KR20100100841A - 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법 및 세정액 - Google Patents

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KR20100100841A
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washing
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히데아키 모치즈키
마코토 이시카와
노리유키 사이토
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미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
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Abstract

기판 표면에 부착된 미소 파티클이나 유기물의 오염, 금속 오염 및 유기물과 금속에 의한 복합 오염의 제거성과 재부착 방지성이 우수하고, 기판 표면을 부식시키지 않고, 강력한 초음파를 가하지 않아도 고도로 청정화할 수 있는 반도체 디바이스용 기판 세정 방법을 제공한다.
초음파 조사 기판 1 ㎠ 당 0.2 W 이상 1.5 W 이하 강도의 초음파를 가하면서, 이하의 성분 (A) ∼ (D) 를 함유하는 세정액을 사용하여 반도체 디바이스용 기판을 세정하는 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법.
(A) 과산화수소
(B) 알칼리
(C) 물
(D) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
(식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)

Description

반도체 디바이스용 기판의 세정 방법 및 세정액{METHOD AND SOLUTION FOR WASHING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 금속 오염이나 파티클 오염이 문제가 되는 반도체, 유리, 금속, 세라믹스, 수지, 자성체, 초전도체 등의 기판 표면의 세정에 사용되는 세정액 및 세정 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 고청정 기판 표면이 요구되는, 반도체 소자나 디스플레이 디바이스용 등의 반도체 디바이스용 기판의 제조 공정에 있어서, 반도체 디바이스용 기판 표면을 효과적으로 세정하기 위한 세정 방법 및 세정액에 관한 것이다.
마이크로프로세서, 로직 LSI, DRAM, 플래시 메모리나 CCD 등의 반도체 디바이스나, TFT 액정 등의 플랫 패널 디스플레이 디바이스의 제조 공정에서는, 실리콘이나 산화실리콘, 유리 등의 기판 표면에 서브미크론에서 나노미터 오더의 치수로 패턴이나 박막을 형성하고 있어, 제조의 각 공정에서 기판 표면의 미량의 오염을 저감시키는 것이 매우 중요한 과제가 되고 있다. 기판 표면의 미량 오염 중에서도, 특히 파티클 오염, 유기물 오염 및 금속 오염은 디바이스의 전기적 특성이나 수율을 저하시키기 때문에, 다음 공정에 반입하기 전에 최대한 저감시킬 필요가 있다. 이와 같은 오염의 제거에는, 일반적으로는 세정액에 의한 기판 표면의 세정이 행해지고 있다.
종래 반도체 디바이스용 기판의 파티클 오염의 제거에 사용하는 세정액으로는 알칼리성 용액이 유효하다는 것이 알려져 있어, 반도체 소자나 디스플레이 디바이스용 등의 반도체 디바이스용 기판 표면의 세정에는 암모니아 수용액이나 수산화칼륨 수용액, 수산화테트라메틸암모늄 수용액 등의 알칼리성 수용액이 사용되고 있다. 또, 암모니아, 과산화수소, 물을 함유하는 세정액 (「SC-1 세정액」 또는 「APM 세정액」이라고 한다.) 에 의한 세정 (「SC-1 세정」 또는 「APM 세정」이라고 한다.) 도 널리 이용되고 있다 (비특허문헌 1 참조).
최근 반도체 디바이스는 점점더 미세화ㆍ고집적화가 진행되고 있고, 또 반도체 디바이스 제조에서는 한층 더 스루풋 향상, 생산 효율화가 요구되고 있다. 이에 따라 반도체 디바이스용 기판 제조시의 기판 세정에 대해서도, 파티클, 유기물 및 금속 등의 오염의 제거성, 오염 제거 후의 재부착 방지성이 우수하고, 기판에 큰 충격을 주지 않고 신속히 청정하게 할 수 있는 기술, 특히 기판에 큰 충격을 주지 않고 미소한 파티클의 제거성이 우수한 기술이 요망되고 있다.
W. Kern and D. A. Puotinen : RCA Review, p.187, June (1970)
본 발명은 상기 실정을 감안하여 이루어진 것이다. 본 발명의 목적은 파티클, 유기물 및 금속 등의 오염, 특히 미소한 파티클 오염의 제거성이 우수하고, 오염 제거 후의 재부착 방지성도 우수함과 함께, 기판에 데미지를 주지 않고 신속하게 기판 표면을 청정화할 수 있는 세정 기술을 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 특정 성분을 함유하는 세정액을 사용하여, 초음파를 가하면서 세정함으로써 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 알아내어 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 이하를 요지로 한다.
본 발명의 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법은 초음파 조사 기판 1 ㎠ 당 0.2 W 이상 1.5 W 이하 강도의 초음파를 가하면서, 이하의 성분 (A) ∼ (D) 를 함유하는 세정액을 사용하여 반도체 디바이스용 기판을 세정하는 것을 특징으로 한다.
(A) 과산화수소
(B) 알칼리
(C) 물
(D) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
(식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)
또, 본 발명의 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법은 이하의 성분 (A) ∼ (D) 를 함유하는 세정액을 사용하여, 주파수가 0.5 ㎒ 이상의 초음파를 가하면서 반도체 디바이스용 기판을 세정하는 것을 특징으로 한다.
(A) 과산화수소
(B) 알칼리
(C) 물
(D) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
(식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)
또, 본 발명은 상기 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법에 있어서, 세정시의 상기 세정액의 액온이 20 ∼ 50 ℃ 인 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명은 상기 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법에 있어서, 상기 세정액의 pH 가 9.0 ∼ 12.0 인 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명은 상기 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법에 있어서, 상기 (D) 성분의 함유량이 50 ∼ 5000 중량ppm 인 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명은 상기 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법에 있어서, 상기 (B) 성분이 수산화암모늄인 것을 특징으로 한다.
또, 상기 (B) 성분의 함유량이 0.01 ∼ 10 중량％ 인 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명은 상기 반도체 디바이스용 기판의 세정액에 있어서, 이하의 성분 (A) ∼ (D) 를 함유하는 조성물로서,
(A) 과산화수소
(B) 알칼리
(C) 물
(D) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
(식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)
상기 성분 (A) 의 함유량이 0.01 ∼ 10 중량％,
상기 성분 (B) 의 함유량이 0.005 ∼ 5 중량％,
상기 성분 (C) 의 함유량이 85 ∼ 99.5 중량％,
상기 성분 (D) 의 함유량이 50 ∼ 5000 중량ppm 인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 실리콘 등의 반도체 재료, 질화실리콘, 산화실리콘, 유리, 저유전율 (Low-k) 재료 등의 절연 재료, 천이 금속 또는 천이 금속 화합물 등을 표면의 일부 혹은 전체면에 갖는 반도체 디바이스용 기판에 있어서, 기판 표면에 부착된 미립자 (파티클) 나 유기 오염, 금속 오염 및 유기물-금속의 복합 오염을 세정에 의해 효과적으로 제거하고, 또 계 내에 미립자 등이 혼입되었을 때에도 그 재부착을 효과적으로 억제할 수 있다.
특히, 본 발명의 세정액은 기판에 대한 충격이 작은 저강도의 초음파 조사로도 미소한 파티클 오염을 제거할 수 있기 때문에, 패턴 무너짐 등이 발생되기 어렵다. 따라서, 저온, 저출력의 저메가소닉, 즉 ㎒ 오더의 초음파 조사를 실시하면서, 저탄소수의 특별한 세정액으로 세정함으로써, 세정성과 기판 부식ㆍ패턴 도괴의 억제를 실현하여, 미세화ㆍ고집적화가 진행되는 반도체 디바이스나 디스플레이 디바이스 등의 제조 공정에 있어서의 오염 세정용 등의 저데미지 표면 처리 기술로서 공업적으로 매우 유용하다.
이하에 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다.
본 발명의 반도체 디바이스용 기판의 세정액은 반도체 디바이스용 기판을 저강도의 초음파를 가하면서 세정할 때에 사용하는 것으로서, 이하의 성분 (A) ∼ (D) 를 함유한다. 본 발명의 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법은 초음파를 가하면서 세정하는 경우에 있어서, 이하의 (A) ∼ (D) 성분, 특히 (D) 성분을 함유하는 것을 특징으로 한다.
(A) 과산화수소
(B) 알칼리
(C) 물
(D) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
(식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)
<(A) 과산화수소>
본 발명의 세정액에 함유되는 (A) 과산화수소는 시판되는 과산화수소수 등을 사용할 수 있으며, 그 제법 등도 특별히 제한은 되지 않는다. 본 발명의 세정액에서 과산화수소는 반도체 디바이스용 기판의 세정시에 맨 먼저 기판 표면을 산화시키는 작용을 가지고 있는 것으로 생각된다.
본 발명의 세정액 중의 과산화수소의 농도는 하한이 0.01 중량％ 인 것이 바람직하고, 0.1 중량％ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.5 중량％ 인 것이 특히 바람직하며, 동 상한이 10 중량％ 인 것이 바람직하고, 5 중량％ 인 것이 더욱 바람직하며, 3 중량％ 인 것이 특히 바람직하다. 과산화수소 농도가 상기 하한 이상이면, 기판의 표면 거칠어짐 방지 및 과잉 에칭 방지 면에서 바람직하고, 또 상기 상한 이하이면, 글리콜에테르계 화합물의 분해 억제, 비용 및 폐수 처리 부하 저감 면에서 바람직하다.
<(B) 알칼리>
본 발명의 세정액에 함유되는 알칼리의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘 등의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물, 탄산수소나트륨, 탄산수소암모늄 등의 알칼리성 염류 등이어도 되지만, 본 발명에서 사용되는 알칼리로는, 수산화암모늄 (암모니아 수용액) 과 유기 알칼리가 바람직하다. 유기 알칼리로는 수산화 제 4 급 암모늄, 아민, 아미노알코올 등의 아민류를 들 수 있다. 수산화 제 4 급 암모늄으로는 수산기, 알콕시기, 할로겐으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 하이드록시알킬기를 갖는 것이 바람직하고, 이들 치환기는 모두 동일하거나 상이해도 된다.
상기와 같은 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1 ∼ 4 의 저급 알킬기를 들 수 있으며, 하이드록시알킬기로는 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 하이드록시부틸기 등의 탄소수 1 ∼ 4 의 저급 하이드록시알킬기를 들 수 있다.
상기 치환기를 갖는 수산화 제 4 급 암모늄의 구체예로는, 테트라메틸암모늄하이드록사이드 (TMAH), 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸(하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 (통칭 : 콜린), 트리에틸(하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다. 한편, 아민류로는 에틸렌디아민, 모노에탄올아민, 트리메탄올아민 등을 들 수 있다.
상기 서술한 알칼리 중에서는, 세정 효과, 금속 잔류가 적고, 경제성, 세정액의 안정성 등의 이유에서 수산화암모늄이 특히 바람직하다. 이들 알칼리는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 임의의 비율로 사용해도 된다.
본 발명의 세정액에서 알칼리는 과산화수소에 의해 발생된 산화물을 에칭하고, 리프트 오프함으로써 파티클을 제거하는 데에 기여하고 있는 것으로 생각된다.
세정액 중의 알칼리의 농도는 하한이 0.005 중량％ 인 것이 바람직하고, 0.01 중량％ 인 것이 더욱 바람직하고, 0.1 중량％ 인 것이 더욱 바람직하며, 동 상한이 10 중량％ 인 것이 바람직하고, 5 중량％ 인 것이 더욱 바람직하며, 3 중량％ 인 것이 특히 바람직하다. 알칼리의 농도가 상기 하한 이상이면, 파티클 제거성 면에서 바람직하고, 또 상기 상한 이하이면, 세정 후의 기판 표면의 평활성 면에서 바람직하다.
<(C) 물>
본 발명의 세정액에 함유되는 물은 특히 반도체 디바이스용 기판 상에 미세 배선을 형성하고자 하는 경우에는 고순도인 것이 바람직하고, 통상적으로 탈이온수, 바람직하게는 초순수가 사용된다. 또, 물의 전기분해에 의해 얻어지는 전해 이온수나, 물에 수소 가스를 용존시킨 수소수 등을 사용할 수도 있다. 불순물로서의 도전성 이온량의 지표가 되는 비저항으로는, 구체적으로는 1 MΩㆍ㎝ 이상인 것이 바람직하고, 10 수 MΩㆍ㎝ 이상인 것이 특히 바람직하다.
세정액 중의 물의 농도는 하한이 85 중량％ 인 것이 바람직하고, 90 중량％ 인 것이 더욱 바람직하고, 동 상한이 99.5 중량％ 인 것이 바람직하고, 99 중량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 물의 농도가 상기 하한 이상이면, 세정 후의 기판 표면 평활성 면에서 바람직하고, 또 상기 상한 이하이면, 파티클 제거성 면에서 바람직하다.
<(D) 글리콜에테르계 화합물>
본 발명의 세정액은 세정성, 물에 대한 용해성 및 안전성의 관점에서, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물을 함유한다.
R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
(식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)
상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은 일반적으로 글리콜에테르계 화합물이라고 하는데, R1 은 소수(疎水)기이고, -O-(-R2-O-)n-H 의 알코올부와 에테르부는 친수기이다. 또한, 여기에서, 양 말단이 탄화수소기이면, 저점도이긴 하지만, 물에 대한 용해성이 낮은 (양 말단이 부틸에테르인 경우의 물에 대한 용해량은 약 0.3 중량％) 데다가 위험성도 높아진다. 본 발명의 세정액이 초음파 조사 강도가 약한 조건에서도 미소한 파티클을 제거하는 데에 매우 우수한 이유는 확실하지는 않지만, R1 이 방향족이 아니라 알킬기인 것 혹은 R1 의 탄소수가 계면 활성제 등 보다 적은 것 등이 유효하다. 즉, 계면 활성능을 가짐과 함께 분자량이 작은 것이 기여하고 있는 것으로 생각된다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. R1 의 알킬기의 탄소수는 계면 활성제로서의 능력을 발휘하기 쉽다는 면에서는 큰 편이, 물에 대한 용해성 면에서는 탄소수는 작은 편이 바람직하다. 글리콜에테르계 화합물로는, 일반적으로 R1 의 알킬기의 탄소수가 12 정도인 것까지가 사용되고 있다. R1 의 알킬기의 탄소수는 물에 대한 용해성 면에서는 4 이하가 바람직하다. 또, 계면 활성제 능력 면에서는 큰 편이 바람직하며, 2 이상이 더욱 바람직하고, 3 이상이 특히 바람직하며, 4 가 가장 바람직하다. 여기에서, R1 의 알킬기의 탄소수가 작은 경우에는, 글리콜에테르계 화합물의 계면 활성제 능력이 낮은 만큼 그 세정액 중의 농도를 높게 함으로써 젖음성의 향상을 도모하면 더욱 바람직하다.
상기 일반식 (1) 에 있어서, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타낸다. 이 중, 입수하기 쉽다는 점에서, R2 는 에틸렌기가 바람직하다.
상기 일반식 (1) 로 나타내는 글리콜에테르계 화합물에 있어서, n 은 젖음성 및 점성 면에서 3 이하가 바람직하고, 2 이하가 더욱 바람직하다.
상기 글리콜에테르계 화합물 중에서도, R1 이 CH3CH2CH2CH2 이고, R2 가 CH2CH2 이고, n 이 2 인, 하기 구조식 (2) 로 나타내는 디에틸렌글리콜-n-부틸에테르가 세정성 및 환경 면에서 바람직하다.
(화학식 1)
Figure pct00001
이들 글리콜에테르계 화합물은 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
세정액 중의 성분 (D) 의 농도는 하한이 50 중량ppm 인 것이 바람직하고, 100 중량ppm 인 것이 더욱 바람직하고, 동 상한이 5000 중량ppm 인 것이 바람직하고, 3000 중량ppm 인 것이 더욱 바람직하며, 2000 중량ppm 인 것이 특히 바람직하다. 성분 (D) 의 농도가 상기 하한 이상이면, 파티클 제거성 면에서 바람직하고, 또 상기 상한 이하이면, 세정 후의 기판 표면의 평활성 면에서 바람직하다.
<그 밖의 성분>
본 발명의 세정액은 그 성능을 저해하지 않는 범위에서, 추가로 그 밖의 성분을 임의의 비율로 함유하고 있어도 된다. 다른 성분으로는 계면 활성제, 착화제, 황 함유 유기 화합물 (2-메르캅토티아졸린, 2-메르캅토이미다졸린, 2-메르캅토에탄올, 티오글리세롤 등), 질소 함유 유기 화합물 (벤조트리아졸, 3-아미노트리아졸, N(R)3 (R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기), N(ROH)3 (R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기), 우레아, 티오우레아 등), 수용성 폴리머 (폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐알코올 등), 알킬알코올계 화합물 (ROH (R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기)) 등의 방식제, 황산, 염산 등의 산, 하이드라진 등의 환원제, 수소, 아르곤, 질소 등의 용존 가스, 불화수소산, 불화암모늄, BHF (버퍼드 불화수소산) 등의 드라이 에칭 후에 강고하게 부착된 폴리머 등의 제거 효과를 기대할 수 있는 에칭 촉진제 등을 들 수 있다. 또, 본 발명의 세정액에 함유시킬 수 있는 다른 성분으로서 오존, 산소 등의 산화제도 들 수 있다. 반도체 디바이스용 기판의 세정 공정에 있어서, 산화막이 없는 실리콘 (베어 실리콘) 기판 표면을 세정할 때에는, 산화제의 배합에 의해 기판 표면에 대한 에칭에 따른 표면 거칠어짐을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
본 발명의 세정액이 계면 활성제를 함유하는 경우에는, 비이온형 또는 음이온형이 바람직하고, 이 양자를 함유하고 있는 세정액이 더욱 바람직하다. 또한, 시판되는 계면 활성제는 미량의 불순물을 함유하고 있는 경우가 많다. 특히, 비이온형 계면 활성제는 통상적으로 판매되고 있는 형태에서 1 ∼ 수천 중량ppm 정도의 Na, K, Fe 등의 금속 불순물이나 할로겐 이온 등의 음이온 성분이 함유되어 있는 경우가 있다. 본 발명의 세정제에 이들 불순물이 함유되어 있으면, 금속 오염이나 그 밖의 오염원이 될 가능성이 있다. 본 발명의 세정액은 세정액 중의 금속 불순물 중, 적어도 Na, Mg, Al, K, Ca, Fe, Cu, Pb, Zn 각각의 함유량이 20 ppb 이하, 그 중에서도 5 ppb 이하, 특히 0.1 ppb 이하인 것이 세정에 의한 반도체 디바이스용 기판의 금속 오염을 방지하는 데에 있어서 바람직하다. 특히, 본 발명의 세정액은 이들 금속 불순물의 합계 함유량이 20 ppb 이하인 것이 바람직하고, 그 중에서도 5 ppb 이하, 특히 0.1 ppb 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 정제된 계면 활성제를 얻기 위해서는, 예를 들어 계면 활성제를 물에 용해시킨 후, 이온 교환 수지에 통액시켜 수지에 이온성 불순물을 포착시킴으로써 정제하면 된다.
본 발명의 세정액이 착화제를 함유하면, 기판 표면의 금속 오염을 한층 더 저감시킨 매우 고청정한 표면이 얻어지기 때문에 바람직하다. 착화제를 사용하는 경우에는, 종래 공지된 임의의 것을 사용할 수 있다. 기판 표면의 오염 레벨, 금속의 종류, 기판 표면에 요구되는 청정도 레벨, 착화제 비용, 화학적 안정성 등으로부터 종합적으로 판단하여 적절한 것을 선택하면 된다. 또한, 착화제는 통상적으로 판매되고 있는 시약에 있어서 1 ∼ 수천 중량ppm 정도의 Fe 등의 금속 불순물이 함유되어 있는 경우가 있기 때문에, 본 발명에 사용하는 착화제가 금속 오염원이 되는 경우가 있을 수 있다. 이들은 초기에는 착화제와 안정된 착물을 형성하여 존재하지만, 표면 처리제로서 장시간 사용하는 동안에 착화제가 분해되고, 금속이 유리되어 기체 표면에 부착되기 쉽다. 이 때문에, 본 발명에 사용되는 착화제는 미리 함유되는 Fe, Al, Zn 등의 금속 불순물 각각의 함유량을 5 중량ppm 이하로 하는 것이 바람직하고, 특히 2 중량ppm 이하로 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 정제된 착화제는 예를 들어 산성 또는 알칼리성 용액에 착화제를 용해시킨 후, 불용성 불순물을 여과 분리하여 제거하고, 다시 중화시켜 결정을 석출시키고, 그 결정을 액과 분리함으로써 정제하면 얻어진다.
<pH>
본 발명의 세정액의 pH 는 하한이 바람직하게는 9.0, 더욱 바람직하게는 10.0 이고, 상한이 바람직하게는 13.0, 더욱 바람직하게는 12.0, 특히 바람직하게는 11.0 이다. pH 가 상기 하한 이상이면, 오염 제거 효과 면에서 바람직하고, 한편, pH 가 상기 상한 이하이면, 경제성 및 기판의 표면 거칠어짐이 잘 발생하지 않는다는 점에서 바람직하다.
<조제 방법>
본 발명의 세정액의 조제는 종래 공지된 방법으로 조제하면 된다.
세정액의 각 구성 성분 중 어느 2 성분 또는 3 성분 이상을 미리 배합하고, 그 후에 나머지 성분을 혼합해도 되고, 한번에 전부를 혼합해도 된다.
<세정 대상 기판 (반도체 디바이스용 기판)>
본 발명의 세정액은 금속 오염이나 파티클 오염이 문제가 되는 반도체, 유리, 금속, 세라믹스, 수지, 자성체, 초전도체 등의 반도체 디바이스용 기판 표면의 세정에 사용된다. 특히, 고청정 기판 표면이 요구되는, 반도체 소자나 디스플레이 디바이스용 등의 반도체 디바이스용 기판을 제조하는 공정에 있어서의, 반도체 디바이스용 기판 표면의 세정에 바람직하게 사용된다. 이들 기판의 표면에는 배선, 전극 등이 존재하고 있어도 된다. 배선이나 전극의 재료로는 Si, Ge, GaAs 등의 반도체 재료 ; SiO2, 질화실리콘, 유리, 저유전율 (Low-k) 재료, 산화알류미늄, 천이 금속 산화물 (산화티탄, 산화탄탈, 산화하프늄, 산화지르코늄 등), (Ba, Sr)TiO2(BST), 폴리이미드, 유기 열경화성 수지 등의 절연 재료 ; W, Cu, Al 등의 금속 또는 이들의 합금, 실리사이드, 질화물 등을 들 수 있다. 여기에서, Low-k 재료란, TEOS 등의 산화실리콘의 비유전률이 3.8 ∼ 3.9 인데 대해, 비유전률이 3.5 이하인 재료의 총칭이다.
특히, 본 발명의 세정액은 실리콘 등의 반도체 재료, 질화실리콘, 산화실리콘, 유리 등의 절연 재료를 표면의 일부 혹은 전체면에 갖는 반도체 디바이스용 기판에 있어서, 미소한 파티클 오염의 저감이 매우 강력하게 요구되는 경우에 바람직하게 사용된다.
<기판 상의 파티클 오염>
본 발명의 세정액은 특히 미소 파티클의 제거성이 우수하다. 미소 파티클이란 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 입자를 말한다. 반도체 디바이스용 기판 상에 있는 미소 파티클은 레이저-표면 검사 장치 (히타치 엔지니어링사 제조의 LS-6600) 를 사용하여 후술하는 실시예와 같이 계측할 수 있다.
<반도체 디바이스용 기판 세정액의 세정 방법>
본 발명의 세정액을 사용하여 반도체 디바이스용 기판을 세정하는 방법은 통상적으로 세정액을 직접 기판에 접촉시키는 방법에 의해 행해진다. 세정액의 기판에 대한 접촉 방법에는, 세정조에 세정액을 채워서 기판을 침지시키는 딥식, 노즐로부터 기판 상에 세정액을 흘리면서 기판을 고속 회전시키는 스핀식, 기판에 액을 분무하여 세정하는 스프레이식 등을 들 수 있다. 이와 같은 세정을 실시하기 위한 장치로는, 카세트에 수용된 복수 장의 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치, 1 장의 기판을 홀더에 장착하여 세정하는 매엽식 세정 장치 등이 있다. 세정 후의 기판에 파티클이 잔존하면, 이후의 공정에서 배선 등의 치수 변화나 저항 변화, 단선이나 절연막의 유전율 변화 등의 잠재적인 요인이 되기 때문에, 파티클은 적은 것이 바람직하다.
본 발명의 세정액은 초음파 조사 강도가 약한 조건에서 세정해도 미소한 오염을 제거할 수 있다. 즉, 기판 상의 패턴 무너짐 등을 일으키지 않고 미소한 오염을 제거할 수 있다. 초음파 조사는 기판 표면을 균일하게 세정할 수 있다는 점 등 때문에 바람직하다. 초음파 조사 강도가 약한 조건이란, 구체적으로는 세정액에 초음파를 전파시키기 위한 초음파 진동을 발생시키는 기판인, 이른바 초음파 조사 기판 1 ㎠ 당 1.5 W 이하의 강도이다. 본 발명의 세정액은 매우 세정 효과가 우수하기 때문에, 세정시의 초음파 조사 세정의 강도는 초음파 조사 기판 1 ㎠ 당 바람직하게는 0.90 W 이하, 더욱 바람직하게는 0.50 W 이하이다. 또, 동 하한은 초음파 조사 기판 1 ㎠ 당 통상적으로 0.2 W 이다. 또한, 종래의 초음파 조사 세정의 강도는 초음파 조사 기판 1 ㎠ 당 3 ∼ 10 W 이다. 초음파를 조사하는 경우에는, 기판에 조사하는 초음파의 주파수가 바람직하게는 0.5 ㎒ 이상, 더욱 바람직하게는 0.9 ㎒ 이상인 것이 바람직하다. 또, 초음파의 주파수의 상한은 통상적으로 2.0 ㎒ 이다.
세정 시간은 배치식 세정 장치의 경우, 통상적으로 30 초 이상, 바람직하게는 1 분 이상이고, 통상적으로 30 분 이하, 바람직하게는 15 분 이하, 매엽식 세정 장치의 경우에는 통상적으로 1 초 이상, 바람직하게는 5 초 이상이고, 통상적으로 15 분 이하, 바람직하게는 5 분 이하이다. 세정 시간이 상기 하한 이상이면 세정 효과 면에서 바람직하고, 상기 상한 이하이면 스루풋의 저하가 일어나기 어려워 바람직하다.
세정액은 종래에 세정 효과를 향상시킬 목적에서 60 ℃ 정도에서 가온하여 사용하는데, 본 발명의 세정액은 세정 효과가 높기 때문에, 저온에서도 구체적으로는 10 ∼ 50 ℃ 에서도, 나아가서는 20 ∼ 40 ℃ 에서도 충분히 세정 효과를 발휘할 수 있다. 이상과 같이 10 ℃ 이상, 나아가서는 20 ℃ 이상이 바람직하다. 50 ℃ 이하, 나아가서는 40 ℃ 이하가 바람직하다. 35 ℃ 이하로 한 경우에는, 40 ℃ 의 경우에 비하여 기판 표면에 형성되어 있는 막이 열산화막인 경우에도 폴리실리콘막인 경우에도 에칭 속도를 매우 작게 억제할 수 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한 이하의 실시예에 한정되지 않는다.
<기판 표면의 미소 파티클수의 계측>
기판 표면의 미소 파티클 (0.06 ∼ 10 ㎛) 은 레이저-표면 검사 장치 (히타치 전자 엔지니어링 (주) 사 제조의 「LS-6600」) 를 사용하여, 공정 조건 파일이 0bM06h.idp, 감도 조건 파일이 0bM06h.sys 이고, 수치가 ACTUAL (실수 카운트) 로 측정하였다. 또, 세정 전후의 실리콘 웨이퍼 표면의 Si3N4 입자수로부터 이하의 식에 따라 입자 제거율을 구하였다. 또한, 각 측정은 2 장씩 실시한 평균값으로 하였다.
제거율 (％) = {〔(c - a) - (b - a)〕/(b - a)} × 100
(식 중, a 는 오염 전 입자수, b 는 오염 후 입자수, c 는 세정 후 입자수를 나타낸다)
<Si3N4 입자에 의해 표면이 오염된 실리콘 웨이퍼의 제작>
SUMCO 사 제조의 8 인치 실리콘 웨이퍼 (입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 인 입자의 오염 전 부착 입자수가 340 ∼ 531 개/8 인치인 8 인치 실리콘 웨이퍼) 를 Si3N4 입자 (죤슨 매티 재팬 (주) 로부터 수입한 「Alfa Aesar(R)」) 약 0.4 ㎍/ℓ 로 조제한 염산 수용액 (염산 농도 11 중량ppm) 에 침지시키고, 2.5 분마다 1 회의 빈도로 요동시키면서 15 분간 유지하였다. 침지 후에 초순수로 5 분간 수세하고, 스핀 드라이어 ((주) 코쿠산 제조 「H840」) 를 사용하여 건조시켜, 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 Si3N4 입자가 10223 ∼ 12835 개/8 인치 부착된 실리콘 웨이퍼를 얻었다.
<실시예 1>
Si3N4 입자에 의해 표면이 오염된 SUMCO 사 제조의 실리콘 웨이퍼 21 장을 APM 세정액 (29 중량％ 암모니아수, 31 중량％ 과산화수소수 및 물을 용량비 1 : 2 : 80 으로 혼합한 수용액. 표 1 의 성분 (A) ∼ (C) 의 혼합액) 에 표 1 에 나타내는 성분 (D) C4H9O(CH2CH2O)2H 를 첨가한 액 10 ℓ 에 침지시켰다. 침지액의 pH 는 10.5, 침지시의 액온은 30 ℃, 세정 시간은 5 분간. 침지시에는 고주파 초음파 세정기 (발진기는 (주) 카이죠 제조의 「68101 형」, 진동판은 (주) 카이죠 제조의 「7857S 형」) 를 사용하여, 초음파 조사 기판인 이 진동판에 대하여 주파수 950 ㎑, 강도 0.45 W/㎠ 의 초음파를 일으켜 세정액에 초음파를 조사하였다. 침지 후의 실리콘 웨이퍼를 초순수로 10 분간 수세하고, 스핀 드라이어 ((주) 코쿠산 제조의 「H840」) 를 사용하여 건조시켰다. 또한, 본 발명의 실시예에서는, 액온을 제어하기 위해, 세정액의 액조에는 항온조를 사용하고 있어, 반응열에 의한 온도 상승이 있는 경우에는 냉각 기능을 작동시켜 설정 온도로 유지할 수 있도록 하고 있다.
21 장의 실리콘 웨이퍼 중 11 장째와 13 장째의 표면에 있는 입자수를 레이저 표면 검사 장치를 사용하여 측정하였다. 침지 후의 기판에는 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 Si3N4 입자수가 828 개/8 인치 부착되어 있었다. 또, 세정 전후의 실리콘 웨이퍼 표면의 Si3N4 입자수로부터 입자 제거율을 구한 결과, 97 ％ 였다.
<실시예 2>
성분 (D) 의 함유량을 500 ppm 으로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 세정하였다. 세정에 의해 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 Si3N4 입자수가 12835 개/8 인치에서 870 개/8 인치로 감소되었고, 입자 제거율은 98 ％ 였다.
<실시예 3>
세정액의 온도를 40 ℃ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 세정하였다. 세정에 의해 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 Si3N4 입자수가 11988 개/8 인치에서 900 개/8 인치로 감소되었고, 입자 제거율은 97 ％ 였다.
<실시예 4>
세정액의 온도를 50 ℃ 로 한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 세정하였다. 세정에 의해 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 Si3N4 입자수가 11384 개/8 인치에서 596 개/8 인치로 감소되었고, 입자 제거율은 98 ％ 였다.
<비교예 1>
세정액에 성분 (D) 를 첨가하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 세정하였다. 세정에 의해 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 Si3N4 입자수가 10423 개/8 인치에서 2119 개/8 인치로밖에 감소되지 않았고, 입자 제거율은 83 ％ 였다.
<비교예 2>
성분 (D) 로서 HO(CH2CH2O)2H 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 세정하였다. 세정에 의해 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 Si3N4 입자수가 10223 개/8 인치에서 2108 개/8 인치로밖에 감소되지 않았고, 입자 제거율은 84 ％ 였다.
<비교예 3>
성분 (D) 로서 n-메틸-2-피롤리돈을 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 세정하였다. 세정에 의해 입자직경 0.06 ∼ 10 ㎛ 의 Si3N4 입자수가 10427 개/8 인치에서 2000 개/8 인치로밖에 감소되지 않았고, 입자 제거율은 84 ％ 였다.
<비교예 4>
성분 (D) 로서 디에틸렌글리콜모노헥실에테르 (C6H13O(CH2CH2O)2H) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 세정을 조제했지만, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르는 APM 세정액에 용해되지 않았다.
이들 결과로부터, 본 발명의 세정액이 세정시의 초음파 조사의 강도가 약해도 우수한 입자 제거성을 갖는다는 것을 알 수 있다.
Figure pct00002
다음으로, 실시예 5 ∼ 8, 비교예 4 ∼ 7 에 대하여 설명한다.
<실시예 5>
여기에서 사용한 8 인치 실리콘 웨이퍼는 MCME 사 제조의 신품 웨이퍼를 APM 세정액으로 처리한 것을 사용하였다. 오염 전 미립자수는 200 개 전후/8 인치 실리콘 웨이퍼였다.
상기 실시예 1 과 동일한 방법으로, Si3N4 입자에 의해 10000 개 전후/8 인치 실리콘 웨이퍼 표면을 오염시켰다.
먼저, 실시예 1 과 동일한 방법으로 표 2 에 나타내는 바와 같은 각 조건에서 세정하였다.
Si3N4 입자에 의해 표면이 오염된 실리콘 웨이퍼 21 장을 APM 세정액 (29 중량％ 암모니아수, 31 중량％ 과산화수소수 및 물을 용량비 1 : 2 : 80 으로 혼합한 수용액. 표 2 의 성분 (A) ∼ (C) 의 혼합액) 에 표 2 에 나타내는 성분 (D) 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르 : C4H9O(CH2CH2O)2H 를 첨가한 액 10 ℓ 에 침지시켰다. 침지액의 pH 는 10.5, 침지시의 액온은 25 ℃, 세정 시간은 5 분간. 본 실시예에서도, 침지시에는 고주파 초음파 세정기 (발진기는 (주) 카이죠 제조의 「68101 형」, 진동판은 (주) 카이죠 제조의 「7857S 형」) 를 사용하여, 초음파 조사 기판인 이 진동판에 대하여 주파수 950 ㎑, 강도 0.45 Wㆍ㎝- 2 의 초음파를 발생시켜 세정액에 초음파 조사를 실시하였다. 침지 후의 실리콘 웨이퍼를 초순수로 10 분간 수세하고, 스핀 드라이어 ((주) 코쿠산 제조의 「H840」) 를 사용하여 건조시켰다.
그 결과를 표 2 에 나타냈다. 세정액에 성분 (D) 를 첨가한 경우에는, 낮은 온도 (25 ℃) 에서도 우수한 입자 제거 성능을 갖는다는 것을 알 수 있다.
또한, 열산화막을 갖는 8 인치 실리콘 웨이퍼 ((주) 아도반테크로부터 구입) 및 폴리실리콘막을 갖는 8 인치 실리콘 웨이퍼 ((주) 아도반테크로부터 구입) 를 사용하여 열산화막 및 폴리실리콘막의 양 막의 에칭 속도를 측정하였다.
상기의 각 평가 기판은 전처리로서 SPM 세정액 (97 중량％ 황산/31 중량％ 과산화수소수 = 4/1 용적비의 혼합액) 에 10 분간 침지시킨 후, 초순수로 10 분간 수세 후, 이어서 0.5 중량％ HF 수용액에 5 분간 침지시킨 후, 초순수로 10 분간 수세하고, 스핀 드라이어 ((주) 코쿠산 제조의 「H840」) 를 사용하여 건조시켰다. 각 초기 막두께를 나노스펙 (나노매트릭스ㆍ재팬 (주) 제조의 「NANOSPEC M210XP-FSCL」) 을 사용하여 측정하였다.
에칭 속도는 각 세정액에 열산화막을 갖는 8 인치 실리콘 웨이퍼는 15 분간 침지시킨 후, 또 폴리실리콘막을 갖는 8 인치 실리콘 웨이퍼는 5 분간 침지 후, 각 실리콘 웨이퍼를 초순수로 10 분간 수세하고, 스핀 드라이어 ((주) 코쿠산 제조의 「H840」) 를 사용하여 건조시킨 후, 막두께를 나노스펙 (나노메트릭스ㆍ재팬 (주) 제조의 「NANOSPEC M210XP-FSCL」) 을 사용하여 측정하고, 초기 막두께로부터의 막 감소량을 각 막의 침지 시간으로 나누어 산출하였다.
열산화막의 에칭 속도는 0.2 Å/분 이하, 폴리실리콘막의 에칭 속도는 1 Å/분 이하였다.
<실시예 6>
온도를 30 ℃ 로 한 것 이외에는, 상기 실시형태 5 와 동일하게 하여 세정하였다. 입자 제거율이 90 ％ 로 상승한 것 이외에는, 실시예 5 와 결과가 동일했다.
<실시예 7>
온도를 35 ℃ 로 한 것 이외에는, 상기 실시형태 5 와 동일하게 하여 세정하였다. 입자 제거율이 91 ％ 로 상승한 것 이외에는, 실시예 5 와 결과가 동일했다.
<실시예 8>
온도를 40 ℃ 로 한 것 이외에는, 상기 실시형태 5 와 동일하게 하여 세정하였다. 입자 제거율이 90 ％ 가 되고, 폴리실리콘의 에칭 속도가 1.3 Å/분이 되었다.
<비교예 4>
세정액에 성분 (D) 를 첨가하지 않은 것 이외에는, 실시예 5 와 동일하게 하여 세정하였다. 입자 제거율이 65 ％ 로 된 것 이외에는, 실시예 5 와 결과가 동일했다.
<비교예 5>
세정액에 성분 (D) 를 첨가하지 않은 것 이외에는, 실시예 6 과 동일하게 하여 세정하였다. 입자 제거율이 64 ％ 로 된 것 이외에는, 실시예 6 과 결과가 동일했다.
<비교예 6>
세정액에 성분 (D) 를 첨가하지 않은 것 이외에는, 실시예 7 과 동일하게 하여 세정하였다. 입자 제거율이 71 ％ 로 된 것 이외에는, 실시예 7 과 결과가 동일했다.
<비교예 7>
세정액에 성분 (D) 를 첨가하지 않은 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 세정하였다. 입자 제거율이 69 ％ 로 된 것 이외에는, 실시예 5 와 결과가 동일했다.
이상 실시예 5 내지 8 및 비교예 4 내지 7 의 결과로부터, 열산화막의 에칭 속도는, 세정액에 성분 (D) 를 첨가한 실시예도 첨가하지 않은 비교예도 양자 모두 40 ℃ 이하에서 0.2 Å/분 이하였다. 한편, 폴리실리콘막의 에칭 속도는, 양자 모두 35 ℃ 까지는 1 Å/분 이하였지만, 40 ℃ 에서는 양자 모두 1.3 Å/분으로 에칭 속도는 증가되었다.
이들 결과로부터, 기판에 대한 에칭을 회피하기 위해서는, 세정 온도로서 35 ℃ 이하가 바람직하다는 것을 알 수 있다.
이상의 결과로부터, 본원의 세정 방법은 실리콘 기판에 데미지를 주지 않고, 낮은 온도에서 입자를 제거할 수 있다는 것을 알 수 있다.
Figure pct00003
다음으로, 실시예 9 ∼ 12, 비교예 8 ∼ 11 에 대하여 설명한다.
평가용 8 인치 실리콘 웨이퍼로서 MEMC 사 제조를 사용하고, 실시예 1 과 동일하게 하여 표-3 의 각 조건에서 세정하였다. 여기에서는 초음파 강도를 0.2 Wㆍ㎝-2, 0.45 Wㆍ㎝-2, 0.8 Wㆍ㎝-2, 1.4 Wㆍ㎝- 2 로 변화시키고, 다른 조건은 실시예 1 및 비교예 1 과 동일하게 하였다.
그 결과를 표 3 에 나타냈다.
세정액에 성분 (D) 로 나타내는 글리콜에테르계 화합물을 첨가한 경우에는, 낮은 온도 (30 ℃) 에서 초음파 강도가 낮아도 우수한 입자 제거 성능을 갖는다는 것을 알 수 있다.
Figure pct00004
다음으로, 실시예 13, 14 에 대하여 설명한다.
평가용 8 인치 실리콘 웨이퍼로서 MEMC 사 제조를 사용하고, 성분 (D) 로 나타내는 글리콜에테르계 화합물로서, 실시예 1 의 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르 대신에 트리에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르를 사용한 것 이외에는, 실시예 14 에 대해서는 실시예 1 과 동일하게 하여 (초음파 강도 : 0.45 Wㆍ㎝-2) 세정하였다. 또, 실시예 13 은 초음파 강도만을 0.2 Wㆍ㎝- 2 로 변경한 것이다.
그 결과를 표 4 에 나타냈다. 입자 제거율은 APM 세정액 (비교예 8, 9) 과 비교하여 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르와 마찬가지로 입자 제거성이 우수하다는 것을 알 수 있다.
Figure pct00005
다음으로, 비교예 12, 13 에 대하여 설명한다.
비교예 12 는 평가용 8 인치 실리콘 웨이퍼로서 MEMC 사 제조를 사용하고, 성분 (D) 의 에틸렌글리콜에테르계 화합물 대신에 C12H25O(C2H4O)11H 의 구조식으로 나타내는 계면 활성제 (ROEO 형) 를 40 중량ppm 첨가하고, 세정 온도를 45 ℃ 로 한 것 이외에는, 실시예 5 와 각각 동일하게 하여 세정하였다.
또, 비교예 13 은 평가용 8 인치 실리콘 웨이퍼로서 MEMC 사 제조를 사용하고, 성분 (D) 를 첨가하지 않은 것 이외에는, 비교예 12 와 각각 동일하게 하여 세정하였다.
그 결과를 표 5 에 나타냈다. 입자 제거율은 APM 세정액과 동일한 레벨 (70 ％) 이고, 본원의 글리콜에테르계 화합물을 첨가한 세정 방법 및 세정액이 저온 그리고 낮은 초음파 강도에서 입자 제거율이 우수하다는 것을 알 수 있다.
Figure pct00006
본 발명을 상세하게 그리고 특정 실시형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 여러 가지 변경이나 수정을 부가할 수 있다는 것은 당업자에게 있어서 분명하다.
본 출원은 2007년 12월 4일에 출원된 일본 특허출원 (일본 특허출원 2007-313487호) 에 기초하는 것으로서, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.

Claims (8)

  1. 초음파 조사 기판 1 ㎠ 당 0.2 W 이상 1.5 W 이하 강도의 초음파를 가하면서, 이하의 성분 (A) ∼ (D) 를 함유하는 세정액을 사용하여 반도체 디바이스용 기판을 세정하는 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법.
    (A) 과산화수소
    (B) 알칼리
    (C) 물
    (D) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
    R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
    (식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)
  2. 이하의 성분 (A) ∼ (D) 를 함유하는 세정액을 사용하는 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법으로서,
    주파수가 0.5 ㎒ 이상의 초음파를 가하면서 반도체 디바이스용 기판을 세정하는 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법.
    (A) 과산화수소
    (B) 알칼리
    (C) 물
    (D) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
    R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
    (식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    세정시의 상기 세정액의 액온이 20 ∼ 50 ℃ 인 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정액의 pH 가 9.0 ∼ 12.0 인 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (D) 성분의 함유량이 50 ∼ 5000 중량ppm 인 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (B) 성분이 수산화암모늄인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (B) 성분의 함유량이 0.01 ∼ 10 중량％ 인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법.
  8. 이하의 성분 (A) ∼ (D) 를 함유하는 조성물로서,
    (A) 과산화수소
    (B) 알칼리
    (C) 물
    (D) 하기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물
    R1-O-(-R2-O-)n-H (1)
    (식 중, R1 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소수 2 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타내며, n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.)
    상기 성분 (A) 의 함유량이 0.01 ∼ 10 중량％,
    상기 성분 (B) 의 함유량이 0.005 ∼ 5 중량％,
    상기 성분 (C) 의 함유량이 85 ∼ 99.5 중량％,
    상기 성분 (D) 의 함유량이 50 ∼ 5000 중량ppm 인 조성물.
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