CN105118837A - 一种柔性基底及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种柔性基底及其制备方法、柔性显示器件及其制备方法，显示基板，显示面板，显示装置，用于解决现有技术柔性器件在制备过程激光能量对薄膜晶体管的多晶硅有源层产生不良影响和在柔性显示器件在剥离过程中容易造成柔性层碳化的问题。本发明的柔性基底包括设置在两层柔性层之间的紫外光吸收层，该紫外光吸收层能在有源层采用准分子激光辐照对非晶硅转化多晶硅时，具有夹心紫外光吸收层的柔性基底，能够利用紫外光吸收层吸收多余的激光能量，防止柔性层受热碳化；而当对柔性基底和玻璃衬底分离时，用于剥离的激光束从玻璃衬底射入，柔性基底能够利用紫外光吸收层吸收多余的激光能量，防止激光对有源层性能产生不良影响。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种柔性基底及其制备方法、柔性显示器件及其制备方法、显示基板、显示面板、显示装置。
背景技术
柔性显示器件的制备方法，通常是在玻璃衬底上涂布柔性基底，然后在柔性基板在制备低温多晶硅的薄膜晶体管和发光元件等，完成器件制作之后，通常的方法是利用激光(紫外线)将柔性器件与玻璃衬底分离，最后得到柔性显示器件。
此工艺过程中，低温多晶硅晶化常采用准分子激光退火(ELA)的方式来进行，在此激光作用过程中，a-si吸收激光能量，发生晶化，变成p-si,但是也有部分激光能量会到达柔性基板，使其发生碳化，例如，产生细小颗粒，裂纹等使得后续制程的功能层无法平坦化，影响后续制程。
另外，在柔性显示器件完成后，一般采用激光剥离的方式将柔性显示器件从玻璃衬底上分离，具体在柔性显示器件的远离玻璃衬底的一侧入射激光，激光辐照的大部分能量瞬时被柔性基板所吸收，柔性基板和玻璃衬底之间发生分离；但瞬时的高热量会传递到位于柔性基板的薄膜晶体管，对薄膜晶体管特性有影响，例如，会使薄膜晶体管的阈值电压发生漂移、关态电流增加、开关比变大，使得薄膜晶体管的特性发生劣化，影响其驱动能力。
发明内容
解决上述问题所采用的技术方案是一种柔性基底及其制备方法、柔性显示器件及其制备方法、显示基板、显示面板、显示装置。
本发明提供的一种柔性基底，包括第一柔性层和第二柔性层，及设置在所述第一柔性层和所述第二柔性层之间的紫外光吸收层，其中，所述紫外光吸收层的对紫外光的吸收能力大于等于所述第一柔性层和所述第二柔性层对紫外光的吸收能力。
优选的，所述紫外光吸收层包括非晶硅、氧化铟锡、铟镓锌氧化物中的一种或几种。
优选的，所述紫外光吸收层为非晶硅层；所述紫外线的波长在271nm-355nm之间。
优选的，所述非晶硅层的厚度为100-10000埃。
优选的，所述第一柔性层或所述第二柔性层包括聚酰亚胺。
优选的，所述第一柔性层和所述第二柔性层厚度为5-30微米。
本发明的另一个目的在于提供一种上述的柔性基底的制备方法，包括以下步骤：
在衬底上形成第一柔性层；
在所述第一柔性层上形成紫外光吸收层；
在所述紫外光吸收层形成第二柔性层。
本发明的另一个目的在于提供一种柔性显示器件，上述的柔性基底和设置在所述柔性基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层包括多晶硅层。
本发明的另一个目的在于提供一种柔性显示器件的制备方法，包括以下步骤：
制备柔性基底；
在柔性基底上制备包括多晶硅有源层的薄膜晶体管；
将柔性显示器件与衬底进行分离。
本发明的另一个目的在于提供一种显示基板，包括上述的柔性显示器件。
本发明的另一个目的在于提供一种显示面板，包括上述的显示基板。
本发明的另一个目的在于提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明提供的柔性基底及其制备方法、柔性显示器件及其制备方法，显示基板，显示面板，显示装置，由于柔性基底包括设置在两层柔性层之间的紫外光吸收层，该紫外光吸收层能在有源层采用准分子激光辐照对非晶硅转化多晶硅时，具有夹心紫外光吸收层的柔性基底，能够利用紫外光吸收层吸收多余的激光能量，防止柔性层受热碳化；而当对柔性基底和玻璃衬底分离时，用于剥离的激光束从玻璃衬底射入，柔性基底能够利用紫外光吸收层吸收多余的激光能量，防止激光对形成的薄膜晶体管的有源层性能产生不良影响。
附图说明
图1为本发明实施例1中柔性基底的结构示意图；
图2为本发明实施例3中柔性显示器件制备时对有源层进行准分子激光照射的示意图；
图3为本发明实施例3中柔性显示器件制备时柔性显示器件和玻璃进行剥离的示意图；
其中，1.玻璃衬底；2.第一柔性层；3.紫外光吸收层；4.第二柔性层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
如图1所示，本实施例提供一种柔性基底，包括第一柔性层和第二柔性层4，及设置在所述第一柔性层2和所述第二柔性层4之间的紫外光吸收层3，其中，所述紫外光吸收层3的对紫外光的吸收能力大于等于所述第一柔性层2和所述第二柔性层4对紫外光的吸收能力。
本发明提供的柔性基底及其制备方法、显示装置，由于柔性基底包括设置在两层柔性层之间的紫外光吸收层3，该紫外光吸收层3能在有源层采用准分子激光辐照对非晶硅转化多晶硅时，具有夹心紫外光吸收层3的柔性基底，能够利用紫外光吸收层3吸收多余的激光能量，防止柔性层受热碳化；而当对柔性基底和玻璃衬底1分离时，用于剥离的激光束从玻璃衬底11射入，柔性基底能够利用紫外光吸收层3吸收多余的激光能量，防止激光对形成的薄膜晶体管的有源层性能产生不良影响。
优选地，所述紫外光吸收层3包括非晶硅、氧化铟锡、铟镓锌氧化物中的一种或几种。同样，对于p型掺杂的氧化铟锡和n型掺杂的氧化铟锡也是适用的。
应当理解的是还可以是其它类型的材料，只要所述紫外光吸收层3的对紫外光的吸收能力大于等于所述第一柔性层2和所述第二柔性层4对紫外光的吸收能力即可。
优选地，所述紫外光吸收层3为非晶硅层；所述紫外线的波长在271nm-355nm之间。在此紫外线的波长范围内非晶硅层对紫外线的吸收能力大于等于作为柔性层的聚酰亚胺对紫外线的吸收能力，能够保护薄膜晶体管免受紫外光能量的冲击，并有利后续制程。
优选地，所述非晶硅层的厚度为100-10000埃。这样非晶硅层能够更好的吸收紫外光的能量。
优选地，所述第一柔性层2或所述第二柔性层4包括聚酰亚胺。聚酰亚胺作为常用材料更加适合柔性层的制作。
优选地，所述第一柔性层2和所述第二柔性层4厚度为5-30微米。上述范围内的柔性层厚度可以更好的适应剥离玻璃衬底1和制备平坦的功能层的需求。
实施例2
本实施例提供一种上述柔性基底的制备方法，包括以下步骤：
在衬底上形成第一柔性层2；
在所述第一柔性层2上形成紫外光吸收层3；
在所述紫外光吸收层3形成第二柔性层4。
具体地，
S1-1，在玻璃衬底1上形成第一聚酰亚胺层；
具体的制备方法为现有技术范畴在此不再一一赘述，例如，可以采用涂布法，控制涂覆膜层的厚度，根据具体的应用情形形成5-30微米厚度的第一聚酰亚胺层。
S1-2，在所述第一柔性层2上形成非晶硅层；
具体地，可以采用等离子气相沉积法在第一聚酰亚胺层上沉积a-si膜层，控制等离子气相沉积的参数，根据具体的应用情形形成100-10000埃厚度的非晶硅层。
S1-3，在非晶硅层上形成第二聚酰亚胺层；
制备方法同S1，根据具体的应用情形形成5-30微米厚度的第二聚酰亚胺层。
可以继续制备包括多晶硅层有源层的薄膜晶体管及显示基板所需的功能层，在此不再一一赘述。
实施例3
本实施例提供一种柔性显示器件及其制备方法，其中，柔性显示器件包括上述的柔性基底和设置在所述柔性基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层包括多晶硅层。
柔性显示器件的制备方法包括以下步骤：
制备柔性基底；
在柔性基底上制备包括多晶硅有源层的薄膜晶体管；
将柔性显示器件与衬底进行分离。
具体地，
S2-1，制备柔性基底；
柔性基底的制备方法见实施例2中的S1-1至S1-3；
S2-2在柔性基底上制备包括多晶硅有源层的薄膜晶体管
如图2所示，在柔性基底上制备包括多晶硅有源层的薄膜晶体管，可以在上述的柔性基底上制备包括栅极，绝缘层，有源层等功能层，其中，有源层为采用等离子气相沉积制备的非晶硅层，然后，通过准分子激光制备多晶硅层，通常采用激光的波长为308nm；当然也可以根据需要采用其它波长，只要该波长的激光能完成非晶硅到多晶硅的转换，此时，由于非晶硅层的对紫外光的吸收能力大于等于所述第一柔性层2或所述第二柔性层4对紫外光的吸收能力，非晶硅有源层转化为多晶硅有源层时过多的紫外线能量由位于第一柔性层2和所述第二柔性层4之间的非晶硅层吸收，避免对第一柔性层2和所述第二柔性层4产生不良影响。
S2-3，将柔性显示器件与衬底进行分离
如图3所示，在完成柔性显示器件的制备后，进一步的采用紫外线进行玻璃衬底1和柔性显示器件的分离，具体地，可以采用波长为355nm的激光进行照射，此时，激光从柔性显示器件的相对的一侧入射，激光能量大部分被靠近玻璃衬底1的第一柔性层2吸收，使第一柔性层2和玻璃衬底1分离，过多的激光能量被紫外光吸收层3吸收，避免了对薄膜晶体管的多晶硅有源层造成不良影响。
实施例4
本实施例提供一种显示基板，包括上述的柔性基底和设置在所述柔性基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层包括多晶硅层。
实施例5
本实施例提供一种显示面板，包括上述的显示基板。
实施例6
本实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种柔性基底，其特征在于，包括第一柔性层和第二柔性层，及设置在所述第一柔性层和所述第二柔性层之间的紫外光吸收层，其中，所述紫外光吸收层的对紫外光的吸收能力大于等于所述第一柔性层和所述第二柔性层对紫外光的吸收能力。
2.如权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，所述紫外光吸收层包括非晶硅、氧化铟锡、铟镓锌氧化物中的一种或几种。
3.如权利要求2所述的柔性基底，其特征在于，所述紫外光吸收层为非晶硅层；所述紫外线的波长在271nm-355nm之间。
4.如权利要求3所述的柔性基底，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为100-10000埃。
5.如权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，所述第一柔性层或所述第二柔性层包括聚酰亚胺。
6.如权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，所述第一柔性层和所述第二柔性层厚度为5-30微米。
7.一种如权利要求1-6任一所述的柔性基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上形成第一柔性层；
在所述第一柔性层上形成紫外光吸收层；
在所述紫外光吸收层形成第二柔性层。
8.一种柔性显示器件，其特征在于，包括如权利要求1-6任一所述的柔性基底和设置在所述柔性基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层包括多晶硅层。
9.一种柔性显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备柔性基底；
在柔性基底上制备包括多晶硅有源层的薄膜晶体管；
将柔性显示器件与衬底进行分离。
10.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求8所述的柔性显示器件。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示基板。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|
| CN (1) | CN105118837A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105632347A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性面板及其制作方法、显示装置 |
| CN105895573A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板的剥离方法 |
| CN107154364A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | Ap系统股份有限公司 | 激光剥离工序间对象物反转检测方法 |
| CN107195643A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-09-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
| CN107528011A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-12-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示器 |
| CN107556966A (zh) * | 2017-07-19 | 2018-01-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 紫外光吸收胶与柔性oled显示面板及其制作方法 |
| CN107681060A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-02-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性基板及柔性oled器件 |
| CN108886110A (zh) * | 2016-01-04 | 2018-11-23 | 庆熙大学校产学协力团 | 柔性显示装置及其制造方法 |
| CN109616575A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN109638156A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN109904106A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示面板及柔性显示面板的制备方法 |
| CN112313790A (zh) * | 2018-03-20 | 2021-02-02 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性部件、电子装置及柔性盖板的剥离方法 |
| CN114613920A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090032096A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Fujifilm Corporation | Process for producing thin-film device, and devices produced by the process |
| CN102967966A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-03-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制作方法 |
| CN103500756A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-01-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法 |
| CN104143565A (zh) * | 2014-07-28 | 2014-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法与显示装置 |
| CN104183783A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 三星显示有限公司 | 具有柔性基板的有机发光显示装置 |
-
2015
- 2015-09-16 CN CN201510591883.2A patent/CN105118837A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090032096A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Fujifilm Corporation | Process for producing thin-film device, and devices produced by the process |
| CN102967966A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-03-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其制作方法 |
| CN104183783A (zh) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 三星显示有限公司 | 具有柔性基板的有机发光显示装置 |
| CN103500756A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-01-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法 |
| CN104143565A (zh) * | 2014-07-28 | 2014-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法与显示装置 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108886110A (zh) * | 2016-01-04 | 2018-11-23 | 庆熙大学校产学协力团 | 柔性显示装置及其制造方法 |
| CN108886110B (zh) * | 2016-01-04 | 2020-05-15 | 庆熙大学校产学协力团 | 柔性显示装置及其制造方法 |
| CN107154364A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | Ap系统股份有限公司 | 激光剥离工序间对象物反转检测方法 |
| CN107154364B (zh) * | 2016-03-03 | 2023-06-16 | Ap系统股份有限公司 | 激光剥离工序间对象物反转检测方法 |
| CN105632347A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性面板及其制作方法、显示装置 |
| CN105895573A (zh) * | 2016-04-18 | 2016-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板的剥离方法 |
| CN105895573B (zh) * | 2016-04-18 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性基板的剥离方法 |
| CN107195643A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-09-22 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
| CN107556966B (zh) * | 2017-07-19 | 2019-11-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 紫外光吸收胶与柔性oled显示面板及其制作方法 |
| CN107556966A (zh) * | 2017-07-19 | 2018-01-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 紫外光吸收胶与柔性oled显示面板及其制作方法 |
| CN107528011A (zh) * | 2017-08-21 | 2017-12-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示器 |
| CN107681060A (zh) * | 2017-09-19 | 2018-02-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性基板及柔性oled器件 |
| CN112313790A (zh) * | 2018-03-20 | 2021-02-02 | 深圳市柔宇科技股份有限公司 | 柔性部件、电子装置及柔性盖板的剥离方法 |
| CN109616575A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN109638156A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| WO2020118747A1 (zh) * | 2018-12-10 | 2020-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN109638156B (zh) * | 2018-12-10 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN109904106A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示面板及柔性显示面板的制备方法 |
| CN114613920A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151202 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |