TWI696212B - 基板處理裝置及基板處理系統 - Google Patents

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井上正史
瀧昭彥
谷口寛樹
田中孝佳
中野佑太
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種以更短之時間將基板與紫外線照射器之間之空間之環境設為特定環境的基板處理裝置。
本發明之基板處理裝置10具備基板保持台1、紫外線照射機構2、筒構件3、及氣體供給機構41、42。紫外線照射機構2以隔著作用空間H1與基板W1對向之方式配置，且朝向基板W1照射紫外線。筒構件3具有包圍基板保持台1之側面1b之內面3a，且於內面3a中與側面1b對向之至少一個位置具有至少一個開口部31a。氣體供給機構42經由至少一個開口部31a對基板保持台1之側面1b與筒構件3之內面3a之間之空間供給氣體。氣體供給機構41對基板W1與紫外線照射機構2之間之作用空間H1供給氣體。

Description

基板處理裝置及基板處理系統
本發明係關於基板處理裝置、基板處理方法及基板處理系統。
先前以來，於半導體基板(以下簡單稱為「基板」)之製造步驟中，使用基板處理裝置對具有氧化膜等絕緣膜之基板實施各種處理。例如，藉由對在表面上形成有抗蝕劑圖案之基板供給處理液，而對基板之表面進行蝕刻等處理。又，於蝕刻等結束後，亦進行去除基板上之抗蝕劑之處理。
對要於基板處理裝置進行處理之基板，於搬入至基板處理裝置之前，進行乾式蝕刻或電漿CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沈積)等乾燥步驟。於此種乾燥步驟中，由於在器件內產生電荷而帶電，故基板以帶電之狀態被搬入至基板處理裝置(所謂之搬入帶電)。而且，於基板處理裝置中，於將如SPM(Suspended Particulate Matter：浮移顆粒物質)液般之比電阻較小之處理液供給至基板上時，器件內之電荷自器件向處理液急劇地移動(即，向處理液中放電)，故有因伴隨該移動之發熱而於器件產生損傷之虞。
因此，自先前以來，使用防止基板帶電之防帶電裝置(例如專利文獻1)。該防帶電裝置具備氣體供給路徑及照射部。照射部對玻璃基板照射紫 外線。氣體供給路徑連通於玻璃基板與照射部之間之空間。將包含氧氣之氣體通過該氣體供給路徑向該空間供給。藉由於該狀態對玻璃基板照射紫外線，可將玻璃基板之表面親水化而防止玻璃基板之帶電。又，藉由該紫外線而使該空間之氧氣變化為臭氧。藉由該臭氧而促進玻璃基板之親水化。
再者，作為與本發明關聯之技術揭示專利文獻2~4。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-60221號公報
[專利文獻2]日本專利特開平11-221535號公報
[專利文獻3]日本專利第4017276號公報
[專利文獻4]日本專利第5752760號公報
若於基板與紫外線照射器之間之空間殘留空氣，則由於紫外線被空氣中之氧氣吸收而產生有害之臭氧或紫外線強度衰減，故於該空間之環境變為特定之環境後，必須開始紫外線照射器之紫外線之照射。例如，於該空間之氧氣濃度變為特定之範圍內時開始紫外線之照射。
又，為了提高基板處理之產能，期望以更短之時間使該空間之環境變為特定之環境。
因此，本發明之目的在於提供一種以更短之時間將基板與紫外線照射器之間之空間之環境設為特定之環境之基板處理裝置。
為了解決上述課題，基板處理裝置之第1態樣具備基板保持台、紫外線照射機構、筒構件、第1氣體供給機構、及第2氣體供給機構。基板保持台具有載置基板之第1上表面、及側面。紫外線照射機構以隔著作用空間與基板對向之方式配置，且朝向基板照射紫外線。筒構件具有包圍基板保持台之側面之內面，且於該內面中與該側面對向之至少一個位置具有至少一個側方開口部。第1氣體供給機構經由至少一個側方開口部對基板保持台之側面與筒構件之內面之間之空間供給氣體。第2氣體供給機構對基板與紫外線照射機構之間之作用空間供給氣體。
基板處理裝置之第2態樣係如第1態樣之基板處理裝置，其中筒構件之內面具有沿著該內面之周向延伸之第1槽。至少一個側方開口部形成於第1槽。
基板處理裝置之第3態樣係如第1或第2態樣之基板處理裝置，其中至少一個側方開口部沿著上述內面之周向開口。
基板處理裝置之第4態樣係如第3態樣之基板處理裝置，其中至少一個側方開口包含複數個側方開口部，且複數個側方開口部於內面之周向上隔以間隔排列而形成。
基板處理裝置之第5態樣係如第4態樣之基板處理裝置，其中使複數個側方開口部各者之開口軸之方向與周向之順時針及逆時針中之一旋轉方向一致。
基板處理裝置之第6態樣係如第4或第5態樣之基板處理裝置，其進而具備旋轉機構，其以垂直於基板之主表面之軸為旋轉軸，使基板保持台朝上述一旋轉方向旋轉。
基板處理裝置之第7態樣係如第4至6中任一態樣之基板處理裝置，其 中至少一個側方開口部包含至少一個第1層開口部、及至少一個第2層開口部。至少一個第1層開口部於紫外線照射機構及基板保持台排列之方向上，形成於與至少一個第2層開口部不同之位置。
基板處理裝置之第8態樣係如第7態樣之基板處理裝置，其中至少一個第1層開口部包含複數個第1層開口部，至少一個第2層開口部包含複數個第2層開口部。複數個第1層開口部於該內面之周向上隔以間隔排列而形成，並且複數個第2層開口部各者於周向上形成於與第1層開口部不同之位置。使第1層開口部及第2層開口部各者之開口軸之方向與周向之順時針及逆時針中之一旋轉方向一致。
基板處理裝置之第9態樣係如第7或第8態樣之基板處理裝置，其中筒構件之內面進而包含沿著該內面之周向延伸之第2槽。第1槽及第2槽於紫外線照射機構與基板保持台排列之方向上形成於互不相同之位置。至少一個第1層開口部形成於第1槽，至少一個第2層開口部形成於第2槽。
基板處理裝置之第10態樣係如第1至9中任一態樣之基板處理裝置，其中筒構件進而具有至少一個給氣開口部。至少一個給氣開口部對基板與上述紫外線照射機構之間之作用空間供給氣體。
基板處理裝置之第11態樣係如第10態樣之基板處理裝置，其中至少一個給氣開口部包含複數個給氣開口部。筒構件具有與紫外線照射機構隔著空隙對向之第2上表面。複數個給氣開口部形成於第2上表面，且於該內面之周向上相互隔以間隔而形成。
基板處理裝置之第12態樣係如第10或第11態樣之基板處理裝置，其中筒構件進而具有至少一個排氣開口部。至少一個排氣開口部於該內面之周向上形成於與至少一個給氣開口部不同之位置，且將基板與紫外線照射 機構之間之作用空間之氣體排氣。
基板處理裝置之第13態樣係如第12態樣之基板處理裝置，其中至少一個給氣開口部於該內面之周向上形成於單側之一半，至少一個排氣開口部於該內面之周向上形成於剩餘之單側之一半。
基板處理裝置之第14態樣係如第1至第13中任一態樣之基板處理裝置，其中基板保持台之第1上表面包含自該第1上表面之周緣延伸之搬送槽。基板保持台包含有於搬送槽開口之給氣用或排氣用之搬送槽開口部。
基板處理裝置之第15態樣係如第1至第13中任一態樣之基板處理裝置，其中基板保持台具備於第1上表面朝紫外線照射機構側突起而支持基板之複數個突起部，且於基板保持台形成有於第1上表面中與複數個突起部不同之位置開口之給氣用或排氣用之上表面開口部。
基板處理裝置之第16態樣係如第1至第13中任一態樣之基板處理裝置，其中於基板保持台之第1上表面形成有複數個升降突起部、與複數個固定突起部。複數個升降突起部可於紫外線照射機構與上述基板保持台排列之方向上升降。複數個固定突起部於較複數個升降突起部更靠近基板中心之位置朝紫外線照射機構側突出。於複數個升降突起部朝紫外線照射機構側上升時，複數個固定突起部不支持基板，而由複數個升降突起部支持基板。於複數個升降突起部朝基板保持台側下降時，至少複數個固定突起部支持基板。
基板處理裝置之第17態樣係如第16態樣之基板處理裝置，其中基板保持台具有於第1上表面開口之給氣用或排氣用之上表面開口部。
基板處理裝置之第18態樣係如第1至第17中任一態樣之基板處理裝置，其進而具備移動機構。移動機構於第1位置及第2位置之間，使上述紫 外線照射機構與上述基板保持台相對移動。第1位置之基板與紫外線照射機構之間之距離短於第2位置之基板與紫外線照射機構之間的距離。至少一個側方開口部於基板保持台於第1位置停止之狀態下，與基板保持台之上述側面對向。
基板處理方法之第19態樣具備第1步驟至第3步驟。於第1步驟中，將基板配置於具有第1上表面及側面之基板保持台之該第1上表面。於第2步驟中，向具有包圍基板保持台之側面之內面且於該內面中與該側面對向的至少一個位置具有至少一個側方開口部之筒構件之內面、與基板保持台之側面之間之空間，經由至少一個側方開口部供給氣體，且向以隔著作用空間與基板對向之方式配置之紫外線照射機構、與基板之間之作用空間供給氣體。於第3步驟中，於第1步驟及第2步驟後使紫外線照射機構朝向基板照射紫外線。
基板處理方法之第20態樣係如第19態樣之基板處理方法，其中第2步驟具備：步驟(a)，其於基板保持台自筒構件之內面之內部朝相對於紫外線照射機構遠離之方向後退之狀態下，開始向該作用空間之氣體之供給及經由至少一個側方開口部之氣體之供給；及步驟(b)，其於步驟(a)後，以基板保持台之側面與筒構件之內面對向之方式使紫外線照射機構、及基板保持台相對移動。
基板處理方法之第21態樣係如第19或第20態樣之基板處理方法，其中第2步驟具備：步驟(A)，其以使基板保持台靠近紫外線照射機構之方式使紫外線照射機構、與基板保持台相對移動；步驟(B)，其開始向基板與紫外線機構之間之空間之氣體的供給及經由至少一個側方開口部之氣體之供給；及步驟(C)，其於步驟(A)及步驟(B)後，以使基板保持台遠離紫外 線照射機構之方式使紫外線照射機構與基板保持台相對移動。
基板處理方法之第22態樣具備：收容保持部，其收容基板；基板處理部，其用以對基板實施處理；及基板通過部，其位於收容保持部與基板處理部之間，且供於收容保持部與基板處理部之間往復之基板通過。於基板通過部設置有如第1至第18中任一態樣之基板處理裝置。
根據基板處理裝置、基板處理方法及基板處理系統，於基板保持台之側面與筒構件之內面之間之空間(以下亦稱為連通空間)流通的氣體相對於向作用空間流通之氣體作為障壁發揮功能。例如，相對於基板保持台而與紫外線照射機構為相反側之空間(非作用空間)經由連通空間連通於作用空間。然而，非作用空間之空氣因連通空間之氣體而難以向作用空間流入。即，可抑制與特定之環境不同之非作用空間之空氣向作用空間流入。因此，可以更短之時間將作用空間之環境設為特定之環境。
1:基板保持台
1A:基板保持台
1a:上表面
1b:側面
1B:基板保持台
1c:下表面
1C:基板保持台
2:紫外線照射機構(紫外線照射器)
3:筒構件
3a:內面(內周面)
3b:外周面
3c:上表面
3d:下表面
5:隔壁
7:控制部
10:基板處理裝置
11:槽
12:移動機構
13:旋轉機構
14:突起部
15:升降突起部
16:固定突起部
17:突起部
18:第3貫通孔
21:石英玻璃板
31:第1貫通孔
31a:側方開口部(開口部)
33:槽
41:第1氣體供給機構(第1氣體供給部)
42:第2氣體供給機構(第1氣體供給部)
42a:第2氣體供給部
42b:第2氣體供給部
43:第3氣體供給部
51:地板部
52:貫通孔
61:排氣部
62:排氣部
63:排氣部
100:基板處理系統
110:收容器保持部
120:基板通過部
121:分度機器人
122:通過部
123:搬送機器人
124:分度搬送路徑
125:手
130:基板處理部
130a:基板處理部
130b:基板處理部
130c:基板處理部
130d:基板處理部
131:流體箱
311:第1層貫通孔
311a:第1層開口部
312:第2層貫通孔
312a:第2層開口部
313:第3層貫通孔
313a:第3層開口部
321:第2貫通孔
321a:給氣開口部、排氣開口部(開口部)
322:第2貫通孔
322a:給氣開口部、排氣開口部(開口部)
331:第1槽(槽)
332:第2槽(槽)
333:第3層槽(槽)
411:配管
412:開閉閥
413:氣體收容器
421:配管
422:開閉閥
423:氣體收容器
611:配管
631:配管
H1:作用空間
H2:非作用空間
S1~S6:步驟
S11~S17:步驟
S31~S37:步驟
W1:基板
X:方向
Y:方向
Z:方向
圖1係概略性表示基板處理系統之構成之一例的圖。
圖2係概略性表示基板處理裝置之構成之一例的圖。
圖3係概略性表示基板處理裝置之構成之一例的圖。
圖4係概略性表示基板保持台之構成之一例的圖。
圖5係概略性表示筒構件之構成之一例的立體圖。
圖6係概略性表示筒構件之構成之一例的圖。
圖7係表示基板處理裝置之動作之一例的流程圖。
圖8係概略性表示筒構件之構成之另一例的圖。
圖9係概略性表示筒構件之構成之一例的圖。
圖10係概略性表示筒構件之構成之一例的圖。
圖11係概略性表示筒構件之構成之一例的圖。
圖12係概略性表示筒構件之構成之一例的圖。
圖13係概略性表示筒構件之構成之一例的圖。
圖14係概略性表示基板處理裝置之構成之一例的圖。
圖15係表示基板保持台之構成之另一例的圖。
圖16係表示基板保持台之構成之另一例的圖。
圖17係表示基板保持台之構成之另一例的圖。
圖18係表示基板保持台之構成之另一例的圖。
圖19係表示基板保持台之構成之另一例的圖。
圖20係表示基板處理裝置之動作之一例的流程圖。
圖21係表示基板保持台之構成之另一例的圖。
圖22係表示基板保持台之構成之另一例的圖。
圖23係表示基板處理裝置之動作之一例的流程圖。
圖24係表示基板處理裝置之構成之另一例的圖。
圖25係表示基板處理裝置之構成之另一例的圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態詳細地進行說明。
<基板處理系統之整體構成之一例>
圖1係概略性表示基板處理系統100之整體構成之一例的圖。再者，於圖1及以後之各圖中，為了易於理解，根據需要將各部之尺寸或數量誇大或簡略化地加以描繪。
基板處理系統100係用以對半導體基板實施各種處理之裝置。該基板 處理系統100具備例如收容器保持部110、基板通過部120及基板處理部130。收容器保持部110保持基板收容器。於該基板收容器收容有例如複數個基板。於圖1之例中，設置有複數個收容器保持部110，該等沿著平行於水平面之一方向(以下亦稱為X方向)排列。
基板處理部130係用以對基板實施特定處理之裝置。於圖1之例中，設置有複數個基板處理部130(於圖示之例中係基板處理部130a~130d)。基板處理部130a~130d分別對基板進行各種處理。為了說明之方便起見，設想各基板依基板處理部130a~130d之順序接受處理之情形。例如，基板處理部130a對基板供給處理液(藥液、清洗液或IPA(異丙醇)液等處理液)。藉此，對基板進行對應於處理液之處理。對其後之基板處理部130c之處理而言，不期望於基板蓄積有電荷。又，有時會因基板處理部130b之處理(例如使用IPA(Isopropylamine：異丙胺)之處理)而將有機物作為雜質殘留於基板之主表面上，故期望去除此種有機物。
基板通過部120位於收容器保持部110與基板處理部130a~130d各者之間。未處理之基板自收容器保持部110經由基板通過部120向基板處理部130a交付。於基板處理部130a中已實施處理之處理完畢之基板自該基板處理部130a經由基板通過部120向收容器保持部110、或其他之基板處理部130b交付。基板處理部130b~130d之間之基板之時間順次之搬送亦同樣。
基板通過部120具備分度機器人121、通過部122及搬送機器人123。分度機器人121可於以下說明之分度搬送路徑124於X方向往復移動。分度搬送路徑124係與複數個收容器保持部110相鄰而於X方向延伸之搬送路徑。分度機器人121可於該分度搬送路徑124中於與各收容器保持部110對 向之位置停止。
分度機器人121具有例如臂與手。手設置於臂之前端，可保持基板或釋放保持之基板。手可藉由臂之驅動而於平行於水平面且垂直於X方向之方向(以下亦稱為Y方向)往復移動。分度機器人121可以與收容器保持部110對向之狀態使手向收容器保持部110移動，而自收容器保持部110取出未處理之基板，或將已處理之基板交付至收容器保持部110。
通過部122相對於分度搬送路徑124位於與收容器保持部110相反側。例如通過部122可形成於與分度搬送路徑124之X方向之中央部對向之位置。例如，通過部122可具有載置基板之載置台或載置架。分度機器人121可使臂於水平面180度旋轉。藉此，分度機器人121可使臂向通過部122移動。分度機器人121可將自收容器保持部110取出之基板交付至通過部122，或自通過部122取出載置於通過部122之基板。
搬送機器人123相對於通過部122設置於與分度搬送路徑124相反側。又，以包圍搬送機器人123之方式配置複數個(於圖1中係4個)基板處理部130。於圖1之例中，設置有與基板處理部130各者相鄰之流體箱131。流體箱131可向相鄰之基板處理部130供給處理液，又，自該基板處理部130回收已使用之處理液。
搬送機器人123亦與分度機器人121同樣具有臂及手。該搬送機器人123可自通過部122取出基板，或將基板交付至通過部122。又，搬送機器人123可向各基板處理部130交付基板、或自各基板處理部130取出基板。再者，分度機器人121及搬送機器人123可視為搬送基板之搬送機構。
藉由該等構成，可獲得例如如下之概略動作。即，收容於收容器保持部110之各半導體基板由分度機器人121順次搬送至通過部122。然後， 基板由搬送機器人123順次搬送至基板處理部130a~130d，而於基板處理部130a~130d接受各種處理。一連串之處理完成之基板藉由通過部122及分度機器人121返回至收容器保持部110。
<基板處理裝置>
圖2及圖3係概略性表示基板處理裝置10之構成之一例的圖。該基板處理裝置10可設置於例如通過部122。圖2及圖3係表示例如垂直於Y方向之剖面之構成之一例。再者，基板處理裝置10並非必須設置於通過部122，亦可作為例如基板處理部130d而設置。換言之，基板處理裝置10可作為複數個基板處理部130中之一部分而設置。
基板處理裝置10具備基板保持台1、移動機構12、紫外線照射器2、筒構件3、第1氣體供給部41、第2氣體供給部42及排氣部61。
<基板保持台>
基板保持台1係水平保持基板W1之構件。於基板W1為半導體基板(即半導體晶圓)之情形時，基板W1為大致圓形之平板狀。基板保持台1具有圓柱狀之形狀，具有上表面1a、側面1b、及下表面1c。側面1b連結上表面1a之周緣及下表面1c之周緣。於基板保持台1之上表面1a之上載置有基板W1。
圖4係概略性表示自上表面1a側觀察基板保持台1之構成之一例。如圖2至圖4所例示，於上表面1a形成有一對槽(搬送槽)11。於一對槽11之內部插入分度機器人121或搬送機器人123之手125。一對槽11自基板保持台1之上表面1a之周緣之一部分沿著平行於水平面之方向(於圖之例中係Y方向)延伸，並到達上表面1a之周緣之另一部分。換言之，一對槽11各者於其兩端上於Y方向開口。一對槽11彼此平行地延伸。又，一對槽11分別形 成於隔著基板保持台1之上表面1a之中心之位置。槽11之寬度(沿著X方向之寬度)寬於手125之寬度，槽11之深度(沿著鉛直方向(亦稱為Z方向)之深度)深於手125之厚度(沿著Z方向之厚度)。
基板W1如下所述般載置於基板保持台1。即，基板W1以載置於手125上之狀態被搬送至基板保持台1之上方。其次，手125自上方向基板保持台1移動。伴隨該移動，手125自上方插入至一對槽11。又，藉由移動，基板W1載置於基板保持台1而自手125離開。隨後，分度機器人121或搬送機器人123使手125於Y方向移動，將手125自槽11之內部拔出。藉此，將基板W1載置於基板保持台1。
如圖4所例示，基板保持台1之上表面1a可於與槽11不同之區域中具有朝向基板W1突起之複數個突起形狀(以下稱為突起部17)。亦將該突起部17稱為銷。該突起部17具有例如圓柱形狀。突起部17由例如石英製作。於設置有突起部17之情形時，基板W1由該突起部17之前端支持。突起部17之高度(沿著Z方向之高度)高於基板W1之撓曲量。藉此，基板W1不會於突起部17以外之位置與上表面1a接觸。突起部17之高度可設定為例如0.5[mm]程度。
<紫外線照射器>
紫外線照射器2相對於基板W1配置於上方側(與基板保持台1相反側)。即，紫外線照射器2、基板W1及基板保持台1依該順序於Z方向上排列。紫外線照射器2可產生紫外線，並將該紫外線向基板W1之主表面(與基板保持台1相反側之主表面)照射。作為紫外線照射器2可採用例如準分子UV(Uultraviolet)(紫外線)燈。該紫外線照射器2具備例如填充有放電用之氣體(例如稀有氣體或稀有氣體鹵素化合物)之石英管、及收容於該石英 管內之一對電極。放電用氣體存在於一對電極間。藉由對一對電極間以高頻施加高電壓而激發放電用氣體使之成為準分子狀態。於放電用氣體自準分子狀態向基態返回時產生紫外線。
紫外線照射器2可形成為例如平板狀。紫外線照射器2係例如以其法線方向沿著Z方向之姿勢配置。換言之，紫外線照射器2係水平配置之面光源。或，紫外線照射器2可設置為圓柱狀之複數個紫外線單位照射器之排列。例如，複數個紫外線單位照射器各者以其等之中心軸沿著X方向之姿勢配置。於該情形時，複數個紫外線單位照射器沿著Y方向排列地配置。即，於該態樣中，藉由複數個紫外線單位照射器之水平配置而構成實質性之面光源。
紫外線照射器2具有保護用之石英玻璃板21。石英玻璃板21設置於基板W1側。石英玻璃板21相對於紫外線具有透光性，且具有耐熱性且抗腐蝕性。該石英玻璃板21保護紫外線照射器2免受外力傷害，並且相對於紫外線照射器2與基板W1之間之環境亦可保護紫外線照射器2。於紫外線照射器2產生之紫外線通過石英玻璃板21向基板W1照射。
<移動機構12>
移動機構12可使基板保持台1沿著Z方向移動。例如，移動機構12安裝於基板保持台1之下表面1c。該移動機構12可使基板保持台1於基板保持台1靠近紫外線照射器2之第1位置(參照圖3)、與基板保持台1遠離紫外線照射器2之第2位置(參照圖2)之間往復移動。如其後說明般，第1位置係對基板W1進行使用紫外線之處理時之基板保持台1之位置，第2位置係進行基板W1之授受時之基板保持台1之位置。第1位置之基板保持台1與紫外線照射器2之間的距離短於第2位置之基板保持台1與紫外線照射器2之間 的距離。移動機構12可採用例如油壓缸或單軸載台等。移動機構12可由波紋管覆蓋周圍。
<筒構件及氣體供給部>
筒構件3具有內周面(內面)3a、外周面3b、上表面3c及下表面3d而具有筒狀形狀。上表面3c係連結內周面3a與外周面3b之面，且係紫外線照射器2側之面。下表面3d係連結內周面3a與外周面3b之面，且係與紫外線照射器2相反側之面。圖5係概略性表示筒構件3之構成之一例之立體圖。圖6係概略性表示沿著Z方向觀察之筒構件3之構成之一例的圖。筒構件3具有圓筒形狀。筒構件3之內周面3a之直徑大於基板保持台1之側面1b之直徑。參照圖3，筒構件3之內周面3a於基板保持台1於第1位置停止之狀態下包圍基板保持台1之側面1b。
於基板保持台1於第1位置停止之狀態(圖3)下，紫外線照射器2照射紫外線。藉此，對基板W1進行使用紫外線之處理。另一方面，於基板保持台1於第1位置停止之狀態中，由紫外線照射器2、筒構件3及基板保持台1包圍基板W1之周圍。因此，於該狀態下不易將基板W1自基板保持台1取出。
因此，移動機構12使基板保持台1移動至第2位置(圖2)。藉此，基板保持台1自筒構件3之內周面3a之內部朝相對於紫外線照射器2遠離之方向後退。於該第2位置上，基板W1相對於筒構件3之下表面3d位於鉛直下方側(與紫外線照射器2相反側)。因此，分度機器人121或搬送機器人123可不受筒構件3妨礙地使基板W1沿著Y方向移動並取出基板W1。相反，分度機器人121或搬送機器人123可於基板保持台1於第2位置停止之狀態，將基板W1載置於基板保持台1。
於筒構件3形成有第1貫通孔31、第2貫通孔321、322。首先，說明第2貫通孔321、322。第2貫通孔321、322貫通筒構件3而連通於紫外線照射器2與基板W1之間之空間。於以下，亦將該空間稱為作用空間H1。具體而言，第2貫通孔321、322之一端於筒構件3之上表面3c開口。於以下，亦將第2貫通孔321、322之一端稱為開口部(給氣開口部)321a、322a。於形成有開口部321a、322a之位置上，筒構件3之上表面3c隔著空隙與紫外線照射器2對向。開口部321a、322a各者與紫外線照射器2之間之空間與作用空間H1連續。即，第2貫通孔321、322與作用空間H1連通。開口部321a、322a形成於隔著內周面3a之中心軸而彼此相向之位置。
第2貫通孔321、322之另一端於筒構件3之外周面3b開口。第2貫通孔321、322之另一端連結於第2氣體供給部42。具體而言，第2貫通孔321之另一端連接於第2氣體供給部42a，第2貫通孔322之另一端連接於第2氣體供給部42b。第2氣體供給部42a、42b將氧氣或惰性氣體(例如氮氣或氬氣等)等氣體分別經由第2貫通孔321、322供給至作用空間H1。即，第2貫通孔321、322作為給氣用路徑發揮功能。
第2氣體供給部42a、42b各者具備配管421、開閉閥422及氣體收容器423。第2氣體供給部42a、42b除了配管421之連接目的地以外互為相同。因此，首先對共通之內容進行敍述。氣體收容器423收容應向作用空間H1供給之氣體。氣體收容器423連結於配管421之一端。開閉閥422設置於配管421，並切換配管421之開閉。其次，對第2氣體供給部42a、42b之配管421之另一端之連接目的地進行說明。第2氣體供給部42a之配管421之另一端連結於第2貫通孔321之另一端，第2氣體供給部42b之配管421之 另一端連結於第2貫通孔322之另一端。
於圖2及圖3之例中，開口部321a、322a沿著Z方向於紫外線照射器2側開口。自開口部321a、322a分別噴出之氣體碰到紫外線照射器2後朝徑向流通，於基板W1之中央附近相互碰撞而沿著Z方向朝基板W1側流通，其次，於基板W1沿著其主表面流通。藉此，由於使氣體一度與紫外線照射器2碰撞，故其壓力被分散，可使作用空間H1之壓力分佈更均一化。又，於基板W1之正上方，可使氣流自其中央附近向周緣流通。
第1貫通孔31貫通筒構件3，並於筒構件3之內周面3a開口。於以下，亦將第1貫通孔31之內周面3a側之一端稱為開口部(側方開口部)31a。第1貫通孔31之開口部31a相對於第2貫通孔321、322之開口部321a、322a之任一者均位於下方側(與紫外線照射器2相反側)。
該開口部31a於基板保持台1於第1位置停止之狀態(圖3)下，與基板保持台1之側面1b對向。更具體而言，開口部31a於基板保持台1之槽11之底面與基板保持台1之下表面1c之間，與側面1b對向。藉此，於通過開口部31a之XY平面上，不存在槽11，而由筒構件3之內周面3a及基板保持台1之側面1b形成大致環狀之空間(以下亦稱為環形空間)。
該環形空間位於相對於筒構件3而為下方側之空間(以下亦稱為非作用空間)H2、與作用空間H1之間。換言之，作用空間H1與非作用空間H2經由環形空間相互連通。
第1貫通孔31之一端於筒構件3之外周面3b開口。第1貫通孔31之另一端連接於第1氣體供給部41。第1氣體供給部41可將例如氧氣或惰性氣體(例如氮氣或氬氣等)等氣體經由第1貫通孔31供給至環形空間。即，第1貫通孔31作為給氣用路徑發揮功能。第1氣體供給部41供給與第2氣體供給 部42相同之氣體。第1氣體供給部41具有配管411、開閉閥412及氣體收容器413。氣體收容器413收容應向環形空間供給之氣體。氣體收容器413連結於配管411之一端。開閉閥412設置於配管411，並切換配管411之開閉。配管411之另一端連結於第1貫通孔31之另一端。
開口部31a之開口軸方向(定義為規定開口部31a之開口面之法線之正負方向中自第1貫通孔31的內部朝向外部之方向。以下相同)可如圖2及圖3所例示，設為沿著內周面3a之徑向之方向。即，第1貫通孔31中與開口部31a相連之部分可沿著徑向延伸。另一方面，開口部31a之開口軸方向可如圖5及圖6所例示設為沿著內周面3a之周向的方向(規定筒構件3之內周之內環之切線方向)。即，第1貫通孔31中與開口部31a相連之部分可沿著周向延伸。於開口部31a之開口軸沿著周向之情形時，由於來自開口部31a之氣體之噴出方向與環形空間之周向大致一致，故可沿著環形空間有效地供給氣體。因此，氣體易於沿著該環形空間於周向流通。即，可以更小之氣體供給壓力使氣體遍及環形空間全周地流通。
又，於圖2、圖3、圖5及圖6之例中，於筒構件3之內周面3a形成有槽33。槽33沿著內周面3a之周向遍及全周地延伸。第1貫通孔31之開口部31a形成於該槽33。例如，開口部31a形成於槽33之底面(沿著Z方向延伸之面)。藉此，槽33於Z方向隔著環形空間，因此氣體易於沿著周向流通。又，由於可提高環形空間之體積，故可提高於環形空間流通之氣體之量。
<密閉空間>
基板處理裝置10可形成密閉空間。於圖2及圖3之例中，紫外線照射器2、筒構件3、隔壁5及地板部51相互連結而形成密閉空間。紫外線照射器2之下表面於其周緣側之部分具有朝筒構件3側突起之突起形狀。筒構件 3之上表面3c中外周側之部分連結於該突起部。第2貫通孔321、322之開口部321a、322a形成於上表面3c中內周側之部分，且與紫外線照射器2之下表面於Z方向上隔著空隙而對面。隔壁5與筒構件3之下表面3d連結。隔壁5於Z方向延伸並連結於地板部51。於藉由紫外線照射器2、筒構件3、隔壁5及地板部51形成之密閉空間收容有基板保持台1及移動機構12。
<排氣>
於隔壁5形成有排氣用之貫通孔52。該貫通孔52連結於排氣部61。排氣部61具備例如連結於貫通孔52之配管611等。基板處理裝置10之內部之空氣經由配管611向外部排氣。
<擋板>
於隔壁5設置有作為基板W1用之進出口發揮功能之擋板(未圖示)。藉由將該擋板打開，基板處理裝置10之內部與外部連通。分度機器人121或搬送機器人123可經由該打開之擋板使基板W1進入至基板處理裝置10之內部、且可取出基板W1。於將基板處理裝置10設置於通過部122之情形時，設置分度機器人121用之擋板、與搬送機器人123用之擋板。
<控制部>
紫外線照射器2、移動機構12、第1氣體供給部41之開閉閥412、第2氣體供給部42之開閉閥422及擋板由控制部7控制。
控制部7係電路機器，可具有例如資料處理裝置及記憶媒體。資料處理裝置可為例如CPU(Central Processor Unit：中央處理單元)等運算處理裝置。記憶部可具有非暫時性之記憶媒體(例如ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)或硬碟)及暫時性之記憶媒體(例如RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體))。可於非暫時性之記憶媒體記憶有規 定例如由控制部7執行之處理之程式。藉由處理裝置執行該程式，控制部7可執行程式所規定之處理。當然，可由硬體執行由控制部7執行之處理之一部分或全部。
<基板處理裝置之動作>
圖7係表示基板處理裝置10之動作之一例的流程圖。移動機構12最初使基板保持台1於第2位置停止(圖2)。又，此處作為一例，始終進行排氣部61之排氣。於步驟S1，控制部7將擋板打開，而且控制分度機器人121或搬送機器人123，將基板W1配置於基板保持台1之上後關閉擋板。其次，於步驟S2，控制部7例如控制第1氣體供給部41(具體而言係開閉閥412)及第2氣體供給部42(具體而言係開閉閥422)而開始氣體之供給。藉此，自開口部31a、321a、322a各者噴出氣體。作為氣體可採用例如氮氣。再者，步驟S1、S2之執行順序可相反，亦可並行執行該等。
其次，於步驟S3，控制部7控制移動機構12，使基板保持台1靠近紫外線照射器2並於第1位置停止。於第1位置上，基板W1與紫外線照射器2之間之距離係例如數[mm]至數十[mm]左右。作為更具體之一例可採用例如2[mm]。
其次，於步驟S4，控制部7使紫外線照射器2照射紫外線。再者，控制部7可於作用空間H1之環境成為特定之環境時執行步驟S3。例如，控制部7對自步驟S2之經過時間進行計時。經過時間之計時可藉由計時器電路等計時電路進行。控制部7判斷該經過時間是否大於特定之基準值，於肯定判斷時，可執行步驟S3。或，可計測作用空間H1之環境，且控制部7基於該計測值判斷作用空間H1之環境是否變為特定之環境。
藉由利用紫外線照射器2照射紫外線而對基板W1進行使用紫外線之 處理。例如，藉由對基板W1照射紫外線而去除基板W1之電荷。其理由之一係認為於基板W1產生光電效應。可採用例如252[nm]以下之波長作為紫外線之波長。其係由於該波長範圍中，可有效地去除基板W1之電荷。可採用172±20[nm]內之波長作為更有效之波長。
其次，於步驟S5，控制部7判斷是否應結束對基板W1之處理。例如，控制部7可於自步驟S4之經過時間超過特定時間時，判斷應結束處理。或，亦可計測例如基板W1之電荷，並基於該測定值而進行判斷。於判斷為不應結束對基板W1之處理時，控制部7再次執行步驟S5。於判斷應結束處理時，於步驟S6，控制部7使紫外線照射器2停止紫外線之照射。藉此，使用紫外線之處理(例如電荷之去除處理)結束。
此外，根據該基板處理裝置10，當基板保持台1於步驟S3於第1位置停止時，筒構件3之內周面3a及基板保持台1之側面1b形成環形空間。由於先於步驟S3，於步驟S2中第1氣體供給部41開始氣體之供給，故於該環形空間供給有氣體。又，於步驟S2中，由於第2氣體供給部42開始氣體之供給，故於作用空間H1亦供給有氣體。由於該作用空間H1與環形空間連通，故作用空間H1內之氣體可經由環形空間向非作用空間H2流通。
於作用空間H1內，可藉由氣體之相互作用而局部地產生負壓。於該情形時，氣體可自環形空間側向作用空間H1流入。於環形空間自第1氣體供給部41供給有氣體，因此主要為來自該第1氣體供給部41之氣體向作用空間H1流入。另一方面，來自非作用空間H2之空氣因該環形空間內之氣體成為障壁而難以流入至作用空間H1。
作為比較例，考慮不於筒構件3形成第1貫通孔31之情形。於該情形時，當於作用空間H1內產生局部性之負壓時，非作用空間H2內之空氣經 由環形空間向作用空間H1流入。由於非作用空間H2內之空氣與特定之環境不同，故因該流入導致作用空間H1內之環境與特定之環境相去甚遠。例如，於第2氣體供給部42對作用空間H1供給氮氣而使作用空間H1之氧氣濃度降低之情形時，因非作用空間H2內之氧氣向作用空間H1流入導致作用空間H1內之氧氣濃度增大。因此，使氧氣濃度降低所需之時間延長。
相對於此，根據基板處理裝置10，對環形空間自第1氣體供給部41供給氣體。由於環形空間內之氣體相對於來自非作用空間H2之空氣作為障壁發揮功能，故可抑制自非作用空間H2向作用空間H1之方向之空氣流入。因此，可使將作用空間H1之環境設為特定之環境所需的時間縮短化。即，可以更短之時間將作用空間H1之環境設為特定之環境。因此，可提高基板處理之產能。
於圖5及圖6例中，開口部31a沿著內周面3a之周向開口。於該情形時，氣體易於沿著環形空間流通，且易於於環形空間之全周填充氣體。藉此，與開口部31a沿著徑向開口之情形相比，即使以較小之壓力使氣體流通，亦易於使氣體遍及全周地於環形空間流通。即，易於遍及環形空間之全周形成上述障壁。
於上述之例中，形成有槽33。由於該槽33於Z方向上隔著環形空間，故氣體易於沿著環形空間流通。又，由於可擴大環形空間之體積，故可提高包含於環形空間之氣體之量。藉此，即使於作用空間H1局部地產生相對較大之負壓，亦可使充足之氣體自環形空間流入至作用空間H1。換言之，即使於作用空間H1產生相對較大之負壓，來自非作用空間H2之空氣亦難以向作用空間H1流入。
然而，當於作用空間H1產生局部性之負壓時，基板保持台1之槽11之空間內之空氣可向作用空間H1流入。因此，不期望使該空間內之環境與特定之環境不同。
於上述之例中，控制部7於執行步驟S2後執行步驟S3。即，控制部7於開始氣體之供給後，使基板保持台1移動。藉此，於基板保持台1之移動中亦自筒構件3之內周面3a之開口部31a供給氣體。因此，於該移動中，當槽11於Z方向上靠近開口部31a時，來自開口部31a之氣體亦流入至基板保持台1之槽11之內部。藉此，將槽11內部之空氣之至少一部分置換為自開口部31a供給之氣體。因此，可使槽11之空間之環境接近特定之環境。因此，即使自槽11之空間向作用空間H1流入氣體，亦不會使作用空間H1之環境與特定之環境相去甚遠。即，與於步驟S3、S4之間執行步驟S2之情形相比，可以更短之時間將作用空間H1之環境設為特定之環境。
若槽11自基板保持台1之上表面1a之周緣之一部分延伸至該周緣之另一部分，即，若槽11於水平方向(例如Y方向)之兩端開口，則氣體易於於槽11之內部流通。因此，易於使槽11內部之環境更接近特定之環境。
於上述之例中，將作為作用空間H1用之給氣路徑發揮功能之第2貫通孔321、322形成於筒構件3。即，於基板保持台1之側方形成給氣路徑。其係對於基板W1之上方存在紫外線照射器2之本基板處理裝置10而言較佳。即，於將第2氣體供給部42配置於基板W1之上方之情形時，必須以紫外線照射器2及第2氣體供給部42相互不干涉之方式配置其等，然而，藉由於筒構件3形成第2貫通孔321、322，可無須將第2氣體供給部42配置於基板W1之上方，而可提高紫外線照射器2及第2氣體供給部42之形狀之自由度。
<第1貫通孔>
<於周向排列>
可於筒構件3之內周面3a形成複數個開口部。圖8係表示筒構件3之概略性構成之一例之俯視圖。於筒構件3形成有複數個第1貫通孔31。複數個第1貫通孔31各者之一端(開口部31a)於內周面3a開口。複數個開口部31a於周向上隔以間隔排列。例如，複數個開口部31a於周向形成於等間隔之位置。又，亦於槽33中形成複數個開口部31a之任一者。
複數個第1貫通孔31各者之另一端於外周面3b開口。該等另一端連接於第1氣體供給部41。第1氣體供給部41經由複數個第1貫通孔31向環形空間供給氣體。藉此，自周向之複數個位置向環形空間供給氣體。
又，複數個開口部31a之任一者均沿著內周面3a之周向中相同之一方向(例如順時針方向)開口。藉此，氣體易於於環形空間之全周流通。若對此一般性地加以表現，則使各個開口部之開口軸之方向與周向之順時針方向及逆時針方向中之一旋轉方向一致。此處，順時針方向及逆時針方向係相對者，可自Z軸之正方向觀察而定義，亦可自Z軸之負方向觀察而定義。
又，壓力於該開口部31a之正後方最高，越遠離開口部31a越低。於朝相同之方向開口之複數個開口部31a於周向上形成於互不相同之位置之情形時，壓力高之位置於周向上不同。藉此，作為全體可使壓力分佈均一化。假設環形空間內之氣體之壓力局部性地降低，則非作用空間H2之空氣易於經由該部分向作用空間H1流入。藉由將環形空間之氣體之壓力分佈均一化，可不依據周向之位置而抑制自非作用空間H2向作用空間H1之空氣之流入。
再者，於圖8之例中，複數個第1貫通孔31之另一端於外周面3b上互不相同之位置開口，但亦可於相同之位置開口。即，可將與外周面3b之一個開口相連之孔分支為複數個孔，該等複數個孔可於各不相同之位置於內周面3a上開口。後述之其他貫通孔亦同樣。
<於Z方向排列>
形成於筒構件3之內周面3a之開口部可於Z方向上形成於互不相同之位置。圖9係表示筒構件3之概略構成之一例之圖。於圖9中，亦表示基板保持台1於第1位置停止之狀態之紫外線照射器2及基板保持台1。
例如，於筒構件3形成有複數個第1貫通孔311~313。第1貫通孔311~313各者之一端於內周面3a上開口。於以下，亦將第1貫通孔311~313之一端稱為開口部311a~313a。開口部311a~313a於Z方向上形成於互不相同之位置。例如，開口部311a~313a於Z方向上形成於等間隔之位置。
於基板保持台1於第1位置停止之狀態(圖9)，開口部311a~313a之任一者均於Z方向上位於基板保持台1之槽11之底面與基板保持台1之下表面1c之間。藉此，於通過開口部311a~313a各者之XY平面上，不存在槽11，而由筒構件3之內周面3a與基板保持台1之側面1b形成環形空間。
複數個第1貫通孔311~313之另一端之各者於筒構件3之外周面3b上開口。該等另一端連接於第1氣體供給部41。第1氣體供給部41經由第1貫通孔311~313向環形空間供給氣體。藉此，自Z方向之複數個位置將氣體供給至環形空間。因此，可使氣體多層地流通至環形空間。於以下，有時亦將第1貫通孔311~313分別稱為第1層貫通孔311、第2層貫通孔312及第3層貫通孔313。
於圖9之例中，各層之開口部311a~313a於徑向開口，但亦可於內周 面3a之周向開口。藉此，可沿著環形空間供給來自開口部311a~313a之氣體。因此，氣體易於遍及全周地於各層之環形空間流通。又，開口部311a~313a之任一者均可沿著內周面3a之周向中相同之一方向(例如順時針方向)開口。即，於Z方向上形成於不同位置之開口部311a~313a係任一者均可朝相同之方向開口。
藉此，各層之氣體朝相同之方向流通。為了比較，考慮開口部312a之開口方向與開口部311a、313a相反之情形。於該情形時，各層之氣體相互作用而相互阻礙該各層之周向之流通。藉此，例如認為於各層中，氣體僅可流通至環形空間之中途。其會導致作為障壁之能力降低。相對於此，藉由各層之氣體朝相同之方向流通，各層中氣體易於於環形空間之全周流通，從而可提高作為障壁之能力。
於圖9之例中，於筒構件3之內周面3a形成有複數個槽331~333。複數個槽331~333於Z方向上形成於互不相同之位置。於以下，有時亦將槽331~333分別稱為第1層槽331、第2層槽332及第3層槽333。槽331~333各者沿著內周面3a之周向遍及整周地延伸。開口部311a~313a分別形成於各個槽331~333之內部。例如，開口部311a~313a分別形成於槽331~333之底面(沿著Z方向之面)。
藉此，自開口部311a噴出之氣體主要於第1層槽331流通，自開口部312a噴出之氣體主要於第2層槽332流通，自開口部313a噴出之氣體主要於第3層槽333流通。藉此，易於層狀地形成氣體之流通。
開口部311a~313a之周向之位置可互不相同。例如，開口部311a~313a可於周向上等間隔地配置。圖10至圖12係概略性表示通過各個開口部311a~313a之XY平面之筒構件3之構成之一例的圖。第2層開口部 312a(圖11)形成於使第1層開口部311a(圖10)以內周面3a之中心軸為中心朝順時針方向旋轉120度之位置。第3層開口部313a(圖12)形成於使第2層開口部312a朝同方向旋轉120度之位置。即，自Z方向觀察，開口部311a~313a形成於於周向成等間隔之位置。
壓力於該等開口部311a~313a之正後方最高，越遠離開口部311a~313a越低。於朝相同之方向開口之開口部311a~313a於周向上形成於互不相同之位置之情形時，各層(各槽331~333)中壓力高之位置於周向上不同。藉此，作為全體可使壓力分佈均一化。
<周向及Z方向>
又，可於各層中形成複數個開口部。例如，於Z方向之第1層位置上形成有複數個第1層貫通孔311之開口部(亦稱為第1層開口部)311a，於Z方向之第2層位置上形成有複數個第2層貫通孔312之開口部(亦稱為第2層開口部)312a，於Z方向之第3層位置上形成有複數個第3層貫通孔313之開口部(亦稱為第3層開口部)313a。
圖13係概略性表示形成於筒構件3之各層之第1貫通孔之一例之圖。於圖13中，表示2個第1層貫通孔311、2個第2層貫通孔312、及2個第3層貫通孔313。為了表示第2層貫通孔312及第3層貫通孔313於Z方向上形成於與第1層貫通孔311不同之位置而以假想線表示。
2個開口部311a、2個開口部312a及2個開口部313a朝周向中相同之一方向(例如順時針方向)開口。若對此一般性地加以表現，則使複數層之開口部各者之開口部的開口軸方向與周向之順時針及逆時針中之一旋轉方向一致。又，該等開口部311a~313a可於周向上形成於互不相同之位置。例如，各層之開口部可於周向上等間隔地形成，所有層之開口部作為全體 於周向等間隔地形成。例如，2個第1層開口部311a形成於隔著筒構件3之中心軸相向之位置。即，2個第1層開口部311a於周向上等間隔地形成。2個第2層開口部312a及2個第3層開口部313a亦同樣。2個第2層開口部312a分別形成於使2個第1層開口部311a朝例如順時針方向旋轉60度之位置，2個第3層開口部313a形成於使2個第2層開口部312a朝順時針方向旋轉60度之位置。藉此，2個開口部311a、2個開口部312a及2個開口部313a作為全體於周向等間隔地形成。
第1層貫通孔311、第2層貫通孔312及第3層貫通孔313之另一端於筒構件3之外周面3b開口。該等另一端連接於第1氣體供給部41。
如上所述，於各層中，若將朝相同之方向開口之開口部排列配置於周向，則可於各層中使環形空間之壓力分佈均一化。又，若所有層之開口部於周向上形成於互不相同之位置，則作為全體可將環形空間之壓力分佈均一化。再者，於即便輕微帶來作為全體之壓力分佈之均一化之點上，只要將某層之開口部之至少一者與其他層之開口部之至少一者於周向上形成於不同之位置即可。即，可存在屬於不同層之開口部，且於周向上形成於相同之位置之開口部。
<旋轉機構>
圖14係概略性表示基板處理裝置10之構成之另一例之圖。圖14與圖2及圖3之基板處理裝置10之不同點在於圖14之基板處理裝置10有無旋轉機構13。旋轉機構13使基板保持台1旋轉，進而使基板W1旋轉。該旋轉軸係例如通過基板W1之中心且垂直於基板W1之主表面之軸。旋轉機構13具有例如馬達。旋轉機構13由控制部7控制。
旋轉機構13於例如紫外線照射器2之紫外線照射中，使基板保持台1 旋轉而使基板W1旋轉。藉此，可對基板W1均一地照射紫外線。
於開口部31a沿著周向開口之情形時，旋轉機構13使基板保持台1朝與開口部31a之開口方向(例如順時針方向)相同之方向旋轉即可。藉此，與旋轉機構13使基板保持台1朝相反方向旋轉之情形相比，環形空間內之氣體之流通不易紊亂。即，較之基板保持台1與開口部31a之開口方向相反地旋轉之情形，可提高環形空間之氣體之障壁能力。
<基板保持台>
於圖2至圖4之例中，於基板保持台1形成有一對槽11。然而，一對槽11並非為必需。圖15及圖16係概略性表示基板保持台1之另一例之基板保持台1A之圖。圖15係表示自紫外線照射器2側觀察之基板保持台1A，圖16係表示沿著水平方向觀察之基板保持台1A。於圖16中，亦表示基板保持台1A於第1位置停止之狀態之筒構件3。
於基板保持台1A之上表面1a，代替槽11而形成有複數個突起部14。複數個突起部14具有柱形狀(例如圓柱形狀)。複數個突起部14形成於不與分度機器人121及搬送機器人123之手125干涉之位置。於圖15及圖16之例中，設置有3個突起部14，且位於各個假想之三角形之頂點。突起部14之高度(Z方向之高度)大於手125之厚度(Z方向之厚度)。基板W1由複數個突起部14之前端支持。
於使用該基板保持台1A之情形，於基板保持台1A於第1位置停止之狀態(圖16)中，筒構件3之開口部31a於Z方向上位於基板保持台1A之上表面1a(未設置突起部14之部分)與下表面1c之間。藉此，可於通過開口部31a之XY平面上，不存在突起部14，而由筒構件3之內周面3a與基板保持台1A之側面1b形成環形空間。
即便使用此種基板保持台1A，亦可帶來自開口部31a供給氣體之上述效果。然而，圖4之基板保持台1與基板保持台1A相比，可減少基板保持台1與基板W1之間之空間之體積。由於該空間初期存在與特定之環境不同之空氣，故不期望自該空間向作用空間H1流入空氣。因此，可減少該空間之體積之基板保持台1較佳。
圖17至圖19係概略性表示基板保持台1之另一例之基板保持台1B之構成的圖。圖17係表示自紫外線照射器2側觀察之基板保持台1B，圖18及圖19係表示沿著水平方向觀察之基板保持台1B。於圖19中，亦表示基板保持台1B於第1位置停止之狀態之筒構件3。
於基板保持台1B之上表面1a代替槽11而形成有複數個升降突起部15及複數個固定突起部16。複數個升降突起部15及複數個固定突起部16以不與分度機器人121及搬送機器人123之手125干涉之方式設置。複數個升降突起部15例如於上表面1a之周緣附近於周向等間隔地設置。於圖17之例中，設置有3個升降突起部15。升降突起部15具有柱形狀(例如圓柱形狀)。於升降突起部15之前端載置有基板W1。
升降突起部15可於Z方向上升降地設置。即，升降突起部15之突出量(沿著Z方向之高度)可變。升降突起部15可採用能升降之所謂之升降銷。該升降突起部15之升降程度(突出量)由控制部7控制。例如升降突起部15可朝Z方向移動。此種移動機構可採用例如氣缸。藉由使升降突起部15朝紫外線照射器2側移動，升降突起部15之突出量增大(圖18)。即，升降突起部15升高。另一方面，藉由使升降突起部15朝與紫外線照射器2相反側移動，升降突起部15之突出量減小(圖19)。即，升降突起部15降低。
複數個固定突起部16設置於與複數個升降突起部15不同之位置，例 如，設置於較所有之複數個升降突起部15更靠上表面1a之中心側。複數個固定突起部16於周向之位置上等間隔地設置。於圖17之例中，將3個固定突起部16於周向等間隔地設置。固定突起部16具有柱形狀(例如圓柱形狀)，且其Z方向之高度例如小於分度機器人121及搬送機器人123之手125之Z方向之厚度。例如，固定突起部16之高度可設為為0.5[mm]左右。
於使用該基板保持台1B之情形時，於基板保持台1B於第1位置停止之狀態(圖19)中，筒構件3之開口部31a於Z方向上位於基板保持台1B之上表面1a(未設置升降突起部15及固定突起部16兩者之部分)與下表面1c之間。藉此，可於通過開口部31a之XY平面上，不存在升降突起部15及固定突起部16，而由筒構件3之內周面3a與基板保持台1B之側面1b形成環形空間。
圖20係表示基板處理裝置10之動作之一例之流程圖。初期升降突起部15之高度(突出量)高於分度機器人121及搬送機器人123之手125之厚度。首先，於步驟S11，控制部7打開擋板，控制分度機器人121或搬送機器人123將基板W1載置於複數個升降突起部15。此時，手125進入至基板W1與基板保持台1B之間之空間(圖18)。而且，控制部7使手125向基板處理裝置10之外部後退，而且關閉擋板。於該狀態中，基板W1由複數個升降突起部15支持，但仍未由固定突起部16支持。即，於升降突起部15之突出量為相對較大之第1值時，基板W1不由固定突起部16支持，而由升降突起部15支持。此時，基板W1容易因自重而撓曲。由於複數個升降突起部15支持基板W1之周緣，故基板W1以相對於周緣中心附近降低之方式撓曲。
其次，於步驟S12，控制部7使升降突起部15之高度(沿著Z方向之高 度)降低。具體而言，控制部7使升降突起部15朝與紫外線照射器2相反側移動。控制部7於由升降突起部15及固定突起部16之兩者支持基板W1之前降低升降突起部15之背部。即，於升降突起部15之突出量為小於第1值之第2值時，由升降突起部15及固定突起部16兩者支持基板W1。藉此，可增加支持基板W1之部位，可抑制基板W1之撓曲。具體而言，由於固定突起部16較升降突起部15更支持基板W1之中心側，故可更有效地降低基板W1之撓曲。
以後之步驟S13~S17分別與步驟S2~S6相同。
如上所述，根據基板保持台1B，由於可降低基板W1之撓曲，故可將基板W1與紫外線照射器2之間之距離於基板W1之主表面上均一化。因此，可於步驟S15中將基板W1之主表面之紫外線照射強度均一化。藉此，可對基板W1均一地執行處理。
又，於上述之例中，於步驟S12後執行步驟S14。即，降低升降突起部15，而且使基板W1靠近紫外線照射器2。藉由降低升降突起部15，可減少基板W1與基板保持台1B之間之空間體積。即，減小該空間體積，而且使基板W1靠近紫外線照射器2。因此，可降低自該空間向作用空間H1流入之空氣之量。其係有助於縮短將作用空間H1之環境設為特定之環境所需之時間。
又，於基板保持台1B中，設置固定突起部16。藉此，與以升降突起部15置換固定突起部16之構造相比，可將基板保持台1B之機構簡化。進而可降低製造成本。
再者，於上述之例中，基板W1於升降突起部15下降時，由升降突起部15及固定突起部16之兩者支持。然而，亦可藉由使升降突起部15之高 度下降至充分低於固定突起部16之高度之狀態，而僅由固定突起部16保持基板W1。或，可以固定突起部16與基板W1不接觸之方式調整升降突起部15之高度，藉此僅由升降突起部15保持基板W1。
<第3貫通孔>
圖21係概略性表示基板保持台1之另一例即基板保持台1C之構成的圖。基板保持台1C與基板保持台1之不同點在於第3貫通孔18之有無。第3貫通孔18貫通基板保持台1C，且連通於基板W1與基板保持台1C之間之空間。具體而言，第3貫通孔18之一端於下表面1c開口，另一端於槽11之底面開口(搬送槽開口部)。第3貫通孔18係例如給氣用貫通孔，且於其一端連接有第3氣體供給部43。第3氣體供給部43經由第3貫通孔18將氣體供給至基板W1與基板保持台1C之間之空間。該氣體為例如與由第1氣體供給部41及第2氣體供給部42供給之氣體(例如氮氣)相同之氣體。第3氣體供給部43具有例如連結於第3貫通孔18之下表面1c側之一端之配管、控制該配管之開閉之開閉閥、及連結於該配管，且收容氣體之氣體收容器。
基板處理裝置10之動作之一例與圖7同樣。然而，開始第3氣體供給部43之氣體供給係於步驟S13中進行。
藉此，由於可使基板W1與基板保持台1C之間之空間之環境接近特定之環境，故即使自該空間向作用空間H1流入氣體，亦不會使作用空間H1之環境與特定之環境相去甚遠。
第3貫通孔18可為排氣用之貫通孔。圖22係概略性表示基板保持台1C之構成之一例的圖。基板保持台1C之構成與圖21同樣，但第3貫通孔18之下表面1c側之一端連接於排氣部62。排氣部62可經由第3貫通孔18將基板W1與基板保持台1C之間之空間之氣體排氣。排氣部62具有連結於第3 貫通孔18之下表面1c側之一端之配管。
藉此，由於基板W1與基板保持台1C之間之空間之氣體經由第3貫通孔18排氣至外部，故可抑制該空間之氣體向作用空間H1流入。
於圖21及圖22中，表示對基板保持台1形成第3貫通孔18之構造，但亦可對基板保持台1A、1B形成第3貫通孔18。第3貫通孔18係只要於基板W1與基板保持台之間之空間連通即可。即，第3貫通孔18之一端只要於基板保持台1A、1B之上表面1a中與基板W1之接觸部不同之位置開口即可(上表面開口部)。具體而言，第3貫通孔18之一端(上表面開口部)於與基板保持台1A之上表面1a中與突起部14不同之位置開口。又，第3貫通孔18之一端(上表面開口部)於基板保持台1B之上表面1a中與升降突起部15及固定突起部16之任一者均不同之位置開口。
<基板與紫外線照射器之間之距離>
圖23係表示基板處理裝置10之動作之一例之流程圖。步驟S31、S32分別與步驟S1、S2相同。其次，於步驟S33，控制部7控制移動機構12，使基板保持台1自第2位置向紫外線照射器2移動且於第3位置停止。即，使基板保持台1靠近紫外線照射器2。第3位置係相對於第1位置更靠近紫外線照射器2側之位置。即，基板W1於第3位置較第1位置更靠近紫外線照射器2。換言之，第3位置之基板W1與紫外線照射器2之間之距離短於第1位置之基板W1與紫外線照射器2之間之距離。例如於第3位置中，基板W1與紫外線照射器2之間之距離係1[mm]。
其次，於步驟S34，控制部7控制移動機構12，使基板保持台1自第3位置向第1位置移動。即，使基板保持台1遠離紫外線照射器2。以後之步驟S35~S37分別與步驟S4~S6相同。
根據該動作，可暫時減小基板W1與紫外線照射器2之間之作用空間H1之體積(步驟S33)。藉此，可使作用空間H1內之初期之空氣向非作用空間H2流通。即，可使與特定之環境不同之初期空氣自作用空間H1流出。其後，移動機構12使基板W1遠離紫外線照射器2(步驟S34)。伴隨於此，將來自第2氣體供給部42之氣體、及來自環形空間之氣體引入至作用空間H1內。
如以上般，暫時減小作用空間H1之體積，使該作用空間H1內初期之空氣向外部流通。藉此，可預先減小應藉由來自第2氣體供給部42之氣體自作用空間H1擠出之初期之空氣量。藉此，可以更短之時間將作用空間H1內之環境設為特定之環境。
<移動機構12>
於上述之例中，移動機構12使基板保持台1移動，但可使紫外線照射器2與筒構件3之一組移動。簡言之，移動機構12只要使紫外線照射器2及筒構件3之一組、與基板保持台1相對移動即可。
<第2貫通孔>
於上述之例中，於筒構件3形成有2個第2貫通孔321、322，但亦可將3個以上之第2貫通孔形成於筒構件3。3個以上之第2貫通孔之開口部可於周向上例如等間隔地形成。
又，於圖2及圖3之例中，分別經由第2貫通孔321、322供給氣體，但亦可例如經由第2貫通孔321供給氣體，經由第2貫通孔322將作用空間H1內之氣體排氣。圖24係概略性表示該基板處理裝置10之構成之一例的圖。第2貫通孔322之另一端連接於排氣部63。具體而言，排氣部63具有配管631，該配管631之一端連接於第2貫通孔322之另一端。於該情形 時，開口部322a作為排氣開口部發揮功能。
又，可將給氣用之複數個第2貫通孔及排氣用之複數個第2貫通孔形成於筒構件3。例如，將給氣用之複數個第2貫通孔之開口部形成於一半周單側，將排氣用之複數個第2貫通孔之開口部形成於另一半周單側。
圖25係概略性表示基板處理裝置10之另一構成之一例的圖。該基板處理裝置10與圖2之基板處理裝置10之不同點在於開口部321a、322a。於圖25中，開口部321a、322a於Z方向上於紫外線照射器2側開口，並且於水平方向上亦開口。即，朝向筒構件3之內周側開口。藉此，亦可使自開口部321a、322a供給之氣體於水平方向流通。開口部321a、322a之一者可作為給氣用之開口部發揮功能，另一者可作為排氣用之開口部發揮功能。
1:基板保持台
1a:上表面
1b:側面
1c:下表面
2:紫外線照射機構(紫外線照射器)
3:筒構件
3a:內面(內周面)
3b:外周面
3c:上表面
3d:下表面
5:隔壁
7:控制部
10:基板處理裝置
11:槽
12:移動機構
21:石英玻璃板
31:第1貫通孔
31a:側方開口部(開口部)
33:槽
41:第1氣體供給機構(第1氣體供給部)
42:第2氣體供給機構(第1氣體供給部)
42a:第2氣體供給部
42b:第2氣體供給部
51:地板部
52:貫通孔
61:排氣部
321:第2貫通孔
321a:給氣開口部、排氣開口部(開口部)
322:第2貫通孔
322a:給氣開口部、排氣開口部(開口部)
411:配管
412:開閉閥
413:氣體收容器
421:配管
422:開閉閥
423:氣體收容器
611:配管
H1:作用空間
H2:非作用空間
W1:基板
X:方向
Y:方向
Z:方向

Claims (24)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備：基板保持台，其具有載置基板之第1上表面、及側面；紫外線照射機構，其於上述基板保持台之上述第1上表面所載置之基板之上方隔著作用空間而配置，且朝向基板照射紫外線；筒構件，其係以其內周面包圍上述基板保持台之側面全周之方式配置，且於上述內周面與上述基板保持台之側面之間形成有連通於上述作用空間之環狀之環形空間；第1氣體供給機構，其對上述環形空間供給氣體；及第2氣體供給機構，其向形成於上述基板與上述紫外線照射機構之間之上述作用空間供給氣體；且使供給至上述環形空間之氣體發揮作為對朝向上述作用空間流動之氣體之障壁的作用。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述筒構件係於上述內周面之中與上述側面對向之至少一個位置具有至少一個側方開口部；上述第1氣體供給機構經由上述側方開口部對上述環形空間供給氣體。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中流至上述作用空間之氣體係自相對於上述基板保持台與上述紫外線 照射機構為相反側之非作用空間經由上述環形空間而流動之氣體。
  4. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備：基板保持台，其具有載置基板之第1上表面、及側面；紫外線照射機構，其以與上述基板保持台所載置之基板對向之方式配置，且對上述基板保持台所載置之基板照射紫外線；移動機構，其係使上述基板保持台自距紫外線照射機構較遠的第2位置朝距紫外線照射機構較近的第1位置移動，在上述紫外線照射機構及上述基板保持台之間形成使自上述紫外線照射機構所照射之紫外線對上述基板保持台所載置之基板作用之作用空間，並在相對於上述基板保持台與上述紫外線照射機構為相反側之位置形成非作用空間；筒構件，其係於上述基板保持台位於上述第1位置時，將上述基板保持台之上述側面遍及其全周地包圍，且在該筒構件與上述基板保持台之側面之間形成分別連通於上述作用空間及上述非作用空間之環狀之環形空間；第1氣體供給機構，其對上述環形空間供給氣體；及第2氣體供給機構，其對上述作用空間供給氣體。
  5. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備：基板保持台，其具有載置基板之第1上表面、及側面；紫外線照射機構，其以隔著作用空間與基板對向之方式配置，且朝向基板照射紫外線；筒構件，其具有包圍上述基板保持台之上述側面之內周面，於上述 內周面之中與上述側面對向之至少一位置具有至少一個側方開口部，第1氣體供給機構，其經由上述至少一個側方開口部，對上述基板保持台之上述側面與上述筒構件之上述內周面之間的空間供給氣體；及第2氣體供給機構，其對基板與上述紫外線照射機構之間的上述作用空間供給氣體；上述筒構件具備對上述作用空間供給氣體之至少一給氣開口部。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述筒構件具有與上述紫外線照射機構隔著空隙對向之第2上表面，上述至少一給氣開口部形成於上述第2上表面。
  7. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述筒構件之上述內周面包含沿著上述內周面之周向延伸之第1槽，且上述至少一個側方開口部形成於上述第1槽。
  8. 如請求項2或7之基板處理裝置，其中上述至少一個側方開口部沿著上述內周面之周向開口。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中上述至少一個側方開口部包含複數個側方開口部，且上述複數個側方開口部於上述內周面之周向上隔以間隔排列而形成。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中使上述複數個側方開口部各者之開口軸之方向與上述周向之順時針及逆時針中之一旋轉方向一致。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其進而具備旋轉機構，該旋轉機構以垂直於基板之主表面之軸為旋轉軸，使上述基板保持台朝上述一旋轉方向旋轉。
  12. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述至少一個側方開口部包含至少一個第1層開口部、及至少一個第2層開口部，且上述至少一個第1層開口部於上述紫外線照射機構及上述基板保持台排列之方向上，形成於與上述至少一個第2層開口部不同之位置。
  13. 如請求項12之基板處理裝置，其中至少一個第1層開口部包含複數個第1層開口部，至少一個第2層開口部包含複數個第2層開口部，上述複數個第1層開口部於上述內周面之周向上隔以間隔排列而形成，且上述複數個第2層開口部各者於上述周向上形成於與上述第1層開口部不同之位置，使上述第1層開口部及上述第2層開口部各者之開口軸之方向與上述 周向之順時針及逆時針中之一旋轉方向一致。
  14. 如請求項12或13之基板處理裝置，其中上述筒構件之上述內周面進而包含沿著上述內周面之周向延伸之第1槽及沿著上述內周面之周向延伸之第2槽，上述第1槽及上述第2槽於上述紫外線照射機構與上述基板保持台排列之方向上形成於互不相同之位置，上述至少一個第1層開口部形成於上述第1槽，上述至少一個第2層開口部形成於上述第2槽。
  15. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述筒構件進而具有對基板與上述紫外線照射機構之間之上述作用空間供給氣體之至少一個給氣開口部。
  16. 如請求項15之基板處理裝置，其中上述至少一個給氣開口部包含複數個給氣開口部，上述筒構件具有與上述紫外線照射機構隔著空隙對向之第2上表面，上述複數個給氣開口部形成於上述第2上表面，且於上述內周面之周向上相互隔以間隔而形成。
  17. 如請求項15或16之基板處理裝置，其中上述筒構件進而具有至少一個排氣開口部，上述至少一個排氣開口部於上述內周面之周向上形成於與上述至少一個給氣開口部不同之位置， 且將基板與上述紫外線照射機構之間之上述作用空間之氣體排氣。
  18. 如請求項17之基板處理裝置，其中上述至少一個給氣開口部於上述內周面之周向上形成於單側之一半，上述至少一個排氣開口部於上述內周面之周向上形成於剩餘之單側之一半。
  19. 如請求項1或7之基板處理裝置，其中上述基板保持台之上述第1上表面包含自上述第1上表面之周緣延伸之搬送槽，且上述基板保持台包含有於上述搬送槽開口之給氣用或排氣用之搬送槽開口部。
  20. 如請求項1或7之基板處理裝置，其中上述基板保持台具備於上述第1上表面朝上述紫外線照射機構側突起而支持基板之複數個突起部，且於上述基板保持台形成有於上述第1上表面之中與上述複數個突起部不同之位置開口之給氣用或排氣用之上表面開口部。
  21. 如請求項1或7之基板處理裝置，其中於上述基板保持台之上述第1上表面形成有：複數個升降突起部，其等可於上述紫外線照射機構與上述基板保持台排列之方向上升降；及 複數個固定突起部，其等於較複數個升降突起部更靠近基板中心之位置朝上述紫外線照射機構側突出；且於上述複數個升降突起部朝上述紫外線照射機構側上升時，上述複數個固定突起部不支持基板，而由上述複數個升降突起部支持基板，於上述複數個升降突起部朝基板保持台側下降時，至少上述複數個固定突起部支持基板。
  22. 如請求項21之基板處理裝置，其中上述基板保持台具有於上述第1上表面開口之給氣用或排氣用之上表面開口部。
  23. 如請求項2或7之基板處理裝置，其中於第1位置及第2位置之間，進而具備使上述紫外線照射機構與上述基板保持台相對移動之移動機構，位於上述第1位置之基板與上述紫外線照射機構之間的距離短於位於上述第2位置之基板與上述紫外線照射機構之間的距離，且上述至少一個側方開口部於上述基板保持台於上述第1位置停止之狀態下，與上述基板保持台之上述側面對向。
  24. 一種基板處理系統，其具備：收容保持部，其收容基板；基板處理部，其用以對基板實施處理；及基板通過部，其位於上述收容保持部與上述基板處理部之間，且供 於上述收容保持部與上述基板處理部之間往復之基板通過；且於上述基板通過部設置有如請求項1或7之基板處理裝置。
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