TWI738834B - 一種用於移轉有用層之方法 - Google Patents
一種用於移轉有用層之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI738834B TWI738834B TW106126055A TW106126055A TWI738834B TW I738834 B TWI738834 B TW I738834B TW 106126055 A TW106126055 A TW 106126055A TW 106126055 A TW106126055 A TW 106126055A TW I738834 B TWI738834 B TW I738834B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wave
- fracture
- substrate
- embrittlement
- item
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 36
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 claims description 4
- 230000035800 maturation Effects 0.000 claims description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00134—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
- B81C1/00158—Diaphragms, membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
- B81C2201/0191—Transfer of a layer from a carrier wafer to a device wafer
- B81C2201/0192—Transfer of a layer from a carrier wafer to a device wafer by cleaving the carrier wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Jigging Conveyors (AREA)
Abstract
本發明涉及一種用於將一有用層(3)移轉至一支撐件(4)上之方法,該方法包括以下步驟:透過以輕物種植入至一第一底材(1)之方式形成一脆化平面(2),以在該脆化平面(2)與該第一底材(1)之一表面間形成一有用層(3);將該支撐件(4)接合至該第一底材(1)之所述表面上以形成一待斷裂組裝件(5);對該待斷裂組裝件(5)進行脆化熱處理;在該第一底材(1)中沿著該脆化平面(2)起始並傳播一斷裂波。依照本發明,所述斷裂波係在該脆化平面(2)之中心區域起始,且所述斷裂波之傳播速率係受到控制,以使其速度足夠。這樣,所述斷裂波與其起始及/或傳播時所發出聲波振動間之相互作用,便被限制在該有用層(3)之周邊區域。
Description
本發明與一種用於移轉有用層之方法有關。
由專利文件FR3020175所得知的一種用於將一有用層3移轉至一支撐件4上之方法,如圖1所示,其方法包括以下主要步驟:- 步驟a)中,透過以輕物種植入至一第一底材1之方式形成一脆化平面2,以在該平面與該第一底材1之一表面間形成一有用層3;- 步驟b)中,將該支撐件4接合至該第一底材1之表面上,以形成具有二個曝露表面S1,S2之一待斷裂組裝件5;- 步驟c)中,對該待斷裂組裝件5進行一脆化熱處理;- 步驟d)中,沿著該脆化平面2在該第一底材1中起始並傳播一斷裂波。
根據該專利文件,所述斷裂波起始及/或傳播時會發出聲波振動。該斷裂波及該些聲波振動間之相互作用,造成在所製作之有用層中形成厚度變化間歇圖案(periodical patterns of variation in the thickness),其延伸到該層整個表面。換言之,該斷裂波相對於其前進平面產生垂直偏離,此偏離根據其所經過材料之瞬間應力狀態而定,而此應力狀態受所述聲波影響。圖2顯示根據上述方法移轉之有用層厚度中該些變化圖案。所說明示例中,該些圖案包括側邊及圓形圖
案(在此圖中分別以a及b表示)。這些圖案已可透過使用KLA-Tencor公司的測量工具SurfscanTM測量其「霧化度」而顯得更加清晰,按目前英文術語,霧化度(haze)對應於被有用層表面散射(broadcast)的光的強度。此測量技術更深入資料可參考«Seeing through the haze»,by F.Holsteyns,Yield Management Solution,Spring 2004,pp50-54。
為了解決這個問題,上述專利文件提出,為待斷裂組裝件配備吸收元件以偵測及消散所發出聲波,並防止或限制變化圖案的形成在有用層之厚度中。雖然此方法極有效率,然而需要在待斷裂組裝件之至少一面上製作一吸收元件,反而使該用於移轉有用層之方法更加複雜。
本發明之一目的包括提供一種用於移轉有用層之簡單方法,以使減少在有用層厚度中產生變化圖案之程度。
為了達成此目的,本發明提供一種用於將一有用層移轉至一支撐件上之方法,該方法包括以下步驟:- 透過以輕物種植入至一第一底材之方式形成一脆化平面,以在該平面與該第一底材之一表面間形成一有用層;- 將該支撐件接合至該第一底材之表面上,以形成一待斷裂組裝件;- 對該待斷裂組裝件進行一脆化熱處理;- 沿著該脆化平面,在該第一底材中起始並傳播一斷裂波。
該方法之特徵在於:所述斷裂波係在該脆化平面之一中心區域起始,且所述斷裂波之傳播速率受到控制以使其速度(velocity)足夠。因此,所
述斷裂波與其起始及/或傳播時所發出聲波振動間之相互作用,被限制在有用層3之一周邊區域。
本發明能將有用層厚度變化間歇圖案之形成限制在該有用層一部分。
根據本發明之其他有利且非限制性特點,不論單獨或任何技術上可行之組合實施:˙所述斷裂波之傳播速率係受到控制,以使其具有之速度高於聲波速率的三分之一;˙該第一底材為矽製,且所述斷裂波之傳播受到控制,以使其具有高於2公里/秒之速度;˙所述斷裂波之傳播受到控制,以使其具有範圍從2公里/秒到4.5公里/秒之速度,較佳者為從3.8公里/秒到4.2公里/秒;˙所述斷裂波係經由施加脆化熱處理而起始,且其中所述傳播速率透過在起始時選定所述脆化熱處理之溫度而受到控制;˙所述脆化熱處理之溫度高於400℃,或500℃;˙所述斷裂波之起始,由位於該脆化平面之中心區域或所述中心區域附近之一初始斷裂引起;˙該初始斷裂由與該脆化平面中平均濃度相較含過多輕物種的含量組成;˙該初始斷裂由位於該第一底材與該支撐件介面處之一孔穴或一形體組成,其與該脆化平面之中心區域一致;˙所述斷裂波係透過在該脆化平面之中心區域處輸入能量而起始;˙所述傳播速率係透過校準脆化熱處理而受到控制,使該脆化平面具有之成
熟率(maturing rate)至少等於一目標成熟率;˙該第一底材由一盤形板構成,且所述中心區域包括該盤形板之幾何中心;˙所述周邊區域由一環形區域構成,該環形區域之內圓半徑大於該第一底材半徑的2/3,較佳者為大於該第一底材半徑的80%;˙所述周邊區域完全包含在該有用層之一排除區中。
1:第一底材
2:脆化平面
3:有用層
4:支撐件
5:待斷裂組裝件
S1:曝露表面
S2:曝露表面
本發明之其他特點及優點將在以下參考所附圖式之詳細說明中清楚彰顯,其中:- 圖1繪示根據習知技術一種用於移轉一有用層之方法;- 圖2繪示習知技術製作之有用層所發出之霧化度影像,顯示厚度變化間歇圖案;- 圖3繪示聲波速率及斷裂波速率之間的實驗關係圖表;- 圖4繪示根據本發明一種用於移轉有用層之方法;- 圖5a繪示根據本發明之方法獲得之有用層所發出之霧化度影像;- 圖5b繪示透過模擬本發明之方法所獲得的一有用層影像。
為了提供用於移轉有用層之新穎方法,本申請案之發明人已徹底研究習知技術所揭示之相關現象。此新穎方法之目的並非限制聲波發展,例如透過收集及/或吸收聲波的方式限制它,而是限制其與斷裂波的相互作用。從而使厚度變化間歇圖案之形成僅限於有用層之一部分。
本案發明人因此注意到,聲波會從一斷裂起始點傳播,其速率高於斷裂波速率,發明人並注意到,斷裂波與待斷裂組裝件端點上的聲波反射兩者碰撞所造成之干擾,為波紋圖案的來源。聲波之傳播特點,詳言之其傳播速率,可透過位於待斷裂組裝件之一面及/或其他面上的壓電感測器(piezoelectric sensors)測得。
為了限制此類干擾,本發明一方面提出,使斷裂起始點位置離開待斷裂組裝件的端點,亦即使斷裂起始點位於斷裂平面的中心區域,與底材邊緣相隔一段距離。因此,被反射的聲波與斷裂波遭遇的時間相較於斷裂波起始時間會延遲。
本發明另一方面提供斷裂波傳播速率的控制方式。斷裂波傳播速率被選定成足夠高,以使斷裂波及反射聲波所在區域(其會有有用層之厚度變化間歇圖案),被限制在待斷裂組裝件之周邊區域。在最有利情況下,即斷裂波之速率夠高時,所述周邊區域會被包含在有用層之一排除區中,亦即通常未被規劃成形成元件之區域。所述排除區可在有用層外圍0.5到2毫米或3毫米處。未包含在所述周邊區域之有用層表面大部分沒有間歇圖案,因而就厚度均勻性而言可具有所需特性。
應該注意的是,本發明之原則係基於以下假設,並經本申請案之發明人加以檢驗,該假設為聲波傳播速率與斷裂波傳播速率沒有直接關聯(如比例關係)。
事實上,若待斷裂組裝件是圓形且其半徑為R,且Vg表示聲波在待斷裂組裝件所定義平面中之速率,且Vf為斷裂波之速率,則待斷裂組裝件之中心(斷裂起始處)與兩波碰撞交會處的距離d,符合以下公式:
d/Vf=(2R-d)/Vg假設,在兩波交會點,斷裂波已經以速率Vf行進了距離d,且反射聲波已經以速率Vg行進了距離(2R-d)。因而可確定,此距離d滿足以下等式:d=2R/(1+Vg/Vf)因此可以注意到,所述距離d可以被控制成儘可能接近半徑R,只要Vg/Vf比亦可被控制成接近1。
圖3繪示本案發明人籌劃本發明時所執行實驗之結果,其顯示不同斷裂波速率Vf時的Vg/Vf比。當本發明之層移轉方法應用於一第一矽底材時,已可獲得這些測量結果。
可以注意的是,透過選定斷裂波速率Vf的值,Vg/Vf比可從範圍1到2的大範圍內選定。在大約1公里/秒的低速斷裂波情況下,聲波之速率幾乎是兩倍高(Vg/Vf接近2)。因此,其交會區域為一環形區域,該環形區域之內圓半徑等於待斷裂組裝件半徑R的2/3。
在高速斷裂波的情況下,聲波之速率會稍微高於斷裂波之速率(Vg/Vf接近1)。因此交會區域被限制在一環形區域,該環形區域之內圓半徑,非常接近待斷裂組裝件半徑R,因而(所述交會區)幾乎不存在。
在本研究之基礎上,本發明提供一種用於將一有用層3移轉至一支撐件4之方法,包括如圖4a到4d所繪示步驟。
第一步驟a)中如圖4a所繪示,舉例而言以透過將輕物種植入至第一底材1之方式,形成一脆化平面2。第一底材1可為矽製或其他無論是否為半導電材料之任何材料。材料舉例而言可以是鍺、氮化鎵、鉭酸鋰或藍寶石。各層可使用沉積或熱處理方式,預先沉積到所述表面上。所述層可為透過矽板體之熱氧
化處理獲得之二氧化矽層,或是透過任何磊晶沉積方式獲得之矽鍺(SiGe)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、鍺(Ge)等材料層。
第一底材1可以是一標準尺寸的盤形板,舉例而言,直徑200毫米或300毫米、或甚至450毫米。然而,本發明絕對不限於這些尺寸或此形狀。
就所述輕物種而言,可以是任何能夠在脆化平面2將第一底材1脆化的物種。其可以是氫及/或氦。
脆化平面2以第一底材1之一表面定義出有用層3。
第二步驟b)中,將支撐件4接合到第一底材1之所述表面,以形成待斷裂組裝件5。該支撐件4可包括一矽板體、或任何材料製成之任何形狀底材,舉例而言,以藍寶石或玻璃製成之底材。支撐件4就像第一底材1一樣,可預先進行任何一種表面層處理。
可使用任何直接組裝方式:分子黏附(molecular adhesion)、熱壓接合(thermo-compression)、靜電鍵合(electrostatic bonding)等等,將支撐件4接合至第一底材1之所述表面上。組裝方式也可包括將一黏著層(例如黏著劑)形成於支撐件4及/或第一底材1上。支撐件4之接合也對應於沉積一材料在第一底材1之所述表面上,並以該沉積層形成支撐件4。
在步驟c)中,對待斷裂組裝件5進行脆化熱處理。此熱處理在脆化平面2弱化第一底材1,且為斷裂波提供充足能量,使其在起始後能以自行持續的方式傳播下去。此熱處理溫度範圍通常從150℃到600℃,進行30分鐘到8小時,舉例而言,以溫度400℃進行4小時。
在第一替代實施方式中,熱處理本身便足以使斷裂波起始。所述熱處理完成之時,有用層3從第一底材1上被完全去除,如圖4d所繪示。
在第二替代實施方式中,如圖4c'所繪示,所述方法包括在脆化熱處理前或脆化熱處理期間,局部增加能量從而起始斷裂波。此能量可來自機械能、熱能或其他來源。舉例而言,所增加之能量可源自,舉例而言,雷射局部加熱或超音波能量輸入局部加熱。
無論哪個替代實施方式,斷裂波一旦起始就會以自行持續的方式傳播下去,從而將有用層3分離並移轉到支撐件4上,如圖4步驟d)所繪示。
根據本發明,在圖4c及4c'所示其中一步驟期間所產生之斷裂波,起始於脆化平面2之一中心區域。這些圖式中,在所述中心區域之起始以大的箭頭符號標示。
所述斷裂波並不一定要精確起始於脆化平面2之幾何中心。因此,所述起始之中心區域可對應到實質上以脆化平面的幾何中心為中心的圓形表面。此表面可對應到該脆化平面2之總表面的20%、10%或5%。如上述說明,當斷裂在該區域的一個點起始時,該斷裂距離待斷裂支撐件5之邊緣遠到足以延遲斷裂波與反射聲波相互作用的時刻。
要讓所述斷裂波起始於此中心區域,有幾種可行方法。因此在熱處理步驟之前一步驟,可將初始斷裂置於此區域中或接近此區域。此步驟期間,該初始斷裂為起始此斷裂之有利位置。
因此可藉由在脆化平面2之中心區域,將輕物種引入第一底材1中以形成此初始斷裂。形成定義初始斷裂之一含量,使其具有與脆化平面2之平均濃度相較含量過多之輕物種。這些含量過多之輕物種可以在脆化平面2形成步驟之前、期間或之後,並且無論如何在組裝步驟前引入。所述初始斷裂之主要尺寸範圍可從10奈米到數毫米。該些過量物種可透過局部植入方式引入到第一底材
1,無論此第一底材1是否預先經光罩處理。舉例而言,在直徑1毫米的表面上,以每平方公分1e16的植入劑量(除了形成脆化平面以外的額外劑量)局部植入氫,可在脆化熱處理期間起始所述斷裂,亦即在形成初始斷裂的過量植入區域起始所述斷裂。
該初始斷裂亦可形成於第一底材1與支撐件4間組裝介面處,其與脆化平面2之中心區域一致。該初始斷裂可由在第一底材1或支撐件4之表面以諸如蝕刻方式形成之一孔穴,或在所述介面具有縮小尺寸之一形體所組成。在脆化熱處理期間,此形體或孔穴之存在會導致局部應力,有利於斷裂波在中心區域中之起始,如專利文件US2010330779所揭示。
在脆化熱處理步驟期間因初始斷裂的存在而引起斷裂波時,此熱處理可均勻地施加於待斷裂組裝件5。
作為插入初始斷裂之一替代或附加方案,在脆化熱處理步驟期間或之後,可在所述中心區域處局部輸入能量,從而引起斷裂波。可組構熱處理裝置,使得所述中心區域在熱處理期間較周邊區域吸收更多熱能。
也可使用一光束(例如雷射)或粒子束(離子、電子)局部施加能量。
也可在所述中心區域施加額外機械能,例如由壓電發電器等超音波產生器傳播的振動。
前兩個示例中,局部能量輸入可在脆化熱處理步驟期間進行,或在專為此局部能量輸入之額外步驟期間進行。
無論選擇哪個實施方式在脆化平面2之中心區域起始其斷裂,本發明也包括控制斷裂波傳播速率,使其具有足夠速率,從而限制斷裂波與其起始及/或傳播時所發出聲波振動間之相互作用。
如上述說明,足夠速率之斷裂波可將所述相互作用限制在周邊區域內。且其速率越高,周邊區域之表面積越小。厚度變化間歇圖案因而可被限制在有用層3之周邊區域。因此,當第一底材1為矽製,斷裂波之傳播可有利地受到控制,以使其具有高於2公里/秒之速度,較佳者為2公里/秒到4.5公里/秒之間,或更佳者為等於或接近4公里/秒,舉例而言,3.8公里/秒到4.2公里/秒。
根據本發明之一較佳實施方式,斷裂波之傳播速率會受到控制,以使其高於或等於聲波速率的三分之一(即Vg/3),使得間歇圖案被限制在其中之周邊區域小於R/2。
取決於所選用於起始斷裂之方法(無論是熱處理及/或機械能),本發明方法之操作參數可加以選擇以控制斷裂波之傳播速率。為此目的,可使用專利文件WO2013140065揭示之斷裂波速率測量裝置。
因此,獲得所述斷裂起始時,例如當脆化熱處理造成斷裂自行起始時,就溫度而言,可參考刊登於Applied Physics Letters 107(2015)由D.Massy等人所著文章«fracture dynamics in implanted silicon»,以選定可獲得目標斷裂波速率之溫度。詳言之,可選擇高於400℃或500℃之溫度。該文章揭露一方法,能夠將斷裂波傳播速率與波脆化及/或起始操作參數連結。其明確提到,在第一底材由矽製成之情況下,當斷裂起始時之溫度在大約300℃到700℃之間變化時,其斷裂波傳播速率可控制在大約1公里/秒到4公里/秒之間。
在包括局部能量輸入以起始斷裂波的第二替代實施方式中,脆化熱處理完成時所獲得之脆化平面之成熟率可以有所不同。該成熟率對應於施加局部能量(引發所述斷裂之起始)時,脆化平面中形成之微裂紋所覆蓋的表面積。事實上,斷裂波傳播速率取決於所述成熟率:參數越高,斷裂波傳播速率也越高。
成熟率可藉由測量微裂紋所覆蓋表面積而測量,舉例而言,使用紅外顯微鏡校準脆化熱處理,以達到目標斷裂速度。此熱處理也可加以調整,使得脆化區域具有之成熟率至少等於一目標成熟率,從而達到或超越目標斷裂速率。
圖5a繪示根據本發明之方法獲得之一有用層所發出之霧化度影像。
圖5a之有用層3得自一種包含形成初始斷裂步驟之方法,該初始斷裂是在由矽板體組成的第一底材1之幾何中心處,透過植入劑量每平方公分1.10^16的氫而形成。在與同樣由矽板體組成之一支撐件4組裝後,在歷時30小時、溫度350℃之脆化熱處理期間,所述斷裂在該初始斷裂處起始。其斷裂波以大約2.8公里/秒之速度傳播。
可以注意到的是,圖5a所示之有用層3具有厚度變化間歇圖案,該些圖案被限制在一周邊環形區域,該環形區域之內圓半徑大於該有用層3半徑的80%。該有用層3中心表面沒有厚度變化間歇圖案。
圖5b繪示,透過模擬本發明之方法,在斷裂波以4公里/秒速度傳播時獲得的一有用層影像。
此有用層3之影像顯示,其周邊有一非常窄的環形區域包含了厚度變化間歇圖案。
此最後圖式完美說明了本發明可用於形成具有更佳均勻特性之有用層的優點。
1‧‧‧第一底材
2‧‧‧脆化平面
3‧‧‧有用層
4‧‧‧支撐件
5‧‧‧待斷裂組裝件
Claims (15)
- 一種用於將一有用層(3)移轉至一支撐件(4)上之方法,該方法包括以下步驟:- 以將輕物種植入至一第一底材(1)之方式形成一脆化平面(2),以在該脆化平面(2)與該第一底材(1)之一表面間形成一有用層(3);- 將該支撐件(4)接合至該第一底材(1)之所述表面以形成一待斷裂組裝件(5);- 對該待斷裂組裝件(5)進行一脆化熱處理;及- 沿著該脆化平面(2)在該第一底材(1)中起始並傳播一斷裂波;該方法之特徵在於:- 所述斷裂波係在該脆化平面(2)之一中心區域起始;及- 所述斷裂波之傳播速率受到控制以使其速度(velocity)足夠;這樣,所述斷裂波與其起始及/或傳播時所發出聲波振動間之相互作用,被限制在該有用層(3)之一周邊區域。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中所述斷裂波之傳播速率受到控制,以使其具有之速度高於聲波速率的三分之一。
- 如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該第一底材(1)為矽製,且其中所述斷裂波之傳播受到控制,以使其具有高於2公里/秒之速度。
- 如申請專利範圍第3項之方法,其中所述斷裂波之傳播受到控制,以使其具有範圍從2公里/秒到4.5公里/秒之速度。
- 如申請專利範圍第3項之方法,其中所述斷裂波之傳播受到控制,以使其具有範圍從3.8公里/秒到4.2公里/秒之速度。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中所述斷裂波係經由施加脆化熱處理而起始,且其中所述傳播速率透過在起始時選定所述脆化熱處理之溫度而受到控制。
- 如申請專利範圍第6項之方法,其中所述脆化熱處理之溫度高於400℃,或500℃。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中所述斷裂波之起始,由位於該脆化平面(2)之中心區域或所述中心區域附近之一初始斷裂引起。
- 如申請專利範圍第8項之方法,其中該初始斷裂由與該脆化平面(2)中平均濃度相較含過多輕物種的含量組成。
- 如申請專利範圍第8項之方法,其中該初始斷裂由位於該第一底材(1)與該支撐件(4)介面處之一孔穴或一形體組成,其與該脆化平面(2)之中心區域一致。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中所述斷裂波係透過在該脆化平面(2)之中心區域處輸入能量而起始。
- 如申請專利範圍第11項之方法,其中所述傳播速率係透過校準脆化熱處理,使該脆化平面具有之成熟率(maturing rate)至少等於一目標成熟率而受到控制。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中該第一底材(1)由一盤形板構成,且其中所述中心區域包括該盤形板之幾何中心。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中所述周邊區域由一環形區域構成,該環形區域之內圓半徑大於該第一底材(1)半徑的2/3,較佳者為大於該第一底材(1)半徑的80%。
- 如申請專利範圍第14項之方法,其中所述周邊區域完全包含在該有用層(3)之一排除區中。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??1657722 | 2016-08-11 | ||
FR1657722A FR3055063B1 (fr) | 2016-08-11 | 2016-08-11 | Procede de transfert d'une couche utile |
FR1657722 | 2016-08-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201820428A TW201820428A (zh) | 2018-06-01 |
TWI738834B true TWI738834B (zh) | 2021-09-11 |
Family
ID=57121393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106126055A TWI738834B (zh) | 2016-08-11 | 2017-08-02 | 一種用於移轉有用層之方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10950491B2 (zh) |
EP (1) | EP3497713B1 (zh) |
JP (1) | JP6977023B2 (zh) |
KR (1) | KR102489395B1 (zh) |
CN (1) | CN109564891B (zh) |
FR (1) | FR3055063B1 (zh) |
SG (2) | SG10201912610SA (zh) |
TW (1) | TWI738834B (zh) |
WO (1) | WO2018029419A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3091032B1 (fr) * | 2018-12-20 | 2020-12-11 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de transfert d’une couche superficielle sur des cavités |
FR3091620B1 (fr) | 2019-01-07 | 2021-01-29 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de transfert de couche avec réduction localisée d’une capacité à initier une fracture |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070281445A1 (en) * | 2003-10-28 | 2007-12-06 | Nguyet-Phuong Nguyen | Method for Self-Supported Transfer of a Fine Layer by Pulsation after Implantation or Co-Implantation |
EP2933828A1 (en) * | 2014-04-16 | 2015-10-21 | Soitec | Method for transferring a useful layer |
Family Cites Families (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4739276A (en) | 1986-06-12 | 1988-04-19 | Maris Graube | Method and apparatus for digital time domain reflectometry |
US4970466A (en) | 1989-03-22 | 1990-11-13 | Microtest, Inc. | TDR cable testing apparatus with pulse timing manipulation to automatically compensate for diverse cable characteristics |
US5134377A (en) | 1991-06-04 | 1992-07-28 | W. L. Gore & Associates, Inc. | TDR system and method for detecting leakage of a liquid |
JP3201799B2 (ja) * | 1991-11-18 | 2001-08-27 | 東京磁気印刷株式会社 | 感熱記録印字層を有する記録媒体 |
US5357145A (en) | 1992-12-22 | 1994-10-18 | National Semiconductor Corporation | Integrated waveshaping circuit using weighted current summing |
US5381348A (en) | 1993-01-11 | 1995-01-10 | Fluke Corporation | Token ring local area network testing apparatus using time delay reflectory |
JP2752030B2 (ja) | 1993-04-16 | 1998-05-18 | 沖電気工業株式会社 | ローカルエリアネットワーク回線における信号送受信装置 |
US5784573A (en) | 1994-11-04 | 1998-07-21 | Texas Instruments Incorporated | Multi-protocol local area network controller |
US5784559A (en) | 1995-11-06 | 1998-07-21 | Sun Microsystems, Inc. | Full duplex flow control for ethernet networks |
JPH1013200A (ja) | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 可変遅延回路 |
US5985742A (en) | 1997-05-12 | 1999-11-16 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleavage process and device for patterned films |
JP3031904B2 (ja) * | 1998-02-18 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 複合部材とその分離方法、及びそれを利用した半導体基体の製造方法 |
MY118019A (en) * | 1998-02-18 | 2004-08-30 | Canon Kk | Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof |
US6385208B1 (en) | 1998-06-02 | 2002-05-07 | Cisco Technology, Inc. | Serial media independent interface |
US6735217B1 (en) | 1998-09-15 | 2004-05-11 | Tut Systems, Inc. | Method and apparatus for detecting collisions on a network using multi-cycle waveform pulses |
JP4118463B2 (ja) | 1999-07-23 | 2008-07-16 | 株式会社アドバンテスト | タイミング保持機能を搭載したic試験装置 |
FR2797347B1 (fr) | 1999-08-04 | 2001-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince comportant une etape de surfragililisation |
US7110423B1 (en) | 1999-11-29 | 2006-09-19 | Cisco Technology, Inc. | Method and system for source synchronous clocking |
US6691241B1 (en) | 1999-12-21 | 2004-02-10 | Intel Corporation | Delay tuning to improve timing in multi-load systems |
US6459739B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-10-01 | Tioga Technologies Inc. | Method and apparatus for RF common-mode noise rejection in a DSL receiver |
US6920132B1 (en) | 2000-05-30 | 2005-07-19 | Marvell International Ltd. | Reduced pin gigabit media independent interface |
US6973094B1 (en) | 2000-09-29 | 2005-12-06 | Broadcom Corporation | Packet-switched multiple-access network system with distributed fair priority queuing |
US7045878B2 (en) * | 2001-05-18 | 2006-05-16 | Reveo, Inc. | Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices |
FR2835097B1 (fr) * | 2002-01-23 | 2005-10-14 | Procede optimise de report d'une couche mince de carbure de silicium sur un substrat d'accueil | |
KR100441885B1 (ko) | 2002-04-17 | 2004-07-27 | 한국전자통신연구원 | 홈네트워크 시스템에서 타임 슬롯 생성 장치 및 그 방법 |
EP2164096B1 (en) * | 2002-07-17 | 2012-09-05 | Soitec | Method of smoothing the outline of a useful layer of material transferred onto a support substrate |
AU2003254543A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-02 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | A method of increasing the area of a useful layer of material transferred onto a support |
US20040028164A1 (en) | 2002-08-07 | 2004-02-12 | Hongtao Jiang | System and method for data transition control in a multirate communication system |
FR2892228B1 (fr) * | 2005-10-18 | 2008-01-25 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de recyclage d'une plaquette donneuse epitaxiee |
US7164274B2 (en) | 2003-06-11 | 2007-01-16 | Broadcom Corporation | Cable diagnostics using time domain reflectometry and applications using the same |
CN100514946C (zh) | 2003-08-04 | 2009-07-15 | 爱德万测试株式会社 | 测试方法、通信元件及测试系统 |
GB2407006A (en) | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Sony Uk Ltd | Communicating streamed payload data and packet based auxiliary data |
KR100550796B1 (ko) | 2003-12-11 | 2006-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 데이터 전송 장치 및 그 제어 방법 |
US7148124B1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-12-12 | Alexander Yuri Usenko | Method for forming a fragile layer inside of a single crystalline substrate preferably for making silicon-on-insulator wafers |
US7417949B2 (en) | 2004-11-19 | 2008-08-26 | Cisco Technology, Inc. | Closed loop method and apparatus for throttling the transmit rate of an ethernet media access controller |
US7245129B2 (en) | 2005-02-14 | 2007-07-17 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for and method of cable diagnostics utilizing time domain reflectometry |
JP2006294737A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Sumco Corp | Soi基板の製造方法及びその製造における剥離ウェーハの再生処理方法。 |
CN1866803B (zh) | 2005-09-13 | 2012-05-30 | 华为技术有限公司 | 一种在以太网设备中解决时钟同步的方法 |
JP2007173354A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Soi基板およびsoi基板の製造方法 |
KR101275796B1 (ko) | 2006-07-25 | 2013-06-18 | 삼성전자주식회사 | 전송 라인 드라이버 및 이를 포함하는 직렬 인터페이스데이터 전송 장치 |
US7636317B2 (en) | 2006-11-20 | 2009-12-22 | Veriwave, Inc. | Communications test system with multilevel scheduler |
US8081625B2 (en) | 2007-02-01 | 2011-12-20 | Broadcom Corporation | Method and system for utilizing a 10/100/1G/10G base-T PHY device for single channel and shared channel networks |
CN100588273C (zh) | 2007-09-11 | 2010-02-03 | 电子科技大学 | 用于网络线缆故障测试的方法及其装置 |
DE102007056115A1 (de) | 2007-11-15 | 2009-05-20 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zum Trennen von Einkristallen |
US7820527B2 (en) | 2008-02-20 | 2010-10-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Cleave initiation using varying ion implant dose |
US7764554B2 (en) | 2008-03-03 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | I/O circuit with phase mixer for slew rate control |
TWI451534B (zh) * | 2008-10-30 | 2014-09-01 | Corning Inc | 使用定向剝離作用製造絕緣體上半導體結構之方法及裝置 |
FR2944914B1 (fr) * | 2009-04-22 | 2011-05-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'au moins une couche micro-technologique |
US9413551B2 (en) | 2009-06-23 | 2016-08-09 | Broadcom Corporation | Method and system for network communications via a configurable multi-use Ethernet PHY |
JP2011029609A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Soi基板の作製方法およびsoi基板 |
JP5917036B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2016-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Soi基板の作製方法 |
FR2965974B1 (fr) | 2010-10-12 | 2013-11-29 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de collage moléculaire de substrats en silicium et en verre |
US9674317B2 (en) | 2011-02-10 | 2017-06-06 | Marvell World Trade Ltd. | Multi-clock PHY preamble design and detection |
US8935125B1 (en) | 2011-02-25 | 2015-01-13 | Smsc Holdings S.A.R.L. | Internal cable calibration and compensation |
EP2498398B1 (en) | 2011-03-07 | 2019-10-30 | Nxp B.V. | Amplifier circuit and method |
US9219560B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-12-22 | Cavium, Inc. | Multi-protocol SerDes PHY apparatus |
FR2988474B1 (fr) | 2012-03-21 | 2015-02-06 | Commissariat Energie Atomique | Systeme de mesure de la propagation d'une zone d'ecartement dans un substrat |
US9501443B2 (en) | 2012-06-27 | 2016-11-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Differential line driver circuit and method therefor |
US8879586B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-11-04 | Broadcom Corporation | Inband timestamping |
US9140639B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-22 | Particles Plus, Inc. | Pulse scope for particle counter |
US9419598B2 (en) | 2013-11-26 | 2016-08-16 | Rambus Inc. | In-situ delay element calibration |
US9696361B1 (en) | 2013-12-11 | 2017-07-04 | Marvell International Ltd. | Method and apparatus for analyzing features or characteristics of a cable in a network |
US9628082B1 (en) | 2014-07-01 | 2017-04-18 | Xilinx, Inc. | Strength-adjustable driver |
US9467303B2 (en) | 2014-09-26 | 2016-10-11 | Linear Technology Corporation | Controller area network bus transmitter with complementary source follower driver |
JP6594732B2 (ja) | 2015-01-20 | 2019-10-23 | パナソニック インテレクチュアル プロパティ コーポレーション オブ アメリカ | 不正フレーム対処方法、不正検知電子制御ユニット及び車載ネットワークシステム |
US9860072B2 (en) | 2015-05-12 | 2018-01-02 | Linear Technology Corporation | System with sleep and wake up control over DC path |
US10447493B2 (en) | 2016-07-26 | 2019-10-15 | Honeywell International Inc. | MAC and physical layer techniques for enabling communications on shared physical medium with multi-drop capability |
US10372657B2 (en) | 2016-12-26 | 2019-08-06 | Intel Corporation | Bimodal PHY for low latency in high speed interconnects |
KR102595961B1 (ko) | 2017-03-08 | 2023-11-01 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 계측 제어기 통신망을 통한 키 합의 방식에 대한 타이밍 기반 공격들을 완화시키기 위한 방법들 |
US10120406B1 (en) | 2017-04-27 | 2018-11-06 | Microchip Technology Incorporated | Adaptive common mode dimmer |
US10613607B2 (en) | 2017-12-12 | 2020-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Signal powered energy detect and wakeup system |
US11272543B2 (en) | 2018-02-21 | 2022-03-08 | Nxp B.V. | Physical layer device that connects to a shared media and method for operating a physical layer device that connects to a shared media |
US11197322B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-12-07 | Microchip Technology Incorporated | Emulating collisions in wired local area networks and related systems, methods, and devices |
-
2016
- 2016-08-11 FR FR1657722A patent/FR3055063B1/fr active Active
-
2017
- 2017-08-01 US US16/324,461 patent/US10950491B2/en active Active
- 2017-08-01 JP JP2019507163A patent/JP6977023B2/ja active Active
- 2017-08-01 SG SG10201912610SA patent/SG10201912610SA/en unknown
- 2017-08-01 CN CN201780049093.9A patent/CN109564891B/zh active Active
- 2017-08-01 EP EP17757806.9A patent/EP3497713B1/fr active Active
- 2017-08-01 KR KR1020197006991A patent/KR102489395B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-01 SG SG11201901108PA patent/SG11201901108PA/en unknown
- 2017-08-01 WO PCT/FR2017/052161 patent/WO2018029419A1/fr unknown
- 2017-08-02 TW TW106126055A patent/TWI738834B/zh active
-
2021
- 2021-03-02 US US17/190,004 patent/US11670540B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070281445A1 (en) * | 2003-10-28 | 2007-12-06 | Nguyet-Phuong Nguyen | Method for Self-Supported Transfer of a Fine Layer by Pulsation after Implantation or Co-Implantation |
EP2933828A1 (en) * | 2014-04-16 | 2015-10-21 | Soitec | Method for transferring a useful layer |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Applied Physics Letters, Vol. 107, No. 9 2015/8/31 Fracture dynamics in implanted silicon * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG11201901108PA (en) | 2019-03-28 |
EP3497713A1 (fr) | 2019-06-19 |
TW201820428A (zh) | 2018-06-01 |
US11670540B2 (en) | 2023-06-06 |
CN109564891A (zh) | 2019-04-02 |
FR3055063B1 (fr) | 2018-08-31 |
WO2018029419A1 (fr) | 2018-02-15 |
EP3497713B1 (fr) | 2020-04-08 |
JP2019531594A (ja) | 2019-10-31 |
US20190221471A1 (en) | 2019-07-18 |
JP6977023B2 (ja) | 2021-12-08 |
US10950491B2 (en) | 2021-03-16 |
US20210202302A1 (en) | 2021-07-01 |
KR20190037324A (ko) | 2019-04-05 |
CN109564891B (zh) | 2023-08-29 |
KR102489395B1 (ko) | 2023-01-18 |
SG10201912610SA (en) | 2020-02-27 |
FR3055063A1 (fr) | 2018-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6349175B2 (ja) | リフトオフ方法及び超音波ホーン | |
US20160247958A1 (en) | Layer transfer of films utilizing controlled shear region | |
TWI738834B (zh) | 一種用於移轉有用層之方法 | |
JP6366996B2 (ja) | リフトオフ方法 | |
US9589830B2 (en) | Method for transferring a useful layer | |
CN1868053A (zh) | 注入或联合注入后由冲击引发薄层自持转移的方法 | |
JP2017521877A (ja) | 平面結晶性基板、特に半導体基板のレーザ加工方法及び装置 | |
WO2017175755A1 (ja) | 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法 | |
JPWO2013161906A1 (ja) | 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子 | |
US20230102291A1 (en) | Sound-assisted crack propagation for semiconductor wafering | |
JP6045361B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
CN110534476A (zh) | 管芯清洁系统和相关方法 | |
CN110524730A (zh) | 管芯锯切分割系统和方法 | |
JP2004140266A (ja) | 薄膜層ウェハ製造方法、及び薄膜層ウェハ | |
JP6757953B2 (ja) | 表面加工方法、構造体の製造方法 | |
JP6843347B2 (ja) | 表面微細構造形成方法、構造体の製造方法 | |
TW202040834A (zh) | 光學元件層之移設方法 | |
TW202036782A (zh) | 用於將有用層移轉至支撐底材上之方法 |