JP2018518043A - 可撓性基板の支持及び取り外し - Google Patents

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Abstract

【課題】 本出願は、可撓性基板及び複数の電子デバイスを含む可撓性基板デバイスを開示する。【解決手段】 可撓性基板は、上面及びこの上面の反対側の下面を含み、複数の電子デバイスは、可撓性基板の上面上に形成されている。下面は、１つ以上の強力接着領域と、この１つ以上の強力接着領域とは別個の１つ以上の通常接着領域と、を含む。１つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域の各々は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに取り付けられるように構成されている。第１の接着強度は第２の接着強度よりも実質的に大きい。いくつかの実施形態では、可撓性基板デバイスは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスであり、複数の電子デバイスはＴＦＴアレイを含む。【選択図】 図２Ａ

Description

[0001] 本出願は、一般に電子デバイスの可撓性基板に関し、より具体的には、剛性キャリアに支持された状態で可撓性基板上に電子デバイスを製造した後に剛性キャリアから可撓性基板を容易に取り外し可能とする可撓性基板構造及び製造方法に関する。
[0002] 薄型で可撓性の電子ディスプレイは、ウェアラブルデバイス、電子新聞、スマート身分証明書（ｓｍａｒｔ ｉｄｅｎｔｉｔｙ ｃａｒｄ）、及びその他の多くの家庭用電化製品での利用において重要である。そのような可撓性電子ディスプレイは、アクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ：ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）ディスプレイで実現されている。具体的には、ＡＭＯＬＥＤディスプレイにおいて、誘電絶縁層及び金属接点と組み合わせて活性半導体層の薄膜を堆積することによって、可撓性基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）デバイスが作製される。可撓性基板は、ＴＦＴデバイス及び対応するＡＭＯＬＥＤディスプレイを調製する過程において可撓性基板に充分な機械的支持を与える剛性キャリアに、一時的に取り付けられる。可撓性基板上にＴＦＴデバイス及び対応するＡＭＯＬＥＤディスプレイを形成した後、可撓性基板は、その上に形成されたＴＦＴデバイスにもＡＭＯＬＥＤディスプレイの表示要素にも損傷を与えることなく、剛性キャリアから取り外さなければならない。
[0003] 剛性キャリアから可撓性基板を解放するため、エキシマレーザが適用されることが多い。可撓性基板が剛性キャリア上に直接形成されている場合は、エキシマレーザを用いて可撓性基板と剛性キャリアとの界面を処理し、可撓性基板が犠牲層を介して剛性キャリアに結合されている場合は、犠牲層を処理する。しかしながら、エキシマレーザの使用は通常、高いツールコストを伴い、可撓性基板の満足なスループットを与える高い生産歩留まりを有しない。
[0004] あるいは、いくつかの従来技術の製造方法では、可撓性基板が剛性キャリア上に直接形成されている場合、可撓性基板と剛性キャリアとの間の接着力を何とかして低減させる（例えば、可撓性基板と剛性キャリアとの間で接着制御層を用いる）。接着力の低減によって、機械的な力を加えることで可撓性基板をその下にある剛性キャリアから剥がすことができ、このため、エキシマレーザを使用するよりもツールコストが著しく低くなる。しかしながら、ディスプレイ製造プロセスをサポートする目的のために剛性キャリアに対する可撓性基板の充分に堅固な取り付けを維持しつつ、機械的な取り外しを容易にするように可撓性基板と剛性キャリアとの間の接着力を適切に制御することは、常に難しいことである。
[0005] 従って、ディスプレイ製造プロセス中に可撓性基板のロバスト性もその上に形成されたディスプレイデバイスの品質も損なうことなく剛性キャリアから容易に取り外せる可撓性基板を有することは有益であろう。
[0006] 従って、ディスプレイデバイスの製造を容易にするよう充分にロバストに可撓性基板を剛性キャリアによって支持しながらも、可撓性基板上にディスプレイデバイスが形成された後はディスプレイデバイスに損傷を与えることなく可撓性基板を剛性キャリアから容易に取り外せることが必要とされている。具体的には、いくつかの実施形態において、可撓性基板は、剛性キャリアに接触する下面における１つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域を介して、剛性キャリアに取り付けられる。強力接着領域及び通常接着領域は、別個の接着強度で剛性キャリアに接着し、異なる取り外し方法を用いて剛性キャリアから取り外される。いくつかの実施形態では、可撓性基板は、デバイス領域及びこのデバイス領域に近接して配置されたデバイス周辺領域を含む。デバイス周辺領域は、少なくとも可撓性基板の取り扱いを容易にする目的のため、デバイス領域の厚さよりも実質的に大きい厚さを有する。更に、いくつかの実施形態では、可撓性基板はポリマー材料から作製され、剥離領域（ｄｅｂｏｎｄｉｎｇ ｒｅｇｉｏｎ）及び１つ以上の縁部領域を介して剛性キャリアに取り付けられる。縁部領域は、ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着するように構成され、剥離領域は、少なくとも剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成されている。このため、縁部領域は、剛性キャリアに対する強力な接着を可撓性基板に与えるのに対し、剥離層は、剛性キャリアから可撓性基板を容易に取り外すように設計することができる。
[0007] 本出願の一態様によれば、可撓性基板デバイスは可撓性基板及び複数の電子デバイスを含む。可撓性基板は、上面及びこの上面の反対側の下面を含み、複数の電子デバイスは、可撓性基板の上面上に形成されている。また、下面は、１つ以上の強力接着領域と、この１つ以上の強力接着領域とは別個の１つ以上の通常接着領域と、を含む。１つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域の各々は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに取り付けられるように構成されている。第１の接着強度は第２の接着強度よりも実質的に大きい。いくつかの実施形態では、可撓性基板デバイスは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスであり、複数の電子デバイスはＴＦＴアレイを含む。
[0008] 本出願の別の態様によれば、可撓性基板デバイスを形成するための方法が実施される。この方法は、剛性キャリア上に支持され可撓性基板を含む可撓性基板デバイスを提供することを含む。また、可撓性基板は、相互に反対側にある上面及び下面を含む。可撓性基板の上面上には、複数の電子デバイスが形成されている。また、下面は、１つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域を含む。可撓性基板デバイスを形成するこの方法は更に、可撓性基板デバイスを支持するように構成された剛性キャリアから１つ以上の強力接着領域を取り外すことと、１つ以上の強力接着領域を取り外した後、１つ以上の通常接着領域を剛性キャリアから取り外すことと、を含む。１つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域の各々は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに取り付けられるように構成され、第１の接着強度は第２の接着強度よりも実質的に大きい。
[0009] 本出願の一態様によれば、可撓性基板デバイスは、可撓性基板及び複数の電子デバイスを含む。また、可撓性基板は、第１のデバイス領域と、この第１のデバイス領域に近接して配置されたデバイス周辺領域と、を含む。デバイス周辺領域は、第１のデバイス領域の第２の厚さよりも実質的に大きい第１の厚さを有し、少なくとも可撓性基板の取り扱いを容易にするように構成されている。複数の電子デバイスは、可撓性基板の第１のデバイス領域上に形成されている。
[0010] 本出願の一態様によれば、可撓性基板デバイスを形成するための方法が実施される。この方法は、剛性キャリアによって支持された可撓性基板デバイスを提供することを含む。可撓性基板デバイスは、第１のデバイス領域と、この第１のデバイス領域に近接して配置されたデバイス周辺領域と、を含む。デバイス周辺領域は、第１のデバイス領域の第２の厚さよりも実質的に大きい第１の厚さを有し、可撓性基板の取り扱いを容易にするように構成されている。可撓性基板デバイスを形成するこの方法は更に、可撓性基板デバイスを支持するように構成された剛性キャリアからデバイス周辺領域を取り外すことと、デバイス周辺領域を取り外した後、デバイス周辺領域で可撓性基板デバイスを取り扱いながら第１のデバイス領域を剛性キャリアから取り外すことと、を含む。
[0011] 本出願の一態様によれば、可撓性基板デバイスは、可撓性基板及び複数の電子デバイスを含む。可撓性基板は、ポリマー材料で作製され、上面及びこの上面の反対側の下面を含む。複数の電子デバイスは可撓性基板の上面上に形成されている。また、可撓性基板の下面は、剥離領域及び１つ以上の縁部領域を含む。１つ以上の縁部領域は、可撓性基板の１つ以上の縁部に近接して配置され、ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着するように構成されている。剥離領域は、剥離層で被覆され、少なくとも剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成されている。
[0012] 本出願の一態様によれば、可撓性基板デバイスを形成するための方法が実施される。この方法は、ポリマー材料で作製された可撓性基板デバイスを提供することを含む。可撓性基板は、上面及びこの上面の反対側の下面を含む。また、可撓性基板の下面は、剥離領域及び１つ以上の縁部領域を含む。１つ以上の縁部領域は、可撓性基板の１つ以上の縁部に近接して配置され、ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着するように構成されている。剥離領域は、剥離層で被覆され、少なくとも剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成されている。この方法は更に、可撓性基板デバイスを支持するように構成された剛性キャリアから１つ以上の縁部領域を取り外すことと、１つ以上の縁部領域を取り外した後、剥離領域を剛性キャリアから取り外すことであって、剛性キャリアと剥離領域との界面を徐々に露呈させることを含む、ことと、を含む。
[0013] 本出願の一態様によれば、可撓性基板デバイスを形成するための方法が実施される。この方法は、剛性キャリア上に剥離層を提供することと、ポリマー材料で作製され、剥離層を被覆する可撓性基板本体を形成することと、を含む。可撓性基板本体は剥離層を超えて延出し、可撓性基板本体の１つ以上の縁部に近接して配置された１つ以上の縁部領域においてポリマー材料を介して剛性キャリアに接着する。この方法は更に、剛性キャリアから１つ以上の縁部領域を取り外すことと、１つ以上の縁部領域を取り外した後、剛性キャリアから、剥離層及び可撓性基板本体を１つの可撓性基板デバイスとして取り外すことと、を含む。可撓性基板本体が剛性キャリアから検出される際、剛性キャリアと剥離層との界面を徐々に露呈させる。
[0014] 記載される様々な実施をより良く理解するため、以下の図面と関連付けて、以下の発明を実施するための形態を参照するべきである。図面全体を通して、同様の参照番号は対応する部分を指す。
[0015] 本出願のいくつかの実施に従った、可撓性基板をベースにして形成された例示的なアクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイである。 [0016] いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴを製造する過程において剛性キャリアによって支持されている例示的な可撓性基板の横断面図である。 [0016] いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴを製造する過程において剛性キャリアによって支持されている例示的な可撓性基板の下面図である。 [0017] いくつかの実施に従った、１つ以上のＴＦＴが形成されている例示的な可撓性基板の横断面図である。 [0018] いくつかの実施形態において、いくつかの実施に従った、可撓性基板上に薄膜トランジスタを製造する過程において剛性キャリアによって支持されている別の例示的な可撓性基板の横断面図である。 [0018] いくつかの実施形態において、いくつかの実施に従った、可撓性基板上に薄膜トランジスタを製造する過程において剛性キャリアによって支持されている別の例示的な可撓性基板の下面図である。 [0019] いくつかの実施に従った、複数のＴＦＴアレイが形成されている例示的な可撓性基板の上面図である。 [0020] いくつかの実施に従った、可撓性基板の複数の通常接着領域に関連付けてＴＦＴアレイが形成されている例示的な可撓性基板の上面図である。 [0021] いくつかの実施に従った、可撓性基板上に薄膜トランジスタを製造する過程において剛性キャリアによって支持されている可撓性基板デバイスを形成する例示的な方法のフローチャートである。 [0022] いくつかの実施に従った、第１のデバイス領域及びデバイス周辺領域に対応した２つ以上の別個の厚さを有する例示的な可撓性基板の横断面図である。 [0023] いくつかの実施に従った、可撓性基板のデバイス周辺領域の拡大図である。 [0023] いくつかの実施に従った、可撓性基板のデバイス周辺領域の拡大図である。 [0024] いくつかの実施に従った、可撓性基板の第１のデバイス領域及びデバイス周辺領域に対応する可撓性基板の厚さを制御する例示的なプロセスを示す。 [0025] いくつかの実施に従った、可撓性基板の第１のデバイス領域及びデバイス周辺領域に対応する可撓性基板の厚さを制御する例示的なプロセスを示す。 [0025] いくつかの実施に従った、可撓性基板の第１のデバイス領域及びデバイス周辺領域に対応する可撓性基板の厚さを制御する例示的なプロセスを示す。 [0026] いくつかの実施に従った、デバイス領域及びデバイス周辺領域に対応する２つ以上の別個の厚さを有する可撓性基板デバイスを形成する例示的な方法のフローチャートである。 [0027] 図１２Ａは、いくつかの実施に従った、少なくとも金属剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を含む例示的な可撓性基板デバイスである。図１２Ｂは、いくつかの実施に従った、可撓性基板が剛性キャリアから取り外されている例示的な可撓性基板デバイスである。 [0028] 図１３Ａは、いくつかの実施に従った、少なくとも２つの剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を含む例示的な可撓性基板デバイスである。図１３Ｂは、いくつかの実施に従った、可撓性基板が剛性キャリアから取り外されている別の例示的な可撓性基板デバイスである。 [0029] 図１４Ａは、いくつかの実施に従った、少なくとも２つの剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を含む別の例示的な可撓性基板デバイスである。図１４Ｂは、いくつかの実施に従った、可撓性基板が剛性キャリアから取り外されている別の例示的な可撓性基板デバイスである。 [0030] いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴアレイを製造する過程において、１つ以上の剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を調製するプロセスフローである。 [0030] いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴアレイを製造する過程において、１つ以上の剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を調製するプロセスフローである。 [0030] いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴアレイを製造する過程において、１つ以上の剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を調製するプロセスフローである。 [0030] いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴアレイを製造する過程において、１つ以上の剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を調製するプロセスフローである。 [0030] いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴアレイを製造する過程において、１つ以上の剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を調製するプロセスフローである。 [0030] いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴアレイを製造する過程において、１つ以上の剥離層を介して剛性キャリアに接着する可撓性基板を調製するプロセスフローである。 [0031] いくつかの実施に従った、少なくとも１つの剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成された可撓性基板デバイスを形成する例示的な方法のフローチャートである。 [0032] いくつかの実施に従った、少なくとも１つの剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成された可撓性基板デバイスを形成する別の例示的な方法のフローチャートである。
[0033] 図面のいくつかの図を通して、同様の参照番号は対応する部分を示す。
[0034] 本出願の様々な実施によれば、可撓性基板は充分にロバストに剛性キャリアに接着するよう構成されて、可撓性基板を剛性キャリアによって支持しながら可撓性基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイス及び対応するディスプレイデバイスを製造できるようになっている。ＴＦＴデバイス及び対応するディスプレイデバイスを形成した後、可撓性基板は、その上に形成されたＴＦＴデバイス及び対応するディスプレイデバイスに損傷を与えることなく、剛性キャリアから解放する必要がある。いくつかの実施形態において、可撓性基板は、剛性キャリアに接触する可撓性基板の下面における１つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域を介して、剛性キャリアに取り付けられる。強力接着領域及び通常接着領域は、別個の接着強度で剛性キャリアに接着し、異なる取り外し方法を用いて剛性キャリアから順次取り外される。可撓性基板は更に、デバイス領域及びデバイス周辺領域も含み得る。デバイス周辺領域は、デバイス領域よりも厚さが実質的に大きく、可撓性基板の取り扱いを容易にするため利用される。更に、いくつかの実施形態では、可撓性基板はポリマー材料から作製され、剥離領域及び１つ以上の縁部領域を介して剛性キャリアに取り付けられる。縁部領域は、ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着するように構成され、剥離領域は、少なくとも剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成されている。このため、縁部領域は、ポリマー材料を介して剛性キャリアに対する強力な接着を可撓性基板に与えるのに対し、剥離層は、剛性キャリアから可撓性基板を容易に取り外すように設計することができる。
[0035] 可撓性基板上にＴＦＴアレイを形成することができ、このＴＦＴアレイは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）アレイを駆動するための集積駆動回路として機能できることに留意すべきである。ＴＦＴアレイを対応するＯＬＥＤアレイと共に組み立てた場合、ＴＦＴアレイの個々のＴＦＴデバイスは、各ＴＦＴデバイスによって駆動される各ＯＬＥＤ表示画素と整合し、これに近接して（例えばこれの上方に隣接して）配置される。具体的には、ＴＦＴアレイの個々のＴＦＴデバイスは、ＯＬＥＤアレイのＯＬＥＤと電気的に結合され、ＯＬＥＤ画素を駆動するための電気信号を発生するように構成されている。いくつかの実施形態において、可撓性基板及びその上に形成されたＴＦＴアレイは透明材料から作製され、ＯＬＥＤ又は外部光源によって放出された光がＴＦＴアレイを透過する照明を与え得るようになっている。
[0036] 図１は、本出願のいくつかの実施に従った例示的なアクティブマトリクス有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）デバイス１００である。ＡＭＯＬＥＤデバイス１００は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層１０４をベースにして形成され、更に、上部封入層１０２及びバックプレーン基板１０６を含む。ＡＭＯＬＥＤデバイス１００は、ＯＬＥＤ層１０４上に形成されて個々に光を放出するよう制御されるＯＬＥＤ画素の２次元（２Ｄ）アレイを含む。具体的には、各ＯＬＥＤ画素は、ＯＬＥＤ層１０４上に各有機化合物を含み、１つ以上のＴＦＴデバイスが各ＯＬＥＤデバイスに対応した有機化合物を流れる電流を発生させた場合に光を放出するように構成されている。２Ｄ ＯＬＥＤ画素アレイは、限定ではないが、テレビ、コンピュータのモニタ、タブレットコンピュータ、携帯電話、及びゲームコンソールを含む電子デバイス用のデジタルディスプレイを生成するため使用される。各ＡＭＯＬＥＤデバイス１００は、ディスプレイパネルデバイスを表し、時としてそのように呼ばれる。
[0037] 上部封入層１０２は、ＯＬＥＤ層１０４を覆い隠して保護するように構成されている。ＡＭＯＬＥＤデバイス１００が上面から（すなわち上部封入層１０２を介して）光を放出する場合、上部封入層１０２は透明材料から作製されている。ＡＭＯＬＥＤデバイス１００が下面から（すなわちバックプレーン基板１０６を介して）光を放出する場合、上部封入層１０２は任意選択的に透明又は非透明の材料から作製されている。上部封入層１０２は、ＯＬＥＤ層１０４に直接接触する下面を含む。いくつかの実施形態では、上部封入層１０２の下面は、ＯＬＥＤ層１０４上に形成されたＯＬＥＤ画素アレイのためのカソード（共通電極とも呼ばれる）として機能する導電性材料層でコーティングされている。共通電極は、実質的に低い仕事関数を有する材料で作製されている。
[0038] 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ１０８が、バックプレーン基板１０６上に形成され、ＯＬＥＤ層１０４に直接接触している。ＴＦＴアレイ１０８は、ＴＦＴ駆動ユニットの２次元アレイ、すなわち行ライン及び列ラインを含む。各ＴＦＴ駆動ユニットは、行ラインの１つ及び列ラインの１つに接続されている。ＴＦＴアレイ１０８の各ＴＦＴ駆動ユニットは、対応するＯＬＥＤ画素に関連した１つ以上のＯＬＥＤに電気的に結合され、この対応するＯＬＥＤ画素の１つ以上のＯＬＥＤを駆動する電流を発生するように構成されている。具体的には、いくつかの実施形態において、各ＴＦＴ駆動ユニットは少なくとも２つのＴＦＴを含み、そのうち第１のＴＦＴは蓄積コンデンサの電荷を制御し、第２のＴＦＴは、対応するＯＬＥＤを、このＯＬＥＤ内で実質的に一定の電流を生成するのに必要なレベルの電圧源に結合する。この実質的に一定の電流は、各表示画素において、発光（すなわち各表示画素における表示）を引き起こすように制御される。
[0039] いくつかの実施形態では、バックプレーン基板１０６上にＴＦＴアレイ１０８が形成されている。更に具体的には、バックプレーン基板１０６上に、ゲート層、半導体層、ソース／ドレイン層、１つ以上の導電層、及び１つ以上の介在する絶縁層が堆積されている。これらの材料層は、バックプレーン基板１０６上にリソグラフィによりパターニングされて、ＴＦＴ駆動ユニットのＴＦＴの機能部分（例えばゲート、ソース、及びドレイン）、並びにＴＦＴアレイ１０８内のＴＦＴ駆動ユニットにアクセスするための行ライン及び列ラインを形成する。
[0040] ＡＭＯＬＥＤデバイス１００が剛性である場合、上部封入層１０２及びバックプレーン基板１０６の少なくとも一方は、剛性材料（例えばガラス）で作製されている。本出願の様々な実施形態において、ＡＭＯＬＥＤデバイス１００は可撓性軽量基板を含み、優れた携帯性と蓄積容量によって特徴付けられ、これによって小面積ディスプレイから大面積ディスプレイまでの用途で携帯性が向上する。具体的には、可撓性ＡＭＯＬＥＤデバイス１００において、上部封入層１０２及びバックプレーン基板１０６は双方とも可撓性材料（例えばプラスチック）で作製されている。
[0041] 本出願の様々な実施によれば、ＴＦＴアレイ（例えばＡＭＯＬＥＤデバイス１００のＴＦＴアレイ）は可撓性基板上に形成され、可撓性基板は剛性キャリアによって支持されている。剛性キャリアに支持された状態で可撓性基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスを製造できるように、可撓性基板は充分にロバストに剛性キャリアに接着しなければならない。図２Ａ及び図２Ｂはそれぞれ、いくつかの実施に従った、可撓性基板２０２上にＴＦＴを製造する過程において剛性キャリア２０４によって支持されている例示的な可撓性基板２０２の横断面図２００及び下面図２２０である。可撓性基板２０２は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（スチレン）、ポリ（ビニルフェノール）、シルセスキオキサン（ガラス樹脂）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｅｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリエステル、アクリルポリマー、ナイロン等のうち１つ以上を含むポリマー材料で作製され得る。
[0042] 可撓性基板２０２は、上面２１０及びこの上面２１０の反対側の下面２２０を含む。可撓性基板の上面２１０上には複数の電子デバイスが形成されている。任意選択的に、複数の電子デバイスは１つ以上のＴＦＴを含む。更に具体的には、いくつかの実施形態において、複数の電子デバイスは、１つ以上のＴＦＴから形成された複数の画素駆動回路を含み、各画素駆動回路は、例えばＡＭＯＬＥＤデバイス１００のようなディスプレイデバイスの表示画素を駆動するように構成されている。可撓性基板２０２の上面２１０上に形成されるＴＦＴについての更なる詳細は、図２Ｃを参照して以下で検討する。
[0043] また、可撓性基板２０２の下面２２０は、１つ以上の強力接着領域２０６と、この１つ以上の強力接着領域２０６とは別個の１つ以上の通常接着領域２０８と、を含む。１つ以上の強力接着領域２０６及び１つ以上の通常接着領域２０８の各々は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに取り付けられるように構成されている。第１の接着強度は第２の接着強度よりも実質的に大きい。強力接着領域及び通常接着領域の接着強度は、可撓性基板２０２上に複数の電子デバイスが形成された後、又は可撓性基板２０２をベースにして１つ以上のＡＭＯＬＥＤデバイス１００が形成された後に、剛性基板２０４から可撓性基板２０２を容易に取り外せるように構成されている。
[0044] いくつかの実施形態において、１つ以上の強力接着領域２０６及び１つ以上の通常接着領域２０８は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度を与えるため２つの別個の材料で被覆されている。
[0045] いくつかの実施形態において、可撓性基板２０２の１つ以上の通常接着領域２０８は、被覆されず、可撓性基板２０２と同じ材料を含む。すなわち、１つ以上の通常接着領域２０８は、剛性基板２０４上に直接配置されて第２の接着強度を得る。１つ以上の強力接着領域２０６は、第１の接着強度を与える第１の接着増強材料で被覆されている。例えば強力接着領域は、有機シラン化合物、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）、又はそれらの組み合わせで被覆され得る。
[0046] あるいは、いくつかの実施形態における１つ以上の通常接着領域２０８は、可撓性基板２０２と剛性キャリア２０４との間の接着強度を低減させるため第２の接着低減材料で被覆されている。第２の接着低減材料の例には、限定ではないが、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、自己組織化層、有機シラン化合物、及びそれらの組み合わせが含まれる。任意選択的に、１つ以上の強力接着領域２０６は、別の接着制御材料で被覆されている。任意選択的に、１つ以上の通常強力接着領域２０６は、可撓性基板２０２と同じ材料を含む。すなわち可撓性基板２０２は、１つ以上の強力接着領域２０６において直接剛性キャリア２０４に接触している。
[0047] また、剛性キャリア２０４の表面に表面処理を施して、１つ以上の強力接着領域及び通常接着領域を可能とすることができる。剛性キャリア２０４は、１つ以上の強力接着領域２０６が取り付けられる１つ以上の第１の表面エリアと、１つ以上の通常接着領域２０８が取り付けられる１つ以上の第２の表面エリアと、を含む。いくつかの実施形態において、剛性キャリア２０４の第１の表面エリアは、第１の接着強度を有する１つ以上の強力接着領域２０６の取り付けを形成するように処理される。いくつかの実施形態において、剛性キャリア２０４の第２の表面エリアは、第２の接着強度を有する１つ以上の通常接着領域２０８の取り付けを形成するように処理される。いくつかの実施形態において、剛性キャリア２０４の第１及び第２のエリアは双方とも処理されるが、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度を可能とするため異なる処理を施される。剛性キャリア２０４の第１及び第２の表面エリアの各々は、処理される場合、プラズマもしくはレーザを用いて物理的に、又は表面処理化学物質を用いて化学的に処理することができる。
[0048] あるいは、可撓性基板２０２の下面２２０の選択されたエリアに表面処理を施して、１つ以上の強力接着領域２０６又は１つ以上の通常接着領域２０８を生成することも可能である。強力接着領域及び通常接着領域に対応した下面２２０の各表面エリアが処理される場合、それらは、それぞれ別個の第１の接着強度及び第２の接着強度を可能とするため異なる手法で処理される。可撓性基板２０２の強力接着領域及び通常接着領域の各々は、処理される場合、プラズマもしくはレーザを用いて物理的に、又は表面処理化学物質を用いて化学的に処理することができる。
[0049] いくつかの実施形態において、１つ以上の強力接着領域２０６は、レーザアブレーションによって剛性キャリア２０４から取り外されるように構成されている。いくつかの実施形態において、１つ以上の通常接着領域２０８は、１つ以上の強力接着領域２０６が剛性キャリア２０４から取り外された後に剛性キャリア２０４から機械的に剥がされるように構成されている。
[0050] 図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、可撓性基板２０２の下面２２０の１つ以上の強力接着領域２０６は、可撓性基板２０２の複数の縁部の各々に近接して配置された各帯状部（ｓｔｒｉｐｅ）を含む。１つ以上の強力接着領域２０６の帯状部は、１つ以上の通常接着領域２０８を実質的に包囲する閉鎖ループを形成するように連結されている。いくつかの実施形態において、１つ以上の強力接着領域２０６の各帯状部は、ほぼ同じビームサイズを有するレーザを用いて強力接着領域を取り外せるように、実質的に狭い幅（３０〜５００μｍ等）を有する。
[0051] 可撓性基板２０２は更に、ディスプレイパネルデバイス（例えばＡＭＯＬＥＤデバイス１００）を駆動するように各々が構成された複数のＴＦＴアレイを含むことができる。図２Ａ及び図２Ｂに示すこの特定の実施において、可撓性基板２０２は、閉鎖ループの強力接着領域２０６に囲まれた単一の通常接着領域２０６を含み、この単一の通常接着領域２０６は、各々がＡＭＯＬＥＤディスプレイデバイス１００に関連付けられた複数のＴＦＴアレイの下にある。可撓性基板２０２は、剛性キャリア２０４から解放された後、複数のＴＦＴアレイに分離することができる。可撓性基板２０２が剛性キャリア２０４によって支持されている間に複数のＴＦＴアレイに分離することも可能であること、更に、１つ以上のＴＦＴアレイを含む分離された各可撓性基板デバイス２０２がそれぞれ個別に剛性キャリア２０４から解放されることに留意すべきである。
[0052] あるいは、いくつかの実施形態において、１つ以上の強力接着領域２０６は下面２２０の縁部に近接配置されない。可撓性基板２０２の下面２２０の強力接着領域及び通常接着領域は、可撓性基板２０２の縁部に近接しないアイランド（ｉｓｌａｎｄ）を形成する。特定の例では、可撓性基板２０２の接着領域のこのアイランドは、この場合も、閉鎖ループ強力接着領域２０６に囲まれた単一の通常接着領域２０６を含み得る。任意選択的に、１つのＡＭＯＬＥＤデバイス１００に関連した１つのＴＦＴアレイ、又は複数のＡＭＯＬＥＤデバイス１００に関連した複数のＴＦＴアレイは、単一の通常接着領域２０８の上方にある。
[0053] 図２Ｃは、いくつかの実施に従った、１つ以上のＴＦＴデバイス２４２が形成されている例示的な可撓性基板２０２の横断面図２４０である。可撓性基板２０２は、下面２２０における強力接着領域及び通常接着領域に加えて、上面２１０に形成された１つ以上のＴＦＴデバイス（例えばＴＦＴデバイス２４２）も含む。ＴＦＴデバイス２４２は、ＡＭＯＬＥＤデバイス１００を駆動するように構成されたＴＦＴアレイの１つの内部に位置付けられ、ＴＦＴアレイ（ＴＦＴデバイス２４２を含む）は、下面２２０の通常接着領域２０８に対応した上面２１０の部分に形成されている。ＴＦＴデバイス２４２は、少なくともゲート２４４、ソース２４６、ドレイン２４８、及びチャネル構造２５０を含む。ゲート２４４は、可撓性基板２０２上に形成され、ゲート絶縁層２５２の下で保護されている。ソース２４６及びドレイン２４８は、ゲート絶縁層２５２の上方にあり、双方とも導電性である。ソース２４６及びドレイン２４８の各々は、ソース２４６とドレイン２４８との間の分離ギャップを画定する第１の縁部２５４を含み、ソース２４６及びドレイン２４８の第１の縁部２５４はゲート２４４の上方にあって、少なくとも部分的にゲート２４４に重なっている。いくつかの実施形態において、ソース２４６及びドレイン２４８は、導電性であるソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）材料層においてパターニングされ、ソース２４６とドレイン２４８との間のＳ／Ｄ材料層の過剰部分が除去された後にソース２４６とドレイン２４８との間に分離ギャップが形成される。
[0054] いくつかの実施形態において、ＴＦＴデバイス２４２は更に、チャネル構造２５０を保護する目的のために少なくともチャネル構造２５０を被覆するパッシベーション層２５６も含む。任意選択的に、パッシベーション層２５６は、ポリマー材料又は誘電材料（例えば二酸化シリコン、窒化シリコン、及び低ｋ誘電体）で作製されている。パッシベーション層２５６は、単一の材料層又は別個の材料による複数の層を含むことができる（例えば、１つ以上のポリマー材料層と１つ以上の誘電材料層の組み合わせ）。
[0055] 更に、いくつかの実施形態においてＴＦＴデバイス２４２は、パッシベーション層２５６の上に配置され、少なくともチャネル構造２５０を被覆するように平坦化されているパッシベーション層２６０を含み得る。任意選択的に、平坦化層２６０はパッシベーション層２５６よりも実質的に厚い。平坦化層２６０は、単一の材料層又は複数の材料層とすることができる。いくつかの実施形態において、平坦化層２６０はポリマー材料で作製されている。いくつかの実施において、平坦化層２６０は、金属（例えばアルミニウム、モリブデン、及びチタン）、金属酸化物（例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、及び窒化チタン）、誘電体（例えば二酸化シリコン、窒化シリコン、及び低ｋ誘電体）、スピンオングラス（ＳＯＧ：ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ：ｓｐｉｎ ｏｎ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭素含有シリコン酸化物（ＳｉＯＣ）、又はこれらの材料の２つ以上の任意の組み合わせ等、他の無機材料の１つ以上から作製されている。
[0056] いくつかの実施形態において、ＴＦＴデバイス２４２は更に、可撓性基板２０２の上面２１０に（すなわちパッシベーション層２５６又は平坦化層２６０の上に）形成された電極層も含む。電極層はパターニングされ、結果として、それぞれゲート２４４、ソース２４６、及びドレイン２４８に電気的に結合されたゲート電極（図２Ｃには示していない）、ソース電極２６２、及びドレイン電極２６４を含む。パッシベーション層２５６、パッシベーション層２５６、及び／又はゲート絶縁層２５２に、１つ以上のゲート接点開口が画定されて、ゲート電極がゲート２４４にアクセスすることを可能とする。同様に、パッシベーション層２５６及びパッシベーション層２５６にソース又はドレイン接点開口が画定されて、ソース電極２６２及びドレイン電極２６４がそれぞれソース２４６及びドレイン２４８にアクセスすることを可能とする。
[0057] 更に、いくつかの実施形態において、可撓性基板２０２の上面２１０に配置された電極層は、上部チャネル２５０の上方に形成されると共にパッシベーション層２５６及び平坦化層２６０の双方によって上部チャネル２５０から分離された上部ゲート２６６も含む。いくつかの実施において、上部ゲート２６６及びゲート２４４は相互に電気的に結合されている。あるいは、いくつかの実施において、可撓性基板２０２の上面２１０に形成された電極層は、ディスプレイデバイスの対応する表示画素を駆動するように構成された画素電極２６８も含む。ＴＦＴデバイス２４２がＡＭＯＬＥＤデバイス１００の表示画素を駆動するように構成されている場合、画素電極２６８は、ＴＦＴデバイス２４２のソース電極に電気的に結合されている。
[0058] 本明細書に記載されるＴＦＴデバイス２４２は例示的なものであり、限定は意図していないことに留意すべきである。例えば、本明細書に記載されるＴＦＴデバイス２４２のいかなる寸法、材料、製造動作、及び用途も例示であり、限定は意図していない。図面は必ずしも一定の縮尺通りに描かれていない。簡潔さのため、いくつかの実施に関連付けて記載される特徴（ｆｅａｔｕｒｅｓ）又は特性（ｃｈａｒａｃｔｅｒｓ）は、他の実施を記載する際に必ずしも反復又は繰り返さないことがある。明示的に記載されない場合があるものの、いくつかの実施に関連付けて記載される特徴又は特性は、他の実施によって使用され得る。
[0059] 図３Ａ及び図３Ｂはそれぞれ、いくつかの実施に従った、可撓性基板２０２上に薄膜トランジスタを製造する過程において剛性キャリア２０４によって支持されている別の例示的な可撓性基板２０２の横断面図３００及び下面図２２０である。可撓性基板２０２は、上面２１０及びこの上面２１０の反対側の下面２２０を含む。可撓性基板２０２の上面２１０上には複数の電子デバイスが形成されている。また、可撓性基板２０２の下面２２０は、１つ以上の強力接着領域２０６と、この１つ以上の強力接着領域２０６とは別個の１つ以上の通常接着領域２０８と、を含む。１つ以上の強力接着領域２０６の各々は第１の接着強度で剛性キャリア２０４に接着するように構成され、１つ以上の通常接着領域２０８の各々は第２の接着強度で剛性キャリア２０４に接着するように構成されている。第１の接着強度は第２の接着強度よりも実質的に大きい。強力接着領域及び通常接着領域の接着強度は、可撓性基板２０２上に複数の電子デバイスが形成された後、又は可撓性基板２０２をベースにして１つ以上のＡＭＯＬＥＤデバイス１００が形成された後に、剛性基板２０４から可撓性基板２０２を容易に取り外せるように構成されている。
[0060] いくつかの実施形態において、１つ以上の強力接着領域２０６は、１つ以上の通常接着領域２０８を包囲する格子を形成し、１つ以上の通常接着領域２０８の各々が１つ以上の強力接着領域２０６で囲まれるようになっている。図３Ｂに示すようなこの特定の例では、可撓性基板２０２の下面２２０は、強力接着領域２０６の格子を形成するように連結された複数の強力接着帯状部を含む。強力接着領域２０６の格子内に６個の通常接着領域２０８の行が包囲されている。あるいは、１つ以上の強力接着領域２０６は、２つ以上の行及び２つ以上の列を有する通常接着領域２０８のアレイを包囲する格子を形成する。
[0061] いくつかの実施形態において、可撓性基板２０２のサイズが大きい場合、強力接着領域２０６の格子を含む可撓性基板２０２が適用される。強力接着領域２０６の格子は、可撓性基板２０２を複数の位置でしっかり保持するように構成され、可撓性基板２０２の上面２１０上に複数の電子デバイスを製造する過程において可撓性基板２０２が長い熱サイクルに耐えられるようになっている。この目的のため、強力接着領域２０６の格子は、製造プロセス中に可撓性基板２０２が剛性キャリア２０４上で堅固に保持されることを保証するように選択されたピッチ又は間隔を有する。例示的な基板取り外しプロセスにおいて、強力接着領域２０６は、エキシマレーザアブレーションを用いて剛性キャリア２０４から解放され、強力接着領域２０６の格子のブロックを埋める１つ以上の通常接着領域２０８は、強力接着領域２０６のレーザアブレーションの後、容易に剥がされる。
[0062] 図４は、いくつかの実施に従った、複数のＴＦＴアレイが形成されている例示的な可撓性基板２０２の上面図４００である。また、可撓性基板２０２の下面２２０は、１つ以上の強力接着領域２０６及び１つ以上の通常接着領域２０８を含む。１つ以上の強力接着領域２０６は、１つ以上の通常接着領域２０８を包囲する格子を形成する。
[0063] 可撓性基板２０２は更に、可撓性基板２０２の上面２１０に配置された１つ以上のディスプレイパネルデバイス４０２も含む。ＡＭＯＬＥＤデバイス１００に関連付けたいくつかの実施形態では、可撓性基板２０２はバックプレーン基板１０６として機能し、各ディスプレイパネルデバイス４０２は、上部封入層１０２、ＯＬＥＤ層１０４、又はそれら双方を含む。各ディスプレイデバイス４０２は、複数のＴＦＴアレイのうち少なくとも１つと電気的に結合され、それによって駆動されて、ＡＭＯＬＥＤデバイス１００を形成する。
[0064] 各ディスプレイパネルデバイス４０２は、強力接着領域２０６の格子と重なることなく、下面２２０の１つ以上の通常接着領域２０８のうち１つに対応した上面４１０のエリアに配置されている。いくつかの実施形態では、通常接着領域２０８の１つに対応した上面２１０のエリアに、２つ以上のディスプレイパネルデバイス４０２がある。いくつかの実施形態では、通常接着領域２０８の１つに対応した上面２１０のエリアに、ディスプレイパネルデバイス４０２が１つだけある。
[0065] いくつかの実施形態において、可撓性基板４０２の上面４１０上に形成された複数のＴＦＴアレイの各々は、１つ以上のディスプレイパネルデバイス４０２のうち１つと電気的に結合され、各ディスプレイパネルデバイス４０２を駆動するための電気信号を与えるように構成されている。このため、いくつかの実施形態では、通常接着領域２０８の１つに対応した上面２１０のエリアに、２つ以上のＴＦＴアレイを形成することができる。いくつかの実施形態では、通常接着領域２０８の１つに対応した上面２１０のエリアに、ＴＦＴアレイが１つだけ形成されている。
[0066] 図５は、いくつかの実施に従った、可撓性基板の複数の通常接着領域に関連付けてＴＦＴアレイが形成されている例示的な可撓性基板２０２の上面図５００である。また、可撓性基板２０２の下面２２０は、１つ以上の強力接着領域２０６及び１つ以上の通常接着領域２０８を含む。１つ以上の強力接着領域２０６は、１つ以上の通常接着領域２０８を包囲する格子を形成する。可撓性基板２０２は更に、可撓性基板２０２の上面２１０上に配置されているディスプレイパネルデバイス５０２も含む。ディスプレイパネルデバイス５０２は、下面２２０の少なくとも２つの通常接着領域２０８に対応した上面２１０のエリアに配置され、この少なくとも２つの通常接着領域２０８を包囲する強力接着領域２０６の格子と少なくとも部分的に重なっている。ここで、ディスプレイパネルデバイス５０２は実質的に大きいサイズを有し、従って、２つ以上の通常接着領域２０８は、複数の電子デバイスを製造する過程又はディスプレイパネルデバイス５０２を上面２１０に組み付ける過程において可撓性基板２０２が剛性キャリア２０４上で堅固に保持されることを保証するように生成する必要がある。
[0067] いくつかの実施形態において、ディスプレイパネルデバイス５０２は、可撓性基板２０２の上面２１０に形成された１つ以上のＴＦＴアレイと電気的に結合され、これによって駆動される。１つ以上のＴＦＴアレイは、少なくとも２つの通常接着領域２０８と、ディスプレイパネルデバイス５０２に部分的に重なると共に少なくとも２つの通常接着領域２０８を包囲する強力接着領域２０６の格子の一部と、に対応した上面２１０のエリアに形成することができる。
[0068] 任意選択的に、剛性キャリア２０４の背面にレーザを照射して、１つ以上の強力接着領域２０６を解放し、ディスプレイパネルデバイス５０２上での視覚的欠陥の発生を効果的に回避する。レーザは、例えば下基板２２０の外縁から開始して内側領域へ、取り外しパターンに従って、１つ以上の強力接着領域２０６を取り外すように構成することができる。
[0069] 図６は、いくつかの実施に従った、可撓性基板（例えば可撓性基板２０２）上に薄膜トランジスタを製造する過程において剛性キャリア（例えば剛性キャリア２０４）によって支持されている可撓性基板デバイスを形成する例示的な方法６００のフローチャートである。方法６００は、剛性キャリア上に支持され可撓性基板を含む可撓性基板デバイスを提供する（６０２）。また、可撓性基板は、相互に反対側にある上面及び下面を含む（６０４）。可撓性基板の上面には複数の電子デバイスが形成されている。また、下面は、１つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域を含む。図２Ａ及び図２Ｂを参照して上述したように、可撓性基板デバイスは、剛性キャリア２０４の支持が与えられ、可撓性基板２０２を含む。可撓性基板２０２は上面２１０及び下面２２０を含む。可撓性基板２０２の上面２１０には複数のＴＦＴアレイが形成されている。更に具体的には、上面２１０にはＴＦＴアレイ（例えばＴＦＴデバイス２４２）が形成されている。いくつかの実施形態では、可撓性基板２０２の上面２１０に、１つ以上のディスプレイパネルデバイス（例えばデバイス４０２及び５０２）が配置されている。可撓性基板２０２の下面２２０は、１つ以上の強力接着領域２０６及び１つ以上の通常接着領域２０８を含む。
[0070] １つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域の各々は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに取り付けられるように構成されている。第１の接着強度は第２の接着強度よりも実質的に大きい。１つ以上の強力接着領域によって、ＴＦＴデバイスを形成する過程又はディスプレイパネルデバイスを可撓性基板上に搭載する過程において、可撓性基板を剛性キャリアに強く接着することが可能となる。１つ以上の通常接着領域は、剛性キャリアからの取り外しが比較的容易である。従って、可撓性基板において強力接着領域及び通常接着領域を一体化することで、デバイス製造と基板取り外しの双方で接着強度のバランスを取る要求が満足される。
[0071] 方法６００に従って、可撓性基板デバイスを支持するように構成された剛性キャリアから、１つ以上の強力接着領域を取り外す（６０６）。１つ以上の強力接着領域を取り外した後、１つ以上の通常接着領域を剛性キャリアから取り外す（６０８）。特定の例では、１つ以上の強力接着領域はレーザ支援リフトオフ（ｌａｓｅｒ ａｉｄｅｄ ｌｉｆｔｏｆｆ）を用いて可撓性基板から取り外され、１つ以上の通常接着領域は機械的に可撓性基板から剥がされる。いくつかの実施形態では、１つ以上の強力接着領域の第１の総面積は、１つ以上の通常接着領域の第２の総面積よりも実質的に小さい。実質的に小さい面積を有する強力接着領域に対してのみレーザを照射することを考慮すると、レーザの特性（例えばビームサイズ、パワー、及び効率）に対する要件は、はるかに大きい面積を有する基板を解放するため使用する場合に比べて厳しくなく、レーザのコストも著しく削減できる。更に、この２つの連続的な取り外しは容易に一体化することができ、結果として、ディスプレイデバイスに用いられる可撓性基板デバイスで高いスループットが得られる。
[0072] いくつかの実施形態では、２０μｍ以下の厚さを有する可撓性基板を利用して、折り畳める（ｆｏｌｄａｂｌｅ）又は丸められる（ｒｏｌｌａｂｌｅ）ディスプレイを提供する。そのような超薄型の可撓性基板は、その下にある剛性キャリアから解放する過程における取り扱いが難しい（特に、解放プロセスを自動化するため生産設備を用いる場合）。更に、超薄型の可撓性基板上に電子コンポーネント又はプリント回路基板（可撓性又は剛性）が集積される場合、可撓性基板は、集積プロセス（例えば超音波ボンディング）を無傷で通過することができない可能性がある。また、電子コンポーネントと超薄型の可撓性基板を電気的に結合するため形成される電気ワイヤは、容易に損傷する恐れがあり、解放の間に電気的開路を生じ得る。これらの問題のため、超薄型の可撓性基板のスループット及び歩留まりは著しく低下する。
[0073] 図７は、いくつかの実施に従った、第１のデバイス領域７０６及びデバイス周辺領域７０８に対応した２つ以上の別個の厚さを有する例示的な可撓性基板７０２の横断面図７００である。可撓性基板７０２は剛性キャリア７０４によって支持されている。デバイス周辺領域７０８は、第１のデバイス領域７０６に近接して位置付けられている。可撓性基板７０２の第１のデバイス領域７０６上には、複数の電子デバイス（図７には示していない）が形成されている。更に、可撓性基板７０２を剛性基板７０４から解放する間の可撓性基板７０２の取り扱いを容易にする目的のため、デバイス周辺領域７０８は、第１のデバイス領域７０６の第２の厚さＨ２よりも実質的に大きい第１の厚さＨ１を有する。いくつかの実施形態において、デバイス周辺領域７０８の第１の厚さＨ１は、１０〜２００μｍの範囲内である。いくつかの実施形態において、第１のデバイス領域７０６の第２の厚さＨ２は、５〜３０μｍの範囲内である。
[0074] いくつかの実施形態において、デバイス周辺領域７０８は、デバイス周辺領域７０８上に配置された電子回路コンポーネント７１２を支持するように構成されている。いくつかの実施形態では、可撓性基板７０２は更に、デバイス周辺領域７０８の第１の厚さＨ１と実質的に等しい厚さを有する第２のデバイス領域７１４も含む。第２のデバイス領域７１４は、上に配置された電子回路コンポーネント７１２’を支持するように構成されている。デバイス周辺領域７０８及び第２のデバイス領域７１４の厚さＨ１は、可撓性基板７０２の機械的ロバスト性を増大し、可撓性基板７０２に電子回路コンポーネント７１２又は７１２’が接合されている間又は接合された後に可撓性基板７０２に対する損傷を回避するよう構成されている。任意選択的に、デバイス周辺領域７０８又は第２のデバイス領域７１２’上に配置された電子回路コンポーネントは、可撓性基板７０２の上面７１０に形成されたＴＦＴアレイに結合されてこれを制御するよう構成されたＴＦＴアレイインタフェースの少なくとも一部を含む。
[0075] あるいは、いくつかの実施形態においてデバイス周辺領域７０８は、可撓性基板７０２の上面７１０上に形成され露出している１つ以上の電子パッドもしくはリードに対する電子接合（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）を支持するように構成されている。電子接合によって、可撓性基板７０２の第１のデバイス領域７０６上に形成されたＴＦＴアレイに対する電気信号の伝達及びＴＦＴアレイからの電気信号の伝達が可能となる。
[0076] 第１の厚さを有するデバイス周辺領域７０８は、可撓性基板７０２の各縁部に近接して位置付けられていることに留意すべきである。剛性キャリア７０４に対する位置について、デバイス周辺領域７０８は任意選択的に、剛性キャリア７０４の各縁部に近接して、又は剛性キャリア７０４のいかなる縁部からも実質的に離れて位置付けられている。一方、第１の厚さを有する第２のデバイス領域７１４は、可撓性基板７０２又は剛性キャリア７０４のいかなる縁部からも実質的に離れたアイランドとして形成されている。特定の例において、剛性キャリア７０４は、単一の基板層から形成されて剛性キャリア７０４から解放される前に個別の可撓性基板７０２に分離された複数の可撓性基板７０２を支持するように構成されている。複数の可撓性基板７０２の各々は、剛性キャリア７０４から個々に取り外す必要がある。各可撓性基板７０２が、可撓性基板７０２の縁部に近接したデバイス周辺領域７０８を含む場合、実質的に大きい厚さを有するデバイス周辺領域７０８において、１つ以上の電子回路コンポーネント７１２をしっかり支持することができる。更に重要なことは、実質的に大きい厚さのため、可撓性基板７０２を剛性キャリア７０４から解放する間に又はその後に、第１のデバイス領域７０６に損傷を与えることなく、デバイス周辺領域７０８において可撓性基板７０２自体を安全かつ便利に取り扱えることである。
[0077] いくつかの実施形態では、可撓性基板７０２の第１のデバイス領域７０６に、ＴＦＴアレイ（例えばＡＭＯＬＥＤデバイス１００のＴＦＴアレイ）が形成されている。第１のデバイス領域７０６に形成されたＴＦＴアレイの上に、ディスプレイパネルデバイス７１６を配置することができる。ＡＭＯＬＥＤデバイス１００に関連付けたいくつかの実施形態では、可撓性基板７０２はバックプレーン基板１０６として機能し、各ディスプレイパネルデバイス７１６は、上部封入層１０２、ＯＬＥＤ層１０４、又はそれら双方を含む。ＴＦＴアレイは、ディスプレイパネルデバイス７１６に電気的に結合され、これを駆動するための電気信号を発生させるように構成されている。
[0078] 図８Ａ及び図８Ｂは、いくつかの実施に従った、可撓性基板７０２のデバイス周辺領域７０６の２つの拡大図８００及び８１０である。可撓性基板７０２は、上面７１０及び下面７２０を含む。デバイス周辺領域７０８に対応する下面７２０は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリア７０４に接着するように構成された強力接着領域８０２及び弱接着領域８０４の一方又は双方を含む。第１の接着強度は第２の接着強度よりも実質的に大きい。デバイス周辺領域７０８が強力接着領域及び弱接着領域の双方を含む場合、強力接着領域８０２は可撓性基板７０２の縁部に近接して配置されるのに対し、弱接着領域８０４は強力接着領域８０２に近接して配置され、可撓性基板の縁部に実質的に近い位置を維持し得る。任意選択的に、弱接着領域８０４は、剥離層で被覆するか、又は表面を処理して第２の接着強度を与える。剥離層は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、自己組織化層、有機シラン化合物、及びそれらの組み合わせで作製することができる。いくつかの実施において、剥離層は１〜４００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
[0079] 任意選択的に、第１のデバイス領域７０６に対応する下面７２０は、通常接着領域８０６も含み、第３の接着強度で剛性キャリア７０４に接着するように構成されている。第３の接着強度は、実質的に第２の接着強度よりも大きく、第１の接着強度よりも小さい。図８Ａを参照すると、いくつかの実施形態において第１のデバイス領域７０６は、第３の接着強度を与える接着制御層を介して剛性キャリア７０４に接着するように構成されている。あるいは、図８Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において第１のデバイス領域７０６は、接着制御層を用いることなく剛性キャリア７０４に直接接着するように構成されている。任意選択的に、第１のデバイス領域７０６に対応する下面７２０、又は第１のデバイス領域７０６が接着する剛性キャリア７０４のエリアは、可撓性基板７０２が剛性キャリア７０４に接着する前に、物理的又は化学的に（例えばレーザ又はプラズマによって）処理される。
[0080] いくつかの実施形態において、強力接着領域８０２はレーザアブレーションを用いて剛性キャリアから取り外すように構成され、弱接着領域８０４は剛性キャリア７０４から機械的に剥がすことによって剛性キャリア７０４から取り外すように構成されている。強力接着領域８０２を取り外した後、弱接着領域８０４は、実質的に弱くした第２の接着力のために剛性キャリア７０４から便利に取り外すことができる。弱接着領域８０４を取り外した後、可撓性基板７０２が全体的に剛性キャリア７０４から解放されるまで、第１のデバイス領域７０６を剛性キャリア７０４から剥がし続ける。可撓性基板７０２の解放中、ユーザは、第１のデバイス領域７０６に形成された複数の電子デバイスに損傷を与えることなく、デバイス周辺領域７０８で可撓性基板７０２を取り扱うことができる。
[0081] 図９は、いくつかの実施に従った、可撓性基板７０２の第１のデバイス領域７０６及びデバイス周辺領域７０８に対応する可撓性基板７０２の厚さを制御する例示的なプロセス９００を示す。可撓性基板７０２の厚さを制御する例示的な方法は、限定ではないが、スロットダイコーティング及びスリットコーティングを含む。例えば、材料分配チャンバに基板材料を充填し、この基板材料を、供給スロット９０２を介して可撓性基板７０２上に射出する。デバイス周辺領域７０８又は第２のデバイス領域７１４に対応した剛性キャリア７０４の第１のエリアは、基板材料の第１の厚さＨ１に射出及びコーティングされ、第１のデバイス領域７０６に対応した剛性キャリア７０６の第２のエリアは、基板材料の第２の厚さＨ２に射出及びコーティングされる。
[0082] あるいは、図９に示していないいくつかの実施形態では、デバイス周辺領域７０８又は第２のデバイス領域７１４に対応した剛性キャリア７０４の第１のエリアを、可撓性基板７０２の形成に用いられる基板材料によって選択的に被覆する。次いで、剛性キャリア７０４の基板全体を、基板材料によって包括的にコーティングする。この包括的なコーティングは、第１のデバイス領域７０６の第２の厚さＨ２と実質的に一致している。剛性キャリア７０４の第１のエリアは基板材料によって２回コーティングされるので、結果として、第２の厚さＨ２よりも実質的に大きい第１の厚さＨ１が得られる。
[0083] 図１０Ａ及び図１０Ｂは、いくつかの実施に従った、可撓性基板の第１のデバイス領域７０６及びデバイス周辺領域７０８に対応する可撓性基板７０２の厚さを制御する例示的なプロセス１０００を示す。図１０Ａを参照すると、剛性キャリア７０４は、１つ以上の第１のエリア１００２で上面がくぼんでいる。図１０Ｂを参照すると、くぼんだ剛性キャリア７０４に基板材料の層をコーティングして（更に、任意選択的にパターニングして）、デバイス周辺領域７０８、第１のデバイス領域７０６、及び第２のデバイス領域７１４のうち１つ以上を含む可撓性基板７０２を形成する。いくつかの実施形態において、基板材料の層は、スピンコーティング、スロットダイコーティング、又はスリットコーティングによって調製される。基板材料で被覆された剛性キャリア７０４は、任意選択的に上面７１０が平坦化される。
[0084] 場合によっては、可撓性基板７０２は、下基板７２０に、強力接着領域、弱接着領域、又は通常接着領域８０２〜８０６のうち１つ以上を含む。くぼんだ剛性キャリア７０４の上面は、強力接着領域、弱接着領域、又は通常接着領域８０２〜８０６のうち１つ以上に対応した１つ以上の表面エリアを含む。接着領域８０２〜８０６のうち１つに対応した剛性キャリア７０４の１つ以上の表面エリアの各々は、任意選択的に、接着制御材料でコーティングするか、又は物理的もしくは化学的プロセスを用いて処理される。いくつかの実施形態では、強力接着領域、弱接着領域、又は通常接着領域８０２〜８０６のうち任意のものは、接着制御材料又は表面処理を用いることなく、剛性キャリア７０４の上面と直接接触し得ることに留意すべきである。
[0085] 図１１は、いくつかの実施に従った、デバイス領域７０６及びデバイス周辺領域７０８に対応する２つ以上の別個の厚さを有する可撓性基板デバイスを形成する例示的な方法１１００のフローチャートである。方法１１００は、可撓性基板デバイスを提供する（１１０２）。可撓性基板デバイスは、剛性キャリア７０４によって支持され、第１のデバイス領域７０６と、この第１のデバイス領域７０６に近接して配置されたデバイス周辺領域７０８と、を含む。デバイス周辺領域７０８は、第１のデバイス領域７０６の第２の厚さよりも実質的に大きい第１の厚さを有し、可撓性基板７０２の取り扱いを容易にするように構成されている（１１０４）。可撓性基板デバイスを提供するプロセスに関する詳細は、図９、図１０Ａ、及び図１０Ｂを参照して上述されている。
[0086] 可撓性基板デバイスを支持するように構成された剛性キャリア７０４から、デバイス周辺領域７０８を取り外す（１１０６）。デバイス周辺領域７０８を取り外した後、デバイス周辺領域７０８で可撓性基板デバイス７０２を取り扱って、第１のデバイス領域７０６を剛性キャリア７０４から取り外す（１１０８）。
[0087] 図２〜図１１を参照すると、可撓性基板は、デバイス領域に形成されたＴＦＴアレイと、ＴＦＴアレイの上に配置されたディスプレイパネルデバイスと、を含み得る。可撓性基板の剛性キャリアへの取り付けは一時的なものに過ぎない。これは、可撓性基板上にＴＦＴアレイ及び／又はディスプレイパネルデバイスが形成され集積されたら可撓性基板は剛性キャリアから解放されるためである。ＴＦＴアレイ及び／又はディスプレイパネルデバイスを形成する過程において望ましくない取り外しを防止するため、可撓性基板と剛性キャリアとの間にはある特定の接合強度が必要である。具体的には、対応するＴＦＴ製造プロセスの高いサーマルバジェット（ｔｈｅｒｍａｌ ｂｕｄｇｅｔ）に伴う機械的応力によって生じ得る損傷から可撓性基板を保護するため、充分に大きい接合強度が必要となる場合がある。可撓性基板及び剛性キャリアの取り外し／剥離は、既存の可撓性基板技術における様々な方法で実現される。しかしながら、既存の可撓性基板技術で用いられるこれらの取り外し方法は、局所的な取り外し力を加えることを含み、これは、可撓性基板、ＴＦＴアレイ、又はディスプレイパネルデバイスに対して容易に損傷を与え得る。従って、接着強度は、ＴＦＴアレイ及び／又はディスプレイパネルデバイスを形成する過程において強力な接着を与えながらも、ＴＦＴアレイ及びディスプレイパネルデバイスに損傷を生じることなく可撓性基板の容易な取り外しを可能とするように構成しなければならない。
[0088] 本出願のいくつかの実施形態によれば、可撓性基板と剛性キャリアとの界面の一部において、１つ又は２つの剥離層及び／又は１つ以上の接着制御層が集積される。更に具体的には、可撓性基板デバイスは、可撓性基板と、この可撓性基板の上面に形成された複数の電子デバイスと、を含む。可撓性基板はポリマー材料で作製され、上面及びこの上面の反対側の下面を含む。また、可撓性基板の下面は、剥離領域及び１つ以上の縁部領域を含む。１つ以上の縁部領域は、可撓性基板の１つ以上の縁部に近接して配置され、ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着するように構成されている。剥離領域は、剥離層で被覆され、少なくとも剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成されている。縁部領域のポリマー材料及び剥離領域の剥離層は共に、可撓性基板と剛性キャリアとの界面において所望の接着強度を与える。この構成は、複数の電子デバイスを形成する過程において強力な接着を与えながら、可撓性基板上に形成された電子デバイスに損傷を与えることなく可撓性基板の容易な取り外しを可能とする。
[0089] 図１２Ａは、少なくとも金属剥離層１２０６を介して剛性キャリア１２０４に接着する可撓性基板１２０２を含む例示的な可撓性基板デバイス１２００であり、図１２Ｂは、いくつかの実施に従った、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から取り外されている例示的な可撓性基板デバイス１２５０である。可撓性基板１２０２はポリマー材料で作製されている。いくつかの実施形態において、ポリマー材料は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（スチレン）、ポリ（ビニルフェノール）、シルセスキオキサン（ガラス樹脂）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル、アクリルポリマー、及びナイロンのうち１つ以上を含む。剛性キャリア１２０４は任意選択的に、ガラス、シリコン、又は石英で作製され、ポリマー材料は、実質的に強い接着力でガラス剛性キャリア１２０２に接着するように構成されている。
[0090] 可撓性基板１２０２は、上面１２１０及びこの上面１２１０の反対側の下面１２２０を含む。また、可撓性基板１２０２の下面１２２０は、剥離領域１２０６及び１つ以上の縁部領域１２０８を含む。１つ以上の縁部領域１２０８は、可撓性基板１２０２の１つ以上の縁部に近接して位置付けられ、ポリマー材料を介して剛性キャリア１２０４に接着するように構成されている。剥離領域１２０６は、金属材料で作製された剥離層１２１２によって被覆され、少なくとも金属剥離層１２１２を介して剛性キャリア１２０４に接着するように構成されている。いくつかの実施形態では、剥離層１２１２の金属材料は、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、及びそれらの合金のうち１つである。金属剥離層１２１２は、物理気相成長（ＰＶＤ：ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（例えば蒸着及びスパッタリング）、又は電気めっきによって堆積されている。
[0091] いくつかの実施形態において、剥離領域１２０６は更に、金属剥離層１２１２と可撓性基板１２０２のポリマー材料との間に結合された第１の接着制御層１２１４を含む。第１の接着制御層１２１４は、金属剥離層１２１２と可撓性基板１２０２の下面１２２０との間の接着制御を改善するように構成されている。第１の接着制御層１２１４の例には、誘電層（例えばシリコン酸化物、窒化物、又は酸窒化物、酸化アルミニウム）、金属酸化物層、自己組織化層、有機シラン化合物、接着促進剤（例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、金属層（例えばチタン（Ｔｉ）））、及びそれらの組み合わせが含まれる。
[0092] いくつかの実施形態では、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４によって支持されている間に、可撓性基板１２０２の上面１２１０上に薄膜トランジスタが形成される。ＴＦＴアレイによって駆動されるディスプレイパネルデバイス、又はＴＦＴアレイを駆動する追加の電子コンポーネント１２１６も、可撓性基板１２０２の上面１２１０上に配置され、可撓性基板１２０２上に形成されたＴＦＴに電気的に結合することができる。
[0093] 第１の接着制御層１２１４が可撓性基板１２０２の下面１２２０に対する金属剥離層１２１２の接着を制御する場合、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から解放されると金属剥離層１２１２は可撓性基板１２０２の一部になる。あるいは、図１２Ａ及び図１２Ｂには示さないいくつかの実施形態において、第１の接着制御層１２１４は、金属剥離層１２１２と可撓性基板１２０２の下面１２２０との間の接着強度を低減させるように構成されている。この場合、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から解放されると、金属剥離層１２１２は可撓性基板１２０２から剥がれて、剛性キャリア１２０４の上面に留まることができる。
[0094] 図１２Ａ及び図１２Ｂには示さないいくつかの実施形態では、可撓性基板１２０２の下面１２２０は、剥離領域１２０６を含むが１つ以上の縁部領域１２０８は含まないことに留意すべきである。剥離領域１２０６は、金属材料で作製された剥離層１２１２によって被覆され、少なくとも金属剥離層１２１２を介して剛性キャリア１２０４に接着するように構成されている。換言すると、可撓性基板１２０２の下面１２２０は、金属剥離層で被覆され、この金属剥離層を介して剛性キャリア１２０３に接触している。更に、いくつかの実施において、剥離領域１２０６は、金属剥離層１２１２と可撓性基板１２０２のポリマー材料との間に結合された第１の接着制御層１２１４も含む。第１の接着制御層１２１４は、金属剥離層１２１２と可撓性基板１２０２の下面１２２０との間の接着制御を改善するように構成されている。
[0095] 図１３Ａは、少なくとも２つの剥離層を介して剛性キャリア１２０４に接着する可撓性基板１２０２を含む例示的な可撓性基板デバイス１３００であり、図１３Ｂは、いくつかの実施に従った、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から取り外されている別の例示的な可撓性基板デバイス１３５０である。剥離領域１２０６は、金属材料で形成された剥離層１２１２によって被覆され、少なくとも金属剥離層１２１２を介して剛性キャリア１２０４に接着するように構成されている。剥離層１２１２は第１の剥離層を含む。剛性キャリア１２０４の剥離エリアは、可撓性基板１２０２の剥離領域１２０６に関連付けられ、無機材料で作製された第２の剥離層１３１２によって被覆されている。このように、剥離領域１２０６は、第１の剥離層１２１２及び第２の剥離層１３１２を含む剥離スタックを介して剛性キャリア１２０４に接着するように構成されている。
[0096] いくつかの実施形態において、第２の剥離層１３１２の無機材料は、スピンオングラス、シリコン酸窒化物、シリコン酸化物、スピンオン誘電体、及びシリコン窒化物のうち１つである。第２の剥離層１３１２は、プラズマエンハンスＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、又はスパッタリング、又はスピンコーティング、又はスリットコーティングによって調製することができる。
[0097] いくつかの実施形態において、剛性キャリア１２０４の剥離エリアは更に、剥離層１３１２と剛性キャリア１２０４の本体との間に結合された第２の接着制御層１３１４も含む。第２の接着制御層１３１４は、第２の剥離層１３１２と剛性キャリア１２０４の本体との間の接着強度を増大するように構成されている。第２の接着制御層１３１４の例には、誘電層（例えばシリコン酸化物、窒化物、又は酸窒化物、酸化アルミニウム）、金属酸化物層、自己組織化層、シラン化合物、接着促進剤（例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、金属層（例えばチタン（Ｔｉ）））、及びそれらの組み合わせが含まれる。
[0098] 第１の接着制御層１２１４は、可撓性基板１２０２の下面１２２０に対する金属剥離層１２１２の接着を増大し、第２の接着制御層１３１４は、剛性基板１２０４の上面に対する剥離層１３１２の接着を増大する。また、第１の接着制御層１２１４及び第２の接着制御層１３１４は必須ではないことに留意すべきである。金属剥離層１２１２及び第１の接着制御層１２１４（使用する場合）は、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から解放された場合に可撓性基板１２０２と一体のままであり、その一部になる。剥離層１３１２及び第２の接着制御層１３１４（使用する場合）は、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から解放された場合に剛性キャリア１２０４と一体のままである。
[0099] 図１３Ａ及び図１３Ｂに示さないいくつかの実施形態では、可撓性基板１２０２の下面１２２０は、剥離領域１２０６を含むが１つ以上の縁部領域１２０８は含まないことに留意すべきである。剥離領域１２０６は、金属材料で作製された剥離層１２１２によって被覆され、少なくとも金属剥離層１２１２及び別の無機剥離層１３１２を介して剛性キャリア１２０４に接着するように構成されている。換言すると、可撓性基板１２０２の下面１２２０は、金属剥離層で被覆され、この金属剥離層と剛性キャリア１２０４の上面にコーティングされた別の無機剥離層１３１２とを介して剛性キャリア１２０４に接触している。同様に、いくつかの実施形態では、第１の接着制御層１２１４を利用して、可撓性基板１２０２の下面１２２０に対する金属剥離層１２１２の接着を増大し、第２の接着制御層１３１４を利用して、剛性基板１２０４の上面に対する剥離層１３１２の接着を増大する。
[00100] 図１４Ａは、少なくとも２つの剥離層を介して剛性キャリア１２０４に接着する可撓性基板１２０２を含む別の例示的な可撓性基板デバイス１４００であり、図１４Ｂは、いくつかの実施に従った、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から取り外されている別の例示的な可撓性基板デバイス１４５０である。剥離領域１２０６は、無機材料で形成された第１の剥離層を含む剥離層１４１２によって被覆されている。剥離層１４１２と可撓性基板１２０２のポリマー材料との間に、第１の接着制御層１４１４を任意選択的に配置して、それらの間の接着強度を増大させる。剛性キャリア１２０４の剥離エリアは、可撓性基板１２０４の剥離領域１２０６に関連付けられ、金属材料で作製された第２の剥離層１４１６によって被覆されている。いくつかの実施形態において、第１の剥離層１４１２の無機材料は、スピンオングラス、シリコン酸窒化物、シリコン酸化物、スピンオン誘電体、及びシリコン窒化物のうち１つであり、第２の剥離層１４１６の金属材料は、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、及びそれらの合金のうち１つである。任意選択的に、金属剥離層１４１６は透明である。金属剥離層１４１２は、物理気相成長（ＰＶＤ）（例えば蒸着及びスパッタリング）、又は電気めっきによって調製されている。
[00101] いくつかの実施形態において、剛性キャリア１２０４の剥離エリアは更に、金属剥離層１４１６と剛性キャリア１２０４の本体との間に結合された第２の接着制御層１４１８も含む。第２の接着制御層１４１８は、第２の剥離層１４１６と剛性キャリア１２０４の本体との間の接着強度を増大するように構成されている。第２の接着制御層１４１８の例には、誘電層（例えばシリコン酸化物、窒化物、又は酸窒化物、酸化アルミニウム）、金属酸化物層、自己組織化層、シラン化合物、接着促進剤（例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、金属層（例えばチタン（Ｔｉ）））、及びそれらの組み合わせを含む。
[00102] 第１の接着制御層１４１４は、可撓性基板１２０２の下面１２２０に対する剥離層１４１６の接着を増大し、第２の接着制御層１４１８は、剛性基板１２０４の上面に対する金属剥離層１４１６の接着を増大する。剥離層１４１２及び第１の接着制御層１４１４（使用する場合）は、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から解放された場合に可撓性基板１２０２と一体のままであり、その一部になる。金属剥離層１４１６及び第２の接着制御層１４１８（使用する場合）は、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４から解放された場合に剛性キャリア１２０４と一体のままである。
[00103] 図１４Ａ及び図１４Ｂに示さないいくつかの実施形態では、可撓性基板１２０２の下面１２２０は、剥離領域１２０６を含むが１つ以上の縁部領域１２０８は含まないことに留意すべきである。剥離領域１２０６は、無機材料で作製された剥離層１４１２によって被覆され、少なくとも無機剥離層１４１２及び別の金属剥離層１４１６を介して剛性キャリア１２０４に接着するように構成されている。換言すると、可撓性基板１２０２の下面１２２０は、無機剥離層１４１２で被覆され、この無機剥離層１４１２と剛性キャリア１２０４の上面にコーティングされた別の金属剥離層１４１６とを介して剛性キャリア１２０４に接触している。同様に、いくつかの実施形態では、第１の接着制御層１４１４を利用して、可撓性基板１２０２の下面１２２０に対する無機剥離層１４１２の接着を増大し、第２の接着制御層１４１８を利用して、剛性基板１２０４の上面に対する剥離層１４１６の接着を増大する。
[00104] 図１５Ａ〜図１５Ｆは、いくつかの実施に従った、可撓性基板上にＴＦＴアレイを製造する過程において、１つ以上の剥離層（例えば剥離層１２１２、１３１２、１４１２、及び１４１６）を介して剛性キャリア（例えば剛性キャリア１２０４）に接着する可撓性基板（例えば可撓性基板１２０２）を調製するプロセスフロー１５００である。いくつかの実施形態において、剛性キャリア１２０４は、ガラス、シリコン、又は石英で作製されている。図１５Ｂを参照すると、剛性キャリア１２０４の上面に剥離スタック１５０２が堆積され、任意選択的にパターニングされている。剥離スタックは１つ以上の剥離層１５０４を含み、これは例えば、図１２Ａ及び図１２Ｂに示すような単一の金属剥離層１２１２や、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、及び図１４Ｂに示すような金属剥離層と無機材料で作製された剥離層の組み合わせである。更に、いくつかの実施形態における剥離スタックは、１つ以上の接着制御層も含む。剥離スタックの上部に、第１の接着制御層１５０６を配置して、１つ以上の剥離層１５０４と可撓性基板のポリマー材料（これは図１５Ｂでは形成されていない）との間の接着強度を増大することができる。剥離スタックの下部に、第２の接着制御層１５０８を配置して、１つ以上の剥離層１５０４と剛性キャリアの上面との間の接着強度を増大することができる。
[00105] 図１５Ｃを参照すると、剛性キャリア１２０４上に基板材料の層がコーティングされて、可撓性基板１２０２を形成している。いくつかの実施形態において、基板材料の層は、スピンコーティング、スロットダイコーティング、又はスリットコーティングによって調製される。基板材料で被覆された剛性キャリア１２０４は、任意選択的に上面１２１０が平坦化される。本出願の様々な実施形態において、可撓性基板１２０２は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（スチレン）、ポリ（ビニルフェノール）、シルセスキオキサン（ガラス樹脂）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル、アクリルポリマー、及びナイロンのうち１つ以上を含むポリマー材料で作製されている。
[00106] いくつかの実施形態では、可撓性基板１２０２が剛性キャリア１２０４によって支持されている間に、可撓性基板１２０２の上面１２１０に薄膜トランジスタを形成する。図１５Ｄを参照すると、ＴＦＴアレイによって駆動されるディスプレイパネルデバイス、又はＴＦＴアレイを駆動する追加の電子コンポーネント１２１６も、可撓性基板１２０２の上面１２１０に配置され、任意選択的に、可撓性基板１２０２上に形成されているＴＦＴに電気的に結合することができる。ディスプレイパネルデバイスについての更なる詳細は、図４を参照して上述されている。
[00107] 可撓性基板１２０２は、可撓性基板１２０２の１つ以上の縁部に近接して配置され、可撓性基板１２０２のポリマー材料を介して剛性キャリア１２０４に接着するように構成された１つ以上の縁部領域を含む。１つ以上の縁部領域は、可撓性基板デバイスを支持するように構成された剛性キャリアから取り外される。例えば、レーザアブレーションを用いて、縁部領域をその下にある剛性キャリアから取り外すことができる。その後の基板取り外しプロセス中、可撓性基板は、取り外した縁部領域によって取り扱われる。
[00108] 可撓性基板１２０２の下面１２２０に、剥離領域が形成されている。剥離領域は、剥離スタック１５０２に関連付けられている。いくつかの実施形態では、取り外された縁部領域が可撓性基板１２０２から持ち上げられたら、機械的な力によって引き続き可撓性基板１２０２の剥離領域を剛性キャリアから剥がすことができる。
[00109] いくつかの実施形態において、図１５Ｅを参照すると、可撓性基板１２０２の取り外された縁部領域が剛性キャリア１２０４から持ち上げられたら、取り外された縁部領域の下に剥離化学物質が注入される。図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように単一の剥離層１２１２を利用する場合、可撓性基板１２０２を取り外す過程において、剛性キャリア１２０４と剥離層１２１２との界面が徐々に剥離化学物質に露呈される。剥離化学物質は、可撓性基板１２０２の剥離層１２１２と剛性キャリア１２０４の上面との間の接着を低減させるように構成され、可撓性基板１２０２を剛性キャリア１２０４から徐々に取り外すことを可能とする。剥離領域が剛性キャリア１２０４から完全に取り外された場合、単一の剥離層１２１２は可撓性基板１２０２と一体のままであり、その一部となる。図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、及び図１４Ｂに示すように、２つ以上の剥離層を利用する場合、可撓性基板１２０２を取り外す過程において、２つの剥離層間の界面（例えば層１２１２と１３１２との界面）が徐々に剥離化学物質に露呈される。剥離化学物質は、２つの接着層間の接着を低減させるように構成され、可撓性基板１２０２を剛性キャリア１２０４から徐々に取り外すことを可能とする。２つの剥離層の一方（例えば第１の剥離層１２１２又は１４１２）は、可撓性基板１２０２と一体のままであり、その一部となり、２つの剥離層の他方（例えば第２の剥離層１３１２又は１４１６）は、剛性キャリア１２０４と一体のままであり、その一部となる。各剥離層は、任意選択的に、対応する接着制御層を介して可撓性基板の下面又は剛性キャリアの上面に結合されることに留意すべきである。
[00110] いくつかの実施では、剥離化学物質は、エタノール、アセトン、イソプロパノール、及びメタノールのような有機溶剤を含む。いくつかの実施では、剥離化合物は水である。
[00111] 図１６は、いくつかの実施に従った、少なくとも１つの剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成された可撓性基板デバイスを形成する例示的な方法１６００のフローチャートである。方法１６００は、ポリマー材料で作製された可撓性基板デバイス（例えば図１２〜図１５の可撓性基板１２０２）を提供する（１６０２）。可撓性基板は、上面及びこの上面の反対側の下面を含む。また、可撓性基板の下面は、剥離領域及び１つ以上の縁部領域を含む（１６０４）。１つ以上の縁部領域は、可撓性基板の１つ以上の縁部に近接して配置され、ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着するように構成されている（１６０６）。剥離領域は、剥離層によって被覆され、少なくとも剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成されている（１６０８）。
[00112] 可撓性基板デバイスを支持するように構成された剛性キャリアから、１つ以上の縁部領域を取り外す（１６１０）。例えば縁部領域は、レーザアブレーションを用いて、下にある剛性キャリアから取り外すことができる。その後の基板取り外しプロセス中、可撓性基板は、取り外した縁部領域によって取り扱われる。
[00113] １つ以上の縁部領域を取り外した後、剥離領域を剛性キャリアから取り外す（１６１２）。これは、剛性キャリアと剥離領域との界面を徐々に露呈させることを含む。可撓性基板を取り外す過程において、剛性キャリアと剥離層との界面を徐々に露呈させる。いくつかの実施形態では、剛性キャリアと剥離層との間の露呈した界面に、取り外した１つ以上の縁部を介して、剥離化学物質を徐々に注入する。剥離化学物質は、可撓性基板の剥離層と剛性キャリアとの間の接着を低減させるように構成され、可撓性基板を剛性キャリアから徐々に取り外すことを可能とする。いくつかの実施形態において、剛性キャリアが、可撓性基板の剥離領域に対応するエリアで剥離層によって覆われている場合。剥離化学物質は、可撓性基板の各剥離層と剛性キャリアとの間の露呈した界面に、取り外した１つ以上の縁部領域を介して、徐々に注入される。
[00114] 図１７は、いくつかの実施に従った、少なくとも１つの剥離層を介して剛性キャリアに接着するように構成された可撓性基板デバイスを形成する別の例示的な方法１７００のフローチャートである。剛性キャリア上に剥離層を形成する（１７０２）。図１２Ａ及び図１２Ｂを参照すると、いくつかの実施形態において、剥離領域１２０６は、金属材料で作製された剥離層１２１２で被覆され、少なくとも金属剥離層１２１２を介して剛性キャリ１２０４に接着するように構成されている。いくつかの実施形態において、剥離層１２１２の金属材料は、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、及びそれらの合金のうち１つである。金属剥離層１２１２は、物理気相成長（ＰＶＤ）（例えば蒸着及びスパッタリング）、又は電気めっきによって堆積されている。
[00115] 次いで、ポリマー材料で作製された可撓性基板本体を形成して、剥離層を被覆する（１７０４）。いくつかの実施形態における可撓性基板本体は、直接積層、スピンコーティング、スロットダイコーティング、及びスリットコーティングのうち１つによって形成される。あるいは、いくつかの実施形態における可撓性基板本体は、物理気相成長（ＰＶＤ）又は化学気相成長（ＣＶＤ）によって形成される。基板材料で被覆された剛性キャリア７０４は、任意選択的に上面７１０が平坦化される。可撓性基板本体は、剥離層を超えて延出し、可撓性基板本体の１つ以上の縁部に近接配置された１つ以上の縁部領域において、ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着する（１７０６）。いくつかの実施形態では、次いで、可撓性基板のデバイス領域上にＴＦＴアレイを形成する。ＴＦＴアレイの上に、ＴＦＴアレイによって駆動されるディスプレイパネルデバイスを配置し、ＴＦＴアレイに電気的に結合する。
[00116] 剛性キャリアから１つ以上の縁部領域を取り外す（１７０８）。１つ以上の縁部領域を取り外した後、剛性キャリアから、剥離層及び可撓性基板本体を１つの可撓性基板デバイスとして取り外す（１７１０）。いくつかの実施形態では、剛性キャリアと可撓性基板との間の露呈した界面に、取り外した１つ以上の縁部領域を介して、剥離化学物質を徐々に注入する。従って、解放後、剥離層は可撓性基板の可撓性基板本体に物理的に結合されている。可撓性基板の取り外しについての更なる詳細は、図１６及び図１７を参照して上述されている。
[00117] いくつかの実施形態では、剥離層の上に第１の接着制御層を直接堆積しパターニングする。次いで可撓性基板本体を形成して、第１の接着層及び剥離層の双方を被覆する。
[00118] 更に、いくつかの実施形態において、剥離層は第１の剥離層を含む。第１の剥離層を堆積する前に、剛性キャリア上に第２の剥離層を堆積する。図１３Ａ及び図１３Ｂを参照すると、第１及び第２の剥離層はそれぞれ金属材料及び無機材料から作製されている。図１４Ａ及び図１４Ｂを参照すると、第１及び第２の剥離層はそれぞれ無機材料及び金属材料から作製されている。更に、第１の剥離層の上に、第１の接着制御層を直接堆積しパターニングすることができる。第２の剥離層を剛性キャリア上に堆積する前に、剛性キャリア上に第２の接着制御層を直接堆積しパターニングすることができる。
[00119] 本出願に記載される可撓性基板デバイスは、単に例示であり、それらが本出願で実施できる唯一の可撓性基板デバイスであると示すことは意図していないことは理解されよう。当業者は、本明細書に記載される可撓性基板に基づいて可撓性基板デバイスを形成するための様々な方法を認識するであろう。更に、図２〜図１７のいずれかを参照して本明細書に記載される可撓性基板デバイスの詳細は、図２〜図１７のうち他の図面を参照して本明細書に記載される他の可撓性基板デバイスと類似した手法で適用可能であることに留意すべきである。簡潔さのため、これらの詳細については繰り返さない。
[00120] これまでの記載は、説明の目的のため、特定の実施を参照して行った。しかしながら、説明のための上述の検討は、網羅的であることも、特許請求の範囲を開示される厳密な形態に限定することも意図していない。上述の教示に鑑み、多くの変更及び変形が可能である。それらの実施は、特許請求の範囲の基礎にある原理及びそれらの実際的な適用例を最良に説明し、これによって、想定される具体的な使用に適した様々な変更を用いて当業者が実施を最良に使用できるように、選択したものである。
[00121] 複数の実施について詳細に参照し、それらの実施の例を添付図面に示している。詳細な説明では、記載した様々な実施の完全な理解を与えるため、多くの具体的な詳細事項を説明した。しかしながら、これらの具体的な詳細事項なしでも記載した様々な実施を実現できることは、当業者には明らかであろう。実施の態様を不必要に曖昧にしないため、他の例、周知の方法、手順、コンポーネント、機械的構造、回路、及びネットワークについては、詳細に記載していない。
[00122] また、本明細書では、第１、第２等の言葉を用いて様々な要素を記載している場合があるが、これらの要素はこれらの言葉によって限定されないことは理解されよう。これらの言葉は、ある要素を別の要素から区別するためにのみ用いられる。例えば、記載した様々な実施の範囲から逸脱することなく、第１のファスナ構造を第２のファスナ構造と呼ぶことができ、同様に、第２のファスナ構造を第１のファスナ構造と呼ぶことができる。第１のファスナ構造及び第２のファスナ構造は双方ともファスナ構造であるが、それらは同一のファスナ構造ではない。
[00123] 本明細書において記載した様々な実施の説明で用いられる用語は、具体的な実施を説明することのみを目的とし、限定は意図していない。記載した様々な実施の記載及び添付の特許請求の範囲で用いる場合、単数形「ａ（１つの）」、「ａｎ（１つの）」、及び「ｔｈｅ（その）」は、文脈上明らかに他の意味が示される場合を除いて、複数形も含むことが意図される。また、本明細書で用いる場合、「及び／又は」という言葉は、関連付けられた列挙された項目のうち１つ以上の項目のあらゆる可能な組み合わせを指し、これを包含することは理解されよう。更に、本明細書で用いる場合、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、及び／又は「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という言葉は、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、コンポーネント、構造、及び／又はグループの存在を特定するが、１つ以上のその他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、コンポーネント、構造、及び／又はグループの存在又は追加を除外するものではないことは理解されよう。
[00124] 本明細書で用いる場合、「もしも」という言葉は、任意選択的に、文脈に応じて、「〜の場合」又は「〜の時」又は「〜の決定に応答して」又は「〜の検出に応答して」又は「〜という決定に従って」を意味すると解釈される。同様に、「もしも〜と決定されたら」又は「もしも（述べられた条件又はイベント）が検出されたら」という節は、任意選択的に、文脈に応じて、「〜の決定の時」又は「〜の決定に応答して」又は「（述べられた条件又はイベント」の検出の時」又は「（述べられた条件又はイベント）の検出に応答して」又は「（述べられた条件又はイベント）が検出されたという決定に従って」を意味すると解釈される。
[00125] 本明細書に記載される可撓性基板デバイスは例示的なものであり、限定は意図していないことに留意すべきである。例えば、本明細書に記載されるいかなる寸法、形状、プロファイル、及び／又は材料も例示であり、限定は意図していない。図面は必ずしも一定の縮尺通りに描かれていない。簡潔さのため、いくつかの実施に関連付けて記載される特徴又は特性は、他の実施を記載する際に必ずしも反復又は繰り返さないことがある。明示的に記載されない場合があるが、いくつかの実施に関連付けて記載される特徴又は特性は、他の実施によって使用され得る。

Claims (60)

  1. 上面及び該上面の反対側の下面を含む可撓性基板と、
    前記可撓性基板の前記上面上に形成された複数の電子デバイスと、
    を備え、前記下面は更に、１つ以上の強力接着領域と、該１つ以上の強力接着領域とは別個の１つ以上の通常接着領域と、を含み、
    前記１つ以上の強力接着領域及び前記１つ以上の通常接着領域の各々は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに取り付けられるように構成され、
    前記第１の接着強度は前記第２の接着強度よりも実質的に大きい、可撓性基板デバイス。
  2. 前記１つ以上の強力接着領域は、前記下面の複数の縁部の各々に近接して配置された各帯状部を含む、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  3. 前記下面の複数の縁部に近接して配置された前記帯状部は、前記１つ以上の通常接着領域を包囲する閉鎖ループを形成するように連結されている、請求項２に記載の可撓性基板デバイス。
  4. 前記１つ以上の強力接着領域は前記１つ以上の通常接着領域を包囲する格子を形成する、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  5. １つ以上のディスプレイパネルデバイスを更に備え、各ディスプレイパネルデバイスは、前記格子と重なることなく、前記下面の前記１つ以上の通常接着領域のうち１つに対応した前記上面のエリア上に配置されている、請求項４に記載の可撓性基板デバイス。
  6. 前記１つ以上の通常接着領域の各々は前記１つ以上の強力接着領域によって囲まれている、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  7. 前記１つ以上の強力接着領域は、その接着強度を向上させるため第１の接着増強材料で被覆されている、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  8. 前記１つ以上の通常接着領域は、前記剛性キャリアと前記可撓性基板との間の接着強度を低減させるため第２の接着低減材料で被覆されている、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  9. 前記１つ以上の強力接着領域及び前記１つ以上の通常接着領域は、それぞれ前記第１の接着強度及び前記第２の接着強度を与えるため２つの別個の材料で被覆されている、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  10. 前記剛性キャリアの一部は、前記第１の接着強度を有する前記１つ以上の強力接着領域の取り付けを形成するように物理的又は化学的に処理される、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  11. 前記剛性キャリアは、前記１つ以上の強力接着領域が前記第１の接着強度で取り付けられる１つ以上の第１の表面エリアと、前記１つ以上の通常接着領域が前記第２の接着強度で取り付けられる１つ以上の第２の表面エリアと、を含み、前記第１及び第２の表面エリアは、前記第１の接着強度及び前記第２の接着強度を可能とするため異なる処理を施されるように構成されている、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  12. 前記可撓性基板の前記１つ以上の強力接着領域及び前記１つ以上の通常接着領域は、それぞれ別個の前記第１の接着強度及び前記第２の接着強度を可能とするため物理的又は化学的に異なる手法で処理される、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  13. 前記１つ以上の強力接着領域はレーザアブレーションによって前記剛性キャリアから取り外されるように構成されている、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  14. 前記１つ以上の通常接着領域は、前記剛性キャリアから機械的に剥がされることによって前記剛性キャリアから取り外されるように構成されている、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  15. 前記複数の電子デバイスは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から形成された複数の画素駆動回路を含み、各画素回路はディスプレイデバイスの表示画素を駆動するように構成されている、請求項１に記載の可撓性基板デバイス。
  16. 前記ディスプレイデバイスは、液晶ディスプレイデバイス及びアクティブマトリクス有機発光ダイオードデバイスのうち一方を含む、請求項１５に記載の可撓性基板デバイス。
  17. 相互に反対側にある上面及び下面を含む可撓性基板と、
    前記可撓性基板の前記上面上に形成された複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、
    を備え、前記下面は更に、１つ以上の強力接着領域と、該１つ以上の強力接着領域とは別個の１つ以上の通常接着領域と、を含み、
    前記１つ以上の強力接着領域及び前記１つ以上の通常接着領域の各々は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに取り付けられるように構成され、
    前記第１の接着強度は前記第２の接着強度よりも実質的に大きい、ＴＦＴデバイス。
  18. １つ以上のディスプレイパネルデバイスを更に備え、各ディスプレイパネルデバイスは、格子と重なることなく、前記下面の前記１つ以上の通常接着領域のうち１つに対応した前記上面のエリア上に配置されている、請求項１７に記載のＴＦＴデバイス。
  19. 可撓性基板デバイスを形成する方法であって、
    剛性キャリア上に支持された前記可撓性基板デバイスであって、相互に反対側にある上面及び下面を含む可撓性基板と、前記可撓性基板の前記上面上に形成された複数の電子デバイスと、を含み、前記下面は１つ以上の強力接着領域及び１つ以上の通常接着領域を含む、前記可撓性基板デバイスを提供することと、
    前記可撓性基板デバイスを支持するように構成された前記剛性キャリアから前記１つ以上の強力接着領域を取り外すことと、
    前記１つ以上の強力接着領域を取り外した後、前記１つ以上の通常接着領域を前記剛性キャリアから取り外すことと、を備え、前記１つ以上の強力接着領域及び前記１つ以上の通常接着領域の各々は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに取り付けられるように構成され、前記第１の接着強度は前記第２の接着強度よりも実質的に大きい、方法。
  20. 前記１つ以上の強力接着領域は前記１つ以上の通常接着領域を包囲する格子を形成する、請求項１９に記載の方法。
  21. 第１のデバイス領域と、該第１のデバイス領域に近接して配置されたデバイス周辺領域と、を含む可撓性基板であって、前記デバイス周辺領域は、前記第１のデバイス領域の第２の厚さよりも実質的に大きい第１の厚さを有し、少なくとも前記可撓性基板の取り扱いを容易にするように構成されている、可撓性基板と、
    前記可撓性基板の前記第１のデバイス領域上に形成された複数の電子デバイスと、
    を備える可撓性基板デバイス。
  22. 前記デバイス周辺領域の前記第１の厚さは１０〜２００μｍの範囲内である、請求項２１に記載の可撓性基板デバイス。
  23. 前記第１のデバイス領域の前記第２の厚さは５〜３０μｍの範囲内である、請求項２１に記載の可撓性基板デバイス。
  24. 前記可撓性基板は更に、前記第１の厚さと実質的に等しい厚さを有する第２のデバイス領域を備え、前記第２のデバイス領域は、上に配置された電子回路コンポーネントを支持するように構成されている、請求項２１に記載の可撓性基板デバイス。
  25. 前記デバイス周辺領域は、該デバイス周辺領域上に配置された電子回路コンポーネントを支持するように構成されている、請求項２１に記載の可撓性基板デバイス。
  26. 前記デバイス周辺領域は、前記可撓性基板デバイスの１つ以上の電子パッド又はリードに対する電子接合を支持するように構成されている、請求項２１に記載の可撓性基板デバイス。
  27. 前記可撓性基板は上面及び下面を含み、前記デバイス周辺領域における前記下面は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに接着するように構成された強力接着領域及び弱接着領域を含み、前記第１の接着強度は前記第２の接着強度よりも実質的に大きい、請求項２１に記載の可撓性基板デバイス。
  28. 前記弱接着領域は剥離層によってコーティングされている、請求項２７に記載の可撓性基板デバイス。
  29. 前記第１のデバイス領域における前記下面は第３の接着強度で前記剛性キャリアに接着するように構成され、前記第３の接着強度は、実質的に前記第２の接着強度よりも大きく、前記第１の接着強度よりも小さい、請求項２７に記載の可撓性基板デバイス。
  30. 前記強力接着領域はレーザアブレーションによって前記剛性キャリアから取り外されるように構成されている、請求項２７に記載の可撓性基板デバイス。
  31. 前記弱接着領域は、前記剛性キャリアから機械的に剥がされることによって前記剛性キャリアから取り外されるように構成されている、請求項２７に記載の可撓性基板デバイス。
  32. 前記可撓性基板は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（スチレン）、ポリ（ビニルフェノール）、シルセスキオキサン（ガラス樹脂）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル、アクリルポリマー、及びナイロンのうち１つ以上を含むポリマー材料で作製されている、請求項２１に記載の可撓性基板デバイス。
  33. 可撓性基板デバイスを形成する方法であって、
    剛性キャリアによって支持され、第１のデバイス領域と、該第１のデバイス領域に近接して配置されたデバイス周辺領域と、を含む前記可撓性基板デバイスを提供することであって、前記デバイス周辺領域は、前記第１のデバイス領域の第２の厚さよりも実質的に大きい第１の厚さを有し、可撓性基板の取り扱いを容易にするように構成されている、ことと、
    前記可撓性基板デバイスを支持するように構成された前記剛性キャリアから前記デバイス周辺領域を取り外すことと、
    前記デバイス周辺領域を取り外した後、前記デバイス周辺領域で前記可撓性基板デバイスを取り扱いながら前記第１のデバイス領域を前記剛性キャリアから取り外すことと、
    を備える方法。
  34. 前記第１のデバイス領域の前記第２の厚さは５〜３０μｍの範囲内である、請求項３３に記載の方法。
  35. 前記可撓性基板は更に、前記第１の厚さと実質的に等しい厚さを有する第２のデバイス領域を備え、前記第２のデバイス領域は、上に配置された電子回路コンポーネントを支持するように構成されている、請求項３３に記載の方法。
  36. 前記可撓性基板は上面及び下面を含み、前記デバイス周辺領域における前記下面は、それぞれ第１の接着強度及び第２の接着強度で剛性キャリアに接着するように構成された強力接着領域及び弱接着領域を含み、前記第１の接着強度は前記第２の接着強度よりも実質的に大きい、請求項３３に記載の方法。
  37. 前記第１のデバイス領域における前記下面は第３の接着強度で前記剛性キャリアに接着するように構成され、前記第３の接着強度は、実質的に前記第２の接着強度よりも大きく、前記第１の接着強度よりも小さい、請求項３６に記載の方法。
  38. 前記強力接着領域はレーザアブレーションによって前記剛性キャリアから取り外されるように構成されている、請求項３６に記載の方法。
  39. 前記弱接着領域は、前記剛性キャリアから機械的に剥がされることによって前記剛性キャリアから取り外されるように構成されている、請求項３６に記載の方法。
  40. 前記可撓性基板は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（スチレン）、ポリ（ビニルフェノール）、シルセスキオキサン（ガラス樹脂）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル、アクリルポリマー、及びナイロンのうち１つ以上を含むポリマー材料で作製されている、請求項３３に記載の方法。
  41. ポリマー材料で作製され、上面及び該上面の反対側の下面を含む可撓性基板であって、
    前記可撓性基板の前記下面が剥離領域及び１つ以上の縁部領域を含み、
    前記１つ以上の縁部領域が、前記可撓性基板の１つ以上の縁部に近接して配置され、前記ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着するように構成され、
    前記剥離領域が、剥離層で被覆されると共に、少なくとも前記剥離層を介して前記剛性キャリアに接着するように構成されている、可撓性基板と、
    前記可撓性基板の前記上面上に形成された複数の電子デバイスと、
    を備える可撓性基板デバイス。
  42. 前記剥離領域は、前記剥離層と前記可撓性基板の前記ポリマー材料との間に結合された第１の接着制御層を含む、請求項４１に記載の可撓性基板デバイス。
  43. 前記第１の接着制御層は、誘電層、金属酸化物層、自己組織化層、接着促進剤、金属層、及びそれらの組み合わせのうち１つである、請求項４１に記載の可撓性基板デバイス。
  44. 前記第１の接着制御層は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、ＨＭＤＳ、及びチタンのうち１つから作製されている、請求項４１に記載の可撓性基板デバイス。
  45. 前記剥離層は、前記剛性キャリア上にコーティングされた無機材料層に接着するように構成された金属材料から作製されている、請求項４１に記載の可撓性基板デバイス。
  46. 前記金属材料は、Ｎｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、及びそれらの合金のうち１つである、請求項４５に記載の可撓性基板デバイス。
  47. 前記金属材料は透明である、請求項４５に記載の可撓性基板デバイス。
  48. 前記剥離層は、前記剛性キャリア上にコーティングされた金属層に接着するように構成された無機材料から作製されている、請求項４１に記載の可撓性基板デバイス。
  49. 前記無機材料は、スピンオングラス、シリコン酸窒化物、シリコン酸化物、スピンオン誘電体、及びシリコン窒化物のうち１つである、請求項４８に記載の可撓性基板デバイス。
  50. 前記ポリマー材料は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（スチレン）、ポリ（ビニルフェノール）、シルセスキオキサン（ガラス樹脂）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル、アクリルポリマー、及びナイロンのうち１つ以上を含む、請求項４１に記載の可撓性基板デバイス。
  51. 前記剛性キャリアと前記可撓性基板との間の露呈した界面に、前記取り外した１つ以上の縁部を介して、剥離化学物質が徐々に注入される、請求項４１に記載の可撓性基板デバイス。
  52. 可撓性基板デバイスを形成する方法であって、
    ポリマー材料で作製され、上面及び該上面の反対側の下面を含む前記可撓性基板デバイスを提供することであって、可撓性基板の前記下面は剥離領域及び１つ以上の縁部領域を含み、前記１つ以上の縁部領域は、前記可撓性基板の１つ以上の縁部に近接して配置され、前記ポリマー材料を介して剛性キャリアに接着するように構成され、前記剥離領域は、剥離層で被覆され、少なくとも前記剥離層を介して前記剛性キャリアに接着するように構成されている、ことと、
    前記可撓性基板デバイスを支持するように構成された前記剛性キャリアから前記１つ以上の縁部領域を取り外すことと、
    前記１つ以上の縁部領域を取り外した後、前記剥離領域を前記剛性キャリアから取り外すことであって、前記剛性キャリアと前記剥離領域との界面を徐々に露呈させることを含む、ことと、
    を備える方法。
  53. 前記剥離領域は、前記剥離層と前記可撓性基板の前記ポリマー材料との間に結合された第１の接着制御層を含む、請求項５２に記載の方法。
  54. 前記第１の接着制御層は、誘電層、金属酸化物層、自己組織化層、接着促進剤、金属層、及びそれらの組み合わせのうち１つである、請求項５２に記載の方法。
  55. 前記剥離層は、前記剛性キャリア上にコーティングされた無機材料層に接着するように構成された金属材料から作製されている、請求項５２に記載の方法。
  56. 前記剥離層は、前記剛性キャリア上にコーティングされた金属層に接着するように構成された無機材料から作製されている、請求項５２に記載の方法。
  57. 前記無機材料は、スピンオングラス、シリコン酸窒化物、シリコン酸化物、スピンオン誘電体、及びシリコン窒化物のうち１つである、請求項５６に記載の方法。
  58. 可撓性基板デバイスを形成する方法であって、
    剛性キャリア上に剥離層を提供することと、
    ポリマー材料で作製され、前記剥離層を被覆する可撓性基板本体を形成することであって、前記可撓性基板本体は前記剥離層を超えて延出し、前記可撓性基板本体の１つ以上の縁部に近接して配置された１つ以上の縁部領域において前記ポリマー材料を介して前記剛性キャリアに接着する、ことと、
    前記剛性キャリアから前記１つ以上の縁部領域を取り外すことと、
    前記１つ以上の縁部領域を取り外した後、前記剛性キャリアから、前記剥離層及び前記可撓性基板本体を１つの可撓性基板デバイスとして取り外すことであって、前記剛性キャリアと前記剥離層との界面を徐々に露呈させることを含む、ことと、
    を備える方法。
  59. 前記ポリマー材料は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（スチレン）、ポリ（ビニルフェノール）、シルセスキオキサン（ガラス樹脂）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン、ポリアミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル、アクリルポリマー、及びナイロンのうち１つ以上を含む、請求項５８に記載の方法。
  60. 前記剛性キャリアと前記可撓性基板との間の前記露呈した界面に、前記取り外した１つ以上の縁部を介して、剥離化学物質が徐々に注入される、請求項５８に記載の方法。
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