CN110690140B - 基板处理设备和喷嘴单元 - Google Patents

基板处理设备和喷嘴单元 Download PDF

Info

Publication number
CN110690140B
CN110690140B CN201910602579.1A CN201910602579A CN110690140B CN 110690140 B CN110690140 B CN 110690140B CN 201910602579 A CN201910602579 A CN 201910602579A CN 110690140 B CN110690140 B CN 110690140B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
lamp
space
arm
lamp tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910602579.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110690140A (zh
Inventor
韩旻成
金度延
金袗圭
朱润钟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020180115179A external-priority patent/KR102136128B1/ko
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN110690140A publication Critical patent/CN110690140A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110690140B publication Critical patent/CN110690140B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一种用于处理基板的设备,包括:处理容器,其内部具有处理空间;基板支撑单元,其支撑所述处理容器中的基板并且使所述基板在所述处理容器中旋转;以及喷嘴单元,其将处理液体分配到所述基板上。所述喷嘴单元包括:喷嘴,其分配所述处理液体;和紫外线(UV)光供应单元,其发射UV光以活化分配到所述基板上的所述处理液体的自由基。

Description

基板处理设备和喷嘴单元
技术领域
本文中所描述的本发明构思的实施例涉及一种用于在基板上执行液体处理的设备。
背景技术
例如光刻、沉积、灰化、蚀刻、离子植入、清洗等各种工序被执行以制造半导体装置。在这些工序当中,光刻、灰化、蚀刻和清洗处理是在基板上执行液体处理且各种类型的液体被分配到基板上的工序。
一般地,通过将处理液体分配到基板上而在基板上执行液体处理。在移除基板上的光致抗蚀剂膜的灰化处理中,通过活化处理液体的自由基来移除光致抗蚀剂膜。活化处理液体的自由基的方法包括通过使用强酸化学品或强碱化学品来处理光致抗蚀剂膜的方法。
然而,在利用强酸化学品或强碱化学品处理光致抗蚀剂膜的情况下,难以清洗空气中的杂质和碳污染,且会致使处理误差,例如图案的临界尺寸(CD)的改变。
为了解决此问题,已经提议一种使用臭氧水(ozone water)处理光致抗蚀剂膜的方法。臭氧水的自由基由紫外线(UV)光活化。具有经活化自由基的臭氧水从喷嘴分配以处理基板。
然而,在臭氧水从喷嘴被分配到基板上的处理中,自由基随分配距离和分配时间的增加而减少。为了解决此问题,已经提议通过提高臭氧水的浓度来处理基板的方法。然而,此方法会致使环境污染。
UV光由发光构件4发射,且发光构件4安装在喷嘴2中或液体供给管线6上,如图1所示。发光构件4包括灯。灯的使用寿命可能会结束,或灯可能会损坏。由于此,具有去活化的自由基的臭氧水被分配到基板W上,从而在液体处理时导致缺陷。
发明内容
本发明构思的实施例提供一种设备和喷嘴单元,其通过将处理液体分散在发光构件上方或与发光构件进行接触而最小化对发光构件的污染和损坏。
此外,本发明构思的实施例提供一种设备和喷嘴单元,其将具有大量活化自由基的液体分配到基板上。
另外,本发明构思的实施例提供一种设备和喷嘴单元,其将大量自由基分配到基板上而不提高臭氧水的浓度。
本发明构思解决的技术问题不限于上文所提及的问题,且本发明构思所属的领域的技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其它技术问题。
根据示例性实施例,一种用于处理基板的设备包括:处理容器,其内部具有处理空间;基板支撑单元,其支撑处理容器中的基板并使基板在处理容器中旋转;以及喷嘴单元,其将处理液体分配到基板上。喷嘴单元包括:喷嘴,其分配处理液体;以及紫外线(UV)光供应单元,其发射UV光以活化分配在基板上的处理液体的自由基。
喷嘴单元可进一步包括:臂,喷嘴和UV光供应单元安装在所述臂上;和臂致动器,其使臂移动。
UV光供应单元可包括:灯管,所述灯管在其相对的两端气密地密封以在内部形成放电空间;和一对连接器,所述一对连接器安装在灯管的相对的两端上且包括灯丝。灯管可具有U形形状,所述灯管包括平行于基板的水平部分以及从水平部分的相对的两端竖直向上延伸的竖直部分,连接器安装在竖直部分上。
臂可包括灯安装部件,所述灯安装部件具有其中接收UV光供应单元的接收空间。所述接收空间可在面向基板的底部处开口,且灯管的水平部分可位于开口的底部处。
灯管可由透射从灯管发射的UV光的材料形成。
灯管可由包含石英玻璃的材料形成。
UV光供应单元可进一步包括反射器,所述反射器将灯管发射的UV光朝向基板引导。
反射器可包括由平坦表面或弯曲表面形成的反射表面。
UV光供应单元可进一步包括灯保护管,所述灯保护管安装在灯管上以包围并保护灯管。
处理液体可包含臭氧水或去离子水。
根据示例性实施例,喷嘴单元包括:臂;喷嘴,其与臂组合并且将处理液体分配到基板上;和UV灯,其与臂组合并且发射UV光以活化分配在基板上的处理液体的自由基。UV灯包括朝向基板暴露的灯管以及安装在灯管的相对的两端上的连接器,且连接器位于与外部隔离密封的空间中。
灯管可具有U形形状,所述U形形状包括与连接器连接的竖直部分以及平行于基板的表面并从竖直部分延伸的水平部分。
连接器可接收在形成于臂上的灯安装部件的接收空间中而受到保护以免于分配在基板上的处理液体影响。
接收空间可包含第一空间以及第二空间,灯管位于所述中第一空间,连接器位于第二空间中。第一空间和第二空间可通过分隔壁彼此分隔。第一空间可在面向基板的一侧处开口。
水平部分可通过第一空间的开口的一侧而暴露。
喷嘴可邻近于水平部分的中心定位。
处理液体可包含臭氧水或去离子水。
UV灯可进一步包括反射器,所述反射器具有由平坦表面或弯曲表面形成的反射表面,并且将灯管发射的UV光朝向基板引导。
UV灯可进一步包括灯保护管,所述灯保护管安装在灯管上以包围并保护灯管。
附图说明
根据以下参考以下附图的描述,上述和其它目的和特征将变得显而易见,其中除非另有说明,否则相同的附图标记在各个附图中是指相同的部分,且其中:
图1是显示相关领域中液体分配单元的截面图;
图2是显示根据本发明构思的实施例的掩模清洗设备的示意性正视图;
图3是显示索引模块、下部缓冲器和下部处理模块的平面图;
图4是显示传送框架、上部缓冲器和上部处理模块的平面图;
图5是显示图3的掩模清洗设备的平面图;
图6是显示图5的掩模清洗设备的侧视图;
图7是显示臂的透视图;
图8和图9是显示安装在图7中的臂上的UV光供应单元的视图;
图10和图11是显示臂的灯安装部件的视图;
图12是显示UV光供应单元的第一变体实施例的视图;
图13是沿着图12的线A-A截取的截面图;
图14是显示UV光供应单元的第二变体实施例的视图;以及
图15是显示当使用直管UV灯时产生的问题的视图。
具体实施方式
由于本发明构思允许各种改变和众多实施例,因此将在图中说明且在书面描述中详细描述示例性实施例。然而,这并非意图将本发明构思限制为特定实践模式,且应了解,不脱离本发明构思的精神和范围的所有改变、等效物和替代涵盖在本发明构思中。在描述本发明构思时,当与众所周知的功能和构造相关的详细描述使本发明构思的主题变模糊时可被省略。
本文中所使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的,且并非意图限制本发明构思的范围。除非另有说明,否则单数形式的术语可包含复数形式。应理解,例如“包括(comprise)”、“包含(include)”和“具有(have)”等术语在本文中使用时指定所陈述的特征、数目、步骤、操作、组件、部件或其组合的存在,但是并不排除一个或多个其它特征、数目、步骤、操作、组件、部件或其组合的存在或添加。
例如第一、第二等术语可用于描述各种组件,但组件不应受术语限制。所述术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。
在下文中,将参考附图详细地描述根据本发明构思的实施例。无论附图标号如何,在参考附图描述实施例时,相同或对应组件在图式中具有相同附图标号,且将省略其重复描述。
图2是显示根据实施例的掩模清洗设备1的示意性前视图。图3是显示索引模块10、下部缓冲器60和下部处理模块30的平面视图。图4是显示传送框架140、上部缓冲器70和上部处理模块40的平面视图。
参考图2到图4,掩模清洗设备1具有索引模块10和处理模块20。索引模块10具有装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和处理模块20按顺序布置成一行。在下文中,装载端口120、传送框架140和处理模块20被布置的方向被称为X方向12。当从上方观察时垂直于X方向12的方向被称为Y方向14,且垂直于包含X方向12和Y方向14的平面的方向被称为Z方向16。
载体18放置在装载端口120上,掩模接收在所述载体18中的每一个中。多个装载端口120沿着Y方向14布置成一行。可根据处理模块20的处理效率和占有面积条件来增加或减少装载端口120的数量。载体18中的每一个具有形成在其中以支撑掩模的边缘的狭槽(未示出)。多个狭槽布置在Z方向16上,且掩模可沿着Z方向16彼此上下堆叠在载体18中,其间具有间距间隙。
处理模块20具有上部处理模块40和下部处理模块30。上部处理模块40和下部处理模块30个字具有传送外壳240、缓冲单元220和处理外壳260。
传送外壳240被布置成使得其纵向方向平行于X方向12。处理外壳260沿着Y方向14被安置在传送外壳240的相对的两端上。传送外壳240的相对侧上的处理外壳260相对于传送外壳240对称。传送外壳240在其一侧上具有多个处理外壳260。处理外壳260中的一些沿着传送外壳240的纵向方向布置。此外,其它处理外壳260彼此上下堆叠。即,处理外壳260可在传送外壳240的一侧上布置成A x B阵列。
这里,A表示沿X方向12布置成一行的处理外壳260的数目,且B表示沿Z方向16布置成一列的处理外壳260的数目。在四个或六个处理外壳260安置在传送外壳240的一侧上的情况下,处理外壳260可布置成2x2或3x2阵列。处理外壳260的数目可增加或减少。或者,处理外壳260可仅设置在传送外壳240的一侧上。在另一情况下,处理外壳260可设置在传送外壳240的相对侧上的单层中。
缓冲单元220安置在传送框架140与传送外壳240之间。缓冲单元220提供其中在传送外壳260与传送框架18之间传送之前掩模停留的空间。缓冲单元220具有上部缓冲器70和下部缓冲器60。上部缓冲器70位于下部缓冲器60上方。上部缓冲器70安置在对应于上部处理模块40的高度处。下部缓冲器60安置在对应于下部处理模块30的高度处。上部缓冲器70和下部缓冲器60各自包括多个狭槽,掩模至于所述多个狭槽上,且多个狭槽沿着Z方向16彼此间隔开。缓冲单元220在面向传送框架140的一侧处且在面向传送外壳240的相对侧处开口。
传送框架140在置于装载端口120上的载体18与缓冲单元220之间传送掩模。索引轨道142和索引机器人144设置在传送框架140中。索引轨道142被布置成使得其纵向方向平行于Y方向14。索引机器人144安装在索引轨道142上且沿着索引轨道142在Y方向14上线性移动。
索引机器人144具有基座144a、主体144b和多个索引臂144c。基座144a被安装成以便可沿着索引轨道142移动。主体144b与基座144a组合。主体144b可沿着Z方向16在基座144a上移动。此外,主体144b可在基座144a上旋转。索引臂144c与主体144b组合且可相对于主体144b向前和向后移动。多个索引臂144c可单独操作。索引臂144c彼此上下堆叠,其间沿着Z方向16具有间距间隙。索引臂144c中的一些可用于将掩模从处理模块20传送到载体18,且其它索引臂144c可用于将掩模从载体18传送到处理模块20。因此,在索引机器人144在载体18与处理模块20之间传送掩模的处理中,可防止从待处理的掩模生成的颗粒粘附到经处理的掩模。
传送外壳240在缓冲单元220与处理外壳260之间且在处理外壳260之间传送掩模。导轨242和主机器人244设置在传送外壳240中。导轨242被布置成使得其纵向方向平行于第一方向12。主机器人244安装在导轨242上且沿着X方向12在导轨242上线性移动。主机器人244具有基座244a、主体244b和多个主臂244c。基座244a被安装成以便可沿着导轨242移动。主体244b与基座244a组合。主体244b可沿着Z方向16在基座244a上移动。此外,主体244b可在基座244a上旋转。主臂244c与主体244b组合且可相对于主体244b向前和向后移动。多个主臂244c可单独操作。主臂244c彼此上下堆叠,其间沿着Z方向16具有间距间隙。
用于对掩模执行清洗处理的掩模清洗设备设置在处理外壳260中。取决于清洗处理的类型,掩模清洗设备可具有不同结构。或者,相应处理外壳260中的掩模清洗设备可具有相同结构。根据实施例,下部处理模块30可包括用于执行湿法清洗处理的腔室和用于执行冷却处理的腔室。下部处理模块40可包括用于执行干法和功能水清洗处理的腔室和用于执行加热处理的腔室。
在下文中,掩模清洗设备可为用于执行上文提及的湿法清洗处理的腔室。以下将描述使用紫外线(UV)光和化学品执行有机物的掩模清洗和移除的掩模清洗设备的实例。除掩模外,本发明构思可应用于清洗各种基板,例如半导体晶片、用于液晶的基板等。
图5是显示图3的掩模清洗设备1000的平面视图。图6是显示图5的掩模清洗设备1000的侧视图。
掩模清洗设备1000移除掩模500的表面上的有机物。
参考图5和图6,掩模清洗设备1000包括外壳1100、碗状物1200、支撑构件1300和喷嘴单元1400。
外壳1100提供经密封内部空间。风扇过滤器单元(未示出)可安装在外壳1100的上壁上。风扇过滤器单元在外壳1100的内部空间中生成向下竖直气流。
碗状物1200安置在外壳1100中。碗状物1200防止用于处理的化学品(处理液体)和在处理中生成的烟雾分散或释放到外部。碗状物1200具有在顶部开口的内部空间,且掩模1500在碗状物1200的内部空间中处理。
支撑构件1300位于碗状物1200中。支撑构件1300在处理期间支撑掩模500。支撑构件1300包括支撑板1320、夹紧销(chucking pin)1340、支撑轴1360和支撑板致动器1380。
支撑板1320具有基本上圆形形状。支撑板1320具有比掩模500更大的直径。支撑板1320支撑掩模500。在分配化学品的同时,掩模500支撑在支撑板1320上以面向上。夹紧销1340设置在支撑板1320的上表面上。夹紧销1340从支撑板1320的上表面向上突出。夹紧销1340防止当支撑板1320旋转时掩模500通过离心力从支撑板1320逃逸到一侧。当掩模500被置于支撑板1320上的正确位置时,两个夹紧销1340支撑掩模500的每个拐角。因此,提供总计八个夹紧销1340。在处理期间,夹紧销1340支撑掩模500的四个拐角以防止掩模500从正确位置逃逸。支撑轴1360连接到支撑板1320的底部的中心。支撑轴1360支撑所述支撑板1320。支撑轴1360被设置成对应于支撑板1320的中心轴线。支撑板致动器1380连接到支撑轴1360的下部末端。支撑板致动器1380使支撑板1320旋转。支撑轴1360将支撑板致动器1380的扭矩传输到支撑板1320。支撑板致动器1380由控制器控制。支撑板致动器1380可包括电机。
提升单元(未示出)使碗状物1200竖直移动以提哦啊接支撑板1320相对于碗状物1200的高度。当掩模500被装载到支撑板1320上或从支撑板1320卸载时,提升单元使碗状物1200向下移动以允许支撑板向上突出超出碗状物1200。
喷嘴单元1400安置在碗状物1200的一侧上。喷嘴单元1400将处理液体和UV光供应到掩模500的上表面以从掩模500移除有机物。喷嘴单元1400包括喷嘴1410、臂1420、臂支撑轴1430、臂致动器1440和UV光供应单元1460。
臂1420具有杆形状且支撑喷嘴1410和UV光供应单元1460。臂1420可被布置成使得其纵向方向平行于支撑板1320。喷嘴1410在臂1420的一个末端处与臂1420组合,且臂1420在臂1420的相对的末端处与臂支撑轴1430组合。臂支撑轴1430支撑臂1420。臂支撑轴1430被布置成使得其纵向方向平行于竖直方向。臂1420可围绕臂支撑轴1430摇摆,或可通过臂致动器1440升高或降低。臂致动器1440连接到臂支撑轴1430的下部末端。
臂致动器1440使喷嘴1410在备用位置与处理位置之间移动。备用位置是外壳1100的一侧上的位置。处理位置是支撑板1320正上方的位置。处理位置可包括第一处理位置和第二处理位置。
处理液体供应单元1450包括处理液体供应源1452和处理液体供应管线1454。处理液体供应管线1454连接处理液体供应源1452和喷嘴1410。存储在处理液体供应源1452中的处理液体通过处理液体供应管线1454供应到欧恩最1410中。用于打开或关闭处理液体供应管线1454的阀可安装在处理液体供应管线1454上。作为参考,处理液体可包含O3DIW或DIW。
图7是显示臂1420的透视图。图8和9是显示安装在图7中的臂1420上的UV光供应单元1460的视图。图10和11是显示臂1420的灯安装部件1422的视图。
参考图7到图11,UV光供应单元1460(在下文中被称为UV灯)供应UV光以用于活化分配在掩模500上的处理液体的自由基。
UV灯1460可包括灯管1462和连接器1466。例如,UV灯1460的UV光可具有185nm到254nm的波长范围。灯管1462可具有90%或更多的UV透光率。例如,灯管1462可由包含石英玻璃的材料形成。
灯管1462可在其相对的两端处气密地密封以在其中形成放电空间。灯管1462可具有U形形状,所述灯管1462包括平行于掩模500的水平部分1462a以及从水平部分1462a的相对的两端竖直向上延伸的竖直部分1462b。具有不同形状的灯管1462是有利的,原因在于水平部分1462a能够被带到与分配在掩模500上的处理液体非常接近的位置。
连接器1466可分别安装在灯管1462的相对的两端上。连接器1466可包括位于灯管1460的竖直部分1462b中的灯丝1467。一般地,灯丝1467可与由钨丝制成的双线圈或三线圈一起实施,且钨丝可涂覆有容易发射热电子的氧化钡、氧化锶、氧化钙等。连接器1466中的每一个可包括突出以接收外功率的终端1468。连接器1466可连接到紧固地安装在臂1420上的连接器容纳部1469。
在本发明构思中,连接器1466和连接器容纳部1469位于臂1420的灯安装部件1422的封闭区段(对应于第二空间1424b)中,且因此可提前防止处理液体与连接器1466和连接器容纳部1469的连接部分进行接触。
臂1420可包括灯安装部件1422,所述灯安装部件1422具有其中接收UV光供应单元1460的接收空间1424。接收空间1424在其面向掩模500的底部处开口,且灯管1462的水平部分1462a位于开口的底侧处。
更确切地说,灯安装部件1422的接收空间1424可包括第一空间1424a和第二空间1424b,且第一空间1424a和第二空间1424b可通过分隔壁1424c彼此分隔。
第一空间1424a可在其面向掩模500的一侧处开口。灯管1462可位于第一空间1424a中,且连接器1466可位于第二空间1424b中。第二空间1424b可与外部环境隔离。第一空间1424a可在其面向掩模500的一侧处开口。
安装在如上所述的臂1420上的喷嘴1410和UV光供应单元1460一起摇摆以活化分配在掩模500上的处理液体的自由基。
参考图15,UV灯1460具有U形灯管1462,且因此灯管1462的水平部分可靠近掩模500定位。在UV灯具有直管灯管的情况下,由于安装在灯管的相对的两端上的连接器,在减少掩模500与灯管之间的间隙方面存在限制。
然而,U形灯管1462在其竖直部分上具有连接器,且因此U形灯管1462的水平部分可比直管灯管更靠近掩模500定位,由此最大化辐射到掩模500的UV光的强度,这进而提高活化处理液体的OH自由基的效率。
另外,可防止连接器1466被分散在连接器1466上方或与连接器1466进行接触的处理液体污染。因此,可提高连接到连接器1466的线缆的耐久性和稳定性。
尽管在本发明构思中已经例示灯管在与处理液体间隔开的位置处发射UV光,但灯管可在必要时与处理液体接触而发射UV光。灯管与处理液体的接触是可能的,因为连接器具有从处理液体完全突出的结构。
图12是显示UV光供应单元的第一变体实施例的视图。图13是沿着图12的线A-A截取的截面视图。
参考图12和图13,UV光供应单元1460a包括灯管1462a和连接器1466a。灯管1462a和连接器1466a具有基本上类似于图10中所示的UV光供应单元1460的灯管1462和连接器1466的构造和功能的构造和功能。因此,以下描述将专注于它们之间的差异。
第一变体实施例中的UV光供应单元1460a不同于UV光供应单元1460,原因在于前者进一步包括反射器1470。反射器1470可将灯管1462a发射的UV光朝向掩模500引导,由此最大化辐射到掩模500的UV光的强度。反射器1470可包括弯曲反射表面1472。然而,不限于此,反射表面1472可由平坦表面形成或可以另一形状形成。
图14是显示UV光供应单元的第二变体实施例的视图。
参考图14,UV光供应单元1460b包括灯管1462b和连接器1466b。灯管1462b和连接器1466b具有基本上类似于图10中所示的UV光供应单元1460的灯管1462和连接器1466的构造和功能的构造和功能。因此,以下描述将专注于它们之间的差异。
第二变体实施例中的UV光供应单元1460b不同于UV光供应单元1460,原因在于前者进一步包括灯保护管1474。灯保护管1474可安装在灯管1462b上且可防止灯管1462b由于外部冲击而损坏。
根据本发明构思的实施例,发射UV光的发光构件靠近分配在基板上的处理液体定位。因此,大量经活化自由基可以以低浓度从处理液体供应在基板上。
根据本发明构思的实施例,提前防止发射UV光的发光构件的连接器与处理液体进行接触。因此,可提高连接器的耐久性和稳定性。
根据本发明构思的实施例,具有U形形状的灯靠近基板定位。因此,灯可有效地活化处理液体的自由基,由此提高处理性能。
本发明构思的效果不限于上述效果,且本发明构思所属的本领域的技术人员根据此描述和附图将清楚地理解本文中未提及的任何其它效果。
以上描述例示本发明构思。此外,以上提及的内容描述本发明构思的示例性实施例,且本发明构思可用于各种其它组合、改变和环境。也就是说,可在不脱离说明书中所公开的本发明构思的范围、书面公开的等效范围、和/或本领域的技术人员的技术或知识范围的情况下对本发明构思进行变化或修改。书面实施例描述用于实施本发明构思的技术精神的最佳状态,且可作出本发明构思的具体应用和目的所需的各种改变。因此,本发明构思的详细描述并不意图限制所公开的实施例状态中的本发明构思。另外,应理解,所附权利要求书包含其它实施例。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明构思,但是对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,可进行各种改变和修改。因此,应理解,以上实施例并非限制性的,而是说明性的。

Claims (17)

1.一种用于处理基板的设备,所述设备包括:
处理容器,其内部具有处理空间;
基板支撑单元,其被构造成支撑所述处理容器中的所述基板并且使所述基板在所述处理容器中旋转;和
喷嘴单元,其被构造成将处理液体分配到所述基板上,
其中所述喷嘴单元包括:
喷嘴,其被构造成分配所述处理液体;和
紫外线(UV)光供应单元,其被构造成发射UV光以活化分配在所述基板上的所述处理液体的自由基,
其中所述紫外线光供应单元包括:
灯管,其在其相对的两端处气密地密封以在内部形成放电空间并且朝向所述基板暴露;和
一对连接器,其安装在所述灯管的所述相对的两端上且包括灯丝,且
其中所述灯管具有U形形状,所述U形形状包括平行于所述基板的水平部分以及从所述水平部分的相对的两端竖直向上延伸的竖直部分,所述连接器安装在所述竖直部分上。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述喷嘴单元进一步包括:
臂,所述喷嘴和所述紫外线光供应单元安装在所述臂上;和
臂致动器,其被构造成使所述臂移动。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述臂包括灯安装部件,所述灯安装部件具有接收空间,所述紫外线光供应单元被接收在所述接收空间中,且
其中所述接收空间在面向所述基板的底部处开口,且所述灯管的所述水平部分位于所述开口的底部处。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述灯管由透射从所述灯管发射的UV光的材料形成。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述灯管由包含石英玻璃的材料形成。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述紫外线光供应单元进一步包括:
反射器,其被构造成将所述灯管发射的UV光朝向所述基板引导。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述反射器包括由平坦表面或弯曲表面形成的反射表面。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述紫外线光供应单元进一步包括:
灯保护管,其安装在所述灯管上以包围并且保护所述灯管。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述处理液体包括臭氧水或去离子水。
10.一种喷嘴单元,其包括:
臂;
喷嘴,其与所述臂组合并且被构造成将处理液体分配到基板上;和
UV灯,其与所述臂组合并且被构造成发射UV光以活化分配在所述基板上的所述处理液体的自由基,
其中所述UV灯包括朝向所述基板暴露的灯管以及安装在所述灯管的相对的两端上的连接器,且所述连接器位于与外部隔离密封的空间中,
其中所述灯管具有U形形状,所述U形形状包括与所述连接器连接的竖直部分以及平行于所述基板的表面并从所述竖直部分延伸的水平部分。
11.根据权利要求10所述的喷嘴单元,其中所述连接器被接收在形成于所述臂上的灯安装部件的接收空间中而受到保护以免于分配到所述基板上的所述处理液体影响。
12.根据权利要求11所述的喷嘴单元,其中所述接收空间包括第一空间和第二空间,所述灯管位于所述第一空间中,所述连接器位于所述第二空间中,
其中所述第一空间和所述第二空间通过分隔壁彼此分隔,且
其中所述第一空间在面向所述基板的一侧处开口。
13.根据权利要求12所述的喷嘴单元,其中所述水平部分通过所述第一空间的开口的一侧而暴露。
14.根据权利要求10所述的喷嘴单元,其中所述喷嘴邻近于所述水平部分的中心定位。
15.根据权利要求10所述的喷嘴单元,其中所述处理液体包括臭氧水或去离子水。
16.根据权利要求10所述的喷嘴单元,其中所述UV灯进一步包括:
反射器,其具有由平坦表面或弯曲表面形成的反射表面,所述反射器被构造成将所述灯管发射的UV光朝向所述基板引导。
17.根据权利要求10所述的喷嘴单元,其中所述UV灯进一步包括:
灯保护管,其安装在所述灯管上以包围并且保护所述灯管。
CN201910602579.1A 2018-07-05 2019-07-05 基板处理设备和喷嘴单元 Active CN110690140B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20180078333 2018-07-05
KR10-2018-0078333 2018-07-05
KR10-2018-0115179 2018-09-27
KR1020180115179A KR102136128B1 (ko) 2018-07-05 2018-09-27 기판 처리 장치 및 노즐 유닛

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110690140A CN110690140A (zh) 2020-01-14
CN110690140B true CN110690140B (zh) 2024-04-12

Family

ID=69101199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910602579.1A Active CN110690140B (zh) 2018-07-05 2019-07-05 基板处理设备和喷嘴单元

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11167326B2 (zh)
CN (1) CN110690140B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11798799B2 (en) * 2021-08-09 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Ultraviolet and ozone clean system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11302040A (ja) * 1998-04-17 1999-11-02 Ushio Inc 紫外線発光ランプによる処理装置
US6135838A (en) * 1998-10-07 2000-10-24 Chung Shan Institute Of Science And Technology Method of making UV lamp for air cleaning
JP2007273598A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN103295936A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012500A (ja) 1998-04-20 2000-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
JP2004241726A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Sharp Corp レジスト処理方法およびレジスト処理装置
JP5182592B2 (ja) 2009-11-18 2013-04-17 岩崎電気株式会社 紫外線照射装置及びその消灯時制御方法
KR20170134089A (ko) 2016-05-27 2017-12-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
KR20170137244A (ko) 2016-06-02 2017-12-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11302040A (ja) * 1998-04-17 1999-11-02 Ushio Inc 紫外線発光ランプによる処理装置
US6135838A (en) * 1998-10-07 2000-10-24 Chung Shan Institute Of Science And Technology Method of making UV lamp for air cleaning
JP2007273598A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN103295936A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110690140A (zh) 2020-01-14
US20200009621A1 (en) 2020-01-09
US11167326B2 (en) 2021-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11862491B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20160100839A (ko) 기판 처리 장치
KR102375576B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110875177A (zh) 基板处理装置和方法
US20200188968A1 (en) Dissolved ozone removal unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method
CN110690140B (zh) 基板处理设备和喷嘴单元
JP2021034731A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TWI660795B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR102590328B1 (ko) 기판 파지 장치 및 이를 포함하는 액 처리 장치, 및 기판 처리 설비
CN115642118A (zh) 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备
KR102136128B1 (ko) 기판 처리 장치 및 노즐 유닛
KR102041309B1 (ko) 포토 마스크 세정 방법
KR20170137244A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101979602B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102548765B1 (ko) 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 방법
KR20140085726A (ko) 기판 처리 장치
KR20230053158A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20230201883A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
JP7476273B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102201879B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20240043849A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230053160A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20190358681A1 (en) Chuck pin, method for manufacturing a chuck pin, apparatus for treating a substrate
KR100885242B1 (ko) 기판 처리 장치, 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR20210035952A (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant