TWI642675B - 塗佈組成物以及有機發光裝置 - Google Patents

Abstract

本發明是關於一種塗佈組成物以及一種有機發光裝置。 塗佈組成物包括離子化合物。離子化合物包含由以下化學式1表示之陰離子基團：

在化學式1中，各取代基的定義與說明書所定義的相同。

Description

塗佈組成物以及有機發光裝置

本發明是關於一種塗佈組成物以及一種有機發光裝置。

本申請案主張2016年11月25日向韓國智慧財產局(Korean Intellectual Property Office)申請之韓國專利申請案第10-2016-0158461號的優先權以及權利，所述專利申請案之全部內容以引用的方式併入本文中。

有機發光現象為藉由特定有機分子之內部製程將電流轉化成可見光的實例中之一者。有機發光現象之原理如下。在將有機材料層置放於陽極與陰極之間，且在兩個電極之間施加電流時，電子以及電洞分別自陰極以及陽極注入至有機材料層中。注入至有機材料層之電洞以及電子重組合以形成激子，且在此等激子後降至基態時發射光。使用此原理之有機發光裝置通常可形成有陰極、陽極以及置放於其間的有機材料層，例如包含電洞注入層、電洞轉移層、發光層以及電子轉移層之有機材料層。

用於有機發光裝置中之材料主要是純有機材料或其中有機材料及金屬形成錯合物之錯合物化合物，且可取決於應用劃 分為電洞注入材料、電洞轉移材料、發光材料、電子轉移材料、電子注入材料以及類似材料。此處，作為電洞注入材料或電洞轉移材料，通常使用具有p型特性之有機材料，亦即，容易氧化且在氧化時具有電化學穩定狀態之有機材料。同時，作為電子注入材料或電子轉移材料，通常使用具有n型特性之有機材料，亦即，容易還原且在還原時具有電化學穩定狀態之有機材料。作為發光層材料，具有p型特性及n型特性兩者之材料為較佳的，亦即，在氧化狀態及還原狀態兩者中均具有穩定形式之材料，且具有高發光效率、在激子形成時將激子轉化成光之材料為較佳的。

除上文所描述之特性以外，較佳的是用於有機發光裝置中之材料另外具有如下特性。

第一，用於有機發光裝置中之材料較佳具有極佳熱穩定性。此歸因於由有機發光裝置中之電荷遷移產生之焦耳熱效應(joule heating)。通常用作電洞轉移層材料之NPB當前具有為100℃或低於100℃之玻璃轉化溫度，且存在難以在需要高電流之有機發光裝置中使用的問題。

第二，為獲得能夠低電壓驅動之高效有機發光裝置，注入至有機發光裝置中之電洞或電子需要流暢地轉移至發光層，且同時，需要防止注入之電洞及電子自發光層逸出。為此，用於有機發光裝置中之材料需要具有適當能帶隙以及HOMO能階或LUMO能階。當前在使用溶液塗佈方法製造之有機發光裝置中用作電洞轉移材料之PEDOT：PSS與用作發光層材料之有機材料的LUMO能階相比，具有更低LUMO能階，且因此在製造高效及長使用壽命之有機發光裝置中存在問題。

除此之外，用於有機發光裝置中之材料需要具有極佳化學穩定性、電荷遷移率以及與電極或相鄰層的介接特性(interface property)。換言之，用於有機發光裝置中之材料需要經歷更少由水分或氧氣導致之材料變形。此外，為了具有適當電洞遷移率或電子遷移率，材料需要藉由平衡有機發光裝置之發光層中的電洞密度以及電子密度來使激子形成達到最大。為了裝置穩定性，材料亦需要改良與包含金屬或金屬氧化物之電極的介接。

因此，在本領域中已需要研發滿足此等需求之有機材料。

[引用清單] [專利文獻]

韓國專利申請案早期公開第2012-0112277號

本發明是關於提供一種塗佈組成物以及一種有機發光裝置。

本發明之一個實施例提供包含離子化合物的塗佈組成物，所述離子化合物包含由以下化學式1表示之陰離子基團。

[化學式1]

在化學式1中，R1至R20中之至少一者為F、氰基或經取代或未經取代之氟烷基，其餘R1至R20中之至少一者為固化基，其餘R1至R20彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；硝基；-C(O)R₁₀₀；-OR₁₀₁；-SR₁₀₂；-SO₃R₁₀₃；-COOR₁₀₄；-OC(O)R₁₀₅；-C(O)NR₁₀₆R₁₀₇；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之氟烷基；經取代或未經取代之烯基；經取代或未經取代之炔基；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之芳基；或經取代或未經取代之雜環基，以及R₁₀₀至R₁₀₇彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；或經取代或未經取代之烷基。

本發明之另一實施例提供有機發光裝置，包含：第一電 極；第二電極；以及一或多個提供於第一電極與第二電極之間的有機材料層，其中有機材料層的一或多個層包含上文所描述之塗佈組成物的固化材料。

根據本發明之一個實施例的化合物包含由熱或光聚合的官能基，且當在形成膜之後提供足夠熱或光時，對用於製程的溶劑產生耐受性，且由於防止洗去根據本發明之一個實施例的化合物或間層材料遷移，所述膜之特性並不改變，且因此，可以製造具有再現性的有機發光裝置。

根據本發明之一個實施例的化合物為離子單體並溶解於藉由溶液製程塗佈之溶劑中，且隨後藉由熱處理或UV處理形成為膜，且特定言之，當以約200℃固化時，所述根據本發明的化合物可提供低驅動電壓、高發光效率以及長使用壽命特性。

101‧‧‧基板

201‧‧‧陽極

301‧‧‧電洞注入層

401‧‧‧電洞轉移層

501‧‧‧發光層

601‧‧‧電子轉移層

701‧‧‧陰極

圖1說明根據本發明之一個實施例的有機發光裝置的實例。

圖2展示根據本發明之一個實施例的化合物6之MS資料。

圖3展示根據本發明之一個實施例的化合物6之DSC資料。

圖4為根據本發明之一個實施例的化合物6之NMR譜。

圖5展示根據本發明比較例之一個實施例的比較化合物1之DSC資料。

圖6展示根據本發明之一個實施例的塗佈組成物6之膜保持率資料。

圖7展示根據本發明之一個實施例的塗佈組成物11之膜保持率資料。

圖8展示根據本發明之一個實施例的塗佈組成物12之膜保持率資料。

圖9為根據本發明之一個實施例的化合物7之NMR譜。

圖10為根據製備實例6的(全氟苯基)三(2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯基)硼酸鋰之NMR譜。

圖11為根據製備實例6的(全氟苯基)三(2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯基)硼酸鋰之質譜。

在下文中，將更詳細地描述本發明。

在本發明中，某一構件置放於另一構件「上」之描述不僅包含一個構件鄰接另一構件的情況，且亦包含又一構件存在於兩個構件之間的情況。

在本發明中，某一部分「包含」某些組分之描述意謂能夠更包含其他組分，且除非另有相反的特定陳述，否則不排除其他組分。

在本申請案之本說明書通篇，包含於馬庫西式(Markush-type)表述中之術語「其組合」意謂由馬庫西式表述中所描述之組分所組成之族群中選出的一或多者之混合物或組合，且意謂包含由所述組分所組成之族群中選出的一或多者。

本發明之一個實施例提供包含離子化合物的塗佈組成物，所述離子化合物包含由化學式1表示之陰離子基團。

在本發明之一個實施例中，塗佈組成物用於塗佈有機發光裝置之有機材料層。

在本發明之一個實施例中，由於離子化合物包含由化學式1表示之陰離子基團，對適當有機溶劑具有溶解性的化合物是較佳的。

在本發明中，「固化基」可意謂藉由暴露於熱和/或光而使反應性取代基交聯化合物。交聯可在連接自由基(藉由熱處理或光照射來分解碳-碳多重鍵或環狀結構製備)時產生。

在本發明之一個實施例中，固化基由以下固化基之族群中選出。

[固化基之族群]

在固化基之族群中，L為直接鍵；O；S；經取代或未經取代之伸烷基；經取代或未經取代之伸芳基；或經取代或未經取代之二價雜環基， k為1或2之整數，且當k為2時，括弧中之取代基彼此相同或不同，以及 R21為經取代或未經取代之烷基。

在本發明之一個實施例中，各種固化基可作為固化基使用，只要其為能夠固化之固化基，且所述固化基不限於固化基之族群。

在本發明之一個實施例中，L為直接鍵、亞甲基或伸乙基。

在本發明之一個實施例中，L為直接鍵。

在本發明之一個實施例中，L為亞甲基。

在本發明之一個實施例中，R21為甲基或乙基。

在本發明之一個實施例中，R21為甲基。

在本發明中，鎓化合物(onium compound)意謂藉由氫離子或其他有機基團與未共用電子對(例如碘、氧、硫、氮或磷)配位鍵結而製備的化合物。

在下文中，將如下詳細描述本發明之取代基，然而，所述取代基不限於此。

在本發明中，意謂鍵結至其他取代基或鍵結位點之位點。

本發明中之術語「取代」意謂鍵結至化合物之碳原子的氫原子變成另一取代基，且取代之位置不受限制，只要所述位置為氫原子經取代之位置，亦即取代基可取代之位置，且當兩個或多於兩個取代基取代時，所述兩個或多於兩個取代基可彼此相同或不 同。

本發明中之術語「經取代或未經取代」意謂經由下述者所組成之族群中選出的一或多個取代基取代：氫；氘；鹵基；烷基；環烷基；烷氧基；芳氧基；芳基；胺基；芳胺基；以及固化基，或未經取代，或經上文所例示之取代基中之兩個或多於兩個取代基連接的取代基取代，或未經取代。

在本發明中，鹵基之實例可包含氟、氯、溴或碘。

在本發明中，烷基可為直鏈、分支鏈或環狀，且儘管其不受特定限制，但碳原子數較佳為1至50。其特定實例可包含甲基、乙基、丙基、正丙基、異丙基、丁基、正丁基、異丁基、三級丁基、二級丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、異戊基、新戊基、三級戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、環丙基、環丁基、環戊基、3-甲基環戊基、2,3-二甲基環戊基、環己基、3-甲基環己基、4-甲基環己基、2,3-二甲基環己基、3,4,5-三甲基環己基、4-三級丁基環己基、環庚基、環辛基、辛基、正辛基、三級辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、異己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基以及其類似基團，但不限於此。

在本發明中，烷氧基可為直鏈、分支鏈或環狀。烷氧基之碳原子數不受特定限制，但較佳為1至30。其特定實例可包含甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、異丙基氧基(i-propyloxy)、正丁氧基、異丁氧基、三級丁氧基、二級丁氧基、正戊氧基、新戊 氧基、異戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苯甲氧基、對甲基苯甲氧基以及其類似基團，但不限於此。

烷基可經芳基或雜環基取代以充當芳烷基或雜芳烷基。芳基及雜環基可由下文所描述之芳基或雜環基之實例中選出。

在本發明中，烷基之長度不影響化合物之共軛長度，且可影響有機發光裝置中之化合物的使用，例如，諸如真空沈積法或溶液塗佈方法之使用。

在本發明中，環烷基不受特定限制，但較佳具有3個至60個碳原子，且其特定實例可包含環丙基、環丁基、環戊基、3-甲基環戊基、2,3-二甲基環戊基、環己基、3-甲基環己基、4-甲基環己基、2,3-二甲基環己基、3,4,5-三甲基環己基、4-三級丁基環己基、環庚基、環辛基以及其類似基團，但不限於此。

在本發明中當芳基為單環芳基時，碳原子數不受特別限制，但較佳為6至25。單環芳基之特定實例可包含苯基、聯苯基、聯三苯基、對聯四苯基以及其類似基團，但不限於此。

當芳基為多環芳基時，碳原子數不受特別限制，但較佳為10至30。多環芳基之特定實例可包含萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、屈基、茀基以及其類似基團，但不限於此。

在本發明中，茀基可經取代，且相鄰取代基可彼此鍵結以形成環。

當茀基經取代時，可包含、、 、以及其類似基團。然而，所述結構不限於此。

芳基可經烷基或烷氧基取代以充當芳烷基或芳氧基。烷基或烷氧基可由上文所描述之實例中選出。

在本發明中，胺基之碳原子數不受特定限制，但較佳為1至30。胺基可經上文所描述之烷基、芳基、雜環基、烯基、環烷基、其組合以及其類似基團取代，且所述胺基之特定實例可包含甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙胺基、苯胺基、萘胺基、聯苯胺基、蒽胺基(anthracenylamine group)、9-甲基-蒽胺基、二苯胺基、苯基萘胺基(phenylnaphthylamine group)、二甲苯胺基(ditolylamine group)、苯基甲苯胺基、三苯胺基以及其類似基團，但不限於此。

在本發明中，芳胺基之實例包含經取代或未經取代之單芳胺基、經取代或未經取代之二芳胺基，或經取代或未經取代之三芳胺基。芳胺基中之芳基可為單環芳基或多環芳基。包含兩個或多於兩個芳基之芳胺基可包含單環芳基、多環芳基，或單環芳基與多環芳基兩者。舉例而言，芳胺基中之芳基可由上文所描述之芳基之實例中選出。芳胺基之特定實例可包含苯胺、萘胺、聯苯胺、蒽胺、3-甲基-苯胺、4-甲基-萘胺、2-甲基-聯苯胺、9-甲基-蒽胺、二苯胺 基、苯基萘胺基、二甲苯胺基、苯基甲苯胺基、咔唑、三苯胺基以及其類似基團，但不限於此。

在本發明中，雜環基包含不為碳之一或多種原子，亦即雜原子，且特定言之，雜原子可包含由O、N、Se、S以及其類似原子所組成之族群中選出的一或多種原子。碳原子數不受特定限制，但較佳為2至30，且雜芳基可為單環或多環。雜環基之實例可包含噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、吡啶基、聯吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、噠嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喏啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、異喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、啡啉基、異噁唑基、噻二唑基、啡噻嗪基、二苯并呋喃基以及其類似基團，但不限於此。

在本發明中，伸芳基意謂具有兩個鍵結位點之芳基，亦即二價基團。除各自為二價基團以外，上文所提供之關於芳基的描述可應用於此。

在本發明中，二價雜環基意謂具有兩個鍵結位點之雜環基，亦即二價基團。除各自為二價基團以外，上文所提供之關於雜環基的描述可應用於此。

在本發明中，「相鄰」基團可意謂取代與相應取代基所取代之原子直接連接之原子的取代基、空間位置最接近相應取代基的取代基，或取代相應取代基所取代之原子的另一取代基。舉例而言，取代苯環中之鄰位的兩個取代基以及取代脂族環中之同一碳的兩個取代基可解釋為彼此「相鄰」之基團。

在本發明中，藉由相鄰基團彼此鍵結所形成之環可為單環或多環，可為脂族、芳族或脂族或芳族之稠環，且可形成烴環或雜環。

在本發明之一個實施例中，由化學式1表示之陰離子基團的固化基之數目為1。

在本發明之一個實施例中，由化學式1表示之陰離子基團的固化基之數目為2。

在本發明之一個實施例中，由化學式1表示之陰離子基團的固化基之數目為4。當由化學式1表示之陰離子基團沒有固化基時，不發生固化，且裝置特性可下降，此歸因於本發明之陽離子基團與陰離子基團在電極層之間的遷移。此外，隨著固化基之數目增加，塗佈組成物固化速率增加且膜保持率(film retention)提昇，且因此，具有4個固化基之化合物為更佳的。

在本發明之一個實施例中，由化學式1表示之陰離子基團中的F、氰基或經取代或未經取代之氟烷基之數目為16至19。

在本發明之一個實施例中，相對於100重量份之陰離子基團，陰離子基團中的F之重量份為15重量份至50重量份或小於50重量份。

在本發明之一個實施例中，陰離子基團中之F的重量份為10重量份至45重量份或小於45重量份。

在本發明之一個實施例中，陰離子基團中之F的數目為8至20。

在本發明之一個實施例中，包含陰離子基團的離子化合物可用於有機發光裝置之電洞注入層，且當用於電洞注入層時可 使用作為摻雜劑。在本文中，當陰離子基團之F含量增加時，來自其他化合物(主體化合物)的電子吸引力增加，且電洞更加順利地形成於主體中，使得電洞注入層中之性能增強。

在本發明之一個實施例中，F含量可使用耦接至戴安ICS 2000離子層析儀(Dionex ICS 2000 ion-chromatograph)的COSA AQF-100燃燒爐來分析，或可藉由19F NMR(一種通常用於F分析之方法)來鑑定。

在本發明之一個實施例中，在化學式1中之R1至R5鍵結的苯環、R6至R10鍵結的苯環、R11至R15鍵結的苯環以及R16至R20鍵結的苯環中的至少一個苯環是由以下結構式中選出。

在本發明之一個實施例中，在化學式1中之R1至R5鍵結的苯環、R6至R10鍵結的苯環、R11至R15鍵結的苯環以及R16至R20鍵結的苯環中的至少一個苯環是由以下結構式中選出。

在本發明之一個實施例中，陰離子基團由以下結構式中選出。

在結構式中，n為1至3之整數，m為1至3之整數，且m+n=4，q為0至3之整數，r為1至4之整數，且q+r=4，Z為氘；鹵基；硝基；氰基；胺基；-C(O)R₁₀₀；-OR₁₀₁；-SR₁₀₂；-SO₃R₁₀₃；-COOR₁₀₄；-OC(O)R₁₀₅；-C(O)NR₁₀₆R₁₀₇；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烯基；經取代或未經取代之炔 基；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之芳基；或經取代或未經取代之雜環基，l為1至4之整數，且當l為2或大於2時，Z彼此相同或不同，以及R₁₀₀至R₁₀₇彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；或經取代或未經取代之烷基。

在本發明之一個實施例中，離子化合物包含陽離子基團，且所述陽離子基團由單價陽離子基團、鎓化合物或以下結構式中選出。

在結構式中，X₁至X₇₆彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氰基；硝基；鹵基；-COOR₁₀₄；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之環烷基；經取代或未經取代之氟烷基；或經取代或未經取代之芳基或固化基， R₁₀₄為氫；氘；或經取代或未經取代之烷基，p為0至10之整數，以及a為1或2，b為0或1，且a+b=2。

在本發明之一個實施例中，X₁至X₇₆彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氰基；硝基；F；Cl；-COOR₁₀₄；甲基；乙基；丙基；丁基；戊基；己基；甲氧基；環丙基；乙氧基；苯基；萘基；或固化基，且R₁₀₄為甲基。

在本發明之一個實施例中，單價陽離子基團可包含Na⁺、Li⁺、K⁺以及其類似物，但不限於此。

在本發明之一個實施例中，陽離子基團由以下化學式10至化學式15中之任一者表示。

[化學式12]

在化學式10至化學式15中，X₁₀₀至X₁₄₂彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氰基；硝基；鹵基；-COOR₁₀₄；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之環烷基；經取代或未經取代之氟烷基；經取代或未經取代之芳基；或固化基，以及R₁₀₄為經取代或未經取代之烷基。

在本發明之一個實施例中，X₁₀₀至X₁₄₂彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氰基；硝基；F；Cl；-COOR₁₀₄；甲基；乙基； 丙基；丁基；戊基；己基；甲氧基；環丙基；乙氧基；苯基；萘基；喹啉基；或固化基，且R₁₀₄為甲基。

在本發明之一個實施例中，陽離子基團是由以下結構式中選出。

在本發明之一個實施例中，離子化合物是由以下結構式中選出。

在本發明之一個實施例中，由化學式1表示之陰離子基 團以及陽離子基團以1：5至5：1的當量比包含於離子化合物中(所述離子化合物包含由化學式1表示之陰離子基團)。

在本發明之一個實施例中，由化學式1表示之陰離子基團以及陽離子基團以1：1的當量比包含於離子化合物中(所述離子化合物包含由化學式1表示之陰離子基團)。

在本發明之一個實施例中，塗佈組成物可以為液相。「液相」意謂在室溫及常壓下呈液態。

在本發明之一個實施例中，溶劑之實例可包含：氯類溶劑，諸如三氯甲烷、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯或鄰二氯苯；醚類溶劑，諸如四氫呋喃或二噁烷；芳族烴類溶劑，諸如甲苯、二甲苯、三甲苯或均三甲苯(mesitylene)；脂族烴類溶劑，諸如環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷或正癸烷；酮類溶劑，諸如丙酮、甲基乙基酮或環己酮；酯類溶劑，諸如乙酸乙酯、乙酸丁酯或乙基乙二醇乙酸乙醚(ethyl cellosolve acetate)；多元醇，諸如乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧乙烷、丙二醇、二乙氧甲烷、三乙二醇單乙醚、丙三醇或1,2-己二醇以及其衍生物；醇類溶劑，諸如甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇或環己醇；亞碸類溶劑，諸如二甲亞碸；醯胺類溶劑，諸如N-甲基-2-吡咯啶酮或N,N-二甲基甲醯胺；苯甲酸酯類溶劑，諸如苯甲酸甲酯、苯甲酸丁酯或3-苯氧基苯甲酸酯(3-phenoxybenzoate)；四氫化萘(tetraline)以及其類似物，然而，溶劑不受限制，只要其為能夠溶解或分散根據本發明之一個實施例的化合物之溶劑。

在另一實施例中，溶劑可單獨使用作為一種類型，或使 用作為混合兩種或多於兩種溶劑類型之混合物。

在另一實施例中，溶劑之沸點較佳為40℃至250℃，且更佳為60℃至230℃，然而，所述沸點不限於此。

在另一實施例中，單一或混合溶劑之黏度較佳為1厘泊至10厘泊，且更佳為3厘泊至8厘泊，然而，所述黏度不限於此。

在另一實施例中，塗佈組成物之濃度較佳為0.1重量/體積%至20重量/體積%，且更佳為0.5重量/體積%至5重量/體積%，然而，所述濃度不限於此。

在本發明之一個實施例中，塗佈組成物可更包含由熱聚合起始劑以及光聚合起始劑所組成之族群中選出的一種、兩種或多於兩種類型之添加劑。

熱聚合起始劑之實例可包含：過氧化物，諸如過氧化甲基乙基酮、過氧化甲基異丁基酮、過氧化乙醯丙酮、過氧化甲基環己酮、過氧化環己酮、過氧化異丁醯基、過氧化2,4-二氯苯甲醯基、過氧化雙-3,5,5-三甲基己醯基(bis-3,5,5-trimethyl hexanoyl peroxide)、過氧化月桂醯(lauryl peroxide)、過氧化苯甲醯、過氧化對氯苯甲醯基、過氧化二異丙苯、2,5-二甲基-2,5-(三級丁氧基)-己烷、1,3-雙(三級丁過氧異丙基)苯、過氧化三級丁基異丙苯(t-butyl cumyl peroxide)、過氧化二-三級丁基(di-t-butyl peroxide)、2,5-二甲基-2,5-(二-三級丁過氧)己烷-3、三-(三級丁過氧)三嗪、1,1-二-三級丁過氧-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-二-三級丁過氧環己烷(1,1-di-t-butylperoxycyclohexane)、2,2-二(三級丁過氧)丁烷、4,4-二-三級丁過氧戊酸正丁酯(4,4-di-t-butylperoxy valeric acid n-butyl ester)、2,2-雙(4,4-三級丁過氧環己基)丙烷(2,2-bis(4,4-t- butylperoxycyclohexyl)propane)、過氧基異丁酸三級丁酯(t-butyl peroxyisobutyrate)、過氧六氫對苯二甲酸二-三級丁酯(di-t-butyl peroxyhexahydroterephthalate)、三級丁過氧基-3,5,5-三甲基己烷、過氧苯甲酸三級丁酯(t-butyl peroxybenzoate)或過氧化三甲基己二酸二-三級丁酯(di-t-butyl peroxytrimethyl adipate)；或偶氮類，諸如偶氮二異丁腈(azobis isobutylnitrile)、偶氮二二甲基戊腈(azobis dimethylvaleronitrile)或偶氮二環己基腈(azobis cyclohexyl nitrile)，但不限於此。

光聚合起始劑之實例可包含：苯乙酮類或縮酮類光聚合起始劑，諸如二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、2-苯甲基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)丁酮-1,2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、2-甲基-2-嗎啉基(4-甲基噻吩基)丙-1-酮或1-苯基-1,2-丙二酮-2-(鄰乙氧羰基)肟(1-phenyl-1,2-propanedion-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime)；安息香醚類光聚合起始劑，諸如安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丁基醚或安息香異丙基醚；二苯甲酮類光聚合起始劑，諸如二苯甲酮、4-羥基二苯甲酮、2-苯甲醯萘(2-benzoylnaphthalene)、4-苯甲醯聯苯基(4-benzoylbiphenyl)、4-苯甲醯基苯基醚(4-benzoyl phenyl ether)、丙烯酸化二苯甲酮或1,4-苯甲醯苯(1,4-benzoylbenzene)；噻噸酮類(thioxanthone-based)光聚合起始劑，諸如2-異丙基噻噸酮(2-isopropylthioxanthone)、2-氯噻噸酮(2-chlorothioxanthone)、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮或2,4-二氯噻噸酮；以及如其他光聚合起始劑，乙基蒽醌(ethyl anthraquinone)、氧化2,4,6-三甲 基苯甲醯基二苯膦(2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide)、氧化2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基乙氧膦(2,4,6-trimethylbenzoylphenylethoxyphosphine oxide)、氧化雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯膦(bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide)、氧化雙(2,4-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊膦(bis(2,4-dimethoxybenzoyl)-2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide)、甲基苯基乙醛醯酯(methylphenylglyoxyester)、9,10-菲、吖啶類化合物、三嗪類化合物、咪唑類化合物以及其類似物。此外，具有光聚合促進作用之彼等者可單獨使用或與光聚合起始劑一起使用。其實例可包含三乙醇胺、甲基二乙醇胺、4-二甲基胺基苯甲酸乙酯(ethyl 4-dimethylaminobenzoate)、4-二甲基胺基苯甲酸異戊酯(isoamyl 4-dimethylaminobenzoate)、苯甲酸(2-二甲胺基)乙酯、4,4'-二甲胺基二苯甲酮以及其類似物，但不限於此。

本發明之另一實施例提供一種使用所述塗佈組成物形成的有機發光裝置。

在本發明之一個實施例中，有機發光裝置包含：第一電極；第二電極；以及一或多個提供於第一電極與第二電極之間的有機材料層，其中有機材料層的一或多個層使用包含離子化合物之塗佈組成物形成，且所述離子化合物包含化學式1之陰離子基團。

在本發明之一個實施例中，有機發光裝置包含：第一電極；第二電極；以及一或多個提供於第一電極與第二電極之間的有機材料層，其中有機材料層的一或多個層包含含有離子化合物之塗佈組成物的固化材料，且所述離子化合物包含化學式1之陰離子基團。

在本發明之一個實施例中，塗佈組成物的固化材料藉由熱處理或光處理所述塗佈組成物而呈固化狀態。

在本發明之一個實施例中，包含塗佈組成物的固化材料之有機材料層為電洞注入層。

在本發明之一個實施例中，包含塗佈組成物的固化材料之有機材料層為電洞注入層，且包含化學式1之陰離子基團的離子化合物被包含而作為電洞注入層之摻雜劑。

在本發明之一個實施例中，包含塗佈組成物的固化材料之有機材料層為電洞注入層，且塗佈組成物之固化材料的離子化合物被包含而作為電洞注入層之p摻雜材料。

在本發明之一個實施例中，包含塗佈組成物的固化材料之有機材料層為電洞注入層，且包含化學式1之陰離子基團的離子化合物被包含而作為電洞注入層之p摻雜材料。

在本發明中，p摻雜材料意謂使主體材料具有p半導體特性之材料。p半導體特性意謂藉由以最高佔用分子軌域(highest occupied molecular orbital，HOMO)能階注入或轉移電洞來接收電洞之特性，亦即，具有高電洞傳導率的材料之特性。

在本發明之一個實施例中，使用塗佈組成物形成之有機材料層為電洞注入層，且包含化學式1之陰離子基團的離子化合物作為電洞注入層之摻雜劑，且芳胺化合物被包含而作為電洞注入層之主體。

在本發明之一個實施例中，芳胺化合物為單體或聚合物。

在本發明之一個實施例中，單體或聚合物的芳胺化合物 還被包含而作為電洞注入層之主體。

在本發明之一個實施例中，芳胺化合物包含以下結構的固化基中之一者。

在結構式中，L為直接鍵；O；S；經取代或未經取代之伸烷基；經取代或未經取代之伸芳基；或經取代或未經取代之二價雜環基，以及k為1或2之整數，且當k為2時，括弧中之取代基彼此不同，且R21為經取代或未經取代之烷基。

在本發明之一個實施例中，電洞注入層之主體的HOMO能階為4.8電子伏特至5.8電子伏特。

本發明之HOMO能階使用電化學循環伏安方法(cyclic voltammetry，CV)來量測。量測主體材料氧化開始時的起始電位(E_onset)，且在相同條件下量測二茂鐵電位(E_1/2(Fc))。二茂鐵電位相對於真空能階定義為4.8電子伏特，且HOMO能階使用以下等式來計算。

HOMO(eV)=4.8+(E_onset-E_1/2(Fc))

芳胺化合物形成交聯，且能夠提供包含薄膜結構之有機材料層。在此情形下，可防止藉由沈積於使用塗佈組成物形成的有機材料層之表面上的溶劑溶解，或受形態影響或分解。

因此，當包含塗佈組成物的固化材料之有機材料層形成為包含熱處理或光處理步驟時，對溶劑之耐性增加，且可藉由反覆地執行溶液沈積及交聯方法形成多層，且因此，由於穩定性增加，裝置之使用壽命特性可增強。

在本發明之一個實施例中，包含塗佈組成物的固化材料之有機材料層為電洞轉移層、電洞注入層或同時進行電洞轉移以及電洞注入的層。

在另一實施例中，使用塗佈組成物形成之有機材料層為發光層。

在本發明之一個實施例中，有機發光裝置更包含由下述者所組成之族群中選出的一個、兩個或多於兩個層：電洞注入層、電洞轉移層、電子轉移層、電子注入層、電子阻擋層以及電洞阻擋層。

在本發明之一個實施例中，第一電極為陰極，且第二電極為陽極。

在本發明之一個實施例中，第一電極為陽極，且第二電極為陰極。

在另一實施例中，有機發光裝置可為具有以下結構的有機發光裝置：陽極、一或多個有機材料層以及陰極連續層合於基板上(正常類型)。

在另一實施例中，有機發光裝置可為具有沿反向方向之以下結構的有機發光裝置：陰極、一或多個有機材料層以及陽極連續層合於基板上(反向類型)。

本發明之有機發光裝置之有機材料層可以單層結構形成，但亦可以層合兩個或多於兩個有機材料層之多層結構形成。舉例而言，本發明之有機發光裝置的結構可包含電洞注入層、電洞轉移層、發光層、電子轉移層、電子注入層以及其類似層作為有機材料層。然而，有機發光裝置之結構不限於此，且可包含較少數目個有機材料層。

舉例而言，根據本發明之一個實施例的有機發光裝置之結構說明於圖1中。

圖1說明有機發光裝置之結構，其中陽極201、電洞注入層301、電洞轉移層401、發光層501、電子轉移層601以及陰極701連續層合於基板101上。

在圖1中，電洞注入層301、電洞轉移層401以及發光層501使用包含由化學式1表示之化合物的塗佈組成物形成。

圖1說明有機發光裝置，然而有機發光裝置不限於此。

當有機發光裝置包含多個有機材料層時，有機材料層可由彼此相同或不同之材料形成。

除使用包含化合物之塗佈組成物來形成有機材料層的一或多個層之外，本發明之有機發光裝置可使用本領域中已知的材料以及方法來製造。

舉例而言，本發明之有機發光裝置可藉由將陽極、有機材料層以及陰極連續層合於基板上來製造。在本文中，有機發光裝置可如下製造：使用物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)方法(諸如濺鍍或電子束蒸發)，藉由沈積具有傳導率之金屬、金屬氧化物或其合金於基板上形成陽極；且於其上形成包含電洞注入層、電洞轉移層、發光層以及電子轉移層之有機材料層；且隨後於其上沈積能夠用作陰極之材料。除此方法之外，有機發光裝置亦可藉由將陰極材料、有機材料層以及陽極材料連續沈積於基板上來製造。

本發明之一個實施例亦提供用於製造使用塗佈組成物形成之有機發光裝置的方法。

特定言之，在本發明之一個實施例中用於製造有機發光裝置的方法包含：製備基板；在基板上形成陰極或陽極；在陰極或陽極上形成一或多個有機材料層；以及在有機材料層上形成陽極或陰極，其中有機材料層之一或多個層使用塗佈組成物形成。

在本發明之一個實施例中，使用塗佈組成物形成之有機材料層使用旋轉塗佈來形成。

在另一實施例中，使用塗佈組成物形成之有機材料層使用印刷方法來形成。

在本發明之一實施例中，印刷方法之實例包含噴墨印刷、噴嘴印刷、平版印刷、轉移印刷、網版印刷或其類似方法，但不限於此。

根據本發明之一個實施例的塗佈組成物歸因於其結構特性適合於溶液方法且可使用印刷方法形成，且因此當製造裝置時在時間以及成本方面為經濟有效的。

在本發明之一個實施例中，使用塗佈組成物形成之有機材料層的形成包含將塗佈組成物塗佈於陰極或陽極上；及熱處理或光處理經塗佈的塗佈組成物。

在本發明之一個實施例中，熱處理使用塗佈組成物形成之有機材料層的時間較佳為在1小時內且更佳為在30分鐘內。

在本發明之一個實施例中，熱處理使用塗佈組成物形成之有機材料層的氛圍較佳為惰性氣體，諸如氬氣或氮氣。

此外，根據本發明之一個實施例的組成物可藉由熱處理或光處理薄膜化，且可包含為使用與其他單體混合的塗佈組成物之共聚物。此外，可使用與其他聚合物混合的塗佈組成物包含共聚物或混合物。

作為陽極材料，具有較大功函數之材料通常較佳，以便電洞順利注入有機材料層中。能夠在本發明中使用之陽極材料之特定實例包含：金屬，諸如釩、鉻、銅、鋅以及金或其合金；金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)以及氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)；金屬與氧化物之組合，諸如ZnO：Al或SNO₂：Sb；導電聚合物，諸如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩](poly[3,4-(ethylene-1,2- dioxy)thiophene，PEDOT)、聚吡咯以及聚苯胺以及類似物，但不限於此。

作為陰極材料，具有較小功函數之材料通常較佳，以便電子順利注入有機材料層中。陰極材料之特定實例包含：金屬，諸如，鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫以及鉛或其合金；多層結構材料，諸如，LiF/Al或LiO₂/Al以及其類似者，但不限於此。

電洞注入層為自電極注入電洞之層，且電洞注入材料較佳為具有轉移電洞之能力的化合物，因此在陽極中具有電洞注入作用，對發光層或發光材料具有極佳電洞注入作用，防止發光層中所產生之激子移動至電子注入層或電子注入材料中，且另外具有極佳的薄膜形成能力。電洞注入材料之最高佔用分子軌域(HOMO)較佳在陽極材料之功函數與周圍有機材料層之HOMO之間。電洞注入材料之特定實例包含金屬卟啉、寡聚噻吩、芳胺類有機材料、己腈六氮雜聯伸三苯類有機材料、喹吖啶酮類有機材料、苝類有機材料、蒽醌以及聚苯胺類導電聚合物以及聚噻吩類導電聚合物，以及其類似物，但不限於此。

電洞轉移層為接收來自電洞注入層之電洞且將電洞轉移至發光層之層，且作為電洞轉移材料，能夠接收來自陽極或電洞注入層之電洞、使電洞移動至發光層且對電洞具有高遷移率之材料為適合的。其特定實例包含芳胺類有機材料、導電聚合物、同時具有共軛部分及非共軛部分之嵌段共聚物，以及其類似物，但不限於此。

發光材料是藉由分別接收來自電洞轉移層及電子轉移 層之電洞及電子且使電洞與電子結合而能夠發射可見光區域中之光的材料，且較佳為對於螢光或磷光具有有利量子效率的材料。其特定實例包含8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq₃)；咔唑類化合物；二聚苯乙烯基化合物；BAlq；10-羥基苯并喹啉-金屬化合物；苯并噁唑類化合物、苯并噻唑類化合物以及苯并咪唑類化合物；聚(對伸苯基伸乙烯基)(p-phenylenevinylene，PPV)類聚合物；螺環化合物；聚茀、紅螢烯(rubrene)以及其類似者，但不限於此。

發光層可包含主體材料以及摻雜劑材料。主體材料包含稠合芳環衍生物、含雜環化合物或其類似物。特定言之，稠合芳環衍生物包含蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、稠五苯衍生物、菲化合物、丙二烯合茀化合物以及其類似物，且含雜環化合物包含咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物(ladder-type furan compound)、嘧啶衍生物以及其類似物，然而材料不限於此。

摻雜劑材料包含芳族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼錯合物、丙二烯合茀化合物、金屬錯合物以及其類似物。特定言之，芳族胺衍生物為具有經取代或未經取代之芳胺基的稠合芳環衍生物且包含含有芳胺基之芘、蒽、屈、二茚并苝以及其類似物，且苯乙烯基胺化合物為其中經取代或未經取代之芳胺經至少一個芳基乙烯基取代的化合物，且一個、兩個或多於兩個由下述者所組成之族群中選出之取代基經取代或未經取代：芳基、矽烷基、烷基、環烷基以及芳胺基。特定言之，包含苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺或其類似物，然而苯乙烯基胺化合物不限於此。此外，金屬錯合物包含銥錯合物、鉑錯合物或其類似物，但不限於此。

電子轉移層為接收來自電子注入層之電子且將電子轉移至發光層之層，且作為電子轉移材料，能夠順利地接收來自陰極之電子、使電子移動至發光層且對電子具有高遷移率之材料為適合的。其特定實例包含8-羥基喹啉之Al錯合物；包含Alq₃之錯合物；有機基團化合物；羥基黃酮金屬錯合物以及其類似物，但不限於此。電子轉移層可與如在本領域中所用之任何所需陰極材料一起使用。特定言之，適合之陰極材料的實例包含具有較小功函數之常用材料，且其中鋁層或銀層符合要求。特定言之，陰極材料包含銫、鋇、鈣、鐿以及釤，且在各種情況下，鋁層或銀層符合要求。

電子注入層為注入來自電極之電子之層，且電子注入材料較佳為具有以下之化合物：具有轉移電子之能力、具有自陰極之電子注入作用、對發光層或發光材料具有極佳電子注入作用、防止發光層中產生之激子移動至電洞注入層，且另外具有極佳的薄膜形成能力。其特定實例包含茀酮(fluorenone)、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)、聯苯醌(diphenoquinone)、二氧化噻喃(thiopyran dioxide)、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸(perylene tetracarboxylic acid)、亞茀基甲烷、蒽酮或其類似物以及其衍生物、金屬錯合物化合物、含氮5員環衍生物以及其類似物，但不限於此。

金屬錯合物化合物包含8-羥基喹啉根基鋰、雙(8-羥基喹啉根基)鋅、雙(8-羥基喹啉根基)銅、雙(8-羥基喹啉根基)錳、三(8-羥基喹啉根基)鋁、三(2-甲基-8-羥基喹啉根基)鋁、三(8-羥基喹啉根基)鎵、雙(10-羥基苯并[h]喹啉根基)鈹、雙(10-羥基苯并[h]喹啉根基)鋅、雙(2-甲基-8-喹啉根基)氯鎵、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(鄰 甲酚根基)鎵、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(1-萘酚根基)鋁、雙(2-甲基-8-喹啉根基)(2-萘酚根基)鎵以及其類似物，但不限於此。

電洞阻擋層為阻擋電洞到達陰極之層，且通常可在與電洞注入層相同之條件下形成。特定言之，包含噁二唑衍生物或三唑衍生物、啡啉衍生物、BCP、鋁錯合物以及其類似物，然而，材料不限於此。

視所用材料而定，根據本發明之有機發光裝置可為頂發射型、底發射型或雙發射型。

在本發明之一個實施例中，除有機發光裝置以外，塗佈組成物可包含於有機太陽電池或有機電晶體中。

在下文中，本說明書將參考實例詳細描述以特別描述本發明。然而，根據本發明之實例可經修改成各種不同形式，且本發明之範疇不應解釋為限於下文描述之實例。提供本發明之實例以便為於本領域具有通常知識者更充分地描述本發明。

<實例> <製備實例1_製備化合物1>

在氮氣氛圍下，將Mg(193毫克，7.9208毫莫耳)、I₂(4毫克)以及四氫呋喃(tetrahydrofuran，THF)(10毫升)置放 於100毫升圓底燒瓶中且攪拌30分鐘。向其中添加4-溴苯乙烯(1.04毫升，7.9208毫莫耳)，且攪拌所得物一日同時將30℃水浴置放在圓底燒瓶下。Mg之溶解度識別為反應物溶液變成黑色。向其中添加醚(5毫升)以稀釋反應物溶液。將溶解於乙醚(5毫升)中之三(五氟苯基)硼烷(Tris(pentafluorophenyl)borane)(1公克，3.9604毫莫耳)緩慢添加至反應物溶液中持續30分鐘。攪拌溶液一日。將Na₂CO₃(0.1莫耳/公升(M)，80毫升，8.0毫莫耳)緩慢添加至反應物溶液中。使用EA(20毫升×3)萃取有機溶劑，且用MgSO₄移除殘餘水。為了另外去除殘餘水以及雜質，使用苯用迪恩-斯塔克(Dean-stark)蒸餾所得物。當剩餘大約10毫升溶劑時，冷卻且過濾溶液以獲得目標化合物(1.6公克)。(產率：64%)

將三(全氟苯基)(4-乙烯基苯基)硼酸鈉(100毫克，0.1567毫莫耳)、蒸餾水(10毫升)以及Ph₂ICl(60毫克，0.1881毫莫耳)置放於25毫升圓底燒瓶中且攪拌1小時。當將丙酮(15毫升)添加至反應物溶液時製備沈澱物，且過濾且乾燥此等沈澱物以獲得化合物1(140毫克)。(產率：100%)

<製備實例2_製備化合物2>

將Mg(95毫克，3.9214毫莫耳)、THF(10毫升)以及I₂(4毫克)置放於25毫升圓底燒瓶中且攪拌。將1-溴-2,3,5,6-四氟-4-(1,2,2-三氟乙烯基)苯(1.2公克，3.9214毫莫耳)引入至反應物溶液，且在室溫下攪拌所得物。在10小時之後，藉由溶液變成黑色來識別Mg之溶解度，且歷時30分鐘向其中添加乙醚(10毫升)以及BCl₃(1.3毫升，1.3毫莫耳，1莫耳/公升於己烷溶液中)。在攪拌反應物溶液一日之後，向其中添加Na₂CO₃(30毫升，3.0毫莫耳，0.1莫耳/公升於H₂O中)。使用EA(3×10毫升)萃取合成材料，且隨後用MgSO₄移除殘餘水。在移除全部溶劑之後，使用苯用迪恩-斯塔克完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(430毫克)。(產率：35%)

將四(2,3,5,6-四氟-4-(1,2,2-三氟乙烯基)苯基)硼酸鈉(300毫克，0.3158毫莫耳)、氯化二苯基碘鎓(diphenyliodonium chloride)(100毫克，0.3158毫莫耳)、H₂O(10毫升)以及丙酮(10毫升)置放於25毫升圓底燒瓶中且劇烈地攪拌30分鐘。使用二氯甲烷(10毫升×3)萃取所得物，且隨後在移除溶劑之後乾燥以獲得目標化合物(381毫克)。(產率：100%)

<製備實例3_製備化合物3>

將Mg(190毫克，7.8428毫莫耳)、THF(20毫升)以及I₂(8毫克)置放於50毫升圓底燒瓶中且攪拌。將1-溴-2,3,5,6-四氟-4-(1,2,2-三氟乙烯基)苯(2公克，7.8428毫莫耳)引入至反應物溶液，且在室溫下攪拌所得物。將Mg(63毫克，2.6142毫莫 耳)、THF(10毫升)以及I₂(3毫克)置放於另一25毫升圓底燒瓶中且攪拌。將1-溴-2,3,4,5,6-五氟苯(646毫克，2.6142毫莫耳)引入至反應物溶液，且在室溫下攪拌所得物。在10小時之後，藉由溶液變成黑色來識別Mg之溶解度，且歷時30分鐘將BCl₃(2.6毫升，2.6142毫莫耳，1莫耳/公升於己烷溶液中)添加至50毫升圓底燒瓶中。在2小時之後，使用針套管將於25毫升圓底燒瓶中之溶液緩慢添加至於50毫升圓底燒瓶中之溶液中。在攪拌反應物溶液一日之後，向其中添加Na₂CO₃(30毫升，3.0毫莫耳，0.1莫耳/公升於H₂O中)。使用EA(3×10毫升)萃取合成材料，且用MgSO₄移除殘餘水。在移除全部溶劑之後，使用苯用迪恩-斯塔克完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(800毫克)。(產率：42%)

將(全氟苯基)三(2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯基)硼酸鈉(400毫克，0.5508毫莫耳)、氯化二苯基碘鎓(174毫克，0.5508毫莫耳)、H₂O(10毫升)以及丙酮(10毫升)置放於25毫升圓底燒瓶中且劇烈地攪拌30分鐘。使用二氯甲烷(10毫升×3)萃取所得物，且隨後在移除溶劑之後乾燥以獲得目標化合物(542毫克)。(產率：100%)

<製備實例4_製備化合物4>

將甲基三苯基溴化鉀(methyltriphenyl potassium bromide)(16公克，45.2489毫莫耳)以及四氫呋喃(THF)(100毫升)置放於250毫升圓底燒瓶中且在0℃下攪拌30分鐘。將正丁基鋰(18.1毫升，45.2489毫莫耳，2.5莫耳/公升於己烷中)緩慢添加至反應物溶液中，且在0℃下攪拌所得物30分鐘。在0℃下，將4-溴-2,6-二氟苯甲醛(5.0公克，22.6244毫莫耳，於30毫升四氫呋喃(THF)中)緩慢添加至反應物溶液中。攪拌反應物溶液同時將溫度緩慢升高至室溫。在3小時之後，將乙醚(100毫升)以及NH₄Cl飽和溶液(400毫升)添加至反應物溶液中。使用乙醚(2×200毫升)萃取有機溶劑，且用MgSO₄移除殘餘水。使用EA：Hex=1：9來管柱層析所得物以獲得目標化合物(3公克)。(產率：60%)

將Mg(111毫克，4.5656毫莫耳)、THF(10毫升)以及I₂(4毫克)置放於25毫升圓底燒瓶中且攪拌。將5-溴-1,3-二 氟-2-乙烯基苯(1公克，4.5656毫莫耳)引入至反應物溶液，且在室溫下攪拌所得物。在10小時之後，藉由溶液變成黑色來識別Mg之溶解度，且歷時30分鐘向其中添加乙醚(10毫升)以及BCl₃(1.1毫升，1.0957毫莫耳，1莫耳/公升於己烷溶液中)。在攪拌反應物溶液一日之後，向其中添加Na₂CO₃(30毫升，3.0毫莫耳，0.1莫耳/公升於H₂O中)。使用EA(3×10毫升)萃取合成材料，且用MgSO₄移除殘餘水。在移除全部溶劑之後，使用苯用迪恩-斯塔克完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(400毫克)。(產率：62%)

將四(3,5-二氟-4-乙烯基苯基)硼酸鈉(400毫克，0.6776毫莫耳)、氯化二苯基碘鎓(215毫克，0.6776毫莫耳)、H₂O(10毫升)以及丙酮(10毫升)置放於25毫升圓底燒瓶中且劇烈地攪拌30分鐘。使用二氯甲烷(10毫升×3)萃取所得物，且隨後在移除溶劑之後乾燥以獲得目標化合物(574毫克)。(產率：100%)

<製備實例5_製備化合物5>

將甲基三苯基溴化鉀(13.90公克，38.9135毫莫耳)以 及四氫呋喃(THF)(100毫升)置放於250毫升圓底燒瓶中且在0℃下攪拌30分鐘。將正丁基鋰(15.6毫升，38.9135毫莫耳，2.5莫耳/公升於己烷中)緩慢添加至反應物溶液中，且在0℃下攪拌所得物30分鐘。在0℃下，將4-甲醯基-2,3,5,6-四氟-1-溴苯(5.0公克，19.4568毫莫耳，於30毫升四氫呋喃(THF)中)緩慢添加至反應物溶液中。攪拌反應物溶液同時將溫度緩慢升高至室溫。在3小時之後，將乙醚(100毫升)以及NH₄Cl飽和溶液(400毫升)添加至反應物溶液中。使用乙醚(2×200毫升)萃取有機溶劑，且用MgSO₄移除殘餘水。使用EA：Hex=1：9來管柱層析所得物以獲得目標化合物(1.29公克)。(產率：26%)

將Mg(95毫克，3.9214毫莫耳)、THF(10毫升)以及I₂(4毫克)置放於25毫升圓底燒瓶中且攪拌。將1-溴-2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯(1.0公克，3.9214毫莫耳)引入至反應物溶液，且在室溫下攪拌所得物。在10小時之後，藉由溶液變成黑色來識別Mg之溶解度，且歷時30分鐘向其中添加乙醚(10毫升)以及BCl₃(1.3毫升，1.3毫莫耳，1莫耳/公升於己烷溶液中)。在攪拌反應物溶液一日之後，向其中添加Na₂CO₃(30毫升，3.0毫莫耳，0.1莫耳/公升於H₂O中)。使用EA(3×10毫升)萃取合成材料，且用MgSO₄移除殘餘水。在移除全部溶劑之後，使用苯用迪恩-斯塔克 完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(340毫克)。(產率：28%)

將四(2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯基)硼酸鈉(200毫克，0.2724毫莫耳)、氯化1-(4-乙烯基苯甲基)吡啶-1-鎓(69毫克，0.2996毫莫耳)、H₂O(10毫升)以及MC(10毫升)置放於25毫升圓底燒瓶中且劇烈地攪拌30分鐘。使用乙醚(3×10毫升)萃取有機溶劑，且用MgSO₄移除殘餘水。移除溶劑且真空乾燥所得物以獲得化合物5(247毫克)。(產率：100%)

<製備實例6_製備化合物6>

在50毫升圓底燒瓶中，將1-溴-2,3,5,6-四氟-4-(1,2,2-三氟乙烯基)苯(2公克，7.8428毫莫耳)引入至THF(20毫升)，且在-78℃條件下攪拌所得物30分鐘。向溶液中緩慢引入於己烷中 之正丁基鋰(3.45毫升，8.6271毫莫耳，2.5莫耳/公升)，且在-78℃下攪拌所得物30分鐘。歷時15分鐘在-78℃下向反應物溶液中添加BCl₃(2.6毫升，2.6142毫莫耳，1莫耳/公升於己烷溶液中)。攪拌反應物溶液一日同時將溫度緩慢升高至室溫，且向其中添加水(30毫升)。使用EA(3×10毫升)萃取合成材料，且移除全部溶劑。使用苯用迪恩-斯塔克完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(800毫克)。(產率：43%)

化合物之NMR譜展示於圖10中。

化合物之質譜展示於圖11中。

將(全氟苯基)三(2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯基)硼酸鋰(400毫克，0.5569毫莫耳)、氯化二苯基碘鎓(176毫克，0.5569毫莫耳)、H₂O(10毫升)以及丙酮(10毫升)置放於25毫升圓底燒瓶中且劇烈地攪拌30分鐘。使用二氯甲烷(10毫升×3)萃取所得物，且隨後在移除溶劑之後乾燥以獲得目標化合物6(552毫克)。(產率：100%)

化合物6之MS資料展示於圖2中，化合物6之DSC資料展示於圖3中且化合物6之NMR譜展示於圖4中。

DSC資料是示差掃描熱析儀資料，且藉由圖3發現摻雜劑材料之固化。

<製備實例7_製備化合物7>

將碳酸鉀(10.4公克，75.3毫莫耳)且隨後二甲基甲醯胺(DMF)(200毫升)置放於500毫升圓底燒瓶中。向燒瓶中引入2,3,5,6-四氟苯酚(10.0公克，60.22毫莫耳)，且在60℃下攪拌所得物30分鐘。將4-氯甲基乙烯基笨(4-Vinylbenzyl chloride)(7.66公克，50.18毫莫耳)緩慢添加至反應物溶液中，且在60℃下攪拌所得物16小時。此後，添加H₂O(300毫升)以及EA(200毫升)。使用EA(2×200毫升)萃取有機層，且用MgSO₄移除殘餘水。使用EA：Hex=1：9來管柱層析所得物以獲得目標化合物(11.2公克)。(產率：79%)

在將1,2,4,5-四氟-3-((4-乙烯基苯甲基)氧基)苯(10公克，35.43毫莫耳)置放於250毫升圓底燒瓶中之後，向其中引入乙醚(130毫升)且攪拌所得物。使反應物溶液冷卻至-78℃且攪拌30分鐘。歷時30分鐘將正丁基鋰(17毫升，42.52毫莫耳，2.5莫耳/公升於己烷中)緩慢注入其中。此後，攪拌所得物1小時。歷時30分鐘將BCl₃(8.15毫升，8.15毫莫耳，1莫耳/公升於己烷中)緩慢引入其中。此後，再攪拌所得物2小時，且將反應物溶液之溫度緩慢升高至室溫。在攪拌反應物溶液一日之後，向其中添加H₂O(200毫升)。使用乙醚(3×100毫升)萃取合成材料，且移除全部溶劑。此後，使用苯用迪恩-斯塔克完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(6.2公克)。(產率：66%)

將四(2,3,5,6-四氟-4-((4-乙烯基苯甲基)氧基)苯基)硼酸鋰(6.2公克，5.42毫莫耳)、氯化二苯基碘鎓(2.57公克，8.13毫莫耳)、H₂O(50毫升)以及丙酮(10毫升)置放於25毫升圓底燒瓶中且劇烈地攪拌30分鐘。使用MC(3×20毫升)萃取有機溶劑且移除溶劑。使用MC：丙酮=9：1來管柱層析所得物以獲得目標化合物7(5.0公克)。(產率：65%)

化合物7之NMR譜展示於圖9中。

<製備實例8_製備化合物8>

將1-溴-2,3,5,6-四氟-4-(1,2,2-三氟乙烯基)苯(3公克，9.7093毫莫耳)以及氧化六氟丙烯(hexafluoropropylene oxide)(3公克，18.0701毫莫耳)置放於15毫升不鏽鋼量筒中，且在190℃下加熱4小時。在緩慢冷卻容器之後，用水(5毫升)將容器內之溶液洗滌3次。使用硫酸鎂乾燥有機溶液。使用9：1己烷：乙酸乙酯溶劑來矽膠管柱純化此混合物以獲得目標化合物(1.2公克)。 (產率：34%)

將Mg(81毫克，3.3427毫莫耳)、THF(10毫升)以及I₂(4毫克)置放於25毫升圓底燒瓶中且攪拌。將1-溴-2,3,5,6-四氟-4-(全氟環丙基)苯(1.2公克，3.3427毫莫耳)引入至反應物溶液，且在室溫下攪拌所得物。在10小時之後，藉由溶液變成黑色來識別Mg之完全溶解度，且歷時30分鐘向其中添加乙醚(10毫升)以及BCl₃(0.8毫升，0.8022毫莫耳，1莫耳/公升於庚烷溶液中)。在攪拌反應物溶液一日之後，向其中添加Na₂CO₃(30毫升，3.0毫莫耳，0.1莫耳/公升於H₂O中)。使用EA(3×10毫升)萃取合成材料，且隨後用MgSO₄移除殘餘水。在移除全部溶劑之後，使用苯用迪恩-斯塔克完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(410毫克)。(產率：44%)

將四(2,3,5,6-四氟-4-(全氟環丙基)苯基)硼酸鈉(501毫克，0.6823毫莫耳)、氯化二苯基碘鎓(216毫克，0.6823毫莫耳)、H₂O(10毫升)以及丙酮(10毫升)置放25毫升圓底燒瓶於中且劇烈地攪拌30分鐘。當製備沈澱物時，用水洗滌沈澱物以獲得目標化合物8(960毫克)。(產率：100%)

<製備實例9_製備化合物9>

將Mg(95毫克，3.9214毫莫耳)、THF(10毫升)以及I₂(4毫克)置放於25毫升圓底燒瓶中且攪拌。將1-溴-2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯(1.0公克，3.9214毫莫耳)引入至反應物溶液，且在室溫下攪拌所得物。在10小時之後，藉由溶液變成黑色來識別Mg之溶解度，且歷時30分鐘向其中添加乙醚(10毫升)以及三(五氟苯基)硼烷(2公克，3.9214毫莫耳)。在攪拌反應物溶液一日之後，向其中添加Na₂CO₃(30毫升，3.0毫莫耳，0.1莫耳/公升於H₂O中)。使用EA(3×10毫升)萃取合成材料，且隨後用MgSO₄移除殘餘水。在移除全部溶劑之後，使用苯用迪恩-斯塔克完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(1.2公克)。(產率：43%)

將三(全氟苯基)(2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯基)硼酸鈉(500毫克，0.7041毫莫耳)、氯化二苯基碘鎓(223毫克，0.7041毫莫耳)、H₂O(10毫升)以及丙酮(10毫升)置放於25毫升圓底燒瓶中且劇烈地攪拌30分鐘。當製備沈澱物時，用水洗滌沈澱物以獲得目標化合物9(660毫克)。(產率：97%)

<製備實例10_製備化合物10>

將(4-溴-2,6-雙(三氟甲基)苯基)甲醇(4公克，12.3828毫莫耳)、五氧化二磷(phosphorous pentoxide)(290毫克，3.7148毫莫耳)以及氫醌(hydroquinone)(82毫克，0.7430毫莫耳)置放於25毫升圓底燒瓶中且在160℃下攪拌1小時。在使反應物溶液冷卻至室溫之後，向其中緩慢添加碳酸氫鈉飽和水溶液(15毫升)。使用MC(3×10毫升)萃取合成材料，且用MgSO₄移除殘餘水。在移除MC溶劑之後，所得物使用矽膠管柱層析(10%乙酸乙酯/己烷)來純化且乾燥以獲得目標化合物(2.6公克)。(產率：65%)

將Mg(198毫克，8.1494毫莫耳)、THF(20毫升)以及I₂(8毫克)置放於100毫升圓底燒瓶中且攪拌。將5-溴-1,3-雙(三氟甲基)-2-乙烯基苯(2.6公克，8.1494毫莫耳)引入至反應物溶液，且在室溫下攪拌所得物。在10小時之後，藉由溶液變成黑色來識別Mg之溶解度，且歷時30分鐘向其中添加乙醚(20毫升)以及BCl₃(2.0毫升，1.9559毫莫耳，1莫耳/公升於己烷溶液中)。在攪拌反應物溶液一日之後，向其中添加Na₂CO₃(40毫升，3.0毫莫耳，0.1莫耳/公升於H₂O中)。使用EA(3×20毫升)萃取合成材料，且用MgSO₄移除殘餘水。在移除全部溶劑之後，使用苯用迪恩-斯塔克完全移除水，且過濾固體以獲得目標化合物(1.1公克)。(產率：59%)

將四(3,5-雙(三氟甲基)-4-乙烯基苯基)硼酸鈉(2公克， 2.0195毫莫耳)、氯化二苯基碘鎓(639毫克，2.0195毫莫耳)、H₂O(20毫升)以及丙酮(20毫升)置放於50毫升圓底燒瓶中且劇烈地攪拌30分鐘。使用二氯甲烷(20毫升×3)萃取所得物，且隨後在移除溶劑之後乾燥以獲得目標化合物(2.5公克)。(產率：100%)

實驗實例1-1.使用塗佈組成物形成塗佈層

如下表1中所描述混合塗佈組成物，且特定言之，藉由混合由以下化合物1表示之p摻雜材料、主體化合物(亦即以下[化合物A])以及有機溶劑(環己酮)來製備塗佈組成物1。特定言之，以2：8：490之重量比混合化合物1、化合物A以及有機溶劑以製備塗佈組成物，且旋轉塗佈塗佈組成物1以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下化合物2替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物2。旋轉塗佈塗佈組成物2以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下化合物3替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物3。旋轉塗佈塗佈組成物3以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下化合物4替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物4。旋轉塗佈塗佈組成物4以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下化合物5替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物5。旋轉塗佈塗佈組成物5以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下化合物6替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物6。旋轉塗佈塗佈組成物6以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下[化合物B]替代主體化合物[化合物A]之外，以與塗佈組成物6相同之方式製備塗佈組成物7。旋轉塗佈塗佈組成物7以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下[化合物C]替代主體化合物[化合物A]之外，以與塗佈組成物6相同之方式製備塗佈組成物8。旋轉塗佈塗佈組成物8以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下化合物9替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物9。旋轉塗佈塗佈組成物9以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下化合物10替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物10。旋轉塗佈塗佈組成物10以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下比較化合物1替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物11。旋轉塗佈塗佈組成物11以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

除使用以下比較化合物2替代本發明之化合物1之外，以與塗佈組成物1相同之方式製備塗佈組成物12。旋轉塗佈塗佈組成物12以形成塗佈層，且在250℃或低於250℃下烘乾膜。

實驗實例1-2.關於塗佈層之膜保持率的實驗

為了檢測使用塗佈組成物6、塗佈組成物11以及塗佈組成物12中之每一者形成的塗佈層之膜保持率，在所述膜的頂部旋 塗處理甲苯溶劑，且洗滌所得物。

特定言之，塗佈組成物6以1000每分鐘轉數之旋塗轉速旋轉塗佈60秒，且隨後藉由在230℃下於熱板上加熱30分鐘來烘乾以形成薄膜。將所得物在甲苯中浸沒10分鐘，取出，且使用UV可見光譜學(UV-Visible spectroscopy)來量測膜保持率且展示於圖6中。圖6展示塗佈組成物6之膜保持率資料。

除使用塗佈組成物11替代塗佈組成物6之外，以相同方式量測膜保持率且展示於圖7中。圖7展示塗佈組成物11之膜保持率資料。

除使用塗佈組成物12替代塗佈組成物6之外，以相同方式量測膜保持率且展示於圖8中。圖8展示塗佈組成物12之膜保持率資料。

藉由對在形成上文所描述之膜的製程之前和在形成上文所描述之膜的製程之後的紫外線吸收程度進行比較來獲得膜保持率資料。

藉由上文所提及之結果，看出圖6之結果與圖7之膜保持率資料以及圖8之膜保持率資料在吸收率方面存在差異，且其意謂由吸收率中之差異導致在成膜作用方面存在差異。因此，鑑定出與塗佈組成物11以及塗佈組成物12相比，塗佈組成物6具有經增加之耐化學性以及膜保持率。

[化合物1]

[化合物5]

[化合物10]

[化合物B]

實例1

將其上沈積有作為厚度為1,500埃(Å)之薄膜的氧化 銦錫(ITO)之玻璃基板置放於清潔劑溶解地蒸餾水中且超音波清潔。在將ITO清潔30分鐘之後，使用蒸餾水重複進行兩次歷時10分鐘之超音波清潔。在用蒸餾水清潔完成之後，用異丙醇及丙酮之溶劑對基板分別進行歷時30分鐘之超音波清潔，乾燥，且隨後轉移至手套箱。

在如上製備的透明ITO電極上，旋轉塗佈表中所描述之塗佈組成物1以形成厚度為300埃的電洞注入層，且將塗佈組成物在N₂氛圍下於熱板上固化30分鐘。此後，將所得物轉移至真空沈積器，且隨後化合物D真空沈積於電洞注入層上以形成電洞轉移層。

隨後，藉由將化合物E和相對於化合物E之8%濃度的化合物F真空沈積至厚度為300埃來在電洞轉移層上形成發光層。在發光層上，化合物G真空沈積至厚度為200埃以形成電子注入層以及電子轉移層。藉由以連續順序將LiF沈積至厚度為12埃且將鋁沈積至厚度為2,000埃來在電子注入層以及電子轉移層上形成陰極。

在上述提及之製程中，有機材料之沈積速率保持在0.4埃/秒至0.7埃/秒，陰極之LiF及鋁的沈積速率分別保持在0.3埃/秒及2埃/秒，且沈積期間之真空度保持在2×10^-7托(torr)至5×10^-8托。

實例2

除使用塗佈組成物2替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

實例3

除使用塗佈組成物3替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

實例4

除使用塗佈組成物4替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

實例5

除使用塗佈組成物5替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

實例6

除使用塗佈組成物6替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

實例7

除使用塗佈組成物7替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

實例8

除使用塗佈組成物8替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

實例9

除使用塗佈組成物9替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

實例10

除使用塗佈組成物10替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

比較實例1

除使用塗佈組成物11替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

比較實例2

除使用塗佈組成物12替代塗佈組成物1作為電洞注入層之外，以與實例1中相同之方式製造有機發光裝置。

在10毫安/平方公分之電流密度下量測使用上文所描述之方法製造的有機發光裝置之驅動電壓及發光效率的結果展示於下表2中。

根據表2之結果，鑑定出具有本發明之化學式1之結構的摻雜劑與通用摻雜劑相比具有對有機溶劑的優異溶解性，且藉此適合於溶液製程，且由於塗佈組成物易於製備，因此可使用塗佈 組成物形成均勻塗佈層。此外，與現有摻雜劑不同，當前固化基防止由間層流入導致之使用壽命減少，且因此，摻雜劑能夠用於有機發光裝置。

Claims (23)

1. 一種塗佈組成物，包括離子化合物，所述離子化合物包含由以下化學式1表示之陰離子基團： [化學式1]

   

   其中，在化學式1中， R1至R20中之至少一者為氟、氰基或經取代或未經取代之氟烷基； 其餘R1至R20中之至少一者為固化基； 所述其餘R1至R20彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；硝基；-C(O)R₁₀₀；-OR₁₀₁；-SR₁₀₂；-SO₃R₁₀₃；-COOR₁₀₄；-OC(O)R₁₀₅；-C(O)NR₁₀₆R₁₀₇；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之氟烷基；經取代或未經取代之烯基；經取代或未經取代之炔基；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之芳基；或經取代或未經取代之雜環基；以及 R₁₀₀至R₁₀₇彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；或經取代或未經取代之烷基。
2. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，所述塗佈組成物用於塗佈有機發光裝置之有機材料層。
3. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中所述固化基由以下固化基之族群中選出： [固化基之族群]

   

   在所述固化基之族群中，L為直接鍵；O；S；經取代或未經取代之伸烷基；經取代或未經取代之伸芳基；或經取代或未經取代之二價雜環基； k為1或2之整數，且當k為2時，括弧中之取代基彼此相同或不同；以及 R21為經取代或未經取代之烷基。
4. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中由化學式1表示之所述陰離子基團的所述固化基之數目為1。
5. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中由化學式1表示之所述陰離子基團的所述固化基之所述數目為2。
6. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中由化學式1表示之所述陰離子基團的所述固化基之所述數目為4。
7. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中相對於100重量份之所述陰離子基團，所述陰離子基團中的所述氟之重量份為10重量份至45重量份或小於45重量份。
8. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中所述陰離子基團中的氟之數目為8至20。
9. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中由化學式1表示之所述陰離子基團中的所述氟、所述氰基或所述經取代或未經取代之氟烷基的數目為8至20。
10. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中在化學式1中之R1至R5鍵結的苯環、R6至R10鍵結的苯環、R11至R15鍵結的苯環以及R16至R20鍵結的苯環中的至少一個苯環由以下結構式中選出：

    

    。
11. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中在化學式1中之R1至R5鍵結的苯環、R6至R10鍵結的苯環、R11至R15鍵結的苯環以及R16至R20鍵結的苯環中的至少一個苯環由以下結構式中選出：

    

    。
12. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中所述陰離子基團為由以下結構式中選出的任一者：

    

    

    

    在所述結構式中，n為1至3之整數，m為1至3之整數，且m+n=4； q為0至3之整數，r為1至4之整數，且q+r=4； Z為氘；鹵基；硝基；氰基；胺基；-C(O)R₁₀₀；-OR₁₀₁；-SR₁₀₂；-SO₃R₁₀₃；-COOR₁₀₄；-OC(O)R₁₀₅；-C(O)NR₁₀₆R₁₀₇；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烯基；經取代或未經取代之炔基；經取代或未經取代之胺基；經取代或未經取代之芳基；或經取代或未經取代之雜環基； l為1至4之整數，且當l為2或大於2時，Z彼此相同或不同；以及 R₁₀₀至R₁₀₇彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氘；或經取代或未經取代之烷基。
13. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中所述離子化合物包含陽離子基團，且所述陽離子基團由單價陽離子基團、鎓化合物或以下結構式中選出：

    

    在所述結構式中，X₁至X₇₆彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氰基；硝基；鹵基；-COOR₁₀₄；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之環烷基；經取代或未經取代之氟烷基；或經取代或未經取代之芳基或固化基； R₁₀₄為氫；氘；或經取代或未經取代之烷基； p為0至10之整數；以及 a為1或2，b為0或1，且a+b=2。
14. 如申請專利範圍第13項所述的塗佈組成物，其中所述陽離子基團由以下化學式10至化學式15中之任一者表示： [化學式10]

    

    [化學式11]

    

    [化學式12]

    

    [化學式13]

    

    [化學式14]

    

    [化學式15]

    

    X₁₀₀至X₁₄₂彼此相同或不同，且各自獨立地為氫；氰基；硝基；鹵基；-COOR₁₀₄；經取代或未經取代之烷基；經取代或未經取代之烷氧基；經取代或未經取代之環烷基；經取代或未經取代之氟烷基；經取代或未經取代之芳基；或固化基；以及 R₁₀₄為經取代或未經取代之烷基。
15. 如申請專利範圍第13項所述的塗佈組成物，其中所述陽離子基團為由以下結構式中選出的任一者：

    

    

    

    

    

    

    。
16. 如申請專利範圍第1項所述的塗佈組成物，其中所述離子化合物由以下結構式中選出：

    

    

    

    

    

    

    

    

    。
17. 一種有機發光裝置，包括： 第一電極； 第二電極；以及 一或多個提供於所述第一電極與所述第二電極之間的有機材料層， 其中所述有機材料層之一或多個層包含如申請專利範圍第1項至第16項中任一項所述的塗佈組成物之固化材料。
18. 如申請專利範圍第17項所述的有機發光裝置，其中所述塗佈組成物的所述固化材料藉由熱處理或光處理所述塗佈組成物而呈固化狀態。
19. 如申請專利範圍第17項所述的有機發光裝置，其中包含所述塗佈組成物之所述固化材料的所述有機材料層為電洞注入層。
20. 如申請專利範圍第19項所述的有機發光裝置，其中所述塗佈組成物之所述固化材料被包含而作為所述電洞注入層之p摻雜材料。
21. 如申請專利範圍第19項所述的有機發光裝置，更包括： 芳胺化合物，其為單體或聚合物，所述芳胺化合物作為所述電洞注入層之主體。
22. 如申請專利範圍第21項的有機發光裝置，其中所述芳胺化合物包含以下結構的固化基中之一者：

    

    

    在所述結構式中，L為直接鍵；O；S；經取代或未經取代之伸烷基；經取代或未經取代之伸芳基；或經取代或未經取代之二價雜環基；以及 k為1或2之整數，且當k為2時，括弧中之取代基彼此不同，且R21為經取代或未經取代之烷基。
23. 如申請專利範圍第19項所述的有機發光裝置，其中所述電洞注入層之主體為HOMO能階為4.8電子伏特至5.8電子伏特的化合物。