TWI636564B - 柔性顯示裝置及其製備方法 - Google Patents

柔性顯示裝置及其製備方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI636564B
TWI636564B TW106121328A TW106121328A TWI636564B TW I636564 B TWI636564 B TW I636564B TW 106121328 A TW106121328 A TW 106121328A TW 106121328 A TW106121328 A TW 106121328A TW I636564 B TWI636564 B TW I636564B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
flexible
display device
display element
flexible display
Prior art date
Application number
TW106121328A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201806145A (zh
Inventor
張宏偉
簡良能
曾士賓
林益祥
Original Assignee
鴻海精密工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 鴻海精密工業股份有限公司 filed Critical 鴻海精密工業股份有限公司
Publication of TW201806145A publication Critical patent/TW201806145A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI636564B publication Critical patent/TWI636564B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一種柔性顯示裝置的製備方法,其包括如下步驟:提供硬質基底,在所述硬質基底上依次形成犧牲層、金屬層、緩衝層、和柔性層;在所述柔性層上形成一顯示元件層;熱壓處理,以使所述顯示元件層與所述柔性層結合;雷射照射處理,以使所述犧牲層與所述金屬層相互剝離,進而所述顯示元件層、所述柔性層、所述緩衝層、所述金屬層配合形成所述柔性顯示裝置。該柔性顯示裝置的製備方法,所述金屬層與所述犧牲層剝離徹底,不會出現剝離不均的現象。本發明還提供由上述方法制得的柔性顯示裝置。

Description

柔性顯示裝置及其製備方法
本發明涉及一種顯示裝置及其製備方法,尤其涉及一種柔性顯示裝置及其製備方法。
柔性顯示裝置指的是一種藉由將顯示單元形成在諸如聚醯亞胺的柔性基底上而具有柔性的裝置。由於柔性顯示裝置的形狀可以改變為使其尺寸減小以便於攜帶,因此柔性顯示裝置是非常方便的。習知的柔性顯示裝置的製備通常是將柔性基底(如聚醯亞胺)形成在一個硬質載體上(如常規玻璃基板)上,柔性基底上形成顯示單元,然後將柔性基底與硬質載體剝離。然而,採用雷射剝離法(Laser-Lift-Off,LLO)剝離柔性基底與硬質基底時,因溫度、施壓範圍不均造成柔性基底與硬質基底表面附著能量差異,導致剝離介面不均勻性,進而影響柔性顯示裝置的整體製程良率。
鑒於以上內容,有必要提供一種良率較高的柔性顯示裝置的製備及使用該方法制得的柔性顯示裝置。
一種柔性顯示裝置的製備方法,其包括如下步驟: 提供一硬質基底,在所述硬質基底上依次形成一犧牲層、一金屬層、一緩衝層和一柔性層;對所述金屬板進行局部蝕刻,蝕刻後的金屬板形成為框體,該框體覆蓋所述塑膠層的周邊;在所述塑膠層具有所述框體的表面形成間隔設置的複數個磁性元件,沿遠離塑膠層的方向每一個磁性元件逐漸變細;在所述塑膠層未被所述框體和所述複數個磁性元件覆蓋的區域上開設貫穿所述塑膠層的複數個開口。
一種柔性顯示裝置,其包括層疊設置的柔性基底和顯示元件層,所述柔性基底包括依次層疊設置的金屬層、緩衝層、及柔性層;所述顯示元件層位於所述柔性層遠離所述緩衝層的表面。
上述柔性顯示裝置的製備方法,所述金屬層與所述犧牲層剝離徹底,不會出現剝離不均的現象。
100‧‧‧柔性顯示裝置
10‧‧‧硬質基底
20‧‧‧犧牲層
30‧‧‧金屬層
40‧‧‧緩衝層
50‧‧‧柔性層
60‧‧‧顯示元件層
70‧‧‧保護層
110‧‧‧保護墊
120‧‧‧按壓裝置
130‧‧‧雷射源
61‧‧‧TFT陣列層
62‧‧‧陰極層
63‧‧‧有機發光層
64‧‧‧陽極層
圖1是本發明較佳實施方式的柔性顯示裝置的製備步驟一的示意剖面圖。
圖2是本發明較佳實施方式的柔性顯示裝置的製備步驟二的示意剖面圖。
圖3是本發明較佳實施方式的柔性顯示裝置的製備步驟三的示意剖面圖。
圖4是本發明較佳實施方式的柔性顯示裝置的製備步驟四的示意剖面圖。
圖5是較佳實施方式的顯示元件層的剖面示意圖。
圖6是較佳實施方式的柔性顯示裝置的示意圖。
圖7是圖6沿剖面線V-V剖開的剖面示意圖。
請一併參閱圖1至圖4,本發明較佳實施方式的柔性顯示裝置100(如圖6-7所示)的製備方法的示意圖。本實施例中,所述柔性顯示裝置100為一有機電致發光(OLED)顯示裝置。可以理解的,在其他的實施例中,所述柔性顯示裝置100也可為液晶顯示裝置。
本發明較佳實施方式的柔性顯示裝置100(如圖6-7所示)的製備方法包括如下步驟。
步驟S1:如圖1所示,提供一硬質基底10,並在所述硬質基底10上依次形成一犧牲層20、一金屬層30、一緩衝層40和一柔性層50。
該硬質基底10為本領域常規使用的各種透明的硬質材料,如玻璃、藍寶石等。本實施例中,該硬質基底10優選為透明的玻璃基底。該硬質基底10可讓雷射通過。
該犧牲層20的材質可為聚醯亞胺、多晶矽、單晶矽或非晶矽。該犧牲層20的厚度為10-20微米。
該金屬層30作為介面剝離層,利於後續與所述犧牲層20和所述硬質基底10進行剝離。該金屬層30的材質本領域常規使用的各種金屬或金屬合金,如鈦、鈦合金、不銹鋼等。該金屬層30的厚度較薄,因此具有一定的柔韌性,可彎曲變形。
該緩衝層40用以吸收穿透犧牲層20之過多的雷射能量,防止雷射影響破壞所述柔性層50。該緩衝層40的材質可為無機材料,如,可為氮化矽、氧化矽、碳氧化矽、氮氧化矽和碳氮化矽中的一種或多種的組合。此 外,該緩衝層40還可以防止水汽等進入到後續的顯示元件層60(如圖2所示)中。
所述柔性層50的材質為聚合物。本實施例中,所述犧牲層20和所述柔性層50優選採用相同的材料,如聚醯亞胺。
步驟S2:如圖2所示,在所述柔性層50上形成一顯示元件層60。所述顯示元件層60位於所述柔性層50遠離所述緩衝層40的表面。
本實施例中,所述顯示元件層60為本領域常規的OLED顯示元件層。如圖5所示,所述顯示元件層60可包括層疊設置的一TFT陣列層61、一陰極層62、一有機發光層63和一陽極層64。其中所述TFT陣列層61直接形成在柔性層50上。形成所述顯示元件層60的步驟可包括在所述柔性層50上依次形成TFT陣列層61、陰極層62、有機發光層63和陽極層64。所述TFT陣列層61用以驅動所述有機發光層63發光。所述TFT陣列層61包括相互平行的多條資料線(圖未示)和相互平行的多條掃描線(圖未示),其中資料線與掃描線相互絕緣且相互交叉。所述多條資料線和所述多條掃描線相互交叉定義複數個畫素區域(圖未示)。每一個畫素區域對應設置有薄膜電晶體(圖未示)。
可以理解的,所述方法還可包括在完成步驟S2後在所述顯示元件層60上形成一保護層70的步驟。
步驟S3:如圖3所示,對所述顯示元件層60、所述柔性層50、所述緩衝層40、所述金屬層30、所述犧牲層20和所述硬質基底10形成的層疊體進行熱壓處理,以使所述顯示元件層60與所述柔性層50牢固結合。
如圖3所示,熱壓處理時在所述顯示元件層60遠離所述硬質基底10的一側放置有一保護墊110,使用一按壓裝置120放置在所述保護墊110上對所述顯示元件層60進行按壓。按壓方向為由所述顯示元件層60指向所述柔 性層50的方向。本實施例中,所述按壓裝置120可為一滾輪。所述保護墊110用以避免按壓過程中按壓裝置120對所述顯示元件層60的破壞,所述保護墊110的材質可為矽膠。所述熱壓處理的溫度控制為65-75攝氏度左右,優選70攝氏度。
步驟S4:如圖4所示,在該硬質基底10一側對所述顯示元件層60、所述柔性層50、所述緩衝層40、所述金屬層30、所述犧牲層20和所述硬質基底10形成的層疊體進行雷射照射處理,以使所述犧牲層20與所述金屬層30相互剝離。
雷射照射處理時採用雷射源130放置在所述硬質基底10遠離所述顯示元件層60的一側,所述雷射源130發射雷射光束穿透所述硬質基底10和所述犧牲層20達到所述犧牲層20與所述金屬層30的臨界處。所述犧牲層20在雷射能量作用下產生熔融、分解、氣化等現象,進而所述金屬層30與所述犧牲層20剝離開。採用該種剝離方法,所述金屬層30與所述犧牲層20剝離徹底,不會出現剝離不均的現象。
最終,所述顯示元件層60、所述柔性層50、所述緩衝層40、所述金屬層30形成所述柔性顯示裝置100。
可以理解的,所述犧牲層20也可以在雷射作用下完全去除。
可以理解的,所述金屬層30與所述犧牲層20剝離後,所述硬質基底10上可能會殘留部分的犧牲層20,去除所述硬質基底10上殘留的部分的犧牲層20,則所述硬質基底10還可進行重複利用。
請參閱圖6及圖7,本發明較佳實施方式的柔性顯示裝置100包括層疊設置的柔性基底和顯示元件層60。所述柔性基底包括依次層疊設置的金屬層30、緩衝層40、及柔性層50。其中所述顯示元件層60位於所述柔性層50遠離所述緩衝層40的表面。
該金屬層30的材質本領域常規使用的各種金屬或金屬合金,如鈦、鈦合金、不銹鋼等。該金屬層30的厚度較薄,因此具有一定的柔韌性,可彎曲變形,不影響所述柔性顯示裝置100的整體柔性。
該緩衝層40可防止水汽等進入到顯示元件層60中。該緩衝層40的材質可為無機材料,如氮化矽、氧化矽、碳氧化矽、氮氧化矽、和碳氮化矽。
所述柔性層50的材質為聚合物。本實施例中,所述犧牲層20和所述柔性層50優選採用相同的材料,如聚醯亞胺。
本實施例中,所述柔性顯示裝置100為一有機電致發光顯示裝置。所述顯示元件層60為本領域常規的OLED顯示元件層。所述顯示元件層60包括層疊設置的一TFT陣列層61、陰極層62、有機發光層63、陽極層64。所述TFT陣列層61用以驅動所述有機發光層63發光。所述TFT陣列層61包括相互平行的多條資料線和相互平行的多條掃描線,其中資料線與掃描線相互絕緣且相互交叉。所述多條資料線和所述多條掃描線相互交叉定義複數個畫素區域。每一個畫素區域對應設置有薄膜電晶體。
可以理解的,在其他的實施例中,所述柔性顯示裝置100也可為液晶顯示裝置。
可以理解的,所述柔性顯示裝置100還包括形成在所述顯示元件層60上的保護層70。本實施例中,所述保護層70形成在所述柔性層50上且包裹所述顯示元件層60。

Claims (10)

  1. 一種柔性顯示裝置的製備方法,其包括如下步驟:提供一硬質基底,在所述硬質基底上依次形成一犧牲層、一金屬層、一緩衝層和一柔性層;在所述柔性層遠離所述緩衝層的表面形成一顯示元件層;對所述顯示元件層、所述柔性層、所述緩衝層、所述金屬層、所述犧牲層和所述硬質基底形成的層疊體進行熱壓處理,以使所述顯示元件層與所述柔性層結合;在該硬質基底一側對所述層疊體進行雷射照射處理,以使所述犧牲層與所述金屬層相互剝離,進而所述顯示元件層、所述柔性層、所述緩衝層及所述金屬層配合形成所述柔性顯示裝置。
  2. 如請求項1所述的柔性顯示裝置的製備方法,其中:該犧牲層和柔性層的材料均為聚醯亞胺。
  3. 如請求項1所述的柔性顯示裝置的製備方法,其中:該緩衝層的材料為氮化矽、氧化矽、碳氧化矽、氮氧化矽、或碳氮化矽。
  4. 如請求項1所述的柔性顯示裝置的製備方法,其中:所述顯示元件層為有機電致發光顯示元件層,所述顯示元件層包括層疊設置的TFT陣列層、陰極層、有機發光層和陽極層。
  5. 如請求項1所述的柔性顯示裝置的製備方法,其中:熱壓處理時使用一按壓裝置對所述顯示元件層進行按壓,熱壓處理的溫度控制為65-75攝氏度。
  6. 如請求項5所述的柔性顯示裝置的製備方法,其中:熱壓處理時在所述顯示元件層遠離所述硬質基底的一側放置有一保護墊,所述按壓裝置放置在所述保護墊上對所述顯示元件層進行按壓。
  7. 一種柔性顯示裝置,其包括層疊設置的柔性基底和顯示元件層,其改良在於:所述柔性基底包括依次層疊設置的金屬層、緩衝層、及柔性層;所述顯示元件層位於所述柔性層遠離所述緩衝層的表面。
  8. 如請求項7所述的柔性顯示裝置,其中:該柔性層的材料為聚醯亞胺。
  9. 如請求項7所述的柔性顯示裝置,其中:該緩衝層的材料為氮化矽、氧化矽、碳氧化矽、氮氧化矽或碳氮化矽。
  10. 如請求項7所述的柔性顯示裝置,其中:所述顯示元件層為有機電致發光顯示元件層,所述顯示元件層包括層疊設置的TFT陣列層、陰極層、有機發光層和陽極層。
TW106121328A 2016-08-07 2017-06-27 柔性顯示裝置及其製備方法 TWI636564B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662371826P 2016-08-07 2016-08-07
US62/371826 2016-08-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201806145A TW201806145A (zh) 2018-02-16
TWI636564B true TWI636564B (zh) 2018-09-21

Family

ID=61070057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106121328A TWI636564B (zh) 2016-08-07 2017-06-27 柔性顯示裝置及其製備方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10777775B2 (zh)
CN (1) CN107706305B (zh)
TW (1) TWI636564B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107706305B (zh) * 2016-08-07 2020-11-03 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 柔性显示装置及其制备方法
CN106711348B (zh) * 2016-12-29 2020-05-12 上海天马微电子有限公司 一种柔性有机发光显示面板的制备方法及显示装置
US10770672B2 (en) * 2018-02-27 2020-09-08 Sakai Display Products Corporation Flexible OLED device, method for manufacturing same, and support substrate
CN108807671A (zh) * 2018-08-02 2018-11-13 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏的制备方法及制备柔性显示屏用复合基板
CN110875431A (zh) * 2018-08-30 2020-03-10 上海和辉光电有限公司 一种用于激光剥离的有机电致发光结构及其制备方法
JP7253135B2 (ja) * 2018-12-27 2023-04-06 大日本印刷株式会社 表示装置形成用基板、表示装置および表示装置の製造方法
CN109904198B (zh) * 2019-02-22 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种器件及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置
CN111864067B (zh) * 2020-07-24 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 可拉伸显示面板及其制造方法、显示装置
CN112002740A (zh) * 2020-08-10 2020-11-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 基板及其分离方法、显示面板
CN112164707B (zh) * 2020-08-31 2024-04-16 福建华佳彩有限公司 一种柔性显示面板的制备方法
CN112071983B (zh) 2020-09-18 2023-09-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的柔性衬底、阵列基板和电子设备
CN112289835A (zh) * 2020-10-26 2021-01-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112201169B (zh) * 2020-11-02 2021-07-27 山西穿越光电科技有限责任公司 一种柔性显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104505467A (zh) * 2014-12-05 2015-04-08 上海天马微电子有限公司 一种复合基板、柔性显示器的制造方法以及柔性显示器
US9076696B2 (en) * 2011-06-28 2015-07-07 Lg Diplay Co., Ltd. Method of manufacturing flexible display
CN204464252U (zh) * 2015-04-16 2015-07-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板母板和柔性基板
US9111812B2 (en) * 2013-11-04 2015-08-18 Lg Display Co., Ltd. Method of manufacturing flexible display device
TW201535710A (zh) * 2014-02-28 2015-09-16 Corning Inc 可撓式顯示器裝置封裝與製造方法
CN103682176B (zh) * 2013-12-06 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 刚性衬底基板及柔性显示器件的制作方法、刚性衬底基板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5324683A (en) * 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5534466A (en) * 1995-06-01 1996-07-09 International Business Machines Corporation Method of making area direct transfer multilayer thin film structure
US6355125B1 (en) * 1999-03-26 2002-03-12 Agfa-Gevaert Method for making an electric or electronic module comprising a glass laminate
US6884311B1 (en) * 1999-09-09 2005-04-26 Jodi A. Dalvey Method of image transfer on a colored base
KR101149433B1 (ko) * 2009-08-28 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101931336B1 (ko) * 2012-04-16 2018-12-20 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시장치의 보호필름 부착용 전사필름 및 전사필름을 이용한 평판 표시장치의 제조 방법
CN102769109B (zh) * 2012-07-05 2015-05-13 青岛海信电器股份有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板
CN104471679B (zh) * 2012-07-20 2020-11-03 旭化成株式会社 半导体膜和半导体元件
KR20140062368A (ko) * 2012-11-14 2014-05-23 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
KR101701247B1 (ko) * 2013-05-27 2017-02-02 삼성디스플레이 주식회사 라미네이션 장치 및 이를 이용한 라미네이션 방법
US9494792B2 (en) * 2013-07-30 2016-11-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
KR102328677B1 (ko) * 2014-10-17 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10171919B2 (en) * 2016-05-16 2019-01-01 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Thermal and thermoacoustic nanodevices and methods of making and using same
CN107706305B (zh) * 2016-08-07 2020-11-03 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 柔性显示装置及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9076696B2 (en) * 2011-06-28 2015-07-07 Lg Diplay Co., Ltd. Method of manufacturing flexible display
US9111812B2 (en) * 2013-11-04 2015-08-18 Lg Display Co., Ltd. Method of manufacturing flexible display device
CN103682176B (zh) * 2013-12-06 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 刚性衬底基板及柔性显示器件的制作方法、刚性衬底基板
TW201535710A (zh) * 2014-02-28 2015-09-16 Corning Inc 可撓式顯示器裝置封裝與製造方法
CN104505467A (zh) * 2014-12-05 2015-04-08 上海天马微电子有限公司 一种复合基板、柔性显示器的制造方法以及柔性显示器
CN204464252U (zh) * 2015-04-16 2015-07-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板母板和柔性基板

Also Published As

Publication number Publication date
US20180040858A1 (en) 2018-02-08
CN107706305B (zh) 2020-11-03
US10777775B2 (en) 2020-09-15
CN107706305A (zh) 2018-02-16
TW201806145A (zh) 2018-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI636564B (zh) 柔性顯示裝置及其製備方法
WO2016095643A1 (zh) 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法
US8376017B2 (en) Flexible substrate bonding and debonding apparatus
JP5547901B2 (ja) 表示装置
JP2003163337A5 (zh)
US20090298211A1 (en) Method for manufacturing flexible display
WO2019052258A1 (zh) 膜层的贴附方法、显示面板和显示装置的制作方法
WO2019114072A1 (zh) 柔性显示面板的制作方法
TWI518405B (zh) 顯示面板及其製作方法
JP2018518043A (ja) 可撓性基板の支持及び取り外し
WO2015127762A1 (zh) 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制造方法
US10249527B2 (en) Method of manufacturing flexible display device
KR20160064373A (ko) 유기발광 다이오드 표시장치
US20170338441A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP6591625B2 (ja) 樹脂フィルムの剥離方法、フレキシブル基板を有する電子デバイスの製造方法および有機el表示装置の製造方法ならびに樹脂フィルムの剥離装置
TW202105539A (zh) 製造可撓式電子元件之方法及系統
JP2010062526A (ja) 薄膜素子の製造方法
CN107195658A (zh) 柔性基板及其制作方法
US11515513B2 (en) Method for manufacturing display device including bonding first mother substrate and second mother substrate with buffer sheet
KR101982477B1 (ko) 그래핀을 이용한 플렉서블 디스플레이의 기판 분리 방법
JP2010010247A (ja) 基板搬送用治具、及び素子基板の製造方法
JP6883275B2 (ja) 表示装置形成用基板、表示装置および表示装置の製造方法
JP2011054648A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2009231533A (ja) 剥離方法、剥離装置および半導体装置の製造方法
WO2019026155A1 (ja) 表示デバイスの製造方法および表示デバイス