TWI720070B - 基板處理裝置之腔室清洗方法 - Google Patents

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Abstract

在具有：腔室(1)、在腔室(1)內保持被處理基板(W)的載台(4)、及對被處理基板(W)照射氣體團簇的噴嘴部(13)，且具有藉由氣體團簇來處理被處理基板(W)的功能的基板處理裝置中，當將腔室(1)內進行清洗時，在腔室(1)內設置預定的反射構件(dW，60)，對反射構件(dW，60)照射氣體團簇(C)，將在反射構件(dW，60)作反射的氣流抵碰於腔室(1)的壁部，將附著在腔室(1)的壁部的微粒(P)去除。

Description

基板處理裝置之腔室清洗方法
本發明係關於照射氣體團簇來處理基板之基板處理裝置之腔室清洗方法。
在半導體製造工程中，微粒附著在基板係成為左右製品良率的較大要因之一。因此對基板進行用以去除微粒的洗淨處理。
在半導體製造工程中，以去除附著在基板的微粒的技術而言，以往採用2流體洗淨、或使用Ar或N2等的氣膠(aerosol)洗淨，但是該等技術係難以對應近年來的半導體裝置的微細化。
因此，以即使在微細圖案內亦可洗淨的裝置而言，使用氣體團簇淋浴(Gas Cluster Shower；GCS)的基板洗淨技術備受矚目(例如專利文獻1~3等)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-026327號公報
[專利文獻2]日本特開2015-026745號公報
[專利文獻3]日本特開2015-041646號公報
但是，在如上所示之使用GCS的基板洗淨技術中，判明出由基板被去除的微粒附著在腔室的壁部，該附著的微粒在接下來的基板處理時會再附著在基板而污染基板。
因此，本發明之目的在提供一種在進行使用氣體團簇淋浴的基板洗淨處理的基板處理裝置中，可有效去除附著在腔室內壁的微粒的基板處理裝置之腔室清洗方法。
藉由本發明之第1觀點，提供一種基板處理裝置之腔室清洗方法，其係在具有：腔室、在前述腔室內保持被處理基板的載台、及對前述被處理基板照射氣體團簇的噴嘴部，且具有藉由前述氣體團簇來處理前述被處理基板的功能的基板處理裝置中，將前述腔室內進行清洗，該基板處理裝置之腔室清洗方法係包含：在前述腔室內設置預定的反射構件；及對前述反射構件照射氣體團簇，將在前述反射構件作反射的氣流抵碰於前述腔室的壁部，將附著在前述腔室的壁部的微粒去除。
藉由本發明之第2觀點，提供一種基板處理裝置之腔室清洗方法，其係在具有：腔室、在前述腔室內保持被處理基板的載台、及對前述被處理基板照射氣體團 簇的噴嘴部，且具有藉由前述氣體團簇來處理前述被處理基板的功能的基板處理裝置中，清洗前述腔室內，該基板處理裝置之腔室清洗方法係具有：第1階段，其係包含：在前述腔室內設置預定的反射構件；及對前述反射構件照射氣體團簇，且將在前述反射構件作反射的氣流抵碰於前述腔室的壁部，將附著在前述腔室的壁部的微粒去除；及第2階段，其係由前述腔室排出前述經去除的微粒。
上述第1觀點、或第2觀點的第1工程係可形成為以下(a)~(c)之構成。
(a)在前述載台設置虛擬基板作為前述反射構件，一邊使前述載台上下動，一邊對前述虛擬基板照射前述氣體團簇，將在前述虛擬基板作反射的氣流抵碰於前述腔室的側壁，將附著在該部分的微粒去除。
(b)可旋轉地將異形的反射板設置在前述腔室內作為前述反射構件，使前述反射板旋轉，而且一邊使前述噴嘴部移動，一邊由前述噴嘴部對前述反射板照射氣體團簇，將在前述反射板以各種方向作反射的氣流抵碰於前述腔室的內壁全體，將前述腔室內的內壁的微粒去除。
(c)在前述載台設置虛擬基板作為前述反射構件，並且可旋轉地將異形的反射板設置在前述腔室內，且進行以下雙方：一邊使前述載台上下動，一邊對前述虛擬基板照射前述氣體團簇，且將在前述虛擬基板作反射的氣流抵碰於前述腔室的側壁，將附著在該部分的微粒去除；及使前述反射板旋轉，而且一邊使前述噴嘴部移動，一邊由前 述噴嘴部對前述反射板照射氣體團簇，將在前述反射板以各種方向作反射的氣流抵碰於前述腔室的內壁全體，將前述腔室內的內壁的微粒去除。
在上述第2觀點中，較適於前述第2工程係可藉由前述腔室內的沖洗及排氣來進行，藉由反覆複數次對前述腔室內導入沖洗氣體而升壓的工程、及將腔室內進行真空排氣的工程的循環沖洗、或將大流量的沖洗氣體導入至腔室，將前述腔室內控制為預定壓力以上，之後藉由將前述腔室內進行排氣的大流量沖洗來進行。
前述第2工程係可藉由在前述腔室內不將虛擬基板接地的狀態、或使其帶負電或正電的狀態下作配置，由前述噴嘴部將氣體團簇或氣流照射在前述腔室的壁部，使前述腔室內的微粒吸附在前述虛擬基板，由前述腔室回收該虛擬基板來進行。此外，亦可進行排氣及沖洗、與微粒吸附在虛擬基板等雙方。此外，亦可反覆複數次第1工程及第2工程。
本發明係在腔室內設置預定的反射構件，對該反射構件照射氣體團簇，將在該構件作反射的氣流抵碰於腔室的壁部，將附著在腔室壁部的微粒去除。因此，可以適度的能量，將氣流抵碰於腔室壁部，可在不會損傷壁部表面的情形下，有效地將附著在腔室壁部的微粒去除。
此外，藉由實施如上所示之第1階段、及將已去除的微粒由腔室排出的第2階段，可使腔室內清淨。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧搬送口
3‧‧‧閘閥
4‧‧‧旋轉載台
4a‧‧‧臂部
4b‧‧‧晶圓支持部
5‧‧‧旋轉軸
6‧‧‧馬達
7‧‧‧升降機構
8‧‧‧密封構件
13‧‧‧噴嘴部
27‧‧‧沖洗氣體噴嘴
32‧‧‧排氣口
33‧‧‧排氣配管
34‧‧‧真空泵
35‧‧‧壓力控制閥
50‧‧‧控制部
60‧‧‧反射板
71‧‧‧接地線
100‧‧‧基板處理裝置
C‧‧‧氣體團簇
dW‧‧‧虛擬晶圓
P‧‧‧微粒
W‧‧‧半導體晶圓
圖1係顯示進行本發明之清洗方法的基板處理裝置的剖面圖。
圖2係用以說明基板處理裝置之腔室清洗方法中之第1去除處理的剖面圖。
圖3係用以說明基板處理裝置之腔室清洗方法中之第2去除處理的剖面圖。
圖4係顯示照射氣體團簇時將晶圓接地的狀態的圖。
圖5A係顯示為了將微粒吸附在虛擬晶圓，將虛擬晶圓未接地地形成為作電性浮動的狀態的圖。
圖5B係顯示為了將微粒吸附在虛擬晶圓，形成為使虛擬晶圓積極帶電的狀態的圖。
以下參照所附圖示，說明本發明之實施形態。
<基板處理裝置>
圖1係顯示進行本發明之清洗方法的基板處理裝置的剖面圖。
該基板處理裝置100係對作為被處理基板的半導體晶圓(以下僅記載為晶圓)施行洗淨處理者。基板處理裝置100係具備有：區劃用以進行洗淨處理的處理室 的圓筒形狀的腔室1。在腔室1的側面設有用以進行晶圓W之搬入搬出的搬送口2，在搬送口2設有用以進行搬送口2之開閉的閘閥3。
在腔室1內的底部中央設有作為被處理基板的晶圓W以水平姿勢被載置的旋轉載台4。在旋轉載台4係透過旋轉軸5連接有馬達6，馬達6係藉由升降機構7作升降。藉此，旋轉載台4係作旋轉及升降。腔室1的底部與升降機構7之間係以密封構件8予以密封。旋轉載台4係具有由中心延伸的3支(圖中為2支)臂部4a，在臂部的外端部具有晶圓支持部4b。
在旋轉載台4的上方設有用以對晶圓W照射氣體團簇的噴嘴部13。噴嘴部13係藉由噴嘴移動構件(未圖示)，在被載置在旋轉載台4的晶圓W上移動。噴嘴移動構件係使噴嘴部13在晶圓W上進行旋動。
在噴嘴部13係透過被設在噴嘴移動構件的內部的配管(未圖示)而被供給洗淨用的氣體(團簇生成用的氣體)。
噴嘴部13係用以由相較於腔室1內的處理環境氣體為壓力較高的區域，將洗淨用氣體朝向腔室1內的晶圓W吐出，藉由絕熱膨脹而使洗淨用氣體的原子或分子的集合體亦即氣體團簇生成者。所生成的氣體團簇係朝向晶圓W而以大致垂直予以照射。
在腔室1的側壁上部設有沖洗氣體噴嘴27，在沖洗氣體噴嘴27係透過配管(未圖示)被供給例如N2 氣體作為沖洗氣體，N2氣體由沖洗氣體噴嘴27作為沖洗氣體被導入至腔室1內。在配管設有開閉閥(未圖示)。
在腔室1的底部設有排氣口32，在排氣口32連接有排氣配管33。在排氣配管33設有真空泵34，藉由該真空泵34，腔室1內被真空排氣。此時的真空度係可藉由設在排氣配管33的壓力控制閥35進行控制。藉由該等，構成排氣機構，藉此，腔室1內被保持為預定的真空度。
基板處理裝置100係具有控制基板處理裝置100之各構成部的控制部50。控制部50係具有具備有微處理器(電腦)的控制器，其係控制基板處理裝置100的氣體供給、氣體排氣、旋轉載台4的驅動控制等。在控制器係連接有作業人員為了管理基板處理裝置100而進行指令之輸入操作等的鍵盤、或使基板處理裝置100的運轉狀況可視化而進行顯示的顯示器等。此外，在控制器係連接有儲存有：用以利用控制器的控制來實現基板處理裝置100中的處理的控制程式、或用以按照處理條件來使基板處理裝置100的各構成部執行預定的處理的控制程式亦即處理配方(recipe)、或各種資料庫等的記憶部。接著，視需要，由記憶部叫出任意配方而使控制器執行，藉此在控制器的控制下，進行在基板處理裝置100之所希望的洗淨處理。
在如上所示所構成的基板處理裝置100中，首先，打開閘閥3，透過搬入搬出口2，將作為被處理基 板的晶圓W搬入至腔室1內，藉由旋轉載台4的升降，將晶圓W載置在旋轉載台4。接著，使噴嘴部13位於例如晶圓W的中心部的上方，將該中心部作為氣體團簇的照射開始位置，一邊照射氣體團簇，一邊使照射位置朝晶圓W的周緣側移動。此時藉由旋轉載台4，使晶圓W以例如20~200rpm的旋轉速度旋轉。氣體團簇的照射位置係可連續地由晶圓W的中心部朝周緣部移動，或者亦可由中心部依序間歇地朝向晶圓W的周緣移動。藉由調整噴嘴部13的移動速度與晶圓W的旋轉速度，氣體團簇被照射至晶圓W的表面全體。
其中，被供給至噴嘴部13的洗淨用氣體亦可藉由如增壓器(booster)般的升壓機構，使供給壓力上升。此外，亦可設置用以去除氣體中的雜質的過濾器。
<基板處理裝置的清洗方法>
接著，說明如以上所示之基板處理裝置100之腔室清洗方法。
在如以上所示之基板處理裝置100中，判明出藉由氣體團簇，將晶圓W的電路圖案的微粒去除時，由晶圓W被去除的微粒附著在腔室1的壁部，該附著的微粒在接下來的基板洗淨處理時會再附著在晶圓W而將基板污染。
針對有效去除如上所示之附著在腔室1的微粒的方法加以檢討的結果，發現利用基板處理裝置100的 洗淨處理所使用的氣體團簇，藉此可簡易且有效地去除腔室1的微粒。
但是，如上所述，在本實施形態之基板處理裝置100中，係對作為被處理基板的晶圓W照射氣體團簇，難以將直接照射氣體團簇而附著在腔室1的壁部的任意位置的微粒去除。此外，即使可對腔室1的壁部照射氣體團簇，以氣體團簇本身的能量狀況，亦有損傷腔室1的壁部表面之虞。
(去除處理)
因此，在本實施形態中，以腔室壁部的微粒的去除處理而言，採取在腔室1內設置預定的反射構件，且對該反射構件照射氣體團簇，將在該構件作反射的氣流抵碰於腔室1的壁部的手法。藉此，可以適度能量，將氣流抵碰於腔室壁部，且不會有損傷壁部表面的情形而可有效去除附著在腔室壁部的微粒。
具體而言，按照所欲去除的腔室的部位或所需的去除力，進行以下之第1去除處理或第2去除處理。
1.第1去除處理
如圖2所示，第1去除處理係在旋轉載台4設置虛擬晶圓dW作為反射構件，一邊使旋轉載台4上下動，一邊由噴嘴部13對虛擬晶圓dW照射氣體團簇C。藉此，被照射的氣體團簇衝撞虛擬晶圓dW上而被破壞，並且在虛 擬晶圓dW上作反射而成為水平方向的高速氣流。將該水平方向的高速氣流抵碰於腔室1的側壁，且清洗該部分。
通常，在腔室1的壁部，微粒附著量多的是與側壁的晶圓相對應的部分，因此如上所示，在虛擬晶圓dW抵碰以水平方向作反射的高速氣流，藉此可有效去除該側壁的微粒P。
2.第2去除處理
如圖3所示，第2方法係在旋轉軸5安裝將反射方向改變為各種方向的異形的反射板60作為反射構件，使該反射板60旋轉，而且一邊使噴嘴部13掃描，一邊由噴嘴部13對反射板60照射氣體團簇。藉此，被照射的氣體團簇衝撞反射板60上而被破壞，並且形成為藉由反射板60以各種方向作反射的氣流。藉由將該以各種方向作反射的氣流抵碰於腔室1的內壁全體，進行腔室1內的內壁的清洗。
在該第2去除處理中，在第1去除處理中，係可將氣流亦抵碰於無法抵碰氣流的部分，因此適於遍及腔室1的內壁全體而無遺漏地將微粒P去除之時。但是，在第2去除處理中，由於氣流速度比第1去除處理為更慢，因此在腔室1的側壁之與晶圓相對應的部分的微粒附著較多的部分，微粒的去除率不得不低於第1去除處理。
因此，以將上述第1去除處理與第2去除處理加以組合為佳。此時，可在進行第1去除處理之後，再 進行第2去除處理，亦可在進行第2去除處理之後，再進行第1方法。
(微粒的排出) 1.排氣‧沖洗
如上所述在將腔室1的內壁微粒去除後，必須將該微粒排出至腔室外。即使單純地僅將腔室內進行排氣，微粒亦以一定程度被排出。但是，為了充分排出微粒，以進行沖洗與排氣之雙方為佳。沖洗係可藉由將藉由配管(未圖示)被供給之作為沖洗氣體的N2氣體，由氣體噴嘴27導入至腔室1內來進行。
以排氣‧沖洗的手法而言，以循環沖洗或大流量沖洗較為適合。循環沖洗係反覆複數次以下工程的處理：在腔室內導入例如N2氣體作為沖洗氣體來進行升壓的工程、及將腔室內進行真空排氣的工程。此外，大流量沖洗係例如將N2氣體作為沖洗氣體以大流量導入至腔室，將腔室內控制在預定壓力以上，之後進行排氣的手法。任一者均為自以往以來被使用在腔室微粒去除的技術，利用導入沖洗氣體時的衝撞力者，但是僅以該等，使微粒由腔室的壁部脫離的能力並不足夠。
相對於此，在本實施形態中，將循環沖洗或大流量沖洗，主要使用在：將藉由上述第1去除處理或第2去除處理、或第1去除處理及第2去除處理所去除的微粒排出在腔室外。亦即，藉由導入沖洗氣體時的衝撞力， 使藉由上述第1去除處理或第2去除處理、或第1去除處理及第2去除處理而由腔室1脫離的微粒浮遊，之後將腔室1內進行排氣，藉此促進微粒排出至腔室1外。當然，藉由循環沖洗或大流量沖洗的沖洗氣體的衝撞力，係會發生微粒些微由腔室壁部脫離。
其中，以循環沖洗的具體條件而言，例示：升壓時的壓力：約0.3MPa、排氣時的壓力：30Pa、反覆次數：10次。此外，以大流量沖洗的具體條件而言，係例示沖洗所需時間：0.1~10秒。
循環沖洗或大流量沖洗係在進行第1去除處理及/或第2去除處理之後，可僅進行1次，但是以反覆複數次第1去除處理及/或第2去除處理、及循環沖洗或大流量沖洗為佳。藉此，可更加減少微粒，而得更高清淨度。
2.吸附
以如上所述將腔室1的內壁的微粒去除後的微粒的排出手法而言，亦可使用將虛擬晶圓投入在腔室內，使該虛擬晶圓吸附微粒而搬出的手法。
若對晶圓照射氣體團簇，確認出晶圓帶電，在對晶圓照射氣體團簇時，實際上係如圖4所示，在晶圓W連接接地線71，且將晶圓W透過旋轉載台4而與接地相連接，防止微粒被電性拉近至晶圓W。在本例中，利用該原理，在腔室清洗時，將虛擬晶圓dW載置在旋轉載台 4上，且形成為如圖5A所示使虛擬晶圓dW未接地地作電性浮起的狀態、或如圖5B所示積極地使其帶電的狀態(在圖5B中係顯示使其帶負電的狀態，但是帶正電時亦同)，由噴嘴部13對腔室1的壁部(內面)照射不損傷腔室之程度的能量的氣體團簇或氣流而使腔室1內的微粒飛舞，使以與其中的虛擬晶圓為相反極性帶電的微粒P吸附在虛擬晶圓dW。接著，從腔室1回收該虛擬晶圓dW，藉此可有效排出腔室1內的微粒。
如上所示之吸附處理係可在進行第1去除處理及/或第2去除處理之後，僅進行1次，但是以反覆複數次第1去除處理及/或第2去除處理與吸附處理為佳。藉此，可更加減少微粒，而得更高清淨度。
此外，亦可在進行第1去除處理及/或第2去除處理之後，進行循環沖洗或大流量沖洗、及吸附處理之雙方。
<其他適用>
以上說明本發明之實施形態，惟本發明並非限定於上述實施形態，可在本發明之思想範圍內作各種變形。例如，在上述實施形態中，係將本發明適用在進行基板洗淨處理的處理裝置，但是亦可適用在：具有以氣體團簇洗淨基板的功能的乾式蝕刻裝置、或以氣體團簇進行洗淨以外之處理的基板處理裝置等其他基板處理裝置。
此外，在上述實施形態中，係例示在基板處 理裝置中藉由旋動而使噴嘴部移動的情形，惟噴嘴部亦可為作線性移動者。
此外，被處理基板並非限定為半導體晶圓者，當然亦可將本發明適用在液晶顯示裝置等FPD(平板顯示器)所使用的玻璃基板、或陶瓷基板等其他基板。
1‧‧‧腔室
4‧‧‧旋轉載台
5‧‧‧旋轉軸
13‧‧‧噴嘴部
C‧‧‧氣體團簇
dW‧‧‧虛擬晶圓
P‧‧‧微粒

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置之腔室清洗方法，其係在具有：腔室、在前述腔室內保持被處理基板的載台、及對前述被處理基板照射氣體團簇的噴嘴部，且具有藉由前述氣體團簇來處理前述被處理基板的功能的基板處理裝置中，將前述腔室內進行清洗，該基板處理裝置之腔室清洗方法係包含：在前述腔室內設置預定的反射構件；及對前述反射構件照射氣體團簇，將在前述反射構件作反射的高速的氣流抵碰於前述腔室的壁部，將附著在前述腔室的壁部的微粒去除。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置之腔室清洗方法，其中，在前述載台設置虛擬基板作為前述反射構件，一邊使前述載台上下動，一邊對前述虛擬基板照射前述氣體團簇，將在前述虛擬基板作反射的氣流抵碰於前述腔室的側壁，將附著在前述腔室的側壁抵碰到氣流的部分的微粒去除。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置之腔室清洗方法，其中，可旋轉地將異形的反射板設置在前述腔室內作為前述反射構件，使前述反射板旋轉，而且一邊使前述噴嘴部移動，一邊由前述噴嘴部對前述反射板照射氣體團簇，將在前述反射板以各種方向作反射的氣流抵碰於前述腔室的內壁全體，將前述腔室內的內壁的微粒去除。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置之腔室清 洗方法，其中，在前述載台設置虛擬基板作為前述反射構件，並且可旋轉地將異形的反射板設置在前述腔室內，且進行以下雙方：一邊使前述載台上下動，一邊對前述虛擬基板照射前述氣體團簇，且將在前述虛擬基板作反射的氣流抵碰於前述腔室的側壁，將附著在前述腔室的側壁抵碰到氣流的部分的微粒去除；及使前述反射板旋轉，而且一邊使前述噴嘴部移動，一邊由前述噴嘴部對前述反射板照射氣體團簇，將在前述反射板以各種方向作反射的氣流抵碰於前述腔室的內壁全體，將前述腔室內的內壁的微粒去除。
  5. 一種基板處理裝置之腔室清洗方法，其係在具有：腔室、在前述腔室內保持被處理基板的載台、及對前述被處理基板照射氣體團簇的噴嘴部，且具有藉由前述氣體團簇來處理前述被處理基板的功能的基板處理裝置中，清洗前述腔室內，該基板處理裝置之腔室清洗方法係具有：第1階段，其係包含：在前述腔室內設置預定的反射構件；及對前述反射構件照射氣體團簇，且將在前述反射構件作反射的高速的氣流抵碰於前述腔室的壁部，將附著在前述腔室的壁部的微粒去除；及第2階段，其係由前述腔室排出前述經去除的微粒。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置之腔室清洗方法，其中，前述第1階段係在前述載台設置虛擬基板 作為前述反射構件，一邊使前述載台上下動，一邊對前述虛擬基板照射前述氣體團簇，將在前述虛擬基板作反射的氣流抵碰於前述腔室的側壁，將附著在前述腔室的側壁抵碰到氣流的部分的微粒去除。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置之腔室清洗方法，其中，前述第1階段係可旋轉地將異形的反射板設置在前述腔室內作為前述反射構件，使前述反射板旋轉，而且一邊使前述噴嘴部移動，一邊由前述噴嘴部對前述反射板照射氣體團簇，將在前述反射板以各種方向作反射的氣流抵碰於前述腔室的內壁全體，將前述腔室內的內壁的微粒去除。
  8. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置之腔室清洗方法，其中，前述第1階段係在前述載台設置虛擬基板作為前述反射構件，並且可旋轉地將異形的反射板設置在前述腔室內，且進行以下雙方：一邊使前述載台上下動，一邊對前述虛擬基板照射前述氣體團簇，且將在前述虛擬基板作反射的氣流抵碰於前述腔室的側壁，將附著在前述腔室的側壁抵碰到氣流的部分的微粒去除；及使前述反射板旋轉，而且一邊使前述噴嘴部移動，一邊由前述噴嘴部對前述反射板照射氣體團簇，將在前述反射板以各種方向作反射的氣流抵碰於前述腔室的內壁全體，將前述腔室內的內壁的微粒去除。
  9. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置之腔室清 洗方法，其中，前述第2階段係藉由前述腔室內的沖洗及排氣進行。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置之腔室清洗方法，其中，前述第2階段係藉由反覆複數次對前述腔室內導入沖洗氣體而升壓的工程、及將腔室內進行真空排氣的工程的循環沖洗、或將大流量的沖洗氣體導入至腔室，將前述腔室內控制為預定壓力以上，之後藉由將前述腔室內進行排氣的大流量沖洗來進行。
  11. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置之腔室清洗方法，其中，前述第2階段係藉由在前述腔室內不將虛擬基板接地的狀態、或使其帶負電或正電的狀態下作配置，由前述噴嘴部將氣體團簇或氣流照射在前述腔室的壁部，使前述腔室內的微粒吸附在前述虛擬基板，由前述腔室回收該虛擬基板來進行。
  12. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置之腔室清洗方法，其中，反覆複數次前述第1階段與前述第2階段。
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