KR20110123084A - 실리콘 산화막의 건식 식각 방법 - Google Patents

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Abstract

실리콘 산화막 건식 식각 공정에서 사용하는 HF 가스와 NH3 가스로부터 발생되는 파우더를 쉽게 제거할 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 실리콘 산화막 건식 식각 방법에서는 기판 상에 형성된 실리콘 산화막을 HF 가스와 NH3 가스를 포함하는 식각 가스를 사용하여 챔버 내에서 건식 식각한다. 상기 건식 식각 단계 이후 플라즈마 또는 활성화 이온종을 이용하여 상기 건식 식각 단계에서 발생된 파우더를 제거하는 단계를 수행한다.

Description

실리콘 산화막의 건식 식각 방법{Dry etch method for silicon oxide}
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 제조를 위해 흔히 형성하는 실리콘 산화막을 건식 식각하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 기술분야는 기판 위에 형성된 실리콘 산화막을 식각 가스에 의해 제거하는 것으로 넓게 정의될 수 있다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 기판 상에 서로 성질을 달리하는 도전막, 반도체막 및 절연막 등의 박막을 그 적층의 순서 및 패턴의 형상을 조합하여 일정한 기능을 수행하는 전자회로를 실현하는 과정이라고 말할 수 있다. 이에 따라 반도체 소자 제조 공정에서는 여러 가지 박막의 증착과 식각이 반복적으로 이루어진다.
한편, 여러 가지 박막 중 특히 실리콘 산화막은 기판으로 흔히 이용되는 실리콘과 양립성(compatibility)이 우수하고 열 산화 등의 방법으로 형성하기가 쉬우며 취급이 용이하기 때문에 절연막으로 많이 이용되고 있다. 이러한 실리콘 산화막을 식각하기 위한 장비의 종류로는 건식 식각 장비와 습식 식각 장비가 있으며, 종래의 건식 식각 장비의 개략적인 구성도가 도 1에 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 경우, 외부로부터 공급된 HF 가스와 NH3 가스가 서로 혼합된 후 기판(10)으로 분사됨에 따라 실리콘 산화막이 식각된다.
하지만, 종래의 경우 HF 가스와 NH3 가스가 서로 혼합되면서 반응함에 따라 생성되는 NH4F 및 NH4FHF가 고체상의 파우더(powder) 형태로 발생하게 되고, 이로 인해 기판 상에 파티클(particle)이 형성되어 소자 불량 등의 원인이 되는 문제점이 있었다. 이에 따라 챔버의 세정 주기가 짧아져 공정 비용이 증가하게 된다.
이러한 문제를 해결하고자, HF 가스와 NH3 가스의 농도를 낮춤으로써 NH4F 및 NH4FHF 파우더의 발생을 억제하는 방법이 시도된 바 있으나, 여전히 파우더가 발생할 뿐더러, HF 가스 및 NH3 가스의 공급량을 자유로이 조절할 수 없다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 HF 가스와 NH3 가스로부터 발생되는 파우더를 쉽게 제거할 수 있는 실리콘 산화막 건식 식각 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 실리콘 산화막 건식 식각 방법에서는 기판 상에 형성된 실리콘 산화막을 HF 가스와 NH3 가스를 포함하는 식각 가스를 사용하여 챔버 내에서 건식 식각한다. 상기 건식 식각 단계 이후 플라즈마 또는 활성화 이온종을 이용하여 상기 건식 식각 단계에서 발생된 파우더를 제거하는 단계를 수행한다.
상기 식각 가스에 이소프로필알콜(IPA) 및 N2, Ar 및 He 중 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용하는 것이 바람직하며, 상기 건식 식각 단계의 상기 기판 온도는 20 ℃ 내지 70 ℃, 상기 챔버 내부 압력은 10 mTorr 내지 10 Torr인 것이 바람직하다. 상기 HF 가스 : NH3 가스 : IPA와 불활성 가스의 유량비는 1 : 0.5~2 : 0.5~2로 설정될 수 있다.
상기 파우더를 제거하는 단계는, CO2, CO, H2 및 수증기 중 적어도 어느 하나를 상기 챔버에 공급하여 상기 파우더와 반응시켜 휘발성 물질을 형성하는 단계, 및 상기 휘발성 물질을 배기시키는 단계를 포함할 수 있다.
특히, 상기 건식 식각 단계 이후 상기 기판 온도를 80 ℃ 내지 200 ℃로 승온시켜 상기 기판으로부터 식각 부산물을 제거하는 후열처리 단계를 인시튜(in-situ)로 더 실시할 수 있는데, 이 때 이러한 후열처리 단계와 상기 파우더를 제거하는 단계는 동시에 실시하면 더욱 바람직하다.
상기 건식 식각의 조건에 따라서는, 즉 파우더가 적게 생성되는 조건인 경우에는 이러한 후열처리 단계를 삭제하고 바로 상기 파우더를 제거하는 단계를 진행할 수 있다.
상기 CO2, CO, H2는 플라즈마로 여긴된 것을 이용할 수 있다.
상기한 구성의 본 발명에 따르면, HF 가스와 NH3 가스를 이용한 건식 식각 공정의 후열처리시 플라즈마 또는 활성화된 이온종을 이용하여 NH4F 및 NH4FHF 파우더를 제거할 수 있으므로 별도의 제거 단계가 추가로 필요하지 않다.
챔버 내 부품 손상이 없이 HF 가스 및 NH3 가스로부터 발생되는 파우더를 쉽게 제거할 수 있어 기판 상에 파티클이 형성되는 것을 방지할 수 있고, 파우더 발생에 따라 챔버 세정 주기가 짧아지는 문제를 개선할 수 있어 식각 효율성을 극대화하며 공정 비용을 절감할 수 있다.
또한, 종래에는 파우더의 발생을 억제하기 위하여 HF 가스와 NH3 가스의 농도를 낮추었으나, 본 발명의 경우에는 HF 가스와 NH3 가스의 농도에 상관없이 파우더가 발생하지 않으므로, 공정 조건에 따라 HF 가스와 NH3 가스의 농도를 자유롭게 조절할 수 있다.
도 1은 종래의 건식 식각 장비의 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명 실리콘 산화막 건식 식각 방법을 실시하기 위한 건식 식각 장비의 일예를 도시한 구성도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 산화막 건식 식각 방법의 순서도, 그리고
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 산화막 건식 식각 방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명에 관한 실리콘 산화막 건식 식각 방법을 실시하기 위한 건식 식각 장비의 일예를 도시한 구성도이다.
건식 식각 장비(200)는 기판(w)이 로딩되는 챔버(170)를 갖고 있다. 챔버(170)의 내부공간 중 하측에는 기판(w)이 배치되는 서셉터(160)가 승강 가능하게 설치될 수 있다. 여기에는 소정 히터(미도시)가 구비되어 있어 기판(w) 및/또는 챔버(170) 내부의 온도를 조절할 수 있게 되어 있다. 챔버(170)의 내부공간 중 상측에는 기판(w)에 형성된 실리콘 산화막을 건식 식각 방법으로 식각할 수 있도록 식각 가스를 분사하는 샤워헤드(180)가 구비될 수 있다.
한편, 챔버(170)에는 유량 제어된 식각 가스 및 기타 공정 가스를 챔버(170) 내로 도입하기 위한 가스 공급계(190)가 더 설치되어 있다. 건식 식각의 경우 HF 가스를 단독으로 사용하는 것이 아니라 HF 가스를 적어도 포함하는 혼합 가스를 식각 가스로 사용하게 되는데, 예를 들어 식각 가스로 HF 가스와 NH3 가스의 혼합 가스를 사용하는 경우 식각 가스를 구성하는 각 성분 가스가 미리 혼합되지 않고 챔버(170) 내에 공급되어 혼합될 수 있도록, 가스 공급계(190)는 식각 가스를 구성하는 성분 가스별로 각각 독립적으로 구비시킴이 바람직하다. 즉, 세분하여 도시하지는 않았지만 가스 공급계(190)는 각 성분 가스의 공급원(190a, 가스 봄베 또는 액체를 담은 캐니스터 등)과 연결된 가스 공급로(190b), 여기에 구비된 유량 제어기(190c, MFC) 등을 각각 포함하면 바람직하다. 그러나, HF 가스와 NH3 가스를 혼합하여 공급하는 구성이라 하더라도 본 발명에 따른 건식 식각 방법에 따라 파우더를 제거하는 것이 가능하다.
샤워헤드(180)는 이러한 가스 공급계(190)로부터 공급받은 성분 가스를 챔버(170) 내로 분사하는 수단이며, 샤워헤드(180) 안에서도 혼합되지 않고 챔버(170) 내로 분사되어 비로소 혼합되는 포스트 믹스(post mix) 타입인 것이 샤워헤드(180)의 유지 관리상 좋다. 이를 위해 샤워헤드(180) 안에 적어도 두 개의 독립적인 유로가 형성된 듀얼 타입(dual type)을 채용하도록 한다. 물론 성분 가스를 챔버(170) 내로 분사하는 수단은 가스 노즐이나 가스 분사판과 같은 샤워헤드 이외의 다른 형태일 수도 있고, 또한 챔버(170)의 상방이 아닌 하방으로부터 각 가스를 도입하여 구성하는 방식일 수도 있다.
건식 식각 장비(200)에는 도시한 바와 같은 리모트 플라즈마 발생기(195)도 구비될 수 있다. 리모트 플라즈마 발생기(195)는 챔버(170)로 공급되는 가스를 활성화 여기시키는 역할을 한다. 이에 따라 플라즈마 자체 또는 이것으로 인해 활성화된 이온종을 챔버(170) 내로 공급하여 파우더 제거에 이용할 수 있게 된다.
도 2에 도시한 것은 한 번에 1매씩 처리하는 낱장식(single) 식각 장비이나 이것에 본 발명이 한정되지 않으며 다수매의 기판에 대해 한 번에 식각할 수 있는 배치(batch)식 식각 장비를 이용해 적용할 수도 있다. 또한, 기판(w)으로서는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판에 한정되지 않고, LCD 기판, 유리 기판 등에도 적용할 수 있다. 뿐만 아니라 실리콘 산화막 위에 포토레지스트 등으로 마스크를 형성한 후 이를 통해 일부분만 식각하는 패터닝 이외에 마스크 없이 전면적으로 실리콘 산화막을 제거하는 에치백(etch back)에도 본 발명 방법이 적용될 수 있다. 나아가 자연 산화막, 열 산화막, 증착 산화막, 케미컬 산화막, 도포 산화막 등, 실리콘 산화막의 종류에 구애됨이 없이 본 발명 방법이 적용될 수 있다.
(제1 실시예)
이상과 같이 구성된 건식 식각 장비(200)를 이용하여 행할 수 있는 본 발명 실리콘 산화막 건식 식각 방법은 도 3의 순서도를 따를 수 있다.
먼저 기판(w)을 도 2에 도시한 것과 같은 건식 식각 장비(200)로 반입한다(단계 s1). 기판(w)은 서셉터(160) 상에 로딩된다. 기판(w) 자체, 혹은 공정을 위해 적절한 층과 그것을 식각하는 데에 사용할 식각 마스크까지 형성된 것일 수 있으며, 패터닝을 위한 실리콘 산화막의 건식 식각 혹은 세정 목적의 건식 식각 공정을 위해 투입된 것이다.
다음, 상기 건식 식각 장비(200) 안에 HF 가스와 NH3 가스를 포함하는 식각 가스를 공급하여 기판(w) 상에 형성된 실리콘 산화막을 건식 식각한다(단계 s2). 상기 식각 가스에 이소프로필알콜(IPA) 및 N2, Ar 및 He 중 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용할 수 있으며, 상기 건식 식각 단계의 상기 기판(w) 온도는 20 ℃ 내지 70 ℃, 상기 챔버(170) 내부 압력은 10 mTorr 내지 10 Torr인 것이 바람직하다. 상기 HF 가스 : NH3 가스 : IPA와 불활성 가스의 유량비는 1 : 0.5~2 : 0.5~2로 설정될 수 있다.
HF 가스와 NH3 가스를 독립적으로 공급하는 경우 NH4F 및 NH4FHF 성분의 파우더 발생은 HF 가스와 NH3 가스를 혼합하여 공급하는 경우보다 줄어든다. 그러나, 챔버(170) 안에서는 항상 HF 가스와 NH3 가스의 반응이 일어나므로 파우더가 발생하기 쉽다. 특히 파우더는 서셉터(160) 주변에 많이 형성되며 기판(w) 위에 형성될 경우 후속 공정에서 세정 등으로 제거되지 않으면 소자 불량을 일으킬 수 있다.
본 발명에서는 상기 건식 식각 단계(s2) 이후 플라즈마 또는 활성화된 이온종을 이용하여 상기 건식 식각 단계(s2)에서 발생된 파우더를 제거한다(단계 s3). 100℃까지의 승온은 파우더의 NH4F 및 NH4FHF 성분을 휘발시킬 수 있다. 따라서, 본 발명자는 소량의 에너지라도 열에너지 대신에 주어지면 NH4F 및 NH4FHF가 반응하여 NH3 등의 기체로 분해될 수 있다는 것에 착안하였다. 예를 들어, 상기 챔버(170) 내에 Ar 플라즈마를 공급하는 것에 의해서도 파우더를 제거할 수 있다. 또는 플라즈마 여기된 CO2, CO, H2 등을 공급하는 것에 의해서도 파우더를 제거할 수 있다. 또는 수증기를 공급하는 것에 의해서도 파우더를 제거할 수 있다.
먼저 수증기를 이용하는 방법은 다음과 같다. 가스 공급계(190)를 통해 수증기를 챔버(170)에 공급한다. 수증기는 식각 가스인 HF 가스와 NH3 가스의 반응으로 형성된 NH4F 및 NH4FHF 성분의 파우더와 반응하여 휘발성 물질을 형성한다. 다음에 이러한 휘발성 물질을 배기시키는 단계를 실시한다. (참고 : NH4F + H2O -> HF + NH3 + H2O)
활성화된 수소 이온을 이용하는 방법은 다음과 같다. 활성화된 수소 이온은 상기 리모트 플라즈마 발생기(195)를 이용해 H2 또는 H2O 가스를 여기시켜 챔버(170) 내로 공급하는 것에 의해 제공될 수 있다. 활성화된 수소 이온은 NH4F 및 NH4FHF 성분의 파우더와 반응하여 휘발성 물질을 형성한다. 다음에 이러한 휘발성 물질을 배기시키는 단계를 실시한다. (참고 : 2NH4F + H2 -> 2HF + 2NH3 + H2)
상기 리모트 플라즈마 발생기(195)를 이용해 CO2 또는 CO 가스를 여기시켜 챔버(170) 내로 공급하여도 유사한 효과를 볼 수 있다. 활성화된 탄소 이온과 산소 이온은 NH4F 및 NH4FHF 성분의 파우더와 반응하여 휘발성 물질을 형성한다. 다음에 이러한 휘발성 물질을 배기시키는 단계를 실시한다. (참고 : 2NH4F + 2CO2 -> 2COF2 + 2NH3 + O2 + H2)
한편, 파우더 제거 단계(s3)는 매 건식 식각 단계(s2) 이후에 실시하여 건식 식각 단계(s2)에서 조금이라도 발생된 파우더를 바로바로 제거하도록 하는 것이 파우더 관리 측면에서는 가장 바람직하지만, 어느 정도 수준의 파우더 발생은 기판 불량을 일으키지 않는 것으로 용인된다고 하면 건식 식각 단계(s2)를 연속적으로 여러 번 수행한 후 파우더 제거 단계(s3)를 수행하는 것이 공정 시간 관리상 유리할 것이다.
(제2 실시예)
본 발명 실리콘 산화막 건식 식각 방법은 도 2에 도시한 장비를 이용하면서 도 4의 순서도를 따를 수도 있다.
먼저 기판(w)을 도 2에 도시한 것과 같은 건식 식각 장비(200)로 반입한다(단계 s11).
다음, 챔버(170)에 HF 가스와 NH3 가스 및 IPA의 혼합 가스를 식각 가스로 사용하여 상기 기판(w) 상의 실리콘 산화막을 건식 식각한다(단계 s12).
구체적으로 챔버(170) 내부 압력을 10 mTorr 내지 10 Torr, 서셉터(160) 온도를 20 ℃ 내지 70 ℃로 조정한 다음, 기판(w)을 로딩한다. 서셉터(160) 온도는 식각 가스의 식각 반응에 가장 적합한 온도 범위에서 선정한다. 서셉터(160) 온도가 기판(w) 온도가 된다. 이 때, 기판(w)은 소정 프리 히팅 단계를 거쳐 고온의 서셉터(160) 상에 안치되는 것일 수 있다. 그러나 이와 반대 순서로 기판(w)을 먼저 서셉터(160) 상에 안치한 후 서셉터(160) 온도를 조정하여 기판(w) 온도를 조정하는 방식을 택할 수도 있다. 이 때, 챔버(170) 벽은 식각 가스가 응축되지 않도록 50℃ 내지 100℃로 유지할 수 있다. 샤워헤드(180)도 50℃ 내지 150℃로 유지할 수 있다.
그런 다음, HF 가스 공급계로부터 유량 제어된 HF 가스를 챔버(170) 내로 도입하는 동시에, NH3 가스 공급계로부터 유량 제어된 NH3 가스를 챔버(170) 내로 도입한다. 또한 IPA 공급계로부터 유량 제어된 IPA를 챔버(170) 내로 도입한다. 실온에서 IPA는 액상이므로 적당한 버블링 또는 기화기를 통해 기화시켜 도입시킨다. 그리고, 가스 공급로(190b)의 온도는 실온에서 액체인 공급원의 특성에 따라 가스 공급로(190b) 상에서 액화되지 않도록 50℃ 내지 150℃로 조절한다.
이와 같이, 챔버(170) 내로 따로따로 도입된 HF 가스와 NH3 가스 그리고 IPA는 샤워헤드(180)를 통해 챔버(170) 내에 분사되면서 혼합되고, 이 혼합 가스가 기판(w)에 형성되어 있는 실리콘 산화막 등 기타 불순물을 식각하고 제거하면서 식각이 이루어지게 된다.
이 때에 상기 식각 가스에 N2, Ar 및 He 중 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 캐리어 가스로 사용할 수 있으며, 불활성 가스는 단독으로 공급하여도 되지만 HF 가스 또는 NH3 가스 또는 IPA 가스와 혼합하여 공급하여도 된다. 상기 HF 가스, NH3 가스, IPA와 불활성 가스의 유량은 각각 10 내지 300 sccm에서 선택할 수 있으며 예컨대 모두 60 sccm을 공급하여 상기 HF 가스 : NH3 가스 : IPA와 불활성 가스의 유량비를 1 : 1 : 1로 설정할 수 있다. 그러나 적절한 유량비를 1 : 0.5~2 : 0.5~2에서 설정할 수 있다. 각 가스의 유량비 조절을 통해 식각 속도나 선택비 등의 변경이 가능하며 이 모두 본 발명의 범위에 속한다 할 것이다. HF 가스와 NH3 가스 그리고 실리콘 산화막이 반응하면 물이 형성되고, IPA는 이 물을 빨리 증발시키기 때문에 전체적인 반응 속도를 향상시키게 되며 이는 식각 속도의 증가로 귀결된다.
이와 같이 하여, 기판(w) 상의 실리콘 산화막을 식각한 후 챔버(170) 내부에 기판(w)을 그대로 유지한 상태에서 기판(w) 온도를 80℃ 내지 200℃ 사이의 온도, 예컨대 100℃까지 승온시켜 상기 기판(w)에 붙어 있는 식각 부산물을 제거하는 후열처리 단계를 인시튜로 더 실시할 수도 있다(단계 s13). 이와 같이 하면 식각 공정과 그에 필요한 후공정을 하나의 챔버에서 수행하기 때문에 작업처리량이 좋아지며, 부산물이 제거된 상태에서 챔버(170)를 빠져 나가게 된다. 따라서, 부산물을 제거하지 않은 채 다른 후열처리 챔버로 옮기는 과정에서 트랜스퍼 모듈(transfer module)과 같은 다른 부분에 발생할 수 있는 오염이 방지되는 효과가 있다.
특히 본 실시예에서는 후열처리와 동시에 상기 건식 식각 장비(200) 안에 활성화된 수소 이온 및 수증기 중 적어도 어느 하나를 공급하여 상기 파우더를 제거하는 단계를 실시하도록 한다. 100℃까지의 승온은 파우더의 NH4F 및 NH4FHF 성분을 휘발시킬 수 있지만 본 발명에서와 같이 플라즈마 또는 활성화 이온종으로 처리하여 주는 것이 파우더 제거에 보다 확실하다. 기존에 HF 가스를 이용한 건식 식각 단계가 이와 같이 식각과 후열처리의 두 단계로 진행되는 경우 본 발명에서는 별도의 파우더 제거 단계를 운영할 필요없이, 후열처리시 수증기를 공급하거나 활성화된 수소 이온을 공급하는 간단한 추가 조작을 통해 파우더를 제거하는 탁월한 효과를 낼 수 있다.
구체적으로, 챔버(170) 내부에 기판(w)을 그대로 유지한 상태에서 기판(w) 온도를 80℃ 내지 200℃ 사이의 온도로 승온시키면서 챔버(170) 내에 CO2, CO, H2 및 수증기 중 적어도 어느 하나를 공급하여 파우더와 반응시킨다. 반응으로 생성된 휘발성 물질은 배기시켜 제거한다(단계 s13).
본 발명에 따르면, 챔버 내 부품 손상이 없이 HF 가스 및 NH3 가스로부터 발생되는 파우더를 쉽게 제거할 수 있어 기판 상에 파티클이 형성되는 것을 방지할 수 있고, 파우더 발생에 따라 챔버 세정 주기가 짧아지는 문제를 개선할 수 있어 식각 효율성을 극대화하며 공정 비용을 절감할 수 있다.
이상, 본 발명을 몇몇 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다. 따라서, 이러한 변형 모두가 본 발명의 영역에 포함되는 것을 의도한다.
w...기판 160...서셉터
170...챔버 180...샤워헤드
190...가스 공급계 195...리모트 플라즈마 발생기
200...건식 식각 장비

Claims (7)

  1. 기판 상에 형성된 실리콘 산화막을 챔버 내에서 건식 식각하는 방법에 있어서,
    HF 가스와 NH3 가스를 포함하는 식각 가스를 사용하여 상기 실리콘 산화막을 건식 식각하는 단계; 및
    상기 건식 식각 단계 이후 플라즈마 또는 활성화 이온종을 이용하여 상기 건식 식각 단계에서 발생된 파우더를 제거하는 단계를 포함하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 파우더를 제거하는 단계는
    CO2, CO, H2 및 수증기 중 적어도 어느 하나를 상기 챔버에 공급하여 상기 파우더와 반응시켜 휘발성 물질을 형성하는 단계; 및
    상기 휘발성 물질을 배기시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 식각 가스에 이소프로필알콜(IPA) 및 N2, Ar 및 He 중 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 건식 식각 단계의 상기 기판 온도는 20 ℃ 내지 70 ℃로 하고, 상기 건식 식각 단계 이후 상기 기판 온도를 80 ℃ 내지 200 ℃로 승온시켜 상기 기판으로부터 식각 부산물을 제거하는 후열처리 단계를 인시튜(in-situ)로 더 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 후열처리 단계와 상기 파우더를 제거하는 단계는 동시에 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 후열처리 단계 동안, CO2, CO, H2 및 수증기 중 적어도 어느 하나를 상기 챔버에 공급하여 상기 파우더와 반응시켜 휘발성 물질을 형성한 다음, 상기 휘발성 물질을 배기시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
  7. 제2항 또는 제6항에 있어서, 상기 CO2, CO, H2는 플라즈마로 여기되는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화막 건식 식각 방법.
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