JPWO2017094388A1 - 基板処理装置のチャンバークリーニング方法 - Google Patents

基板処理装置のチャンバークリーニング方法 Download PDF

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Abstract

チャンバー（１）と、チャンバー（１）内で被処理基板（Ｗ）を保持するステージ（４）と、被処理基板（Ｗ）にガスクラスターを照射するノズル部（１３）とを有し、ガスクラスターにより被処理基板（Ｗ）を処理する機能を有する基板処理装置において、チャンバー（１）内をクリーニングする際に、チャンバー（１）内に所定の反射部材（ｄＷ，６０）を設置し、反射部材（ｄＷ，６０）にガスクラスター（Ｃ）を照射し、反射部材（ｄＷ，６０）で反射した気流をチャンバー（１）の壁部に当て、チャンバー（１）の壁部に付着したパーティクル（Ｐ）を除去する。

Description

本発明は、ガスクラスターを照射して基板を処理する基板処理装置のチャンバークリーニング方法に関する。
半導体製造工程においては、基板へのパーティクルの付着が製品の歩留まりを左右する大きな要因の一つとなっている。このため基板に対してパーティクルを除去するための洗浄処理が行われている。
半導体製造工程において、基板に付着したパーティクルを除去する技術としては、従来、２流体洗浄や、ＡｒやＮ２などを用いたエアロゾル洗浄が採用されていたが、これらの技術は、近時の半導体装置の微細化に対応することが困難である。
そこで、微細なパターン内でも洗浄可能な装置として、ガスクラスターシャワー（Gas Cluster Shower；ＧＣＳ）を用いた基板洗浄技術が注目されている（例えば特許文献１〜３等）。
特開２０１３−０２６３２７号公報 特開２０１５−０２６７４５号公報 特開２０１５−０４１６４６号公報
しかし、このようなＧＣＳを用いた基板洗浄技術では、基板から除去されたパーティクルがチャンバーの壁部に付着し、この付着したパーティクルが次の基板処理の際に基板に再付着して基板を汚染してしまうことが判明した。
したがって、本発明は、ガスクラスターシャワーを用いた基板洗浄処理を行う基板処理装置において、チャンバーの内壁に付着したパーティクルを有効に除去することができる、基板処理装置のチャンバークリーニング方法を提供することを目的とする。
本発明の第１の観点によれば、チャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を保持するステージと、前記被処理基板にガスクラスターを照射するノズル部とを有し、前記ガスクラスターにより前記被処理基板を処理する機能を有する基板処理装置において、前記チャンバー内をクリーニングする、基板処理装置のチャンバークリーニング方法であって、前記チャンバー内に所定の反射部材を設置することと、前記反射部材にガスクラスターを照射し、前記反射部材で反射した気流を前記チャンバーの壁部に当て、前記チャンバーの壁部に付着したパーティクルを除去することとを含む、基板処理装置のチャンバークリーニング方法が提供される。
本発明の第２の観点によれば、チャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を保持するステージと、前記被処理基板にガスクラスターを照射するノズル部とを有し、前記ガスクラスターにより前記被処理基板を処理する機能を有する基板処理装置において、前記チャンバー内をクリーニングする、基板処理装置のチャンバークリーニング方法であって、前記チャンバー内に所定の反射部材を設置することと、前記反射部材にガスクラスターを照射し、前記反射部材で反射した気流を前記チャンバーの壁部に当て、前記チャンバーの壁部に付着したパーティクルを除去することとを含む第１ステージと、前記除去したパーティクルを前記チャンバーから排出する第２ステージとを有する、基板処理装置のチャンバークリーニング方法が提供される。
上記第１の観点、または第２の観点の第１工程は、以下の（ａ）〜（ｃ）の構成とすることができる。
（ａ）前記反射部材として、前記ステージにダミー基板を設置し、前記ステージを上下動させながら、前記ダミー基板に前記ガスクラスターを照射し、前記ダミー基板で反射した気流を、前記チャンバーの側壁に当てて、その部分に付着したパーティクルを除去する。
（ｂ）前記反射部材として、前記チャンバー内に回転可能に異形の反射板を設置し、前記反射板を回転させ、かつ前記ノズル部を移動させながら、前記ノズル部から前記反射板にガスクラスターを照射し、前記反射板で種々の方向に反射した気流を前記チャンバーの内壁全体に当てて、前記チャンバー内の内壁のパーティクルを除去する。
（ｃ）前記反射部材として、前記ステージにダミー基板を設置するとともに、前記チャンバー内に回転可能に異形の反射板を設置し、前記ステージを上下動させながら、前記ダミー基板に前記ガスクラスターを照射し、前記ダミー基板で反射した気流を、前記チャンバーの側壁に当てて、その部分に付着したパーティクルを除去すること、および、前記反射板を回転させ、かつ前記ノズル部を移動させながら、前記ノズル部から前記反射板にガスクラスターを照射し、前記反射板で種々の方向に反射した気流を前記チャンバーの内壁全体に当てて、前記チャンバー内の内壁のパーティクルを除去することの両方を行う。
上記第２の観点において、前記第２工程は、前記チャンバー内のパージおよび排気により行うことができ、前記チャンバー内にパージガスを導入して昇圧する工程と、チャンバー内を真空排気する工程とを複数回繰り返すサイクルパージ、または、大流量のパージガスをチャンバーに導入し、前記チャンバー内を所定圧力以上に制御し、その後前記チャンバー内を排気する大流量パージにより行うことが好適である。
前記第２工程は、前記チャンバー内にダミー基板を接地しない状態、またはマイナスもしくはプラスに帯電させた状態で配置し、前記ノズル部からガスクラスターまたは気流を前記チャンバーの壁部に照射し、前記チャンバー内のパーティクルを前記ダミー基板に吸着させ、そのダミー基板を前記チャンバーから回収することにより行うことができる。また、排気およびパージと、パーティクルのダミー基板への吸着を両方行ってもよい。さらに、第１工程と第２工程とを複数回繰り返してもよい。
本発明は、チャンバー内に所定の反射部材を設置し、この反射部材にガスクラスターを照射し、その部材で反射した気流をチャンバーの壁部に当て、チャンバー壁部に付着したパーティクルを除去する。このため、適度なエネルギーでチャンバー壁部に気流を当てることができ、壁部表面を損傷することなく有効にチャンバーの壁部に付着したパーティクルを除去することができる。
また、このような第１ステージと、除去したパーティクルをチャンバーから排出する第２ステージを実施することにより、チャンバー内を清浄にすることができる。
本発明のクリーニング方法が行われる基板処理装置を示す断面図である。 基板処理装置のチャンバークリーニング方法における第１の除去処理を説明するための断面図である。 基板処理装置のチャンバークリーニング方法における第２の除去処理を説明するための断面図である。 ガスクラスターを照射する際にウエハを接地する状態を示す図である。 パーティクルをダミーウエハに吸着するために、ダミーウエハを接地せずに電気的に浮かした状態としたことを示す図である。 パーティクルをダミーウエハに吸着するために、ダミーウエハを積極的に帯電させた状態としたことを示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
＜基板処理装置＞
図１は本発明のクリーニング方法が行われる基板処理装置を示す断面図である。
この基板処理装置１００は、被処理基板である半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）に洗浄処理を施すものである。基板処理装置１００は、洗浄処理を行うための処理室を区画する円筒形状のチャンバー１を備えている。チャンバー１の側面には、ウエハＷの搬入出を行うための搬送口２が設けられ、搬送口２には、搬送口２の開閉を行うためのゲートバルブ３が設けられている。
チャンバー１内の底部中央には、被処理基板であるウエハＷが水平な姿勢で載置される回転ステージ４が設けられている。回転ステージ４には回転軸５を介してモータ６が接続されており、モータ６は昇降機構７により昇降されるようになっている。これにより回転ステージ４は、回転および昇降されるようになっている。チャンバー１の底部と昇降機構７との間はシール部材８でシールされている。回転ステージ４は、中心から延びる３本（図では２本）のアーム４ａを有しており、アームの外端部にウエハ支持部４ｂを有している。
回転ステージ４の上方には、ウエハＷにガスクラスターを照射するためのノズル部１３が設けられている。ノズル部１３は、ノズル移動部材（図示せず）により回転ステージ４に載置されたウエハＷ上を移動されるようになっている。ノズル移動部材は、ノズル部１３をウエハＷ上で回動させるようになっている。
ノズル部１３には、ノズル移動部材の内部に設けられた配管（図示せず）を介して洗浄用のガス（クラスター生成用のガス）が供給されるようになっている。
ノズル部１３は、チャンバー１内の処理雰囲気よりも圧力の高い領域から洗浄用のガスをチャンバー１内のウエハＷに向けて吐出し、断熱膨張により洗浄用ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成させるためのものである。生成されたガスクラスターはウエハＷに向かってほぼ垂直に照射される。
チャンバー１の側壁上部には、パージガスノズル２７が設けられており、パージガスノズル２７には、配管（図示せず）を介してパージガスとして例えばＮ２ガスが供給され、パージガスノズル２７からチャンバー１内にパージガスとしてＮ２ガスが導入される。配管には開閉バルブ（図示せず）が設けられている。
チャンバー１の底部には排気口３２が設けられており、排気口３２には排気配管３３が接続されている。排気配管３３には、真空ポンプ３４が設けられており、この真空ポンプ３４によりチャンバー１内が真空排気されるようになっている。このときの真空度は排気配管３３に設けられた圧力制御バルブ３５により制御可能となっている。これらにより排気機構が構成され、これによりチャンバー１内が所定の真空度に保持される。
基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各構成部を制御する制御部５０を有している。制御部５０は、基板処理装置１００のガスの供給、ガスの排気、回転ステージ４の駆動制御等を制御する、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたコントローラを有している。コントローラには、オペレータが基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等が接続されている。また、コントローラには、基板処理装置１００における処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラムや処理条件に応じて基板処理装置１００の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムである処理レシピや、各種データベース等が格納された記憶部が接続されている。そして、必要に応じて、任意のレシピを記憶部から呼び出してコントローラに実行させることで、コントローラの制御下で、基板処理装置１００での所望の洗浄処理が行われる。
このように構成された基板処理装置１００においては、まず、ゲートバルブ３を開けて搬入出口２を介して被処理基板であるウエハＷをチャンバー１内に搬入し、回転ステージ４の昇降により、回転ステージ４にウエハＷを載置する。次いでノズル部１３を、例えばウエハＷの中心部の上方に位置させて、当該中心部をガスクラスターの照射開始位置とし、ガスクラスターを照射しながら照射位置をウエハＷの周縁側に移動させる。このとき回転ステージ４により、ウエハＷを例えば２０〜２００ｒｐｍの回転速度で回転させる。ガスクラスターの照射位置は、連続的にウエハＷの中心部から周縁部に移動させてもよいし、あるいは中心部から順次間欠的にウエハＷの周縁に向かって移動させてもよい。ノズル部１３の移動速度とウエハＷの回転速度とを調整することにより、ウエハＷの表面全体にガスクラスターが照射される。
なお、ノズル部１３に供給される洗浄用ガスは、ブースターのような昇圧機構により供給圧力を上昇させてもよい。また、ガス中の不純物を除去するためのフィルターを設けてもよい。
＜基板処理装置のクリーニング方法＞
次に、以上のような基板処理装置１００のチャンバークリーニング方法について説明する。
以上のような基板処理装置１００において、ガスクラスターにより、ウエハＷの回路パターンのパーティクルを除去した際に、ウエハＷから除去されたパーティクルがチャンバー１の壁部に付着し、この付着したパーティクルが次の基板洗浄処理の際にウエハＷに再付着して基板を汚染してしまうことが判明した。
このようなチャンバー１に付着したパーティクルを有効に除去する方法について検討した結果、基板処理装置１００の洗浄処理に用いているガスクラスターを利用することにより、チャンバー１のパーティクルを簡易にかつ有効に除去できることが見出された。
しかし、上述したように、本実施形態の基板処理装置１００では、ガスクラスターを被処理基板であるウエハＷに照射するようになっており、チャンバー１の壁部の任意の位置にガスクラスターを直接照射して付着したパーティクルを除去することは困難である。また、たとえチャンバー１の壁部にガスクラスターを照射することができたとしても、ガスクラスター自体のエネルギー次第では、チャンバー１の壁部表面を損傷するおそれがある。
（除去処理）
このため、本実施形態では、チャンバー壁部のパーティクルの除去処理として、チャンバー１内に所定の反射部材を設置し、この反射部材にガスクラスターを照射し、その部材で反射した気流をチャンバー１の壁部に当てる手法をとる。これにより、適度なエネルギーでチャンバー壁部に気流を当てることができ、壁部表面を損傷することなく有効にチャンバーの壁部に付着したパーティクルを除去することができる。
具体的には、除去しようとするチャンバーの部位や必要とされる除去力に応じて、以下の第１の除去処理または第２の除去処理を行う。
１．第１の除去処理
図２に示すように、第１の除去処理は、回転ステージ４に反射部材としてダミーウエハｄＷを設置し、回転ステージ４を上下動させながら、ノズル部１３からダミーウエハｄＷにガスクラスターＣを照射する。これにより、照射されたガスクラスターがダミーウエハｄＷ上に衝突して破壊されるとともに、ダミーウエハｄＷ上で反射して水平方向の高速の気流となる。この水平方向の高速の気流をチャンバー１の側壁に当てて、その部分をクリーニングする。
通常、チャンバー１の壁部において、パーティクルの付着量が多いのは、側壁のウエハに対応する部分であるから、このように、ダミーウエハｄＷで水平方向に反射した高速の気流を当てることにより、この側壁のパーティクルＰを有効に除去することができる。
２．第２の除去処理
図３に示すように、第２の方法は、反射部材として、反射方向を様々な向きに変えられる異形の反射板６０を回転軸５に取り付け、この反射板６０を回転させ、かつノズル部１３をスキャンさせながら、ノズル部１３から反射板６０にガスクラスターを照射する。これにより、照射されたガスクラスターが反射板６０上に衝突して破壊されるとともに、反射板６０により種々の方向に反射した気流となる。この種々の方向に反射した気流をチャンバー１の内壁全体に当てることにより、チャンバー１内の内壁のクリーニングを行う。
この第２の除去処理においては、第１の除去処理では気流を当てることができない部分にも気流を当てることができるので、チャンバー１の内壁の全体にわたってまんべんなくパーティクルＰを除去する場合に適している。ただし、第２の除去処理では第１の除去処理よりも気流の速度が遅くなるため、チャンバー１の側壁におけるウエハに対応する部分のパーティクルが多く付着している部分では、パーティクルの除去率は第１の除去処理よりも低くならざるを得ない。
このため、上記第１の除去処理と第２の除去処理とを組み合わせることが好ましい。この場合、第１の除去処理を行ってから第２の除去処理を行ってもよいし、第２の除去処理を行ってから第１の方法を行ってもよい。
（パーティクルの排出）
１．排気・パージ
上述のようにチャンバー１の内壁のパーティクルを除去した後、そのパーティクルをチャンバー外に排出する必要がある。パーティクルは、単純にチャンバー内を排気するのみでもある程度排出される。しかし、パーティクルを十分に排出するためには、パージと排気の両方を行うことが好ましい。パージは、配管（図示せず）により供給されたパージガスとしてのＮ２ガスを、ガスノズル２７からチャンバー１内に導入することにより行うことができる。
排気・パージの手法としては、サイクルパージや大流量パージが好適である。サイクルパージは、チャンバー内にパージガスとして例えばＮ２ガスを導入して昇圧する工程と、チャンバー内を真空排気する工程とを複数回繰り返す処理である。また、大流量パージは、パージガスとして、例えばＮ２ガスをチャンバーに大流量で導入し、チャンバー内を所定圧力以上に制御し、その後排気する手法である。いずれも従来からチャンバーのパーティクル除去に用いられていた技術であり、パージガスを導入した際の衝撃力を利用するものであるが、これらのみではチャンバーの壁部からパーティクルを脱離させる能力は十分ではない。
これに対し、本実施形態では、サイクルパージまたは大流量パージを、主に、上記第１の除去処理もしくは第２の除去処理、または第１の除去処理および第２の除去処理により除去したパーティクルをチャンバー外に排出するために用いる。すなわち、パージガスを導入する際の衝撃力により、上記第１の除去処理もしくは第２の除去処理、または第１の除去処理および第２の除去処理によりチャンバー１から離脱したパーティクルを浮遊させ、その後、チャンバー１内を排気することにより、チャンバー１外へのパーティクルの排出を促進させる。もちろん、サイクルパージまたは大流量パージのパージガスの衝撃力により、チャンバー壁部から多少のパーティクルの脱離は生じる。
なお、サイクルパージの具体的な条件としては、昇圧時の圧力：およそ０．３ＭＰａ、排気時の圧力：３０Ｐａ、繰り返し回数：１０回が例示される。また、大流量パージの具体的な条件としては、パージ所要時間：０．１〜１０秒が例示される。
サイクルパージまたは大流量パージは、第１の除去処理および／または第２の除去処理を行った後、１回のみ行ってもよいが、第１の除去処理および／または第２の除去処理と、サイクルパージまたは大流量パージとを複数回繰り返すことが好ましい。これにより、パーティクルをより少なくして、より高い清浄度を得ることができる。
２．吸着
上述のようにチャンバー１の内壁のパーティクルを除去した後のパーティクルの排出手法として、ダミーウエハをチャンバー内に投入し、そのダミーウエハにパーティクルを吸着させて搬出する手法を用いてもよい。
ガスクラスターをウエハに照射すると、ウエハが帯電することが確認されており、ウエハに対してガスクラスターを照射する際には、実際には、図４に示すように、ウエハＷに接地線７１を接続し、ウエハＷを回転ステージ４を介してグラウンドに接続するようにして、ウエハＷにパーティクルが電気的に引き寄せられることを防止している。本例では、この原理を利用して、チャンバークリーニング時にダミーウエハｄＷを回転ステージ４上に載置し、図５Ａに示すようにダミーウエハｄＷを接地せずに電気的に浮かした状態、または図５Ｂに示すように積極的に帯電させた状態（図５Ｂではマイナスに帯電させた状態を示すがプラスに帯電した場合も同様）とし、ノズル部１３からチャンバー１の壁部（内面）にチャンバーを損傷しない程度のエネルギーのガスクラスターまたは気流を照射してチャンバー１内のパーティクルを舞い上がらせ、その中のダミーウエハとは逆極性に帯電したパーティクルＰをダミーウエハｄＷに吸着させる。そして、このダミーウエハｄＷをチャンバー１から回収することにより、チャンバー１内のパーティクルを効果的に排出することができる。
このような吸着処理は、第１の除去処理および／または第２の除去処理を行った後、１回のみ行ってもよいが、第１の除去処理および／または第２の除去処理と吸着処理とを複数回繰り返すことが好ましい。これにより、パーティクルをより少なくして、より高い清浄度を得ることができる。
また、第１の除去処理および／または第２の除去処理を行った後、サイクルパージまたは大流量パージと、吸着処理とを両方行ってもよい。
＜他の適用＞
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく本発明の思想の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、基板洗浄処理を行う処理装置に本発明を適用したが、ガスクラスターで基板を洗浄する機能を有するドライエッチング装置や、ガスクラスターで洗浄以外の処理を行う基板処理装置等の他の基板処理装置にも適用することができる。
また、上記実施形態では、基板処理装置においてノズル部を回動により移動させた場合を例示したが、ノズル部はリニア移動させるものであってもよい。
さらに、被処理基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶表示装置等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いるガラス基板や、セラミック基板等の他の基板にも本発明を適用できることはいうまでもない。
１；チャンバー、４；回転ステージ、５；回転軸、６；モータ、７；昇降機構、１３；ノズル部、２７；パージガスノズル、３２；排気口、３３；排気配管、３４；真空ポンプ、５０；制御部、６０；反射板、７１；接地線、１００；基板処理装置、Ｗ；半導体ウエハ、ｄＷ；ダミーウエハ

Claims (12)

  1. チャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を保持するステージと、前記被処理基板にガスクラスターを照射するノズル部とを有し、前記ガスクラスターにより前記被処理基板を処理する機能を有する基板処理装置において、前記チャンバー内をクリーニングする、基板処理装置のチャンバークリーニング方法であって、
    前記チャンバー内に所定の反射部材を設置することと、
    前記反射部材にガスクラスターを照射し、前記反射部材で反射した気流を前記チャンバーの壁部に当て、前記チャンバーの壁部に付着したパーティクルを除去することと
    を含む、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  2. 前記反射部材として、前記ステージにダミー基板を設置し、前記ステージを上下動させながら、前記ダミー基板に前記ガスクラスターを照射し、前記ダミー基板で反射した気流を、前記チャンバーの側壁に当てて、その部分に付着したパーティクルを除去する、請求項１に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  3. 前記反射部材として、前記チャンバー内に回転可能に異形の反射板を設置し、前記反射板を回転させ、かつ前記ノズル部を移動させながら、前記ノズル部から前記反射板にガスクラスターを照射し、前記反射板で種々の方向に反射した気流を前記チャンバーの内壁全体に当てて、前記チャンバー内の内壁のパーティクルを除去する、請求項１に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  4. 前記反射部材として、前記ステージにダミー基板を設置するとともに、前記チャンバー内に回転可能に異形の反射板を設置し、
    前記ステージを上下動させながら、前記ダミー基板に前記ガスクラスターを照射し、前記ダミー基板で反射した気流を、前記チャンバーの側壁に当てて、その部分に付着したパーティクルを除去すること、
    および、前記反射板を回転させ、かつ前記ノズル部を移動させながら、前記ノズル部から前記反射板にガスクラスターを照射し、前記反射板で種々の方向に反射した気流を前記チャンバーの内壁全体に当てて、前記チャンバー内の内壁のパーティクルを除去することの両方を行う、請求項１に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  5. チャンバーと、前記チャンバー内で被処理基板を保持するステージと、前記被処理基板にガスクラスターを照射するノズル部とを有し、前記ガスクラスターにより前記被処理基板を処理する機能を有する基板処理装置において、前記チャンバー内をクリーニングする、基板処理装置のチャンバークリーニング方法であって、
    前記チャンバー内に所定の反射部材を設置することと、前記反射部材にガスクラスターを照射し、前記反射部材で反射した気流を前記チャンバーの壁部に当て、前記チャンバーの壁部に付着したパーティクルを除去することとを含む第１ステージと、
    前記除去したパーティクルを前記チャンバーから排出する第２ステージと
    を有する、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  6. 前記第１ステージは、前記反射部材として、前記ステージにダミー基板を設置し、前記ステージを上下動させながら、前記ダミー基板に前記ガスクラスターを照射し、前記ダミー基板で反射した気流を、前記チャンバーの側壁に当てて、その部分に付着したパーティクルを除去する、請求項５に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  7. 前記第１ステージは、前記反射部材として、前記チャンバー内に回転可能に異形の反射板を配置し、前記反射板を回転させ、かつ前記ノズル部を移動させながら、前記ノズル部から前記反射板にガスクラスターを照射し、前記反射板で種々の方向に反射した気流を前記チャンバーの内壁全体に当てて、前記チャンバー内の内壁のパーティクルを除去する、請求項５に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  8. 前記第１ステージは、
    前記反射部材として、前記ステージにダミー基板を設置するとともに、前記チャンバー内に回転可能に異形の反射板を設置し、
    前記ステージを上下動させながら、前記ダミー基板に前記ガスクラスターを照射し、前記ダミー基板で反射した気流を、前記チャンバーの側壁に当てて、その部分に付着したパーティクルを除去すること、
    および、前記反射板を回転させ、かつ前記ノズル部を移動させながら、前記ノズル部から前記反射板にガスクラスターを照射し、前記反射板で種々の方向に反射した気流を前記チャンバーの内壁全体に当てて、前記チャンバー内の内壁のパーティクルを除去することの両方を行う、請求項５に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  9. 前記第２ステージは、前記チャンバー内のパージおよび排気により行う、請求項５に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  10. 前記第２ステージは、前記チャンバー内にパージガスを導入して昇圧する工程と、チャンバー内を真空排気する工程とを複数回繰り返すサイクルパージ、または、大流量のパージガスをチャンバーに導入し、前記チャンバー内を所定圧力以上に制御し、その後前記チャンバー内を排気する大流量パージにより行う、請求項９に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  11. 前記第２ステージは、前記チャンバー内にダミー基板を接地しない状態、またはマイナスもしくはプラスに帯電させた状態で配置し、前記ノズル部からガスクラスターまたは気流を前記チャンバーの壁部に照射し、前記チャンバー内のパーティクルを前記ダミー基板に吸着させ、そのダミー基板を前記チャンバーから回収することにより行われる、請求項５に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
  12. 前記第１ステージと前記第２ステージとを複数回繰り返す、請求項５に記載の、基板処理装置のチャンバークリーニング方法。
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