JPH0547731A - 両側形放射線補助処理装置 - Google Patents
両側形放射線補助処理装置Info
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- JPH0547731A JPH0547731A JP20041791A JP20041791A JPH0547731A JP H0547731 A JPH0547731 A JP H0547731A JP 20041791 A JP20041791 A JP 20041791A JP 20041791 A JP20041791 A JP 20041791A JP H0547731 A JPH0547731 A JP H0547731A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明の目的は、リフレクタの使用により引
き起こされる強さの損失を受けない放射線補助処理装置
を提供することにある。 【構成】 平らな第１基板２８ａ及び第２基板２８ｂを
処理する本発明の両側形処理装置は、基板の表面が実質
的に平行になるようにして第１及び第２基板を支持する
支持手段５４と、第１基板と第２基板との間に、両基板
と実質的に平行に配置されていて、リフレクタの補助な
しに約２I0の放射線強さを用いて処理できるように、第
１及び第２基板の各々を強さI0で均一に照射する放射線
２６を放射するための放射線手段２４とを含み、該放射
線手段が、第１及び第２基板のいずれの面積よりも大き
な面積を有していることを特徴とする。
き起こされる強さの損失を受けない放射線補助処理装置
を提供することにある。 【構成】 平らな第１基板２８ａ及び第２基板２８ｂを
処理する本発明の両側形処理装置は、基板の表面が実質
的に平行になるようにして第１及び第２基板を支持する
支持手段５４と、第１基板と第２基板との間に、両基板
と実質的に平行に配置されていて、リフレクタの補助な
しに約２I0の放射線強さを用いて処理できるように、第
１及び第２基板の各々を強さI0で均一に照射する放射線
２６を放射するための放射線手段２４とを含み、該放射
線手段が、第１及び第２基板のいずれの面積よりも大き
な面積を有していることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放射線補助処理装置に関
し、より詳しくは、表面の紫外線（ＵＶ）補助洗浄を行
う装置に関する。
し、より詳しくは、表面の紫外線（ＵＶ）補助洗浄を行
う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在用いられている幾つかの形式の放射
線補助処理方法として、急速加熱法（rapid thermal pr
ocessing、ＲＴＰ）、化学蒸着法（chemical vapor dep
osition 、ＣＶＤ）及びＵＶ／オゾン洗浄法（ＵＶ／oz
one cleaning) がある。急速加熱法は、赤外線（ＩＲ）
熱を発生する放射線源（例えば、赤外域における波長の
７０〜８０％の波長をもつ放射線を放射するタングステ
ン−ハロゲンランプ）を用いてしばしば行われる。化学
蒸着法は、主としてＩＲ加熱を用いるか、或いは、熱反
応を加速するため赤外線に加え紫外線を用いて行われ
る。
線補助処理方法として、急速加熱法（rapid thermal pr
ocessing、ＲＴＰ）、化学蒸着法（chemical vapor dep
osition 、ＣＶＤ）及びＵＶ／オゾン洗浄法（ＵＶ／oz
one cleaning) がある。急速加熱法は、赤外線（ＩＲ）
熱を発生する放射線源（例えば、赤外域における波長の
７０〜８０％の波長をもつ放射線を放射するタングステ
ン−ハロゲンランプ）を用いてしばしば行われる。化学
蒸着法は、主としてＩＲ加熱を用いるか、或いは、熱反
応を加速するため赤外線に加え紫外線を用いて行われ
る。
【０００３】ＵＶ／オゾン洗浄法は、例えば低圧水銀ラ
ンプのような紫外線発生源を用いて行われる。紫外線を
発生する処理装置の他の用途として、レジスト除去及び
EPROM 消去がある。本願明細書で使用する放射線とは、
可視範囲の波長及び可視範囲近くの波長（例えば紫外線
及び赤外線を含む）をもつ電磁波（すなわち光）をい
う。
ンプのような紫外線発生源を用いて行われる。紫外線を
発生する処理装置の他の用途として、レジスト除去及び
EPROM 消去がある。本願明細書で使用する放射線とは、
可視範囲の波長及び可視範囲近くの波長（例えば紫外線
及び赤外線を含む）をもつ電磁波（すなわち光）をい
う。
【０００４】これらの種々の形式の放射線補助処理方法
は同種のものであり、或る形式の放射線補助処理を行う
ように設計された装置は、例えば放射線源を変えること
により、他の形式の放射線補助処理に使用できるように
容易に変更できる。従って、例えば従来の放射線補助処
理装置を説明するのに、同じことを行うＵＶ／オゾン洗
浄方法及び装置を用いることができる。
は同種のものであり、或る形式の放射線補助処理を行う
ように設計された装置は、例えば放射線源を変えること
により、他の形式の放射線補助処理に使用できるように
容易に変更できる。従って、例えば従来の放射線補助処
理装置を説明するのに、同じことを行うＵＶ／オゾン洗
浄方法及び装置を用いることができる。
【０００５】例えばシリコン基板の洗浄及び製造に有効
であることが実証されているＵＶ／オゾン洗浄において
は、基板が酸素含有環境（例えば濾過空気）をもつ反応
チャンバ内に置かれ、紫外線に曝される。紫外線源は、
184.9 及び253.7nm の波長をもつ放射線を発生するもの
が選択される。184.9nm の波長の放射線は、酸素に吸収
されてオゾン（Ｏ3)を発生させるため重要である。253.
7nm の放射線は酸素に吸収されず、従ってオゾンの発生
には貢献しない。しかしながら、253.7nm の放射線は多
くの有機物質には吸収され、またオゾンにも吸収される
し、オゾンと有機物質との多数の反応生成物にも吸収さ
れる。オゾンによる253.7nm の放射線の吸収は、主とし
て反応チャンバ内でのオゾンの破壊に起因している。従
って、184.9nm 及び253.7nm の両波長が存在すると、オ
ゾンは連続的に形成されかつ破壊される。オゾンの形成
時及び破壊時の中間生成物は原子酸素であり、これは非
常に強力な酸化剤である。有機物質及びこれらのオゾン
分解生成物により253.7nmの放射線も吸収され、有機物
質を分解する。
であることが実証されているＵＶ／オゾン洗浄において
は、基板が酸素含有環境（例えば濾過空気）をもつ反応
チャンバ内に置かれ、紫外線に曝される。紫外線源は、
184.9 及び253.7nm の波長をもつ放射線を発生するもの
が選択される。184.9nm の波長の放射線は、酸素に吸収
されてオゾン（Ｏ3)を発生させるため重要である。253.
7nm の放射線は酸素に吸収されず、従ってオゾンの発生
には貢献しない。しかしながら、253.7nm の放射線は多
くの有機物質には吸収され、またオゾンにも吸収される
し、オゾンと有機物質との多数の反応生成物にも吸収さ
れる。オゾンによる253.7nm の放射線の吸収は、主とし
て反応チャンバ内でのオゾンの破壊に起因している。従
って、184.9nm 及び253.7nm の両波長が存在すると、オ
ゾンは連続的に形成されかつ破壊される。オゾンの形成
時及び破壊時の中間生成物は原子酸素であり、これは非
常に強力な酸化剤である。有機物質及びこれらのオゾン
分解生成物により253.7nmの放射線も吸収され、有機物
質を分解する。
【０００６】ＵＶ／オゾン洗浄法は、紫外線でオゾンを
発生させるのではなく、外部供給源から反応チャンバに
オゾンを供給するように変更することができる。効率
（従って、ＵＶ／オゾン洗浄に要する時間）は、環境の
気圧、紫外線の強さ、洗浄される材料の温度、及び洗浄
される材料の化学組成及び化学構造（これらの化学組成
及び化学構造は触媒効果又は特別な安定性を与えるもの
である）に基づいて定まる。洗浄すべき基板の表面にお
いて、独立した供給源又は複数の独立した供給源から得
られる紫外線の強さは、放射線源（紫外線源）と基板と
の間の距離を小さくすることにより増大させることがで
きる。しかしながら、洗浄すべき基板の表面上に環境ガ
スの均一な流れを維持することが有益であり、このため
には基板と放射線源との間に間隙を維持することが必要
である。
発生させるのではなく、外部供給源から反応チャンバに
オゾンを供給するように変更することができる。効率
（従って、ＵＶ／オゾン洗浄に要する時間）は、環境の
気圧、紫外線の強さ、洗浄される材料の温度、及び洗浄
される材料の化学組成及び化学構造（これらの化学組成
及び化学構造は触媒効果又は特別な安定性を与えるもの
である）に基づいて定まる。洗浄すべき基板の表面にお
いて、独立した供給源又は複数の独立した供給源から得
られる紫外線の強さは、放射線源（紫外線源）と基板と
の間の距離を小さくすることにより増大させることがで
きる。しかしながら、洗浄すべき基板の表面上に環境ガ
スの均一な流れを維持することが有益であり、このため
には基板と放射線源との間に間隙を維持することが必要
である。
【０００７】ＵＶ／オゾン洗浄は、次の文献すなわち、
John R. Vig 及びJ. Vac. の「表面のＵＶ／オゾン洗浄
（UV/ozone cleaning of Surfaces)」（Vol 3 、No. 3
、1985年、５月／６月) 、Michiharu Tabe、Appl. Phy
s. Lett. の「シリコン分子のビームエピタクシ中での
シリコン基板のＵＶ／オゾン洗浄（UV/ozone Cleaningo
f Silicon Substrates in Silicon Molecular Beam Epi
taxy)」（Vol. 45 、No. 10、1984年、１１月１５
日）、F. K. Clarkeの「ＵＶ／オゾン処理、ハイブリッ
ド回路工業におけるその応用（UV/ozone Processing: I
tsApplications in the Hybrid Circuit Industry) 」
（Hybrid Circuit Technology, 1985 年、１２月号、第
４２頁）、Norstrom等の「紫外線で発生させたオゾンを
用いた接触孔の乾燥洗浄（Dry Cleaning of Contact Ho
les Using Ultraviolet (UV) GeneratedOzone) 」（J.
Electrochem. Soc.: Solid-State Scienceand Technolo
gy, Vol. 132, No. 9, 1985 年、９月、第2285頁) に開
示されている。
John R. Vig 及びJ. Vac. の「表面のＵＶ／オゾン洗浄
（UV/ozone cleaning of Surfaces)」（Vol 3 、No. 3
、1985年、５月／６月) 、Michiharu Tabe、Appl. Phy
s. Lett. の「シリコン分子のビームエピタクシ中での
シリコン基板のＵＶ／オゾン洗浄（UV/ozone Cleaningo
f Silicon Substrates in Silicon Molecular Beam Epi
taxy)」（Vol. 45 、No. 10、1984年、１１月１５
日）、F. K. Clarkeの「ＵＶ／オゾン処理、ハイブリッ
ド回路工業におけるその応用（UV/ozone Processing: I
tsApplications in the Hybrid Circuit Industry) 」
（Hybrid Circuit Technology, 1985 年、１２月号、第
４２頁）、Norstrom等の「紫外線で発生させたオゾンを
用いた接触孔の乾燥洗浄（Dry Cleaning of Contact Ho
les Using Ultraviolet (UV) GeneratedOzone) 」（J.
Electrochem. Soc.: Solid-State Scienceand Technolo
gy, Vol. 132, No. 9, 1985 年、９月、第2285頁) に開
示されている。
【０００８】大型基板を処理できる放射線補助処理装置
で、本発明者が知っている全ての装置は、リフレクタ
（反射器）を用いて、処理に使用する放射線の強さを増
強している。より詳しくは、ともすれば放射線源により
基板から離れる方向に向けられる傾向をもつ放射線を基
板の方に向けるのに、リフレクタを使用している。例え
ば米国特許第4,558,660 号では、紫外線を発生する放射
線源及び赤外線を発生する放射線源の両方にリフレクタ
を使用している。また、米国特許第3,801,773 号及び
「表面のＵＶ／オゾン洗浄」という名称の上記論文に
は、基板の表面における放射線の強さを増強して処理時
間の短縮を図るのにリフレクタを使用することに伴う幾
つかの複雑性及び困難性が指摘されている。
で、本発明者が知っている全ての装置は、リフレクタ
（反射器）を用いて、処理に使用する放射線の強さを増
強している。より詳しくは、ともすれば放射線源により
基板から離れる方向に向けられる傾向をもつ放射線を基
板の方に向けるのに、リフレクタを使用している。例え
ば米国特許第4,558,660 号では、紫外線を発生する放射
線源及び赤外線を発生する放射線源の両方にリフレクタ
を使用している。また、米国特許第3,801,773 号及び
「表面のＵＶ／オゾン洗浄」という名称の上記論文に
は、基板の表面における放射線の強さを増強して処理時
間の短縮を図るのにリフレクタを使用することに伴う幾
つかの複雑性及び困難性が指摘されている。
【０００９】紫外線及び赤外線用のリフレクタとして種
々の材料が使用されており、放射線補助処理装置用の適
当なリフレクタを開発するのに多大の時間及び努力が費
やされている。リフレクタに付随する幾つかの問題は、
紫外線の範囲において、金及び銀を含む殆どの金属の反
射率が小さいこと、及び紫外線及び／又は赤外線を受け
るリフレクタの腐食防止が困難なことである。リフレク
タにはアルミニウムが好ましいけれども、アルミニウム
の表面の腐食を防止するのに多大の努力を費やす必要が
ある。
々の材料が使用されており、放射線補助処理装置用の適
当なリフレクタを開発するのに多大の時間及び努力が費
やされている。リフレクタに付随する幾つかの問題は、
紫外線の範囲において、金及び銀を含む殆どの金属の反
射率が小さいこと、及び紫外線及び／又は赤外線を受け
るリフレクタの腐食防止が困難なことである。リフレク
タにはアルミニウムが好ましいけれども、アルミニウム
の表面の腐食を防止するのに多大の努力を費やす必要が
ある。
【００１０】また、効率が１００％のリフレクタは存在
しないため、リフレクタに入射するときに強さ Ii をも
つ放射線（光）は、反射されて強さ Ir になり、強さ I
r は必ず強さ Ii より小さくなる。また、放射線源は、
処理すべき基板と反射面との間に配置されるため、強さ
Ir をもつ反射された放射線（反射放射線）の或る量は
基板に入射する前に放射線源を通らなくてはならず、こ
のため反射放射線の強さは更に低下する。放射線源を通
って戻る反射放射線の強さは I′r ′であり、I′r ′
＜ Ir となる。この問題が図１に示してあり、放射線源
１０からあらゆる方向に放射線が放射される。放射線の
或るものは面１２上に支持された基板１４に直接入射
し、或るものはリフレクタ１６の方向に向かう。基板１
４から所与の距離だけ隔てられた放射線源１０から放射
された放射線は、基板１４の表面においてI0の強さを有
している。図１には、放射線源１０から放射された放射
線の３つの経路が Ii1、 Ii2、 Ii3で示されている。 I
i1は、放射線源１０から直接基板１４に向かい、強さ I
i で基板１４に衝突する放射線である。 Ii2 は、リフ
レクタ１６により反射された放射線であり、反射された
強さ（反射強さ）は I r2である（ Ir2＜ Ii2）。次に、
この放射線 Ii2は放射線源１０に戻り、該放射線源１０
を通ることにより強さが更に低下し、その後、強さ I′
r2で基板１４に衝突する（ I′r2≪ Ii2）。 Ii3は、リ
フレクタ１６で反射されるけれども放射線源１０を通る
ようには戻らない放射線であり、従って強さ Ir3で基板
１４に衝突する（ Ir3＜ Ii3）。リフレクタ１６により
反射されて基板１４に入射する放射線の強さは、基板１
４に直接入射する放射線の強さI0の約５０〜７０％の間
で変化する。
しないため、リフレクタに入射するときに強さ Ii をも
つ放射線（光）は、反射されて強さ Ir になり、強さ I
r は必ず強さ Ii より小さくなる。また、放射線源は、
処理すべき基板と反射面との間に配置されるため、強さ
Ir をもつ反射された放射線（反射放射線）の或る量は
基板に入射する前に放射線源を通らなくてはならず、こ
のため反射放射線の強さは更に低下する。放射線源を通
って戻る反射放射線の強さは I′r ′であり、I′r ′
＜ Ir となる。この問題が図１に示してあり、放射線源
１０からあらゆる方向に放射線が放射される。放射線の
或るものは面１２上に支持された基板１４に直接入射
し、或るものはリフレクタ１６の方向に向かう。基板１
４から所与の距離だけ隔てられた放射線源１０から放射
された放射線は、基板１４の表面においてI0の強さを有
している。図１には、放射線源１０から放射された放射
線の３つの経路が Ii1、 Ii2、 Ii3で示されている。 I
i1は、放射線源１０から直接基板１４に向かい、強さ I
i で基板１４に衝突する放射線である。 Ii2 は、リフ
レクタ１６により反射された放射線であり、反射された
強さ（反射強さ）は I r2である（ Ir2＜ Ii2）。次に、
この放射線 Ii2は放射線源１０に戻り、該放射線源１０
を通ることにより強さが更に低下し、その後、強さ I′
r2で基板１４に衝突する（ I′r2≪ Ii2）。 Ii3は、リ
フレクタ１６で反射されるけれども放射線源１０を通る
ようには戻らない放射線であり、従って強さ Ir3で基板
１４に衝突する（ Ir3＜ Ii3）。リフレクタ１６により
反射されて基板１４に入射する放射線の強さは、基板１
４に直接入射する放射線の強さI0の約５０〜７０％の間
で変化する。
【００１１】また、前述のように、紫外線はオゾンによ
り吸収される。従って、紫外線が基板１４に衝突する前
に大きな距離を移動すると、紫外線の強さは低下する。
紫外線の強さは、ベールの吸収法則（Beer's absorptio
n law)、すなわち Ix ＝I0・e -ax に従って指数関数的
に低下する（ここで、x は、吸収率ａの吸収媒体を通っ
て放射線が移動した距離である）。従って、反射放射線
の強さは、放射線源１０から基板１４まで直接移動する
放射線の強さよりも常に大幅に減衰される。これは、反
射放射線が、放射線源１０とリフレクタ１６との間の距
離の２倍に等しい付加距離を移動するからである。
り吸収される。従って、紫外線が基板１４に衝突する前
に大きな距離を移動すると、紫外線の強さは低下する。
紫外線の強さは、ベールの吸収法則（Beer's absorptio
n law)、すなわち Ix ＝I0・e -ax に従って指数関数的
に低下する（ここで、x は、吸収率ａの吸収媒体を通っ
て放射線が移動した距離である）。従って、反射放射線
の強さは、放射線源１０から基板１４まで直接移動する
放射線の強さよりも常に大幅に減衰される。これは、反
射放射線が、放射線源１０とリフレクタ１６との間の距
離の２倍に等しい付加距離を移動するからである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、リフレクタの使用により引き起こされる強さの損失
を受けない放射線補助処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、リフレクタの使用を必要としない
放射線補助処理装置を提供することにある。
は、リフレクタの使用により引き起こされる強さの損失
を受けない放射線補助処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、リフレクタの使用を必要としない
放射線補助処理装置を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、多数の放射線源を用
いて複数の基板を同時に処理できる放射線補助処理装置
を提供することにある。本発明の他の目的は、処理すべ
き基板を放射線源の両側に配置することにより、処理に
用いられる放射線の強さを、放射線源から出て基板に直
接入射する光の強さの２倍（２I0）にすることができる
放射線補助処理装置を提供することにある。
いて複数の基板を同時に処理できる放射線補助処理装置
を提供することにある。本発明の他の目的は、処理すべ
き基板を放射線源の両側に配置することにより、処理に
用いられる放射線の強さを、放射線源から出て基板に直
接入射する光の強さの２倍（２I0）にすることができる
放射線補助処理装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】基板の放射線補助処理を
行う本発明による両側形処理装置は、反応チャンバと、
平らな放射線源とを有しており、該放射線源が、第１の
側及び第２の側を備えておりかつ反応チャンバ内に置か
れた基板の表面に強さI0を与えることができる。放射線
源の第１及び第２のそれぞれの側において反応チャンバ
内には、基板を支持するための第１チャック及び第２チ
ャックが設けられていて、第１及び第２チャックの各々
により支持された基板が強さI0の入射放射線を受けるこ
とができるようになっている。反応チャンバは、該チャ
ンバを通る均一なガス流が形成されるようにしたガス入
口及びガス出口を有している。チャックは基板を加熱す
る加熱エレメントを備えており、また、基板を回転でき
るようにチャックを設計してもよい。別の構成として、
放射線源は、該放射線源から放射された放射線を実質的
に透過できる材料で作られた反応チャンバの外部に配置
することもできる。
行う本発明による両側形処理装置は、反応チャンバと、
平らな放射線源とを有しており、該放射線源が、第１の
側及び第２の側を備えておりかつ反応チャンバ内に置か
れた基板の表面に強さI0を与えることができる。放射線
源の第１及び第２のそれぞれの側において反応チャンバ
内には、基板を支持するための第１チャック及び第２チ
ャックが設けられていて、第１及び第２チャックの各々
により支持された基板が強さI0の入射放射線を受けるこ
とができるようになっている。反応チャンバは、該チャ
ンバを通る均一なガス流が形成されるようにしたガス入
口及びガス出口を有している。チャックは基板を加熱す
る加熱エレメントを備えており、また、基板を回転でき
るようにチャックを設計してもよい。別の構成として、
放射線源は、該放射線源から放射された放射線を実質的
に透過できる材料で作られた反応チャンバの外部に配置
することもできる。
【００１５】処理中に基板上に汚染微粒子が堆積するこ
とを防止するため、平らな放射線源及び基板は、反応チ
ャンバ内で垂直方向に配置するのが好ましい。本発明に
よる放射線補助処理装置の特別な利点は、処理に利用さ
れる放射線の強さが２I0であり、これは、リフレクタに
頼る従来の処理装置で利用される強さ（I0＋ IR ）に比
べ非常に強いことである。
とを防止するため、平らな放射線源及び基板は、反応チ
ャンバ内で垂直方向に配置するのが好ましい。本発明に
よる放射線補助処理装置の特別な利点は、処理に利用さ
れる放射線の強さが２I0であり、これは、リフレクタに
頼る従来の処理装置で利用される強さ（I0＋ IR ）に比
べ非常に強いことである。
【００１６】本発明による放射線補助処理装置の他の利
点は、所与の面積をもつ放射線源の場合、従来の処理装
置が前記所与の面積の１／２に過ぎない単一の基板を処
理するのに要する時間より極く僅か長い時間で、本発明
の装置は２枚の基板を処理できることである。従って、
本発明の処理装置は、基板の単位面積当たりの処理速度
が大きいといえる。
点は、所与の面積をもつ放射線源の場合、従来の処理装
置が前記所与の面積の１／２に過ぎない単一の基板を処
理するのに要する時間より極く僅か長い時間で、本発明
の装置は２枚の基板を処理できることである。従って、
本発明の処理装置は、基板の単位面積当たりの処理速度
が大きいといえる。
【００１７】本発明による放射線補助処理装置の他の利
点は、多数の放射線源と、各対をなす放射線源同士の間
に配置された両面形チャックとを用いて多数の基板の
（バッチ）処理を行うのに非常に適していることであ
る。本発明による放射線補助処理装置の他の利点は、従
来の放射線補助処理装置に比べて空間を節約できること
であり、この空間節約には、リフレクタを省略したこと
が少なくとも或る程度は貢献している。
点は、多数の放射線源と、各対をなす放射線源同士の間
に配置された両面形チャックとを用いて多数の基板の
（バッチ）処理を行うのに非常に適していることであ
る。本発明による放射線補助処理装置の他の利点は、従
来の放射線補助処理装置に比べて空間を節約できること
であり、この空間節約には、リフレクタを省略したこと
が少なくとも或る程度は貢献している。
【００１８】本発明による放射線補助処理装置の他の利
点は、クリーンルーム装置の「足跡（footprint)」（フ
ィート単位の面積）を減少できることである。
点は、クリーンルーム装置の「足跡（footprint)」（フ
ィート単位の面積）を減少できることである。
【００１９】
【実施例】図２〜図８を参照して、放射線補助処理装置
の種々の実施例及び該放射線補助処理装置に使用できる
放射線源の幾つかの実施例を説明する。本発明による放
射線補助処理装置は、大型で実質的に平らな基板の処理
に使用することを意図したものである。このような基板
の例として、シリコンウェーハ、セラミック、データ記
憶ディスク（磁気式及び光学式の両方）、ガラスプレー
ト（例えばフォトマスク基板）及び印刷回路板がある。
本発明の装置を用いて処理できる他の基板としてレンズ
及び鏡がある。従って、以下の記載の或る部分が半導体
基板のＵＶ／オゾン処理に向けられていても、本発明の
装置は、大型で実質的に平らな多種類の基板に使用でき
ることを理解すべきである。
の種々の実施例及び該放射線補助処理装置に使用できる
放射線源の幾つかの実施例を説明する。本発明による放
射線補助処理装置は、大型で実質的に平らな基板の処理
に使用することを意図したものである。このような基板
の例として、シリコンウェーハ、セラミック、データ記
憶ディスク（磁気式及び光学式の両方）、ガラスプレー
ト（例えばフォトマスク基板）及び印刷回路板がある。
本発明の装置を用いて処理できる他の基板としてレンズ
及び鏡がある。従って、以下の記載の或る部分が半導体
基板のＵＶ／オゾン処理に向けられていても、本発明の
装置は、大型で実質的に平らな多種類の基板に使用でき
ることを理解すべきである。
【００２０】本発明の第１実施例による放射線補助処理
装置２０を図２に関連して説明する。放射線補助処理装
置２０は反応チャンバ２２を有しており、該反応チャン
バ２２内には放射線源２４が支持されている。この放射
線源２４は、本発明の放射線補助処理装置に使用できる
平らな配列の放射線源の第１実施例であり、曲がりくね
った形状を有している。この曲がりくねった形状は、単
一の放射線源で大きく平らな基板を均一に照射できるよ
うに選択されたものである。放射線源２４は、該放射線
源２４の第１の側３０ａ及び第２の側３０ｂにそれぞれ
配置された２つの基板２８ａ及び２８ｂに強さI0の放射
線２６を与えることができる。第１基板２８ａ及び第２
基板２８ｂは、それぞれ、第１チャック３２ａ及び第２
チャック３２ｂにより支持されている。
装置２０を図２に関連して説明する。放射線補助処理装
置２０は反応チャンバ２２を有しており、該反応チャン
バ２２内には放射線源２４が支持されている。この放射
線源２４は、本発明の放射線補助処理装置に使用できる
平らな配列の放射線源の第１実施例であり、曲がりくね
った形状を有している。この曲がりくねった形状は、単
一の放射線源で大きく平らな基板を均一に照射できるよ
うに選択されたものである。放射線源２４は、該放射線
源２４の第１の側３０ａ及び第２の側３０ｂにそれぞれ
配置された２つの基板２８ａ及び２８ｂに強さI0の放射
線２６を与えることができる。第１基板２８ａ及び第２
基板２８ｂは、それぞれ、第１チャック３２ａ及び第２
チャック３２ｂにより支持されている。
【００２１】本発明の第１実施例においては、放射線源
２４、第１及び第２基板２８ａ、２８ｂ、第１及び第２
チャック３２ａ、３２ｂが、反応チャンバ２２内で垂直
に配置されている。これらのエレメントは、反応チャン
バ２２内で水平に配置することもできる（図６参照）。
チャック３２ａ、３２ｂ及び基板２８ａ、２８ｂを垂直
方向に配向するには、基板２８ａ、２８ｂをチャック３
２ａ、３２ｂに固定する手段を設けることが必要であ
る。処理を大気圧で行う場合には、各チャック３２内に
真空チャンバを設け、基板２８の背面が真空チャンバに
当たるように配置し、次に、チャンバ内を真空引きす
る。チャック３２を真空引き手段（図示せず）に連結す
るラインがチャック支持体３４ａ、３４ｂに通されてい
る。基板２８ａ、２８ｂを垂直に配置することの利点は
２つある。第１の利点は、反応チャンバ２２内には汚染
微粒子が常に存在しているけれども、基板２８ａ、２８
ｂの垂直配向によりこれらの微粒子が基板上に落下する
ことを防止できることである。第２の利点は、処理中に
基板２８ａ、２８ｂが加熱されるとき、ガスが加熱され
て上昇し不均一な対流及び循環が生じるため、ガスが、
加熱された水平な基板を通って均一に流れることを維持
するのが困難であるけれども、垂直配向によりこの問題
が解決できることである。
２４、第１及び第２基板２８ａ、２８ｂ、第１及び第２
チャック３２ａ、３２ｂが、反応チャンバ２２内で垂直
に配置されている。これらのエレメントは、反応チャン
バ２２内で水平に配置することもできる（図６参照）。
チャック３２ａ、３２ｂ及び基板２８ａ、２８ｂを垂直
方向に配向するには、基板２８ａ、２８ｂをチャック３
２ａ、３２ｂに固定する手段を設けることが必要であ
る。処理を大気圧で行う場合には、各チャック３２内に
真空チャンバを設け、基板２８の背面が真空チャンバに
当たるように配置し、次に、チャンバ内を真空引きす
る。チャック３２を真空引き手段（図示せず）に連結す
るラインがチャック支持体３４ａ、３４ｂに通されてい
る。基板２８ａ、２８ｂを垂直に配置することの利点は
２つある。第１の利点は、反応チャンバ２２内には汚染
微粒子が常に存在しているけれども、基板２８ａ、２８
ｂの垂直配向によりこれらの微粒子が基板上に落下する
ことを防止できることである。第２の利点は、処理中に
基板２８ａ、２８ｂが加熱されるとき、ガスが加熱され
て上昇し不均一な対流及び循環が生じるため、ガスが、
加熱された水平な基板を通って均一に流れることを維持
するのが困難であるけれども、垂直配向によりこの問題
が解決できることである。
【００２２】処理は、電源３６からの適当な電圧を放射
線源２４に印加し、該放射線源２４から選択された波長
の放射線を発生させることにより行われる。前述のよう
に、ＵＶ／オゾン洗浄には、主として184.9nm 及び253.
7nm の波長が使用される。急速加熱処理を行うには、主
として赤外域の波長が選択される。異なる形式の放射を
行うには、１つ以上の放射線源を用いることもできる。
例えばＵＶ／オゾン洗浄の場合に、赤外線と紫外線とを
組み合わせて洗浄能力を高めることもでき、また、洗浄
すべき基板を加熱することにより、ＵＶ／オゾン洗浄に
要する時間を短縮することができる。
線源２４に印加し、該放射線源２４から選択された波長
の放射線を発生させることにより行われる。前述のよう
に、ＵＶ／オゾン洗浄には、主として184.9nm 及び253.
7nm の波長が使用される。急速加熱処理を行うには、主
として赤外域の波長が選択される。異なる形式の放射を
行うには、１つ以上の放射線源を用いることもできる。
例えばＵＶ／オゾン洗浄の場合に、赤外線と紫外線とを
組み合わせて洗浄能力を高めることもでき、また、洗浄
すべき基板を加熱することにより、ＵＶ／オゾン洗浄に
要する時間を短縮することができる。
【００２３】基板を加熱する別の手段として、例えば抵
抗加熱エレメント３８をチャック３２ａ、３２ｂに設け
ることができる。この抵抗加熱エレメント３８の作動に
要する電流は、チャックの支持体３４ａ、３４ｂを通し
て供給される。前述のように、処理中には、基板２８
ａ、２８ｂの表面上での環境ガス及び反応ガスの均一の
流れを維持することが重要である。実際には、基板２８
ａ、２８ｂ上を準層流が流れるようにする。しかしなが
ら、チャック３２ａ、３２ｂ及び基板２８ａ、２８ｂが
加熱され、これにより、これらを通って流れるガスが加
熱される。加熱されたガスは加熱されないガスよりも高
速で上昇する傾向があるため、ガスの加熱により流れが
分散される効果が生じる。この欠点は、本発明の装置に
おいて全体的に下向きのガス流を発生させることにより
解決される。ガス４０は、圧力ゲージ／制御装置４４に
よりモニタリングされかつ制御された圧力でガス入口４
２から反応チャンバ２２内に導入され、該反応チャンバ
２２の底部に設けられた孔４６から排出される。これに
対し、基板２８ａ、２８ｂの表面に新鮮な反応体を供給
しかつ反応生成物を基板２８ａ、２８ｂの表面から除去
する所望の効果が得られるようにするため、ガスの流れ
は反応チャンバ２２内で任意の方向にすることができ
る。
抗加熱エレメント３８をチャック３２ａ、３２ｂに設け
ることができる。この抵抗加熱エレメント３８の作動に
要する電流は、チャックの支持体３４ａ、３４ｂを通し
て供給される。前述のように、処理中には、基板２８
ａ、２８ｂの表面上での環境ガス及び反応ガスの均一の
流れを維持することが重要である。実際には、基板２８
ａ、２８ｂ上を準層流が流れるようにする。しかしなが
ら、チャック３２ａ、３２ｂ及び基板２８ａ、２８ｂが
加熱され、これにより、これらを通って流れるガスが加
熱される。加熱されたガスは加熱されないガスよりも高
速で上昇する傾向があるため、ガスの加熱により流れが
分散される効果が生じる。この欠点は、本発明の装置に
おいて全体的に下向きのガス流を発生させることにより
解決される。ガス４０は、圧力ゲージ／制御装置４４に
よりモニタリングされかつ制御された圧力でガス入口４
２から反応チャンバ２２内に導入され、該反応チャンバ
２２の底部に設けられた孔４６から排出される。これに
対し、基板２８ａ、２８ｂの表面に新鮮な反応体を供給
しかつ反応生成物を基板２８ａ、２８ｂの表面から除去
する所望の効果が得られるようにするため、ガスの流れ
は反応チャンバ２２内で任意の方向にすることができ
る。
【００２４】放射線源２４からの放射線２６は、両基板
２８ａ、２８ｂに直接入射する。従って、処理は、各基
板２８ａ、２８ｂの表面における強さI0の２倍の強さ
（２I0）で行われる。このため、本発明の処理装置は、
従来の処理装置（従来の処理装置は、単一基板につき
（I0＋ IR ）の処理強さを用いており、（I0＋ IR ）≪
２I0である）に比べ、単位面積当たりの処理速度が高速
で作動する。
２８ａ、２８ｂに直接入射する。従って、処理は、各基
板２８ａ、２８ｂの表面における強さI0の２倍の強さ
（２I0）で行われる。このため、本発明の処理装置は、
従来の処理装置（従来の処理装置は、単一基板につき
（I0＋ IR ）の処理強さを用いており、（I0＋ IR ）≪
２I0である）に比べ、単位面積当たりの処理速度が高速
で作動する。
【００２５】次に、図３に関連して本発明の第２実施例
による放射線補助処理装置５０を説明する。この第２実
施例は、単一の反応チャンバ５２内に多数の放射線源２
４を設けることにより、第１実施例の両側形ウェーハ処
理装置にバッチ概念を適用したものである。複数の放射
線源２４の第１の側には複数の第１基板２８ａ1 〜２８
ａ3 が設けられており、各放射線源２４の第２の側には
複数の基板２８ｂ1 〜２８ｂ3 が設けられている。２つ
の放射線源２４同士の間には両面形チャック５４が用い
られており、またチャンバ５２の両端部においては片面
形チャック５６を用いて単一の基板２８を保持してい
る。両面形チャック５４及び片面形チャック５６は、全
てチャック支持体５８により支持されている。第１実施
例の場合と同様に、チャック５４、５６内の抵抗ヒータ
を作動させる電線及び基板をチャック５４、５６上に保
持すべく真空チャンバ（反応チャンバ）２２内の真空引
きを行う真空ラインがチャック支持体５８内に設けられ
ている。ガス６２は、ガス入口６０から供給されて均一
な下向きのガス流を形成し、排出孔６４から排出され
る。
による放射線補助処理装置５０を説明する。この第２実
施例は、単一の反応チャンバ５２内に多数の放射線源２
４を設けることにより、第１実施例の両側形ウェーハ処
理装置にバッチ概念を適用したものである。複数の放射
線源２４の第１の側には複数の第１基板２８ａ1 〜２８
ａ3 が設けられており、各放射線源２４の第２の側には
複数の基板２８ｂ1 〜２８ｂ3 が設けられている。２つ
の放射線源２４同士の間には両面形チャック５４が用い
られており、またチャンバ５２の両端部においては片面
形チャック５６を用いて単一の基板２８を保持してい
る。両面形チャック５４及び片面形チャック５６は、全
てチャック支持体５８により支持されている。第１実施
例の場合と同様に、チャック５４、５６内の抵抗ヒータ
を作動させる電線及び基板をチャック５４、５６上に保
持すべく真空チャンバ（反応チャンバ）２２内の真空引
きを行う真空ラインがチャック支持体５８内に設けられ
ている。ガス６２は、ガス入口６０から供給されて均一
な下向きのガス流を形成し、排出孔６４から排出され
る。
【００２６】図４、図５及び図７には、放射線源の別の
構成が示してある。より詳しくは、第２実施例（図４）
に係る放射線源６６は、放射状に配置された複数の直線
状の放射線源６８で構成されている。第３実施例（図
５）に係る放射線源７０は、互いに平行に配置された複
数の直線状の放射線源６８で構成されている。また、第
４実施例（図７）に係る放射線源７２は、渦巻き状の単
一の放射線源で構成されている。
構成が示してある。より詳しくは、第２実施例（図４）
に係る放射線源６６は、放射状に配置された複数の直線
状の放射線源６８で構成されている。第３実施例（図
５）に係る放射線源７０は、互いに平行に配置された複
数の直線状の放射線源６８で構成されている。また、第
４実施例（図７）に係る放射線源７２は、渦巻き状の単
一の放射線源で構成されている。
【００２７】図６には、上記第３実施例に係る放射線源
７０（図５）を用いた放射線補助処理装置が示されてい
る。放射線源７０は、該放射線源７０の第１の側及び第
２の側に配置された第１基板８０ａ及び第２基板８０ｂ
に入射する。両基板８０ａ、８０ｂは、回転可能なチャ
ック８２ａ、８２ｂにより支持され、これらのチャック
８２ａ、８２ｂは、シャフト８６ａ、８６ｂを介してチ
ャックに連結された回転手段（例えばモータ）８４ａ、
８４ｂにより回転される。基板８０ａ、８０ｂは、第１
実施例及び第２実施例と同様に真空により、或いは、ピ
ンのような他の既知の位置決め装置によりチャック８２
ａ、８２ｂ上に保持する。
７０（図５）を用いた放射線補助処理装置が示されてい
る。放射線源７０は、該放射線源７０の第１の側及び第
２の側に配置された第１基板８０ａ及び第２基板８０ｂ
に入射する。両基板８０ａ、８０ｂは、回転可能なチャ
ック８２ａ、８２ｂにより支持され、これらのチャック
８２ａ、８２ｂは、シャフト８６ａ、８６ｂを介してチ
ャックに連結された回転手段（例えばモータ）８４ａ、
８４ｂにより回転される。基板８０ａ、８０ｂは、第１
実施例及び第２実施例と同様に真空により、或いは、ピ
ンのような他の既知の位置決め装置によりチャック８２
ａ、８２ｂ上に保持する。
【００２８】図６に示す本発明の処理装置（第３実施
例）の他の特徴は、互いに隣接する放射線源６８（これ
らの放射線源６８は平らな配列の放射線源７０を構成す
る）の間にリフレクタ８８が設けられていることであ
る。図６にはリフレクタ８８の断面形状が示されている
けれども、これらのリフレクタ８８は直線状をなしてお
りかつ個々の放射線源６８の長さにわたって延びている
（他の実施例に係る各放射線源にも同様なリフレクタを
設けることができる）。これらのリフレクタ８８は、平
らな配列の放射線源７０の平面内で放射線源６８から放
射された放射線を、放射線源７０の平面の両側で、選択
された角度θよりも小さい角度で基板８０ａ、８０ｂに
向けて反射できる形状を有している。選択された角度θ
よりも小さい角度で放射された放射線は基板８０ａ、８
０ｂには入射しないであろうし、仮に基板８０ａ、８０
ｂに入射することがあっても、長距離を経て到達するた
め入射箇所での強さは大幅に低下される。しかしなが
ら、、リフレクタ８８は、平らな配列の光源（放射線
源）７０から基板８０ａ、８０ｂに直接入射する放射線
２６の強さI0を低下させることはない。従って、各基板
８０ａ、８０ｂに入射する放射線の強さは（I0＋ IR ）
となり、処理に利用できる全体としての強さは２（I0＋
IR ）となる。
例）の他の特徴は、互いに隣接する放射線源６８（これ
らの放射線源６８は平らな配列の放射線源７０を構成す
る）の間にリフレクタ８８が設けられていることであ
る。図６にはリフレクタ８８の断面形状が示されている
けれども、これらのリフレクタ８８は直線状をなしてお
りかつ個々の放射線源６８の長さにわたって延びている
（他の実施例に係る各放射線源にも同様なリフレクタを
設けることができる）。これらのリフレクタ８８は、平
らな配列の放射線源７０の平面内で放射線源６８から放
射された放射線を、放射線源７０の平面の両側で、選択
された角度θよりも小さい角度で基板８０ａ、８０ｂに
向けて反射できる形状を有している。選択された角度θ
よりも小さい角度で放射された放射線は基板８０ａ、８
０ｂには入射しないであろうし、仮に基板８０ａ、８０
ｂに入射することがあっても、長距離を経て到達するた
め入射箇所での強さは大幅に低下される。しかしなが
ら、、リフレクタ８８は、平らな配列の光源（放射線
源）７０から基板８０ａ、８０ｂに直接入射する放射線
２６の強さI0を低下させることはない。従って、各基板
８０ａ、８０ｂに入射する放射線の強さは（I0＋ IR ）
となり、処理に利用できる全体としての強さは２（I0＋
IR ）となる。
【００２９】図８には本発明の第４実施例が示してあ
る。この実施例では、チャック８２ａ、８２ｂ上に支持
された基板８０ａ、８０ｂを収容する反応チャンバ９０
ａ、９０ｂの外部に放射線源７０が設けられている。こ
の構成は、図３の実施例と同様なバッチ概念に利用し
て、複数の光源７０と複数のチャンバ９０とを設けるこ
とができる。また、図８には、放射線源７０の平面内に
設けられたリフレクタ９２について、種々の形状のうち
の１つが示されている。
る。この実施例では、チャック８２ａ、８２ｂ上に支持
された基板８０ａ、８０ｂを収容する反応チャンバ９０
ａ、９０ｂの外部に放射線源７０が設けられている。こ
の構成は、図３の実施例と同様なバッチ概念に利用し
て、複数の光源７０と複数のチャンバ９０とを設けるこ
とができる。また、図８には、放射線源７０の平面内に
設けられたリフレクタ９２について、種々の形状のうち
の１つが示されている。
【００３０】図６及び図８の実施例において、チャック
８２を加熱できること、チャック８２に基板８０を保持
する真空チャンバを設けること、及びガス流を供給する
手段を設けることは理解されよう。本発明の好ましい実
施例についての上記説明から、当業者には本発明による
放射線補助処理装置の多くの特徴及び利点が明らかにな
ったであろう。本発明のあらゆる変更及び均等物は、特
許請求の範囲によりカバーされるものである。
８２を加熱できること、チャック８２に基板８０を保持
する真空チャンバを設けること、及びガス流を供給する
手段を設けることは理解されよう。本発明の好ましい実
施例についての上記説明から、当業者には本発明による
放射線補助処理装置の多くの特徴及び利点が明らかにな
ったであろう。本発明のあらゆる変更及び均等物は、特
許請求の範囲によりカバーされるものである。
【図１】従来の放射線補助処理装置の一部を切り欠いた
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例による放射線補助処理装置
の一部を切り欠いた斜視図である。
の一部を切り欠いた斜視図である。
【図３】本発明の第２実施例による放射線補助処理装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明の放射線補助処理装置に使用できる平ら
な配列の放射線源の第２実施例を示す平面図である。
な配列の放射線源の第２実施例を示す平面図である。
【図５】本発明の放射線補助処理装置に使用できる平ら
な配列の放射線源の第３実施例を示す平面図である。
な配列の放射線源の第３実施例を示す平面図である。
【図６】図５の第３実施例による平らな配列の放射線源
を使用した本発明による放射線補助処理装置の第３実施
例を示す断面図である。
を使用した本発明による放射線補助処理装置の第３実施
例を示す断面図である。
【図７】本発明の放射線補助処理装置に使用できる平ら
な配列の放射線源の第４実施例を示す平面図である。
な配列の放射線源の第４実施例を示す平面図である。
【図８】本発明による放射線補助処理装置の第４実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
２０ 放射線補助処理装置 ２２ 反応チャンバ ２４ 放射線源 ２６ 放射線 ２８ａ 第１基板 ２８ｂ 第２基板 ３０ａ 第１の側 ３０ｂ 第２の側 ３２ａ 第１チャック ３２ｂ 第２チャック ３４ａ チャック支持体 ３４ｂ チャック支持体 ３６ 電源 ３８ 抵抗加熱エレメント ４２ ガス入口 ４４ 圧力ゲージ／制御装置 ５２ 反応チャンバ ５４ 両面形チャック ５６ 片面形チャック ５８ チャック支持体 ６０ ガス入口 ６４ 排出孔 ６６ 第２実施例による放射線源 ６８ 放射線源 ７０ 第３実施例による放射線源 ７２ 第４実施例による放射線源 ８０ａ 第１基板 ８０ｂ 第２基板 ８２ａ チャック ８２ｂ チャック ８４ａ 回転手段 ８４ｂ 回転手段 ８８ リフレクタ ９０ａ 反応チャンバ ９０ｂ 反応チャンバ ９２ リフレクタ
Claims (26)
- 【請求項１】 或る面積をもつ平らな第１基板及び第２
基板を処理する両側形処理装置において、 前記基板の表面が実質的に平行になるようにして前記第
１及び第２基板を支持する支持手段と、 前記第１基板と第２基板との間に、これらの両基板と実
質的に平行に配置されていて、リフレクタの補助がなく
ても約２I0の放射線強さを用いて処理できるように、第
１及び第２基板の各々を強さI0で均一に照射する放射線
を放射するための平らな放射線手段とを含み、該放射線
手段が、前記第１及び第２基板のいずれの面積よりも大
きな面積を有していることを特徴とする両側形処理装
置。 - 【請求項２】 チャンバを更に有しており、該チャンバ
内に前記平らな放射線手段及び前記支持手段が設けられ
ていることを特徴とする請求項１に記載の両側形処理装
置。 - 【請求項３】 前記支持手段が前記第１及び第２基板の
各１つを支持する第１チャック手段及び第２チャック手
段を備えており、該第１及び第２チャック手段が前記第
１及び第２基板の各１つを加熱する手段を備えているこ
とを特徴とする請求項２に記載の両側形処理装置。 - 【請求項４】 前記平らな放射線源により紫外線（Ｕ
Ｖ）が得られ、前記処理がＵＶ／オゾン洗浄であること
を特徴とする請求項３に記載の両側形処理装置。 - 【請求項５】 前記第１及び第２チャック手段が、前記
第１及び第２基板の平面内でこれらの両基板を回転させ
ることを特徴とする請求項３に記載の両側形処理装置。 - 【請求項６】 前記平らな放射線手段及び前記第１及び
第２基板が垂直に配向されていることを特徴とする請求
項２に記載の両側形処理装置。 - 【請求項７】 前記平らな放射線手段及び前記第１及び
第２基板が垂直に配向されていることを特徴とする請求
項５に記載の両側形処理装置。 - 【請求項８】 前記チャンバの頂部から底部に向かうガ
ス流を供給する手段を更に有していることを特徴とする
請求項６に記載の両側形処理装置。 - 【請求項９】 前記チャンバの頂部から底部に向かうガ
ス流を供給する手段を更に有していることを特徴とする
請求項７に記載の両側形処理装置。 - 【請求項１０】 第１反応チャンバ及び第２反応チャン
バを更に有しており、前記支持手段が、前記第１及び第
２反応チャンバの各１つの中に設けられた第１支持手段
及び第２支持手段を備えていることを特徴とする請求項
１に記載の両側形処理装置。 - 【請求項１１】 前記平らな放射線手段が前記第１及び
第２反応チャンバの外部に設けられていることを特徴と
する請求項１０に記載の両側形処理装置。 - 【請求項１２】 前記平らな放射線手段及び前記第１及
び第２基板が垂直に配向されていることを特徴とする請
求項１１に記載の両側形処理装置。 - 【請求項１３】 前記第１及び第２チャンバの頂部から
底部に向かうガス流を供給する手段を更に有しているこ
とを特徴とする請求項１２に記載の両側形処理装置。 - 【請求項１４】 或る面積をもつ平らな第１基板及び第
２基板を処理する両側形ＵＶ／オゾン処理装置におい
て、 チャンバと、 該チャンバ内に設けられていて紫外線を放射する平らな
放射線源とを有しており、該放射線源が第１の側及び第
２の側と、前記第１及び第２基板のいずれの面積よりも
大きな面積とを備えており、 前記各基板を、前記平らな放射線源から放射される強さ
I0の放射線で均一に照射し、リフレクタを使用しなくて
も約２I0の放射線強さを用いて処理できるように、前記
平らな放射線源の前記第１及び第２の側で、前記平らな
放射線源に対する固定位置において前記基板を支持する
支持手段を更に有していることを特徴とする両側形ＵＶ
／オゾン処理装置。 - 【請求項１５】 前記チャンバ内にオゾンを導入する手
段を更に有していることを特徴とする請求項１４に記載
の両側形ＵＶ／オゾン処理装置。 - 【請求項１６】 前記支持手段が前記基板を加熱するこ
とを特徴とする請求項１４に記載の両側形ＵＶ／オゾン
処理装置。 - 【請求項１７】 前記平らな放射線源が、一平面内に配
置された複数の平らな放射線源からなることを特徴とす
る請求項１４に記載の両側形ＵＶ／オゾン処理装置。 - 【請求項１８】 前記複数の放射線源が放射状に配置さ
れていることを特徴とする請求項１７に記載の両側形Ｕ
Ｖ／オゾン処理装置。 - 【請求項１９】 前記平らな放射線源が、曲がりくねっ
た形状をもつ単一の放射線源からなることを特徴とする
請求項１４に記載の両側形ＵＶ／オゾン処理装置。 - 【請求項２０】 前記平らな放射線源が、渦巻き状に配
置された単一の放射線源からなることを特徴とする請求
項１４に記載の両側形ＵＶ／オゾン処理装置。 - 【請求項２１】 或る面積をもつ基板を処理する両側形
ＵＶ／オゾン処理装置において、 紫外線を放射する平らな放射線源を有しており、該放射
線源が、第１の側及び及び第２の側と、前記基板のいず
れの面積よりも大きな面積とを備えており、 前記平らな放射線源の前記第１及び第２の側の各一方の
側に設けられた第１チャンバ及び第２チャンバと、 該第１及び第２チャンバの各１つのチャンバ内に設けら
れた第１支持手段及び第２支持手段であって、前記各基
板を、強さI0の紫外線で均一に照射できるように、前記
平らな放射線源の前記第１及び第２の側で、前記平らな
放射線源に対する固定位置において、処理すべき前記基
板を支持する支持手段とを更に有していることを特徴と
する両側形ＵＶ／オゾン処理装置。 - 【請求項２２】 各々が或る面積をもつ複数の平らな基
板の放射線補助処理を行う装置において、 複数の平らな放射線源を有しており、各放射線源が第１
の側及び及び第２の側を備えておりかつこれらの第１及
び第２の側の各側において強さI0の放射線を与え、前記
各放射線源が更に、前記基板のいずれの面積よりも大き
な面積を備えており、 前記各基板が、対応する前記平らな各放射線源に対して
実質的に平行になりかつ強さI0の放射線で均一に照射さ
れるように、かつ前記平らな各放射線源が約２I0の放射
線強さを用いて処理できるように、前記平らな各放射線
源の前記第１及び第２の側の各一方の側において少なく
とも１つの基板を支持する支持手段を更に有しているこ
とを特徴とする複数の平らな基板の放射線補助処理を行
う装置。 - 【請求項２３】 チャンバを更に有しており、該チャン
バ内に前記放射線源及び支持手段が設けられていること
を特徴とする請求項２２に記載の装置。 - 【請求項２４】 前記複数の平らな放射線源が組み込ま
れた複数のチャンバを更に有しており、前記支持手段
が、前記チャンバの各１つに設けられた複数の支持体を
備えていることを特徴とする請求項２２に記載の装置。 - 【請求項２５】 或る面積をもつ基板の放射線補助処理
を行うためのリフレクタを備えていない装置において、 チャンバと、 或る強さの放射線を放射できるように前記チャンバ内に
配置されておりかつ垂直に配向された平らな放射線手段
とを有しており、該放射線手段が、第１の側及び第２の
側と、前記基板のいずれの面積よりも大きな面積とを備
えており、 前記平らな放射線手段の前記第１及び第２の側の各一方
の側で前記チャンバ内に設けられた第１支持手段及び第
２手段であって、前記基板が前記チャンバ内で垂直でか
つ前記平らな放射線手段に対して実質的に平行に配向さ
れるように、前記各基板が強さI0の入射放射線を受けて
約２I0の放射線強さで処理されるように、かつ前記基板
が前記平らな放射線手段に対する固定位置において支持
されるようにして前記基板を支持する第１及び第２支持
手段と、 前記チャンバ内に均一で垂直方向のガス流を供給するガ
ス供給手段とを更に有していることを特徴とする基板の
放射線補助処理を行うためのリフレクタを備えていない
装置。 - 【請求項２６】 基板の放射線補助処理を行う装置にお
いて、 チャンバと、 放射線を放射できるように前記チャンバ内に配置されて
おりかつ垂直に配向された平らな放射線手段とを有して
おり、該放射線手段が第１の側及び第２の側を備えてお
り、 前記平らな放射線手段の前記第１及び第２の側の各一方
の側で前記チャンバ内に設けられた第１支持手段及び第
２手段であって、前記基板が前記チャンバ内で垂直でか
つ前記平らな放射線手段に対して実質的に平行に配向さ
れるように、前記各基板が強さI0の入射放射線を受ける
ように、かつ前記基板が前記平らな放射線手段に対する
固定位置において支持されるようにして前記基板を支持
する第１及び第２支持手段と、 前記チャンバ内に均一で垂直方向のガス流を供給するガ
ス供給手段と、 前記平らな放射線手段の平面内に設けられていて、前記
放射線手段から放射された放射線を、選択された角度よ
り小さい前記放射線手段の平面からの角度で前記基板に
向けて反射するリフレクタ手段であって、各基板が強さ
I0＋ IR （ここで、 IR は前記放射線手段により基板に
与えられる強さ）の入射放射線を受けるように、かつ約
２（I0＋ IR ）の放射線強さを用いて処理が行えるよう
にしたリフレクタ手段とを更に有していることを特徴と
する基板の放射線補助処理を行う装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20041791A JPH0547731A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 両側形放射線補助処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20041791A JPH0547731A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 両側形放射線補助処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547731A true JPH0547731A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16423972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20041791A Pending JPH0547731A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 両側形放射線補助処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06275587A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Sony Corp | 基板洗浄装置 |
| JP2018107401A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理システム |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP20041791A patent/JPH0547731A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06275587A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Sony Corp | 基板洗浄装置 |
| JP2018107401A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理システム |
| KR20180077039A (ko) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| CN108257891A (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法 |
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