TW202105539A - 製造可撓式電子元件之方法及系統 - Google Patents

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Abstract

本文描述用於製造可撓式電子元件之系統及方法。根據本發明技術之實施例之方法可包含將諸如薄膜電路之電特徵部安置於一玻璃基板之一第一側上；將一第一保護材料施覆於該等電子特徵部上方；及將該玻璃基板之一第二側曝露至一化學蝕刻槽以將該玻璃基板薄化至一預定厚度。該薄化程序可自該玻璃基板之該第二側移除裂縫及其他缺陷且增強該電子總成之可撓性。一第二保護材料可安置於該經薄化玻璃基板之該第二側上以維持該玻璃基板之該經增強後側表面。在一些實施例中，該方法亦包含藉由將該電子總成浸入一化學蝕刻槽中而將該複數個電子特徵部單粒化為個別電子組件。

Description

製造可撓式電子元件之方法及系統
本發明技術係關於製造可撓式電子元件。更具體言之，本發明技術係關於用於降低電子組件中之分率係數之方法。
對可撓式顯示器(例如，有機發光二極體(「OLED」)、液晶顯示器(「LCD」)及電子紙顯示器(「EPD」))、感測器及基於近場通信(「NFC」)裝置之關注增加已導致大面積可撓式電子元件之進展。多數此等可撓式電子元件利用薄膜電晶體(「TFT」)陣列，其等包含形成於聚醯亞胺(「PI」)材料上之電子組件。PI係有用的，因為其為高度可撓的且可自然地絕緣電子元件。在製造期間，一PI層經層壓於母玻璃(例如，一剛性、耐久玻璃)或其他類型之基板上以在電子電路形成於上覆PI層時提供一剛性背襯。PI層接著與母玻璃分層，且隨後層壓於一可撓基板(諸如聚對苯二甲酸乙二(醇)酯(「PET」)基板)上，以提供可撓式機械支撐。
歸因於柔性有機基板材料及硬無機TFT材料之機械、熱及化學性質之明顯差異，存在與製造程序相關聯之許多技術挑戰。例如，除非使用一高品質、昂貴PI，否則製造電子元件中之隱熱可造成PI層中之缺陷。此外，考慮到耐熱性及機械耐久性之需要，用於背襯PI層(在其等上製造電子元件之後)之可撓基板可用之選項係有限的。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2019年4月16日申請之美國臨時專利申請案第62/834,720號之優先權，其全部內容以引用的方式併入本文中。
本文描述用於製造可撓式電子元件(諸如基於薄膜電路之大面積可撓式電子元件)之系統及方法。在一些實施例中，例如，本文描述之系統及方法直接在一玻璃基板上形成電特徵部(例如，TFT及其他薄膜電路)，且使玻璃基板薄化以充當經封裝可撓式電子組件之基底。本文揭示之系統及方法亦可自玻璃基板之表面及/或後續單粒化之電組件移除微裂縫及其他缺陷(玻璃中預先存在或在電子元件製造期間由處置引入)。此歸因於玻璃基板及無機薄膜電路材料之機械、熱及化學性質之一良好匹配提供低成本及高良率製程。
在下文參考圖1至圖7D描述本發明技術之若干實施例之特定細節。雖然下文關於用於製造可撓式生物感測器之可撓式電組件之系統及方法描述許多實施例，但除了本文描述外之其他應用及其他實施例在本發明技術之範疇內。例如，本發明技術可用於製造可撓式顯示器之電組件，諸如可撓式LCD及OLED。另外，一些熟知結構或功能可不詳細展示或描述，以避免不必要地使各種實施例之相關描述模糊。再者，本發明技術之若干其他實施例可具有不同於本文描述之組態、組件或程序，且所展示之實施例之特徵可彼此組合。因此，熟習此項技術者將藉此理解，本發明技術可具有擁有額外元件之其他實施例，或本發明技術可具有不擁有下文參考圖1至圖7D中展示且描述之若干特徵之其他實施例。
在一些實施例中，本發明技術可用於將薄膜電路(諸如TFT)及其他薄膜電特徵部製造於可撓式玻璃上以用於一生物系統(諸如一指紋感測器及一卡上生物系統(BSoC))中。TFT係可藉由在一支撐基板上方沈積一主動半導體及介電層之薄膜而製成之一特殊類型之金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。所得可撓式電子組件(諸如一可撓式指紋感測器或可撓式LCD及OLED)可接著整合至一電子系統(諸如一BSoC或可撓式顯示器)中。所得電子系統之可撓性可受TFT之底層基板之可撓性限制，此部分歸因於在製造期間引入至基板中之微裂縫及/或其他缺陷或雜質。該等雜質構成電子系統在來自彎曲、衝擊振動等之機械應力下之失效點。
一種製造此等可撓式電子組件之方法包含選擇高度可撓之一核心基板(諸如聚醯亞胺基板)。然而，聚醯亞胺係可撓的使得其等必須仍層壓於至少一其他個、更剛性之基板上以支撐形成於其上之電特徵部(通常兩個不同基板：一個基板在形成電子特徵部期間使用且一個基板在此後用於整合於一電子系統中)。製造程序之複雜度及薄膜電路所需之優質聚醯亞胺之高成本可將明顯成本引入至製造程序中。
本文揭示之系統及方法直接在一可撓式玻璃基板上製造電子元件。在一些實施例中，例如，本發明技術使用通常用於將電子元件製造在由剛性玻璃基板支撐之聚醯亞胺基板上之一薄片對薄片製造程序，但代替地移除聚醯亞胺以將薄膜電子特徵部直接安置於可撓式玻璃基板上。在此等實施例中，方法可包含將複數個電子特徵部(例如，TFT及其他薄膜電路)安置於一可撓式玻璃薄片之一第一側上。玻璃薄片之背側接著可化學薄化以自可撓式玻璃薄片之表面移除裂縫、雜質或其他潛在失效點且增加其可撓性。方法可接著使用一保護性積層塗佈薄片之後側及/或前側。在一些實施例中，方法可藉由使用一化學切割技術將薄片單粒化為個別電組件而繼續。例如，在將薄片浸入一化學蝕刻槽中以沿著切割軌道完成單粒化之前，一雷射可部分劃割玻璃(例如，成一連續線或複數個間隔開之凹痕，產生一刻痕表面)以圍繞個別電子組件界定切割軌道。在單粒化之後，可在個別電子組件之曝露表面上形成一保護性塗層(例如，一液體聚合物)。
使用本文描述之程序製造之可撓式電子組件包含具有高於在其上製造之電子特徵部之一破裂應力之一可撓式玻璃基板。因此，在一些實施例中，在單粒化期間或在單粒化之後，電子組件之外部邊緣及表面可經化學蝕刻以移除表面附近之微裂縫，修圓外部邊緣以增加破裂應力，且移除可能造成裂痕之其他雜質。在一些實施例中，本文揭示之方法及系統包含使用可撓式玻璃積層之一捲對捲製造程序。
在一些實施例中，方法可包含化學薄化一可撓式玻璃基板以經由一捲對捲程序自可撓式玻璃基板移除缺陷。方法可接著將一保護性塗層施覆於玻璃基板之一個表面，使相對表面曝露於電子元件製造(例如，薄膜沈積)。在一些實施例中，方法可利用捲對捲製造程序以將複數個個別電子特徵部沈積於可撓式玻璃基板之曝露表面上，藉此提供一高產量製造程序。在一些實施例中，方法可接著執行單粒化以將可撓式玻璃基板上之複數個電子特徵部分為複數個電子組件。
圖1係根據當前TFT處理技術製造之一經封裝電子總成110之一部分示意性橫截面視圖。電子總成110具有充當電子總成110之核心之聚醯亞胺(「PI」)基板112 (亦稱為一「PI層112」)、承載PI基板112之一可撓式支撐基板122 (例如，一PET基板)及藉由PI基板112承載之電子特徵部130 (例如，用於生物感測器之複數個薄膜電路等)。如在圖1中進一步繪示，電子總成110亦包含安置於電子特徵部130上方之一第一或上保護膜142及安置於可撓式基板122之底部表面上之一第二或下保護膜144。
電子總成110藉由將PI基板112可移除地黏著(例如，層壓)至一臨時支撐基板(未展示)，且接著在PI基板112上形成電子特徵部130而形成。臨時支撐基板可為一剛性材料(諸如玻璃(即，稱為一「母」玻璃基板或薄片))，其在極限可撓式PI基板112上形成電子特徵部130時提供對極限可撓式PI基板112之支撐且亦具有與PI基板112之材料性質相容之材料性質，因為兩者經歷半導體處理步驟。在形成電子特徵部之後，臨時支撐基板之後側曝露於使臨時支撐基板與PI基板112之間的膠熔化之一雷射，藉此容許PI基板112自臨時支撐基板完全移除。具有電子組件之PI基板112接著層壓至可撓式基板122。電子總成110可歸因於支撐基板122及PI基板112之小彎曲半徑係高度可撓的。然而，製造程序之複雜度可降低製造良率。例如，PI基板112與臨時支持基板之分層可使PI基板112之部分蒸發以實現自臨時玻璃支撐之移除。另外，適用於可撓式支撐基板122之材料極少，且可撓式支撐基板122及PI層112兩者可對溫度敏感。甚至將PI層112層壓至可撓式基板122達到之溫度可造成降低製造良率之變形及/或其他製造缺陷。
圖2A係根據本發明技術之實施例製造之一電子總成210之一部分示意性橫截面視圖。電子總成210包含一經薄化、可撓式玻璃基板221 (亦稱為一「玻璃基板221」)及直接安置於玻璃基板221之一第一側上之電子特徵部230 (例如，TFT及其他薄膜電路)。一第一保護膜242 (未展示)可安置於電子特徵部230上，而玻璃基板221之第二側藉由一第二保護膜244覆蓋。將電子元件直接製造在玻璃基板221上可增強製造效率，降低成本且增加製造良率。例如，製造程序包含更少之步驟，消除將PI基板層壓至一臨時玻璃支撐基板以用於電子元件製造、分層且層壓至一剛性背襯以完成生產之需要。玻璃基板221亦比圖1之電子總成110之可撓式支撐基板更耐製造中之隱熱，對衝擊應力更耐久及/或更易於操縱。諸如用於玻璃基板221之可撓式玻璃通常包含小微裂縫及表面中之其他缺陷，其等可限制所得電子總成210之可靠性及可撓性。因此，本發明技術移除或實質上消除此等裂縫及缺陷以提供可靠、可撓式玻璃基板。
特定言之，一基板(諸如可撓式玻璃基板221)之破裂應力
Figure 02_image001
由方程式(1)判定：
Figure 02_image003
(1) 其中
Figure 02_image005
係玻璃之斷裂韌度，
Figure 02_image007
係幾何參數(對玻璃之表面或邊緣上之裂縫通常約為1.12)且
Figure 02_image009
係玻璃中存在之裂縫之最大長度。一旦選擇玻璃或其他可撓式基板之類型，便指定
Figure 02_image005
及
Figure 02_image007
，而裂縫之長度
Figure 02_image009
保持為方程式(1)之分母中之一變量。因此，降低玻璃之表面及/或一邊緣上之裂縫長度
Figure 02_image009
導致玻璃之破裂應力之對應增加。增加玻璃中之可撓性亦增加使用玻璃之電子單元之可撓性。本發明技術包含用於減少及/或幾乎消除用於製造可撓式電子組件之玻璃之表面中之裂縫及其他缺陷之系統及方法。
圖2B係根據本發明技術之實施例之一製造程序之一中間階段期間之圖2A之電子總成210之一分解橫截面視圖。可撓式玻璃基板221’處於一預薄化狀態中，且具有擁有一第一表面222 (亦稱為一「上表面」、「前表面」或「電子元件表面」)之一第一側225a (亦稱為一「上側」、「前側」或「電子元件側」)、與第一側225a相對之擁有一第二表面224' (亦稱為一「下表面」或「後表面」)之一第二側225b (亦稱為一「下側」或「後側」)及第一表面222與第二表面224’之間的一厚度。如在圖2B中展示，電子特徵部230安置於第一表面222上且隨後用第一、上保護膜242覆蓋。第一表面222實質上無雜質，而第二表面224’含有複數個裂縫及/或缺陷。例如，第二表面224’包含具有一長度
Figure 02_image009
之一裂縫。此等裂縫及其他缺陷可為用於製造可撓式玻璃基板221’自身之程序及/或用於製造可撓式玻璃基板221’之第一表面222上之電子元件之程序之結果。在所繪示之實施例中，電子總成210之破裂應力將受可撓式玻璃基板221’之破裂應力限制且可使用方程式(1)及裂縫長度
Figure 02_image009
計算。
圖2C係根據本發明技術之一些實施例之使用已經處理以移除缺陷之可撓式玻璃基板221之一後續製造階段中之圖2B之電子總成210之一橫截面視圖。如在圖2C中展示，可撓式玻璃基板221已經藉由自玻璃基板221之第二側225b (圖2B)移除基板材料以界定一新的第二表面224而薄化至一預定厚度。玻璃基板221可藉由將電子總成210部分或完全浸入一化學蝕刻盆中而薄化，該化學蝕刻盆使第二側225b曝露於自第二側225b移除材料之一化學品，同時保護膜242防止化學浴液影響電子總成210之第一側225a。在一些實施例中，玻璃基板221之第二側225b可使用其他適當薄化技術薄化。自第二側225b移除基板材料亦移除裂縫及其他缺陷以形成至少實質上無裂縫及缺陷之第二表面224。因此，明顯改良電子總成210之破裂應力(例如，已經明顯減小輸入至方程式(1)之分母中之任何裂縫長度
Figure 02_image009
)。在一些實施例中，第二保護膜244可緊接在自下表面224移除雜質之後施覆。在一些實施例中，可基於機械保護品質(例如，抗刮性、衝擊阻尼、耐久性等)及化學保護品質(例如，酸曝露保護)選擇第二、下保護膜224。
薄化玻璃之結果係可撓式玻璃基板221具有明顯高於圖2B之玻璃基板221’之一破裂應力。另外，薄化基板增強電子總成210之可撓性或可彎性以容許可撓式應用(諸如在具有生物感測器之卡中)。在一些實施例中，例如，破裂應力容許電子總成210在失效之前彎曲至自約30 mm至約40 mm之一彎曲半徑。在其他實施例中，取決於薄化程度、電子總成210之材料及結構及/或預期用途之規範(例如，嵌入一可穿戴裝置之一可撓式卡、一可撓式顯示器或感測器中)，彎曲半徑可小於30 mm或高於40 mm。
圖3係繪示根據本發明技術之實施例之將可撓式電子元件直接製造在可撓式玻璃上之一程序300之一方塊圖。薄片對薄片程序300可用於在玻璃基板之一第一表面上形成TFT、其他薄膜電路及/或其他電子特徵部之後改良玻璃之可撓性。程序300可用於自玻璃基板之後表面減少或移除裂縫及其他缺陷，將含有複數個電子特徵部之一薄片分為個別電子組件而不引入新的雜質及/或將保護膜及/或塗層施覆至電子組件。
程序300可包含將薄膜電路(例如，TFT)或其他可撓式電子特徵部安置於玻璃材料之薄片之一第一側上。在一些實施例中，已在玻璃材料上形成電子特徵部。如在圖3中展示，在方塊305，程序300將一保護膜施覆至電特徵部上方之薄片之第一側。保護膜提供一材料障壁，其保護電子特徵部以防在程序300之後期階段期間曝露於化學品、加熱及/或其他外部曝光。在一些實施例中，(例如)使用可在後期移除之一黏著劑施覆保護膜以供臨時使用。在一些實施例中，保護膜永久黏著於電子特徵部之頂部及玻璃材料之第一側上方。保護膜可為具有在約50 μm至約500 μm之間的一厚度之使用一層壓程序臨時或永久施覆至薄片之上表面之一PET膜。
在方塊310，程序300使玻璃薄片之第二側曝露於一化學溶液以自玻璃之第二側化學移除材料且將玻璃薄片薄化至一預定厚度。化學薄化用於自玻璃之第二表面移除裂縫、缺陷及/或雜質。例如，玻璃中之此等裂縫、缺陷及/或雜質主要存在於自玻璃之外表面延伸至玻璃基板中之一深度之玻璃基板之一外區中。化學溶液剝除此外層而不引入新的裂縫、缺陷及/或雜質，從而留下其中幾乎不具有裂縫、缺陷及/或雜質之一平滑表面。化學蝕刻步驟(方塊310)亦可平滑化延伸超過玻璃基板之蝕刻深度之任何更深裂縫之邊緣，藉此減少任何此等裂縫對玻璃之材料性質(例如，可撓性)之影響。此外，化學蝕刻亦使玻璃薄片之總厚度薄化(例如，自0.5 mm至0.2 mm或更低)，此增加後續單粒化電組件之可撓性(例如，彎曲半徑)。
化學溶液包含氫氟酸溶液及/或蝕刻玻璃之其他化學品。在一些實施例中，方塊310之薄化步驟包含使薄片(安置於其上之玻璃基板及電組件)完全浸入含有化學溶液(亦稱為一「化學浴液」)之一化學蝕刻劑槽中以可控制地溶解薄片之所有曝露表面。保護膜可保護電子特徵部使之免於曝露於化學溶液，使得僅蝕刻(若干)所要表面。在一些實施例中，方塊310之薄化步驟包含僅將第二表面部分浸入一化學蝕刻槽中及/或經由一軟管及噴嘴將化學溶液引導至第二表面上以可控制地溶解薄片之選定外表面。在一些實施例中，薄片之玻璃基板自約0.5 mm之一厚度薄化至自約0.05至0.2 mm至約0.05 mm；自約0.15 mm至約0.08 mm；或約0.15 mm之一厚度。
在方塊315，程序300將一第二保護膜施覆至薄片之第二側(即，薄化玻璃之後表面)以對經清洗表面提供機械及/或化學保護且避免後續形成裂縫或其他缺陷。第二保護膜可透過一層壓程序、塗佈程序或此項技術中已知之其他適當方法施覆。
第二保護膜可由一塑膠材料、一有機膜(諸如PET)、一無機-有機混合物材料及/或奈米複合物(諸如環氧樹脂、胺基甲酸酯及/或丙烯酸中之奈米氧化矽微粒)構成。在一些實施例中，第一及第二保護膜包括相同材料。在其他實施例中，第一及第二保護膜由不同材料構成。在一些實施例中，基於其機械品質選擇第二保護膜。例如，因為第二保護膜可為一永久保護膜，故其可經選擇以具有一阻尼或高衝擊吸收性質以保護可撓式電子裝置以防衝擊損害。在一些實施例中，將第二保護膜永久塗佈於第二表面上。在一些實施例中，第二保護膜在曝露於一化學溶液(例如，氫氟酸)時並不溶解。在一些實施例中，亦可基於材料之可撓性選擇第二保護膜及/或第二保護膜之厚度。在一些實施例中，第二保護膜可具有自約50 μm至500 μm之一厚度。
薄片可包含界定複數個電子組件之電子特徵部。在此等實施例中，程序300透過方塊320及325繼續裝置單粒化。在方塊320中，程序300使用一雷射以劃割薄片以界定切割裂縫，該等裂縫界定個別電子組件(例如，個別顯示器、感測器等)之間的一邊界。雷射劃割可自玻璃基板之第一側及/或第二側形成切割軌道(例如，凹口或凹部)。在一些實施例中，第一及/或第二保護膜可為透明的，且對準軌道(亦稱為對準引導、線或輔助)經沈積於底層材料(例如，玻璃基板)上以在先前製造步驟期間(例如在形成電子特徵部期間)映射出切割軌道。此等對準導件可接著用於在劃割程序期間導引雷射以形成切割軌道。在一些實施例中，切割軌道可經預設定且預載入至導引雷射之一電腦系統(例如一軟體應用程式)。在各種實施例中，雷射可選自具有適當頻率或波長之各種雷射類型(例如，具有IR波長之二極體泵浦固態雷射)，其中(例如)藉由一PSO (位置同步化輸出)技術在空間域上均勻地控制雷射脈衝能量密度及功率密度。控制波長、脈衝能量及/或功率密度可容許對經蝕刻切割軌道之形狀及深度之控制。此外，在各種實施例中，雷射可配合單焦點或多焦點方法使用。
在一些實施例中，雷射劃割可包含使用雷射來以一連續(例如不間斷)線劃割切割軌道。在此等實施例中，切割軌道可僅部分延伸穿過薄片。在一些實施例中，一雷射可用於形成(即，「鑽」)沿著薄片彼此週期性間隔開之孔以界定切割軌道。此等切割軌道類似於穿孔線。在一些實施例中，可對薄片之僅一個側執行上文描述之雷射材料程序。例如，一雷射可用於僅在第一表面上劃割一連續線。在其他實施例中，可對兩個側執行雷射劃割程序。在此等實施例中，雷射劃割可同時出現在兩個側上或循序出現在各側上。相較於機械切割，雷射切割大幅減少將新的裂縫及碎屑引入於薄片中同時降低機械切割期間來自接觸之殘餘應力。
雷射劃割並不完全切割穿過(即，單粒化)個別電組件。部分地，此係因為不斷曝露於完全切割穿過薄片所需之熱可造成後表面上之小微型爆炸，從而將微裂縫及/或其他雜質引入薄化基板之後表面中。
因此，在方塊325，程序300藉由以下動作而繼續：使薄片曝露於完成個別電子組件之單粒化之一化學蝕刻劑，同時平滑化沿著曝露表面(例如個別電子組件之側壁)之任何新的裂縫或缺陷。特定言之，化學蝕刻程序(方塊325)沿著切割軌道溶解薄片，切割軌道在雷射劃割期間自(若干)保護膜曝露。化學切割亦可形成平滑、圓形邊緣，其等減少潛在破裂位置且移除在雷射劃割期間引入至玻璃或其他材料之至少一些裂縫或其他缺陷。
在一些實施例中，化學切割(方塊325)可藉由將薄片浸入一化學蝕刻槽中而完成。在一些實施例中，化學蝕刻槽可為用於在方塊310化學薄化可撓式玻璃之相同槽。在一些實施例中，化學蝕刻可使用一軟管及噴嘴引導切割軌道處之一化學溶液而完成。
在一些實施例中，程序300用於製造一獨立電子組件及/或協同工作而不需要單粒化之複數個電子元件。在此等實施例中，程序300省略方塊315及320之步驟且直接進行至方塊330。
在方塊330，程序300藉由將一保護塗層施覆至個別電子組件而進行。此保護塗層(亦稱為一「保護塗層」或「保護膜」)可施覆至經單粒化電組件之最新曝露側表面以防外部環境且避免裂縫或其他缺陷。保護塗層亦可或替代地施覆至玻璃基板之第二側(在先前施覆之保護膜上方)及/或電子特徵部上之玻璃基板之第一側上方(先前施覆之保護膜上方)。在各種實施例中，可移除第一及第二側上之保護膜以有利於施覆最終保護塗層。
在一些實施例中，方塊330之保護塗層步驟亦可包含一系列步驟。例如，在一些實施例中，方塊330包含：使用一液體聚合物塗佈電子單元(個別或薄片)之一第一步驟；軟烤電子單元以部分固化液體聚合物之一第二步驟；移除第一保護膜，藉此曝露第一表面上之電子元件以容許其等接收(例如)電子接觸件之一第三步驟；及硬烤以完成固化液體聚合物之一第四步驟。在各種實施例中，電子單元可經由浸塗、噴塗、噴嘴印刷等塗佈於液體聚合物中；或電子單元可水平放置於具有用於電子單元之固持單元之一卡盤上，且可程式化聚合物溶液分配器(例如一噴墨印表機)可圍繞電子單元之所有邊緣施配聚合物溶液。
在一些實施例中，方塊310中描述之化學薄化及方塊320至325中描述之化學切割可在程序300之相同階段期間發生。例如，在一些實施例中，緊接在將第一保護膜施覆於電子元件層上方之後，薄片可使用切割軌道雷射劃割，接著浸入一化學槽中以藉由溶解第二表面同時薄化玻璃且完成化學蝕刻程序。在此等實施例中，雷射蝕刻程序可經校準以蝕刻切割軌道，其等在溶解時容許足夠材料自第二表面溶解。在一些實施例中，在個別電子組件單粒化之後在其等在方塊330中由一聚合物塗佈之前，可將一第二保護膜施覆至個別電子組件。在其他實施例中，個別電子組件可在方塊330中直接由聚合物塗佈。
圖4A至圖4D係繪示在上文參考圖3描述之薄片對薄片程序之各種階段之包含複數個別電子特徵部432之一電子總成410 (亦稱為一「薄片410」)之等角視圖。
圖4繪示在製造程序之一早期階段之薄片410。薄片410包含一玻璃基板421，其具有擁有一低等級缺陷(例如，裂縫)之一第一部分422及擁有一更高等級之缺陷之一第二部分424。如在圖4A中展示，第二部分424自玻璃基板421之外表面延伸至玻璃基板422中達一距離。複數個個別電子特徵部432安置於玻璃基板421之一上(例如第一)表面上，由一第一保護膜442覆蓋。在一項實施例中，薄片410接著浸入化學槽中以薄化玻璃。
圖4B繪示在一化學薄化程序之後之薄片410。化學薄化程序可包含至少將薄片421之第二側浸入一化學蝕刻槽中及/或將一化學蝕刻劑引導朝向薄片421之第二側。化學品使玻璃材料之一部分自曝露表面溶解至一預界定深度。第一保護膜442防止化學蝕刻劑移除或以其他方式影響底層電子特徵部432。如在圖4A及圖4B中展示，化學蝕刻劑經施覆至下(例如第二)表面，藉此溶解高缺陷、第二部分424且曝露底層低缺陷、第一部分422。如在圖4B中進一步展示，第一部分可用一第二保護膜444塗佈。在此階段，薄片410準備好單粒化為個別電子組件。
圖4C繪示在已經形成切割軌道470以界定圍繞個別電子組件之邊界之後之一後續處理步驟中之薄片410。在所繪示之實施例中，切割軌道470形成於薄片410之任一側上且部分延伸穿過保護膜442、444至玻璃基板422中。在一些實施例中，切割軌道470僅形成於玻璃基板422之一個側上及/或僅延伸至玻璃基板422之表面(並不延伸至其中)。可使用一雷射及/或其他適當刻痕構件劃割切割軌道470。在所繪示之實施例中，切割軌道470係彼此間隔開之連續線(例如，溝槽、長形凹部或凹口)以界定個別電子組件之邊界。在一些實施例中，切割軌道470係沿著薄片410之上及/或下表面之一系列間隔開間斷線或孔(例如，模仿紙上之穿孔)。當薄片410曝露於化學蝕刻劑時，化學品可通過切割軌道470接觸玻璃421且使玻璃421徑向向內溶解。若切割軌道470足夠深，則在化學蝕刻劑溶解個別電子單元413之任何實質部分之前，可將複數個電子組件432分離為複數個個別電子單元413 (圖4D)。
圖4D繪示複數個經單粒化電子組件413。電子組件413各包括安置於可撓式玻璃基板421上之個別電子特徵部432。可撓式玻璃基板421經薄化以增加裝置可撓性且自下表面移除缺陷，使用第二保護膜444塗佈下表面。化學單粒化可提供清潔、平滑之側壁，而不強加將阻礙組件413之可撓性之額外裂縫或其他缺陷。在所繪示之實施例中，個別組件413已經用圍繞整個外表面之一最終保護塗層(未展示)塗佈。可軟烤組件413，可移除第一保護膜442以曝露個別電子特徵部432且接著可硬烤組件413以完全固化最終塗層。亦將瞭解，複數個電子特徵部432可經互連使得分離將任何數目個電子特徵部分集中在一起(包含整個薄片)(藉此不需要分離)。亦將瞭解，雖然繪示為每個別組件413之單個電子元件，但個別電子特徵部432可包含複數個電路及/或複數個子組件。
在一些實施例中，個別電子組件413可包含一可撓式生物感測器系統之一些或全部組件，其等可整合於一可撓式生物卡或其他生物感測裝置中。例如，個別電子組件413可包含一指紋感測區域、一ASIC及一微控制器。藉由製造一指紋感測器之一些或全部組件，程序300可用於製造可撓式指紋感測器以用於(例如)一BSoC中。因為使用此技術製造感測器，故BSoC將能夠耐受大量機械應力，從而延長BSoC之壽命。在美國專利案第9792516B2中描述根據本發明技術之一些實施例之一生物系統之組件之完整細節，該案之全部內容以引用之方式併入本文中。
圖5係根據本發明技術之一些實施例之用於製造可撓式電子元件之一捲對捲程序500之一方塊圖。捲對捲程序500利用經調適用於一捲對捲系統中之上文關於圖2A至圖4D論述之若干方法。
在方塊505中，程序500提供用於製造程序之一輥式可撓式基板(例如，一可撓式玻璃材料、一積層)。在一些實施例中，製備可撓式基板包含化學薄化可撓式玻璃基板以移除自早期製造程序及/或預先製造處置逗留之外表面區中之裂縫及其他缺陷。在一些實施例中，製備可撓式玻璃基板可包含將一保護膜施覆至可撓式基板之下表面，藉此形成一積層。在此等實施例中，保護膜可將機械及化學保護提供至下表面以在上表面上製造電子元件時減少缺陷引入。一旦以其他方式製備可撓式玻璃基板，可撓式玻璃基板便捲繞於一輥上且經組態於一捲對捲製造系統中。
在方塊510，程序500藉由在可撓式玻璃基板之前表面或第一表面上形成電子特徵部而繼續。例如，此可包含退繞輥且使可撓式玻璃基板通過經構形以將電子特徵部沈積於玻璃基板之前表面或第一表面上之一或多個半導體製造模組。在一些實施例中，模組可用於完成低溫多晶矽(LTPS)製造。在一項實施例中，例如，使可撓式基板通過一第一膜沈積模組以將複數個TFT之一或多個層沈積於基板之上表面上；通過一第二模組以經歷光微影圖案化；通過一第三模組以蝕刻且剝離經沈積膜；通過一第四模組以檢測TFT；及/或通過一第五模組以將一最終層沈積於頂部上。在各種實施例中，製造程序500可包含其他TFT相關模組，省略所描述之一些模組及/或包含不同半導體處理模組。例如，製造程序500亦可包含任何其他適當功能模組，諸如雷射結晶、離子摻雜、活化及各種退火程序。此外，將瞭解，與將產生之電子單元相關之所有製造程序可出現於一單一模組、兩個模組或任何數目個模組中。亦將瞭解，捲對捲程序可用於製造除了TFT外之其他電子單元，其等可需要完全不同於上文藉由實例給出之彼等模組之模組。在可撓式玻璃基板上形成電子元件之後，退繞之輥可包含類似於具有上文關於圖4A至圖4D描述之間隔開電子特徵部之薄片之特徵部。
在方塊515，輥可分離為個別薄片。此可係以各種方式完成。在一些實施例中，分離可調適上文關於圖3之方塊320及325描述之化學切割程序以分離個別薄片。例如，一雷射可用於蝕刻界定薄片之間的一邊界之一切割軌道，且一化學浴液可用於完成分離。在其中薄片含有一單一電子單元(或協同工作之複數個電子元件)之實施例中，將化學蝕刻程序併入分離中可減少在薄片邊緣處引入之雜質數目。在其中發生進一步單粒化以將薄片分離為複數個個別電子組件413 (圖4D)之實施例中，由傳統切割機構引入之缺陷可稍後藉由單粒化程序移除。
在方塊520，程序500可繼續使用化學切割以完成單粒化。在各種實施例中，程序可遵循上文關於圖3中之方塊320及方塊325論述之步驟。即，在方塊520，程序500可利用雷射及化學蝕刻程序之一組合以完成至個別電子組件之分離。在此等實施例中，用於完成單粒化之化學蝕刻劑亦可用於減少在方塊515由薄片之分離引入之雜質。
將瞭解，在一些實施例中，程序500可略過方塊515。例如，在一些實施例中，輥可通過一單粒化模組，該單粒化模組直接在輥上持續完成化學切割程序以便單粒化個別電子組件。
在方塊525，程序將一最終保護塗層施覆至所得電子產品(例如，經分離薄片、複數個個別電子單元等)。在各種實施例中，程序可遵循上文關於圖3中之方塊330論述之步驟以施覆最終塗層。例如，在一項實施例中，程序將個別電子單元載入至一水平卡盤中且噴塗個別電子單元，軟烤個別電子單元，自個別電子單元之上表面移除保護膜及/或硬烤個別電子單元。
圖6係繪示可根據圖5之程序500之一項實施例使用之一捲對捲程序之一部分示意圖。在所繪示之實施例中，程序600使用一第一輥602、一第二輥604及一第三輥606。在程序開始時，可撓式基板(例如，一可撓式玻璃材料)捲繞於第一輥602上。可撓式基板接著透過一系列模組611至615自第一輥602退繞且捲繞於第二輥604上。在一些實施例中，第一輥602阻止捲繞於第二輥604上以便透過製造程序在可撓式基板中施加張力。
在所繪示之實施例中，在可撓式基板經捲繞於第二輥604上時，其經拉動通過模組611至615。將理解，模組之總數目以及各模組中發生哪一製造程序可視情況針對沈積於可撓式基板之上表面上之電子組件而變化。在一項實施例中，例如，模組611至615可對應於與製造上文論述之TFT相關之各種模組。即，在一項實施例中，模組611可為一膜沈積模組，模組612可為一光微影圖案化模組，模組613可為一蝕刻且剝離模組，模組614可為一檢測模組且模組615可為一第二膜沈積模組。
在所繪示實施例中，在電子元件製造完成之後，第二輥604移動至另一站以準備單粒化。在第二站中，可撓式基板自一第二輥604退繞且捲繞於一第三輥606上。在一些實施例中，第二輥604阻止捲繞於第三輥606上以便貫穿單粒化準備在可撓式基板中產生恆定張力。
在所繪示之實施例中，在可撓式基板經捲繞於第三輥606上時，其經拉動通過各種模組622及624。將理解，模組之總數目以及各模組中發生哪一程序可視情況針對單粒化程序而變化。在一項實施例中，例如，模組622及624可用於藉由將一保護膜施覆至電子元件且蝕刻圍繞個別電子單元之切割軌道而準備將輥分離為個別電子單元。例如，模組622可用於將一保護膜施覆至可撓式基板之上表面。如上文論述，保護膜可(例如)臨時層壓至上表面上以在單粒化期間保護個別電子單元及上表面免受化學及機械損害。此外，模組624可為用於執行化學切割程序之第一部分之一雷射蝕刻模組。在一項實施例中，例如，在模組624中，可使用一雷射以將連續切割軌道劃割於可撓式基板中。如上文描述，雷射劃割程序可發生於上表面、下表面或兩個表面上。
在將切割軌道劃割於可撓式基板中之後，在模組626處，可撓式基板可自第三輥606退繞至一化學蝕刻槽中以完成單粒化。在一些實施例中，在單粒化之後，複數個個別單元可具有施覆至其等之一最終保護塗層及/或使保護膜自上表面移除。
當根據上文描述之方法製造電子元件時，可撓式基板(諸如一可撓式玻璃)之可撓性可增加使得可撓式基板在撓曲或彎曲時不再係機械應力下之失效點。實情係，安置於可撓式基板上之電子特徵部充當總裝置可撓性之限制因素(例如，歸因於缺陷及/或尖銳邊緣)。因此，本文揭示之系統及方法可利用化學薄化來減少及/或移除來自可撓式玻璃基板之裂縫及缺陷，從而容許電子特徵部直接製造在玻璃上且所得電子組件整合至可撓式電子系統(例如可撓式卡、可穿戴裝置、掃描儀、顯示器)中。
圖7A至圖7D係根據本發明技術之一些實施例之改良電子組件之可撓性之各種製造階段之一電子組件之橫截面側視圖。圖7A繪示在一第一處理步驟之一單粒化電子組件710 (亦稱為一「電子裝置」或「電子單元」)。如繪示，電子組件710包含一可撓式基板712 (例如玻璃)及一電子特徵部714  (例如，一薄膜電路)。電子組件710具有一外表面715 (亦稱為一「第一表面715」)及邊緣716。此等邊緣716可藉由連結一尖銳、薄頂點之表面形成。在一些實施例中，例如，可撓式基板712可為根據圖3中描述之程序300薄化之一可撓式玻璃；而電子特徵部714可為透過氧化矽、氮化矽、銦錫氧化物(ITO)及/或鉬(Mo)之電漿增強化學氣相沈積(PECVD)製造之一相對脆TFT。
如在圖7A中繪示，外表面715含有複數個缺陷(例如，裂縫、邊緣缺陷或雜質)，其等可(例如)來源於製造期間之應力。例如，圖案化一薄膜電路之最終步驟通常涉及剝離一光阻遮罩，接著沖洗薄膜。超聲攪拌或其他攪拌方式通常用於快速且清潔光阻劑移除。然而，攪拌及後續沖洗傾向於加重薄膜表面，導致外表面715中之邊緣缺陷、瑕疵及/或微裂縫。此等缺陷尤其圍繞薄膜之任何曝露邊緣引入，其中攪拌期間通常存在高度應力集中。此外，如同關於圖2B論述之缺陷，外表面715中之缺陷通常限制電子特徵部714之可撓性。在其中電子特徵部714為一PECVD製造之TFT之實施例中，所使用之膜係無法替換之相對脆材料。
代替地，在本發明技術之一些實施例中，可使用一毯覆式蝕刻程序來減少電子特徵部714之外表面715中之缺陷。在一些實施例中，毯覆式蝕刻程序可在上文描述之製造程序期間使用用於蝕刻之相同蝕刻劑。在一些實施例中，其中藉由包含一蝕刻及剝離階段之一程序製造一TFT，毯覆式蝕刻程序可使用用於蝕刻膜之相同蝕刻劑。在一些實施例中，例如，毯覆式蝕刻程序可使用具有1:7之HF:NH4 F比之氟化銨中的氫氟酸溶液。在一些實施例中，所使用之蝕刻劑之濃度可更高，從而需要一非常短之曝光來移除外表面715且因此減少電子特徵部714中之雜質。在一些實施例中，蝕刻劑可更稀，從而在程序期間需要一更長曝光但提供更多控制。
圖7B繪示在處理後自電子組件714移除缺陷或雜質之電子單元710。如繪示，已經移除外表面715以曝露具有更少缺陷或雜質之一表面717。此外，邊緣716已經修圓，降低將集中於邊緣716中之應力量。由於曝露具有更少缺陷之表面717，故改良電子特徵部714之可撓性及因此電子組件710之可撓性。
圖7C繪示根據本發明技術之一些實施例之具有安置於電子組件710之上表面714上方之一保護膜720之電子組件710之一實例。在一些實施例中，保護膜720可將機械保護(例如抵抗刮痕、接觸觸發應力等)提供至邊緣716及表面717。在一些實施例中，保護膜720可充當電子組件710之上表面714上方之一平坦化層。在一些實施例中，保護膜720可為一光可圖案化有機或無機-有機混合材料，諸如通常用於製造高解析度LCD或OLED顯示器中之彼等材料。此外，在一些實施例中，保護膜720可選擇性地施覆至電子組件710之上表面714。
圖7D繪示根據本發明技術之一些實施例之具有選擇性地安置於電子組件710之上表面714上方之保護膜720之電子組件710之一實例。在所繪示之實施例中，保護膜720經安置具有電子特徵部714之一部分上方之一通孔，從而容許一層730接觸電子特徵部714。在一些實施例中，例如，層730可將電子特徵部714電子耦合至其他電子組件(未展示)。在一些實施例中，電子特徵部714可為由保護膜720保護且與層730中之一相對不脆電極接觸之一相對脆電極(例如ITO或Mo)。
將理解，圖7A至圖7D中繪示之示意圖及電子組件710僅藉由實例展示。在不脫離改良電子元件之可撓性之方法之基本原理的情況下可存在實施例之許多變體。例如，雖然電子特徵部714展示為直接位於基板712之頂部上，但電子特徵部714與基板712之間可存在一或多個薄膜及/或其他層；雖然在圖7A至圖7D中展示一單一基板712，但基板712亦可由層壓於一剛性載體基板(例如，一剛性玻璃，諸如Gorilla® Glass等)之多個層(例如，一可撓式塑膠材料層(諸如聚醯胺、PET等))構成。
本發明技術之實施例之上文實施方式不旨在係詳盡性或將本發明技術限於上文揭示之精確形式。如熟習相關技術者將認識到，雖然僅出於闡釋性目的在上文描述本發明技術之特定實施例及實例，但各種等效修改在本發明技術之範疇內係可行的。例如，雖然以上文給定之一順序呈現步驟，但替代性實施例可以一不同順序執行步驟。此外，亦可組合本文描述之各種實施例以提供進一步實施例。
依據前文，應瞭解本文中出於圖解目的已描述本發明之特定實施例，但並未詳細展示或描述眾所周知之結構或功能以避免不必要地使本發明技術之實施例之描述模糊。在以引用方式併入本文之任何材料與本發明衝突的情況下，以本發明為準。在上下文準許之情況下，單一或複數個術語亦可分別包含複數或單一術語。再者，除非字詞「或」明確限於意謂排除參考具有兩個或兩個以上品項之一清單中之其他品項之僅一單個品項，則此一清單中使用「或」應解釋為包含(a)清單中之任一單個品項、(b)清單中之所有品項或(c)清單中之品項之任何組合。此外，如本文使用，「A及/或B」中之片語「及/或」指代單獨A、單獨B及A及B兩者。另外，術語「包括」、「包含」、「具有」及「擁有」在各處用於意指至少包含所陳述之(若干)特徵，使得不排除任何更大數目個相同特徵及/或額外類型之其他特徵。
根據前文，亦將瞭解，可在不脫離本發明或本發明技術之情況下，可作出各種修改。例如，一般技術者將理解，本發明技術之各種組件可進一步劃分為子方法，或可組合且整合本發明技術之各種系統及方法。另外，在特定實施例之內容背景中描述之技術之特定態樣亦可在其他實施例中組合或消除。此外，儘管與本發明技術之特定實施例相關聯之優點已在該等實施例之內容背景中描述，但其他實施例亦可展現此等優點，且並非所有實施例需要必要地展現此等優點來落入本技術之範疇內。因此，本發明及相關技術可涵蓋在本文中未清楚展示或描述之其他實施例。
110A:電子總成 112:聚醯亞胺(「PI」)基板 122:可撓式支撐基板 130:電子特徵部 142:第一或上保護膜 144:第二或下保護膜 210:電子總成 221:玻璃基板 221':玻璃基板 222:第一表面 224:第二表面 224':第二表面 225A:第一側 225B:第二側 230:電子特徵部 242:第一保護膜 244:第二保護膜 300:程序 305:方塊 310:方塊 315:方塊 320:方塊 325:方塊 330:方塊 410:薄片 413:電子單元/電子組件 421:玻璃基板 422:第一部分 424:第二部分 432:電子特徵部/電子組件 442:第一保護膜 444:第二保護膜 470:切割軌道 500:捲對捲程序 505:方塊 510:方塊 515:方塊 520:方塊 525:方塊 600:程序 602:第一輥 604:第二輥 606:第三輥 611:模組 612:模組 613:模組 614:模組 615:模組 622:模組 624:模組 626:模組 710:電子組件 712:可撓式基板 714:電子特徵部 715:外表面 716:邊緣 720:保護膜 730:層
參考下圖可更佳地理解本發明之許多態樣。圖式中之組件不必按比例繪製，而是著重於清楚繪示本發明之原理。類似地，出於論述本技術之一些實施方案之目的，一些組件及/或操作可分成不同區塊或組合為一單一區塊。為便於參考，在整個本發明中，相同元件符號及/或字母用於識別類似或相似組件或特徵部，但使用相同元件符號並不意味該等零件應理解為相同的。實際上，在本文描述之許多實例中，相同編號之組件係指具有在結構及/或功能上相異之不同實施例。
圖1係一電子總成之一部分示意性橫截面視圖。
圖2A係根據本發明技術之一些實施例製造之一電子總成之一部分示意性橫截面視圖。
圖2B係根據本發明技術之實施例之一製造程序之一中間階段期間之圖2A之電子總成之一分解橫截面視圖。
圖2C係根據本發明技術之一些實施例之一後續製造階段中之圖2B之電子總成之一部分示意性橫截面視圖。
圖3係繪示根據本發明技術之實施例之將可撓式電子元件直接製造至玻璃上之一程序之一方塊圖。
圖4A至圖4D係繪示根據本發明技術之實施例之製造電子總成之一方法之等角視圖。
圖5係根據本發明技術之一些實施例之用於製造可撓式電子元件之一捲對捲程序之一方塊圖。
圖6係繪示根據本發明技術之一些實施例之製造電子總成之一捲對捲程序之一部分示意圖。
圖7A至圖7D係繪示根據本發明技術之實施例之製造一電子組件之一方法之橫截面側視圖。
110A:電子總成
112:聚醯亞胺(「PI」)基板
122:可撓式支撐基板
130:電子特徵部
142:第一或上保護膜
144:第二或下保護膜

Claims (20)

  1. 一種用於製造可撓式電子元件之方法，其包括： 將一第一保護材料施覆至一電子總成之複數個電子特徵部，該電子總成包含一玻璃基板及安置於該玻璃基板之一第一側上之該複數個電子特徵部； 將該玻璃基板之一第二側曝露至一化學品，該化學品將該玻璃基板薄化至一預定厚度，該第二側與該玻璃基板之該第一側相對；及 將一第二保護材料施覆至該玻璃基板之該第二側。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括： 將該複數個電子特徵部分離為個別電子組件；及 圍繞該等個別電子組件之至少一部分施覆一第三保護材料。
  3. 如請求項2之方法，其中： 將該玻璃基板之該第二側曝露至該化學品包括至少將該玻璃基板之該第二側浸入一第一化學蝕刻槽中；及 分離該複數個電子特徵部包括 使用一雷射在該玻璃基板之該第一側及/或該第二側上劃割切割軌道，其中該等切割軌道界定圍繞該等個別電子組件之一邊界；及 至少部分將該電子總成浸入一第二化學蝕刻槽中以沿著該等切割軌道分離該玻璃基板。
  4. 如請求項2之方法，其中： 將該玻璃基板之該第二側曝露至該化學品包括至少將該玻璃基板之該第二側浸入一第一化學蝕刻槽中；及 分離該複數個電子特徵部包括 形成彼此遞增間隔開之複數個孔，以在該玻璃基板中界定切割軌道，其中該等切割軌道界定圍繞該等個別電子組件之一邊界；及 至少部分將該電子總成浸入一第二化學蝕刻槽中以沿著該等切割軌道分離該玻璃基板。
  5. 如請求項2之方法，其中圍繞該等個別電子組件之至少一部分施覆該第三保護材料包括： 將一液體聚合物施覆至該等單粒化電子組件之外部表面，其中該等外部表面包含至少一個側表面； 軟烤該等電子組件以部分固化該液體聚合物； 自該第一側移除該第一保護材料；及 硬烤該電子總成以在該等電子組件之該第二側及邊緣上完全固化該液體聚合物。
  6. 如請求項1之方法，其中將該第二側曝露至該化學品包括將該電子總成浸入一化學蝕刻槽中。
  7. 如請求項1之方法，其中將該第二側曝露至該化學品包括自該玻璃基板移除材料以減少來自該玻璃基板之該第二側之缺陷。
  8. 如請求項1之方法，其中該複數個電子特徵部包含複數個薄膜電晶體。
  9. 如請求項1之方法，其中該複數個電子特徵部包括指紋感測器。
  10. 如請求項1之方法，其中將該玻璃基板之該第二側曝露至將該玻璃基板薄化至該預定厚度之該化學品包括將該玻璃基板之厚度化學薄化至至多0.2 mm。
  11. 如請求項1之方法，其中將該第二保護材料施覆至該玻璃基板之該第二側包括將具有高耐衝擊性質之一膜永久接合至該玻璃基板之該第二側。
  12. 一種用於製造可撓式電子元件之方法，其包括： 使一可撓式玻璃基板沿著循序定位之製造模組之一路徑推進以執行一系列製造步驟，其中該等製造步驟包括 經由至少一個電子元件製造模組將複數個個別電子特徵部安置於該可撓式玻璃基板之一電子元件側上； 經由一塗佈模組將一第一保護材料施覆至該可撓式玻璃基板之該電子元件側；及 經由一劃割模組將切割軌道劃割於該可撓式玻璃基板中，其中該等切割軌道界定圍繞個別電子組件之一邊界；及 將該可撓式玻璃基板至少部分浸入一化學蝕刻槽中以沿著該等切割軌道分離該等個別電子組件以產生複數個個別單元；及 將一第二保護塗層施覆至該複數個個別單元。
  13. 如請求項12之方法，其中使該可撓式玻璃基板沿著循序定位之製造模組之該路徑推進包括在該可撓式玻璃基板沿著該路徑推進時自一輥退繞該可撓式玻璃基板。
  14. 如請求項13之方法，其中該輥係一第一輥，且其中該方法進一步包括： 在該第一輥退繞時，將該可撓式玻璃基板捲繞於定位於該等循序定位之製造模組之至少一部分之後之一第二輥上以貫穿該系列製造步驟提供張力至該可撓式玻璃基板。
  15. 如請求項12之方法，其中劃割該等切割軌道包括將該等切割軌道雷射劃割至一預定劃割深度，該預定劃割深度小於該可撓式玻璃基板之一厚度。
  16. 如請求項12之方法，其中劃割該等切割軌道包括： 在該可撓式玻璃基板之該等電子元件側上劃割第一切割軌道；及 在該可撓式玻璃基板之一後側上劃割第二切割軌道，該後側與該電子元件側相對，且該等第二切割軌道與該等第一切割軌道至少實質上對準。
  17. 如請求項12之方法，其中劃割該等切割軌道包括雷射鑽孔一系列孔以界定該等切割軌道。
  18. 一種用於改良一電子組件之可撓性之方法，該方法包括： 將一化學蝕刻劑可控制地施覆至該電子組件之至少一個表面以移除微裂縫且曝露該電子組件之一內部部分，其中該電子組件之該內部部分實質上無缺陷；及 在該電子組件之該內部部分上方施覆一保護膜以保護該電子組件之該內部部分以免產生缺陷；及 光圖案化該保護膜以形成一通孔，從而容許電連接至與該通孔對準之該電子組件之一電接觸件。
  19. 如請求項18之方法，其中將一化學蝕刻劑可控制地施覆至該電子組件之該至少一個表面包括化學蝕刻在一共同邊緣處相交以修圓該共同邊緣之至少一第一表面及一第二表面。
  20. 如請求項17之方法，其中該電子組件係一經圖案化薄膜電晶體陣列，其經安置於具有高於該薄膜電晶體之一破裂應力之一可撓式基板。
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