TWI766997B - 減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種直至基板之減壓乾燥完成為止的時間 較短之減壓乾燥裝置。

減壓乾燥裝置(1)，係在減壓狀態下，使被 塗佈於基板(W)之表面的有機材料膜中之溶媒乾燥者，該減壓乾燥裝置，係具備有：腔室(10)，收容基板；及複數個排氣管(30)，連接腔室(10)內之空間與對腔室(10)內進行排氣的排氣裝置(P)，複數個排氣管(30)，係分別具有開關自如地封閉該排氣管(30)之APC閥(31)，複數個排氣管(30)，係包含有：有溶媒捕集部之排氣管(30)，在APC閥(31)之下游，設置有捕集從基板(W)氣化的溶液中之溶媒的溶媒捕集部(32)；及無溶媒捕集部之排氣管(30)，未設置有溶媒捕集部(21)。

Description

減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法
本發明，係關於一種減壓乾燥裝置，其在減壓狀態下，使被塗佈於基板之表面的有機材料膜中之溶媒乾燥。
以往，已知有利用有機EL(Electroluminescence)之發光的發光二極體即有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)。使用了該有機發光二極體之有機EL顯示器，係除了薄型輕量且低消費電力以外，具有響應速度或視角、對比方面優異這樣的優點，因此，近年來，作為次世代之平板顯示器(FPD)備受矚目。
有機發光二極體，係具有在基板上的陽極與陰極之間隔著有機EL層的構造。有機EL層，係例如從陽極側依序積層電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及電子注入層而形成。在形成該些有機EL層的各層(特別是電洞注入層、電洞輸送層及發光層)之際，係例如可使用以噴墨方式對基板上吐出有機材料之液滴這樣的方法。
在以噴墨方式被吐出至基板上的有機材料中，係含有多量的溶媒。因此，以去除溶媒為目的，在減壓狀態下，進行使該溶媒乾燥的減壓乾燥處理。
用以進行減壓乾燥處理之減壓乾燥裝置，係具備有：處理容器，收容減壓乾燥對象之基板，且可進行抽真空；及排氣管，一端被連接於處理容器，另一端被設置為排氣裝置，並藉由排氣裝置，對處理容器內進行排氣(參閱專利文獻1、2)。
專利文獻1之減壓乾燥裝置，係以使基板快速地乾燥等為目的，在排氣管設置有捕集從基板上的有機材料膜揮發之溶媒的溶媒捕集部，若基板之減壓乾燥結束時，則關閉被設置於溶媒捕集部與處理容器之間的閥，使處理容器內回到大氣壓而從處理容器內搬出基板。
又，專利文獻2之減壓乾燥裝置，係為了在短時間內效率良好地去除處理容器內之溶媒，而在處理容器內設置上述溶媒捕集部，並且對於處理容器設置紫外線照射部。該減壓乾燥裝置，係從紫外線照射部對溶媒捕集部照射紫外線，以使被該溶媒捕集部捕集的溶媒中所含有之有機化合物容易揮發的方式，進行分解。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-85814號公報
[專利文獻2]日本特開2014-238194號公報
[本發明所欲解決之課題]
然而，有時被要求使直至基板之減壓乾燥完成為止的時間，換言之，直至處理容器內之壓力成為預定值以下且即便處理容器內回到大氣壓亦不會產生問題為止的時間(節拍時間)比專利文獻1及2之減壓乾燥裝置更縮短。
本發明，係有鑑於該點而進行研究者，以提供一種直至基板之減壓乾燥完成為止的時間較短之減壓乾燥裝置為目的。 [用以解決課題之手段]
為了達成前述之目的，本發明，係一種減壓乾燥裝置，其在減壓狀態下，使被塗佈於基板之表面的有機材料膜中之溶媒乾燥，該減壓乾燥裝置，其特徵係，具備有：腔室，收容前述基板；及複數個排氣路徑，連接該腔室內之空間與對前述腔室內進行排氣的排氣裝置，前述複數個排氣路徑，係分別具有開關自如地封閉該排氣路徑之封閉構件，前述複數個排氣路徑，係包含有：有溶媒捕集部之排氣路徑，在前述封閉構件之下游，設置有捕集從前述基板氣化的前述溶液中之溶媒的溶媒捕集部；及無溶媒捕集部之排氣路徑，未設置有前述溶媒捕集部。
前述有溶媒捕集部之排氣路徑的前述腔室側之端部，係比起前述無溶媒捕集部之排氣路徑的前述腔室側之端部，更遠離被收容於前述腔室之前述基板的角部為較佳。
具備有溫度可變機構為較佳，該溫度可變機構，係冷卻及/或加熱前述溶媒捕集部。
在前述溶媒捕集部與前述封閉構件之間具備有氣體供給部為較佳，該氣體供給部，係供給促進被該溶媒捕集部捕集之溶媒之氣化的氣體。
根據另一觀點之本發明，一種減壓乾燥方法，係使用了減壓乾燥裝置，該減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下，使被塗佈於基板之表面的有機材料膜中之溶媒乾燥，該減壓乾燥方法，其特徵係，前述減壓乾燥裝置，係具備有：腔室，收容前述基板；及複數個排氣路徑，連接該腔室內之空間與對前述腔室內進行排氣的排氣裝置，前述複數個排氣路徑，係分別具有開關自如地封閉該排氣路徑之封閉構件，前述複數個排氣路徑，係包含有：有溶媒捕集部之排氣路徑，在前述封閉構件之下游，設置有捕集從前述基板氣化的前述溶液中之溶媒的溶媒捕集部；及無溶媒捕集部之排氣路徑，未設置有前述溶媒捕集部，該減壓乾燥方法，係包含有：基板乾燥步驟，對於前述複數個排氣路徑中之至少前述有溶媒捕集部之排氣路徑，使前述封閉構件成為開啟狀態；及腔室乾燥步驟，在該基板乾燥步驟後，對於前述複數個排氣路徑中之前述有溶媒捕集部之排氣路徑，使前述封閉構件成為關閉狀態，對於前述無溶媒捕集部之排氣路徑，使前述封閉構件成為開啟狀態。
前述基板乾燥步驟，係包含有冷卻前述溶媒捕集部的步驟為較佳。
前述腔室乾燥步驟，係包含有加熱前述溶媒捕集部的步驟為較佳。
前述腔室乾燥步驟，係包含有如下述之步驟為較佳：從被設置於前述封閉構件與前述溶媒捕集部之間的氣體供給部，供給促進被該溶媒捕集部捕集的溶媒之氣化的氣體。
前述有溶媒捕集部之排氣路徑的前述腔室側之端部，係比起前述無溶媒捕集部之排氣路徑的前述腔室側之端部，更遠離被收容於前述腔室之前述基板的角部，前述基板乾燥步驟，係包含有如下述步驟為較佳：對於前述複數個排氣路徑中之前述有溶媒捕集部之排氣路徑，使前述封閉構件成為開啟狀態，其後，對於所有的前述複數個排氣路徑，使前述封閉構件成為開啟狀態。 [發明之效果]
根據本發明，可縮短直至基板之減壓乾燥完成為止的時間亦即節拍時間(tact time)。
以下，參閱附加圖面，說明關於本發明之實施形態。另外，在本說明書及圖面中，對於具有實質相同功能構成的構成要素，係賦予相同符號而省略重複說明。又，並非藉由以下所示之實施形態來加以限定該發明。
(第1實施形態) 　　圖1，係表示本發明之實施形態之減壓乾燥裝置之概略構成的圖；圖1(A)，係表示減壓乾燥裝置之構成之概略的示意剖面圖；圖1(B)，係表示減壓乾燥裝置內之構成之概略的示意上視圖。另外，在圖1(B)，係省略後述之頂板等的圖示。
本實施形態之減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下，使以噴墨方式被塗佈於基板之表面的有機材料膜中之溶媒乾燥者，本裝置之處理對象基板的基板，係例如有機EL顯示器用之玻璃基板。 　　另外，塗佈於本裝置之處理對象的基板之溶液，係由溶質與溶媒所構成，成為減壓乾燥處理之對象的成分，係主要為溶媒。作為溶媒所含有之有機化合物，係大多為高沸點者，例如可列舉出1,3-二甲基-2-四氫咪唑酮(1,3-dimethyl-2-imidazolidinone、沸點220℃、熔點8℃)、4-tert-丁基苯甲醚(4-tert-Butylanisole、沸點222℃、熔點18℃)、Trans-茴香腦(Trans-Anethole、沸點235℃、熔點20℃)、1,2-二甲氧苯(1,2-Dimethoxybenzene、沸點206.7℃、熔點22.5℃)、2-甲氧基聯苯(2-Methoxybiphenyl、沸點274℃、熔點28℃)、二苯醚(Phenyl Ether、沸點258.3℃、熔點28℃)、2-乙氧基萘(2-Ethoxynaphthalene、沸點282℃、熔點35℃)、苄基苯基醚(Benzyl Phenyl Ether、沸點288℃、熔點39℃)、2,6-二甲氧基甲苯(2,6-Dimethoxytoluene、沸點222℃、熔點39℃)、2-丙氧基萘(2-Propoxynaphthalene、沸點305℃、熔點40℃)、1,2,3-三甲氧基苯(1,2,3-Trimethoxybenzene、沸點235℃、熔點45℃)、環己苯(cyclohexylbenzene、沸點237.5℃、熔點5℃)、十二烷基苯(dodecylbenzene、沸點288℃、熔點-7℃)、1,2,3,4-四甲基苯(1,2,3,4-tetramethylbenzene、沸點203℃、熔點76℃)等。該些高沸點有機化合物，係亦有將2種以上組合而混合於溶液中的情況。
本實施形態之減壓乾燥裝置，係如圖1(A)及圖1(B)所示般，具備有腔室10、載置台20及複數個排氣管30，並被連接於排氣裝置P。
腔室10，係被構成為氣密者，由不銹鋼等的金屬材料所形成。腔室10，係具有：角筒狀之本體部11；頂板12，被安裝於本體部11之上側；及底板13，被安裝於本體部11之下側。
本體部11，係設置有用以將基板W搬入搬出至腔室10內之未圖示的搬入搬出口。 　　頂板12，係封閉本體部11之上側的開口者。
底板13，係封閉本體部11之下側的開口者，在底板13之上側的中央，係配設有載置台20。又，在底板13，以包圍載置台20之外周的方式，設置有複數個開口13a、13b。在本例中，開口13a、13b，係沿著載置台20之一邊設置有6個，且沿著與上述一邊對向的邊設置有6個，合計12個。 　　又，分別相對於開口13a連通有排氣管30。
載置台20，係載置基板W者。在載置台20，係設置有進行基板W的收授之未圖示的升降銷，該升降銷，係可藉由升降機構上下自由移動。
複數個排氣管30，係分別連接腔室10與排氣裝置P者。藉由排氣管30與底板13之開口13a、13b，構成本發明之「排氣路徑」。另外，排氣路徑，係連接腔室10內之基板收容空間與排氣裝置P者。在減壓乾燥裝置1中，係經由構成上述「排氣路徑」之排氣管30及開口13a、13b，藉由排氣裝置P對腔室10內進行減壓。
另外，排氣裝置P，係由真空泵所構成，具體而言，係將渦輪分子泵與乾式泵例如從上游側依序串聯連接而構成。該排氣裝置P，係相對於各排氣路徑，具體而言相對於排氣管30各配設1個。
又，排氣管30，係分別具有作為開關自如地封閉該排氣管30之封閉構件的自動壓力控制閥(APC(Adaptive Pressure Control)閥)31。換言之，在排氣管30的開口13a、13b與排氣裝置P之間的部分，係設置有APC閥31。在減壓乾燥裝置1中，係在使排氣裝置P作動的狀態下，調節APC閥31之開合度，藉此，可控制減壓排氣之際之腔室10內的真空度/壓力，並控制基板W的乾燥速度。
另外，減壓乾燥裝置1，係具有測定腔室10內的壓力之未圖示的壓力計。該壓力計之計測結果，係作為電性信號被輸入至APC閥31或後述的控制部40。
而且，僅複數個排氣管30中之一部分，在APC閥31之下游具有溶媒捕集部32，該溶媒捕集部32，係捕集從藉由噴墨方式被塗佈於基板W上之溶媒氣化的溶媒。具體而言，在對於複數個排氣管30中之接近載置台20上之基板W的角部之開口13a所設置的排氣管30，係不設置溶媒捕集部32，在對於遠離上述角部之開口13b所設置的排氣管30，係設置有溶媒捕集部32。
亦即，複數個排氣路徑，係包含有：有溶媒捕集部之排氣路徑，在APC閥31之下游，設置有溶媒捕集部32；及無溶媒捕集部之排氣路徑，未設置有溶媒捕集部32。又，有溶媒捕集部之排氣路徑之腔室10側的端部亦即開口13a，係比起無溶媒捕集部之排氣路徑10側的端部亦即開口13b，更遠離被收容於腔室10內並載置於載置台20上之晶圓W的角部。
溶媒捕集部32，係具有開口被均勻地形成為格子狀之形狀的薄板亦即網狀板(未圖示)，以便可一面使從腔室10內所排出之氣體通過，一面捕集氣體中之溶媒。上述網狀板，係由不銹鋼或鋁、銅、金這樣的金屬材料所形成，例如藉由對鋼板進行冷切割(cold cut)所製造的展成金屬(expand metal)所構成。 　　溶媒捕集部32所具有之網狀板，係亦可為1片，或亦可層積複數片。又，網狀板，係被形成為其外徑與排氣管30之內徑大致相等。
具有以上之各部的減壓乾燥裝置1，係更具備有：控制部40，控制APC閥31等。控制部40，係例如電腦，具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部，係儲存有控制減壓乾燥裝置1中之減壓乾燥處理的程式。另外，前述程式，係例如亦可為被記錄於電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等的電腦可讀取之記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體安裝於控制部40者。 　　該控制部40，係亦可進行排氣裝置P之控制。
接著，說明關於使用了減壓乾燥裝置1之減壓乾燥處理。
(基板搬入步驟) 　　在使用了減壓乾燥裝置1之減壓乾燥處理中，係首先，將以噴墨方式塗佈了處理液的基板W載置於載置台20。
(基板乾燥步驟) 　　其次，在使排氣裝置P之乾式泵作動的狀態下，對於複數個排氣管30中之至少設置有溶媒捕集部32的排氣管30(以下，有溶媒捕集部之排氣管30)，在本例中，係對於所有的排氣管30，使APC閥31成為開啟狀態，開始腔室10內的減壓排氣。乾式泵所致之減壓排氣，係進行直至腔室10內之壓力成為例如10Pa為止。 　　其後，使排氣裝置P之渦輪分子泵作動，而進一步進行減壓排氣。 　　藉由更進一步減壓排氣，若腔室10內之壓力成為基板W的溫度中之溶媒的蒸氣壓以下(基板W之溫度為23℃的情況下，0.2Pa以下)時，則基板W上之溶媒S的蒸發速度變大。 　　又，在減壓排氣之際，腔室10內之氣體被絕熱膨脹並冷卻，藉由像這樣經冷卻之腔室10內的氣體，溶媒捕集部32之溫度下降。具體而言，係在腔室10內之壓力被減壓至0.2Pa的時點，溶媒捕集部32，係被冷卻至5~12℃。該5~12℃，係小於0.2Pa中之溶媒的露點即23℃。 　　又，溶媒捕集部32之溫度，係在直至基板W上之溶媒S的蒸發完成為止之間，被維持於各時點之腔室10內的壓力之溶媒S的露點以下。 　　因此，由於從基板W氣化之溶媒，係藉由溶媒捕集部32被高效率地捕集，因此，腔室10內之氣體狀的溶媒之濃度，係被維持為較低。因此，可快速地去除基板上W上的溶媒。 　　另外，作為用以像上述般地使溶媒捕集部32之溫度維持於上述露點以下的方法，考慮使用熱容量較小者作為溶媒捕集部32之網狀板的方法。 　　又，該基板乾燥步驟，係進行直至基板W乾燥為止，例如直至腔室10內之壓力成為第1預定值以下為止，或直至從排氣裝置P之渦輪分子泵的作動開始經過第2預定時間為止。
(腔室乾燥步驟) 　　基板乾燥步驟後，對於有溶媒捕集部之排氣管30，係使APC閥31成為關閉狀態，對於未設置溶媒捕集部32之排氣管30(以下，無溶媒捕集部之排氣管30)，係使APC閥31維持在開啟狀態。 　　該腔室乾燥步驟，係進行例如直至腔室10內之溶媒成為預定量以下為止，亦即直至腔室內之壓力成為第2預定值以下為止，或直至從排氣裝置P之渦輪分子泵的作動開始經過第2預定時間為止。另外，第2預定值或第2預定時間，係指在使腔室10內之壓力回到大氣壓時，殘留於腔室10內之溶媒不會再附著於基板W的值或時間。
(溶媒捕集部乾燥步驟) 　　在腔室乾燥步驟之際，溶媒捕集部乾燥步驟亦同時被進行。在溶媒捕集部乾燥步驟中，係利用來自排氣管30之側壁或渦輪分子泵等的熱輻射，加熱溶媒捕集部32並使其乾燥。例如，溶媒捕集部32之溫度，係藉由上述熱輻射，上升至其時點之排氣管30內的壓力之溶媒的露點以上(當排氣管30內之壓力為0.05Pa的情況下，18~23℃以上)。因此，可從溶媒捕集部32快速去除/脫離溶媒，並使溶媒捕集部32乾燥。
(基板搬出步驟) 　　在腔室乾燥步驟及溶媒捕集部乾燥步驟結束後，對於所有的排氣管30，使APC閥31成為關閉狀態，其後，使腔室10內之壓力回到大氣壓，並將基板W從腔室10搬出。
在該基板搬出步驟後，停止排氣裝置P之渦輪分子泵，並從基板搬入步驟依序重複各步驟。
如上述般，在減壓乾燥裝置1中，係僅複數個排氣管30中之一部分，在APC閥31之下游具有溶媒捕集部32。因此，可依序進行基板乾燥步驟與腔室乾燥步驟，該基板乾燥步驟，係對於複數個排氣管30中之有溶媒捕集部之排氣管30，使APC閥31成為開啟狀態，該腔室乾燥步驟，係對於複數個排氣管30中之有溶媒捕集部之排氣管30，使APC閥31成為關閉狀態，並對於無溶媒捕集部之排氣管30，維持APC閥31之開啟狀態。因此，具有以下的效果。
圖2，係說明減壓乾燥裝置1之效果的圖，橫軸，係表示從排氣開始起的經過時間，具體而言，係腔室10內之壓力在大氣壓的狀態下，使APC閥31成為開啟狀態後的經過時間，縱軸，係表示腔室10內之壓力。
(案例1) 　　在減壓乾燥裝置1中，當所有的複數個排氣管30不具有溶媒捕集部32的情況下，即便對於所有的排氣管30，使APC閥31成為開啟狀態，亦如圖2所示般，雖在腔室10內之壓力被維持為較高的狀態(約1Pa)後，逐漸地下降，但直至腔室10內之壓力成為前述的第2預定值(例如0.09Pa)以下為止需要花費140秒以上。
(案例2) 　　在減壓乾燥裝置1中，當所有的複數個排氣管30具有溶媒捕集部32的情況下，即便對於所有的排氣管30，使APC閥31成為開啟狀態，亦可使腔室10內之壓力比起上述案例1更快速地下降至0.2Pa左右。但是，即便為經過了200秒的時點，亦無法使腔室10內之壓力成為前述的第2預定值(0.09Pa)以下。
對此，僅複數個排氣管30中之一部分，在APC閥31之下游具有溶媒捕集部32，進行基板乾燥步驟約80秒，其後，進行腔室乾燥步驟，該基板乾燥步驟，係對於包含有溶媒捕集部之排氣管30的所有排氣管30，使APC閥31成為開啟狀態，該腔室乾燥步驟，係對於有溶媒捕集部之排氣管30，使APC閥31成為關閉狀態，並對於無溶媒捕集部之排氣管30，維持APC閥31之開啟狀態。在該情況下，以與案例1相同的速度，可使腔室10內之壓力下降至0.2Pa，而且，不僅可使腔室10內之壓力成為前述的第2預定值以下，且直至成為第2預定值以下為止僅需要花費約85秒。 　　在像這樣地使用了減壓乾燥裝置1的減壓乾燥步驟中，係可使腔室10內之壓力迅速地下降至前述的第2預定值以下。
又，在減壓乾燥裝置1，係具有以下的效果。當對俯視圖呈四角形狀之基板W進行減壓乾燥的情況下， 基板W之角部比起其他部分更容易乾燥。但是，基板W之乾燥時間，係在同一基板內均勻為較佳。又，比起基板中之遠離設置有溶媒捕集部32之排氣管30的部分，接近設置有溶媒捕集部32之排氣管30的部分者更容易乾燥。因此，在減壓乾燥裝置1中，係僅在對於複數個排氣管30中之遠離載置台20上之基板W的角部之開口13b所設置的排氣管30，設置有溶媒捕集部32。藉此，即便不使APC閥31之開合度依每個排氣管30不同，亦可提高基板W之乾燥時間的面內均勻性。
圖3，係表示減壓乾燥裝置1的其他例中之關於溶媒捕集部32之構造的圖。 　　在前述的例子中，溶媒捕集部32之冷卻或升溫亦即加熱，係藉由在減壓時絕熱膨脹而冷卻之腔室10內的氣體或來自排氣管30等的熱輻射加以進行。
取而代之，亦可設成為如圖3所示般，將具備複數個冷媒管50作為冷卻及加熱溶媒捕集部32之溫度可變機構的構成，並藉由溶接等，將該些冷媒管50固定於捕集溶媒的網狀板32a，使冷卻之冷媒與加熱之冷媒可切換地流動，藉此，冷卻及加熱溶媒捕集部32亦即網狀板32a。藉此，可更迅速且適當地冷卻/加熱溶媒捕集部32。
另外，當像這樣地將溫度可變機構設置於減壓乾燥裝置1的情況下，在前述的基板乾燥步驟中，藉由上述溫度可變機構冷卻溶媒捕集部32為較佳。因為藉此可縮短基板乾燥步驟所需的時間。 　　又，當設置有溫度可變機構的情況下，在與前述之腔室乾燥步驟同時被進行的溶媒捕集部乾燥步驟中，以上述溫度可變機構加熱溶媒捕集部32為較佳。因為藉此可縮短溶媒捕集部乾燥步驟所需的時間。
圖4，係為了說明封閉構件之其他例，表示設置有封閉構件之排氣管30之周邊之態樣的圖，且僅表示排氣管30之剖面。 　　在前述的例中，雖然減壓乾燥裝置1具有可調節開合度之APC閥31作為「封閉構件」，但如圖4所示般，亦可具有雖無法調節開合度而開關自如地封閉排氣管30之擋板60作為「封閉構件」。在圖4的例中，擋板60，係以鉸鏈方式被安裝於排氣管30。該擋板60，係藉由控制部40予以控制。
又，在具有擋板60的構成中，係可藉由調整使擋板60成為開啟狀態之排氣管30的數量之方式，控制腔室10內的減壓速度。例如，在具有擋板60的構成中，當必需降低基板乾燥步驟之前半部分的減壓速度而在後半部分提高的情況，係首先，對於有溶媒捕集部之排氣管30，維持使擋板60成為關閉狀態，對於無溶媒捕集部之排氣管30，使擋板60成為開啟狀態，並在無需降低減壓速度後，對於有溶媒捕集部之排氣管30，亦使擋板60成為開啟狀態。又，例如，在具有擋板60的構成中，當必需提高基板乾燥步驟之前半部分的減壓速度而在後半部分降低的情況，係首先，對於所有的排氣管30，使擋板60成為開啟狀態，並在必需降低減壓速度後，僅對於有溶媒捕集部之排氣管30，使擋板60維持開啟狀態，對於無溶媒捕集部之排氣管30，使擋板60成為關閉狀態。
圖5，係表示腔室10之底板13之其他例的圖。 　　在前述的例中，底板13，係沿著載置台20之一邊設置有複數個開口13a、13b，且沿著與上述一邊對向的邊設置相同個數。但是，底板13，係不限於該例，如圖5所示般，亦可沿著載置台20之各邊逐一設置相同個數。 　　又，在以上的例中，設置於底板13之開口13a、13b的個數雖為12個，但只要是複數個即可，亦可未滿12個或多於12個。 　　又，分別相對於開口13a、13b連通有排氣管30。
圖6，係表示減壓乾燥裝置1之排氣管線之其他例的側面圖，且僅表示腔室10的底板13與排氣管線。 　　在前述的例中，減壓乾燥裝置1之排氣管線，係排氣管30分別連接有1個排氣裝置P的構成。但是，減壓乾燥裝置1之排氣管線，係不限於該例，如圖6所示，亦可為複數個排氣管30共同使用1個排氣裝置P的構成。
亦在該情況下，僅複數個排氣管30中之一部分，在APC閥31之下游設置溶媒捕集部32，並與前述相同地，進行基板乾燥步驟與腔室乾燥步驟，藉此，比起在所有的複數個排氣管30設置溶媒捕集部32之構成或在複數個排氣管30的任一者皆不設置溶媒捕集部32之構成，可迅速地達成腔室10內之溶媒為少量的狀態，亦即達成腔室10內之壓力足夠低的狀態。
圖7，係為了說明減壓乾燥裝置1之排氣管線的其他例，表示排氣管30之周邊之態樣的圖。 　　在前述的例中，雖係在減壓乾燥裝置1之排氣管線的排氣管30中，封閉構件與溶媒捕集部32之間並未設置任何構件，但如圖7所示般，亦可在封閉構件(在圖例中，係APC閥31)與溶媒捕集部32之間設置氣體供給部70，該氣體供給部70，係將促進被溶媒捕集部32捕集之溶媒之氣化的氣體供給至排氣管30內。
當像這樣地設置了氣體供給部70的情況下，在前述的腔室乾燥步驟及溶媒捕集部乾燥步驟中，當對於有溶媒捕集部之排氣管30，使APC閥31成為關閉狀態之際，與此連動而開始供給氣體至氣體供給部70，亦即開始供給氣體至溶媒捕集部32為較佳。從該氣體供給部70供給之氣體，係例如惰性氣體。只要該氣體之供給量為排氣管30內之溶媒捕集部32之周邊的壓力不超過被捕集至溶媒捕集部32之溶媒之蒸氣壓的量，則可有效率地使溶媒捕集部32乾燥。
(其他變形例) 　　在以上的例中，係在基板乾燥步驟中之腔室10內的減壓排氣之際，對於所有的排氣管30，使APC閥31成為開啟狀態。但是，在基板乾燥步驟中，亦可僅對於複數個排氣管30中之有溶媒捕集部之排氣管30，使APC閥31成為開啟狀態。在該情況下，亦可在腔室10內之壓力變得小於預定值後，亦即在基板W之乾燥進行某程度後，使所有的APC閥31成為開啟狀態。 　　僅對於複數個排氣管30中之有溶媒捕集部之排氣管30，使APC閥31成為開啟狀態，藉此，依溶劑之不同，可使基板W更均勻地乾燥。在該情況下，基板W之乾燥所需的時間，雖係比從一開始使所有的排氣管30成為開啟狀態之情況更長，但在基板W之乾燥進行某程度後，使所有的APC閥31成為開啟狀態，藉此，可兼顧均勻地乾燥基板W與在短時間內進行基板W之乾燥。
在以上的例中，係在溶媒捕集部乾燥步驟結束後，進行基板的搬出步驟。但是，只要為排氣管30分別設置有1個排氣裝置P的構成，則當溶媒捕集部乾燥步驟所需之時間比腔室乾燥步驟所需之時間長的情況下，係亦可在溶媒捕集部乾燥步驟結束之前，進行基板的搬出步驟或下個基板的搬入步驟。
又，在以上的例中，APC閥31等的封閉構件，雖係被設置於排氣管30，但只要是對於排氣路徑進行設置即可，例如亦可設置於開口13a、13b內，又，亦可以封閉開口13a、13b的方式，設置於底板13之上面。 　　相同地，溶媒捕集部32，係只要位於上述封閉構件之下游，則亦可設置於開口13b內而非排氣管30。 [產業上之可利用性]
本發明，係在對以噴墨方式塗佈有溶液之基板進行減壓乾燥的技術是有用的。
1‧‧‧減壓乾燥裝置10‧‧‧處理容器11‧‧‧本體部12‧‧‧頂板13‧‧‧底板13a、13b‧‧‧開口20‧‧‧載置台30‧‧‧排氣管31‧‧‧閥32‧‧‧溶媒捕集部32a‧‧‧網狀板40‧‧‧控制部50‧‧‧冷媒管60‧‧‧擋板
[圖1]表示本發明之實施形態之減壓乾燥裝置之概略構成的圖。 　　[圖2]說明圖1之減壓乾燥裝置之效果的圖。 　　[圖3]表示減壓乾燥裝置的其他例中之關於溶媒捕集部之構造的圖。 　　[圖4]表示設置有其他例之封閉構件之排氣管之周邊之態樣的圖。 　　[圖5]表示腔室之底板之其他例的圖。 　　[圖6]表示減壓乾燥裝置之排氣管線之其他例的側視圖。 　　[圖7]表示減壓乾燥裝置之排氣管線之另一例的說明圖。
1:減壓乾燥裝置
10:處理容器
11:本體部
12:頂板
13:底板
13a:開口
13b:開口
20:載置台
30:排氣管
31:閥
32:溶媒捕集部
40:控制部
P:排氣裝置
W:基板

Claims (7)

  1. 一種減壓乾燥裝置，在減壓狀態下，使被塗佈於基板之表面的有機材料膜中之溶媒乾燥，該減壓乾燥裝置，其特徵係，具備有：腔室，收容前述基板；及複數個排氣路徑，連接該腔室內之空間與對前述腔室內進行排氣的排氣裝置，前述複數個排氣路徑，係分別具有開關自如地封閉該排氣路徑之封閉構件，前述複數個排氣路徑，係包含有：有溶媒捕集部之排氣路徑，在前述封閉構件之下游，設置有捕集從前述基板氣化的溶液中之溶媒的溶媒捕集部；及無溶媒捕集部之排氣路徑，未設置有前述溶媒捕集部，前述有溶媒捕集部之排氣路徑的前述腔室側之端部，係比起前述無溶媒捕集部之排氣路徑的前述腔室側之端部，更遠離被收容於前述腔室之前述基板的角部。
  2. 如申請專利範圍第1項之減壓乾燥裝置，其中，具備有：溫度可變機構，冷卻及/或加熱前述溶媒捕集部。
  3. 如申請專利範圍第1項之減壓乾燥裝置，其中，在前述溶媒捕集部與前述封閉構件之間具備有氣體供 給部，該氣體供給部，係供給促進被該溶媒捕集部捕集之溶媒之氣化的氣體。
  4. 一種減壓乾燥方法，使用了減壓乾燥裝置，該減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下，使被塗佈於基板之表面的有機材料膜中之溶媒乾燥，該減壓乾燥方法，其特徵係，前述減壓乾燥裝置，係具備有：腔室，收容前述基板；及複數個排氣路徑，連接該腔室內之空間與對前述腔室內進行排氣的排氣裝置，前述複數個排氣路徑，係分別具有開關自如地封閉該排氣路徑之封閉構件，前述複數個排氣路徑，係包含有：有溶媒捕集部之排氣路徑，在前述封閉構件之下游，設置有捕集從前述基板氣化的溶液中之溶媒的溶媒捕集部；及無溶媒捕集部之排氣路徑，未設置有前述溶媒捕集部，該減壓乾燥方法，係包含有：基板乾燥步驟，對於前述複數個排氣路徑中之至少前述有溶媒捕集部之排氣路徑，使前述封閉構件成為開啟狀態；及腔室乾燥步驟，在該基板乾燥步驟後，對於前述複數個排氣路徑中之前述有溶媒捕集部之排氣路徑，使前述封閉構件成為關閉狀態，對於前述無溶媒捕集部之排氣路徑，使前述封閉構件成為開啟狀態，前述基板乾燥步驟，係包含有冷卻前述溶媒捕集部的步驟。
  5. 如申請專利範圍第4項之減壓乾燥方法，其中，前述腔室乾燥步驟，係包含有加熱前述溶媒捕集部的步驟。
  6. 如申請專利範圍第4項之減壓乾燥方法，其中，前述腔室乾燥步驟，係包含有如下述之步驟：從被設置於前述封閉構件與前述溶媒捕集部之間的氣體供給部，供給促進被該溶媒捕集部捕集的溶媒之氣化的氣體。
  7. 如申請專利範圍第4項之減壓乾燥方法，其中，前述有溶媒捕集部之排氣路徑的前述腔室側之端部，係比起前述無溶媒捕集部之排氣路徑的前述腔室側之端部，更遠離被收容於前述腔室之前述基板的角部，前述基板乾燥步驟，係包含有如下述步驟為較佳：對於前述複數個排氣路徑中之前述有溶媒捕集部之排氣路徑，使前述封閉構件成為開啟狀態，其後，對於所有的前述複數個排氣路徑，使前述封閉構件成為開啟狀態。
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