TWI666418B - 減壓乾燥裝置 - Google Patents

減壓乾燥裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI666418B
TWI666418B TW106131914A TW106131914A TWI666418B TW I666418 B TWI666418 B TW I666418B TW 106131914 A TW106131914 A TW 106131914A TW 106131914 A TW106131914 A TW 106131914A TW I666418 B TWI666418 B TW I666418B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
solvent
substrate
pressure
chamber
reduced
Prior art date
Application number
TW106131914A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201823652A (zh
Inventor
島村明典
林輝幸
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201823652A publication Critical patent/TW201823652A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI666418B publication Critical patent/TWI666418B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

可以簡單裝置構成，在進行基板上的溶劑之減壓乾燥處理及來自溶劑捕集部的溶劑之脫離處理之雙方的減壓乾燥裝置中，縮短上述減壓乾燥處理之時間與上述脫離處理之時間。 　　減壓乾燥裝置(1)係在減壓狀態下對收納於腔室(10)內的基板(W)上之溶液進行乾燥者，具備溶劑捕集部(30)，其由網狀板形成，而且暫時捕集從基板(W)氣化的溶液中的溶劑，溶劑捕集部(30)，係在腔室(10)內與基板(W)對向設置，構成溶劑捕集部(30)的網狀板，其開口率為60%以上80%以下，每一單位面積之熱容量為850J/K･m2 以下。

Description

減壓乾燥裝置
[0001] 本發明關於在減壓狀態下對收納於腔室內的基板上之溶液進行乾燥的減壓乾燥裝置。
[0002] 習知技術，熟知有利用有機EL(電致發光，Electroluminescence)之發光的發光二極體亦即有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)。使用該有機發光二極體的有機EL顯示器，除了薄型輕量且低消費電力以外，還在響應速度或視角、對比上具有優勢的優點，近年來成為次世代之平板顯示器(FPD)被注目。 　　[0003] 有機發光二極體具有在基板上之陽極與陰極之間隔著有機EL層的構造。有機EL層例如由陽極側依序積層電洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及電子植入層而形成。在形成彼等有機EL層之各層(特別是電洞植入層、電洞輸送層及發光層)時，例如使用藉由噴墨方式將有機材料之液滴吐出到基板上的方法。 　　[0004] 在以噴墨方式吐出到基板上的有機材料中包含有多量之溶劑。因此為了除去溶劑之目的而進行在減壓狀態下乾燥基板上之溶液的減壓乾燥處理(參照專利文獻1~3)。 　　[0005] 具體而言，專利文獻1之乾燥裝置具備：可以抽真空的處理容器；在處理容器內對基板進行支撐的載置台；及和支撐於載置台的基板對向而設置，用於捕集從基板上之有機材料膜揮發的溶劑之溶劑捕集部。 　　該專利文獻1之乾燥裝置之溶劑捕集部具有與基板之表面大致平行地配置的金屬製之捕集板，於該捕集板形成有貫穿開口。又，專利文獻1之乾燥裝置具備，在乾燥處理結束之後，使捕集板捕集的溶劑再度氣化而從捕集板脫離的溶劑脫離裝置。另外，專利文獻1之乾燥裝置具有，為了調節捕集板之溫度而由珀爾帖元件(Peltier device)等形成的溫度調整裝置。 　　[0006] 專利文獻2之乾燥裝置中，將對乾燥時蒸發的溶液中之溶劑進行吸附的多孔質之吸附構件與基板對向的方式進行配置。又，專利文獻2中，除了設置乾燥裝置用於吸附並乾燥基板上之溶液中之溶劑以外，另設置使吸附構件乾燥的乾燥裝置。於該另設的乾燥裝置中，在載置吸附構件的載置台設有溫度控制之溫度控制部。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0007] 　　[專利文獻1] 特開2014-199806號公報 　　[專利文獻2] 特開2010-169308號公報 　　[專利文獻3] 專利第5701782號公報
[發明所欲解決之課題] 　　[0008] 但是，為了縮短包含被溶劑捕集部捕集/吸附的溶劑之脫離處理的時間在內的乾燥裝置中的處理時間，有必要提升溶劑捕集部的溶劑之捕集效率，提升對來自溶劑捕集部之溶劑的氣化效率。 　　[0009] 但是，專利文獻1之乾燥裝置中，為了提升溶劑捕集部亦即捕集板的溶劑之捕集效率或來自捕集板的溶劑之氣化效率，而使用冷卻或加熱捕集板的溫度調節裝置，致使裝置之構成變為複雜。 　　又，專利文獻2揭示之技術中，為了促進來自溶劑捕集部亦即吸附構件的溶劑之蒸發，於載置基板的載置台使用溫度控制部，因此裝置之構成變為複雜。另外，專利文獻2揭示之技術中，為了乾燥吸附構件，除基板之乾燥裝置以外另設乾燥裝置。 　　專利文獻3關於該點則未有任何揭示或示意。 　　[0010] 本發明有鑑於該點而完成者，目的在於提供進行基板上的溶劑之減壓乾燥處理與來自溶劑捕集部的溶劑之脫離處理之雙方，可以縮短上述減壓乾燥處理之時間與上述脫離處理之時間，且裝置之構成之簡易的減壓乾燥裝置。 [用以解決課題的手段] 　　[0011] 為了達成上述目的，本發明提供一種減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下對收納於腔室內的基板上之溶液進行乾燥者，該減壓乾燥裝置之特徵為：具備溶劑捕集部，其由網狀板形成，而且用於暫時捕集從上述基板氣化的上述溶液中的溶劑，上述溶劑捕集部係在上述腔室內與上述基板對向而設置，在上述腔室內之壓力被減壓至上述基板之溫度中的上述溶劑之蒸氣壓以下的時刻，藉由伴隨著減壓而絕熱膨脹的上述腔室內之氣體使該溶劑捕集部之溫度被冷卻至該時刻的上述腔室之壓力中的上述溶劑之露點以下，在上述基板上之溶液的溶劑之蒸發結束為止之期間，該溶劑捕集部之溫度被維持於各時刻的上述腔室內之壓力中的上述溶劑之露點以下，在上述基板上之溶液的溶劑之蒸發結束後5分鐘以內，藉由來自上述腔室之輻射熱，使該溶劑捕集部之溫度成為該時刻的上述腔室之壓力中的上述溶劑之露點以上。 　　[0012] 另一觀點的本發明提供一種減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下對收納於腔室內的基板上之溶液進行乾燥者，該減壓乾燥裝置之特徵為：具備溶劑捕集部，其由網狀板形成，而且用於暫時捕集從上述基板氣化的上述溶液中的溶劑，上述溶劑捕集部在上述腔室內與上述基板對向而設置，上述網狀板之開口率為60%以上80%以下，每1m2 之熱容量為850J/K以下。 　　[0013] 再另一觀點的本發明提供一種減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下對收納於腔室內的基板上之溶液進行乾燥者，該減壓乾燥裝置之特徵為：具備溶劑捕集部，其由網狀板形成，而且用於暫時捕集從上述基板氣化的上述溶液中的溶劑，上述溶劑捕集部在上述腔室內與上述基板對向而設置，上述基板至上述溶劑捕集部之間的距離，係上述基板至上述溶劑捕集部之上部之構造物之間的距離之40%以上60%以下。 [發明之效果] 　　[0014] 依據本發明，可以簡單裝置構成在短時間內進行基板上的溶劑之減壓乾燥處理及來自溶劑捕集部的溶劑之脫離處理。另外，依據本發明，基板上的溶劑之乾燥時間在同一基板內可以成為均勻。
[0016] 以下，參照添付圖面對本發明之實施形態進行說明。又，本說明書及圖面中，針對實質上具有同一之功能構成的構成要素附加同一之符號並省略重複說明。又，以下所示實施形態並非用來限定該發明者。 　　[0017] (第1實施形態) 　　圖1表示本發明第1實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的圖，圖1(A)係減壓乾燥裝置之構成之概略斷面圖，圖1(B)係減壓乾燥裝置內之構成之概略上面圖。圖1(A)中省略支撐後述的溶劑捕集部之構造體之圖示，圖1(B)中省略後述之頂板等之圖示。圖2係對溶劑捕集部之安裝構造進行說明之圖，圖2(A)係減壓乾燥裝置內之部分側面圖，圖2(B)係減壓乾燥裝置中的溶劑捕集部之周圍之部分下面圖。 　　[0018] 本實施形態的減壓乾燥裝置，係在減壓狀態對以噴墨方式塗布於基板上的溶液進行乾燥者，本裝置之處理對象之基板例如為有機EL顯示器用之玻璃基板。 　　又，塗布於本裝置之處理對象之基板的溶液係由溶質與溶劑構成，成為減壓乾燥處理之對象的成分主要為溶劑。包含於溶劑的有機化合物大多為高沸點者，例如可以舉出1,3-二甲基-2-咪唑酮(1,3-dimethyl-2- imidazolidinone，沸點220℃，熔點8℃)、4-tert-丁基苯甲醚(4-tert-Butylanisole，沸點222℃，熔點18℃)、Trans-茴香腦(Trans-Anethole，沸點235℃，熔點20℃)、1,2-二甲氧基苯(1,2-Dimethoxybenzene，沸點206.7℃，熔點22.5℃)、2-甲氧基聯苯(2-Methoxybiphenyl，沸點274℃，熔點28℃)、二苯醚(Phenyl Ether，沸點258.3℃，熔點28℃)、2-乙氧基萘(2-Ethoxynaphthalene，沸點282℃，熔點35℃)、苄基苯基醚(Benzyl Phenyl Ether，沸點288℃，熔點39℃)、2,6-二甲氧基甲苯(2,6-Dimethoxytoluene，沸點222℃，熔點39℃)、2-丙氧基萘(2-Propoxynaphthalene，沸點305℃，熔點40℃)、1,2,3-三甲氧基苯(1,2,3-Trimethoxybenzene，沸點235℃，熔點45℃)、環己苯(cyclohexylbenzene，沸點237.5℃，熔點5℃)，十二烷基苯(dodecylbenzene，沸點288℃，熔點-7℃)、1,2,3,4-四甲基苯(1,2,3,4-tetramethylbenzene，沸點203℃，熔點76℃)等。亦有將2種以上之彼等之高沸點有機化合物組合混合於溶液中之情況。 　　[0019] 本實施形態的減壓乾燥裝置，如圖1所示，具備：腔室10；載置台20；及溶劑捕集部30；連接於排氣裝置40。 　　[0020] 腔室10構成為氣密者，由不鏽鋼等之金屬材料形成。腔室10具有：角筒狀之本體部11；安裝於本體部11之上側的頂板12；及安裝於本體部11之下側的底板13。 　　[0021] 於本體部11設有將基板W搬出入腔室10內之未圖示之搬出入口。 　　頂板12堵住本體部11之上側之開口，而且對溶劑捕集部30進行支撐。關於溶劑捕集部30之支撐構造如後述。 　　[0022] 底板13係堵住本體部11之下側之開口者，在底板13之上側之中央配設有載置台20。又，在底板13以包圍載置台20之外周的方式設置排氣口狹縫13a，排氣口狹縫13a透過排氣管41連接有排氣裝置40。透過該排氣口狹縫13a可對減壓乾燥裝置1之腔室10內進行減壓。 　　[0023] 載置台20用於載置基板W。於載置台20設置有進行基板W之交接的未圖示之升降銷，該升降銷藉由升降機構可以上下自由移動。 　　[0024] 溶劑捕集部30係將從以噴墨方式塗布於基板W上的溶液氣化的溶劑進行捕集者，係對腔室10內之氛圍中的溶劑濃度進行調節者。 　　[0025] 溶劑捕集部30具有溶劑捕集板(以下稱為溶劑捕集網)31，其由均勻地形成有格子狀開口的形狀之薄板亦即網狀板形成。 　　溶劑捕集網31係由不鏽鋼或鋁、銅、金等金屬材料等之導熱性良好的材料形成。更具體而言，例如溶劑捕集網31由對鋼板實施冷切(cold cut)而製造的展伸金網(expanded metal)構成。溶劑捕集網31可以由1片展伸金網構成，本例中設為由複數片展伸金網排列於水平方向而構成者。 　　[0026] 溶劑捕集網31之厚度例如為0.1mm。又，溶劑捕集網31之水平方向之尺寸與基板W之水平方向之尺寸大致相同。更具體而言，構成溶劑捕集網31的複數片展伸金網整體之水平方向之尺寸與基板W之水平方向之尺寸大致相同。但是，為了增加氣化的溶劑之吸附量，溶劑捕集網31之水平方向之尺寸可以大於基板W之水平方向之尺寸。又，將該溶劑捕集網31設置於基板W之中央之上部之情況下，為了控制腔室10內之蒸氣濃度之平衡，溶劑捕集網31之水平方向之尺寸可以小於基板W之水平方向之尺寸。 　　[0027] 溶劑捕集網31之開口率較大例如為65%。又，開口率定義為(由上面觀察時溶劑捕集網31之開口部之總面積)/(由上面觀察時溶劑捕集網31之整體面積)。 　　[0028] 溶劑捕集網31，如上述般係開口率大的網狀而且薄型，因此每1m2 之熱容量例如為較低的372J/K，亦即每一單位面積之熱容量例如為較低的372J/K･m2 。 　　[0029] 該溶劑捕集網31被支撐於溶劑捕集網31之上部之構造物、即最靠近溶劑捕集網31的頂板12與基板W之間之位置。又，溶劑捕集網31以正對基板W的方式，亦即以和基板W大致平行的方式被支撐於頂板12。 　　[0030] 頂板12對溶劑捕集網31之支撐係如圖2所示透過框體32與腳部33進行。以下更具體說明。 　　構成溶劑捕集網31的展伸金網31a分別藉由熔接等固定於角筒狀之框體32。使用螺栓等將設於框體32之外側的耳部32a固定於由頂板12向下延伸的腳部33，據此而使展伸金網31a亦即溶劑捕集網31被支撐於頂板12。 　　又，框體32或腳部33係由不鏽鋼等之金屬材料形成。 　　又，框體32或腳部33與基板W之間挾著溶劑捕集網31並位於相反側。因此，溶劑捕集網31之整面均勻地露出於基板W側中，因此框體32或腳部33不會阻礙氣化的溶劑由基板W向溶劑捕集網31之方向之流動。但是，為了使氣化的溶劑之流動更均勻，因此框體32或腳部33之體積較小為較佳。 　　[0031] 回至圖1之說明。 　　排氣裝置40由真空泵構成，具體而言，將渦輪分子泵與乾式泵例如由上游側依序串聯連接而構成。該排氣裝置40配設於底板13之中心附近亦即基板W之中心附近之下部。 　　在排氣管41之排氣口狹縫13a與排氣裝置40之間之部分設置有自動壓力控制閥(APC(Adaptive Pressure Control)閥)42。減壓乾燥裝置1中，在作動排氣裝置40之真空泵的狀態下，藉由調節APC閥42之開度，可以控制減壓排氣時之腔室10內之真空度進行控制。 　　[0032] 又，減壓乾燥裝置1具有對腔室10內之壓力進行測定的未圖示之壓力計。該壓力計的計測結果作為電氣信號被輸入APC閥42。 　　[0033] 又，減壓乾燥裝置1具備該裝置1之未圖示之控制部。控制部例如係電腦，具有程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部儲存有對減壓乾燥裝置1中的減壓乾燥處理進行控制的程式。又，上述程式係記錄於例如電腦可以讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等電腦可以讀取的記憶媒體者，可以由該記憶媒體安裝於控制部。 　　[0034] 接著，參照圖3及圖4對使用減壓乾燥裝置1的減壓乾燥處理進行說明。圖3係減壓乾燥處理之說明圖，圖3(A)~圖3(D)係說明減壓乾燥處理之各工程中的腔室10內之模式之圖。圖4係表示塗布於基板W的溶液的溶劑之蒸氣壓曲線的圖，橫軸為溫度，縱軸表示壓力。 　　[0035] 使用減壓乾燥裝置1的減壓乾燥處理中，首先，將以噴墨方式塗布有處理液的基板W載置於載置台20。該狀態中，如圖3(A)所示，基板W之溫度與溶劑捕集網31之溫度均為室溫之23℃。又，基板W載置於載置台20之時刻的腔室10內之壓力為大氣壓(約10×104 Pa)，如圖4所示，比起基板W之溫度亦即23℃中的溶劑S之飽和蒸氣壓大，因此來自基板W的溶劑S之蒸發速度小。 　　[0036] 接著，作動排氣裝置40之乾式泵對腔室10內進行減壓排氣。乾式泵的減壓排氣進行至腔室10內之壓力成為10Pa為止。 　　於該減壓排氣時，藉由絕熱膨脹使腔室10內之氣體被冷卻。如此般腔室10內之氣體被冷卻，但基板W之溫度基於該基板W之熱容量大等而保持於室溫之23℃幾乎無變化。但是，熱容量較小的溶劑捕集網31之溫度下降。具體而言，在乾式泵的減壓排氣結束且腔室10內之壓力成為10Pa的時刻，如圖3(B)所示，溶劑捕集網31之溫度例如下降至8~15℃。 　　又，如圖4之點P1所示，乾式泵的減壓排氣結束時之腔室10內之壓力10Pa大於基板W之溫度亦即23℃時溶劑S之飽和蒸氣壓，因此在乾式泵的減壓排氣之結束時刻蒸發速度亦不大。 　　[0037] 在藉由排氣裝置40之乾式泵將腔室10內之壓力減壓排氣至10Pa之後，作動排氣裝置40之渦輪分子泵進一步進行減壓排氣。 　　[0038] 藉由該減壓排氣，如圖4之點P2所示，在腔室10內之壓力成為基板W之溫度亦即23℃時溶劑之蒸氣壓亦即0.2Pa以下時，基板W上的溶劑S之蒸發速度變大。 　　[0039] 此時，溶劑捕集網31係如前述說明伴隨減壓排氣被冷卻，在腔室10內之壓力減壓至0.2Pa的時刻，溶劑捕集網31之溫度例如圖3(C)所示為8~15℃。圖4之點P3可知，該8~15℃小於0.2Pa時溶劑之露點亦即23℃。 　　又，溶劑捕集網31之溫度，在基板W上的溶劑S之蒸發結束為止之間，係被維持於在各時刻的腔室10內之壓力時溶劑S之露點以下。 　　[0040] 因此，基板W氣化的溶劑可以藉由溶劑捕集網31高效率地進行捕集，因此腔室10內之氣體狀的溶劑之濃度被維持於低濃度。因此，可以快速除去基板W上的溶劑。 　　[0041] 基板W上的溶劑S之除去結束之後亦繼續排氣裝置40之渦輪分子泵的排氣。係為了將溶劑捕集網31捕集到的溶劑從該溶劑捕集網31除去之緣故。 　　[0042] 如上述般繼續渦輪分子泵的排氣，則基於腔室10之頂板12或基板W等之輻射熱，導致熱容量較小的溶劑捕集網31之溫度上升。具體而言，在基板W上的溶劑S之蒸發結束後5分鐘以內，如圖4之點P4及圖3(D)所示，溶劑捕集網31之溫度上升至該時刻的腔室10之壓力(0.05Pa)時的溶劑之露點以上之18~23℃。因此，可以使溶劑由溶劑捕集網31快速除去/脫離。 　　[0043] 又，自基板W上的溶劑S之蒸發結束至溶劑捕集網31之溫度成為該時刻的腔室10之壓力中的溶劑之露點以上為止的時間較佳為5分鐘以內。若大於5分鐘，則溶劑捕集網31的溶劑之脫離結束為止需要長時間，會有節拍時間(TaktTime)變長問題。 　　又，自基板W上的溶劑S之蒸發結束至溶劑捕集網31之溫度成為該時刻的腔室10之壓力中的溶劑之露點以上為止的時間較佳為20秒以上。基板W上的溶劑S之蒸發開始起約10秒乾燥結束，因此溶劑捕集網31至少花10秒以上，較好是花20秒以上逐漸乾燥。若比20秒短，則基於被溶劑捕集網31吸附的溶劑氣化時該氣化的溶劑，有可能導致基板W上之乾燥的塗布膜熔化，或已氣化的溶劑被吸附於基板W。 　　[0044] 溶劑捕集網31之溫度如上述般自成為該時刻的腔室10之壓力中的溶劑之露點以上至經過規定時間為止，繼續渦輪分子泵的排氣，據此而結束從溶劑捕集網31除去溶劑的溶劑捕集網31之乾燥工程。 　　[0045] 溶劑捕集網31之乾燥工程結束後，停止排氣裝置40。之後，使腔室10內之壓力回復大氣壓之後，將基板W從腔室10搬出。如此而結束減壓乾燥裝置1的減壓乾燥處理。 　　[0046] 如上述說明，於減壓乾燥裝置1中，將熱容量較小的網狀板使用於溶劑捕集部30，因此在減壓乾燥處理時對溶劑捕集部30進行冷卻/加熱，因此無需設置其他機構。因此，減壓乾燥裝置1中，可以簡易構成縮短包含基板之乾燥所要的時間(以下稱為乾燥時間)與溶劑捕集網31之乾燥時間之雙方在內的處理時間。換言之，可以簡易構成短時間內進行基板上的溶劑之減壓乾燥處理及來自溶劑捕集部30的溶劑之脫離處理。 　　[0047] 又，減壓乾燥裝置1中，為了達成基板之乾燥時間的更進一步縮短，因此如上述般，溶劑捕集網31之溫度被設定為，在腔室10內之壓力成為基板W之溫度亦即室溫中的蒸氣壓以下之時刻、該時刻的壓力中的露點亦即室溫以下，進一步，在蒸發結束為止之間，被設定為各時刻的壓力中的露點以下。 　　另外，減壓乾燥裝置1中，為了達成溶劑捕集網31之乾燥時間的更進一步縮短，因此如上述般，溶劑捕集網31之溫度，在蒸發結束時起算5分鐘以內，被設定為該時刻的壓力中的露點以上。 　　[0048] 又，基板之乾燥時間在同一基板內均勻為較佳。未設置溶劑捕集網31之情況下，基板W之乾燥時間在同一基板內無法成為均勻，基板W之角部的乾燥時間比起中心的乾燥時間為短。因此，已乾燥的角部基於之後中心部蒸發的溶劑有可能熔化。 　　因此在減壓乾燥裝置1中，藉由設置溶劑捕集網31使乾燥時間在同一基板W內成為均勻。 　　[0049] 參照圖5說明減壓乾燥裝置1中乾燥時間在同一基板W內成為均勻的機制。圖5表示減壓乾燥裝置1之腔室10內之模式圖，圖5(A)及圖5(B)分別表示未設置溶劑捕集網31之情況與設置有溶劑捕集網31之情況之圖。又，圖5之腔室10內之灰色之各線係等濃度線，線越粗表示濃度越高。又，以下之說明中，若濃度相同則蒸發速度與基板W內之部位無關而為同一，溶劑捕集網31之溫度與該網31內之部位無關而設為一樣。 　　[0050] 依據菲克(Fick)第一定律，擴散流速與濃度梯度呈比例。 　　未設置溶劑捕集網31之情況下，上下方向的濃度梯度在基板W之上部面內成為不均勻。因此在基板W之上部擴散流速在基板W面內成為不均勻。因此，如圖5(A)所示，在基板W之上部氣體狀的溶劑之濃度成為不均勻，在同一基板W內乾燥時間存在偏差。 　　[0051] 另一方面，溶劑捕集網31以與基板W直接面對的方式設置之情況下，上下方向的濃度梯度，在腔室10內的基板W之上部面內成為均勻。因此在基板W之上部擴散流速在基板W面內成為均勻。因此，如圖5(B)所示，在基板W之上部基板的溶劑之濃度成為均勻，同一基板W內乾燥時間亦成為均勻。
接著，對溶劑捕集部30的溶劑捕集網31進行詳細說明。
上述說明中，溶劑捕集網31之每一單位面積之熱容量例如設為372J/K．m2。但是，溶劑捕集網31之每一單位面積之熱容量不限定於上述者，只要通過基於排氣的腔室10內之絕熱膨脹使該溶劑捕集網31之溫度下降，而且通過來自腔室10等之輻射熱使該溶劑捕集網31之溫度上升即可。因此，溶劑捕集網31之每一單位面積之熱容量可以是106~850J/K．m2。又，溶劑捕集網31之板厚為0.05mm，開口率為80%時的每一單位面積之熱容量為106J/K．m2，溶劑捕集網31之板厚為0.2mm，開口率為60%時的每一單位面積之熱容量為850J/K．m2。
又，如上述說明，溶劑捕集網31被支撐於基板W與頂板12之間之位置。更具體而言，被支撐於自基板W之上面至溶劑捕集網31之厚度方向之中心的距離成為自基板W之上面至腔室10之頂板12之下面的距離之40~60%的位置。減壓排氣時的氣體之膨脹率亦即絕熱膨脹引起的冷卻強度依上下方向的位置而不同，和其他位置比較，在成為上述40~60%的位置比較大。因此透過支撐於該位置可以大幅冷卻溶劑捕集網31，又，真空下的腔室10向溶劑捕 集網31之輻射熱引起的加熱與彼等之間之距離無關，因此可以快速除去來自基板W的溶劑。
圖6係說明構成溶劑捕集網31的網狀板之較佳的加工方法之斷面圖。如上述說明，網狀的溶劑捕集網31係由藉由冷切法加工的展伸金網形成。因此溶劑捕集網31如圖6(A)所示縱斷面成為四角形，上下面為平坦。
另一方面，網狀的溶劑捕集網31如圖6(B)所示藉由編織金屬線(wire)R來形成之情況下，金屬線R為圓筒斷面。又，金屬線R經由編織而重合的部分成為暗部(輻射被遮蔽部分)。因此上述編織之情況下，無法均勻地獲得來自上下之輻射，因此溶劑捕集網31之溫度難以上升。因此，溶劑捕集網31的溶劑之除去需要長時間。另外，編織金屬線R之情況下，金屬線R間之接觸部之摩擦容易產生微粒。
又，溶劑捕集網31如圖6(C)所示形成為對平板實施沖壓而形成有開口H的網狀之情況下，在縱斷面上下面不平坦。因此溶劑捕集網31難以接受來自腔室10之頂板之輻射熱，溶劑捕集網31的溶劑之除去需要長時間。又，沖壓加工之情況下會形成尖部而容易附著灰塵。另外，藉由沖壓形成開口H之情況下，無法增大開口率，因此冷卻時抽真空引起的氣流難以邊在溶劑捕集網31內擴散邊通過，即使冷卻溶劑捕集網31亦難以獲得效果。
但是，溶劑捕集網31由展伸金網形成之情況下，如上述般縱斷面成為四角形而且上下面平坦。因此展伸金網構成的溶劑捕集網31中，溶劑捕集網31容易接收來自腔室10之頂板之輻射熱，因此可於短時間除去吸附的溶劑。又，由展伸金網構成之情況下，未形成尖部，亦無灰塵之附著。另外，亦不存在金屬線之編織時的摩擦，因此不產生微粒。另外更進一步，展伸金網中可以提高開口率，因此冷卻時可以高效率地捕集溶劑。 　　又，溶劑捕集網31不限定於藉由冷切法製作的展伸金網，只要是在平板插入切口並藉由伸展加工之方法製作者即可以適合使用。 　　[0058] 溶劑捕集網31之厚度在上述說明中為0.1mm，但只要在0.05mm以上0.2mm以下即可。厚度為0.05mm以上即可容易加工，又，藉由將厚度設為0.2mm以下，可以抑制每一單位面積之熱容量，可以提高溶劑之吸附率。 　　[0059] 又，溶劑捕集網31之開口率在上述說明中設為65%，但只要是60%以上80%以下即可。開口率為60%以上即可以提高溶劑捕集網31的溶劑之捕集效率，開口率為80%以下即可容易加工。 　　[0060] (第2實施形態) 　　圖7係本發明第2實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的縱斷面圖。 　　圖7之減壓乾燥裝置1具備紅外線放射體50。 　　紅外線放射體50，係板狀構件，在腔室10之頂板12之下面側以面對溶劑捕集網31的形態設置。紅外線放射體50放射紅外線，由該紅外線放射體50對成為低溫的溶劑捕集網31進行加熱。 　　藉由設置該紅外線放射體50可以快速除去吸附於溶劑捕集網31的溶劑。 　　[0061] 紅外線放射體50在內部具有加熱器，在由基板蒸發溶劑時關閉上記加熱器，使溶劑捕集網31不被紅外線放射體50加熱。又，在紅外線放射體50設置加熱器之理由為，和在溶劑捕集網31設置同樣的加熱器相比可以簡單進行，另外，在溶劑捕集網31直接設置同樣的加熱器時溶劑捕集部30之熱容量增加，無法進行伴隨著減壓排氣的溶劑捕集網31之冷卻等。 　　[0062] 又，紅外線放射體50不限定於板狀構件，例如可以是圓筒狀構件等。又，欲使紅外線放射體50發揮黑體(black body)之作用時，對紅外線放射體50實施黑體化處理亦可。黑體化處理例如為塗布黑體塗料的處理，亦包含紅外線放射體50本身由黑體材料形成的處理。黑體材料之情況下，即使不具備加熱器時輻射率亦大，因此可以提升加熱溶劑捕集網31之效果。 　　[0063] (第3實施形態) 　　圖8係本發明第3實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成圖，圖8(A)係減壓乾燥裝置之構成之概略斷面圖，圖8(B)係減壓乾燥裝置內之構成之概略上面圖。圖8(A)中省略支撐溶劑捕集部30的構造體之圖示，圖8(B)中省略頂板12等之圖示。 　　[0064] 圖8之減壓乾燥裝置1之底板60係堵住本體部11之下側之開口者，在底板60之上側配設載置台20。又，在底板60，沿著載置台20之外周設有複數個開口60a。本例中，開口60a沿著載置台20之一邊設置3個，在沿著與上述一邊對向的邊設置3個。 　　[0065] 開口60a經由排氣管61連接於排氣裝置62。經由該開口60a可對減壓乾燥裝置1之腔室10內進行減壓。 　　排氣裝置62由真空泵構成，具體而言，將渦輪分子泵與乾式泵例如由上游側依序串聯連接而構成。該排氣裝置62相對於各開口60a各配設1個。 　　於排氣管61設有APC閥42。 　　[0066] 又，本實施形態之減壓乾燥裝置1具備使溶劑捕集部30乾燥用的另一溶劑捕集部70，該另一溶劑捕集部70係對被溶劑捕集部30暫時捕集後且氣化的溶劑進行暫時捕集者，係使腔室10內的溶劑枯乾者。以下有時將該另一溶劑捕集部70記載為枯乾用捕集部70，又，有時將溶劑捕集部30記載為基板乾燥用捕集部30。該枯乾用捕集部70在基板W上之溶液的溶劑之蒸發結束之後被設為比起基板乾燥用捕集部30低溫，據此而可以將被溶劑捕集部30暫時捕集後且氣化的溶劑進行暫時捕集。枯乾用捕集部70之尺寸或形狀雖與基板乾燥用捕集部30不同，但其材料可以使用和基板乾燥用捕集部30同樣者，例如和基板乾燥用捕集部30同樣具有由網狀板構成的溶劑捕集網(未圖示)。 　　[0067] 枯乾用捕集部70分別設置於從基板乾燥用捕集部30到達各排氣裝置62之空間。具體而言，枯乾用捕集部70係設置於作為堵住構件的APC閥42之下游，該APC閥42可以開閉自如地堵住配設有基板乾燥用捕集部30的空間與配設有排氣裝置62的空間之間。更具體而言，枯乾用捕集部70設置於排氣管61中的APC閥42之下游。 　　[0068] 接著，說明使用本實施形態之減壓乾燥裝置1的減壓乾燥處理。 　　使用本實施形態之減壓乾燥裝置1的減壓乾燥處理之中，至基板W之乾燥工程為止的工程係和使用第1實施形態之減壓乾燥裝置1的乾燥減壓處理者同樣因此省略其說明。 　　使用本實施形態之減壓乾燥裝置1的減壓乾燥處理中，和第1實施形態者同樣地，在基板W之乾燥工程時，藉由腔室10內被減壓排氣使腔室10內之氣體絕熱膨脹而被冷卻。藉由如此般冷卻後的腔室10內之氣體使基板乾燥用捕集部30及枯乾用捕集部70之溫度下降。此時，枯乾用捕集部70，在其周圍基於冷卻後的氣體之每一單位面積之流量較基板乾燥用捕集部30之周圍大，因此成為較基板乾燥用捕集部30低溫。 　　[0069] 雖然枯乾用捕集部70之溫度較基板乾燥用捕集部30之溫度低，但枯乾用捕集部70較遠離基板W，因此由基板W氣化的溶劑被基板乾燥用捕集部30捕集。 　　從基板W氣化的溶劑被基板乾燥用捕集部30捕集之進展而在基板W上的溶劑之除去結束之後，亦繼續排氣裝置62之渦輪分子泵的排氣。係為了是被基板乾燥用捕集部30捕集到的溶劑由該捕集部30被除去並使該捕集部30乾燥之故。該乾燥時，基於枯乾用捕集部70之溫度較基板乾燥用捕集部30之溫度低，因此由基板乾燥用捕集部30氣化的溶劑被枯乾用捕集部70捕集，因此基板乾燥用捕集部30周邊之氣體狀的溶劑被維持於低濃度。因此，可以快速除去基板乾燥用捕集部30上的溶劑並使乾燥。 　　[0070] 又，如上述般在基板W上的溶劑之除去結束之後亦繼續渦輪分子泵的排氣，因此如第1實施形態說明，基板乾燥用捕集部30之溫度基於來自腔室10之頂板12或基板W等之輻射熱而上升，但枯乾用捕集部70比起基板乾燥用捕集部30更遠離頂板12或基板W等，因此上述輻射熱引起的溫度之上升較緩慢。因此，枯乾用捕集部70與基板乾燥用捕集部30之溫度差擴大，可以從基板乾燥用捕集部30快速除去/脫離溶劑。 　　[0071] 從基板乾燥用捕集部30除去溶劑的基板乾燥用捕集部30之乾燥工程，例如藉由在規定時間內進行排氣裝置62之渦輪分子泵之排氣後結束。 　　[0072] 基板乾燥用捕集部30之乾燥工程結束後，關閉APC閥42。彼等可以將腔室10內之存在基板W的空間與存在枯乾用捕集部70的空間隔離。 　　接著，對腔室10內實施大氣淨化而並行進行將基板W搬出入的搬出入工程與使枯乾用捕集部70乾燥的乾燥工程。藉由如此般並行進行，可以大幅縮短使用本實施形態之減壓乾燥裝置1的減壓乾燥處理整體所要的時間。 　　[0073] 又，枯乾用捕集部70係以被來自排氣裝置62之渦輪分子泵之輻射熱加熱的方式配設於排氣管61。據此，可以促進來自枯乾用捕集部70的溶劑之氣化，因此可以縮短枯乾用捕集部70之乾燥結束為止的時間，據此，在搬出入工程結束為止之間可以確實結束枯乾用捕集部70之乾燥。又，利用來自排氣裝置62之渦輪分子泵之輻射熱，因此不必要另外的對枯乾用捕集部70進行加熱的手段，因此可以防止減壓乾燥裝置1之構成之複雜化及減壓乾燥裝置1之大型化。 　　[0074] (第4實施形態) 　　圖9係本發明第4實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成圖，表示減壓乾燥裝置之部分斷面。 　　[0075] 上述例中，作為本發明的「堵住構件」係使用APC閥42，但減壓乾燥裝置1之腔室10內之壓力若無需高精度調節時，可以使用其他作為「堵住構件」。 　　圖9之減壓乾燥裝置1中，係在腔室10內設置具有柵門81的堵住構件80作為「堵住構件」，該柵門81例如藉由鉸鏈方式開閉自如地堵住載置台20與腔室10之側壁11a之間。和使用APC閥42之情況比較，藉由使用堵住構件80可以低成本製作減壓乾燥裝置1。 　　[0076] 又，第3實施形態中，作為堵住構件之APC閥42係設於排氣管61，本實施形態中，堵住構件80則設於腔室10內。因此，可以將應配設於堵住構件之下游的枯乾用捕集部70配設於腔室10內，亦即和第3實施形態比較，可以接近基板乾燥用捕集部30進行配設。使枯乾用捕集部70接近基板乾燥用捕集部30進行配設，據此，可以藉由枯乾用捕集部70高效率地捕集從基板乾燥用捕集部30氣化的溶劑。 　　[0077] 另外，第3實施形態中，枯乾用捕集部70以其表面成為水平的方式設置，本實施形態中，其表面則以非水平且非垂直的方式傾斜地設置。在枯乾用捕集部70之最下部之下方且於底板90之上設置有接收托盤91。該接收托盤91用於接收被枯乾用捕集部70捕集而成為液體的溶劑，上述成為液體的溶劑係沿著枯乾用捕集部70之傾斜之面/傾斜面移動，從該捕集部70之最下部掉落至接收托盤91。 　　[0078] 接收托盤91接收的液體狀的溶劑被氣化，並藉由排氣裝置62排出至腔室10之外部而構成。在這樣的構成中，接收托盤91可以藉由對該接收托盤91進行加熱的加熱機構來加熱，因此可以促進接收托盤91接收的液體狀的溶劑之氣化，因此，可以將腔室10內的溶劑快速地排出至腔室10之外部。 　　[0079] (第5實施形態) 　　圖10係本發明第5實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成圖，表示減壓乾燥裝置之部分斷面。 　　[0080] 圖10之減壓乾燥裝置1中，係在腔室10內設置具有柵門101的堵住構件100作為「堵住構件」，該柵門101可以開閉自如地堵住載置台20與腔室10之頂板12之間。藉由柵門101沿著鉛直方向，亦即沿著上下移動可以開閉自如地堵住載置台20與腔室10之頂板12之間。藉由使用堵住構件100，除可以獲得和第4實施形態同樣的效果以外，可以獲得以下之效果。 　　亦即在使用堵住構件100的構成中，可以使枯乾用捕集部70之至少一部分位於比載置台20之上面更上側。因此，枯乾用捕集部70與基板乾燥用捕集部30之距離接近，因此可以藉由枯乾用捕集部70高效率地捕集從基板乾燥用捕集部30氣化的溶劑。 　　[0081] 又，本實施形態中，枯乾用捕集部70係以朝鉛直方向延伸的方式配設該枯乾用捕集部70。因此，和第4實施形態比較，本實施形態中可以縮短腔室10之側壁11a與載置台20之距離，亦即可以防止腔室10之大型化。 　　[0082] 又，第4及第5實施形態中，枯乾用捕集部70係以被來自排氣裝置62之渦輪分子泵之輻射熱加熱的方式配設。 　　又，圖9及圖10之例中，通往排氣裝置62的排氣管61係設於腔室10之側壁11a，但亦可以設於底板90。但是，藉由將排氣裝置62設於側壁11a，則即使大量貯留於枯乾用捕集部70的溶劑意外成為液滴掉落至下方，液滴不致於落入排氣裝置62內部，因此排氣裝置62之破損風險非常低。 　　[0083] 又，對接收托盤91進行加熱的加熱機構，和在基板乾燥用捕集部30設置同樣的加熱機構比較，可以非常簡單進行。 　　又，第4及第5實施形態中的柵門81、101之開閉係由減壓乾燥裝置1之前述控制部進行控制。 　　又，使用第4及第5實施形態之減壓乾燥裝置1的減壓乾燥處理，係和第3實施形態的減壓乾燥處理大致相同，因此省略其說明。 　　[0084] 以上之說明中，同時進行枯乾用捕集部70之乾燥工程與基板W之搬出入工程，但在枯乾用捕集部70之乾燥工程結束後，進行基板W之搬出入工程亦可。該情況下，無需將枯乾用捕集部70設於APC閥42等之堵住構件之下游側，將枯乾用捕集部70設於上述堵住構件之上游側亦可。又，如此般設於上游側之情況下，亦使堵住構件與枯乾用捕集部70接近排氣裝置62之渦輪分子泵進行配設，藉由來自該泵之輻射熱對枯乾用捕集部70進行加熱，可以快速地氣化並除去該捕集部70所捕集到的溶劑。 　　[0085] 又，為了使枯乾用捕集部70快速捕集溶劑，使枯乾用捕集部70捕集到的溶劑快速氣化並除去，可以在減壓乾燥裝置1之構成不致於變為複雜之範圍內，將冷卻機構或加熱機構組合於枯乾用捕集部70。 　　[0086] (第1參考實施形態) 　　圖11係第1參考實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的縱斷面圖。又，該圖中，關於枯乾用捕集部僅示出設置該捕集部之位置。 　　第3~第5實施形態中，基本上枯乾用捕集部70不具有對該捕集部70進行冷卻及/或冷卻的冷卻/加熱機構，但第1參考實施形態的圖11之減壓乾燥裝置200中，枯乾用捕集部210具有對該捕集部210進行冷卻及加熱的冷卻加熱機構。 　　[0087] 圖12係具有冷卻加熱機構的枯乾用捕集部210之例之說明用縱斷面圖。 　　[0088] 圖12(A)之枯乾用捕集部210之冷卻加熱機構具有可以切換為流入冷卻之冷媒與加熱之冷媒的複數個冷媒管211。各冷媒管211由導熱性佳的材料形成，例如為銅製。複數個冷媒管211由側面觀察時以成為中央變高的山型的方式配設，於各冷媒管211之上部藉由熔接等固定有對溶劑進行捕集的金屬製之平板212。各平板212，係以被該平板212捕集而成為液體的溶劑沿著平板212流向外側的方式，相互之一部分重疊，在固定狀態中呈非水平地傾斜。雖省略圖示，該構造中較好是將具有加熱機構的接收托盤(參照圖9之符號91)一個個設置於枯乾用捕集部210之外側方。 　　[0089] 圖12(B)之枯乾用捕集部210之冷卻加熱機構中，複數個冷媒管211係以側面觀察時成為中央變低的谷型的方式配設。固定於冷媒管211之上部的各平板212，係以被該平板212捕集而成為液體的溶劑沿著平板212流向內側的方式，相互之一部分重疊，在固定狀態中非水平地傾斜。雖省略圖示，該構造中較好是將具有加熱機構的接收托盤(參照圖9之符號91)一個個設置於枯乾用捕集部210之中央。 　　[0090] 圖12(C)之枯乾用捕集部210之冷卻加熱機構中，複數個冷媒管211由側面觀察時平行地被配設，該機構中，溶劑被冷媒管211捕集而成為液體。又，該機構中，接受被冷媒管211捕集而成為液體的溶劑之側面觀察時為w字型之接收托盤213，係藉由熔接等固定於各冷媒管211之下部。 　　[0091] 圖12(D)之枯乾用捕集部210之冷卻加熱機構中，複數個冷媒管211由側面觀察時平行地被配設，於彼等冷媒管211藉由熔接等固定有金屬製之網狀構件214，溶劑被網狀構件214等捕集。 　　[0092] (第2參考實施形態) 　　圖13係第2參考實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的縱斷面圖。 　　圖13之減壓乾燥裝置200，於排氣管61卷繞著作為冷卻加熱機構之冷媒管211，排氣管61作為枯乾用捕集部210之功能。 　　[0093] 以上之第1及第2參考實施形態中，枯乾用捕集部具有冷卻加熱機構，因此可以快速乾燥基板乾燥用捕集部，而且可以快速乾燥枯乾用捕集部，可以使腔室內的溶劑之濃度快速地下降至所要之值。 　　又，以上之例中，冷媒管可以切換冷卻之冷媒與加熱之冷媒而流入，但亦可以是僅流入其中之一方者。又，冷卻加熱機構亦可以是將流入冷卻之冷媒的冷媒管與流入加熱之冷媒的冷卻管例如交替配設者。 　　[0094] (第3參考實施形態) 　　圖14係第3參考實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的縱斷面圖。 　　圖14之減壓乾燥裝置200具有：具有冷卻加熱機構的枯乾用捕集部210；及同樣具有冷卻加熱機構的基板乾燥用捕集部220。作為基板乾燥用捕集部220之冷卻加熱機構，可以採用和習知同樣者。該減壓乾燥裝置200中，亦可以將減壓乾燥處理所要的時間充分縮短。 　　[0095] 以上之說明中，排氣裝置具有渦輪分子泵，但枯乾用捕集部之吸附能力與渦輪分子泵之排氣能力為同等之情況下，排氣裝置僅具有乾式泵之構成亦可，該構成中，基板乾燥結束為止的時間亦可以和具有渦輪分子泵的構成同樣。排氣裝置僅具有乾式泵之構成之情況下，較好是在基板W之乾燥時藉由載置台20加熱基板W之溫度，而且將枯乾用捕集部70設於前述堵住構件之下游且在基板乾燥用捕集部30之乾燥後關閉上述堵住構件，對枯乾用捕集部70進行加熱。 　　[0096] (其他實施形態) 　　本發明之實施形態的減壓乾燥裝置較好是具備藉由冷卻或加熱以外之方法將減壓排氣時的溶劑捕集網之最低溫度進行調節的溫度調節機構。藉由對減壓排氣時的溶劑捕集網之最低溫度進行調節，可以調節被溶劑捕集網吸附的溶劑之吸附效率亦即基板之乾燥時間，或除去來自溶劑捕集網的溶劑的時間。 　　[0097] 上述溫度調節機構，例如係對APC閥(參照圖1之符號42)之開度進行調節而調節乾式泵的排氣速度，據此，而對溶劑捕集網之最低溫度進行調節者。但是，溫度調節機構不限定於該形態。例如減壓排氣時的絕熱膨脹所致的冷卻強度，係按溶劑捕集網位於腔室之頂板與基板之間之那一位置而不同，因此在基板之乾燥工程時，藉由設於載置台的升降銷調節基板之上下方向之位置，來調節溶劑捕集網之最低溫度亦可。又，另外設置對溶劑捕集網之上下方向之位置進行調節的機構，藉由該上下方向之位置調整來調節溶劑捕集網之最低溫度亦可。 [實施例] 　　[0098] 實施例1係和圖1之減壓乾燥裝置1具有同等之構成構件者，對以噴墨方式塗布有溶液的2200mm×2500 mm之玻璃基板實施減壓乾燥處理。又，實施例1中，作為溶劑捕集部30的溶劑捕集網31，係將12片2200mm×200mm之展伸金網並排使用。上述展伸金網之材質為不鏽鋼(SUS316 BA)，網厚為0.1mm，開口率為65%，單位質量為0.61kg/m2 。 　　又，實施例1中，將溶劑捕集網31支撐於基板W與腔室10之頂板12間之中間位置。此時的支撐構造，係具有設於腔室10之頂板12之兩端的腳部，具有分別設於該腳部的相互平行的長尺之支撐構件(支柱)，藉由螺栓將各展伸金網固定於該支撐構件者。 　　另外，實施例1中，在腔室10內之壓力成為10Pa為止藉由乾式泵進行減壓排氣，以後則藉由渦輪分子泵進行排氣。 　　[0099] 比較例1不具有溶劑捕集部30，溶劑捕集部30相關的構成以外之構成則和實施例1同樣。 　　[0100] 比較例2中，和溶劑捕集網31同樣地對溶劑進行捕集的構件係由冲孔金属板(punching metal)形成。該冲孔金属板之水平方向之尺寸和實施例1同樣，但開口率為34%，厚度為0.2mm。假設由展伸金網形成的溶劑捕集網31之體積為1時，由該冲孔金属板形成的溶劑捕集構件之體積為3.6。亦即，比較例2中，對溶劑進行捕集的構件之熱容量較實施例1為大。除了對溶劑進行捕集的構件之構成以外，比較例2與實施例1之構成為同樣。 　　[0101] 比較例1中，基板之乾燥時間在基板中央附近為103秒，在基板之角部為92秒。 　　[0102] 另一方面，實施例1中，基板之乾燥時間在基板中央附近為71秒，在基板之角部為67秒。由此可知，和比較例1比較，實施例1中可以縮短基板之乾燥時間，另外，亦確認了在同一基板內乾燥時間成為均勻。又，實施例1中，乾燥工程時溶劑捕集網31之中央部分之最低溫度為8℃。 　　[0103] 相對於此，比較例2中，乾燥工程時溶劑捕集構件之中央部分之最低溫度為18℃，確認了比室溫降低。但是，基板之乾燥時間及其均勻性和比較例1同樣。由此可知，冲孔金属板形成的溶劑捕集構件之吸附效果不被認可。 　　[0104] 圖15~圖17係實施例1的溶劑捕集網31之中央附近之溫度及腔室10內之壓力的時間變化圖。圖8~圖10中，橫軸係時間，縱軸係溫度或壓力。 　　如圖15所示，實施例1中，伴隨著乾式泵的減壓排氣引起的絕熱膨脹，使溶劑捕集網31之中央附近之溫度單調遞減至8℃。又，成為8℃時的腔室10內之壓力為2×103 Pa。 　　之後，溶劑捕集網31之中央附近之溫度基於來自腔室10之輻射熱等而由8℃上升。但是，在由乾式泵的減壓排氣切換為渦輪分子泵的減壓排氣之後，在腔室10內之壓力到達基板之溫度亦即室溫溫度中的溶劑之蒸氣壓(0.2Pa)的時刻T1，溶劑捕集網31之中央附近之溫度為該時刻T1的腔室10內之壓力中的露點亦即室溫以下的14℃。 　　[0105] 又，如圖16所示，截至基板上的溶劑之蒸發結束的時刻T2亦即截至腔室10內之壓力成為0.1Pa的時刻為止，溶劑捕集網31之中央附近之溫度被維持於各時刻的腔室10內之壓力中的溶劑S之露點以下。 　　[0106] 基板W上的溶劑S之蒸發結束，排氣裝置40之渦輪分子泵的排氣繼續之期間，如圖17所示，溶劑捕集網31之中央附近之溫度基於來自腔室10之頂板12之輻射熱等而上下移動。但是，在基板上的溶劑之蒸發結束後5分鐘以內亦即排氣開始起220秒後的時刻T3，溶劑捕集網31之溫度上升至該時刻T3之腔室10之壓力(0.03Pa)中的溶劑之露點(15℃)以上的16℃。 　　[0107] 圖18表示實施例1的溶劑捕集網31之各部分中的溫度之時間變化及腔室10內之壓力之時間變化圖。圖中，橫軸表示時間，縱軸表示溫度。又，以下之說明中，溶劑捕集網31之中央附近、長邊部分中的中央附近、角部分別為圖2(B)之點P11、P12、P13所示的部分。 　　[0108] 溶劑捕集網31之中央附近P11之溫度，如圖18所示，係伴隨腔室10內之壓力被減壓而減少。 　　溶劑捕集網31之長邊部分中的中央附近P12之溫度或角部P13之溫度亦伴隨腔室10內之壓力被減壓而減少，但彼等溫度之減少率小於溶劑捕集網31之中央附近P11之溫度之減少率，尤其是角部P13之溫度最低也有17℃。如此般溶劑捕集網31之溫度無法均勻的理由可以推測為，在長邊部分中的中央附近P12或角部P13附近，伴隨減壓排氣的膨脹率較小而溫度難以下降，或者基於排氣傳導(exhaust-air conductance)之關係，和長邊部分中的中央附近P12比較，膨脹冷卻的空氣在角部P13中較難流動等。 　　[0109] 如上述說明，溶劑捕集網31之溫度分布為中央附近P11之溫度較低、角部P13較高的分布之情況下，可以推測為在減壓乾燥處理對象之基板之上面中氣體狀的溶劑之濃度成為在基板之中央附近變低、在基板之角部變低，因此在同一基板中，中心部分之乾燥時間比角部之乾燥時間快，乾燥時間成為不均勻。但是，如前述說明，實施例1的乾燥時間成為均勻。如此般乾燥時間成為均勻之理由在於，即使基板上面(上空)中的氣體狀的溶劑之濃度均勻之情況下，基板之乾燥時間在基板之角部會比在基板之中央附近快。 [產業上之可利用性] 　　[0110] 本發明可以使用在對以噴墨方式塗布有溶液的基板進行減壓乾燥的技術。
[0111]
1‧‧‧減壓乾燥裝置
10‧‧‧腔室
11‧‧‧本體部
12‧‧‧頂板
13‧‧‧底板
13a‧‧‧排氣口狹縫
20‧‧‧載置台
30‧‧‧溶劑捕集部(基板乾燥用捕集部)
31‧‧‧該溶劑捕集網
31‧‧‧溶劑捕集網
31a‧‧‧展伸金網
32‧‧‧框體
32a‧‧‧耳部
33‧‧‧腳部
40‧‧‧排氣裝置
42‧‧‧APC閥
50‧‧‧紅外線放射體
70‧‧‧另一溶劑捕集部(枯乾用捕集部)
[0015] 　　[圖1] 本發明第1實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的圖。 　　[圖2] 溶劑捕集部之安裝構造之說明圖。 　　[圖3] 使用圖1之減壓乾燥裝置的減壓乾燥處理之說明圖。 　　[圖4] 表示塗布於基板W的溶液的溶劑之蒸氣壓曲線的圖。 　　[圖5] 表示減壓乾燥裝置之腔室內之模式的圖。 　　[圖6] 對構成溶劑捕集網的網狀板之較佳的加工方法進行說明的斷面圖。 　　[圖7] 表示本發明第2實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的縱斷面圖。 　　[圖8] 表示本發明第3實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的圖。 　　[圖9] 表示本發明第4實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的圖。 　　[圖10] 表示發明第5實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的圖。 　　[圖11] 表示第1參考實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的縱斷面圖。 　　[圖12] 具有冷卻加熱機構的枯乾用捕集部之例的說明圖。 　　[圖13] 表示第2參考實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的縱斷面圖。 　　[圖14] 表示第3參考實施形態的減壓乾燥裝置之概略構成的縱斷面圖。 　　[圖15] 實施例1的溶劑捕集網之中央附近之溫度及腔室內之壓力之時間變化圖。 　　[圖16] 實施例1的溶劑捕集網之中央附近之溫度及腔室內之壓力之時間變化圖。 　　[圖17] 實施例1的溶劑捕集網之中央附近之溫度及腔室內之壓力之時間變化圖。 　　[圖18] 實施例1的溶劑捕集網之各部分中的溫度之時間變化及腔室內之壓力之時間變化圖。

Claims (21)

  1. 一種減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下對收納於腔室內的基板上之溶液進行乾燥者，其特徵為：具備溶劑捕集部，其由網狀板形成，而且用於暫時捕集從上述基板氣化的上述溶液中的溶劑，上述溶劑捕集部係在上述腔室內與上述基板對向而設置，在上述腔室內之壓力被減壓至上述基板之溫度中的上述溶劑之蒸氣壓以下的時刻，藉由伴隨著減壓而絕熱膨脹的上述腔室內之氣體使該溶劑捕集部之溫度被冷卻至該時刻的上述腔室之壓力中的上述溶劑之露點以下，在上述基板上之溶液的溶劑之蒸發結束為止之期間，該溶劑捕集部之溫度被維持於各時刻的上述腔室內之壓力中的上述溶劑之露點以下，在上述基板上之溶液的溶劑之蒸發結束後5分鐘以內，藉由來自上述腔室之輻射熱，使該溶劑捕集部之溫度成為該時刻的上述腔室之壓力中的上述溶劑之露點以上。
  2. 一種減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下對收納於腔室內的基板上之溶液進行乾燥者，其特徵為：具備溶劑捕集部，其由網狀板形成，而且用於暫時捕集從上述基板氣化的上述溶液中的溶劑，上述溶劑捕集部在上述腔室內與上述基板對向而設置，上述網狀板之開口率為60%以上80%以下，每1m2之熱容量為106~850J/K。
  3. 如申請專利範圍第2項之減壓乾燥裝置，其中上述網狀板之厚度為0.05mm以上0.2mm以下。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之減壓乾燥裝置，其中上述網狀板係對金屬板進行冷切而製造的展伸金網。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之減壓乾燥裝置，其中上述網狀板為不鏽鋼製。
  6. 如申請專利範圍第2或3項之減壓乾燥裝置，其中上述基板至上述溶劑捕集部之間的距離，係上述基板至上述腔室之頂板之間的距離之40%以上60%以下。
  7. 如申請專利範圍第2或3項之減壓乾燥裝置，其中於上述腔室內設置有紅外線放射體。
  8. 一種減壓乾燥裝置，係在減壓狀態下對收納於腔室內的基板上之溶液進行乾燥者，其特徵為：具備溶劑捕集部，其由網狀板形成，而且用於暫時捕集從上述基板氣化的上述溶液中的溶劑，上述溶劑捕集部在上述腔室內與上述基板對向而設置，上述基板至上述溶劑捕集部之間的距離，係上述基板至上述溶劑捕集部之上部之構造物之間的距離之40%以上60%以下。
  9. 如申請專利範圍第8項之減壓乾燥裝置，其中上述網狀板之厚度為0.05mm以上0.2mm以下。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之減壓乾燥裝置，其中上述網狀板係對金屬板進行冷切而製造的展伸金網。
  11. 如申請專利範圍第8或9項之減壓乾燥裝置，其中上述網狀板為不鏽鋼製。
  12. 如申請專利範圍第8或9項之減壓乾燥裝置，其中於上述腔室內設置有紅外線放射體。
  13. 如申請專利範圍第1、2、3、8、或9項之減壓乾燥裝置，其中具備：另一溶劑捕集部，其連接於使上述腔室成為減壓狀態的排氣裝置，設於自上述溶劑捕集部到達上述排氣裝置的空間；上述另一溶劑捕集部，被設為比上述溶劑捕集部低溫，且將暫時被上述溶劑捕集部捕集後氣化的溶劑進行暫時捕集。
  14. 一種減壓乾燥裝置，係藉由排氣裝置將腔室設為減壓狀態而對收納於上述腔室內的基板上之溶液進行乾燥者，其特徵為具備：溶劑捕集部，其在上述腔室內與上述基板對向而設置，用於暫時捕集從上述基板氣化的上述溶液中的溶劑；及另一溶劑捕集部，設於從該溶劑捕集部到達上述排氣裝置的空間；上述另一溶劑捕集部，係設為較上述溶劑捕集部低溫，且對暫時被上述溶劑捕集部捕集後氣化的溶劑進行暫時捕集。
  15. 如申請專利範圍第14項之減壓乾燥裝置，其中上述另一溶劑捕集部具有冷卻加熱機構，用於冷卻該另一溶劑捕集部。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之減壓乾燥裝置，其中上述另一溶劑捕集部具有冷卻加熱機構，用於加熱該另一溶劑捕集部。
  17. 如申請專利範圍第14項之減壓乾燥裝置，其中上述排氣裝置具有渦輪分子泵；上述另一溶劑捕集部被來自上述渦輪分子泵之輻射熱加熱。
  18. 如申請專利範圍第14、15、或17項之減壓乾燥裝置，其中具備：堵住構件，用於開閉自如地堵住配設有上述溶劑捕集部的空間與配設有上述排氣裝置的空間之間；上述另一溶劑捕集部設於上述堵住構件之下游。
  19. 如申請專利範圍第18項之減壓乾燥裝置，其中上述堵住構件，係自動壓力控制閥，且設於連接上述腔室與上述排氣裝置的排氣管。
  20. 如申請專利範圍第18項之減壓乾燥裝置，其中上述腔室，係在底板上之中央具有載置上述基板的載置台；上述堵住構件具有柵門，用於開閉自如地堵住上述載置台與上述腔室之側壁之間。
  21. 如申請專利範圍第18項之減壓乾燥裝置，其中上述腔室，係在底板上之中央具有載置上述基板的載置台；上述堵住構件具有柵門，用於開閉自如地堵住上述載置台與上述腔室之頂板之間。
TW106131914A 2016-09-30 2017-09-18 減壓乾燥裝置 TWI666418B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-192668 2016-09-30
JP2016192668 2016-09-30
JP2017-080486 2017-04-14
JP2017080486A JP6909617B2 (ja) 2016-09-30 2017-04-14 減圧乾燥装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201823652A TW201823652A (zh) 2018-07-01
TWI666418B true TWI666418B (zh) 2019-07-21

Family

ID=61907583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106131914A TWI666418B (zh) 2016-09-30 2017-09-18 減壓乾燥裝置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6909617B2 (zh)
KR (1) KR102023817B1 (zh)
TW (1) TWI666418B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6920131B2 (ja) * 2017-08-10 2021-08-18 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
JP7076135B2 (ja) 2018-07-27 2022-05-27 株式会社Joled 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP7285125B2 (ja) * 2019-04-16 2023-06-01 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
JP7214550B2 (ja) * 2019-04-19 2023-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎ Ｓｐｅ テック 乾燥装置
JP7316095B2 (ja) * 2019-05-21 2023-07-27 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置
CN111129360B (zh) * 2019-12-25 2023-02-07 Tcl华星光电技术有限公司 一种真空干燥装置及显示基板干燥方法
KR102623465B1 (ko) * 2020-11-27 2024-01-10 주식회사 선익시스템 기판 감압 건조 장치
WO2022234716A1 (ja) * 2021-05-06 2022-11-10 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置、減圧乾燥処理方法、減圧乾燥処理の所要時間の短縮方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050229427A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Shinichi Sugimoto Reduced pressure drying apparatus and reduced pressure drying method
JP2010169308A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Panasonic Corp 乾燥装置
CN104051674A (zh) * 2013-03-14 2014-09-17 东京毅力科创株式会社 干燥装置及干燥处理方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS571782A (en) 1980-06-03 1982-01-06 Canon Inc Ink recovering apparatus for ink jet recorder
EP1632740A3 (en) * 1995-09-18 2011-04-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for controlling a processing environment
JP4940857B2 (ja) 2006-09-26 2012-05-30 凸版印刷株式会社 有機機能性素子の製造方法
JP2010062115A (ja) * 2008-09-08 2010-03-18 Canon Inc 機能性膜の製造方法
JP6328434B2 (ja) * 2013-03-14 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP6114636B2 (ja) * 2013-06-06 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置及び乾燥処理方法
JP6189161B2 (ja) * 2013-09-27 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置、乾燥処理方法、基板ホルダ及び溶媒吸着シート

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050229427A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Shinichi Sugimoto Reduced pressure drying apparatus and reduced pressure drying method
JP2010169308A (ja) * 2009-01-22 2010-08-05 Panasonic Corp 乾燥装置
CN104051674A (zh) * 2013-03-14 2014-09-17 东京毅力科创株式会社 干燥装置及干燥处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6909617B2 (ja) 2021-07-28
TW201823652A (zh) 2018-07-01
KR102023817B1 (ko) 2019-11-04
KR20180036593A (ko) 2018-04-09
JP2018059697A (ja) 2018-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI666418B (zh) 減壓乾燥裝置
KR101994874B1 (ko) 건조 장치 및 건조 처리 방법
JP6328434B2 (ja) 乾燥装置及び乾燥処理方法
CN107878044B (zh) 减压干燥装置
JP7316095B2 (ja) 減圧乾燥装置
WO2005116758A2 (en) Cleaning a mask substrate
TWI766997B (zh) 減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法
JP6920131B2 (ja) 減圧乾燥装置
JP7285125B2 (ja) 減圧乾燥装置
JP2005085814A (ja) 減圧乾燥装置、減圧乾燥方法及び捕集装置
TWI837341B (zh) 減壓乾燥裝置
WO2022234716A1 (ja) 減圧乾燥装置、減圧乾燥処理方法、減圧乾燥処理の所要時間の短縮方法
JP2022172679A (ja) 減圧乾燥装置、減圧乾燥処理方法、減圧乾燥処理の所要時間の短縮方法
JP2022172691A (ja) 減圧乾燥装置、減圧乾燥処理方法、減圧乾燥処理の所要時間の短縮方法
JP2022172684A (ja) 減圧乾燥装置、減圧乾燥処理方法、減圧乾燥処理の所要時間の短縮方法
JP2009524222A (ja) 円板状の基板の脱ガスをする装置
JP2021167696A (ja) 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法
JP2022170308A (ja) 減圧乾燥装置及び減圧乾燥処理方法
JP5812753B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法