JP2012119513A - 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、成分(A)含窒素芳香族カルボン酸を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。該基板洗浄液は、酸性、アルカリ性のいずれの条件下においても優れた洗浄効果を示す。
【選択図】なし
Description
半導体デバイス用基板は、まず、シリコンウェハー基板の上に、金属膜や層間絶縁膜の堆積層を形成した後に、化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing、以下、「CMP」と称す。)によって表面の平坦化処理を行い、平坦となった面の上に新たな層を積み重ねて行くことで製造される。半導体デバイス用基板は、各層において精度の高い平坦性が必要である。
このCMP工程後の半導体デバイス用基板表面には様々な夾雑物が残留している。例えば、金属配線や低誘電率膜の削りカス、CMP工程で使用されるスラリーに含まれるコロイダルシリカ、スラリー中に含まれる防食剤に由来する有機物残渣などである。多層構造を持つ半導体デバイスを製造する上で、これらの夾雑物を除去することは必須である。一方、低誘電率膜は疎水性であり、水との親和性が低く、洗浄液をはじいてしまうので洗浄が困難である。また、コロイダルシリカは、その粒径が100nm以下と非常に小さいために、除去が困難である。有機物残渣は溶解、分解することが可能ではあるが、溶解性、分解性の高い洗浄液では金属配線に腐食を起こしてしまう、などといった課題が挙げられる。これらの課題を解決するために、様々な洗浄技術の適用が試みられている。
その中の一つとして重要な技術が微粒子の除去である。基板表面上に残る微粒子のうち、特にCu等の金属配線上に付着している微粒子が半導体製造固定の歩留りを下げると考えられる。Cu等の金属配線上から微粒子を除去するために、Cu等の金属配線表面を溶解させ、微粒子との吸着力を弱めることで、除去しやすくすることができる。しかしながら、Cu等の金属配線の溶解が起こりすぎると、腐食が起こり、歩留りを下げてしまうので、制御が必要となる。
例えば、特許文献1にはCMP後の基板上に残留している金属分を溶解、除去するために錯化剤を添加した洗浄液が開示されている。
特に疎水性の低誘電率絶縁膜や、腐食しやすいCu等の金属配線の表面上の様々な汚染を短時間で充分に除去できる技術はなく、その確立が求められていた。
<1> 半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、含窒素芳香族カルボン酸を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
<2> 前記含窒素芳香族カルボン酸が、ピコリン酸である前記<1>に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<3> さらに、有機酸(但し、前記含窒素芳香族カルボン酸に該当するものを除く。)及び水を含有してなる前記<1>又は<2>に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<4> 前記有機酸が、カルボキシル基を1以上有する炭素数1〜10の有機酸である前記<3>記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<5> 前記有機酸が、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、アスコルビン酸、没食子酸及び酢酸からなる群から選ばれた少なくとも1種である前記<3>又は<4>に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<6> 前記含窒素芳香族カルボン酸が0.01〜10質量%、前記有機酸が5〜30質量%の濃度で含有される前記<3>から<5>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<7> 前記含窒素芳香族カルボン酸が0.0001〜1質量%、前記有機酸が0.03〜3質量%の濃度で含有される前記<3>から<5>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<8> さらに、有機アルカリ及び水を含有してなる前記<1>又は<2>に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<9> 前記有機アルカリが、第4級アンモニウム基を有する前記<8>記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<10> 前記含窒素芳香族カルボン酸が0.01〜10質量%、前記有機アルカリが0.1〜10質量%の濃度で含有される前記<8>又は<9>に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<11> 前記含窒素芳香族カルボン酸が0.0001〜1質量%、前記有機アルカリが0.001〜1質量%の濃度で含有される前記<8>又は<9>に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<12> 界面活性剤を含有してなる前記<1>から<11>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<13> 前記界面活性剤が、アルキルスルホン酸及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩、アルキルメチルタウリン酸及びその塩、並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも1種である前記<12>記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<14> 前記界面活性剤が0.01〜10質量%の濃度で含有される前記<12>又は<13>に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<15> 前記界面活性剤が0.0001〜1質量%の濃度で含有される前記<12>又は<13>に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
<16> 前記<1>から<15>のいずれかに記載の半導体デバイス用基板洗浄液を用いて、半導体デバイス用基板を洗浄する半導体デバイス用基板の洗浄方法。
<17> 半導体デバイス用基板が、基板表面に銅配線と低誘電率絶縁膜を有し、かつ、化学的機械的研磨を行った後の前記半導体デバイス用基板を洗浄する前記<16>記載の半導体デバイス用基板の洗浄方法。
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、含窒素芳香族カルボン酸を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液に関する。
成分(A)としては、分子内にピリジン骨格、キノリン骨格等の含窒素6員環構造を有し、且つ窒素原子のα位にカルボキシル基を有する化合物が好ましく、具体的には、ピコリン酸(ピリジン−2−カルボン酸)、ピリジン−2,3−ジカルボン酸、ピリジン−2,4−ジカルボン酸、ピリジン−2,6−ジカルボン酸、キナルジン酸(2−キノリンカルボン酸)等が挙げられる。この中でも、特にCu配線表面の洗浄効果の高いピコリン酸が好適である。
なお、成分(A)は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。
本発明の成分は、防食皮膜を除去するという機能においては、酸系洗浄剤でもアルカリ系洗浄剤でも使用する事が可能である。そのpHは、洗浄の使用時で、通常1〜14、特に好ましくはpH2〜13である。pHが低すぎると金属配線の腐食が顕著になり、pHが高すぎると層間絶縁膜材料や、シリコンウェハーへのダメージが問題となるおそれがある。
酸成分やアルカリ成分として、無機酸、無機アルカリも使用することができるが、それぞれ有機酸(但し、上記成分(A)に該当するものを除く。)、有機アルカリを使用することが好ましい。
無機酸ではpHが低くなりすぎ、無機アルカリでは、例えばナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属類を系内に持ち込むことになるので、有機アルカリを用いる方が一般的である。
使用される有機酸は特に限定されないが、カルボキシル基を1以上有する炭素数1〜10のカルボン酸が好ましい。より好ましくは炭素数1〜8のカルボン酸であり、さらに好ましくは炭素数1〜6のカルボン酸である。
カルボン酸としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸等を適宜用いることができ、また、オキシカルボン酸、アミノカルボン酸などカルボキシル基以外の官能基を含むものであってもよい。
この中でも、特に好ましくはシュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、アスコルビン酸、没食子酸及び酢酸が挙げられる。
これらの有機酸は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。また、成分(B)として、多価有機酸の酸性塩を用いることもできる。
本発明の洗浄液に用いられる有機アルカリは特に限定されないが、以下の一般式(1)で表される、第4級アンモニウム水酸化物や、アミン類、アミノアルコール類等が挙げられる。
(R1)4N+OH- (1)
(但し、R1は水素原子、或いは水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、4個のR1は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。但し、全て同時に水素原子である場合を除く。)
界面活性剤としてはアニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤のいずれも使用できるが、アニオン系界面活性剤が好適である。
アニオン系界面活性剤としては、アルキルスルホン酸及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩、アルキルメチルタウリン酸及びその塩、アルキル硫酸エステル及びその塩、アルキルエーテル硫酸エステル及びその塩、並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩等のスルホン酸型アニオン性界面活性剤;
ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸、ポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸等のカルボン酸型アニオン性界面活性剤;
等が挙げられる。
アニオン系界面活性剤の中でも、特にスルホン酸型アニオン性界面活性剤が好ましく、特にアルキルスルホン酸及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩、アルキルメチルタウリン酸及びその塩、並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩から成る群から選ばれた少なくとも1種であることが好ましい。
より好ましいものとしては、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデカンスルホン酸及びこれらのアルカリ金属塩等が挙げられる。
この中でも、品質の安定性や入手のしやすさから、ドデシルベンゼンスルホン酸及びそのアルカリ金属塩が好適に用いられる。
なお、成分(D)は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を任意の割合で併用してもよい。
混合順序も反応や沈殿物が発生するなど特段の問題がない限り任意であり、洗浄液の構成成分のうち、何れか2成分又は3成分以上を予め配合し、その後に残りの成分を混合してもよいし、一度に全部を混合してもよい。
この洗浄原液における各成分の濃度は、特に制限はないが、成分(A)〜(D)及び必要に応じて添加される他の成分並びにこれらの反応物が、洗浄原液中で分離したり、析出しない範囲であることが好ましい。
具体的には、洗浄原液が酸性の場合の好適な濃度範囲は、成分(A):含窒素芳香族カルボン酸が0.01〜10質量%、成分(B):有機酸が、5〜30質量%である。
また、洗浄原液がアルカリ性の場合の好適な濃度範囲は、成分(A):含窒素芳香族カルボン酸が0.01〜10質量%、成分(C):有機アルカリが、0.1〜10質量%である。
また、成分(D):界面活性剤を含む場合には、その好適な濃度範囲は、0.01〜10質量%である。
このような濃度範囲であると、輸送、保管時において、含有成分の分離がおこりづらく、また、水を添加することにより容易に洗浄に適した濃度の洗浄液として好適に使用することができる。
洗浄液として用いられる際の成分(A):含窒素芳香族カルボン酸の濃度は、通常、0.0001〜1質量%であり、好ましくは、0.001〜0.5質量%である。
成分(A)の濃度が、0.0001質量%未満では、半導体デバイス用基板の汚染の除去が不充分になるおそれがあり、1質量%を超えてもそれ以上の効果は得られないことに加え、洗浄液のコストがかかることになる。また、成分(A)の濃度が1質量%を超えるとCu等の金属配線の腐食といった不具合を引き起こすことがある。
成分(B)の濃度が、0.03質量%未満では、半導体デバイス用基板の汚染の除去が不充分になるおそれがあり、3質量%を超えてもそれ以上の効果は得られないことに加え、洗浄液のコストがよりかかることになる。また、成分(B)の濃度が3質量%を超えるとCu等の金属配線の腐食といった不具合を引き起こすことがある。
成分(C)の濃度が、0.001質量%未満では、半導体デバイス用基板の汚染の除去が発揮できない可能性があり、1質量%を超えてもそれ以上の効果は得られないことに加え、洗浄液のコストがよりかかることになる。
他の成分としては、2−メルカプトチアゾリン、2−メルカプトイミダゾリン、2−メルカプトエタノール、チオグリセロール等の含硫黄有機化合物、
ベンゾトリアゾール、3−アミノトリアゾール、N(R2)3(R2は互いに同一であっても異なっていてもよい炭素数1〜4のアルキル基及び/又は炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基)、ウレア、チオウレア等の含窒素有機化合物、
ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の水溶性ポリマー、
R3OH(R3は炭素数1〜4のアルキル基)等のアルキルアルコール系化合物、等の防食剤;
水素、アルゴン、窒素、二酸化炭素、アンモニア等の溶存ガス、
フッ酸、フッ化アンモニウム、BHF(バッファードフッ酸)等のドライエッチング後に強固に付着したポリマー等の除去効果が期待できるエッチング促進剤;
ヒドラジン等の還元剤;
過酸化水素、オゾン、酸素等の酸化剤;
モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;
等が挙げられる。
本発明の洗浄方法は、既述した本発明の洗浄液を半導体デバイス用基板に直接接触させる方法で行われる。
この中でも、本発明の洗浄液は、かつ、短時間のリンスで除去ができるため、配線などとして表面に金属又は金属化合物を有する半導体デバイス用基板に対して特に好適である。
このような低誘電率材料としては、Polyimide、BCB(Benzocyclobutene)、Flare(Honeywell社)、SiLK(Dow Chemical社)等の有機ポリマー材料やFSG(Fluorinated silicate glass)などの無機ポリマー材料、BLACK DIAMOND(Applied Materials社)、Aurora(日本ASM社)等のSiOC系材料が挙げられる。
特に、その表面に金属配線としてCu膜を有する半導体デバイス用基板におけるCMP研磨では、Cu膜が腐食しやすいため、防食剤が添加されることが多い。
防食剤としては、防食効果の高いアゾール系防食剤が好ましく用いられる。より詳しくは窒素のみの複素環を含む、ジアゾール系やトリアゾール系、テトラゾール系が挙げられる。窒素と酸素の複素環を含む、オキサゾール系やイソオキサゾール系、オキサジアゾール系が挙げられ、窒素と硫黄の複素環を含む、チアゾール系やイソチアゾール系、チアジアゾール系が挙げられる。その中でも特に、防食効果に優れるベンゾトリアゾール(BTA)系の防食剤が好ましく用いられている。
即ち、研磨剤中にこれらの防食剤が存在すると、Cu膜表面の腐食を抑える半面、研磨時に溶出したCuイオンと反応し、多量の不溶性析出物を生じる。本発明の洗浄液は、このような不溶性析出物を効率的に溶解除去することができ、更に、金属表面に残りやすい界面活性剤を、短時間のリンスで除去することができ、スループットの向上が可能である。
そのため、本発明の洗浄方法は、Cu膜と低誘電率絶縁膜が共存した表面をCMP処理した後の半導体デバイス用基板の洗浄に好適であり、特にアゾール系防食剤が入った研磨剤でCMP処理した上記基板の洗浄に好適である。
「試薬」
成分(A):含窒素芳香族カルボン酸
・ピコリン酸(和光純薬株式会社製、試薬特級)
成分(B):有機酸
・クエン酸(和光純薬株式会社製、試薬特級)
成分(C):有機アルカリ
・テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(略称:TMAH)(和光純薬株式会社製、試薬特級)
成分(D):界面活性剤
・ドデシルベンゼンスルホン酸(略称:DBS)(ライオン株式会社製)
その他成分
・硫酸銅(和光純薬株式会社製、試薬特級)
・ベンゾトリアゾール(略称:BTA)(和光純薬株式会社、試薬特級)
(洗浄液の調製)
成分(A)としてピコリン酸を0.1質量%、成分(B)としてクエン酸を15質量%、及び成分(D)としてDBSを0.5質量%含有する水溶液を作成し、半導体基板洗浄液原液とした。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体基板洗浄液(希釈液)を調製した。洗浄液原液の組成を表1、希釈液の組成を表2に示す。
(銅基板のエッチレート)
PVDによって製膜した銅シード基板(市販品)を2.5cm角に裁断した。カットした基板の銅の膜厚を蛍光X線分析装置(XRF、日本電子株式会社 RIX−3000)で測定した。洗浄液(希釈液)中にその銅基板を120分間浸漬させた。浸漬後の基板を超純水でよくすすぎ、エアーブローで乾燥させた後。再度、XRFで銅の膜厚を測定した。エッチングレートは下記(2)式で算出した。
エッチレート(nm/分)=((浸漬前の膜厚(nm))−(浸漬後の膜厚(nm)))/120分 (2)
測定結果を表2に示す。
(Cu−BTA溶解度)
1.53質量%の酢酸銅水溶液/1.0質量%のBTA水溶液の重量比率が0.5となるように混合し、2.5質量%のCu−BTA錯体水溶液を調製した。次いで、洗浄液(希釈液)40gに2.5質量%のCu−BTA錯体水溶液を100μL添加し、マグネティックスターラーを用いて10分間攪拌した後、洗浄液中に不溶物が浮遊していないか目視で確認を行なった。洗浄液中に不溶物が目視で確認できなかった場合はさらに2.5質量%のCu−BTA錯体水溶液100μLの添加を行なった。2.5質量%のCu−BTA錯体水溶液を100μL添加は、洗浄液中に不溶物が目視で確認されるまで繰り返し行なった。洗浄液中に浮遊物が目視で確認された場合、それまでに添加したCu−BTA錯体の濃度を算出し、その濃度を各洗浄液のCu−BTA溶解度とした。測定結果を表2に示す。
(pH測定)
上記洗浄液(希釈液)をマグネティックスターラーを用いて攪拌しながら、pH計(株式会社堀場製作所 D−24)でpHの測定を行なった。測定サンプルは恒温層中で25℃に液温を保った。測定結果を表2に示す。
ピコリン酸濃度を0.3質量%とした以外は実施例1と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
ピコリン酸濃度を0.6質量%とした以外は実施例1と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
ピコリン酸濃度を1.0質量%とした以外は実施例1と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
ピコリン酸濃度を0質量%とした以外は実施例1と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。Cu−BTA溶解度が低かった。
成分(A)としてピコリン酸を0.3質量%、成分(B)としてクエン酸を15質量%、及び成分(D)としてDBSを0.5質量%、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを5.3質量%、酢酸を2質量%含有する水溶液を作成し、半導体基板洗浄液原液とした。
次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体基板洗浄液(希釈液)を調製した。洗浄液原液を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
ピコリン酸濃度を0.6質量%とした以外は実施例5と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
ピコリン酸濃度を1.0質量%とした以外は実施例5と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を0.6質量%、成分(D)としてDBSを0.5質量%、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを1.0質量%含有する水溶液を作成し、半導体基板洗浄液原液とした。次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体基板洗浄液(希釈液)を調製した。洗浄液原液を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を1.0質量%とした以外は実施例8と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
ピコリン酸濃度を0質量%とした以外は実施例8と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。Cu−BTA溶解度が低かった。
成分(A)としてピコリン酸を0.5質量%、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを1.0質量%含有する水溶液を作成し、半導体基板洗浄液原液とした。次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体基板洗浄液(希釈液)を調製した。洗浄液原液を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を1質量%とした以外は実施例10と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を1質量%、成分(D)としてDBSを0.5質量%、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを2.0質量%含有する水溶液を作成し、半導体基板洗浄液原液とした。次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体基板洗浄液(希釈液)を調製した。洗浄液原液を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
ピコリン酸濃度を0質量%とした以外は実施例12と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。Cu−BTA溶解度が低かった。
成分(A)としてピコリン酸を0.5質量%、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを5.0質量%含有する水溶液を作成し、半導体基板洗浄液原液とした。次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体基板洗浄液(希釈液)を調製した。洗浄液原液を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を1質量%とした以外は実施例13と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
ピコリン酸濃度を0質量%とした以外は実施例14と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。Cu−BTA溶解度が低かった。
成分(A)としてピコリン酸を0.5質量%、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド10質量%含有する水溶液を作成し、半導体基板洗浄液原液とした。次いで、該洗浄液原液に水を加え、40倍希釈した半導体基板洗浄液(希釈液)を調製した。洗浄液原液を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を1質量%とした以外は実施例15と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を5質量%とした以外は実施例15と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を10質量%とした以外は実施例15と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。
成分(A)としてピコリン酸を0質量%とした以外は実施例15と同様に行った。洗浄液原液組成を表1、希釈液の組成、エッチングレート、Cu−BTA溶解度、pHを表2に示す。Cu−BTA溶解度が低かった。
Claims (17)
- 半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、含窒素芳香族カルボン酸を含有してなることを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記含窒素芳香族カルボン酸が、ピコリン酸であることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- さらに、有機酸(但し、前記含窒素芳香族カルボン酸に該当するものを除く。)及び水を含有してなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記有機酸が、カルボキシル基を1以上有する炭素数1〜10の有機酸であることを特徴とする請求項3記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記有機酸が、シュウ酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、乳酸、アスコルビン酸、没食子酸及び酢酸からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記含窒素芳香族カルボン酸が0.01〜10質量%、前記有機酸が5〜30質量%の濃度で含有されることを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記含窒素芳香族カルボン酸が0.0001〜1質量%、前記有機酸が0.03〜3質量%の濃度で含有されることを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- さらに、有機アルカリ及び水を含有してなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記有機アルカリが、第4級アンモニウム基を有することを特徴とする請求項8記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記含窒素芳香族カルボン酸が0.01〜10質量%、前記有機アルカリが0.1〜10質量%の濃度で含有されることを特徴とする請求項8又は9に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記含窒素芳香族カルボン酸が0.0001〜1質量%、前記有機アルカリが0.001〜1質量%の濃度で含有されることを特徴とする請求項8又は9に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 界面活性剤を含有してなることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記界面活性剤が、アルキルスルホン酸及びその塩、アルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸及びその塩、アルキルメチルタウリン酸及びその塩、並びにスルホコハク酸ジエステル及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項12記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記界面活性剤が0.01〜10質量%の濃度で含有されることを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 前記界面活性剤が0.0001〜1質量%の濃度で含有されることを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体デバイス用基板洗浄液。
- 請求項1から15のいずれか1項に記載の半導体デバイス用基板洗浄液を用いて、半導体デバイス用基板を洗浄することを特徴とする半導体デバイス用基板の洗浄方法。
- 半導体デバイス用基板が、基板表面に銅配線と低誘電率絶縁膜を有し、かつ、化学的機械的研磨を行った後の前記半導体デバイス用基板を洗浄することを特徴とする請求項16記載の半導体デバイス用基板の洗浄方法。
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