TWI739988B - 電子零件包裝體、及電子零件之收納方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種收納低高度化與強度之確保同時實現之電子零件之包裝體、及將該電子零件收納於包裝體之方法。 本發明之電子零件包裝體具備電子零件、收納部及密封部。上述電子零件具有坯體，該坯體包含沿著長度方向翹曲成凸狀之第1主面、及沿著上述長度方向翹曲成凹狀之第2主面，且上述第1主面與上述第2主面之間之距離為50 μm以下。上述收納部設置有複數個凹部，該等凹部具備取出口且以上述第1主面朝向上述取出口側之狀態收納上述電子零件。上述密封部覆蓋上述凹部之上述取出口。
Description
本發明係關於一種電子零件包裝體、及將電子零件收納於包裝體之方法。
近年來，隨著電子機器之小型化，使用於電子機器之積層陶瓷電子零件低高度化之要求正在提高。另一方面，此種積層陶瓷電子零件存在隨著低高度化而強度變弱之課題。 因此，例如於專利文獻1中，記載有一種技術，其為了確保經低高度化之積層陶瓷電容器之強度，而使外部電極之厚度變薄且相應地使坯體變厚。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2014-130999號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，專利文獻1中記載之積層陶瓷電容器即便隨著陶瓷本體之厚度變薄而使外部電極之厚度變薄，亦難以確保坯體之強度。 由此，專利文獻1中記載之積層陶瓷電容器有於電路基板等之組裝步驟中，利用貼片機等自包裝體取出並安裝於基板等時受到損傷之虞。 鑒於如上所述之情況，本發明之目的在於以提供一種收納低高度化與強度之確保同時實現之電子零件之包裝體、及將該電子零件收納於包裝體之方法為目的。 [解決問題之技術手段] 為了達成上述目的，本發明之一形態之電子零件包裝體具備電子零件、收納部及密封部。 上述電子零件具有坯體，該坯體包含沿著長度方向翹曲成凸狀之第1主面、及沿著上述長度方向翹曲成凹狀之第2主面，且上述第1主面與上述第2主面之間之距離為50 μm以下。 上述收納部設置有複數個凹部，該等凹部具備取出口且以上述第1主面朝向上述取出口側之狀態收納上述電子零件。 上述密封部覆蓋上述凹部之上述取出口。 於該構成中，收納於凹部之電子零件成為翹曲成凸狀之第1主面朝向取出口之狀態。藉此，該電子零件係經低高度化之構成，並且對自第1主面側施加之應力之抗彎強度提高。 因此，根據本發明，能夠提供一種收納低高度化與強度之確保同時實現之電子零件之電子零件包裝體。 亦可為，上述電子零件係陶瓷電子零件。 亦可為，上述陶瓷電子零件係由絕緣性陶瓷所構成，且包含分別構成上述第1主面及上述第2主面之第1罩部及第2罩部之積層陶瓷電子零件。 亦可為，與上述第1主面之上述長度方向之端部相切之切線彼此相交的角度為170°以上且176°以下。 亦可為，上述第1與第2罩部之絕緣性陶瓷之粒子之密度互不相同。 亦可為，上述第1與第2罩部之絕緣性陶瓷之粒徑互不相同。 亦可為，上述第1與第2罩部中含有之添加元素之含量互不相同。 亦可為，上述添加元素係選自鎂、錳、鋁、鈣、釩、鉻、鋯、鉬、鎢、鉭、鈮、矽、硼、釔、銪、釓、鏑、鈥、鉺、鐿、鋰、鉀及鈉中之至少1種以上之元素。 亦可為，上述收納部為載帶，且 上述密封部為覆帶。 為了達成上述目的，本發明之一形態之電子零件之收納方法係準備設置有具有取出口之複數個凹部之收納部。 準備具有坯體之複數個電子零件，上述坯體包含沿著長度方向翹曲成凸狀之第1主面、及沿著上述長度方向翹曲成凹狀之第2主面，且上述第1主面與上述第2主面之間之距離為50 μm以下。 以上述第1主面朝向上述取出口側之方式，將上述複數個電子零件逐個收納於上述複數個凹部。 於上述收納方法中，收納於凹部之電子零件成為翹曲成凸狀之第1主面朝向取出口側之狀態。藉此，該電子零件之對自第1主面側施加之應力之抗彎強度提高。 因此，根據本發明，藉由利用上述收納方法將具有經低高度化之坯體之電子零件收納於凹部，而電子零件包裝體成為收納低高度化與抗彎強度之確保同時實現之電子零件之構成。 [發明之效果] 能夠提供一種收納低高度化與強度之確保同時實現之電子零件之包裝體、及將該電子零件收納於包裝體之方法。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。 於圖式中，適當示出相互正交之X軸、Y軸及Z軸。X軸、Y軸及Z軸於所有圖中為共通。 1.積層陶瓷電容器包裝體100之構成 圖1係本發明之一形態之積層陶瓷電容器包裝體100之俯視圖。圖2係積層陶瓷電容器包裝體100之沿著圖1之A-A'線之剖視圖。再者，本實施形態之積層陶瓷電容器包裝體100之構成不限定於圖1及圖2所示之構成。 積層陶瓷電容器包裝體100係如圖1所示般構成為長條狀。 積層陶瓷電容器包裝體100如圖2所示，具有收納部110、密封部120及積層陶瓷電容器10。於收納部110，如圖1所示般於Y軸方向隔開特定之間隔而設置有複數個凹部100b。 凹部100b如圖1及圖2所示，收納積層陶瓷電容器10，且具有將積層陶瓷電容器10自收納部110取出時之取出口100a。 本實施形態之收納部110典型而言為載帶，但並不限於此，亦可為呈格子狀排列有收納積層陶瓷電容器10之凹部100b之晶片托盤等。又，構成收納部110之材料亦無特別限定，例如亦可為合成樹脂或紙等。 密封部120係如圖2所示般積層於收納部110，且自Z軸方向覆蓋凹部100b之取出口100a。藉此，密封部120將收納積層陶瓷電容器10之凹部100b密封。又，本實施形態之密封部120構成為能夠沿Z軸方向自收納部110剝離。 本實施形態之密封部120典型而言為覆帶，但並不限於此。密封部120只要為能夠自收納部110剝離地積層且具有將凹部100b密封之功能之構件，則並無特別限定。 又，構成密封部120之材料亦無特別限定，例如為合成樹脂或紙等。進而，密封部120可為由與收納部110同種之材料所構成者，亦可為由不同之材料所構成者。 積層陶瓷電容器10係逐一收納於設置在收納部110之複數個凹部100b各者。此處，於本實施形態之積層陶瓷電容器包裝體100中，如圖2所示，積層陶瓷電容器10使翹曲成凸狀之面朝向取出口100a。關於積層陶瓷電容器10，將於下文進行敍述。 再者，為了便於說明，圖2所示之積層陶瓷電容器10係將翹曲之形狀強調表示，但實際上，並非極度地翹曲至圖2所示之程度。以下之圖4、圖6、圖9及圖10亦相同。 2.積層陶瓷電容器10之構成 圖3～圖5係表示本發明之一形態之積層陶瓷電容器10之圖。圖3係積層陶瓷電容器10之立體圖。圖4係積層陶瓷電容器10之沿著圖3之B-B'線之剖視圖。圖5係積層陶瓷電容器10之沿著圖3之C-C'線之剖視圖。 積層陶瓷電容器10具備坯體11、第1外部電極14及第2外部電極15。 典型而言，坯體11具有朝向Z軸方向之主面S1、S2、及朝向Y軸方向之2個側面S3、S4。連接坯體11之各面之稜部被倒角。再者，坯體11之形狀並不限定於此種形狀。 第1及第2外部電極14、15覆蓋坯體11之X軸方向兩端面，且沿與X軸方向兩端面連接之4個面延伸。藉此，於第1及第2外部電極14、15中，均係與X-Z平面平行之剖面及與X-Y軸平行之剖面之形狀成為U字狀。 積層陶瓷電容器10之總厚度即Z軸方向之尺寸D1(坯體11之主面S1、S2上之外部電極14、15之Z軸方向之尺寸與坯體11之Z軸方向之尺寸D2的合計)例如為數十μm左右，較佳為設為40 μm以下。又，於本實施形態中，坯體11之Z軸方向之尺寸D2為50 μm以下，較佳為設為30 μm以下。 於該情形時，較佳為將坯體11之縱橫比(坯體11之尺寸D2相對於X軸方向之尺寸之比率)設為0.2以下。 坯體11具有電容形成部18、第1罩部19a及第2罩部19b。 坯體11具有將複數個陶瓷層於Z軸方向上積層而成之構成。 電容形成部18具有複數個第1內部電極12、及複數個第2內部電極13。第1及第2內部電極12、13係於複數個陶瓷層之間沿著Z軸方向交替地配置。第1內部電極12連接於第1外部電極14，且與第2外部電極15絕緣。第2內部電極13連接於第2外部電極15，且與第1外部電極14絕緣。 第1及第2內部電極12、13分別由導電性材料所構成，且作為積層陶瓷電容器10之內部電極而發揮功能。作為該導電性材料，例如可使用包含鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)、或該等之合金之金屬材料，典型而言，採用以鎳(Ni)為主成分之金屬材料。 電容形成部18由陶瓷形成。於電容形成部18中，為了使第1內部電極12與第2內部電極13之間之各陶瓷層之電容變大，而使用高介電常數之材料作為構成陶瓷層之材料。於電容形成部18中，例如可使用鈦酸鋇(BaTiO3
)系材料之多晶體、即包含鋇(Ba)及鈦(Ti)之鈣鈦礦結構之多晶體。 又，電容形成部18亦可為鈦酸鍶(SrTiO3
)系、鈦酸鈣(CaTiO3
)系、鈦酸鎂(MgTiO3
)系、鋯酸鈣(CaZrO3
)系、鋯鈦酸鈣(Ca(Zr,Ti)O3
)系、鋯酸鋇(BaZrO3
)系或氧化鈦(TiO2
)系材料等之多晶體。 第1及第2罩部19a、19b分別覆蓋電容形成部18之Z軸方向上下表面。又，第1罩部19a具有主面S1，第2罩部19b具有主面S2。於罩部19a、19b未設置第1及第2內部電極12、13。 罩部19a、19b由陶瓷形成。構成罩部19a、19b之材料為絕緣性陶瓷，藉由使用與電容形成部18共通之組成系之陶瓷而抑制坯體11中之內部應力。 電容形成部18及罩部19a、19b除含有例如鋇(Ba)及鈦(Ti)以外，亦可還含有例如鎂(Mg)、錳(Mn)、鋁(Al)、鈣(Ca)、釩(V)、鉻(Cr)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、矽(Si)、硼(B)、釔(Y)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、鐿(Yb)、鋰(Li)、鉀(K)或鈉(Na)等金屬元素中之一種或複數種。 根據上述構成，於積層陶瓷電容器10中，若對第1外部電極14與第2外部電極15之間施加電壓，則對第1內部電極12與第2內部電極13之間之複數個陶瓷層施加電壓。藉此，於積層陶瓷電容器10中，儲存與第1外部電極14與第2外部電極15之間之電壓對應之電荷。 再者，本實施形態之積層陶瓷電容器10只要具備電容形成部18及罩部19a、19b即可，可對其他構成進行適當變更。例如，第1及第2內部電極12、13之片數可根據對積層陶瓷電容器10所要求之尺寸或性能而適當決定。 又，於圖4、圖5中，為了便於觀察第1與第2內部電極12、13之對向狀態，而將第1及第2內部電極12、13之片數分別保持為4片。但是，實際上設置有更多之第1及第2內部電極12、13以確保積層陶瓷電容器10之電容。 圖6係將圖2所示之區域E放大表示之模式圖。再者，於圖6中，將密封部120之圖示省略。 積層陶瓷電容器包裝體100之收納於收納部110之積層陶瓷電容器10如圖6所示，具有沿著X軸方向(長度方向)以向Z軸方向上方凸出之方式翹曲之形狀。即，積層陶瓷電容器10如該圖所示，朝向Z軸方向之主面S1沿著X軸方向翹曲成凸狀，與主面S1為相反側之主面S2沿著X軸方向翹曲成凹狀。 尤其是，於本實施形態之積層陶瓷電容器10中，較佳為將與主面S1之X軸方向之端部相切之切線L1彼此相交的角度A1設為170°以上且176°以下。換言之，較佳為將積層陶瓷電容器10之平行於X軸方向之假想線L2與切線L1所成之角度A2設為2°以上且5°以下。 此處，於本實施形態之積層陶瓷電容器包裝體100中，如圖6所示，收納於凹部100b之積層陶瓷電容器10成為翹曲成凸狀之主面S1朝向取出口100a之狀態。 藉此，積層陶瓷電容器10係坯體11之Z軸方向之尺寸D2為50 μm以下之經低高度化之構成，並且對自主面S1側施加之應力之抗彎強度提高。 具體而言，積層陶瓷電容器10與具有坯體11不翹曲之通常之構成之積層陶瓷電容器相比較，上述抗彎強度提高20%左右。 因此，例如於電路基板等之組裝步驟中，即便於利用貼片機等將積層陶瓷電容器10自取出口100a取出並安裝於基板等時，對積層陶瓷電容器10自主面S1側施加較強之應力，亦抑制積層陶瓷電容器10之損傷。 即，本實施形態之積層陶瓷電容器包裝體100成為如下構成，即，藉由以翹曲成凸狀之主面S1朝向取出口100a側之方式收納積層陶瓷電容器10，而收納低高度化與上述抗彎強度之確保同時實現之積層陶瓷電容器10。積層陶瓷電容器10之翹曲方向例如可藉由圖像處理而篩選。 3.積層陶瓷電容器10之製造方法 圖7係表示積層陶瓷電容器10之製造方法之流程圖。圖8及圖9係表示積層陶瓷電容器10之製造過程之圖。以下，一面按照圖7並適當參照圖8及圖9，一面對積層陶瓷電容器10之製造方法進行說明。 3.1 步驟S01：準備未煅燒之坯體 於步驟S01中，準備成為坯體11之基礎之未煅燒之坯體111。圖8係坯體111之分解立體圖。於圖8中，為了便於說明，將第1及第2陶瓷層101、102、第1罩部119a、及第2罩部119b分解表示。但是，於實際之坯體111中，係將第1及第2陶瓷層101、102與罩部119a、119b一體化。 坯體111如圖8所示，具有與電容形成部18對應之未煅燒之電容形成部118、與罩部19a對應之未煅燒之第1罩部119a、及與罩部19b對應之未煅燒之第2罩部119b。電容形成部118如該圖所示，係將第1陶瓷層101與第2陶瓷層102於Z軸方向上交替地積層而成之構成。 罩部119a、119b積層於電容形成部118之Z軸方向上下表面。第1與第2陶瓷層101、102及罩部119a、119b之厚度並無特別限定，但較佳為設為0.5 μm以上且3.0 μm以下。 此處，於本實施形態中，覆蓋電容形成部118之Z軸方向上下表面之罩部119a、119b中之一罩部相較於另一罩部，絕緣性陶瓷之粒子高密度地凝聚。 再者，於圖8所示之例中，由4片第1及第2陶瓷層101、102構成電容形成部118，且分別由3片陶瓷層構成罩部119a、119b，但並不限於此。第1與第2陶瓷層101、102、及構成罩部119a、119b之陶瓷層之片數可適當進行變更。 又，於第1及第2陶瓷層101、102分別形成與第1內部電極12對應之未煅燒之第1內部電極112、及與第2內部電極13對應之未煅燒之第2內部電極113。再者，於罩部119a、119b不形成未煅燒之內部電極。於坯體111中，於X軸方向兩端面中之一端面，第1內部電極112露出，於另一端面第2內部電極113露出。 第1及第2內部電極112、113例如可使用包含鎳(Ni)之導電性膏形成。於利用導電性膏形成第1及第2內部電極112、113時，例如可使用網版印刷法或凹版印刷法。 3.2 步驟S02：煅燒步驟 於步驟S02中，藉由對步驟S01中所獲得之未煅燒之坯體111進行煅燒，而製作圖3～圖5所示之積層陶瓷電容器10之坯體11。 即，藉由步驟S02，第1及第2內部電極112、113成為第1及第2內部電極12、13，電容形成部118成為電容形成部18，罩部119a、119b分別成為罩部19a、19b。 步驟S02中之坯體111之煅燒溫度可基於電容形成部118及罩部119a、119b之燒結溫度而決定。例如於使用鈦酸鋇(BaTiO3
)系材料作為陶瓷之情形時，坯體111之煅燒溫度可設為1000～1400℃左右。又，煅燒例如可於還原氣體氛圍下、或低氧分壓氣體氛圍下進行。 此處，於在之前之步驟S01中所獲得之坯體111中，自Z軸方向覆蓋電容形成部118之罩部119a、119b中之一罩部相較於另一罩部，絕緣性陶瓷之粒子高密度地凝聚。 藉此，於對未煅燒之坯體111進行煅燒時，罩部119a、119b之收縮率互不相同，罩部119a、119b中之陶瓷粒子之密度較低之罩部相較於陶瓷粒子之密度較高的罩部，更大程度地收縮。 因此，於步驟S02中，藉由對未煅燒之坯體111進行煅燒，能夠獲得具有沿著X軸方向(長度方向)翹曲之形狀之坯體11。 圖9係煅燒後之坯體11之剖視圖。本實施形態之藉由對坯體111進行煅燒而獲得之坯體11如圖9所示，主面S1沿著X軸方向翹曲成凸狀，且與主面S1為相反側之主面S2沿著X軸方向翹曲成凹狀。 3.3 步驟S03：外部電極形成步驟 於步驟S03中，藉由在步驟S02中所獲得之坯體11形成第1及第2外部電極14、15，而製作圖3～圖5所示之積層陶瓷電容器10。 於步驟S03中，首先，以覆蓋坯體11之一X軸方向端面之方式塗佈未煅燒之電極材料，並以覆蓋坯體11之另一X軸方向端面之方式塗佈未煅燒之電極材料。對所塗佈之未煅燒之電極材料例如於還原氣體氛圍下、或低氧分壓氣體氛圍下進行燒接處理，而於坯體11形成基底膜。然後，藉由電鍍等鍍覆處理於燒接於坯體11之基底膜上形成中間膜及表面膜，從而第1及第2外部電極14、15完成。 於坯體11形成基底膜之方法只要為能夠於坯體11形成薄膜之方法，則並無特別限定，例如可採用濺鍍法、噴塗法、印刷法等。 再者，亦可於步驟S02之前進行上述步驟S03中之處理之一部分。例如亦可於步驟S02之前，於未煅燒之坯體111之X軸方向兩端面塗佈未煅燒之電極材料，於步驟S02中，使未煅燒之坯體111燒結，與此同時，燒接未煅燒之電極材料而形成第1及第2外部電極14、15之基底膜。 3.4 變化例 積層陶瓷電容器10之製造方法並不限定於上述製造方法，亦可適當進行製造步驟之變更或追加等。 例如，於上述製造方法中，藉由使未煅燒之坯體111中之罩部119a、119b之絕緣性陶瓷之密度互不相同，而於對坯體111進行煅燒時產生翹曲，但並不限於此。 具體而言，亦可於對坯體111進行煅燒時，使傳遞至第1與第2罩部119a、119b之熱量互不相同，藉此使坯體11產生翹曲。 或者，亦可使坯體111之罩部119a、119b中含有之例如鎂(Mg)、錳(Mn)、鋁(Al)、鈣(Ca)、釩(V)、鉻(Cr)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、矽(Si)、硼(B)、釔(Y)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、鐿(Yb)、鋰(Li)、鉀(K)或鈉(Na)等添加元素之含量、或陶瓷粒子之粒徑等互不相同，使得罩部119a、119b之燒結性互不相同，藉此使坯體11產生翹曲。再者，於本實施形態中，於上述作為上述添加元素所列舉之金屬元素係選擇至少1種以上。 4.積層陶瓷電容器包裝體100之製造方法 其次，對本實施形態之積層陶瓷電容器包裝體100之製造方法進行說明。 首先，準備設置有複數個具有取出口100a之凹部100b之收納部110。凹部100b可藉由對特定之基材實施壓空成形、加壓成形或真空成形等而形成。 其次，將藉由上述製造方法製造之積層陶瓷電容器10準備複數個。繼而，將該等複數個積層陶瓷電容器10以翹曲成凸狀之主面S1朝向取出口100a側之方式逐個收納於複數個凹部100b。 且說，煅燒後之坯體11如圖9所示，具有沿著長度方向翹曲之形狀。作為成為此種形狀之一個原因，可列舉未煅燒之坯體111之罩部119a、119b之燒結性互不相同。 因此，於煅燒後之坯體11中，有於主面S1側與主面S2側色調不同之情況。此處，於本實施形態中，亦可將坯體11中之色調之差異作為識別主面S1與主面S2之指標。藉此，能夠容易地識別積層陶瓷電容器10中之翹曲成凸狀之主面S1與翹曲成凹狀之主面S2。 繼而，將密封部120貼附於收納部110，而將逐個收納複數個積層陶瓷電容器10之複數個凹部100b密封。藉此，獲得如圖1及圖2所示之積層陶瓷電容器包裝體100。 於本實施形態中，藉由利用上述製造方法製造積層陶瓷電容器包裝體100，而收納於該包裝體100之積層陶瓷電容器10使凸狀之主面S1朝向取出口100a側。藉此能夠獲得上述作用效果。 5.實施例 以下，對本發明之實施例進行說明。 5.1 積層陶瓷電容器之準備 按照上述製造方法製作實施例1及比較例2之積層陶瓷電容器之樣品。又，準備比較例1之積層陶瓷電容器之樣品。 實施例1與比較例2之樣品係坯體11具有沿著長度方向翹曲之形狀(參照圖9)。比較例1之樣品係坯體不翹曲之通常之構成之積層陶瓷電容器，除了坯體不翹曲以外，與實施例1及比較例2之樣品之構成共通。 5.2 抗彎強度之計算 其次，計算出實施例1及比較例1、2之積層陶瓷電容器之樣品之抗彎強度。圖10係用以計算實施例1及比較例1、2之樣品之抗彎強度之測定裝置200的模式圖。 測定裝置200如圖10所示，具有台座D及按壓件J。於台座D設置有凹部C。凹部C之X軸方向之尺寸D3為樣品之X軸方向之尺寸D4的0.6倍。又，按壓件J之支點半徑R為500 μm。 ・實施例1 首先，如圖10所示，以凹部C配置於積層陶瓷電容器10之X軸方向中央之方式將積層陶瓷電容器10載置於台座D。此時，於實施例1中，如該圖所示，翹曲成凸狀之主面S1沿著Z軸方向與按壓件J對向，且翹曲成凹狀之主面S2沿著Z軸方向與凹部C對向。 然後，使按壓件J沿Z軸方向移動，並抵接於主面S1。繼而，以10 mm/min之負載速度使按壓件J按壓積層陶瓷電容器10，測定直至積層陶瓷電容器10被破壞為止之最大負荷。並且，基於該最大負荷計算出實施例1之積層陶瓷電容器10之抗彎強度。 ・比較例1 藉由與實施例1相同之方法，計算出比較例1之積層陶瓷電容器之抗彎強度。 ・比較例2 於比較例2中，除了以下方面以外，藉由與實施例1相同之方法計算出比較例2之積層陶瓷電容器之抗彎強度。 作為與實施例1不同之方面，於比較例2中，係以翹曲成凸狀之主面S1沿著Z軸方向與凹部C對向，且翹曲成凹狀之主面S2沿著Z軸方向與按壓件J對向之方式，將積層陶瓷電容器載置於台座D。 5.3 計算結果 圖11係將實施例1及比較例1、2之積層陶瓷電容器之樣品之抗彎強度彙總的圖表。再者，圖11所示之「抗彎強度比」係將比較例1之積層陶瓷電容器之抗彎強度設為1進行標準化所得之值。 若參照圖11，則確認到實施例1之樣品之抗彎強度與比較例1及2之樣品之抗彎強度相比為最大。 根據該結果，由實驗確認到，藉由上述實施形態之積層陶瓷電容器包裝體100以翹曲成凸狀之主面S1朝向取出口100a側之方式收納積層陶瓷電容器10，而該積層陶瓷電容器10之對自主面S1側施加之應力之抗彎強度提高。 6.其他實施形態 以上，對本發明之實施形態進行了說明，但勿庸置疑，本發明並非僅限定於上述實施形態，而能夠施加各種變更。 例如，於積層陶瓷電容器10中，亦可將電容形成部18於Z軸方向上分割成複數個而設置。於該情形時，只要於各電容形成部18中第1與第2內部電極12、13沿著Z軸方向交替地配置即可，亦可為於電容形成部18切換之部分第1內部電極12或第2內部電極13連續地配置。 又，於上述實施形態中，作為積層陶瓷電子零件之一例而對積層陶瓷電容器進行了說明，但本發明亦可應用於片式壓敏電阻器、片式熱敏電阻器或積層電感器等。 進而，本發明之電子零件包裝體之電子零件亦可為不具有積層結構之陶瓷電子零件。此外，本發明之電子零件包裝體之電子零件亦可為由例如合金或樹脂等陶瓷以外之材料形成之電子零件。即便為該等構成，亦獲得與上述相同之作用效果。
10‧‧‧積層陶瓷電容器11‧‧‧坯體12‧‧‧第1內部電極13‧‧‧第2內部電極14‧‧‧第1外部電極15‧‧‧第2外部電極18‧‧‧電容形成部19a‧‧‧第1罩部19b‧‧‧第2罩部100‧‧‧積層陶瓷電容器包裝體100a‧‧‧取出口100b‧‧‧凹部101‧‧‧第1陶瓷層102‧‧‧第2陶瓷層110‧‧‧收納部111‧‧‧未煅燒之坯體112‧‧‧未煅燒之第1內部電極113‧‧‧未煅燒之第2內部電極118‧‧‧未煅燒之電容形成部119a‧‧‧未煅燒之第1罩部119b‧‧‧未煅燒之第2罩部120‧‧‧密封部200‧‧‧測定裝置A1‧‧‧角度A2‧‧‧角度C‧‧‧凹部D‧‧‧台座D1‧‧‧尺寸D2‧‧‧尺寸D3‧‧‧尺寸D4‧‧‧尺寸E‧‧‧區域J‧‧‧按壓件L1‧‧‧切線L2‧‧‧假想線R‧‧‧支點半徑S01～S03‧‧‧步驟S1‧‧‧主面S2‧‧‧主面S3‧‧‧側面S4‧‧‧側面X‧‧‧軸Y‧‧‧軸Z‧‧‧軸
圖1係本發明之一實施形態之積層陶瓷電容器包裝體之俯視圖。 圖2係上述積層陶瓷電容器包裝體之沿著圖1之A-A'線之剖視圖。 圖3係上述實施形態之積層陶瓷電容器之立體圖。 圖4係上述積層陶瓷電容器之沿著圖3之B-B'線之剖視圖。 圖5係上述積層陶瓷電容器之沿著圖3之C-C'線之剖視圖。 圖6係將上述積層陶瓷電容器包裝體之圖2之區域E放大表示之模式圖。 圖7係表示上述積層陶瓷電容器之製造方法之流程圖。 圖8係表示上述積層陶瓷電容器之製造過程之分解立體圖。 圖9係表示上述積層陶瓷電容器之製造過程之剖視圖。 圖10係用以計算本發明之實施例之樣品之抗彎強度之測定裝置的模式圖。 圖11係將上述樣品之抗彎強度彙總之圖表。
10‧‧‧積層陶瓷電容器
100‧‧‧積層陶瓷電容器包裝體
100a‧‧‧取出口
100b‧‧‧凹部
110‧‧‧收納部
120‧‧‧密封部
E‧‧‧區域
X‧‧‧軸
Y‧‧‧軸
Z‧‧‧軸
Claims (12)
- 一種電子零件包裝體，其具備：複數個電子零件，其各自具有坯體，該坯體包含沿著長度方向翹曲成凸狀之第1主面、及沿著上述長度方向翹曲成凹狀之第2主面，且上述第1主面與上述第2主面之間之距離為50μm以下；載帶，其設置有複數個凹部，該等凹部具備取出口且以上述第1主面朝向上述取出口側之狀態收納上述複數個電子零件中之各個電子零件；及覆帶，其可剝離地覆蓋上述凹部之上述取出口。
- 如請求項1之電子零件包裝體，其中上述各個電子零件係陶瓷電子零件。
- 如請求項2之電子零件包裝體，其中上述陶瓷電子零件係由絕緣性陶瓷所構成，且包含分別構成上述第1主面及上述第2主面之第1罩部及第2罩部之積層陶瓷電子零件。
- 如請求項3之電子零件包裝體，其中與上述第1主面之上述長度方向之端部相切之切線彼此相交的角度為170°以上且176°以下。
- 如請求項3或4之電子零件包裝體，其中上述第1與第2罩部之絕緣性陶瓷之粒子之密度互不相同。
- 如請求項3或4之電子零件包裝體，其中上述第1與第2罩部之絕緣性陶瓷之粒徑互不相同。
- 如請求項3或4之電子零件包裝體，其中上述第1與第2罩部中含有之添加元素之含量互不相同。
- 如請求項7之電子零件包裝體，其中上述添加元素係選自鎂、錳、鋁、鈣、釩、鉻、鋯、鉬、鎢、鉭、鈮、矽、硼、釔、銪、釓、鏑、鈥、鉺、鏡、鋰、鉀及鈉中之至少1種以上之元素。
- 一種電子零件包裝體，其具備：電子零件，其具有坯體，該坯體包含沿著長度方向翹曲成凸狀之第1主面、及沿著上述長度方向翹曲成凹狀之第2主面，且上述第1主面與上述第2主面之間之距離為50μm以下，且與上述第1主面之上述長度方向之端部相切之切線彼此相交的角度為170°以上且176°以下；收納部，其設置有複數個凹部，該等凹部具備取出口且以上述第1主面朝向上述取出口側之狀態收納上述電子零件；及密封部，其覆蓋上述凹部之上述取出口。
- 一種電子零件之收納方法，其係準備設置有具有取出口之複數個凹部之載帶， 準備具有坯體之複數個電子零件，上述坯體包含沿著長度方向翹曲成凸狀之第1主面、及沿著上述長度方向翹曲成凹狀之第2主面，且上述第1主面與上述第2主面之間之距離為50μm以下，以上述第1主面朝向上述取出口側之方式，將上述複數個電子零件各自收納於上述複數個凹部；且以可剝離的覆帶覆蓋上述凹部之上述取出口。
- 一種積層陶瓷電子零件包裝體，其具備：積層陶瓷電子零件，其具有坯體，該坯體包含第1罩部及第2罩部，該第1罩部具有沿著長度方向翹曲成凸狀之第1主面且由絕緣性陶瓷所構成，該第2罩部具有沿著上述長度方向翹曲成凹狀之第2主面且由絕緣性陶瓷所構成，且上述第1與上述第2罩部中含有之添加元素之含量互不相同，且上述第1主面與上述第2主面之間之距離為50μm以下；收納部，其設置有複數個凹部，該等凹部具備取出口且以上述第1主面朝向上述取出口側之狀態收納上述積層陶瓷電子零件；及密封部，其覆蓋上述凹部之上述取出口。
- 如請求項11之積層陶瓷電子零件包裝體，其中上述添加元素係選自鎂、錳、鋁、鈣、釩、鉻、鋯、鉬、鎢、鉭、鈮、矽、硼、釔、銪、釓、鏑、鈥、鉺、鏡、鋰、鉀及鈉中之至少1種以上之元素。
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