CN112164707B - 一种柔性显示面板的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 4
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
- H01L21/7813—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性显示面板的制备方法,包括步骤:在基板上涂布材料层,材料层用于吸收和反射激光;并于材料层上涂布PI溶液,阶段升温干燥PI溶液,形成柔性基板层;制作TFT阵列膜层于柔性基板层上;制作发光层,并于发光层上制作薄膜封装层,薄膜封装层包覆于发光层上;切割带有基板的柔性显示面板;激光照射材料层,将所述柔性基板层与基板分离。在基板剥离过程中激光在材料表面与材料的微观粒子的相互作用是一个全量子化的能量交换过程。激光入射到材料表面后,能量为E0的光能将一部分被反射,剩余能量则被物体吸收。在本申请中材料层将激光吸收和反射掉,不将残余激光能量透过柔性基板影响TFT阵列结构。
Description
技术领域
本发明涉及柔性显示面板制作领域,尤其涉及一种柔性显示面板的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器,因其制备工艺简单,功耗低,发光亮度高,色域宽等特点得到了广泛的应用。随着显示技术的不断发展,柔性OLED因其显著的可弯折性能、质量轻薄和适用范围广等特点,被广泛应用于智能电子设备、车载显示以及各类可穿戴设备中。并随着个人智能终端技术的日益发展和人们需求量的不断增加,柔性OLED终将成为最具有发展潜力的显示技术。其中柔性显示器件的制造工艺技术是影响产品良率和企业生产效益的关键。
目前柔性OLED显示的制作工艺主要采用硬质基板作为柔性器件的承载基板,在承载基板上面涂布、干燥得到柔性基板;然后在逐层制作阵列基板层、蒸镀有机发光层,柔性薄膜封装层得到柔性显示器件;最后通过激光切割、剥离技术得到柔性显示器件。
其中激光剥离LLO(Laser lift off)工艺是柔性面板制作过程中重要的工艺流程。在剥离的过程中将激光打至柔性基板和硬质基板中间,激光释放高热量烧蚀柔性基板,使其焦灼、碳化,达到分层分离的效果。但是在剥离过程中由于激光和柔性基板直接接触,激光释放的高能量会对器件的阵列膜层造成损坏,影响器件的发光效果,导致柔性显示面板的制造良率低。同时在进行LLO时,柔性面板的边框区会产生裂纹,随时间积累,裂纹将不断扩散,最终蔓延至显示区,影响显示区的正常显示。
发明内容
为此,需要提供一种柔性显示面板的制备方法,减少激光剥离过程中多余激光对器件的损坏。以提高器件的良率,降低生产过程中造成的损失,提高生产效益。
为实现上述目的,本申请提供了一种柔性显示面板的制备方法,包括步骤:
在基板上涂布材料层,所述材料层用于吸收和反射激光;
并于所述材料层上涂布PI溶液,阶段升温干燥所述PI溶液,形成柔性基板层;
制作TFT阵列膜层于所述柔性基板层上;
制作发光层,并于所述发光层上制作薄膜封装层,所述薄膜封装层包覆于所述发光层上;
切割带有所述基板的柔性显示面板;
激光照射所述材料层,将所述柔性基板层与所述基板分离。
进一步地,在所述制作发光层,并于所述发光层上制作薄膜封装层,所述薄膜封装层包覆于所述发光层上步骤后,还包括步骤:
在所述薄膜封装层上制作上保护膜层。
进一步地,涂布所述材料层采用旋涂、刮涂或流延的涂布方法。
进一步地,所述在基板上涂布材料层前还包括步骤:
材料层为具有反射作用的无机粉材料添加至具有吸波特点的聚合物材料中制得。
进一步地,所述具有吸波特点的聚合物材料包括:乙烯二氧噻吩、聚酰亚胺或有机丙烯酸脂。
进一步地,无机粉材料为氧化硅、氧化钛、氧化锆、炭黑或氧化钼。
进一步地,所述无机粉材料在材料层的重量占比为0.2-10%。
进一步地,所述发光层为OLED发光层。
进一步地,所述基板为玻璃基板。
区别于现有技术,上述技术方案在基板剥离过程中激光在材料表面与材料的微观粒子的相互作用是一个全量子化的能量交换过程。激光入射到材料表面后,能量为E0的光能将一部分被反射,剩余能量则被物体吸收,按照能量守恒原理可以简单地写为E0= E反射+E吸收。在本申请中所述材料层将激光吸收和反射掉,不将残余激光能量透过柔性基板影响TFT阵列结构。
附图说明
图1为所述基板和柔性显示面板结构图;
图2为所述材料层结构图;
图3为激光照射所述材料层步骤图;
图4为所述基板与所述材料层分离时状态图;
图5为所述一种柔性显示面板结构图。
附图标记说明:
1、基板;2、材料层;3、柔性基板层;4、TFT阵列膜层;5、发光层;6、薄膜封装层;7、上保护膜层。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1至5,本实施例提供给了一种柔性显示面板的制备方法,包括步骤:在基板1上涂布材料层2,所述材料层2用于吸收和反射激光;并与所述材料层2上涂布PI溶液,阶段升温干燥所述PI溶液,形成柔性基板层3;制作TFT阵列膜层4于所述柔性基板层3上;制作发光层5,并于所述发光层5上制作薄膜封装层6,所述薄膜封装层6包覆于所述发光层5上;切割带有所述基板1的柔性显示面板;激光照射所述材料层2,将所述材料层2与所述基板1分离。需要说明的是,所述发光层5为OLED发光层5;所述基板1为玻璃基板1;同时在本申请中所述材料层2既可以吸收激光的能量也可以将多余的激光反射出去,以保护位于所述材料层2上的所述柔性基板层3;具体的,通过调节激光的能量、重复频率和脉冲宽度等来实现所述材料层2和所述基板1之间剥离效果。使得激光脉冲穿透所述基板1抵达材料层2且无法穿透所述材料层2。激光能量打至所述基板1与所述材料层2相界面处被材料层2吸收,并形成等离子体,产生热和超声波。同时由于相贴合的基板1与所述材料层2自身的热力学和机械性能的差异,两层将会在界面处逐渐分离。其中所述材料层2中的无机粒子会反射多余激光,阻挡残余激光透过材料层2影响所述柔性基板层3以及影响TFT阵列膜层4。需要进一步说明的是,在步骤材料层2之上涂覆PI溶液,并进行阶段升温干燥,即逐步升温,形成厚度5至20mm柔性基板层3。柔性基板1上面参照硬性OLED生产工艺;逐层制作形成TFT阵列膜层4,即,依次制作栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极;在所述TFT整列膜层上蒸镀OLED。本申请通过优化器件的制备工艺方法,改善激光剥离过程对柔性器件的损坏,以此来提高器件制作良率和性能、保证产品质量、增加效益。上述技术方案在基板1剥离过程中激光在材料表面与材料的微观粒子的相互作用是一个全量子化的能量交换过程。激光入射到材料表面后,能量为E0的光能将一部分被反射,剩余能量则被物体吸收,按照能量守恒原理可以简单地写为E0= E反射+E吸收。在本申请中所述材料层2将激光吸收和反射掉,不将残余激光能量透过柔性基板1影响TFT阵列结构。
一种柔性显示面板的制备方法保护了柔性显示面板的性能和减少了制作工艺造成的伤害,提高生产良率和器件寿命。材料层2中无机材料对入射激光有一定的反射能力,将多余激光反射出去。同时无机材料的加入使得材料层2内部结构呈曲面化,请参阅图2,增大吸收剩余激光的入射面积,进而降低了激光的入射通量,以改善大能量剩余激光被器件吸收带来的损伤问题。无机材料自身具有很好的水氧阻隔性,进而使得所述材料层2成为兼具密闭性和柔韧性的膜层。待剥离完成后,该膜层起到基板1下层保护膜的作用,对器件起到双重保护,延长柔性器件的使用寿命。
请参阅图3,在本实施例中,在所述制作发光层5,并于所述发光层5上制作薄膜封装层6,所述薄膜封装层6包覆于所述发光层5上步骤后,还包括步骤:在所述薄膜封装层6上制作上保护膜层7。需要说明的是,为了对所述柔性显示面板进行进一步的保护,再完成柔性显示面板制作后,在柔性显示面板上方贴覆柔性显示面板上保护膜层7,完成柔性显示面板的制作。当然,在某些实施例中,通过激光使所述材料层2与所述基板1分离后,还可以包括步骤:于所述材料层2远离所述发光层5的一侧上制作下保护膜层。
在本实施例中,所述在基板1上涂布材料层2前还包括步骤:将氧化硅、氧化钛、氧化锆、炭黑或氧化钼添加至乙烯二氧噻吩、聚酰亚胺或有机丙烯酸脂中,形成所述材料层2。需要说明的是,在所述基板1上面,制备材料层2,用于激光的吸收和反射;所述材料层2可采用旋涂、刮涂或流延工艺进行涂覆。材料层和基板1相互贴合且待后续分离。所述材料层将具有反射作用的无机材料添加至具有吸波特点的聚合物材料中制得。其吸波材料可以采用有机半导体材料聚(3,4乙烯二氧噻吩)、聚酰亚胺、有机丙烯酸脂等材料,其有机材料作为主体材料也起到粘接剂的作用。然后将0.2-10%的无机粉材料:氧化硅、氧化钛、氧化锆、炭黑、氧化钼等无机材料添加至上述吸波材料中混合均匀。当然,在某些实施例中,所述材料层2是通过两次涂布而成的,即,依次在所述基板1上涂布吸收层和反射层;且分别用于吸收激光和反射多余的激光能量。采用旋涂或热喷涂技术制备材料层2,涂布完成进行UV固化或者烘干干燥,得到膜层厚度为 4-12mm,无机材料的掺杂比为0.2-10%的材料层2。在本实施例中,聚合物材料和无机材料价格低廉,制作用于吸收和反射残余激光能量的所述材料层2,避免对柔性显示面板结构造成破坏。所述材料层2区别于其他缓冲层该层材料能够吸收激光并且添加的无机材料结构能够起到反射出多余激光的作用,保护柔性显示面板的完整性和良率不受激光剥离影响。
需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此,基于本发明的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (7)
1.一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
在基板上涂布材料层,所述材料层用于吸收和反射激光;
其中,所述在基板上涂布材料层前还包括步骤:材料层为具有反射作用的无机粉材料添加至具有吸波特点的聚合物材料中制得,且使得所述材料层中形成曲面;其中,所述无机粉材料在材料层的重量占比为0.2%-10%;
并于所述材料层上涂布PI溶液,阶段升温干燥所述PI溶液,形成柔性基板层;
制作TFT阵列膜层于所述柔性基板层上;
制作发光层,并于所述发光层上制作薄膜封装层,所述薄膜封装层包覆于所述发光层上;
切割带有所述基板的柔性显示面板;
激光照射所述材料层,使得所述材料层吸收激光并发生形变,所述柔性基板层与所述基板分离。
2.根据权利要求1所述一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,在所述制作发光层,并于所述发光层上制作薄膜封装层,所述薄膜封装层包覆于所述发光层上步骤后,还包括步骤:
在所述薄膜封装层上制作上保护膜层。
3.根据权利要求1所述一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,涂布所述材料层采用旋涂、刮涂或流延的涂布方法。
4.根据权利要求1所述一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,所述具有吸波特点的聚合物材料包括:乙烯二氧噻吩、聚酰亚胺或有机丙烯酸脂。
5.根据权利要求1所述一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,无机粉材料为氧化硅、氧化钛、氧化锆、炭黑或氧化钼。
6.根据权利要求1所述一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,所述发光层为OLED发光层。
7.根据权利要求1所述一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,所述基板为玻璃基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010894827.7A CN112164707B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种柔性显示面板的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010894827.7A CN112164707B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种柔性显示面板的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112164707A CN112164707A (zh) | 2021-01-01 |
CN112164707B true CN112164707B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=73859631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010894827.7A Active CN112164707B (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种柔性显示面板的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112164707B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113793860A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-12-14 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种改善残影的柔性显示面板及其制备方法 |
CN113560752B (zh) * | 2021-09-01 | 2023-03-21 | 福建华佳彩有限公司 | 一种镭射切割台板结构 |
TWI811946B (zh) * | 2022-01-06 | 2023-08-11 | 友達光電股份有限公司 | 可拉伸顯示面板 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014048619A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | フレキシブルデバイスの製造方法 |
CN107706305A (zh) * | 2016-08-07 | 2018-02-16 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 柔性显示装置及其制备方法 |
CN107768298A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-03-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于柔性tft制备的复合基板及柔性面板的制备方法 |
CN108230904A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性面板的制备方法及柔性显示装置 |
CN109244111A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN109638156A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104821294B (zh) * | 2015-04-23 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示装置及其制作方法 |
-
2020
- 2020-08-31 CN CN202010894827.7A patent/CN112164707B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN107768298A (zh) * | 2017-10-18 | 2018-03-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于柔性tft制备的复合基板及柔性面板的制备方法 |
CN108230904A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性面板的制备方法及柔性显示装置 |
CN109244111A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN109638156A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN112164707A (zh) | 2021-01-01 |
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PB01 | Publication | ||
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