JP2018094763A - 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材 - Google Patents
積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018094763A JP2018094763A JP2016239790A JP2016239790A JP2018094763A JP 2018094763 A JP2018094763 A JP 2018094763A JP 2016239790 A JP2016239790 A JP 2016239790A JP 2016239790 A JP2016239790 A JP 2016239790A JP 2018094763 A JP2018094763 A JP 2018094763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- resin layer
- glass substrate
- substrate
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
【課題】 シリコーン樹脂層上から基板（例えば、ガラス基板）を容易に剥離できる積層体を提供する。
【解決手段】 支持基材と、シリコーン樹脂層と、基板と、をこの順で備え、シリコーン樹脂層の基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が０．７以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．７以上である、積層体。
【選択図】図１
【解決手段】 支持基材と、シリコーン樹脂層と、基板と、をこの順で備え、シリコーン樹脂層の基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が０．７以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．７以上である、積層体。
【選択図】図１
Description
本発明は、積層体、および、シリコーン樹脂層付き支持基材に関する。
近年、各種デバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いる基板のより一層の薄板化が進行している。
そのため、基板を薄板化する方法が種々検討されている。例えば、ガラス基板に関しては、３０μｍ程度の超薄膜のガラス基板を製造する方法としては、数百μｍ程度の薄膜のガラス基板を研磨してさらに薄板化する方法が挙げられる。しかしながら、この方法では、そもそも、研磨処理が施される薄膜のガラス基板の取り扱いが難しいという問題や、薄膜のガラス基板が研磨されてより一層薄板化されるに従って、ガラス基板の割れが生じやすくなる問題があった。
この問題を解決する方法として、薄膜のガラス基板を別の支持体上に配置して積層体を形成する方法が考えられる。積層体の形態とすることにより取り扱い性が向上し、支持体が研磨時にガラス基板を補強することが期待できる。
そのため、基板を薄板化する方法が種々検討されている。例えば、ガラス基板に関しては、３０μｍ程度の超薄膜のガラス基板を製造する方法としては、数百μｍ程度の薄膜のガラス基板を研磨してさらに薄板化する方法が挙げられる。しかしながら、この方法では、そもそも、研磨処理が施される薄膜のガラス基板の取り扱いが難しいという問題や、薄膜のガラス基板が研磨されてより一層薄板化されるに従って、ガラス基板の割れが生じやすくなる問題があった。
この問題を解決する方法として、薄膜のガラス基板を別の支持体上に配置して積層体を形成する方法が考えられる。積層体の形態とすることにより取り扱い性が向上し、支持体が研磨時にガラス基板を補強することが期待できる。
一方、薄膜のガラス基板のハンドリング性を向上させるため、ガラス基板と支持基材とをシリコーン樹脂層を介して積層したガラス積層体を用意する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
本発明者らは、特許文献１に記載のシリコーン樹脂層付き支持基材上に薄膜のガラス基板を配置して研磨処理を行い、ガラス基板の薄板化を実施したところ、研磨時においてガラス基板の割れは抑制できた。しかしながら、研磨後にガラス基板をシリコーン樹脂層から剥離できない、または、ガラス基板を剥離しようとするとガラス基板の割れが生じてしまうという問題があった。
なお、ガラス基板以外の他の基板（例えば、半導体基板、金属板）を用いた場合も、同様の問題が生じることも知見した。
なお、ガラス基板以外の他の基板（例えば、半導体基板、金属板）を用いた場合も、同様の問題が生じることも知見した。
本発明は、上記実情に鑑みて、シリコーン樹脂層上から基板（例えば、ガラス基板）を容易に剥離できる積層体を提供することを課題とする。
また、本発明は、上記積層体に適用できるシリコーン樹脂層付き支持基材を提供することも課題とする。
また、本発明は、上記積層体に適用できるシリコーン樹脂層付き支持基材を提供することも課題とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
（１） 支持基材と、シリコーン樹脂層と、基板と、をこの順で備え、
シリコーン樹脂層の基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が０．７以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．７以上である、積層体。
（２） シリコーン樹脂層の基板側の表面から支持基材側に向かって８ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が１．１以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．３以上である、（１）に記載の積層体。
（３） シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｄ単位）および（Ｒ）ＳｉＯ3/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｔ単位）からなる群から選択される少なくとも１種の特定オルガノシロキシ単位を含み、
特定オルガノシロキシ単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、６０モル％以上である、（１）または（２）に記載の積層体。なお、Ｒは水素原子または有機基を表す。
（４） 特定オルガノシロキシ単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、８０モル％以上である、（３）に記載の積層体。
（５） 基板がガラス基板である、（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体。
（６） 支持基材と、シリコーン樹脂層と、をこの順で備え、
シリコーン樹脂層の支持基材側とは反対側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が０．７以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．７以上である、シリコーン樹脂層付き支持基材。
シリコーン樹脂層の基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が０．７以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．７以上である、積層体。
（２） シリコーン樹脂層の基板側の表面から支持基材側に向かって８ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が１．１以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．３以上である、（１）に記載の積層体。
（３） シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｄ単位）および（Ｒ）ＳｉＯ3/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｔ単位）からなる群から選択される少なくとも１種の特定オルガノシロキシ単位を含み、
特定オルガノシロキシ単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、６０モル％以上である、（１）または（２）に記載の積層体。なお、Ｒは水素原子または有機基を表す。
（４） 特定オルガノシロキシ単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、８０モル％以上である、（３）に記載の積層体。
（５） 基板がガラス基板である、（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体。
（６） 支持基材と、シリコーン樹脂層と、をこの順で備え、
シリコーン樹脂層の支持基材側とは反対側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が０．７以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．７以上である、シリコーン樹脂層付き支持基材。
本発明によれば、シリコーン樹脂層上から基板（例えば、ガラス基板）を容易に剥離できる積層体を提供することができる。
また、本発明によれば、上記積層体に適用できるシリコーン樹脂層付き支持基材を提供することもできる。
また、本発明によれば、上記積層体に適用できるシリコーン樹脂層付き支持基材を提供することもできる。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
本発明のガラス積層体の特徴点としては、シリコーン樹脂層の基板側の所定の領域（シリコーン樹脂層の基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍ（好ましくは８ｎｍ）までの領域）において、炭素原子とケイ素原子との原子比および酸素原子とケイ素原子との原子比が所定の範囲内である点が挙げられる。炭素原子とケイ素原子との原子比が所定値以下であり、かつ、酸素原子とケイ素原子との原子比が所定値以上であることによって、その領域がいわゆる脆弱領域として機能する。つまり、基板をシリコーン樹脂層から剥離する際に、その領域において凝集破壊が生じやすく、結果として、基板を簡便に剥離できると推測される。
図１は、本発明に係るガラス積層体の第１実施形態の模式的断面図である。なお、後段で詳述するように、ガラス積層体の第１実施形態は、ガラス基板に研磨処理を施す前のガラス積層体を意図し、該ガラス積層体は本発明の積層体に含まれる。また、後述するように、該ガラス積層体中のガラス基板に対して研磨処理を施して得られるガラス積層体（第２実施形態）も、本発明の積層体に含まれる。
図１に示すように、ガラス積層体１０は、支持基材１２およびガラス基板１６と、それらの間に配置されたシリコーン樹脂層１４とを含む積層体である。シリコーン樹脂層１４は、その一方の面が支持基材１２に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。なお、ガラス基板１６の第２主面１６ｂに対しては、後述するように研磨処理が施される。
ガラス積層体１０において、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間の剥離強度が、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との間の剥離強度より低く、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とが剥離し、シリコーン樹脂層１４および支持基材１２の積層体と、ガラス基板１６とに分離する。言い換えれば、シリコーン樹脂層１４は支持基材１２上に固定されており、ガラス基板１６はシリコーン樹脂層１４上に剥離可能に積層されている。
支持基材１２およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分は、ガラス基板１６を補強する機能を有する。なお、ガラス積層体１０の製造のためにあらかじめ製造される支持基材１２およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分をシリコーン樹脂層付き支持基材１８という。
図１に示すように、ガラス積層体１０は、支持基材１２およびガラス基板１６と、それらの間に配置されたシリコーン樹脂層１４とを含む積層体である。シリコーン樹脂層１４は、その一方の面が支持基材１２に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１主面１６ａに接している。なお、ガラス基板１６の第２主面１６ｂに対しては、後述するように研磨処理が施される。
ガラス積層体１０において、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間の剥離強度が、シリコーン樹脂層１４と支持基材１２との間の剥離強度より低く、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とが剥離し、シリコーン樹脂層１４および支持基材１２の積層体と、ガラス基板１６とに分離する。言い換えれば、シリコーン樹脂層１４は支持基材１２上に固定されており、ガラス基板１６はシリコーン樹脂層１４上に剥離可能に積層されている。
支持基材１２およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分は、ガラス基板１６を補強する機能を有する。なお、ガラス積層体１０の製造のためにあらかじめ製造される支持基材１２およびシリコーン樹脂層１４からなる２層部分をシリコーン樹脂層付き支持基材１８という。
このガラス積層体１０は、後述する手順によって、ガラス基板１６と、シリコーン樹脂層付き支持基材１８とに分離される。シリコーン樹脂層付き支持基材１８は、新たなガラス基板１６と積層され、新たなガラス積層体１０として再利用できる。
支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との間の剥離強度は剥離強度（ｘ）であり、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４との間に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４とが剥離する。シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間の剥離強度は剥離強度（ｙ）であり、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とが剥離する。
ガラス積層体１０においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高い。従って、ガラス積層体１０に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体１０は、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間で剥離して、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層付き支持基材１８とに分離する。
ガラス積層体１０においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高い。従って、ガラス積層体１０に支持基材１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、ガラス積層体１０は、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間で剥離して、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層付き支持基材１８とに分離する。
剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。
支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高めるためには、後述する硬化性シリコーンを支持基材１２上で硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成することが好ましい。硬化の際の接着力で、支持基材１２に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層１４を形成できる。
一方、硬化後のシリコーン樹脂のガラス基板１６に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。従って、支持基材１２上でシリコーン樹脂層１４を形成し、その後シリコーン樹脂層１４の面にガラス基板１６を積層することにより、ガラス積層体１０を製造できる。
支持基材１２に対するシリコーン樹脂層１４の付着力を高めるためには、後述する硬化性シリコーンを支持基材１２上で硬化させてシリコーン樹脂層１４を形成することが好ましい。硬化の際の接着力で、支持基材１２に対して高い結合力で結合したシリコーン樹脂層１４を形成できる。
一方、硬化後のシリコーン樹脂のガラス基板１６に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。従って、支持基材１２上でシリコーン樹脂層１４を形成し、その後シリコーン樹脂層１４の面にガラス基板１６を積層することにより、ガラス積層体１０を製造できる。
以下では、まず、ガラス積層体１０を構成する各層（支持基材１２、ガラス基板１６、シリコーン樹脂層１４）について詳述し、その後、ガラス積層体の製造方法について詳述する。
＜支持基材＞
支持基材１２は、ガラス基板１６を支持して補強する部材である。
支持基材１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、金属板（例えば、ＳＵＳ板）等が用いられる。通常、支持基材１２はガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
支持基材１２は、ガラス基板１６を支持して補強する部材である。
支持基材１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、金属板（例えば、ＳＵＳ板）等が用いられる。通常、支持基材１２はガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基材１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基材１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
支持基材１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。
支持基材１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくい等の理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、ガラス基板を剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
支持基材１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくい等の理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、ガラス基板を剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
支持基材１２とガラス基板１６との２５〜３００℃における平均線膨張係数の差は、１０×１０-7／℃以下が好ましく、３×１０-7／℃以下がより好ましく、１×１０-7／℃以下がさらに好ましい。
＜ガラス基板＞
ガラス基板１６のガラスの種類は特に制限されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス基板１６として、より具体的には、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板として無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。
ガラス基板１６のガラスの種類は特に制限されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス基板１６として、より具体的には、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板として無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。
ガラス基板１６の厚さは、薄型化および／または軽量化の観点から、０．５ｍｍ以下が好ましく、０．４ｍｍ以下がより好ましく、０．２ｍｍ以下がさらに好ましく、０．１０ｍｍ以下が特に好ましい。０．５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．２ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の取り扱いが容易である点から、０．０３ｍｍ以上が好ましい。
さらに、ガラス基板１６の面積（主面の面積）は特に制限されないが、３００ｃｍ２以上であることが好ましい。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の取り扱いが容易である点から、０．０３ｍｍ以上が好ましい。
さらに、ガラス基板１６の面積（主面の面積）は特に制限されないが、３００ｃｍ２以上であることが好ましい。
なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板１６の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
ガラス基板１６の製造方法は特に制限されず、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法等が挙げられる。
＜シリコーン樹脂層＞
シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６が分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、ガラス基板１６の第１主面１６ａに密着する。
シリコーン樹脂層１４は、ガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６が分離操作によって破損するのを防止する。シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、ガラス基板１６の第１主面１６ａに密着する。
シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。
また、シリコーン樹脂層１４は、強い結合力で支持基材１２表面に結合されており、両者の密着性を高める方法としては、公知の方法を採用できる。例えば、後述するように、シリコーン樹脂層１４を支持基材１２表面上で形成する（より具体的には、所定のシリコーン樹脂を形成し得る硬化性シリコーン（オルガノポリシロキサン）を支持基材１２上で硬化させる）ことにより、シリコーン樹脂層１４中のシリコーン樹脂を支持基材１２表面に接着させ、高い結合力を得ることができる。また、支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間の結合力を高めることができる。
また、シリコーン樹脂層１４は、強い結合力で支持基材１２表面に結合されており、両者の密着性を高める方法としては、公知の方法を採用できる。例えば、後述するように、シリコーン樹脂層１４を支持基材１２表面上で形成する（より具体的には、所定のシリコーン樹脂を形成し得る硬化性シリコーン（オルガノポリシロキサン）を支持基材１２上で硬化させる）ことにより、シリコーン樹脂層１４中のシリコーン樹脂を支持基材１２表面に接着させ、高い結合力を得ることができる。また、支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持基材１２表面とシリコーン樹脂層１４との間の結合力を高めることができる。
シリコーン樹脂層１４の厚さは特に制限されないが、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０．００１μｍ以上の場合が多い。シリコーン樹脂層１４の厚さがこのような範囲であると、シリコーン樹脂層１４にクラックが生じにくく、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板１６のゆがみ欠陥の発生を抑制できる。
上記厚さは平均厚さを意図し、５点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層１４の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面の表面粗さＲａは特に制限されないが、ガラス基板１６の積層性および剥離性がより優れる点より、０．１〜２０ｎｍが好ましく、０．１〜１０ｎｍがより好ましい。
なお、表面粗さＲａの測定方法としては、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準じて行われ、任意の５箇所以上の点において測定されたＲａを、算術平均した値が上記表面粗さＲａに該当する。
上記厚さは平均厚さを意図し、５点以上の任意の位置におけるシリコーン樹脂層１４の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。
シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面の表面粗さＲａは特に制限されないが、ガラス基板１６の積層性および剥離性がより優れる点より、０．１〜２０ｎｍが好ましく、０．１〜１０ｎｍがより好ましい。
なお、表面粗さＲａの測定方法としては、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準じて行われ、任意の５箇所以上の点において測定されたＲａを、算術平均した値が上記表面粗さＲａに該当する。
シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面から支持基材１２側に向かって５ｎｍまでの領域（以後、「表面領域」とも称する）においては、所定の組成比を示す。なお、図２に示すように、シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面と、この表面から支持基材１２側に向かって５ｎｍの位置との間の領域（矢印で示された領域）が、上記表層領域２０に該当する。
具体的には、表面領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）（以後、「原子比（Ｃ／Ｓｉ）」とも称する）は０．７以下である。言い換えれば、表層領域において、原子比（Ｃ／Ｓｉ）の最大値は０．７以下である。なかでも、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、０．５以下が好ましく、０．４以下がより好ましい。なお、下限は特に制限されないが、０が挙げられる。
また、表面領域において、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）（以後、「原子比（Ｏ／Ｓｉ）」とも称する）は１．７以上である。言い換えれば、表層領域において、原子比（Ｏ／Ｓｉ）の最小値は１．７以上である。なかでも、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、１．８以上が好ましく、１．９以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、２．０以下の場合が多い。
具体的には、表面領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）（以後、「原子比（Ｃ／Ｓｉ）」とも称する）は０．７以下である。言い換えれば、表層領域において、原子比（Ｃ／Ｓｉ）の最大値は０．７以下である。なかでも、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、０．５以下が好ましく、０．４以下がより好ましい。なお、下限は特に制限されないが、０が挙げられる。
また、表面領域において、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）（以後、「原子比（Ｏ／Ｓｉ）」とも称する）は１．７以上である。言い換えれば、表層領域において、原子比（Ｏ／Ｓｉ）の最小値は１．７以上である。なかでも、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、１．８以上が好ましく、１．９以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されないが、２．０以下の場合が多い。
上記原子比（Ｃ／Ｓｉ）、および、上記原子比（Ｏ／Ｓｉ）が所定の範囲であることにより、表層領域２０において炭素原子の存在量が少なく、酸素原子の存在量が多いことを示す。言い換えれば、表層領域において、有機成分の比率が少なく、ＳｉＯ２に由来する無機成分の比率が高いことを意図する。このような組成の表層領域２０があると、ガラス基板１６の剥離時においてこの表層領域２０での凝集破壊が生じやすく、結果としてガラス基板１６を容易に剥離できると推測される。
上記原子比（Ｃ／Ｓｉ）、および、上記原子比（Ｏ／Ｓｉ）の測定方法としては、Ｘ線光電子分光装置が挙げられる。シリコーン樹脂層の原子比の測定には、Ｘ線光電子分光装置（アルバック・ファイ社製、Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ）を使用し、Ｏ（１ｓ）、Ｃ（１ｓ）およびＳｉ（２ｐ）のピークを用い、Pass Energyを１１４ｅＶ、Energy Stepを０．１ｅＶ／ｓｔｅｐ、検出角度θを４５°としてＸＰＳスペクトルを取得する。より具体的には、図３に示すように、サンプル３０に、Ｘ線源３１より出射されるＸ線を照射して、検出角度θにて試料表面から放出される光電子の運動エネルギーを検出器３２にて検出して、測定を行う。
なお、解析ソフト（ソフト名：マルチパック）を用い、ＸＰＳスペクトルの各元素のピークの積分強度から原子濃度を求め、Ｏ／ＳｉおよびＣ／Ｓｉ比を算出する。このとき、ピークのバックグラウンド除去にはShirley法を適用する。そして、Ａｒイオンスパッタリングにより深さ方向分析を実施する。最表面からの深さは、Ｓｉウエハ上の熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）におけるＡｒイオンスパッタリングのスパッタ速度から換算したＳｉＯ２換算の値を用いる。
なお、解析ソフト（ソフト名：マルチパック）を用い、ＸＰＳスペクトルの各元素のピークの積分強度から原子濃度を求め、Ｏ／ＳｉおよびＣ／Ｓｉ比を算出する。このとき、ピークのバックグラウンド除去にはShirley法を適用する。そして、Ａｒイオンスパッタリングにより深さ方向分析を実施する。最表面からの深さは、Ｓｉウエハ上の熱酸化膜（ＳｉＯ２膜）におけるＡｒイオンスパッタリングのスパッタ速度から換算したＳｉＯ２換算の値を用いる。
なかでも、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面から支持基材１２側に向かって８ｎｍまでの領域において、原子比（Ｃ／Ｓｉ）が１．１以下であり、原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．３以上であることが好ましい。なかでも、原子比（Ｃ／Ｓｉ）が０．７以下であり、原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．４以上であることがより好ましい。なお、原子比（Ｃ／Ｓｉ）の下限値は特に制限されないが、０が挙げられ、原子比（Ｏ／Ｓｉ）の上限値は特に制限されないが、２．０が挙げられる。
また、ガラス基板１６の積層性および剥離性のバランスがより優れる点で、シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面から支持基材１２側に向かって２５ｎｍの位置（以後、「特定位置Ｘ」とも称する）での原子比（Ｃ／Ｓｉ）が０．５超であることが好ましく、０．９以上であることがより好ましく、１．２以上であることがさらに好ましく、１．５以上であることが特に好ましい。上限は特に制限されないが、２以下の場合が多い。
また、ガラス基板１６の積層性および剥離性のバランスがより優れる点で、特定位置Ｘにおける、原子比（Ｏ／Ｓｉ）は１．８未満であることが好ましく、１．５以下であることがより好ましく、１．２以下であることがさらに好ましく、１．０以下であることが特に好ましい。下限は特に制限されないが、０．５以上の場合が多い。
また、ガラス基板１６の積層性および剥離性のバランスがより優れる点で、特定位置Ｘにおける、原子比（Ｏ／Ｓｉ）は１．８未満であることが好ましく、１．５以下であることがより好ましく、１．２以下であることがさらに好ましく、１．０以下であることが特に好ましい。下限は特に制限されないが、０．５以上の場合が多い。
また、ガラス基板１６の積層性および剥離性のバランスがより優れる点で、上記特定位置Ｘでの原子比（Ｃ／Ｓｉ）と、シリコーン樹脂層１４のガラス基板１６側の表面から支持基材１２側に向かって５ｎｍの位置（以後、「特定位置Ｙ」とも称する）での原子比（Ｃ／Ｓｉ）との差（特定位置Ｘでの原子比（Ｃ／Ｓｉ）−特定位置Ｙでの原子比（Ｃ／Ｓｉ））は、１．０以上であることが好ましく、１．２以上であることがより好ましく、１．５以上であることがさらに好ましい。
また、特定位置Ｙでの原子比（Ｏ／Ｓｉ）と、特定位置Ｘでの原子比（Ｏ／Ｓｉ）との差（特定位置Ｙでの原子比（Ｏ／Ｓｉ）−特定位置Ｘでの原子比（Ｏ／Ｓｉ））は、０．４以上であることが好ましく、０．７以上であることがより好ましく、１．０以上であることがさらに好ましい。
また、特定位置Ｙでの原子比（Ｏ／Ｓｉ）と、特定位置Ｘでの原子比（Ｏ／Ｓｉ）との差（特定位置Ｙでの原子比（Ｏ／Ｓｉ）−特定位置Ｘでの原子比（Ｏ／Ｓｉ））は、０．４以上であることが好ましく、０．７以上であることがより好ましく、１．０以上であることがさらに好ましい。
後述するように、シリコーン樹脂層１４は、硬化性シリコーンを用いて得られる硬化層に対して表面処理を施すことにより形成することができる。表面処理の方法としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、紫外線−オゾン処理などの公知の方法が挙げられる。以下では、硬化層に対してコロナ処理を施した場合を一例として、説明を行う。
図４（Ａ）および（Ｂ）において、このようなコロナ処理を施して得られるシリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から深さ位置と、原子比（Ｃ／Ｓｉ）および原子比（Ｏ／Ｓｉ）との関係を示す。なお、図４（Ａ）および（Ｂ）では、Ｄ単位から構成されるシリコーン樹脂から形成されるシリコーン樹脂層を用いた場合を想定する。
図４（Ａ）において、横軸はシリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から深さ位置を、縦軸は原子比（Ｃ／Ｓｉ）を表す。また、図４（Ｂ）において、横軸はシリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から深さ位置を、縦軸は原子比（Ｏ／Ｓｉ）を表す。
硬化性シリコーンを用いて得られる硬化層に対して過剰のコロナ処理を実施すると、硬化層の表面近傍においてシリカ化が進行する。つまり、過剰のコロナ処理が施された領域において、有機成分の分解、および、酸化が進行し、ＳｉＯ２成分が増加する。結果として、図４（Ａ）に示すように、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面付近では、有機成分の分解が進行して、炭素原子の量が減少しており、表面から離れるに従って、コロナ処理による影響が低減し、炭素原子の量が増加する。また、図４（Ｂ）に示すように、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面付近では、酸化による影響により酸素原子の量が増大しており、表面から離れるに従って、コロナ処理による影響が低減し、酸素原子の量が減少する。
このようにコロナ処理を実施することにより、表層領域において所定の組成比を達成することができる。
上述したように、上記ではコロナ処理の場合について触れたが、プラズマ処理、紫外線−オゾン処理などの他の表面処理を実施する場合でも同様に所定のシリコーン樹脂層を得ることができる。
図４（Ａ）および（Ｂ）において、このようなコロナ処理を施して得られるシリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から深さ位置と、原子比（Ｃ／Ｓｉ）および原子比（Ｏ／Ｓｉ）との関係を示す。なお、図４（Ａ）および（Ｂ）では、Ｄ単位から構成されるシリコーン樹脂から形成されるシリコーン樹脂層を用いた場合を想定する。
図４（Ａ）において、横軸はシリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から深さ位置を、縦軸は原子比（Ｃ／Ｓｉ）を表す。また、図４（Ｂ）において、横軸はシリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から深さ位置を、縦軸は原子比（Ｏ／Ｓｉ）を表す。
硬化性シリコーンを用いて得られる硬化層に対して過剰のコロナ処理を実施すると、硬化層の表面近傍においてシリカ化が進行する。つまり、過剰のコロナ処理が施された領域において、有機成分の分解、および、酸化が進行し、ＳｉＯ２成分が増加する。結果として、図４（Ａ）に示すように、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面付近では、有機成分の分解が進行して、炭素原子の量が減少しており、表面から離れるに従って、コロナ処理による影響が低減し、炭素原子の量が増加する。また、図４（Ｂ）に示すように、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面付近では、酸化による影響により酸素原子の量が増大しており、表面から離れるに従って、コロナ処理による影響が低減し、酸素原子の量が減少する。
このようにコロナ処理を実施することにより、表層領域において所定の組成比を達成することができる。
上述したように、上記ではコロナ処理の場合について触れたが、プラズマ処理、紫外線−オゾン処理などの他の表面処理を実施する場合でも同様に所定のシリコーン樹脂層を得ることができる。
（シリコーン樹脂）
シリコーン樹脂層１４は、シリコーン樹脂からなる。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理により該シリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。つまり、シリコーン樹脂は、硬化性シリコーンの硬化物に該当する。
硬化性シリコーンは、その硬化機構により付加反応型シリコーン、縮合反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。これらのなかでも付加反応型シリコーンまたは縮合反応型シリコーンが好ましい。
付加反応型シリコーンとしては、主剤および架橋剤を含み、白金系触媒などの触媒の存在下で硬化する硬化性の組成物が好適に使用できる。付加反応型シリコーンの硬化は、加熱処理により促進される。付加反応型シリコーン中の主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、アルケニル基などが架橋点となる。付加反応型シリコーン中の架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、ハイドロシリル基などが架橋点となる。
付加反応型シリコーンは、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。なお、架橋構造に由来する耐熱性がより優れる点で、オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５〜２であることが好ましい。
シリコーン樹脂層１４は、シリコーン樹脂からなる。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理により該シリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。つまり、シリコーン樹脂は、硬化性シリコーンの硬化物に該当する。
硬化性シリコーンは、その硬化機構により付加反応型シリコーン、縮合反応型シリコーン、紫外線硬化型シリコーンおよび電子線硬化型シリコーンに分類されるが、いずれも使用することができる。これらのなかでも付加反応型シリコーンまたは縮合反応型シリコーンが好ましい。
付加反応型シリコーンとしては、主剤および架橋剤を含み、白金系触媒などの触媒の存在下で硬化する硬化性の組成物が好適に使用できる。付加反応型シリコーンの硬化は、加熱処理により促進される。付加反応型シリコーン中の主剤は、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、アルケニル基などが架橋点となる。付加反応型シリコーン中の架橋剤は、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン。なお、直鎖状が好ましい）であることが好ましく、ハイドロシリル基などが架橋点となる。
付加反応型シリコーンは、主剤と架橋剤の架橋点が付加反応をすることにより硬化する。なお、架橋構造に由来する耐熱性がより優れる点で、オルガノアルケニルポリシロキサンのアルケニル基に対する、オルガノハイドロジェンポリシロキサンのケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．５〜２であることが好ましい。
付加反応型シリコーンを用いる場合、必要に応じて、触媒（特に、白金族金属系触媒）をさらに用いてもよい。
白金族金属系触媒（ヒドロシリル化用白金族金属触媒）は、上記オルガノアルケニルポリシロキサン中のアルケニル基と、上記オルガノハイドロジェンポリシロキサン中の水素原子とのヒドロシリル化反応を、進行・促進させるための触媒である。白金族金属系触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒を用いることが経済性、反応性の点から好ましい。
白金族金属系触媒（ヒドロシリル化用白金族金属触媒）は、上記オルガノアルケニルポリシロキサン中のアルケニル基と、上記オルガノハイドロジェンポリシロキサン中の水素原子とのヒドロシリル化反応を、進行・促進させるための触媒である。白金族金属系触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒を用いることが経済性、反応性の点から好ましい。
縮合反応型シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物若しくはその混合物（モノマー混合物）、または、モノマー若しくはモノマー混合物を部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）を好適に用いることができる。また、部分加水分解縮合物とモノマーとの混合物であってもよい。なお、モノマーは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
この縮合反応型シリコーンを用いて、加水分解・縮合反応（ゾルゲル反応）を進行させることにより、シリコーン樹脂を形成することができる。
この縮合反応型シリコーンを用いて、加水分解・縮合反応（ゾルゲル反応）を進行させることにより、シリコーン樹脂を形成することができる。
硬化性シリコーンを硬化させるためには、通常、加熱により硬化させる（すなわち、熱硬化させる）。そして、硬化性シリコーンを熱硬化させることにより、シリコーン樹脂が得られる。ただし、硬化に必ずしも加熱を必要としない場合もあり、室温硬化させることもできる。
オルガノシロキシ単位には、Ｍ単位と呼ばれる１官能オルガノシロキシ単位、Ｄ単位と呼ばれる２官能オルガノシロキシ単位、Ｔ単位と呼ばれる３官能オルガノシロキシ単位、および、Ｑ単位と呼ばれる４官能オルガノシロキシ単位がある。なお、Ｑ単位はケイ素原子に結合した有機基（ケイ素原子に結合した炭素原子を有する有機基）を有しない単位であるが、本発明においてはオルガノシロキシ単位（含ケイ素結合単位）とみなす。なお、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、Ｑ単位を形成するモノマーを、それぞれＭモノマー、Ｄモノマー、Ｔモノマー、Ｑモノマーともいう。
なお、全オルガノシロキシ単位とは、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、および、Ｑ単位の合計を意図する。Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、および、Ｑ単位の数（モル量）の割合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲによるピーク面積比の値から計算できる。
なお、全オルガノシロキシ単位とは、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、および、Ｑ単位の合計を意図する。Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位、および、Ｑ単位の数（モル量）の割合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲによるピーク面積比の値から計算できる。
オルガノシロキシ単位において、シロキサン結合は２個のケイ素原子が１個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子１個当たりの酸素原子は１／２個とみなし、式中Ｏ1/2と表現される。より具体的には、例えば、１つのＤ単位においては、その１個のケイ素原子は２個の酸素原子と結合し、それぞれの酸素原子は他の単位のケイ素原子と結合していることより、その式は−Ｏ1/2−（Ｒ）2Ｓｉ−Ｏ1/2−（Ｒは、水素原子または有機基を表す）となる。Ｏ1/2が２個存在することより、Ｄ単位は（Ｒ）2ＳｉＯ2/2（言い換えると、（Ｒ）2ＳｉＯ）と表現されるのが通常である。
なお、以下の説明において、他のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊は、２個のケイ素原子間を結合する酸素原子であり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉで表される結合中の酸素原子を意図する。従って、Ｏ＊は、２つのオルガノシロキシ単位のケイ素原子間に１個存在する。
なお、以下の説明において、他のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊は、２個のケイ素原子間を結合する酸素原子であり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉで表される結合中の酸素原子を意図する。従って、Ｏ＊は、２つのオルガノシロキシ単位のケイ素原子間に１個存在する。
Ｍ単位とは、（Ｒ）3ＳｉＯ1/2で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。ここで、Ｒは、水素原子または有機基を表す。（Ｒ）の後に記載の数字（ここでは、３）は、水素原子または有機基が３つケイ素原子に結合することを意図する。つまり、Ｍ単位は、１個のケイ素原子と、３個の水素原子または有機基と、１個の酸素原子Ｏ＊とを有する。より具体的には、Ｍ単位は、１個のケイ素原子に結合した３個の水素原子または有機基と、１個のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊を有する。
Ｄ単位とは、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、Ｄ単位は、１個のケイ素原子を有し、そのケイ素原子に結合した２個の水素原子または有機基と、他のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊を２個有する単位である。
Ｔ単位とは、ＲＳｉＯ3/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、Ｔ単位は、１個のケイ素原子を有し、そのケイ素原子に結合した１個の水素原子または有機基と、他のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊を３個有する単位である。
Ｑ単位とは、ＳｉＯ2で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、Ｑ単位は、１個のケイ素原子を有し、他のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊を４個有する単位である。
なお、有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ハロゲン化アルキル基（例えば、クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等）等のハロゲン置換の一価の炭化水素基が挙げられる。なお、有機基としては、炭素数１〜１２（好ましくは炭素数１〜１０程度）の、非置換またはハロゲン置換の一価の炭化水素基が好ましい。
Ｄ単位とは、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、Ｄ単位は、１個のケイ素原子を有し、そのケイ素原子に結合した２個の水素原子または有機基と、他のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊を２個有する単位である。
Ｔ単位とは、ＲＳｉＯ3/2（Ｒは、水素原子または有機基を表す）で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、Ｔ単位は、１個のケイ素原子を有し、そのケイ素原子に結合した１個の水素原子または有機基と、他のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊を３個有する単位である。
Ｑ単位とは、ＳｉＯ2で表されるオルガノシロキシ単位を意図する。つまり、Ｑ単位は、１個のケイ素原子を有し、他のケイ素原子に結合した酸素原子Ｏ＊を４個有する単位である。
なお、有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；ハロゲン化アルキル基（例えば、クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等）等のハロゲン置換の一価の炭化水素基が挙げられる。なお、有機基としては、炭素数１〜１２（好ましくは炭素数１〜１０程度）の、非置換またはハロゲン置換の一価の炭化水素基が好ましい。
シリコーン樹脂層１４を構成するシリコーン樹脂は、シリコーン樹脂層１４の表層領域２０が所定の組成比を示せば、その構造は特に制限されないが、ガラス基板１６の積層性および剥離性のバランスがより優れる点で、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｄ単位）および（Ｒ）ＳｉＯ3/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｔ単位）からなる群から選択される少なくとも１種の特定オルガノシロキシ単位を含むことが好ましい。
また、上記特定オルガノシロキシ単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、６０モル％以上であることが好ましく、８０モル％以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％以下の場合が多い。
なお、Ｄ単位、Ｔ単位の数（モル量）の割合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲによるピーク面積比の値から計算できる。
また、上記特定オルガノシロキシ単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、６０モル％以上であることが好ましく、８０モル％以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％以下の場合が多い。
なお、Ｄ単位、Ｔ単位の数（モル量）の割合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲによるピーク面積比の値から計算できる。
上記シリコーン樹脂は、公知の材料を用いて製造できる。
硬化性シリコーンとしては、上述したように、オルガノアルケニルポリシロキサンおよびオルガノハイドロジェンポリシロキサンの混合物が挙げられる。
また、硬化性シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物、および／または、モノマーを部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）も使用できる。
硬化性シリコーンとしては、上述したように、オルガノアルケニルポリシロキサンおよびオルガノハイドロジェンポリシロキサンの混合物が挙げられる。
また、硬化性シリコーンとしては、モノマーである加水分解性オルガノシラン化合物、および／または、モノマーを部分加水分解縮合反応させて得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）も使用できる。
なお、上記モノマー（加水分解性オルガノシラン化合物）は、通常、（Ｒ’−）ａＳｉ（−Ｚ）４−ａで表される。ただし、ａは０〜３の整数、Ｒ’は水素原子または有機基、Ｚは水酸基または加水分解性基を表す。この化学式において、ａ＝３の化合物がＭモノマー、ａ＝２の化合物がＤモノマー、ａ＝１の化合物がＴモノマー、ａ＝０の化合物がＱモノマーである。モノマーにおいて、通常、Ｚ基は加水分解性基である。また、Ｒ’が２または３個存在する場合（ａが２または３の場合）、複数のＲ’は異なっていてもよい。
部分加水分解縮合物である硬化性シリコーンは、モノマーのＺ基の一部を酸素原子Ｏ＊に変換する反応により得られる。モノマーのＺ基が加水分解性基の場合、Ｚ基は加水分解反応により水酸基に変換され、次いで別々のケイ素原子に結合した２個の水酸基の間における脱水縮合反応により、２個のケイ素原子が酸素原子Ｏ＊を介して結合する。硬化性シリコーン中には水酸基（または加水分解しなかったＺ基）が残存し、硬化性シリコーンの硬化の際にこれら水酸基やＺ基が上記と同様に反応して硬化する。硬化性シリコーンの硬化物は、通常、３次元的に架橋したポリマー（シリコーン樹脂）となる。
モノマーのＺ基が加水分解性基である場合、そのＺ基としては、アルコキシ基、塩素原子、アシルオキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。多くの場合、モノマーとしてはＺ基がアルコキシ基のモノマーが使用される。このようなモノマーは、アルコキシシランとも称される。
アルコキシ基は塩素原子などの他の加水分解性基と比較すると反応性の比較的低い加水分解性基であり、Ｚ基がアルコキシ基であるモノマー（アルコキシシラン）を使用して得られる硬化性シリコーン中にはＺ基として水酸基と共に未反応のアルコキシ基が存在することが多い。
アルコキシ基は塩素原子などの他の加水分解性基と比較すると反応性の比較的低い加水分解性基であり、Ｚ基がアルコキシ基であるモノマー（アルコキシシラン）を使用して得られる硬化性シリコーン中にはＺ基として水酸基と共に未反応のアルコキシ基が存在することが多い。
上記縮合反応型シリコーンとしては、反応の制御や取り扱いの面から、加水分解性オルガノシラン化合物から得られる部分加水分解縮合物（オルガノポリシロキサン）が好ましい。部分加水分解縮合物は、加水分解性オルガノシラン化合物を部分的に加水分解縮合させて得られる。部分的に加水分解縮合させる方法は、特に制限されない。通常は、加水分解性オルガノシラン化合物を溶媒中、触媒存在下で反応させて製造される。触媒としては、酸触媒やアルカリ触媒が挙げられる。また、加水分解反応には通常、水を使用することが好ましい。部分加水分解縮合物としては、溶媒中で加水分解性オルガノシラン化合物を酸またはアルカリ水溶液の存在下で反応させて製造された物が好ましい。
使用される加水分解性オルガノシラン化合物の好適態様としては、上述したように、アルコキシシランが挙げられる。つまり、硬化性シリコーンの好適態様の一つとしては、アルコキシシランの加水分解反応および縮合反応により得られた硬化性シリコーンが挙げられる。
アルコキシシランを使用した場合、部分加水分解縮合物の重合度が大きくなりやすく、本発明の効果がより優れる。
使用される加水分解性オルガノシラン化合物の好適態様としては、上述したように、アルコキシシランが挙げられる。つまり、硬化性シリコーンの好適態様の一つとしては、アルコキシシランの加水分解反応および縮合反応により得られた硬化性シリコーンが挙げられる。
アルコキシシランを使用した場合、部分加水分解縮合物の重合度が大きくなりやすく、本発明の効果がより優れる。
上記硬化性シリコーンの重量平均分子量（Ｍｗ）は特に制限されないが、５０００〜６００００が好ましく、５０００〜３００００がより好ましい。Ｍｗが５０００以上だと塗布性の観点で優れており、Ｍｗが６００００以下だと溶媒への溶解性、塗布性の観点でよい。
上述したシリコーン樹脂層１４の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。なかでも、シリコーン樹脂層１４の生産性が優れる点で、シリコーン樹脂層１４の製造方法としては、後述するように、支持基材１２上に上記シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンを塗布し、その硬化性シリコーンを硬化させて硬化層を製造し、その後、硬化層に対してコロナ処理などの表面処理を施して、シリコーン樹脂層１４とすることが好ましい。支持基材１２上に硬化性シリコーンの層を形成するためには、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を使用し、この硬化性組成物を支持基材１２上に塗布して、必要に応じて溶媒を除去して、硬化性シリコーンの層とすることが好ましい。
硬化性組成物には溶媒が含まれていてもよく、その場合、溶媒の濃度の調整により硬化性シリコーンの層の厚さを制御できる。なかでも、取扱い性に優れ、シリコーン樹脂層１４の膜厚の制御がより容易である点から、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物中における硬化性シリコーンの含有量は、組成物全質量に対して、１〜１００質量％が好ましく、１〜５０質量％がより好ましい。
溶媒としては、作業環境下で硬化性シリコーンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去できる溶媒であれば、特に制限されない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート等が挙げられる。
硬化性組成物には溶媒が含まれていてもよく、その場合、溶媒の濃度の調整により硬化性シリコーンの層の厚さを制御できる。なかでも、取扱い性に優れ、シリコーン樹脂層１４の膜厚の制御がより容易である点から、硬化性シリコーンを含む硬化性組成物中における硬化性シリコーンの含有量は、組成物全質量に対して、１〜１００質量％が好ましく、１〜５０質量％がより好ましい。
溶媒としては、作業環境下で硬化性シリコーンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去できる溶媒であれば、特に制限されない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート等が挙げられる。
また、硬化性シリコーンが縮合反応型シリコーンの場合、硬化性を促進するためには、必要に応じて、硬化触媒が硬化性組成物に含まれていてもよい。
硬化触媒は、硬化性シリコーンの加水分解反応および／または縮合反応を促進させる触媒である。硬化触媒としては、有機金属系硬化触媒が好ましく、例えば、ジアセチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジラウレート、ジアセチル錫ジオクトエート、オクチル酸錫等の有機錫化合物；アルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウムトリ−ｎ−ブトキシド、アルミニウムトリス（アセトアセテートエチル）、アルミニウムジイソプロポキシ（アセトアセテートエチル）、アルミニウムアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物；チタニウムテトラ（モノエチルエトキシド）、チタニウムテトラ（モノエチルエトキシド）、チタニウムテトラ（モノブチルエトキシド）等の有機チタン化合物；ジルコニウムテトラ（モノメチルエトキシド）、ジルコニウムテトラ（モノエチルエトキシド）、ジルコニウムテトラ（モノブチルエトキシド）、ジルコニウムノルマルプロピレート等の有機ジルコニウム化合物が挙げられ、これらは単独でまたは２種以上併用して使用できる。
硬化触媒の使用量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、硬化性シリコーン１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部が好ましく、０．０５〜１０質量部がより好ましい。
硬化触媒は、硬化性シリコーンの加水分解反応および／または縮合反応を促進させる触媒である。硬化触媒としては、有機金属系硬化触媒が好ましく、例えば、ジアセチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジラウレート、ジアセチル錫ジオクトエート、オクチル酸錫等の有機錫化合物；アルミニウムトリメトキシド、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、アルミニウムトリ−ｎ−ブトキシド、アルミニウムトリス（アセトアセテートエチル）、アルミニウムジイソプロポキシ（アセトアセテートエチル）、アルミニウムアセチルアセトナート等の有機アルミニウム化合物；チタニウムテトラ（モノエチルエトキシド）、チタニウムテトラ（モノエチルエトキシド）、チタニウムテトラ（モノブチルエトキシド）等の有機チタン化合物；ジルコニウムテトラ（モノメチルエトキシド）、ジルコニウムテトラ（モノエチルエトキシド）、ジルコニウムテトラ（モノブチルエトキシド）、ジルコニウムノルマルプロピレート等の有機ジルコニウム化合物が挙げられ、これらは単独でまたは２種以上併用して使用できる。
硬化触媒の使用量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、硬化性シリコーン１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部が好ましく、０．０５〜１０質量部がより好ましい。
また、硬化性組成物には、種々の添加剤が含まれていてもよい。例えば、レベリング剤が含まれていてもよい。レベリング剤としては、メガファックＦ５５８、メガファックＦ５６０、メガファックＦ５６１（いずれもＤＩＣ社製）等のフッ素系のレベリング剤が挙げられる。
＜ガラス積層体およびその製造方法＞
ガラス積層体１０は、上述したように、支持基材１２およびガラス基板１６と、それらの間に配置されたシリコーン樹脂層１４とを含む積層体である。
ガラス積層体１０の製造方法は特に制限されないが、剥離強度（ｘ）が剥離強度（ｙ）よりも高い積層体を得るために、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する方法が好ましい。なかでも、硬化性シリコーンを支持基材１２の表面に塗布し、硬化処理を施して硬化層を得た後、得られた硬化層に対してコロナ処理などの表面処理を施して支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成し、次いで、シリコーン樹脂層１４の表面にガラス基板１６を積層して、ガラス積層体１０を製造する方法が好ましい。
硬化性シリコーンを支持基材１２表面で硬化させると、硬化反応時の支持基材１２表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材１２表面との剥離強度は高くなると考えられる。従って、ガラス基板１６と支持基材１２とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層１４と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、硬化性シリコーンの層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層１４の表面にガラス基板１６を積層してガラス積層体１０とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。
ガラス積層体１０は、上述したように、支持基材１２およびガラス基板１６と、それらの間に配置されたシリコーン樹脂層１４とを含む積層体である。
ガラス積層体１０の製造方法は特に制限されないが、剥離強度（ｘ）が剥離強度（ｙ）よりも高い積層体を得るために、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する方法が好ましい。なかでも、硬化性シリコーンを支持基材１２の表面に塗布し、硬化処理を施して硬化層を得た後、得られた硬化層に対してコロナ処理などの表面処理を施して支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成し、次いで、シリコーン樹脂層１４の表面にガラス基板１６を積層して、ガラス積層体１０を製造する方法が好ましい。
硬化性シリコーンを支持基材１２表面で硬化させると、硬化反応時の支持基材１２表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基材１２表面との剥離強度は高くなると考えられる。従って、ガラス基板１６と支持基材１２とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層１４と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、硬化性シリコーンの層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層１４の表面にガラス基板１６を積層してガラス積層体１０とする工程を積層工程といい、各工程の手順について詳述する。
（樹脂層形成工程）
樹脂層形成工程では、硬化性シリコーンの層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する。
まず、支持基材１２上に硬化性シリコーンの層を形成するためには、上述した硬化性組成物を支持基材１２上に塗布する。次いで、硬化性シリコーンの層に対して硬化処理を施して硬化層を形成して、得られた硬化層に対してコロナ処理などの表面処理を施してシリコーン樹脂層１４とすることが好ましい。
樹脂層形成工程では、硬化性シリコーンの層を支持基材１２の表面に形成し、支持基材１２表面上でシリコーン樹脂層１４を形成する。
まず、支持基材１２上に硬化性シリコーンの層を形成するためには、上述した硬化性組成物を支持基材１２上に塗布する。次いで、硬化性シリコーンの層に対して硬化処理を施して硬化層を形成して、得られた硬化層に対してコロナ処理などの表面処理を施してシリコーン樹脂層１４とすることが好ましい。
支持基材１２表面上に硬化性組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法等が挙げられる。
次いで、支持基材１２上の硬化性シリコーンを硬化させて、硬化層を形成する。
硬化の方法は特に制限されないが、熱硬化処理が好ましい。
熱硬化させる温度条件は、１５０〜５５０℃が好ましく、２００〜４５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、１０〜３００分が好ましく、２０〜１２０分がより好ましい。なお、加熱条件は、温度条件を変えて段階的に実施してもよい。
硬化の方法は特に制限されないが、熱硬化処理が好ましい。
熱硬化させる温度条件は、１５０〜５５０℃が好ましく、２００〜４５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、１０〜３００分が好ましく、２０〜１２０分がより好ましい。なお、加熱条件は、温度条件を変えて段階的に実施してもよい。
なお、熱硬化処理においては、プレキュア（予備硬化）を行った後硬化（本硬化）を行うことが好ましい。プレキュアを行うことにより耐熱性に優れたシリコーン樹脂層１４が得られる。
次いで、得られた硬化層に対してコロナ処理などの表面処理を施して、シリコーン樹脂層１４を形成する。
コロナ処理などの表面処理の方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
コロナ処理などの表面処理は所定の条件にて複数回にわたって実施してもよい。
例えば、表面処理がコロナ処理の場合、コロナ処理の総処理量は特に制限されないが、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、９０ｋＪ／ｍ２以上が好ましく、１２０ｋＪ／ｍ２以上がより好ましく、１５０ｋＪ／ｍ２以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、生産性の点で、５００ｋＪ／ｍ２以下が好ましい。
コロナ処理などの表面処理の方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
コロナ処理などの表面処理は所定の条件にて複数回にわたって実施してもよい。
例えば、表面処理がコロナ処理の場合、コロナ処理の総処理量は特に制限されないが、ガラス基板１６の剥離性がより優れる点で、９０ｋＪ／ｍ２以上が好ましく、１２０ｋＪ／ｍ２以上がより好ましく、１５０ｋＪ／ｍ２以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、生産性の点で、５００ｋＪ／ｍ２以下が好ましい。
（積層工程）
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を積層し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とをこの順で備えるガラス積層体１０を得る工程である。
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を積層し、支持基材１２とシリコーン樹脂層１４とガラス基板１６とをこの順で備えるガラス積層体１０を得る工程である。
ガラス基板１６をシリコーン樹脂層１４上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１４とガラス基板１６との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、量良好な密着が実現でき、好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。
ガラス基板１６を積層する際には、シリコーン樹脂層１４に接触するガラス基板１６の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板１６の平坦性は良好となるので好ましい。
なお、ガラス基板１６を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理（加熱処理）を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板１６のシリコーン樹脂層１４に対する密着性が向上し、適切な剥離強度（ｙ）とすることができる。
上記で得られたガラス積層体（第１実施形態）中のガラス基板に対して、研磨処理を施すことにより、超薄膜のガラス基板を含むガラス積層体（第２実施形態）を得ることができる。より具体的には、図１中のガラス基板１６の第２主面１６ｂに対して、研磨処理を実施して、ガラス基板１６の厚みを低減させることもできる。
このような第２実施形態のガラス積層体においても、ガラス基板が剥離しやすい。なお、上述したように、研磨処理が施されたガラス基板を含むガラス積層体も本発明の積層体に含まれる。
研磨処理の方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができ、メカニカルな研磨（物理研磨）または化学的な研磨（化学研磨）が挙げられる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用した化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法等が挙げられる。
また、化学研磨（ウェットエッチングと呼ぶこともある）としては、薬液を使用してガラス基板の表面を研磨する方法が挙げられる。
このような第２実施形態のガラス積層体においても、ガラス基板が剥離しやすい。なお、上述したように、研磨処理が施されたガラス基板を含むガラス積層体も本発明の積層体に含まれる。
研磨処理の方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができ、メカニカルな研磨（物理研磨）または化学的な研磨（化学研磨）が挙げられる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用した化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法等が挙げられる。
また、化学研磨（ウェットエッチングと呼ぶこともある）としては、薬液を使用してガラス基板の表面を研磨する方法が挙げられる。
研磨処理後のガラス基板の厚みは特に制限されないが、０．１５ｍｍ以下が好ましい。下限は特に制限されないが、取り扱いが容易である点から、０．０３ｍｍ以上が好ましい。
なお、上記においては、基板としてガラス基板を用いる場合について詳述したが、基板の種類は特に制限さない。
例えば、基板としては、金属基板、半導体基板、樹脂基板、および、ガラス基板が挙げられる。また、基板は、例えば、２種の異なる金属から構成される金属板のように、複数の同種材料から構成される基板であってもよい。さらに、基板は、例えば、樹脂とガラスとから構成される基板のように、異種材料（例えば、金属、半導体、樹脂、および、ガラスから選択される２種以上の材料）の複合体基板であってもよい。
金属板、半導体基板等の基板の厚みは特に制限されないが、薄型化および／または軽量化の観点から、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．４ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．２ｍｍ以下であり、特に好ましくは０．１０ｍｍ以下である。また、厚みの下限は特に制限されないが、０．００５ｍｍ以上であることが好ましい。
また、基板の面積（主面の面積）は特に制限されないが、電子デバイスの生産性の点から、３００ｃｍ２以上であることが好ましい。
また、基板の形状も特に制限されず、矩形状であっても、円形状であってもよい。また、基板には、オリエンテーションフラット（いわゆるオリフラ。基板の外周に形成された平坦部分）や、ノッチ（基板の外周縁に形成された一つまたはそれ以上のＶ型の切欠き）が形成されていてもよい。
例えば、基板としては、金属基板、半導体基板、樹脂基板、および、ガラス基板が挙げられる。また、基板は、例えば、２種の異なる金属から構成される金属板のように、複数の同種材料から構成される基板であってもよい。さらに、基板は、例えば、樹脂とガラスとから構成される基板のように、異種材料（例えば、金属、半導体、樹脂、および、ガラスから選択される２種以上の材料）の複合体基板であってもよい。
金属板、半導体基板等の基板の厚みは特に制限されないが、薄型化および／または軽量化の観点から、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．４ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．２ｍｍ以下であり、特に好ましくは０．１０ｍｍ以下である。また、厚みの下限は特に制限されないが、０．００５ｍｍ以上であることが好ましい。
また、基板の面積（主面の面積）は特に制限されないが、電子デバイスの生産性の点から、３００ｃｍ２以上であることが好ましい。
また、基板の形状も特に制限されず、矩形状であっても、円形状であってもよい。また、基板には、オリエンテーションフラット（いわゆるオリフラ。基板の外周に形成された平坦部分）や、ノッチ（基板の外周縁に形成された一つまたはそれ以上のＶ型の切欠き）が形成されていてもよい。
（積層体）
本発明の積層体（上述したガラス積層体を含む）からは、基板（例えば、ガラス基板）を容易に剥離できる。
基板とシリコーン樹脂層付き支持基材とを剥離する方法は、特に制限されない。例えば、基板とシリコーン樹脂層との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離できる。
なお、基板を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層の欠片が基板に静電吸着することをより抑制できる。
また、シリコーン樹脂層付き支持基材は、新たな基板と積層して、本発明の積層体を製造できる。
本発明の積層体（上述したガラス積層体を含む）からは、基板（例えば、ガラス基板）を容易に剥離できる。
基板とシリコーン樹脂層付き支持基材とを剥離する方法は、特に制限されない。例えば、基板とシリコーン樹脂層との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離できる。
なお、基板を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層の欠片が基板に静電吸着することをより抑制できる。
また、シリコーン樹脂層付き支持基材は、新たな基板と積層して、本発明の積層体を製造できる。
なお、積層体の基板上に各種部材（例えば、電子部材）を配置した後に、その部材と共に基板を剥離して、部材付き基板を他の用途に適用してもよい。
なお、各種部材の配置方法としては特に制限されず、公知の方法（例えば、特許文献１の段落００８４〜００９２に記載の方法）が挙げられる。
なお、各種部材の配置方法としては特に制限されず、公知の方法（例えば、特許文献１の段落００８４〜００９２に記載の方法）が挙げられる。
以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
初めに、板厚０．５ｍｍの支持基材を純水洗浄した後、さらにＵＶ洗浄して清浄化した。
次に、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：２０００、アルケニル基の数：２個以上）（１００質量部）と、ハイドロジェンポリシロキサン（数平均分子量：２０００、ハイドロシリル基の数：２個以上）（１５質量部）と配合した。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）は、０．９／１であった。さらに、触媒（白金触媒）を、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計質量に対し、３００ｐｐｍ添加した。この液を、硬化性樹脂組成物Ｘとする。この硬化性樹脂組成物Ｘを、ダイコーターを用いて支持基材の第１主面上に塗布して、未硬化のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンを含む層を支持基材上に設けた。
次に、硬化性樹脂組成物Ｘが塗布された支持基材に対して、２３０℃で、１０分間、大気中で加熱硬化を施し、支持基材の第１主面に厚さ１０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。なお、シリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
なお、得られたシリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂において、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｄ単位）および（Ｒ）ＳｉＯ3/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｔ単位）の合計含有量は、全オルガノシロキシ単位に対して、８０モル％以上であった。
次に、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン（数平均分子量：２０００、アルケニル基の数：２個以上）（１００質量部）と、ハイドロジェンポリシロキサン（数平均分子量：２０００、ハイドロシリル基の数：２個以上）（１５質量部）と配合した。なお、アルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、ハイドロジェンポリシロキサン中のハイドロシリル基との混合モル比（ハイドロシリル基のモル数／アルケニル基のモル数）は、０．９／１であった。さらに、触媒（白金触媒）を、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンの合計質量に対し、３００ｐｐｍ添加した。この液を、硬化性樹脂組成物Ｘとする。この硬化性樹脂組成物Ｘを、ダイコーターを用いて支持基材の第１主面上に塗布して、未硬化のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンおよびハイドロジェンポリシロキサンを含む層を支持基材上に設けた。
次に、硬化性樹脂組成物Ｘが塗布された支持基材に対して、２３０℃で、１０分間、大気中で加熱硬化を施し、支持基材の第１主面に厚さ１０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。なお、シリコーン樹脂層の平坦性は、良好であった。
なお、得られたシリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂において、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｄ単位）および（Ｒ）ＳｉＯ3/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｔ単位）の合計含有量は、全オルガノシロキシ単位に対して、８０モル％以上であった。
＜実施例１＞
得られたシリコーン樹脂層に、照射量１０７[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した。その後、ガラス基板と、支持基材のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ａを得た。
この際、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。
得られたガラス積層体Ａにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ａにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
その後、研磨処理を施すことにより、板厚０．１５ｍｍのガラス基板を含むガラス積層体を得た。
得られたシリコーン樹脂層に、照射量１０７[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した。その後、ガラス基板と、支持基材のシリコーン樹脂層面とを、室温下で真空プレスにより貼り合わせ、ガラス積層体Ａを得た。
この際、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。
得られたガラス積層体Ａにおいては、支持基材とガラス基板は、シリコーン樹脂層と気泡を発生することなく密着しており、歪み状欠点もなかった。また、ガラス積層体Ａにおいて、シリコーン樹脂層と支持基材の層との界面の剥離強度が、ガラス基板の層とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
その後、研磨処理を施すことにより、板厚０．１５ｍｍのガラス基板を含むガラス積層体を得た。
＜実施例２＞
シリコーン樹脂層に、照射量を１６０[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。
シリコーン樹脂層に、照射量を１６０[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。
＜比較例１＞
シリコーン樹脂層へのコロナ処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。なお、比較例１は、特許文献１に記載の態様に相当する。
シリコーン樹脂層へのコロナ処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。なお、比較例１は、特許文献１に記載の態様に相当する。
＜比較例２＞
シリコーン樹脂層に照射量を６．７[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。
シリコーン樹脂層に照射量を６．７[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。
＜比較例３＞
シリコーン樹脂層に照射量を１３[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。
シリコーン樹脂層に照射量を１３[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。
＜比較例４＞
シリコーン樹脂層に照射量を８０[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。
シリコーン樹脂層に照射量を８０[ｋＪ／ｍ２]のコロナ処理を施した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。
＜評価＞
実施例１にて得られたガラス積層体Ａに対して、以下の剥離試験を行い、ガラス基板の剥離強度（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。その際の剥離強度は、１．１１Ｎ/２５ｍｍであった。
なお、他の実施例および比較例にて得られたガラス積層体に関しても、同様の評価を実施した。
実施例１にて得られたガラス積層体Ａに対して、以下の剥離試験を行い、ガラス基板の剥離強度（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。その際の剥離強度は、１．１１Ｎ/２５ｍｍであった。
なお、他の実施例および比較例にて得られたガラス積層体に関しても、同様の評価を実施した。
（剥離強度の測定方法）
剥離強度の測定方法は、幅２５ｍｍ・長さ７０ｍｍのガラス積層体Ａを用意し、オートグラフＡＧ−２０／５０ｋＮＸＤｐｌｕｓ（島津製作所）を用いて、ガラス基板の剥離を行った。
この際、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成した後、ガラス基板を完全に固定し、支持基材を引き上げることで強度の測定を行った。なお、剥離速度は、３０ｍｍ／ｍｉｎあった。荷重を検知した地点を０とし、その位置から２．０ｍｍ引き上げた位置での剥離強度を測定値とした。
剥離強度の測定方法は、幅２５ｍｍ・長さ７０ｍｍのガラス積層体Ａを用意し、オートグラフＡＧ−２０／５０ｋＮＸＤｐｌｕｓ（島津製作所）を用いて、ガラス基板の剥離を行った。
この際、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成した後、ガラス基板を完全に固定し、支持基材を引き上げることで強度の測定を行った。なお、剥離速度は、３０ｍｍ／ｍｉｎあった。荷重を検知した地点を０とし、その位置から２．０ｍｍ引き上げた位置での剥離強度を測定値とした。
上記実施例１〜２および比較例１〜４の評価結果を、表１に以下にまとめて示す。
また、各実施例および比較例にて得られたガラス積層体をそれぞれ１０個用意し、ガラス基板の剥離を行った。この１０回の剥離時の「ガラス基板割れ」に関して、ガラス基板の割れが０回のものを「◎」、ガラス基板の割れが１回のものを「○」、ガラス基板の割れが２〜３回のものを「△」、ガラス基板の割れが４回以上のものを「×」とした。結果を表１にまとめて示す。
なお、表１中、「領域：５ｎｍ」欄は、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域におけるＣ／Ｓｉの「最大値」を示し、Ｏ／Ｓｉの「最小値」を示す。
また、「領域：８ｎｍ」欄は、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から支持基材側に向かって８ｎｍまでの領域におけるＣ／Ｓｉの「最大値」を示し、Ｏ／Ｓｉの「最小値」を示す。
また、「位置：５ｎｍ」欄は、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍの位置におけるＣ／ＳｉおよびＯ／Ｓｉの値を示す。
さらに、「位置：２５ｎｍ」欄は、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から支持基材側に向かって２５ｎｍの位置におけるＣ／ＳｉおよびＯ／Ｓｉの値を示す。
また、各実施例および比較例にて得られたガラス積層体をそれぞれ１０個用意し、ガラス基板の剥離を行った。この１０回の剥離時の「ガラス基板割れ」に関して、ガラス基板の割れが０回のものを「◎」、ガラス基板の割れが１回のものを「○」、ガラス基板の割れが２〜３回のものを「△」、ガラス基板の割れが４回以上のものを「×」とした。結果を表１にまとめて示す。
なお、表１中、「領域：５ｎｍ」欄は、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域におけるＣ／Ｓｉの「最大値」を示し、Ｏ／Ｓｉの「最小値」を示す。
また、「領域：８ｎｍ」欄は、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から支持基材側に向かって８ｎｍまでの領域におけるＣ／Ｓｉの「最大値」を示し、Ｏ／Ｓｉの「最小値」を示す。
また、「位置：５ｎｍ」欄は、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から支持基材側に向かって５ｎｍの位置におけるＣ／ＳｉおよびＯ／Ｓｉの値を示す。
さらに、「位置：２５ｎｍ」欄は、シリコーン樹脂層のガラス基板側の表面から支持基材側に向かって２５ｎｍの位置におけるＣ／ＳｉおよびＯ／Ｓｉの値を示す。
上記表１に示すように、本発明の積層体であれば、ガラス基板を容易に剥離できることが確認された。
１０ ガラス積層体
１２ 支持基材
１４ シリコーン樹脂層
１６ ガラス基板
１８ シリコーン樹脂層付き支持基材
２０ 表層領域
３０ サンプル
３１ Ｘ線源
３２ 検出器
１２ 支持基材
１４ シリコーン樹脂層
１６ ガラス基板
１８ シリコーン樹脂層付き支持基材
２０ 表層領域
３０ サンプル
３１ Ｘ線源
３２ 検出器
Claims (6)
- 支持基材と、シリコーン樹脂層と、基板と、をこの順で備え、
前記シリコーン樹脂層の前記基板側の表面から前記支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が０．７以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．７以上である、積層体。 - 前記シリコーン樹脂層の前記基板側の表面から前記支持基材側に向かって８ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が１．１以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．３以上である、請求項１に記載の積層体。
- 前記シリコーン樹脂層中のシリコーン樹脂が、（Ｒ）2ＳｉＯ2/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｄ単位）および（Ｒ）ＳｉＯ3/2で表されるオルガノシロキシ単位（Ｔ単位）からなる群から選択される少なくとも１種の特定オルガノシロキシ単位を含み、
前記特定オルガノシロキシ単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、６０モル％以上である、請求項１または２に記載の積層体。なお、Ｒは水素原子または有機基を表す。 - 前記特定オルガノシロキシ単位の割合が、全オルガノシロキシ単位に対して、８０モル％以上である、請求項３に記載の積層体。
- 前記基板がガラス基板である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体。
- 支持基材と、シリコーン樹脂層と、をこの順で備え、
前記シリコーン樹脂層の前記支持基材側とは反対側の表面から前記支持基材側に向かって５ｎｍまでの領域において、炭素原子とケイ素原子との原子比（炭素原子／ケイ素原子）が０．７以下であり、酸素原子とケイ素原子との原子比（酸素原子／ケイ素原子）が１．７以上である、シリコーン樹脂層付き支持基材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016239790A JP2018094763A (ja) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016239790A JP2018094763A (ja) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018094763A true JP2018094763A (ja) | 2018-06-21 |
Family
ID=62634401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016239790A Pending JP2018094763A (ja) | 2016-12-09 | 2016-12-09 | 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2018094763A (ja) |
-
2016
- 2016-12-09 JP JP2016239790A patent/JP2018094763A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5562597B2 (ja) | 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法 | |
| JP6443350B2 (ja) | ガラス積層体 | |
| JP6561845B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法 | |
| JP6610563B2 (ja) | ガラス積層体、電子デバイスの製造方法、ガラス積層体の製造方法、ガラス板梱包体 | |
| KR102635001B1 (ko) | 적층체, 실리콘 수지층이 부착된 지지 기재, 실리콘 수지층이 부착된 수지 기판, 전자 디바이스의 제조 방법 | |
| JP6927203B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法 | |
| KR102629661B1 (ko) | 적층체, 실리콘 수지층이 부착된 지지 기재, 실리콘 수지층이 부착된 수지 기판, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
| KR20130097069A (ko) | 적층체의 제조 방법 및 적층체 | |
| JP7310973B2 (ja) | 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイスの製造方法 | |
| JP6946901B2 (ja) | 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材、シリコーン樹脂層付き樹脂基板、電子デバイスの製造方法 | |
| JP6471643B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法 | |
| JPWO2018092688A1 (ja) | 積層基板および電子デバイスの製造方法 | |
| JP6946900B2 (ja) | 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材、シリコーン樹脂層付き樹脂基板、および、電子デバイスの製造方法 | |
| JP2018094763A (ja) | 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材 | |
| WO2015182766A1 (ja) | 粘着剤組成物、支持体およびその製造方法ならびにガラス積層体 | |
| TWI648159B (zh) | Resin layer removal method | |
| JP5770890B2 (ja) | 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法 | |
| JP6361440B2 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法 | |
| JP6063522B2 (ja) | 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法 |