KR102362552B1 - Oled 디스플레이 패널의 가요성 기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판의 제조 방법을 제공하는 것으로서, 이 방법은 단계 S10) 유리 기판을 제공하는 단계; 단계 S20) 상기 유리 기판의 표면 상에 제1 폴리이미드 층을 형성하는 단계 및 단계 S30) 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 버퍼 층을 형성하는 단계를 포함한다. 단계 S30)은, 단계 S301) 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 산화 규소 층을 형성하는 단계 및 단계 S302) 이온 주입 기술을 사용하여 산화 규소 층에 티타늄 이온 주입을 수행하여 이산화 티타늄과 산화 규소의 혼합 층을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 액정 디스플레이의 기술 분야, 특히 GOA 회로 및 상기 GOA 회로를 갖는 액정 디스플레이 패널에 관한 것이다.
유기 전계 발광 디스플레이로도 알려진 OLED (organic light-emitting diode, 유기 발광 다이오드) 디스플레이는 새로운 유형의 평판 디스플레이 소자이다. 이는, 제조 공정이 간단하고, 원가가 낮고, 공률 손실이 낮고, 발광 밝기가 높고, 광범위한 작동 온도를 갖고, 얇고 가벼우며, 빠른 응답 속도를 갖고, 컬러 디스플레이 및 대형 화면 디스플레이를 쉽게 구현할 수 있으며, 집적 회로 드라이버와의 매칭이 용이하고, 가요성 디스플레이를 쉽게 구현할 수 있어서, 광범위한 응용 전망을 갖는다. 오늘날 가요성 OLED 패널은 유기 발광 소자의 중요한 연구 방향이 되었으며, 패널의 유연성이 가능하도록 전통적인 유리 기판을 대체하여 가요성 기판이 선택된다.
가요성 OLED 패널은 패널 개발의 새로운 방향이 되었고, 차세대 가요성 OLED 패널은 가요성 PI(polyimide, 폴리이미드)를 기판으로 하며, 이는 PI가 고성능을 갖추고 PI 결함이 최소화되고 가요성 OLED 패널의 생산 수율이 향상되는 것을 요구하며, 따라서 OLED 패널을 제조하는 동안 PI의 손상이 감소되어야 한다.
그러나, 가요성 OLED 패널을 제조하는 동안, 유리 기판의 레이저 어닐링 및 레이저 박리 시에 PI 조성에 특정의 손상을 야기할 수 있으며, 심지어 PI 파공 현상도 나타날 수 있다.
공정 동안 레이저가 PI 조성을 손상시키는 것을 감소시키기 위해, 통상적으로 버퍼 층 (완충 층)을 사용하여 이 문제를 해결하고자 하였으며, 그 중 SiNx (질화 규소)는 유리 기판에서 Al/Ba/Na (알루미늄/바륨/나트륨) 플라즈마가 PI 내로 확산하는 것을 차단하여 누설 전류를 감소시키고; SiOx (산화 규소)는 보다 우수한 단열 효과를 가지며, 이는 a-Si (비정질 규소)의 결정화 동안 열 손실을 감소시킬 수 있으며, 이는 비교적 큰 입자의 형성에 유리하고; SiNx는 이온을 차단하는 능력이 강하고 유리와의 접촉 응력이 더 작으며 SiOx와 다결정성 규소 사이의 계면의 습윤 각이 더 좋아서, SiNx/SiOx 스태킹 방식이 사용된다. 그러나, 가요성 OLED 패널의 기판에서, SiNx 층은 유리 기판과 직접 접촉하지 않으며, 그 효과는 절연 버퍼 효과로 제한된다. ELA (레이저 어닐링) 공정에서 SiOx의 단열 효과는 충분하지 않으며, 이는 PI 층의 손상을 일으킬 수 있다.
요약하면, 종래 기술의 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판의 버퍼 층은 PI 층에 대한 보호 효과가 약하며, 이는, PI 층에 손상을 야기하고 추가로 OLED 디스플레이 패널의 품질에 영향을 미칠 수 있다.
본 발명은 OLED 디스플레이 패널을 위한 가요성 기판을 제조하는 방법을 제공한다. 가요성 기판의 버퍼 층은 레이저에 의한 PI 층의 손상을 감소시켜, 종래 기술의 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판의 버퍼 층이 PI 층에 대한 보호 효과가 불명확하여 PI 층에 손상을 입히기 쉽고 더 나아가 OLED 디스플레이 패널의 품질에 영향을 미치던 것을 해결한다.
문제점을 해결하기 위해, 본 발명에 의해 제공되는 기술적 해결책은 다음과 같다:
본 발명은 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판을 제조하는 방법을 제공하며, 이 방법은
단계 S10: 유리 기판을 제공하는 단계로서, 단계 S10은 유리 기판의 표면 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계 (단계 S101)를 포함하는, 단계;
단계 S20: 상기 유리 기판의 표면 상에 제1 폴리이미드 층을 형성하는 단계;
단계 S30: 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 버퍼 층을 형성하는 단계로서, 단계 S30은 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 산화 규소 층을 형성하는 단계 (단계 S301) 및 이온 주입 기술을 사용하여 상기 산화 규소 층에 티타늄 이온 주입을 수행하여 이산화 티타늄과 산화 규소의 혼합 층을 형성하는 단계 (단계 S302)를 포함하는, 단계, 및
단계 S40: 상기 버퍼 층의 표면 상에 다결정성 규소 층을 형성하는 단계
를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 단계 S302에서, 상기 제1 폴리이미드 층으로부터 먼 상기 산화 규소 층의 일측으로부터 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측으로 상기 티타늄 이온의 농도 분포가 점차적으로 감소한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 단계 S302에서, 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측에서 티타늄 이온의 상대적인 함량은 0이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 단계 S40 후에, 상기 방법은 또한
단계 S50: 상기 다결정성 규소 층의 표면 상에 제2 폴리이미드 층을 형성하는 단계
를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 단계 S50 후에, 상기 방법은 또한
단계 S60: 레이저를 사용하여 상기 유리 기판을 박리하는 단계
를 포함한다.
본 발명은 또한, OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판을 제조하는 다른 방법을 제공하며, 상기 방법은
단계 S10: 유리 기판을 제공하는 단계;
단계 S20: 상기 유리 기판의 표면 상에 제1 폴리이미드 층을 형성하는 단계;
단계 S30: 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 버퍼 층을 형성하는 단계로서, 상기 단계 S30은 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 산화 규소 층을 형성하는 단계 (단계 S301) 및 이온 주입 기술을 사용하여 상기 산화 규소 층에 티타늄 이온 주입을 수행하여 이산화 티타늄과 산화 규소의 혼합 층을 형성하는 단계 (단계 S302)를 포함하는, 단계, 및
단계 S40: 상기 버퍼 층의 표면 상에 다결정성 규소 층을 형성하는 단계
를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 단계 S302에서, 상기 제1 폴리이미드 층으로부터 먼 상기 산화 규소 층의 일측으로부터 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측으로 상기 티타늄 이온의 농도 분포가 점차적으로 감소한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 단계 S302에서, 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측에서 티타늄 이온의 상대적인 함량은 0이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 단계 S40 후에, 상기 방법은 또한
단계 S50: 상기 다결정성 규소 층의 표면 상에 제2 폴리이미드 층을 형성하는 단계
를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 단계 S50 후에, 상기 방법은 또한
단계 S60: 레이저를 사용하여 상기 유리 기판을 박리하는 단계
를 포함한다.
본 발명의 상기 목적에 따르면, 상기 제조 방법을 사용하여 제조된 가요성 기판을 제공하며, 상기 가요성 기판은
제1 폴리이미드 층;
상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 형성된 버퍼 층으로서, 상기 버퍼 층은 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 형성된 산화 규소 층을 포함하고, 상기 산화 규소 층 내로 티타늄 이온이 주입되어 있는, 버퍼 층; 및
상기 버퍼 층의 표면 상에 형성된 다결정성 규소 층
을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 제1 폴리이미드 층으로부터 먼 상기 산화 규소 층의 일측으로부터 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측으로 상기 티타늄 이온의 농도 분포가 점차적으로 감소한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층 쪽의 티타늄 이온의 상대적인 함량이 0이다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 다결정성 규소 층의 표면 상에 제2 폴리이미드 층이 형성된다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 버퍼 층의 막 두께는 상기 제1 폴리이미드 층의 막 두께의 대략 3 배이다.
본 발명의 유리한 효과는, OLED 디스플레이 패널의 기존 가요성 기판과 비교할 때, 본 발명에 의해 제공되는 OLED 디스플레이의 가요성 기판은, 자외선 레이저 광의 흡수량을 증가시키고 자외선 레이저의 투과율을 감소시키는 버퍼 층을 가져, PI 층에 대한 레이저 어닐링의 손상을 감소시키고 제품의 수율을 향상시키며, 또한, 종래 기술의 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판의 버퍼 층이 PI 층에 대한 보호 효과가 명확하지 않아 PI 층에 손상을 초래할 수 있고, 나아가 OLED 디스플레이 패널의 품질에 영향을 주는 기술 문제를 해결하였다는 것이다.
실시양태 또는 종래 기술에서의 기술 방안을 보다 명확하게 설명하기 위해, 이하에서는 실시양태 또는 종래 기술의 설명에 사용된 도면을 간략하게 소개한다. 명백히, 이하의 설명에서의 도면은 본 발명의 일부 실시양태일 뿐이며, 본 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 창조적 노동 없이도 이들 도면에 기초하여 다른 도면을 얻을 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판을 제조하는 방법을 보여준다.
도 2는 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 가요성 기판 구조물의 개략도이다.
도 1은 본 발명에 따른 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판을 제조하는 방법을 보여준다.
도 2는 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 가요성 기판 구조물의 개략도이다.
이하의 실시양태의 설명은 첨부된 도면에 나타낸 바를 참고하여, 본 발명이 구현될 수 있는 특정 실시양태를 예시한 것이다. 본원에서 언급되는 방향적 용어, 예를 들어 [위], [아래], [앞], [뒤], [왼쪽], [오른쪽], [내], [외], [측면] 등은, 도면의 방향을 단지 참고로 한 것일 뿐이다. 따라서, 사용되는 방향 용어는 본 발명을 설명하고 이해하기 위한 것이지 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 도면에서, 유사한 구조를 갖는 유닛은 동일한 참조 번호로 표시된다.
본 발명은, PI 층에 대한 보호 효과가 분명하지 않아 PI 층에 손상을 입히기 쉽고 OLED 디스플레이 패널의 품질에 영향을 주는 기존의 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판의 버퍼 층에 관한 것으로, 본 발명의 실시양태는 그러한 결함을 해결할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의해 제공되는, OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판을 제조하는 방법은 다음 단계를 포함한다:
단계 S10: 유리 기판을 제공하는 단계;
단계 S20: 상기 유리 기판의 표면 상에 제1 폴리이미드 층을 형성하는 단계;
단계 S30: 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 버퍼 층을 형성하는 단계로서, 상기 단계 S30은, 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 산화 규소 층을 형성하는 단계 (단계 S301), 및 이온 주입 기술을 사용하여 상기 산화 규소 층에 티타늄 이온 주입을 수행하여 이산화 티타늄과 산화 규소의 혼합 층을 형성하는 단계 (단계 S302)를 포함하는, 단계, 및
단계 S40: 상기 버퍼 층의 표면 상에 다결정성 규소 층을 형성하는 단계.
상기 단계 S20에서, 상기 제1 폴리이미드 층은 높은 굽힘 성능 및 내충격성을 가져, 상기 가요성 기판 및 OLED 디스플레이 패널을 위한 보호 층으로서 기능한다.
상기 단계 S30에서 제조된 버퍼 층에서, OLED 디스플레이 패널이 레이저 어닐링 공정에 있을 때, 상기 버퍼 층은 자외선 레이저의 투과율을 감소시킬 수 있고, 이에 의해 자외선 레이저에 의한 상기 제1 폴리이미드 층의 손상을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 가요성 기판의 제조가 완료된 후, 상기 가요성 기판의 표면 상에 TFT (박막 트랜지스터) 층 및 OLED 발광 층이 형성된다. OLED 디스플레이 패널의 제조가 완료된 후, 자외선 레이저를 이용하여, 단계 S10에서 제공된 유리 기판을 박리하며, 이때 상기 버퍼 층은 자외선 레이저의 투과율을 감소시켜, 자외선 레이저가 상기 가요성 기판을 통과하여 상기 TFT 층에 손상을 주는 것을 회피한다.
예를 들어, 상기 단계 S10 이후에, 상기 방법은 추가로
단계 S101: 상기 유리 기판의 표면 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계
를 포함하고, 상기 포토레지스트 층의 표면 상에 제1 폴리이미드 층을 형성한다. 자외선 레이저를 사용하여 상기 유리 기판을 박리할 때, 상기 포토레지스트 층은, 자외선 레이저가 유리 기판을 통과하여 상기 제1 폴리이미드 층을 손상시키는 것을 피할 수 있으며, 상기 유리 기판을 박리한 후 상기 포토레지스트 층을 박리한다.
상기 단계 S301에서, 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 더 두꺼운 산화 규소 층이 형성되고, 상기 산화 규소 층은 더 우수한 단열 효과를 가지므로, 상기 단계 S40에서의 다결정성 규소 결정화 공정 동안 열 손실을 감소시킬 수 있으며, 이는 비교적 큰 결정 입자의 형성에 유리하다.
상기 단계 S302에서는, 이온 주입 기술을 사용하여 상기 산화 규소 층에 티타늄 이온 주입을 수행하여 이산화 티타늄과 산화 규소의 혼합 층을 형성한다. 나노미터 범위로 이산화 티탄 입자 크기를 제어하는 것은 자외선에 대한 강력한 장벽 효과를 갖는다.
이온 주입 장치를 사용하여 상기 산화 규소 층에 티타늄 이온을 주입할 때, 이온 빔의 에너지를 제어함으로써 이온 주입의 횡방향 면적 및 주입 깊이를 제어한다. 이온 빔을 제어함으로써, 횡방향 분포에서의 상기 티타늄 이온의 분포 범위는 상기 산화 규소 층의 범위에 매우 근접하고, 상기 티타늄 이온의 종방향 분포에서는, 상기 제1 폴리이미드 층으로부터 먼 상기 산화 규소 층의 일측으로부터 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측으로 점차적으로 감소하여, 상기 산화 규소 층이 전도성일 가능성을 감소시킨다.
상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측의 티타늄 이온의 상대적인 함량은 0이고; 상기 산화 규소 층은 도핑되지 않은 영역을 포함하고, 상기 도핑되지 않은 영역은 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층에 위치되고, 상기 도핑되지 않은 영역에는 티타늄 이온이 주입되지 않고, 상기 도핑되지 않은 영역은 격리 영역으로서 작용하여, 이산화 티타늄이 상기 산화 규소 층의 절연 효과에 영향을 미치지 않도록 한다.
상기 단계 S40에서는, 다결정성 규소 층이 상기 버퍼 층의 표면 상에 형성되고, 상기 다결정성 규소는 비정질 규소로 대체될 수 있다.
상기 단계 S40 이후에, 상기 다결정성 규소 층의 표면 상에 제2 폴리이미드 층을 형성하는 단계 S50이 추가로 포함되고, 이때 상기 제1 폴리이미드 층과 상기 제2 폴리이미드 층은 함께 가요성 기판의 보호 층으로서 사용되며, 상기 단계 S40에서의 상기 다결정성 규소 층은 상기 제2 폴리이미드 층과 상기 버퍼 층 사이의 접착제 층으로서 사용된다.
상기 단계 S50 이후에, 상기 유리 기판을 레이저로 박리하여 구부릴 수 있는 가요성 기판을 형성하는 단계 S60이 추가로 포함되며, 상기 단계 S50 이후 상기 단계 S60 이전에, 상기 제2 폴리이미드 층의 표면 상에 TFT 층을 형성하는 단계 S501, 및 상기 TFT 층의 표면 상에 OLED 발광층을 형성하는 단계 S502가 추가로 포함된다.
본 발명의 상기 목적에 따라, 상기 제조 방법을 사용하여 제조된 가요성 기판이 제공된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 가요성 기판은 제1 폴리이미드 층(101); 제1 폴리이미드 층(101)의 표면 상에 형성된 버퍼 층(102) (상기 버퍼 층(102)은 제1 폴리이미드 층(101)의 표면 상에 형성된 산화 규소 층(1021)을 포함하고, 상기 산화 규소 층(1021) 내로 티타늄 이온(1022)이 주입되어 있음); 및 상기 버퍼 층(102)의 표면 상에 형성된 다결정성 규소 층(103)을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 제1 폴리이미드 층(101)으로부터 먼 상기 산화 규소 층(1021)의 일측으로부터 상기 제1 폴리이미드 층(101)에 가까운 상기 산화 규소 층(1021)의 일측으로 상기 티타늄 이온(1022)의 농도 분포가 점차적으로 감소한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 제1 폴리이미드 층(101)에 가까운 상기 산화 규소 층(1021)의 일측의 티타늄 이온(1022)의 상대적인 함량은 0이고; 상기 산화 규소 층(1021)은 도핑되지 않은 영역을 포함한다. 상기 도핑되지 않은 영역(104)은 상기 제1 폴리이미드 층(101)에 가까운 상기 산화 규소 층(1021)에 위치된다. 상기 도핑되지 않은 영역(104)에는 티타늄 이온(1022)이 주입되지 않는다. 상기 도핑되지 않은 영역(104)은 격리 영역으로서 작용하여, 이산화 티타늄이 상기 산화 규소 층(1021)의 절연 효과에 영향을 미치지 않도록 한다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 다결정성 규소 층(103)의 표면 상에 제2 폴리이미드 층이 형성된다.
본 발명의 바람직한 실시양태에 따르면, 상기 버퍼 층(102)의 막 두께는 상기 제1 폴리이미드 층(101)의 막 두께의 대략 3 배이다.
바람직한 실시양태의 가요성 기판은, 전술한 바람직한 실시양태의 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판 제조 방법에 의해 제조된다. 구체적인 원리는 전술한 바람직한 실시양태의 제조 방법과 동일하며, 여기서 반복하지는 않는다.
본 발명의 유리한 효과는, 기존의 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판과 비교할 때, 본 발명에 의해 제공되는 OLED 디스플레이의 가요성 기판은, 자외선 광의 흡수량을 증가시키고 자외선 광의 투과율을 감소시키는 버퍼 층을 가져, PI 층에 대한 레이저 어닐링의 손상을 감소시키고 제품의 수율을 향상시키며, 종래 기술의 OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판의 버퍼 층이 PI 층에 대한 보호 효과가 명확하지 않아 PI 층에 손상을 초래할 수 있고 나아가 OLED 디스플레이 패널의 품질에 영향을 주는 기술 문제를 해결하였다는 점이다.
요약하면, 본 발명은 바람직한 실시양태에 의해 상기와 같이 개시되었지만, 상기 바람직한 실시양태는 본 발명을 제한하려는 것이 아니며, 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 수정 및 변형을 가할 수 있다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의해 정의된 범위를 기준으로 한다.
Claims (15)
- 단계 S10: 유리 기판을 제공하는 단계로서,
단계 S101: 상기 유리 기판의 표면 상에 포토레지스트 층을 형성하는 단계
를 포함하는 단계;
단계 S20: 상기 유리 기판의 표면 상에 제1 폴리이미드 층을 형성하는 단계;
단계 S30: 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 버퍼 층을 형성하는 단계로서,
단계 S301: 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 산화 규소 층을 형성하는 단계, 및
단계 S302: 이온 주입 기술을 사용하여, 상기 산화 규소 층에 티타늄 이온을 주입하여, 이산화 티타늄과 산화 규소의 혼합 층을 형성하는 단계
를 포함하는 단계, 및
단계 S40: 상기 버퍼 층의 표면 상에 다결정성 규소 층을 형성하는 단계
를 포함하는, OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 단계 S302에서, 상기 제1 폴리이미드 층으로부터 먼 상기 산화 규소 층의 일측으로부터 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측으로 상기 티타늄 이온의 농도 분포가 점차적으로 감소하는, 가요성 기판의 제조 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 단계 S302에서, 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층 쪽의 티타늄 이온의 상대적인 함량이 0인, 가요성 기판의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 단계 S40 이후에,
단계 S50: 상기 다결정성 규소 층의 표면에 제2 폴리이미드 층을 형성하는 단계
를 포함하는, 가요성 기판의 제조 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 S50 단계 이후에,
단계 S60: 레이저를 사용하여 상기 유리 기판을 박리하는 단계
를 포함하는, 가요성 기판의 제조 방법. - OLED 디스플레이 패널의 가요성 기판의 제조 방법으로서,
단계 S10: 유리 기판을 제공하는 단계;
단계 S20: 상기 유리 기판의 표면 상에 제1 폴리이미드 층을 형성하는 단계;
단계 S30: 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 버퍼 층을 형성하는 단계로서,
단계 S301: 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 산화 규소 층을 형성하는 단계, 및
단계 S302: 이온 주입 기술을 사용하여, 산화 규소 층에 티타늄 이온을 주입하여, 이산화 티타늄과 산화 규소의 혼합 층을 형성하는 단계
를 포함하는 단계, 및
단계 S40: 상기 버퍼 층의 표면 상에 다결정성 규소 층을 형성하는 단계
를 포함하고, 이때
상기 단계 S302에서, 상기 제1 폴리이미드 층으로부터 먼 상기 산화 규소 층의 일측으로부터 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측으로 상기 티타늄 이온의 농도 분포가 점차적으로 감소하는,
가요성 기판의 제조 방법. - 삭제
- 제 6 항에 있어서,
상기 단계 S302에서, 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층 쪽의 티타늄 이온의 상대적인 함량이 0인, 가요성 기판의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 단계 S40 이후에,
단계 S50: 상기 다결정성 규소 층의 표면에 제2 폴리이미드 층을 형성하는 단계
를 포함하는, 가요성 기판의 제조 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 S50 단계 이후에,
단계 S60: 레이저를 사용하여 상기 유리 기판을 박리하는 단계
를 포함하는, 가요성 기판의 제조 방법. - 제 6 항에 따른 제조 방법을 사용하여 제조된 가요성 기판으로서,
제1 폴리이미드 층;
상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 형성된 버퍼 층으로서, 상기 버퍼 층은 상기 제1 폴리이미드 층의 표면 상에 형성된 산화 규소 층을 포함하고 상기 산화 규소 층 내로 티타늄 이온이 주입되어 있는, 버퍼 층; 및
상기 버퍼 층의 표면 상에 형성된 다결정성 규소 층
을 포함하는 가요성 기판. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 층으로부터 먼 상기 산화 규소 층의 일측으로부터 상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층의 일측으로 상기 티타늄 이온의 농도 분포가 점차적으로 감소하는, 가요성 기판. - 제 12 항에 있어서,
상기 제1 폴리이미드 층에 가까운 상기 산화 규소 층 쪽의 티타늄 이온의 상대적인 함량이 0인, 가요성 기판. - 제 11 항에 있어서,
상기 다결정성 규소 층의 표면 상에 제2 폴리이미드 층이 형성된, 가요성 기판. - 제 11 항에 있어서,
상기 버퍼 층의 필름 층의 두께가 상기 제1 폴리이미드 층의 필름 층의 두께의 3 배인, 가요성 기판.
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