CN114008756A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

基板处理装置包括：对置构件，其具备具有从上方与由基板保持单元保持的基板相对置的对置面的圆板部、以及从所述圆板部向以所述铅垂轴线为中心的径向上的外方延伸的延设部；在俯视下包围由所述基板保持单元保持的基板的环状构件；以及对置构件升降单元，其以利用所述基板、所述对置构件、以及所述环状构件来划分限制了来自外部的环境气体的流入的遮断空间的方式使所述对置构件与所述环状构件一并升降。所述环状构件具有引导面，该引导面在基板旋转单元使由所述基板保持单元保持的基板旋转时利用离心力将存在于该基板的上表面的处理液向该基板的周缘部的所述径向上的外方引导。利用所述延设部和所述环状构件划分出了将存在于所述引导面的处理液向所述遮断空间外排出的处理液排出路。

Description

基板处理装置以及基板处理方法

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。作为处理对象的基板例如包含半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等的基板。

背景技术

在利用药液等处理液对基板的表面进行处理时，担心由溶入处理液中的氧将形成于基板的表面的图案氧化。为了抑制图案的氧化，需要降低基板的表面附近的环境气体的氧浓度。

于是，在下述专利文献1中公开了能够通过设置与保持于旋转卡盘的基板的上表面相对置的遮断构件，并利用氮气充满遮断构件与基板之间的空间，来降低基板的上表面附近的环境气体的氧浓度的内容。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2015/14610009号说明书

发明内容

专利文献1记载的基板处理装置所具备的遮断构件包括与基板的上表面相对置的圆板部、以及从圆板部的外周部向下方延伸的圆筒部。利用圆筒部包围基板，因此，易于利用氮气降低基板的上表面附近的环境气体的氧浓度。若在利用圆筒部包围基板的状态下向基板的上表面供给处理液，则基板上的处理液从基板的上表面的周缘部向外方飞溅并由圆筒部接受。因此，担心从圆筒部反弹的处理液再附着于基板的上表面的周缘部而产生颗粒。

于是，本发明的一个目的在于，提供能够降低基板的上表面附近的环境气体中的氧浓度、且能够抑制基板的上表面中的颗粒的产生的基板处理装置以及基板处理方法。

本发明的一实施方式提供一种基板处理装置，其包括：将基板保持为水平的基板保持单元；绕从由所述基板保持单元保持的基板的中央部通过的铅垂轴线使所述基板保持单元旋转的基板旋转单元；朝向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液的处理液供给单元；朝向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给非活性气体的非活性气体供给单元；对置构件，其具备具有从上方与由所述基板保持单元保持的基板相对置的对置面的圆板部、以及从所述圆板部向以所述铅垂轴线为中心的径向上的外方延伸的延设部；在俯视下包围由所述基板保持单元保持的基板的环状构件；以及对置构件升降单元，其以利用由所述基板保持单元保持的基板、所述对置构件、以及所述环状构件来划分限制了来自外部的环境气体的流入的遮断空间的方式使所述对置构件与所述环状构件一并升降。

所述环状构件具有引导面，该引导面在所述基板旋转单元使由所述基板保持单元保持的基板旋转时利用离心力将存在于该基板的上表面的处理液向该基板的周缘部的所述径向上的外方引导。然后，利用所述延设部和所述环状构件划分出了将存在于所述引导面的处理液向所述遮断空间外排出的处理液排出路。

根据该装置，通过使对置构件与环状构件一并升降，利用基板、对置构件和环状构件划分遮断空间。在划分了遮断空间的状态下，通过朝向基板的上表面供给非活性气体，能够将遮断空间内的环境气体置换为非活性气体。由此，能够降低遮断空间内的氧浓度、即基板的上表面附近的环境气体的氧浓度。遮断空间限制了来自外部的空间的环境气体的流入，因此，当遮断空间内的环境气体一旦被置换为非活性气体时，则易于维持在降低了遮断空间内的环境气体中的氧浓度的状态。

在遮断空间内的环境气体被置换为非活性气体的状态下，向基板的上表面供给处理液，由此，能够一边抑制处理液中的氧浓度的上升，一边利用处理液处理基板的上表面。

环状构件的引导面利用基于基板的旋转的离心力，将存在于基板的上表面的处理液向与基板的周缘部相比的径向上的外方引导。然后，移动至引导面上的处理液不会从基板飞溅，而被引导至处理液排出路并被排出到遮断空间外。由于在基板的周缘部与处理液排出路之间存在引导面，所以基板的周缘部与对置构件的延设部充分分离。因此，能够抑制从基板的上表面排出的处理液从对置构件反弹而再附着至基板的上表面。假设从基板的上表面排出的处理液从对置构件反弹，其大部分附着于与基板的上表面相比位于径向上的外方的引导面。因此，能够抑制处理液再附着于基板的上表面。因此，能够抑制在基板的上表面产生颗粒。

以上的结果为，能够降低基板的上表面附近的环境气体中的氧浓度，且能够抑制基板的上表面中的颗粒的产生。

本发明的一实施方式中，所述处理液排出路的宽度比铅垂方向上的所述遮断空间的宽度小。因此，能够通过处理液排出路的流体的流量为比较小的流量。因此，在处理液经由处理液排出路排出到遮断空间外的期间内，能够抑制遮断空间外的环境气体经由处理液排出路流入。因此，能够一边抑制处理液中的氧浓度的上升，一边利用处理液处理基板的上表面。

本发明的一实施方式中，所述环状构件具有排出路划分面，该排出路划分面与所述径向上的所述引导面的外方端连结，划分所述处理液排出路。然后，所述处理液排出路在所述引导面与所述排出路划分面的边界具有流入口。

有时处理液在处理液排出路的流入口附近与延设部碰撞。在与延设部碰撞的处理液中产生逆流(趋向基板的径向上的内方的处理液的流动)。若为没有设置引导面的构成，处理液排出路的流入口配置在基板的上表面的周缘部的附近，因此，担心在基板上产生处理液中的逆流。若产生逆流，则趋向径向上的内方的处理液和趋向径向上的外方的处理液碰撞，担心在遮断空间内处理液飞溅。若向遮断空间内飞溅的处理液再附着至基板的上表面，则会在基板上产生颗粒。

于是，若为处理液排出路的流入口设于连结于径向上的引导面的外方端的排出路划分面与引导面的边界的构成，则处理液中的逆流的产生部位在引导面上。因此，能够抑制在基板上的处理液中产生逆流。因此，能够抑制在基板的上表面产生颗粒。

在本发明的一实施方式中，所述排出路划分面以及所述引导面构成在水平方向上平坦的单一平坦面。在引导面与排出路划分面之间设有层差的情况下，担心附着于因层差而反弹的处理液且处理液再附着于基板的上表面的情况。由此，担心在基板的上表面产生颗粒。

于是，若在引导面与排出路划分面之间没有层差，引导面与排出路划分面构成在水平方向上平坦的单一平坦面，则能够使在引导面上流过的处理液顺畅地流入处理液排出路。因此，能够抑制在遮断空间内处理液飞溅，能够抑制因处理液的飞溅引起的颗粒的产生。

在本发明的一实施方式中，还包括对置构件旋转单元，该对置构件旋转单元使所述对置构件和所述环状构件一并绕所述铅垂轴线与由所述基板保持单元保持的基板同步旋转。同步旋转是指，相同方向以相同旋转速度旋转。在基板的旋转速度与对置构件以及环状构件的旋转速度之差很大的情况下，担心遮断空间内的气流紊乱。若遮断空间内的气流紊乱，则气流的吹出力作用于基板的上表面的处理液，使基板的上表面局部露出，或者使处理液在遮断空间内飞溅。于是，若采用划分遮断空间的基板、环状构件以及对置构件同步旋转的构成，则能够抑制在遮断空间内的气流的紊乱。

在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括将所述环状构件和所述对置构件连结的多个连结构件。然后，各所述连结构件在俯视下以随着趋向所述径向上的外方而趋向由所述基板保持单元保持的基板的旋转方向的下游侧的方式形成。

在遮断空间内易于产生随着趋向径向上的外方而趋向旋转方向的下游侧的气流。于是，根据该装置，将对置构件和环状构件连结的多个连结构件分别在俯视下以随着趋向径向上的外方而趋向旋转方向的下游侧的方式形成。因此，能够促进随着趋向径向上的外方而趋向旋转方向的下游侧的气流的产生。因此，能够进一步抑制在遮断空间内的气流的紊乱。

在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括控制器，该控制器控制所述基板旋转单元、所述处理液供给单元、所述非活性气体供给单元以及所述对置构件升降单元。

然后，以使所述控制器执行如下工序的方式进行编程：利用所述对置构件升降单元使所述对置构件以及所述环状构件移动来划分所述遮断空间的遮断空间划分工序；通过从所述非活性气体供给单元朝向所述基板的上表面供给非活性气体而用非活性气体置换所述遮断空间内的环境气体的环境气体置换工序；在所述遮断空间内的环境气体已被非活性气体置换的状态下，从所述处理液供给单元向所述基板的上表面供给处理液的处理液供给工序；以及通过所述基板旋转单元使所述基板旋转，而将所述基板的上表面的处理液经由所述引导面以及所述处理液排出路向所述遮断空间外排出的处理液排出工序。

因此，能够可靠地利用非活性气体置换遮断空间内的环境气体。由此，能够降低遮断空间内的氧浓度、即基板的上表面附近的环境气体的氧浓度。然后，通过使基板旋转，能够使离心力作用于存在于基板的上表面的处理液，使存在于基板的上表面的处理液经由引导面以及处理液排出路可靠地排出至遮断空间外。因此，能够一边抑制在遮断空间内处理液飞溅一边从遮断空间内排除处理液。因此，能够抑制从基板的上表面排出的处理液从对置构件反弹而再附着至基板的上表面。因此，能够抑制在基板的上表面产生颗粒。

以上的结果为，能够降低基板的上表面附近的环境气体中的氧浓度，且能够抑制基板的上表面中的颗粒的产生。

在本发明的一实施方式中，所述引导面具有以随着趋向所述径向上的外方而趋向上方的方式倾斜的倾斜面。

然后，以使所述控制器执行如下工序的方式进行编程：在所述处理液供给工序中，通过向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液，利用所述倾斜面和所述基板的上表面接受处理液而形成处理液的积液的积液形成工序；以及在所述处理液排出工序中，利用所述基板旋转单元使所述基板的旋转加速而从所述基板的上表面排除所述积液的积液排除工序。

根据该装置，向基板的上表面供给处理液，由此，能够利用倾斜面和基板的上表面形成处理液的积液。因此，由于处理液没有排出到基板的外方，所以能够利用形成积液所需的量的处理液对基板的上表面进行处理。因此，能够降低处理液的消耗量。

倾斜面以随着趋向径向上的外方而趋向上方的方式倾斜。因此，通过使基板的旋转加速而使离心力作用于积液，能够使处理液顺畅地在倾斜面上上升。在倾斜面上升的处理液顺畅地流入处理液排出路。因此，能够抑制在基板的上表面产生颗粒。

本发明的另一实施方式提供一种基板处理方法，其包括：将在俯视下为圆形状的基板保持为水平的基板保持工序；空间划分工序，使具备圆板部和延设部的对置构件、以及在俯视下包围所述基板的环状构件在上下方向上移动，利用所述对置构件、所述环状构件、以及所述基板划分限制了来自外部的环境气体的流入的遮断空间，所述圆板部具有从上方与所述基板相对置的对置面，所述延设部从所述圆板部向以从所述基板的中央部通过的铅垂轴线为中心的径向上的外方延伸；通过朝向所述遮断空间供给非活性气体而用非活性气体置换所述遮断空间内的环境气体的环境气体置换工序；在所述遮断空间内的环境气体已被非活性气体置换的状态下，向所述基板的上表面供给处理液的处理液供给工序；以及处理液排出工序，在处理液存在于所述基板的上表面的状态下使所述基板在绕所述铅垂轴线的旋转方向上旋转，由此，将存在于所述基板的上表面的周缘部的处理液经由设于所述环状构件的引导面向由所述延设部和所述环状构件划分的处理液排出路引导，从所述处理液排出路向所述遮断空间外排出处理液。

根据该方法，通过使环状构件以及对置构件升降，利用基板、对置构件和环状构件划分遮断空间。在划分了遮断空间的状态下，通过朝向基板的上表面供给非活性气体，能够利用非活性气体置换遮断空间内的环境气体。由此，能够降低遮断空间内的氧浓度、即，基板的上表面附近的环境气体的氧浓度。遮断空间限制了来自外部的空间的环境气体的流入，因此，当遮断空间内的环境气体一旦被置换成非活性气体时，则易于维持在降低了遮断空间内的环境气体中的氧浓度的状态。

在遮断空间内的环境气体被置换为非活性气体的状态下，向基板的上表面供给处理液，由此，能够一边抑制处理液中的氧浓度的上升，一边利用处理液处理基板的上表面。

存在于基板的上表面的处理液接受基于基板旋转的离心力，从基板的上表面的周缘部移动，经由引导面而引导至处理液排出路。被引导至处理液排出路的处理液排出至遮断空间外。由于在基板的周缘部与处理液排出路之间存在引导面，所以基板的周缘部与对置构件的延设部充分分离。因此，能够抑制从基板的上表面排出的处理液从对置构件反弹而再附着至基板的上表面。假设从基板的上表面排出的处理液从对置构件反弹，其大部分也附着于与基板的上表面相比位于径向上的外方的引导面。因此，能够抑制处理液再附着于基板的上表面。因此，能够抑制在基板的上表面产生颗粒。

以上的结果为，能够降低基板的上表面附近的环境气体中的氧浓度，且能够抑制基板的上表面中的颗粒的产生。

在本发明的另一实施方式中，所述处理液排出路的宽度比铅垂方向上的所述遮断空间的宽度小。因此，能够通过处理液排出路的流体的流量为比较小的流量。因此，在处理液经由处理液排出路排出到遮断空间外的期间内，能够抑制遮断空间外的环境气体经由处理液排出路流入。因此，能够一边抑制处理液中的氧浓度的上升，一边利用处理液处理基板的上表面。

在本发明的另一实施方式中，所述环状构件具有排出路划分面，该排出路划分面与所述径向上的所述引导面的外方端连结，划分所述处理液排出路。然后，所述处理液排出路在所述引导面与所述排出路划分面的边界具有流入口。

根据该方法，处理液排出路的流入口设在连结于径向上的引导面的外方端的排出路划分面与引导面的边界。因此，处理液中的逆流的产生部位不在基板的上表面上，而在引导面上。因此，能够抑制在基板上的处理液中产生逆流。因此，能够抑制在基板的上表面产生颗粒。

在本发明的另一实施方式中，所述排出路划分面和所述引导面构成在水平方向上平坦的单一平坦面。根据该方法，在引导面与排出路划分面之间没有层差，而使引导面和排出路划分面构成在水平方向上平坦的单一平坦面。因此，能够使在引导面上流过的处理液顺畅地流入处理液排出路。因此，能够抑制在遮断空间内处理液飞溅，能够抑制因处理液的飞溅引起的颗粒的产生。

在本发明的另一实施方式中，所述基板处理方法在所述处理液排出工序中，还包括使所述环状构件和所述对置构件绕所述铅垂轴线进行与所述基板的同步旋转的同步旋转工序。因此，能够抑制在遮断空间内的气流的紊乱。

在本发明的另一实施方式中，所述环状构件和所述对置构件利用连结构件连结，所述连结构件在俯视下以随着趋向所述径向上的外方而趋向所述基板的旋转方向的下游侧的方式形成。因此，能够促进随着趋向径向上的外方而趋向旋转方向的下游侧的气流的产生。因此，能够进一步抑制在遮断空间内的气流的紊乱。

在本发明的另一实施方式中，所述引导面具有以随着趋向所述径向上的外方而趋向上方的方式倾斜的倾斜面。所述处理液供给工序包括积液形成工序，在积液形成工序中通过向所述基板的上表面供给处理液，利用所述倾斜面和所述基板的上表面接受处理液来形成处理液的积液，所述处理液排出工序包括使所述基板的旋转加速而从所述基板的上表面排除所述积液的积液排除工序。

根据该方法，向基板的上表面供给处理液，由此，能够利用倾斜面和基板的上表面形成处理液的积液。因此，由于处理液没有排出到基板的外方，所以能够利用形成积液所需的量的处理液处理基板的上表面。因此，能够降低处理液的消耗量。

倾斜面以随着趋向径向上的外方而趋向上方的方式倾斜。因此，通过使基板的旋转加速而使离心力作用于积液，能够使处理液顺畅地在倾斜面上上升。在倾斜面上上升的处理液顺畅地流入处理液排出路。因此，能够抑制在基板的上表面产生颗粒。

在本发明的另一实施方式中，所述径向上的所述环状构件的内方端面在铅垂方向上延伸。所述内方端面的上端部连结于所述引导面。然后，所述处理液供给工序包括积液形成工序，在该积液形成工序中，在以使所述环状构件的所述内方端面的所述上端部与所述基板的上表面相比位于上方的方式使所述环状构件移动的状态下朝向所述基板的上表面供给处理液，由此，利用所述环状构件的所述内方端面和所述基板的上表面接受处理液而形成处理液的积液。所述处理液排出工序包括积液排除工序，在该积液排除工序中，通过以使所述环状构件的所述内方端面的所述上端部位于与所述基板的上表面同一高度的方式使所述环状构件移动，从所述基板的上表面排除所述积液。

根据该方法，向基板的上表面供给处理液，由此，能够利用环状构件的内方端面和基板的上表面形成处理液的积液。因此，利用积液中的处理液处理基板的上表面。因此，若将形成积液所需的量的处理液供给至基板的上表面，能够处理基板的上表面。因此，与向基板的上表面供给的处理液不由内方端面接受而排出到基板外的构成相比，能够降低处理液的消耗量。

若以使环状构件的内方端面的上端部与基板的上表面位于相同的高度位置的方式使环状构件移动，则处理液从被内方端面接受的状态解放。因此，能够使存在于基板的上表面的处理液顺畅地流入处理液排出路。因此，能够抑制在基板的上表面产生颗粒。

在本发明的另一实施方式中，所述基板处理方法还包括使第1护罩和第2护罩个别地上下移动的护罩移动工序，所述第1护罩具有在俯视下包围所述对置构件以及所述环状构件的第1圆筒部、以及从所述第1圆筒部向所述径向上的内方延伸的第1圆环部，所述第2护罩具有在俯视下包围所述对置构件以及所述环状构件的第2圆筒部、以及从所述第2圆筒部向所述径向上的内方延伸、且从下方与所述第1圆环部相对置的第2圆环部。所述处理液排出路具有朝向所述径向上的外方排出处理液的排出口。然后，所述护罩移动工序包括在从所述排出口排出处理液时，以使所述处理液排出路在铅垂方向上位于所述径向上的所述第1圆环部的内方端与所述径向上的所述第2圆环部的内方端之间的方式使所述第1护罩以及所述第2护罩移动的工序。

根据该方法，在从排出口排出处理液时，第2护罩的第2圆环部与铅垂方向上排出口相比位于下侧。因此，被第1护罩反弹的处理液与第2护罩相比并不移动至径向上的内方，而是附着于第2护罩。因此，能够抑制被第1护罩反弹的处理液附着于基板的下表面。

在本发明的另一实施方式中，所述基板处理方法还包括与所述处理液排出工序并行执行的保护液供给工序，在所述保护液供给工序中，将保护所述基板的下表面的保护液朝向所述基板的下表面供给。然后，所述护罩移动工序包括以使所述第2圆环部的径向内方端与所述排出口相比位于下侧、且与所述环状构件的下端相比位于上侧的方式使所述第2护罩移动。

根据该方法，与处理液排出工序并行，朝向基板的下表面供给保护液。因此，在处理液的薄雾超过第2护罩而到达至基板的下表面附近的情况下，能够相对于该薄雾保护基板的下表面。

而且，以使径向上的第2圆环部的内方端与排出口相比位于下方、且与环状构件的下端相比位于上方的方式使第2护罩移动。因此，能够使第2护罩接受从基板的下表面向外方排出的保护液。即，能够使第1护罩接受从基板的上表面排出的处理液，且能够使第2护罩接受从基板的下表面向外方排出的保护液。因此，能够避免从基板排出的处理液与保护液的混合。因此，能够不使处理液以及保护液混合地进行回收。

在本发明的另一实施方式中，所述基板处理方法在所述处理液供给工序之前，还包括向所述基板的上表面供给冲洗液的预冲洗工序。在所述预冲洗工序中向所述基板的上表面供给的冲洗液堵塞所述环状构件与所述基板之间的间隙，被从所述处理液排出路排出。而且，所述预冲洗工序与所述环境气体置换工序并行执行。

环状构件与基板之间的间隙由冲洗液堵塞。因此，抑制经由该间隙的非活性气体的移动。另外，冲洗液经由处理液排出路从遮断空间向外部的空间排出。因此，只要没有作用压退处理液排出路内的冲洗液的程度的很大的力，就不会引起经由处理液排出路向遮断空间流入环境气体。另一方面，由于向遮断空间供给非活性气体，所以以不使遮断空间内的压力过度上升的方式将遮断空间内的空气与冲洗液一并经由处理液排出路而排出至外部的空间。

因此，能够进一步限制从外部的空间向遮断空间流入环境气体，并且能够将遮断空间内的环境气体置换为非活性气体。

本发明中的上述或者其他目的、特征以及效果根据接下来参照附图进行说明的实施方式的内容而变明朗。

附图说明

图1是示出本发明的第1实施方式的基板处理装置的布局的示意性的俯视图。

图2是示出所述基板处理装置所具有的处理单元的概略构成的示意性的局部剖视图。

图3是所述处理单元所具有的对置构件的延设部的周边的剖视图。

图4是沿着图2示出的IV-IV线的剖视图。

图5是示出所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。

图6是用于说明基于所述基板处理装置的基板处理的一例的流程图。

图7A是用于说明所述基板处理的情形的示意图。

图7B是用于说明所述基板处理的情形的示意图。

图7C是用于说明所述基板处理的情形的示意图。

图7D是用于说明所述基板处理的情形的示意图。

图7E是用于说明所述基板处理的情形的示意图。

图7F是用于说明所述基板处理的情形的示意图。

图8是用于说明所述基板处理中的环状构件附近的处理液的情形的示意图。

图9是用于说明在所述基板处理中护罩接受处理液的情形的示意图。

图10A是用于说明基于所述基板处理装置的基板处理的又一例的示意图。

图10B是用于说明基于所述基板处理装置的基板处理的又一例的示意图。

图11A是用于说明所述基板处理装置的变形例的示意图。

图11B是用于说明所述基板处理装置的变形例的示意图。

图12是示出本发明的第2实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的概略构成的示意性的局部剖视图。

图13是从上方观察第2实施方式的处理单元所具有的环状构件的周边的图。

图14是示出本发明的第3实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的概略构成的示意性的局部剖视图。

图15是第3实施方式的处理单元所具有的对置构件以及环状构件的周边的剖视图。

图16是用于说明使用了第3实施方式的基板处理装置的基板处理的示意图。

图17是用于说明使用了第3实施方式的基板处理装置的基板处理的又一例的示意图。

图18是示出本发明的第4实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的概略构成的示意性的局部剖视图。

图19是示出本发明的第5实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的概略构成的示意性的局部剖视图。

图20是用于说明所述环状构件连结的连结构件的变形例的示意图。

具体实施方式

＜第1实施方式＞

图1是示出本发明的第1实施方式的基板处理装置1的布局的示意性的俯视图。

基板处理装置1为对硅晶片等的基板W一张一张进行处理的叶枚式的装置。在该实施方式中，基板W为圆板状的基板。

基板处理装置1包括：利用流体处理基板W的多个处理单元2；装载端口LP，其载置有收容利用处理单元2处理的多张基板W的置物架C；在装载端口LP与处理单元2之间搬运基板W的搬运机械手IR以及CR；以及控制基板处理装置1的控制器3。

搬运机械手IR在置物架C与搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的构成。在后面进行详细说明，但在处理单元2内向基板W供给的处理液包括药液、冲洗液、置换液等。

各处理单元2具有腔室4、以及配置于腔室4内的处理杯7，在处理杯7内执行相对于基板W的处理。在腔室4形成有用于通过搬运机械手CR搬入基板W或者搬出基板W的输入输出口(未图示)。腔室4具备对该输入输出口进行开闭的闸门单元(未图示)。

图2是用于说明处理单元2的构成例的示意图。处理单元2包括旋转卡盘5、对置构件6、处理杯7、环状构件8、中央喷嘴11、多个第1下表面喷嘴12、以及多个第2下表面喷嘴13。

旋转卡盘5一边水平地保持基板W，一边使基板W绕从基板W的中央部通过的铅垂的旋转轴线A1(铅垂轴线)旋转。旋转卡盘5包括旋转基座21、旋转轴22、以及向旋转轴22赋予旋转力的旋转马达23。旋转轴22为中空轴。旋转轴22沿旋转轴线A1在铅垂方向上延伸。旋转轴线A1为从基板W的中央部通过的铅垂轴线。在旋转轴22的上端结合有旋转基座21。旋转基座21外嵌到旋转轴22的上端。旋转基座21的上表面在俯视下为圆形状。旋转基座21的上表面的直径比基板W的直径小。

旋转卡盘5还包括吸引单元27，该吸引单元27为了使旋转基座21保持基板W，对配置于旋转基座21的上表面的基板W进行吸引。

在旋转基座21以及旋转轴22插穿了吸引路径25。吸引路径25具有从旋转基座21的上表面的中心露出的吸引口24。吸引路径25连结于吸引管26。吸引管26连结于真空泵等的吸引单元27。在吸引管26介设于用于对该路径进行开闭的吸引阀28。

旋转卡盘5为用于水平地保持基板W的基板保持单元的一例。能够使用未图示的偏心传感器而将基板W配置在旋转基座21上的准确的位置。

通过利用旋转马达23使旋转轴22旋转，而使旋转基座21旋转。由此，使基板W与旋转基座21一并绕旋转轴线A1旋转。旋转马达23为使基板W绕旋转轴线A1旋转的基板旋转单元的一例。

以下，将以旋转轴线A1为中心的径向上的内方称为“径向内方”，将以旋转轴线A1为中心的径向上的外方称为“径向外方”。

对置构件6包括从上方与保持于旋转卡盘5的基板W相对置的圆板部65、以及从圆板部65向径向外方延伸的凸缘状(圆筒状)的延设部66。

圆板部65形成为与基板W具有几乎相同的直径或者其以上的直径的圆板状。圆板部65具有与基板W的上表面(上侧的表面)相对置的对置面6a。对置面6a与旋转卡盘5相比在上方沿大致水平方向配置。

延设部66从圆板部65向径向外方延伸，因此，与基板W的周缘相比位于径向外方。

在圆板部65与对置面6a相反一侧固定了中空轴60。在圆板部65在俯视下与旋转轴线A1重叠的部分形成有上下贯穿圆板部65、且与中空轴60的内部空间连通的连通孔6b。

中央喷嘴11收容在对置构件6的中空轴60的内部空间内。设于中央喷嘴11的前端的喷出口11a从上方与基板W的上表面的中央区域相对置。基板W的上表面的中央区域是指，在基板W的上表面上包括基板W的旋转中心以及其周围在内的区域。

中央喷嘴11包括将流体向下方喷出的多个配管(第1配管31、第2配管32、第3配管33以及第4配管34)、以及包围多个配管的筒状的壳体30。多个配管以及壳体30沿旋转轴线A1在上下方向上延伸。中央喷嘴11的喷出口11a也为各配管的喷出口。

第1配管31(中央喷嘴11)为将DHF(稀氟酸)等药液向基板W的上表面供给的药液供给单元的一例。第2配管32(中央喷嘴11)为将DIW等的冲洗液向基板W的上表面供给的冲洗液供给单元的一例。第3配管33(中央喷嘴11)为将IPA等的置换液向基板W的上表面供给的置换液供给单元的一例。即，中央喷嘴11为将药液、冲洗液、置换液等处理液向基板W的上表面供给的处理液供给单元的一例。

第4配管34(中央喷嘴11)为将氮气等非活性气体朝向基板W的上表面供给的非活性气体供给单元的一例。

第1配管31与将药液向第1配管31引导的药液配管40连接。若打开介设于药液配管40的药液阀50，则药液从第1配管31(中央喷嘴11)朝向基板W的上表面的中央区域以连续流喷出。

从第1配管31喷出的药液不限于DHF。即，从第1配管31喷出的药液可以为包括硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氟酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：氢氧化四甲基铵等)、表面活性剂、防腐剂中的至少一个在内的液体。作为将这些混合的药液的例子，举出有SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸过氧化氢水混合液)、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨-过氧化氢水混合液)等。

第2配管32与将冲洗液向第2配管32引导的上侧冲洗液配管41连接。若打开介设于上侧冲洗液配管41的上侧冲洗液阀51，则冲洗液从第2配管32(中央喷嘴11)朝向基板W的上表面的中央区域以连续流喷出。

作为冲洗液，举出有DIW、碳酸水、电解离子水、稀释浓度(例如，1ppm～100ppm左右)的盐酸水、稀释浓度(例如，1ppm～100ppm左右)的氨水、减水(富氢水)等。

第3配管33与将置换液向第3配管33引导的上侧置换液配管42连接。若打开介设于上侧置换液配管42的上侧置换液阀52，则置换液从第3配管33(中央喷嘴11)朝向基板W的上表面的中央区域以连续流喷出。

从第3配管33喷出的置换液为用于将基板W的上表面的冲洗液置换的液体。置换液优选为与冲洗液相比挥发性更高的液体。第2配管32喷出的置换液优选与冲洗液具有相溶性。

从第3配管33喷出的置换液例如为有机溶剂。作为从第3配管33喷出的置换液，举出包括IPA、HFE(氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮以及反-1,2-二氯乙烯中的至少一个在内的液体等。

另外，从第3配管33喷出的置换液不需要仅由单体成分构成，也可以为与其他成分混合的液体。例如，也可以为IPA和DIW的混合液，也可以为IPA和HFE的混合液。

第4配管34与将非活性气体向第4配管34引导的非活性气体配管43连接。若打开介设于非活性气体配管43的非活性气体阀53，则从非活性气体、第4配管34(中央喷嘴11)向下方连续地喷出。

从第4配管34喷出的非活性气体例如为氮气(N2)等的非活性气体。非活性气体为相对于基板W的上表面、或形成于基板W的上表面的图案的非活性的气体。作为非活性气体，不限于氮气，还能够使用氩气等的稀有气体。

图2仅示出了一个第1下表面喷嘴12，但在基板W的旋转方向R上彼此隔开间隔地配置多个第1下表面喷嘴12。第1下表面喷嘴12为将DIW等的冲洗液供给至基板W的下表面的下侧冲洗液供给单元的一例。

多个第1下表面喷嘴12分别与将冲洗液向第1下表面喷嘴12引导的多个下侧冲洗液配管44连接。若打开介设于下侧冲洗液配管44的下侧冲洗液阀54，则从第1下表面喷嘴12朝向基板W的下表面的外周区域以连续流喷出冲洗液。

基板W的下表面的外周区域是指，基板W的下表面的中央区域以及周缘区域之间的环状区域。基板W的下表面的中央区域是指，在基板W的下表面包括基板W的旋转中心以及其周围在内的区域。基板W的下表面的周缘区域是指，包括基板W的下表面的周缘以及其周围在内的区域。

作为从第1下表面喷嘴12喷出的冲洗液，举出了与从第2配管32喷出的冲洗液同样的冲洗液。即，作为从第1下表面喷嘴12喷出的冲洗液，举出有DIW、碳酸水、电解离子水、稀释浓度(例如，1ppm～100ppm左右)的盐酸水、稀释浓度(例如，1ppm～100ppm左右)的氨水、减水(富氢水)等。

图2仅示出了一个第2下表面喷嘴13，但在基板W的旋转方向R上彼此隔开间隔地配置多个第2下表面喷嘴13。第2下表面喷嘴13为将IPA等的置换液向基板W的下表面供给的下侧置换液供给单元的一例。

多个第2下表面喷嘴13分别与将置换液向第2下表面喷嘴13引导的多个下侧置换液配管45连接。若打开介设于下侧置换液配管45的下侧置换液阀55，则从第2下表面喷嘴13朝向基板W的下表面的外周区域以连续流喷出置换液。

作为从第2下表面喷嘴13喷出的冲洗液，举出有与从第3配管33喷出的置换液同样的冲洗液。即，作为从第3配管33喷出的置换液，举出了包括IPA、HFE(氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮以及反-1,2-二氯乙烯中的至少一个在内的液体等。

从第2下表面喷嘴13喷出的置换液不需要仅由单体成分构成，也可以为与其他成分混合的液体。例如，可以为IPA和DIW的混合液，也可以为IPA和HFE的混合液。

处理单元2还包括驱动对置构件6的升降的对置构件升降单元61、以及使对置构件6绕旋转轴线A1旋转的对置构件旋转单元62。对置构件升降单元61能够使对置构件6位于在从下位置到上位置为止的任意的位置(高度)。

下位置是指，在对置构件6的可动范围内，对置面6a最接近基板W的位置。上位置是指，在对置构件6的可动范围内对置面6a最远离基板W的位置。

为了使搬运机械手CR向旋转基座21的附近移动而使搬运机械手CR将基板W搬入腔室4内或从腔室4内搬出基板W，对置构件6需要位于上位置。

对置构件升降单元61例如包括与对中空轴60进行支承的支承构件(未图示)结合的滚珠丝杠机构(未图示)、以及对该滚珠丝杠机构赋予驱动力的电动马达(未图示)。对置构件升降单元61也称为对置构件升降器(遮断板升降器)。

对置构件旋转单元62例如包括使中空轴60旋转的电动马达(未图示)。电动马达例如内置于对中空轴60进行支承的支承构件。对置构件旋转单元62通过使中空轴60旋转，使对置构件6旋转。

环状构件8在俯视下包围基板W。环状构件8配置在对置构件6的延设部66的下方。环状构件8通过多个连结构件9而连结于延设部66。环状构件8连结于对置构件6，因此，伴随对置构件6的升降而升降。即，对置构件升降单元61还与对置构件6一并作为使环状构件8升降的环状构件升降单元发挥作用。

对置构件升降单元61能够使对置构件6移动至基板W、对置构件6以及环状构件8对限制环境气体流入来自外部的空间了的遮断空间SS(参照后述的图3)进行划分的遮断空间划分位置。遮断空间划分位置可以位于上位置与下位置之间的位置，也可以为下位置。

图3是对置构件6的延设部66的周边的剖视图。如图3所示，利用延设部66和环状构件8而划分出了从遮断空间SS向外部空间OS外排出处理液的处理液排出路10。外部空间OS包括对置构件6的上方的空间、基板W的下表面的下方的空间、以及对置构件6以及环状构件8的径向外方的空间。

延设部66包括铅垂方向上的宽度比圆板部65大的宽幅部80、以及将圆板部65和宽幅部80连结的连结部81。在铅垂方向上的连结部81的宽度随着趋向径向外方而变大。连结部81具有倾斜下表面81a，该倾斜下表面81a与对置面6a连结，以伴随趋向径向外方而朝向下方的方式倾斜。宽幅部80具有平坦下表面80a，该平坦下表面80a与倾斜下表面81a连结，在对置面6a的下方在水平方向上平坦地延伸。

遮断空间SS为对置构件6的圆板部65的对置面6a以及延设部66的倾斜下表面81a与基板W的上表面之间的空间。通过处理液排出路10将遮断空间SS和外部空间OS连通。

环状构件8具备上表面、下表面、径向内方的端面(内方端面84)、以及径向外方的端面。环状构件8的上表面以及下表面分别在俯视下为圆环状。环状构件8的上表面具备将存在基板W的上表面的周缘部的处理液向与基板W的上表面的周缘部相比的径向外方引导的环状的引导面85、以及与延设部66一并划分处理液排出路10的环状的排出路划分面86。内方端面84为沿铅垂方向延伸的圆筒状。

引导面85连结于内方端面84的上方端、以及排出路划分面86的径向内方端。引导面85以及排出路划分面86分别在水平方向上是平坦的。引导面85与排出路划分面86成为同一面。也就是说，引导面85以及排出路划分面86构成在水平方向上平坦且环状的单一平坦面。

在第1实施方式中，在对置构件6位于遮断空间划分位置时，环状构件8从径向外方与基板W相对置。在对置构件6位于遮断空间划分位置时，内方端面84的上方端以及引导面85位于与基板W的上表面相同的高度。

环状构件8的下表面具有环状的下侧倾斜面87、以及环状的下侧平坦面88。下侧倾斜面87连结至内方端面84的下方端，以随着趋向径向外方而趋向下方的方式倾斜。下侧平坦面88与下侧倾斜面87的径向外方端连结，在水平方向上平坦。

处理液排出路10由在水平方向上平坦的排出路划分面86以及平坦下表面80a划分。因此，处理液排出路10在俯视下为环状，在水平方向上延伸。

处理液排出路10具有供引导面85上的处理液流入的流入口10a、以及趋向径向外方排出处理液的排出口10b。流入口10a设于引导面85与排出路划分面86的边界。流入口10a位于处理液排出路10的径向内方端，排出口10b位于处理液排出路10的径向外方端。

铅垂方向上的遮断空间SS的宽度(遮断空间宽度D1)比水平方向上的基板W的周缘与环状构件8的内方端面84之间的间隙G的宽度(间隙宽度D2)大。遮断空间宽度D1比铅垂方向上的处理液排出路10的宽度(排出路宽度D3)大。

在此，遮断空间宽度D1包括铅垂方向上的对置面6a与基板W的上表面之间的距离、以及铅垂方向上的倾斜下表面81a与引导面85之间的距离。因此，在引导面85与排出路划分面86的边界，遮断空间宽度D1与排出路宽度D3相等。然而，在俯视下的大部分的部位中，遮断空间宽度D1比排出路宽度D3大，遮断空间宽度D1的平均值比排出路宽度D3大。

铅垂方向上的对置面6a与基板W的上表面之间的距离例如为10mm。间隙宽度D2以及排出路宽度D3分别例如为1mm。即，间隙宽度D2以及排出路宽度D3与遮断空间宽度D1相比足够小，因此，限制了环境气体从外部空间OS流入。

连结构件9设于处理液排出路10内，连结于延设部66的宽幅部80的平坦下表面80a和环状构件8的排出路划分面86。图4是沿着图2示出的IV-IV线的剖视图。如图4所示，多个连结构件9在基板W的旋转方向R上等间隔地配置。在本实施方式中，连结构件9设有6个。各连结构件9为沿铅垂方向延伸的圆柱状。

再次参照图2，处理杯7包括接受从由旋转卡盘5保持的基板W向外方飞溅的液体的多个护罩71、以及利用多个护罩71接受向下方引导的液体的多个杯72。

在该实施方式中，示出了设有两个护罩71(第1护罩71A以及第2护罩71B)、和两个杯72(第1杯72A以及第2杯72B)的例子。

第1杯72A以及第2杯72B分别具有朝上开放的环状槽的形态。

第1护罩71A配置为包围旋转基座21。第2护罩71B(内侧护罩)配置为与第1护罩71A(外侧护罩)相比在基板W的径向内方包围旋转基座21。

第1护罩71A以及第2护罩71B分别具有大致圆筒形状，各护罩71的上端部以趋向径向内方的方式向内方倾斜。

详细来说，第1护罩71A具有在俯视下包围对置构件6以及环状构件8的第1圆筒部75A、以及从第1圆筒部75A的上端向径向内方延伸的第1圆环部76A。第1圆环部76A以随着趋向径向内方而趋向上方的方式相对于水平方向倾斜。

第2护罩71B包括与第1圆筒部75A相比配置在内方且在俯视下包围对置构件6以及环状构件8的第2圆筒部75B、以及从第2圆筒部75B的上端向径向内方延伸的第2圆环部76B。第2圆环部76B从下方与第1圆环部76A相对置。第2圆环部76B以随着趋向径向内方而趋向上方的方式相对于水平方向倾斜。

第1杯72A利用第1护罩71A接受向下方引导的处理液。第2杯72B与第1护罩71A一体地形成，通过第2护罩71B接受向下方引导的处理液。由第1杯72A接受的处理液被与第1杯72A的下端连结的第1处理液回收路径(未图示)回收。由第2杯72B接受的处理液被与第2杯72B的下端连结的第2处理液回收路径(未图示)回收。

处理单元2包括使第1护罩71A以及第2护罩71B个别升降的护罩升降单元74。护罩升降单元74在下位置与上位置之间使第1护罩71A升降。护罩升降单元74在下位置与上位置之间使第2护罩71B升降。

在第1护罩71A以及第2护罩71B均位于上位置时，从基板W飞溅的处理液由第2护罩71B接受。在第2护罩71B位于下位置、且第1护罩71A位于上位置时，从基板W飞溅的处理液由第1护罩71A接受。

在第1护罩71A以及第2护罩71B均位于下位置、且对置构件6位于上位置时，搬运机械手CR能够向腔室4内搬入基板W或者从腔室4内搬出基板W。

护罩升降单元74例如包括与第1护罩71A结合的第1滚珠丝杠机构(未图示)、向第1滚珠丝杠机构赋予驱动力的第1马达(未图示)、与第2护罩71B结合的第2滚珠丝杠机构(未图示)、以及向第2滚珠丝杠机构赋予驱动力的第2马达(未图示)。护罩升降单元74也称为护罩升降器。

图5是示出基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制器3具备微型计算机，根据规定的控制程序控制基板处理装置1所具备的控制对象。

具体来说，控制器3包括处理器(CPU)3A以及保存有控制程序的存储器3B。控制器3构成为通过使处理器3A执行控制程序而执行用于基板处理的各种各样的控制。

特别是，控制器3以控制搬运机械手IR，CR、吸引单元27、旋转马达23、护罩升降单元74、对置构件旋转单元62、对置构件升降单元61、吸引阀28、药液阀50、上侧冲洗液阀51、上侧置换液阀52、非活性气体阀53、下侧冲洗液阀54、以及下侧置换液阀55的方式进行编程。

通过利用控制器3控制阀，控制有无来自对应的喷嘴的处理液或非活性气体的喷出、来自对应的喷嘴的处理液或非活性气体的喷出流量。

图6是用于说明基于基板处理装置1的基板处理的一例的流程图。图6主要示出了通过控制器3执行程序而实现的处理。图7A～图7F是用于说明所述基板处理的各工序的情形的示意图。以下，主要参照图2以及图6。适当参照图7A～图7F。

在基于基板处理装置1的基板处理中，例如，如图6所示，执行基板搬入工序(步骤S1)、遮断空间划分工序(步骤S2)、环境气体置换工序(步骤S3)、预冲洗工序(步骤S4)、药液供给工序(步骤S5)、冲洗工序(步骤S6)、置换液供给工序(步骤S7)、旋转干燥工序(步骤S8)以及基板搬出工序(步骤S9)。

首先，如图7A所示，未处理的基板W由搬运机械手CR从置物架C向处理单元2搬入，并交付至旋转卡盘5(步骤S1)。由此，基板W由旋转卡盘5呈水平地保持(基板保持工序)。在基板W的搬入时，对置构件6退避至上位置，多个护罩71退避至下位置。

到旋转干燥工序(步骤S8)结束为止持续由旋转卡盘5进行基板W的保持。护罩升降单元74在开始基板保持工序起到旋转干燥工序(步骤S8)结束为止的期间内，以使至少一个的护罩71位于上位置的方式，调整第1护罩71A以及第2护罩71B的高度位置。

接下来，在搬运机械手CR向处理单元2外退避之后，执行划分遮断空间SS的遮断空间划分工序(步骤S2)。具体来说，如图7B所示，对置构件升降单元61使对置构件6移动至遮断空间划分位置。由此，利用基板W、对置构件6以及环状构件8划分出遮断空间SS。

接下来，并行执行将遮断空间SS的环境气体置换成非活性气体的环境气体置换工序(步骤S3)、和利用冲洗液将基板W的上表面洗净的预冲洗工序(步骤S4)。

具体来说，旋转马达23开始基板W的旋转。然后，对置构件旋转单元62开始对置构件6以及环状构件8的旋转。对置构件旋转单元62使对置构件6以及环状构件8与基板W同步旋转(同步旋转工序)。基板W、对置构件6以及环状构件8的同步旋转到旋转干燥工序(步骤S8)结束为止持续进行。

然后，在对置构件6位于遮断空间划分位置的状态下，打开非活性气体阀53以及上侧冲洗液阀51。通过打开非活性气体阀53，如图7C所示，从中央喷嘴11喷出非活性气体，向遮断空间SS供给非活性气体。通过打开上侧冲洗液阀51，在基板W的上表面，如图7C所示，从中央喷嘴11朝向基板W的上表面喷出DIW等的冲洗液。喷出的冲洗液着液至基板W的上表面的中央区域。

由基板W的旋转产生的离心力作用于在基板W的上表面附着的冲洗液。因此，冲洗液通过离心力而被供给至基板W的上表面整体。到达了基板W的上表面的周缘部的冲洗液经由引导面85而流入处理液排出路10。然后，流入至处理液排出路10的冲洗液被排出到遮断空间SS外。间隙G被从基板W的上表面的周缘部向引导面85移动的冲洗液堵塞。

若开始向遮断空间SS供给非活性气体，则遮断空间SS内的空气开始被非活性气体从间隙G以及处理液排出路10压出。通过持续向遮断空间SS供给非活性气体，将遮断空间SS内的空气全部排出，在遮断空间SS内充满了非活性气体。也就是说，遮断空间SS内的环境气体被非活性气体置换。非活性气体阀53到旋转干燥工序(步骤S8)结束为止被维持在打开的状态。

在预冲洗工序中，环状构件8与基板W之间的间隙G由冲洗液堵塞。因此，抑制经由间隙G的非活性气体的移动。另外，经由处理液排出路10从遮断空间SS向外部空间OS排出冲洗液。因此，只要没有作用使处理液排出路10内的冲洗液压退的程度的很大的力，环境气体就不会经由处理液排出路10向遮断空间SS流入。另一方面，向遮断空间SS供给非活性气体，因此，以使遮断空间SS内的压力不过度上升的方式经由处理液排出路10向外部空间OS排出遮断空间SS内的空气。

因此，能够一边抑制从外部空间OS向遮断空间SS流入环境气体的流入，一边将遮断空间SS内的环境气体置换为非活性气体。

此外，在图7C中，图示了处理液排出路10被冲洗液填充了的状态，但在非活性气体从处理液排出路10通过而移动至外部空间OS时，压退冲洗液(处理液)的一部分而使其在处理液排出路10中移动(在图7D以后的附图中也为同样)。

接下来，执行为了用药液处理基板W的上表面而向基板W的上表面供给药液的药液供给工序(步骤S5)。

具体来说，在非活性气体充满了遮断空间SS内的状态下，关闭上侧冲洗液阀51，打开药液阀50。由此，停止来自中央喷嘴11的冲洗液的喷出，从中央喷嘴11朝向基板W的上表面喷出DHF等药液。

如图7D所示，喷出的药液着液于基板W的上表面的中央区域。药液供给工序为在遮断空间SS内的环境气体由非活性气体置换的状态下向基板W的上表面供给处理液的处理液供给工序的一例。预冲洗工序在处理液供给工序之前执行。

由基板W的旋转产生的离心力作用于在基板W的上表面附着的药液。因此，药液通过离心力而被供给至基板W的上表面整体，置换为存在于基板W的上表面的冲洗液。到达了基板W的上表面的周缘部的药液经由引导面85而流入至处理液排出路10。然后，药液经由处理液排出路10而排出到遮断空间SS之外(药液排出工序、处理液排出工序)。

另外，在药液供给工序中，打开多个下侧冲洗液阀54。由此，开始从多个第1下表面喷嘴12喷出冲洗液。从多个第1下表面喷嘴12喷出的冲洗液着液至基板W的下表面。

由基板W的旋转产生的离心力作用于在基板W的下表面附着的冲洗液。由此，冲洗液扩散到基板W的下表面的周缘部。通过使冲洗液扩散到基板W的下表面的周缘部，而保护基板W的下表面(下表面保护工序、保护液供给工序)。冲洗液作为保护基板W的下表面的保护液发挥作用。因此，第1下表面喷嘴12作为保护液供给单元发挥作用。

到达了基板W的下表面的周缘部的冲洗液被引导至环状构件8的下表面，此后，从环状构件8向径向外方飞溅。

接下来，执行向基板W的上表面供给冲洗液来冲洗掉存在于基板W的上表面的药液的冲洗工序(步骤S6)。具体来说，在非活性气体充满了遮断空间SS内的状态下，关闭药液阀50且打开上侧冲洗液阀51。由此，停止来自中央喷嘴11的药液的喷出，从中央喷嘴11朝向基板W的上表面喷出DIW等冲洗液。如图7E所示，喷出的冲洗液着液于基板W的上表面的中央区域。冲洗液供给工序为在遮断空间SS内的环境气体被非活性气体置换的状态下向基板W的上表面供给处理液的处理液供给工序的一例。

由基板W的旋转产生的离心力作用于在基板W的上表面附着的冲洗液。因此，冲洗液由离心力而供给至基板W的上表面整体，置换存在于基板W的上表面的药液。到达了基板W的上表面的周缘部的冲洗液经由引导面85而流入至处理液排出路10。然后，冲洗液经由处理液排出路10而排出到遮断空间SS外(冲洗液排出工序、处理液排出工序)。在冲洗工序中，多个下侧冲洗液阀54被维持在打开的状态。

接下来，执行为了用置换液置换存在于基板W的上表面的冲洗液而向基板W的上表面供给置换液的置换液供给工序(步骤S7)。具体来说，在非活性气体充满了遮断空间SS内的状态下，关闭上侧冲洗液阀51，打开上侧置换液阀52。由此，停止来自中央喷嘴11的冲洗液的喷出，从中央喷嘴11朝向基板W的上表面喷出IPA等置换液。如图7F所示，喷出的置换液着液于基板W的上表面的中央区域。置换液供给工序为在遮断空间SS内的环境气体被非活性气体置换的状态下向基板W的上表面供给处理液的处理液供给工序的一例。

由基板W的旋转产生的离心力作用于在基板W的上表面附着的置换液。因此，置换液通过离心力而供给至基板W的上表面整体，置换存在于基板W的上表面的冲洗液。到达了基板W的上表面的周缘部的置换液经由引导面85而流入处理液排出路10。然后，置换液经由处理液排出路10而排出到遮断空间SS外(置换液排出工序、处理液排出工序)。

在置换液供给工序中，关闭多个下侧冲洗液阀54，打开多个下侧置换液阀55。由此，停止来自多个第1下表面喷嘴12的冲洗液的喷出，开始从多个第2下表面喷嘴13喷出IPA等置换液。从多个第2下表面喷嘴13喷出的置换液着液于基板W的下表面。

由基板W的旋转产生的离心力作用于在基板W的下表面附着的置换液。由此，置换液扩散到基板W的下表面的周缘部(下表面保护工序、保护液供给工序)。置换液作为保护基板W的下表面的保护液发挥作用。因此，第2下表面喷嘴13作为保护液供给单元发挥作用。

置换液通过扩散到基板W的下表面的周缘部而置换存在于基板W的下表面的冲洗液。到达了基板W的下表面的周缘部的置换液被引导至环状构件8的下表面，此后，从环状构件8向径向外方飞溅。

接下来，执行旋转干燥工序(步骤S8)。具体来说，关闭上侧置换液阀52以及多个下侧置换液阀55。由此，停止向基板W的上表面以及下表面供给置换液。

然后，旋转马达23加速基板W的旋转，使基板W高速旋转。由此，很大的离心力作用于残留在基板W上的置换液，基板W上的置换液被向基板W的周围甩开。在旋转干燥工序中持续向遮断空间SS供给非活性气体，促进置换液的蒸发。

然后，旋转马达23使基板W的旋转停止，对置构件旋转单元62使对置构件6以及环状构件8的旋转停止。护罩升降单元74使第1护罩71A以及第2护罩71B移动至下位置。关闭非活性气体阀53。然后，对置构件升降单元61使对置构件6移动至上位置。

搬运机械手CR进入处理单元2，从旋转卡盘5的卡盘销20取出处理结束的基板W，向处理单元2外搬出(步骤S9)。从搬运机械手CR向搬运机械手IR交付该基板W，通过搬运机械手IR将该基板W收纳于置物架C。

接下来，说明基板处理中的环状构件8附近的处理液的情形。环状构件8附近的处理液的情形与处理液的种类无关地都相同。即，在预冲洗工序、药液供给工序、冲洗工序以及置换液供给工序的任一工序中也能够采用同样的说明。

图8是用于说明从遮断空间SS排出处理液时的环状构件8附近的处理液的情形的示意图。离心力作用于存在于基板W的上表面的处理液，环状构件8接近基板W的上表面的周缘部而配置。因此，到达了基板W的上表面的周缘部的处理液不会从基板W的周缘与环状构件8之间的间隙G向下方落下，而是从基板W的上表面的周缘部向径向外方移动而到达至引导面85。即，引导面85通过由基板W的旋转产生的离心力，使存在于基板W的上表面的处理液向基板W的上表面的周缘部的径向外方移动。

向引导面85上移动的处理液在引导面85上趋向径向外方移动，而流入至处理液排出路10的流入口10a。流入至处理液排出路10的流入口10a的处理液将处理液排出路10趋向径向外方而水平地移动，从排出口10b排出。

有时在处理液流入至处理液排出路10之前，引导面85上的处理液碰撞对置构件6的延设部66的倾斜下表面81a。在该情况下，在引导面85上的处理液中产生逆流(朝向径向内方的流动)，由该逆流的产生形成有充液部100。

若产生逆流，则担心趋向径向内方的处理液和趋向径向外方的处理液碰撞，在遮断空间SS内处理液飞溅。若向遮断空间SS内飞溅的处理液再附着于基板W的上表面，则在基板W上产生颗粒。

与本实施方式不同，若为没有设置引导面85的构成，则担心处理液排出路10的流入口10a配置在基板W的周缘部附近，因此，在基板W的上表面上产生处理液中的逆流。

在本实施方式中，处理液排出路10的流入口10a设于与径向上的引导面85的外方端连结的排出路划分面86和引导面85的边界。因此，即使产生了处理液中的逆流，该产生部位也不在基板W上，而在引导面85上。因此，能够抑制在基板W上的处理液中产生逆流。因此，能够在基板W的上表面产生颗粒。

在上述基板处理中，在开始基板保持工序起到旋转干燥工序(步骤S8)结束为止的期间内，以使至少一个护罩71位于上位置的方式，调整第1护罩71A以及第2护罩71B的高度位置。然而，特别在药液供给工序(步骤S4)中，护罩71优选设为以下说明的这种配置。图9是用于说明在基板处理中护罩71接受处理液的情形的示意图。

具体来说，在从排出口10b排出处理液(DHF)的期间内，使处理液排出路10位于在铅垂方向上第1护罩71A的第1圆环部76A的径向内方端76a与第2护罩71B的第2圆环部76B的径向内方端76b之间。具体来说，护罩升降单元74以使处理液排出路10位于在铅垂方向上第1圆环部76A的径向内方端76a与第2圆环部76B的径向内方端76b之间的方式移动第1护罩71A以及第2护罩71B(护罩移动工序)。

更详细来说，使第1护罩71A移动至或者维持在上位置。由此，以在铅垂方向上第1圆环部76A的径向内方端76a与排出口10b相比位于上方、且与延设部66的上端相比位于下方的方式被进出移动。第2护罩71B以在铅垂方向上第2圆环部76B的径向内方端76b与排出口10b相比位于下方、且与环状构件8的下端相比位于上方的方式被进行移动。

在从处理液排出路10的排出口10b排出处理液时，第1护罩71A的第1圆环部76A在铅垂方向上与排出口10b相比位于上方。因此，从排出口10b排出的处理液从第1圆环部76A以及第2圆环部76B之间通过而被第1圆筒部75A接受。有时由第1圆筒部75A接受的处理液从第1圆筒部75A反弹。

第2圆环部76B的径向内方端76b与铅垂方向上排出口10b相比位于下方。因此，从第1护罩71A反弹的处理液与第2护罩71B相比不向径向内方移动，而是从上方附着于第2圆环部76B、或者从径向外方附着于第2圆筒部75B。因此，能够抑制从第1护罩71A反弹的处理液附着于基板W的下表面。

第2圆环部76B的径向内方端76b与铅垂方向上环状构件8的下端相比位于上方，因此，能够抑制从第1护罩71A反弹的处理液从第2圆环部76B与环状构件8之间的间隙向径向内方移动。

另外，基板W的下表面由保护液(DIW)保护。因此，能够保护基板W的下表面，以避免受漂浮在基板W的下表面附近的处理液的薄雾等的影响。而且，在从排出口10b喷出了处理液的期间内，第2圆环部76B的径向内方端76b与排出口10b相比位于下方、且与环状构件8的下端相比位于上方，因此，能够使第2护罩71B接受从基板W的下表面向外方排出的保护液。即，能够利用第1护罩71A接受从基板W的上表面排出的处理液，且使第2护罩71B接受从基板W的下表面向外方排出的保护液。因此，能够避免处理液与保护液的混合而分别回收处理液以及保护液。

保护液通过离心力而向径向外方移动，从基板W的下表面到达环状构件8的下侧倾斜面87。下侧倾斜面87以随着趋向径向外方而趋向下方的方式倾斜。

因此，保护液沿着下侧倾斜面87的方向、即朝向斜向下方从环状构件8飞溅而由第2护罩71B的第2圆筒部75B接受。因此，能够抑制保护液朝向斜向上方飞溅。其结果为，能够抑制向斜上方飞溅的处理液进入第1护罩71A的第1圆环部76A与第2护罩71B的第2圆环部76B之间。

根据第1实施方式，与环状构件8一并使对置构件6移动至遮断空间划分位置，由此，利用基板W、对置构件6、环状构件8划分遮断空间SS。在形成有遮断空间SS的状态下，朝向基板W的上表面供给非活性气体，由此，能够将遮断空间SS内的环境气体置换为非活性气体。由此，能够降低遮断空间SS内的氧浓度、即，基板W的上表面附近的环境气体的氧浓度。

遮断空间SS限制来自外部空间OS的环境气体的流入。因此，当遮断空间SS内的环境气体一旦置换为非活性气体时，则易于维持在降低了遮断空间SS内的环境气体中的氧浓度的状态。

在遮断空间SS内的环境气体置换至非活性气体的状态下，向基板W的上表面供给处理液，由此，能够抑制理液中的氧浓度的上升，并且利用处理液处理基板W的上表面。

向基板W的上表面供给的处理液利用离心力朝向基板W的上表面的周缘部移动。到达了基板W的上表面的周缘部的处理液不从基板W飞溅，而移动至环状构件8的引导面85上。存在于引导面85的处理液经由处理液排出路10而排出到遮断空间SS外。由于在基板W的周缘部与处理液排出路10之间存在引导面85，所以基板W的周缘部与对置构件6的延设部66充分分离。因此，能够抑制从基板W的上表面排出的处理液从对置构件6反弹而再附着于基板W的上表面。假设即使从基板W的上表面排出的处理液从对置构件6反弹，其大部分附着于与基板W的上表面相比位于径向上的外方的引导面85。因此，能够抑制在基板W的上表面产生颗粒。

以上的结果为，能够降低基板W的上表面附近的环境气体中的氧浓度，且能够抑制基板W的上表面中的颗粒的产生。

另外，与第1实施方式不同，在基板W的上表面的周缘部与环状构件8不充分接近的情况下，不仅从引导面85以及处理液排出路10还从间隙G排出处理液。由此，担心引导面85上的处理液分散而成为液滴，并从引导面85反弹而再附着于基板W。在第1实施方式中，间隙宽度D2充分小、基板W的上表面的周缘部与环状构件8充分接近，因此，处理液不成为液滴，能够抑制从基板W的上表面向引导面85移动处理液。因此，能够抑制颗粒的产生。

根据第1实施方式，排出路宽度D3比遮断空间宽度D1小。因此，能够从处理液排出路10通过的流体的流量为比较小的流量。因此，能够抑制在处理液经由处理液排出路10而向遮断空间SS外排出的期间内，遮断空间SS外的环境气体经由处理液排出路10流入。因此，在遮断空间SS内的环境气体置换为非活性气体的状态下，向基板W的上表面供给处理液，由此，能够抑制处理液中的氧浓度的上升，并且利用处理液处理基板W的上表面。

在第1实施方式中，处理液排出路10的流入口10a设于与径向上的引导面85的外方端连结的排出路划分面86和引导面85的边界。因此，即使产生了处理液中的逆流，该产生部位也不在基板W上，而在引导面85上。因此，能够抑制在基板W上的处理液中产生逆流。因此，能够抑制在基板W的上表面产生颗粒。

与本实施方式不同，还能够在引导面85与排出路划分面86之间设置层差。在该情况下，与没有设置引导面85的构成相比，也能够抑制处理液的再附着。但担心附着于因层差而反弹的处理液，并且处理液再附着于基板的上表面的情况。由此，担心在基板W的上表面产生颗粒。

于是，根据第1实施方式，环状构件8具有与延设部66一并划分处理液排出路10的排出路划分面86。排出路划分面86以及引导面85构成在水平方向上平坦的单一平坦面。因此，能够使从引导面85上流过的处理液顺畅地流入处理液排出路10。因此，能够抑制在遮断空间SS内处理液飞溅，能够抑制因处理液的飞溅引起的颗粒的产生。

担心在基板W的旋转速度与对置构件6以及环状构件8的旋转速度之差很大的情况下，遮断空间SS内的气流紊乱。当气流紊乱时，有因气流使力作用于基板W的上表面的处理液，使基板W的上表面局部露出或者处理液在遮断空间SS内飞溅的情况。根据第1实施方式，划分遮断空间SS的基板W、环状构件8以及对置构件6同步旋转。因此，能够抑制在遮断空间SS内产生气流的紊乱。

在第1实施方式中，通过执行预冲洗工序，使间隙G由冲洗液堵塞。因此，预冲洗工序后的、药液供给工序的开始时，药液到达间隙G的附近为止，维持间隙G被冲洗液堵塞的状态。因此，抑制从开始供给药液时空气向间隙G流入。因此，在药液供给时降低遮断空间SS内的氧浓度。

另外，在此后的冲洗工序以及置换液供给工序中，间隙G也分别由冲洗液以及置换液堵塞。因此，在向基板W的上表面供给了处理液的期间内，抑制空气从间隙G流入。

与第1实施方式不同，在没有设有对置构件6的构成中，环状构件8不旋转。因此，担心从基板W的周缘向径向外方移动的处理液残留在引导面85上。残留在引导面85上的处理液在环境气体中飞溅，由此，担心在基板W上产生颗粒。

于是，在第1实施方式中，在对置构件6连结有环状构件8，因此，在排除基板W上的处理液时能够与对置构件6一并使环状构件8旋转。因此，由于处理液难以残留在引导面85上，所以在基板W上不易产生颗粒。另外，将对置构件6以及环状构件8连结的多个连结构件设在处理液排出路10内。因此，与连结构件9设于处理液排出路10的径向内方的构成相比，在碰撞了连结构件9的处理液反弹的情况下，该反弹的处理液不易附着于基板W的上表面。

图10A以及图10B是用于说明基板处理的又一例的示意图。在图10A以及图10B中，为了便于说明而省略了连结构件9的图示。在该另一例的基板处理中，如图10B所示，将环状构件8的内方端面84的上端部为与基板W的上表面相同的高度位置时的对置构件6的位置称为第一遮断空间划分位置。第一遮断空间划分位置为与图3示出的遮断空间划分位置相同的位置。

在该另一例的基板处理中，如图10A所示，在处理液供给工序中，对置构件升降单元61(参照图2)将对置构件6配置于第二遮断空间划分位置。

第二遮断空间划分位置为在环状构件8的内方端面84的上端部与基板W的上表面相比位于上方的状态下，利用基板W、对置构件6以及环状构件8划分遮断空间SS时的对置构件6的位置。

在对置构件6位于第二遮断空间划分位置的状态下，朝向基板W的上表面从中央喷嘴11供给药液等的处理液。由此，由环状构件8的内方端面84和基板W的上表面接受处理液而形成有处理液的积液101(积液形成工序)。

因此，利用积液101中的处理液处理基板W的上表面。因此，若将形成积液101所需的量的处理液供给至基板W的上表面，则能够处理基板W的上表面。因此，与向基板W的上表面供给的处理液不由内方端面84接受而向基板W外排出的构成相比，能够降低处理液的消耗量。第二遮断空间划分位置也称为积液形成位置。

然后，在形成了积液101起经过了规定时间之后，如图10B所示，对置构件升降单元61(参照图2)使对置构件6移动至第一遮断空间划分位置。即，使环状构件8的内方端面84的上端部移动至与基板W的上表面相同的高度位置。图10B用双点划线示出了对置构件6位于第二遮断空间划分位置时的对置构件6以及环状构件8。

通过使对置构件6移动至第一遮断空间划分位置，使存在于基板W的上表面的处理液从被内方端面84接受的状态解放。因此，处理液通过离心力而向径向外方移动，积液101被从基板W的上表面排除(积液排除工序)。

通过离心力而向基板W的周缘部的外方移动的处理液经由引导面85而向处理液排出路10顺畅地流入(参照图8)。因此，能够抑制在基板W的上表面产生颗粒。

接下来，说明第1实施方式的基板处理装置1的变形例。图11A以及图11B是用于说明第1实施方式的基板处理装置1的变形例的示意图。在图11A以及图11B中，为了便于说明，省略了连结构件9的图示。

在第1实施方式的变形例的环状构件8中，如图11A所示，引导面85为倾斜面。变形例的引导面85以随着趋向径向外方而趋向上方的方式倾斜。另外，在第1实施方式的变形例的环状构件8中，没有设置下侧倾斜面87，下侧平坦面88连结于内方端面84的下方端。

另外，在该变形例中，对置构件6的宽幅部80的平坦下表面80a和对置构件6的连结部81的倾斜下表面81a的边界6c与环状构件8的引导面85和环状构件8的排出路划分面86的边界8c相比位于径向内方。

在对置构件6位于遮断空间划分位置时，内方端面84的上方端位于与基板W的上表面相同的高度。

此外，在该变形例中，也明确构成为在俯视下的大部分部位中，遮断空间宽度D1比排出路宽度D3大，遮断空间宽度D1的平均值比排出路宽度D3大。

在第1实施方式的基于基板处理装置1的基板处理中，在对置构件6位于遮断空间划分位置的状态下，朝向基板的上表面从中央喷嘴11供给药液等处理液。由此，如图11A所示，利用环状构件8的引导面85和基板W的上表面接受处理液而形成处理液的积液101(积液形成工序)。因此，利用积液101中的处理液处理基板W的上表面。因此，若将形成积液101所需的量的处理液向基板W的上表面供给，则能够处理基板W的上表面。因此，与向基板W的上表面供给的处理液不由倾斜的引导面85接受而向基板W外排出的构成相比，能够降低处理液的消耗量。

然后，在形成了积液101起经过了规定时间之后，如图11B所示，旋转马达23使基板W的旋转加速(基板加速工序)。具体来说，基板W的旋转速度从规定的积液形成速度(例如，10rpm)变更为积液排出速度(例如，1000rpm)。在该变形例中，引导面85以随着趋向径向外方而趋向上方的方式倾斜。因此，通过使基板W的旋转加速而使离心力作用于积液101，能够使处理液沿引导面85顺畅地上升。因此，处理液向径向外方移动，积液101被从基板W的上表面排除(积液排除工序)。在引导面85上上升的处理液顺畅地流入处理液排出路10。因此，能够在基板W的上表面产生颗粒。

在此，在平坦下表面80a与倾斜下表面81a的边界6c和引导面85与排出路划分面86的边界8c位于在俯视下重叠的位置的情况下、或边界6c与边界8c相比位于径向内方的情况下，有在引导面85上上升的处理液与倾斜下表面81a发生碰撞的情况。由此，担心会在引导面85上的处理液中产生成为处理液被堵塞而产生颗粒的原因的逆流。

如图11A以及图11B所示，若构成为平坦下表面80a与倾斜下表面81a的边界6c与引导面85与排出路划分面86的边界8c相比位于径向内方，则在引导面85上上升的处理液不与倾斜下表面81a碰撞而与平坦下表面80a碰撞。由此，处理液不被堵塞而顺畅地流入处理液排出路10。

＜第2实施方式＞

图12是示出本发明的第2实施方式的基板处理装置1所具有的处理单元2P的概略构成的示意性的局部剖视图。在图12以及后述的图13中，对与上述图1～图11B示出的构成同等的构成标注与图1等相同的附图标记，并省略对其进行说明。

在第2实施方式的处理单元2P中，基板保持的形式与第1实施方式的处理单元2(参照图2)不同。

具体来说，处理单元2P的旋转卡盘5P不包括吸引单元27，包括把持基板W的周缘的多个卡盘销20。多个卡盘销20在彼此周向(旋转方向R)上隔开间隔地配置在旋转基座21的上表面。多个卡盘销20能够在与基板W的周端接触而把持基板W的闭状态、与从基板W的周端退避的开状态之间进行开闭。

而且，第2实施方式的处理单元2P不包括多个第1下表面喷嘴12以及多个第2下表面喷嘴13，而包括下表面喷嘴14。

下表面喷嘴14插入至在旋转基座21的上表面中央部开口的贯穿孔21a、以及中空的旋转轴22。下表面喷嘴14的喷出口14a从旋转基座21的上表面露出。下表面喷嘴14的喷出口14a在基板W的下表面(下侧的表面)的中央区域从下方相对置。

在下表面喷嘴14连接有将冲洗液、以及置换液共同向下表面喷嘴14引导的共同配管46的一端。在共同配管46的另一端连接有向共同配管46引导冲洗液的下侧冲洗液配管47、以及向共同配管46引导置换液的下侧置换液配管48。

若打开介设于下侧冲洗液配管47的下侧冲洗液阀57，则从下表面喷嘴14朝向基板W的下表面的中央区域以连续流喷出冲洗液。若打开介设于下侧置换液配管48的下侧置换液阀58，则从下表面喷嘴14朝向基板W的下表面的中央区域以连续流喷出置换液。

通过下表面喷嘴14与旋转基座21的贯穿孔21a之间的空间而形成有下侧气体流路90。下侧气体流路90与插穿至旋转轴22的内周面和下表面喷嘴14之间的空间的非活性气体配管49连接。若打开介设于非活性气体配管49的非活性气体阀59，则从下侧气体流路90朝向基板W的下表面的中央部周围的部分喷出非活性气体。

下表面喷嘴14为向基板W的下表面供给冲洗液的下侧冲洗液供给单元的一例。另外，下表面喷嘴14为向基板W的下表面供给置换液的下侧置换液供给单元的一例。另外，下表面喷嘴14为朝向基板W的下表面供给非活性气体的下侧非活性气体供给单元的一例。

处理单元2P所具有的对置构件6、环状构件8以及连结构件9分别具备与第1实施方式的处理单元2所具有的对置构件6、环状构件8以及连结构件9大致相同的形状。但处理单元2P所具有的环状构件8的构造与第1实施方式的环状构件8稍有不同。图13是从上方观察第2实施方式的处理单元2P所具有的环状构件8的周边的图。

在处理单元2P所具有的环状构件8形成有用于避免与多个卡盘销20发生干涉的多个凹部8a。设有与多个卡盘销20相同数量的多个凹部8a，以与卡盘销20彼此之间的间隔相同的间隔在旋转方向R上排列。

在第2实施方式的基板处理装置1中，能够执行与第1实施方式的基板处理装置1同样的基板处理(参照图6～图9)。但在第2实施方式的基于基板处理装置1的基板处理中，通过从下表面喷嘴14喷出冲洗液或者置换液而保护基板W的下表面(下表面保护工序、保护液供给工序)。在第2实施方式中，下表面喷嘴14作为保护液供给单元发挥作用。另外，可以通过朝向基板W的下表面吹出非活性气体，用非活性气体置换将基板W的下表面与旋转基座21之间的空间中的环境气体。在该情况下，能够进一步抑制空气(氧)流入遮断空间SS。

根据第2实施方式，发挥与第1实施方式同样的效果。另外，在第2实施方式中，也能够执行图10A以及图10B示出的基板处理，也能够应用图11A以及图11B示出的变形例。

＜第3实施方式＞

图14是示出本发明的第3实施方式的基板处理装置1所具有的处理单元2Q的概略构成的示意性的局部剖视图。在图14以及后述的图15～图17中，对与上述图1～图13示出的构成同等的构成标注与图1等相同的附图标记，省略对其进行说明。

在第3实施方式的处理单元2Q中，对置构件6Q的延设部66Q和环状构件8Q的第1实施方式的处理单元2(参照图2)不同。图15是第3实施方式的处理单元2Q所具有的对置构件6Q以及环状构件8Q的周边的剖视图。

第3实施方式的对置构件6Q的延设部66Q包括铅垂方向上的宽度比圆板部65大的宽幅部110、以及将圆板部65和宽幅部110连结的连结部111。铅垂方向上的连结部111的宽度随着趋向径向外方而变大。

连结部111具有倾斜下表面111a，该倾斜下表面111a与对置面6a连结，以随着趋向径向外方而趋向下方的方式倾斜。宽幅部110具有与倾斜下表面111a连结且沿铅垂方向延伸的铅垂圆筒面110a、以及与铅垂圆筒面110a的下端连结且在水平方向上平坦的平坦下表面110b。

引导面85连结至内方端面84的上方端、以及排出路划分面86的径向内方端。引导面85在水平方向上平坦。排出路划分面86包括与引导面85的径向外方端连结且以随着趋向径向外方而趋向下方的方式倾斜的倾斜划分面86A、以及与倾斜划分面86A的径向外方端连结且沿铅垂方向延伸的铅垂划分面86B。

第3实施方式的处理液排出路10Q包括与遮断空间SS连接且由倾斜下表面111a和倾斜划分面86A划分的倾斜排出路120、以及与倾斜排出路120连接且由铅垂圆筒面110a和铅垂划分面86B划分的铅垂排出路121。处理液排出路10Q的流入口10Qa设于倾斜排出路120的径向内方端。处理液排出路10Q的排出口10Qb设于铅垂排出路121的下方端。

处理液排出路10Q的宽度(排出路宽度D3)为倾斜划分面86A与倾斜下表面111a之间的距离、或者铅垂划分面86B与铅垂圆筒面110a之间的距离。在第3实施方式中，在俯视下的大部分部位中，遮断空间宽度D1也明显比排出路宽度D3大，遮断空间宽度D1的平均值比排出路宽度D3大。

在第3实施方式中，在对置构件6位于遮断空间划分位置时，内方端面84的上方端以及引导面85位于与基板W的上表面相同的高度。

在第3实施方式的基板处理装置1中，能够执行与第1实施方式的基板处理装置1同样的基板处理(参照图6～图7F)。

接下来，在第3实施方式的基板处理中，说明在从遮断空间SS排出处理液时的情形。图16是用于说明使用了第3实施方式的基板处理装置1的基板处理的示意图。

离心力作用于存在于基板W的上表面的处理液，环状构件8Q靠近基板W的上表面的周缘部而配置。因此，到达了基板W的上表面的周缘部的处理液不会从基板W的周缘与环状构件8Q之间的间隙G向下方落下，从基板W的上表面的周缘部向径向外方移动而到达引导面85。即，引导面85通过由基板W的旋转产生的离心力，使存在于基板W的上表面的处理液与基板W的上表面的周缘部相比向径向外方移动。使间隙G被处理液堵塞。

移动至引导面85上的处理液在引导面85上朝向径向外方移动，流入至处理液排出路10Q的流入口10Qa。流入至处理液排出路10Q的流入口10Qa的处理液在倾斜排出路120内朝向径向外方移动，此后，在铅垂排出路121内朝向下方移动。此后，处理液从排出口10Qb排出。

引导面85上的处理液有时与对置构件6Q的延设部66的倾斜下表面111a碰撞。在该情况下，在引导面85上的处理液中产生逆流(趋向径向内方的流动)，根据该逆流的产生而形成有充液部100。

在第3实施方式中，处理液排出路10Q的流入口10Qa设于与径向上的引导面85的外方端连结的排出路划分面86Q和引导面85的边界。因此，即使产生处理液中的逆流，该产生部位也不在基板W上，而在引导面85上。因此，能够抑制在基板W上的处理液中产生逆流。因此，能够抑制在基板W的上表面上产生颗粒。而且，根据第3实施方式，发挥与第1实施方式同样的效果。

在第3实施方式中，也与第1实施方式同样地，能够执行基板处理的又一例。图17是用于说明使用了第3实施方式的基板处理装置1的基板处理的又一例的示意图。在该另一例的基板处理中，将上述图16示出的对置构件6Q的位置称为第一遮断空间划分位置。在对置构件6Q位于第一遮断空间划分位置时，环状构件8Q的内方端面84的上端部位于与基板W的上表面相同的高度位置。

如图17所示，在处理液供给工序中，对置构件升降单元61(参照图14)将对置构件6Q配置于第二遮断空间划分位置。第二遮断空间划分位置为在环状构件8Q的内方端面84的上端部与基板W的上表面相比位于上方的状态下，在利用基板W、对置构件6Q以及环状构件8Q划分遮断空间SS时的对置构件6Q的位置。

在对置构件6Q位于第二遮断空间划分位置的状态下，朝向基板的上表面从中央喷嘴11(参照图14)供给药液等的处理液。由此，通过环状构件8Q的内方端面84和基板W的上表面接受处理液而形成有处理液的积液101(积液形成工序)。从而利用积液101中的处理液处理基板W的上表面。因此，若将形成积液101所需的量的处理液向基板W的上表面供给，则能够处理基板W的上表面。因此，与向基板W的上表面供给的处理液不由内方端面84接受而排出到基板W外的构成相比，能够降低处理液的消耗量。

然后，在形成了积液101起经过了规定时间之后，对置构件升降单元61使对置构件6Q移动至第一遮断空间划分位置。即，使环状构件8Q的内方端面84的上端部移动至与基板W的上表面相同的位置(参照图16)。由此，存在于基板W的上表面的处理液从被内方端面接受的状态解放。因此，处理液通过离心力而向径向外方移动，积液101从基板W的上表面排除(积液排除工序)。

通过离心力而向基板W的周缘部的外方移动的处理液经由引导面85而顺畅地流入处理液排出路10(参照图16)。因此，能够在基板W的上表面产生颗粒。

＜第4实施方式＞

图18是示出本发明的第4实施方式的基板处理装置1所具有的处理单元2R的概略构成的示意性的局部剖视图。在图18中，对与上述图1～图17示出的构成同等的构成标注与图1等相同的附图标记，并省略对其进行说明。

在第4实施方式的处理单元2R中，基板保持的形式与第3实施方式的处理单元2Q(参照图14)不同。第4实施方式的处理单元2R为将第3实施方式的对置构件6Q以及环状构件8Q、以及第2实施方式的旋转卡盘5P组合而得到的构成。

在第4实施方式的基板处理装置1中，能够执行与第1实施方式的基板处理装置1同样的基板处理(参照图6～图7F)。在从遮断空间SS排出处理液时的情形与第3实施方式中的说明相同(参照图16)。

在第4实施方式的基于基板处理装置1的基板处理中，通过从下表面喷嘴14喷出冲洗液或者置换液来保护基板W的下表面(下表面保护工序、保护液供给工序)。在该情况下，下表面喷嘴14作为保护液供给单元发挥作用。

另外，也可以通过朝向基板W的下表面吹出非活性气体，用非活性气体置换基板W的下表面与旋转基座21之间的空间中的环境气体。在该情况下，能够进一步抑制氧向遮断空间SS的流入。

根据第4实施方式，发挥与第1实施方式同样的效果。另外，在第4实施方式中也与第3实施方式同样地，能够执行图17示出的基板处理的又一例。

＜第5实施方式＞

图19是示出本发明的第5实施方式的基板处理装置所具有的处理单元的概略构成的示意性的局部剖视图。在图19中，对与上述图1～图18示出的构成同等的构成标注与图1等相同的附图标记，并省略对其进行说明。

第5实施方式的处理单元2S的对置构件6Q以及环状构件8Q的升降以及旋转的构造与第4实施方式的处理单元2R(参照图18)不同。第5实施方式的处理单元2S的对置构件6Q以及环状构件8Q通过支承构件升降单元131来升降，且通过旋转马达23而旋转。支承构件升降单元131为使悬挂对置构件6Q来支承的支承构件130升降的单元。

以下，详细说明第5实施方式的处理单元2S中与第4实施方式的处理单元2R的不同点。

第5实施方式的对置构件6Q还包括从中空轴60的上端向水平延伸的多个凸缘部63。对置构件6Q例如能够利用磁力与旋转基座21卡合。详细来说，设于环状构件8Q的多个第1卡合部135以及设于旋转基座21的多个第2卡合部136通过磁力而彼此吸引从而凹凸卡合。

多个第1卡合部135从环状构件8Q的下表面向下方延伸。多个第1卡合部135在绕旋转轴线A1的周向(旋转方向R)上彼此隔开间隔地配置。多个第2卡合部136在绕旋转轴线A1的周向(旋转方向R)上彼此隔开间隔，与多个卡盘销20相比在径向外方配置在旋转基座21的上表面。

在环状构件8Q的各第1卡合部135与旋转基座21的对应的第2卡合部136卡合时，对置构件6Q以及环状构件8Q能够与旋转基座21一体旋转。旋转马达23也作为绕旋转轴线A1使对置构件6Q以及环状构件8Q旋转的对置构件旋转单元发挥作用。在对置构件6Q位于遮断空间划分位置时，环状构件8Q与旋转基座21卡合(参照图19的双点划线)。

支承构件130包括：支承对置构件6Q的对置构件支承部132；与对置构件支承部132相比设在上方且对中央喷嘴11的壳体30进行支承的喷嘴支承部133；以及将对置构件支承部132以及喷嘴支承部133连结而向铅垂方向延伸的壁部134。

对置构件支承部132从下方支承对置构件6Q(的凸缘部63)。

在对置构件支承部132的中央部形成有供中空轴60插穿的筒状部插穿孔132a。

在各凸缘部63形成有在上下方向上贯穿凸缘部63的定位孔63a。在对置构件支承部132形成有能够与对应的凸缘部63的定位孔63a卡合的卡合突起132b。在各定位孔63a卡合对应的卡合突起132b，由此，在旋转方向R上相对于支承构件130定位对置构件6Q以及环状构件8Q。

支承构件升降单元131例如包括使支承构件130升降的滚珠丝杠机构(未图示)、以及对该滚珠丝杠机构赋予驱动力的电动马达(未图示)。支承构件升降单元131由控制器3进行控制(参照图5的双点划线)。

支承构件升降单元131能够使支承构件130位于从上位置(图19中用实线示出的位置)到下位置(图19中用双点划线示出的位置)之间的规定的高度位置。下位置为在支承构件130的可动范围内，支承构件130最接近旋转基座21的上表面的位置。上位置为在支承构件130的可动范围内，支承构件130最远离旋转基座21的上表面的位置。

支承构件130在位于上位置时，悬挂对置构件6Q来进行支承。支承构件130通过支承构件升降单元131升降，由此，从位于上位置与下位置之间的卡合位置通过。

支承构件130从上位置到卡合位置为止与对置构件6Q以及环状构件8Q一并下降。若支承构件130到达卡合位置，则向旋转基座21交接对置构件6Q以及环状构件8Q。支承构件130若与卡合位置相比到达下方，则从对置构件6Q分离。

支承构件130若从下位置上升且到达卡合位置，则从旋转基座21接受对置构件6Q以及环状构件8Q。支承构件130从卡合位置到上位置为止与对置构件6Q以及环状构件8Q上升。

像这样，通过支承构件130由支承构件升降单元131升降，使对置构件6Q以及环状构件8Q相对于旋转基座21升降。因此，支承构件升降单元131作为对置构件升降单元发挥作用。

在第5实施方式的基板处理装置1中，能够执行与第4实施方式的基板处理装置1同样的基板处理。但在第5实施方式的基板处理中，在支承构件130位于下位置(图19中用双点划线示出的位置)的状态下，执行环境气体置换工序(步骤S3)～旋转干燥工序(步骤S8)。因此，在向基板W的上表面以及下表面供给处理液时，能够使对置构件6Q以及环状构件8Q和基板W可靠地同步旋转。

根据第5实施方式的构成，发挥与第1实施方式同样的效果。

＜其他实施方式＞

本发明不限于以上说明的实施方式，还能够以其他形态实施。

例如，与上述各实施方式不同，能够应用于将用于在基板W的上表面形成聚合物层的聚合物层形成液用作处理液的基板处理。作为聚合物层形成液，例如而举出有使基板W的表面疏水的疏水化剂。为与形成于基板W的表面的图案的表面的SiO₂膜发生反应而形成牺牲层的液体。

作为疏水化剂，例如能够使用使硅自身以及包含硅在内的化合物疏水的硅系的疏水化剂、或者使金属自身以及包含金属在内的化合物疏水的金属系的疏水化剂。

金属系的疏水化剂例如包括具有疏水基团的胺、以及有机硅化合物的至少一个。硅系的疏水化剂例如为硅烷偶联剂。硅烷偶联剂例如包括HMDS(六甲基二硅氮烷)、TMS(四甲基硅烷)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氮烷、以及非氯疏水剂的至少一个。非氯疏水剂例如包括二甲基甲硅烷基二甲胺、二甲基甲硅烷基二乙胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲氨基)二甲基硅烷、N，N-二甲氨基三甲基硅烷、N-(三甲基甲硅烷基)二甲胺以及有机硅烷化合物的至少一个。

聚合物层形成液比较昂贵，因此，想要削减消耗量。如上述的实施方式那样，在基板W的上表面形成聚合物层形成液的积液101并处理基板W的上表面的手法是有效的。

另外，在第1实施方式以及第2实施方式中，连结部81具有以随着趋向径向外方而趋向下方的方式倾斜的倾斜下表面81a。然而，连结部81也可以不具有以随着趋向径向外方而趋向下方的方式倾斜的倾斜下表面81a，而是如图3中用双点划线示出那样，具有与对置面6a成为一个面的下表面。在该情况下，引导面85上的处理液在流入至处理液排出路10之前，与对置构件6的延设部66的宽幅部80的径向内方端面80b碰撞，由此，在引导面85上的处理液中产生逆流。

另外，上述实施方式中的连结构件9为沿铅垂方向延伸的圆柱状。与上述的实施方式不同，如图20所示，各连结构件9也可以以在俯视下随着趋向径向外方而趋向基板W的旋转方向R的下游侧RD的方式形成。

在基板W正在旋转的情况下，在遮断空间SS中，易于产生随着趋向径向外方而趋向旋转方向R的下游侧RD的气流F(参照图9)。若连结构件9以在俯视下随着趋向径向外方而趋向基板W的旋转方向R的下游侧RD的方式形成，则能够促进随着趋向径向外方而趋向旋转方向R的下游侧RD的气流的产生。因此，能够进一步抑制气流的紊乱。

另外，在上述实施方式中，连结构件9设在处理液排出路10内，但连结构件9也可以设在遮断空间SS内，在该情况下，虽未图示，但连结于引导面85和倾斜下表面81a。

以上详细地说明了本发明的实施方式，但这些只不过是为了使本发明的技术内容明确而使用的具体例，本发明不由这些具体例限定和解释，本发明的范围仅由添附的权利要求的范围来限定。

本申请与在2019年7月19日向日本专利局提出的特愿2019-133864号对应，将该申请的全部公开内容援引至此。

附图标记说明

1：基板处理装置

3：控制器

5：旋转卡盘(基板保持单元)

5P：旋转卡盘(基板保持单元)

6：对置构件

6Q：对置构件

6a：对置面

8：环状构件

8Q：环状构件

9：连结构件

10：处理液排出路

10Q：处理液排出路

10a：流入口

10Qa：流入口

10b：排出口

11：中央喷嘴(处理液供给单元、非活性气体供给单元)

12：第1下表面喷嘴(保护液供给单元)

13：第2下表面喷嘴(保护液供给单元)

14：下表面喷嘴(保护液供给单元)

23：旋转马达(基板旋转单元、对置构件旋转单元)

61：对置构件升降单元

62：对置构件旋转单元

65：圆板部

66：延设部

66Q：延设部

71A：第1护罩

71B：第2护罩

74：护罩升降单元

75A：第1圆筒部

75B：第2圆筒部

76A：第1圆环部

76B：第2圆环部

84：内方端面

85：引导面

86：排出路划分面

101：积液

D1：遮断空间宽度(铅垂方向上的遮断空间的宽度)

D3：排出路宽度(处理液排出路的宽度)

SS：遮断空间

W：基板。

Claims (19)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

将基板保持为水平的基板保持单元；

绕从由所述基板保持单元保持的基板的中央部通过的铅垂轴线使所述基板保持单元旋转的基板旋转单元；

朝向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液的处理液供给单元；

朝向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给非活性气体的非活性气体供给单元；

对置构件，其具备具有从上方与由所述基板保持单元保持的基板相对置的对置面的圆板部、以及从所述圆板部向以所述铅垂轴线为中心的径向上的外方延伸的延设部；

在俯视下包围由所述基板保持单元保持的基板的环状构件；以及

对置构件升降单元，其以利用由所述基板保持单元保持的基板、所述对置构件、以及所述环状构件来划分限制了来自外部的环境气体的流入的遮断空间的方式使所述对置构件与所述环状构件一并升降，

所述环状构件具有引导面，该引导面在所述基板旋转单元使由所述基板保持单元保持的基板旋转时利用离心力将存在于该基板的上表面的处理液向该基板的周缘部的所述径向上的外方引导，

利用所述延设部和所述环状构件划分出了将存在于所述引导面的处理液向所述遮断空间外排出的处理液排出路。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理液排出路的宽度比铅垂方向上的所述遮断空间的宽度小。

3.根据权利要求1或者2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述环状构件具有排出路划分面，该排出路划分面与所述径向上的所述引导面的外方端连结，划分所述处理液排出路，

所述处理液排出路在所述引导面与所述排出路划分面的边界具有流入口。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

所述排出路划分面以及所述引导面构成在水平方向上平坦的单一平坦面。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

还包括对置构件旋转单元，该对置构件旋转单元使所述对置构件和所述环状构件一并绕所述铅垂轴线与由所述基板保持单元保持的基板同步旋转。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

还包括将所述环状构件和所述对置构件连结的多个连结构件，

各所述连结构件在俯视下以随着趋向所述径向上的外方而趋向由所述基板保持单元保持的基板的旋转方向的下游侧的方式形成。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

还包括控制器，该控制器控制所述基板旋转单元、所述处理液供给单元、所述非活性气体供给单元以及所述对置构件升降单元，

以使所述控制器执行如下工序的方式进行编程：利用所述对置构件升降单元使所述对置构件以及所述环状构件移动来划分所述遮断空间的遮断空间划分工序；通过从所述非活性气体供给单元朝向所述基板的上表面供给非活性气体而用非活性气体置换所述遮断空间内的环境气体的环境气体置换工序；在所述遮断空间内的环境气体已被非活性气体置换的状态下，从所述处理液供给单元向所述基板的上表面供给处理液的处理液供给工序；以及通过所述基板旋转单元使所述基板旋转，而将所述基板的上表面的处理液经由所述引导面以及所述处理液排出路向所述遮断空间外排出的处理液排出工序。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述引导面具有以随着趋向所述径向上的外方而趋向上方的方式倾斜的倾斜面，

以使所述控制器执行如下工序的方式进行编程：在所述处理液供给工序中，通过向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液，利用所述倾斜面和所述基板的上表面接受处理液而形成处理液的积液的积液形成工序；以及在所述处理液排出工序中，利用所述基板旋转单元使所述基板的旋转加速而从所述基板的上表面排除所述积液的积液排除工序。

9.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

将在俯视下为圆形状的基板保持为水平的基板保持工序；

空间划分工序，使具备圆板部和延设部的对置构件、以及在俯视下包围所述基板的环状构件在上下方向上移动，利用所述对置构件、所述环状构件、以及所述基板划分限制了来自外部的环境气体的流入的遮断空间，所述圆板部具有从上方与所述基板相对置的对置面，所述延设部从所述圆板部向以从所述基板的中央部通过的铅垂轴线为中心的径向上的外方延伸；

通过朝向所述遮断空间供给非活性气体而用非活性气体置换所述遮断空间内的环境气体的环境气体置换工序；

在所述遮断空间内的环境气体已被非活性气体置换的状态下，向所述基板的上表面供给处理液的处理液供给工序；以及

处理液排出工序，在处理液存在于所述基板的上表面的状态下使所述基板在绕所述铅垂轴线的旋转方向上旋转，由此，将存在于所述基板的上表面的周缘部的处理液经由设于所述环状构件的引导面向由所述延设部和所述环状构件划分的处理液排出路引导，从所述处理液排出路向所述遮断空间外排出处理液。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，

所述处理液排出路的宽度比铅垂方向上的所述遮断空间的宽度小。

11.根据权利要求9或者10所述的基板处理方法，其特征在于，

所述环状构件具有排出路划分面，该排出路划分面与所述径向上的所述引导面的外方端连结，划分所述处理液排出路，

所述处理液排出路在所述引导面与所述排出路划分面的边界具有流入口。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，

所述排出路划分面和所述引导面构成在水平方向上平坦的单一平坦面。

13.根据权利要求9～12中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述处理液排出工序中，还包括使所述环状构件和所述对置构件绕所述铅垂轴线进行与所述基板的同步旋转的同步旋转工序。

14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，

所述环状构件和所述对置构件利用连结构件连结，

所述连结构件在俯视下以随着趋向所述径向上的外方而趋向所述基板的旋转方向的下游侧的方式形成。

15.根据权利要求9～14中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述引导面具有以随着趋向所述径向上的外方而趋向上方的方式倾斜的倾斜面，

所述处理液供给工序包括积液形成工序，在积液形成工序中通过向所述基板的上表面供给处理液，利用所述倾斜面和所述基板的上表面接受处理液来形成处理液的积液，

所述处理液排出工序包括使所述基板的旋转加速而从所述基板的上表面排除所述积液的积液排除工序。

16.根据权利要求9～15中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述径向上的所述环状构件的内方端面在铅垂方向上延伸，

所述内方端面的上端部连结于所述引导面，

所述处理液供给工序包括积液形成工序，在该积液形成工序中，在以使所述环状构件的所述内方端面的所述上端部与所述基板的上表面相比位于上方的方式使所述环状构件移动的状态下朝向所述基板的上表面供给处理液，由此，利用所述环状构件的所述内方端面和所述基板的上表面接受处理液而形成处理液的积液，

所述处理液排出工序包括积液排除工序，在该积液排除工序中，通过以使所述环状构件的所述内方端面的所述上端部位于与所述基板的上表面同一高度的方式使所述环状构件移动，从所述基板的上表面排除所述积液。

17.根据权利要求9～16中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括使第1护罩和第2护罩个别地上下移动的护罩移动工序，所述第1护罩具有在俯视下包围所述对置构件以及所述环状构件的第1圆筒部、以及从所述第1圆筒部向所述径向上的内方延伸的第1圆环部，所述第2护罩具有在俯视下包围所述对置构件以及所述环状构件的第2圆筒部、以及从所述第2圆筒部向所述径向上的内方延伸、且从下方与所述第1圆环部相对置的第2圆环部，

所述处理液排出路具有朝向所述径向上的外方排出处理液的排出口，

所述护罩移动工序包括在从所述排出口排出处理液时，以使所述处理液排出路在铅垂方向上位于所述径向上的所述第1圆环部的内方端与所述径向上的所述第2圆环部的内方端之间的方式使所述第1护罩以及所述第2护罩移动的工序。

18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其特征在于，

还包括与所述处理液排出工序并行执行的保护液供给工序，在所述保护液供给工序中，将保护所述基板的下表面的保护液朝向所述基板的下表面供给，

所述护罩移动工序包括以使所述第2圆环部的径向内方端与所述排出口相比位于下侧、且与所述环状构件的下端相比位于上侧的方式使所述第2护罩移动。

19.根据权利要求9～18中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述处理液供给工序之前，还包括向所述基板的上表面供给冲洗液的预冲洗工序，

在所述预冲洗工序中向所述基板的上表面供给的冲洗液堵塞所述环状构件与所述基板之间的间隙，被从所述处理液排出路排出，

所述预冲洗工序与所述环境气体置换工序并行执行。

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