CN211789015U - 背板结构、显示面板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种背板结构、显示面板以及显示装置，其中显示背板包括基板、缓冲层、电路层和层间绝缘层；所述缓冲层设置于所述基板一侧表面，所述缓冲层远离所述基板的一侧表面设置有电路层，所述电路层设置于所述缓冲层与所述层间绝缘层之间，所述层间绝缘层包括由非晶体硅制成的激光吸收层；该背板结构通过在栅极的表面覆盖有层间绝缘层，层间绝缘层中增加非晶体硅制成的激光吸收层，该激光吸收层有效吸收从微型LED承载基板射来的激光，避免激光对TFT沟道区域P‑Si造成影响，而且无需额外材料，在后续进行激光修复等过程时仍可以形成保护。

Description

背板结构、显示面板以及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，特别涉及一种能够对有源层进行有效保护的背板结构、显示面板以及显示装置。

背景技术

微型LED(Light Emitting Diode，发光二极管)显示技术已经广泛使用在显示装置中，其中，显示装置在制作的过程中面临的一个关键技术就是要通过巨量转移将微型LED芯片转移到显示背板上。通常使用的一个方法是，使用激光剥离方法进行微型LED转移，在剥离时，激光会照射到背板上，金属电路对激光几乎无吸收，不会受到影响；但LTPS(LowTemperature Poly-Silicon，低温多晶硅)背板有源层低温多晶硅(Poly-Si，P-Si)会吸收激光能量，造成P-Si结晶均一性、晶格特性发生变化，对TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)沟道特性产生影响，导致出现显示不均等问题。目前，有方法对激光进行阻挡，以防止其对背板造成影响，但是这些方法往往需要额外的材料，或是需要专用的掩膜版(mask)来形成所需图形。

实用新型内容

为了解决现有的显示背板在加工过程中激光会造成P-Si结晶均一性、晶格特性发生变化的问题，本实用新型提供一种能够有效吸收激光的背板结构、显示面板以及显示装置。

为了实现上述目的，本实用新型一方面提供一种背板结构，包括基板、缓冲层、电路层和层间绝缘层；其中，所述缓冲层设置于所述基板一侧表面，所述缓冲层远离所述基板的一侧表面设置有电路层，所述电路层设置于所述缓冲层与所述层间绝缘层之间，所述层间绝缘层包括由非晶体硅制成的激光吸收层。通过在电路层的表面覆盖有层间绝缘层，层间绝缘层中增加非晶体硅制成的激光吸收层，该激光吸收层有效吸收从微型LED承载基板射来的激光，避免激光对TFT沟道区域P-Si造成影响，而且无需额外材料，在后续进行激光修复等过程时仍可以形成保护。

在上述技术方案中，所述层间绝缘层还包括钝化层，所述钝化层为所述层间绝缘层的底层，将所述电路层覆盖。钝化层起到钝化的作用。

在上述技术方案的基础上，作为一种优选的技术方案，所述钝化层由SiNx制成。

进一步的，所述层间绝缘层还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层为所述层间绝缘层的表层，将所述激光吸收覆盖。第一绝缘层用于将激光吸收层与其他膜层之间的绝缘。

作为优选的一种技术方案，所述第一绝缘层由SiOx制成。

优选的，所述电路层包括栅极绝缘层、绝缘层和TFT。

在上述技术方案中，进一步的，所述缓冲层由SiNx和SiOx混合制成。

作为优选的技术方案，所述基板由玻璃或者柔性聚酰亚胺材料制成。

另一方面，本实用新型还提供一种显示面板，该显示面板包括上述技术方案中任意一种所述的背板结构。

另外，本实用新型还提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

附图说明

图1是本发明的整体结构图；

图2是显示面板的部分结构图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，本实用新型提供的背板结构，该背板结构包括基板10，基板10由玻璃或者柔性聚酰亚胺材料制成，在基板10一侧表面设置有缓冲层20，缓冲层可在基板上方提供基本平坦的表面，可以减少或防止异物或湿气穿透基板。缓冲层可以包括无机材料，如：氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、氧化钛(TiO₂)或氮化钛(TiN)。缓冲层也可以包括有机材料，如：聚酰亚胺、聚酯或丙烯等。

进一步的，在缓冲层20远离基板10的一侧表面设置有电路板层，电路层包括栅极绝缘层40、绝缘层和TFT(由于绝缘层以及TFT的结构以及其连接方式属于现有技术，故在附图中未画出)；栅极绝缘层40用于绝缘栅极50和有源层30，可以包括无机材料，例如：氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO₂)等。

绝缘层用于绝缘源极与栅极之间以及漏极与栅极之间。绝缘层可以包括无机材料，如：氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铪(HfO₂)或氧化锌(ZnO₂)等。

TFT可以包括有源层、栅极、源极、漏极和Vss走线等。薄膜晶体管TFT是顶栅型薄膜晶体管(实际上TFT也可以是底栅型薄膜晶体管)。有源层可以包括半导体材料，如非晶硅或多晶硅。有源层也可以包括其他材料，如：有机半导体材料或氧化物半导体材料。

进一步的，在栅极50的表面覆盖有层间绝缘层60，层间绝缘层60包括第一绝缘层601、激光吸收层602以及钝化层603，具体的钝化层603为层间绝缘层60的底层，将栅极40覆盖，钝化层603由SiNx制成；第一绝缘层601为层间绝缘层60的表层，第一绝缘层603由SiOx制成，起到绝缘的作用，激光吸收层602设置在在第一绝缘层603与钝化层601之间，激光吸收层603由非晶体硅层制成，非晶体硅能够吸收从微型LED承载基板射来的激光，避免激光对TFT沟道区域P-Si造成影响，而且无需额外材料，以及曝光等过程可以对LTPS背板有源层形成一有效保护层；该保护层永久存在，在后续进行激光修复等过程时仍可以形成保护，另外这样设置不需要使用黑色材料，不影响后续产品透明性。

此外，本实用新型还提供一种显示面板，如图2所示，该显示面板包括上述的背板结构100，在背板结构100的与承载基板200之间设置有其余的膜层，例如图案层、像素隔离层等等，在承载基板200的靠近背板结构的一侧表面设置有微型发光二极管300，在显示面板的加工过程中，将会从承载基板200的远离微型发光二极管300的一侧照射承载基板200，激光穿过承载基板200以及下方的膜层后会被背板结构中的由非晶体硅制成的激光吸收层吸收，这样就不会对下方的对TFT沟道区域P-Si造成影响，使得显示面板的显示显示效果更佳的均等，而且不需要使用黑色材料，不影响后续产品透明性。

另外，本实用新型还提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。该显示装置可以为手机屏幕、电脑屏幕、电视屏幕、电子纸、电子画屏、仪表盘或者其他类型的显示装置。由于该显示装置具有上述显示面板实施方式所描述的任意一种显示面板，因此具有相同的有益效果，本公开在此不再赘述。

以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种背板结构，包括基板、缓冲层、电路层和层间绝缘层；所述缓冲层设置于所述基板一侧表面，所述缓冲层远离所述基板的一侧表面设置有电路层，所述电路层设置于所述缓冲层与所述层间绝缘层之间，其特征在于：所述层间绝缘层包括由非晶体硅制成的激光吸收层。

2.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于：所述层间绝缘层还包括钝化层，所述钝化层为所述层间绝缘层的底层，将所述电路层覆盖。

3.根据权利要求2所述的背板结构，其特征在于：所述钝化层由氮化硅制成。

4.根据权利要求2所述的背板结构，其特征在于：所述层间绝缘层还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层为所述层间绝缘层的表层，将所述激光吸收层覆盖。

5.根据权利要求4所述的背板结构，其特征在于：所述第一绝缘层由氧化硅制成。

6.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于：所述电路层包括栅极绝缘层、绝缘层和TFT。

7.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于：所述缓冲层由氮化硅和氧化硅混合制成。

8.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于：所述基板由玻璃或者柔性聚酰亚胺材料制成。

9.一种显示面板，其特征在于：包括权利要求1-8中任意一项所述的背板结构。

10.一种显示装置，其特征在于：包括权利要9所述的显示面板。

Images