CN107507929B - Oled显示面板的柔性基底及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED显示面板的柔性基底制备方法，包括以下步骤：步骤S10，提供一玻璃衬底；步骤S20，在所述玻璃衬底表面制备第一聚酰亚胺层；步骤S30，在所述第一聚酰亚胺层表面制备缓冲层；所述步骤S30包括：步骤S301，在所述第一聚酰亚胺层表面制备氧化硅层；步骤S302，利用离子注入技术，对所述氧化硅层进行钛离子注入，形成二氧化钛与氧化硅的混合层；有益效果为：本发明提供的OLED显示的柔性基底，其缓冲层增加了对紫外激光的吸收量，降低紫外激光的透过率，以减少激光退火对PI层的伤害，提升产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种GOA电路及具有所述GOA电路的液晶显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制作工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景；如今，柔性OLED面板成为有机发光器件的重要研究方向，选择柔性基底替代传统的玻璃衬底以实现面板的可弯曲性。
柔性OLED面板成为面板发展的新方向，下一代柔性OLED面板是以柔性PI(Polyimide，聚酰亚胺)为基板，这就要求PI具有高的性能，尽量减少PI的缺陷，提高柔性OLED面板的制备良率，所以在OLED面板的制备过程中应该减少PI的损伤。
然而，在柔性OLED面板的制备过程中，激光退火以及激光剥离玻璃衬底时，都会对PI造成一定的伤害，甚至会出现PI破孔的现象。
为了减少制程中激光对PI造成伤害，传统上使用Buffer(缓冲)层以解决该问题，其中SiNx(氮化硅)阻挡玻璃衬底中的Al/Ba/Na(铝/钡/钠)等离子扩散到PI中，降低漏电流；SiOx(氧化硅)保温效果较好，可降低a-Si(非晶硅)结晶过程中的热量散失，利于形成比较大的晶粒；SiNx隔绝离子的能力较强与玻璃接触的应力较小，SiOx与多晶硅界面润湿角比较好，故采用SiNx/SiOx的堆叠方式。但是在柔性OLED面板的基底中，SiNx层并不直接与玻璃衬底相接处，其作用效果仅限于绝缘缓冲作用。SiOx在ELA(激光退火)过程中的保温效果不足，易导致PI层的破坏。
综上所示，现有技术的OLED显示面板的柔性基底的缓冲层，对PI层的保护效果不明显，易造成PI层的破坏，进而影响OLED显示面板的品质。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板的柔性基底制备方法，柔性基底的缓冲层能够减弱激光对PI层的伤害，以解决现有技术的OLED显示面板的柔性基底的缓冲层，对PI层的保护效果不明显，易造成PI层的破坏，进而影响OLED显示面板的品质。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种OLED显示面板的柔性基底制备方法，所述方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一玻璃衬底；
步骤S20，在所述玻璃衬底表面制备第一聚酰亚胺层；
步骤S30，在所述第一聚酰亚胺层表面制备缓冲层；
所述步骤S30包括：
步骤S301，在所述第一聚酰亚胺层表面制备氧化硅层；
步骤S302，利用离子注入技术，对所述氧化硅层进行钛离子注入，形成二氧化钛与氧化硅的混合层；
步骤S40，在所述缓冲层表面制备多晶硅层。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S302中，自所述氧化硅层远离所述第一聚酰亚胺层的一侧至所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧，所述钛离子浓度分布逐渐减少。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S302中，所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧的钛离子相对含量为0。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S40之后，还包括：
步骤S50，在所述多晶硅层表面制备第二聚酰亚胺层。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S50之后，还包括：
步骤S60，利用激光剥离所述玻璃衬底。
依据本发明的上述目的，提出使用上述制备方法制备的柔性基底，所述柔性基底包括：
第一聚酰亚胺层；
缓冲层，制备于所述第一聚酰亚胺层表面，所述缓冲层包括：
氧化硅层，制备于所述第一聚酰亚胺层表面；其中，所述氧化硅层内注入有钛离子；
多晶硅层，制备于所述缓冲层表面。
根据本发明一优选实施例，自所述氧化硅层远离所述第一聚酰亚胺层的一侧至所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧，所述钛离子浓度分布逐渐减少。
根据本发明一优选实施例，所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧的钛离子相对含量为0。
根据本发明一优选实施例，所述多晶硅层表面制备有第二聚酰亚胺层。
根据本发明一优选实施例，所述缓冲层的膜层厚度约为所述第一聚酰亚胺层的膜层厚度的3倍。
本发明的有益效果为：相较于现有的OLED显示面板的柔性基底，本发明提供的OLED显示的柔性基底，其缓冲层增加了对紫外激光的吸收量，降低紫外激光的透过率，以减少激光退火对PI层的伤害，提升产品良率；解决了现有技术的OLED显示面板的柔性基底的缓冲层，对PI层的保护效果不明显，易造成PI层的破坏，进而影响OLED显示面板的品质的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明OLED显示面板的柔性基底制备方法；
图2为通过本发明制备方法制得的柔性基底结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的OLED显示面板的柔性基底的缓冲层，对PI层的保护效果不明显，易造成PI层的破坏，进而影响OLED显示面板的品质，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，本发明所提供的OLED显示面板的柔性基底制备方法，包括如下步骤：
步骤S10，提供一玻璃衬底。
步骤S20，在所述玻璃衬底表面制备第一聚酰亚胺层。
步骤S30，在所述第一聚酰亚胺层表面制备缓冲层。进一步，所述步骤S30包括：步骤S301，在所述第一聚酰亚胺层表面制备氧化硅层；步骤S302，利用离子注入技术，对所述氧化硅层进行钛离子注入，形成二氧化钛与氧化硅的混合层。
步骤S40，在所述缓冲层表面制备多晶硅层。
在所述步骤S20中，所述第一聚酰亚胺层具有高弯曲性能与抗冲击能力，作为所述柔性基底以及OLED显示面板的保护层。
在所述步骤S30中制备的缓冲层，当OLED显示面板在激光退火制程中，所述缓冲层能够降低紫外激光的透过率，进而减少紫外激光对所述第一聚酰亚胺层的伤害；另外，在所述柔性基底制备完成后，会在所述柔性基底表面制备TFT(薄膜晶体管)层以及OLED发光层，待OLED显示面板制备完成，利用紫外激光将步骤S10中所提供的玻璃衬底剥离，此时，所述缓冲层降低紫外激光的透过率，避免紫外激光穿过所述柔性基板对所述TFT层造成伤害。
例如，在所述步骤S10之后，还包括：步骤S101，在所述玻璃衬底表面制备光阻层；所述第一聚酰亚胺层制备于所述光阻层表面。在使用紫外激光剥离所述玻璃衬底时，所述光阻层能够避免紫外激光穿过玻璃衬底对所述第一聚酰亚胺层造成的伤害；所述玻璃衬底剥离完成后，对所述光阻层进行剥离。
在所述步骤S301中，在所述第一聚酰亚胺层表面制备较厚的氧化硅层，所述氧化硅层具有较好的保温效果，可降低所述步骤S40中的多晶硅结晶过程中的热量散失，利于形成比较大的晶粒。
在所述步骤S302中，利用离子注入技术，对所述氧化硅层进行钛离子注入，形成二氧化钛与氧化硅的混合层。将二氧化钛晶粒大小控制在纳米级范围内，对紫外光有较强的阻隔作用。
在使用离子注入设备对所述氧化硅层进行钛离子注入时，通过控制离子束的能量来控制离子注入的横向面积及注入深度。通过对离子束的控制，使得所述钛离子在横向分布中，分布范围无限接近所述氧化硅层的范围，所述钛离子在纵向分布中，自所述氧化硅层远离所述第一聚酰亚胺层的一侧至所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧，钛离子浓度分布逐渐减少，进而减少所述氧化硅层导电的可能。
所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧的钛离子相对含量为0；所述氧化硅层内包括有非掺杂区域，所述非掺杂区域位于所述氧化硅层内接近所述第一聚酰亚胺层的位置；所述非掺杂区域内未注入钛离子，所述非掺杂区域作为隔离区域，以避免二氧化钛影响所述氧化硅层的绝缘效果。
在所述步骤S40中，在所述缓冲层表面制备多晶硅层，所述多晶硅可替换为非晶硅。
在所述步骤S40之后，还包括步骤S50，在所述多晶硅层表面制备第二聚酰亚胺层，所述第二聚酰亚胺层与所述第二聚酰亚胺层共同作为所述柔性基底的保护层；所述步骤S40中的所述多晶硅层用作所述第二聚酰亚胺层与所述缓冲层的粘接层。
在所述步骤S50之后，还包括S60，利用激光剥离所述玻璃衬底，以形成可弯折的所述柔性基底；其中，所述步骤S50之后、所述步骤S60之前，还包括步骤S501，在所述第二聚酰亚胺层表面制备TFT层；步骤S502，在所述TFT层表面制备OLED发光层。
依据本发明的上述目的，提出使用上述制备方法制备的柔性基底，如图2所示，所述柔性基底包括：第一聚酰亚胺层101；缓冲层102，制备于所述第一聚酰亚胺层101表面，所述缓冲层102包括：氧化硅层1021，制备于所述第一聚酰亚胺层101表面；其中，所述氧化硅层1021内注入有钛离子1022；多晶硅层103，制备于所述缓冲层102表面。
根据本发明一优选实施例，自所述氧化硅层1021远离所述第一聚酰亚胺层101的一侧至所述氧化硅层1021靠近所述第一聚酰亚胺层101的一侧，所述钛离子1022浓度分布逐渐减少。
根据本发明一优选实施例，所述氧化硅层1021靠近所述第一聚酰亚胺层101的一侧的钛离子1022相对含量为0；所述氧化硅层1021内包括有非掺杂区域104，所述非掺杂区域104位于所述氧化硅层1021内接近所述第一聚酰亚胺层101的位置；所述非掺杂区域104内未注入钛离子1022，所述非掺杂区域104作为隔离区域，以避免二氧化钛影响所述氧化硅层1021的绝缘效果。
根据本发明一优选实施例，所述多晶硅层103表面制备有第二聚酰亚胺层。
根据本发明一优选实施例，所述缓冲层102的膜层厚度约为所述第一聚酰亚胺层101的膜层厚度的3倍。
本优选实施例的柔性基底由上述优选实施例的OLED显示面板的柔性基板制备方法制得，具体原理与上述优选实施例的制备方法一致，此处不再做赘述。
本发明的有益效果为：相较于现有的OLED显示面板的柔性基底，本发明提供的OLED显示的柔性基底，其缓冲层增加了对紫外激光的吸收量，降低紫外激光的透过率，以减少激光退火对PI层的伤害，提升产品良率；解决了现有技术的OLED显示面板的柔性基底的缓冲层，对PI层的保护效果不明显，易造成PI层的破坏，进而影响OLED显示面板的品质的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (8)
1.OLED显示面板的柔性基底制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一玻璃衬底；
步骤S20，在所述玻璃衬底表面制备第一聚酰亚胺层；
步骤S30，在所述第一聚酰亚胺层表面制备缓冲层；
所述步骤S30包括：
步骤S301，在所述第一聚酰亚胺层表面制备氧化硅层；
步骤S302，利用离子注入技术，对所述氧化硅层进行钛离子注入，形成二氧化钛与氧化硅的混合层，自所述氧化硅层远离所述第一聚酰亚胺层的一侧至所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧，所述钛离子浓度分布逐渐减少；
步骤S40，在所述缓冲层表面制备多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的柔性基底制备方法，其特征在于，在所述步骤S302中，所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧的钛离子相对含量为0。
3.根据权利要求1所述的柔性基底制备方法，其特征在于，在所述步骤S40之后，还包括：
步骤S50，在所述多晶硅层表面制备第二聚酰亚胺层。
4.根据权利要求3所述的柔性基底制备方法，其特征在于，在所述步骤S50之后，还包括：
步骤S60，利用激光剥离所述玻璃衬底。
5.一种如权利要求1所述的制备方法制备的柔性基底，其特征在于，所述柔性基底包括：
第一聚酰亚胺层；
缓冲层，制备于所述第一聚酰亚胺层表面，所述缓冲层包括：
氧化硅层，制备于所述第一聚酰亚胺层表面；其中，所述氧化硅层内注入有钛离子；自所述氧化硅层远离所述第一聚酰亚胺层的一侧至所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧，所述钛离子浓度分布逐渐减少；
多晶硅层，制备于所述缓冲层表面。
6.根据权利要求5所述的柔性基底，其特征在于，所述氧化硅层靠近所述第一聚酰亚胺层的一侧的钛离子相对含量为0。
7.根据权利要求5所述的柔性基底，其特征在于，所述多晶硅层表面制备有第二聚酰亚胺层。
8.根据权利要求5所述的柔性基底，其特征在于，所述缓冲层的膜层厚度约为所述第一聚酰亚胺层的膜层厚度的3倍。
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