CN111095495A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

通过去除在已设置于基板(W)的凹部(83)的侧面所露出的多晶硅的自然氧化膜来使多晶硅的薄膜(84)在凹部(83)的侧面(83s)露出。在多晶硅的自然氧化膜被去除之后，使液状的IPA接触于多晶硅的薄膜(84)。在IPA接触到多晶硅的薄膜(84)之后，通过对基板W供给稀释氨水来蚀刻多晶硅的薄膜(84)。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种用以处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在处理对象的基板中，例如包含有半导体晶片(wafer)、液晶显示设备用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板、有机EL(electroluminescence；电致发光)显示设备等的FPD(Flat Panel Display；平板显示器)用基板等。
背景技术
在专利文献1中已揭示一种使混合溶液接触于对象物的技术，该混合溶液包含氨水(ammonia water)和过氧化氢水，该对象物具备具有导孔(via hole)等的孔(hole)部的处理对象面。该专利文献1记载着：在使混合溶液接触于对象物之后，已加压过的蒸气或水的至少一个被应用于处理对象面。由此，可去除残留于孔部的侧壁或底部的反应副生成物或残渣物等的无用物质。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：日本特开2006-186081号公报。
发明内容
(发明所欲解决的课题)
专利文献1所记载的处理方法及处理装置，在混合溶液中不仅包含有氨水，还包含有过氧化氢水。当混合溶液中所包含的过氧化氢与孔部内的无用物质反应时，就会从过氧化氢产生大量的气体，且多数的气泡会形成于孔部内。在孔部内所产生的气泡流动至孔部的入口，换句话说流动至孔部的开口部。因此，有的情况孔部的入口会由气泡所堵塞。
当多数的气泡在孔部的入口时，混合溶液就很难到达孔部的最下面。再者，即便混合溶液到达了孔部的最下面，位于孔部的最下面的混合溶液仍难以置换成新的混合溶液。因此，有的情况会在孔部的最下面残留无用物质。特别是在孔部的侧壁或底部为疏水性的情况下，由于混合溶液不易均一地供给至孔部的侧壁等，所以有增加无用物质的残留量的倾向。
于是，本发明的目的之一在于提供一种可以有效地蚀刻(etching)设置于基板的凹部内的无用物质且可以减少残留于凹部内的无用物质的基板处理方法以及基板处理装置。
(用于解决课题的手段)
本发明的一实施方式提供一種基板处理方法，包含：自然氧化膜去除工序，通过去除在已设置于基板的凹部的侧面所露出的第14族元素的自然氧化膜来使所述第14族元素的薄膜在所述凹部的侧面露出；IPA(isopropyl alcohol；异丙醇)供给工序，在所述第14族元素的自然氧化膜被去除之后，使液状的IPA接触于所述第14族元素的薄膜；以及氨水供给工序，在所述IPA接触到所述第14族元素的薄膜之后，通过对所述基板供给氨水来蚀刻所述第14族元素的薄膜。
依据该方法，硅(silicon)或锗(germanium)等的第14族元素的自然氧化膜会在已设置于基板的凹部的侧面露出。当去除该自然氧化膜时，第14族元素的薄膜就会在凹部的侧面露出。第14族元素的薄膜的表面是并未由第14族元素的自然氧化膜所覆盖的疏水面。然而，由于在IPA中包含有异丙基(isopropyl group)，所以当将IPA供给至基板时，IPA就会扩及于第14族元素的薄膜。
氨水在IPA接触到第14族元素的薄膜之后供给至基板。由于第14族元素是由包含羟基(hydroxy group)的IPA所涂覆(coating)，所以氨水能扩及于第14族元素的薄膜。再者，虽然当氨水中所包含的氢氧化铵(ammonium hydroxide)与第14族元素反应时就会产生气体，但是由于第14族元素的薄膜是由IPA所涂覆，所以氢氧化铵与第14族元素的反应会通过IPA所阻碍，且能减少每单位时间的气体的产生量。
由于每单位时间的气体的产生量较少，所以每单位时间的气泡的产生数较少。或是，只有较小的气泡容易产生。若气泡较小，气泡就容易通过凹部的入口并往凹部之外跑出。从而，凹部不易由气泡所堵塞。同样，若气泡的产生数较少，凹部就不易由气泡所堵塞。再者，由于出入于凹部的氨水的流动不易由气泡所妨碍，所以可以将凹部内的氨水有效率地置换成新的氨水。
如此，由于是在IPA附着于第14族元素的薄膜的状态下将氨水供给至基板，所以即便是在自然氧化膜被去除之后，仍可以使氨水扩及于第14族元素的薄膜。再者，由于可以减低每单位时间的气体的产生量，所以可以维持氨水均一地供给至第14族元素的薄膜的状态，且可以将活性较高的氨水持续供给至第14族元素的薄膜。由此，可以有效地蚀刻凹部内的第14族元素，且可以减少残留于凹部内的第14族元素。
第14族元素的薄膜既可为第14族元素的单结晶或多结晶的薄膜，亦可为第14族元素的非晶质的薄膜。第14族元素的薄膜亦可为第14族元素的单体，换句话说亦可为第14族元素的比例为100％的薄膜。若第14族元素的比例大致为100％，则第14族元素以外的添加物亦可包含于第14族元素的薄膜中。
在本实施方式中，以下的至少一个特征亦可施加于所述基板处理方法。
所述IPA供给工序包含：液膜保持工序，一边以比第二转速更小的第一转速使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转，一边将所述IPA的液膜保持于所述基板的表面全区；所述氨水供给工序包含：氨水吐出开始工序，一边使所述基板的转速从所述第一转速向所述第二转速上升，一边开始要被供给至所述基板的所述氨水的吐出；以及氨水吐出继续工序，在所述氨水吐出开始工序之后，一边将所述基板的转速维持在所述第二转速，一边继续所述氨水的吐出。
依据该方法，氨水在基板的表面全区由IPA的液膜所覆盖的状态下朝向基板的表面内的着落位置吐出。位于着落位置的IPA被已着落于基板的表面的氨水朝向着落位置的周围冲走。由此，大致圆形的氨水的液膜就能形成于基板的表面。另一方面，IPA的液膜变化成包围氨水的液膜的环状。当氨水的吐出继续时，氨水的液膜的外周部就会朝向外方扩展，且基板的表面全区能由氨水的液膜所覆盖。
有的情况是当开始氨水的吐出之前开始基板的高速旋转时，在氨水供给至基板之前，IPA就会从基板的表面中央部朝向表面中央部的周围流动，且基板的表面中央部会从IPA的液膜露出。另一方面，有的情况是当IPA及氨水的双方位于基板上时的基板的转速过低时，基板的表面外周部就会部分地露出。此是因为发生基板上的IPA朝向基板上的氨水往内方流动的马兰哥尼对流(Marangoni convection)所致。
在氨水供给工序中，一边使基板的转速从第一转速上升至第二转速一边开始氨水的吐出，且一边将基板的转速维持在第二转速一边继续氨水的吐出。由于开始氨水的吐出时的基板的转速较低，所以氨水供给至基板之前基板的表面中央部不会从IPA的液膜露出。再者，由于施加于基板上的IPA及氨水的离心力是慢慢地增加，所以基板的表面外周部亦不会通过马兰哥尼对流从IPA的液膜露出。从而，可以一边维持基板的表面全区由液膜所覆盖的状态，一边将基板上的IPA置换成氨水。
只要基板的表面外周部不是部分地露出，则氨水的吐出开始的时期亦可为基板的加速开始之前。然而，在此情况下，基板上的IPA的量在氨水的吐出开始时以及之前几乎不会改变。相对于此，在一边使基板的转速从第一转速上升至第二转速一边开始氨水的吐出的情况下，在开始基板的加速之后直至氨水供给至基板为止的期间IPA能利用离心力从基板排出，且基板上的IPA的量会减少。
氨水与基板上的IPA混合。基板上的IPA的量越多，基板上的液体中所包含的氨的浓度就越降低。若一边使基板的转速从第一转速上升至第二转速一边开始氨水的吐出，则比起基板的加速开始之前开始氨水的吐出的情况还可以使氨的浓度的降低量减少，且可以缩短第14族元素的蚀刻所需的时间。从而，较佳是一边使基板朝向旋转方向加速一边开始氨水的吐出。
在所述基板处理方法中，进行多次包含所述IPA供给工序及氨水供给工序的一个周期(cycle)。
依据该方法，在IPA及氨水以此顺序供给至基板之后，再次使IPA及氨水以此顺序供给至基板。已附着于第14族元素的薄膜的IPA通过氨水的供给而逐渐地减少。通过将IPA再次供给至基板，就可以对第14族元素的薄膜补充IPA。由此，可以使氨水扩及于第14族元素的薄膜。
所述氨水供给工序包含加速工序及流量增加工序中的至少一个工序，该加速工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使所述基板的转速上升，该流量增加工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。
依据该方法，一边将氨水的液膜保持于基板的表面，一边使基板的转速上升。或是，一边将氨水的液膜保持于基板的表面，一边使朝向基板的表面所吐出的氨水的流量增加。或是，一边将氨水的液膜保持于基板的表面，一边执行基板往旋转方向的加速及氨水的吐出流量的增加的双方。
当使基板的转速上升时，施加于基板上的液体的离心力就会增加，且基板上的液体的流速会上升。同样，当使朝向基板的表面所吐出的液体的流量增加时，基板上的液体的流速就会上升。从而，通过执行基板往旋转方向的加速及氨水的吐出流量的增加中的至少一方，就可以使基板上的氨水的流速上升，且可以促进气泡从凹部排出。由此，可以抑制或防止凹部由气泡所堵塞。
所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一加速工序、第一减速工序及第二加速工序的一个过程(routine)；该第一加速工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升；该第一减速工序在所述第一加速工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速降低；该第二加速工序在所述第一减速工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升。
依据该方法，在基板的表面由氨水的液膜所覆盖的状态下，使基板的转速上升(第一加速工序)。之后，在基板的表面由氨水的液膜所覆盖的状态下，使基板的转速降低(第一减速工序)。之后，在基板的表面由氨水的液膜所覆盖的状态下，使基板的转速上升(第二加速工序)。依需要而再次以此顺序来执行第一加速工序、第一减速工序及第二加速工序。
当使基板的转速上升时，施加于基板上的液体的离心力就会增加，且基板上的液体的流速会上升。再者，当将基板的转速维持于固定时，大致稳定的液流就会形成于基板上；相对于此，当使基板的转速变化时，基板上的液体的流动就会变化。从而，并非是使基板以高速持续旋转，而是通过使基板朝向旋转方向加速及减速，就可以促进气泡从凹部排出。
所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一流量增加工序、第一流量减少工序及第二流量增加工序的一个过程；该第一流量增加工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加；该第一流量减少工序在所述第一流量增加工序之后，所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量减少；该第二流量增加工序在所述第一流量减少工序之后，所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。
依据该方法，在基板的表面由氨水的液膜所覆盖的状态下，使氨水的吐出流量增加(第一流量增加工序)。之后，在基板的表面由氨水的液膜所覆盖的状态下，使氨水的吐出流量减少(第一流量减少工序)。之后，在基板的表面由氨水的液膜所覆盖的状态下，使氨水的吐出流量增加(第二流量增加工序)。依需要而再次以此顺序执行第一流量增加工序、第一流量减少工序及第二流量增加工序。
当使朝向基板的表面所吐出的液体的流量增加时，基板上的液体的流速就会上升。再者，当将液体的吐出流量维持于固定时，大致稳定的液流就会形成于基板上；相对于此，当使液体的吐出流量变化时，基板上的液体的流动就会变化。从而，并非是使氨水以高流量持续吐出而是使其变化，由此就可以促进气泡从凹部排出。
所述基板处理方法进一步包含：密闭工序，在进行所述IPA供给工序及氨水供给工序时，一边在所述基板的表面已朝向上方的状态下将所述基板保持于水平，一边使具有所述基板的直径以上的外径的对向面对向于所述基板的表面，且使包围所述基板的筒状的防护罩(guard)的上端位于与所述对向面相等的高度或比所述对向面更上方的高度。
依据该方法，使具有基板的直径以上的外径的对向面对向于基板的上表面，换句话说使具有基板的直径以上的外径的对向面对向于基板的表面。再者，使包围基板的筒状的防护罩的上端位于与对向面相等的高度或比对向面更上方的高度。基板的上表面通过对向面所保护。基板的外周面通过防护罩所保护。再者，由于基板与对向面之间的空间是通过防护罩所包围，所以可以提高该空间的密闭度。由此，可以从包含粒子(particle)的环境气体中一边保护基板一边处理基板。
所述第14族元素的薄膜从所述凹部的入口朝向所述凹部的底面延伸。
依据该方法，第14族元素的薄膜的一部分配置于凹部的入口。当氨水中所包含的氢氧化氨与第14族元素反应时，就会产生气体。从而，在凹部的入口会产生气体。再者，在凹部之中所产生的气泡会朝向凹部的入口流动。然而，由于是在将氨水供给至基板之前用IPA来涂覆第14族元素的薄膜，所以可以减低每单位时间的气体的产生量，且可以抑制或防止凹部的入口由气泡所堵塞。
所述凹部的侧面包含一对对向部，该一对对向部在与所述凹部的深度方向正交的宽度方向对向；在所述凹部的深度方向的所述第14族元素的薄膜的长度比在所述凹部的宽度方向的所述一对对向部的间隔更长。
依据该方法，第14族元素的薄膜配置于凹部的侧面的宽范围。从而，在蚀刻第14族元素时所产生的气体的量会增加。再者，由于第14族元素在凹部的深度方向较长，所以第14族元素的薄膜的底面是比凹部的入口还接近氨水不易到达的凹部的底面。然而，由于是在将氨水供给至基板之前用IPA来涂覆第14族元素的薄膜，所以可以减低每单位时间的气体的产生量，且可以抑制或防止凹部由气泡所堵塞。
本发明的另一实施方式提供一种基板处理装置，具备：自然氧化膜去除单元，通过去除在已设置于基板的凹部的侧面所露出的第14族元素的自然氧化膜来使所述第14族元素的薄膜在所述凹部的侧面露出；IPA供给单元，使液状的IPA接触于所述第14族元素的薄膜；氨水供给单元，通过对所述基板供给氨水来蚀刻所述第14族元素的薄膜；以及控制装置，控制所述自然氧化膜去除单元、所述IPA供给单元及所述氨水供给单元。
所述控制装置执行：自然氧化膜去除工序，通过去除在已设置于所述基板的所述凹部的侧面所露出的所述第14族元素的自然氧化膜来使所述第14族元素的薄膜在所述凹部的侧面露出；IPA供给工序，在所述第14族元素的自然氧化膜被去除之后，使液状的IPA接触于所述第14族元素的薄膜；以及氨水供给工序，在所述IPA接触到所述第14族元素的薄膜之后，通过对所述基板供给氨水来蚀刻所述第14族元素的薄膜。依据该构成，可以达成与上述效果同样的效果。
在本实施方式中，以下的至少一个特征亦可施加于所述基板处理装置。
所述基板处理装置进一步具备：基板旋转单元，使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转。所述控制装置控制所述自然氧化膜去除单元、所述IPA供给单元、所述氨水供给单元及所述基板旋转单元。所述IPA供给工序包含：液膜保持工序，一边以比第二转速更小的第一转速使所述基板旋转，一边将所述IPA的液膜保持于所述基板的表面全区；所述氨水供给工序包含：氨水吐出开始工序，一边使所述基板的转速从所述第一转速上升至所述第二转速，一边开始被供给至所述基板的所述氨水的吐出；氨水吐出继续工序，在所述氨水吐出开始工序之后，一边将所述基板的转速维持在所述第二转速，一边继续所述氨水的吐出。依据该构成，可以达成与上述效果同样的效果。
所述控制装置进行多次包含所述IPA供给工序及所述氨水供给工序的一个周期。依据该构成，可以达成与上述效果同样的效果。
所述基板处理装置进一步具备：基板旋转单元，使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转；以及流量调整阀，变更朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量。所述控制装置控制所述自然氧化膜去除单元、所述IPA供给单元、所述氨水供给单元、所述基板旋转单元及所述流量调整阀。所述氨水供给工序包含加速工序及流量增加工序中的至少一个工序，该加速工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使所述基板的转速上升，该流量增加工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。依据该构成，可以达成与上述效果同样的效果。
所述基板处理装置进一步具备：基板旋转单元，使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转。所述控制装置控制所述自然氧化膜去除单元、所述IPA供给单元、所述氨水供给单元及所述基板旋转单元。所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一加速工序、第一减速工序及第二加速工序的一个过程；该第一加速工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升；该第一减速工序在所述第一加速工序之后，所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速降低；该第二加速工序在所述第一减速工序之后，所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升。依据该构成，可以达成与上述效果同样的效果。
所述基板处理装置进一步具备：流量调整阀，变更朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量。所述控制装置控制所述自然氧化膜去除单元、所述IPA供给单元、所述氨水供给单元及所述流量调整阀。所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一流量增加工序、第一流量减少工序及第二流量增加工序的一个过程；该第一流量增加工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加；该第一流量减少工序在所述第一流量增加工序之后，所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量减少；该第二流量增加工序在所述第一流量减少工序之后，所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。依据该构成，可以达成与上述效果同样的效果。
所述基板处理装置进一步具备：基板保持单元，在所述基板的表面已朝向上方的状态下将所述基板保持于水平；以及筒状的防护罩，包含对向面及上端且包围所述基板，该对向面具有所述基板的直径以上的外径且对向于所述基板的表面，该上端位于与所述对向面相等的高度或比所述对向面更上方的高度。
所述控制装置进一步执行：密闭工序，在进行所述IPA供给工序及所述氨水供给工序中的至少一方时，一边在所述基板的表面已朝向上方的状态下将所述基板保持于水平，一边使所述对向面对向于所述基板的表面，且使所述防护罩的上端位于与所述对向面相等的高度或比所述对向面更上方的高度。依据该构成，可以达成与上述效果同样的效果。
本发明中的所述目的、特征及效果或其他的目的、特征及效果可以参照附图并通过以下所述的实施方式的说明获得明白。
附图说明
图1是水平地观察本发明的第一实施方式的基板处理装置中所具备的处理单元的内部的示意图。
图2是从上方观察旋转卡盘(spin chuck)及处理杯体(cup)的示意图。
图3是显示被处理之前的基板的剖面的一例的示意图。
图4是用以针对通过基板处理装置所进行的基板的处理的一例加以说明的工序图。
图5A至图5C是显示进行图4所示的基板的处理的一例时的基板处理装置的状态的示意性剖视图。
图5D至图5F是显示进行图4所示的基板的处理的一例时的基板处理装置的状态的示意性剖视图。
图6A至图6C是显示进行图4所示的基板的处理的一例时的基板处理装置的状态的示意性剖视图。
图6D至图6E是显示进行图4所示的基板的处理的一例时的基板处理装置的状态的示意性剖视图。
图7是显示进行图4所示的基板的处理的一例时的基板处理装置的动作的时序图(time chart)。
图8是显示供给DHF(Diluted Hydrofluoric acid；稀氢氟酸)之后至供给稀释氨水为止的期间供给IPA的情况与未供给IPA的情况的基板的剖面的示意图。
图9是显示一边使基板以高速旋转一边开始稀释氨水的吐出时的基板上的液膜的样态的示意图。
图10是显示一边使基板以低速旋转一边开始稀释氨水的吐出时的基板上的液膜的样态的示意图。
图11是显示进行基板的处理的另一例时的基板处理装置的动作的时序图。
图12是显示一边提高基板与阻断构件之间的空间的密闭度一边执行第一IPA供给工序及稀释氨水供给工序时的基板处理装置的状态的示意性剖视图。
图13是显示一边提高基板与阻断构件之间的空间的密闭度一边执行第一IPA供给工序及稀释氨水供给工序时的基板处理装置的状态的示意性剖视图。
图14是显示进行基板的处理的另一例时的基板处理装置的动作的时序图。
具体实施方式
图1是水平地观察本发明的第一实施方式的基板处理装置1中所具备的处理单元2的内部的示意图。图2是从上方观察旋转卡盘8及处理杯体21的示意图。
如图1所示，基板处理装置1是逐片处理半导体晶片(wafer)等的圆板状的基板W的单张式的装置。基板处理装置1包含：装载埠(load port)(未图示)，可供收容基板W的箱型的载具(carrier)置放；处理单元2，用处理液或处理气体等的处理流体来处理从装载埠上的载具所搬运来的基板W；搬运机械手(robot)(未图示)，在装载埠与处理单元2之间搬运基板W；以及控制装置3，控制基板处理装置1。
处理单元2包含：箱型的腔室(chamber)4，具有内部空间；旋转卡盘8，一边使基板W在腔室4内保持于水平一边使基板W绕着通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1旋转；阻断构件13，对向于由旋转卡盘8所保持的基板W的上表面；以及筒状的处理杯体21，接住从基板W及旋转卡盘8朝向外方所排出的处理液。
腔室4包含：箱型的隔壁5，设置有可供基板W通过的搬入搬出口5b；以及挡门(shutter)6，开闭搬入搬出口5b。通过过滤器(filter)所过滤后的空气即洁净空气(cleanair)从设置于隔壁5的上部的送风口5a始终地供给至腔室4内。腔室4内的气体能通过连接于处理杯体21的底部的排气导管(duct)7而从腔室4排出。由此，洁净空气的下降流(downflow)就能始终地形成于腔室4内。
旋转卡盘8包含：圆板状的旋转基座(spin base)10，保持在水平的姿势；多个卡盘销(chuck pin)9，设置于旋转基座10的上方且将基板W保持在水平的姿势；旋转轴11，从旋转基座10的中央部朝向下方延伸；以及旋转马达(spin motor)12，通过使旋转轴11旋转来使旋转基座10及多个卡盘销9旋转。旋转卡盘8不限于使多个卡盘销9接触于基板W的外周面的夹持式的卡盘，而亦可为通过使作为非组件形成面的基板W的背面(下表面)吸附于旋转基座10的上表面来将基板W保持于水平的真空(vacuum)式的卡盘(chuck)。
阻断构件13配置于旋转卡盘8的上方。阻断构件13是具有比基板W更大的外径的圆板部13a。阻断构件13通过朝向上下方向延伸的支轴14来支撑在水平的姿势。阻断构件13的中心线配置于旋转轴线A1上。阻断构件13的下表面13s的外径比基板W的外径更大。阻断构件13的下表面13s与基板W的上表面平行，且对向于基板W的上表面。阻断构件13的下表面13s是与基板W的上表面对向的对向面的一例。
处理单元2包含：阻断构件升降单元15，经由支轴14而连结于阻断构件13。处理单元2亦可具备：阻断构件旋转单元，使阻断构件13绕着阻断构件13的中心线旋转。阻断构件升降单元15使阻断构件13在下位置(参照图6E)与上位置(参照图5A)之间进行升降，该下位置是阻断构件13的下表面13s邻近于基板W的上表面以使第一药液喷嘴31等的扫描喷嘴(scan nozzle)无法进入基板W的上表面与阻断构件13的下表面13s之间的位置，上位置是阻断构件13的下表面13s从基板W的上表面朝向上方离开以使扫描喷嘴可以进入基板W的上表面与阻断构件13的下表面13s之间的位置。阻断构件升降单元15使阻断构件13位于从下位置至上位置为止的任意的位置。
处理杯体21包含：多个防护罩23，接住从旋转卡盘8往外方所排出的液体；多个杯体26，接住通过多个防护罩23往下方所导引的液体；以及圆筒状的外壁构件22，包围多个防护罩23和多个杯体26。图1是显示设置有三个防护罩23(第一防护罩23A、第二防护罩23B及第三防护罩23C)以及二个杯体26(第二杯体26B及第三杯体26C)的例。
在针对第一防护罩23A、第二防护罩23B及第三防护罩23C的各个防护罩加以说明的情况下，以下简称防护罩23。同样，在针对第二杯体26B及第三杯体26C的各个杯体加以说明的情况下，简称杯体26。另外，有的情况是在与第一防护罩23A对应的构成的前头附记“第一”。例如，有的情况是将与第一防护罩23A对应的筒状部25称为“第一筒状部25”。有关与第二防护罩23B至第三防护罩23C对应的构成亦为同样。
防护罩23包含：圆筒状的筒状部25，包围旋转卡盘8；以及圆环状的顶板部24，从筒状部25的上端部朝向旋转轴线A1往斜上方延伸。第一顶板部24至第三顶板部24从上方开始以第一顶板部24至第三顶板部24的顺序重叠于上下方向。第一筒状部25至第三筒状部25从外侧开始以第一筒状部25至第三筒状部25的顺序配置成同心圆状。第一顶板部24至第三顶板部24的上端分别相当于第一防护罩23A至第三防护罩23C的上端23a。第一顶板部24至第三顶板部24的上端在俯视观察下包围旋转基座10及阻断构件13。
多个杯体26从外侧开始以第二杯体26B及第三杯体26C的顺序配置成同心圆状。第三杯体26C包围旋转卡盘28。第三杯体26C配置于比外壁构件22的上端更下方。第三杯体26C相对于腔室4的隔壁5呈固定。第二杯体26B与第二防护罩23B一体，且与第二防护罩23B一起朝向上下方向移动。第二防护罩23B亦可相对于第二杯体26B能够移动自如。
防护罩23能够在上位置与下位置之间朝向上下方向移动，该上位置是防护罩23的上端23a位于比可供由旋转卡盘8所保持的基板W配置的基板保持位置更上方的位置，该下位置是防护罩23的上端23a位于比基板保持位置更下方的位置。处理单元2包含：防护罩升降单元27，使多个防护罩23朝向上下方向个别地移动。防护罩升降单元27使防护罩23位于从上位置至下位置为止的任意的位置。防护罩升降单元27例如包含：电动马达，产生使防护罩23朝向上下方向移动的动力；以及滚珠螺杆(ball screw)及滚珠螺帽(ball nut)，将电动马达的旋转转换成防护罩23往上下方向的移动。
如图2所示，处理单元2包含：第一药液喷嘴31，朝向基板W的上表面将药液往下方吐出；以及第一冲洗液喷嘴34，朝向基板W的上表面将冲洗液往下方吐出。第一药液喷嘴31连接于导引药液的第一药液配管32，第一冲洗液喷嘴34连接于导引冲洗液的第一冲洗液配管35。当安装于第一药液配管32的第一药液阀33被开启时，药液就从第一药液喷嘴31的吐出口往下方连续地吐出。同样，当安装于第一冲洗液配管35的第一冲洗液阀36被开启时，冲洗液就从第一冲洗液喷嘴34的吐出口往下方连续地吐出。
从第一药液喷嘴31所吐出的药液例如是DHF(稀氢氟酸)。DHF是用水来稀释氢氟酸(氟化氢酸)后的溶液。只要是可以去除硅等的第14族元素的自然氧化膜，药液亦可为DHF以外的药液。从第一冲洗液喷嘴34所吐出的冲洗液例如是碳酸水。冲洗液亦可为纯水(去离子水；Deionized Water)、电解离子水、氢水、臭氧水及稀释浓度(例如，10ppm至100ppm左右)的盐酸水的其中任一种。
虽然未图示，但是第一药液阀33包含：阀体(valve body)，形成流路；阀组件，配置于流路内；以及致动器(actuator)，使阀组件移动。有关其他的阀亦为同样。致动器既可为气动致动器或电动致动器，亦可为这些以外的致动器。控制装置3通过控制致动器来使第一药液阀33开闭。在致动器为电动致动器的情况下，控制装置3通过控制电动致动器来使阀组件位于从全闭位置至全开位置为止的任意的位置。
第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34是能够在腔室4内移动的扫描喷嘴。处理单元2包含：第一喷嘴臂(nozzle arm)37，保持第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34；以及第一喷嘴移动单元38，通过使第一喷嘴臂37移动来使第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34朝向铅垂方向及水平方向的至少一方移动。
第一喷嘴移动单元38使第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34在处理位置(参照图5A)与待机位置(图2所示的位置)之间水平地移动，该处理位置是从第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34所吐出的处理液着落于基板W的上表面的位置，该待机位置是第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34俯视观察下位于旋转卡盘8的周围的位置。第一喷嘴移动单元38例如是回旋单元，用以使第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34绕着在旋转卡盘8及处理杯体21的周围铅垂地延伸的喷嘴转动轴线A2水平地移动。
处理单元2包含：第二药液喷嘴41，朝向基板W的上表面将药液往下方吐出；以及第二冲洗液喷嘴44，朝向基板W的上表面将冲洗液往下方吐出。第二药液喷嘴41连接于导引药液的第二药液配管42，第二冲洗液喷嘴44连接于导引冲洗液的第二冲洗液配管45。当安装于第二药液配管42的第二药液阀43被开启时，药液就从第二药液喷嘴41的吐出口往下方连续地吐出。同样，当安装于第二冲洗液配管45的第二冲洗液阀46被开启时，冲洗液就从第二冲洗液喷嘴44的吐出口往下方连续地吐出。
从第二药液喷嘴41所吐出的药液例如是稀释氨水。稀释氨水中的氨的浓度为2.0wt％至3.0wt％(例如2.5wt％)。稀释氨水中的氨的浓度亦可为2.0wt％至3.0wt％以外的值。从第二冲洗液喷嘴44所吐出的冲洗液例如是碳酸水。从第二冲洗液喷嘴44所吐出的冲洗液亦可为所述碳酸水以外的冲洗液。
基板处理装置1具备：第二流量调整阀49，变更从第二药液配管42供给至第二药液喷嘴41的药液的流量。虽然未图示，但是与其他喷嘴对应的流量调整阀亦备置于基板处理装置1中。第二流量调整阀49安装于第二药液配管42。药液以与第二流量调整阀49的开启度对应的流量从第二药液配管42供给至第二药液喷嘴41，且以该流量从第二药液喷嘴41吐出。第二流量调整阀49的开启度通过控制装置3所变更。
第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44是能够在腔室4内移动的扫描喷嘴。处理单元2包含：第二喷嘴臂47，保持第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44；以及第二喷嘴移动单元48，通过使第二喷嘴臂47移动来使第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44朝向铅垂方向及水平方向的至少一方移动。
第二喷嘴移动单元48使第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44在处理位置(参照图6A)与待机位置(图2所示的位置)之间水平地移动，该处理位置是从第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44所吐出的处理液着落于基板W的上表面的位置，该待机位置是第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44俯视观察下位于旋转卡盘8的周围的位置。第二喷嘴移动单元48例如是回旋单元，用以使第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44绕着在旋转卡盘8及处理杯体21的周围铅垂地延伸的喷嘴转动轴线A3水平地移动。
处理单元2包含：固定喷嘴51，朝向基板W的上表面将处理液往下方吐出。固定喷嘴51连接于导引冲洗液的第三冲洗液配管52。当安装于第三冲洗液配管52的第三冲洗液阀53被开启时，冲洗液就从固定喷嘴51的吐出口往下方连续地吐出。从固定喷嘴51所吐出的冲洗液例如是碳酸水。从固定喷嘴51所吐出的冲洗液亦可为所述碳酸水以外的冲洗液。从固定喷嘴51所吐出的处理液着落于基板W的上表面中央部。固定喷嘴51相对于腔室4的隔壁5呈固定。
如图1所示，处理单元2包含：下表面喷嘴54，朝向基板W的下表面中央部将处理液往上方吐出。下表面喷嘴54插入至在旋转基座10的上表面中央部开口的贯通孔。下表面喷嘴54的吐出口配置于比旋转基座10的上表面更上方，且在上下方向对向于基板W的下表面中央部。下表面喷嘴54连接于安装有下侧冲洗液阀56的下侧冲洗液配管55。
当下侧冲洗液阀56被开启时，冲洗液就从下侧冲洗液配管55供给至下表面喷嘴54，且从下表面喷嘴54的吐出口往上方连续地吐出。从下表面喷嘴54所吐出的冲洗液例如是碳酸水。从下表面喷嘴54所吐出的冲洗液亦可为所述碳酸水以外的冲洗液。下表面喷嘴54相对于腔室4的隔壁5呈固定。即便旋转卡盘8使基板W旋转，下表面喷嘴54仍不会旋转。
基板处理装置1包含：下侧气体配管59，将来自气体供给源的气体导引至在旋转基座10的上表面中央部开口的下侧中央开口57；以及下侧气体阀60，安装于下侧气体配管59。当下侧气体阀60被开启时，从下侧气体配管59所供给来的气体就沿着通过下表面喷嘴54的外周面和旋转基座10的内周面所形成的筒状的下侧气体流路58往上方流动，且从下侧中央开口57往上方吐出。下侧中央开口57的内周面包围基板W的旋转轴线A1。供给至下侧中央开口57的气体例如是氮气。气体既可为氦气(helium gas)或氩气(argon gas)等的其他非活性气体，亦可为洁净空气或干燥空气(dry air)(除湿过的洁净空气)。
处理单元2包含：中心喷嘴61，经由在阻断构件13的下表面13s的中央部开口的上侧中央开口68将处理液往下方吐出。吐出处理液的中心喷嘴61的吐出口(后面所述的第一管件(tube)61A及第二管件61B的吐出口)配置于朝向上下方向贯通阻断构件13的中央部的贯通孔内。中心喷嘴61的吐出口配置于上侧中央开口68的上方。上侧中央开口68的内周面包围基板W的旋转轴线A1。中心喷嘴61与阻断构件13一起朝向铅垂方向升降。
中心喷嘴61包含：多个内管(inner tube)(第一管件61A及第二管件61B)，将处理液往下方吐出；以及筒状的壳体(casing)62，包围多个内管。第一管件61A、第二管件61B及壳体62沿着旋转轴线A1而朝向上下方向延伸。阻断构件13的内周面在径向(与旋转轴线A1正交的方向)隔出间隔地包围壳体62的外周面。
第一管件61A是用以朝向基板W的上表面将冲洗液往下方吐出的冲洗液喷嘴的一例。第一管件61A连接于安装有上侧冲洗液阀64的上侧冲洗液配管63。当上侧冲洗液阀64被开启时，冲洗液就从上侧冲洗液配管63供给至第一管件61A，且从第一管件61A的吐出口往下方连续地吐出。从第一管件61A所吐出的冲洗液例如是碳酸水。从第一管件61A所吐出的冲洗液亦可为所述碳酸水以外的冲洗液。
第二管件61B是用以朝向基板W的上表面将液状的IPA(异丙醇)往下方吐出的溶剂喷嘴的一例。第二管件61B连接于安装有溶剂阀66的溶剂配管65。当溶剂阀66被开启时，IPA就从溶剂配管65供给至第二管件61B，且从第二管件61B的吐出口往下方连续地吐出。用以加热IPA的溶剂加热器67安装于溶剂配管65。在第二管件61B供给有比室温(20℃至30℃)更高温的IPA。IPA是表面张力比水更低且挥发性比水更高的有机溶剂的一例。IPA的表面张力比稀释氨水更低。
基板处理装置1包含：上侧气体配管70，将来自气体供给源的气体导引至阻断构件13的上侧中央开口68；以及上侧气体阀71，安装于上侧气体配管70。当上侧气体阀71被开启时，从上侧气体配管70所供给来的气体就沿着通过中心喷嘴61的外周面和阻断构件13的内周面所形成的筒状的上侧气体流路69往下方流动，且从上侧中央开口68往下方吐出。供给至上侧中央开口68的气体例如是氮气。氮气以外的气体亦可供给至上侧中央开口68。
处理单元2包含：内部喷嘴72，朝向基板W的上表面吐出处理液。内部喷嘴72包含：水平部72h，配置于比第一防护罩23A的上端23a更下方；以及铅垂部72v，配置于第一防护罩23A的上方。即便是在第一防护罩23A及第二防护罩23B位于任一个位置时，水平部72h仍是配置于第一防护罩23A与第二防护罩23B之间。如图2所示，水平部72h俯视观察呈圆弧状。水平部72h既可为俯视观察呈直线状，亦可为俯视观察呈锯齿状。
如图1所示，内部喷嘴72插入至朝向上下方向贯通第一防护罩23A的顶板部24的贯通孔。铅垂部72v配置于第一防护罩23A的贯通孔的上方。铅垂部72v朝向上下方向贯通已配置于第一防护罩23A的上方的外壳(housing)76。外壳76支撑于第一防护罩23A。铅垂部72v能够旋转地支撑于外壳76。内部喷嘴72相对于第一防护罩23A而能够绕着与铅垂部72v的中心线相当的喷嘴转动轴线A4转动。喷嘴转动轴线A4是通过第一防护罩23A的铅垂的轴线。
将处理液往下方吐出的吐出口72p设置于水平部72h的前端部(与喷嘴转动轴线A4为相反侧的端部)。内部喷嘴72连接于安装有第三药液阀74的第三药液配管73。当第三药液阀74被开启时，作为药液的一例的稀释氨水就从第三药液配管73供给至内部喷嘴72，且从内部喷嘴72的吐出口72p往下方连续地吐出。
处理单元2包含：扫描单元(scan unit)77，在处理位置与待机位置之间使内部喷嘴72绕着喷嘴转动轴线A4转动，该处理位置是可供从内部喷嘴72所吐出的处理液着落于基板W的上表面的位置，该待机位置是内部喷嘴72俯视观察下位于旋转卡盘8的周围的位置。扫描单元77包含：电动马达78，用以产生使内部喷嘴72转动的动力。电动马达78既可为与内部喷嘴72的铅垂部72v同轴的同轴马达，亦可为经由二个滑轮(pulley)和无端部状的皮带(belt)来连结于内部喷嘴72的铅垂部72v。
当内部喷嘴72配置于待机位置(图2的虚线所示的位置)时，内部喷嘴72的水平部72h的整体就重叠于第一防护罩23A。当内部喷嘴72配置于处理位置(图2的双点划线所示的位置)时，水平部72h的前端部就配置于比第一防护罩23A的上端23a更内侧，且内部喷嘴72重叠于基板W。处理位置包含：中央处理位置(图2的双点划线所示的位置)，可供从内部喷嘴72所吐出的处理液着落于基板W的上表面中央部；以及外周处理位置，可供从内部喷嘴72所吐出的处理液着落于基板W的上表面外周部。
第一防护罩23A的顶板部24包含：环状的倾斜部24a，从第一防护罩23A的筒状部25的上端部朝向旋转轴线A1往斜上方延伸；以及突出部24b，从倾斜部24a往上方突出。倾斜部24a和突出部24b排列于圆周方向(绕着旋转轴线A1的方向)。突出部24b包含有：一对侧壁24s，从倾斜部24a往上方延伸；上壁24u，配置于一对侧壁24s的上端之间；以及外壁24o，配置于一对侧壁24s的外端之间。突出部24b形成从第一防护罩23A的倾斜部24a的下表面往上方凹陷的收容空间。
当内部喷嘴72配置于待机位置时，内部喷嘴72的水平部72h的整体就会在俯视观察下重叠于突出部24b且收容于收容空间。如图2所示，此时，设置有吐出口72p的水平部72h的前端部配置于比第一防护罩23A的上端23a更外侧。只要是将内部喷嘴72配置于待机位置，就可以使第一防护罩23A的上端部和第二防护罩23B的上端部朝向上下方向相互地接近。由此，就可以减少进入第一防护罩23A与第二防护罩23B之间的液体的量。
如所述，内部喷嘴72支撑于外壳76。同样，扫描单元77支撑于外壳76。扫描单元77的电动马达78配置于能够朝向上下方向伸缩的波纹管(bellows)75之中。外壳76经由第一托架(bracket)79A而支撑于第一防护罩23A，且经由第二托架79B而支撑于防护罩升降单元27。当防护罩升降单元27使第一防护罩23A升降时，外壳76亦会升降。由此，内部喷嘴72及扫描单元77会与第一防护罩23A一起升降。
其次，针对通过基板处理装置1所进行的基板W的处理的一例加以说明。
以下针对下述例子加以说明：去除在已设置于基板W的凹部83的侧面所露出的多晶硅(polysilicon)的自然氧化膜后，去除多晶硅的薄膜84。
图3是显示被处理之前(多晶硅的自然氧化膜被去除之前)的基板W的剖面的一例的示意图。在图3中以双点划线来显示包含多晶硅的自然氧化膜的基板W的自然氧化膜的表面，且以实线来显示自然氧化膜被去除后的基板W的剖面。以下针对去除自然氧化膜后的基板W加以说明。
如图3所示，基板W包含：板状的母材81，由硅等的半导体或玻璃所形成；以及一个以上的薄膜82，形成于母材81上。图3是显示多个薄膜82积层于母材81上的例。基板W包含：一个以上的凹部83，朝向基板W的厚度方向Dt延伸。凹部83既可为沟道(trench)、导孔及接触孔(contact hole)的其中任一个，亦可这些以外的凹部。
凹部83从基板W的最表面Ws(最位于表面侧的薄膜82的表面)朝向基板W的厚度方向Dt延伸。凹部83包含：入口83i，在基板W的最表面Ws开口；底面83b，设置于基板W的内部；以及侧面83s，从基板W的最表面Ws朝向底面83b延伸。凹部83的侧面83s包含：一对对向部83o，在凹部83的宽度方向上对向。凹部83的深度方向一致于基板W的厚度方向Dt，凹部83的宽度方向一致于与基板W的厚度方向Dt正交的基板W的平面方向Ds。
凹部83的深度D1换句话说从基板W的最表面Ws至凹部83的底面83b为止的基板W的厚度方向Dt的距离比凹部83的宽度W1更长，换句话说比平面方向Ds上的一对对向部83o的间隔更长。凹部83的宽度W1既可随着接近凹部83的底面83b而阶段性地或连续性地变化，亦可从入口83i至底面83b为止为固定。图3是显示凹部83朝向基板W的厚度方向Dt贯通全部的薄膜82且从母材81的表面81s朝向厚度方向Dt凹陷的例。凹部83亦可仅设置于一个以上的薄膜82。在薄膜82并未形成于母材81上的情况下，亦可仅在母材81设置有凹部83。
多晶硅的薄膜84形成凹部83的侧面83s。换句话说，凹部83的侧面83s的一对对向部83o通过多晶硅的薄膜84所形成。多晶硅的薄膜84从凹部83的入口83i朝向凹部83的底面83b往基板W的厚度方向Dt延伸。多晶硅的薄膜84的前端面84s亦可与基板W的最表面Ws位于同一平面上。
厚度方向Dt上的多晶硅的薄膜84的长度L1比凹部83的宽度W1更长，且比凹部83的深度D1更短。多晶硅的薄膜84的长度L1比形成于母材81上的薄膜82整体的厚度Th1更长，换句话说比从基板W的最表面Ws至母材81的表面81s为止的厚度方向Dt的距离更长。多晶硅的薄膜84的长度L1既可与凹部83的深度D1相等，亦可为薄膜82整体的厚度Th1以下。
图4是用以针对通过基板处理装置1所进行的基板W的处理的一例加以说明的工序图。图5A至图5F及图6A至图6E是显示进行图4所示的基板W的处理的一例时的基板处理装置1的状态的示意性剖视图。图7是显示进行图4所示的基板W的处理的一例时的基板处理装置1的动作的时序图。在图7中，IPA的开启(ON)指朝向基板W吐出IPA，IPA的关闭(OFF)指停止IPA的吐出。就稀释氨水(图7中表记为NH4OH)等的其他处理液而言亦为同样。
以下参照图1及图2。对于图4至图7则是适当参照。以下的动作通过控制装置3控制基板处理装置1所执行。换言之，控制装置3以执行以下的动作的方式来程序设计。控制装置3是包含存储器(memory)3m(参照图1)及处理器(processor)3p(参照图1)的计算机(computer)，该存储器3m存储程序(program)等的信息，该处理器3p按照存储于存储器3m的信息来控制基板处理装置1。
在通过基板处理装置1来处理基板W时进行将基板W搬入至腔室4内的搬入工序(图4的步骤S1)。
具体而言，使包含第一药液喷嘴31的全部的扫描喷嘴位于待机位置，且使全部的防护罩23位于下位置。再者，使阻断构件13位于上位置。在此状态下，搬运机械手会一边用手部(hand)来支撑基板W，一边使手部进入腔室4内。之后，搬运机械手在基板W的表面已朝向上方的状态下使手部上的基板W置放于旋转卡盘8的上。搬运机械手在将基板W置放于旋转卡盘8上之后，使手部从腔室4的内部退避。
其次，进行将碳酸水供给至基板W的第一碳酸水供给工序(图4的步骤S2)。
具体而言，上侧气体阀71及下侧气体阀60被开启，且阻断构件13的上侧中央开口68和旋转基座10的下侧中央开口57开始氮气的吐出。防护罩升降单元27一边使第三防护罩23C位于下位置一边使第一防护罩23A及第二防护罩23B上升，并使第一防护罩23A及第二防护罩23B的上端23a位于比基板W更上方。第一喷嘴移动单元38使第一喷嘴臂37移动，并使第一药液喷嘴31的吐出口和第一冲洗液喷嘴34的吐出口位于基板W的上方。旋转马达12在基板W已通过卡盘销9所夹持的状态下开始基板W的旋转。
在此状态下，第一冲洗液阀36被开启，第一冲洗液喷嘴34开始碳酸水的吐出。如图5A所示，从第一冲洗液喷嘴34所吐出的碳酸水在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。由此，覆盖基板W的上表面全区的碳酸水的液膜就形成于基板W上。在基板W带电的情况下，电荷会从基板W往碳酸水移动，且电荷能从基板W去除。当第一冲洗液阀36被开启之后经过预定时间时，第一冲洗液阀36就被关闭，且停止来自第一冲洗液喷嘴34的碳酸水的吐出。
其次，进行将DHF供给至基板W的DHF供给工序(图4的步骤S3)。
具体而言，在第一药液喷嘴31的吐出口和第一冲洗液喷嘴34的吐出口位于基板W的上方的状态下，第一药液阀33被开启，且第一药液喷嘴31开始DHF的吐出。如图5B所示，从第一药液喷嘴31所吐出的DHF在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。由此，基板W上的碳酸水被置换成DHF，且形成覆盖基板W的上表面全区的DHF的液膜。当第一药液阀33被开启之后经过预定时间时，第一药液阀33就被关闭，且停止来自第一药液喷嘴31的DHF的吐出。
其次，进行将碳酸水供给至基板W的第二碳酸水供给工序(图4的步骤S4)。
具体而言，在第一药液喷嘴31的吐出口和第一冲洗液喷嘴34的吐出口位于基板W的上方的状态下，第一冲洗液阀36被开启，且第一冲洗液喷嘴34开始碳酸水的吐出。如图5C所示，从第一冲洗液喷嘴34所吐出的碳酸水在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。由此，基板W上的DHF被置换成碳酸水，且形成覆盖基板W的上表面全区的碳酸水的液膜。
当第一冲洗液阀36被开启之后经过预定时间时，会在已开启第一冲洗液阀36的状态下开启第三冲洗液阀53。由此，开始来自固定喷嘴51的碳酸水的吐出。如图5D所示，从固定喷嘴51所吐出的碳酸水在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。第一冲洗液阀36在第三冲洗液阀53被开启之后被关闭。由此，停止来自第一冲洗液喷嘴34的碳酸水的吐出。之后，第一喷嘴移动单元38使第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34从基板W的上方退避。
其次，进行将IPA供给至基板W的第一IPA供给工序(图4的步骤S5)。
具体而言，在第一药液喷嘴31及第一冲洗液喷嘴34从基板W的上方退避之后，防护罩升降单元27使第三防护罩23C上升，并使第一防护罩23A、第二防护罩23B及第三防护罩23C的上端23a位于比基板W更上方。之后，第三冲洗液阀53被关闭，且停止来自固定喷嘴51的碳酸水的吐出。之后，溶剂阀66被开启，且中心喷嘴61开始IPA的吐出。
从中心喷嘴61所吐出的IPA通过位于上位置的阻断构件13的上侧中央开口68而着落于基板W的上表面中央部。如图5E所示，已着落于基板W的上表面的IPA沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。由此，基板W上的碳酸水被置换成IPA，且形成覆盖基板W的上表面全区的IPA的液膜。之后，溶剂阀66被关闭，且停止来自中心喷嘴61的IPA的吐出。
其次，进行将稀释氨水供给至基板W的氨水供给工序(图4的步骤S6)。
具体而言，第二喷嘴移动单元48在中心喷嘴61吐出IPA时使第二喷嘴臂47移动，并使第二药液喷嘴41的吐出口和第二冲洗液喷嘴44的吐出口移动至基板W与阻断构件13之间。此时，虽然第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44配置于从中心喷嘴61往下方延伸的IPA的液柱的附近，但是却会从IPA的液柱水地分离。
在第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44配置于基板W与阻断构件13之间之后，溶剂阀66被关闭，且停止来自中心喷嘴61的IPA的吐出。之后，第二喷嘴移动单元48使第二喷嘴臂47移动，并使第二药液喷嘴41的吐出口和第二冲洗液喷嘴44的吐出口对向于基板W的上表面中央部。接着，第二药液阀43被开启，且第二药液喷嘴41开始稀释氨水的吐出。
如图5F所示，从第二药液喷嘴41所吐出的稀释氨水在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。由此，基板W上的IPA被置换成稀释氨水，且形成覆盖基板W的上表面全区的稀释氨水的液膜。当第二药液阀43被开启之后经过预定时间时，第二药液阀43被关闭，且停止来自第二药液喷嘴41的稀释氨水的吐出。
如图7所示，当在第一IPA供给工序中溶剂阀66被开启之后经过预定时间时，旋转马达12使基板W的转速从第一高转速Vh1降低至低转速VL1且维持在低转速VL1。之后，旋转马达12使基板W的转速从低转速VL1上升至第二高转速Vh2且维持在第二高转速Vh2。
第一高转速Vh1及第二高转速Vh2例如是500rpm至1000rpm。第一高转速Vh1既可与第二高转速Vh2相等，亦可与第二高转速Vh2不同。低转速VL1例如是1rpm至40rpm。低转速VL1是第一转速的一例，第二高转速Vh2是第二转速的一例。
在第一IPA供给工序中停止IPA的吐出的时期、换句话说溶剂阀66被关闭的时期是在基板W的转速已降低至低转速VL1之后。溶剂阀66既可在基板W的转速维持在低转速VL1时被关闭，亦可在开始基板W的转速上升之后被关闭。图7是显示后者的例。
如图7所示，第二药液阀43在基板W的转速从低转速VL1向第二高转速Vh2上升时被开启。换句话说，在开始基板W的转速上升的时刻Ts与停止基板W的转速上升的时刻Te之间的时刻T1开始稀释氨水的吐出。然后，在基板W的转速已达第二高转速Vh2之后，第二药液阀43被关闭。
在进行氨水供给工序之后进行将碳酸水供给至基板W的第三碳酸水供给工序(图4的步骤S7)。
具体而言，在第二药液喷嘴41的吐出口和第二冲洗液喷嘴44的吐出口位于基板W的上方的状态下第二冲洗液阀46被开启，且第二冲洗液喷嘴44开始碳酸水的吐出。如图6A所示，从第二冲洗液喷嘴44所吐出的碳酸水在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。由此，基板W上的稀释氨水被置换成碳酸水，且形成覆盖基板W的上表面全区的碳酸水的液膜。
当第二冲洗液阀46被开启之后经过预定时间时，会在已开启第二冲洗液阀46的状态下开启第三冲洗液阀53。由此，开始来自固定喷嘴51的碳酸水的吐出。如图6B所示，从固定喷嘴51所吐出的碳酸水在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。第二冲洗液阀46在第三冲洗液阀53被开启之后被关闭。由此，停止来自第二冲洗液喷嘴44的碳酸水的吐出。之后，第二喷嘴移动单元48使第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44从基板W的上方退避。
阻断构件升降单元15在第二药液喷嘴41及第二冲洗液喷嘴44从基板W的上方退避之后，使阻断构件13从上位置下降至上侧中间位置。之后，上侧冲洗液阀64被开启，且中心喷嘴61开始碳酸水的吐出。之后，第三冲洗液阀53被关闭，且停止来自固定喷嘴51的碳酸水的吐出。如图6C所示，从中心喷嘴61所吐出的碳酸水在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。当上侧冲洗液阀64被开启之后经过预定时间时，上侧冲洗液阀64被关闭，且停止来自中心喷嘴61的碳酸水的吐出。
防护罩升降单元27在停止来自固定喷嘴51的碳酸水的吐出之后直至停止来自中心喷嘴61的碳酸水的吐出为止的期间使第一防护罩23A上升，且使第二防护罩23B及第三防护罩23C下降。由此，第二防护罩23B及第三防护罩23C的上端23a配置于比旋转基座10的上表面更下方。第一防护罩23A的上端23a既可配置于与阻断构件13的下表面13s相等的高度，亦可配置于比阻断构件13的下表面13s更上方或更下方的高度。
其次，进行将IPA供给至基板W的第二IPA供给工序(图7的时刻T2至时刻T3)(图4的步骤S8)。
具体而言，阻断构件升降单元15使阻断构件13从上侧中间位置下降至下侧中间位置。由此，阻断构件13的下表面13s配置于与第一防护罩23A的上端23a相等的高度或比第一防护罩23A的上端23a更下方的高度。之后，溶剂阀66被开启，且中心喷嘴61开始IPA的吐出。如图6D所示，从中心喷嘴61所吐出的IPA在着落于基板W的上表面中央部之后，沿着旋转中的基板W的上表面往外方流动。当溶剂阀66被开放之后经过预定时间时，溶剂阀66就被关闭，且停止来自中心喷嘴61的IPA的吐出。
其次，进行通过基板W的高速旋转使基板W干燥的干燥工序(图4的步骤S9)。
具体而言，在停止来自中心喷嘴61的IPA的吐出之后，旋转马达12使基板W的转速上升。由此，覆盖基板W的上表面全区的IPA的液膜就会慢慢地变薄。阻断构件升降单元15在开始基板W的加速之后，使阻断构件13从下侧中间位置下降至下位置。由此，基板W与阻断构件13的间隔就会连续地减少。附着于基板W的液体通过基板W的高速旋转而朝向基板W的周围飞散。由此，如图6E所示，基板W就会在基板W与阻断构件13之间的空间由氮气所充满的状态下干燥。当基板W的高速旋转开始之后经过预定时间时，旋转马达12就会停止旋转。由此，停止基板W的旋转。
其次，进行将基板W从腔室4搬出的搬出工序(图4的步骤S10)。
具体而言，上侧气体阀71及下侧气体阀60被关闭，且停止来自阻断构件13的上侧中央开口68和旋转基座10的下侧中央开口57的氮气的吐出。防护罩升降单元27使全部的防护罩23下降至下位置。阻断构件升降单元15使阻断构件13上升至上位置。搬运机械手在多个卡盘销9已解除基板W的夹持之后，用手部来支撑旋转卡盘8上的基板W。之后。搬运机械手一边用手部来支撑基板W，一边使手部从腔室4的内部退避。由此，就能从腔室4搬出处理完成的基板W。
如以上所述，在本实施方式中对基板W供给DHF(DHF供给工序)。由此，能从基板W的最表面Ws、凹部83的侧面83s及凹部83的底面83b去除自然氧化膜。此时，多晶硅的自然氧化膜被去除，且未氧化的多晶硅的薄膜84在凹部83的侧面83s露出。多晶硅的薄膜84的表面是并未由多晶硅的自然氧化膜所覆盖的疏水面。
因自然氧化膜被去除后的多晶硅的薄膜84的表面为疏水面，故而有的情况是即便在将DHF供给至基板W之后将以水作为主成分的含水液体供给至基板W，含水液体仍无法均一地供给至多晶硅的薄膜84。因稀释氨水是含水液体的一种，故而有的情况是当不供给IPA而是供给稀释氨水时，稀释氨水仍无法均一地供给至多晶硅的薄膜84。在此情况下，如图8的上层所示，多晶硅的一部分不被蚀刻而是容易残留于干燥后的基板W。
再者，稀释氨水中所包含的氢氧化铵按照「2NH4OH+Si→Si(OH)2+H2+2NH3」的反应式与硅反应且蚀刻硅。如根据该反应式所明白那样，当硅被蚀刻时，就会产生氢气及氨气，且在稀释氨水中形成有气泡。如图8的上层所示，有的情况是当不供给IPA而是供给稀释氨水时，多数较大的气泡就会产生于凹部83内，且凹部83由气泡所堵塞。在此情况下，因新的稀释氨水变得无法流入凹部83，故而会增加多晶硅的残留量。
相对于此，在供给DHF之后直至供给稀释氨水以前供给IPA的情况下，由于异丙基是包含于IPA中，所以即便多晶硅的薄膜84为疏水性，IPA仍能扩及于多晶硅的薄膜84。由于稀释氨水在用包含羟基的IPA来涂覆多晶硅的薄膜84的状态下供给至基板W，所以能扩及于多晶硅的薄膜84。由此，可以将稀释氨水均一地供给至多晶硅的薄膜84。
再者，由于氢氧化铵与硅的反应会通过附着于多晶硅的薄膜84的IPA所阻碍，所以会减少每单位时间的气体的产生量。因此，如图8的下层所示，每单位时间的气泡的产生数较少。或是，只有较小的气泡产生。若气泡较小，则气泡容易通过凹部83的入口83i并往凹部83的外跑出。从而，凹部83不易由气泡所堵塞。同样，若气泡的产生数较少，凹部83就不易由气泡所堵塞。再者，由于出入于凹部83的稀释氨水的流动不易由气泡所妨碍，所以可以将凹部83内的稀释氨水有效率地置换成新的稀释氨水。
如此，由于是在IPA附着于多晶硅的薄膜84的状态下将稀释氨水供给至基板W，所以即便是在自然氧化膜被去除之后，仍可以使稀释氨水扩及于多晶硅的薄膜84。再者，由于可以减低每单位时间的气体的产生量，所以可以维持稀释氨水均一地供给至多晶硅的薄膜84的状态，且可以将活性较高的稀释氨水持续供给至多晶硅的薄膜84。由此，可以有效地蚀刻凹部83内的多晶硅，且可以减少残留于凹部83内的多晶硅。
在本实施方式中，稀释氨水在基板W的表面全区由IPA的液膜所覆盖的状态下朝向基板W的表面内的着落位置吐出。位于着落位置的IPA被已着落于基板W的表面的稀释氨水朝向着落位置的周围冲走。由此，大致圆形的稀释氨水的液膜就形成于基板W的表面。另一方面，IPA的液膜变化成包围稀释氨水的液膜的环状。当稀释氨水的吐出继续时，稀释氨水的液膜的外周部就会朝向外方扩展，且基板W的表面全区能由稀释氨水的液膜所覆盖。
如图9所示，有的情况是当开始稀释氨水的吐出之前开始基板W的高速旋转时，就会在稀释氨水供给至基板W之前IPA从基板W的表面中央部朝向表面中央部的周围流动，且基板W的表面中央部会从IPA的液膜露出。另一方面，如图10所示，有的情况是当IPA及稀释氨水的双方位于基板W上时的基板W的转速过低时，基板W的表面外周部就会部分地露出。此是因会发生基板W上的IPA朝向基板W上的稀释氨水往内方流动的马兰哥尼对流所致。
在氨水供给工序中一边使基板W的转速从低转速VL1上升至高转速Vh2一边开始稀释氨水的吐出，且一边将基板W的转速维持在高转速Vh2一边继续稀释氨水的吐出。由于开始稀释氨水的吐出时的基板W的转速较低，所以稀释氨水供给至基板W之前基板W的表面中央部不会从IPA的液膜露出。再者，由于施加于基板W上的IPA及稀释氨水的离心力是慢慢地增加，所以基板W的表面外周部亦不会通过马兰哥尼对流从IPA的液膜露出。从而，可以一边维持基板W的表面全区由液膜所覆盖的状态，一边将基板W上的IPA置换成稀释氨水。
只要基板W的表面外周部不是部分地露出，则稀释氨水的吐出开始的时期亦可为基板W的加速开始之前。然而，在此情况下，基板W上的IPA的量在稀释氨水的吐出开始时以及之前几乎不会改变。相对于此，在一边使基板W的转速从低转速VL1上升至高转速Vh2一边开始稀释氨水的吐出的情况下，在开始基板W的加速之后直至稀释氨水供给至基板W为止的期间，IPA能利用离心力从基板W排出，且基板W上的IPA的量会减少。
稀释氨水与基板W上的IPA混合。基板W上的IPA的量越多，基板W上的液体中所包含的氨的浓度就越降低。若一边使基板W的转速从低转速VL1上升至高转速Vh2一边开始稀释氨水的吐出，则比起基板W的加速开始之前开始稀释氨水的吐出的情况还可以使氨的浓度的降低量减少，且可以缩短多晶硅的蚀刻所需的时间。从而，较佳是一边使基板W朝向旋转方向加速一边开始稀释氨水的吐出。
在本实施方式中，多晶硅的薄膜84的一部分配置于凹部83的入口83i。当稀释氨水中所包含的氢氧化铵与多晶硅反应时，就会产生气体。从而，会在凹部83的入口83i产生气体。再者，在凹部83的中产生的气泡朝向凹部83的入口83i流动。然而，由于是在将稀释氨水供给至基板W之前用IPA来涂覆多晶硅的薄膜84，所以可减低每单位时间的气体的产生量，且可以抑制或防止凹部83的入口83i由气泡所堵塞。
在本实施方式中，多晶硅的薄膜84配置于凹部83的侧面83s的宽范围。从而，在蚀刻多晶硅时所产生的气体的量会增加。再者，由于多晶硅在凹部83的深度方向较长，所以多晶硅的薄膜84的底面比凹部83的入口83i还接近稀释氨水不易到达的凹部83的底面83b。然而，由于是在将稀释氨水供给至基板W之前用IPA来涂覆多晶硅的薄膜84，所以可以减低每单位时间的气体的产生量，且可以抑制或防止凹部83由气泡所堵塞。
[其他实施方式]
本发明并非是被限定于所述实施方式的内容，而是能够进行各种的变更。
例如，IPA亦可从中心喷嘴61以外的喷嘴吐出。IPA亦可从与第一药液喷嘴31同样的扫描喷嘴吐出。
只要是将室温的IPA供给至基板，亦可省略溶剂加热器67。
只要内部喷嘴72非为必要，亦可省略内部喷嘴72和与之关联的构成(扫描单元77或第一防护罩23A的突出部24b等)。
在所述基板W的处理的一例中，第一冲洗液喷嘴34吐出碳酸水时，第一喷嘴移动单元38亦可使第一冲洗液喷嘴34在中央处理位置与外周处理位置之间移动，该中央处理位置是可供从第一冲洗液喷嘴34所吐出的碳酸水着落于基板W的上表面中央部的位置，该外周处理位置是可供从第一冲洗液喷嘴34所吐出的碳酸水着落于基板W的上表面外周部的位置。有关第一药液喷嘴31等的其他扫描喷嘴亦为同样。
如图11所示，亦可在进行氨水供给工序(图4的步骤S6)之后且进行第三碳酸水供给工序(图4的步骤S7)之前再次进行第一IPA供给工序(图11的时刻T4至时刻T5)及氨水供给工序(图11的时刻T6至时刻T7)。换言之，亦可在进行第二碳酸水供给工序(图4的步骤S4)之后且进行第三碳酸水供给工序(图4的步骤S7)之前进行多次包含第一IPA供给工序及氨水供给工序的一个周期。
在此情况下，在IPA及稀释氨水以此顺序供给至基板W之后，再次使IPA及稀释氨水以此顺序供给至基板W。已附着于多晶硅的薄膜84的IPA通过稀释氨水的供给而逐渐地减少。通过将IPA再次供给至基板W，就可以对多晶硅的薄膜84补充IPA。由此，可以使稀释氨水扩及于多晶硅的薄膜84。
亦可在已提高基板W与阻断构件13之间的空间的密闭度的状态下进行第一IPA供给工序及氨水供给工序的一方或双方。具体而言，如图12及图13所示，亦可在使至少一个防护罩23的上端23a位于与阻断构件13的下表面13s相等的高度或比阻断构件13的下表面13s更上方的高度的状态下进行第一IPA供给工序及氨水供给工序的至少一方。
在此情况下，稀释氨水既可如图12所示从中心喷嘴61吐出，亦可如图13所示从位于基板W与阻断构件13之间的内部喷嘴72吐出。亦可使中心喷嘴61吐出稀释氨水且使位于基板W与阻断构件13之间的内部喷嘴72吐出IPA，来取代使中心喷嘴61吐出IPA。
如图12及图13所示，在已提高基板W与阻断构件13之间的空间的密闭度的状态下进行第一IPA供给工序及氨水供给工序的情况下，基板W的上表面通过作为对向面的一例的阻断构件13的下表面13s所保护。基板W的外周面通过防护罩23所保护。再者，由于基板W与阻断构件13的下表面13s之间的空间是通过防护罩23所包围，所以可以提高该空间的密闭度。由此，可以一边从包含粒子的环境气体中保护基板W一边处理基板W。
控制装置3亦可通过控制旋转马达12(参照图1)在基板W的表面全区由稀释氨水的液膜所覆盖的状态下使基板W的转速上升。除此以外或取而代之，控制装置3亦可使第二流量调整阀49(参照图1)的开启度增加，由此在基板W的表面全区由稀释氨水的液膜所覆盖的状态下使朝向基板W的表面所吐出的稀释氨水的流量增加。
当使基板W的转速上升时，施加于基板W上的液体的离心力就会增加，且基板W上的液体的流速会上升。同样，当使朝向基板W的表面所吐出的液体的流量增加时，基板W上的液体的流速就会上升。从而，通过执行往旋转方向的基板W的加速及稀释氨水的吐出流量的增加的至少一方，就可以使基板W上的稀释氨水的流速上升，且可以促进气泡从凹部83的排出。由此，在氨水供给工序中，可以将稀释氨水均一地持续供给至多晶硅的薄膜84。
另外，如图14所示，控制装置3亦可通过控制旋转马达12在基板W的表面的至少一部分由稀释氨水的液膜所覆盖的状态下交替地进行基板W的加速和基板W的减速。
除此以外或取而代之，如图14所示，控制装置3亦可通过变更第二流量调整阀49的开启度而交替地进行稀释氨水的吐出流量的增加和稀释氨水的吐出流量的减少。
在图14中虽然已描述基板W的转速和稀释氨水的吐出流量是在相同的时间被变更，但是基板W的转速和稀释氨水的吐出流量亦可在互为不同的时期被变更。
当使基板W的转速上升时，施加于基板W上的液体的离心力就会增加，且基板W上的液体的流速会上升。再者，当将基板W的转速维持于固定时，就可在基板W上形成大致稳定的液流；相对于此，当使基板W的转速变化时，基板W上的液体的流动就会变化。从而，并非是使基板W以高速持续旋转，而是通过使基板W朝向旋转方向加速及减速，由此就可以促进气泡从凹部83的排出。
另一方面，当使朝向基板W的表面所吐出的液体的流量增加时，基板W上的液体的流速就会上升。再者，当将液体的吐出流量维持于固定时，就可在基板W上形成大致稳定的液流；相对于此，当使液体的吐出流量变化时，基板W上的液体的流动就会变化。从而，并非是使稀释氨水以高流量持续吐出而是使其变化，由此就可以促进气泡从凹部83的排出。
基板处理装置1是不限于处理圆板状的基板W的装置，亦可为处理多边形的基板W的装置。
亦可组合所述全部的构成的二个以上。亦可组合所述全部的工序的二个以上。
旋转卡盘8是基板保持单元的一例。旋转马达12是基板旋转单元的一例。第一药液喷嘴31是自然氧化膜去除单元的一例。第二药液喷嘴41是氨水供给单元的一例。中心喷嘴61是IPA供给单元的一例。
本申请对应于2017年9月20日在日本特许厅所提出的特愿2017-180697号，该申请案的全部揭示通过引用而编入于此。
虽然已针对本发明的实施方式加以详细说明，但是这些实施方式只不过是为了明白本发明的技术内容而所用的具体例而已，本发明不应被解释限定于这些具体例，本发明的精神及范围仅通过随附的权利要求书所限定。
附图标记的说明
1：基板处理装置
3：控制装置
8：旋转卡盘(基板保持单元)
12：旋转马达(基板旋转单元)
13：阻断构件
13s：阻断构件的下表面(对向面)
21：处理杯体
23：防护罩
23a：防护罩的上端
26：杯体
31：第一药液喷嘴(自然氧化膜去除单元)
41：第二药液喷嘴(氨水供给单元)
49：第二流量调整阀(流量调整阀)
61：中心喷嘴(IPA供给单元)
61A：第一管件
61B：第二管件
65：溶剂配管
66：溶剂阀
67：溶剂加热器
81：母材
82：薄膜
83：凹部
83i：入口
83b：底面
83s：侧面
83o：对向部
84：多晶硅的薄膜
84s：前端面
A1：旋转轴线
Dt：厚度方向
Ds：平面方向
D1：凹部的深度
L1：多晶硅的薄膜的长度
Th1：薄膜整体的厚度
W1：凹部的宽度
Vh1：第一高转速
Vh2：第二高转速(第二转速)
VL1：第二高转速(第一转速)
W：基板

Claims (16)

1.一种基板处理方法，包含：
自然氧化膜去除工序，通过去除在已设置于基板的凹部的侧面所露出的第14族元素的自然氧化膜来使所述第14族元素的薄膜在所述凹部的侧面露出；
异丙醇供给工序，在所述第14族元素的自然氧化膜被去除之后，使液状的异丙醇接触于所述第14族元素的薄膜；以及
氨水供给工序，在所述异丙醇接触到所述第14族元素的薄膜之后，通过对所述基板供给氨水来蚀刻所述第14族元素的薄膜。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述异丙醇供给工序包含：液膜保持工序，一边以比第二转速更小的第一转速使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转，一边将所述异丙醇的液膜保持于所述基板的表面全区；
所述氨水供给工序包含：
氨水吐出开始工序，一边使所述基板的转速从所述第一转速向所述第二转速上升，一边开始要被供给至所述基板的所述氨水的吐出；以及
氨水吐出继续工序，在所述氨水吐出开始工序之后，一边将所述基板的转速维持在所述第二转速，一边继续所述氨水的吐出。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
进行多次包含所述异丙醇供给工序及所述氨水供给工序的一个周期。
4.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述氨水供给工序包含加速工序及流量增加工序中的至少一个工序，所述加速工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使所述基板的转速上升，所述流量增加工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。
5.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一加速工序、第一减速工序及第二加速工序的一个过程；
所述第一加速工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升；
所述第一减速工序在所述第一加速工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速降低；
所述第二加速工序在所述第一减速工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升。
6.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一流量增加工序、第一流量减少工序及第二流量增加工序的一个过程；
所述第一流量增加工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加；
所述第一流量减少工序在所述第一流量增加工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量减少；
所述第二流量增加工序在所述第一流量减少工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，
进一步包含：密闭工序，在进行所述异丙醇供给工序及所述氨水供给工序中的至少一方时，一边在所述基板的表面已朝向上方的状态下将所述基板保持于水平一边使具有所述基板的直径以上的外径的对向面对向于所述基板的表面，且使包围所述基板的筒状的防护罩的上端位于与所述对向面相等的高度或比所述对向面更上方的高度。
8.如权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述第14族元素的薄膜从所述凹部的入口朝向所述凹部的底面延伸。
9.如权利要求1至8中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述凹部的侧面包含：一对对向部，在与所述凹部的深度方向正交的宽度方向对向；
在所述凹部的深度方向上的所述第14族元素的薄膜的长度比在所述凹部的宽度方向上的所述一对对向部的间隔更长。
10.一种基板处理装置，具备：
自然氧化膜去除单元，通过去除在已设置于基板的凹部的侧面所露出的第14族元素的自然氧化膜来使所述第14族元素的薄膜在所述凹部的侧面露出；
异丙醇供给单元，使液状的异丙醇接触于所述第14族元素的薄膜；
氨水供给单元，通过对所述基板供给氨水来蚀刻所述第14族元素的薄膜；以及
控制装置，控制所述自然氧化膜去除单元、所述异丙醇供给单元及所述氨水供给单元；
所述控制装置执行：
自然氧化膜去除工序，通过去除在已设置于所述基板的所述凹部的侧面所露出的所述第14族元素的自然氧化膜来使所述第14族元素的薄膜在所述凹部的侧面露出；
异丙醇供给工序，在所述第14族元素的自然氧化膜被去除之后，使液状的异丙醇接触于所述第14族元素的薄膜；以及
氨水供给工序，在所述异丙醇接触到所述第14族元素的薄膜之后，通过对所述基板供给氨水来蚀刻所述第14族元素的薄膜。
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置进一步具备：基板旋转单元，使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转；
所述控制装置控制所述自然氧化膜去除单元、所述异丙醇供给单元、所述氨水供给单元及所述基板旋转单元；
所述异丙醇供给工序包含：液膜保持工序，一边以比第二转速更小的第一转速使所述基板旋转，一边将所述异丙醇的液膜保持于所述基板的表面全区；
所述氨水供给工序包含：
氨水吐出开始工序，一边使所述基板的转速从所述第一转速向所述第二转速上升，一边开始要被供给至所述基板的所述氨水的吐出；以及
氨水吐出继续工序，在所述氨水吐出开始工序之后，一边将所述基板的转速维持在所述第二转速，一边继续所述氨水的吐出。
12.如权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
所述控制装置进行多次包含所述异丙醇供给工序及所述氨水供给工序的一个周期。
13.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置进一步具备：
基板旋转单元，使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转；以及
流量调整阀，变更朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量；
所述控制装置控制所述自然氧化膜去除单元、所述异丙醇供给单元、所述氨水供给单元、所述基板旋转单元及所述流量调整阀；
所述氨水供给工序包含加速工序及流量增加工序中的至少一个工序，所述加速工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使所述基板的转速上升，所述流量增加工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。
14.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置进一步具备：基板旋转单元，使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转；
所述控制装置控制所述自然氧化膜去除单元、所述异丙醇供给单元、所述氨水供给单元及所述基板旋转单元；
所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一加速工序、第一减速工序及第二加速工序的一个过程；
所述第一加速工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升；
所述第一减速工序在所述第一加速工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速降低；
所述第二加速工序在所述第一减速工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升。
15.如权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置进一步具备：流量调整阀，变更朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量；
所述控制装置控制所述自然氧化膜去除单元、所述异丙醇供给单元、所述氨水供给单元及所述流量调整阀；
所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一流量增加工序、第一流量减少工序及第二流量增加工序的一个过程；
所述第一流量增加工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加；
所述第一流量减少工序在所述第一流量增加工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量减少；
所述第二流量增加工序在所述第一流量减少工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。
16.如权利要求10至15中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置进一步具备：
基板保持单元，在所述基板的表面已朝向上方的状态下将所述基板保持于水平；以及
筒状的防护罩，包含对向面及上端且包围所述基板，所述对向面具有所述基板的直径以上的外径且对向于所述基板的表面，所述上端位于与所述对向面相等的高度或比所述对向面更上方的高度；
所述控制装置进一步执行：密闭工序，在进行所述异丙醇供给工序及所述氨水供给工序中的至少一方时，一边在所述基板的表面已朝向上方的状态下将所述基板保持于水平一边使所述对向面对向于所述基板的表面，且使所述防护罩的上端位于与所述对向面相等的高度或比所述对向面更上方的高度。
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