TWI657225B - 乾燥裝置及乾燥處理方法（一） - Google Patents

Abstract

提供一種可效率良好並短時間地除去塗佈在基板上之有機材料膜中的溶媒，並且溶媒之蒐集所使用之構件恢復容易的乾燥裝置。

乾燥裝置係具備有：可抽真空的處理容器；作為在處理容器內支撐基板的支撐構件之載置台；設置成對向於被支撐在載置台的基板並蒐集從有機材料膜揮發的溶媒之溶媒蒐集部；以及控制部。又，溶媒蒐集部係具備有作為使被蒐集的溶媒脫離的溶媒脫離裝置之溫度調節裝置。溶媒蒐集部係具備有配置成對向於被載置在載置台的基板並與該基板之表面幾乎平行的1片或複數片的金屬製蒐集板。蒐集板上係形成有複數個貫通開口。

Description

乾燥裝置及乾燥處理方法(一)

本發明係關於例如有機EL元件之製造過程中，為了進行有機材料膜之乾燥而可使用的乾燥裝置及乾燥處理方法。

有機EL(Electro Luminescence)元件係利用流過電流而發光的有機化合物之冷光的發光元件，並為一對電極間夾有複數有機機能膜之積層體(以下，將此積層體稱為「EL層」)的構造。於此，EL層係例如具有從陽極側依[正孔輸送層/發光層/電子輸送層]、[正孔注入層/正孔輸送層/發光層/電子輸送層]，或者[正孔注入層/正孔輸送層/發光層/電子輸送層/電子輸送層]等順序加以積層的構造。

EL層的形成係藉由在每個層的基板上蒸鍍或塗佈有機材料而加以進行。在形成高精度的細微圖形的情況下，作為塗佈方法，利用噴墨印刷法被認為是有益的。

藉由噴墨印刷法而被印刷在基板上的有機材料膜中係因為含有大量的溶媒，故為了除去此溶媒會進行減壓乾燥(例如專利文獻1、專利文獻2)。被乾燥的有機材料膜係進一步在低氧氛圍中加以烘烤處理。藉由此烘烤處理，有機材料膜便會變成為構成EL層的有機機能膜(例如專利文獻3)。

有被提出一種作為除去利用噴墨印刷法而被塗佈的有機材料膜中之溶媒的乾燥裝置，係在收納有基板的腔室內具備有對向於基板而加以設置來吸附溶媒之無機多孔材質的吸附構件(例如，專利文獻4)。此專利文獻4中記載著為了補償基板上蒸氣濃度的差，係將吸附構件中央部的開口率設定成比外周部的開口率更大。又，專利文獻4中亦記載著在減壓下進行基板的乾燥處理，或將吸附構件移送至別的腔室而藉由加熱來再生。

乾燥處理時，溶媒、水分等會從基板上的有機材料膜大量揮發。因此， 若不從乾燥裝置的處理容器內迅速地除去該等揮發成分，則乾燥效率會低下。乾燥後有機材料膜的狀態已知會對EL層的特性造成影響。例如，乾燥處理時，基板面內中，有機材料膜中的溶媒濃度產生不均勻時，基板面內中的有機EL元件特性便會產生偏差。例如，若乾燥狀態在基板面內不均勻，則當作為有機EL顯示器使用時，會變成引起顯示瑕疵等不佳狀況的原因。

將乾燥裝置的腔室內進行減壓時，因為隨著壓力低下而排氣量會減少，故在高真空狀態中排氣量會變少。又，高真空狀態中，從有機材料膜中揮發的溶媒因為會在處理容器內形成分子流，因而便會產生溶媒滯留在腔室內之問題。要解決此問題，如上述專利文獻4所揭示，在腔室內吸附而蒐集氣化溶媒之方法是有效的。

然而，專利文獻4所揭示的乾燥裝置係使用多孔材質的吸附構件，進行溶媒蒐集時之蒐集效率主要因為係取決於多孔材質吸附構件的表面積，故為了蒐集效率之提升，便必須將細孔細微化。但是，細孔的細微化會有極限，因而會有所謂蒐集效率受限的問題。又，將已使用於溶媒蒐集的吸附構件加以再利用時，必須進行除去已吸附溶媒的再生處理(恢復)，但細孔變得越細微，則溶媒便越不易除去而需耗費時間恢復。又，專利文獻4的乾燥裝置因為係將吸附構件移送至再生處理專用的腔室加熱而再生，故用以再生處理的步驟或設備有複雜而缺乏實用性之問題。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本專利第3951162號公報(段落0023等)

【專利文獻2】日本專利第4168968號公報(請求項2等)

【專利文獻3】日本專利第4148933號公報(請求項1等)

【專利文獻4】日本特開2010-169308號公報(圖1等)

本發明之目的在於提供一種可效率良好並短時間地除去塗佈在基板上之有機材料膜中的溶媒，並且溶媒之蒐集所使用之構件恢復容易的乾燥裝置。

本發明乾燥裝置係除去塗佈於基板表面上的有機材料膜中的溶媒而加以乾燥的乾燥裝置。本發明之乾燥裝置係具備有可抽真空之處理容器；將該處理容器內的氣體加以排氣之排氣口；在該處理容器內支撐該基板之支撐構件；以及蒐集從該有機材料膜所揮發的溶媒之溶媒蒐集部。

本發明乾燥裝置之該溶媒蒐集部亦可對向於該支撐構件所支撐的該基板而加以設置，並有具備複數個貫通開口的一片或複數片金屬板。

本發明乾燥裝置之該溶媒蒐集部中，該複數片金屬板亦可在相互分離的狀態下平行於該支撐構件所支撐的該基板而層積地加以配置。此情形下，該複數片金屬板之中，至少2片的該金屬板之全部的該貫通開口亦可以在層積方向上不重疊之方式錯開位置地加以配置。

本發明乾燥裝置之該金屬板之該貫通開口的開口率亦可在20~40%的範圍內。

本發明乾燥裝置之該金屬板表面的算術平均粗糙度Ra亦可在0.3~13μm的範圍內。

本發明乾燥裝置之該金屬板的厚度亦可在0.2~2mm的範圍內。

本發明乾燥裝置之該金屬板面內中，該貫通開口亦可非均勻分布地加以形成。

本發明乾燥裝置之該溶媒蒐集部亦可具有使被蒐集的溶媒脫離的溶媒脫離裝置。此情況下，該溶媒脫離裝置亦可為加熱該金屬板的加熱裝置，或者亦可為針對該金屬板噴射氣體的氣體噴射裝置。

本發明乾燥裝置之該溶媒蒐集部亦可更具有促進溶媒蒐集的蒐集促進裝置。此情況下，該蒐集促進裝置亦可為冷卻該金屬板的冷卻裝置。

本發明乾燥裝置之該溶媒蒐集部與該排氣口之間亦可更具備有整流構件。

本發明乾燥裝置之該溶媒蒐集部亦可具有於內部讓熱媒體流通的流路之溶媒蒐集構件。此情況下，該流路亦可連接有加熱用熱媒體供給源，或者該流路亦可連接有冷卻用熱媒體供給源。又，該流路亦可使各獨立的熱媒體流通而區分出複數個部分。此情況下，該流路亦可具有連接有加熱用熱媒體供給源的第1流路與連接有冷卻用熱媒體供給源的第2流路。

本發明乾燥裝置亦可具有接近於該溶媒搜集部而設置的第1排氣口，及 對向於該第1排氣口而設置的第2排氣口來作為該排氣口。

本發明乾燥裝置亦可更具備有量測該處理容器內溶媒蒸氣濃度的偵測器。

本發明乾燥裝置亦可在構成該處理容器之壁內具有使熱媒體流通的流路。

本發明乾燥裝置之該支撐構件亦可具有加熱器。

本發明乾燥處理方法係上述任一的乾燥裝置之該處理容器內，針對塗佈於該基板表面的有機材料膜進行乾燥處理。

本發明乾燥處理方法之該有機材料膜亦可為有機EL元件之製造中藉由噴墨印刷法而塗佈於該基板上。

根據本發明乾燥裝置及乾燥處理方法，而可效率良好並短時間地除去塗佈在基板上之有機材料膜中的溶媒。又，溶媒之蒐集所使用之構件亦可短時間而容易地進行恢復。因此，根據本發明，例如，可使有機EL元件之製造過程的生產性向上提升。

1‧‧‧處理容器

3‧‧‧載置台

5、5A‧‧‧溶媒蒐集部

6‧‧‧控制部

7‧‧‧溫度調節裝置

8‧‧‧氣體噴射裝置

11‧‧‧底壁

13‧‧‧側壁

15‧‧‧頂部

15a‧‧‧排氣口

17‧‧‧排氣管

19‧‧‧排氣裝置

21‧‧‧支柱

23‧‧‧APC閥

25‧‧‧壓力計

31‧‧‧導流板

33‧‧‧支撐框

50‧‧‧蒐集板

50a‧‧‧貫通開口

61‧‧‧控制器

62‧‧‧使用者介面

63‧‧‧記憶部

71‧‧‧製冷元件

73‧‧‧電源部

75‧‧‧供電線

81‧‧‧氣體吐出部

81a‧‧‧噴嘴

83‧‧‧氣體供給源

85‧‧‧配管

87‧‧‧質流控制器

90‧‧‧熱交換器

91‧‧‧輔助吐出部

100、101、101A、102‧‧‧乾燥裝置

S‧‧‧基板

GV‧‧‧閘閥

AF‧‧‧氣流

圖1係顯示本發明第1實施形態之乾燥裝置之概略構成的剖面圖。

圖2係顯示圖1之溶媒蒐集部之主要部位剖面圖。

圖3係蒐集板的平面圖。

圖4係蒐集板之其他範例的平面圖。

圖5係顯示有機EL元件製造工序之概略的流程圖。

圖6係顯示本發明第2實施形態之乾燥裝置之概略構成的剖面圖。

圖7係顯示圖6之溶媒蒐集部之主要部位剖面圖。

圖8係顯示本發明第2實施形態之乾燥裝置的變形例之概略構成的剖面圖。

圖9係顯示本發明第3實施形態之乾燥裝置之概略構成的剖面圖。

圖10係顯示本發明第3實施形態之乾燥裝置中溶媒蒐集構件之流路的構成例的圖式。

圖11係顯示本發明第3實施形態之乾燥裝置中溶媒蒐集構件之流路的其他構成例的圖式。

圖12係顯示乾燥裝置中所進行的乾燥處理順序之範例的時序圖。

以下，便參照圖式並就本發明實施形態加以說明。

[第1實施形態]

圖1係顯示本發明第1實施形態相關的枚葉式乾燥裝置之概略構成的剖面圖。圖2係顯示圖1中溶媒蒐集部之主要部位剖面圖。圖3及圖4係顯示蒐集板之較佳範例的平面圖。本實施形態之乾燥裝置100係用於針對作為被處理體，例如有機EL顯示器用玻璃基板(以下，簡單地稱作「基板」)S而除去塗佈於其表面上的有機材料膜中的溶媒並加以乾燥的乾燥處理。

本實施形態之乾燥裝置100係具備有可抽真空之處理容器1、作為在處理容器1內支撐基板S之支撐構件的載置台3、設置成對向於載置台3所支撐的基板S並蒐集從有機材料膜所揮發的溶媒之溶媒蒐集部5，以及控制部6。又，溶媒蒐集部5係具備有作為使被蒐集的溶媒脫離的溶媒脫離裝置之溫度調節裝置7。

<處理容器>

處理容器1係可抽真空的耐壓容器。處理容器1係藉由金屬材料而加以形成。作為形成處理容器1之材料係使用例如鋁、鋁合金、不鏽鋼等。處理容器1係具備有底壁11、方筒狀的4個側壁13及頂部15。

側壁部13係設置有用以於裝置內將基板S搬入、搬出的搬出入口13a。搬出入口13a係用在與處理容器1外部之間進行基板S之搬入搬出者。搬出入口13a係設置有閘閥GV。閘閥GV係具有開閉搬出入口13a的功能，在閉狀態中將處理容器1氣密地密封著，並在開狀態中可以在處理容器1與外部之間移送基板S。

頂部15係設置有排氣口15a。排氣口15a係透過排氣管17而連接至外部排氣裝置19。可以藉由使此排氣裝置19運作來將處理容器1內減壓排氣至既定的真空度，例如0.1Pa程度的壓力之方式加以構成。

<載置台>

處理容器1內部配備有作為支撐裝置的載置台3。載置台3係利用支柱21來支撐。支柱21係固定於底壁11。雖然省略圖示，但是載置台3係具有 用以使基板S昇降而改變位置的機構，例如抬昇銷等，可在收授基板S的收授位置與載置於載置台3上而進行乾燥處理的處理位置之間調整基板S的高度位置。

<壓力控制機構>

本實施形態之乾燥裝置100係更具備有排氣裝置19。另外，排氣裝置19亦可為乾燥裝置100之構成的一部分，亦可為與乾燥裝置100不同的外部裝置。排氣裝置19係具有例如渦輪分子幫浦或乾式幫浦等之真空幫浦。乾燥裝置100係更具備有與排氣口15a及排氣裝置19連接的排氣管17、設置於排氣管17中間的APC(Adaptive Pressure Control)閥23，以及未圖示的開閉閥。可藉由使排氣裝置19之真空幫浦運作，並調節APC閥23的開啟程度來將處理容器1內部空間減壓排氣至既定的真空度。

又，本實施形態之乾燥裝置100係更具備有用以監視處理容器1內之壓力的壓力計25。壓力計25係將處理容器1內之量測壓力以電訊號傳送至APC閥23。

本實施形態中，係藉由排氣裝置19、排氣管17、APC閥23及壓力計25來構成為將處理容器1內減壓排氣並調節至既定壓力之壓力控制機構。

<導流板>

本實施形態之乾燥裝置100更具備有作為整流構件的導流板31。導流板31係由例如鋁、不鏽鋼等材質所形成。導流板31係介設配備於溶媒蒐集部5、排氣口15a之間。導流板31係具有複數個貫通孔31a。本實施形態中，導流板31係以懸掛於支撐框33之狀態加以固定。支撐框33係成為四角形的框狀而固定於處理容器1的頂部15。另外，導流板31與支撐框33亦可一體成形。又，亦可不設置有支撐框33而將導流板31直接固定於處理容器1的側壁13或頂部15。導流板31係具有將從載置台3所載置的基板S側透過溶媒蒐集部5而朝向排氣口15a的排氣流加以平均化的功能。因此，可藉由在溶媒蒐集部5與排氣口15a之間配置導流板31來整流通過溶媒蒐集部5之含有溶媒的排氣流，使溶媒蒐集部5中溶媒的捕捉效率向上提升。

<溶媒蒐集部>

溶媒蒐集部5係蒐集從基板S上所形成的有機材料膜中揮發的溶媒。亦即，溶媒蒐集部5係藉由使從有機材料膜中氣化的氣體狀溶媒結露而加以 捕集，並使處理容器1內氛圍中的溶媒濃度降低。

圖2係顯示溶媒蒐集部5之詳細構成的剖面圖。溶媒蒐集部5係具備有作為配置為對向於載置台3所載置的基板S之1片或複數片金屬板之蒐集板50。蒐集板50係為矩形的板狀並形成有複數個貫通開口50a。又，蒐集板50係幾乎平行於基板S而加以設置。亦即，蒐集板50的上下表面與基板S的表面係幾乎平行地加以配置。

蒐集板50係以懸掛於固定在頂部15的支撐框33的狀態而裝卸自如地加以支撐。另外，蒐集板50亦可直接固定於處理容器1的側壁13或頂部15。

蒐集板50雖然亦可為1片，但為了提高溶媒的蒐集效率，較佳是使用在例如2~20片的範圍內。可藉由增減蒐集板50之設置片數而使溶媒蒐集部5中蒐集板50的合計表面積改變，來調節與溶媒蒸氣的接觸面積。

蒐集板50較佳係藉由熱傳導性優良的材質，例如鋁、不鏽鋼等所構成。1片蒐集板50的厚度係因為溶媒蒐集部5全體表面積越大而溶媒的蒐集效率會越高，故可為例如0.2~2mm的範圍內。又，層積複數個蒐集板50的情形中為了提高溶媒的蒐集效率，間隔係可為例如1~20mm的範圍內。

本實施形態中，如圖3所示，係將大小相同的複數個圓形貫通開口50a在蒐集板50面內中以一定的間隔加以平均排列。蒐集板50的貫通開口50a係例如平面觀之為圓形的孔。另外，貫通開口50a的形狀不限於圓形，亦可例如為橢圓形，或長方形等多角形。貫通開口50a的大小或形狀亦可全部相同，亦可在蒐集板50面內中加以變化。又，蒐集板50面內中，貫通開口50a係可任意排列而加以形成。

又，亦可在蒐集板50面內中不均勻分布地形成複數個貫通開口50a。例如，如圖4所示，可在對向於基板S面內溶媒揮發量較多的中央附近區域之蒐集板50中央區域中，以開口率變大的方式來排列貫通開口50a，可在對向於基板S面內溶媒揮發量較少的邊緣附近區域之蒐集板50邊緣區域中，以開口率變小的方式來排列貫通開口50a等，對應於從基板S溶媒揮發量的差，來設定蒐集板50面內貫通開口50a分布。又，亦可與上述相反，以使蒐集板50中央區域的開口率變小，而邊緣部區域的開口率變大之方式來加以設定。進一步地，亦可使各被層積的蒐集板50之貫通開口50a的大 小或形狀、該等之分布等加以變化。作為貫通開口50a較佳的形狀與配置較佳係例如將圓形貫通開口50a排列成交錯狀。

蒐集板50面內中貫通開口50a的開口率係根據蒐集板50的設置片數而有所不同，較佳是例如在20~80%的範圍內。於此，開口率係表示貫通開口50a合計的開口面積佔假設貫通開口50a不存在的情況下之蒐集板50單面面積的意思。藉由將蒐集板50面內中貫通開口50a設定在上述範圍內，便可調節與溶媒蒸氣的接觸面積，並調節從基板S側至排氣口15a之揮發蒸氣的排氣氣導。

蒐集板50表面從促進處理容器1內已氣化溶媒的結露而容易附著於蒐集板50表面上之觀點，較佳是例如算術平均粗糙度Ra在0.3~13μm的範圍內。蒐集板50表面的算術平均粗糙度Ra不足0.3μm時，會變得難以除去已結露的溶媒，而超過13μm時，蒐集板50表面上會不易產生溶媒的結露，而使得蒐集效率會降低。

本實施形態中，如圖2所示，係使複數片蒐集板50在相互分離的狀態下與基板S平行地層積而加以配置。又，在複數片蒐集板50中，較佳是至少2片的蒐集板50之全部的貫通開口50a會以在層積方向不重疊之方式錯開位置地加以配置，而更佳是至少於層積方向上相鄰的2片蒐集板50之全部的貫通開口50a會以在層積方向不重疊之方式錯開位置地加以配置。另外，被層積的複數片蒐集板50之貫通開口50a的一部分亦可為在層積方向上會重合之配置。

如此一來，本實施形態中係藉由複數片蒐集板50來形成迷宮構造。從基板S所揮發的溶媒蒸氣氣流AF係因為被蒐集板50的迷宮構造遮擋行進方向，故便需要蜿蜒地通過溶媒蒐集部5。如此一來，便可藉由在相鄰的蒐集板50間錯開貫通開口50a的位置，來增加通過溶媒蒐集部5的溶媒蒸氣與蒐集板50表面接觸的機會，並向上提升蒐集效率。又，可藉由增減具有複數個貫通開口50a的蒐集板50的片數，來輕易地調節從基板S側至排氣口15a之排氣氣導。

<控制部>

如圖1所示，乾燥裝置100的各構成部係構成為連接至控制部6來被加以控制。控制部6係配備有具備CPU的控制器61、使用者介面62及記憶 部63。控制器61係具有電腦功能，會在乾燥裝置100中統合地控制各構成部。使用者介面62係由工序管理者為了管理乾燥裝置100而進行指令之輸入操作等的鍵盤或視覺化顯示乾燥裝置100運作狀況的顯示器等所構成。記憶部63係儲存有用以藉由控制器61之控制來實現於乾燥裝置100所實施的各種處理的程式(軟體)或記錄有處理條件資料等的配方。使用者介面62及記憶部63係連接至控制器61。

然後，因應需要，藉由來自使用者介面62的指示等從記憶部63呼叫出任意的配方而在控制器61實施，來在控制器61的控制下進行在乾燥裝置100的所欲處理。該控制程式或處理條件資料等配方係可利用儲存於電腦可讀取記憶媒體，例如CD-ROM、硬碟、軟碟、快閃記憶體等之狀態者。或者，亦可從其他裝置，例如透過專線隨時傳送而在線上加以利用。

<溶媒脫離裝置>

本實施形態之乾燥裝置100中，溶媒蒐集部5係具備有作為用以使各蒐集板50所蒐集的溶媒再度氣化而從蒐集板50脫離的溶媒脫離裝置，而利用電熱轉換元件來進行蒐集板50之溫度調節的溫度調節裝置7。

溫度調節裝置7係具備有複數個製冷元件71、供給直流電流至各製冷元件71的電源部73，以及與電源部73及各製冷元件71電性連接而供電至各製冷元件71的複數個供電線75(圖1中僅圖示2條)。各製冷元件71係可構成為控制溫度在例如-20~80℃範圍內。圖1中，係圖示製冷元件71以外的溫度調節裝置7，而圖2中，係僅圖示溫度調節裝置7構成中的製冷元件71。又，圖3及圖4中，係以假想線例示製冷元件71之安裝位置。

如圖2~圖4所示，製冷元件71係固定在各蒐集板50的複數位置上。各製冷元件71係以能在蒐集板之間熱交換之方式，因而與蒐集板50面接觸。溫度調節裝置7係可藉由從電源部73供電給製冷元件71，使得製冷元件71下面側發熱，並藉由熱傳導來加熱蒐集板50。藉由加熱蒐集板50，可使各蒐集板50所蒐集的溶媒再度氣化，而迅速地從蒐集板50脫離。因此，可藉由溫度調節裝置7來縮短溶媒蒐集部5的恢復時間。

另外，作為溶媒脫離裝置，可取代使用製冷元件71之溫度調節裝置7，而使用例如電阻加熱型加熱器、熱幫浦等加熱裝置。

<蒐集促進裝置>

本實施形態之乾燥裝置100中，溶媒蒐集部5係為了提升各蒐集板50中溶媒的蒐集效率而具備有促進溶媒附著至蒐集板50的蒐集促進裝置。於此，作為蒐集促進裝置，可利用溫度調節裝置7。如上述，溫度調節裝置7係具有為電熱轉換元件的製冷元件71。藉由將從電源部73供電給各製冷元件71之電流極性顛倒，可使得製冷元件71下面側吸熱，來冷卻面接觸的蒐集板50。藉由冷卻蒐集板50，可使得處理容器1內的氛圍中之溶媒變得容易在蒐集板50表面結露，因而向上提升溶媒蒐集部5中溶媒的蒐集效率。

另外，不同於作為溶媒脫離裝置的加熱用製冷元件71，亦可設置冷卻專用的製冷元件來作為蒐集促進裝置，進一步地，亦可取代製冷元件而配備例如冷卻器、熱幫浦等冷卻裝置。

[乾燥處理之順序]

接著，就使用如以上般所構成的乾燥裝置100之乾燥處理順序加以說明。首先，作為前階段，係以外部噴墨印刷裝置(省略圖示)依既定圖樣印刷有機材料膜在基板S上。然後，開啟閘閥GV，藉由外部搬送裝置(省略圖示)將被印刷有有機材料膜的基板S收授至乾燥裝置100的載置台3。

接著，關閉乾燥裝置100的閘閥GV，並使排氣裝置19運作來將處理容器1內減壓排氣。然後，藉由壓力計25來監控處理容器1內的壓力，並控制APC閥23的開合度來減壓至既定的真空度。如此一來，便可實施除去基板S上所形成的有機材料膜中含有的溶媒之乾燥處理。在此乾燥處理之前或乾燥處理之間，可例如藉由利用作為蒐集促進裝置的溫度調節裝置7來冷卻溶媒蒐集部5的蒐集板50，而效率良好地蒐集處理容器1內氛圍中的溶媒。

接著，停止排氣裝置19，將處理容器1內升壓至既定壓力後，開啟處理裝置100的閘閥GV，藉由外部搬送裝置(省略圖示)從處理容器1搬出基板S。藉由以上順序，便結束針對1片基板S的乾燥處理。

乾燥處理結束後，在使排氣裝置19運作的狀態下，藉由作為溶媒脫離裝置的溫度調節裝置7來加熱溶媒蒐集部5的蒐集板50而進行恢復處理。藉由此恢復處理，可使得附著於蒐集板50的溶媒氣化而迅速地從處理容器1內排氣。

[有機EL元件之製造過程的適用例]

有機EL元件之製造係於陽極與陰極之間形成複數個有機功能膜來作為EL層。本實施形態之乾燥裝置100無論何種層積構造的有機EL元件之製造皆可適用。於此，作為EL層，係例舉為製造從陽極側朝向陰極側具有正孔注入層/正孔輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層的有機EL元件的情形，來說明根據乾燥裝置100之具體的處理。

圖5中顯示有機EL元件之製造工序的概略。本範例中，有機EL元件係藉由STEP1~STEP8工序所製造。STEP1中，係在基板S上藉由例如蒸鍍法等依既定圖樣來形成陽極(畫素電極)。接著，STEP2中，係在陽極之間藉由絕緣物來形成分隔壁(堤防)。作為用以形成分隔壁的絕緣材料係可使用例如感光性聚醯亞胺樹脂等高分子材料。

接著，STEP3中，係在STEP1所形成的陽極上形成正孔注入層。首先，藉由噴墨印刷法在由各分隔壁所區劃出的陽極上印刷成為正孔注入層材料的有機材料。接著，使用乾燥裝置100對此般被印刷的有機材料膜進行用以除去溶媒的減壓乾燥處理。接著，移送乾燥處理後的基板S至烘烤裝置，並藉由在大氣中進行烘烤處理來形成正孔注入層。

接著，STEP4中，係在STEP3所形成的正孔注入層上形成正孔輸送層。首先，藉由噴墨印刷法在正孔注入層上印刷成為正孔輸送層材料的有機材料。使用乾燥裝置100對此般被印刷的有機材料膜進行用以除去溶媒的減壓乾燥處理。接著，移送乾燥處理後的基板S至烘烤裝置，並藉由在大氣中進行烘烤處理來形成正孔輸送層。

接著，STEP5中，係在STEP4所形成的正孔輸送層上形成發光層。首先，藉由噴墨印刷法在正孔輸送層上印刷成為發光層材料的有機材料。使用乾燥裝置100對此般被印刷的有機材料膜進行用以除去溶媒的減壓乾燥處理。接著，移送乾燥處理後的基板S至烘烤裝置，並藉由在大氣中進行烘烤處理來形成發光層。另外，在發光層由複數層構成的情形中，會反覆操作上述處理。

接著，在發光層上，係藉由例如蒸鍍法來依序形成電子輸送層(STEP6)、電子注入層(STEP7)以及陰極(STEP8)，便可得到有機EL元件。

在此般有機EL元件之製造過程中，乾燥裝置100可較佳適用於STEP3(正孔注入層形成)、STEP4(正孔輸送層形成)以及STEP5(發光層形成)。亦即， 藉由噴墨印刷法，在為各層前階段的印刷有機材料膜後，便可使用乾燥裝置100來對有機材料膜進行減壓乾燥處理。在此情形下，乾燥裝置100因為具備溶媒蒐集部5，而可將處理容器1內的溶媒液化並蒐集，故即使在高真空狀態中亦可在短時間得到優異的溶媒蒐集效率。又，乾燥裝置100可藉由利用溫度調節裝置7來作為蒐集促進裝置，而使溶媒蒐集效率更向上提升，便可更縮短乾燥處理時間。

又，乾燥裝置100因為具備作為溶媒脫離裝置的溫度調節裝置7，故可藉由加熱溶媒蒐集部5的蒐集板50來短時間地進行已附著溶媒之去除(恢復處理)。

如上述，藉由使用乾燥裝置100，可在有機EL元件之製造過程中以高產率並效率良好地進行用以形成EL層所必需的乾燥工序。

[第2實施形態]

接下來，邊參照圖6~圖8，邊就本發明第2實施形態之乾燥裝置加以說明。圖6係顯示第2實施形態相關的乾燥裝置101之概略構成的剖面圖。圖7係顯示圖6中溶媒蒐集部的主要部位剖面圖。與第1實施形態之乾燥裝置100的主要不同點在於本實施形態之乾燥裝置101係於溶媒蒐集部具備有氣體噴射裝置8。以下，會以與第1實施形態之乾燥裝置100的不同點為中心加以說明，而本實施形態之乾燥裝置101中與第1實施形態相同的構成便會附予相同的符號而省略說明。

本實施形態之乾燥裝置101係具備有可抽真空之處理容器1、作為在處理容器1內支撐基板S之支撐構件的載置台3，以及設置成對向於載置台3所支撐的基板S並蒐集從有機材料膜所揮發的溶媒之溶媒蒐集部5 A。又，溶媒蒐集部5 A係具備有作為使被蒐集的溶媒脫離的溶媒脫離裝置的氣體噴射裝置8。

本實施形態之乾燥裝置101中，處理容器1、載置台3、壓力控制機構、導流板31及控制部6之構成係與第1實施形態之乾燥裝置100相同。

<溶媒蒐集部>

溶媒蒐集部5A係蒐集從基板S上所形成的有機材料膜中揮發的溶媒。亦即，溶媒蒐集部5 A係藉由使從有機材料膜中氣化的氣體狀溶媒結露而加以捕集，使得處理容器1內氛圍中的溶媒濃度降低。溶媒蒐集部5A係具備 有配置為對向於載置台3所載置的基板S並幾乎與基板S平行的1片或複數片金屬製的蒐集板50。蒐集板50之構成係與第1實施形態相同。

<溶媒脫離裝置>

如圖7所示，本實施形態之乾燥裝置101中，溶媒蒐集部5A係具備有作為用以使各蒐集板50所蒐集的溶媒再度氣化而從蒐集板50脫離的溶媒脫離裝置之氣體噴射裝置8。

氣體噴射裝置8係具備有複數個氣體吐出部81(僅圖示2個)、供給氣體至各氣體吐出部81的氣體供給源83，以及連接氣體供給部83與各氣體吐出部81並供給氣體至各氣體吐出部81的配管85。氣體吐出部81設置有複數個噴嘴81a。又，氣體噴射裝置8係在配管85中間具備有控制氣體流量的質流控制器(MFC)87，及一個或複數個開閉閥89(僅圖示一個)。從氣體吐出部81噴射出的氣體流量或噴射速度等係藉由質流控制器87與開閉閥89來加以控制。

複數個氣體吐出部81係設置在可朝向各蒐集板50噴射氣體的位置上。例如，氣體吐出部81係以包圍為矩形的蒐集板50之方式而設置於側邊4個位置上。

作為從氣體供給源83供給的氣體，較佳是使用例如氮氣、氦氣等非活性氣體或乾空氣等。藉由從氣體吐出部81之噴嘴81a朝向蒐集板50噴射氣體，可使得各蒐集板50所蒐集的溶媒再度氣化，而從蒐集板50迅速地脫離。因此，可藉由氣體噴射裝置8來縮短溶媒蒐集部5A的恢復時間。又，藉由使用氣體噴射裝置8來導入氣體至處理容器1內，而會在處理容器1內產生氣流，因而可促進滯留在處理容器1內的溶媒之排氣。

<變形例>

接下來，邊參照圖8，邊就本發明第2實施形態之乾燥裝置101的變形例加以說明。本變形例之乾燥裝置101A係在氣體噴射裝置8A之配管85中間具備有熱交換器90。藉由熱交換器90可在例如0~50℃的範圍內調節從氣體供給源83所供給的氣體之溫度。

本變形例之乾燥裝置101A中，可例如藉由熱交換器90讓從氣體吐出部81噴射出的氣體溫度較室溫(25℃)更高。藉由從氣體吐出部81之噴嘴81a噴射出被加熱的氣體，可加熱蒐集板50，使得從蒐集板50之溶媒脫離效率 可向上提升。亦即，藉由氣體之噴射而得到促進氣化的效果，亦藉由蒐集板50之加熱而得到促進氣化的效果。在此情形，可使氣體噴射裝置8A有作為加熱蒐集板50之加熱裝置的功能。

又，本變形例之乾燥裝置101A中，除了氣體噴射裝置8A之氣體吐出部81外，並具備有複數個輔助吐出部91。輔助吐出部91係具有未圖示的複數個噴嘴。複數個輔助吐出部91係藉由各配管85來與氣體供給源83連接，並在各配管85中間具備有控制氣體流量的質流控制器(MFC)87，及一個或複數個開閉閥89。輔助吐出部91係以可朝向處理容器1內溶媒容易結露的部位，例如處理容器1的8個角落、頂部15、側壁13、底壁11內側、閘閥GV內側、波紋管(省略圖示)等局部地噴射氣體之方式加以構成。藉由輔助吐出部91，可迅速地氣化附著於溶媒蒐集部5A以外部位之溶媒，並促進朝處理容器1外排出。因此，可短時間地將處理容器1內之溶媒量降低，而使得基板S之乾燥處理的產率向上提升。

又，本變形例之乾燥裝置101A中，藉由熱交換器90可將從氣體供給源83所供給的氣體調節到較室溫(25℃)更低的溫度。藉此，本變形例中便可利用氣體供給裝置8 A來作為蒐集促進裝置。此情況下，可使氣體噴射裝置8A有作為冷卻蒐集板50之冷卻裝置的功能。亦即，為了提升溶媒蒐集部5A之各蒐集板50中溶媒的蒐集效率，可從氣體吐出部81噴射出冷卻氣體至蒐集板50來冷卻蒐集板50。例如，在乾燥處理前，藉由從氣體吐出部81之噴嘴81a噴射出冷卻氣體來預先冷卻蒐集板50，則在乾燥處理時，處理容器1內氛圍中的溶媒便會容易在蒐集板50表面結露。因此，可使溶媒蒐集部5A中溶媒的蒐集效率向上提升。

[乾燥處理順序]

接下來，就使用如以上般構成之乾燥裝置101、101A的乾燥處理順序加以說明。首先，作為前階段，係以外部的噴墨印刷裝置(省略圖示)依既定的圖樣印刷有機材料膜在基板S上。接著，開啟閘閥GV，藉由外部搬送裝置(省略圖示)將被印刷有有機材料膜的基板S收授至乾燥裝置100、101A的載置台3。

使用變形例之乾燥裝置101A的情況下，較佳是在將基板S搬入至處理容器1內之前，將來自作為蒐集促進裝置之氣體噴射裝置8A之吐出部81 的冷卻氣體噴射至溶媒蒐集部5A，來預先冷卻溶媒蒐集部5A。藉由預先冷卻溶媒蒐集部5A，則在接下來的減壓乾燥處理時，便可效率良好地蒐集處理容器1內氛圍中的溶媒。

接著，關閉乾燥裝置100、101A的閘閥GV，並使排氣裝置19運作來將處理容器1內減壓排氣。然後，藉由壓力計25來監控處理容器1內的壓力，並控制APC閥23的開合度來減壓至既定的真空度。如此一來，便可實施除去基板S上所形成的有機材料膜中含有的溶媒之乾燥處理。又，使用變形例之乾燥裝置101A的情況下，可在乾燥處理期間持續將來自氣體噴射裝置8A之吐出部81的冷卻氣體噴射至溶媒蒐集部5A。

接著，停止排氣裝置19，將處理容器1內升壓至既定壓力後，開啟處理裝置100、101A的閘閥GV，藉由外部搬送裝置(省略圖示)從處理容器1搬出基板S。藉由以上順序，便結束針對1片基板S的乾燥處理。

乾燥處理結束後，在使排氣裝置19運作的狀態下，藉由將來自作為溶媒脫離裝置之氣體噴射裝置8、8A之氣體吐出部81的氣體噴射至蒐集板50來進行恢復處理。藉由此恢復處理，可使得附著於蒐集板50的溶媒氣化而迅速地從處理容器1內排氣。於此，使用變形例之乾燥裝置101A的情況下，由於藉由將來自氣體吐出部81之噴射氣體利用熱交換器90來加熱，而可使蒐集板50之溫度上升，故更效率良好地進行溶媒之脫離。

本實施形態中其他的構成及效果係與第1實施形態相同。又，乾燥處理裝置100、101A係與第1實施形態相同地亦可適用於有機EL元件之製造過程。

[第3實施形態]

接下來，邊參照圖9~圖11，邊就本發明第3實施形態之乾燥裝置加以說明。圖9係顯示第3實施形態相關的乾燥裝置102之概略構成的剖面圖。圖10及圖11係顯示本實施形態之乾燥裝置102中溶媒蒐集部之構成例的圖式。以下，會以與第1實施形態之乾燥裝置100的不同點為中心加以說明，而本實施形態之乾燥裝置102中與第1實施形態相同的構成便會附予相同的符號而省略說明。

本實施形態之乾燥裝置102係具備有可抽真空之處理容器1、作為在處理容器1內支撐基板S之支撐構件的載置台3，以及設置成對向於載置台3 所支撐的基板S並蒐集從有機材料膜所揮發的溶媒之溶媒蒐集部5B。

<溶媒蒐集部>

本實施形態之乾燥裝置102中溶媒蒐集部5B係蒐集從基板S上所形成的有機材料膜中揮發的溶媒。溶媒蒐集部5B係藉由使從有機材料膜中氣化的氣體狀溶媒結露而加以捕集，使得處理容器1內氛圍中的溶媒濃度降低。本實施形態中，溶媒蒐集部5B係具有溶媒蒐集構件110。溶媒蒐集構件110整體上係成為的厚板狀，並配置成對向於載置台3所載置的基板S而幾乎與基板S表面平行。溶媒蒐集構件110係具有於內部使熱媒體流通的流路111。本實施形態中，溶媒蒐集部5B係更具有支撐溶媒蒐集構件110的支撐部112。溶媒蒐集構件110係藉由支撐部112而支撐在處理容器1之頂部15。

溶媒蒐集構件110之材質係較佳為例如以熱傳導率較大的鋁、不鏽鋼等金屬為首的熱傳導性材料(例如在25℃之熱傳導率為10W/mK以上的材料)。溶媒蒐集構件110亦可為在中空狀淺箱內內建有作為流路111的配管之構造。又，溶媒蒐集構件110亦可構成為層積複數片金屬板，並構成為藉由在該金屬板設置溝或開口來形成流路111。

流路111係連接至冷卻單元113。冷卻單元113係具有例如加熱用熱媒體供給源(HOT)115，以及冷卻用熱媒體供給源(COOL)117。冷卻單元113係透過複數個配管連接至溶媒蒐集構件110之流路111。圖9中，係代表性地圖示有導入熱媒體至流路111之導入用配管119A，以及使來自流路111之熱媒體循環的循環用配管119B之2支配管。雖然省略圖示，然該等配管中間係設置有複數個開閉閥。冷卻單元113係以透過導入用配管119A從加熱用熱媒體供給源(HOT)115或冷卻用熱媒體供給源(COOL)117供給被加熱或冷卻的熱媒體至溶媒蒐集構件110之流路111，並透過循環用配管119B再次將熱媒體循環至冷卻單元113之方式來加以構成。作為熱媒體係可使用例如卡爾登(註冊商標)等氟系熱媒體或水等。

圖10係顯示溶媒蒐集構件110所形成的流路111之構成例的平面圖。本構成例中，係於溶媒蒐集構件110內部形成有1條蜿蜒的流路111。流路111之兩端係設置有連接至導入用配管119A的導入部121及連接至循環用配管119B的排出部123。本構成例中，藉由在加熱用熱媒體供給源(HOT)115 與冷卻用熱媒體供給源(COOL)117之間切換從冷卻單元113至導入部121之熱媒體供給，而可迅速地加熱或冷卻溶媒蒐集構件110。

溶媒蒐集構件110中，流路111係不限1條，亦可區分成複數部分。圖11係顯示溶媒蒐集構件110所形成的流路111之其他構成例。本構成例中，係內外雙重地配設有漩渦狀成形的2條流路111A、111B。內側流路111A係溶媒蒐集構件110之中央部分，且係形成在對向於載置台3所載置之基板S的中央部區域。內側流路111A之兩端係設置有連接至熱媒體導入用配管的導入部121A，以及連接至熱媒體循環用配管的排出部123A。外側流路111B係溶媒蒐集構件110之邊緣部分，且係形成在對向於載置台3所載置之基板S的邊緣部區域。外側流路111B之兩端係設置有連接至熱媒體導入用配管的導入部121B，以及連接至熱媒體循環用配管的排出部123B。可藉由透過導入部121A從冷卻單元113之加熱用熱媒體供給源(HOT)115或冷卻用熱媒體供給源(COOL)117供給已加熱或冷卻的熱媒體至流路111A，來控制溶媒蒐集構件110中央部分之溫度。又，可藉由透過導入部121B從冷卻單元113之加熱用熱媒體供給源(HOT)115或冷卻用熱媒體供給源(COOL)117供給已加熱或冷卻的熱媒體至流路111B，來控制溶媒蒐集構件110邊緣部分之溫度。如此般，圖11所示構成例中，藉由從冷卻單元113供給獨立而被調節溫度的熱媒體至被內外雙重地形成的流路111A、111B，而可獨立地控制溶媒蒐集構件110之中央部分與邊緣部分的溫度。

另外，流路111係亦可區分成3個以上。又，溶媒蒐集構件110中流路111的形狀或配置係不限於圖10及圖11所例示的態樣。

如圖9所示，本實施形態之乾燥裝置102係於處理容器1中具有作為接近溶媒蒐集部5B所設置的第1排氣口之排氣口15a，以及作為對向於此排氣口15a所設置的第2排氣口之複數個排氣口11a。排氣口15a係形成在處理容器1頂部15。排氣口15a係透過排氣管17連接至外部排氣裝置19。排氣管17中間係設置有APC閥23及未圖示的開閉閥。排氣口15a係因為設置成接近溶媒蒐集部5B，故可藉由使排氣裝置19運作，而使得溶媒蒐集部5B所蒐集的溶媒會迅速地朝處理容器1外排氣。

複數個排氣口11a係形成在處理容器1底壁11。乾燥裝置102係更具備有將各排氣口11a及排氣裝置19連接的排氣管131、在各排氣管131中間所 設置的APC閥133，以及未圖示的開閉閥。乾燥裝置102中，複數個排氣口11a係透過排氣管131連接至外部排氣裝置19。然後，乾燥裝置102係以使此排氣裝置19運作，並藉由調節APC閥23、133的開合度來將處理容器1內減壓排氣至既定的真空度，例如0.1Pa程度的壓力之方式來加以構成。

另外，排氣管17與排氣管131亦可分別連接至各自的排氣裝置。

本實施形態之乾燥裝置102係在構成處理裝置1之底壁11、側壁13及頂部15的內壁分別形成有使熱媒體流通的流路11b、13b、15b。各流路11b、13b、15b係分別透過複數個配管連接至冷卻單元113。底壁11之流路11b係連接有導入來自冷卻單元113之熱媒體的導入用配管135A，以及使流路11b內之熱媒體循環至冷卻單元113的循環用配管135B。側壁13之流路13b係連接有導入來自冷卻單元113之熱媒體的導入用配管137A，以及使流路13b內之熱媒體循環至冷卻單元113的循環用配管137B。頂部15之流路15b係連接有導入來自冷卻單元113之熱媒體的導入用配管139A，以及使流路15b內之熱媒體循環至冷卻單元113的循環用配管139B。

如此般，本實施形態之乾燥裝置102中，係以從冷卻單元113供給已獨立加熱或冷卻的熱媒體至各流路11b、13b、15b之方式來加以構成，並係可獨立地調節處理容器1之底壁11、側壁13及頂部15之溫度。藉此，可有效率地進行基板S的有機材料膜之乾燥處理，以及從含有溶媒蒐集部5B之處理容器1內除去溶媒(恢復處理)。例如，在進行基板S的有機材料膜之乾燥處理前或乾燥處理期間，藉由供給已冷卻的熱媒體至流路11b、13b、15b內，可冷卻底壁11、側壁13及頂部15，並促進溶媒附著至該等壁面。其結果，可降低處理容器1內氛圍中的溶媒濃度，並促進溶媒從基板S的有機材料膜揮發。又，乾燥處理後，在進行恢復處理時，藉由供給已加熱的熱媒體至流路11b、13b、15b內，可加熱底壁11、側壁13及頂部15，並促進已附著至該等壁面之溶媒脫離。其結果，可提高從含有溶媒蒐集部5B之處理容器1內溶媒的排氣效率，並縮短恢復處理的時間。

另外，亦可取代供給熱媒體至流路11b、13b、15b，例如可以從外側包覆處理容器1之方式而將夾套式熱交換器配備於處理容器1外部。

又，本實施形態之乾燥裝置102係具備有量測處理容器1內之溫度及溶媒蒸氣之濃度的感應器部141。感應器部141係具有量測處理容器1內氛圍 之溫度的溫度感應器，以及量測處理容器1內氛圍之溶媒濃度的濃度感應器。濃度感應器只要係能量測氣相中的溶媒濃度者便可，例如可利用靜電電容式、電阻式等感應器。藉由感應器部141，可監控處理容器1內之溫度及溶媒濃度。例如，在乾燥處理期間，藉由利用感應器部141來量測處理容器1內之溫度及溶媒蒸氣之濃度，便可間接掌握基板S表面之有機材料膜的乾燥程度或溶媒蒐集部5B中溶媒蒐集狀態等。又，乾燥處理後，藉由利用感應器部141來量測處理容器1內之溫度及溶媒蒸氣之濃度，便可間接掌握恢復處理後溶媒蒐集部5B中溶媒的殘留量或處理容器1內溶媒的殘留量。又，藉由感應器部141來監控處理容器1內之溫度及溶媒濃度對於在乾燥處理前後將處理容器1內維持在相同狀態之目的是有效果的。因此，在控制部6的控制下，藉由利用感應器部141來量測處理容器1內之溫度及溶媒蒸氣之濃度，並在乾燥裝置102之處理容器1內將複數個基板S依序替換而進行乾燥處理的情形中，便可實現複數個基板S間的處理之均勻化。

又，本實施形態之乾燥裝置102係在作為支撐構件的載置台上具有加熱器143。加熱器143係例如電阻加熱型加熱器，可藉由從處理容器1外部的電源部145供電，來將載置台3及其上所載置的基板S加熱到既定溫度。在乾燥處理期間，藉由利用加熱器143來加熱基板S，便可使基板S表面所塗佈的有機材料膜中的溶媒效率良好地蒸散，而縮短乾燥處理的時間。

本實施形態之乾燥裝置102中，控制部6之構成係與第1實施形態之乾燥裝置100相同。

[乾燥處理順序]

接下來，邊參照圖12，邊就使用乾燥裝置102的乾燥處理順序加以說明。圖12係顯示乾燥處理裝置102中針對複數個基板S所進行的乾燥處理順序的一範例的時序圖。圖12中係顯示依序將基板S替換至處理容器1內所進行的2次乾燥處理，以及該等乾燥處理期間所進行的處理容器1與溶媒蒐集部5B的恢復處理。圖12中橫軸的t1~t7係表示時間，且係在t1到t2期間會針對第1片基板S進行第1次乾燥處理，而在t6到t7期間會針對第2片基板S進行第2次乾燥處理。第1次乾燥處理中止後的t2到t6期間會進行恢復處理。另外，圖12中，所謂「上部排氣」係表示從接近溶媒蒐集部5B之頂部15的排氣口15a排氣，而所謂「下部排氣」係表示從底壁 11的複數個排氣口11a排氣。

首先，作為前階段，係以外部噴墨印刷裝置(省略圖示)依既定圖樣印刷有機材料膜在基板S上。然後，開啟閘閥GV，藉由外部搬送裝置(省略圖示)將被印刷有有機材料膜的基板S收授至乾燥裝置102的載置台3。

接著，在t1關閉乾燥裝置102的閘閥GV，並使排氣裝置19運作來將處理容器1內減壓排氣。然後，藉由壓力計25來監控處理容器1內的壓力，並控制APC閥133的開合度來減壓至既定的真空度。如此一來，便可實施除去基板S上所形成的有機材料膜中含有的溶媒之乾燥處理。在此乾燥處理之前或乾燥處理期間，可例如藉由將冷卻用熱媒體流至溶媒蒐集部5B之溶媒蒐集構件110之流路111而加以冷卻，便可效率良好地使處理容器1內氛圍中的溶媒附著於溶媒蒐集構件110而加以蒐集。又，在t1至t2的乾燥處理期間，藉由通電給載置台3之加熱器143並加熱基板S，可促進有機材料膜中溶媒的蒸散，而縮短乾燥時間。另外，亦可在t1至t2的乾燥處理期間，藉由將已冷卻的熱媒體從冷卻單元113流至處理容器1的底壁11、側壁13及頂部15之流路11b、13b、15b而加以冷卻，來促進溶媒附著至處理容器1的壁上。又，在t1至t2的乾燥處理期間，可藉由感應器部141來監控處理容器1內氛圍之溫度及溶媒濃度，並基於其結果而從控制部6傳送控制訊號至排氣裝置19或APC閥133，以即時地控制從處理容器1內之排氣量或處理容器1內之壓力。同樣地，在t1至t2的乾燥處理期間，可基於感應器部141之監控結果而從控制部6傳送控制訊號至電源部145，便能藉由加熱器143來即時地控制基板S的加熱溫度。

接著，在t2停止排氣裝置19，並將處理容器1內升壓至大氣壓力後，開啟乾燥處理裝置102的閘閥GV，而藉由外部搬送裝置(省略圖示)從處理容器1搬出基板S。藉由以上順序，便結束針對1片基板S的乾燥處理。

乾燥處理結束後，從t2開始使排氣裝置19運作而進行從排氣口15a之上部排氣，並加熱溶媒蒐集部5B之溶媒蒐集構件110與處理容器1來進行恢復處理。藉由此恢復處理，可使溶媒蒐集構件110或處理容器1之壁上所附著的溶媒效率良好地氣化，而迅速地從處理容器1排氣。具體而言，係在t2稍後的t3至t4期間，藉由從冷卻單元113將已加熱的熱媒體流至溶媒蒐集構件110之流路111而加以加熱，來促進已附著於溶媒蒐集構件110的 溶媒氣化而加以排氣。又，在t3至t5期間，藉由將已加熱的熱媒體從冷卻單元113流至處理容器1的底壁11、側壁13及頂部15之流路11b、13b、15b而加以加熱，便會促進已附著於處理容器1的溶媒氣化而加以排氣。此情形中，在溶媒蒐集構件110之加熱結束的t4後至t5期間會繼續處理容器1之加熱。在此t4至t5期間，會加熱處理容器1並藉由感應器部141來量測處理容器1內之溫度及溶媒濃度，且為了進行第2片基板S之處理而調整處理容器1內的狀態。如此般，在t2至t6期間，由於藉由進行包含處理容器1內之調整的恢復處理，而可將在乾燥裝置102中依序使複數個基板S進行乾燥處理時之條件加以一致，故可在複數個基板S之間確保乾燥狀態之均勻性。

恢復處理結束後，會開啟閘閥GV，而藉由外部搬送裝置(省略圖示)將被印刷有有機材料膜的基板S收授至乾燥裝置102的載置台3。然後，從t6至t7係與從t1至t2同樣地可針對第2片基板S進行乾燥處理。

如以上般，可替換處理容器1內的基板S，並針對既定片數的基板S依序進行乾燥處理。

本實施形態中其他構成及效果係與第1實施形態相同。又，乾燥裝置102係與第1實施形態相同地可適用至有機EL元件之製造過程。

以上，雖以例示之目的來詳細說明本發明實施形態，但本發明並不受限於上述實施形態，而是可進行各種變形。例如，有機EL元件之製造工序係不限於圖5所例示者。例如，即使具有EL層係從陽極側朝向陰極側有[正孔輸送層/發光層/電子輸送層]或[正孔注入層/正孔輸送層/發光層/電子輸送層]等依序層積之結構的有機EL元件之製造，亦可同樣地適用本發明之乾燥裝置100、101、101A、102。

又，第1實施形態之乾燥裝置100、第2實施形態之乾燥裝置101、101A中可與第3實施形態之乾燥裝置102同樣地在處理容器1設置複數個排氣口。又，第1實施形態之乾燥裝置100、第2實施形態之乾燥裝置101、101A中可與第3實施形態之乾燥裝置102同樣地設置加熱或冷卻處理容器1之底壁11、側壁13及頂部15的機構。進一步地，第1實施形態之乾燥裝置100、第2實施形態之乾燥裝置101、101A中可與第3實施形態之乾燥裝置102同樣地設置量測處理容器1內之溫度與溶媒蒸氣濃度的感應器部。又進一 步地，第1實施形態之乾燥裝置100、第2實施形態之乾燥裝置101、101A中可與第3實施形態之乾燥裝置102同樣地在作為支撐構件之載置台3上設置加熱器。

Claims (12)

1. 一種乾燥裝置，係除去塗佈於基板表面上的有機材料膜中的溶媒而加以乾燥的乾燥裝置，其具備有：處理容器，係可抽真空；排氣口，係將該處理容器內的氣體加以排氣；支撐構件，係在該處理容器內支撐該基板；以及溶媒蒐集部，係蒐集從該有機材料膜所揮發的溶媒；溶媒蒐集部係具有對向於該支撐構件所支撐的該基板而加以設置，且具備複數個貫通開口的一片或複數片金屬板，以及使被蒐集的溶媒脫離之溶媒脫離裝置；該金屬板係配置在自該處理容器的頂部分離之位置處；該溶媒脫離裝置係針對該金屬板噴射氣體的氣體噴射裝置。
2. 如申請專利範圍第1項之乾燥裝置，其中該溶媒蒐集部中，該複數片金屬板係在相互分離的狀態下平行於該支撐構件所支撐的該基板而層積地加以配置。
3. 如申請專利範圍第2項之乾燥裝置，其中該複數片金屬板之中，至少2片的該金屬板之全部的該貫通開口會以在層積方向上不重疊之方式錯開位置地加以配置。
4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之乾燥裝置，其中該金屬板之該貫通開口的開口率係在20~80%的範圍內。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之乾燥裝置，其中該金屬板表面的算術平均粗糙度Ra係在0.3~13μm的範圍內。
6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之乾燥裝置，其中該金屬板的厚度係在0.2~2mm的範圍內。
7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之乾燥裝置，其中在該金屬板面內中，該貫通開口係非均勻分布地加以形成。
8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之乾燥裝置，其中該溶媒蒐集部係更具有促進溶媒蒐集的蒐集促進裝置。
9. 如申請專利範圍第8項之乾燥裝置，其中該蒐集促進裝置係冷卻該金 屬板的冷卻裝置。
10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之乾燥裝置，其中在該溶媒蒐集部與該排氣口之間更具備有整流構件。
11. 一種乾燥處理方法，係在如申請專利範圍第1至10項中任一項之乾燥裝置之該處理容器內，針對塗佈於該基板表面的有機材料膜進行乾燥處理。
12. 如申請專利範圍第11項之乾燥處理方法，其中該有機材料膜係有機EL元件之製造中藉由噴墨印刷法而塗佈於該基板上。