CN109804027B - 离子化合物、包含其的涂覆组合物和有机发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本公开内容涉及包含化学式1的阴离子基团的离子化合物,以及包含其的涂覆组合物和有机发光器件。

Description

离子化合物、包含其的涂覆组合物和有机发光二极管
技术领域
本申请要求于2016年11月25日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0158461号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及离子化合物以及包含其的涂覆组合物和有机发光器件。
背景技术
有机发光现象是通过特定有机分子的内部过程将电流转换为可见光的实例之一。有机发光现象的原理如下。当将有机材料层设置在阳极与阴极之间并且在两个电极之间施加电流时,电子和空穴分别从阴极和阳极注入有机材料层。注入有机材料层的空穴和电子复合以形成激子,并且当这些激子落回基态时发光。使用这样的原理的有机发光器件通常可以形成有阴极、阳极和设置在其间的有机材料层,例如包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层。
用于有机发光器件的材料大多为纯有机材料或其中有机材料和金属形成配合物的配位化合物,并且根据应用可以分为空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等。在本文中,作为空穴注入材料或空穴传输材料,通常使用具有p型特性的有机材料,即容易被氧化并且在被氧化时具有电化学稳定状态的有机材料。同时,作为电子注入材料或电子传输材料,通常使用具有n型特性的有机材料,即容易被还原并且在被还原时具有电化学稳定状态的有机材料。作为发光层材料,优选具有p型特性和n型特性二者的材料,即在氧化态和还原态二者下均具有稳定形式的材料,并且优选具有当形成激子时将激子转换为光的高发光效率的材料。
除了上述特性之外,优选地,用于有机发光器件的材料另外具有如下特性。
首先,用于有机发光器件的材料优选具有优异的热稳定性。这是由于由有机发光器件中的电荷迁移产生的焦耳加热。通常用作空穴传输层材料的NPB目前具有100℃或更低的玻璃化转变温度,并且存在难以用于需要高电流的有机发光器件的问题。
其次,为了获得能够低电压驱动的高效有机发光器件,注入有机发光器件的空穴或电子需要顺利地传输到发光层,同时,需要防止注入的空穴和电子逃离出发光层。为此,用于有机发光器件的材料需要具有适当的带隙和HOMO或LUMO能级。目前用作使用溶液涂覆法制造的有机发光器件中的空穴传输材料的PEDOT:PSS与用作发光层材料的有机材料的LUMO能级相比具有较低的LUMO能级,并因此在制造具有高效率和长寿命的有机发光器件方面存在问题。
除此之外,用于有机发光器件的材料需要具有优异的化学稳定性、电荷迁移率、和与电极或相邻层的界面特性。换而言之,用于有机发光器件的材料需要经历较少的由水分或氧引起的材料变形。此外,通过具有适当的空穴或电子迁移率,材料需要通过平衡有机发光器件的发光层中的空穴和电子密度来使激子形成最大化。对于器件稳定性,材料还需要改善与包含金属或金属氧化物的电极的界面。
因此,本领域需要开发满足这样的要求的有机材料。
发明内容
技术问题
本说明书涉及提供离子化合物以及包含其的涂覆组合物和有机发光器件。
技术方案
本说明书的一个实施方案提供了包含由以下化学式1表示的阴离子基团的离子化合物。
[化学式1]
Figure GDA0003267920080000021
在化学式1中,
Ar1至Ar4彼此相同或不同,Ar1至Ar4中的至少一者由以下化学式2表示,并且其余的Ar1至Ar4由以下化学式3表示,
[化学式2]
Figure GDA0003267920080000031
在化学式2中,R1至R5中的至少一者为F、氰基、或者经取代或未经取代的氟烷基,
其余的R1至R5中的至少一者为固化基团,
其余的R1至R5彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;硝基;-C(O)R100;-OR101;-SR102;-SO3R103;-COOR104;-OC(O)R105;-C(O)NR106R107;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的烯基;经取代或未经取代的炔基;经取代或未经取代的胺基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基;
R100至R107彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;或者经取代或未经取代的烷基,
[化学式3]
Figure GDA0003267920080000032
在化学式3中,R6至R10中的至少一者为固化基团;
其余的R6至R10彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;硝基;-C(O)R100;-OR101;-SR102;-SO3R103;-COOR104;-OC(O)R105;-C(O)NR106R107;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的氟烷基;经取代或未经取代的烯基;经取代或未经取代的炔基;经取代或未经取代的胺基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基;以及
R100至R107彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;或者经取代或未经取代的烷基。
本说明书的另一个实施方案提供了包含上述离子化合物的涂覆组合物。
本说明书的又一个实施方案提供了有机发光器件,其包括:第一电极;第二电极;和设置在第一电极与第二电极之间的一个或更多个有机材料层,其中有机材料层的一个或更多个层包含上述涂覆组合物的固化材料。
有益效果
根据本说明书的一个实施方案的化合物包含通过热或光而聚合的官能团,并且当在形成膜之后提供足够的热或光时产生对过程用溶剂的耐受性,并且因为防止了根据本说明书的一个实施方案的化合物被洗掉或者防止了中间层材料的迁移,膜的特性不改变,并因此,可以制造具有再现性的有机发光器件。
根据本说明书的一个实施方案的化合物为离子单体并且溶解在溶剂中,通过溶液法涂覆,然后通过热处理或UV处理形成为膜,特别地,根据本说明书的化合物当在约200℃下固化时可以提供低驱动电压、高发光效率和高寿命特性。
附图说明
图1示出了根据本说明书的一个实施方案的有机发光器件的实例。
图2示出了根据本说明书的一个实施方案的化合物4的MS数据。
图3示出了根据本说明书的一个实施方案的化合物4的DSC数据。
图4为根据本说明书的一个实施方案的化合物4的NMR谱。
图5示出了比较的根据本说明书的一个实施方案的比较化合物1的DSC数据。
图6示出了根据本说明书的一个实施方案的涂覆组合物4的膜保留率数据。
图7示出了根据本说明书的一个实施方案的涂覆组合物8的膜保留率数据。
图8示出了根据本说明书的一个实施方案的涂覆组合物9的膜保留率数据。
图9为根据本说明书的一个实施方案的化合物5的NMR谱。
[附图标记]
101:基底
201:阳极
301:空穴注入层
401:空穴传输层
501:发光层
601:电子传输层
701:阴极
具体实施方式
在下文中,将更详细地描述本说明书。
在本说明书中,某个构件设置在另一构件“上”的描述不仅包括一个构件邻接另一构件的情况,而且还包括在这两个构件之间存在又一构件的情况。
在本说明书中,除非特别相反地描述,否则某部件“包括”某些构成要素的描述意指还能够包括其他构成要素,并且不排除其他构成要素。
在本申请的整个说明书中,包括在马库什型表达中的术语“其组合”意指选自马库什型表达中描述的构成要素中的一者或更多者的混合物或组合,并且意指包括选自构成要素中的一者或更多者。
本说明书的一个实施方案提供了包含含有由化学式1表示的阴离子基团的离子化合物的涂覆组合物。
在本说明书的一个实施方案中,涂覆组合物用于涂覆有机发光器件的有机材料层。
在本说明书的一个实施方案中,优选具有对适当的有机溶剂的溶解性的化合物作为含有由化学式1表示的阴离子基团的离子化合物。
在本说明书中,“固化基团”可以意指通过暴露于热和/或光使化合物交联的反应性取代基。交联可以在连接经由通过热处理或光照射使碳-碳多重键或环状结构分解而产生的自由基时产生。
在本说明书的一个实施方案中,固化基团选自以下固化基团的组。
[固化基团的组]
Figure GDA0003267920080000061
在固化基团的组中,L为直接键;O;S;经取代或未经取代的亚烷基;经取代或未经取代的亚芳基;或者经取代或未经取代的二价杂环基,
k为1或2的整数,并且当k为2时,括号中的取代基彼此相同或不同,以及
R21为经取代或未经取代的烷基。
在本说明书的一个实施方案中,可以使用各种固化基团作为固化基团,只要其为能够固化的固化基团即可,并且固化基团不限于所述固化基团的组。
在本说明书中,
Figure GDA0003267920080000062
类化合物意指通过氢离子或其他有机自由基与未共用电子对如氧、硫、氮或磷配位键合而产生的化合物。
在下文中,以下将详细地描述本说明书的取代基,然而,取代基不限于此。
在本说明书中,
Figure GDA0003267920080000071
意指与另外的取代基或键合位点键合的位点。
本说明书中的术语“取代”意指与化合物的碳原子键合的氢原子变成另外的取代基,并且取代的位置没有限制,只要该位置是氢原子被取代的位置(即,取代基可以取代的位置)即可,并且当两个或更多个取代基取代时,这两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。
本说明书中的术语“经取代或未经取代的”意指被选自以下的一个或更多个取代基取代:氢;氘;卤素基团;烷基;环烷基;烷氧基;芳氧基;芳基;胺基;芳基胺基;和固化基团,或者未被取代,或者被以上所例示的取代基中的两个或更多个取代基相连接的取代基取代,或者未被取代。
在本说明书中,卤素基团的实例可以包括氟、氯、溴或碘。
在本说明书中,烷基可以为线性、支化或环状的,并且虽然不特别限于此,但碳原子数优选为1至50。其具体实例可以包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等,但不限于此。
在本说明书中,烷氧基可以为线性、支化或环状的。烷氧基的碳原子数没有特别限制,但优选为1至30。其具体实例可以包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、异丙基氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苄氧基、对甲基苄氧基等,但不限于此。
烷基可以被芳基或杂环基取代以作为芳基烷基或杂芳基烷基。芳基和杂环基可以选自以下将描述的芳基或杂环基的实例。
在本说明书中,烷基的长度不影响化合物的共轭长度,但可能影响化合物在有机发光器件中的使用,例如,使用真空沉积法或溶液涂覆法。
在本说明书中,环烷基没有特别限制,但优选具有3至60个碳原子,并且其具体实例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等,但不限于此。
在本说明书中,当芳基为单环芳基时,碳原子数没有特别限制,但优选为6至25。单环芳基的具体实例可以包括苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基等,但不限于此。
当芳基为多环芳基时,碳原子数没有特别限制,但优选为10至30。多环芳基的具体实例可以包括萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、
Figure GDA0003267920080000081
基、芴基等,但不限于此。
在本说明书中,芴基可以被取代,并且相邻取代基可以彼此键合以形成环。
当芴基被取代时,可以包括
Figure GDA0003267920080000082
Figure GDA0003267920080000083
等。然而,结构不限于此。
芳基可以被烷基或烷氧基取代以作为芳基烷基或芳氧基。烷基或烷氧基可以选自上述实例。
在本说明书中,胺基的碳原子数没有特别限制,但优选为1至30。胺基可以被上述烷基、芳基、杂环基、烯基、环烷基、其组合等取代,并且胺基的具体实例可以包括甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、苯基胺基、萘基胺基、联苯基胺基、蒽基胺基、9-甲基-蒽基胺基、二苯基胺基、苯基萘基胺基、二甲苯基胺基、苯基甲苯基胺基、三苯基胺基等,但不限于此。
在本说明书中,芳基胺基的实例包括经取代或未经取代的单芳基胺基、经取代或未经取代的二芳基胺基、或者经取代或未经取代的三芳基胺基。芳基胺基中的芳基可以为单环芳基或多环芳基。包含两个或更多个芳基的芳基胺基可以包含单环芳基、多环芳基、或单环芳基和多环芳基二者。例如,芳基胺基中的芳基可以选自上述芳基的实例。芳基胺基的具体实例可以包括苯基胺、萘基胺、联苯基胺、蒽基胺、3-甲基-苯基胺、4-甲基-萘基胺、2-甲基-联苯基胺、9-甲基-蒽基胺、二苯基胺基、苯基萘基胺基、二甲苯基胺基、苯基甲苯基胺基、咔唑、三苯基胺基等,但不限于此。
在本说明书中,杂环基包含一个或更多个非碳的原子,即杂原子,具体地,杂原子可以包括选自O、N、Se、S等的一个或更多个原子。碳原子数没有特别限制,但优选为2至30,并且杂芳基可以为单环或多环的。杂环基的实例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、
Figure GDA0003267920080000091
唑基、
Figure GDA0003267920080000092
二唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并
Figure GDA0003267920080000093
唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异
Figure GDA0003267920080000094
唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并呋喃基等,但不限于此。
在本说明书中,二价杂环基意指具有两个键合位点的杂环基,即二价基团。以上提供的关于杂环基的描述可以应用于二价杂环基,不同之处在于二价杂环基各自为二价的。
在本说明书中,亚芳基意指具有两个键合位点的芳基,即二价基团。以上提供的关于芳基的描述可以应用于亚芳基,不同之处在于亚芳基各自为二价的。
在本说明书中,“相邻”基团可以意指对与相应取代基取代的原子直接连接的原子进行取代的取代基、位于空间上最接近相应取代基的取代基、或者对相应取代基取代的原子进行取代的另一取代基。例如,取代苯环中的邻位的两个取代基和脂族环中取代相同碳的两个取代基可以被理解为彼此“相邻”的基团。
在本说明书中,由彼此键合的相邻基团形成的环可以为单环或多环的,可以为脂族的、芳族的、或者脂族与芳族的稠环,并且可以形成烃环或杂环。
在本说明书的一个实施方案中,当由化学式1表示的阴离子基团不具有固化基团时,不发生固化,并且器件特性可能由于本说明书的阳离子基团和阴离子基团在电极层之间的迁移而下降。此外,随着固化基团的数目增加,涂覆组合物固化速率增加并且膜保留率增加。
在本说明书的一个实施方案中,Ar1由化学式2表示,Ar2至Ar4由化学式3表示。
在本说明书的一个实施方案中,Ar1和Ar2由化学式2表示,Ar3和Ar4由化学式3表示。
在本说明书的一个实施方案中,Ar1至Ar3由化学式2表示,Ar4由化学式3表示。
在本说明书的一个实施方案中,Ar1至Ar4由化学式2表示。特别地,当Ar1至Ar4均为化学式2时并且当F、氰基或氟烷基的比例增加时,膜保留率在热处理时增强。
在本说明书的一个实施方案中,包含阴离子基团的离子化合物可以用于有机发光器件的空穴注入层,并且当用于空穴注入层时可以用作掺杂剂。在本文中,当阴离子基团的F含量增加时,来自其他化合物(主体化合物)的电子吸引力增加,并且在主体中更有利地形成空穴,使得空穴注入层的性能增强。
在本说明书的一个实施方案中,F含量可以使用与Dionex ICS 2000离子色谱仪耦接的COSA AQF-100燃烧炉分析,或者可以通过19F NMR(通常用于F分析的方法)确定。
在本说明书的一个实施方案中,化学式2由以下化学式2-1至2-10中的任一者表示。
[化学式2-1]
Figure GDA0003267920080000101
[化学式2-2]
Figure GDA0003267920080000111
[化学式2-3]
Figure GDA0003267920080000112
[化学式2-4]
Figure GDA0003267920080000113
[化学式2-5]
Figure GDA0003267920080000114
[化学式2-6]
Figure GDA0003267920080000115
[化学式2-7]
Figure GDA0003267920080000121
[化学式2-8]
Figure GDA0003267920080000122
[化学式2-9]
Figure GDA0003267920080000123
[化学式2-10]
Figure GDA0003267920080000124
在本说明书的一个实施方案中,化学式3由以下化学式3-1至3-8中的任一者表示。
[化学式3-1]
Figure GDA0003267920080000125
[化学式3-2]
Figure GDA0003267920080000131
[化学式3-3]
Figure GDA0003267920080000132
[化学式3-4]
Figure GDA0003267920080000133
[化学式3-5]
Figure GDA0003267920080000134
[化学式3-6]
Figure GDA0003267920080000135
[化学式3-7]
Figure GDA0003267920080000136
[化学式3-8]
Figure GDA0003267920080000141
在本说明书的一个实施方案中,化学式1的阴离子基团为选自以下结构式中的任一者。
Figure GDA0003267920080000142
Figure GDA0003267920080000151
Figure GDA0003267920080000161
在结构式中,r为1至4的整数,q为0至3的整数,并且q+r=4。
在本说明书的一个实施方案中,离子化合物包含阳离子基团,并且阳离子基团选自一价阳离子基团、
Figure GDA0003267920080000162
类化合物或以下结构式。
在本说明书的一个实施方案中,一价阳离子基团可以为碱金属阳离子,并且碱金属阳离子可以包括Na+、Li+、K+等,但不限于此。
在本说明书的一个实施方案中,离子化合物包含阳离子基团,并且阳离子基团选自
Figure GDA0003267920080000163
类化合物或以下结构式。
Figure GDA0003267920080000171
在所述结构式中,X1至X76彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氰基;硝基;卤素基团;-COOR104;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的烷氧基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的氟烷基;或者经取代或未经取代的芳基,或者选自所述固化基团的组的固化基团;
R104为氢;氘;或者经取代或未经取代的烷基;
p为0至10的整数;以及
a为1或2,b为0或1,并且a+b=2。
在本说明书的一个实施方案中,阳离子基团由以下化学式10至化学式15中的任一者表示。
[化学式10]
Figure GDA0003267920080000172
[化学式11]
Figure GDA0003267920080000181
[化学式12]
Figure GDA0003267920080000182
[化学式13]
Figure GDA0003267920080000183
[化学式14]
Figure GDA0003267920080000184
[化学式15]
Figure GDA0003267920080000191
X100至X142彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氰基;硝基;卤素基团;-COOR104;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的烷氧基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的氟烷基;或者经取代或未经取代的芳基,或者选自所述固化基团的组的固化基团;以及
R104为经取代或未经取代的烷基。
在本说明书的一个实施方案中,阳离子基团为选自以下结构式中的任一者。
Figure GDA0003267920080000192
Figure GDA0003267920080000201
Figure GDA0003267920080000211
Figure GDA0003267920080000221
在本说明书的一个实施方案中,离子化合物选自以下结构式。
Figure GDA0003267920080000231
Figure GDA0003267920080000241
Figure GDA0003267920080000251
Figure GDA0003267920080000261
Figure GDA0003267920080000271
本说明书的一个实施方案提供了包含含有化学式1的阴离子基团的离子化合物的涂覆组合物。
在本说明书的一个实施方案中,包含离子化合物的涂覆组合物是用于有机发光器件的涂覆组合物。
在本说明书的一个实施方案中,涂覆组合物可以为液相。“液相”意指在室温和大气压下呈液态。
在本说明书的一个实施方案中,溶剂的实例可以包括基于氯的溶剂,例如氯仿、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯或邻二氯苯;基于醚的溶剂,例如四氢呋喃或二
Figure GDA0003267920080000272
烷;基于芳族烃的溶剂,例如甲苯、二甲苯、三甲苯或均三甲苯;基于脂族烃的溶剂,例如环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷或正癸烷;基于酮的溶剂,例如丙酮、甲基乙基酮或环己酮;基于酯的溶剂,例如乙酸乙酯、乙酸丁酯或乙基溶纤剂乙酸酯;多元醇,例如乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙醚、甘油或1,2-己二醇、及其衍生物;基于醇的溶剂,例如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇或环己醇;基于亚砜的溶剂,例如二甲基亚砜;基于酰胺的溶剂,例如N-甲基-2-吡咯烷酮或N,N-二甲基甲酰胺;基于苯甲酸酯的溶剂,例如苯甲酸甲酯、苯甲酸丁酯或3-苯氧基苯甲酸酯;四氢化萘等,然而,溶剂没有限制,只要其为能够溶解或分散根据本公开内容的一个实施方案的化合物的溶剂即可。
在另一个实施方案中,溶剂可以作为一种类型单独使用,或者作为混合有两种或更多种溶剂类型的混合物使用。
在另一个实施方案中,溶剂的沸点优选为40℃至250℃,更优选为60℃至230℃,然而,沸点不限于此。
在另一个实施方案中,单一或混合溶剂的粘度优选为1CP至10CP,更优选为3CP至8CP,然而,粘度不限于此。
在另一个实施方案中,涂覆组合物的浓度优选为0.1重量/体积%至20重量/体积%,更优选为0.5重量/体积%至5重量/体积%,然而,浓度不限于此。
在本说明书的一个实施方案中,涂覆组合物还可以包含选自热聚合引发剂和光聚合引发剂的一种、两种或更多种添加剂。
热聚合引发剂的实例可以包括过氧化物,例如甲基乙基酮过氧化物、甲基异丁基酮过氧化物、乙酰丙酮过氧化物、甲基环己酮过氧化物、环己酮过氧化物、异丁酰过氧化物、2,4-二氯苯甲酰过氧化物、双-3,5,5-三甲基己酰过氧化物、月桂酰过氧化物、苯甲酰过氧化物、对氯苯甲酰过氧化物、二枯基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-(叔丁氧基)-己烷、1,3-双(叔丁基过氧-异丙基)苯、叔丁基枯基过氧化物、二叔丁基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-(二叔丁基过氧基)己烷-3、三-(叔丁基过氧基)三嗪、1,1-二叔丁基过氧基-3,3,5-三甲基环己烷、1,1-二叔丁基过氧基环己烷、2,2-二(叔丁基过氧基)丁烷、4,4-二叔丁基过氧基戊酸正丁酯、2,2-双(4,4-叔丁基过氧基环己基)丙烷、叔丁基过氧基异丁酸酯、二叔丁基过氧基六氢对苯二甲酸酯、叔丁基过氧基-3,5,5-三甲基己酸酯(t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexate)、叔丁基过氧基苯甲酸酯或二叔丁基过氧基三甲基己二酸酯;或者偶氮类,例如偶氮二异丁腈、偶氮双二甲基戊腈或偶氮二环己基腈,但不限于此。
光聚合引发剂的实例可以包括基于苯乙酮或基于缩酮的光聚合引发剂,例如二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮、1-羟基-环己基-苯基-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-(2-羟基-2-丙基)酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)丁酮-1,2-羟基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮、2-甲基-2-吗啉代(4-甲基硫基苯基)丙-1-酮或1-苯基-1,2-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟;基于苯偶姻醚的光聚合引发剂,例如苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丁醚或苯偶姻异丙醚;基于二苯甲酮的光聚合引发剂,例如二苯甲酮、4-羟基二苯甲酮、2-苯甲酰基萘、4-苯甲酰基联苯、4-苯甲酰基苯醚、丙烯酸酯化二苯甲酮或1,4-苯甲酰基苯;基于噻吨酮的光聚合引发剂,例如2-异丙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮或2,4-二氯噻吨酮;以及作为其他光聚合引发剂的乙基蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基乙氧基氧化膦、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、双(2,4-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、甲基苯基乙醛酸酯(methylphenylglyoxyester)、9,10-菲、基于吖啶的化合物、基于三嗪的化合物、基于咪唑的化合物等。此外,具有光聚合促进效果的那些可以单独使用或者与光聚合引发剂一起使用。其实例可以包括三乙醇胺、甲基二乙醇胺、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸异戊酯、苯甲酸(2-二甲基氨基)乙酯、4,4'-二甲基氨基二苯甲酮等,但不限于此。
本说明书的另一个实施方案提供了使用涂覆组合物形成的有机发光器件。
在本说明书的一个实施方案中,有机发光器件包括第一电极;第二电极;和设置在第一电极与第二电极之间的一个或更多个有机材料层,其中有机材料层的一个或更多个层使用包含含有化学式1的阴离子基团的离子化合物的涂覆组合物形成。
在本说明书的一个实施方案中,有机发光器件包括第一电极;第二电极;和设置在第一电极与第二电极之间的一个或更多个有机材料层,其中有机材料层的一个或更多个层包含涂覆组合物的固化材料,所述涂覆组合物包含含有化学式1的阴离子基团的离子化合物。
在本说明书的一个实施方案中,通过对涂覆组合物进行热处理或光处理,涂覆组合物的固化材料呈固化状态。
在本说明书的一个实施方案中,包含涂覆组合物的固化材料的有机材料层为空穴注入层。
在本说明书的一个实施方案中,包含涂覆组合物的固化材料的有机材料层为空穴注入层,并且涂覆组合物的固化材料的离子化合物作为空穴注入层的p掺杂材料包含在内。
在本说明书的一个实施方案中,包含涂覆组合物的固化材料的有机材料层为空穴注入层,并且含有化学式1的阴离子基团的离子化合物作为空穴注入层的掺杂剂包含在内。
在本说明书的一个实施方案中,包含涂覆组合物的固化材料的有机材料层为空穴注入层,并且含有化学式1的阴离子基团的离子化合物作为空穴注入层的p掺杂材料包含在内。
在本说明书中,p掺杂材料意指使主体材料能够具有p半导体特性的材料。p半导体特性意指通过在最高占据分子轨道(HOMO)能级下注入或传输空穴来接收空穴的特性,即具有高的空穴传导性的材料的特性。
在本说明书的一个实施方案中,使用涂覆组合物形成的有机材料层为空穴注入层,含有化学式1的阴离子基团的离子化合物为空穴注入层的掺杂剂,并且包含芳基胺化合物作为空穴注入层的主体。
在本说明书的一个实施方案中,芳基胺化合物为单体或聚合物。
在本说明书的一个实施方案中,还包含为单体或聚合物的芳基胺化合物作为空穴注入层的主体。
在本说明书的一个实施方案中,芳基胺化合物包含以下结构的固化基团中的一者。
Figure GDA0003267920080000311
在所述结构式中,L为直接键;O;S;经取代或未经取代的亚烷基;经取代或未经取代的亚芳基;或者经取代或未经取代的二价杂环基,以及
k为1或2的整数,并且当k为2时,括号中的取代基彼此不同,以及R21为经取代或未经取代的烷基。
在本说明书的一个实施方案中,空穴注入层的主体的HOMO能级为4.8eV至5.8eV。
使用电化学循环伏安法(CV)测量本说明书的HOMO能级。测量主体材料氧化开始时的起始电位(E起始),并在相同条件下测量二茂铁电位(E1/2(Fc))。相对于真空能级将二茂铁电位定义为4.8eV,并使用以下方程式计算HOMO能级。
HOMO(eV)=4.8+(E起始-E1/2(Fc))
芳基胺基的化合物形成交联,并且能够提供包括薄膜结构的有机材料层。在这种情况下,可以防止被沉积在使用涂覆组合物形成的有机材料层的表面上的溶剂溶解,或者形态上受到影响或分解。
因此,当形成使用涂覆组合物形成的有机材料层包括热处理或光处理的步骤时,对溶剂的耐受性增加,并且可以通过重复进行溶液沉积和交联法形成多层,因此,器件的寿命特性可以由于稳定性增加而增强。
在本说明书的一个实施方案中,使用涂覆组合物形成的有机材料层为空穴传输层、空穴注入层、或同时进行空穴传输和空穴注入的层。
在另一个实施方案中,使用涂覆组合物形成的有机材料层为发光层。
在本说明书的一个实施方案中,有机发光器件还包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层和空穴阻挡层的一个、两个或更多个层。
在本说明书的一个实施方案中,第一电极为阴极,第二电极为阳极。
在本说明书的一个实施方案中,第一电极为阳极,第二电极为阴极。
在另一个实施方案中,有机发光器件可以为具有其中阳极、一个或更多个有机材料层和阴极依次层合在基底上的结构(正常型)的有机发光器件。
在另一个实施方案中,有机发光器件可以为具有其中阴极、一个或更多个有机材料层和阳极依次层合在基底上的反向结构(倒置型)的有机发光器件。
本说明书的有机发光器件的有机材料层可以以单层结构形成,但也可以以其中层合有两个或更多个有机材料层的多层结构形成。例如,本公开内容的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机材料层的结构。然而,有机发光器件的结构不限于此,并且可以包括更少数目的有机材料层。
例如,图1中示出了根据本说明书的一个实施方案的有机发光器件的结构。
图1示出了有机发光器件的结构,其中阳极(201)、空穴注入层(301)、空穴传输层(401)、发光层(501)、电子传输层(601)和阴极(701)依次层合在基底(101)上。
在图1中,空穴注入层(301)、空穴传输层(401)和发光层(501)使用包含由化学式1表示的化合物的涂覆组合物形成。
图1示出了有机发光器件,然而,有机发光器件不限于此。
当有机发光器件包括复数个有机材料层时,有机材料层可以由彼此相同或不同的材料形成。
本说明书的有机发光器件可以使用本领域中已知的材料和方法制造,不同之处在于有机材料层的一个或更多个层使用包含所述化合物的涂覆组合物形成。
例如,本说明书的有机发光器件可以通过在基底上依次层合阳极、有机材料层和阴极来制造。在本文中,有机发光器件可以如下制造:通过使用物理气相沉积(PVD)法(例如溅射或电子束蒸镀)沉积金属、具有导电性的金属氧化物或者其合金在基底上形成阳极,在阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层,然后在有机材料层上沉积能够用作阴极的材料。除了这样的方法之外,有机发光器件还可以通过在基底上依次沉积阴极材料、有机材料层和阳极材料来制造。
本说明书的一个实施方案还提供了用于制造使用涂覆组合物形成的有机发光器件的方法。
具体地,在本说明书的一个实施方案中的用于制造有机发光器件的方法包括准备基底;在基底上形成阴极或阳极;在阴极或阳极上形成一个或更多个有机材料层;以及在有机材料层上形成阳极或阴极,其中有机材料层的一个或更多个层使用涂覆组合物形成。
在本说明书的一个实施方案中,使用涂覆组合物形成的有机材料层使用旋涂形成。
在另一个实施方案中,使用涂覆组合物形成的有机材料层使用印刷法形成。
在本说明书的一个实施方案中,印刷法的实例包括喷墨印刷、喷嘴印刷、胶版印刷、转印、丝网印刷等,但不限于此。
根据本说明书的一个实施方案的涂覆组合物由于其结构特性而适合于溶液法,并且可以使用印刷法形成,因此,在制造器件时在时间和成本方面是经济有效的。
在本说明书的一个实施方案中,形成使用涂覆组合物形成的有机材料层包括在阴极或阳极上涂覆涂覆组合物;以及对涂覆的涂覆组合物进行热处理或光处理。
在本说明书的一个实施方案中,使用涂覆组合物形成的有机材料层的热处理的时间优选在1小时内,更优选在30分钟内。
在本说明书的一个实施方案中,使用涂覆组合物形成的有机材料层的热处理的气氛优选为惰性气体,例如氩气或氮气。
此外,根据本说明书的一个实施方案的组合物可以通过热处理或光处理而成薄膜,并且可以使用与其他单体混合的涂覆组合物而作为共聚物包含在内。此外,可以使用与其他聚合物混合的涂覆组合物而包含共聚物或混合物。
作为阳极材料,通常优选具有大功函数的材料使得空穴注入有机材料层是顺利的。能够用于本公开内容的阳极材料的具体实例包括:金属,例如钒、铬、铜、锌和金,或其合金;金属氧化物,例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO);金属和氧化物的组合,例如ZnO:Al或SnO2:Sb;导电聚合物,例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺;等等,但不限于此。
作为阴极材料,通常优选具有小功函数的材料使得电子注入有机材料层是顺利的。阴极材料的具体实例包括:金属,例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅,或其合金;多层结构材料,例如LiF/Al或LiO2/Al;等等,但不限于此。
空穴注入层是注入来自电极的空穴的层,并且空穴注入材料优选为这样的化合物:其具有传输空穴的能力,因此具有在阳极中的空穴注入效应,具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效应,防止发光层中产生的激子移动至电子注入层或电子注入材料,此外还具有优异的薄膜形成能力。空穴注入材料的最高占据分子轨道(HOMO)优选在阳极材料的功函数与周围有机材料层的HOMO之间。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等,但不限于此。
空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层,作为空穴传输材料,能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴,使空穴移动至发光层并具有高空穴迁移率的材料是合适的。其具体实例包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、同时具有共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等,但不限于此。
发光材料是能够通过接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子并使空穴和电子结合而发出可见光区域内的光的材料,并且优选为对荧光或磷光具有有利的量子效率的材料。其具体实例包括:8-羟基喹啉铝配合物(Alq3);基于咔唑的化合物;二聚苯乙烯基化合物;BAlq;10-羟基苯并喹啉-金属化合物;基于苯并
Figure GDA0003267920080000351
唑、基于苯并噻唑和基于苯并咪唑的化合物;基于聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)的聚合物;螺环化合物;聚芴;红荧烯等,但不限于此。
发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料包括稠合芳族环衍生物、含杂环的化合物等。具体地,稠合芳族环衍生物包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等,以及含杂环的化合物包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等,然而,材料不限于此。
掺杂剂材料包括芳族胺衍生物、苯乙烯胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体地,芳族胺衍生物是具有经取代或未经取代的芳基氨基的稠合芳族环衍生物,并且包括包含芳基氨基的芘、蒽、
Figure GDA0003267920080000352
二茚并芘(peryflanthene)等,以及苯乙烯胺化合物是其中经取代或未经取代的芳基胺经至少一个芳基乙烯基取代的化合物,并且选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基氨基中的一个、两个或更多个取代基是经取代或未经取代的。具体地,包括苯乙烯胺、苯乙烯二胺、苯乙烯三胺、苯乙烯四胺等,然而,苯乙烯胺化合物不限于此。此外,金属配合物包括铱配合物、铂配合物等,但不限于此。
电子传输层是接收来自电子注入层的电子并将电子传输至发光层的层,作为电子传输材料,能够有利地接收来自阴极的电子,使电子移动至发光层并具有高电子迁移率的材料是合适的。其具体实例包括:8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等,但不限于此。电子传输层可以与如本领域所使用的任何期望的阴极材料一起使用。特别地,合适的阴极材料的实例包括具有小功函数并且后接铝层或银层的常用材料。具体地,阴极材料包括铯、钡、钙、镱和钐,在每种情况下后接铝层或银层。
电子注入层是注入来自电极的电子的层,并且电子注入材料优选为这样的化合物:其具有传输电子的能力,具有来自阴极的电子注入效应,具有对于发光层或发光材料的优异的电子注入效应,防止发光层中产生的激子移动至空穴注入层,此外还具有优异的薄膜形成能力。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、
Figure GDA0003267920080000361
唑、
Figure GDA0003267920080000362
二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等及其衍生物,金属配合物化合物,含氮5元环衍生物等,但不限于此。
金属配合物化合物包括8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等,但不限于此。
空穴阻挡层是阻挡空穴到达阴极的层,并且通常可以在与空穴注入层的条件相同的条件下形成。具体地,包括
Figure GDA0003267920080000363
二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、BCP、铝配合物等,然而,材料不限于此。
根据使用的材料,根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发射型、底部发射型或双发射型。
在本说明书的一个实施方案中,除了有机发光器件之外,涂覆组合物可以包含在有机太阳能电池或有机晶体管中。
发明实施方式
在下文中,将参照实施例详细地描述本说明书以具体地描述本说明书。然而,根据本说明书的实施例可以被修改为多种不同的形式,并且本说明书的范围不应被解释为限于以下描述的实施例。提供本说明书的实施例以向本领域普通技术人员更完整地描述本说明书。
<实施例>
<制备例1_化合物1的制备>
Figure GDA0003267920080000371
将Mg(95mg,3.9214mmol)、THF(10mL)和I2(4mg)放入25mL圆底烧瓶中并搅拌。向反应溶液中引入1-溴-2,3,5,6-四氟-4-(1,2,2-三氟乙烯基)苯(1.2g,3.9214mmol),并且将所得物在室温下搅拌。在10小时之后,通过溶液变黑确定Mg的溶解,并且经30分钟向其中添加乙醚(10mL)和BCl3(1.3mL,1.3mmol,1M在己烷溶液中)。在将反应溶液搅拌一天之后,向其中添加Na2CO3(30mL,3.0mmol,0.1M在H2O中)。使用EA(3×10mL)萃取合成的材料,然后用MgSO4除去剩余的水。在除去全部溶剂之后,使用苯用Dean-stark彻底除去水,并且过滤固体以获得目标化合物(430mg)。(产率:35%)
Figure GDA0003267920080000372
将四(2,3,5,6-四氟-4-(1,2,2-三氟乙烯基)苯基)硼酸钠(300mg,0.3158mmol)、二苯基碘
Figure GDA0003267920080000373
氯化物(100mg,0.3158mmol)、H2O(10mL)和丙酮(10mL)放入25mL圆底烧瓶中,并且剧烈搅拌30分钟。使用二氯甲烷(10mL×3)萃取所得物,然后在除去溶剂之后干燥以获得目标化合物(381mg)。(产率:100%)
<制备例2_化合物2的制备>]
Figure GDA0003267920080000381
将甲基三苯基溴化钾(16g,45.2489mmol)和四氢呋喃(THF)(100mL)放入250mL圆底烧瓶中,并在0℃下搅拌30分钟。向反应溶液中缓慢添加n-BuLi(18.1mL,45.2489mmol,2.5M在己烷中),并且将所得物在0℃下搅拌30分钟。在0℃下,向反应溶液中缓慢添加4-溴-2,6-二氟苯甲醛(5.0g,22.6244mmol,在30mL四氢呋喃(THF)中)。搅拌反应溶液同时缓慢升高温度至室温。在3小时之后,向反应溶液中添加乙醚(100mL)和饱和NH4Cl溶液(400mL)。使用乙醚(2×200mL)萃取有机溶剂,并且用MgSO4除去剩余的水。使用EA:Hex=1:9将所得物过柱以获得目标化合物(3g)。(产率:60%)
Figure GDA0003267920080000382
将Mg(111mg,4.5656mmol)、THF(10mL)和I2(4mg)放入25mL圆底烧瓶中并搅拌。向反应溶液中引入5-溴-1,3-二氟-2-乙烯基苯(1g,4.5656mmol),并且将所得物在室温下搅拌。在10小时之后,通过溶液变黑确定Mg的溶解,并且经30分钟向其中添加乙醚(10mL)和BCl3(1.1mL,1.0957mmol,1M在己烷溶液中)。在将反应溶液搅拌一天之后,向其中添加Na2CO3(30mL,3.0mmol,0.1M在H2O中)。使用EA(3×10mL)萃取合成的材料,并且用MgSO4除去剩余的水。在除去全部溶剂之后,使用苯用Dean-stark彻底除去水,并且过滤固体以获得目标化合物(400mg)。(产率:62%)
Figure GDA0003267920080000391
将四(3,5-二氟-4-乙烯基苯基)硼酸钠(400mg,0.6776mmol)、二苯基碘
Figure GDA0003267920080000392
氯化物(215mg,0.6776mmol)、H2O(10mL)和丙酮(10mL)放入25mL圆底烧瓶中,并且剧烈搅拌30分钟。使用二氯甲烷(10mL×3)萃取所得物,然后在除去溶剂之后干燥以获得目标化合物(574mg)。(产率:100%)
<制备例3_化合物3的制备>
Figure GDA0003267920080000393
将甲基三苯基溴化钾(13.90g,38.9135mmol)和四氢呋喃(THF)(100mL)放入250mL圆底烧瓶中,并在0℃下搅拌30分钟。向反应溶液中缓慢添加n-BuLi(15.6mL,38.9135mmol,2.5M在己烷中),并且将所得物在0℃下搅拌30分钟。在0℃下,向反应溶液中缓慢添加4-甲酰基-2,3,5,6-四氟-1-溴苯(5.0g,19.4568mmol,在30mL四氢呋喃(THF)中)。搅拌反应溶液同时缓慢升高温度至室温。在3小时之后,向反应溶液中添加乙醚(100mL)和饱和NH4Cl溶液(400mL)。使用乙醚(2×200mL)萃取有机溶剂,并且用MgSO4除去剩余的水。使用EA:Hex=1:9将所得物过柱以获得目标化合物(1.29g)。(产率:26%)
Figure GDA0003267920080000394
将Mg(95mg,3.9214mmol)、THF(10mL)和I2(4mg)放入25mL圆底烧瓶中并搅拌。向反应溶液中引入1-溴-2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯(1.0g,3.9214mmol),并且将所得物在室温下搅拌。在10小时之后,通过溶液变黑确定Mg的溶解,并且经30分钟向其中添加乙醚(10mL)和BCl3(1.3mL,1.3mmol,1M在己烷溶液中)。在将反应溶液搅拌一天之后,向其中添加Na2CO3(30mL,3.0mmol,0.1M在H2O中)。使用EA(3×10mL)萃取合成的材料,并且用MgSO4除去剩余的水。在除去全部溶剂之后,使用苯用Dean-stark彻底除去水,并且过滤固体以获得目标化合物(340mg)。(产率:28%)
Figure GDA0003267920080000401
将四(2,3,5,6-四氟-4-乙烯基苯基)硼酸钠(200mg,0.2724mmol)、1-(4-乙烯基苄基)吡啶-1-
Figure GDA0003267920080000402
氯化物(69mg,0.2996mmol)、H2O(10mL)和MC(10mL)放入25mL圆底烧瓶中,并且剧烈搅拌30分钟。使用乙醚(3×10mL)萃取有机溶剂,并且用MgSO4除去剩余的水。除去溶剂,并且真空干燥所得物以获得化合物3(247mg)。(产率:100%)
<制备例4_化合物4的制备>
Figure GDA0003267920080000403
将四(2,3,5,6-四氟-4-(全氟环丙基)苯基)硼酸钠(501mg,0.6823mmol)、二苯基碘
Figure GDA0003267920080000404
氯化物(216mg,0.6823mmol)、H2O(10mL)和丙酮(10mL)放入25mL圆底烧瓶中,并且剧烈搅拌30分钟。当产生沉淀物时,用水洗涤沉淀物以获得目标化合物4(677mg)。(产率:100%)
化合物4的MS数据示于图2中,化合物4的DSC数据示于图3中,化合物4的NMR谱示于图4中。
DSC数据是差示扫描量热计数据,并且通过图3看到掺杂剂材料的固化。
<制备例5_化合物5的制备>
Figure GDA0003267920080000411
将碳酸钾(10.4g,75.3mmol)放入500mL圆底烧瓶中,然后将二甲基甲酰胺(DMF)(200ml)放入该500mL圆底烧瓶中。向烧瓶中引入2,3,5,6-四氟苯酚(10.0g,60.22mmol),并且将所得物在60℃下搅拌30分钟。向反应溶液中缓慢添加4-乙烯基苄基氯(7.66g,50.18mmol),并且将所得物在60℃下搅拌16小时。之后,添加H2O(300mL)和EA(200ml)。使用EA(2×200mL)萃取有机层,并且用MgSO4除去剩余的水。使用EA:Hex=1:9将所得物过柱以获得目标化合物(11.2g)。(产率:79%)
Figure GDA0003267920080000412
在将1,2,4,5-四氟-3-((4-乙烯基苄基)氧基)苯(10g,35.43mmol)放入250ml圆底烧瓶中之后,向其中引入乙醚(130ml),并且搅拌所得物。将反应溶液冷却至-78℃,并且搅拌30分钟。经30分钟向其中缓慢注入n-BuLi(17ml,42.52mmol,2.5M在己烷中)。之后,将所得物搅拌1小时。经30分钟向其中缓慢引入BCl3(8.15ml,8.15mmol,1M在己烷中)。之后,将所得物进一步搅拌2小时,并且将反应溶液的温度缓慢升高至室温。在将反应溶液搅拌一天之后,向其中添加H2O(200ml)。使用乙醚(3×100mL)萃取合成的材料,并且除去全部溶剂,之后,使用苯用Dean-stark彻底除去水,并且过滤固体以获得目标化合物(6.2g)。(产率:66%)
Figure GDA0003267920080000421
将四(2,3,5,6-四氟-4-((4-乙烯基苄基)氧基)苯基)硼酸锂(6.2g,5.42mmol)、二苯基碘
Figure GDA0003267920080000423
氯化物(2.57g,8.13mmol)、H2O(50mL)和丙酮(10mL)放入25mL圆底烧瓶中,并且剧烈搅拌30分钟。使用MC(3×20mL)萃取有机溶剂,并且除去溶剂。使用MC:丙酮=9:1将所得物过柱以获得目标化合物(5.0g)。(产率:65%)
[图9]:化合物5的NMR谱
<制备例6_化合物6的制备>
Figure GDA0003267920080000422
将1-溴-2,3,5,6-四氟-4-(1,2,2-三氟乙烯基)苯(3g,9.7093mmol)和六氟环氧丙烷(3g,18.0701mmol)放入15mL不锈钢钢筒中,并且在190℃下加热4小时。在将容器缓慢冷却之后,用水(5mL)将容器内的溶液洗涤3次。使用硫酸镁干燥有机溶液。将该混合物使用9:1己烷:乙酸乙酯溶剂进行硅胶柱纯化以获得目标化合物(1.2g)。(产率:34%)
Figure GDA0003267920080000431
将Mg(81mg,3.3427mmol)、THF(10mL)和I2(4mg)放入25mL圆底烧瓶中并搅拌。向反应溶液中引入1-溴-2,3,5,6-四氟-4-(全氟环丙基)苯(1.2g,3.3427mmol),并且将所得物在室温下搅拌。在10小时之后,通过溶液变黑确定Mg的完全溶解,并且经30分钟向其中添加乙醚(10mL)和BCl3(0.8mL,0.8022mmol,1M在庚烷溶液中)。在将反应溶液搅拌一天之后,向其中添加Na2CO3(30mL,3.0mmol,0.1M在H2O中)。使用EA(3×10mL)萃取合成的材料,然后用MgSO4除去剩余的水。在除去全部溶剂之后,使用苯用Dean-stark彻底除去水,并且过滤固体以获得目标化合物(410mg)。(产率:44%)
Figure GDA0003267920080000432
将四(2,3,5,6-四氟-4-(全氟环丙基)苯基)硼酸钠(410mg,0.3565mmol)、二苯基碘
Figure GDA0003267920080000433
氯化物(113mg,0.3565mmol)、H2O(10mL)和丙酮(10mL)放入25mL圆底烧瓶中,并且剧烈搅拌30分钟。使用二氯甲烷(10mL×3)萃取所得物,然后在除去溶剂之后干燥以获得目标化合物6(502mg)(产率:100%)。
<制备例7-化合物7的制备>
Figure GDA0003267920080000441
将(4-溴-2,6-双(三氟甲基)苯基)甲醇(4g,12.3828mmol)、五氧化二磷(290mg,3.7148mmol)和氢醌(82mg,0.7430mmol)放入25mL圆底烧瓶中,并在160℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温之后,向其中缓慢添加饱和碳酸氢钠水溶液(15mL)。使用MC(3×10mL)萃取合成的材料,并且用MgSO4除去剩余的水。在除去MC溶剂之后,使用硅胶柱色谱(10%乙酸乙酯/己烷)纯化所得物,并且干燥以获得目标化合物(2.6g)。(产率:65%)
Figure GDA0003267920080000442
将Mg(198mg,8.1494mmol)、THF(20mL)和I2(8mg)放入100mL圆底烧瓶中并搅拌。向反应溶液中引入5-溴-1,3-双(三氟甲基)-2-乙烯基苯(2.6g,8.1494mmol),并且将所得物在室温下搅拌。在10小时之后,通过溶液变黑确定Mg的溶解,并且经30分钟向其中添加乙醚(20mL)和BCl3(2.0mL,1.9559mmol,1M在己烷溶液中)。在将反应溶液搅拌一天之后,向其中添加Na2CO3(40mL,3.0mmol,0.1M在H2O中)。使用EA(3×20mL)萃取合成的材料,并且用MgSO4除去剩余的水。在除去全部溶剂之后,使用苯用Dean-stark彻底除去水,并且过滤固体以获得目标化合物(1.1g)。(产率:59%)
Figure GDA0003267920080000451
将四(3,5-双(三氟甲基)-4-乙烯基苯基)硼酸钠(2g,2.0195mmol)、二苯基碘
Figure GDA0003267920080000452
氯化物(639mg,2.0195mmol)、H2O(20mL)和丙酮(20mL)放入50mL圆底烧瓶中,并且剧烈搅拌30分钟。使用二氯甲烷(20mL×3)萃取所得物,然后在除去溶剂之后干燥以获得目标化合物7(2.5g)。(产率:100%)
实验例1-1.使用涂覆组合物形成涂覆层
如下表1中所述地混合涂覆组合物,具体地,通过将由以下化合物1表示的p掺杂材料、作为以下[化合物A]的主体化合物和有机溶剂(环己酮)混合来生产涂覆组合物1。具体地,将化合物1、化合物A和有机溶剂以2:8:490的重量比混合以生产涂覆组合物,并且将涂覆组合物1旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
以与涂覆组合物1相同的方式生产涂覆组合物2,不同之处在于使用以下化合物2代替本公开内容的化合物1。将涂覆组合物2旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
以与涂覆组合物1相同的方式生产涂覆组合物3,不同之处在于使用以下化合物3代替本公开内容的化合物1。将涂覆组合物3旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
以与涂覆组合物1相同的方式生产涂覆组合物4,不同之处在于使用以下化合物4代替本公开内容的化合物1。将涂覆组合物4旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
以与涂覆组合物4相同的方式生产涂覆组合物5,不同之处在于使用以下[化合物B]代替本公开内容的[化合物A]。将涂覆组合物5旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
以与涂覆组合物4相同的方式生产涂覆组合物6,不同之处在于使用以下[化合物C]代替本公开内容的[化合物A]。将涂覆组合物6旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
以与涂覆组合物1相同的方式生产涂覆组合物7,不同之处在于使用以下化合物7代替本公开内容的化合物1。将涂覆组合物7旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
以与涂覆组合物1相同的方式生产涂覆组合物8,不同之处在于使用以下比较化合物1代替本公开内容的化合物1。将涂覆组合物8旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
以与涂覆组合物1相同的方式生产涂覆组合物9,不同之处在于使用以下比较化合物2代替本公开内容的化合物1。将涂覆组合物9旋涂以形成涂覆层,并且将膜在250℃或更低温度下烘烤。
实验例1-2.涂覆层的膜保留率的实验
为了检测使用涂覆组合物4、8和9中的每一种形成的涂覆层的膜保留率,在膜的顶部旋涂处理甲苯溶剂,并且洗涤所得物。
具体地,将涂覆组合物4以1000rpm的旋转速度旋涂60秒,然后通过在230℃的热板上加热30分钟来烘烤以形成薄膜。将所得物在甲苯中浸没10分钟,取出,并且使用UV-可见光谱测量膜保留率并示于图6中。
图6示出了涂覆组合物4的膜保留率数据。
除了使用涂覆组合物8代替涂覆组合物4之外,以相同的方式测量膜保留率,并且示于图7中。图7示出了涂覆组合物8的膜保留率数据。
除了使用涂覆组合物9代替涂覆组合物4之外,以相同的方式测量膜保留率,并且示于图8中。图8示出了涂覆组合物9的膜保留率数据。
通过比较上述形成膜的过程之前和之后的紫外吸收度的程度获得膜保留率数据。
通过上述结果,看出图6的结果与图7和图8的膜保留率数据在吸光度方面具有差异,这意味着由于吸光度的差异而在成膜效果方面具有差异。因此,确定与涂覆组合物8和9相比,涂覆组合物4具有增加的耐化学性和膜保留率。
[化合物1]
Figure GDA0003267920080000471
[化合物2]
Figure GDA0003267920080000472
[化合物3]
Figure GDA0003267920080000473
[化合物4]
Figure GDA0003267920080000481
[化合物7]
Figure GDA0003267920080000482
Figure GDA0003267920080000483
[化合物A]
Figure GDA0003267920080000491
[化合物B]
Figure GDA0003267920080000492
[化合物C]
Figure GDA0003267920080000493
[表1]
Figure GDA0003267920080000501
实施例1
Figure GDA0003267920080000502
将其上沉积有氧化铟锡(ITO)至
Figure GDA0003267920080000503
的厚度作为薄膜的玻璃基底放入溶解有清洁剂的蒸馏水中并进行超声清洗。在将ITO清洗30分钟之后,使用蒸馏水重复进行两次超声清洗10分钟。在用蒸馏水的清洗完成之后,用异丙醇和丙酮溶剂各自超声清洗基底30分钟,干燥,然后转移至手套箱。
在如上准备的透明ITO电极上旋涂表中所述的涂覆组合物1以形成厚度为
Figure GDA0003267920080000511
的空穴注入层,并在N2气氛下在热板上使涂覆组合物固化30分钟。此后,将所得物转移至真空沉积器,然后将化合物D真空沉积在空穴注入层上以形成空穴传输层。
随后,通过以相对于化合物E的8%的浓度真空沉积化合物F至
Figure GDA0003267920080000512
的厚度,在空穴传输层上形成发光层。在发光层上,将化合物G真空沉积至
Figure GDA0003267920080000513
的厚度以形成电子注入和传输层。通过以连续的顺序沉积LiF至
Figure GDA0003267920080000514
的厚度并沉积铝至
Figure GDA0003267920080000515
的厚度,在电子注入和传输层上形成阴极。
在上述过程中,将有机材料的沉积速率保持在
Figure GDA0003267920080000516
/秒至
Figure GDA0003267920080000517
/秒,将阴极的LiF和铝的沉积速率分别保持在
Figure GDA0003267920080000518
/秒和
Figure GDA0003267920080000519
/秒,并且将沉积期间的真空度保持在2×10-7托至5×10-8托。
实施例2
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于使用涂覆组合物2代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例3
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于使用涂覆组合物3代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例4
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于使用涂覆组合物4代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例5
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于使用涂覆组合物5代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例6
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于使用涂覆组合物6代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例7
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于使用涂覆组合物7代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
比较例1
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于使用涂覆组合物8代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
比较例2
以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件,不同之处在于使用涂覆组合物9代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
在10mA/cm2的电流密度下对使用上述方法制造的有机发光器件的驱动电压和发光效率进行测量的结果示于下表2中。
[表2]
Figure GDA0003267920080000521
基于表2的结果,确定与通常使用的掺杂剂相比,具有本说明书的化学式1的结构的掺杂剂对有机溶剂具有优异的溶解性,并因此适合于溶液法,并且,由于容易制备涂覆组合物,因此可以使用涂覆组合物形成均匀的涂覆层。此外,与现有的掺杂剂不同,存在固化基团以防止由层间流入引起的寿命减少,并因此,掺杂剂能够用于有机发光器件。

Claims (15)

1.一种包含由以下化学式1表示的阴离子基团的离子化合物:
[化学式1]
Figure FDA0003267920070000011
其中,在化学式1中,
Ar1至Ar4彼此相同或不同,Ar1至Ar4中的至少一者由以下化学式2表示,并且其余的Ar1至Ar4由以下化学式3表示,
[化学式2]
Figure FDA0003267920070000012
在化学式2中,R1至R5中的至少一者为F、氰基、或者经取代或未经取代的氟烷基;
其余的R1至R5中的至少一者为固化基团;
其余的R1至R5彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;硝基;-C(O)R100;-OR101;-SR102;-SO3R103;-COOR104;-OC(O)R105;-C(O)NR106R107;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的烯基;经取代或未经取代的炔基;经取代或未经取代的胺基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基;
R100至R107彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;或者经取代或未经取代的烷基,
[化学式3]
Figure FDA0003267920070000021
在化学式3中,R6至R10中的至少一者为固化基团;
其余的R6至R10彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;硝基;-C(O)R100;-OR101;-SR102;-SO3R103;-COOR104;-OC(O)R105;-C(O)NR106R107;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的氟烷基;经取代或未经取代的烯基;经取代或未经取代的炔基;经取代或未经取代的胺基;经取代或未经取代的芳基;或者经取代或未经取代的杂环基;以及
R100至R107彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氘;或者经取代或未经取代的烷基;
其中所述固化基团选自以下固化基团的组:
[固化基团的组]
Figure FDA0003267920070000022
在所述固化基团的组中,L为直接键;O;S;经取代或未经取代的亚烷基;或者经取代或未经取代的二价杂环基,
k为1或2的整数,并且当k为2时,括号中的取代基彼此相同或不同;以及
R21为经取代或未经取代的烷基。
2.根据权利要求1所述的离子化合物,其中化学式2由以下化学式2-1至2-10中的任一者表示:
[化学式2-1]
Figure FDA0003267920070000031
[化学式2-2]
Figure FDA0003267920070000032
[化学式2-3]
Figure FDA0003267920070000033
[化学式2-4]
Figure FDA0003267920070000034
[化学式2-5]
Figure FDA0003267920070000041
[化学式2-6]
Figure FDA0003267920070000042
[化学式2-7]
Figure FDA0003267920070000043
[化学式2-8]
Figure FDA0003267920070000044
[化学式2-9]
Figure FDA0003267920070000045
[化学式2-10]
Figure FDA0003267920070000051
3.根据权利要求1所述的离子化合物,其中化学式3由以下化学式3-1至3-8中的任一者表示:
[化学式3-1]
Figure FDA0003267920070000052
[化学式3-2]
Figure FDA0003267920070000053
[化学式3-3]
Figure FDA0003267920070000054
[化学式3-4]
Figure FDA0003267920070000055
[化学式3-5]
Figure FDA0003267920070000056
[化学式3-6]
Figure FDA0003267920070000061
[化学式3-7]
Figure FDA0003267920070000062
[化学式3-8]
Figure FDA0003267920070000063
4.根据权利要求1所述的离子化合物,其中化学式1的阴离子基团为选自以下结构式中的任一者:
Figure FDA0003267920070000064
Figure FDA0003267920070000071
Figure FDA0003267920070000081
在所述结构式中,r为1至4的整数,q为0至3的整数,并且q+r=4。
5.根据权利要求1所述的离子化合物,包含阳离子基团,其中所述阳离子基团选自一价阳离子基团、
Figure FDA0003267920070000083
类化合物或以下结构式:
Figure FDA0003267920070000082
在所述结构式中,X1至X76彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氰基;硝基;卤素基团;-COOR104;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的烷氧基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的氟烷基;或者经取代或未经取代的芳基,或者选自所述固化基团的组的固化基团;
R104为氢;氘;经取代或未经取代的烷基;
p为0至10的整数;以及
a为1或2,b为0或1,并且a+b=2。
6.根据权利要求5所述的离子化合物,其中所述阳离子基团由以下化学式10至化学式15中的任一者表示:
[化学式10]
Figure FDA0003267920070000091
[化学式11]
Figure FDA0003267920070000092
[化学式12]
Figure FDA0003267920070000093
[化学式13]
Figure FDA0003267920070000101
[化学式14]
Figure FDA0003267920070000102
[化学式15]
Figure FDA0003267920070000103
X100至X142彼此相同或不同,并且各自独立地为氢;氰基;硝基;卤素基团;-COOR104;经取代或未经取代的烷基;经取代或未经取代的烷氧基;经取代或未经取代的环烷基;经取代或未经取代的氟烷基;或者经取代或未经取代的芳基,或者选自所述固化基团的组的固化基团;以及
R104为经取代或未经取代的烷基。
7.根据权利要求5所述的离子化合物,其中所述阳离子基团为选自以下结构式中的任一者:
Figure FDA0003267920070000111
Figure FDA0003267920070000121
Figure FDA0003267920070000131
Figure FDA0003267920070000141
8.根据权利要求1所述的离子化合物,所述离子化合物选自以下结构式:
Figure FDA0003267920070000151
Figure FDA0003267920070000161
Figure FDA0003267920070000171
[化学式1-1-17]
Figure FDA0003267920070000172
Figure FDA0003267920070000173
Figure FDA0003267920070000181
[化学式1-2-5]
Figure FDA0003267920070000182
Figure FDA0003267920070000191
9.一种包含根据权利要求1至8中任一项所述的离子化合物的涂覆组合物。
10.根据权利要求9所述的涂覆组合物,所述涂覆组合物用于有机发光器件。
11.根据权利要求9所述的涂覆组合物,还包含为单体或聚合物的芳基胺化合物。
12.根据权利要求11所述的涂覆组合物,其中所述芳基胺化合物包含以下结构的固化基团中的至少一者:
Figure FDA0003267920070000201
在所述结构式中,L为直接键;O;S;经取代或未经取代的亚烷基;经取代或未经取代的亚芳基;或者经取代或未经取代的二价杂环基;以及
k为1或2的整数,并且当k为2时,括号中的取代基彼此不同,以及R21为经取代或未经取代的烷基。
13.一种有机发光器件,包括:
第一电极;
设置成与所述第一电极相对的第二电极;和
设置在所述第一电极与所述第二电极之间的一个或更多个有机材料层,
其中所述有机材料层的一个或更多个层包含根据权利要求9所述的涂覆组合物的固化材料。
14.根据权利要求13所述的有机发光器件,其中所述涂覆组合物的所述固化材料通过对所述涂覆组合物进行热处理或光处理而呈固化状态。
15.根据权利要求13所述的有机发光器件,其中包含所述涂覆组合物的所述固化材料的所述有机材料层为空穴传输层、空穴注入层、或同时进行空穴传输和空穴注入的层。
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