JP6123335B2 - 半導体デバイス用洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 - Google Patents
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Description
Cuは加工性がよいため微細加工に適するが、水中では酸化劣化しやすく、また、酸成分やアルカリ成分によって腐食しやすいことから、CMP工程において、Cu配線の酸化や腐食が問題となっている。
そのため、Cu配線を有する半導体デバイス用基板のCMPにおいて、研磨剤にはベンゾトリアゾール、トリルトリアゾールやそれらの誘導体等の防食剤が添加されており、この防食剤がCu表面に強く吸着して保護膜を形成することにより、CMPにおけるCu配線の腐食を抑制している。
(1) 無機アルカリ
(2) キレート剤
(3) スルホン酸型アニオン性界面活性剤及び硫酸型アニオン性界面活性剤から選ばれるアニオン性界面活性剤
(4) アミンオキシド型界面活性剤
(5) 水
本発明の半導体デバイス用洗浄液(以下、「本発明の洗浄液」と称す場合がある。)は、半導体デバイス用基板においての洗浄、好ましくは、半導体デバイス製造における化学的機械的研磨(CMP)工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分(1)〜(5)を含む半導体デバイス用洗浄液である。
(1) 無機アルカリ
(2) キレート剤
(3) スルホン酸型アニオン性界面活性剤及び硫酸型アニオン性界面活性剤から選ばれるアニオン性界面活性剤
(4) アミンオキシド型界面活性剤
(5) 水
本発明の洗浄液は無機アルカリを使用することで、アルカリ性を示すが、本発明の洗浄液に用いる無機アルカリは、水溶液でアルカリ性を示すもののうち、主にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む無機化合物及びその塩のことであり、これらのうち、無機アルカリとして、アルカリ金属を含む水酸化物を用いることが、安全性やコストの面で好ましい。具体的には、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウムなどが挙げられる。なお、無機アルカリは市販のものを使用しても良いが、無機アルカリを製造する場合、その製造段階において重金属成分や金属成分をなるべく低減したものを使用することが好ましい。
これらの無機アルカリは、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。これらの中でも水酸化カリウムを使用することが更に好ましい。
ここで、ゼータ電位をより低下させるためには、本発明の洗浄液は、pH9以上であることが好ましく、pH10以上であることがさらに好ましい。また、本発明の洗浄液のpHの上限については、本液が水溶液であることにより、通常14以下である。
本発明の洗浄液に用いるキレート剤としては、酢酸、シュウ酸、酒石酸、クエン酸などの有機酸及びその塩、グリシン、アラニン、システイン、ヒスチジン、アスパラギン酸、アルギニン、メチオニンなどのアミノ酸及びその誘導体、アンモニアなどの無機アルカリ及びその塩、トリメチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸などのアルキルアミン及びその誘導体、モノエタノールアミンなどのアルカノールアミン及びその誘導体が好適な例として挙げられる。
なお、キレート剤は1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。
本発明の洗浄液に用いられるスルホン酸型及び硫酸型から選ばれるアニオン性界面活性剤としては、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩(アルキル基の炭素数は好ましくは8〜20)、アルカンスルホン酸及びその塩(アルキル基の炭素数は好ましくは8〜20)、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩(アルキル基の炭素数は好ましくは8〜20)、アルキルメチルタウリン酸及びその塩(アルキル基の炭素数は好ましくは8〜20)、並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩が好適な例として挙げられる。
なお、スルホン酸型及び硫酸型から選ばれるアニオン性界面活性剤は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。
この中でも、品質の安定性や入手のしやすさから、ドデシルベンゼンスルホン酸及びそのアルカリ金属塩が好適に用いられる。
本発明の洗浄液に用いられるアミンオキシド型界面活性剤としては、アルキルジメチルアミンオキシド(アルキル基の炭素数は好ましくは8〜20)が挙げられ、これらのうち、ラウリルジメチルアミンオキシド、オレイルジメチルアミンオキシドが好適な例として挙げられる。
なお、アミンオキシド型界面活性剤は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。
本発明の洗浄液における溶媒として使用される水は、不純物を極力低減させた脱イオン水や超純水を用いることが好ましい。
本発明の洗浄液には、その性能を損なわない範囲において、上記成分(1)〜(5)以外の成分を任意の割合で含有してもよい。
ベンゾトリアゾール及びその誘導体、トリアゾール及びその誘導体、イミダゾール及びその誘導体、3−アミノトリアゾール、N(R)3(Rは互いに同一であっても異なっていてもよい炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基)、ウレア、チオウレア等の含窒素有機化合物;
ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマー;
炭素数1〜4のアルカノール;
水素、アルゴン、窒素、二酸化炭素等の溶存ガス;
フッ酸、フッ化アンモニウム、BHF(バッファードフッ酸)等のドライエッチング後に強固に付着したポリマー等の除去効果が期待できるエッチング促進剤;
ヒドラジン等の還元剤;
過酸化水素、オゾン、酸素等の酸化剤:
また、溶媒としてエタノールなど水以外の成分を含んでいてもよい。
本発明の半導体デバイス用洗浄液中のスルホン酸型及び硫酸型から選ばれるアニオン性界面活性剤の洗浄液中の濃度は好ましくは、0.0005〜0.05質量%であり、より好ましくは0.0005〜0.01質量%である。
スルホン酸型及び硫酸型から選ばれるアニオン性界面活性剤の濃度が、0.0005質量%未満では、半導体デバイス用基板の汚染能力が発揮できない可能性があり、0.05質量%を超えてもそれ以上の効果は得られないことに加え、洗浄液のコストがよりかかることになる。
アミンオキシド型界面活性剤の濃度が、0.0005質量%未満では、半導体デバイス用基板の汚染能力が発揮できない可能性があり、0.1質量%を超えてもそれ以上の効果は得られないことに加え、洗浄液のコストがよりかかることになる。
本発明では、必要に応じて、用いる界面活性剤を精製処理することにより、洗浄液中の界面活性剤由来の金属不純物含有量を1ppm以下とすることが好ましい。
また、キレート剤については、キレート剤が酸又はアルカリを兼ねるものであるか否かによって異なるが、洗浄液中の全キレート剤濃度(酸又はアルカリとして、キレート剤としても機能するものを添加した場合は、そのキレート剤も含める。)として0.1〜10質量%、特に0.5〜10質量%であることが好ましい。洗浄液中のキレート剤濃度が上記下限未満ではキレート剤としての効果が現れにくく、上記上限を超えると銅配線などの金属部が溶解されることがある。
本発明の洗浄液の製造方法は、特に限定されず、従来公知の方法によればよく、例えば、洗浄液の構成成分を混合することで製造することができる。通常、溶媒である水に、他の成分を添加することにより製造される。
その際の混合順序も、反応や沈殿物が発生するなど特段の問題がない限り任意であり、洗浄液の構成成分のうち、いずれか2成分又は3成分以上を予め配合し、その後に残りの成分を混合してもよいし、一度に全成分を混合してもよい。
この洗浄液原液における各成分の濃度は、特に制限はないが、各必須成分及び必要に応じて添加される他の成分並びにこれらの反応物が、洗浄液原液中で分離したり、析出しない範囲であることが好ましい。
具体的には、洗浄液原液の好適な濃度範囲は、スルホン酸型及び硫酸型から選ばれるアニオン性界面活性剤が0.01〜5質量%、アミンオキシド型界面活性剤が0.01〜10質量%の濃度である。
このような濃度範囲であると、輸送、保管時において、含有成分の分離が起こり難く、また、水を添加することにより容易に洗浄に適した濃度の洗浄液として好適に使用することができる。
なお、洗浄に供する洗浄液は、洗浄対象となる半導体デバイス用基板に対して各成分の濃度が適切なものとなるように洗浄液原液を希釈して製造してもよいし、その濃度になるように直接各成分を調整して製造してもよい。
次いで、本発明の半導体デバイス用基板の洗浄方法(以下、「本発明の洗浄方法」と称す場合がある。)について説明する。
本発明の洗浄方法は、上述の本発明の洗浄液を半導体デバイス用基板に直接接触させる方法で行なわれる。
この中でも、本発明の洗浄液は、短時間のリンスで除去ができるため、配線などとして表面に金属又は金属化合物を有する半導体デバイス用基板に対して特に好適である。
このような低誘電率材料としては、Polyimide、BCB(Benzocyclobutene)、Flare(Honeywell社)、SiLK(Dow Chemical社)等の有機ポリマー材料やFSG(Fluorinated silicate glass)などの無機ポリマー材料、BLACK DIAMOND(Applied Materials社)、Aurora(日本ASM社)等のSiOC系材料が挙げられる。
研磨剤には、コロイダルシリカ(SiO2)、フュームドシリカ(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、セリア(CeO2)などの研磨粒子が含まれる。このような研磨粒子は、半導体デバイス用基板の微粒子汚染の主因となるが、本発明の洗浄液は、基板に付着した微粒子を除去して洗浄液中に分散させると共に再付着を防止する作用を有しているため、微粒子汚染の除去に対して高い効果を示す。
特に、その表面に金属配線としてCu膜を有する半導体デバイス用基板におけるCMP研磨では、Cu膜が腐食しやすいため、防食剤が添加されることが多い。
防食剤としては、防食効果の高いアゾール系防食剤が好ましく用いられる。より具体的には、へテロ原子が窒素原子のみの複素環を含むものとして、ジアゾール系やトリアゾール系、テトラゾール系が挙げられ、窒素原子と酸素原子の複素環を含むものとして、オキサゾール系やイソオキサゾール系、オキサジアゾール系が挙げられ、窒素原子と硫黄原子の複素環を含むものとして、チアゾール系やイソチアゾール系、チアジアゾール系が挙げられる。その中でも特に、防食効果に優れるベンゾトリアゾール(BTA)系の防食剤が好ましく用いられている。
即ち、研磨剤中にこれらの防食剤が存在すると、Cu膜表面の腐食を抑える反面、研磨時に溶出したCuイオンと反応し、多量の不溶性析出物を生じる。本発明の洗浄液は、このような不溶性析出物を効率的に溶解除去することができ、更に、金属表面に残りやすい界面活性剤を、短時間のリンスで除去することができ、スループットの向上が可能である。
<洗浄液原液の調製>
無機アルカリとして0.7質量%の水酸化カリウム、キレート剤として1質量%のL−システイン、スルホン酸型アニオン性界面活性剤として0.1質量%のドデシルベンゼンスルホン酸、アミンオキシド型界面活性剤として1質量%のラウリルジメチルアミンオキシドを水に混合して、表1に示す組成の実施例1の半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
40倍に希釈した洗浄液をマグネティックスターラーを用いて攪拌しながら、pH計((株)堀場製作所 「D−24」)でpHの測定を行なった。測定サンプルは恒温槽中で25℃に液温を保った。測定結果を表2に示した。
洗浄液原液を2.5倍、5倍、10倍、20倍、40倍、60倍、100倍、200倍、400倍にそれぞれ希釈した液を用いて、注射針の先に約2.5μLの液滴を作成し、その液滴の曲率から表面張力を測定した。測定には協和界面科学(株)表面張力計「DM−700」を用いた。洗浄液原液の希釈倍率を上げていくと、ある濃度からは表面張力が減少し始める。その濃度が限界ミセル濃度(以下、CMCと称する。)と呼ばれる。測定結果から得られたCMCは洗浄液原液に対する濃度を体積%で示した。得られた結果を表2に示した。
PVD法でCu膜が成膜されたシリコン基板(アドバンテック(株))に、0.1質量%のベンゾトリアゾール水溶液を200cc注ぎ、次いで0.01質量%のコロイダルシリカ水溶液(扶桑化学(株)PL−10H)を200cc注ぎ、次いで超純水を1L注いだ後、基板を「マルチスピンナーKSSP−201」((株)カイジョー)で、上記の40倍に希釈した洗浄液を用いて洗浄した後、ウェハ表面検査装置「LS−6600」((株)日立ハイテク)によって、0.23μm以上の欠陥数を調べた。得られた結果を表2に示した。
層間絶縁膜であるBD1膜(low−k膜)が形成されたシリコン基板(アドバンテック(株))に0.01質量%のコロイダルシリカ水溶液(扶桑化学(株)PL−10H)を200cc注ぎ、次いで超純水を1L注いだ後、基板を「マルチスピンナーKSSP−201」((株)カイジョー)で、上記の40倍に希釈した洗浄液を用いて洗浄した後、ウェハ表面検査装置「LS−6600」((株)日立ハイテク)によって、0.20μm以上の欠陥数を調べた。得られた結果を表2に示した。
ダイナミック光散乱光度計「DLS−8000Ar」(大塚電子(株))を用いて、洗浄液原液中に含まれる界面活性剤が形成したミセルによる動的光散乱測定を行なった。キュムラント法解析により平均粒径及び多分散指数を求め、ヒストグラム法解析により粒径分布を求めた。1回の測定で500回の積算を行い、この測定を3回行った。3回の測定から得られた平均値とCV値を測定結果とし、表2に示した。ここで、CV値は測定結果のばらつきを示すもので、CV値(%)=(標準偏差/平均値)×100で算出される。
得られた結果を表2に示した。
40倍に希釈した洗浄液を用いて、ベアシリコン基板を「マルチスピンナーKSSP−201」((株)カイジョー)で洗浄した後、4質量%フッ酸1mLを用いて基板表面上に残留している金属分を回収し、ICP−MS(サーモフィッシャーサイエンティフィック社製「ELEMENT2」)で残留カリウム量(基板表面1cm2当たりのK原子個数:atoms/cm2)を測定した。得られた結果を表2に示した。
ライン/スペース=90nm/90nmのくし型パターンを含むパターン基板(次世代半導体材料技術研究組合製「CMP4−TEG」)を1cm角にカットしたもの2枚を用意し、40倍に希釈した洗浄液中に25℃で5分間浸漬させた。浸漬後の基板は取り出してすぐに超純水で洗浄し、エアーブローで乾燥させた。
浸漬を終えた基板を、電解放射型走査型電子顕微鏡(日本電子株式会社製「JSM−6320F」)で観察し、防食性の評価を行った。なお、防食性は、銅の配線パターンの腐食の進行具合で判断し、下記基準で評価した。得られた結果を表2に示した。
〇:腐食は全く確認されなかった。
△:腐食は殆ど確認されなかった。
×:腐食が確認された。
また、浸漬実験後のパターン基板表面のSEM写真を図1(a)に示した。
無機アルカリとして0.7質量%の水酸化カリウム、キレート剤として1質量%のL−システイン、スルホン酸型アニオン性界面活性剤として0.1質量%のドデシルベンゼンスルホン酸、アミンオキシド型界面活性剤として0.5質量%のラウリルジメチルアミンオキシドを水に混合して、表1に示す組成の実施例2の半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
これらの洗浄液原液及び洗浄液について、実施例1と同様に評価を行って結果を表2に示した。
無機アルカリとして0.7質量%の水酸化カリウム、キレート剤として1質量%のL−システイン、スルホン酸型アニオン性界面活性剤として0.1質量%のドデシルスルホン酸、アミンオキシド型界面活性剤として1質量%のラウリルジメチルアミンオキシドを水に混合して、表1に示す組成の実施例3の半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
これらの洗浄液原液及び洗浄液について、実施例1と同様に評価を行って結果を表2に示した。
無機アルカリとして2質量%の水酸化カリウム、キレート剤として1質量%のクエン酸及び1質量%のヒスチジン、スルホン酸型アニオン性界面活性剤として0.1質量%のドデシルベンゼンスルホン酸、アミンオキシド型界面活性剤として1質量%のラウリルジメチルアミンオキシドを水に混合して、表1に示す組成の実施例6の半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
これらの洗浄液原液及び洗浄液について、実施例1と同様に評価を行って結果を表2に示した。
また、浸漬実験後のパターン基板表面のSEM写真を図1(b)に示した。
無機アルカリとして0.7質量%の水酸化カリウム、キレート剤として1質量%のL−システイン、スルホン酸型アニオン性界面活性剤として0.1質量%のドデシルベンゼンスルホン酸を水に混合して、表1に示す組成の比較例1の半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
これらの洗浄液原液及び洗浄液について、実施例1と同様に評価を行って結果を表2に示した。
無機アルカリとして0.7質量%の水酸化カリウム、キレート剤として1質量%のL−システイン、スルホン酸型アニオン性界面活性剤として0.1質量%のドデシルスルホン酸を水に混合して、表1に示す組成の比較例2の半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
これらの洗浄液原液及び洗浄液について、実施例1と同様に評価を行って結果を表2に示した。
無機アルカリとして0.7質量%の水酸化カリウム、キレート剤として1質量%のL−システイン、アミンオキシド型界面活性剤として0.1質量%のラウリルジメチルアミンオキシドを水に混合して、表1に示す組成の比較例3の半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
これらの洗浄液原液及び洗浄液について、実施例1と同様に評価を行って結果を表2に示した。
酸として10質量%のクエン酸、キレート剤として1質量%のグリシン、スルホン酸型アニオン性界面活性剤として0.1質量%のドデシルベンゼンスルホン酸、アミンオキシド界面活性剤として1質量%のラウリルジメチルアミンオキシドを水に混合して半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
なお、クエン酸はキレート剤でもあるが、本比較例における配合量では、酸として機能する。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
これらの洗浄液原液及び洗浄液について、実施例1と同様に評価を行って結果を表2に示した。
無機アルカリとして1質量%の水酸化カリウムと水を混合して、半導体デバイス用洗浄液の原液を調製した。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体デバイス用洗浄液(希釈液)を調製した。
これらの洗浄液原液及び洗浄液について、実施例1と同様に評価を行って結果を表2に示した。
<CMC測定結果>
実施例1から実施例3に示される洗浄液原液は低いCMCを持ち、ラウリルジメチルアミンオキシドを添加した効果が発揮されているが、比較例1、比較例2のそれぞれのCMCが13.0体積%、20.0体積%であるのに対して、比較例3は5.2体積%であり、ラウリルジメチルアミンオキシドを添加することでCMCが値として下がってはいるが、実施例1〜3に比べると高く、充分に下がりきっていはいない。
実施例1から実施例3、比較例1に示される洗浄液を用いたCu基板洗浄実験において良好な結果が得られたのに対し、比較例3、比較例5に示された洗浄液はスルホン酸型及び硫酸型から選ばれるアニオン性界面活性剤が添加されておらず、Cu基板洗浄実験において良好な結果が得られなかった。比較例4に示される酸性の洗浄液に対して実施例1、実施例3の洗浄液はCu基板表面上の洗浄効果が高いことがわかる。
実施例1、2に示される洗浄液はドデシルベンゼンスルホン酸とラウリルジメチルアミンオキシドの相乗効果が発揮されており、検出された欠陥数が439個、443個と低い値を示した。
実施例3に示される洗浄液では、実施例1と同様に、ドデシルスルホン酸とラウリルジメチルアミンオキシドの相乗効果が発揮され、充分な洗浄能力を持っていると類推できる。
比較例1に示される洗浄液はラウリルジメチルアミンオキシドが添加されておらず、ドデシルベンゼンスルホン酸単体では欠陥の除去能力が充分ではないことが確認された。
比較例2に示される洗浄液の洗浄能力も比較例1の洗浄結果と同様の結果を与えることが類推できる。
比較例4に示される洗浄液は無機アルカリの代わりに酸、特に有機酸を主成分として使用した酸性の洗浄液であり、この洗浄液を使った<DB1基板洗浄実験>の結果、欠陥数が2691と高い値を示したことから、本発明の無機アルカリを主成分とする洗浄液に比べて絶縁膜基板での洗浄能力が十分ではないことがわかる。
比較例1に示された洗浄液を用いたミセルサイズ測定では、ミセルサイズが71.5nmと非常に大きな値を示した。比較例1の洗浄液はアルキルジメチルアミンオキシドが添加されておらず、界面活性剤分子の配列が異なっていることが分かる。また、このことがBD1基板洗浄実験において良好な結果が得られなかった一因と考えられる。
実施例1、実施例3、比較例3に示された洗浄液を用いたミセルサイズ測定では、10nm以下の小さなミセルが形成されていることが確認され、測定結果のばらつきを示すCV値も低い値を示した。
実施例1と実施例4に対して、比較例5の洗浄液では、残留金属(カリウム)が十分に除去できていないことから、アルカリ性の洗浄液でも本発明の洗浄液が残留金属(カリウム)を低減できる効果があることがわかる。
実施例1,4の洗浄液を用いた場合、Cu配線表面、Cu配線端部を殆ど或いは全く腐食することなく洗浄することができることがわかる。
Claims (6)
- 以下の成分(1)〜(5)を含み、成分(3)のアニオン性界面活性剤が0.0005〜0.05質量%、成分(4)のアミンオキシド型界面活性剤が0.0005〜0.1質量%の濃度で含有される半導体デバイス用洗浄液。
(1) 無機アルカリ
(2) キレート剤
(3) スルホン酸型アニオン性界面活性剤及び硫酸型アニオン性界面活性剤から選ばれるアニオン性界面活性剤
(4) アミンオキシド型界面活性剤
(5) 水 - 前記アニオン性界面活性剤が、アルキルスルホン酸及びその塩、並びにアルキル硫酸及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス用洗浄液。
- 前記アミンオキシド型界面活性剤が、アルキルジメチルアミンオキシドであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体デバイス用洗浄液。
- pHが8以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体デバイス用洗浄液。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体デバイス用洗浄液を用いて、半導体デバイス用基板を洗浄することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
- 前記半導体デバイス用基板が、基板表面にCu配線と低誘電率絶縁膜を有し、かつ、化学的機械的研磨を行なった後の基板であることを特徴とする請求項5に記載の半導体デバイス用基板の洗浄方法。
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