TWI671791B - 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法 - Google Patents

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高橋弘明
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Abstract

提供一種能使用紫外線進行複數個處理且能抑制尺寸的增大之基板處理裝置。基板處理裝置係具備有紫外線照射手段2以及基板保持手段31、32。紫外線照射手段2係位於處理室11、12的交界，可朝處理室11、12照射紫外線。基板保持手段31係配置於處理室11，並以與紫外線照射手段2對向之方式保持基板。基板保持手段32係配置於處理室12，並以與紫外線照射手段2對向之方式保持基板。

Description

基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法
本發明係有關於一種基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法。
以往，在半導體基板(以下簡稱為「基板」)的製造步驟中，使用基板處理裝置對具有氧化膜等絕緣膜之基板施予各種處理。例如，對表面上形成有阻劑(resist)的圖案(pattern)之基板供給處理液，藉此對基板的表面進行蝕刻等處理。此外，蝕刻等結束後，亦進行用以去除基板上的阻劑之處理。
在搬入至基板處理裝置之前，對用以在基板處理裝置進行處理之基板進行乾蝕刻(dry etching)或電漿CVD(Chemical Vapor Deposition；化學氣相沉積)等乾式(dry)步驟。在此種乾式步驟中，由於在器件(device)內產生電荷而帶電，因此基板係在帶電的狀態下被搬入至基板處理裝 置(所謂的持入帶電)。接著，在基板處理裝置中，當如SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合液)般之比電阻較小的處理液被供給至基板上時，會有器件內的電荷急遽地從器件朝處理液移動(亦即朝處理液中放電)，且因為伴隨著該移動之發熱而對器件產生損害之虞。
因此，以往使用用以防止基板的帶電之帶電防止裝置(例如專利文獻1)。該帶電防止裝置係具備有氣體供給路徑以及照射部。照射部係對玻璃基板照射紫外線。氣體供給路徑係連通至玻璃基板與照射部之間的空間。包含有氧之氣體係通過該氣體供給路徑被供給至該空間。在此狀態下對玻璃基板照射紫外線，藉此玻璃基板的表面被親水化而防止玻璃基板的帶電。此外，該空間的氧係藉由該紫外線而變化成臭氧。藉由該臭氧促進玻璃基板的親水化。
此外，在半導體製造中，對基板的表面進行使用了處理液之處理。會有根據該處理液的種類使處理液所含有的有機物作為雜質殘留於基板之情形。
因此，以往亦使用用以使用紫外線來去除基板上的有機物之裝置(例如專利文獻2)。在專利文獻2中，使用準分子燈(excimer lamp)。該準分子燈係能照射具有例如172nm的波長之紫外線。準分子燈係對附著了有機物的基板照射 紫外線。藉此，分解並去除基板上的有機物。
此外，列舉專利文獻3至專利文獻7作為本發明關聯的技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2008-60221號公報。
專利文獻2：日本特開2011-204944號公報。
專利文獻3：日本特開平7-22530號公報。
專利文獻4：日本特開2011-233774號公報。
專利文獻5：日本特開2011-129583號公報。
專利文獻6：日本特開2010-251596號公報。
專利文獻7：日本特開2011-124410號公報。
在基板處理裝置中形成兩個處理室且將基板保持部及紫外線光源兩者設置於各個處理室之情形中，裝置整體的尺寸會大型化。
本發明乃有鑑於上述課題研創者，目的在於提供一種能使用紫外線進行複數個處理且能抑制尺寸的增大之基板處理裝置。
為了解決上述課題，第一態樣的基板處理裝置係具備有紫外線照射手段、第一基板保持手段以及第二基板保持手段。紫外線照射手段係位於第一處理室及第二處理室的交界，可朝第一處理室及第二處理室照射紫外線。第一基板保持手段係配置於第一處理室，並以與紫外線照射手段對向之方式保持基板。第二基板保持手段係配置於第二處理室，並以與紫外線照射手段對向之方式保持基板。
第二態樣的基板處理裝置係如第一態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有遮光手段以及氣體供給手段。遮光手段係以將前述紫外線照射手段與前述第二基板保持手段之間的空間區隔成前述紫外線照射手段側的第一空間與前述第二基板保持手段側的第二空間之方式配置，用以阻隔來自紫外線照射手段的紫外線並使前述第一空間內的氛圍與前述第二空間內的氛圍連通。氣體供給手段係朝第二處理室供給氣體。
第三態樣的基板處理裝置係如第二態樣所記載之基板處理裝置，其中遮光手段係具有：第一板部及第二板部，係對於紫外線具有遮光性。於第一板部形成有至少一個第一貫通孔。於第二板部形成有至少一個第二貫通孔。第一板部及第二板部係以至少一個第一貫通孔的位置及至少一 個第二貫通孔的位置於與各自的板面平行的方向彼此錯開的配置關係隔著間隔彼此對向地配置。
第四態樣的基板處理裝置係如第三態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有第一移動手段。第一移動手段係使第一板部及第二板部在第一位置與第二位置之間相對性地移動，前述第一位置係至少一個第一貫通孔及至少一個第二貫通孔彼此錯開之位置，前述第二位置係至少一個第一貫通孔及至少一個第二貫通孔彼此位置性地整合之位置。
第五態樣的基板處理裝置係如第四態樣所記載之基板處理裝置，其中至少一個第一貫通孔係包含有複數個第一貫通孔，至少一個第二貫通孔係包含有複數個第二貫通孔。在前述第二位置中，複數個第一貫通孔係與複數個第二貫通孔一對一地對向。
第六態樣的基板處理裝置係如第三態樣至第五態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有第三基板保持手段；第三基板保持手段係在遮光手段與紫外線照射手段之間以與紫外線照射手段對向之方式保持基板。
第七態樣的基板處理裝置係如第一態樣所記載之基板處理裝置，其中具備有第一氣體供給手段以及第二氣體供 給手段。第一氣體供給手段係朝第一處理室供給氣體。第二氣體供給手段係朝第二處理室供給氣體。
第八態樣的基板處理裝置係如第七態樣所記載之基板處理裝置，其中第一氣體供給手段及第二氣體供給手段中的至少任一者係選擇性地供給複數種類的氣體。
第九態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第八態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有至少一個反射手段以及第二移動手段。至少一個反射手段係配置於第一處理室及第二處理室中的至少任一者，將來自紫外線照射手段的紫外線朝另一者反射。第二移動手段係在至少一個反射手段與紫外線照射手段對向之位置與至少一個反射手段未與紫外線照射手段對向之位置之間使至少一個反射手段移動。
第十態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第九態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有第四基板保持手段。第四基板保持手段係在第二基板保持手段與紫外線照射手段之間以與紫外線照射手段對向之方式保持形成有低介電體膜的基板。
第十一態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第十態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中第一基板保持手段係將具有形成有低介電體膜的第一主面以及未形成有低介電體膜的第二主面之基板以第二主面朝向紫外線照射手段之姿勢予以保持。
第十二態樣的基板處理系統係具備有：收容器保持部，係保持用以收容基板之收容器；基板處理部，係用以對基板施予使用了處理液的處理；以及基板通過部，係使在前述收容器保持部與前述基板處理部之間來回的基板經過。於基板通過部設置有第一態樣至第十一態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置。
第十三態樣的基板處理系統係如第十二態樣所記載之基板處理系統，其中具備有第一搬運手段以及第二搬運手段。第一搬運手段係在第一基板保持手段以及第二基板保持手段各者與收容器保持部之間授受基板。第二搬運手段係在第一基板保持手段以及第二基板保持手段各者與基板處理部之間授受基板。
第十四態樣的基板處理系統係如第十三態樣所記載之基板處理系統，其中第一搬運手段係將來自收容器保持部的基板傳遞至第一基板保持手段及第二基板保持手段中的一者，並將基板從第一基板保持手段及第二基板保持手段中的另一者傳遞至收容器保持部。第二搬運手段係將基板從第一基板保持手段及第二基板保持手段中的一者傳遞至 基板處理部，並將基板從基板處理部傳遞至第一基板保持手段及第二基板保持手段中的另一者。
第十五態樣的基板處理方法係具備有：以與位於第一處理室與第二處理室的交界且可朝前述第一處理室及前述第二處理室照射紫外線之紫外線照射手段對向之方式在前述第一處理室中使第一基板保持手段保持基板之步驟；在前述第二處理室中以與前述紫外線照射手段對向之方式使第二基板保持手段保持基板之步驟；以及朝遮光手段與前述紫外線照射手段之間的第一空間供給氣體之步驟，前述遮光手段係以將前述紫外線照射手段與前述第二基板保持手段之間的空間區隔成前述紫外線照射手段側的第一空間與前述第二基板保持手段側的第二空間之方式配置且一邊阻隔來自前述紫外線照射手段的紫外線一邊使前述第一空間內的氛圍與前述第二空間內的氛圍連通。
第十六態樣的基板處理方法係如第十五態樣所記載之基板處理方法，其中前述遮光手段係具有對於紫外線具有遮光性之第一板部及第二板部；於前述第一板部形成有至少一個第一貫通孔；於前述第二板部形成有至少一個第二貫通孔；前述第一板部及前述第二板部係以前述至少一個第一貫通孔的位置及前述至少一個第二貫通孔的位置於與各者的板面平行的方向彼此錯開之配置關係隔著間隔彼此對向配置。
第十七態樣的基板處理方法係如第十六態樣所記載之基板處理方法，其中進一步具備有使前述第一板部及前述第二板部在第一位置與第二位置之間相對性地移動之步驟，前述第一位置係前述至少一個第一貫通孔及前述至少一個第二貫通孔彼此錯開之位置，前述第二位置係前述至少一個第一貫通孔及前述至少一個第二貫通孔彼此位置性地整合之位置。
第十八態樣的基板處理方法係如第十七態樣所記載之基板處理方法，其中前述至少一個第一貫通孔係包含有複數個第一貫通孔；前述至少一個第二貫通孔係包含有複數個第二貫通孔；在前述第二位置中，前述複數個第一貫通孔係與前述複數個第二貫通孔一對一地對向。
第十九態樣的基板處理方法係如第十六態樣所記載之基板處理方法，其中進一步具備有在前述遮光手段與前述紫外線照射手段之間以與前述紫外線照射手段對向之方式使第三基板保持手段保持基板之步驟。
第二十態樣的基板處理方法係如第十五態樣所記載之基板處理方法，其中具備有朝前述第一處理室供給氣體之步驟以及朝前述第二處理室供給氣體之步驟。
依據基板處理裝置，能在第一處理室及第二處理室中進行使用了紫外線的處理。而且，能藉由第一處理室及第二處理室共同擁有紫外線照射手段。因此，與紫外線照射手段個別地配置於第一處理室及第二處理室之情形相比，能降低基板處理裝置的尺寸。
1‧‧‧腔室
2‧‧‧紫外線照射手段(紫外線照 射器)
5‧‧‧遮光手段(遮光部)
7‧‧‧控制部
8‧‧‧移動手段(移動機構)
10、10A、10B、10C、10D‧‧‧基板處理裝置
11、12‧‧‧處理室
11a、11b、12a、12b、511、512‧‧‧貫通孔
12A、12B‧‧‧空間
31至33‧‧‧基板保持手段(基板保持部)
41、42‧‧‧氣體供給手段(氣體供給部)
51、52‧‧‧板部
61、62‧‧‧排氣部
91、92‧‧‧反射手段(反射部)
93、94‧‧‧移動手段(移動機構)
100‧‧‧基板處理系統
110‧‧‧收容器保持部
120‧‧‧基板通過部
121‧‧‧搬運手段(索引機器人)
122‧‧‧通行部
123‧‧‧搬運手段(搬運機器人)
124‧‧‧搬運路徑
130、130a至130d‧‧‧基板處理部
411至413、421至423、611、621‧‧‧配管
414、415、424、425‧‧‧氣體收容器
416、417、426、427‧‧‧開閉閥
511、521‧‧‧貫通孔
Ga、Gb‧‧‧石英玻璃板
R0、R11至R13、R21至R23‧‧‧曲線
W1、W2‧‧‧基板
圖1係概略性地顯示基板處理系統的構成的一例之圖。
圖2係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
圖3係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
圖4係概略性地顯示遮光部的構成的一例之圖。
圖5係用以顯示基板處理系統的動作的一例之流程圖。
圖6係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
圖7係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
圖8係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
圖9係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之 圖。
圖10係用以顯示基板處理系統的動作的一例之流程圖。
圖11係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
圖12係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
圖13係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
圖14係用以顯示低介電體膜的吸收率與波數之間的關係的一例之圖表。
圖15係用以顯示低介電體膜的吸收率與波數之間的關係的一例之圖表。
圖16係用以顯示表面電荷與照射時間之間的關係的一例之圖表。
圖17係用以顯示表面電荷與照射時間之間的關係的一例之圖表。
圖18係概略性地顯示基板處理裝置的構成的一例之圖。
以下，參照圖式詳細地說明本發明的實施形態。
[第一實施形態]
<基板處理系統的整體構成的一例>
圖1係概略性地顯示基板處理系統100的整體構成的一例之圖。此外，在圖1以及之後的各個圖中，為了容易理解，因應需要誇張或簡略地描繪各部的尺寸和數量。
基板處理系統100係用以對半導體基板施予各種處理之裝置。該基板處理系統100係例如具備有收容器保持部110、基板通過部120以及基板處理部130。收容器保持部110係保持基板收容器。於該基板收容器收容有例如複數個基板。在圖1的例子中設置有複數個收容器保持部110，複數個收容器保持部110係沿著與水平面平行的一方向(以下亦稱為X方向)排列配置。
基板處理部130係用以對基板施予預定的處理之裝置。在圖1的例子中設置有複數個基板處理部130(在圖式的例子中為基板處理部130a至基板處理部130d)。基板處理部130a至基板處理部130d係分別對基板進行各種處理。為了方便說明，設想成各個基板依照基板處理部130a至基板處理部130d之順序接受處理之情形。例如，基板處理部130a係對基板供給處理液(藥液、清洗液或IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)液體等處理液)。藉此，對基板進行因應了處理液的處理。對於後續的基板處理部130c中的處理而言，不希望於基板蓄積電荷。此外，會有因為基板處理部130b所為之處理(例如使用了IPA的處理)而於基板的主面上殘留有 作為雜質的有機物，故期望去除此種有機物。
基板通過部120係位於收容器保持部110與基板處理部130a至基板處理部130d各者之間。未處理的基板係從收容器保持部110經由基板通過部120被傳遞至基板處理部130a。在基板處理部130a中施予了處理之處理完畢的基板係從該基板處理部130a經由基板通過部120被傳遞至收容器保持部110或其他的基板處理部130b。基板處理部130b至基板處理部130d之間的基板的時間順序的搬運亦同樣。
基板通過部120係例如具備有索引機器人(indexer robot)121、通行(pass)部122以及搬運機器人123。索引機器人121係能於下述的索引搬運路徑124朝X方向來回移動。索引搬運路徑124係與複數個收容器保持部110彼此相鄰且朝X方向延伸之搬運路徑。索引機器人121係能在該索引搬運路徑124中在與各個收容器保持部110對向之位置停止。
索引機器人121係例如具有臂部(arm)與手部(hand)。手部係設置於臂部的前端，能保持基板或者解放所保持的基板。手部係可藉由臂部的驅動而於與水平面平行且與X方向垂直的方向(以下亦稱為Y方向)來回移動。索引機器人121係能在與收容器保持部110對向的狀態下使手部朝 收容器保持部110移動，從收容器保持部110取出未處理的基板或將處理完畢的基板傳遞至收容器保持部110。
通行部122係相對於索引搬運路徑124位於與收容器保持部110相反側。例如，通行部122亦可形成於索引搬運路徑124的X方向中之與中央部對向的位置。例如，通行部122亦可具有用以載置基板之載置台或架台。索引機器人121係能使臂部在水平面中180度旋轉。藉此，索引機器人121係能使手部朝通行部122移動。索引機器人121係能將已從收容器保持部110取出的基板傳遞至通行部122或從通行部122取出載置於通行部122的基板。
搬運機器人123係相對於通行部122設置於與索引搬運路徑124相反側。此外，以圍繞搬運機器人123之方式配置有複數個(在圖1中為四個)基板處理部130。在圖1的例子中，設置有與基板處理部130各者鄰接之流體箱部131。流體箱部131係能朝鄰接的基板處理部130供給處理液，並從該基板處理部130回收使用完畢的處理液。
搬運機器人123亦與索引機器人121同樣地具有臂部及手部。該搬運機器人123係能從通行部122取出基板或者將基板傳遞至通行部122。此外，搬運機器人123係能將基板傳遞至各個基板處理部130或從各個基板處理部130取出基板。此外，索引機器人121及搬運機器人123 係能視為用以搬運基板之搬運手段。
藉由這些構成，例如能進行下述般的概略動作。亦即，收容於收容器保持部110之各個半導體基板係藉由索引機器人121依序被搬運至通行部122。接著，基板係藉由搬運機器人123依序地被搬運至基板處理部130a至基板處理部130d，並在基板處理部130a至基板處理部130d中接受各種處理。完成一連串的處理之基板係藉由通行部122以及索引機器人121返回至收容器保持部110。
<基板處理裝置>
圖2及圖3係概略性地顯示基板處理裝置10的構成的一例之圖。該基板處理裝置10係可設置於例如通行部122。圖2係例如顯示與Y方向垂直的剖面，圖3係例如顯示與X方向垂直的剖面。此外，基板處理裝置10不一定需要設置於通行部122，例如亦可作為基板處理部130d而設置。換言之，基板處理裝置10亦可作為複數個基板處理部130中的一部分而設置。
基板處理裝置10係具備有腔室(chamber)1、紫外線照射器2、基板保持部31、32、氣體供給部41、42、遮光部5以及排氣部61、62。
腔室1係具有處理室11、12。處理室11、12係例如在 鉛直方向(以下亦稱為Z方向)中彼此相鄰地形成。於處理室11、12的交界設置有紫外線照射器2。亦即，處理室11、12係被紫外線照射器2隔開。
紫外線照射器2係能產生紫外線，且能對處理室11、12中的任一者照射該紫外線。作為紫外線照射器2，例如能採用準分子UV(Ultra Violet；紫外線)燈。該紫外線照射器2係例如具備有：石英管，係填充有放電用的氣體(例如稀有氣體或稀有氣體鹵素化合物)；以及一對電極，係收容於該石英管內。放電用的氣體係存在於一對電極間。以高頻將高電壓施加至一對電極間，藉此放電用的氣體被激發而成為準分子狀態。放電用的氣體係在從準分子狀態返回至基底狀態時產生紫外線。
紫外線照射器2亦可形成為例如平板狀。紫外線照射器2係以例如紫外線照射器2的法線方向沿著Z方向的姿勢配置。換言之，紫外線照射器2為水平地配置之面光源。或者，紫外線照射器2亦可作為圓柱狀的複數個紫外線單位照射器的排列而設置。例如，複數個紫外線單位照射器的各者係以紫外線單位照射器的中心軸沿著X方向的姿勢配置。在此情形中，複數個紫外線單位照射器係沿著Y方向排列地配置。亦即，在本態樣中，藉由水平地配置複數個紫外線單位照射器而構成實質性的面光源。
亦可於紫外線照射器2的處理室11、12側分別設置有保護用的石英玻璃板Ga、Gb。亦即，紫外線照射器2亦可位於作為板狀體的一對石英玻璃板Ga、Gb之間，該一對石英玻璃板Ga、Gb係具有耐熱性及耐腐蝕性且對於紫外線具有透光性。這些石英玻璃板Ga、Gb係能保護紫外線照射器2不受外力以及處理室11、12內的氛圍的影響。
一方的基板保持部31係配置於處理室11。基板保持部31係以基板W1的主面與紫外線照射器2對向之方式保持基板W1。在基板W1為半導體基板(亦即半導體晶圓)之情形中，基板W1為略圓形的平板狀，基板保持部31係以支撐該基板W1的外緣部分之態樣水平地保持基板W1。
基板保持部31的具體性的構成並無特別限定，但亦可為例如形成於腔室1的內側面。在圖2的例子中，於腔室1的內側面中之彼此相向的一對內側面分別形成有槽狀的凹部。這些凹部係在Z方向中形成為略相同的高度。而且，基板W1的直徑方向中的兩端部係分別進入至該凹部。基板W1係在該凹部中之鉛直下方側的面中被支撐。亦即，該凹部係作為基板保持部31發揮作用。
另一方的基板保持部32係設置於處理室12。基板保持部32係以基板W2的主面與紫外線照射器2對向之方式保持基板W2。基板W2亦具有例如平板狀的圓形狀。基板 保持部32亦水平地保持基板W2。基板保持部32的具體性的構成並無特別限定，但亦可為例如具有與基板保持部31同樣的構成。
圖3所示的氣體供給部41係將氣體供給至處理室11。氣體供給部41係例如具備有配管411至配管413、氣體收容部414、415以及開閉閥416、417。於腔室1的例如側壁形成有供給用的貫通孔11a。貫通孔11a係連通處理室11與配管411的一端。該配管411的另一端係分別連接至配管412、413的一端。配管412的另一端係連接至氣體收容部414，配管413的另一端係連接至氣體收容部415。氣體收容部414、415係例如為瓶體(bottle)，分別收容不同的氣體。例如，於氣體收容部414收容有惰性氣體(例如氮或氬等)，於氣體收容部415收容有氧。或者，亦可於氣體收容部414、415各者收容包含有複數種氣體成分的混合氣體。亦可為例如包含有氧與氮之空氣分別收容於氣體收容部414、415，該包含有氧與氮之空氣的混合比在氣體收容部414、415中皆不同。於配管412設置有開閉閥416，於配管413設置有開閉閥417。開閉閥416、417係分別切換配管412、413的開閉。
在例如開閉閥416開啟且開閉閥417關閉時，收容於氣體收容部414的氣體(例如氮)係被供給至處理室11。另一方面，在開閉閥416關閉且開閉閥417開啟時，收容於 氣體收容部415的氣體(例如氧)係被供給至處理室11。
排氣部61係具有配管611。於腔室1的例如側壁形成有排氣用的貫通孔11b。貫通孔11b係連通處理室11與配管611的一端。處理室11內的氣體係經由配管611排氣至外部。
氣體供給部42係將氣體供給至處理室12。氣體供給部42係具備有配管421至配管423、氣體收容部424、425以及開閉閥426、427。配管421至配管423、氣體收容部424、425以及開閉閥426、427係除了配管421的一端的連通目的地之外，分別與配管411至配管413、氣體收容部414、415以及開閉閥416、417同樣。配管421的一端係連通至供氣用的貫通孔12a。該貫通孔12a係例如形成於腔室1的側壁，並連通配管421的一端與處理室12。
亦能藉由該氣體供給部42適當地控制開閉閥426、427的開閉，藉此選擇性地將不同的氣體(例如惰性氣體(氮或氬等)以及氧)供給至處理室12。
排氣部62係具有配管621。於腔室1的例如側壁形成有排氣用的貫通孔12b。貫通孔12b係連通處理室12與配管621的一端。處理室12內的氣體係經由配管621排氣至外部。
遮光部5係配置於處理室12。更具體而言，遮光部5係以將紫外線照射器2與基板W2之間的空間區隔成紫外線照射器2側的空間與基板保持部32側的空間之方式配置。換言之，基板保持部32係以基板W2的主面隔著遮光部5與紫外線照射器2對向之方式保持基板W2。遮光部5係適當地固定於腔室1。
遮光部5係將紫外線予以遮光並使氣體通過。遮光部5係具有板部51、52。圖4係概略性顯示沿著Z方向觀看時的遮光部5的一部分的構成之圖。板部51、52係具有板狀的形狀。此外，於板部51、52分別形成有貫通孔511、521。貫通孔511、521係分別沿著板部51、52的厚度方向貫通板部51、52。板部51、52係對於紫外線具有遮光性。亦可於例如板部51、52的表面具備有針對紫外線的遮光用的過濾器。然而，未於貫通孔511、521設置有該過濾器。
這些板部51、52係以板部51、52的厚度方向沿著Z方向的姿勢配置。亦即，板部51、52係水平地配置。此外，板部51、52係隔著間隔彼此對向地配置。板部51係相對於板部52配置於紫外線照射器2之側。在圖4的例子中，貫通孔511、521係形成複數個。複數個貫通孔511係形成於下述位置。亦即，於假想的四角形的四個頂點與該四角形的重心之各者形成有貫通孔511，且以該位置關係於X 方向及Y方向重複之方式分散地形成有複數個貫通孔511。複數個貫通孔521亦同樣。
板部51、52係以貫通孔511的位置以及貫通孔521的位置在與板部51、52的板面平行的方向中彼此錯開之方式配置。亦即，以貫通孔511的各者與貫通孔521的各者不會在Z方向中對向之方式配置有板部51、52。
遮光部5與紫外線照射器2之間的空間12A以及遮光部5與基板W2之間的空間12B係經由遮光部5而連通。具體而言，空間12A、12B係藉由貫通孔511、521以及板部51、52之間的空間彼此連通。藉此，氣體係能從空間12A通過遮光部5朝空間12B流動。
另一方面，由於貫通孔511、521的位置彼此錯開，因此來自紫外線照射器2的紫外線係被遮光部5遮住。具體而言，來自紫外線照射器2的紫外線的一部分係被板部51遮住，雖然紫外線的另一部分會通過貫通孔511但會被板部52遮住。因此，紫外線不易照射至基板W2的主面。亦即，遮光部5係成為遮光性且通氣性的板狀要素。
在圖3的例子中，供氣用的貫通孔12a係設置於適合將氣體供給至空間12A之位置。由於空間12A被照射來自紫外線照射器2的紫外線，因此能有效地使該紫外線作用 至被氣體供給部42供給的氣體。在氣體供給部42供給氧之情形中，由於紫外線有效地作用至氧，因此能有效地產生臭氧。該臭氧係通過遮光部5作用至基板W2。
此外，於腔室1設置有作為基板W1、W2用的出入口而發揮作用之擋門(未圖示)。在該擋門開啟時處理室11、12係與外部連通，在擋門關閉時處理室11、12係被密閉。擋門亦可針對處理室11、12個別地設置。亦即，亦可為藉由開啟第一擋門使處理室11與外部連通，藉由開啟第二擋門使處理室12與外部連通。
此外，在基板處理裝置10配置於通行部122之情形中，例如只要設置有索引機器人121用的擋門以及搬運機器人123用的擋門即可。索引機器人121以及搬運機器人123係能經由對應的擋門將基板搬出或搬入。此外，索引機器人121以及搬運機器人123係能分別使臂部及把柄於Z方向來回移動。藉此，索引機器人121以及搬運機器人123係能使臂部及把柄分別移動至適合基板保持部31、32的高度。藉此，索引機器人121以及搬運機器人123係能將基板傳遞至基板保持部31、32各者以及從基板保持部31、32各者取出基板。
紫外線照射器2、開閉閥416、417、426、427以及擋門係被控制部7控制。
控制部7亦可為電子電路機器，且具備有例如資料處理裝置以及記憶媒體。資料處理裝置亦可為例如CPU(Central Processor Unit；中央處理器)等運算處理裝置。記憶部亦可具備有非暫時性的記憶媒體(例如ROM(Read Only Memory；唯讀記憶體)或硬碟)以及暫時性的記憶媒體(例如RAM(Random Access Memory；隨機存取記憶體))。亦可於非暫時性的記憶媒體記憶有程式，該程式係例如用以規定控制部7所執行之處理。藉由處理裝置執行該程式，控制部7係能執行程式所規定的處理。當然，亦可藉由硬碟執行控制部7所執行之處理的一部分或全部。
依據此種基板處理裝置10，能分別在處理室11、12中進行使用了針對基板的紫外線之處理。並且，紫外線照射器2係能將紫外線照射至處理室11、12各者。亦即，紫外線照射器2係被處理室11、12共用。因此，與在處理室11、12中設置個別的紫外線照射器2之情形相比，能降低基板處理裝置10的尺寸並降低製造成本。
<基板處理的動作的一例>
接著，說明基板處理裝置10中的具體性的動作的一例。圖5係用以顯示基板處理裝置10的具體性的動作的一例之流程圖。圖5係例示處理室11、12中的處理並行地被進行時的動作的一例。首先，在步驟S1中，基板W1、W2係 配置於腔室1內。具體而言，控制部7係以進行下述的動作之方式控制擋門以及索引機器人121或搬運機器人123。亦即，開啟腔室1的擋門，經由已開啟的擋門將基板W1、W2分別配置於基板保持部31、32後，關閉擋門。
接著，在步驟S2中，控制部7係例如開啟開閉閥416、427並關閉開閉閥417、426。藉此，對處理室11供給收容於氣體收容部414的氣體(在此為氮)，對處理室12供給收容於氣體收容部425的氣體(在此為氧)。此外，步驟S2亦可在步驟S1之前執行。
接著，在步驟S3中，控制部7係使紫外線照射器2照射紫外線。此外，控制部7亦可在處理室11、12內的氛圍(尤其是基板W1、W2各者與紫外線照射器2之間的空氣)變成預定的氛圍時執行步驟S3。例如，控制部7係計時從步驟S2起的經過時間。經過時間的計時係能藉由計時器電路等計時電路來進行。控制部7亦可判斷該經過時間是否比預定的基準值還大，並在作成肯定性的判斷時執行步驟S3。或者，亦可計測處理室11、12內的氛圍。
圖6係示意性地顯示步驟S3中的基板處理裝置10的狀態。在圖6中，以雙箭頭顯示紫外線照射器2對處理室11、12照射紫外線之情形。
該紫外線係在處理室11中照射至基板W1的主面。藉此，蓄積於基板W1的電荷被去除。認為電荷被去除的理由之一為在基板W1中產生起因於紫外線的光電效果。作為紫外線的波長，例如能採用252nm以下的波長。在該波長範圍中，能有效地去除基板W1的電荷。作為更有效的波長，能採用172±20nm內的波長。
來自紫外線照射器2的紫外線亦照射至處理室12。該紫外線係被紫外線照射器2與遮光部5之間的氧吸收。藉此，產生臭氧。臭氧係通過遮光部5作用至基板W2的主面。在圖6的例子中，以標註於臭氧的分子式的附近的箭頭示意性地表現該臭氧的流動。臭氧作用於基板W2的主面，藉此能將存在於基板W2的主面的有機物氧化並分解及去除該有機物。
另一方面，由於紫外線被遮光部5遮住，因此能降低或迴避照射至基板W2的紫外線。藉此，能降低下述說明般的紫外線對於基板W2的損傷。例如，會有於基板W2的主面形成有低介電體膜之情形。該低介電體膜亦稱為Low-k膜。該低介電體膜的材料能採用包含有SiO2的有機化合物。於該有機化合物存在有Si-C鍵結。該Si-C鍵結的鍵結能量係例如在0K中為293kJ/mol。另一方面，172nm的波長的紫外線的能量係694kJ/mol，且能變得比Si-C的鍵結能量還高。因此，能藉由對基板W2的主面照 射紫外線而切斷Si-C鍵結。藉此，能增大低介電體膜的k值(介電率)。亦即，會因為紫外線而對基板W2造成損傷(例如Si-C鍵結的切斷)。當該k值增大時，在所製造的半導體器件中產生配線延遲並降低響應速度。另一方面，在圖6的例子中，由於遮光部5遮住紫外線，因此能抑制對基板W2產生該損傷。
再次參照圖5，在步驟S4中，控制部7係判斷是否應結束處理。例如控制部7亦可在步驟S3起的經過時間超過預定時間時判斷應結束處理。在判斷不應結束處理時，控制部7係再次執行步驟S4。當判斷應結束處理時，在步驟S5中，控制部7係使紫外線照射器2停止。接著，在步驟S6中，控制部7係關閉開閉閥427且開啟開閉閥426。藉此，對處理室12供給收容於氣體收容部424的氣體(在此為氮)。藉此，臭氧係被適當地排氣。
如上所述，依據本動作，能使用單一個紫外線照射器2在處理室11、12中進行處理。
<朝基板的背面之照射>
於基板W1的一方的主面(以下亦稱為表面)形成有低介電體膜且於另一方的主面(以下亦稱為背面)未形成有低介電體膜之情形中，基板保持部31亦可以將基板W1的背面朝向紫外線照射器2的姿勢保持基板W1。換言之，控制 部7亦可控制索引機器人121或搬運機器人123，以基板W1的背面朝向紫外線照射器2之方式將基板W1傳遞至基板保持部31。在圖2的例子中，基板保持部31係位於紫外線照射器2的鉛直上方。因此，索引機器人121或搬運機器人123係只要將表面朝向鉛直上方搬運基板W1並以該姿勢將基板W1配置於基板保持部31即可。
藉此，與形成有低介電體膜的基板W1的表面朝向紫外線照射器2之情形相比，能降低紫外線對低介電體膜的損傷。這是由於紫外線未直接照射至低介電體膜之故。
<經由通行部的來回移動>
在基板處理裝置10配置於通行部122之情形中，不論是從收容器保持部110朝基板處理部130的去程路徑以及從基板處理部130朝收容器保持部110的回程路徑，基板皆會經由基板處理裝置10。因此，基板處理系統100亦可例如在去程路徑中使基板經由處理室11、12的一者，而於回程路徑中使該基板經由處理室11、12的另一者。換言之，例如亦可為索引機器人121將基板從收容器保持部110傳遞至基板保持部31、32的一者以及將基板從基板保持部31、32的另一者傳遞至收容器保持部110。搬運機器人123亦可將基板從該一者傳遞至基板處理部130以及將基板從基板處理部130傳遞至該另一者。藉此，能在基板處理系統100中的來回搬運中進行處理室11、12兩者的處理。
作為具體的一例，控制部7亦可以進行下述說明的動作之方式控制基板處理系統100的各個構成。例如在去程路徑中使用處理室11。具體而言，索引機器人121係從收容器保持部110取出基板並將該基板載置於處理室11的基板保持部31。如上所述，該基板係在處理室11中被施予除電處理。已被去除電荷的基板係被搬運機器人123傳遞至基板處理部130。基板處理部130係對基板的主面進行使用了處理液的處理。由於基板的電荷已經被去除，因此在基板處理部130中不易發生處理液所造成的電弧作用(arcing)，而能適當地進行該處理。
根據處理液的種類，會於基板的主面殘留有機物。因此，在回程路徑中使用處理室12。具體而言，搬運機器人123係從基板處理部130取出處理完畢的基板，並將該基板載置於處理室12的基板保持部32。如上所述，該基板係在處理室12中被施予有機物去除處理。藉此，去除基板的有機物。索引機器人121係從處理室12取出基板，並將該基板傳遞至收容器保持部110。
藉此，能在通行部122進行在基板處理部130的處理前後中的適當的處理。
<朝處理室11供給氧>
在上述的例子中，在步驟S2中對處理室11供給氮。然而，並未限定於此。例如在主要著眼於去除有機物的情形中，亦可對處理室11供給氧。具體而言，控制部7係關閉開閉閥416且開啟開閉閥417。藉此，對處理室11供給收容於氣體收容部415的氣體(在此為氧)。
圖7係示意性地顯示對處理室11、12供給氧時之基板處理裝置10的狀態的一例。在此情形中，即使是在處理室11中亦產生較多的臭氧，該臭氧係作用至基板W1的主面。由於臭氧作用至基板W1的主面，因此能有效地去除存在於基板W1的主面的有機物。
在上述動作中，由於在處理室11中產生臭氧，因此亦可在步驟S6中停止朝處理室11供給氧，並且供給氮。藉此，能適當地將處理室11內的臭氧排氣。
<變化例>
雖然在上述例子中配置有遮光部5，但在亦可朝基板W2的主面照射紫外線之情形中，不一定需要遮光部5。此外，雖然在上述例子中氣體供給部41、42係能選擇性地供給不同種類的氣體，但是這亦非是必要條件。總之，只要在處理室11、12共用紫外線照射器2即可。這是由於能達成藉此降低基板處理裝置10的尺寸之功效之故。
[第二實施形態]
圖8及圖9係概略地顯示基板處理裝置10A的構成的一例之圖。與基板處理裝置10的差異點在於，基板處理裝置10A係具有移動機構8。此外，在圖8及圖9中省略了氣體供給部41、42以及排氣部61、62的圖示。在後續所參照的其他的圖式中亦有省略這些構件的情形。
移動機構8係配置於處理室12。移動機構8係能使板部51、52相對性地移動。更具體而言，移動機構8係能使板部51、52在貫通孔511、521彼此錯開之第一位置(參照圖8)與貫通孔511、521在Z方向中彼此對向之第二位置(參照圖9)之間相對性地移動。移動機構8的動作係例如被控制部7控制。作為移動機構8，例如能採用公知的單軸工作台(亦稱為X軸工作台)。移動機構8係例如使板部51移動。
此外，板部51中的貫通孔511的分布以及板部52中的貫通孔521的分布係僅形成位置不同，分布的形態則彼此對應。亦即，各個貫通孔511、521的大小係相同，且形成間隔及排列方向亦相同。因此，只要使板部51、52中的一者相對於另一者在水平方向(Y方向)錯開，各個貫通孔511、521的形成位置即會彼此整合。
在移動機構8使板部52相對於板部51在第一位置(圖 8)停止之情形中，與第一實施形態同樣地，來自紫外線照射器2的紫外線係被遮光部5遮住。另一方面，在移動機構8使板部52相對於板部51在第二位置(圖9)停止之情形中，來自紫外線照射器2的紫外線係通過貫通孔511、521照射至基板W2的主面。因此，能使紫外線作用至基板W2的主面。
如上所述，依據基板處理裝置10A，能藉由板部51、52的位置關係控制是否使紫外線照射至基板W2的主面。例如，控制部7係從外部接收於基板W2的主面是否形成有低介電體膜之資訊。該資訊亦可包含於所謂的配方(recipe)(作業指示書)，該配方係規定對於基板的處理內容。並且，控制部7亦可在於基板W2的主面形成有低介電體膜時，以板部52相對於板部51在第一位置(圖8)停止之方式控制移動機構8。另一方面，控制部7亦可在未於基板W2的主面形成有低介電體膜時，以板部52相對於板部51在第二位置(圖9)停止之方式控制移動機構8。藉此，由於對基板W2的主面照射紫外線，因此能藉由例如光電效果進行電荷的去除。
如上所述，貫通孔分布的形態係在兩個板部51、52共通，且複數個貫通孔511係在第二位置中於Z方向分別與複數個貫通孔521對向。亦即，複數個貫通孔511、521一對一彼此地對向。在圖4所示的例子中，從Z方向觀看複 數個貫通孔521的相對位置關係係與複數個貫通孔511的相對位置關係相同。藉此，使板部51、52於水平方向相對地移動，藉此能使複數個貫通孔511一對一地與複數個貫通孔521對向。藉此，遮光部5係能使紫外線通過更廣的區域。因此，能更廣範圍地對基板W2的主面照射紫外線。
當然，複數個貫通孔511、521的形狀、大小以及位置關係只要適當地設定即可，並未限定於圖4的態樣。例如，取代圓形的貫通孔511，於X方向較長的縫隙(slit)狀的複數個貫通孔亦可沿著Y方向排列地配置。貫通孔521亦同樣。此時，將板部51中的縫隙狀的貫通孔的間距與板部52中的縫隙狀的貫通孔的間距設定成略相同。藉此，使板部52相對於板部51於Y方向移動，藉此板部51中的貫通孔與板部52中的貫通孔係一對一地在Z方向中對向。
上述第二位置中的兩組貫通孔的位置性的整合係無須完全一致。亦即，即使存在一部分未一致的部位之情形中，只要大多的貫通孔的位置彼此一致且能在處理時使充分的紫外線通過，則亦無妨。此外，在板部51、52的各者中，在各個貫通孔的尺寸小且於水平方向鄰接之貫通孔的間隔變窄且板部51、52各者接近「網狀」之情形中，屬於「具有貫通孔之板狀的構件」之概念。即使在板部51、52各者中的貫通孔的數量為一個之情形中，只要貫通孔為來回彎曲的隙縫般之方式實現空間性且選擇性的透光分布，則亦 無妨。關於貫通孔的形狀及分布之該等條件並未限定於本實施形態，亦可共通地適用在其他實施形態中。
基板保持部32亦可使基板W2將Z方向作為旋轉軸旋轉。具體而言，基板保持部32只要具備有用以保持基板W2之工作台(未圖示)以及用以使工作台旋轉之旋轉機構(未圖示)即可。旋轉軸係例如通過基板W2的中心。作為此種基板保持部32，能採用所謂自轉夾具(spin chuck)。藉此，能使通過遮光部5的紫外線更廣範圍且更均勻地作用至基板W2的主面。
<基板處理動作的一例>
圖10係用以顯示基板處理裝置10A的動作的一例之流程圖。圖10係例示對處理室11、12並行地進行用將紫外線照射至基板的主面並去除電荷之除電處理時的動作。首先，與步驟S1同樣地，在步驟S11中，基板W1、W2係分別配置於基板保持部31、32。
接著，在步驟S12中，控制部7係開啟開閉閥416、426且關閉開閉閥417、427。藉此，對處理室11供給收容於氣體收容部414的氣體(在此為氮)，並對處理室12供給收容於氣體收容部424的氣體(在此為氮)。
接著，在步驟S13中，控制部7係控制移動機構8， 以貫通孔511、521在Z方向中彼此對向之方式使板部51、52相對性地移動。此外，步驟S11至步驟S13的執行順序並未限定於此，亦可適當地變更。
接著，在步驟S14中，控制部7係使紫外線照射器2照射紫外線。此外，與步驟S3同樣地，步驟S14係只要在處理室11、12內的氛圍變成期望的氛圍時執行即可。
圖11係顯示基板處理裝置10A的構成的一例之圖。圖11係示意性地顯示步驟S14中的基板處理裝置10A的狀態。對處理室11、12供給氮。此外，在圖11中，以於紫外線照射器2具有起始點之箭頭顯示紫外線照射器2對處理室11、12照射紫外線之情形。紫外線照射器2係在處理室11中朝基板W1的主面照射紫外線，且在處理室12中通過貫通孔511、521對基板W2的主面照射紫外線。
藉此，由於能對基板W1、W2的主面照射紫外線，因此能藉由例如光電效果去除蓄積於基板W1、W2的電荷。此外，在紫外線的照射中，控制部7亦可使基板保持部32旋轉基板W2。
[第三實施形態]
圖12係概略性地顯示基板處理裝置10B的構成的一例之圖。與基板處理裝置10的差異點在於，基板處理裝置 10B係具有基板保持部33。基板保持部33係例如配置於處理室12，且能以使基板W2的主面與紫外線照射器2對向之方式保持基板W2。此外，該基板保持部33係在與被基板保持部32保持的基板不同之位置保持基板W2。例如，基板保持部33係在比基板保持部32還接近紫外線照射器2之位置保持基板W2。作為更具體性的一例，基板保持部33係在紫外線照射器2與遮光部5之間保持基板W2。基板保持部33的具體性的構成並無特別限定，亦可為例如具有與基板保持部32同樣的構成(例如形成於腔室1的內側面之凹部)。
在基板W2載置於基板保持部33之情形中，能不經由遮光部5將紫外線照射至基板W2的主面。藉此，能將紫外線照射至比基板W2還廣的範圍。因此，能更有效地去除基板W2的電荷。此外，由於能將基板W2載置於紫外線照射器2的附近，因此能提升紫外線對於基板W2的主面之強度。藉此，能更迅速地去除基板W2的電荷。
[第四實施形態]
圖13係概略性地顯示基板處理裝置10C的構成的一例之圖。基板處理裝置10C係具有已省略了基板處理裝置10B的遮光部5之構成。由於基板處理裝置10C具有基板保持部32、33，因此能將基板W2選擇性地載置於基板保持部32、33中的一者。
然而，當紫外線照射至形成有低介電體膜的基板W2的主面時，如上所述會對低介電體膜產生損傷。該損傷量(例如k值的增大量)係紫外線的強度愈高則愈大。
紫外線的強度係與紫外線照射器2的距離愈長則愈低。並且，基板保持部32係遠離紫外線照射器2，基板保持部33係接近紫外線照射器2。因此，被基板保持部32保持的基板W2中之紫外線的強度係比被基板保持部33保持的基板W2中之紫外線的強度還低。因此，在基板W2被基板保持部32保持之情形中，能降低對於低介電體膜的損傷。
另一方面，基板W2中之紫外線的強度愈高愈能在短時間去除電荷。因此，電荷的去除速度係在基板W2被基板保持部33保持之情形中比在基板W2被基板保持部32保持之情形中還快。
以下，考察對於低介電體膜的損傷量與照射時間之間的關係以及電荷去除與照射時間之間的關係。在此，以該低介電體膜的光的吸收率的變化來評價對於低介電體膜的損傷量。圖14及圖15係示意性地顯示低介電體膜的吸收率與光的波數之間的關係的一例。作為低介電體膜，採用多孔質有機矽酸鹽(OSG2.4)。該低介電體膜中之與Si-CH3鍵結之波數係1274cm-1。
圖14係顯示基板的主面中之紫外線的強度高時之該關係，圖15係顯示基板的主面中之紫外線的強度低時之該關係。例如，基板的主面中之紫外線的強度在圖14中為19mW/cm2，在圖15中為2mW/cm2。在此，紫外線的強度係藉由調整基板與紫外線照射器之間的距離而進行調整，例如該距離在圖14中為3mm，在圖15中為17.6mm。
在圖14中，以曲線R0表示紫外線照射前的吸收率，且分別以曲線R11至曲線R13表示從紫外線照射經過10秒後、20秒後以及30秒後的吸收率。在圖15中，分別以曲線R21至曲線R23表示從紫外線照射經過5分鐘後、7分鐘後以及10分鐘後的吸收率。
圖16及圖17係示意性地顯示基板的主面中的電位(亦稱為表面電荷)與照射時間之間的關係的一例。此外，在圖16中橫軸所示的時間的單位為秒，圖17中橫軸所示的時間的單位為分。圖16係顯示基板的主面中之紫外線的強度高時的上述關係，圖17係顯示基板的主面中之紫外線的強度低時的上述關係。圖16中之紫外線的強度的值係與圖14中之紫外線的強度相同，圖17中之紫外線的強度的值係與圖15中之紫外線的強度相同。
然而，由於低介電體膜不易產生光電功效，因此會有 使用離子去除電荷之情形。例如能利用氧離子。該氧離子係能藉由氧吸收紫外線而產生。藉由於基板採用該氧離子，能將基板的電荷予以除電。在此，將基板與紫外線照射器之間的空間的氧濃度設成20.9%。
如圖16及圖17所示，在紫外線的強度高之情形中，藉由紫外線的照射迅速地去除電荷。因此，從電荷的去除之觀點而言，期望紫外線的強度高。然而，如圖14所示，在紫外線的強度高之情形中，從紫外線的照射開始經過10秒後，顯現出波數1274cm-1中的吸收率的變化(曲線R11)。亦即，從紫外線的照射開始經過10秒後，於低介電體膜產生損傷。在圖16的例子中，此時的表面電荷係比-50V還小。
另一方面，如圖15所示，在紫外線的強度低之情形中，即使從紫外線的照射開始經過5分鐘後波數1274cm-1中的吸收率亦幾乎不會變化(曲線R21)，而是在7分鐘後顯現出變化(曲線R22)。亦即，在從紫外線的照射開始經過5分鐘以內，幾乎不會對基板產生損傷。並且，如圖17所示，從紫外線的照射開始經過5分鐘後的表面電荷係比-30V還大且比-20V還小。亦即，與圖16所示的10秒後的表面電荷相比，能去除電荷。
如上所述，可知藉由降低基板的主面中之紫外線的強 度，能抑制對於低介電體膜的損傷並能去除電荷。
因此，控制部7係在基板W2的主面形成有低介電體膜時，以將基板W2傳遞至基板保持部32之方式控制索引機器人121或搬運機器人123。藉此，能抑制對於低介電體膜的損傷並能有效地去除電荷。
另一方面，控制部7係在未於基板W2的主面形成有低介電體膜時，以將基板W2傳遞至基板保持部33之方式控制索引機器人121或搬運機器人123。藉此，能更迅速地去除基板W2的電荷。
如上所述，於基板W2形成有低介電體膜時，基板W2係被基板保持部32保持；未於基板W2形成有低介電體膜時，基板W2係被基板保持部33保持。是否於基板W2形成有低介電體膜之資訊亦可例如從外部的裝置接收。
[第五實施形態]
圖18係概略性地顯示基板處理裝置10D的構成的一例之圖。與基板處理裝置10的差異點在於，基板處理裝置10D係具備有反射部91、92以及移動機構93、94。
反射部91及移動機構93係配置於處理室11。反射部91係具有反射面，且在該反射面中反射紫外線。反射部91 的反射面只要藉由對於紫外線的反射率高之構件所形成即可，例如亦可為表面粗糙度低的鋁。例如，反射部91係形成為例如板狀，且反射部91的一方的主面係作為反射面而發揮作用。
移動機構93係使反射部91在下述兩個位置之間移動。第一個位置係反射部91與紫外線照射器2對向之位置(以下稱為第一反射位置)。在該第一反射位置中，反射部91的反射面係與紫外線照射器2對向。在該狀態下，從紫外線照射器2照射的紫外線係被反射部91朝紫外線照射器2反射。換言之，第一反射位置只要為反射部91能使紫外線朝紫外線照射器2反射之位置即可。第二個位置係反射部91不與紫外線照射器2對向之位置。
反射部92及移動機構94係配置於處理室12。反射部92係具有反射面，並在該反射面中反射紫外線。反射部92的反射面係只要藉由對於紫外線的反射率高之構件所形成即可，例如亦可為表面粗糙度低之鋁。例如，反射部92係形成為例如板狀，且反射部92的一方的主面係作為反射面發揮作用。
移動機構94係使反射部92在下述兩個位置之間移動。第一個位置係反射部92與紫外線照射器2對向之位置(以下稱為第二反射位置)。在該第二反射位置中，反射部92 的反射面係與紫外線照射器2對向。在該狀態下，從紫外線照射器2照射的紫外線係被反射部92朝紫外線照射器2反射。換言之，第二反射位置只要為反射部92能使紫外線朝紫外線照射器2反射之位置即可。第二個位置係反射部92不與紫外線照射器2對向之位置。
反射部91、92的反射面亦可具有與紫外線照射器2的全面對向之程度的寬度。藉此，能以更廣的範圍將紫外線反射至紫外線照射器2。
紫外線照射器2係能使從外部射入的紫外線通過。例如，在石英玻璃製的殼體的內部中，使一對電極在水平方向(例如X方向或Y方向)對向，並使放電氣體填充至一對電極之間。藉此，紫外線係在Z方向中通過石英玻璃。亦即，來自外部的紫外線係於Z方向通過紫外線照射器2。
移動機構93亦可為例如單軸工作台，例如使反射部91直線性地移動。或者，移動機構93亦可在水平面中使反射部91於圓弧上移動。在此情形中，移動機構93亦可例如具有：旋轉體，係將Z方向作為旋轉軸轉動；一端，係連結至該旋轉體；以及另一端，係連結至反射部91。連結部係於旋轉體的徑方向延伸。藉此，反射部91係伴隨著旋轉體的轉動而於圓弧上移動。移動機構94亦同樣。移動機構93、94的動作係被控制部7控制。
在反射部91、92雙方未與紫外線照射器2對向時，紫外線照射器2係能對基板W1及基板W2(或遮光部5)照射紫外線。
在反射部91與紫外線照射器2對向且反射部92未與紫外線照射器2對向時，從紫外線照射器2朝處理室11照射的紫外線係被反射部91反射。經過反射的紫外線係通過紫外線照射器2朝處理室12照射。藉此，能提升朝處理室12照射的紫外線的量。在此情形中，在處理室11中不對基板進行處理。
同樣地，在反射部91未與紫外線照射器2對向且反射部92與紫外線照射器2對向時，從紫外線照射器2朝處理室12照射的紫外線係被反射部92反射，並通過紫外線照射器2朝處理室11照射。藉此，能提升朝處理室11照射的紫外線的量。在此情形中，在處理室12中不對基板進行處理。
如上所述，在處理室11、12中的一者中對基板進行處理而在處理室11、12中的另一者中不對基板進行處理之情形中，能將照射至不需要紫外線的另一者的處理室之紫外線供給至需要紫外線的一者的處理室。藉此，能有效地利用紫外線。
此外，如在第四實施形態中所說明般，針對形成有低介電體膜的基板，期望使基板中的紫外線的強度降低。因此，控制部7亦可因應有無低介電體膜來控制移動機構93、94。
例如，在處理室11中對未形成有低介電體膜的基板W1進行處理之情形中，控制部7係以反射部91未與紫外線照射器2對向之方式控制移動機構93，並以反射部92與紫外線照射器2對向之方式控制移動機構93。藉此，由於能提升基板W1的主面中之紫外線的強度，因此能迅速地去除蓄積於基板W1的電荷。
另一方面，在處理室11中對形成有低介電體膜的基板W1進行處理之情形中，控制部7係以反射部91、92不會與紫外線照射器2對向之方式控制移動機構93、94。藉此，由於能降低基板W1的主面中之紫外線的強度，因此能降低對於低介電體膜的損傷，並能有效地去除蓄積於基板W1的電荷。同樣的動作亦能應用於在處理室12中進行處理之情形。
此外，在第一實施形態至第五實施形態中，作為在處理室11、12中之使用了紫外線的處理，例示了電荷的去除處理(除電處理)以及有機物的去除處理。然而，使用了紫 外線的處理並未限定於此。例如亦可採用殘留於基板的撥水劑的去除處理。例如為了去除基板的藥液，會有以純水清洗基板的表面之情形。當使該純水乾燥時，有形成於基板的圖案因為表面張力而崩壞之可能性。為了防止此問題，會有將撥水劑供給至基板的表面之情形。純水的乾燥後所殘留的撥水劑係藉由照射紫外線而被去除。此外，亦可藉由臭氧作用而去除。

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：紫外線照射手段，係位於第一處理室及與前述第一處理室並排於鉛直方向之第二處理室的交界，可朝前述第一處理室及前述第二處理室照射紫外線；第一基板保持手段，係配置於前述第一處理室，並以與前述紫外線照射手段對向之方式保持基板；以及第二基板保持手段，係配置於前述第二處理室，並以與前述紫外線照射手段對向之方式保持基板。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：遮光手段，係以將前述紫外線照射手段與前述第二基板保持手段之間的空間區隔成前述紫外線照射手段側的第一空間與前述第二基板保持手段側的第二空間之方式配置，用以阻隔來自前述紫外線照射手段的紫外線並使前述第一空間內的氛圍與前述第二空間內的氛圍連通；以及氣體供給手段，係朝前述第一空間供給氣體。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述遮光手段係具有：第一板部及第二板部，係對於紫外線具有遮光性；於前述第一板部形成有至少一個第一貫通孔；於前述第二板部形成有至少一個第二貫通孔；前述第一板部及前述第二板部係以前述至少一個第一貫通孔的位置及前述至少一個第二貫通孔的位置於與各自的板面平行的方向彼此錯開的配置關係隔著間隔彼此對向地配置。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：第一移動手段，係使前述第一板部及前述第二板部在第一位置與第二位置之間相對性地移動，前述第一位置係前述至少一個第一貫通孔及前述至少一個第二貫通孔彼此錯開之位置，前述第二位置係前述至少一個第一貫通孔及前述至少一個第二貫通孔彼此位置性地整合之位置。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中前述至少一個第一貫通孔係包含有複數個第一貫通孔；前述至少一個第二貫通孔係包含有複數個第二貫通孔；在前述第二位置中，前述複數個第一貫通孔係與前述複數個第二貫通孔一對一地對向。
  6. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：第三基板保持手段，係在前述遮光手段與前述紫外線照射手段之間以與前述紫外線照射手段對向之方式保持基板。
  7. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中具備有：第一氣體供給手段，係朝前述第一處理室供給氣體；以及第二氣體供給手段，係朝前述第二處理室供給氣體。
  8. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中前述第一氣體供給手段及前述第二氣體供給手段中的至少任一者係選擇性地供給複數種類的氣體。
  9. 如請求項1至8中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：至少一個反射手段，係配置於前述第一處理室及前述第二處理室中的至少任一者，將來自前述紫外線照射手段的紫外線朝另一者反射；以及第二移動手段，係在前述至少一個反射手段與前述紫外線照射手段對向之位置與前述至少一個反射手段未與前述紫外線照射手段對向之位置之間使前述至少一個反射手段移動。
  10. 如請求項1至8中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：第四基板保持手段，係在前述第二基板保持手段與前述紫外線照射手段之間以與前述紫外線照射手段對向之方式保持形成有低介電體膜的基板。
  11. 如請求項1至8中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述第一基板保持手段係將具有形成有低介電體膜的第一主面以及未形成有低介電體膜的第二主面之基板以前述第二主面朝向前述紫外線照射手段之姿勢予以保持。
  12. 一種基板處理系統，係具備有：收容器保持部，係保持用以收容基板之收容器；基板處理部，係用以對基板施予使用了處理液的處理；以及基板通過部，係使在前述收容器保持部與前述基板處理部之間來回的基板經過；於前述基板通過部設置有如請求項1至8中任一項所記載之基板處理裝置。
  13. 如請求項12所記載之基板處理系統，其中具備有：第一搬運手段，係在前述第一基板保持手段以及前述第二基板保持手段各者與前述收容器保持部之間授受基板；以及第二搬運手段，係在前述第一基板保持手段以及前述第二基板保持手段各者與前述基板處理部之間授受基板。
  14. 如請求項13所記載之基板處理系統，其中前述第一搬運手段係將來自前述收容器保持部的基板傳遞至前述第一基板保持手段及前述第二基板保持手段中的一者，並將基板從前述第一基板保持手段及前述第二基板保持手段中的另一者傳遞至前述收容器保持部；前述第二搬運手段係將基板從前述第一基板保持手段及前述第二基板保持手段中的一者傳遞至前述基板處理部，並將基板從前述基板處理部傳遞至前述第一基板保持手段及前述第二基板保持手段中的另一者。
  15. 一種基板處理方法，係具備有：以與位於第一處理室及與前述第一處理室並排於鉛直方向之第二處理室的交界且可朝前述第一處理室及前述第二處理室照射紫外線之紫外線照射手段對向之方式在前述第一處理室中使第一基板保持手段保持基板之步驟；在前述第二處理室中以與前述紫外線照射手段對向之方式使第二基板保持手段保持基板之步驟；以及朝遮光手段與前述紫外線照射手段之間的第一空間供給氣體之步驟，前述遮光手段係以將前述紫外線照射手段與前述第二基板保持手段之間的空間區隔成前述紫外線照射手段側的第一空間與前述第二基板保持手段側的第二空間之方式配置且一邊阻隔來自前述紫外線照射手段的紫外線一邊使前述第一空間內的氛圍與前述第二空間內的氛圍連通。
  16. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中前述遮光手段係具有對於紫外線具有遮光性之第一板部及第二板部；於前述第一板部形成有至少一個第一貫通孔；於前述第二板部形成有至少一個第二貫通孔；前述第一板部及前述第二板部係以前述至少一個第一貫通孔的位置及前述至少一個第二貫通孔的位置於與各者的板面平行的方向彼此錯開之配置關係隔著間隔彼此對向配置。
  17. 如請求項16所記載之基板處理方法，其中進一步具備有使前述第一板部及前述第二板部在第一位置與第二位置之間相對性地移動之步驟，前述第一位置係前述至少一個第一貫通孔及前述至少一個第二貫通孔彼此錯開之位置，前述第二位置係前述至少一個第一貫通孔及前述至少一個第二貫通孔彼此位置性地整合之位置。
  18. 如請求項17所記載之基板處理方法，其中前述至少一個第一貫通孔係包含有複數個第一貫通孔；前述至少一個第二貫通孔係包含有複數個第二貫通孔；在前述第二位置中，前述複數個第一貫通孔係與前述複數個第二貫通孔一對一地對向。
  19. 如請求項16所記載之基板處理方法，其中進一步具備有在前述遮光手段與前述紫外線照射手段之間以與前述紫外線照射手段對向之方式使第三基板保持手段保持基板之步驟。
  20. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中具備有朝前述第一處理室供給氣體之步驟以及朝前述第二處理室供給氣體之步驟。
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