TWI648159B - Resin layer removal method - Google Patents

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TWI648159B
TWI648159B TW104113981A TW104113981A TWI648159B TW I648159 B TWI648159 B TW I648159B TW 104113981 A TW104113981 A TW 104113981A TW 104113981 A TW104113981 A TW 104113981A TW I648159 B TWI648159 B TW I648159B
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種樹脂層之除去方法，其係除去配置於玻璃基板上之樹脂層者，且具有使鹼濃度為15質量%以上且含有式(1)所表示之化合物3質量%以上之鹼水溶液與樹脂層接觸而除去樹脂層的步驟，RO-(LO)n-H 式(1)
式(1)中，R表示烷基，L表示伸烷基，n表示1以上之整數。

Description

樹脂層之除去方法
本發明係關於一種自於玻璃基板上附著樹脂層而成之複合體除去樹脂層的樹脂層之除去方法。
近年來，進行太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL(electroluminescence，電致發光)面板(OLED)等電子裝置(電子機器)之薄型化、輕量化。作為謀求該電子裝置之薄型化或輕量化之方法之一，進行用於電子裝置之玻璃基板之薄板化。
但是，若玻璃基板之強度因薄板化而不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之處理性降低。
為解決此種問題，最近提出如下方法：其係製作積層薄板玻璃基板及成為補強板之複合體而成之玻璃積層體，於玻璃積層體之薄板玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用零件後，將薄板玻璃基板與複合體分離(參照專利文獻1)。
複合體具有成為支持基板之玻璃基板、及形成於該支持基板上之樹脂層(例如聚矽氧樹脂層)。將要於其表面形成電子裝置用零件之薄板玻璃基板係可剝離地積層、貼合於該複合體之樹脂層。
自玻璃積層體剝離薄板玻璃基板而獲得之複合體可再次將新薄板玻璃基板積層、貼合而再利用。
此處，複合體因伴隨電子裝置用零件之製造之加熱或液體處理、與薄板玻璃基板之剝離/貼合等，根據再利用之次數，樹脂層逐漸劣 化。若樹脂層劣化，則會產生無法獲得與薄板玻璃基板之必需之接著力，劣化之樹脂附著於薄板玻璃基板等不良情況。
於複合體之樹脂層劣化之情形時，必須自支持基板剝離樹脂層，再次形成樹脂層。
又，亦考慮無論樹脂層之劣化是否進行，均自支持基板剝離樹脂層，作為複合體以外之其他玻璃板製品使用。
作為自支持基板剝離樹脂層之方法，可列舉專利文獻2記載之方法。
該方法首先係進行將樹脂層暴露於300~450℃之大氣、或350~600℃之惰性環境、或150~350℃之水蒸氣中之熱處理步驟。繼而，進行藉由利用藥液或研磨劑之研磨將熱處理後之樹脂層除去之清洗步驟。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2007/018028號
[專利文獻2]國際公開第2011/111611號
根據該專利文獻2記載之樹脂層之除去方法，藉由熱處理步驟使樹脂層分解後，進行樹脂層之除去。因此，可利用使用藥液使樹脂層溶解或膨潤並且藉由毛刷洗掉之方法、或使用分散有研磨劑之分散液削去樹脂層並且藉由毛刷洗掉之方法等，不損壞支持基板而容易地自支持基板除去樹脂層。
另一方面，於該方法中，必需於300~450℃之大氣中、350~600℃之惰性環境或150~350℃之水蒸氣中之熱處理步驟。
因此，具有樹脂層之除去費時費力、為實現熱處理而設備規模較 大、生產性不佳、成本較高等缺點。
本發明之目的在於解決此種先前技術之問題點，在於提供一種樹脂層之除去方法，其於自在玻璃基板上形成樹脂層而成之複合體除去樹脂層時，可不進行高溫下之熱處理而自玻璃基板除去樹脂層，藉此，可不謀求設備之較大之變更而使處理簡便化，謀求玻璃基板之再利用中之生產性之提昇或處理成本之降低等。
本發明者等人為解決上述問題而進行努力研究，結果完成了本發明。
即，本發明之第1態樣係一種樹脂層之除去方法，其係除去配置於玻璃基板上之樹脂層者，且具有使鹼濃度為15質量%以上且含有下述式(1)所表示之化合物3質量%以上之鹼水溶液與樹脂層接觸而除去樹脂層的步驟。
於第1態樣中，較佳為樹脂層為聚矽氧樹脂層。
於第1態樣中，較佳為式(1)中之L為三亞甲基、伸丙基或伸乙基，n為1~3之整數。
於第1態樣中，較佳為式(1)所表示之化合物為丙二醇單乙醚或二丙二醇單甲醚。
於第1態樣中，較佳為鹼濃度為18質量%以上。
於第1態樣中，較佳為樹脂層之厚度為0.1~100μm。
於第1態樣中，較佳為於鹼水溶液中包含選自由氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰所組成之群中之至少1種。
於第1態樣中，較佳為鹼水溶液之溫度為5~50℃。
於第1態樣中，較佳為鹼水溶液與樹脂層之接觸時間為0.1~24小時。
於第1態樣中，較佳為用於除去自依序具有玻璃基板、樹脂層、 薄板玻璃基板及電子裝置用零件之積層體以樹脂層與薄板玻璃基板之界面作為剝離面進行分離所獲得之具有玻璃基板及樹脂層的複合體中之樹脂層。
本發明之第2態樣係一種玻璃基板之製造方法，其係實施第1態樣之樹脂層之除去方法而製造玻璃基板。
根據本發明，於作為支持基板之玻璃基板上形成樹脂層而成之複合體可不進行高溫下之熱處理而自玻璃基板除去樹脂層。
因此，根據本發明，可不謀求設備之較大之變更而使處理簡便化，謀求複合體之支持基板之再利用中之生產性之提昇或處理成本之降低等。
以下，對本發明之樹脂層之除去方法(玻璃基板之製造方法)進行詳述。
於本發明中，發現如下方法：藉由使包含特定之成分之鹼水溶液與樹脂層接觸，而與專利文獻2不同，即便不實施事先之加熱處理亦可容易地除去樹脂層。
作為清洗之對象，可列舉具備玻璃基板及配置於玻璃基板上之樹脂層之複合體。如上所述，該複合體於其樹脂層上可剝離地積層有薄板玻璃基板，形成玻璃積層體。該玻璃積層體係用於液晶面板或有機EL面板等顯示裝置、太陽電池等電子裝置(電子機器)之製造，於薄板玻璃基板之表面形成構成電子裝置之電子裝置用零件。於形成電子裝置用零件後，自具備玻璃基板、樹脂層、薄板玻璃基板及電子裝置用零件之積層體以樹脂層與薄板玻璃基板之界面作為剝離面分離為複合 體、及包含薄板玻璃基板與電子裝置用零件之電子裝置。如上所述，較佳為該經分離之複合體中之樹脂層成為清洗對象。再者，薄板玻璃基板意指較上述複合體中所包含之玻璃基板更薄之板。
再者，該玻璃積層體中使用之薄板玻璃基板，係於電子裝置之製造中用作供薄膜電晶體等電子裝置用零件形成之玻璃基板的一般者。
以下，首先，對成為清洗之對象之複合體中之各構件(玻璃基板、樹脂層)進行詳述，之後，對本製造方法之程序進行詳述。
<玻璃基板>
玻璃基板係支持下述樹脂層之構件。作為玻璃基板之組成，並無特別限制，其組成例如可使用含有鹼金屬氧化物之玻璃(鈉鈣玻璃等)、無鹼玻璃等各種組成之玻璃。其中，就熱收縮率較小之方面而言，較佳為無鹼玻璃。於與樹脂層密接之前，為除去污垢或異物等，較佳為預先清洗其表面。
玻璃基板之厚度並無特別限定，較佳為可藉由現行之電子裝置用面板之生產線對上述玻璃積層體進行處理之厚度。例如，目前LCD之製造中使用之玻璃基板之厚度主要於0.4~1.2mm之範圍，尤其多數情況下為0.7mm。
其中，就容易處理且不易破裂等原因而言，玻璃基板之厚度較佳為0.08mm以上。又，就期望於電子裝置用零件形成後進行剝離時不破裂而適度地彎曲之剛性之理由而言，玻璃基板之厚度較佳為1.2mm以下。
玻璃基板之表面可為經機械研磨或化學研磨之處理之研磨面，或亦可為未進行研磨處理之非蝕刻面(坯面)。就生產性及成本之方面而言，較佳為非蝕刻面(坯面)。
玻璃基板具有第1主面及第2主面，其形狀並無限定，較佳為矩形。此處，矩形實質上為大致矩形，亦包含經切掉周邊部之角(切角) 之形狀。玻璃基板之大小並無限定，例如於矩形之情形時，可為100~2000mm×100~2000mm，較佳為500~1000mm×500~1000mm。
<樹脂層>
樹脂層係配置(固定)於上述玻璃基板上之層，於製造上述玻璃積層體時，於其表面上配置薄板玻璃基板。
樹脂層較佳為藉由接著力或黏著力等較強之結合力與玻璃基板表面結合。例如，如下所述，藉由使交聯性有機聚矽氧烷於玻璃基板表面進行交聯硬化，可使作為交聯物之聚矽氧樹脂接著於玻璃基板表面，獲得較高之結合力。又，亦可實施使玻璃基板表面與樹脂層之間產生較強之結合力之處理(例如使用偶合劑之處理)而提高玻璃基板表面與樹脂層之間之結合力。
樹脂層之厚度並無特別限定，較佳為0.1~100μm，更佳為0.5~50μm，進而較佳為1~20μm。若樹脂層之厚度為此種範圍，則即便有於樹脂層與玻璃基板之間介存氣泡或異物之情況，亦可抑制配置於樹脂層上之薄板玻璃基板之變形缺陷之產生。又，若樹脂層之厚度過厚，則存在形成需要時間及材料故而不經濟，且耐熱性降低之情形。
構成樹脂層之樹脂之種類並無特別限制，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂及聚矽氧樹脂。其中，就耐熱性及剝離性之方面而言，較佳為聚矽氧樹脂。即，樹脂層較佳為聚矽氧樹脂層(包含聚矽氧樹脂之層)。
聚矽氧樹脂層中所包含之聚矽氧樹脂較佳為交聯性有機聚矽氧烷(硬化性聚矽氧)之交聯物，該聚矽氧樹脂較佳為形成立體網狀結構。
交聯性有機聚矽氧烷之種類並無特別限制，只要經由特定之交聯反應進行交聯硬化，成為構成聚矽氧樹脂之交聯物(硬化物)，則其結構並無特別限定，只要具有特定之交聯性即可。交聯之形式並無特別限制，可根據交聯性有機聚矽氧烷中所包含之交聯性基之種類而適當 採用公知之形式。例如可列舉：矽氫化反應、縮合反應、或藉由加熱處理、高能量射線處理或自由基聚合起始劑進行之自由基反應等。
更具體而言，於交聯性有機聚矽氧烷具有烯基或炔基等自由基反應性基之情形時，藉由經由上述自由基反應之自由基反應性基彼此之反應進行交聯而成為硬化物(交聯聚矽氧樹脂)。
又，於交聯性有機聚矽氧烷具有矽烷醇基之情形時，藉由矽烷醇基彼此之縮合反應進行交聯而成為硬化物。
進而，於交聯性有機聚矽氧烷包含具有鍵結於矽原子之烯基(乙烯基等)之有機聚矽氧烷(即有機烯基聚矽氧烷)、及具有鍵結於矽原子之氫原子(氫矽烷基)之有機聚矽氧烷(即有機氫聚矽氧烷)之情形時，於矽氫化觸媒(例如鉑系觸媒)之存在下，藉由矽氫化反應進行交聯而成為硬化物。
其中，就容易形成聚矽氧樹脂層，剝離性更優異之方面而言，較佳為交聯性有機聚矽氧烷包含兩末端及/或側鏈具有烯基之有機聚矽氧烷(之後，亦適當稱為有機聚矽氧烷A)、及兩末端及/或側鏈具有氫矽烷基之有機聚矽氧烷(之後，亦適當稱為有機聚矽氧烷B)之態樣。
再者，作為烯基，並無特別限定，例如可列舉：乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己烯基等，其中就耐熱性優異之方面而言，較佳為乙烯基。
又，作為有機聚矽氧烷A中所包含之烯基以外之基及有機聚矽氧烷B中所包含之氫矽烷基以外之基，可列舉烷基(尤其是碳數4以下之烷基)。
有機聚矽氧烷A中之烯基之位置並無特別限制，於有機聚矽氧烷A為直鏈狀之情形時，烯基可存在於下述所示之M單元及D單元中之任一者，亦可存在於M單元及D單元之兩者。就硬化速度之方面而言，較佳為至少存在於M單元，且較佳為存在於2個M單元之兩者。
再者，M單元及D單元係有機聚矽氧烷之基本結構單元之例，M單元係鍵結有3個有機基之單官能性之矽氧烷單元，D單元係鍵結有2個有機基之二官能性之矽氧烷單元。於矽氧烷單元中，由於矽氧烷鍵為2個矽原子經由1個氧原子鍵結而成之鍵，故而矽氧烷鍵中之相對於每1個矽原子之氧原子被視為1/2個，式中表現為O1/2。
有機聚矽氧烷A中之烯基之數量並無特別限制，1分子中較佳為1~3個，更佳為2個。
有機聚矽氧烷B中之氫矽烷基之位置並無特別限制，於有機聚矽氧烷A為直鏈狀之情形時，氫矽烷基可存在於M單元及D單元中之任一者，亦可存在於M單元及D單元之兩者。就硬化速度之方面而言，較佳為至少存在於D單元。
有機聚矽氧烷B中之氫矽烷基之數量並無特別限制，1分子中較佳為具有至少2個，更佳為3個。
有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B之混合比率並無特別限制，較佳為以有機聚矽氧烷B中之鍵結於矽原子之氫原子與有機聚矽氧烷A中之全部烯基之莫耳比(氫原子/烯基)成為0.7~1.05之方式進行調整。其中，較佳為以成為0.8~1.0之方式調整混合比率。
作為矽氫化觸媒，較佳為使用鉑族金屬系觸媒。作為鉑族金屬系觸媒，可列舉鉑系、鈀系、銠系等之觸媒，就經濟性、反應性之方面而言，尤佳為以鉑系觸媒之形式使用。作為鉑族金屬系觸媒，可使用 公知者。具體而言，可列舉：鉑微粉末、鉑黑、四氯鉑酸、六氯鉑酸等氯鉑酸、四氯化鉑、氯鉑酸之醇化合物、醛化合物、或鉑之烯烴錯合物、烯基矽氧烷錯合物、羰基錯合物等。
作為矽氫化觸媒之使用量，相對於有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B之合計質量100質量份，較佳為0.1~20質量份，更佳為1~10質量份。
交聯性有機聚矽氧烷之數量平均分子量並無特別限制，就操作性優異，並且成膜性亦優異，高溫處理條件下之聚矽氧樹脂之分解被進一步抑制之方面而言，利用GPC(Gel Permeation Chromatography，凝膠滲透層析法)測得之聚苯乙烯換算之重量平均分子量較佳為1,000~5,000,000，更佳為2,000~3,000,000。
交聯性有機聚矽氧烷之黏度較佳為10~5000mPa‧s，更佳為15~3000mPa‧s。再者，黏度之測定溫度為25℃。
又，作為交聯性有機聚矽氧烷之具體市售之商品名或型號，可列舉作為不具有芳香族基之交聯性有機聚矽氧烷之KNS-320A、KS-847(均為Shin-Etsu Silicones公司製造)、TPR6700(邁圖高新材料日本有限公司製造)、乙烯基聚矽氧「8500」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11364」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11365」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合等。
樹脂層之形成方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如，於形成聚矽氧樹脂層之情形時，於玻璃基板之表面形成包含交聯性有機聚矽氧烷之層，於玻璃基板表面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成聚矽氧樹脂層。
為了於玻璃基板上形成包含交聯性有機聚矽氧烷之層，較佳為使用使交聯性有機聚矽氧烷溶解於溶劑中而成之樹脂組合物，將該組合物塗佈於玻璃基板上而形成溶液之層，繼而除去溶劑而製成包含交聯性有機聚矽氧烷之層。可藉由組合物中之交聯性有機聚矽氧烷之濃度之調整等而控制包含交聯性有機聚矽氧烷之層之厚度。
作為溶劑，只要為於作業環境下可容易地溶解交聯性有機聚矽氧烷，且可容易地揮發除去之溶劑，則並無特別限定。具體而言，例如可例示：乙酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF(tetrahydrofuran，四氫呋喃)、氯仿等。
於玻璃基板表面上塗佈包含交聯性有機聚矽氧烷之組合物之方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如可列舉：噴霧塗佈法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥式塗佈法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
之後，視需要可實施用以除去溶劑之乾燥處理。乾燥處理之方法並無特別限制，例如可列舉於減壓條件下除去溶劑之方法、或於不會進行交聯性有機聚矽氧烷之硬化之溫度下進行加熱之方法等。
繼而，使玻璃基板上之交聯性有機聚矽氧烷交聯，形成聚矽氧樹脂層。如上所述，硬化(交聯)之方法係根據交聯性有機聚矽氧烷之交聯形式而適當選擇最佳之方法，例如可列舉加熱處理或曝光處理。其中，於交聯性有機聚矽氧烷藉由矽氫化反應、縮合反應、自由基反應進行交聯之情形時，較佳為藉由熱硬化而製造聚矽氧樹脂層。
以下，對熱硬化之態樣進行詳述。
就提昇聚矽氧樹脂層之耐熱性之觀點而言，使交聯性有機聚矽氧烷熱硬化之溫度條件較佳為150~300℃，更佳為180~250℃。又，加熱時間通常較佳為10~120分鐘，更佳為30~60分鐘。
再者，交聯性有機聚矽氧烷可於進行預硬化(precure)後，進行後 硬化(正式硬化)而硬化。藉由進行預硬化，可獲得耐熱性更優異之聚矽氧樹脂層。預硬化較佳為繼溶劑之除去之後進行，於此情形時，自層除去溶劑而形成包含交聯性有機聚矽氧烷之層之步驟與進行預硬化之步驟並無特別差別。
<除去步驟>
本發明之樹脂層之除去方法具有使鹼濃度為15質量%以上且含有下述式(1)所表示之化合物3質量%以上之鹼水溶液與上述樹脂層接觸而除去樹脂層之步驟。藉由實施本步驟，可不加熱樹脂層而容易地除去。
以下，首先，對本步驟中使用之鹼水溶液進行詳述。
(鹼水溶液)
鹼水溶液之鹼濃度為15質量%以上，就樹脂層之除去性更優異之方面(之後，亦簡稱為「本發明之效果更優異之方面」)而言，較佳為18質量%以上，更佳為20質量%以上。上限並無特別限制，就效果達到飽和之方面而言，較佳為40質量%以下。
於鹼濃度未達15質量%之情形時，樹脂層之除去性較差。
再者，鹼濃度意指鹼性成分相對於鹼水溶液總質量之質量比率(質量%)。
作為鹼性成分，可使用公知之鹼性成分，例如可列舉：碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、磷酸三鈉、磷酸三鉀、磷酸二鉀、硼酸鈉、硼酸鉀、四硼酸鈉(硼酸)、四硼酸鉀、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鋰等鹼金屬化合物。其中，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰。
於鹼水溶液中包含以下之式(1)所表示之化合物(二醇醚)。
RO-(LO)n-H 式(1)
式(1)中，R表示烷基。烷基中之碳數並無特別限制，就本發明之 效果更優異之方面而言，較佳為1~10，更佳為1~5，進而較佳為1~3。烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中之任一種。
L表示伸烷基。伸烷基中之碳數並無特別限制，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為1~10，更佳為1~5，進而較佳為1~3。更具體而言，較佳為伸乙基(-CH2-CH2-)、三亞甲基(-CH2-CH2-CH2-)、伸丙基(-CH(CH3)-CH2-)。
n表示1以上之整數。其中，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為1~10，更佳為1~5，進而較佳為1~3。
作為上述式(1)所表示之化合物，例如可列舉丙二醇單乙醚、二丙二醇單甲醚等。
式(1)所表示之化合物相對於鹼水溶液總質量之含量為3質量%以上，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為4質量%以上，更佳為5質量%以上。上限並無特別限制，就效果達到飽和之方面而言，較佳為20質量%以下。
於上述含量未達3質量%之情形時，樹脂層之除去性較差。
於鹼水溶液中，通常包含水作為溶劑。
又，於無損本發明之效果之範圍內，有機溶劑或其他添加劑可包含於鹼水溶液中。
(步驟之程序)
於本步驟中，使鹼水溶液與上述樹脂層接觸而除去樹脂層。
鹼水溶液與樹脂層之接觸方法並無特別限制，例如可列舉將包含樹脂層之複合體浸漬於鹼水溶液中之方法、或於樹脂層上塗佈鹼水溶液之方法。
鹼水溶液與樹脂層之接觸時間並無特別限制，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為0.1小時以上，更佳為0.5小時以上，進而較佳為0.6小時以上。上限並無特別限制，就生產性之方面而言，較佳為30 小時以下，更佳為24小時以下。
與樹脂層接觸時之鹼水溶液之溫度並無特別限制，就本發明之效果更優異之方面及水溶液之穩定性之方面而言，較佳為5~50℃，更佳為10~40℃。
再者，於使鹼水溶液與樹脂層接觸後，視需要亦可藉由水而清洗除去樹脂層。
又，視需要亦可對除去了樹脂層之玻璃基板之表面實施研磨處理。作為研磨處理之方法，可實施公知之方法。
藉由實施上述步驟，可將配置於玻璃基板上之樹脂層除去，而可製造玻璃基板。
可於所獲得之玻璃基板上再次形成樹脂層，亦可以玻璃基板之形式使用。
[實施例]
以下，示出本發明之具體之實施例，更詳細地說明本發明。
<複合體之製造>
將兩末端具有乙烯基之直鏈狀有機烯基聚矽氧烷(乙烯基聚矽氧，荒川化學工業公司製造，ASA-V01)、分子內具有氫矽烷基之甲基氫聚矽氧烷(荒川化學工業公司製造，ASA-X01)、鉑系觸媒(荒川化學工業公司製造，ASA-C01)及IP Solvent 2028(出光興產公司製造)之混合液藉由模嘴塗佈而塗敷於玻璃基板(長240mm、寬240mm、板厚0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造之商品名「AN100」)上，將包含未硬化之硬化性聚矽氧之層設置於玻璃基板上。此處，直鏈狀有機烯基聚矽氧烷與甲基氫聚矽氧烷之混合比係以乙烯基與氫矽烷基之莫耳比成為1：1之方式進行調節。又，鉑系觸媒相對於直鏈狀有機烯基聚矽氧烷與甲基氫聚矽氧烷之合計100質量份，設為4質量份。又，IP Solvent 2028係以溶液固形物成分濃度成為40重量%之方式進行調 節。
其次，將其以250℃在大氣中加熱乾燥硬化20分鐘，於玻璃基板上獲得厚度8μm之聚矽氧樹脂層。
<實施例1>
製備包含氫氧化鉀(KOH)及丙二醇單乙醚，KOH濃度(KOH相對於鹼水溶液總質量之濃度)為20質量%，丙二醇單乙醚濃度(丙二醇單乙醚相對於鹼水溶液總質量之濃度)為5質量%之鹼水溶液。
將上述配置有聚矽氧樹脂層之玻璃基板浸漬於所獲得之鹼水溶液(25℃)中40分鐘。於浸漬後取出玻璃基板時，聚矽氧樹脂層被除去。
<實施例2>
將浸漬時間自40分鐘變更為60分鐘，除此以外，按照與實施例1同樣之程序，結果聚矽氧樹脂層被自玻璃基板除去。
<實施例3>
將浸漬時間自40分鐘變更為17小時，除此以外，按照與實施例1同樣之程序，結果聚矽氧樹脂層被自玻璃基板除去。
<實施例4>
製備包含氫氧化鉀(KOH)及二丙二醇單甲醚，KOH濃度(KOH相對於鹼水溶液總質量之濃度)為20質量%，二丙二醇單甲醚濃度(二丙二醇單甲醚相對於鹼水溶液總質量之濃度)為5質量%之鹼水溶液。
將上述配置有聚矽氧樹脂層之玻璃基板浸漬於所獲得之鹼水溶液(25℃)中80分鐘。於浸漬後取出玻璃基板時，聚矽氧樹脂層被除去。
<實施例5>
將浸漬時間自80分鐘變更為4小時，除此以外，按照與實施例4同樣之程序，結果聚矽氧樹脂層被自玻璃基板除去。
<比較例1>
於鹼水溶液中未使用丙二醇單乙醚，除此以外，按照與實施例1 同樣之程序，結果無法除去聚矽氧樹脂層。
<比較例2>
將KOH濃度自20質量%變更為10質量%，除此以外，按照與實施例1同樣之程序，結果無法除去聚矽氧樹脂層。
本申請案係基於2014年4月30日申請之日本專利申請案2014-093947者，其內容係以參照之形式併入本文中。

Claims (9)

  1. 一種樹脂層之除去方法，其係除去配置於玻璃基板上之樹脂層者，且具有使包含選自由氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰所組成之群中之至少1種、鹼濃度為15質量%以上且含有式(1)所表示之化合物3質量%以上之鹼水溶液與上述樹脂層接觸而除去上述樹脂層的步驟，其中上述樹脂層為聚矽氧樹脂層，RO-(LO)n-H 式(1)式(1)中，R表示烷基，L表示三亞甲基或伸丙基，n表示1以上之整數。
  2. 如請求項1之樹脂層之除去方法，其中n為1~3之整數。
  3. 如請求項1或2之樹脂層之除去方法，其中上述式(1)所表示之化合物為丙二醇單乙醚或二丙二醇單甲醚。
  4. 如請求項1或2之樹脂層之除去方法，其中上述鹼濃度為18質量%以上。
  5. 如請求項1或2之樹脂層之除去方法，其中上述樹脂層之厚度為0.1~100μm。
  6. 如請求項1或2之樹脂層之除去方法，其中上述鹼水溶液之溫度為5~50℃。
  7. 如請求項1或2之樹脂層之除去方法，其中上述鹼水溶液與上述樹脂層之接觸時間為0.1~24小時。
  8. 如請求項1或2之樹脂層之除去方法，其係用於除去自依序具有玻璃基板、樹脂層、薄板玻璃基板及電子裝置用零件之積層體以上述樹脂層與上述薄板玻璃基板之界面作為剝離面進行分離所獲得之具有上述玻璃基板及上述樹脂層的複合體中之上述樹脂層。
  9. 一種玻璃基板之製造方法，其實施如請求項1至8中任一項之樹脂層之除去方法而製造玻璃基板。
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