CN108290837B - 咔唑衍生物和使用其的有机发光器件 - Google Patents

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Abstract

本说明书涉及咔唑衍生物、包含所述咔唑衍生物的涂覆组合物、使用其的有机发光器件及用于制造其的方法。

Description

咔唑衍生物和使用其的有机发光器件
技术领域
本说明书要求于2015年11月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0169384号和于2016年11月16日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0152866号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及咔唑衍生物、包含所述咔唑衍生物的涂覆组合物、使用所述涂覆组合物形成的有机发光器件及所述有机发光器件的制造方法。
背景技术
有机发光现象是通过特定有机分子的内部过程将电流转换为可见光的实例之一。有机发光现象的原理如下。当将有机材料层放置在阳极与阴极之间并且向两个电极之间施加电流时，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到有机材料层中，注入到有机材料层中的空穴和电子复合形成激子，并且当这些激子落回基态时发光。使用这种原理的有机发光器件通常由以下构成：阴极，阳极，和放置在其间的有机材料层，例如包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层。
用于有机发光器件的材料大部分是纯有机材料或其中有机材料和金属形成配合物的配合物化合物，并且可以分为空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等。在此，作为空穴注入材料或空穴传输材料，通常使用具有p型特性的有机材料，即，容易被氧化且当被氧化时具有电化学稳定状态的有机材料。同时，作为电子注入材料或电子传输材料，通常使用具有n型特性的有机材料，即，容易被还原且当被还原时具有电化学稳定状态的有机材料。作为发光层材料，优选具有p型特性和n型特性二者的材料，即，在氧化态和还原态下均具有稳定形式的材料，并且优选具有高的当形成激子时将激子转换为光的发光效率的材料。
除了上述特性之外，优选的是，用于有机发光器件的材料另外具有如下特性。
首先，用于有机发光器件的材料优选具有优异的热稳定性。这是由于由有机发光器件中的电荷传输产生的焦耳热(joule heating)。目前通常用作空穴传输层材料的NPB具有100℃或更低的玻璃化转变温度，并且难以用于需要高电流的有机发光器件。
其次，为了获得能够低电压驱动的高效有机发光器件，注入到有机发光器件中的空穴或电子需要被顺利地传输至发光层，并且同时，需要防止注入的空穴和电子从发光层逸出。为此，用于有机发光器件的材料需要具有适当的带隙以及HOMO或LUMO能级。目前用作使用溶液涂覆方法制造的有机发光器件中的空穴传输材料的PEDOT:PSS具有与用作发光层材料的有机材料的LUMO能级相比更低的LUMO能级，并因此在制造具有高效率和长寿命的有机发光器件时存在问题。
除此之外，用于有机发光器件的材料需要具有优异的化学稳定性、电荷传输程度和与电极或相邻层的界面特性。换言之，用于有机发光器件的材料需要经历更少的由湿气或氧气引起的材料变形。此外，通过具有适当的空穴或电子迁移率，材料需要通过平衡有机发光器件的发光层中的空穴密度和电子密度来使激子形成最大化。为了器件稳定性，材料需要改善与包含金属或金属氧化物的电极的界面。
因此，本领域需要开发满足这些需求的有机材料。
发明内容
技术问题
本说明书涉及提供能够用于有机发光器件且满足上述条件的咔唑衍生物、和包含其的有机发光器件。
技术方案
本说明书的一个实施方案提供了由以下化学式1表示的咔唑衍生物。
[化学式1]
Figure GDA0002782522390000031
在化学式1中，
L为经取代或未经取代的亚芳基；经取代或未经取代的二价杂环基；或者-L7-NR’-L8-，L7和L8彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的亚芳基，R’为经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂环基，
L1和L4彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的亚芳基；或者经取代或未经取代的二价杂环基，
L2和L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的亚烷基；经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的亚烯基；经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的二价杂环基，
L5和L6彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的亚烷基；经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的亚烯基；经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的二价杂环基，
a和b各自为1至6的整数，
当a和b各自为2或更大时，括号中的结构彼此相同或不同，
R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的烷基；经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的烷氧基；经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基；经取代或未经取代的芳基胺基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂环基，或者相邻取代基彼此键合以形成经取代或未经取代的烃环；或者经取代或未经取代的杂环基，
n为1至4的整数，
当n为2或更大的整数时，两个或更多个L彼此相同或不同，以及
Y1至Y6彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；或者能够通过热或光交联的官能团，并且Y1至Y4中的至少一者或更多者为能够通过热或光交联的官能团。
本说明书的另一个实施方案提供了包含所述咔唑衍生物的涂覆组合物。
本说明书的又一个实施方案提供了有机发光器件，其包括：阴极；阳极；以及设置在阴极与阳极之间的一个或更多个有机材料层，其中有机材料层的一个或更多个层使用所述涂覆组合物形成。
最后，本说明书的再一个实施方案提供了用于制造有机发光器件的方法，其包括：准备基底；在基底上形成阴极或阳极；在阴极或阳极上形成一个或更多个有机材料层；以及在有机材料层上形成阳极或阴极，其中有机材料层的一个或更多个层使用所述涂覆组合物形成。
有益效果
根据本说明书的一个实施方案的咔唑衍生物能够进行溶液方法并且能够制造大面积器件。
根据本说明书的一个实施方案的咔唑衍生物能够用作有机发光器件的有机材料层的材料，并且能够提供低驱动电压、高发光效率和高寿命特性。
使用根据本说明书的一个实施方案的咔唑衍生物形成的有机材料层具有优异的热稳定性。
附图说明
图1示出了根据本说明书的一个实施方案的有机发光器件的实例。
图2是示出化学式E-1的NMR谱的图。
图3是示出化学式C-2的MS谱的图。
图4是示出化学式1-2的MS谱的图。
图5是示出化学式1-5的MS谱的图。
图6是示出化学式1-1的MS谱的图。
图7是示出化学式1-2的差示扫描量热测定的图。
图8是示出化学式1-5的差示扫描量热测定的图。
图9是示出化学式1-25的差示扫描量热测定的图。
图10是示出化学式1-26的MS谱的图。
图11是示出化学式1-27的NMR谱的图。
图12是示出化学式1-27的MS谱的图。
图13是示出化学式1-28的差示扫描量热测定的图。
图14是示出化学式1-28的NMR谱的图。
图15是示出化学式1-28的MS谱的图。
101：基底
201：阳极
301：空穴注入层
401：空穴传输层
501：发光层
601：电子传输层
701：阴极
具体实施方式
在下文中，将详细地描述本说明书。
在本说明书中，一个构件放置在另一构件“上”的描述不仅包括一个构件邻接另一构件的情况，还包括又一构件存在于这两个构件之间的情况。
在本说明书中，某部分“包括”某些构成要素的描述意指能够还包括其他构成要素，并且除非特别地相反说明，否则不排除其他构成要素。
在整个本说明书中，包括在马库什(Markush)形式的表达中的术语“其组合”意指选自马库什形式的表达中描述的构成要素中的一者或更多者的组合的混合物，并且意指包括选自所述构成要素中的一者或更多者。
本说明书的一个实施方案提供了由化学式1表示的咔唑衍生物。
在本说明书的一个实施方案中，Y1至Y6彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；或者能够通过热或光交联的官能团，并且Y1至Y4中的至少一者或更多者为能够通过热或光交联的官能团。
在本说明书中，“能够交联的官能团”可以意指通过暴露于热和/或光而使化合物交联的反应性取代基。交联可以通过热处理或光照射经由在碳-碳多重键或环状结构分解时产生的基团的连接发生。
在本说明书的一个实施方案中，Y1至Y6彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；或者以下结构中的任一者，并且Y1至Y4中的至少一者或更多者为以下结构中的任一者。
Figure GDA0002782522390000061
在所述结构中，
A1至A3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有1至6个碳原子的烷基。
如在本说明书的一个实施方案中，有机发光器件可以使用溶液涂覆方法用含有能够交联的官能团的咔唑衍生物来制造，并因此，在时间和成本方面是经济有效的。
此外，当使用包含含有能够交联的官能团的咔唑衍生物的涂覆组合物形成涂层时，能够交联的官能团通过热或光形成交联，因此，当在该涂层的顶部上层合另外的层时，防止包含在涂覆组合物中的咔唑衍生物被溶剂洗掉，并因此，可以在保留涂层的同时在涂层的顶部上层合另外的层。
另外，当能够交联的官能团形成交联以形成涂层时，涂层对溶剂的耐化学性增加，并且获得高的膜保留率的效果。
此外，可以使用溶液涂覆方法用根据本说明书的一个实施方案的咔唑衍生物制造有机发光器件，并因此，能够制造具有大面积的器件。
根据本说明书的一个实施方案，通过热处理或光处理形成交联的咔唑衍生物以多个咔唑衍生物交联的薄膜形式提供在有机发光器件中，并因此，获得表现出优异的热稳定性的效果。因此，使用根据本说明书的一个实施方案的咔唑衍生物的有机发光器件有效地表现出优异的寿命特性。
此外，根据本说明书的一个实施方案的咔唑衍生物在核结构中包含胺结构，并因此，可以具有作为有机发光器件中的空穴注入材料、空穴传输材料或发光材料的合适的能级和带隙。此外，合适的能级和带隙可以通过控制根据本说明书的一个实施方案的化学式1的化合物的取代基来精细地调节，并且通过增强有机材料之间的界面特性，可以提供具有低驱动电压和高发光效率的有机发光器件。
在下文中，将详细地描述本说明书的取代基。
在本说明书中，
Figure GDA0002782522390000071
意指与其他取代基或键合位点键合的位点。
在本说明书中，术语“取代”意指与化合物的碳原子键合的氢原子变为另一取代基，并且取代的位置没有限制，只要其是氢原子被取代的位置(即，取代基可以取代的位置)即可，并且当两个或更多个取代基取代时，两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。
在本说明书中，术语“经取代或未经取代的”意指被选自以下的一个或更多个取代基取代或者未被取代：氢；氘；卤素基团；腈基；硝基；羟基；烷基；烷氧基；烯基；芳基；胺基；和杂环基，或者被上述取代基中的两个或更多个取代基连接的取代基取代或者未被取代。例如，“两个或更多个取代基连接的取代基”可以包括联苯基。换言之，联苯基可以是芳基，或者解释为两个苯基连接的取代基。
在本说明书中，卤素基团的实例可以包括氟、氯、溴或碘。
在本说明书中，烷基可以为线性、支化或环状的，并且碳原子数没有特别限制，但优选为1至50。其具体实例可以包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但不限于此。
烷基可以被芳基或杂芳基取代以用作芳基烷基或杂芳基烷基。芳基或杂环基可以选自以下描述的芳基或杂环基的实例。
在本说明书中，烷基的长度不影响化合物的共轭长度，并且可能影响在有机发光器件中使用所述化合物的方法，例如，使用真空沉积法或溶液涂覆法。
在本说明书中，烷氧基可以为线性、支化或环状的。烷氧基的碳原子数没有特别限制，但优选为1至20。其具体实例可以包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基(isopropoxy)、异丙基氧基(i-propyloxy)、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苄氧基、对甲基苄氧基等，但不限于此。
烷氧基可以被芳基或杂芳基取代以用作芳氧基或杂芳氧基。芳基或杂环基可以选自以下描述的芳基或杂环基的实例。
在本说明书中，烯基可以为线性或支化的，并且虽然没有特别限制，但碳原子数优选为2至40。其具体实例可以包括乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、2-苯基乙烯基-1-基、2,2-二苯基乙烯基-1-基、2-苯基-2-(萘基-1-基)乙烯基-1-基、2,2-双(二苯基-1-基)乙烯基-1-基、茋基、苯乙烯基等，但不限于此。
烯基可以被芳基或杂芳基取代以用作芳基烯基或杂芳基烯基。芳基或杂环基可以选自以下描述的芳基或杂环基的实例。
在本说明书中，当芳基是单环芳基时，碳原子数没有特别限制，但优选为6至25。单环芳基的具体实例可以包括苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基等，但不限于此。
当芳基是多环芳基时，碳原子数没有特别限制，但优选为10至30。多环芳基的具体实例可以包括萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、
Figure GDA0002782522390000095
基、芴基等，但不限于此。
在本说明书中，芴基可以被取代，并且相邻取代基可以彼此键合以形成环。
当芴基被取代时，可以包括
Figure GDA0002782522390000091
和
Figure GDA0002782522390000092
Figure GDA0002782522390000093
等。然而，化合物不限于此。
芳基可以被烷基取代以用作芳基烷基。烷基可以选自上述实例。
在本说明书中，杂环基包含一个或更多个不是碳的原子(即，杂原子)，并且具体地，杂原子可以包括选自O、N、Se、S等的一种或更多种原子。杂环基的碳原子数没有特别限制，但优选为2至60。杂环基的实例可以包括：噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、
Figure GDA0002782522390000096
唑基、
Figure GDA0002782522390000097
二唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并
Figure GDA0002782522390000098
唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异
Figure GDA0002782522390000099
唑基、
Figure GDA00027825223900000910
二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、二苯并呋喃基等，但不限于此。
杂环基可以为单环或多环的，并且可以为芳族的、脂族的、或者芳族和脂族的稠环。
在本说明书中，胺基的碳原子数没有特别限制，但优选为1至30。胺基可以被上述的烷基、芳基、杂环基、烯基和环烷基及其组合取代。胺基的具体实例可以包括甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、苯基胺基、萘基胺基、联苯基胺基、蒽基胺基、9-甲基-蒽基胺基、二苯基胺基、苯基萘基胺基、二甲苯基胺基、苯基甲苯基胺基、三苯基胺基等，但不限于此。
在本说明书中，亚烷基、亚烯基和亚芳基可以选自烷基、烯基或芳基的实例，不同之处在于它们是二价的。
在本说明书中，“相邻”基团可以意指取代与相应取代基所取代的原子直接连接的原子的取代基，空间上最接近相应取代基的取代基，或者取代相应取代基所取代的原子的另一取代基。例如，在苯环中的邻位上取代的两个取代基和脂族环中取代同一碳的两个取代基可以被解释为彼此“相邻”的基团。
在本说明书中，通过相邻基团彼此键合以形成的环可以为单环或多环的，可以为脂族的、芳族的、或者脂族和芳族的稠环，并且可以形成烃环或杂环。
烃环可以选自环烷基或芳基的实例，不同之处在于烃环不是单价的。杂环可以为脂族的、芳族的、或者脂族和芳族的稠环，并且可以选自杂环基的实例，不同之处在于杂环不是单价的。
在本说明书的一个实施方案中，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的烷基；或者经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基。
在另一个实施方案中，R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；或者经取代或未经取代的具有1至30个碳原子的烷基。
在另一个实施方案中，多个R1中的相邻取代基彼此键合以形成经取代或未经取代的烃环；或者经取代或未经取代的杂环基。
在一个实施方案中，多个R1中的相邻取代基彼此键合以形成经取代或未经取代的烃环。
在另一个实施方案中，多个R1中的相邻取代基形成经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的烃环。
在另一个实施方案中，多个R1中的相邻取代基形成经取代或未经取代的苯环。
在另一个实施方案中，多个R1中的相邻取代基形成苯环。
在另一个实施方案中，多个R2中的相邻取代基彼此键合以形成经取代或未经取代的烃环；或者经取代或未经取代的杂环基。
在一个实施方案中，多个R2中的相邻取代基形成经取代或未经取代的烃环。
在另一个实施方案中，多个R2中的相邻取代基形成经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的烃环。
在另一个实施方案中，多个R2中的相邻取代基形成经取代或未经取代的苯环。
在另一个实施方案中，多个R2中的相邻取代基形成苯环。
在本说明书的一个实施方案中，R1为氢。
在另一个实施方案中，R2为氢。
在本说明书的一个实施方案中，L1和L4彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的亚芳基；或者经取代或未经取代的二价杂环基。
在本说明书的一个实施方案中，L1和L4彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的二价杂环基。
在本说明书的一个实施方案中，L1和L4彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；或者经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。
在本说明书的一个实施方案中，L1和L4彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；或者经取代或未经取代的亚苯基。
在本说明书的一个实施方案中，L1为直接键。
在另一个实施方案中，L1为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。
在另一个实施方案中，L1为经取代或未经取代的亚苯基。
在另一个实施方案中，L1为亚苯基。
在本说明书的一个实施方案中，L4为直接键。
在另一个实施方案中，L4为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。
在另一个实施方案中，L4为经取代或未经取代的亚苯基。
在另一个实施方案中，L4为亚苯基。
在另一个实施方案中，L2和L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂环基。
在本说明书的一个实施方案中，L2和L3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的亚苯基；经取代或未经取代的亚联苯基；经取代或未经取代的亚萘基；或者经取代或未经取代的亚芴基。
在本说明书的一个实施方案中，L2和L3为直接键。
在另一个实施方案中，L2为经取代或未经取代的亚苯基。
在另一个实施方案中，L2为亚苯基。
在本说明书的一个实施方案中，L2为经烷基取代的亚苯基。
在一个实施方案中，L2为经具有1至20个碳原子的烷基取代的苯基。
在另一个实施方案中，L2为经甲基取代的苯基。
在另一个实施方案中，L2为经取代或未经取代的联苯基。
在另一个实施方案中，L2为联苯基。
在另一个实施方案中，L2为经取代或未经取代的萘基。
在另一个实施方案中，L2为萘基。
在本说明书的一个实施方案中，L2为经取代或未经取代的芴基。
在另一个实施方案中，L2为未经取代或经烷基取代的芴基。
在另一个实施方案中，L2为经具有1至20个碳原子的烷基取代的芴基。
在另一个实施方案中，L2为经甲基取代的芴基。
在本说明书的一个实施方案中，L3为经取代或未经取代的芳基。
在另一个实施方案中，L3为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基。
在另一个实施方案中，L3为经取代或未经取代的苯基。
在另一个实施方案中，L3为苯基。
在本说明书的一个实施方案中，L3为经烷基取代的苯基。
在一个实施方案中，L3为经具有1至20个碳原子的烷基取代的苯基。
在另一个实施方案中，L3为经甲基取代的苯基。
在另一个实施方案中，L3为经取代或未经取代的联苯基。
在另一个实施方案中，L3为联苯基。
在另一个实施方案中，L3为经取代或未经取代的萘基。
在另一个实施方案中，L3为萘基。
在本说明书的一个实施方案中，L3为经取代或未经取代的芴基。
在另一个实施方案中，L3为未经取代或经烷基取代的芴基。
在另一个实施方案中，L3为经具有1至20个碳原子的烷基取代的芴基。
在另一个实施方案中，L3为经甲基取代的芴基。
在本说明书的一个实施方案中，L5和L6彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。
根据本说明书的一个实施方案，L5和L6彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的亚苯基。
在本说明书的一个实施方案中，n为1。
在另一个实施方案中，n为2。
在本说明书的一个实施方案中，L为经取代或未经取代的亚芳基；经取代或未经取代的二价杂环基；或者-L7-NR’-L8-。
在本说明书的一个实施方案中，L为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。
在另一个实施方案中，L为经取代或未经取代的亚苯基；经取代或未经取代的亚联苯基；或者经取代或未经取代的亚芴基。
在本说明书的一个实施方案中，L为亚苯基。
在另一个实施方案中，L为亚联苯基。
在另一个实施方案中，L为经烷基取代的亚芴基。
在另一个实施方案中，L为经具有1至20个碳原子的烷基取代的亚芴基。
在本说明书的一个实施方案中，L为经甲基取代的亚芴基。
在本说明书的一个实施方案中，L为经取代或未经取代的二价杂环基。
在本说明书的一个实施方案中，L为经取代或未经取代的包含一个或更多个N原子的二价杂环基。
在另一个实施方案中，L为经取代或未经取代的包含一个或更多个N原子的具有2至30个碳原子的二价杂环基。
在一个实施方案中，L为经取代或未经取代的亚咔唑基。
在本说明书的一个实施方案中，L为未经取代或经具有6至30个碳原子的芳基取代的亚咔唑基。
在一个实施方案中，L为经苯基取代的亚咔唑基。
在本说明书的一个实施方案中，L为-L7-NR’-L8-。
在本说明书的一个实施方案中，L7和L8彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。
在另一个实施方案中，L7和L8彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的亚苯基。
在另一个实施方案中，L7和L8为亚苯基。
在本说明书的一个实施方案中，R’为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂环基。
在本说明书的一个实施方案中，R’为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基。
在另一个实施方案中，R’为经取代或未经取代的苯基。
根据另一个实施方案，R’为苯基。
在本说明书的一个实施方案中，由化学式1表示的咔唑衍生物由以下化学式1-1至1-32中的任一者表示。
Figure GDA0002782522390000151
Figure GDA0002782522390000161
Figure GDA0002782522390000171
Figure GDA0002782522390000181
Figure GDA0002782522390000191
Figure GDA0002782522390000201
本说明书的另一个实施方案提供了包含上述咔唑衍生物的涂覆组合物。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物包含咔唑衍生物和溶剂。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物还可以包含选自聚合物化合物和在分子中引入能够交联的官能团的化合物中的一种或两种类型的化合物。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物还可以包含在分子中引入能够交联的官能团的化合物。当涂覆组合物还包含在分子中引入能够交联的官能团的化合物时，可以进一步提高涂覆组合物的固化程度。
根据本说明书的一个实施方案，在分子中引入能够交联的官能团的化合物的分子量为100g/mol至3000g/mol。在本说明书的另一个实施方案中，在分子中引入能够交联的官能团的化合物的分子量更优选地为500g/mol至2000g/mol。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物还可以包含聚合物化合物。当涂覆组合物还包含聚合物化合物时，可以提高涂覆组合物的墨特性。换言之，还包含聚合物化合物的涂覆组合物可以提供适用于涂覆或喷墨的粘度。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物的粘度为2cP至15cP。当粘度在上述范围内时，容易制造器件。
在本说明书的一个实施方案中，聚合物化合物的分子量为10000g/mol至200000g/mol。
在本说明书的一个实施方案中，聚合物化合物还可以包含能够交联的官能团。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物可以为液态。“液态”意指在室温和大气压下为液态。
在本说明书的一个实施方案中，溶剂的实例可以包括：基于醚的溶剂，例如四氢呋喃和二
Figure GDA0002782522390000211
烷；基于芳族烃的溶剂，例如甲苯、二甲苯、三甲苯和均三甲苯；基于脂族烃的溶剂，例如环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷和正癸烷；基于酮的溶剂，例如丙酮、甲基乙基酮、环己酮、异氟尔酮、四氢萘酮、十氢萘酮和乙酰丙酮；基于酯的溶剂，例如乙酸乙酯、乙酸丁酯和乙基溶纤剂乙酸酯；多元醇，例如乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙醚、丙三醇和1,2-己二醇，及其衍生物；基于醇的溶剂，例如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇和环己醇；基于亚砜的溶剂，例如二甲基亚砜；基于酰胺的溶剂，例如N-甲基-2-吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺；四氢化萘等，然而，溶剂没有特别限制，只要该溶剂能够溶解或分散根据本公开内容的一个实施方案的咔唑衍生物即可。
在另一个实施方案中，溶剂可以作为一种类型单独使用，或者作为两种或更多种类型的混合物使用。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物还可以包含选自热聚合引发剂和光聚合引发剂中的一种、两种或更多种类型的添加剂。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物不进一步包含p掺杂材料。
在另一个实施方案中，涂覆组合物进一步包含p掺杂材料。
在本说明书中，p掺杂材料可以有助于热固化或光固化。
在本说明书中，p掺杂材料意指使主体材料具有p半导体特性的材料。p半导体特性意指在最高占据分子轨道(highest occupied molecular orbital，HOMO)能级下接收或传输空穴的特性，即，具有高空穴传导性的材料的特性。
在本说明书的一个实施方案中，p掺杂材料可以由以下化学式2至5中的任一者表示。
[化学式2]
Figure GDA0002782522390000221
在化学式2中，
A1至A6彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；腈基；硝基；酰胺基；羰基；经取代或未经取代的磺酰基；经取代或未经取代的酯基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的烯基；经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂环，或者与相邻基团键合形成经取代或未经取代的烃环或者经取代或未经取代的杂环，
[化学式3]
Figure GDA0002782522390000222
在化学式3中，
Y3至Y6彼此相同或不同，并且各自独立地为CR或N，
A7和A8彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；腈基；-CF3；或者-COOA13，
R和A9至A13彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；卤素基团；腈基；经取代或未经取代的烷基；未经取代的烷基；经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的杂环基，或者与相邻基团键合形成经取代或未经取代的烃环或者经取代或未经取代的杂环，
[化学式4]
Figure GDA0002782522390000231
在化学式4中，
Y7彼此相同或不同，并且各自独立地为CR’或N，
R’和A14至A25彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；卤素基团；腈基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的甲硅烷基；或者经取代或未经取代的杂环基，或者与相邻基团键合形成经取代或未经取代的烃环或者经取代或未经取代的杂环，
[化学式5]
Figure GDA0002782522390000232
在化学式5中，
A26至A43彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的杂环基，或者与相邻基团键合形成经取代或未经取代的烃环或者经取代或未经取代的杂环。
在本说明书的一个实施方案中，A1至A6彼此相同或不同，并且各自独立地为腈基；硝基；经取代或未经取代的磺酰基(SO2Ra)；经取代或未经取代的烯基；或者经取代或未经取代的芳基。
Ra意指经取代或未经取代的芳基。
在另一个实施方案中，A1至A6各自为经腈基取代的烯基。
在本说明书的另一个实施方案中，A1至A6各自为硝基；或者经腈基取代的芳基。
在另一个实施方案中，A1至A6各自为硝基；或者经腈基取代的苯基。
在本说明书的一个实施方案中，由化学式2表示的化合物可以由以下化学式2-1至2-6中的任一者表示。
Figure GDA0002782522390000251
在本说明书的一个实施方案中，A14和A15彼此键合以形成经取代或未经取代的烃环。
在本说明书的一个实施方案中，A14和A15彼此键合以形成苯环。
在本说明书的一个实施方案中，A18和A19彼此键合以形成经取代或未经取代的烃环。
在本说明书的一个实施方案中，A18和A19彼此键合以形成苯环。
在本说明书的一个实施方案中，A20和A21彼此键合以形成经取代或未经取代的烃环。
在本说明书的一个实施方案中，A20和A21彼此键合以形成苯环。
在本说明书的一个实施方案中，Y7为N。
在本说明书的一个实施方案中，由化学式4表示的化合物可以由以下化学式4-1至4-3表示。
[化学式4-1]
Figure GDA0002782522390000261
[化学式4-2]
Figure GDA0002782522390000262
[化学式4-3]
Figure GDA0002782522390000271
在化学式4-1至4-3中，
Y7彼此相同或不同，并且各自独立地为CR’或N，
R’、A14至A19和A22至A25具有与化学式4中相同的限定。
A44至A59彼此相同或不同，并且各自独立地具有与A14至A25相同的限定，
A14’至A25’彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；卤素基团；腈基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的甲硅烷基；或者经取代或未经取代的杂环基。
在本说明书的一个实施方案中，p掺杂材料可以由以下结构的导电性掺杂剂表示，然而，结构不限于此。包含导电性掺杂剂可以意指增加使用咔唑衍生物形成的有机材料层的导电性的掺杂剂。
在本说明书的一个实施方案中，导电性掺杂剂可以由以下化学式7-1至7-11中的任一者表示。
[化学式7-1]
Figure GDA0002782522390000272
[化学式7-2]
Figure GDA0002782522390000281
[化学式7-3]
Figure GDA0002782522390000282
[化学式7-4]
Figure GDA0002782522390000283
[化学式7-5]
Figure GDA0002782522390000284
[化学式7-6]
Figure GDA0002782522390000291
[化学式7-7]
Figure GDA0002782522390000292
[化学式7-8]
Figure GDA0002782522390000293
[化学式7-9]
Figure GDA0002782522390000294
[化学式7-10]
Figure GDA0002782522390000301
[化学式7-11]
Figure GDA0002782522390000302
在另一个实施方案中，p掺杂材料可以是金属氧化物，例如MoO2(acac)2、VO(acac)2、V(acac)3或WO3，但不限于此。
在另一个实施方案中，p掺杂材料可以是卤化物，例如AgBF4、InCl3、FeCl3、GaCl3、SbCl5、AlCl3、BF3、I2或Na2IrCl6，但不限于此。
在另一个实施方案中，p掺杂材料可以包含含有磺酸化合物或硼阴离子的化合物作为离子化合物。
在另一个实施方案中，p掺杂材料可以为包含氰基的化合物，例如以下结构的化合物中的任一者，但不限于此。
Figure GDA0002782522390000311
在另一个实施方案中，可以使用聚苯乙烯磺酸酯(PSS)的聚合物材料作为p掺杂材料，然而，材料不限于此。
在另一个实施方案中，p掺杂材料可以为Ce(NH4)2(NO3)6或[FeCp2]PF6，但不限于此。
在本说明书中，p掺杂材料没有限制，只要其是具有p半导体特性的材料即可，并且可以在没有限制其类型的情况下使用其一种、两种或更多种类型。
在本说明书的一个实施方案中，基于全部的咔唑衍生物，p掺杂材料的含量可以为0重量％至50重量％。
在本说明书的一个实施方案中，基于涂覆组合物的总固体含量，p掺杂材料的含量为0重量％至30重量％。在本说明书的一个实施方案中，基于涂覆组合物的总固体含量，p掺杂材料的含量优选为1重量％至30重量％，并且在另一个实施方案中，基于涂覆组合物的总固体含量，p掺杂材料的含量更优选为1重量％至10重量％。
在另一个实施方案中，涂覆组合物还可以包含含有能够交联的官能团的单体或者含有能够通过热形成聚合物的端基的单体。含有能够交联的官能团的单体或者含有能够通过热形成聚合物的端基的单体的分子量可以为2000g/mol或更小。
如在本说明书的一个实施方案中，当涂覆组合物还包含含有能够交联的官能团的单体或者含有能够通过热形成聚合物的端基的单体时，可以降低固化温度，并且涂覆组合物可以更优选地由不影响本说明书的咔唑衍生物的物理特性的相似结构形成。
在本说明书的一个实施方案中，涂覆组合物具有2000g/mol或更小的分子量，并且还包含含有能够交联的官能团的单体或者含有能够通过热形成聚合物的端基的单体。
含有能够交联的官能团的单体或者含有能够通过热形成聚合物的端基的单体可以意指其中苯基、联苯基、芴或萘的芳基；芳基胺；或者咔唑经能够交联的官能团或能够通过热形成聚合物的端基取代的单体。
能够交联的官能团与上述的相同。
此外，在本说明书的一个实施方案中，含有能够交联的官能团的单体包括以下结构，然而，单体没有限制，只要其不损害涂覆组合物的特性即可。
Figure GDA0002782522390000321
在另一个实施方案中，含有能够通过热形成聚合物的端基的单体包括以下结构，然而，单体没有限制，只要其不损害涂覆组合物的特性即可。
Figure GDA0002782522390000322
本说明书的一个实施方案还提供了使用涂覆组合物形成的有机发光器件。
在本说明书的一个实施方案中，有机发光器件包括：阴极；阳极；以及设置在阴极与阳极之间的一个或更多个有机材料层，并且有机材料层的一个或更多个层使用涂覆组合物形成。
在本说明书的一个实施方案中，使用涂覆组合物形成的有机材料层是空穴传输层、空穴注入层、或同时进行空穴传输和空穴注入的层。
在另一个实施方案中，使用涂覆组合物形成的有机材料层是发光层。
在另一个实施方案中，使用涂覆组合物形成的有机材料层是发光层，并且发光层包含咔唑衍生物作为发光层的主体。
在本说明书的一个实施方案中，有机发光器件还包括选自以下的一个、两个或更多个层：空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层和空穴阻挡层。
在另一个实施方案中，有机发光器件可以是具有其中阳极、一个或更多个有机材料层和阴极连续层合在基底上的结构(正常型)的有机发光器件。
在另一个实施方案中，有机发光器件可以是具有其中阴极、一个或更多个有机材料层和阳极连续层合在基底上的反向结构(倒置型)的有机发光器件。
本说明书的有机发光器件的有机材料层可以以单层结构形成，但也可以以其中层合有两个或更多个有机材料层的多层结构形成。例如，本公开内容的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等作为有机材料层的结构。然而，有机发光器件的结构不限于此，并且可以包括更少数量的有机材料层。
例如，根据本说明书的一个实施方案的有机发光器件的结构示于图1中。
图1示出了其中阳极(201)、空穴注入层(301)、空穴传输层(401)、发光层(501)、电子传输层(601)和阴极(701)连续层合在基底(101)上的有机发光器件的结构。
在图1中，空穴注入层(301)、空穴传输层(401)和发光层(501)使用包含咔唑衍生物的涂覆组合物形成。
图1是示出有机发光器件的图，并且有机发光器件不限于此。
当有机发光器件包括多个有机材料层时，有机材料层可以由彼此相同或不同的材料形成。
本说明书的有机发光器件可以使用本领域已知的材料和方法来制造，不同之处在于有机材料层的一个或更多个层使用包含咔唑衍生物的涂覆组合物形成。
例如，本说明书的有机发光器件可以通过将阳极、有机材料层和阴极连续层合在基底上来制造。此处，有机发光器件可以如下制造：使用物理气相沉积(PVD)法如溅射或电子束蒸镀，通过沉积金属、具有导电性的金属氧化物或其合金而在基底上形成阳极，在其上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机材料层，然后在其上沉积能够用作阴极的材料。除了这种方法之外，有机发光器件还可以通过将阴极材料、有机材料层和阳极材料连续沉积在基底上来制造。
本说明书的一个实施方案还提供了用于制造使用涂覆组合物形成的有机发光器件的方法。
具体地，在本说明书的一个实施方案中，所述方法包括：准备基底；在基底上形成阴极或阳极；在阴极或阳极上形成一个或更多个有机材料层；以及在有机材料层上形成阳极或阴极，其中有机材料层的一个或更多个层使用涂覆组合物形成。
在本说明书的一个实施方案中，使用旋涂形成使用涂覆组合物形成的有机材料层。
在另一个实施方案中，使用印刷方法形成使用涂覆组合物形成的有机材料层。
在本说明书的一个实施方案中，印刷方法的实例包括喷墨印刷、喷嘴印刷、胶版印刷、转印印刷、丝网印刷等，但不限于此。
在另一个实施方案中，使用喷墨方法形成使用涂覆组合物形成的有机材料层。
根据本说明书的一个实施方案的涂覆组合物由于其结构特性而适用于溶液方法并且可以使用印刷方法来形成，并因此当制造器件时在时间和成本方面是经济有效的。
在本说明书的一个实施方案中，使用涂覆组合物形成的有机材料层的形成包括将涂覆组合物涂覆在阴极或阳极上；以及对经涂覆的涂覆组合物进行热处理或光处理。
在本说明书的一个实施方案中，热处理步骤中的热处理温度为230℃或更低，并且更优选地85℃至230℃。
在另一个实施方案中，热处理步骤中的热处理时间可以为1分钟至1小时。
在本说明书的一个实施方案中，当涂覆组合物不包含添加剂时，优选地，通过在85℃至230℃的温度下的热处理进行交联，并且更优选地，在85℃至200℃的温度下进行交联。此外，本说明书的涂覆组合物还可以包含引发剂，但是更优选地不使用引发剂。
当在使用涂覆组合物形成的有机材料层的形成中包括热处理或光处理步骤时，可以提供包括薄膜化结构的有机材料层，所述薄膜化结构由涂覆组合物中包含的多个咔唑衍生物形成交联而形成。在这种情况下，当在使用涂覆组合物形成的有机材料层的表面上层合另一层时，可以防止由溶剂引起的溶解、或者形态影响或分解。
因此，当使用涂覆组合物形成的有机材料层的形成包括热处理或光处理步骤时，耐溶剂性提高，并且可以通过反复进行溶液沉积和交联方法形成多个层，因此，可以通过提高稳定性来增强器件的寿命特性。
在本说明书的一个实施方案中，包含咔唑衍生物的涂覆组合物可以使用混合和分散至聚合物粘合剂中的涂覆组合物。
作为本说明书的一个实施方案中的聚合物粘合剂，优选不会极度抑制电荷传输的那些，并且优选使用对可见光没有表现出强烈吸收的那些。聚合物粘合剂的实例包括聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2,5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
通过根据本说明书的一个实施方案的咔唑衍生物包含咔唑和胺基，咔唑衍生物可以单独地包含在有机材料层中，或者包含咔唑衍生物的涂覆组合物可以通过热处理或光处理发展成薄膜，或者可以使用与其他单体混合的涂覆组合物作为共聚物包含在内。此外，通过使用与其他聚合物混合的涂覆组合物，涂覆组合物可以作为共聚物包含在内或者作为混合物在内。
作为阳极材料，通常优选具有大功函数的材料以使空穴顺利地注入有机材料层。能够用于本公开内容的阳极材料的具体实例包括：金属，例如钒、铬、铜、锌和金，或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)；金属和氧化物的组合，例如ZnO:Al或SnO2:Sb；导电聚合物，例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等，但不限于此。
作为阴极材料，通常优选具有小功函数的材料以使电子顺利地注入有机材料层。阴极材料的具体实例包括：金属，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅，或其合金；多层结构材料，例如LiF/Al或LiO2/Al等，但不限于此。
空穴注入层为注入来自电极的空穴的层，并且空穴注入材料优选为这样的化合物：其具有传输空穴的能力，因此具有阳极中的空穴的注入效应，对发光层或发光材料具有优异的空穴注入效应，防止发光层中产生的激子移动至电子注入层或电子注入材料，并且此外，具有优异的薄膜形成能力。空穴注入材料的最高占据分子轨道(HOMO)优选在阳极材料的功函数与周围有机材料层的HOMO之间。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料、基于喹吖啶酮的有机材料、基于苝的有机材料、蒽醌、以及基于聚苯胺和基于聚噻吩的导电聚合物等，但不限于此。
空穴传输层为接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，并且作为空穴传输材料，这样的材料是合适的：其能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴，使空穴移动至发光层并且具有高的空穴迁移率。其具体实例包括基于芳基胺的有机材料、导电聚合物、同时具有共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但不限于此。
发光材料为能够通过接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子并使空穴和电子结合而发出可见光区域内的光的材料，并且优选为对荧光或磷光具有有利的量子效率的材料。其具体实例包括：8-羟基喹啉铝配合物(Alq3)；咔唑系列化合物；二聚苯乙烯基化合物；BAlq；10-羟基苯并喹啉-金属化合物；苯并
Figure GDA0002782522390000362
唑、苯并噻唑和苯并咪唑系列化合物；聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)系列聚合物；螺环化合物；聚芴；红荧烯等，但不限于此。
发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料包括稠合芳族环衍生物、含杂环的化合物等。具体地，稠合芳族环衍生物包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，并且含杂环的化合物包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等，但材料不限于此。
掺杂剂材料包括芳族胺衍生物、苯乙烯胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体地，芳族胺衍生物为具有经取代或未经取代的芳基氨基的稠合芳族环衍生物，并且包括含有芳基氨基的芘、蒽、
Figure GDA0002782522390000363
、二茚并芘等，并且苯乙烯胺化合物是其中经取代或未经取代的芳基胺经至少一个芳基乙烯基取代的化合物，并且选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基氨基中的一个、两个或更多个取代基是经取代或未经取代的。具体地，包括苯乙烯胺、苯乙烯二胺、苯乙烯三胺、苯乙烯四胺等，但苯乙烯胺化合物不限于此。此外，金属配合物包括铱配合物、铂配合物等，但不限于此。
电子传输层为接收来自电子注入层的电子并将电子传输至发光层的层，并且作为电子传输材料，这样的材料是合适的：其能够有利地接收来自阴极的电子，使电子移动至发光层并且具有高的电子迁移率。其具体实例包括：8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等，但不限于此。电子传输层可以与如本领域所使用的任意期望的阴极材料一起使用。特别地，合适的阴极材料的实例包括具有低功函数的常用材料，其后接铝层或银层。具体地，阴极材料包括铯、钡、钙、镱和钐，并且在每种情况下，都后接铝层或银层。
电子注入层为注入来自电极的电子的层，并且电子注入材料优选为这样的化合物：其具有传输电子的能力，具有来自阴极的电子的注入效应，对发光层或发光材料具有优异的电子注入效应，防止发光层中产生的激子移动至空穴注入层，并且此外，具有优异的薄膜形成能力。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、
Figure GDA0002782522390000371
唑、
Figure GDA0002782522390000372
二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等及其衍生物，金属配合物化合物，含氮5元环衍生物等，但不限于此。
金属配合物化合物包括8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲苯酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但不限于此。
空穴阻挡层是阻挡空穴到达阴极的层，并且通常，可以在与空穴注入层相同的条件下形成。具体地，包括
Figure GDA0002782522390000374
二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、BCP、铝配合物等，然而，材料不限于此。
根据所使用的材料，根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发射型、底部发射型或双侧发射型。
在本说明书的一个实施方案中，除有机发光器件之外，杂环化合物可以包含在有机太阳能电池或有机晶体管中。
发明的实施方式
下文中，将参照实施例详细地描述本说明书。然而，根据本说明书的实施例可以被修改为各种其他形式，并且本说明书的范围不应解释为限于以下描述的实施例。提供本说明书的实施例以向本领域普通技术人员更全面地描述本说明书。
制备例1.化学式1-1的制备
Figure GDA0002782522390000381
Figure GDA0002782522390000382
Figure GDA0002782522390000383
(1)化学式A-1的制备
将N-苯基咔唑(27g，111mmol)溶解在氯仿(200mL)中，向其中添加N-溴代琥珀酰亚胺(19.7g，111mmol)，并在室温下将所得物搅拌5小时。
向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应，并萃取有机层。将反应溶液浓缩并且不经纯化过程用于下一步反应。MS:[M+H]+＝321
(2)化学式B-1的制备
在将步骤(1)中制备的化学式A-1(10.3g，32mmol)溶解在50mL四氢呋喃(THF)中之后，在-78℃下向其中引入1.1当量的正丁基锂(n-BuLi)(在己烷中2.5M，14.1mL，35.2mmol)并搅拌，向其中滴加10mL无水二甲基甲酰胺(DMF)。在相同的温度下将所得物搅拌1小时，然后向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应，并萃取有机层。将反应溶液浓缩并用乙醇(EtOH)重结晶以获得化学式B-1(9.5g，产率84％)。MS:[M+H]+＝272
(3)化学式C-1的制备
在将步骤(2)中制备的化学式B-1(4g，11.3mmol)和N-溴代琥珀酰亚胺(NBS2.74g，11.3mmol)溶解在50ml二甲基甲酰胺(DMF)中之后，在60℃下将所得物搅拌6小时。向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应并形成沉淀物，过滤所形成的沉淀物并用水充分洗涤。对所得物进行真空干燥以获得化学式C-1(3.1g，产率78％)。MS:[M+H]+＝349
(4)化学式D-1的制备
在将步骤(3)中制备的化学式C-1(3.1g，8.85mmol)和二羟基乙烷(1.1g，17.7mmol)溶解在50ml甲苯中之后，在150℃下将所得物搅拌48小时。向反应溶液中添加乙醇以形成沉淀物。过滤所形成的乳白色固体，用乙醇洗涤，然后真空干燥以获得化学式D-1(2.8g，产率80.2％)。MS:[M+H]+＝393
(5)化学式E-1的制备
在将步骤(4)中制备的化学式D-1(3.1g，8.85mmol)和N4,N4’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(1.24g，6.32mmol)溶解在100ml二甲苯中之后，向其中添加叔丁醇钠(1.2g，12.64mmol)、0.13g(0.23mmol)双二亚苄基丙酮钯(0)和0.11ml(0.23mmol)的50重量％三叔丁基膦甲苯溶液，在氮气氛下将所得物回流5小时。
向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应，并萃取有机层。使用正己烷/四氢呋喃＝6/1的溶剂对所得物进行柱分离，在乙醇(EtOH)中搅拌，过滤，然后真空干燥以获得化学式E-1(2.92g，产率48％)。MS:[M+H]+＝963
图2是示出化学式E-1的NMR谱的图。
(6)化学式F-1的制备
在将步骤(5)中制备的化学式E-1(2.92g，3.03mmol)溶解在50ml四氢呋喃(THF)中之后，向其中添加20ml 1N盐酸(HCl)溶液，并将所得物搅拌1小时。萃取有机材料层，用无水硫酸镁干燥，然后过滤，在除去溶剂之后，所得物用乙醇重结晶以获得化学式F-1(2.55g，产率96％)。MS:[M+H]+＝875
(7)化学式1-1的制备
在将(溴甲基)三苯基溴化磷
Figure GDA0002782522390000401
(3g，6.87mmol)溶解在100mL四氢呋喃(THF)中之后，在-78℃下向其中引入1当量的正丁基锂(n-BuLi)(在己烷中2.5M，2.8mL，6.87mmol)，将所得物搅拌20分钟。在将反应温度升至0℃之后，向反应物中引入步骤(6)中制备的化学式F-1(2g，2.29mmol)，并在相同温度下将所得物搅拌1小时。
向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应，并萃取有机层。将反应溶液浓缩，溶解在二氯甲烷(MC)中，然后用乙醇(EtOH)重结晶以获得化学式1-1(1.18g，产率59％)。MS:[M+H]+＝872
图6是示出化学式1-1的MS谱的图。
制备例2.化学式1-2的制备
Figure GDA0002782522390000411
(1)化学式B-2的制备
在将化学式A-1(9g，27.9mmol)和4-甲酰苯硼酸(4.18g，27.9mmol)溶解在无水四氢呋喃(THF)(100mL)中之后，向其中添加Pd(PPh3)4(0.32g，0.28mmol)和70ml的2M水性碳酸钾(K2CO3/H2O)溶液，并将所得物回流6小时。在将反应溶液冷却至室温之后，萃取有机层。将反应溶液浓缩并用乙醇(EtOH)重结晶以获得化学式B-2(8.9g，产率92％)。
MS:[M+H]+＝348
(2)化学式C-2的制备
在将步骤(1)中制备的化学式B-2(8.2g，23.6mmol)溶解在氯仿(200mL)中之后，向其中添加N-溴代琥珀酰亚胺(4.15g，23.6mmol)，并在室温下将所得物搅拌5小时。向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应，萃取有机层。将反应溶液浓缩并用乙醇(EtOH)重结晶以获得化学式C-2(8.25g，产率82％)。MS:[M+H]+＝425
图3是示出化学式C-2的MS谱的图。
(3)化学式D-2的制备
在将步骤(2)中制备的化学式C-2(3.1g，8.85mmol)和二羟基乙烷(1.1g，17.7mmol)溶解在50ml甲苯中之后，在150℃下将所得物搅拌48小时。向反应溶液中添加乙醇以形成沉淀物。过滤所形成的乳白色固体，用乙醇洗涤并真空干燥以获得化学式D-2(2.8g，产率80.2％)。MS:[M+H]+＝469
(4)化学式E-2的制备
在将步骤(3)中制备的化学式D-2(3g，7.04mmol)和N4,N4’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(0.99g，2.93mmol)溶解在40ml二甲苯中之后，向其中添加叔丁醇钠(0.68g，7.04mmol)、0.13g(0.23mmol)双二亚苄基丙酮钯(0)和0.11ml(0.23mmol)的50重量％三叔丁基膦甲苯溶液，在氮气氛下将所得物回流5小时。
向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应，并萃取有机层。使用正己烷/四氢呋喃＝6/1的溶剂对所得物进行柱分离，在乙醇(EtOH)中搅拌，过滤，然后真空干燥以获得化学式E-2(2.92g，产率48％)。MS:[M+H]+＝1027
(5)化学式1-2的制备
在将(溴甲基)三苯基溴化磷
Figure GDA0002782522390000421
(2.55g，5.85mmol)溶解在100mL四氢呋喃(THF)中之后，在-78℃下向其中引入1当量的正丁基锂(n-BuLi)(在己烷中2.5M，2.34mL，5.85mmol)，并将所得物搅拌20分钟。在将反应温度升至0℃之后，向反应物中引入步骤(4)中制备的化学式E-2(2g，1.95mmol)，并在相同温度下将所得物搅拌1小时。向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应，并萃取有机层。将反应溶液浓缩，溶解在二氯甲烷(MC)中，然后用乙醇(EtOH)重结晶以获得化学式1-2(1.28g，产率64％)。MS:[M+H]+＝1023
图4是示出化学式1-2的MS谱的图。
图7是示出化学式1-2的差示扫描量热测定的图。
制备例3.化学式1-5的制备
Figure GDA0002782522390000431
在将3-溴-9-苯基-6-(4-乙烯基苯基)-9H-咔唑(1.77g，4.18mmol)和N,N’-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(1.03g，1.82mmol)溶解在30ml甲苯之后，向其中添加叔丁醇钠(3.46g，36.07mmol)和0.09g(0.18mmol)双[三-叔丁基膦]钯(0)，并在氮气氛下将所得物回流24小时。
向反应溶液中引入蒸馏水以终止反应，并萃取有机层。使用正己烷/二氯甲烷＝1/1的溶剂对所得物进行柱分离，在乙醇(EtOH)中搅拌，过滤，然后真空干燥以获得化学式1-5(0.83g，产率15％)。MS:[M+H]+＝1254图5是示出化学式1-5的MS谱的图。
图8是示出化学式1-5的差示扫描量热测定的图。
制备例4.化学式1-17的制备
Figure GDA0002782522390000441
(1)化学式F-3的制备
在50mL反应烧瓶中将化学式E-2的化合物(2.05g，2mmol)溶解在50mL四氢呋喃(THF)中之后，向烧瓶中注入硼氢化钠(NaBH4)(1.00g，26mmol)和2mL乙醇。在室温下将所得物搅拌30分钟，然后添加水以终止反应。用乙酸乙酯萃取有机层，用无水硫酸镁干燥并浓缩，然后使用柱色谱(乙酸乙酯:己烷＝1:1)展开以获得化合物F-3，产率87％。
(2)化学式1-17的制备
在将化学式F-3的化合物(1.79g，1.74mmol)溶解在50mL四氢呋喃(THF)中之后，向其中注入三乙胺(0.43g，4.2mmol)，并在室温下将所得物搅拌10分钟。向反应物中滴加氯三乙氧基硅烷(1.02g，5.13mmol)，并在室温下将所得物搅拌15小时。向反应混合物中倒入水，并且所得物用乙酸乙酯萃取，用无水硫酸镁干燥，浓缩并使用柱色谱(乙酸乙酯:己烷＝1:2)分离以获得化学式1-17，产率93％。
制备例5.化学式1-25的制备
Figure GDA0002782522390000451
(1)化学式B-3的制备
以与制备例2的化学式B-2相同的方式获得化合物B-3，不同之处在于使用化学式A-2代替化学式A-1。MS:[M+H]+＝376
(2)化学式C-3的制备
以与制备例2的化学式C-2相同的方式获得化合物C-3，不同之处在于使用化学式B-3代替化学式B-2。MS:[M+H]+＝454
(3)化学式1-25的制备
以与制备例2的化学式E-2相同的方式获得化合物1-25，不同之处在于使用化学式E-3代替化学式D-2。MS:[M+H]+＝1075
图9是示出化学式1-25的差示扫描量热测定的图。
制备例6.化学式1-26的制备
Figure GDA0002782522390000461
(1)化学式1-26的制备
以与制备例2的化学式E-2相同的方式获得化合物1-26，不同之处在于使用化学式E-4代替化学式D-2。MS:[M+H]+＝1263
图10是示出化学式1-26的MS谱的图。
制备例7.化学式1-27的制备
Figure GDA0002782522390000462
(1)化学式E-6的制备
在250mL反应烧瓶中添加16mL DMF并搅拌10分钟之后，向其中添加POCl3(3.4ml，36.6mmol)，并将所得物搅拌10分钟以制备维路斯梅尔(vilsmeier)试剂。将化学式E-5的化合物(10g，12.2mmol)溶解在120ml 1,2-二氯乙烷中，向其中添加所制备的维路斯梅尔试剂，并在60℃下将所得物搅拌4小时。向反应器中添加水，将所得物再搅拌1小时并用DCM萃取。
使用MgSO4干燥有机溶液并过滤，然后使用旋转真空蒸发器除去溶剂。使用柱色谱(展开溶剂DCM/己烷＝1:2至1:1)纯化所得物以获得6.82g化学式E-6的化合物。
(2)化学式1-27的制备
在将甲基三苯基溴化磷
Figure GDA0002782522390000472
(9.8g，27.4mmol)溶解在150ml无水THF中之后，在-78℃下向其中引入n-BuLi(己烷中2.5M，9.6ml，24mmol)。在-78℃下将所得物搅拌30分钟并在0℃下搅拌1小时之后，将温度再次降至-78℃。将化学式E-6(3.5g，4mmol)溶解在无水THF中并使用插管引入反应烧瓶中。将所得物在-78℃下搅拌1小时并在室温下搅拌1小时。向其中添加水以终止反应，反应溶液用乙酸乙酯稀释。所得物用乙酸乙酯萃取，用NaSO4干燥并过滤。使用旋转真空蒸发器除去有机溶剂，并使用柱色谱(Et3N:DCM:己烷＝1:40:160至1:100:500)纯化混合物以获得2.93g的化学式1-27。
图11是示出化学式1-27的NMR谱的图。
图12是示出化学式1-27的MS谱的图。
制备例8.化学式1-28的制备
Figure GDA0002782522390000471
(1)化学式F-4的制备
将无水THF引入装有LiAlH(690g，17.22mmol)的烧瓶中，并将烧瓶浸入冰水中。将化学式E-6(5.02g，5.74mmol)溶解在THF中，并使用插管缓慢添加到反应烧瓶中。在0℃下将所得物搅拌3小时之后，使用NaOH水溶液终止反应，并将所得物搅拌约12小时。在过滤之后，使用旋转真空蒸发器除去有机溶剂。将残余物溶解在THF中并通过乙醇添加来沉淀以获得3.7g化学式F-4的化合物。
在将化学式F-4的化合物(2.02g，2.29mmol)溶解在50mL无水DMF中之后，将温度降至0℃。在添加NaH(60重量％，303mg，7.57mmol)之后，将所得物搅拌1小时，并向其中引入4-乙烯基苄基氯(780μl，5.5mmol)。在70℃下将所得物搅拌6小时之后，向其中引入水以完成反应，并使固体落下。尝试过滤没有成功，并且在该过程中形成其他副产物。在柱纯化之后，混合物使用DCM和己烷重结晶以获得0.2g化学式1-28的化合物。
图13是示出化学式1-28的差示扫描量热测定的图。
图14是示出化学式1-28的NMR谱的图。
图15是示出化学式1-28的MS谱的图。
实施例1.使用涂覆组合物形成涂层
如下表1-1中所述，通过使本公开内容的由化学式1表示的化合物、p掺杂材料和有机溶剂(环己酮)混合产生涂覆组合物。此外，将所制备的涂覆组合物如表1-1所述地进行旋涂，并将该膜在230℃至250℃下进行烘烤。
作为以下的p掺杂材料，使用化学式2-1的结构(有机化合物p掺杂材料)以及化学式7-1和化学式7-2的结构(d离子掺杂剂)，然而，p掺杂材料不限于此。
Figure GDA0002782522390000481
[表1-1]
Figure GDA0002782522390000491
Figure GDA0002782522390000492
Figure GDA0002782522390000501
实施例2.涂层的膜保留率的确定
为了确定使用表1-1的涂覆组合物形成的涂层的膜保留率，将甲苯溶剂旋转处理在膜的顶部上并洗涤。
当使用涂覆组合物1至28形成的膜包含p掺杂剂时，膜对于甲苯保持形状。
由结果可以确定，根据本说明书的一个实施方案的涂覆组合物包含含有能够交联的官能团的咔唑衍生物，并且能够交联的官能团形成交联，导致高的耐化学性和高的膜保留率。
实施例2-1.有机发光器件的制造
将其上涂覆有作为厚度为
Figure GDA0002782522390000502
的薄膜的氧化铟锡(ITO)的玻璃基底放入溶解有清洁剂的蒸馏水中并进行超声清洗。此处，使用Fischer Co.的产品作为清洁剂，并且使用由Millipore Co.制造的过滤器过滤两次的蒸馏水作为蒸馏水。在将ITO清洗30分钟之后，使用蒸馏水重复进行两次超声清洗10分钟。在使用蒸馏水的清洗完成之后，使用异丙醇和丙酮溶剂对基底进行超声清洗，然后干燥，洗涤5分钟，然后转移至手套箱。
在上述制备的透明ITO电极上旋涂表1-1中所述的涂覆组合物1并进行热处理以形成
Figure GDA0002782522390000503
的厚度。此后，将所得物转移至真空沉积器，然后在空穴注入层上真空沉积以下化合物1形成空穴传输层。
Figure GDA0002782522390000511
随后，在空穴传输层上通过真空沉积厚度为
Figure GDA0002782522390000512
的8％浓度的化合物2和化合物3形成发光层。在发光层上通过真空沉积厚度为
Figure GDA0002782522390000513
的化合物4形成电子注入和传输层。
在电子注入和传输层上通过依次沉积厚度为
Figure GDA0002782522390000514
的氟化锂(LiF)和厚度为
Figure GDA0002782522390000515
的铝形成阴极。
在上述过程中，有机材料的沉积速率保持在
Figure GDA0002782522390000516
/秒至
Figure GDA0002782522390000517
/秒，阴极的氟化锂和铝的沉积速率分别保持在
Figure GDA0002782522390000518
/秒和
Figure GDA0002782522390000519
/秒，沉积期间的真空度保持在2×10-7托至5×10-8托。
实施例2-2
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物2代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-3
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物3代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-4
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物4代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-5
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物5代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-6
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物6代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-7
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物7代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-8
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物8代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-9
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物9代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-10
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物10代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-11
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物11代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-12
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物12代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-13
以与实施例2-1相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用涂覆组合物13代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
实施例2-14至2-22
以与实施例2-1相同的方式进行实施例2-14至实施例2-22，不同之处在于分别使用涂覆组合物14至22代替涂覆组合物1作为空穴注入层。
在20mA/cm2的电流密度下测量使用上述方法制造的有机发光器件的驱动电压和发光效率的结果示于下表1中。
[表1]
实施例 组合物 驱动电压(V) 电流效率(cd/A) 功率效率(Lm/W)
实施例2-1 1 9.83 2.72 0.87
实施例2-2 2 7.75 3.41 1.38
实施例2-3 3 8.42 3.13 1.17
实施例2-4 4 10.52 2.61 0.78
实施例2-5 5 8.23 3.11 1.19
实施例2-6 6 7.51 3.24 1.36
实施例2-7 7 8.19 2.99 1.15
实施例2-8 8 9.0 3.9 1.36
实施例2-9 9 9.25 2.24 0.76
实施例2-10 10 8.22 2.78 1.06
实施例2-11 11 8.85 3.01 1.07
实施例2-12 12 8.83 2.66 0.95
实施例2-13 13 7.75 3.83 1.55
实施例2-14 14 7.48 4.34 1.82
实施例2-15 15 5.24 4.69 2.81
实施例2-16 16 5.12 4.84 2.97
实施例2-17 17 5.62 4.22 2.36
实施例2-15 18 5.18 4.73 2.87
实施例2-16 19 5.24 4.63 2.78
实施例2-17 20 6.12 3.33 1.71
实施例2-15 21 7.10 4.11 1.82
实施例2-16 22 8.45 4.24 1.58
实施例2-17 23 5.57 4.97 4.48
实施例2-18 24 4.80 3.62 2.37
实施例2-19 25 4.84 3.79 2.47
实施例2-20 26 6.21 4.27 2.17
实施例2-21 27 6.08 4.27 2.21
实施例2-22 28 6.72 3.82 1.80
基于表1的结果，根据本说明书的一个实施方案的咔唑衍生物具有在有机溶剂中优异的溶解度，容易制备涂覆组合物，并且使用所述涂覆组合物，可以形成涂层。
此外，可以确定，在所形成的涂层中，包含在涂覆组合物中的含有能够交联的官能团的咔唑衍生物彼此交联，并且能够形成不被溶剂洗掉的层，因此，可以使用溶液方法来层合另外的层，并且可以确定，可以使用咔唑衍生物作为有机发光器件的材料。

Claims (18)

1.一种由以下化学式1表示的咔唑衍生物：
[化学式1]
Figure FDA0002782522380000011
其中，在化学式1中，
L为亚苯基；
L1和L4彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；或具有6至30个碳原子的亚芳基；
L2和L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；具有1至30个碳原子的亚烷基；具有1至30个碳原子的亚烯基；或经具有1至50个碳原子的烷基取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基；
L5和L6彼此相同或不同，并且各自独立地为具有1至30个碳原子的亚烷基；具有2至30个碳原子的亚烯基；或具有6至30个碳原子的亚芳基；
a和b各自为1至6的整数；
当a和b各自为2或更大时，括号中的结构彼此相同或不同；
R1和R2各自独立地为氢；
n为1至4的整数；以及
Y1至Y6彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；或者能够通过热或光交联的官能团，并且Y1至Y4中的至少一者为能够通过热或光交联的官能团，
其中所述能够通过热或光交联的官能团为以下结构中的任一者：
Figure FDA0002782522380000021
Figure FDA0002782522380000022
其中，在所述结构中，
A1至A3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有1至6个碳原子的烷基。
2.根据权利要求1所述的咔唑衍生物，其中L5和L6彼此相同或不同，并且各自独立地为具有6至30个碳原子的亚芳基。
3.根据权利要求1所述的咔唑衍生物，其中L1和L4彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；或者亚苯基。
4.根据权利要求1所述的咔唑衍生物，其中L2和L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；亚苯基；亚联苯基；亚萘基；或者经具有1至20个碳原子的烷基取代的亚芴基。
5.根据权利要求1所述的咔唑衍生物，其中由化学式1表示的咔唑衍生物由以下化学式中的任一者表示：
Figure FDA0002782522380000031
Figure FDA0002782522380000041
Figure FDA0002782522380000051
Figure FDA0002782522380000061
6.一种涂覆组合物，包含根据权利要求1至5中任一项所述的咔唑衍生物。
7.根据权利要求6所述的涂覆组合物，还包含p掺杂材料。
8.根据权利要求7所述的涂覆组合物，其中所述p掺杂材料包含磺酸化合物或硼阴离子作为离子化合物。
9.根据权利要求6所述的涂覆组合物，其粘度为2cP至15cP。
10.一种有机发光器件，包括：
阴极；
阳极；以及
设置在所述阴极与所述阳极之间的一个或更多个有机材料层，
其中所述有机材料层的一个或更多个层使用根据权利要求6所述的涂覆组合物形成。
11.根据权利要求10所述的有机发光器件，其中使用所述涂覆组合物形成的所述有机材料层为空穴传输层、空穴注入层、或同时进行空穴传输和空穴注入的层。
12.根据权利要求10所述的有机发光器件，其中使用所述涂覆组合物形成的所述有机材料层为发光层。
13.一种用于制造有机发光器件的方法，包括：
准备基底；
在所述基底上形成阴极或阳极；
在所述阴极或所述阳极上形成一个或更多个有机材料层；以及
在所述有机材料层上形成阳极或阴极，
其中所述有机材料层的一个或更多个层使用根据权利要求6所述的涂覆组合物形成。
14.根据权利要求13所述的用于制造有机发光器件的方法，其中使用旋涂形成所述有机材料层，所述有机材料层使用所述涂覆组合物形成。
15.根据权利要求13所述的用于制造有机发光器件的方法，其中使用印刷方法形成所述有机材料层，所述有机材料层使用所述涂覆组合物形成。
16.根据权利要求13所述的用于制造有机发光器件的方法，其中使用喷墨方法形成所述有机材料层，所述有机材料层使用所述涂覆组合物形成。
17.根据权利要求14所述的用于制造有机发光器件的方法，其中使用所述涂覆组合物形成的有机材料层的形成包括将所述涂覆组合物涂覆在所述阴极或所述阳极上；以及对经涂覆的涂覆组合物进行热处理或光处理。
18.根据权利要求17所述的用于制造有机发光器件的方法，其中对所述经涂覆的涂覆组合物进行热处理的热处理温度为230℃或更低。
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