JPH10325962A

JPH10325962A - 液晶表示装置ならびに該装置のゲート線およびソース線の形成方法

Info

Publication number: JPH10325962A
Application number: JP13494297A
Authority: JP
Inventors: Akira Kawamoto; 暁川元
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-05-26
Filing date: 1997-05-26
Publication date: 1998-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】従来技術によるＡＭ−ＬＣＤの製造工程を大
きく変更することのない方法で高精細かつ大画面の液晶
表示装置およびその駆動方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、薄膜トランジ
スタ基板、対向基板および液晶材料を有し、該薄膜トラ
ンジスタ基板上にゲート線、ソース線および薄膜トラン
ジスタが形成され、前記ゲート線の両端にゲート端子が
設けられ、前記ゲート線が２つのゲート線に分割され、
該ゲート端子のそれぞれから同一のゲート信号が同時に
入力される液晶表示装置であって、前記２つのゲート線
が第１の抵抗体を介して接続されている。また、ソース
線が分割されているばあいは分割された２つのソース線
も第２の抵抗体を介して接続されうる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型の液晶表示装置ならびに該装置のゲート線および
ソース線の形成方法に関する。さらに詳しくは、アクテ
ィブマトリクス型の液晶表示装置に用いられるＴＦＴア
レイ基板ならびに該基板上に形成されるゲート線および
ソース線の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶ディスプレイ（または、液晶表示装
置）は、アクティブマトリクス方式の採用によってブラ
ウン管に劣らぬ表示性能がえられるようになった。液晶
ディスプレイは、通常、薄膜トランジスタ（thin film
transistor、以下、ＴＦＴという）などが設けられた薄
膜トランジスタアレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）と対向
基板との２枚の基板のあいだに液晶表示材料が挟持され
た構成を有している。

【０００３】ＴＦＴアレイ基板は中央部分が表示領域と
され、表示領域は画像表示の最小単位である画素ごとに
選択的に電圧が印加されるように、各画素ごとに少なく
ともＴＦＴおよび画素電極がそれぞれ１個ずつ配置され
るようにして、全体としてアレイ状に設けられている。
隣接している画素と画素とのあいだにはゲート線やソー
ス線などのバス配線が１本ずつ設けられ、表示領域全体
としてはそれぞれ互いに並行に複数本ずつ設けられてい
る。さらに、表示領域の外側に、各バス配線に対応して
それぞれ入力端子や、ＴＦＴを駆動して画素電極に電圧
を印加するためのＴＦＴ駆動ＩＣなどが設けられてい
る。このほか、必要に応じてバス配線に付加して蓄積容
量などが設けられる。さらに、ＴＦＴアレイ基板上には
配向膜が設けられる。対向基板上には、対向電極、カラ
ーフィルタ、ブラックマトリクスなどが設けられてい
る。

【０００４】このようなＴＦＴアレイ基板を用いた液晶
表示装置を作製するには、まずガラス基板上にＴＦＴ、
ゲート線、ソース線およびその他の共通配線をアレイ状
に作製して表示領域とするとともに、入力端子、予備配
線およびＴＦＴ駆動回路などを表示領域の周辺に配設す
る。このとき、それぞれの機能を発現させるためにゲー
ト線やソース線を形成する過程のなかで導電性薄膜（以
下、導電膜という）や絶縁性薄膜（以下、絶縁膜とい
う）を必要に応じて配設する。さらに、ゲート線やソー
ス線に対して、それぞれの両端部にプロービングして断
線検査を行う。また、対向基板上には対向電極を設ける
とともにカラーフィルタ、ブラックマトリクスを設け
る。つぎに、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とを作製した
のち、のちの工程で、かかる２枚の基板のあいだに液晶
材料が注入されうるように所望の隙間を有する状態に
し、かかる２枚の基板の外周を貼りあわせたのち、２枚
の基板のあいだの隙間に液晶材料を注入して、アクティ
ブマトリクス液晶ディスプレイ（active matrix liquid
crystal display、以下、ＡＭ−ＬＣＤともいう）がえ
られる。

【０００５】ＡＭ−ＬＣＤは、より精細かつ大型のもの
が望まれており、製品化もされつつある。このような精
細かつ大型のものを実現するためにＡＭ−ＬＣＤにおい
てはバス配線の本数が多くなり、かつ、その長さが長く
なる。したがって、バス配線などの抵抗の値が大きくな
ることを回避することができない。

【０００６】バス配線の抵抗が大きくなることについ
て、従来のＡＭ−ＬＣＤのばあいについてさらに説明す
る。

【０００７】図３は、従来のＡＭ−ＬＣＤを概念的に示
した平面説明図である。図３において、１はＴＦＴアレ
イ基板であり、２は対向基板であり、３はゲート用ＴＡ
ＢＩＣ（tape automated bonding integrated circui
t）であり、４はゲート側ＰＣＢ（printed circuit boa
rd）であり、５はソース用ＴＡＢＩＣであり、６はソー
ス側ＰＣＢである。対向基板２は、ＴＦＴアレイ基板と
のあいだに所望の値の隙間を保ってＴＦＴアレイ基板と
平行に配設されるので、図３においては２点鎖線で示さ
れている。

【０００８】説明のため、本明細書においては図に記載
されたＴＦＴアレイ基板に対して、図に向かって上、
下、左または右の方向をそれぞれ、ＴＦＴアレイ基板の
上側、下側、左側または右側という。

【０００９】このようなバス配線を有するＡＭ−ＬＣＤ
においては、ゲート線にかかわる信号（以下、ゲート信
号という）は、ＴＦＴアレイ基板の一方の側（すなわ
ち、ゲート用ＴＡＢＩＣが設けられている側、ここでは
左側）から入力される。そのためにゲート用ＴＡＢＩＣ
から入力されたゲート信号の信号遅延が、他方の側で大
きくなる。

【００１０】また、ソース線にかかわる信号（以下、ソ
ース信号という）は、ＴＦＴアレイ基板のソース用ＴＡ
ＢＩＣが設けられている側から入力される。そのため
に、画素数が多いＡＭ−ＬＣＤのばあいでは、１画素に
信号を入力する時間（ゲート選択時間）が短い。

【００１１】以上説明したように従来のＡＭ−ＬＣＤに
よって、高精細かつ大画面の液晶パネルをうるために
は、スイッチングトランジスタすなわちＴＦＴの高性能
化、とくにスイッチング動作の高速化が必要とされてい
る。

【００１２】特開昭６２−２７１５７４号公報や特開昭
６２−４９３９８号公報、特開平４−２３７０９３号公
報、特開平８−５４６０４号公報などに開示されるよう
に、ゲート線の両側からゲート信号を入力する、あるい
は特開昭６２−２６９１２１号公報に開示されているよ
うに、ソース線を上下２分割しソース線の両側からソー
ス信号を入力することが提案されている。さらに特開平
５−８０７１４号公報に開示されるように、ゲート線お
よびソース線のいずれにも両側から信号を入力すること
が提案されている。これらの提案は、ゲート信号遅延時
間を短くし、またはゲート選択時間を長くするように両
側からの信号入力を可能とするために一般にはゲート線
やソース線をその中央部で２つに分割することが提案さ
れているが、そのためにゲート線やソース線の断線検査
ができなくなるという問題を生ずる。かかる問題につい
て、以下に説明する。

【００１３】図４は、ゲート線やソース線を分割する構
成にかかわるＡＭ−ＬＣＤを概念的に示した平面図であ
り、７はソース線の分割部であり、８はゲート線の分割
部であり、その他の符号は図３と共通である。

【００１４】図４に示す従来のＡＭ−ＬＣＤは、（１）
ＴＦＴアレイ基板の右側にも他の１組のゲート用ＴＡＢ
ＩＣおよびゲート側ＰＣＢを設けてゲート線の両側から
ゲート信号を入力できるようにしていること（なお、他
の１組のＴＡＢＩＣおよびＰＣＢを設けたことにともな
って、ゲート線の右側の端部にも当該他の１組のＴＡＢ
ＩＣおよびＰＣＢとの接続のためにゲート端子を設けて
いる）、および（２）ＴＦＴアレイ基板の下側にも他の
１組のソース用ＴＡＢＩＣおよびソース側ＰＣＢを設け
るとともにさらに、ソース線が表示領域の中央の分割部
７で分割された２つのソース線とされるようにしている
こと（なお、他の１組のＴＡＢＩＣおよびＰＣＢを設け
たうえソース線が２つのソース線に分割されたことにと
もなって、分割されたソース線の下側のソース線の下側
の端部にも当該他の１組のＴＡＢＩＣおよびＰＣＢとの
接続のためにソース端子を設けている）である。

【００１５】このようなＡＭ−ＬＣＤにおいては、以下
に述べるような駆動方法によって駆動される。すなわ
ち、ゲート線には両側から同一のゲート信号ＳＧを入力
する。また、ソース線には両側から、それぞれ互いに独
立のソース信号ＳＳＲおよびＳＳＬを入力する。

【００１６】このとき、ある１個のゲート信号は、この
ゲート信号が入力されるゲート線についてはゲート線の
両側に設けた各ゲート端子から同時に入力される。信号
遅延は、図３に示すような従来のＡＭ−ＬＣＤと比べて
抵抗の値が１／２となり、容量の値も１／２となること
から信号遅延は１／４となる。

【００１７】また、このような従来のＡＭ−ＬＣＤの製
法を詳細に説明する。

【００１８】まず、ガラス基板上にＴＦＴ、ゲート線、
ソース線およびその他の共通配線をアレイ状に作製す
る。このとき、ゲート線およびソース線にはそれぞれそ
の両端にゲート端子およびソース端子を設けて、ＩＴＯ
により作製する。このとき、ソース線およびゲート線
は、パターン分離により、その中央部で分割されてそれ
ぞれ、２つのソース線および２つのゲート線とされる。

【００１９】また、これらのゲート線やソース線の機能
を発現させるために、ゲート線やソース線を形成する過
程のなかで導電膜をクロム膜やアルミニウム膜により、
また絶縁膜をシリコン窒化膜により必要に応じて配設す
る。

【００２０】そののち、対向基板上には対向電極を設け
るとともにカラーフィルタ、ブラックマトリクスを設け
る。このように、ＴＦＴアレイ基板と対向基板を作製し
たのちの工程で、かかる２枚の基板のあいだに液晶材料
が注入されうるようにたとえば、３〜５μｍ程度の所望
の間隙を有する状態にし、かかる２枚の基板の外周を貼
りあわせたのち、２枚の基板のあいだに液晶材料を注入
する。

【００２１】このようにして液晶パネルを形成したの
ち、ＴＡＢＩＣおよびＰＣＢを実装する。ゲート用ＴＡ
ＢＩＣ３およびゲート側ＰＣＢ４を、ＴＦＴアレイ基板
の左側および右側に実装する。またソース用ＴＡＢＩＣ
５およびソース側ＰＣＢ６をＴＦＴアレイ基板の上側お
よび下側に実装する。

【００２２】最後にバックライトユニットなどをとりつ
けてモジュール化して液晶表示装置を完成する。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】このように、ゲート線
やソース線をその中央部で２つに分割する従来のＡＭ−
ＬＣＤでは、両側からの信号入力が可能である反面、製
造工程においては、分割されているがゆえに従来のプロ
ービングによってゲート線やソース線の断線検査を行う
ことができず、高精細かつ大画面の液晶パネルを歩留よ
く製造することができないという問題が生じている。ま
た、分割せずに１本線で両側から信号入力すると双方の
信号が干渉を起こしやすく良好な画質がえられないとい
う問題点がある。

【００２４】本発明の目的は、両側からの信号入力が可
能である構成を有しつつ、従来のプロービングによる断
線検査を行うことのできる液晶ディスプレイを提供する
ことである。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明にかかわる液晶表
示装置は、薄膜トランジスタ基板、対向基板および液晶
材料を有し、該薄膜トランジスタ基板上にゲート線、ソ
ース線および薄膜トランジスタが形成され、少なくとも
ゲート側において、前記ゲート線の両端にゲート端子が
設けられ、前記ゲート線が２つのゲート線に分割され、
該ゲート端子のそれぞれから同一のゲート信号が同時に
入力される液晶表示装置であって、前記２つのゲート線
が第１の抵抗体を介して接続されている。したがって、
電気的な断線検査が可能である。また抵抗体によって一
方の信号が抵抗体を通過後は減衰するので、信号の干渉
は防ぐことができる。

【００２６】前記第１の抵抗体の抵抗値が前記２つのゲ
ート線のうちの１つの抵抗値の０．１倍以上８倍以下で
あると、断線検査の判定基準に対して余裕をもたせるこ
とができ、ゲート線の断線検査を容易に行うことができ
るので好ましい。

【００２７】前記第１の抵抗体が、前記ゲート線と同一
の材料からなり、前記ゲート線の厚さよりも薄くして形
成された抵抗体であると、線幅を変更せずに形成できる
ので断線が生じにくいので好ましい。

【００２８】前記第１の抵抗体が、前記ゲート線と同一
の材料からなり、前記ゲート線の線幅よりも細くして形
成された抵抗体であると、１回のパターニングで形成で
き、工程数が増えないので好ましい。

【００２９】前記第１の抵抗体が、前記ゲート線よりも
比抵抗の高い材料からなる抵抗体であると、抵抗値の設
定の自由度が増すので好ましい。

【００３０】薄膜トランジスタ基板、対向基板および液
晶材料を有し、該薄膜トランジスタ基板上にゲート線、
ソース線および薄膜トランジスタが形成され、少なくと
もソース側において、前記ソース線の両端にそれぞれソ
ース端子が設けられ、該ソース線が２つのソース線に分
割され、該ソース端子から同一のソース信号が同時に入
力される液晶表示装置であって、前記２つのソース線が
第２の抵抗体を介して接続されていると、ソース線に対
しても断線検査が行えるので好ましい。また、双方の信
号の干渉が抑制されるので好ましい。

【００３１】前記第２の抵抗体の抵抗値が前記２つのソ
ース線のうちの１つの抵抗値の０．１倍以上８倍以下で
あると、断線検査の判定基準に対して余裕をもたせるこ
とができ、ソース線の断線検査を容易に行うことができ
るので好ましい。

【００３２】前記第２の抵抗体が、前記ソース線と同一
の材料からなり、前記ソース線の厚さよりも薄くして形
成された抵抗体であると、線幅を変更せずに形成できる
ので断線が生じにくいので好ましい。

【００３３】前記第２の抵抗体が、前記ソース線と同一
の材料からなり、前記ソース線の線幅よりも細くして形
成された抵抗体であると、１回のパターニングで形成で
き、工程数が増えないので好ましい。

【００３４】前記第２の抵抗体が、前記ソース線よりも
比抵抗の高い材料からなる抵抗体であると、抵抗値の設
定の自由度が増すので好ましい。

【００３５】本発明にかかわる液晶表示装置のゲート線
の形成方法は、薄膜トランジスタ基板、対向基板および
液晶材料を有し、該薄膜トランジスタ基板上にゲート
線、ソース線および薄膜トランジスタ基板が形成され、
少なくともゲート側において、前記ゲート線の両側にゲ
ート端子が設けられ、前記ゲート線がその中央部で第１
の抵抗体を介して接続されており、該ゲート端子のそれ
ぞれから同一のゲート信号が同時に入力される液晶表示
装置の前記ゲート線の形成方法であって、（１）前記第
１の抵抗体部分以外のゲート線をパターニングによって
形成し、（２）前記第１の抵抗体をパターニングによっ
て形成する。

【００３６】前記第１の抵抗体の抵抗値が前記ゲート線
の抵抗値の０．０５倍以上４倍以下であると、断線検査
の判定基準に対して余裕をもたせることができ、ゲート
線の断線検査を容易に行うことができるので好ましい。

【００３７】前記第１の抵抗体を、前記ゲート線と同一
の材料を用いて、前記ゲート線の厚さよりも薄くして形
成すると、線幅を変更せずに形成できるので断線が生じ
にくいので好ましい。

【００３８】前記第１の抵抗体を、前記ゲート線よりも
比抵抗の高い材料を用いて形成すると、抵抗値の設定の
自由度が増すので好ましい。

【００３９】前記工程（１）において、前記第１の抵抗
体部分が前記ゲート線の線幅よりも細い線幅とされてい
る配線パターンを付加し、前記ゲート線と同一の材料を
用いて前記ゲート線を前記第１の抵抗体とあわせて同時
にパターニングして形成すると、１回のパターニングで
形成でき、工程数が増えないので好ましい。

【００４０】本発明にかかわる液晶表示装置のソース線
の形成方法は、薄膜トランジスタ基板、対向基板および
液晶材料を有し、該薄膜トランジスタ基板上にゲート
線、ソース線および薄膜トランジスタ基板が形成され、
少なくともソース側において、前記ソース線の両端にそ
れぞれソース端子が設けられ、該ソース線がその中央部
で第２の抵抗体を介して接続されており、該ソース端子
から同一のソース信号が同時に入力される液晶表示装置
の前記ソース線の形成方法であって、（１）前記第２の
抵抗体部分以外のソース線をパターニングによって形成
し、（２）前記第２の抵抗体をパターニングによって形
成する。

【００４１】前記第２の抵抗体の抵抗値が前記ソース線
の抵抗値の０．０５倍以上４倍以下であると、断線検査
の判定基準に対して余裕をもたせることができ、ソース
線の断線検査を容易に行うことができるので好ましい。

【００４２】前記第２の抵抗体を、前記ソース線と同一
の材料を用いて、前記ソース線の厚さよりも薄くして形
成すると、線幅を変更せずに形成できるので断線が生じ
にくいので好ましい。

【００４３】前記第２の抵抗体を、前記ソース線よりも
比抵抗の高い材料を用いて形成すると、抵抗値の設定の
自由度が増すので好ましい。

【００４４】前記工程（１）において、前記第２の抵抗
体部分が前記ソース線の線幅よりも細い線幅とされてい
る配線パターンを付加し、前記ソース線と同一の材料を
用いて前記第２の抵抗体とあわせてパターニングして形
成すると、１回のパターニングで形成でき、工程数が増
えないので好ましい。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照しつつ、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。

【００４６】実施の形態１．図１は、本発明の一実施の
形態にかかわるＡＭ−ＬＣＤを概念的に示した平面説明
図である。図１において、１はＴＦＴアレイ基板であ
り、２は対向基板であり、３はゲート用ＴＡＢＩＣであ
り、４はゲート側ＰＣＢであり、５はソース用ＴＡＢＩ
Ｃであり、６はソース側ＰＣＢであり、７はソース線の
分割部であり、９は抵抗体（第１の抵抗体）である。対
向基板２は、ＴＦＴアレイ基板とのあいだに、たとえば
３〜５μｍ程度の所望の値の隙間を保ってＴＦＴアレイ
基板と平行に配設されるので、図１においては２点鎖線
で示されている。符号１〜６で示した各々の要素そのも
のは従来技術によるものと同じである。なお、図１にお
いては、ソース線が分割されている例を示したが、分割
されていないものであってもよい。

【００４７】本実施の形態において、従来は２つに分割
されていたゲート線をその分割部分において抵抗体を介
して接続するようにした点のほかは、従来と同じであ
る。以下、本実施の形態にかかわるＡＭ−ＬＣＤの構成
要素のそれぞれについて詳細に説明する。ＴＦＴアレイ
基板１は、たとえば、ガラス基板などからなり、厚さ
０．７ｍｍ程度の絶縁性基板上にゲート線、ソース線、
ＴＦＴなどが配設されている。

【００４８】ゲート線は、その中央部で分割されてお
り、かつ、分割された隙間、たとえば１０μｍ程度の隙
間に抵抗体が配設されている。すなわち、ゲート線はこ
の抵抗体を介して接続されており、２つに分割された１
つを１本と数えると、複数本たとえばＵＸＧＡディスプ
レイでは１２００本が互いに平行かつ等間隔にＴＦＴア
レイ基板の左右に横断する方向に配設されている。ゲー
ト線のうち、抵抗体を除く部分（以下、「ゲート線本来
の部分」というはアルミニウムなどによって形成されて
いる。このとき、抵抗体の抵抗値は、分割されたゲート
線１本の抵抗値の０．０５倍以上４倍以下である（抵抗
体で接続された両側をあわせて１本と数えるならば、
０．１倍以上８倍以下）。０．０５倍以上と限定する理
由は、両側からゲート信号を入力して駆動するうえで、
電気的に充分な分離効果をうるためである。これによっ
て、双方の信号の干渉を抑制できる。また、４倍以下と
限定する理由は、ゲート線の断線検査の判定基準に対し
て充分余裕をもたせてゲート線の断線検査を容易に行う
ためである。ただし、このとき、２分割されたゲート線
のそれぞれの抵抗値は同じであるとする。ゲート線のう
ち、抵抗体の部分は、ゲート線本来の部分と同じ材料で
形成するばあいには、ゲート線本来の部分の線幅よりも
細くするか、またはゲート線本来の部分の厚さよりも薄
くして形成される。さらに、ゲート線本来の部分と比抵
抗の異なる材料で形成することもでき、比抵抗の異なる
材料としては、たとえばニッケル・クロム合金やニッケ
ル・クロム・アルミニウム合金などが用いられる。

【００４９】一方、ソース線は、アルミニウムやモリブ
デンやクロムなどからなる。本実施の形態では、ソース
線が２つのソース線に分割されているので、分割された
それぞれを１本として、たとえばＵＸＧＡディスプレイ
では９６００本が互いに平行かつ等間隔に配設されてい
る。さらにソース線は、絶縁膜を介してゲート線に直交
するようにＴＦＴアレイ基板の上下に縦断する方向に配
設されている。

【００５０】絶縁膜はたとえばシリコン窒化膜などから
なり、厚さ４００ｎｍ程度に成膜されている。ＴＦＴは
ゲート電極、絶縁膜、半導体膜、ソース電極、ドレイン
電極などからなり、半導体膜は、たとえば、アモルファ
スシリコンなどが厚さ１００ｎｍ程度で形成されてい
る。ゲート電極はゲート線に接続されており、ゲート線
と同じ材料で形成されている。ソース電極はソース線に
接続されており、ソース電極とドレイン電極は同じ材
料、たとえばアルミニウムなどで厚さ４００ｎｍ程度に
形成されている。ゲート線の両端に設けるゲート端子は
ゲート線と同じ材料またはインジウム・スズ酸化物（in
dium tin oxide、以下、略して「ＩＴＯ」という）で形
成されている。右側のソース線の右側の端部、左側のソ
ース線の左側の端部にそれぞれ設けるソース端子はソー
ス線と同じ材料またはＩＴＯで形成されている。

【００５１】ゲート線を介してゲート電極にゲート信号
を送るためのゲート用ＴＡＢＩＣは、たとえば、ポリイ
ミド樹脂フィルムなどからなり、ゲート駆動ＩＣが実装
されている。たとえば、ゲート線の３８４本ごとに１個
の割合で実装され、ゲート側ＰＣＢとゲート線の入力端
子とを接続しているゲート側ＰＣＢは、たとえばガラス
エポキシ樹脂基板などからなる。

【００５２】ソース線を介してソース電極にソース信号
を送るためのソース用ＴＡＢＩＣは、たとえば、ポリイ
ミド樹脂フィルムなどからなり、ソース駆動ＩＣが実装
されている。たとえば、ソース線の３８４本ごとに１個
の割合で実装され、ソース側ＰＣＢとソース端の入力端
子とを接続しているソース側ＰＣＢは、たとえば、ガラ
スエポキシ樹脂基板などからなる。

【００５３】本実施の形態にかかわる液晶表示装置の製
法は、ゲート線の形成方法以外は、従来のＡＭ−ＬＣＤ
の製法と同じである。ゲート線の形成方法について説明
する。前述したように抵抗体をゲート線本来の部分の線
幅よりも細くして形成するばあいには抵抗体部分がゲー
ト線本来の部分の線幅よりも細い線幅とされている配線
パターンを用いてパターニングしてゲート線本来の部分
と同一の材料を用いて形成する。このばあい、パターニ
ングの際のパターンを変更することによって、１回のパ
ターニングで抵抗体を形成する。このようにパターニン
グ形状を変更する以外は従来と同じである。また、抵抗
体をゲート線本来の部分の厚さよりも薄くして形成する
ばあいには、厚さが薄くなるように２回に分けて成膜・
パターニングする。線幅を変更しないので、断線が生じ
にくい。さらに、抵抗体を、ゲート線本来の部分の材料
と比抵抗の異なる材料で形成するばあいは、厚さを薄く
形成するばあいと同様に、はじめ抵抗体部分以外のゲー
ト線を従来と同様に分割した状態の配線パターニングを
用いてパターニングしたのち、抵抗体部分をパターニン
グする。このとき、抵抗体の比抵抗が高くなるよう材料
が変更される。したがって、抵抗値の選択の自由度が増
す。

【００５４】つぎに、本実施の形態にかかわるＡＭ−Ｌ
ＣＤの駆動方法について説明する。

【００５５】本実施の形態においては、ゲート線には両
側から同一のゲート信号ＳＧを入力する。また、ソース
線には両側から、それぞれ互いに独立のソース信号ＳＳ
ＲおよびＳＳＬを入力する。

【００５６】このとき、ある１個のゲート信号は、この
ゲート信号が入力されるゲート線についてはゲート線の
両側に設けた各ゲート端子から同時に入力される。

【００５７】両側のゲート端子から同時に同一のゲート
信号を入力すると、一方のゲート端子から非常に遠いポ
イント、すなわち、表示領域の中央部付近では他方のゲ
ート端子からの同一のゲート信号により希望する電位に
達している。ゲート信号は、単純な矩形のパルス信号で
あるが、デューティ比は数百分の１程度であるので表示
領域の中央部付近で他方のゲート端子からのゲート信号
との干渉の問題は生じにくいが、本実施の形態において
は、ゲート線は、その中央部で抵抗体を介して接続され
ているので、同一のゲート信号を両側のゲート端子から
同時に入力するばあいでも、干渉の問題はほとんど生じ
ない。このとき、ゲート信号のパルス幅を短くして干渉
を低減することも併用できる。また、信号遅延は、両側
のゲート端子からみて同じ大きさの負荷となる中央部で
最大となるものの、ゲート線本来の部分の抵抗の値が分
割を行わない設計のものの１／２であり、容量の値も従
来の１／２であることから信号遅延が１／４となる効果
は同じである。

【００５８】一方、ソース信号は、本実施の形態では２
つのソース線に分割されているので、２つのソース線の
一方に対してたとえばソース信号ＳＳＲ、他方に対して
ソース信号ＳＳＬをそれぞれ入力する。

【００５９】このようにして完成した液晶表示装置にお
いては、以上説明したようにゲート線の両側から同一の
ゲート信号を入力するので、ゲート信号の遅延が１／４
であり、かつ、ソース線を上下に２分割してそれぞれ独
立にソース信号を入力するので、ゲート選択時間が２倍
になるというメリットを生かしつつ従来は分割されてい
たゲート線が抵抗体を介して接続されているのでプロー
ビングが可能となって断線検査を行うことができるとい
う本発明の効果により、本発明にかかわる液晶表示装置
は高精細かつ大画面の画質の優れた表示が可能となっ
た。

【００６０】本実施の形態の説明として、ソース線が分
割されていて、ソース線の両側からソース信号を入力す
るものについて説明したが、ソース線が分割されず、ソ
ース線の片側からソース信号を入力するものであっても
抵抗体を介して接続するゲート線によってえられる効果
は同じである。また、さらに、分割されたソース線を、
実施の形態２で説明するように、抵抗体（第２の抵抗
体）で接続し、両側からソース信号を入力する構成とす
ることもでき、同様の効果をうる。

【００６１】さらに従来用いられていたアモルファスシ
リコンからなるＴＦＴをそのまま用いることができるの
でＴＦＴアレイ基板の製造ラインやプロセスをそのまま
利用できるという効果がある。また、ＴＡＢＩＣに用い
られるＩＣの性能も従来のままでよいという効果もあ
る。

【００６２】実施の形態２．実施の形態１においては、
ゲート線のみ抵抗体を介して接続する構成としたが、ソ
ース線に対して抵抗体を介して接続する構成としたの
が、本実施の形態である。図２は、本発明の他の実施の
形態にかかわるＡＭ−ＬＣＤを概念的に示した平面説明
図であり、１０は抵抗体（第２の抵抗体）であり、その
他の符号は図１と共通である。

【００６３】図２に示されるように、本実施の形態にお
いて、従来、上下に２分割されていたソース線は抵抗体
１０を介して接続されている。抵抗体（第２の抵抗体）
について、ソース線と同一の材料を用いて厚さを薄くし
て形成する、または、ソース線と同一の材料を用いて線
幅を細くして形成する、さらに、ソース線とは比抵抗の
異なる材料たとえばニッケル・クロム合金やニッケル・
クロム・アルミニウム合金を用いて形成するという３つ
の方法についても実施の形態１と同様に行なうことがで
きる。したがって、線幅を細くするばあいは１回のパタ
ーニング、他の２つのばあいは２回のパターニングとな
る。ゲート側は、２つの分割されたゲート線を抵抗体
（第１の抵抗体）で接続して両側からゲート信号を入力
する構成としてもよいし、分割せず片側からゲート信号
を入力する構成としてもよい。その他の点は実施の形態
１と同じである。本実施の形態のばあい、ソース線の断
線検査ができ、しかも抵抗体によって、信号相互の干渉
を防止できる。したがって、ソース線の両側から同一の
ソース信号を入力するとともにゲート線に対しては、実
施の形態１に示したように分割された２つのゲート線を
抵抗体を介して接続し、両側からゲート信号を入力して
もよいし、または分割せず片側からゲート信号を入力し
てもよい。その他の点は実施の形態１と同じである。

【００６４】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、本発明に
かかわる液晶表示装置は、少なくともゲート側において
ゲート線の両端にゲート端子が設けられ、前記ゲート線
が２つのゲート線に分割され、該ゲート端子のそれぞれ
から同一のゲート信号が入力される液晶表示装置であっ
て、前記２つのゲート線が第１の抵抗体を介して接続さ
れているので、ゲート信号の遅延を１／４にできるとと
もに、ゲート線およびソース線の断線検査を行うことが
でき、さらに双方の信号の干渉を抑えることができるの
で高精細かつ大型の液晶表示装置を歩留よくうる効果を
奏する。

【００６５】請求項２記載の発明によれば、前記第１の
抵抗体の抵抗値が前記２つのゲート線のうちの１つの抵
抗値の０．１倍以上８倍以下であるので、断線検査の判
定基準に対して余裕をもたせて容易に断線検査を行うこ
とができる効果を奏する。

【００６６】請求項３記載の発明によれば、前記第１の
抵抗体が、前記ゲート線と同一の材料からなり、前記ゲ
ート線の厚さよりも薄くして形成された抵抗体であるの
で、線幅を変更せず形成でき、断線が生じにくいという
効果を奏する。

【００６７】請求項４記載の発明によれば、前記第１の
抵抗体が、前記ゲート線と同一の材料からなり、前記ゲ
ート線の線幅よりも細くして形成された抵抗体であるの
で、１回のパターニングで形成でき、工程数が増えない
という効果を奏する。

【００６８】請求項５記載の発明によれば、前記第１の
抵抗体が、前記ゲート線よりも比抵抗の高い材料からな
る抵抗体であるので、抵抗値の設定の自由度が増すとい
う効果を奏する。

【００６９】請求項６記載の発明によれば、薄膜トラン
ジスタ基板、対向基板および液晶材料を有し、該薄膜ト
ランジスタ基板上にゲート線、ソース線および薄膜トラ
ンジスタが形成され、少なくともソース側において前記
ソース線の両端にそれぞれソース端子が設けられ、該ソ
ース線が２つのソース線に分割され、該ソース端子から
同一のソース信号が同時に入力される液晶表示装置であ
って、前記２つのソース線が第２の抵抗体を介して接続
されているので、ソース線に対しても断線検査を行うこ
とができ双方の信号の干渉を抑えることができる効果を
奏する。

【００７０】請求項７記載の発明によれば、前記第２の
抵抗体の抵抗値が前記２つのソース線のうちの１つの抵
抗値の０．１倍以上８倍以下であるので、断線検査の判
定基準に対して余裕をもたせて容易に断線検査を行うこ
とができる効果を奏する。

【００７１】請求項８記載の発明によれば、前記第２の
抵抗体が、前記ソース線と同一の材料からなり、前記ソ
ース線の厚さよりも薄くして形成された抵抗体であるの
で、線幅を変更せず形成でき、断線が生じにくいという
効果を奏する。

【００７２】請求項９記載の発明によれば、前記第２の
抵抗体が、前記ソース線と同一の材料からなり、前記ソ
ース線の線幅よりも細くして形成された抵抗体であるの
で、１回のパターニングで形成でき、工程数が増えない
という効果を奏する。

【００７３】請求項１０記載の発明によれば、前記第２
の抵抗体が、前記ソース線よりも比抵抗の高い材料から
なる抵抗体であるので、抵抗値の設定の自由度が増すと
いう効果を奏する。

【００７４】請求項１１記載の発明によれば、本発明に
かかわる液晶表示装置のゲート線形成方法は、薄膜トラ
ンジスタ基板、対向基板および液晶材料を有し、該薄膜
トランジスタ基板上にゲート線、ソース線および薄膜ト
ランジスタ基板が形成され、少なくともゲート側におい
て、前記ゲート線の両側にゲート端子が設けられ、前記
ゲート線がその中央部で第１の抵抗体を介して接続され
ており、該ゲート端子のそれぞれから同一のゲート信号
が入力される液晶表示装置の前記ゲート線の形成方法で
あって、（１）前記第１の抵抗体部分以外のゲート線を
パターニングによって形成し、（２）前記第１の抵抗体
をパターニングによって形成するゲート線の形成方法で
あるので、通常の製法を大きく変更することなく適切な
抵抗体を形成することができるという効果を奏する。

【００７５】請求項１２記載の発明によれば、前記第１
の抵抗体の抵抗値が前記ゲート線の抵抗値の０．０５倍
以上４倍以下であるので、断線検査の判定基準に対して
余裕をもたせて容易に断線検査を行うことができるとい
う効果を奏する。

【００７６】請求項１３記載の発明によれば、前記第１
の抵抗体を、前記ゲート線と同一の材料を用いて、前記
ゲート線の厚さよりも薄くして形成するので、線幅を変
更せず形成でき、成膜条件や方法を大きく変更し厳しく
する必要がなく、断線が生じにくいという効果を奏す
る。

【００７７】請求項１４記載の発明によれば、前記第１
の抵抗体を、前記ゲート線よりも比抵抗の高い材料を用
いて形成するので、材料の選択の自由度が大きく、抵抗
値の設定の自由度が増し、成膜条件を厳しくする必要が
ないという効果を奏する。

【００７８】請求項１５記載の発明によれば、前記工程
（１）において、前記第１の抵抗体部分が前記ゲート線
の線幅よりも細い線幅とされている配線パターンを付加
し、前記ゲート線と同一の材料を用いて前記ゲート線を
前記第１の抵抗体とあわせて同時にパターニングして形
成するので、１回のパターニングで形成でき、工程数が
増えないという効果を奏する。

【００７９】請求項１６記載の発明によれば、本発明に
かかわる液晶表示装置のソース線形成方法は、少なくと
もソース側において、前記ソース線の両端にそれぞれソ
ース端子が設けられ、該ソース線がその中央部で第２の
抵抗体を介して接続されており、該ソース端子から独立
のソース信号が入力される液晶表示装置の前記ソース線
の形成方法であって、（１）前記第２の抵抗体部分以外
のソース線をパターニングによって形成し、（２）前記
第２の抵抗体をパターニングによって形成するソース線
の形成方法であるので、通常の製法を大きく変更するこ
となく適切な抵抗体を形成することができるという効果
を奏する。

【００８０】請求項１７記載の発明によれば、前記第２
の抵抗体の値が前記ソース線の抵抗値の０．０５倍以上
４倍以下であるので、断線検査の判定基準に対して余裕
をもたせて容易に断線検査を行うことができるという効
果を奏する。

【００８１】請求項１８記載の発明によれば、前記第２
の抵抗体を、前記ソース線と同一の材料を用いて、前記
ソース線の厚さよりも薄くして形成するので、線幅を変
更せず形成でき、成膜条件や方法を大きく変更し厳しく
する必要がなく、断線が生じにくいという効果を奏す
る。

【００８２】請求項１９記載の発明によれば、前記第２
の抵抗体を、前記ソース線よりも比抵抗の高い材料を用
いて形成するので、材料の選択の自由度が大きく、抵抗
値の設定の自由度が増し、成膜条件を厳しくする必要が
ないという効果を奏する。

【００８３】請求項２０記載の発明によれば、本発明に
かかわる液晶表示装置のソース線形成方法は、前記工程
（１）において、前記第２の抵抗体部分が前記ソース線
の線幅よりも細い線幅とされている配線パターンを付加
し、前記ソース線と同一の材料を用いて前記第２の抵抗
体とあわせてパターニングして形成するソース線の形成
方法なので、それぞれ１回のパターニングで形成でき、
断線が生じにくいという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態にかかわる液晶表示装
置を概念的に示した平面説明図である。

【図２】本発明の他の実施の形態にかかわる液晶表示
装置を概念的に示した平面説明図である。

【図３】従来の液晶表示装置を概念的に示した平面説
明図である。

【図４】従来の液晶表示装置を概念的に示した平面説
明図である。

【符号の説明】

１ＴＦＴアレイ基板、２対向基板、３ゲート用Ｔ
ＡＢＩＣ、４ゲート側ＰＣＢ、５ソース用ＴＡＢＩ
Ｃ、６ソース側ＰＣＢ、７，８分割部、９第１の
抵抗体、１０第２の抵抗体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜トランジスタ基板、対向基板および
液晶材料を有し、該薄膜トランジスタ基板上にゲート
線、ソース線および薄膜トランジスタが形成され、少な
くともゲート側において、前記ゲート線の両端にゲート
端子が設けられ、前記ゲート線が２つのゲート線に分割
され、該ゲート端子のそれぞれから同一のゲート信号が
同時に入力される液晶表示装置であって、前記２つのゲ
ート線が第１の抵抗体を介して接続されてなる液晶表示
装置。
【請求項２】前記第１の抵抗体の抵抗値が前記２つの
ゲート線のうちの１つの抵抗値の０．１倍以上８倍以下
である請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記第１の抵抗体が、前記ゲート線と同
一の材料からなり、前記ゲート線の厚さよりも薄くして
形成された抵抗体である請求項１または２記載の液晶表
示装置。
【請求項４】前記第１の抵抗体が、前記ゲート線と同
一の材料からなり、前記ゲート線の線幅よりも細くして
形成された抵抗体である請求項１または２記載の液晶表
示装置。
【請求項５】前記第１の抵抗体が、前記ゲート線より
も比抵抗の高い材料からなる抵抗体である請求項１また
は２記載の液晶表示装置。
【請求項６】薄膜トランジスタ基板、対向基板および
液晶材料を有し、該薄膜トランジスタ基板上にゲート
線、ソース線および薄膜トランジスタが形成され、少な
くともソース側において、前記ソース線の両端にそれぞ
れソース端子が設けられ、該ソース線が２つのソース線
に分割され、該ソース端子から同一のソース信号が同時
に入力される液晶表示装置であって、前記２つのソース
線が第２の抵抗体を介して接続されてなる液晶表示装
置。
【請求項７】前記第２の抵抗体の抵抗値が前記２つの
ソース線のうちの１つの抵抗値の０．１倍以上８倍以下
である請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項８】前記第２の抵抗体が、前記ソース線と同
一の材料からなり、前記ソース線の厚さよりも薄くして
形成された抵抗体である請求項６または７記載の液晶表
示装置。
【請求項９】前記第２の抵抗体が、前記ソース線と同
一の材料からなり、前記ソース線の線幅よりも細くして
形成された抵抗体である請求項６または７記載の液晶表
示装置。
【請求項１０】前記第２の抵抗体が、前記ソース線よ
りも比抵抗の高い材料からなる抵抗体である請求項６ま
たは７記載の液晶表示装置。
【請求項１１】薄膜トランジスタ基板、対向基板およ
び液晶材料を有し、該薄膜トランジスタ基板上にゲート
線、ソース線および薄膜トランジスタ基板が形成され、
少なくともゲート側において、前記ゲート線の両側にゲ
ート端子が設けられ、前記ゲート線がその中央部で第１
の抵抗体を介して接続されており、該ゲート端子のそれ
ぞれから同一のゲート信号が同時に入力される液晶表示
装置の前記ゲート線の形成方法であって、（１）前記第
１の抵抗体部分以外のゲート線をパターニングによって
形成し、（２）前記第１の抵抗体をパターニングによっ
て形成する液晶表示装置のゲート線の形成方法。
【請求項１２】前記第１の抵抗体の抵抗値が前記ゲー
ト線の抵抗値の０．０５倍以上４倍以下である請求項１
１記載の液晶表示装置のゲート線の形成方法。
【請求項１３】前記第１の抵抗体を、前記ゲート線と
同一の材料を用いて、前記ゲート線の厚さよりも薄くし
て形成する請求項１１記載の液晶表示装置のゲート線の
形成方法。
【請求項１４】前記第１の抵抗体を、前記ゲート線よ
りも比抵抗の高い材料を用いて形成する請求項１１記載
の液晶表示装置のゲート線の形成方法。
【請求項１５】前記工程（１）において、前記第１の
抵抗体部分が前記ゲート線の線幅よりも細い線幅とされ
ている配線パターンを付加し、前記ゲート線と同一の材
料を用いて前記ゲート線を前記第１の抵抗体とあわせて
同時にパターニングして形成する請求項１１記載の液晶
表示装置のゲート線の形成方法。
【請求項１６】薄膜トランジスタ基板、対向基板およ
び液晶材料を有し、該薄膜トランジスタ基板上にゲート
線、ソース線および薄膜トランジスタ基板が形成され、
少なくともソース側において、前記ソース線の両端にそ
れぞれソース端子が設けられ、該ソース線がその中央部
で第２の抵抗体を介して接続されており、該ソース端子
から同一のソース信号が同時に入力される液晶表示装置
の前記ソース線の形成方法であって、（１）前記第２の
抵抗体部分以外のソース線をパターニングによって形成
し、（２）前記第２の抵抗体をパターニングによって形
成する液晶表示装置のソース線の形成方法。
【請求項１７】前記第２の抵抗体の抵抗値が前記ソー
ス線の抵抗値の０．０５倍以上４倍以下である請求項１
６記載の液晶表示装置のソース線の形成方法。
【請求項１８】前記第２の抵抗体を、前記ソース線と
同一の材料を用いて、前記ソース線の厚さよりも薄くし
て形成する請求項１６記載の液晶表示装置のソース線の
形成方法。
【請求項１９】前記第２の抵抗体を、前記ソース線よ
りも比抵抗の高い材料を用いて形成する請求項１６記載
の液晶表示装置のソース線の形成方法。
【請求項２０】前記工程（１）において、前記第２の
抵抗体部分が前記ソース線の線幅よりも細い線幅とされ
ている配線パターンを付加し、前記ソース線と同一の材
料を用いて前記第２の抵抗体とあわせてパターニングし
て形成する請求項１６記載の液晶表示装置のソース線の
形成方法。