之實例可包括雜訊去除處理、灰階轉換處理、色調校正處理、亮度校正處理等。舉例而言，可以伽瑪校正處理作為色調校正處理或亮度校正處理。 [0444] 此外，影像處理電路604較佳為具有執行如下處理的功能：伴隨解析度的上轉換（up-conversion）的像素間補充處理；以及伴隨圖框頻率的上轉換的圖框間補充等的處理。 [0445] 例如，在雜訊去除處理中，去除各種雜訊諸如產生在文字等的輪廓附近的蚊狀雜訊、產生在高速的動態影像中的塊狀雜訊、產生閃爍的隨機雜訊、解析度的上轉換所引起的點狀雜訊等。 [0446] 灰階轉換處理是指將影像的灰階轉換為對應於顯示面板620的輸出特性的灰階的處理。例如，在使灰階數增大時，藉由對以較小的灰階數輸入的影像補充且分配對應於各像素的灰階值，可以進行使長條圖平滑化的處理。此外，擴大動態範圍的高動態範圍（HDR）處理也包括在灰階轉換處理中。 [0447] 像素間補充處理在使解析度上轉換時補充本來不存在的資料。例如，參照目標像素附近的像素，以顯示這些像素之間的中間色的方式補充資料。 [0448] 色調校正處理是指校正影像的色調的處理。此外，亮度校正處理是指校正影像的亮度（亮度對比）的處理。例如，此些處理檢測設置電視機600的空間的照明的種類、亮度或顏色純度等，並根據該檢測將顯示在顯示面板620上的影像的亮度或色調校正為最適合的亮度或色調。或者，也可以對照所顯示的影像和預先儲存的影像一覽表中的各種場景的影像，而將顯示的影像的亮度或色調校正為適合於最接近的場景的影像的亮度或色調。 [0449] 在圖框間補充處理中，當增大顯示視訊的圖框頻率時，產生本來不存在的圖框（補充圖框）的影像。例如，利用兩個影像的差異產生插入在該兩個影像之間的補充圖框的影像。或者，也可以在兩個影像之間產生多個補充圖框的影像。例如，當從解碼器電路605輸入的視訊信號的圖框頻率為60Hz時，藉由產生多個補充圖框，可以將輸出到時序控制器607的視訊信號的圖框頻率增加到原來的兩倍（120Hz）、四倍（240Hz）或八倍（480Hz）等。 [0450] 影像處理電路604較佳為具有利用類神經網路執行影像處理的功能。在圖28A中示出影像處理電路604包括類神經網路610的例子。 [0451] 例如，藉由利用類神經網路610，例如可以從包括在視訊中的影像資料提取特徵。此外，影像處理電路604可以根據被提取的特徵選擇最適合的校正方法或選擇用於校正的參數。 [0452] 或者，類神經網路610本身也可以具有進行影像處理的功能。換言之，也可以採用藉由將進行影像處理之前的影像資料輸入到類神經網路610來輸出影像處理後的影像資料的結構。 [0453] 此外，用於類神經網路610的權重係數的資料作為資料表格儲存在記憶部602中。包括該權重係數的資料表格例如藉由利用通訊控制部603經過電腦網路更新為最新的資料表格。或者，影像處理電路604具有學習功能，能夠更新包括權重係數的資料表格。 [0454] 圖28B示出影像處理電路604所包括的類神經網路610的示意圖。 [0455] 在本說明書等中，類神經網路是指模擬生物的神經網路，藉由學習決定神經元之間的連結強度，由此具有問題解決能力的所有模型。類神經網路包括輸入層、中間層（也稱為隱藏層）及輸出層。將包括兩層以上的中間層的類神經網路稱為深度類神經網路（DNN），並且將藉由深度類神經網路的學習稱為深度學習。 [0456] 此外，在本說明書等中，在說明類神經網路時，有時將根據已經有的資訊決定神經元之間的連結強度（也稱為權重係數）稱為“學習”。另外，在本說明書等中，有時將使用藉由學習得到的連結強度構成類神經網路，從該結構導出新的結論稱為“推論”。 [0457] 類神經網路610包括輸入層611、一個以上的中間層612及輸出層613。對輸入層611輸入輸入資料。從輸出層613輸出輸出資料。 [0458] 輸入層611、中間層612及輸出層613分別包括神經元615。這裡，神經元615是指能夠實現積和運算的電路元件（product-sum operation element：積和運算元件）。在圖28B中以箭頭示出兩個層所包括的兩個神經元615間的資料輸入/輸出方向。 [0459] 各層的運算處理藉由前一層所包括的神經元615的輸出與權重係數的積和運算執行。例如，在輸入層611的第i個神經元的輸出為xi
，且輸出xi
與下一個中間層612的第j神經元的連結強度（權重係數）為wji
時，該中間層的第j神經元的輸出為yj
=f（ Swji
·xi
）。應注意，i、j是1以上的整數。這裡，f（x）為活化函數，作為活化函數可以使用S型（sigmoid）函數、定限函數等。以下，同樣地，各層的神經元615的輸出為對前一層的神經元615的輸出與權重係數的積和運算結果利用活化函數進行運算而得到的值。此外，層與層的連結既可以是所有神經元彼此連結的全連結，又可以是一部分的神經元彼此連結的部分連結。 [0460] 圖28B示出包括三個中間層612的例子。此外，中間層612的個數不侷限於此，只要包括一個以上的中間層即可。此外，一個中間層612所包括的神經元的個數根據規格適當地改變即可。例如，一個中間層612所包括的神經元615的個數既可以多於又可以少於輸入層611或輸出層613所包括的神經元615的個數。 [0461] 成為神經元615之間的連結強度的指標的權重係數根據學習決定。學習可以由電視機600所包括的處理器執行，但較佳為由專用伺服器或雲端等運算處理能力高的計算機執行。根據學習決定的權重係數作為資料表格被儲存在上述記憶部602中，由影像處理電路604讀出權重係數時而使用。此外，該表格可以根據需要經過電腦網路更新。 [0462] 本實施例可以與其他實施例適當地組合。
[0463]11‧‧‧絕緣表面31‧‧‧導電層32‧‧‧半導體層32_1‧‧‧半導體層32_2‧‧‧半導體層32p‧‧‧半導體層33a‧‧‧導電層33b‧‧‧導電層34‧‧‧絕緣層35‧‧‧雜質半導體層36‧‧‧絕緣層36a‧‧‧絕緣層36b‧‧‧絕緣層37‧‧‧半導體層52‧‧‧背光單元53‧‧‧開口62‧‧‧顯示部64‧‧‧掃描線驅動電路65a‧‧‧導電層65b‧‧‧導電層66‧‧‧導電層69‧‧‧導電層84‧‧‧絕緣層84a‧‧‧絕緣層85‧‧‧絕緣層86‧‧‧導電層100‧‧‧顯示裝置101‧‧‧顯示部101a‧‧‧區域101b‧‧‧區域101c‧‧‧區域101d‧‧‧區域102‧‧‧掃描線驅動電路103‧‧‧掃描線驅動電路108‧‧‧分割線110‧‧‧區域110a‧‧‧區域110b‧‧‧區域110c‧‧‧區域110d‧‧‧區域111‧‧‧第一基板113‧‧‧第二基板115‧‧‧像素120‧‧‧像素121‧‧‧外覆層125a‧‧‧偏光板125b‧‧‧偏光板130a‧‧‧端子群130b‧‧‧端子群130c‧‧‧端子群130d‧‧‧端子群130e‧‧‧端子群130f‧‧‧端子群130g‧‧‧端子群130h‧‧‧端子群131‧‧‧彩色層132‧‧‧遮光層133a‧‧‧配向膜133b‧‧‧配向膜135a‧‧‧端子135b‧‧‧端子135c‧‧‧端子135d‧‧‧端子135e‧‧‧端子135f‧‧‧端子135g‧‧‧端子135h‧‧‧端子141‧‧‧黏合層150a‧‧‧印刷電路板150b‧‧‧印刷電路板150c‧‧‧印刷電路板150d‧‧‧印刷電路板151a‧‧‧時序控制器151b‧‧‧時序控制器151c‧‧‧時序控制器151d‧‧‧時序控制器152a‧‧‧參考電壓產生電路152b‧‧‧參考電壓產生電路152c‧‧‧參考電壓產生電路152d‧‧‧參考電壓產生電路160a‧‧‧IC160b‧‧‧IC160c‧‧‧IC160d‧‧‧IC160e‧‧‧IC160f‧‧‧IC160g‧‧‧IC160h‧‧‧IC160i‧‧‧IC160j‧‧‧IC160k‧‧‧IC160m‧‧‧IC162‧‧‧FPC170‧‧‧發光元件171‧‧‧像素電極172‧‧‧EL層173‧‧‧共用電極174‧‧‧黏合層175‧‧‧絕緣層180‧‧‧液晶元件181‧‧‧像素電極182‧‧‧共用電極183‧‧‧液晶層200a‧‧‧電晶體200b‧‧‧電晶體201a‧‧‧電晶體201b‧‧‧電晶體201c‧‧‧電晶體201d‧‧‧電晶體211‧‧‧絕緣層212‧‧‧絕緣層213‧‧‧絕緣層215‧‧‧絕緣層216‧‧‧絕緣層217‧‧‧絕緣層218‧‧‧絕緣層220‧‧‧絕緣層221‧‧‧導電層222a‧‧‧導電層222b‧‧‧導電層223‧‧‧導電層225‧‧‧絕緣層231‧‧‧半導體層232‧‧‧雜質半導體層242‧‧‧連接器251‧‧‧電晶體251a‧‧‧電晶體251b‧‧‧電晶體255‧‧‧導電層260‧‧‧相交部432‧‧‧顯示元件433‧‧‧電容器434‧‧‧電晶體435‧‧‧節點436‧‧‧電晶體436a‧‧‧電晶體436c‧‧‧電晶體436d‧‧‧電晶體437‧‧‧節點438‧‧‧像素電路600‧‧‧電視機601‧‧‧控制部602‧‧‧記憶部603‧‧‧通訊控制部604‧‧‧影像處理電路605‧‧‧解碼器電路606‧‧‧視訊信號接收部607‧‧‧時序控制器608‧‧‧源極驅動器609‧‧‧閘極驅動器610‧‧‧類神經網路611‧‧‧輸入層612‧‧‧中間層613‧‧‧輸出層615‧‧‧神經元620‧‧‧顯示面板621‧‧‧像素630‧‧‧系統匯流排812‧‧‧移動機構813‧‧‧移動機構815‧‧‧載物台816‧‧‧滾珠螺桿機構820‧‧‧雷射振盪器821‧‧‧光學系統單元822‧‧‧鏡子823‧‧‧微透鏡陣列824‧‧‧遮罩825‧‧‧雷射826‧‧‧雷射827‧‧‧雷射光束830‧‧‧基板840‧‧‧非晶矽層841‧‧‧多晶矽層7000‧‧‧顯示部7100‧‧‧電視機7101‧‧‧外殼7103‧‧‧支架7111‧‧‧遙控器7200‧‧‧膝上型個人電腦7211‧‧‧外殼7212‧‧‧鍵盤7213‧‧‧指向裝置7214‧‧‧外部連接埠7300‧‧‧數位看板7301‧‧‧外殼7303‧‧‧揚聲器7311‧‧‧資訊終端7400‧‧‧數位看板7401‧‧‧柱子7411‧‧‧資訊終端
[0027] 在隨附圖式中： 圖1是說明顯示模組的圖； 圖2是說明顯示模組的圖； 圖3A和圖3B各是說明顯示模組的圖； 圖4是說明顯示模組的圖； 圖5是說明顯示模組的圖； 圖6是說明顯示模組的圖； 圖7是說明顯示模組的圖； 圖8A至圖8E各是說明顯示模組的圖； 圖9是說明顯示模組的圖； 圖10A和圖10B各是說明顯示模組的圖； 圖11A和圖11B各是說明顯示模組的圖； 圖12A和圖12B各是說明顯示模組的圖； 圖13是說明顯示模組的圖； 圖14是說明顯示模組的圖； 圖15是說明顯示模組的圖； 圖16A至圖16E各是說明像素的結構實例的圖； 圖17A和圖17B各是說明像素電路的結構實例的圖； 圖18是說明顯示裝置的結構實例的圖； 圖19是說明顯示裝置的結構實例的圖； 圖20是說明顯示裝置的結構實例的圖； 圖21是說明顯示裝置的結構實例的圖； 圖22A至圖22C各是說明電晶體的結構實例的圖； 圖23A至圖23D各是說明電晶體的結構實例的圖； 圖24A至圖24F各是說明電晶體的結構實例的圖； 圖25A及圖25B是說明雷射照射方法及雷射晶化裝置的圖； 圖26A及圖26B是說明雷射照射方法的圖； 圖27A至圖27D各示出電子裝置的例子；以及 圖28A是說明電視機的圖，圖28B是說明類神經網路的圖。
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧顯示部
101a、101b‧‧‧區域
102‧‧‧掃描線驅動電路
103‧‧‧掃描線驅動電路
110‧‧‧區域
115‧‧‧像素
130a、130b、130c、130d‧‧‧端子群
135a、135b、135c、135d‧‧‧端子
151a、151b‧‧‧時序控制器
152a‧‧‧參考電壓產生電路
152b‧‧‧參考電壓產生電路
160a、160b、160c、160d‧‧‧IC
GL_1、GL_i、GL_m‧‧‧掃描線
SL_1、SL_n、SL_n+1、SL_2n、SL_2n-1、SL_2n-2、SL_2n+1、SL_2n+2、SL_2n+3、SL_3n、、SL_3n+1、SL_4n‧‧‧信號線
Claims (29)
- 一種顯示裝置，包括：顯示部，包括：多個像素；多個掃描線；以及多個信號線；包括多個第一端子的第一端子群；以及包括多個第二端子的第二端子群，其中，該第一端子群和該第二端子群互相分開，該多個掃描線的每一個與配置在列方向上的該多個像素電連接，該多個信號線的每一個與配置在行方向上的該多個像素電連接，該多個信號線的每一個與該第一端子或該第二端子電連接，該顯示部包括第一區域、第二區域及第三區域，其中，夾著該第一區域設置有該第二區域和該第三區域，該第二區域中的該信號線的每一個與該第一端子群電連接，該第三區域中的該信號線的每一個與該第二端子群電連接，並且，電連接到該第一端子的該信號線和電連接到該 第二端子的該信號線在該第一區域中混在。
- 一種顯示裝置，包括：顯示部，包括：多個像素；多個掃描線；以及多個信號線；包括多個第一端子的第一端子群；以及包括多個第二端子的第二端子群，其中，該第一端子群和該第二端子群互相分開，該多個掃描線的每一個與配置在列方向上的該多個像素電連接，該多個信號線的每一個與配置在行方向上的該多個像素電連接，該顯示部包括彼此相鄰的第一區域和第二區域，該多個信號線包括在該第一區域中的第一組信號線和在該第二區域中的第二組信號線，該第一組中的該信號線中的一個與該第一端子群電連接，以及該第一組中的該信號線中的另一個與該第二端子群電連接，並且，該第二組中的該信號線的每一個與該第一端子群電連接。
- 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置， 其中該多個像素在2n行上配置，該第一區域包括與第n行的該像素電連接的該信號線以及與第n+1行的該像素電連接的該信號線，並且n是2以上的整數。
- 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中該多個像素在n行上配置，該第一區域中的該信號線的個數為2以上且300以下，並且n是300以上的整數。
- 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中該多個像素在m列n行上配置，該顯示部中的該信號線的個數為2n，第奇數列第j行的該像素與第偶數列第j行的該像素與互不相同的信號線電連接，m及n都是2以上的整數，並且j是1以上且n以下的整數。
- 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中第i-1列第j行的該像素與電連接到該第一端子的該信號線電連接，第i列第j行的該像素與電連接到該第二端子的該信號線電連接，並且i是1以上且m以下的整數。
- 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中在該第一區域中，一個電連接到該第一端子的該信號線以及一個電連接到該第二端子的該信號線交替地配置，或者各自電連接到該第一端子的該信號線之組以及各自電連接到該第二端子的該信號線之組交替地配置。
- 一種顯示裝置，包括：顯示部，包括：多個像素；多個掃描線；多個第一信號線；以及多個第二信號線；包括多個第一端子的第一端子群；以及包括多個第二端子的第二端子群，其中，該第一端子群和該第二端子群互相分開，該多個掃描線的每一個與配置在列方向上的該多個像素電連接，該多個第一信號線及該第二信號線的每一個與配置在行方向上的該多個像素電連接，該多個第一信號線的每一個與該多個第一端子中的一個電連接，該多個第二信號線的每一個與該多個第二端子中的一 個電連接，該顯示部包括第一區域、第二區域及第三區域，其中，夾著該第一區域設置有該第二區域和該第三區域，該第二區域中的該信號線的每一個與該第一端子群電連接，該第三區域中的該信號線的每一個與該第二端子群電連接，並且，在該第一區域中，該多個第一信號線中的一個設置在該多個第二信號線中的兩個之間。
- 一種顯示裝置，包括：顯示部，包括：多個像素；多個掃描線；多個第一信號線；多個第二信號線；以及多個第三信號線；包括多個第一端子的第一端子群；以及包括多個第二端子的第二端子群，其中，該第一端子群和該第二端子群互相分開，該多個掃描線的每一個與配置在列方向上的該多個像素電連接，該多個第一信號線及該第二信號線的每一個與配置在 行方向上的該多個像素電連接，該多個第一信號線及該第三信號線的每一個與該多個第一端子中的一個電連接，該多個第二信號線的每一個與該多個第二端子中的一個電連接，該顯示部包括彼此相鄰的第一區域和第二區域，在該第一區域中，該多個第一信號線中的一個設置在該多個第二信號線中的兩個之間，並且，該多個第三信號線被設置在該第二區域中。
- 根據申請專利範圍第8或9項之顯示裝置，其中該多個像素在2n行上配置，該第一區域包括第n行的該像素以及第n+1行的該像素，並且n是2以上的整數。
- 根據申請專利範圍第8或9項之顯示裝置，其中該多個像素在n行上配置，該第一區域中的該多個第一信號線和該多個第二信號線的總數為2以上且300以下，並且n是300以上的整數。
- 根據申請專利範圍第8或9項之顯示裝置，其中該多個像素在m列n行上配置， 該顯示部中的該多個第一信號線和該多個第二信號線的總數為2n，第奇數列第j行的該像素的每一個與該多個第一信號線中的一個電連接，第偶數列第j行的該像素的每一個與該多個第二信號線中的一個電連接，m及n都是2以上的整數，並且j是1以上且n以下的整數。
- 根據申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中第i-1列第j行的該像素與該多個第一信號線中的一個電連接，第i列第j行的該像素與該多個第二信號線中的一個電連接，並且i是1以上且m以下的整數。
- 根據申請專利範圍第8或9項之顯示裝置，其中在該第一區域中，該多個第一信號線中的一個以及該多個第二信號線中的一個交替地配置，或者該多個第一信號線中的若干個以及該多個第二信號線中的若干個交替地配置。
- 根據申請專利範圍第2或9項之顯示裝置，其中該顯示部更包括第三區域， 夾著該第一區域設置有該第二區域和該第三區域，並且該第三區域中的該信號線的每一個與該第二端子群電連接。
- 根據申請專利範圍第1或2或8或9項之顯示裝置，其中該像素包括顯示元件以及與該顯示元件電連接的電晶體，並且該顯示元件為液晶元件或發光元件。
- 根據申請專利範圍第16項之顯示裝置，其中該電晶體包括含有非晶矽的半導體層。
- 根據申請專利範圍第16項之顯示裝置，其中該電晶體包括含有金屬氧化物的半導體層。
- 根據申請專利範圍第1或2或8或9項之顯示裝置，其中該顯示部的對角線尺寸為50英寸以上。
- 根據申請專利範圍第1或2或8或9項之顯示裝置，其中該顯示部具有4K以上的解析度。
- 一種顯示模組，包括：申請專利範圍第1或2或8或9項之顯示裝置；第一信號線驅動電路；以及 第二信號線驅動電路，其中，該第一信號線驅動電路與該第一端子群電連接，並且，該第二信號線驅動電路與該第二端子群電連接。
- 根據申請專利範圍第21項之顯示模組，還包括第一參考電壓產生電路及第二參考電壓產生電路，其中該第一參考電壓產生電路與該第一信號線驅動電路電連接，並且該第二參考電壓產生電路與該第二信號線驅動電路電連接。
- 一種電子裝置，包括：申請專利範圍第21項之顯示模組；以及天線、電池、外殼、照相機、揚聲器、麥克風和操作按鈕中的至少一個。
- 一種顯示裝置，包括：顯示部，包括：配置在矩陣中的多個像素；以及第一到第四信號線；以及第一與第二信號線驅動器，其中該多個像素包括配置在相同列方向中的第一到第 四像素，該第一到第四信號線各別與該第一到第四像素電連接，該顯示部包括彼此相鄰的第一區域和第二區域，該第一區域包括彼此相鄰的該第一與第二像素，該第二區域包括彼此相鄰的該第三與第四像素，該第三像素比該第四像素更接近該第一區域，該第一、第二、與第四信號線與該第一信號線驅動器電連接，並且，該第三信號線與該第二信號線驅動器電連接。
- 一種顯示裝置，包括：顯示部，包括：配置在矩陣中的多個像素；以及第一到第四信號線；以及第一與第二FPC，其中該多個像素包括配置在相同列方向中的第一到第四像素，該第一到第四信號線各別與該第一到第四像素電連接，該顯示部包括彼此相鄰的第一區域和第二區域，該第一區域包括彼此相鄰的該第一與第二像素，該第二區域包括彼此相鄰的該第三與第四像素，該第三像素比該第四像素更接近該第一區域， 該第一、第二、與第四信號線與該第一FPC電連接，並且，該第三信號線與該第二FPC電連接。
- 根據申請專利範圍第24或25項之顯示裝置，其中該第三與第四信號線彼此相交。
- 根據申請專利範圍第24或25項之顯示裝置，其中該顯示部的對角線尺寸為50英寸以上。
- 根據申請專利範圍第24或25項之顯示裝置，其中該顯示部具有4K以上的解析度。
- 一種顯示模組，包括：申請專利範圍第24或25項之顯示裝置；以及第一與第二參考電壓產生電路，其中該第一參考電壓產生電路與該第一信號線驅動電路電連接，並且該第二參考電壓產生電路與該第二信號線驅動電路電連接。
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