WO2020118747A1 - 柔性显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种柔性显示面板及其制作方法。本发明的柔性显示面板包括柔性基板、一层或多层设于柔性基板中的激光吸收层及设于柔性基板上的显示功能层，所述激光吸收层包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物，该含氟芳香有机化合物的紫外光吸收剂具有极强的紫外光吸收能力，且化学性质稳定，可以稳定存在于柔性基板中，从而能够将LLO工艺中多余的激光能量吸收，防止LLO制程中多余的激光能量进一步碳化柔性基板上的显示功能层，进而有效提升柔性显示面板的LLO工艺良率，大幅度改善产品良率。

Description

柔性显示面板及其制作方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示面板及其制作方法。
 背景技术
有机发光二极管 ( Organic Light Emitting Diode，OLED ) 显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，因此，通过OLED器件的封装提高OLED器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。
对于OLED器件来说，最具竞争力的优势是能做成柔性器件，这将给器件相关的电子行业带来巨大的改革变化。为了得到柔性OLED器件，首先需要利用柔性基底取代传统的刚性玻璃基底，但从实际操作性考虑，目前行业内首先选择将柔性基底做在刚性玻璃基板表面，待完成所有工艺制程后，再通过激光剥离（Laser Lift Off，LLO）制程将柔性基底从玻璃基板表面剥离，从而实现制备柔性OLED器件的目的。通过上述描述可以发现，LLO工艺是柔性OLED器件生产中的关键工艺，如何有效地提升该工艺的良率极为关键。
柔性OLED显示器是采用柔性基板（Flexible Substrate）制成的可弯曲显示设备，通常采用柔性聚酰亚胺（Polyimide ，PI）基板。OLED显示面板在玻璃基板上完成所有工艺后，开始进入LLO工段，其具体原理是通过激光照射底部玻璃基板，让与玻璃基板贴合的柔性PI基板碳化，弱化玻璃与柔性PI基板之间的作用力，从而到达将柔性OLED显示面板从玻璃基板上剥离下来的目的。
LLO工艺过程中常用的激光波长为308nm，属于紫外光。但是在实际的剥离工艺中，LLO制程过后容易出现较大的良率损失，主要原因大致如下：1、玻璃基板与柔性PI基板之间存在异物，或者玻璃基板自身存在缺陷，导致激光照射后局部柔性PI基板与玻璃基板之间仍然存在较强的作用力，不能正常剥离。2、柔性PI基板自身存在缺陷，紫外激光很容易透过柔性PI基板，导致部分区域激光能量穿透至上层膜层，对OLED结构及薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）结构造成损伤，因以上存在的不可避免的因素总会给LLO工艺带来极大挑战，严重影响该工艺的良率。
为了解决以上问题，现有一种方案通过将具有紫外吸收能力的材料掺杂于柔性基板中，用来防范多余紫外光对上层结构可能造成的灼伤。然而一般的紫外光吸收剂本身不稳定，在紫外光作用下容易分解而产生一系列副产物，直接引入该类化合物到PI中，极可能会引发很多意想不到的后果，因此，在柔性基板中引入稳定的紫外光吸收剂对提升LLO工艺良率极为重要。
 技术问题
本发明的目的在于提供一种柔性显示面板，能够防止LLO制程中多余的激光能量进一步碳化上层的显示功能层，从而有效提升柔性显示面板的LLO工艺良率。
本发明的目的在于提供一种柔性显示面板的制作方法，能够防止LLO制程中多余的激光能量进一步碳化上层的显示功能层，从而有效提升柔性显示面板的LLO工艺良率。
 技术解决方案
为实现上述目的，本发明提供一种柔性显示面板，包括柔性基板、一层或多层设于柔性基板中的激光吸收层及设于柔性基板上的显示功能层；
所述激光吸收层包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物。
所述柔性基板的制作材料为第一聚合物溶液；
所述激光吸收层的制作材料为第二聚合物溶液，所述第二聚合物溶液包括第一聚合物溶液及混合于第一聚合物溶液中的芳香有机化合物。
所述含氟芳香有机化合物包括经含氟官能团取代的2,4-二羟基二苯甲酮。
所述含氟芳香有机化合物的分子结构中包含三氟甲基。
所述柔性基板为聚酰亚胺基板；
所述显示功能层包括依次层叠设于所述柔性基板上的TFT层、OLED层及薄膜封装层。
本发明还提供一种柔性显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供玻璃基板、第一聚合物溶液及第二聚合物溶液，在玻璃基板上涂布一层第一聚合物溶液，然后至少一次地交替涂布第二聚合物溶液和第一聚合物溶液，经烘烤固化后，由第一聚合物溶液形成柔性基板，由第二聚合物溶液形成一层或多层位于柔性基板中的激光吸收层；
所述激光吸收层包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物；
步骤S2、在所述柔性基板上形成显示功能层；
步骤S3、采用激光对柔性基板的玻璃基板一侧进行扫描，使所述柔性基板与玻璃基板分离，将所述柔性基板从玻璃基板上剥离下来。
所述步骤S1中提供的所述第二聚合物溶液包括第一聚合物溶液及混合于第一聚合物溶液中的芳香有机化合物。
所述含氟芳香有机化合物包括经含氟官能团取代的2,4-二羟基二苯甲酮。
所述含氟芳香有机化合物的分子结构中包含三氟甲基。
所述步骤S1中所形成的柔性基板为聚酰亚胺基板；
所述步骤S2中所形成的显示功能层包括依次层叠设于所述柔性基板上的TFT层、OLED层及薄膜封装层；
所述步骤S3中所采用的激光的波长为308nm。
 有益效果
本发明的有益效果：本发明提供的一种柔性显示面板，包括柔性基板、一层或多层设于柔性基板中的激光吸收层及设于柔性基板上的显示功能层，所述激光吸收层包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物，该含氟芳香有机化合物的紫外光吸收剂具有极强的紫外光吸收能力，且化学性质稳定，可以稳定存在于柔性基板中，从而能够将LLO工艺中多余的激光能量吸收，防止LLO制程中多余的激光能量进一步碳化柔性基板上的显示功能层，进而有效提升柔性显示面板的LLO工艺良率，大幅度改善产品良率。本发明提供的一种柔性显示面板的制作方法，通过在柔性基板中设置含有紫外光吸收剂的激光吸收层，该紫外光吸收剂为含氟芳香有机化合物，具有极强的紫外光吸收能力，且化学性质稳定，可以稳定存在于柔性基板中，因此能够将LLO工艺中多余的激光能量吸收，防止LLO制程中多余的激光能量进一步碳化柔性基板上的显示功能层，进而有效提升柔性显示面板的LLO工艺良率，大幅度改善产品良率。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
 附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明柔性显示面板的结构示意图；
图2为2,4-二羟基二苯甲酮和经含氟官能团取代的2,4-二羟基二苯甲酮的紫外吸收光谱图；
图3为本发明柔性显示面板的柔性基板中设有一层激光吸收层的结构示意图；
图4为本发明柔性显示面板的柔性基板中设有两层激光吸收层的结构示意图；
图5为本发明柔性显示面板的柔性基板中设有三层激光吸收层的结构示意图；
图6为本发明柔性显示面板的制作方法的流程示意图；
图7为本发明柔性显示面板的制作方法的步骤S1的示意图；
图8为本发明柔性显示面板的制作方法的步骤S2的示意图；
图9-10为本发明柔性显示面板的制作方法的步骤S3的示意图。
 本发明的实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 1 ，本发明首先提供一种柔性显示面板，包括柔性基板 10 、一层或多层设于柔性基板 10 中的激光吸收层 35 及设于柔性基板 10 上的显示功能层 20 ；
所述激光吸收层 35 包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物。
需要说明的是，一般的紫外吸收剂本身化学性质不稳定，在紫外光作用下容易分解而产生一系列副产物，直接引入该类化合物到柔性基板 10 中，极可能会引发很多意想不到的后果。而通过向常见紫外吸收剂中引入含氟官能团后，可以极好地增加该吸收剂的稳定性，且在众多的含氟紫外吸收剂中，含氟的芳香类有机化合物更为稳定，如经含氟官能团取代的 2,4- 二羟基二苯甲酮等。将 2,4- 二羟基二苯甲酮记为 UV-0 ，将经含氟官能团取代的 2,4- 二羟基二苯甲酮记为 UV-F ，通过图 2 所示的两者不同浓度下的紫外吸收光谱可以发现，在常用紫外吸收剂 UV-0 中引入氟原子后，其紫外吸收性能获得极大地提升，具有极强的紫外光吸收能力。
具体地，所述柔性基板 10 的制作材料为第一聚合物溶液。本实施例中，所述柔性基板 10 为聚酰亚胺基板，所述第一聚合物溶液为聚酰亚胺溶液。
具体地，所述激光吸收层 35 的制作材料为第二聚合物溶液，所述第二聚合物溶液包括第一聚合物溶液及混合于第一聚合物溶液中的芳香有机化合物。所述第二聚合物溶液可以通过向第一聚合物溶液中掺杂小分子的含氟芳香有机化合物得到，或者，通过对聚酰亚胺进行修饰在其化学结构中引入含氟芳香官能团而得到大分子的芳香有机化合物，然后由该大分子的芳香有机化合物得到第二聚合物溶液，进而形成激光吸收层 35 。
具体地，所述含氟芳香有机化合物中的含氟官能团包括三氟甲基等。
具体地，本实施例中，所述含氟芳香有机化合物包括经含氟官能团取代的 2,4- 二羟基二苯甲酮。
具体地，所述显示功能层 20 包括依次层叠设于所述柔性基板 10 上的 TFT 层 21 、 OLED 层 22 及薄膜封装层 23 。
具体地，如图 3-5 所示，所述柔性基板 10 内可以设置一层、两层、三层或其他更多层的激光吸收层 35 ，所述激光吸收层 35 设置在柔性基板 10 的相对远离显示功能层 20 的区域内，即在所述柔性基板 10 内激光吸收层 35 最靠近显示功能层 20 一侧的柔性基板 10 的厚度大于激光吸收层 35 最远离显示功能层 20 一侧的柔性基板 10 的厚度。
具体地，所述 TFT 层 21 用于对所述 OLED 层 22 行驱动，包括多个阵列排布的 TFT 器件，所述 TFT 器件为低温多晶硅（ Low Temperature Poly-silicon ， LTPS ）型、或者金属氧化物半导体（ Metal-Oxide Semiconductor ， MOS ）型，例如铟镓锌氧化物（ IGZO ）的金属氧化物半导体型。
具体地，所述 OLED 层 22 包括设于所述 TFT 层 21 上的第一电极层、设于所述 TFT 层 21 和第一电极层上的像素定义层、设于第一电极层上的有机功能层、以及设于像素定义层和有机功能层上的第二电极层（未图示）。所述像素定义层在第一电极层上围出多个阵列排布的像素开口；所述有机功能层设于所述像素开口内；每一像素开口内的有机功能层、其下方对应的第一电极层、以及其上方对应的第二电极层共同构成一 OLED 器件。
具体地，所述第一电极层、第二电极层分别用作 OLED 器件的阳极（ Anode ）和阴极（ Cathode ）；所述有机功能层包括由下到上依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
具体地，薄膜封装层 23 包括层叠设置的无机阻挡层和有机缓冲层（未图示）。
本发明的柔性显示面板，柔性基板 10 内设有一层或多层激光吸收层 35 ，所述激光吸收层 35 包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物，该含氟芳香有机化合物的紫外光吸收剂，相比于一般紫外光吸收剂，具有极强的紫外光吸收能力，且化学性质稳定，可以稳定存在于柔性基板 10 中，从而能够将 LLO 工艺中多余的激光能量吸收，防止 LLO 制程中多余的激光能量进一步碳化柔性基板 10 上的显示功能层 20 ，进而有效提升柔性显示面板的 LLO 工艺良率，大幅度改善产品良率。
基于上述的柔性显示面板，请参阅图 6 ，本发明还提供一种柔性显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤 S1 、如图 7 所示，提供玻璃基板 50 、第一聚合物溶液及第二聚合物溶液，在玻璃基板 50 上涂布一层第一聚合物溶液，然后至少一次地交替涂布第二聚合物溶液和第一聚合物溶液，经烘烤固化后，由第一聚合物溶液形成柔性基板 10 ，由第二聚合物溶液形成一层或多层位于柔性基板 10 中的激光吸收层 35 。
所述激光吸收层 35 包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物，该含氟芳香有机化合物的紫外光吸收剂，相比于一般紫外光吸收剂，具有极强的紫外光吸收能力，且化学性质稳定，可以稳定存在于柔性基板 10 中。
具体地，所述步骤 S1 中提供的所述第二聚合物溶液包括第一聚合物溶液及混合于第一聚合物溶液中的芳香有机化合物。本实施例中，所述柔性基板 10 为聚酰亚胺基板，所述第一聚合物溶液为聚酰亚胺溶液。
具体地，所述第二聚合物溶液可以为向第一聚合物溶液中掺杂小分子的含氟芳香有机化合物得到；或者，通过对聚酰亚胺进行修饰在其化学结构中引入含氟芳香官能团而得到大分子的芳香有机化合物，然后由该大分子的芳香有机化合物得到第二聚合物溶液，进而形成激光吸收层 35 。
具体地，所述含氟芳香有机化合物中的含氟官能团包括三氟甲基等。
具体地，本实施例中，所述含氟芳香有机化合物包括经含氟官能团取代的 2,4- 二羟基二苯甲酮。
具体地，所述柔性基板 10 内可以设置一层、两层、三层或其他更多层的激光吸收层 35 ，所述激光吸收层 35 设置在柔性基板 10 的相对靠近玻璃基板 50 的区域内，即在所述柔性基板 10 内激光吸收层 35 最靠近玻璃基板 50 一侧的柔性基板 10 的厚度小于激光吸收层 35 最远离玻璃基板 50 一侧的柔性基板 10 的厚度。
步骤 S2 、如图 8 所示，在所述柔性基板 10 上形成显示功能层 20 。
具体地，所述步骤 S2 中所形成的显示功能层 20 包括依次层叠设于所述柔性基板 10 上的 TFT 层 21 、 OLED 层 22 及薄膜封装层 23 。
具体地，所述步骤 S2 中所形成的 TFT 层 21 用于对所述 OLED 层 22 行驱动，包括多个阵列排布的 TFT 器件，所述 TFT 器件为低温多晶硅型、或者金属氧化物半导体型，例如铟镓锌氧化物的金属氧化物半导体型。
具体地，所述 OLED 层 22 包括设于所述 TFT 层 21 上的第一电极层、设于所述 TFT 层 21 和第一电极层上的像素定义层、设于第一电极层上的有机功能层、以及设于像素定义层和有机功能层上的第二电极层（未图示）。所述像素定义层在第一电极层上围出多个阵列排布的像素开口；所述有机功能层设于所述像素开口内；每一像素开口内的有机功能层、其下方对应的第一电极层、以及其上方对应的第二电极层共同构成一 OLED 器件。
具体地，所述第一电极层、第二电极层分别用作 OLED 器件的阳极和阴极；所述有机功能层包括由下到上依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
具体地，薄膜封装层 23 包括层叠设置的无机阻挡层和有机缓冲层（未图示）。
步骤 S3 、如图 9-10 所示，采用激光对柔性基板 10 的玻璃基板 50 一侧进行扫描，使所述柔性基板 10 与玻璃基板 50 分离，将所述柔性基板 10 从玻璃基板 50 上剥离下来。
具体地，所述步骤 S3 中所采用的激光的波长为 308nm 。
本发明的柔性显示面板的制作方法，通过在柔性基板 10 中设置含有紫外光吸收剂的激光吸收层 35 ，该紫外光吸收剂为含氟芳香有机化合物，具有极强的紫外光吸收能力，且化学性质稳定，可以稳定存在于柔性基板 10 中，因此能够将 LLO 工艺中多余的激光能量吸收，防止 LLO 制程中多余的激光能量进一步碳化柔性基板 10 上的显示功能层 20 ，进而有效提升柔性显示面板的 LLO 工艺良率，大幅度改善产品良率。
综上所述，本发明提供的一种柔性显示面板，包括柔性基板、一层或多层设于柔性基板中的激光吸收层及设于柔性基板上的显示功能层，所述激光吸收层包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物，该含氟芳香有机化合物的紫外光吸收剂具有极强的紫外光吸收能力，且化学性质稳定，可以稳定存在于柔性基板中，从而能够将 LLO 工艺中多余的激光能量吸收，防止 LLO 制程中多余的激光能量进一步碳化柔性基板上的显示功能层，进而有效提升柔性显示面板的 LLO 工艺良率，大幅度改善产品良率。本发明提供的一种柔性显示面板的制作方法，通过在柔性基板中设置含有紫外光吸收剂的激光吸收层，该紫外光吸收剂为含氟芳香有机化合物，具有极强的紫外光吸收能力，且化学性质稳定，可以稳定存在于柔性基板中，因此能够将 LLO 工艺中多余的激光能量吸收，防止 LLO 制程中多余的激光能量进一步碳化柔性基板上的显示功能层，进而有效提升柔性显示面板的 LLO 工艺良率，大幅度改善产品良率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

  1. 一种柔性显示面板，包括柔性基板、一层或多层设于柔性基板中的激光吸收层及设于柔性基板上的显示功能层；
    所述激光吸收层包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物。
  2. 如权利要求1所述的柔性显示面板，其中，所述柔性基板的制作材料为第一聚合物溶液；
    所述激光吸收层的制作材料为第二聚合物溶液，所述第二聚合物溶液包括第一聚合物溶液及混合于第一聚合物溶液中的芳香有机化合物。
  3. 如权利要求1所述的柔性显示面板，其中，所述含氟芳香有机化合物包括经含氟官能团取代的2,4-二羟基二苯甲酮。
  4. 如权利要求3所述的柔性显示面板，其中，所述含氟芳香有机化合物的分子结构中包含三氟甲基。
  5. 如权利要求1所述的柔性显示面板，其中，所述柔性基板为聚酰亚胺基板；
    所述显示功能层包括依次层叠设于所述柔性基板上的TFT层、OLED层及薄膜封装层。
  6. 一种柔性显示面板的制作方法，包括如下步骤：
    步骤S1、提供玻璃基板、第一聚合物溶液及第二聚合物溶液，在玻璃基板上涂布一层第一聚合物溶液，然后至少一次地交替涂布第二聚合物溶液和第一聚合物溶液，经烘烤固化后，由第一聚合物溶液形成柔性基板，由第二聚合物溶液形成一层或多层位于柔性基板中的激光吸收层；
    所述激光吸收层包含用作紫外光吸收剂的含氟芳香有机化合物；
    步骤S2、在所述柔性基板上形成显示功能层；
    步骤S3、采用激光对柔性基板的玻璃基板一侧进行扫描，使所述柔性基板与玻璃基板分离，将所述柔性基板从玻璃基板上剥离下来。
  7. 如权利要求6所述的柔性显示面板的制作方法，其中，所述步骤S1中提供的所述第二聚合物溶液包括第一聚合物溶液及混合于第一聚合物溶液中的芳香有机化合物。
  8. 如权利要求6所述的柔性显示面板的制作方法，其中，所述含氟芳香有机化合物包括经含氟官能团取代的2,4-二羟基二苯甲酮。
  9. 如权利要求8所述的柔性显示面板的制作方法，其中，所述含氟芳香有机化合物的分子结构中包含三氟甲基。
  10. 如权利要求6所述的柔性显示面板的制作方法，其中，所述步骤S1中所形成的柔性基板为聚酰亚胺基板；
    所述步骤S2中所形成的显示功能层包括依次层叠设于所述柔性基板上的TFT层、OLED层及薄膜封装层；
    所述步骤S3中所采用的激光的波长为308nm。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110176184B (zh) * 2019-05-16 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的制备方法及显示面板
US11325351B2 (en) 2019-05-16 2022-05-10 Wshan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating display panel
CN110628024A (zh) * 2019-09-24 2019-12-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种聚酰亚胺材料、制备方法及其应用
CN111574379A (zh) * 2020-05-13 2020-08-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种水凝胶及制备方法、柔性面板及制备方法
CN111799374B (zh) * 2020-07-17 2023-04-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、制备方法及其显示装置
CN112164707B (zh) * 2020-08-31 2024-04-16 福建华佳彩有限公司 一种柔性显示面板的制备方法
WO2022056886A1 (en) * 2020-09-19 2022-03-24 Huawei Technologies Co., Ltd. Organic electroluminescent display

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101629034A (zh) * 2009-08-03 2010-01-20 重庆大学 一种紫外吸收剂及其制备方法
CN103370653A (zh) * 2011-02-08 2013-10-23 Az电子材料美国公司 底层涂料组合物及制造微电子器件的方法
CN105118837A (zh) * 2015-09-16 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基底及其制备方法、显示装置
CN107556966A (zh) * 2017-07-19 2018-01-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 紫外光吸收胶与柔性oled显示面板及其制作方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3387035A (en) * 1963-11-04 1968-06-04 Air Force Usa Fluorine substituted benzophenone ultraveiolet absorbers
KR20140122677A (ko) * 2013-04-09 2014-10-20 주식회사 엘지화학 폴리이미드계 필름 및 이의 제조방법
KR20160067084A (ko) * 2013-10-04 2016-06-13 아크론 폴리머 시스템즈, 인코포레이티드 디스플레이용 소자, 광학용 소자, 조명용 소자 또는 센서 소자의 제조를 위한 방향족 폴리아마이드 용액
CN104793384B (zh) * 2015-04-03 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种超薄液晶显示器及其制作方法
CN107722268B (zh) * 2016-08-10 2021-12-21 日铁化学材料株式会社 聚酰亚胺前体、聚酰亚胺及透明聚酰亚胺膜的制造方法
CN106252269A (zh) * 2016-09-07 2016-12-21 达迈科技股份有限公司 可离型的柔性基板及其制造方法
WO2018143588A1 (ko) * 2017-01-31 2018-08-09 주식회사 엘지화학 가요성 기판 제조용 적층체 및 이를 이용한 가요성 기판의 제조방법
KR102008766B1 (ko) * 2017-01-31 2019-08-09 주식회사 엘지화학 가요성 기판 제조용 적층체 및 이를 이용한 가요성 기판의 제조방법
CN106893125A (zh) * 2017-03-23 2017-06-27 武汉华星光电技术有限公司 一种改性聚酰亚胺薄膜及其制备方法
CN107644891A (zh) * 2017-09-13 2018-01-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板的制作方法
KR101971402B1 (ko) * 2018-06-25 2019-04-22 최재규 투명 캐리어를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101629034A (zh) * 2009-08-03 2010-01-20 重庆大学 一种紫外吸收剂及其制备方法
CN103370653A (zh) * 2011-02-08 2013-10-23 Az电子材料美国公司 底层涂料组合物及制造微电子器件的方法
CN105118837A (zh) * 2015-09-16 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基底及其制备方法、显示装置
CN107556966A (zh) * 2017-07-19 2018-01-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 紫外光吸收胶与柔性oled显示面板及其制作方法

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