CN108257890A - 基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在更短时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。基板处理装置(10)具备基板保持台(1)、紫外线照射机构(2)、筒构件(3)和气体供给机构(41、42)。紫外线照射机构以隔着作用空间(H1)与基板(W1)相对的方式配置，并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面1b)的内表面(3a)，在内表面中的与侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个开口部(31a)。气体供给机构(42)经由至少一个开口部，向基板保持台(1)的侧表面(1b)和筒构件(3)的内表面(3a)之间的空间供给气体。气体供给机构(41)向基板和紫外线照射机构(2)之间的作用空间(H1)供给气体。

Description

基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统
技术领域
本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统。
背景技术
一直以来，在半导体基板(以下，简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置对具有氧化膜等绝缘膜的基板实施各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给处理液，对基板的表面进行蚀刻等处理。此外，在蚀刻等结束后，还进行去除基板上的抗蚀剂的处理。
对要在基板处理装置中进行处理的基板，在搬入基板处理装置之前，进行干式蚀刻、等离子CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)等干法工序(dryprocessing)。在这样的干法工序中，由于在器件内产生电荷而带电，因此基板以带电的状态搬入到基板处理装置(所谓，带入带电)。然后，在基板处理装置，当向基板上供给SPM液那样的电阻率小的处理液时，器件内的电荷急速从器件向处理液移动(即，向处理液中放电)，因伴随该移动引起的发热而存在器件损坏的担忧。
因此，以往使用了防止基板带电的带电防止装置(例如专利文献1)。该带电防止装置具备气体供给路径和照射部。照射部向玻璃基板照射紫外线。气体供给路径与玻璃基板和照射部之间的空间连通。包含氧气的气体通过该气体供给路径，向该空间供给。通过在该状态下向玻璃基板照射紫外线，使玻璃基板的表面亲水化，防止玻璃基板带电。此外，该空间的氧气通过照射该紫外线变化为臭氧。该臭氧促进玻璃基板的亲水化。
另外，作为与本发明相关的技术，披露了专利文献2～4。
专利文献1：日本特开2008-60221号公报
专利文献2：日本特开平11-221535号公报
专利文献3：日本特许第4017276号公报
专利文献4：日本特许第5752760号公报
由于如果在基板和紫外线照射器之间的空间残留有空气，则紫外线被空气中的氧气吸收而产生有害的臭氧或者紫外线强度衰减，因此需要在该空间的环境气体成为规定的环境气体后，用紫外线照射器开始照射紫外线。例如在该空间的氧气浓度处于规定的范围内时，开始照射紫外线。
此外，为了提高基板处理的处理能力，优选使该空间的环境气体在更短时间内成为规定的环境气体。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种在更短的时间内将基板和紫外线照射器之间的空间的环境气体变为规定的环境气体的基板处理装置。
为了解决上述问题，第一方式的基板处理装置具备基板保持台、紫外线照射机构、筒构件、第一气体供给机构和第二气体供给机构。基板保持台具有载置基板的第一上表面和侧表面。紫外线照射机构以隔着作用空间与基板相对的方式配置，并向基板照射紫外线。筒构件具有包围基板保持台的侧表面的内表面，在该内表面中的与该侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个侧方开口部。第一气体供给机构经由至少一个侧方开口部，向基板保持台的侧表面和筒构件的内表面之间的空间供给气体。第二气体供给机构向基板和紫外线照射机构之间的作用空间供给气体。
第二方式的基板处理装置在第一方式的基板处理装置的基础上，筒构件的内表面具有第一槽，所述第一槽沿该内表面的周向延伸。至少一个侧方开口部形成于第一槽。
第三方式的基板处理装置在第一方式或第二方式的基板处理装置的基础上，至少一个侧方开口部沿所述内表面的周向开口。
第四方式的基板处理装置在第三方式的基板处理装置的基础上，至少一个侧方开口部包括多个侧方开口部，多个侧方开口部在内表面的周向上隔着间隔排列。
第五方式的基板处理装置在第四方式的基板处理装置的基础上，使多个侧方开口部各自的开口轴的方向，与周向的顺时针和逆时针中的一个转向一致。
第六方式的基板处理装置在第四方式或第五方式的基板处理装置的基础上，还具备旋转机构，以与基板的主面垂直的轴为旋转轴，使基板保持台向所述一个转向旋转。
第七方式的基板处理装置在第一方式至第六方式中的一个方式的基板处理装置的基础上，至少一个侧方开口部包括至少一个第一层开口部和至少一个第二层开口部。在紫外线照射机构和基板保持台排列的方向上，至少一个第一层开口部形成于与至少一个第二层开口部不同的位置。
第八方式的基板处理装置在第七方式的基板处理装置的基础上，至少一个第一层开口部包括多个第一层开口部，至少一个第二层开口部包括多个第二层开口部。多个第一层开口部在该内表面的周向上隔着间隔排列，并且多个第二层开口部分别在周向上形成于与第一层开口部不同的位置。使第一层开口部和第二层开口部各自的开口轴的方向，与周向的顺时针和逆时针中的一个转向一致。
第九方式的基板处理装置在第七方式或第八方式的基板处理装置的基础上，筒构件的内表面还包括第二槽，所述第二槽沿该内表面的周向延伸。在紫外线照射机构和基板保持台排列的方向上，第一槽和第二槽形成于彼此不同的位置。至少一个第一层开口部形成于第一槽，至少一个第二层开口部形成于第二槽。
第十方式的基板处理装置在第一方式至第九方式中的一个方式的基板处理装置的基础上，筒构件还具有至少一个供气开口部。至少一个供气开口部向基板和所述紫外线照射机构之间的作用空间供给气体。
第十一方式的基板处理装置在第十方式的基板处理装置的基础上，至少一个供气开口部包括多个供气开口部。筒构件具有第二上表面，所述第二上表面隔着空隙与紫外线照射机构相对。多个供气开口部形成于第二上表面，并在该内表面的周向上彼此隔开间隔。
第十二方式的基板处理装置在第十方式或第十一方式的基板处理装置的基础上，筒构件还具有至少一个排气开口部。至少一个排气开口部在该内表面的周向上形成于与至少一个供气开口部不同的位置，并将基板和紫外线照射机构之间的作用空间的气体排出。
第十三方式的基板处理装置在第十二方式的基板处理装置的基础上，至少一个供气开口部在该内表面的周向上形成于一个半周，至少一个排气开口部在该内表面的周向上形成于另一个半周。
第十方式的基板处理装置在第一方式至第十三方式中的一个方式的基板处理装置的基础上，基板保持台的第一上表面包括搬运槽，所述搬运槽从该第一上表面的周缘延伸。基板保持台包括供气用或排气用的搬运槽开口部，所述搬运槽开口部在搬运槽开口。
第十五方式的基板处理装置在第一方式至第十三方式中的一个方式的基板处理装置的基础上，基板保持台具备多个突起部，所述多个突起部在第一上表面上向紫外线照射机构侧突起，并支撑基板，在基板保持台形成有供气用或排气用的上表面开口部，所述上表面开口部在第一上表面中的与多个突起部不同的位置开口。
第十六方式的基板处理装置在第一方式至第十三方式中的一个方式的基板处理装置的基础上，在基板保持台的第一上表面形成有多个升降突起部和多个固定突起部。多个升降突起部能够在紫外线照射机构和所述基板保持台排列的方向上升降。多个固定突起部在比多个升降突起部接近基板的中心的位置向紫外线照射机构侧突出。在多个升降突起部上升到紫外线照射机构侧时，多个固定突起部未支撑基板，由多个升降突起部支撑基板。在多个升降突起部下降到基板保持台侧时，至少由多个固定突起部支撑基板。
第十七方式的基板处理装置在第十六方式的基板处理装置的基础上，基板保持台具有供气用或排气用的上表面开口部，所述上表面开口部在第一上表面开口。
第十八方式的基板处理装置在第一方式至第十七方式中的一个方式的基板处理装置的基础上，还具备移动机构。移动机构在第一位置和第二位置之间，使所述紫外线照射机构和所述基板保持台相对移动。第一位置的基板和紫外线照射机构之间的距离，小于第二位置的基板和紫外线照射机构之间的距离。在基板保持台停止于第一位置的状态下，至少一个侧方开口部与基板保持台的所述侧表面相对。
第十九方式的基板处理方法具备第一工序至第三工序。在第一工序中，在具有第一上表面和侧表面的基板保持台的该第一上表面配置基板。在第二工序中，经由至少一个侧方开口部向具有包围基板保持台的侧表面的内表面的筒构件的内表面和基板保持台的侧表面之间的空间供给气体，并向以隔着作用空间与基板相对的方式配置的紫外线照射机构和基板之间的作用空间供给气体，在该内表面中的与该侧表面相对的至少一个位置具有至少一个侧方开口部。在第三工序中，在第一工序和第二工序之后，使紫外线照射机构向基板照射紫外线。
第二十方式的基板处理方法在第十九方式的基板处理方法的基础上，第二工序具备：工序(a)，在基板保持台从筒构件的内表面的内部向相对于紫外线照射机构离开的方向退避的状态下，开始向作用空间供给气体和开始经由至少一个侧方开口部供给气体；以及工序(b)，在工序(a)之后，以基板保持台的侧表面与筒构件的内表面相对的方式，使紫外线照射机构和基板保持台相对移动。
第二十一方式的基板处理方法在第十九方式或第二十方式的基板处理方法的基础上，第二工序具备：工序(A)，以使基板保持台接近紫外线照射机构的方式，使紫外线照射机构和基板保持台相对移动；工序(B)，开始向基板和紫外线照射机构之间的空间供给气体和开始经由至少一个侧方开口部供给气体；以及工序(C)，在工序(A)和工序(B)之后，以基板保持台从紫外线照射机构离开的方式，使紫外线照射机构和基板保持台相对移动。
第二十二方式基板处理系统是基板处理系统，具备：容纳保持部，容纳基板；基板处理部，用于对基板实施处理；以及基板通过部，位于容纳保持部和基板处理部之间，并使在容纳保持部和基板处理部之间往返的基板经过。在基板通过部设置有第一至第十八方式中任一方式所述的基板处理装置。
根据基板处理装置、基板处理方法和基板处理系统，在基板保持台的侧表面和筒构件的内表面之间的空间(以下，称为连通空间)流动的气体，作为向作用空间流动的气体的阻碍壁发挥功能。例如相对基板保持台位于与紫外线照射机构相反侧的空间(非作用空间)，经由连通空间与作用空间连通。但是，非作用空间内的空气因连通空间的气体而难以流入作用空间。即，能够抑制与规定的环境气体不同的非作用空间的空气流入作用空间。因此，能够在更短时间内使作用空间的环境气体变为规定的环境气体。
附图说明
图1是概要地表示基板处理系统的结构的一例的图。
图2是概要地表示基板处理装置的结构的一例的图。
图3是概要地表示基板处理装置的结构的一例的图。
图4是概要地表示基板保持台的结构的一例的图。
图5是概要地表示筒构件的结构的一例的立体图。
图6是概要地表示筒构件的结构的一例的图。
图7是表示基板处理装置的动作的一例的流程图。
图8是概要地表示筒构件的结构的另一例的图。
图9是概要地表示筒构件的结构的一例的图。
图10是概要地表示筒构件的结构的一例的图。
图11是概要地表示筒构件的结构的一例的图。
图12是概要地表示筒构件的结构的一例的图。
图13是概要地表示筒构件的结构的一例的图。
图14是概要地表示基板处理装置的结构的一例的图。
图15是表示基板保持台的结构的另一例的图。
图16是表示基板保持台的结构的另一例的图。
图17是表示基板保持台的结构的另一例的图。
图18是表示基板保持台的结构的另一例的图。
图19是表示基板保持台的结构的另一例的图。
图20是表示基板处理装置的动作的一例的流程图。
图21是表示基板保持台的结构的另一例的图。
图22是表示基板保持台的结构的另一例的图。
图23是表示基板处理装置的动作的一例的流程图。
图24是表示基板处理装置的结构的另一例的图。
图25是表示基板处理装置的结构的另一例的图。
其中，附图标记说明如下：
1：基板保持台
1a：上表面
1b：侧表面
2：紫外线照射机构(紫外线照射器)
3：筒构件
3a：内表面(内周面)
3c：上表面
10：基板处理装置
12：移动机构
13：旋转机构
14：突起部
15：升降突起部
16：固定突起部
18：第三贯通孔
31：第一贯通孔
31a：侧方开口部(开口部)
33：槽
41：第一气体供给机构(第一气体供给部)
42：第二气体供给机构(第二气体供给部)
321、322：第二贯通孔
321a、322a：供气开口部、排气开口部(开口部)
311：第一层贯通孔
312：第二层贯通孔
311a：第一层开口部
312a：第二层开口部
331：第一槽(槽)
332：第二槽(槽)
100：基板处理系统
110：容纳器保持部
120：基板通过部
130：基板处理部
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明本发明的实施方式。
＜基板处理系统的整体结构的一例＞
图1是概要地表示基板处理系统100的整体结构的一例的图。另外，在图1和之后的各图中，为了便于理解，根据需要夸张或简化地绘制各部的尺寸和数量。
基板处理系统100是用于对半导体基板实施各种处理的装置。该基板处理系统100例如具备容纳器保持部110、基板通过部120和基板处理部130。容纳器保持部110保持基板容纳器。在该基板容纳器中例如容纳多个基板。在图1的例子中，设置有多个容纳器保持部110，这些多个容纳器保持部110沿与水平面平行的一个方向(以下，也称为X方向)排列。
基板处理部130是用于对基板实施规定的处理的装置。在图1的例子中，设置有多个基板处理部130(图示例中是基板处理部130a～130d)。基板处理部130a～130d分别对基板进行各种处理。为了便于说明，假设各基板按照基板处理部130a～130d的顺序接受处理的情况。例如基板处理部130a向基板供给处理液(药液、冲洗液或IPA(异丙醇)液等处理液)。由此，按照处理液对基板进行处理。对之后的基板处理部130c的处理而言，不希望在基板上蓄积有电荷。此外，通过由基板处理部130b进行的处理(例如使用IPA的处理)，有时有机物作为杂质残留在基板的主面上，希望去除这样的有机物。
基板通过部120位于容纳器保持部110和各个基板处理部130a～130d之间。未处理的基板从容纳器保持部110经由基板通过部120交至基板处理部130a。在基板处理部130a中进行了处理的已处理的基板，从该基板处理部130a经由基板通过部120，交至容纳器保持部110或其他基板处理部130b。基板在基板处理部130b～130d之间的按照时间顺序的搬运也相同。
基板通过部120例如具备分度器机械手121、路径部122和搬运机械手123。分度器机械手121能够在以下说明的分度器搬运路径124沿X方向往返移动。分度器搬运路径124是与多个容纳器保持部110邻接并沿X方向延伸的搬运路径。在该分度器搬运路径124中，分度器机械手121能够在与各容纳器保持部110相对的位置停止。
分度器机械手121例如具有臂部和手部。手部设置于臂部的顶端，保持基板或释放所保持的基板。通过臂部的驱动，手部能够沿与水平面平行且与X方向垂直的方向(以下，也称为Y方向)往返移动。在与容纳器保持部110相对的状态下，分度器机械手121能够使手部向容纳器保持部110移动，从容纳器保持部110取出未处理的基板，或者将已处理的基板交至容纳器保持部110。
路径部122相对分度器搬运路径124位于与容纳器保持部110相反侧的位置。例如路径部122可以形成于与分度器搬运路径124的X方向的中央部相对的位置。例如路径部122也可以具有载置基板的载置台或者搁架。分度器机械手121在水平面能够使臂部旋转180度。由此，分度器机械手121能够使手部向路径部122移动。分度器机械手121能够将从容纳器保持部110取出的基板交至路径部122，或者从路径部122取出载置于路径部122的基板。
搬运机械手123相对路径部122设置于与分度器搬运路径124相反侧。此外，多个(图1中是四个)基板处理部130以包围搬运机械手123的方式配置。在图1的例子中，设置有分别与基板处理部130相邻的流体箱131。流体箱131能够向相邻的基板处理部130供给处理液，此外，从该基板处理部130回收已使用的处理液。
搬运机械手123与分度器机械手121相同地，具有臂部和手部。该搬运机械手123能够从路径部122取出基板，或者将基板交至路径部122。此外，搬运机械手123能够将基板交至各基板处理部130，或者从各基板处理部130取出基板。另外，分度器机械手121和搬运机械手123可以视为搬运基板的搬运机构。
通过这样的结构，例如能够进行如下的概略动作。即，容纳于容纳器保持部110的各半导体基板，通过分度器机械手121依次搬运至路径部122。然后，基板通过搬运机械手123依次搬运至基板处理部130a～130d，在基板处理部130a～130d中分别接受处理。完成一系列的处理的基板，通过路径部122和分度器机械手121返回至容纳器保持部110。
＜基板处理装置＞
图2和图3是概要地表示基板处理装置10的结构的一例的图。该基板处理装置10例如也可以设置于路径部122。图2和图3例如表示了与Y方向垂直的截面的结构的一例。另外，基板处理装置10不需要一定设置于路径部122，例如也可以作为基板处理部130d设置。换言之，基板处理装置10也可以作为多个基板处理部130中的一部分设置。
基板处理装置10具备基板保持台1、移动机构12、紫外线照射器2、筒构件3、第一气体供给部41、第二气体供给部42和排气部61。
＜基板保持台＞
基板保持台1是将基板W1保持为水平的构件。在基板W1是半导体基板(即半导体晶片)的情况下，基板W1是大致圆形的平板状。基板保持台1具有圆柱状的形状，具有上表面1a、侧表面1b和下表面1c。侧表面1b将上表面1a的周缘和下表面1c的周缘连结。在基板保持台1的上表面1a上载置基板W1。
图4概要地表示从上表面1a侧观察基板保持台1的结构的一例。如图2至图4例示，在上表面1a形成有一对槽(搬运槽)11。分度器机械手121或搬运机械手123的手部125插入到一对槽11的内部。一对槽11从基板保持台1的上表面1a的周缘的一部分沿与水平面平行的方向(图的例子是Y方向)延伸，直到上表面1a的周缘的另一部分。换言之，一对槽11分别在其两端在Y方向开口。一对槽11彼此平行地延伸。此外，一对槽11分别形成于夹着基板保持台1的上表面1a的中心的位置。槽11的宽度(沿X方向的宽度)比手部125的宽度宽，槽11的深度(沿铅垂方向(也称为Z方向)的深度)，比手部125的厚度(沿Z方向的厚度)深。
基板W1以如下所述的方式载置于基板保持台1。即，在将基板W1载置于手部125上的状态下，将基板W1搬运至基板保持台1的上方。接着，手部125从上方向基板保持台1移动。伴随该移动，手部125从上方插入到一对槽11。此外，通过移动将基板W1载置于基板保持台1，使基板W1从手部125离开。然后，分度器机械手121或搬运机械手123使手部125向Y方向移动，将手部125从槽11的内部拔出。由此，将基板W1载置于基板保持台1。
如图4例示，在基板保持台1的上表面1a的与槽11不同的区域中，也可以具有朝向基板W1突起的多个突起形状(以下，称为突起部17)。该突起部17也称为销。该突起部17例如具有圆柱形状。突起部17例如由石英制作。在设置有突起部17的情况下，由该突起部17的顶端支撑基板W1。突起部17的高度(沿Z方向的高度)大于基板W1的挠曲量。由此，基板W1在突起部17以外的位置不与上表面1a接触。突起部17的高度例如可以设定为0.5[mm]左右。
＜紫外线照射器＞
紫外线照射器2相对基板W1配置于上方侧(与基板保持台1相反侧)。即，紫外线照射器2、基板W1和基板保持台1在Z方向上依次排列。紫外线照射器2能够产生紫外线，向基板W1的主面(与基板保持台1相反侧的主面)照射该紫外线。作为紫外线照射器2，例如可以采用激准分子UV(紫外线)灯。该紫外线照射器2例如具备：石英管，填充了放电用的气体(例如稀有气体或稀有气体卤素化合物)；以及一对电极，容纳在该石英管内。放电用的气体存在于一对电极间。通过以高频向一对电极间施加高压，放电用气体受到激发而成为激准分子状态。放电用气体从激准分子状态返回到基底状态时产生紫外线。
紫外线照射器2例如也可以形成为平板状。紫外线照射器2例如以其法线方向沿Z方向的姿势配置。换言之，紫外线照射器2是沿水平配置的面光源。或者，紫外线照射器2也可以将圆柱状的多个紫外线单元照射器排列设置。例如多个紫外线单元照射器分别以其中心轴沿X方向的姿势配置。该情况下，多个紫外线单元照射器沿Y方向并列地配置。即，该方式下，通过水平地配置多个紫外线单元照射器，实际上构成面光源。
紫外线照射器2具有保护用的石英玻璃板21。石英玻璃板21设置于基板W1侧。石英玻璃板21对紫外线具有透光性，并且具有耐热性和耐蚀性性。该石英玻璃板21能够保护紫外线照射器2免受外力，并且也能够保护紫外线照射器2免受紫外线照射器2和基板W1之间的环境气体的影响。在紫外线照射器2中产生的紫外线通过石英玻璃板21向基板W1照射。
＜移动机构12＞
移动机构12能够使基板保持台1沿Z方向移动。例如，移动机构12安装于基板保持台1的下表面1c。该移动机构12能够使基板保持台1在第一位置(参照图3)和第二位置(参照图2)之间往返移动，所述第一位置是基板保持台1离紫外线照射器2近的位置，所述第二位置是基板保持台1离紫外线照射器2远的位置。如下面说明的那样，第一位置是使用紫外线对基板W1进行处理时的基板保持台1的位置，第二位置是进行基板W1的交接时的基板保持台1的位置。第一位置的基板保持台1和紫外线照射器2之间的距离，比第二位置的基板保持台1和紫外线照射器2之间的距离短。移动机构12例如可以采用油压缸或单轴载物台等。移动机构12的周围也可以用波纹管覆盖。
＜筒构件和气体供给部＞
筒构件3具有筒状形状，并具有内周面(内表面)3a、外周面3b、上表面3c和下表面3d。上表面3c是将内周面3a和外周面3b连结的面，是紫外线照射器2侧的面。下表面3d是将内周面3a和外周面3b连结的面，是与紫外线照射器2相反侧的面。图5是概要地表示筒构件3的结构的一例的立体图，图6是概要地表示沿Z方向观察的筒构件3的结构的一例的图。筒构件3具有圆筒形状。筒构件3的内周面3a的直径大于基板保持台1的侧表面1b的直径。参照图3，在基板保持台1停止于第一位置的状态下，筒构件3的内周面3a包围基板保持台1的侧表面1b。
在基板保持台1停止于第一位置的状态(图3)下，紫外线照射器2照射紫外线。由此，使用紫外线对基板W1进行处理。另一方面，在基板保持台1停止于第一位置的状态下，基板W1的周围被紫外线照射器2、筒构件3和基板保持台1包围。因此，该状态下不能从基板保持台1容易取出基板W1。
因此，移动机构12使基板保持台1移动到第二位置(图2)。由此，基板保持台1从筒构件3的内周面3a的内部向从紫外线照射器2远离的方向退避。在该第二位置，基板W1相对筒构件3的下表面3d位于铅垂下方侧(与紫外线照射器2相反侧)。由此，分度器机械手121或搬运机械手123不会被筒构件3阻碍，能够将基板W1沿Y方向移动，从而取出基板W1。相反地，在基板保持台1停止于第二位置的状态下，分度器机械手121或搬运机械手123能够将基板W1载置于基板保持台1。
在筒构件3形成有第一贯通孔31和第二贯通孔321、322。首先，说明第二贯通孔321、322。第二贯通孔321、322贯通筒构件3，第二贯通孔321、322与紫外线照射器2和基板W1之间的空间连通。以下，还将该空间称为作用空间H1。具体来说，第二贯通孔321、322的一端在筒构件3的上表面3c开口。以下，还将第二贯通孔321、322的一端称为开口部(供气开口部)321a、322a。在形成有开口部321a、322a的位置，筒构件3的上表面3c隔着空隙与紫外线照射器2相对。各个开口部321a、322a和紫外线照射器2之间的空间与作用空间H1连续。即，第二贯通孔321、322与作用空间H1连通。开口部321a、322a形成于隔着内周面3a的中心轴彼此面对的位置。
第二贯通孔321、322的另一端在筒构件3的外周面3b开口。第二贯通孔321、322的另一端与第二气体供给部42连结。具体来说，第二贯通孔321的另一端与第二气体供给部42a连接，第二贯通孔322的另一端与第二气体供给部42b连接。第二气体供给部42a、42b能够分别经由第二贯通孔321、322向作用空间H1供给氧气或非活性气体(例如氮气或氩气等)等气体。即，第二贯通孔321、322作为供气用的路径发挥功能。
第二气体供给部42a、42b分别具备配管421，开闭阀422和气体容纳器423。第二气体供给部42a、42b除了配管421的连接对象之外，彼此相同。因此，首先描述共同的内容。气体容纳器423容纳有应向作用空间H1供给的气体。气体容纳器423与配管421的一端连结。开闭阀422设置于配管421，对配管421的开闭进行切换。接着，说明第二气体供给部42a、42b的配管421的另一端的连接目的地。第二气体供给部42a的配管421的另一端与第二贯通孔321的另一端连结，第二气体供给部42b的配管421的另一端与第二贯通孔322的另一端连结。
在图2和图3的例子中，开口部321a、322a沿Z方向在紫外线照射器2侧开口。分别从开口部321a、322a喷出的气体与紫外线照射器2碰撞后向径向流动，在基板W1的中央附近彼此冲突，并沿Z方向朝基板W1侧流动，继续沿基板W1的主面流动。据此，由于气体与紫外线照射器2冲突，因此该压力分散，从而能够使作用空间H1的压力分布进一步均匀。此外，在基板W1的正上方，能够使气体从基板W1中央附近向周缘流动。
第一贯通孔31贯通筒构件3，在筒构件3的内周面3a开口。以下，还将第一贯通孔31的内周面3a侧的一端称为开口部(侧方开口部)31a。第一贯通孔31的开口部31a相对第二贯通孔321、322的开口部321a、322a中的任一个，位于下方侧(与紫外线照射器2相反侧)。
在基板保持台1停止于第一位置的状态(图3)下，该开口部31a与基板保持台1的侧表面1b相对。更具体来说，在基板保持台1的槽11的底面和基板保持台1的下表面1c之间，开口部31a与侧表面1b相对。由此，在通过开口部31a的XY平面中，不存在槽11，筒构件3的内周面3a和基板保持台1的侧表面1b形成大致环状的空间(以下，也称为环空间)。
该环空间位于相对筒构件3处于下方侧的空间(以下，也称为非作用空间)H2和作用空间H1之间。换言之，作用空间H1和非作用空间H2经由环空间彼此连通。
第一贯通孔31的另一端在筒构件3的外周面3b开口。第一贯通孔31的另一端与第一气体供给部41连接。第一气体供给部41例如能够经由第一贯通孔31向环空间供给氧气或非活性气体(例如氮气或氩气等)等气体。即，第一贯通孔31作为供气用的路径发挥功能。第一气体供给部41供给与第二气体供给部42相同的气体。第一气体供给部41具有配管411、开闭阀412和气体容纳器413。气体容纳器413容纳有应向环空间供给的气体。气体容纳器413与配管411的一端连结。开闭阀412设置于配管411，对配管411的开闭进行切换。配管411的另一端与第一贯通孔31的另一端连结。
开口部31a的开口轴的方向(定义为规定开口部31a的开口面的法线的正负的方向中的、从第一贯通孔31的内部朝向外部的方向。以下，相同)，如图2和图3例示，也可以设为沿内周面3a的径向的方向。即，第一贯通孔31中的与开口部31a相连的部分，也可以沿径向延伸。另一方面，开口部31a的开口轴的方向，如图5和图6例示，也可以设为沿内周面3a的周向的方向(规定筒构件3的内周的圆环的切线方向)。即，第一贯通孔31中的与开口部31a相连的部分，也可以沿周向延伸。在开口部31a的开口轴沿周向的情况下，由于来自开口部31a的气体的喷出方向与环空间的周向大致一致，因此能够沿环空间有效地供给气体。由此，气体容易沿该环空间朝周向流动。即，能够以更小的气体供给压力使气体在环空间的整周范围内流动。
此外，在图2、图3、图5和图6的例子中，在筒构件3的内周面3a形成有槽33。槽33沿内周面3a的周向在整周范围内延伸。第一贯通孔31的开口部31a形成于该槽33。例如，开口部31a形成于槽33的底面(沿Z方向延伸的面)。据此，由于槽33在Z方向夹着环空间，因此使气体容易沿周向流动。此外，由于能够提高环空间的体积，因此能够提高流经环空间的气体的量。
＜密闭空间＞
基板处理装置10也可以形成为密闭空间。在图2和图3的例子中，紫外线照射器2、筒构件3、间隔壁5和底板部51彼此连结，形成了密闭空间。在紫外线照射器2的下表面在周缘侧的部分具有向筒构件3侧突起的突起形状。筒构件3的上表面3c中的外周侧的部分，与该突起部连结。第二贯通孔321、322的开口部321a、322a形成于上表面3c中的内周侧的部分，在Z方向上隔着空隙与紫外线照射器2的下表面相对。间隔壁5与筒构件3的下表面3d连结。间隔壁5沿Z方向延伸并与底板部51连结。由紫外线照射器2、筒构件3、间隔壁5和底板部51形成的密闭空间，容纳基板保持台1和移动机构12。
＜排气＞
在间隔壁5形成有排气用的贯通孔52。该贯通孔52与排气部61连结。排气部61例如具备与贯通孔52连结的配管611等。基板处理装置10的内部的空气经由配管611向外部排气。
＜闸门＞
在间隔壁5设置有作为基板W1用的出入口发挥功能的闸门(未图示)。通过打开闸门，基板处理装置10的内部与外部连通。分度器机械手121或搬运机械手123能够经由该打开的闸门向基板处理装置10的内部放入基板W1，或者从基板处理装置10的内部取出基板W1。在路径部122设置基板处理装置10的情况下，设置分度器机械手121用的闸门和搬运机械手123用的闸门。
＜控制部＞
通过控制部7控制紫外线照射器2、移动机构12、第一气体供给部41的开闭阀412、第二气体供给部42的开闭阀422和闸门。
控制部7是电子电路设备，例如也可以具有数据处理装置和存储介质。数据处理装置例如也可以是CPU(Central Processor Unit：中央处理单元)等运算处理装置。存储部也可以具有非临时的存储介质(例如ROM(Read Only Memory：只读存储器)或硬盘)和临时的存储介质(例如RAM(Random Access Memory：随机存取存储器))。在非临时的存储介质中例如也可以存储有规定控制部7执行的处理的程序。通过处理装置执行该程序，控制部7能够执行程序中规定的处理。当然，也可以通过硬件来执行控制部7执行的处理的一部分或全部。
＜基板处理装置的动作＞
图7是表示基板处理装置10的动作的一例的流程图。移动机构12初期使基板保持台1停止于第二位置(图2)。此外，此处作为一例，通过排气部61一直进行排气。在步骤S1中，控制部7在打开闸门后，控制分度器机械手121或搬运机械手123，使基板W1配置于基板保持台1上，并关闭闸门。接着，在步骤S2中，控制部7例如控制第一气体供给部41(具体来说是开闭阀412)和第二气体供给部42(具体来说是开闭阀422)，开始供给气体。由此，分别从开口部31a、321a、322a喷出气体。作为气体，例如可以采用氮气。另外，步骤S1、S2的执行顺序可以相反，也可以并行执行步骤S1、S2。
接着，在步骤S3中，控制部7控制移动机构12，使基板保持台1接近紫外线照射器2，并停止于第一位置。在第一位置，基板W1和紫外线照射器2之间的距离例如是数[mm]到数十[mm]左右。作为更具体的一例，例如可以采用2[mm]。
接着，在步骤S4中，控制部7使紫外线照射器2照射紫外线。另外，控制部7也可以在作用空间H1的环境气体成为规定的环境气体时，执行步骤S3。例如控制部7对从步骤S2经过的时间进行计时。对经过的时间的计时可通过定时器电路等计时电路来进行。控制部7也可以判断该经过时间是否大于规定的基准值，在做出肯定的判断时执行步骤S3。或者，也可以测量作用空间H1的环境气体，控制部7基于该测量值判断作用空间H1的环境气体是否成为规定的环境气体。
通过使紫外线照射器2照射紫外线，从而使用紫外线对基板W1进行处理。例如通过向基板W1照射紫外线，去除基板W1的电荷。想到的其中一个理由在于，在基板W1上产生光电效应。作为紫外线的波长，例如可以采用252[nm]以下的波长。由于在该波长范围，能够有效地去除基板W1的电荷。作为更有效的波长，可以采用172±20[nm]内的波长。
接着，在步骤S5中，控制部7判断是否应结束对基板W1的处理。例如也可以在从步骤S4开始经过的时间超过规定时间时，控制部7判断应结束处理。或者，例如也可以测量基板W1的电荷，并基于该测量值进行判断。在判断不应结束对基板W1的处理时，控制部7重新执行步骤S5。在判断应结束处理时，在步骤S6中控制部7使紫外线照射器2停止照射紫外线。由此，结束使用紫外线的处理(例如电荷的去除处理)。
此外，根据该基板处理装置10，当在步骤S3中基板保持台1停止于第一位置时，筒构件3的内周面3a和基板保持台1的侧表面1b形成环空间。由于在步骤S3之前进行的步骤S2中，第一气体供给部41开始供给气体，因此在该环空间中供给有气体。此外，由于在步骤S2中第二气体供给部42开始供给气体，因此在作用空间H1中也供给有气体。由于该作用空间H1与环空间连通，因此作用空间H1内的气体可以经由环空间向非作用空间H2流动。
在作用空间H1内，通过气体的相互作用，可能局部地产生负压。该情况下，气体能够从环空间侧流入作用空间H1。由于在环空间供给有来自第一气体供给部41的气体，因此向作用空间H1主要流入来自该第一气体供给部41的气体。另一方面，由于该环空间内的气体成为阻碍壁，因此来自非作用空间H2的空气难以流入作用空间H1。
作为比较例，考虑在筒构件3没有形成第一贯通孔31的情况。该情况下，当在作用空间H1内局所地产生负压时，非作用空间H2内的空气经由环空间流入作用空间H1。由于非作用空间H2内的空气与规定的环境气体不同，因此因该流入而使作用空间H1内的环境气体偏离规定的环境气体。例如在第二气体供给部42向作用空间H1供给氮气，使作用空间H1的氧气浓度降低的情况下，由于非作用空间H2内的氧气流入作用空间H1，因此作用空间H1内的氧气浓度增大。由此，降低氧气浓度所需的时间变长。
对此，根据基板处理装置10，从第一气体供给部41向环空间供给有气体。由于环空间内的气体作为对来自非作用空间H2的空气的阻碍壁发挥功能，因此能够抑制从非作用空间H2向作用空间H1流入空气。由此，能够缩短将作用空间H1的环境气体变为规定的环境气体所需的时间。即，能够在更短时间内将作用空间H1的环境气体设为规定的环境气体。因此，能够提高基板处理的处理能力。
在图5和图6例子中，开口部31a沿内周面3a的周向开口。该情况下，容易使气体沿环空间流动，并容易使气体填充环空间的整周。据此，与开口部31a沿径向开口的情况相比，即使以小压力使气体流动，也容易使气体在环空间的整周范围内流动。即，容易在环空间的整周范围内形成上述阻碍壁。
在上述的例子中，形成有槽33。由于该槽33在Z方向上夹着环空间，因此容易使气体沿环空间流动。此外，由于能够提高环空间的体积，因此能够提高环空间所包含的气体的量。由此，即使在作用空间H1局部地产生比较大的负压，也能够使足够的气体从环空间流入作用空间H1。换言之，即使在作用空间H1产生比较大的负压，来自非作用空间H2的空气也难以流入作用空间H1。
但是，当在作用空间H1产生局所的负压时，基板保持台1的槽11的空间内的空气可能流入作用空间H1。由此，不希望该空间内的环境气体与规定的环境气体不同。
在上述的例子中，控制部7执行步骤S2后，执行步骤S3。即，在开始供给气体之后，控制部7使基板保持台1移动。由此，即使在基板保持台1的移动中，也从筒构件3的内周面3a的开口部31a供给气体。由此，当在该移动中槽11在Z方向上接近开口部31a时，来自开口部31a的气体还流入基板保持台1的槽11的内部。由此，槽11的内部的空气的至少一部分被置换成从开口部31a供给的气体。由此，能够使槽11的空间的环境气体与规定的环境气体接近。因此，即使气体从槽11的空间流入到作用空间H1，也难以使作用空间H1的环境气体偏离规定的环境气体。即，与在步骤S3、S4之间执行步骤S2的情况相比，能够在更短时间内使作用空间H1的环境气体成为规定的环境气体。
如果槽11从基板保持台1的上表面1a的周缘的一部分延伸至该周缘的另一部分，即，槽11在水平方向(例如Y方向)的两端开口，则气体容易流经槽11的内部。由此，使槽11的内部的环境气体更容易接近规定的环境气体。
在上述的例子中，在筒构件3形成有作为作用空间H1用的供气路径发挥功能的第二贯通孔321、322。即，在基板保持台1的侧方形成有供气路径。这对用于紫外线照射器2存在于基板W1的上方的本基板处理装置10而言优选。即，在将第二气体供给部42配置于基板W1的上方的情况下，需要以紫外线照射器2和第二气体供给部42彼此不干扰的方式，配置紫外线照射器2和第二气体供给部42，但是通过在筒构件3形成第二贯通孔321、322，无需将第二气体供给部42配置于基板W1的上方，因此能够提高紫外线照射器2和第二气体供给部42的形状的自由度。
＜第一贯通孔＞
＜沿周向排列＞
在筒构件3的内周面3a也可以形成多个开口部。图8是表示筒构件3的概要的结构的一例的俯视图。在筒构件3形成有多个第一贯通孔31。多个第一贯通孔31各自的一端(开口部31a)在内周面3a开口。多个开口部31a在周向上隔开间隔排列。例如多个开口部31a在周向上形成于等间隔的位置。此外，多个开口部31a都形成于槽33。
多个第一贯通孔31各自的另一端在外周面3b开口。该另一端与第一气体供给部41连接。第一气体供给部41经由多个第一贯通孔31向环空间供给气体。据此，从周向的多个位置向环空间供给气体。
此外，多个开口部31a都沿内周面3a的周向中的相同的一方向(例如顺时针方向)开口。据此，容易使气体向环空间的整周流动。通常将其表现为，各个开口部的开口轴的方向与周向的顺时针和逆时针中的一个转向一致。此处，顺时针和逆时针是相对的方向，可以从Z轴的正方向观察来定义，也可以从Z轴的负方向观察来定义。
但是，压力在该开口部31a附近最高，压力随着从开口部31a离开而降低。朝相同的方向开口的多个开口部31a在周向上形成于彼此不同的位置的情况下，压力高的位置在周向上位于不同的位置。据此，作为整体能够使压力分布均匀。如果假设环空间内的气体的压力局部地降低，则非作用空间H2的空气经由该部分容易流入作用空间H1。通过使环空间的气体的压力分布均匀，无论在周向上的位置如何，都能够抑制空气从非作用空间H2流入作用空间H1。
另外，图8的例子中，多个第一贯通孔31的另一端在外周面3b上在彼此不同的位置开口，但是也可以在相同位置开口。即，与外周面3b的一个开口相连的孔也可以分支为多个孔，这些多个孔在内周面3a上分别在不同的位置开口。后述的其他贯通孔也相同。
＜沿Z方向排列＞
形成于筒构件3的内周面3a的开口部，在Z方向上也可以形成于彼此不同的位置。图9是表示筒构件3的概要的结构的一例的图。在图9中，还表示了基板保持台1停止于第一位置的状态下的紫外线照射器2和基板保持台1。
例如在筒构件3形成有多个第一贯通孔311～313。第一贯通孔311～313各自的一端在内周面3a开口。以下，还将第一贯通孔311～313的一端称为开口部311a～313a。开口部311a～313a在Z方向上形成于彼此不同的位置。例如开口部311a～313a也可以在Z方向上形成于等间隔的位置。
在基板保持台1停止于第一位置的状态(图9)下，开口部311a～313a在Z方向上都位于基板保持台1的槽11的底面和基板保持台1的下表面1c之间。据此，在通过各个开口部311a～313a的XY平面，不存在槽11，筒构件3的内周面3a和基板保持台1的侧表面1b形成环空间。
多个第一贯通孔311～313的另一端分别在筒构件3的外周面3b开口。该另一端与第一气体供给部41连接。第一气体供给部41经由第一贯通孔311～313向环空间供给气体。据此，从Z方向的多个位置向环空间供给气体。由此，能够使气体从多层流向环空间。以下，分别将第一贯通孔311～313称为第一层贯通孔311、第二层贯通孔312和第三层贯通孔313。
图9的例子中，各层的开口部311a～313a在径向开口，但是也可以在内周面3a的周向开口。据此，能够沿环空间供给来自开口部311a～313a的气体。由此，使气体在整周范围内容易流经各层的环空间。此外，开口部311a～313a都可以沿内周面3a的周向中的相同的一方向(例如顺时针方向)开口。即，在Z方向上形成于不同的位置的开口部311a～313a也可以都朝相同方向开口。
据此，使各层的气体向相同的方向流动。为了比较，考虑开口部312a的开口方向与开口部311a、313a相反的情况。该情况下，各层的气体相互作用，彼此可能阻碍在该各层的周向上的流动。由此，例如，能够想到在各层上气体只能流到环空间的中途。这将导致作为阻碍壁的能力降低。对此，通过使各层的气体向相同的方向流动，能够在各层中使气体容易流经环空间的整周，从而提高作为阻碍壁的能力。
在图9的例子中，在筒构件3的内周面3a形成有多个槽331～333。多个槽331～333在Z方向上形成于彼此不同的位置。以下，分别将槽331～333称为第一层槽331、第二层槽332和第三层槽333。槽331～333分别沿内周面3a的周向在整周范围内延伸。开口部311a～313a分别形成于槽331～333的内部。例如开口部311a～313a分别形成于槽331～333的底面(沿Z方向的面)。
据此，从开口部311a的喷出的气体主要流经第一层槽331，从开口部312a喷出的气体主要流经第二层槽332，从开口部313a喷出的气体主要流经第三层槽333。由此，容易形成层状的气体的流动。
开口部311a～313a在周向上的位置也可以彼此不同。例如开口部311a～313a在周向上也可以等间隔地配置。图10至图12概要地表示分别通过开口部311a～313a的XY平面的筒构件3的结构的一例的图。第二层开口部312a(图11)形成于将第一层开口部311a(图10)以内周面3a的中心轴为中心向顺时针方向旋转120度的位置，第三层开口部313a(图12)形成于将第二层开口部312a向相同的方向旋转120度的位置。即，从Z方向观察开口部311a～313a，形成于在周向上等间隔的位置。
压力在该开口部311a～313a附近最高，压力随着从开口部311a～313a离开而降低。向相同的方向开口的开口部311a～313a在周向上形成于彼此不同的位置的情况下，各层(各槽331～333)中压力高的位置在周向上位于不同的位置。据此，能够使作为整体的压力分布均匀。
＜周向和Z方向＞
此外，在各层中也可以形成多个开口部。例如在Z方向的第一层位置，形成多个第一层贯通孔311的开口部(也称为第一层开口部)311a，在Z方向的第二层位置，形成多个第二层贯通孔312的开口部(也称为第二层开口部)312a，在Z方向的第三层位置，形成多个第三层贯通孔313的开口部(也称为第三层开口部)313a。
图13是概要地表示在筒构件3形成的各层的第一贯通孔的一例的图。在图13中，表示了两个第一层贯通孔311、两个第二层贯通孔312和两个第三层贯通孔313。为了表示第二层贯通孔312和第三层贯通孔313在Z方向上形成于与第一层贯通孔311不同的位置，以假想线表示。
两个开口部311a、两个开口部312a和两个开口部313a在周向上向相同的一方向(例如顺时针方向)开口。通常将其表现为，多个层的开口部的各个开口部的开口轴的方向与周向的顺时针和逆时针中的一个转向一致。此外，这些开口部311a～313a也可以在周向上形成于彼此不同的位置。例如，各层的开口部也可以在周向上等间隔地形成，全部的层的开口部作为整体在周向上等间隔地形成。例如，两个第一层开口部311a形成于隔着筒构件3的中心轴面对的位置。即，两个第一层开口部311a在周向上等间隔地形成。两个第二层开口部312a和两个第三层开口部313a也相同。两个第二层开口部312a分别形成于将两个第一层开口部311a例如向顺时针方向旋转60度的位置，两个第三层开口部313a形成于将两个第二层开口部312a向顺时针方向旋转60度的位置。据此，两个开口部311a、两个开口部312a和两个开口部313a作为整体在周向上等间隔地形成。
第一层贯通孔311、第二层贯通孔312和第三层贯通孔313的另一端在筒构件3的外周面3b开口。该另一端与第一气体供给部41连接。
如上所述，如果在各层中向相同的方向开口的开口部沿周向排列配置，则在各层中能够使环空间的压力分布均匀。此外，如果全部的层的开口部在周向上形成于彼此不同的位置，则能够使作为整体的环空间的压力分布均匀。另外，在使作为整体的压力分布均匀要求不高的情况下，只要某个层的开口部中的至少一个开口部在周向上形成于与其他层的开口部中的至少一个开口部不同的位置即可。即，属于不同层的开口部在周向上也可以形成于相同的位置。
＜旋转机构＞
图14是概要地表示基板处理装置10的结构的另一例的图。在有无旋转机构13的方面，图14的基板处理装置10与图2和图3的基板处理装置10不同。旋转机构13使基板保持台1旋转，进而使基板W1旋转。旋转机构13的旋转轴例如是通过基板W1的中心并与基板W1的主面垂直的轴。旋转机构13例如具有马达。旋转机构13被控制部控制。
例如在通过紫外线照射器2的紫外线的照射中，旋转机构13使基板保持台1旋转，从而使基板W1旋转。由此，能够向基板W1均匀地照射紫外线。
在开口部31a沿周向开口的情况下，旋转机构13可以使基板保持台1向与开口部31a的开口方向(例如顺时针方向)相同方向旋转。据此，与旋转机构13使基板保持台1逆向旋转的情况相比，难以干扰环空间内的气体的流动。即，与使基板保持台1向与开口部31a的开口方向相反的方向旋转的情况相比，能够提高环空间的气体作为阻碍壁的能力。
＜基板保持台＞
在图2至图4的例子中，基板保持台1形成有一对槽11。但是，一对槽11不是必不可少的。图15和图16是概要地表示基板保持台1的另一例的基板保持台1A的图。图15是表示从紫外线照射器2侧观察的基板保持台1A，图16表示沿水平方向观察的基板保持台1A。在图16中，表示了基板保持台1A停止于第一位置的状态的筒构件3。
在基板保持台1A的上表面1a形成有多个突起部14来代替槽11。多个突起部14具有柱形状(例如圆柱形状)。多个突起部14形成于不与分度器机械手121的手部125和搬运机械手123的手部125干扰的位置。在图15和图16的例中，设置有三个突起部14，分别位于假设的三角形的顶点。突起部14的高度(Z方向的高度)大于手部125的厚度(Z方向的厚度)。基板W1由多个突起部14的顶端支撑。
在使用该基板保持台1A的情况下，在基板保持台1A停止于第一位置的状态(图16)，筒构件3的开口部31a在Z方向上位于基板保持台1A的上表面1a(没有设置突起部14的部分)和下表面1c之间。由此，在通过开口部31a的XY平面，不存在突起部14，因此筒构件3的内周面3a和基板保持台1A的侧表面1b能够形成环空间。
即使使用这样的基板保持台1A，也能够带来从开口部31a供给气体的上述效果。但是，图4的基板保持台1与基板保持台1A相比，能够降低基板保持台1和基板W1之间的空间的体积。由于该空间在初期存在与规定的环境气体不同的空气，因此不希望空气从该空间流入作用空间H1。由此，优选能够降低该空间的体积的基板保持台1。
图17至图19是概要地表示基板保持台1的另一例的基板保持台1B的结构的图。图17表示从紫外线照射器2侧观察的基板保持台1B，图18和图19表示了沿水平方向观察的基板保持台1B。在图19中，还表示了基板保持台1B停止于第一位置的状态下的筒构件3。
在基板保持台1B的上表面1a形成有多个升降突起部15和多个固定突起部16来代替槽11。多个升降突起部15和多个固定突起部16以不与分度器机械手121的手部125和搬运机械手123的手部125干扰的方式设置。多个升降突起部15例如在上表面1a的周缘的附近在周向上等间隔地设置。在图17的例子中，设置有三个升降突起部15。升降突起部15具有柱形状(例如圆柱形状)。在升降突起部15的顶端载置基板W1。
升降突起部15在Z方向上可升降地设置。即，升降突起部15的突出量(沿Z方向的高度)可变。升降突起部15可以采用可升降的所谓升降销。控制部控制该升降突起部15的升降的程度(突出量)。例如升降突起部15也可以在Z方向上移动。这种移动机构可以采用例如汽缸。通过使升降突起部15向紫外线照射器2侧移动，升降突起部15的突出量变大(图18)。即升降突起部15变高。另一方面，通过使升降突起部15向与紫外线照射器2相反侧移动，升降突起部15的突出量变小(图19)。即，升降突起部15变低。
多个固定突起部16设置于与多个升降突起部15不同的位置，例如多个固定突起部16相比所有的多个升降突起部15设置于上表面1a的中心侧。多个固定突起部16在周向的位置上等间隔地设置。在图17的例子中，三个固定突起部16在周向上等间隔地设置。固定突起部16具有柱形状(例如圆柱形状)，其在Z方向的高度例如小于分度器机械手121的手部125和搬运机械手123的手部125在Z方向的厚度。例如固定突起部16的高度可以设定为0.5[mm]左右。
在使用该基板保持台1B的情况下，在基板保持台1B停止于第一位置的状态(图19)，筒构件3的开口部31a在Z方向上位于基板保持台1B的上表面1a(升降突起部15和固定突起部16的双方都没有设置的部分)和下表面1c之间。由此，在通过开口部31a的XY平面，不存在升降突起部15和固定突起部16，筒构件3的内周面3a和基板保持台1B的侧表面1b能够形成环空间。
图20是表示基板处理装置10的动作的一例的流程图。初期，升降突起部15的高度(突出量)高于分度器机械手121的手部125和搬运机械手123的手部125的厚度。首先，在步骤S11中，控制部7打开闸门，控制分度器机械手121或搬运机械手123，将基板W1载置于多个升降突起部15。此时，手部125进入到基板W1和基板保持台1B之间的空间(图18)。然后，控制部7使手部125退避到基板处理装置10的外部后，关闭闸门。该状态下，由于基板W1由多个升降突起部15支撑，因此未被固定突起部16支撑。即，在升降突起部15的突出量是比较大的第一值时，基板W1未被固定突起部16支撑，基板W1由升降突起部15支撑。此时，基板W1受自重而容易挠曲。由于多个升降突起部15支撑基板W1的周缘，因此基板W1可能以中心附近相对周缘下降的方式挠曲。
接着，在步骤S12中，控制部7使升降突起部15的高度(沿Z方向的高度)降低。具体来说，控制部7使升降突起部15向与紫外线照射器2相反侧移动。控制部7使升降突起部15的高度降低，直到基板W1由升降突起部15和固定突起部16的双方支撑。即，在升降突起部15的突出量是小于第一值的第二值时，基板W1由升降突起部15和固定突起部16的双方支撑。由此，能够增加支撑基板W1的部位，从而抑制基板W1挠曲。具体来说，由于固定突起部16相比升降突起部15支撑基板W1的中心侧，因此能够有效地降低基板W1挠曲。
之后的步骤S13～S17分别与步骤S2～S6相同。
如上所述，由于通过基板保持台1B能够降低基板W1挠曲，因此对于基板W1的主面而言，能够使基板W1和紫外线照射器2之间的距离均匀。由此，在步骤S15中能够使基板W1的主面的紫外线的强度均匀。由此，能够对基板W1的主面均匀地执行处理。
此外，在上述的例子中，在步骤S12之后执行步骤S14。即，在将升降突起部15变低后，使基板W1接近紫外线照射器2。通过将升降突起部15变低，能够减少基板W1和基板保持台1B之间的空间的体积。即，在将该空间的体积变小后，使基板W1接近紫外线照射器2。因此，能够降低可能从该空间向作用空间H1流入的空气的量。这有助于缩短将作用空间H1的环境气体变为规定的环境气体所需的时间。
此外，在基板保持台1B中设置有固定突起部16。据此，与将固定突起部16置换成升降突起部15的结构相比，能够简化基板保持台1B的机构。进而能够降低制造成本。
另外，在上述的例子中，在升降突起部15已下降时，基板W1由升降突起部15和固定突起部16的双方支撑。但是，也可以通过使升降突起部15的高度下降至充分低于固定突起部16的高度的状态，仅由固定突起部16保持基板W1。或者，也可以通过以固定突起部16不与基板W1接触的方式，调整升降突起部15的高度，仅由升降突起部15保持基板W1。
＜第三贯通孔＞
图21是概要地表示基板保持台1的另一例的基板保持台1C的结构的图。在有无第三贯通孔18方面，基板保持台1C与基板保持台1不同。第三贯通孔18贯通基板保持台1C，第三贯通孔18与基板W1和基板保持台1C之间的空间连通。具体来说，第三贯通孔18的一端在下表面1c开口，另一端在槽11的底面开口(搬运槽开口部)。第三贯通孔18例如是供气用的贯通孔，其一端与第三气体供给部43连接。第三气体供给部43经由第三贯通孔18，向基板W1和基板保持台1C之间的空间供给气体。该气体例如是与从第一气体供给部41和第二气体供给部42供给的气体(例如氮气)相同的气体。第三气体供给部43例如具有：配管，与第三贯通孔18的下表面1c侧的一端连结；开闭阀，控制该配管的开闭；以及气体容纳器，与该配管连结，并容纳气体。
基板处理装置10的动作的一例与图7相同。但是，在步骤S13开始从第三气体供给部43供给气体。
据此，由于能够使基板W1和基板保持台1C之间的空间的环境气体接近规定的环境气体，因此即使气体从该空间流入作用空间H1，也难以使作用空间H1的环境气体偏离规定的环境气体。
第三贯通孔18也可以是排气用的贯通孔。图22是概要地表示基板保持台1C的结构的一例的图。基板保持台1C的结构与图21相同，但是第三贯通孔18的下表面1c侧的一端与排气部62连接。排气部62经由第三贯通孔18，能够将基板W1和基板保持台1C之间的空间的气体排气。排气部62具有与第三贯通孔18的下表面1c侧的一端连结的配管。
据此，由于基板W1和基板保持台1C之间的空间的气体，经由第三贯通孔18向外部排气，因此能够抑制该空间的气体流入作用空间H1。
在图21和图22中，表示了在基板保持台1形成有第三贯通孔18的结构，但是也可以在基板保持台1A、1B形成第三贯通孔18。只要第三贯通孔18与基板W1和基板保持台之间的空间连通即可。即，只要第三贯通孔18的一端在基板保持台1A、1B的上表面1a中的、与基板W1的接触部不同的位置开口即可(上表面开口部)。具体来说，第三贯通孔18的一端(上表面开口部)在基板保持台1A的上表面1a中的、与突起部14不同的位置开口。此外，第三贯通孔18的一端(上表面开口部)在基板保持台1B的上表面1a中的、与升降突起部15和固定突起部16都不同的位置开口。
＜基板和紫外线照射器之间的距离＞
图23是表示基板处理装置10的动作的一例的流程图。步骤S31、S32分别与步骤S1、S2相同。接着，在步骤S33，控制部7控制移动机构12，使基板保持台1从第二位置向紫外线照射器2移动，并在第三位置停止。即，使基板保持台1接近紫外线照射器2。第三位置是相对第一位置位于紫外线照射器2侧的位置。即，基板W1在第三位置比第一位置更接近紫外线照射器2。换言之，第三位置的基板W1和紫外线照射器2之间的距离，比第一位置的基板W1和紫外线照射器2之间的距离短。例如在第三位置，基板W1和紫外线照射器2之间的距离是1[mm]。
接着，在步骤S34，控制部7控制移动机构12，使基板保持台1从第三位置向第一位置移动。即，使基板保持台1远离紫外线照射器2。之后的步骤S35～S37分别与步骤S4～S6相同。
根据该动作，暂时能够使基板W1和紫外线照射器2之间的作用空间H1的体积变小(步骤S33)。由此，能够使作用空间H1内的初期的空气流入非作用空间H2。即，能够使与规定的环境气体不同的初期的空气，从作用空间H1流出。然后，移动机构12使基板W1从紫外线照射器2远离(步骤S34)。随之，来自第二气体供给部42的气体和来自环空间的气体，被引入到作用空间H1内。
如上所述，暂时将作用空间H1的体积变小，使该作用空间H1内的初期的空气向外部流出。由此，通过来自第二气体供给部42的气体，能够预先使应从作用空间H1推出的初期的空气量变小。由此，能够在更短时间内使作用空间H1内的环境气体设为规定的环境气体。
＜移动机构12＞
在上述的例子中，移动机构12使基板保持台1移动，但是也可以使作为一组的紫外线照射器2及筒构件3移动。总之，只要移动机构12能够使作为一组的紫外线照射器2及筒构件3，与基板保持台1相对地移动即可。
＜第二贯通孔＞
在上述的例子中，在筒构件3形成有两个第二贯通孔321、322，但是也可以在筒构件3形成三个以上的第二贯通孔。三个以上的第二贯通孔的开口部也可以在周向上例如等间隔地形成。
此外，在图2和图3的例子中，分别经由第二贯通孔321、322供给气体，但是也可以例如经由第二贯通孔321供给气体，经由第二贯通孔322排出作用空间H1内的气体。图24是概要地表示该基板处理装置10的结构的一例的图。第二贯通孔322的另一端与排气部63连接。具体来说，排气部63具有配管631，该配管631的一端与第二贯通孔322的另一端连接。该情况下，开口部322a作为排气开口部发挥功能。
此外，供气用的多个第二贯通孔和排气用的多个第二贯通孔也可以形成于筒构件3。也可以例如供气用的多个第二贯通孔的开口部形成于一个半周侧，排气用的多个第二贯通孔的开口部形成于另一个半周侧。
图25是概要地表示基板处理装置10的另一结构的一例的图。在开口部321a、322a方面，该基板处理装置10与图2的基板处理装置10不同。在图25中，开口部321a、322a在Z方向上在紫外线照射器2侧开口，并且还在水平方向开口。即，朝向筒构件3的内周侧开口。据此，还能够使从开口部321a、322a供给的气体向水平方向流动。也可以是，开口部321a、322a中的一个作为供气用的开口部发挥功能，另一个作为排气用的开口部发挥功能。

Claims (22)

1.一种基板处理装置，其中，具备：
基板保持台，具有载置基板的第一上表面和侧表面；
紫外线照射机构，以隔着作用空间与基板相对的方式配置，并向基板照射紫外线；
筒构件，具有包围所述基板保持台的所述侧表面的内表面，在所述内表面中的与所述基板保持台的所述侧表面相对的至少一个位置上具有至少一个侧方开口部；
第一气体供给机构，经由至少一个所述侧方开口部，向所述基板保持台的所述侧表面和所述筒构件的所述内表面之间的空间供给气体；以及
第二气体供给机构，向所述基板和所述紫外线照射机构之间的所述作用空间供给气体。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述筒构件的所述内表面包括第一槽，所述第一槽沿所述内表面的周向延伸，
至少一个所述侧方开口部形成于所述第一槽。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
至少一个所述侧方开口部沿所述内表面的周向开口。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
至少一个所述侧方开口部包括多个侧方开口部，
多个所述侧方开口部在所述内表面的周向上隔着间隔排列。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
多个所述侧方开口部各自的开口轴的方向，与所述周向的顺时针和逆时针中的一个转向一致。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，还具备：
旋转机构，以与基板的主面垂直的轴为旋转轴，使所述基板保持台向所述一个转向旋转。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
至少一个所述侧方开口部包括至少一个第一层开口部和至少一个第二层开口部，
在所述紫外线照射机构和所述基板保持台排列的方向上，至少一个所述第一层开口部形成于与至少一个所述第二层开口部不同的位置。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
至少一个第一层开口部包括多个第一层开口部，
至少一个第二层开口部包括多个第二层开口部，
多个所述第一层开口部在所述内表面的周向上隔着间隔排列，并且，
多个所述第二层开口部分别在所述周向上形成于与所述第一层开口部不同的位置，
所述第一层开口部和所述第二层开口部各自的开口轴的方向，与所述周向的顺时针和逆时针中的一个转向一致。
9.根据权利要求7或8所述的基板处理装置，其中，
所述筒构件的所述内表面还包括第二槽，所述第二槽沿所述内表面的周向延伸，
在所述紫外线照射机构和所述基板保持台排列的方向上，所述第一槽和所述第二槽形成于彼此不同的位置，
至少一个所述第一层开口部形成于所述第一槽，
至少一个所述第二层开口部形成于所述第二槽。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述筒构件还具有至少一个供气开口部，所述供气开口部向基板和所述紫外线照射机构之间的所述作用空间供给气体。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
至少一个所述供气开口部包括多个供气开口部，
所述筒构件具有第二上表面，所述第二上表面隔着空隙与所述紫外线照射机构相对，
多个所述供气开口部形成于所述第二上表面，并在所述内表面的周向上彼此隔开间隔。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理装置，其中，
所述筒构件还具有至少一个排气开口部，
至少一个所述排气开口部在所述内表面的周向上形成于与至少一个所述供气开口部不同的位置，并将所述基板和所述紫外线照射机构之间的所述作用空间的气体排出。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
至少一个所述供气开口部在所述内表面的周向上形成于一个半周，至少一个所述排气开口部在所述内表面的周向上形成于另一个半周。
14.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持台的所述第一上表面包括搬运槽，所述搬运槽从所述第一上表面的周缘延伸，
所述基板保持台包括在所述搬运槽开口的供气用或排气用的搬运槽开口部。
15.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持台具备多个突起部，所述多个突起部在所述第一上表面上向所述紫外线照射机构侧突起，并支撑基板，
在所述基板保持台形成有供气用或排气用的上表面开口部，所述上表面开口部在所述第一上表面中的与多个所述突起部不同的位置开口。
16.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
在所述基板保持台的所述第一上表面形成有：
多个升降突起部，能够在所述紫外线照射机构和所述基板保持台排列的方向上移动；以及
多个固定突起部，在比多个所述升降突起部接近基板的中心的位置向所述紫外线照射机构侧突出，
在多个所述升降突起部上升到所述紫外线照射机构侧时，多个所述固定突起部未支撑基板，由多个所述升降突起部支撑基板，
在多个所述升降突起部下降到所述基板保持台侧时，至少由多个所述固定突起部支撑基板。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持台具有在所述第一上表面开口的供气用或排气用的上表面开口部。
18.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，还具备：
移动机构，在第一位置和第二位置之间，使所述紫外线照射机构和所述基板保持台相对移动，
所述第一位置的基板和所述紫外线照射机构之间的距离，小于所述第二位置的基板和所述紫外线照射机构之间的距离，
在所述基板保持台停止于所述第一位置的状态下，至少一个所述侧方开口部与所述基板保持台的所述侧表面相对。
19.一种基板处理方法，其中，具备：
第一工序，在具有第一上表面和侧表面的基板保持台的所述第一上表面配置基板；
第二工序，经由至少一个侧方开口部向具有包围所述基板保持台的所述侧表面的内表面的筒构件的所述内表面和所述基板保持台的所述侧表面之间的空间供给气体，并向以隔着作用空间与基板相对的方式配置的紫外线照射机构和基板之间的作用空间供给气体，在所述内表面中的与所述侧表面相对的至少一个位置具有至少一个所述侧方开口部；以及
第三工序，在所述第一工序和所述第二工序之后，使所述紫外线照射机构向基板照射紫外线。
20.根据权利要求19所述的基板处理方法，其中，
所述第二工序具备：
工序(a)，在所述基板保持台从所述筒构件的所述内表面的内部向相对于所述紫外线照射机构离开的方向退避的状态下，开始向所述作用空间供给气体和开始经由至少一个所述侧方开口部供给气体；以及
工序(b)，在所述工序(a)之后，以所述基板保持台的所述侧表面与所述筒构件的所述内表面相对的方式，使所述紫外线照射机构和所述基板保持台相对移动。
21.根据权利要求19或20所述的基板处理方法，其中，
所述第二工序具备：
工序(A)，以使所述基板保持台接近所述紫外线照射机构的方式，使所述紫外线照射机构和所述基板保持台相对移动；
工序(B)，开始向基板和所述紫外线照射机构之间的空间供给气体和开始经由至少一个所述侧方开口部供给气体；以及
工序(C)，在所述工序(A)和所述工序(B)之后，以所述基板保持台离开所述紫外线照射机构的方式，使所述紫外线照射机构和所述基板保持台相对移动。
22.一种基板处理系统，其中，具备：
容纳保持部，容纳基板；
基板处理部，用于对基板实施处理；以及
基板通过部，位于所述容纳保持部和所述基板处理部之间，并使在所述容纳保持部和所述基板处理部之间往返的基板经过，
在所述基板通过部设置有权利要求1或2所述的基板处理装置。
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GR01 Patent grant
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