JP2008210872A - 基板現像方法と現像装置と基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板に供給された現像液のうちレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を基板から除去することができる基板現像方法と現像装置と基板処理装置を提供する。
【解決手段】現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給し(ステップS1、S2)、続いて、基板を回転させて洗浄液を基板から振り切りつつ乾燥させる(ステップS3)。基板上の洗浄液が蒸発するのに伴い、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を表面上に移動させることができる。続いて、移動後洗浄処理を行うことで、回転処理で移動した現像液を洗い流すことができる(ステップS4)。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
【選択図】図2
【解決手段】現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給し(ステップS1、S2)、続いて、基板を回転させて洗浄液を基板から振り切りつつ乾燥させる(ステップS3)。基板上の洗浄液が蒸発するのに伴い、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を表面上に移動させることができる。続いて、移動後洗浄処理を行うことで、回転処理で移動した現像液を洗い流すことができる(ステップS4)。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
【選択図】図2
Description
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)を現像する基板現像方法と現像装置と基板処理装置に関する。
現像装置は、基板を回転可能に保持するスピンチャックと基板に現像液を供給するノズル等を備えているものがある。この装置では、スピンチャックに保持された基板に現像液を供給して、基板の表面に形成されたレジスト膜のうちパターン部以外を溶解する。引き続いて基板を洗浄・乾燥して、溶解したレジスト膜を除去する(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、供給した現像液のうちレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液については、基板上に洗浄液を供給しただけでは十分に洗い流すことができない。また、基板を乾燥しても現像液の特性上、現像液を完全に蒸発させることは困難である。この結果、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液は現像欠陥となるという不都合がある。また、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液が再びレジスト膜の表面上に浮き出た場合、レジスト膜に形成したラインを識別できなくなり、ライン欠陥等を画像処理によって検出する検査を適切に行うことができないという不都合がある。
すなわち、供給した現像液のうちレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液については、基板上に洗浄液を供給しただけでは十分に洗い流すことができない。また、基板を乾燥しても現像液の特性上、現像液を完全に蒸発させることは困難である。この結果、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液は現像欠陥となるという不都合がある。また、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液が再びレジスト膜の表面上に浮き出た場合、レジスト膜に形成したラインを識別できなくなり、ライン欠陥等を画像処理によって検出する検査を適切に行うことができないという不都合がある。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板に供給された現像液のうちレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を基板から除去することができる基板現像方法と現像装置と基板処理装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、レジスト膜が被着された基板を現像する基板現像方法において、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させる現像液移動過程と、基板に洗浄液を供給して前記現像液移動過程で移動した現像液を洗浄する移動後洗浄過程と、を備えていることを特徴とするものである。
すなわち、請求項1に記載の発明は、レジスト膜が被着された基板を現像する基板現像方法において、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させる現像液移動過程と、基板に洗浄液を供給して前記現像液移動過程で移動した現像液を洗浄する移動後洗浄過程と、を備えていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、現像液移動過程を備えているので、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させることができる。また、移動後洗浄過程を備えているので、現像液移動過程で移動した現像液を洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
本発明において、前記現像液移動過程および前記移動後洗浄過程を繰り返し行うことが好ましい(請求項2)。レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を十分に基板から除去することができる。
また、本発明において、現像液が供給された基板に洗浄液を供給する現像液洗浄過程を備え、前記現像液移動過程は前記現像液洗浄過程の後であることが好ましい(請求項3)。現像液洗浄過程で基板上の現像液を微量にしたあとに現像液移動過程に移るので、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を効果的にレジスト膜の表面上に移動させることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程は基板を乾燥させることが好ましい(請求項4)。基板上の洗浄液が蒸発するのに伴って、レジスト膜の内部からレジスト膜の表面に引く力が現像液に作用する。これにより、レジスト膜にしみ込んだ現像液を好適に移動させることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では、基板を回転させて洗浄液を基板から振り切りつつ乾燥させることが好ましい(請求項5)。基板上の洗浄液を効率よく蒸発させることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では少なくともレジスト膜の表面を負圧にすることが好ましい(請求項6)。レジスト膜の表面を負圧することで、レジスト膜の内部から表面の方へ引く力を現像液に作用させることができる。このため、現像液の移動を促進させることができる。
また、本発明において、前記現像液洗浄過程の後であって前記現像液移動過程の前に、基板を回転させて基板から洗浄液を振り切る洗浄液除去過程を備え、前記現像液移動過程では少なくともレジスト膜の表面を負圧にすることが好ましい(請求項7)。洗浄液除去過程で基板上の洗浄液を微量にしたあとで現像液移動過程に移るので、洗浄液を効果的に蒸発させることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では基板の周囲の空間を減圧することが好ましい(請求項8)。レジスト膜の表面を好適に負圧にすることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程ではレジスト膜の表面上に気流を形成することが好ましい(請求項9)。レジスト膜の表面を好適に負圧にすることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では基板に気体を供給して前記気流を形成することが好ましい(請求項10)。レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。ができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させるとともに、基板と前記遮蔽板との間に気体を供給して前記気流を形成することが好ましい(請求項11)。レジスト膜の表面全体にわたって気流を流すことができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では、気体を供給する際に前記遮蔽板を回転させることが好ましい(請求項12)。気流の速さを大きくすることができるので、レジスト膜の表面の圧力をより低くすることができる。このため、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をより大きな力で引くことができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では、気体を供給する際に基板を回転させることが好ましい(請求項13)。気流の速さをより大きくすることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では、気体の供給とともに基板に供給された気体を排出することが好ましい(請求項14)。気流の速さをより大きくすることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させた状態で基板を回転させることが好ましい(請求項15)。気流の速さをより大きくすることができる。
また、本発明において、前記現像液移動過程では前記遮蔽板を回転させることが好ましい(請求項16)。気流の速さをより大きくすることができる。
また、請求項17に記載の発明は、レジスト膜が被着された基板を現像する現像装置において、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、基板に現像液を供給する現像液供給手段と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給させた後、基板を回転させる回転処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記回転処理で移動した現像液を洗い流す移動後洗浄処理を行う制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項17に記載の発明によれば、回転処理によって基板上の洗浄液を捨てつつ、基板上の洗浄液の蒸発させることができる。この蒸発に伴って、レジスト膜の内部からレジスト膜の表面上に現像液を移動させることができる。また、回転処理で移動した現像液は移動後洗浄処理によって洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
本発明において、前記制御手段は前記移動後洗浄処理をした後に、前記回転処理と前記移動後洗浄処理を交互に繰り返すことが好ましい(請求項18)。レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を十分に基板から除去することができる。
また、本発明において、前記装置はさらに、基板の上方を遮蔽する遮蔽板を備え、少なくとも前記回転処理の際は前記遮蔽板が基板に近接していることが好ましい(請求項19)。遮蔽板を備えているので、レジスト膜の表面の沿った気流をレジスト膜の表面全体に流すことができ、レジスト膜の表面を局所的に負圧にすることができる。このため、レジスト膜の内部から表面の方へ引く力を現像液に作用させることができ、現像液の移動を促進させることができる。
また、本発明において、前記装置はさらに、前記遮蔽板を回転する遮蔽板回転手段を備え、前記制御手段は、前記回転処理の際に前記遮蔽板を回転させることが好ましい(請求項20)。気流の速さをより大きくすることができ、レジスト膜の表面の圧力をより低くすることができる。
また、本発明において、前記装置はさらに、前記遮蔽板と基板との間に気体を供給する気体供給手段を備え、前記制御手段は、前記回転処理の際に前記気体供給手段から気体を供給させることが好ましい(請求項21)。気流の速さをより大きくすることができる。
また、請求項22に記載の発明は、レジスト膜が被着された基板を処理する基板処理装置において、基板を現像する現像ユニットと、減圧可能な処理室を有する減圧ユニットと、基板を洗浄する洗浄ユニットと、現像された基板に対し前記処理室で減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、前記洗浄ユニットにて基板を洗浄して前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項22に記載の発明によれば、基板に減圧処理を行う減圧ユニットを備えているため、レジスト膜の表面を負圧することができる。このため、レジスト膜の内部から表面の方へ引く力を現像液に作用させて、現像液のレジスト膜の表面上に移動させることができる。また、洗浄ユニットを備えているので、減圧処理で移動した現像液を洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
また、請求項23に記載の発明は、基板を現像する現像装置において、基板に現像液を供給する現像液供給手段と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板の表面上に気流を発生させる気流発生手段と、を備え、現像液に続いて洗浄液を基板に供給させた後、基板の表面上に気流を発生させる気流形成処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記気流形成処理で移動した現像液を洗い流す移動後洗浄処理を行う制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項23に記載の発明によれば、気流発生手段を備えているため、レジスト膜の表面を局所的に負圧することができる。このため、レジスト膜の内部から表面の方へ引く力を現像液に作用させて、現像液のレジスト膜の表面に移動させることができる。また、洗浄ユニットを備えているので、減圧処理で移動した現像液を洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
本発明において、前記制御手段は前記移動後洗浄処理をした後に、前記気流形成処理と前記移動後洗浄処理を交互に繰り返すことが好ましい(請求項24)。レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を十分に基板から除去することができる。
また、本発明において、前記気流発生手段は基板に気体を供給する気体供給手段を備えることが好ましい(請求項25)。レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
また、本発明において、前記装置はさらに、基板を回転可能に保持する回転保持手段を備え、前記制御手段は前記気流形成処理を行う際に基板を回転させることが好ましい(請求項26)。気流の速さをより大きくすることができる。
また、本発明において、前記装置はさらに、基板の上方を遮蔽する遮蔽板を備え、少なくとも前記気流形成処理を行う際に前記遮蔽板が基板に近接していることが好ましい(請求項27)。レジスト膜の表面に沿った気流をレジスト膜の表面全体に流すことができる。
また、本発明において、前記装置はさらに、前記遮蔽板を回転する遮蔽板回転手段を備え、前記制御手段は、前記気流形成処理を行う際に前記遮蔽板を回転させることが好ましい(請求項28)。気流の速さをより大きくすることができる。
なお、本明細書は、次のような基板現像方法および現像装置に係る発明も開示している。
(1)請求項10から請求項14のいずれかに記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では、基板の略中央に向けて気体を供給することを特徴とする基板現像方法。
前記(1)に記載の発明によれば、レジスト膜の表面全体にわたって気流を流すことができる。
(2)請求項10から請求項14のいずれかに記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では、基板の側方からレジスト膜の表面に沿う方向に気体を供給することを特徴とする基板現像方法。
前記(2)に記載の発明によれば、レジスト膜の表面全体にわたって気流を流すことができる。
(3)請求項16に記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では基板と前記遮蔽板とを一体に回転させることを特徴とする基板現像方法。
前記(3)に記載の発明によれば、気流の速さを大きくすることができる。
(4)請求項9に記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程ではレジスト膜の表面上の雰囲気を排出して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
前記(4)に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
(5)請求項9に記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させるとともに、基板と前記遮蔽板との間から気体を排出して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
前記(5)に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
(6)請求項9に記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では、レジスト膜の表面上の雰囲気を攪拌して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
前記(6)に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
(7)請求項20に記載の現像装置において、前記制御手段は、前記回転処理の際に基板と前記遮蔽板とを一体に回転させることを特徴とする現像装置。
前記(7)に記載の発明によれば、気流の速さを大きくすることができる。
(8)請求項20に記載の現像装置において、前記回転保持手段は前記遮蔽板回転手段を兼ねていることを特徴とする現像装置。
前記(8)に記載の発明によれば、装置構成を簡略化できる。
(9)レジスト膜が被着された基板を処理する基板処理装置において、基板に現像液と洗浄液をそれぞれ供給して基板を現像する現像ユニットと、減圧可能な処理室を有する減圧ユニットと、現像された基板に対し前記処理室で減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、前記現像ユニットにて基板に洗浄液を供給させて前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
前記(9)に記載の発明によれば、基板に減圧処理を行う減圧ユニットを備えているため、レジスト膜の表面を負圧にして現像液をレジスト膜の表面に移動させることができる。また、減圧処理で移動した現像液を現像ユニットにて洗い流すので、レジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から好適に除去することができる。
(10)基板を処理する基板処理装置において、基板に現像液を供給して基板を現像する現像ユニットと、減圧可能な処理室と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有する減圧洗浄ユニットと、現像された基板に対し前記処理室で減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、前記洗浄液供給手段から基板に洗浄液を供給させて前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
前記(10)に記載の発明によれば、基板に減圧処理と洗浄を行う減圧洗浄ユニットを備えているため、レジスト膜の表面を負圧にして、現像液をレジスト膜の表面に移動させ、移動した現像液を洗い流すことができる。よって、レジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から好適に除去することができる。
(11)基板を現像する現像装置において、基板に現像液を供給する現像液供給手段と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板の周囲の空間を密閉可能なチャンバと、前記チャンバ内の気体を排出するための排出孔と、現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給させた後、前記チャンバで基板の周囲を密閉するとともに前記チャンバ内の気体を前記排出孔から排出する減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、を備えていることを特徴とする現像装置。
前記(11)に記載の発明によれば、単一の現像装置によって、基板に減圧処理行って現像液をレジスト膜の表面に移動させ、移動した現像液を洗い流すことができる。
(12)請求項23または請求項24に記載の現像装置において、前記気流発生手段は基板に供給された気体を排出する気体排出手段を備えることを特徴とする現像装置。
前記(12)に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
(13)請求項23または請求項24に記載の現像装置において、前記気流発生手段はレジスト膜の表面上の雰囲気を攪拌する攪拌手段を備えることを特徴とする現像装置。
前記(13)に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
(14)請求項28に記載の現像装置において、前記制御手段は、前記気流形成処理の際に基板と前記遮蔽板とを一体に回転させることを特徴とする現像装置。
前記(14)に記載の発明によれば、気流の速さを大きくすることができる。
(15)請求項28に記載の現像装置において、前記回転保持手段は前記遮蔽板回転手段を兼ねていることを特徴とする現像装置。
前記(15)に記載の発明によれば、装置構成を簡略化できる。
この発明に係る基板現像方法によれば、現像液移動過程を備えているので、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させることができる。また、移動後洗浄過程を備えているので、現像液移動過程で移動した現像液を洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。図1は、実施例1に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
本実施例の現像装置は、基板Wの下面を吸着して、基板Wを水平姿勢で保持するスピンチャック1を備えている。なお、基板Wの上面にはレジスト膜Cが被着している。スピンチャック1にはモータ3の出力軸3aが連結されており、モータ3は基板Wを鉛直軸A周りに回転させる。スピンチャック1の周囲には、飛散防止カップ5が配備されている。飛散防止カップ5は、基板Wの外周から周囲に飛散する現像液等を下方へ案内するとともに回収する機能を備える。スピンチャック1及びモータ3は、この発明における回転保持手段に相当する。なお、回転保持手段は、上記の例に限らず、基板Wの端縁を保持する複数のピンが設けられた回転板で構成してもよい。
本装置は、現像液を供給する現像液ノズル11と、洗浄液を供給する洗浄液ノズル21とを備えている。各ノズル11、21は、それぞれ図示省略のアームに支持されて、基板Wの略中心上方に当たる処理位置(図1において2点鎖線で示す位置)と、基板W上方から外れた待機位置(図1において実線で示す各位置)とにわたってそれぞれ移動可能に設けられている。
現像液ノズル11には現像液配管13の一端が連通接続されており、その他端は現像液供給源15に連通接続されている。現像液配管13には現像液の流路を開閉する開閉弁17が設けられている。現像液ノズル11は、この発明における現像液供給手段に相当する。
同様に、洗浄液ノズル21には洗浄液配管23の一端が連通接続されており、その他端は洗浄液供給源25に連通接続されている。洗浄液配管23には洗浄液の流路を開閉する開閉弁27が設けられている。洗浄液ノズル21は、この発明における洗浄液供給手段に相当する。
さらに、本装置は、上述した各構成を操作する制御部31を備えている。具体的には、モータ3を駆動させて基板Wの回転数を制御し、図示省略のアームを駆動させて各ノズル11、21の位置を制御し、開閉弁17、27を開放・閉止させて現像液と洗浄液の各供給量を制御する。この制御部31は処理レシピ(処理プログラム)等を予め記憶しており、外部から入力される基板Wの処理情報に応じて処理レシピを選択して各構成を統括的に制御する。制御部31は、各種処理を実行する中央演算処理装置(CPU)や、演算処理の作業領域となるRAM(Random-Access Memory)や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
次に、実施例1に係る現像装置の動作について説明する。図2は、現像装置の動作を示すフローチャートである。ここで、レジスト膜Cが被着された基板Wが既にスピンチャック1に吸着保持されているものとする。
<ステップS1> 現像液の供給
制御部31はモータ3を駆動してスピンチャック1に保持される基板Wを回転させつつ、現像液ノズル11を基板Wの略中心上方の処理位置まで移動させて、開閉弁17を開放する。現像液ノズル11は、現像液供給源15から供給された現像液を基板Wに供給する。基板Wに供給された現像液は遠心力を受けて基板Wの全面に広がり、その一部はレジスト膜Cの内部にしみ込む。所定の期間が経過すると開閉弁17を閉止して、現像液ノズル11を待機位置に戻す。
制御部31はモータ3を駆動してスピンチャック1に保持される基板Wを回転させつつ、現像液ノズル11を基板Wの略中心上方の処理位置まで移動させて、開閉弁17を開放する。現像液ノズル11は、現像液供給源15から供給された現像液を基板Wに供給する。基板Wに供給された現像液は遠心力を受けて基板Wの全面に広がり、その一部はレジスト膜Cの内部にしみ込む。所定の期間が経過すると開閉弁17を閉止して、現像液ノズル11を待機位置に戻す。
<ステップS2> 現像液供給後の洗浄液供給(現像液洗浄過程)
制御部31は洗浄液ノズル21を処理位置まで移動させて、開閉弁27を開放する。洗浄液ノズル21は、洗浄液供給源25から供給された洗浄液を基板Wに供給する。これにより、主にレジスト膜C上の現像液が洗浄液によって洗い流され、洗浄液とともに基板W外へ捨てられる。所定の期間が経過すると開閉弁27を閉止する。
制御部31は洗浄液ノズル21を処理位置まで移動させて、開閉弁27を開放する。洗浄液ノズル21は、洗浄液供給源25から供給された洗浄液を基板Wに供給する。これにより、主にレジスト膜C上の現像液が洗浄液によって洗い流され、洗浄液とともに基板W外へ捨てられる。所定の期間が経過すると開閉弁27を閉止する。
<ステップS3> 回転処理(現像液移動過程)
制御部31は基板Wをより高速に回転させる。これにより、洗浄液を基板Wから振り切りつつ基板Wを乾燥する。ここで、基板W上の洗浄液が蒸発するとき、レジスト膜Cの内部からレジスト膜Cの表面に向う力が現像液に働く。このため、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Cの表面上に浮き出てくる。
制御部31は基板Wをより高速に回転させる。これにより、洗浄液を基板Wから振り切りつつ基板Wを乾燥する。ここで、基板W上の洗浄液が蒸発するとき、レジスト膜Cの内部からレジスト膜Cの表面に向う力が現像液に働く。このため、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Cの表面上に浮き出てくる。
<ステップS4> 移動後洗浄処理(移動後洗浄過程)
制御部31は基板Wの回転数を低下させるとともに、再び開閉弁27を開放する。回転処理(ステップS3)によって移動した現像液が、洗浄液ノズル21から供給される洗浄液によって洗い流され、洗浄液とともに基板W外へ捨てられる。所定の期間が経過すると開閉弁27を閉止する。
制御部31は基板Wの回転数を低下させるとともに、再び開閉弁27を開放する。回転処理(ステップS3)によって移動した現像液が、洗浄液ノズル21から供給される洗浄液によって洗い流され、洗浄液とともに基板W外へ捨てられる。所定の期間が経過すると開閉弁27を閉止する。
<ステップS5> 所定回数を繰り返したか?
制御部31は予め設定されている回数に到達したか否かを判断する。そして、到達していない場合はステップS3に戻り、到達した場合はステップS6に進む。
制御部31は予め設定されている回数に到達したか否かを判断する。そして、到達していない場合はステップS3に戻り、到達した場合はステップS6に進む。
<ステップS6> 基板の乾燥
制御部31は基板Wを再び高速に回転させて、洗浄液を基板Wから振り切りつつ基板Wを乾燥する。
制御部31は基板Wを再び高速に回転させて、洗浄液を基板Wから振り切りつつ基板Wを乾燥する。
このように、実施例1に係る現像装置によれば、回転処理(ステップS3)で一旦乾燥させた基板Wに対して、再び洗浄液を供給する移動後洗浄処理を行う(ステップS4)。このため、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜Cの表面上に移動させ、かつ、移動した現像液を洗い流すことができる。この結果、レジスト膜Cにしみ込んだ現像液についても基板Wから除去できる。よって、基板W上に現像液が残る現像液残りを抑制できる。したがって、その後にレジスト膜C上に現像液がしみ出すおそれがなく、現像欠陥の発生を防止することができる。
また、ステップS5を備えて、回転処理(ステップS3)と移動後洗浄処理(ステップS4)を所定回数繰り返すので、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液を十分に除去できる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例2を説明する。図3は、実施例2に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例1と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
本装置は、実施例1で説明した構成に加えて、遮蔽板41と遮蔽板支持機構43とを備えている。遮蔽板41は平面視で基板Wと略同じ大きさを有する板状物であり、その下面は平坦である。遮蔽板41には遮蔽板支持機構43の回転軸43aが連結されている。遮蔽板支持機構43は遮蔽板41を基板Wと対向する位置に支持するとともに、遮蔽板41を鉛直軸A周りに回転させる。さらに、遮蔽板支持機構43は昇降可能に構成されており、遮蔽板41を基板Wに近接した処理位置(図3において実線で示す位置)とこの処理位置に比べて基板Wから遠ざかった待機位置(図3において2点鎖線で示す位置)とにわたって移動させる。そして、遮蔽板41が待機位置に移動することで、各ノズル11、21を処理位置に移動させることが許容される。遮蔽板支持機構43は、この発明における遮蔽板回転手段に相当する。
制御部31は、さらに遮蔽板支持機構43を駆動して遮蔽板41の位置とその回転数を制御する。
次に、実施例2に係る現像装置の動作について図2を参照して説明する。ここで、スピンチャック1には、レジスト膜Cが被着された基板Wが既に吸着保持されているものとし、遮蔽板41は待機位置にあるものとする。なお、実施例1と同様の処理については簡略に説明する。
<ステップS1〜ステップS2>
制御部31は基板Wを回転させた状態で基板Wに現像液を供給させ、引き続いて基板Wに洗浄液を供給する。
制御部31は基板Wを回転させた状態で基板Wに現像液を供給させ、引き続いて基板Wに洗浄液を供給する。
<ステップS3> 回転処理(現像液移動過程)
制御部31は遮蔽板支持機構43を駆動して遮蔽板41を処理位置まで下降させる。そして、基板Wをより高速に回転させるとともに、遮蔽板41も基板Wと同じ方向に同じ回転数でさせる。基板Wの回転により、洗浄液を基板Wから振り切るとともに、基板W上の洗浄液が蒸発する。洗浄液の蒸発によって、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Cの表面上に浮き出てくる。
制御部31は遮蔽板支持機構43を駆動して遮蔽板41を処理位置まで下降させる。そして、基板Wをより高速に回転させるとともに、遮蔽板41も基板Wと同じ方向に同じ回転数でさせる。基板Wの回転により、洗浄液を基板Wから振り切るとともに、基板W上の洗浄液が蒸発する。洗浄液の蒸発によって、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Cの表面上に浮き出てくる。
また、基板Wが回転する際、レジスト膜Cの表面上の雰囲気がレジスト膜Cに対して相対的に変位することでレジスト膜Cの表面上に気流が発生する。発生した気流とその上方の雰囲気とは遮蔽板41によって遮蔽されている。このため、気流がレジスト膜Cの表面に沿って流れ続け、レジスト膜Cの表面全体にわたって気流が形成される。また、遮蔽板41自体も回転しているため、より大きな流速の気流を発生させることができ、かつ、発生した気流の流速を増大させることができる。
この気流によって、レジスト膜Cの表面は局所的に負圧になり、この負圧に応じた力がレジスト膜Cの内部の現像液をレジスト膜Cの表面に引く方向に作用する。したがって、レジスト膜Cの表面への現像液の移動がより促進される。
所定の期間が経過すると、制御部31は遮蔽板41の回転を停止させるとともに遮蔽板41を待機位置に上昇させる。
<ステップS4〜S6>
制御部31は基板Wの回転数を低下させるとともに基板Wに洗浄液を供給する。これにより、回転処理(ステップS3)によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板W外へ捨てる(ステップS4)。これら回転処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す(ステップS5)。所定回数に達すると、制御部31は基板Wをより高速に回転させて乾燥する(ステップS6)。
制御部31は基板Wの回転数を低下させるとともに基板Wに洗浄液を供給する。これにより、回転処理(ステップS3)によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板W外へ捨てる(ステップS4)。これら回転処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す(ステップS5)。所定回数に達すると、制御部31は基板Wをより高速に回転させて乾燥する(ステップS6)。
このような実施例2によっても実施例1と同様に、洗浄液の蒸発によってレジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜Cの表面上に移動させることができ、これにより基板Wから好適に除去することができる。
また、実施例2に係る現像装置によれば、遮蔽板41を備えているので、レジスト膜Cの表面上に発生した気流をレジスト膜Cの全体に流すことができる。このため、レジスト膜Cの表面を局所的に負圧にし、この負圧によって現像液の移動を促進させることができる。
さらに、遮蔽板41を回転させる遮蔽板支持機構43を備えているので、気流の流速を好適に増大させることができ、レジスト膜Cの表面の圧力をより低下させることができる。これにより、現像液により大きな力を作用させることができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例3を説明する。図4は実施例3に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例1等と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
本装置は、遮蔽板42と遮蔽板昇降機構44とを備えている。遮蔽板42は平面視で基板Wと略同じ大きさを有し、中央に吹き出し口42aが貫通形成された板状物である。遮蔽板昇降機構44は昇降可能に構成されており、遮蔽板42を基板Wに対向させた姿勢で支持して、基板Wに近接した処理位置(図4において実線で示す位置)と、この処理位置に比べて基板Wから遠ざかった待機位置(図4において2点鎖線で示す位置)とにわたって移動させる。
遮蔽板42に形成された吹き出し口42aには、気体配管45の一端が連通接続されている。気体配管45の他端には気体供給源47が連通接続されている。気体配管45には気体の流路を開閉する開閉弁49が設けられている。なお、気体としては、不活性ガス、乾燥気体など適宜に選択される。吹き出し口42aは、この発明における気体供給手段に相当する。
制御部31はさらに、遮蔽板昇降機構44を駆動して遮蔽板42の位置を制御し、開閉弁49を開放・閉止させて気体の供給量を制御する。
次に、実施例3に係る現像装置の動作について図2を参照して説明する。ここで、スピンチャック1には基板Wが既に吸着保持されているものとし、遮蔽板42は待機位置にあるものとする。なお、実施例1と同様の処理については簡略に説明する。
<ステップS1〜ステップS2>
制御部31は基板Wを回転させつつ基板Wに現像液を供給させ、引き続いて基板Wに洗浄液を供給する。
制御部31は基板Wを回転させつつ基板Wに現像液を供給させ、引き続いて基板Wに洗浄液を供給する。
<ステップS3> 回転処理(現像液移動過程)
制御部31は遮蔽板昇降機構44を駆動して遮蔽板42を処理位置まで下降させる。そして、基板Wをより高速に回転させるとともに、開閉弁49を開放して吹き出し口42aから基板Wの略中央に向けて気体を供給させる。基板Wの回転により基板W上の洗浄液が蒸発し、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Cの表面上に浮き出てくる。
制御部31は遮蔽板昇降機構44を駆動して遮蔽板42を処理位置まで下降させる。そして、基板Wをより高速に回転させるとともに、開閉弁49を開放して吹き出し口42aから基板Wの略中央に向けて気体を供給させる。基板Wの回転により基板W上の洗浄液が蒸発し、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Cの表面上に浮き出てくる。
また、吹き出し口42aから供給された気体によってレジスト膜Cの表面上の気流が形成される。この気流は遮蔽板42によってレジスト膜Cの表面に沿って流れ続けて、レジスト膜Cの表面全体を局所的に負圧にする。この結果、負圧に応じた力がレジスト膜Cの内部の現像液をレジスト膜Cの表面に引く方向に作用し、現像液の移動を促進させる。
所定の期間が経過すると、制御部31は遮蔽板42の回転を停止させるとともに遮蔽板42を待機位置に上昇させる。
<ステップS4〜S6>
制御部31は基板Wの回転数を低下させるとともに基板Wに洗浄液を供給する。これにより、回転処理(ステップS3)によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板W外へ捨てる(ステップS4)。これら回転処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す(ステップS5)。所定回数に達すると、制御部31は基板Wをより高速に回転させて乾燥する(ステップS6)。
制御部31は基板Wの回転数を低下させるとともに基板Wに洗浄液を供給する。これにより、回転処理(ステップS3)によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板W外へ捨てる(ステップS4)。これら回転処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す(ステップS5)。所定回数に達すると、制御部31は基板Wをより高速に回転させて乾燥する(ステップS6)。
このような実施例3によっても実施例1および実施例2と同様に、洗浄液の蒸発によってレジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜Cの表面上に移動させて基板Wから除去することができる。また、遮蔽板42を備えているので、気流をレジスト膜Cの全体に形成することができる。このため、レジスト膜Cの表面を局所的に負圧にして現像液の移動を促進させることができる。
また、実施例3に係る現像装置によれば、基板Wと遮蔽板42との間に気体を供給するための吹き出し口42aを備えているので、流速の大きい気流をレジスト膜Cの表面上に形成することができる。これにより、レジスト膜Cの表面の圧力をより低くすることができ、現像液の表面への移動を促進させることができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例4を説明する。図5は実施例4に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例1等と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
本装置は、スピンチャック1の側方に設けられている気体供給部51と、基板Wを挟んで気体供給部51と対向する位置に設けられる気体排出部55とを備えている。気体供給部51は基板Wの一側方からレジスト膜Cの表面に沿う方向に気体を供給する。この気体供給部51は基板Wの直径と同等以上と幅を有し、基板Wの表面全体に気体を供給可能に構成されている。気体排出部55は基板Wに供給された気体を吸引して排出する。
気体供給部51には気体配管45、気体供給源47及び開閉弁49が接続されている。気体排出部55には排気ファン57が連通接続されている。気体供給部51はこの発明における気体供給手段に相当する。また、気体排出部55はこの発明における気体排出手段に相当する。
制御部31はさらに排気ファン57を駆動して気体の排出量を制御する。
次に、実施例4に係る現像装置の動作について図6を参照して説明する。図6は現像装置の動作を示すフローチャートである。ここで、基板Wは既にスピンチャック1に吸着保持されているものとする。なお、実施例1と同様の処理については簡略に説明する。
<ステップS1〜ステップS2>
制御部31は基板Wを回転させつつ基板Wに現像液を供給させ、引き続いて基板Wに洗浄液を供給する。
制御部31は基板Wを回転させつつ基板Wに現像液を供給させ、引き続いて基板Wに洗浄液を供給する。
<ステップS7> 洗浄液の除去(洗浄液除去過程)
続いて制御部31は基板Wをより高速に回転させる。これにより、洗浄液を基板Wから振り切って基板Wから除去する。なお、この処理において洗浄液を蒸発させてもよいし、蒸発させなくてもよい。
続いて制御部31は基板Wをより高速に回転させる。これにより、洗浄液を基板Wから振り切って基板Wから除去する。なお、この処理において洗浄液を蒸発させてもよいし、蒸発させなくてもよい。
<ステップS8> 気流形成処理(現像液移動過程)
制御部31は基板Wの回転を停止させる。また、開閉弁49を開放して気体供給部51から気体を供給させるとともに、排気ファン57を駆動して気体排出部55から気体を排出させる。気体供給部51から供給された気体は、レジスト膜Cの表面上には全体にわたって一方向に流れ、レジスト膜Cの表面を通過した後に気体排出部55から排出される(図5において気流の流れを点線で模式的に示す)。この気流によって洗浄液を基板Wから捨てるとともに、レジスト膜Cの表面全体を局所的に負圧にして現像液をレジスト膜Cの表面にしみ出させる。
制御部31は基板Wの回転を停止させる。また、開閉弁49を開放して気体供給部51から気体を供給させるとともに、排気ファン57を駆動して気体排出部55から気体を排出させる。気体供給部51から供給された気体は、レジスト膜Cの表面上には全体にわたって一方向に流れ、レジスト膜Cの表面を通過した後に気体排出部55から排出される(図5において気流の流れを点線で模式的に示す)。この気流によって洗浄液を基板Wから捨てるとともに、レジスト膜Cの表面全体を局所的に負圧にして現像液をレジスト膜Cの表面にしみ出させる。
所定の期間が経過すると、制御部31は開閉弁49を閉止するとともに排気ファン57を停止させる。
<ステップS4〜S6>
制御部31は基板Wを再び回転させるとともに、基板Wに洗浄液を供給する。これにより、気流形成処理(ステップS8)によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板W外へ捨てる(ステップS4)。これら気流形成処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す(ステップS5)。所定回数に達すると、制御部31は基板Wをより高速に回転させて乾燥する(ステップS6)。
制御部31は基板Wを再び回転させるとともに、基板Wに洗浄液を供給する。これにより、気流形成処理(ステップS8)によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板W外へ捨てる(ステップS4)。これら気流形成処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す(ステップS5)。所定回数に達すると、制御部31は基板Wをより高速に回転させて乾燥する(ステップS6)。
このような実施例4によれば、気流形成処理(ステップS13)でレジスト膜Cの表面上を局所的に負圧にして、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液を表面上に移動させることができる。また、移動した現像液を移動後洗浄処理(ステップS4)で洗い流すことができる。
また、レジスト膜Cの表面全体に気流を形成する気体供給部51を備えているので、レジスト膜Cの表面全体を好適に負圧にすることができる。このため基板Wを回転させることを要しない。
さらに、気体排出部55を備えているので、レジスト膜Cの表面に沿った流速の大きな気流を好適に形成でき、現像液の移動をより促進させることができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例5を説明する。図7は、実施例5に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
本実施例に係る基板処理装置は、複数枚の基板Wを多段に収納するカセット66からの基板Wの取り出しや、カセット66への基板Wの収納を行うインデクサブロック61と、基板Wに対して反射防止膜を形成する反射防止膜用処理ブロック62と、基板Wにレジスト膜Cを形成する塗布処理ブロック63と、基板Wを現像する現像処理ブロック64と、別体の外部装置である露光装置(図示省略)と基板Wの受け渡しをするインターフェイスブロック65とを備えている。各ブロック1〜5間には雰囲気遮断用の隔壁67a〜67dが設けられており、隔壁67a〜67cに形成された開口部には基板Wを載置する基板載置部68a〜68cが設けられている。また、各ブロック1〜4には、基板Wを搬送する主搬送機構69a〜69dが設けられている。なお、インターフェイスブロック65にも図示省略の主搬送機構が配備されている。
現像処理ブロック64について説明する。現像処理ブロック64は、主搬送機構69dの他に、基板Wに現像液を供給する現像ユニット71と、基板Wに減圧処理を行う減圧ユニット73と、基板Wを洗浄する洗浄ユニット75とを備えている。これら現像ユニット71と減圧ユニット73と洗浄ユニット75とはそれぞれ複数個であり、上下多段に積層配置されている。そして、主搬送機構69dは各ユニット71、73、75、基板載置部68cおよびインターフェイスブロック65等に対して基板Wの受け渡しをする。
現像ユニット71は、実施例1に係る現像装置で説明した各構成を備えているので、便宜上、図1を参照し、実施例1と同符号を用いて簡単に説明する。現像ユニット71は、スピンチャック1と現像液ノズル11と洗浄液ノズル21とを備えて、基板Wを回転可能に保持するとともに基板Wに現像液と洗浄液をそれぞれ供給可能に構成されている。
減圧ユニット73と洗浄ユニット75は図8を参照して説明する。図8は、現像処理ブロックの断面図である。減圧ユニット73は内部に処理室Bが形成されたチャンバ81と、処理室Bに設けられ、基板Wを支持する支持ピン83と、チャンバ81に貫通形成された排出孔85とを備えている。チャンバ81は処理室Bを密閉可能である。排出孔85には排出配管87の一端が連通接続されており、排出配管87の他端は真空吸引源88に連通接続されている。排出配管87には圧力調整弁89が設けられている。
洗浄ユニット75は基板Wを保持するスピンチャック91と、スピンチャック91を回転可能に支持するモータ93を備えている。また、スピンチャック91に保持された基板Wに洗浄液を供給する洗浄液ノズル95と、スピンチャック91の周囲に設けられ、飛散した洗浄液を下方に案内する飛散防止カップ97とを備えている。
制御部31は、減圧ユニット73と洗浄ユニット75の各構成を制御するほか、現像ユニット71と主搬送機構69dについても制御対象に含め、現像処理ブロック64を統括的に制御する。
次に、実施例5に係る基板処理装置において現像処理ブロックの動作について図9を参照して説明する。図9は現像処理ブロックにおける動作を示すフローチャートである。ここで、レジスト膜Cが被着された基板Wは既に現像ユニット71に搬入され、スピンチャック1に吸着保持されているものとする。なお、実施例1等と同様の処理については簡略に説明する。
<ステップS1〜ステップS2>
制御部31は現像ユニット71の各構成を制御して、スピンチャック1に吸着保持された基板Wを回転させた状態で現像液を供給させ(ステップS1)、引き続いて基板Wに洗浄液を供給する(ステップS2)。
制御部31は現像ユニット71の各構成を制御して、スピンチャック1に吸着保持された基板Wを回転させた状態で現像液を供給させ(ステップS1)、引き続いて基板Wに洗浄液を供給する(ステップS2)。
<ステップS8> 基板の乾燥
続いて、基板Wを高速に回転させて基板Wを乾燥する。これにより、基板Wを適切に搬送可能な状態にする。
続いて、基板Wを高速に回転させて基板Wを乾燥する。これにより、基板Wを適切に搬送可能な状態にする。
<ステップS9> 減圧処理(現像液移動過程)
制御部31は主搬送機構69dを駆動して現像ユニット71から減圧ユニット73に基板Wを搬送する。この基板Wを支持ピン83に当接させて所定位置に載置する。処理室Bを密閉すると、真空吸引源88を駆動させるとともに圧力調整弁89を調節して、処理室Bから気体を排出して処理室Bを所定の圧力まで減圧する。
制御部31は主搬送機構69dを駆動して現像ユニット71から減圧ユニット73に基板Wを搬送する。この基板Wを支持ピン83に当接させて所定位置に載置する。処理室Bを密閉すると、真空吸引源88を駆動させるとともに圧力調整弁89を調節して、処理室Bから気体を排出して処理室Bを所定の圧力まで減圧する。
基板Wの周囲の空間である処理室Bが減圧されていることにより、レジスト膜Cの表面上も負圧になる。この圧力に応じた力がレジスト膜Cの内部の現像液に対して作用し、レジスト膜Cの表面へ現像液が移動する。
この状態を所定の期間保持することで基板Wに減圧処理を行う。所定の期間が経過すると、制御部31は真空吸引源88を停止させるとともに圧力調整弁89を閉止して、処理室Bを大気圧にする。
<ステップS4、ステップS6>
制御部31は再び基板搬送機構69dを駆動して減圧ユニット73から洗浄ユニット75に基板Wを搬送する。基板Wをスピンチャック91で吸着保持すると、基板Wを回転させつつ、基板Wに洗浄液を供給する。これにより、減圧処理によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板W外へ捨てる(ステップS4)。続いて、制御部31は基板Wをより高速に回転させて乾燥する(ステップS6)。
制御部31は再び基板搬送機構69dを駆動して減圧ユニット73から洗浄ユニット75に基板Wを搬送する。基板Wをスピンチャック91で吸着保持すると、基板Wを回転させつつ、基板Wに洗浄液を供給する。これにより、減圧処理によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板W外へ捨てる(ステップS4)。続いて、制御部31は基板Wをより高速に回転させて乾燥する(ステップS6)。
このような実施例5によれば、減圧処理(ステップS9)でレジスト膜Cの表面上を負圧にすることができるので、レジスト膜Cの内部にしみ込んだ現像液を表面上に移動させることができる。よって、移動した現像液を移動後洗浄処理(ステップS4)で好適に洗い流すことができる。
また、専ら基板Wに減圧処理を行うための減圧ユニット73を備えているので、処理室Bを小容量にすることができ、処理室Bを効率よく減圧することができる。
また、移動させた現像液を洗い流すための専用の洗浄ユニット75を備えているので、現像処理ブロック64全体において基板Wを効率よく処理することができ、スループットの向上を図ることができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例1〜実施例4では、所定回数に到達するまで処理を繰り返す(ステップS5)構成であったが、これに限られない。たとえば、基板Wまたはレジスト膜Cの洗浄度合いを検出し、この結果に基づいて繰り返すか否かを判断するように変更してもよい。あるいは、ステップS5を省略して回転処理(ステップS3)または気流形成処理(ステップS8)と移動後洗浄処理(ステップS4)をそれぞれ1回ずつ行うように変更してもよい。
(2)実施例1では回転処理によって基板Wを乾燥させていたが、これに限られない。基板W上の洗浄液を蒸発させることができれば、他の方法によって変更してもよい。この場合、基板Wを静止させた状態で基板Wを乾燥させてもよい。
(3)実施例2では、遮蔽板41を基板Wと同じ方向に同じ回転数で回転させていたが、これに限られない。たとえば、遮蔽板41の回転方向を逆にしてもよい。また、遮蔽板41の回転数を適宜に変更してもよいし、静止させてもよい。また、実施例3では、遮蔽板42は非回転であったが、適宜に回転するように変更してもよい。
(4)実施例2では、遮蔽板支持機構43が遮蔽板41を回転させる構成であったが、これに限られない。例えば、遮蔽板41をモータ3と連結して、モータ3が遮蔽板41を回転させるように変更してもよい。この場合、モータ3はこの発明における遮蔽板回転手段にも相当する。
(5)実施例2、3では、遮蔽板41、42は処理位置と待機位置とを昇降自在に構成されていたが、これに限られない。たとえば、基板Wに対して現像液等の供給を許容するための開口や切り欠きを遮蔽板に形成することで、回転処理(ステップS3)以外の処理の際にも遮蔽板を基板Wに近接させるように動作させてもよい。
(6)実施例3では、略中央に吹き出し口42aを形成された遮蔽板42を備えていたが、これに限られない。例えば、吹き出し口42aを基板Wの周縁側に対向する位置に形成してもよいし、吹き出し口42aを複数個設けてもよい。また、遮蔽板42と基板Wとの間に側方から気体を供給してもよい。さらに、遮蔽板42と基板Wとの間の空間から気体を排出する排気口を設けてもよい。この場合、排気口はこの発明における気体排出手段に相当する。
(7)実施例4では、基板Wの一側方からレジスト膜Cの表面に沿う方向に気体を供給する気体供給部51を備えていたが、これに限られない。たとえば、基板Wの上方から気体を供給するように変更してもよい。また、実施例4では気体供給部51は基板Wの直径と同等以上と幅を有していたが、気体供給部51の形状もこれに限られない。例えば、基板Wの略中央に向けて気体を供給する気体噴射ノズルに変更してもよい。さらに、気体供給部51の変更に応じて適宜に気体排出部55を変更してもよい。
(8)実施例4では、気体供給部51と気体排出部55を備えていたが、いずれかを省略するように変更してもよい。装置構成を簡略化できる。
(9)また、実施例4では基板Wを静止させた状態でレジスト膜C上に気流を形成していたが、基板Wを回転させるように変更してもよい。これによれば、気流の流速を大きくすることができる。
(10)また、実施例4において、さらに実施例2、3で説明した遮蔽板41、42に相当する構成を備えるように変更してもよい。これによっても、気流の流速を大きくすることができる。
(11)また、実施例4では気体供給部51と気体排出部55とによってレジスト膜C上に気流を発生させていたが、これに限られない。例えば、基板Wの周囲の雰囲気を攪拌するための構成を備えてもよい。図10を参照する。図10は変形実施例に係る現像装置の概略構成図である。なお、実施例1等と同じ構成については同符号を付すことで説明を省略する。図示するように、基板Wの上方に設けられる攪拌ファン101とこの攪拌ファン101を回転させるファン用モータ103とを備えている。そして、気流形成処理(ステップS8)において、制御部31がファン用モータ103を駆動して攪拌ファン101で基板Wに送風するように変更してもよい(図10において送風される気体を点線で模式的に示す)。これによっても、レジスト膜Cの上面に気流を好適に形成することができる。なお、攪拌ファン101はこの発明における攪拌手段に相当する。
(12)実施例5では、洗浄ユニット75を備えていたが、これを省略してもよい。すなわち、減圧ユニット73にて減圧処理を行った基板Wを、再び現像ユニット71にて洗浄するように変更してもよい。これによっても、好適に移動後洗浄処理(ステップS4)を行うことができる。
(13)実施例5では、現像ユニット71と減圧ユニット73と洗浄ユニット75をそれぞれ別体で備えていたが、これら各機能を1つのユニット(現像装置)で実現するように変更してもよい。図11を参照する。図11は変形実施例に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例1等と同じ構成については同符号を付すことで説明を省略する。図示するように、スピンチャック1と現像液ノズル11と洗浄液ノズル21と、スピンチャック1に吸着保持された基板Wの周囲の空間を密閉可能なチャンバ111と、チャンバ111内の気体を排出するための排出孔113とを備えている。この排出孔113には真空吸引源88が連通接続されている。このような現像装置では、実施例5で説明した一連の処理を単一のユニット内で行うことができる。また、基板Wを搬送する必要がないので、実施例5で説明したステップS9の処理(基板の乾燥)を、基板W上の洗浄液の振り切りのみに止めるように変更してもよいし、この処理を省略して現像液供給後の洗浄液処理(ステップS2)に続いて減圧処理(ステップS9)を行ってもよい。
あるいは、減圧ユニット73と洗浄ユニット75の機能を1つのユニット(減圧洗浄ユニット)で実現するように変更してもよい。すなわち、図11で示す変形実施例に係る現像装置において現像ノズルを省略した構成に相当する減圧洗浄ユニットを備えて、減圧処理(ステップS9)および移動後洗浄処理(ステップS4)を単一の減圧洗浄ユニットにて行うように変更してもよい。
(14)上述した各実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。
1 … スピンチャック
3 … モータ
11 … 現像液ノズル
21 … 洗浄液ノズル
31 … 制御部
41、42 … 遮蔽板
42a … 吹き出し口
43 … 遮蔽板支持機構
51 … 気体供給部
55 … 気体排出部
71 … 現像ユニット
73 … 減圧ユニット
75 … 洗浄ユニット
B … 処理室
81、111 … チャンバ
85、113 … 排出孔
101 … 攪拌ファン
W … 基板
C … レジスト膜
3 … モータ
11 … 現像液ノズル
21 … 洗浄液ノズル
31 … 制御部
41、42 … 遮蔽板
42a … 吹き出し口
43 … 遮蔽板支持機構
51 … 気体供給部
55 … 気体排出部
71 … 現像ユニット
73 … 減圧ユニット
75 … 洗浄ユニット
B … 処理室
81、111 … チャンバ
85、113 … 排出孔
101 … 攪拌ファン
W … 基板
C … レジスト膜
Claims (28)
- レジスト膜が被着された基板を現像する基板現像方法において、
レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させる現像液移動過程と、
基板に洗浄液を供給して前記現像液移動過程で移動した現像液を洗浄する移動後洗浄過程と、
を備えていることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項1に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程および前記移動後洗浄過程を繰り返し行うことを特徴とする基板現像方法。 - 請求項1または請求項2に記載の基板現像方法において、
現像液が供給された基板に洗浄液を供給する現像液洗浄過程を備え、
前記現像液移動過程は前記現像液洗浄過程の後であることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程は基板を乾燥させることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項3または請求項4に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、基板を回転させて洗浄液を基板から振り切りつつ乾燥させることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では少なくともレジスト膜の表面を負圧にすることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項3に記載の基板現像方法において、
前記現像液洗浄過程の後であって前記現像液移動過程の前に、基板を回転させて基板から洗浄液を振り切る洗浄液除去過程を備え、
前記現像液移動過程では少なくともレジスト膜の表面を負圧にすることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項6または請求項7に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では基板の周囲の空間を減圧することを特徴とする基板現像方法。 - 請求項6または請求項7に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程ではレジスト膜の表面上に気流を形成することを特徴とする基板現像方法。 - 請求項9に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では基板に気体を供給して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。 - 請求項9に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させるとともに、基板と前記遮蔽板との間に気体を供給して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。 - 請求項11に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、気体を供給する際に前記遮蔽板を回転させることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項10から請求項12のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、気体を供給する際に基板を回転させることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項10から請求項13のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、気体の供給とともに基板に供給された気体を排出することを特徴とする基板現像方法。 - 請求項6または請求項7に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させた状態で基板を回転させることを特徴とする基板現像方法。 - 請求項15に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では前記遮蔽板を回転させることを特徴とする基板現像方法。 - レジスト膜が被着された基板を現像する現像装置において、
基板を回転可能に保持する回転保持手段と、
基板に現像液を供給する現像液供給手段と、
基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給させた後、基板を回転させる回転処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記回転処理で移動した現像液を洗い流す移動後洗浄処理を行う制御手段と、
を備えていることを特徴とする現像装置。 - 請求項17に記載の現像装置において、
前記制御手段は前記移動後洗浄処理をした後に、前記回転処理と前記移動後洗浄処理を交互に繰り返すことを特徴とする現像装置。 - 請求項17または請求項18に記載の現像装置において、
前記装置はさらに、基板の上方を遮蔽する遮蔽板を備え、
少なくとも前記回転処理の際は前記遮蔽板が基板に近接していることを特徴とする現像装置。 - 請求項19に記載の現像装置において、
前記装置はさらに、前記遮蔽板を回転する遮蔽板回転手段を備え、
前記制御手段は、前記回転処理の際に前記遮蔽板を回転させることを特徴とする現像装置。 - 請求項19または請求項20に記載の現像装置において、
前記装置はさらに、前記遮蔽板と基板との間に気体を供給する気体供給手段を備え、
前記制御手段は、前記回転処理の際に前記気体供給手段から気体を供給させることを特徴とする現像装置。 - レジスト膜が被着された基板を処理する基板処理装置において、
基板を現像する現像ユニットと、
減圧可能な処理室を有する減圧ユニットと、
基板を洗浄する洗浄ユニットと、
現像された基板に対し前記処理室で減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、前記洗浄ユニットにて基板を洗浄して前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を現像する現像装置において、
基板に現像液を供給する現像液供給手段と、
基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
基板の表面上に気流を発生させる気流発生手段と、
を備え、
現像液に続いて洗浄液を基板に供給させた後、基板の表面上に気流を発生させる気流形成処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記気流形成処理で移動した現像液を洗い流す移動後洗浄処理を行う制御手段と、
を備えていることを特徴とする現像装置。 - 請求項23に記載の現像装置において、
前記制御手段は前記移動後洗浄処理をした後に、前記気流形成処理と前記移動後洗浄処理を交互に繰り返すことを特徴とする現像装置。 - 請求項23または請求項24に記載の現像装置において、
前記気流発生手段は基板に気体を供給する気体供給手段を備えることを特徴とする現像装置。 - 請求項23から請求項25のいずれかに記載の現像装置において、
前記装置はさらに、基板を回転可能に保持する回転保持手段を備え、
前記制御手段は前記気流形成処理を行う際に基板を回転させることを特徴とする現像装置。 - 請求項23から請求項26のいずれかに記載の現像装置において、
前記装置はさらに、基板の上方を遮蔽する遮蔽板を備え、
少なくとも前記気流形成処理を行う際に前記遮蔽板が基板に近接していることを特徴とする現像装置。 - 請求項27に記載の現像装置において、
前記装置はさらに、前記遮蔽板を回転する遮蔽板回転手段を備え、
前記制御手段は、前記気流形成処理を行う際に前記遮蔽板を回転させることを特徴とする現像装置。
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---|---|---|---|
JP2007044041A JP2008210872A (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 基板現像方法と現像装置と基板処理装置 |
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JP2007044041A JP2008210872A (ja) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | 基板現像方法と現像装置と基板処理装置 |
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JP (1) | JP2008210872A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2021020215A1 (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像方法 |
-
2007
- 2007-02-23 JP JP2007044041A patent/JP2008210872A/ja active Pending
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WO2021020215A1 (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置及び現像方法 |
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