JP7130028B2 - Ｏｌｅｄ表示パネルのフレキシブル基板及びその製造方法 - Google Patents
Ｏｌｅｄ表示パネルのフレキシブル基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7130028B2 JP7130028B2 JP2020504665A JP2020504665A JP7130028B2 JP 7130028 B2 JP7130028 B2 JP 7130028B2 JP 2020504665 A JP2020504665 A JP 2020504665A JP 2020504665 A JP2020504665 A JP 2020504665A JP 7130028 B2 JP7130028 B2 JP 7130028B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silicon oxide
- polyimide layer
- polyimide
- flexible substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 69
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 69
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- -1 titanium ions Chemical class 0.000 claims description 23
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 18
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical compound [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/07—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
Description
本発明は、液晶表示技術分野に関し、特にＧＯＡ回路及び前記ＧＯＡ回路を有する液晶表示パネルに関する。
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイとも呼ばれるＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，有機発光ダイオード）ディスプレイは、新興のフラットパネル表示装置であり、製造工程が簡単で、コストが低く、消費電力が低く、発光輝度が高く、動作温度の適応範囲が広く、体積が軽量で薄く、応答速度が速く、カラー表示及び大画面表示が容易であり、集積回路ドライバとのマッチングが容易であり、フレキシブルディスプレイが容易であるなどの利点を有するため、広い将来性を有し、最近、フレキシブルＯＬＥＤパネルが有機発光素子の重要な研究方向となり、パネルの可撓性を実現するために、従来のガラス基板の代わりにフレキシブル基板を選択している。
フレキシブルＯＬＥＤパネルはパネル開発の新しい方向になり、次世代のフレキシブルＯＬＥＤパネルはフレキシブルＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ，ポリイミド）を基板とし、これはＰＩが高い性能を持たせるように求められ、ＰＩの欠陥をできるだけ減らし、フレキシブルＯＬＥＤパネルの製造歩留まりを向上させるため、ＯＬＥＤパネルの製造過程でＰＩのダメージを減らすべきである。
しかしながら、フレキシブルＯＬＥＤパネルの製造工程において、レーザアニール及びガラス基板をレーザにより剥離する際に、ＰＩに一定のダメージを与えることになり、ひいてはＰＩのボイド破れ現象が起こることがある。
製造工程におけるレーザによるＰＩへのダメージを低減するために、従来から該問題を解消するために、Ｂｕｆｆｅｒ（バッファ）層を用い、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）は、ガラス基板におけるＡｌ／Ｂａ／Ｎａ（アルミニウム／バリウム／ナトリウム）などのイオンがＰＩへの拡散をバリアし、漏れ電流を低減し、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）は、保温効果が優れており、ａ－Ｓｉ（アモルファスシリコン）の結晶化過程における熱の逃げを低減し、大きな結晶粒の製造に有利であり、ＳｉＮｘはイオンを遮断する能力が強くてガラスとの接触応力が小さく、ＳｉＯｘは多結晶シリコンとの界面濡れ角が良いため、ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘの積層方式を用いる。しかし、フレキシブルＯＬＥＤパネルの基板において、ＳｉＮｘ層がガラス基板に直接接触していないため、その作用効果が絶縁バッファ作用に限られる。ＳｉＯｘはＥＬＡ（レーザアニール）過程での保温効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージになりやすい。
以上のようにして、従来技術のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう。
本発明は、従来技術のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう問題を解消するために、ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法を提供している。
上記の技術的課題を解決するために、本発明は下記の技術的手段を提供する。
本発明は、ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法を提供し、前記方法はステップＳ１０～ステップＳ４０を含む。
ステップＳ１０：ガラス基板を提供する。
前記ステップＳ１０はステップＳ１０１を含む。
ステップＳ１０１：前記ガラス基板の表面でフォトレジスト層を製造する。
ステップＳ２０：前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造する。
ステップＳ３０：前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造する。
前記ステップＳ３０はステップＳ３０１及びステップＳ３０２を含む。
ステップＳ３０１：前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造する。
ステップＳ３０２：イオン注入法によって前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、
酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成する。
酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成する。
ステップＳ４０：前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造する。
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ３０２において、前記チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している。
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ３０２において、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である。
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ４０の後に、ステップＳ５０をさらに含む。
ステップＳ５０：前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造する。
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ５０の後に、ステップＳ６０をさらに含む。
ステップＳ６０：前記ガラス基板をレーザにより剥離する。
本発明は、他のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法をさらに提供し、前記方法はステップＳ１０～ステップＳ４０を含む。
ステップＳ１０：ガラス基板を提供する。
ステップＳ２０：前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造する。
ステップＳ３０：前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造する。
前記ステップＳ３０はステップＳ３０１及びステップＳ３０２を含む。
ステップＳ３０１：前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造する。
ステップＳ３０２：イオン注入法によって前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、
酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成する。
ステップＳ４０：前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造する。
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ３０２において、前記チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している。
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ３０２において、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である。
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ４０の後に、ステップＳ５０をさらに含む。
ステップＳ５０：前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造する。
本発明の好ましい実施例によると、前記ステップＳ５０の後に、ステップＳ６０をさらに含む。
ステップＳ６０：前記ガラス基板をレーザにより剥離する。
本発明の上記の目的によると、上記の製造方法により製造されたフレキシブル基板を提供し、前記フレキシブル基板は、
第１ポリイミド層と、
前記第１ポリイミド層の表面で製造されたバッファ層とを含み、前記バッファ層は、
前記第１ポリイミド層の表面で製造された酸化シリコン層であって、
前記酸化シリコン層内にチタンイオンが注入される酸化シリコン層と、
前記バッファ層の表面で製造された多結晶シリコン層とを含む。
第１ポリイミド層と、
前記第１ポリイミド層の表面で製造されたバッファ層とを含み、前記バッファ層は、
前記第１ポリイミド層の表面で製造された酸化シリコン層であって、
前記酸化シリコン層内にチタンイオンが注入される酸化シリコン層と、
前記バッファ層の表面で製造された多結晶シリコン層とを含む。
本発明の好ましい実施例によると、前記チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している。
本発明の好ましい実施例によると、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である。
本発明の好ましい実施例によると、前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層が製造されている。
本発明の好ましい実施例によると、前記バッファ層の膜厚は、前記第１ポリイミド層の膜厚の約３倍である。
本発明の有益な効果は以下の通りであり、従来のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板に比べて、本発明に係るＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板は、バッファ層が紫外レーザ光の吸収量を増加させ、紫外レーザ光の透過率を低下させ、レーザアニールによるＰＩ層へのダメージを減少させ、製品歩留まりを向上させ、従来技術のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう問題を解消している。
以下、実施例又は従来技術における技術的手段をより明確に説明するために、実施例又は従来技術の説明に使用する添付図面を簡単に説明するが、以下の説明における添付図面は、本発明のいくつかの実施例に過ぎなく、当業者にとっては創造的努力なしにこれらの図面から他の図面を導き出すこともできることは明らかである。
図１は、本発明のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法を示す図である。
図２は、本発明の製造方法により製造されたフレキシブル基板の構造概略図である。
以下、本発明を実施するための特定の実施例を例示するために、添付されている図面を参照して各実施例を説明する。［上］、［下］、［前］、［後］、［左］、［右］、［内］、［外］、「側面］などの本発明で言及される方向の用語は、単に添付図面を参照する方向に過ぎない。従って、方向の用語は、本発明を説明して理解するために使用され、本発明を限定するためのものではない。図面において、構造的に同様の要素は同じ符号で示されている。
本発明は、従来のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう欠陥について、本実施例により解決することができる。
図１に示すように、本発明に係るＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法はステップＳ１０～ステップＳ４０を含む。
ステップＳ１０：ガラス基板を提供する。
ステップＳ２０：前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造する。
ステップＳ３０：前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造する。さらに、前記ステップＳ３０は、前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造するステップＳ３０１と、イオン注入法によって、前記酸化シリコン層にチタンイオン注入を行い、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成するステップＳ３０２とを含む。
ステップＳ４０：前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造する。
前記ステップＳ２０において、前記第１ポリイミド層は、前記フレキシブル基板及びＯＬＥＤ表示パネルの保護層として高い屈曲性及び耐衝撃性を有する。
前記ステップＳ３０で製造されたバッファ層は、ＯＬＥＤ表示パネルがレーザアニール工程において、紫外レーザ光の透過率を低下させ、さらに紫外レーザ光による前記第１ポリイミド層へのダメージを減少させることができ、また、前記フレキシブル基板の製造が完了した後、前記フレキシブル基板の表面でＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層及びＯＬＥＤ発光層を製造し、ＯＬＥＤ表示パネルの製造が完了した後、紫外レーザ光によりステップＳ１０で提供されたガラス基板を剥離し、この場合に、前記バッファ層は紫外レーザ光の透過率を低下させ、紫外レーザ光が前記フレキシブル基板を透過して前記ＴＦＴ層にダメージを与えることを防止する。
例えば、前記ステップＳ１０の後に、前記ガラス基板の表面でフォトレジスト層を製造するステップＳ１０１をさらに含み、前記第１ポリイミド層が前記フォトレジスト層の表面で製造されている。前記フォトレジスト層は、紫外レーザ光により前記ガラス基板を剥離する際に、紫外レーザ光がガラス基板を透過して前記第１ポリイミド層に与えるダメージを防止することができ、前記ガラス基板の剥離が完了した後に、前記フォトレジスト層を剥離する。
前記ステップＳ３０１において、前記第１ポリイミド層の表面で厚い酸化シリコン層を製造し、前記酸化シリコン層が優れた保温効果を有し、前記ステップＳ４０における多結晶シリコンの結晶化過程における熱の逃げを低減し、大きな結晶粒の製造に有利である。
前記ステップＳ３０２において、イオン注入法によって、前記酸化シリコン層にチタンイオン注入を行い、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成する。酸化チタンの結晶粒径をナノメートルオーダーの範囲に制御することは、紫外光に対するバリア効果が大きい。
イオン注入装置により前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入する際に、イオンビームのエネルギーを制御することにより、イオン注入の横方向の面積及び注入深さを制御する。イオンビームを制御することにより、前記チタンイオンは横方向の分布において、分布範囲が前記酸化シリコン層の範囲に限りなく近く、前記チタンイオンは縦方向の分布において、チタンイオンの濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少し、さらに前記酸化シリコン層の導電性の可能性が低減される。
前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０であり、前記酸化シリコン層内には、前記酸化シリコン層内の前記第１ポリイミド層に近い位置に位置するノンドープ領域が含まれ、前記ノンドープ領域にはチタンイオンが注入されておらず、前記ノンドープ領域は、酸化チタンが前記酸化シリコン層の絶縁効果に影響を与えることを防止するように分離領域として機能する。
前記ステップＳ４０において、前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造し、前記多結晶シリコン層がアモルファスシリコンに換えられても良い。
前記ステップＳ４０の後に、前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造するステップＳ５０をさらに含み、前記第２ポリイミド層は、前記第２ポリイミド層と共に前記フレキシブル基板の保護層とし 、前記ステップＳ４０における前記多結晶シリコン層は、前記第２ポリイミド層と前記バッファ層との接着層として用いられる。
前記ステップＳ５０の後に、前記ガラス基板をレーザにより剥離して屈曲可能な前記フレキシブル基板を形成するステップＳ６０をさらに含み、前記ステップＳ５０の後で前記ステップＳ６０の前に、前記第２ポリイミド層の表面でＴＦＴ層を製造するステップＳ５０１と、前記ＴＦＴ層の表面でＯＬＥＤ発光層を製造するステップＳ５０２とをさらに含む。
本発明の上記の目的によると、上記の製造方法により製造されたフレキシブル基板を提供し、図２に示すように、前記フレキシブル基板は、第１ポリイミド層１０１と、前記第１ポリイミド層１０１の表面で製造されたバッファ層１０２とを含み、前記バッファ層１０２は、前記第１ポリイミド層１０１の表面で製造された酸化シリコン層１０２１であって、前記酸化シリコン層１０２１内にチタンイオン１０２２が注入された酸化シリコン層１０２１と、前記バッファ層１０２の表面で製造された多結晶シリコン層１０３とを含む。
本発明の好ましい実施例によると、前記チタンイオン１０２２濃度分布は、前記酸化シリコン層１０２１の前記第１ポリイミド層１０１から遠い側から前記酸化シリコン層１０２１の前記第１ポリイミド層１０１に近い側にかけて徐々に減少している。
本発明の好ましい実施例によると、前記酸化シリコン層１０２１の前記第１ポリイミド層１０１に近い側のチタンイオン１０２２の相対含有量が０であり、前記酸化シリコン層１０２１内には、前記酸化シリコン層１０２１の前記第１ポリイミド層１０１に近接した位置に位置するノンドープ領域１０４が含まれており、前記ノンドープ領域１０４にはチタンイオン１０２２が注入されておらず、前記ノンドープ領域１０４は、酸化チタンが前記酸化シリコン層１０２１の絶縁効果に影響を与えることを防止するように分離領域として機能する。
本発明の好ましい実施例によると、前記多結晶シリコン層１０３の表面で第２ポリイミド層が製造されている。
本発明の好ましい実施例によると、前記バッファ層１０２の膜厚は、前記第１ポリイミド層１０１の膜厚の約３倍である。
この好ましい実施例のフレキシブル基板は、上記の好ましい実施例のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法によって製造されてなるが、具体的な原理は上記の好ましい実施例の製造方法と同一であるので、ここではその説明を省略する。
本発明の有益な効果は以下の通りであり、従来のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板に比べて、本発明に係るＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板は、バッファ層が紫外レーザ光の吸収量を増加させ、紫外レーザ光の透過率を低下させ、レーザアニールによるＰＩ層へのダメージを減少させ、製品歩留まりを向上させ、従来技術のＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板のバッファ層は、ＰＩ層への保護効果が不十分であり、ＰＩ層のダメージを引き起こしやすく、さらにＯＬＥＤ表示パネルの品質に影響を与えてしまう問題を解消している。
以上、本発明は、好ましい実施例を参照して説明したが、上述した好ましい実施例は、本発明を制限するためのものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲を逸脱しない限り、様々な変更や修飾を加えることができ、したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって準じされる。
Claims (12)
- ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法であって、
ガラス基板を提供するステップＳ１０と、
前記ステップＳ１０は、
前記ガラス基板の表面でフォトレジスト層を製造するステップＳ１０１を含み、
前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造するステップＳ２０と、
前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造するステップＳ３０と、
前記ステップＳ３０は、
前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造するステップＳ３０１と、
イオン注入法によって前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成するステップＳ３０２と、を含み、
前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造するステップＳ４０と、を含み、
前記ステップＳ３０２において、チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少しているＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法。 - 前記ステップＳ３０２において、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
- 前記ステップＳ４０の後に、
前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造するステップＳ５０をさらに含む請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。 - 前記ステップＳ５０の後に、
前記ガラス基板をレーザにより剥離するステップＳ６０をさらに含む請求項３に記載のフレキシブル基板の製造方法。 - ＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法であって、
ガラス基板を提供するステップＳ１０と、
前記ガラス基板の表面で第１ポリイミド層を製造するステップＳ２０と、
前記第１ポリイミド層の表面でバッファ層を製造するステップＳ３０と、
前記ステップＳ３０は、
前記第１ポリイミド層の表面で酸化シリコン層を製造するステップＳ３０１と、
イオン注入法によって前記酸化シリコン層にチタンイオンを注入し、酸化チタンと酸化シリコンとの混合層を形成するステップＳ３０２と、を含み、
前記バッファ層の表面で多結晶シリコン層を製造するステップＳ４０と、を含み、
前記ステップＳ３０２において、チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少しているＯＬＥＤ表示パネルのフレキシブル基板の製造方法。 - 前記ステップＳ３０２において、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である請求項５に記載のフレキシブル基板の製造方法。
- 前記ステップＳ４０の後に、
前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層を製造するステップＳ５０をさらに含む請求項５に記載のフレキシブル基板の製造方法。 - 前記ステップＳ５０の後に、
前記ガラス基板をレーザにより剥離するステップＳ６０をさらに含む請求項７に記載のフレキシブル基板の製造方法。 - 第１ポリイミド層と、
前記第１ポリイミド層の表面で製造されるバッファ層と、を含み、
前記バッファ層は、
前記第１ポリイミド層の表面で製造された酸化シリコン層であって、前記酸化シリコン層内にチタンイオンが注入される酸化シリコン層と、
前記バッファ層の表面で製造された多結晶シリコン層と、を含み、
チタンイオン濃度分布は、前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層から遠い側から前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側にかけて徐々に減少している請求項５に記載の製造方法により製造されるフレキシブル基板。 - 前記酸化シリコン層の前記第１ポリイミド層に近い側のチタンイオンの相対含有量が０である請求項９に記載のフレキシブル基板。
- 前記多結晶シリコン層の表面で第２ポリイミド層が製造されている請求項９に記載のフレキシブル基板。
- 前記バッファ層の膜厚は、前記第１ポリイミド層の膜厚の約３倍である請求項９に記載のフレキシブル基板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710660404.7 | 2017-08-04 | ||
| CN201710660404.7A CN107507929B (zh) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | Oled显示面板的柔性基底及其制备方法 |
| PCT/CN2017/109461 WO2019024302A1 (zh) | 2017-08-04 | 2017-11-06 | Oled显示面板的柔性基底及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020529045A JP2020529045A (ja) | 2020-10-01 |
| JP7130028B2 true JP7130028B2 (ja) | 2022-09-02 |
Family
ID=60690426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020504665A Active JP7130028B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-11-06 | Ｏｌｅｄ表示パネルのフレキシブル基板及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3664178B1 (ja) |
| JP (1) | JP7130028B2 (ja) |
| KR (1) | KR102362552B1 (ja) |
| CN (1) | CN107507929B (ja) |
| WO (1) | WO2019024302A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10522770B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-12-31 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Fabricating method of flexivle panel and flexible display device |
| CN108230904A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性面板的制备方法及柔性显示装置 |
| CN108831911B (zh) * | 2018-06-12 | 2019-08-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 |
| CN108807484A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-11-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法 |
| CN109616575A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
| CN109904106B (zh) * | 2019-02-28 | 2021-12-14 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示面板及柔性显示面板的制备方法 |
| CN111430301B (zh) * | 2020-04-01 | 2023-01-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法 |
| CN111863927B (zh) * | 2020-08-21 | 2023-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板和柔性显示装置 |
| CN112071796B (zh) | 2020-09-03 | 2023-06-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性基板及其制作方法、柔性显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015187987A (ja) | 2014-03-12 | 2015-10-29 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置及びその製造方法、並びに表示装置用のポリイミドフィルム |
| CN106206945A (zh) | 2016-09-08 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69207338T2 (de) * | 1991-10-23 | 1996-07-25 | Philips Electronics Nv | Antireflektive und antistatische Verkleidungsschicht insbesonder für eine Elektronenstrahlröhre |
| KR20110058123A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2012032907A1 (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-15 | リンテック株式会社 | 粘着シート、及び電子デバイス |
| KR102023945B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-11-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치 |
| KR102207439B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2021-01-26 | 도레이 카부시키가이샤 | 폴리이미드 전구체, 그것으로부터 얻어지는 폴리이미드 수지막, 및 그것을 포함하는 표시 소자, 광학 소자, 수광 소자, 터치 패널, 회로 기판, 유기 ｅｌ 디스플레이, 및 유기 ｅｌ 소자 및 컬러 필터의 제조 방법 |
| CN104576970A (zh) * | 2013-10-12 | 2015-04-29 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示装置的制备方法及其制备的柔性显示装置 |
| CN104867872B (zh) * | 2015-04-24 | 2018-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板的制作方法及柔性显示面板的制作方法 |
| CN105315465A (zh) * | 2015-11-17 | 2016-02-10 | 陕西理工学院 | 一种具有防紫外线功能的聚酰亚胺塑料的制备方法 |
| CN105552247B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-10-26 | 上海天马微电子有限公司 | 复合基板、柔性显示装置及其制备方法 |
| CN106585015A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-04-26 | 东莞市尼的科技股份有限公司 | 一种抗紫外线的保护膜 |
-
2017
- 2017-08-04 CN CN201710660404.7A patent/CN107507929B/zh active Active
- 2017-11-06 WO PCT/CN2017/109461 patent/WO2019024302A1/zh unknown
- 2017-11-06 JP JP2020504665A patent/JP7130028B2/ja active Active
- 2017-11-06 KR KR1020207006227A patent/KR102362552B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-06 EP EP17920328.6A patent/EP3664178B1/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015187987A (ja) | 2014-03-12 | 2015-10-29 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置及びその製造方法、並びに表示装置用のポリイミドフィルム |
| CN106206945A (zh) | 2016-09-08 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107507929B (zh) | 2019-04-16 |
| EP3664178A1 (en) | 2020-06-10 |
| CN107507929A (zh) | 2017-12-22 |
| KR102362552B1 (ko) | 2022-02-14 |
| EP3664178A4 (en) | 2021-05-05 |
| WO2019024302A1 (zh) | 2019-02-07 |
| JP2020529045A (ja) | 2020-10-01 |
| EP3664178B1 (en) | 2022-08-10 |
| KR20200034792A (ko) | 2020-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7130028B2 (ja) | Ｏｌｅｄ表示パネルのフレキシブル基板及びその製造方法 | |
| CN106206622B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US20200176720A1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
| WO2015096375A1 (zh) | 双面显示的oled阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN107170759B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| US9876040B1 (en) | Method for manufacturing TFT substrate | |
| US20160307978A1 (en) | Manufacturing method of array substrate, array substrate and display device | |
| KR101245216B1 (ko) | 평판표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP2000111943A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置用の駆動基板の製造方法 | |
| WO2021035964A1 (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
| CN103489827A (zh) | 一种薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板 | |
| US9735186B2 (en) | Manufacturing method and structure thereof of TFT backplane | |
| US20100176399A1 (en) | Back-channel-etch type thin-film transistor, semiconductor device and manufacturing methods thereof | |
| US20200168456A1 (en) | Low-temperature polysilicon (ltps), thin film transistor (tft), and manufacturing method of array substrate | |
| WO2020113760A1 (zh) | 显示面板及其制作方法、显示模组 | |
| WO2020224095A1 (zh) | 阵列基板及制备方法、显示装置 | |
| CN104779199A (zh) | 低温多晶硅tft基板结构及其制作方法 | |
| US10263202B2 (en) | Flexible base plate of OLED display panel and method for manufacturing the same | |
| WO2018032579A1 (zh) | 一种tft基板的制备方法 | |
| US11227882B2 (en) | Thin film transistor, method for fabricating the same, display substrate, and display device | |
| JP6901070B2 (ja) | Ｔｆｔバックプレーンの製造方法及びｔｆｔバックプレーン | |
| WO2020172918A1 (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| WO2019019268A1 (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、有机发光显示器 | |
| CN203445123U (zh) | 一种薄膜晶体管驱动背板、显示面板 | |
| JP2000235355A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210323 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211102 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220329 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220701 |
|
| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220701 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220720 |
|
| C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220726 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220816 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220823 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7130028 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |