CN105032874A - 树脂层的去除方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种树脂层的去除方法，其去除配置在玻璃基板上的树脂层，具有如下工序：使碱浓度为15质量％以上且含有3质量％以上式(1)所示的化合物的碱水溶液与树脂层接触，去除树脂层，RO-(LO)_n-H？？？式(1)，式(1)中，R表示烷基，L表示亚烷基，n表示1以上的整数。

Description

树脂层的去除方法

技术领域

本发明涉及从在玻璃基板上附着树脂层而成的复合体去除树脂层的、树脂层的去除方法。

背景技术

近年来，正在进行太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等电子设备(电子装置)的薄型化、轻量化。作为实现该电子设备的薄型化、轻量化的方法之一，正在进行用于电子设备的玻璃基板的薄板化。

然而，因薄板化而使玻璃基板的强度不足时，在设备的制造工序中，玻璃基板的处理性降低。

为了解决这种问题，最近提出了如下方法：制作层叠有薄板玻璃基板和作为增强板的复合体的玻璃层叠体，在玻璃层叠体的薄板玻璃基板上形成显示装置等电子设备用部件之后，将薄板玻璃基板与复合体分离(参见专利文献1)。

复合体具有作为支撑基板的玻璃基板和形成在该支撑基板上的树脂层(例如有机硅树脂层)。在其表面形成电子设备用部件的薄板玻璃基板以可剥离的方式层叠/贴附该于复合体的树脂层。

从玻璃层叠体剥离薄板玻璃基板而得的复合体可以再次层叠/贴附新的薄板玻璃基板，进行再利用。

在此，复合体由于电子设备用部件的制造所伴随的加热、液体处理、与薄板玻璃基板的剥离/贴附等，随着再利用的次数，树脂层会逐渐劣化。树脂层劣化时，会发生无法获得与薄板玻璃基板的必要粘接力、劣化的树脂附着于薄板玻璃基板等不利情况。

在复合体的树脂层发生了劣化时，需要从支撑基板剥离树脂层并再次形成树脂层。

此外，无论树脂层的劣化程度如何，都可以考虑从支撑基板剥离树脂层作为复合体以外的其他玻璃板产品加以利用。

作为从支撑基板剥离树脂层的方法，可举出专利文献2中记载的方法。

该方法首先进行热处理工序，使树脂层暴露于300～450℃的大气或350～600℃的非活性气氛或150～350℃的水蒸气。接着进行清洗工序，对热处理后的树脂层进行利用化学溶液、研磨剂的研磨，去除树脂层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/018028号

专利文献2：国际公开第2011/111611号

发明内容

发明要解决的问题

根据该专利文献2中记载的树脂层的去除方法，通过热处理工序使树脂层分解之后，进行树脂层的去除。因此，通过一边使用化学溶液使树脂层溶解或溶胀一边用刷子洗掉的方法、使用分散有研磨剂的分散液一边削落树脂层一边用刷子洗掉的方法等，能够容易地从支撑基板去除树脂层而不使支撑基板发生破损。

但另一方面，对于该方法，需要在300～450℃的大气中、350～600℃的非活性气氛或150～350℃的水蒸气中的热处理工序。

因此，存在树脂层的去除费事、设备因热处理而大规模、生产率差、成本高等难点。

本发明的目的在于解决这种现有技术的问题，提供一种树脂层的去除方法，其在从在玻璃基板上形成树脂层而成的复合体去除树脂层时，无需进行高温下的热处理便能够从玻璃基板去除树脂层，由此，无需进行设备的大幅变更即可使处理简便化，实现玻璃基板的再利用中的生产率提高、处理成本缩减等。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述问题而进行了深入研究，结果完成了本发明。

即，本发明的第1方案是一种树脂层的去除方法，其去除配置在玻璃基板上的树脂层，具有如下工序：使碱浓度为15质量％以上且含有3质量％以上后述式(1)所示的化合物的碱水溶液与树脂层接触，去除树脂层。

在第1方案中，优选树脂层为有机硅树脂层。

在第1方案中，优选式(1)中的L为三亚甲基、亚丙基或亚乙基，n为1～3的整数。

在第1方案中，优选式(1)所示的化合物为丙二醇单乙醚或二丙二醇单甲醚。

在第1方案中，优选碱浓度为18质量％以上。

在第1方案中，优选树脂层的厚度为0.1～100μm。

在第1方案中，优选碱水溶液中含有选自由氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化锂组成的组中的至少1种。

在第1方案中，优选碱水溶液的温度为5～50℃。

在第1方案中，优选碱水溶液与树脂层的接触时间为0.1～24小时。

在第1方案中，优选用于去除具有玻璃基板与树脂层的复合体中的树脂层，所述复合体是如下而得到的：从依次具有玻璃基板、树脂层、薄板玻璃基板和电子设备用部件的层叠体，将树脂层与薄板玻璃基板的界面作为剥离面分离而得到。

本发明的第2方案是一种玻璃基板的制造方法，其实施第1方案的树脂层的去除方法而制造玻璃基板。

发明的效果

根据本发明，在作为支撑基板的玻璃基板上形成树脂层而成的复合体中，无需进行高温下的热处理便能够从玻璃基板去除树脂层。

因此，根据本发明，无需进行设备的大幅变更即可使处理简便化，实现玻璃基板的再利用中的生产率提高、处理成本缩减等。

具体实施方式

以下对本发明的树脂层的去除方法(玻璃基板的制造方法)进行详细说明。

在本发明中，通过使含有规定成分的碱水溶液与树脂层接触而发现了不同于专利文献2的、即使不事先实施加热处理也能够容易地去除树脂层的方法。

作为清洗的对象，可列举出具备玻璃基板和配置在玻璃基板上的树脂层的复合体。如上所述，该复合体以可剥离的方式在其树脂层上层叠薄板玻璃基板，形成玻璃层叠体。该玻璃层叠体可利用于液晶面板、有机EL面板等显示装置、太阳能电池等电子设备(电子装置)的制造，在薄板玻璃基板的表面形成构成电子设备的电子设备用部件。形成电子设备用部件后，从具备玻璃基板、树脂层、薄板玻璃基板和电子设备用部件的层叠体，以树脂层与薄板玻璃基板的界面作为剥离面，分离成复合体以及包括薄板玻璃基板和电子设备用部件的电子设备。如上所述，优选该经分离的复合体中的树脂层作为清洗对象。另外，薄板玻璃基板是指比前述复合体中包含的玻璃基板更薄的板。

需要说明的是，该玻璃层叠体中使用的薄板玻璃基板是在电子设备的制造中作为形成薄膜晶体管等电子设备用部件的玻璃基板而利用的常规基板。

以下，首先对作为清洗的对象的复合体中的各构件(玻璃基板、树脂层)进行详细说明，然后对本制造方法的步骤进行详细说明。

<玻璃基板>

玻璃基板是支撑后述树脂层的构件。作为玻璃基板的组成，没有特别限制，对于其组成，例如可以使用含有碱金属氧化物的玻璃(钠钙玻璃等)、无碱玻璃等各种组成的玻璃。当中，从热收缩率小的方面来看，优选为无碱玻璃。与树脂层密合之前，优选为了去除污迹、异物等而预先清洗其表面。

对玻璃基板的厚度没有特别限定，优选为能够用现有的电子设备用面板的生产线对上述玻璃层叠体进行处理的厚度。例如，目前LCD的制造中使用的玻璃基板的厚度主要在0.4～1.2mm的范围，尤其多为0.7mm。

其中，出于容易操作、不易破裂等理由，玻璃基板的厚度优选为0.08mm以上。此外，出于在电子设备用部件形成后进行剥离时期望具有不会破裂、可适度弯曲的刚性的理由，玻璃基板的厚度优选为1.2mm以下。

玻璃基板的表面可以是经机械研磨或化学研磨处理的研磨面，或者也可以是未经研磨处理的非蚀刻面(素面)。从生产率和成本的方面来看，优选为非蚀刻面(素面)。

玻璃基板具有第1主面和第2主面，对其形状没有限定，优选为矩形。在此，矩形是指实质上为大致矩形，也包括切除了周边部的角(切角)的形状。对玻璃基板的大小没有限定，例如，为矩形时，可以是100～2000mm×100～2000mm，优选为500～1000mm×500～1000mm。

<树脂层>

树脂层是配置(固定)在上述玻璃基板上的层，在制造上述玻璃层叠体时，在其表面上配置薄板玻璃基板。

树脂层优选通过粘接力、粘合力等强结合力与玻璃基板表面相结合。例如，如后所述，可以通过使交联性有机聚硅氧烷在玻璃基板表面交联固化而使作为交联物的有机硅树脂粘接于玻璃基板表面，从而获得高结合力。此外，也可以实施使玻璃基板表面与树脂层之间产生强结合力的处理(例如使用偶联剂的处理)，来提高玻璃基板表面与树脂层之间的结合力。

对树脂层的厚度没有特别限定，优选为0.1～100μm，更优选为0.5～50μm，进一步优选为1～20μm。树脂层的厚度为这种范围时，即使在树脂层与玻璃基板之间夹杂有气泡、异物，也可以抑制配置在树脂层上的薄板玻璃基板产生变形缺陷。此外，树脂层的厚度过厚时，由于形成需要耗费时间和材料而不经济，有时耐热性会降低。

对构成树脂层的树脂的种类没有特别限制，例如可列举出：丙烯酸类树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂和有机硅树脂。其中，从耐热性和剥离性的方面来看，优选有机硅树脂。即，优选树脂层为有机硅树脂层(含有有机硅树脂的层)。

有机硅树脂层中含有的有机硅树脂优选为交联性有机聚硅氧烷(固化性有机硅)的交联物，该有机硅树脂优选形成了三维网络结构。

对交联性有机聚硅氧烷的种类没有特别限制，只要是通过规定的交联反应进行交联固化而形成构成有机硅树脂的交联物(固化物)，就对其结构没有特别限定，具有规定的交联性即可。对交联的形式没有特别限制，可以根据交联性有机聚硅氧烷中含有的交联性基团的种类而采用适当公知的形式。例如可列举出：硅氢化反应、缩合反应、或者利用加热处理、高能量射线处理或自由基聚合引发剂的自由基反应等。

更具体而言，交联性有机聚硅氧烷具有链烯基或炔基等自由基反应性基团时，通过利用上述自由基反应的自由基反应性基团之间的反应而交联形成固化物(交联有机硅树脂)。

此外，交联性有机聚硅氧烷具有硅烷醇基时，通过硅烷醇基之间的缩合反应而交联形成固化物。

进而，交联性有机聚硅氧烷含有具有与硅原子键合的链烯基(乙烯基等)的有机聚硅氧烷(即有机链烯基聚硅氧烷)和具有与硅原子键合的氢原子(硅氢基)的有机聚硅氧烷(即有机氢聚硅氧烷)时，在硅氢化催化剂(例如铂系催化剂)的存在下通过硅氢化反应而交联形成固化物。

其中，从有机硅树脂层的形成容易、剥离性更优异的方面来看，优选交联性有机聚硅氧烷含有在两末端和/或侧链具有链烯基的有机聚硅氧烷(以后也适当称为有机聚硅氧烷A)和在两末端和/或侧链具有硅氢基的有机聚硅氧烷(以后也适当称为有机聚硅氧烷B)的方案。

另外，作为链烯基，没有特别限定，例如可列举出：乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己炔基等，当中从耐热性优异的方面来看，优选乙烯基。

此外，作为有机聚硅氧烷A中含有的链烯基以外的基团和有机聚硅氧烷B中含有的硅氢基以外的基团，可列举出烷基(特别是碳数4以下的烷基)。

对有机聚硅氧烷A中的链烯基的位置没有特别限制，有机聚硅氧烷A为直链状时，链烯基可以存在于下述所示的M单元和D单元中的任一者中，也可以存在于M单元和D单元的两者中。从固化速度的方面来看，优选至少存在于M单元中，优选存在于2个M单元的两者中。

另外，M单元和D单元是指有机聚硅氧烷的基本构成单元的例子，M单元是指键合了3个有机基团的1官能性的硅氧烷单元，D单元是指键合了2个有机基团的2官能性的硅氧烷单元。在硅氧烷单元中，硅氧烷键是2个硅原子通过1个氧原子键合的键，因此硅氧烷键中的平均每个硅原子的氧原子视为1/2个，式中表达为O_1/2。

[化学式1]

对有机聚硅氧烷A中的链烯基的数量没有特别限制，优选1分子中具有1～3个，更优选具有2个。

对有机聚硅氧烷B中的硅氢基的位置没有特别限制，有机聚硅氧烷A为直链状时，硅氢基可以存在于M单元和D单元中的任一者中，也可以存在于M单元和D单元的两者中。从固化速度的方面来看，优选至少存在于D单元中。

对有机聚硅氧烷B中的硅氢基的数量没有特别限制，优选1分子中至少具有2个，更优选具有3个。

对有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的混合比率没有特别限制，优选调整至有机聚硅氧烷B中的键合于硅原子的氢原子与有机聚硅氧烷A中的全部链烯基的摩尔比(氢原子/链烯基)为0.7～1.05。其中，优选将混合比率调整至0.8～1.0。

作为硅氢化催化剂，优选使用铂族金属系催化剂。作为铂族金属系催化剂，可列举出铂系、钯系、铑系等催化剂，特别是从经济性、反应性的方面来看优选使用铂系催化剂。作为铂族金属系催化剂，可以使用公知的物质。具体而言，可列举出：铂微粉、铂黑、氯亚铂(Ⅱ)酸、氯铂(Ⅳ)酸等氯铂酸、四氯化铂、氯化铂酸的醇化合物、醛化合物、或者铂的烯烃络合物、链烯基硅氧烷络合物、羰基络合物等。

作为硅氢化催化剂的用量，相对于有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的总质量100质量份，优选为0.1～20质量份，更优选为1～10质量份。

对交联性有机聚硅氧烷的数均分子量没有特别限制，从处理性优异且成膜性也优异、可进一步抑制高温处理条件下的有机硅树脂的分解的方面来看，基于GPC(凝胶渗透色谱)测定的、聚苯乙烯换算的重均分子量优选为1,000～5,000,000，更优选为2,000～3,000,000。

交联性有机聚硅氧烷的粘度优选为10～5000mPa·s，更优选为15～3000mPa·s。需要说明的是，粘度的测定温度为25℃。

此外，作为交联性有机聚硅氧烷的具体销售的商品名或型号，作为不具有芳香族基团的交联性有机聚硅氧烷，可列举出：KNS-320A、KS-847(均为Shin-EtsuSilicone制造)，TPR6700(MomentivePerformanceMaterialsJapanLLC制造)，乙烯基有机硅“8500”(荒川化学工业株式会社制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业株式会社制造)的组合，乙烯基有机硅“11364”(荒川化学工业株式会社制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业株式会社制造)的组合，乙烯基有机硅“11365”(荒川化学工业株式会社制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业株式会社制造)的组合等。

对树脂层的形成方法没有特别限制，可采用公知的方法。

例如，形成有机硅树脂层时，在玻璃基板的表面形成含有交联性有机聚硅氧烷的层，在玻璃基板表面上使交联性有机聚硅氧烷交联形成有机硅树脂层。

为了在玻璃基板上形成含有交联性有机聚硅氧烷的层，优选使用使交联性有机聚硅氧烷溶解于溶剂而得到的树脂组合物，将该组合物涂布在玻璃基板上形成溶液的层，接着去除溶剂形成含有交联性有机聚硅氧烷的层。通过组合物中的交联性有机聚硅氧烷浓度的调整等，可以控制含有交联性有机聚硅氧烷的层的厚度。

作为溶剂，只要是能够在作业环境下容易地溶解交联性有机聚硅氧烷且能够容易地挥发去除的溶剂即可，没有特别限定。具体而言，例如可例示出：醋酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF、氯仿等。

对在玻璃基板表面上涂布含有交联性有机聚硅氧烷的组合物的方法没有特别限定，可以使用公知的方法。例如可列举出：喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。

然后，可以根据需要而实施用于去除溶剂的干燥处理。对干燥处理的方法没有特别限制，例如可列举出在减压条件下去除溶剂的方法、在交联性有机聚硅氧烷不会进行固化的温度下加热的方法等。

接着，使玻璃基板上的交联性有机聚硅氧烷交联，形成有机硅树脂层。固化(交联)的方法如上所述，可根据交联性有机聚硅氧烷的交联形式而适当选择最佳方法，例如可列举出加热处理、曝光处理。其中，交联性有机聚硅氧烷通过硅氢化反应、缩合反应、自由基反应进行交联时，优选通过热固化制造有机硅树脂层。

以下，对热固化的方案进行详细说明。

从有机硅树脂层的耐热性提高的观点来看，使交联性有机聚硅氧烷热固化的温度条件优选为150～300℃，更优选为180～250℃。此外，加热时间通常优选为10～120分钟，更优选为30～60分钟。

需要说明的是，交联性有机聚硅氧烷可以在进行预固化(precuring)后进行后固化(主固化)来固化。通过进行预固化，可以得到耐热性更优异的有机硅树脂层。预固化优选接着溶剂的去除进行，该情况下，从层中去除溶剂形成含有交联性有机聚硅氧烷的层的工序与进行预固化的工序没有特别区分。

<去除工序>

本发明的树脂层的去除方法具有如下工序：使碱浓度为15质量％以上且含有3质量％以上后述式(1)所示的化合物的碱水溶液与上述树脂层接触，去除树脂层。通过实施本工序，无需加热便可以容易地去除树脂层。

以下，首先对本工序中使用的碱水溶液进行详细说明。

(碱水溶液)

碱水溶液的碱浓度为15质量％以上，从树脂层的去除性更优异的方面(以后也简称为“本发明的效果更优异的角度”)来看，优选为18质量％以上，更优选为20质量％以上。对上限没有特别限制，从效果饱和的方面来看，优选为40质量％以下。

碱浓度小于15质量％时，树脂层的去除性差。

另外，碱浓度是指碱成分相对于碱水溶液总质量的质量比率(质量％)。

作为碱成分，可以使用公知的碱成分，例如可列举出：碳酸钾、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸氢钾、磷酸三钠、磷酸三钾、磷酸二钾、硼酸钠、硼酸钾、四硼酸钠(硼酸)、四硼酸钾、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂等碱金属化合物。其中，从本发明的效果更优异的方面来看，优选氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂。

碱水溶液中含有以下式(1)所示的化合物(二醇醚)。

RO-(LO)_n-H式(1)

式(1)中，R表示烷基。对烷基的碳数没有特别限制，从本发明的效果更优异的方面来看，优选为1～10，更优选为1～5，进一步优选为1～3。烷基可以是直链、支链、环状中的任一种。

L表示亚烷基。对亚烷基的碳数没有特别限制，从本发明的效果更优异的方面来看，优选为1～10，更优选为1～5，进一步优选为1～3。更具体而言，优选亚乙基(-CH₂-CH₂-)、三亚甲基(-CH₂-CH₂-CH₂-)、亚丙基(-CH(CH₃)-CH₂-)。

n表示1以上的整数。其中，从本发明的效果更优异的方面来看，优选为1～10，更优选为1～5，进一步优选为1～3。

作为上述式(1)所示的化合物，例如可列举出丙二醇单乙醚、二丙二醇单甲醚等。

式(1)所示的化合物相对于碱水溶液总质量的含量为3质量％以上，从本发明的效果更优异的方面来看，优选为4质量％以上，更优选为5质量％以上。对上限没有特别限制，从效果饱和的方面来看，优选为20质量％以下。

上述含量小于3质量％时，树脂层的去除性差。

碱水溶液中通常含有水作为溶剂。

此外，在不损害本发明的效果的范围内，碱水溶液中可以含有有机溶剂、其他添加剂。

(工序的步骤)

本工序使碱水溶液与上述树脂层接触，去除树脂层。

对碱水溶液与树脂层的接触方法没有特别限制，例如可列举出将含有树脂层的复合体浸渍在碱水溶液中的方法、在树脂层上涂布碱水溶液的方法。

对碱水溶液与树脂层的接触时间没有特别限制，从本发明的效果更优异的方面来看，优选为0.1小时以上，更优选为0.5小时以上，进一步优选为0.6小时以上。对上限没有特别限制，从生产率的方面来看，优选为30小时以下，更优选为24小时以下。

对与树脂层接触时的碱水溶液的温度没有特别限制，从本发明的效果更优异的方面和水溶液的稳定性的方面来看，优选为5～50℃，更优选为10～40℃。

需要说明的是，使碱水溶液与树脂层接触后，可以根据需要而用水清洗去除树脂层。

此外，可以根据需要而对去除了树脂层的玻璃基板的表面实施研磨处理。作为研磨处理的方法，可以实施公知的方法。

通过实施上述工序，能够去除配置在玻璃基板上的树脂层，能够制造玻璃基板。

可以在所得玻璃基板上再次形成树脂层，也可以作为玻璃基板使用。

[实施例]

以下给出本发明的具体实施例进一步对本发明进行详细说明。

<复合体的制造>

用模涂法将在两末端具有乙烯基的直链状有机链烯基聚硅氧烷(乙烯基有机硅、荒川化学工业株式会社制造、ASA-V01)、分子内具有硅氢基的甲基氢聚硅氧烷(荒川化学工业株式会社制造、ASA-X01)、铂系催化剂(荒川化学工业株式会社制造、ASA-C01)以及IPSolvent2028(出光兴产株式会社制造)的混合液涂覆在玻璃基板(长240mm、宽240mm、板厚0.5mm、线膨胀系数38×10^-7/℃、旭硝子株式会社制造商品名“AN100”)上，在玻璃基板上设置含有未固化的固化性有机硅的层。在此，直链状有机链烯基聚硅氧烷与甲基氢聚硅氧烷的混合比调节至乙烯基与硅氢基的摩尔比为1:1。此外，相对于直链状有机链烯基聚硅氧烷与甲基氢聚硅氧烷的总和100质量份，铂系催化剂采用4质量份。此外，IPSolvent2028调节至溶液固体成分浓度为40重量％。

接着，将其在大气中以250℃加热干燥固化20分钟，在玻璃基板上得到厚度8μm的有机硅树脂层。

<实施例1>

制备含有氢氧化钾(KOH)和丙二醇单乙醚且KOH浓度(KOH相对于碱水溶液总质量的浓度)为20质量％、丙二醇单乙醚浓度(丙二醇单乙醚相对于碱水溶液总质量的浓度)为5质量％的碱水溶液。

在所得碱水溶液(25℃)中将配置有上述有机硅树脂层的玻璃基板浸渍40分钟。浸渍后，取出玻璃基板时，有机硅树脂层已被去除。

<实施例2>

将浸渍时间从40分钟变更为60分钟，除此之外按照与实施例1同样的步骤进行，结果有机硅树脂层被从玻璃基板去除。

<实施例3>

将浸渍时间从40分钟变更为17小时，除此之外按照与实施例1同样的步骤进行，结果有机硅树脂层被从玻璃基板去除。

<实施例4>

制备含有氢氧化钾(KOH)和二丙二醇单甲醚且KOH浓度(KOH相对于碱水溶液总质量的浓度)为20质量％、二丙二醇单甲醚浓度(二丙二醇单甲醚相对于碱水溶液总质量的浓度)为5质量％的碱水溶液。

在所得碱水溶液(25℃)中将配置有上述有机硅树脂层的玻璃基板浸渍80分钟。浸渍后，取出玻璃基板时，有机硅树脂层已被去除。

<实施例5>

将浸渍时间从80分钟变更为4小时，除此之外按照与实施例4同样的步骤进行，结果有机硅树脂层被从玻璃基板去除。

<比较例1>

未在碱水溶液中使用丙二醇单乙醚，除此之外按照与实施例1同样的步骤进行，结果未能去除有机硅树脂层。

<比较例2>

将KOH浓度从20质量％变更为10质量％，除此之外按照与实施例1同样的步骤进行，结果未能去除有机硅树脂层。

本申请基于2014年4月30日提交的日本特许出愿2014-093947，其内容在此作为参考而并入。

Claims (11)

1.一种树脂层的去除方法，其去除配置在玻璃基板上的树脂层，具有如下工序：

使碱浓度为15质量％以上且含有3质量％以上式(1)所示的化合物的碱水溶液与所述树脂层接触，去除所述树脂层，

RO-(LO)_n-H式(1)

式(1)中，R表示烷基，L表示亚烷基，n表示1以上的整数。

2.根据权利要求1所述的树脂层的去除方法，其中，所述树脂层为有机硅树脂层。

3.根据权利要求1或2所述的树脂层的去除方法，其中，所述式(1)中的L为三亚甲基、亚丙基或亚乙基，n为1～3的整数。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂层的去除方法，其中，所述式(1)所示的化合物为丙二醇单乙醚或二丙二醇单甲醚。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂层的去除方法，其中，所述碱浓度为18质量％以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂层的去除方法，其中，所述树脂层的厚度为0.1～100μm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂层的去除方法，其中，所述碱水溶液中含有选自由氢氧化钠、氢氧化钾和氢氧化锂组成的组中的至少1种。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的树脂层的去除方法，其中，所述碱水溶液的温度为5～50℃。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的树脂层的去除方法，其中，所述碱水溶液与所述树脂层的接触时间为0.1～24小时。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的树脂层的去除方法，其用于去除具有玻璃基板与树脂层的复合体中的所述树脂层，所述复合体是如下而得到的：从依次具有所述玻璃基板、所述树脂层、薄板玻璃基板和电子设备用部件的层叠体，将所述树脂层与所述薄板玻璃基板的界面作为剥离面分离而得到。

11.一种玻璃基板的制造方法，其实施权利要求1～10中任一项所述的树脂层的去除方法而制造玻璃基板。