CN109904106B - 柔性显示面板及柔性显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种柔性显示面板及柔性显示面板的制备方法,其中,该柔性显示面板包括:依次层叠设置第一柔性衬底、第一炭化层、显示结构层,所述第一炭化层的激光透过率小于所述第一柔性衬底的激光透过率。上述柔性显示面板中的第一炭化层的激光透过率较第一柔性衬底的激光透过率小,能够有效阻挡从第一柔性衬底远离显示结构层一侧的表面射入到显示结构层的激光,使得进入显示结构层的激光能量减少,降低激光的透过率,避免了显示结构层受到激光的影响,进而降低激光对显示结构层中的薄膜晶体管的电学性能产生影响,延长了显示器件的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种柔性显示面板及柔性显示面板的制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展,柔性显示装置获得越来越广泛的应用。由于柔性显示面板的衬底为柔性衬底,现有的柔性显示面板的制作主要是以基板作为载具承载着柔性衬底,再在柔性衬底上形成显示器件,最后将柔性衬底和载体基板分离得到柔性显示面板。
在柔性基板制程过程中,柔性衬底与载体基板的剥离是整个制程最重要的环节之一,目前常用的剥离方法是用激光器对柔性衬底与载体基板接触表面进行炭化,降低柔性衬底的粘附性,从而将柔性衬底与载体基板分离,在用激光炭化柔性衬底的过程中,较高的激光能量对薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称为TFT)器件的电学性能产生影响,所以降低激光器在剥离过程中对TFT器件电性的影响是非常重要的课题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种柔性显示面板及柔性显示面板的制备方法,以解决现有技术中采用激光将柔性衬底与载体基板进行分离,激光能量会对薄膜晶体管的电学性能产生影响的问题。
为此,本发明实施例提供了如下技术方案:
本发明第一方面,提供了一种柔性显示面板,包括:依次层叠设置第一柔性衬底、第一炭化层、显示结构层,所述第一炭化层的激光透过率小于所述第一柔性衬底的激光透过率。
可选地,还包括:阻隔层,设置于所述第一炭化层靠近所述显示结构层一侧的表面,或者设置于所述第一柔性衬底远离所述显示结构层一侧的表面;第二柔性衬底,设置于所述阻隔层远离所述第一柔性衬底的一侧。由于两层柔性衬底直接粘结时的粘附力较低,故在两层柔性衬底之间增加一层阻隔层,使得设置在其上的第二柔性衬底的形成过程更加简单、便捷且粘附性较高,增加第一柔性衬底和第二柔性衬底的粘合。此外,柔性衬底包括两层,即第一柔性衬底和第二柔性衬底,相较于一层柔性衬底来说,为了满足柔性衬底的厚度需求采用两层叠层设置,降低了对每一层柔性衬底的厚度要求,使得每一层的制作难度降低,工艺可控性更高,并且每一层的膜层厚度更易控制,形成的膜层均一性较好。
可选地,还包括第二炭化层,设置于所述第二柔性衬底靠近所述显示结构层一侧的表面,所述第二炭化层的激光透过率小于所述第二柔性衬底的激光透过率。通过将双层柔性衬底上表面炭化,使得在LLO激光剥离过程中激光透过率进一步降低,达到LLO剥离对TFT器件电学性能影响降低的效果。
可选地,还包括:无机膜层,设置于所述第一炭化层和所述阻隔层之间;或者,设置于所述第二炭化层和所述阻隔层之间。无机膜层能够增加炭化层与阻隔层之间的摩擦力,进而增加两者之间的粘附力,避免炭化层与阻隔层的分离。
可选地,所述第一炭化层中碳元素的质量含量为60%~80%;和/或,所述第二炭化层中碳元素质量含量为60%~80%,这样既能够有效阻挡激光的透过,又能够保证柔性衬底的粘附性,避免相邻膜层间的裂开,延长使用寿命。
可选地,所述第一炭化层和/或所述第二炭化层包括多个子炭化区域,相邻所述子炭化区域之间具有间隙,所述第一柔性衬底和/或第二柔性衬底填充于所述间隙中,所述显示结构层包括多个TFT器件,多个所述子炭化区域在所述显示结构层上的投影分别位于多个所述TFT器件区域内。在所述第一炭化层和/或所述第二炭化层中,TFT器件区域所对应的位置上设置子炭化区域,非TFT器件区域与相邻所述子炭化区域之间的间隙所对应,即炭化层为图案化结构层,使得炭化层仅保留必要区域,炭化层的设置位置更加灵活多样,炭化层的位置可根据TFT器件的具体设置位置合理确定。这样既能保护TFT器件不受激光的影响,又能够增大柔性衬底与相邻膜层之间的粘合力,使得相邻膜层间不易剥离。
可选地,所述阻隔层的材料为铟镓锌氧化物。铟镓锌氧化物对308nm波长的紫外光具有较强的吸收能力,能够有效吸收激光能量。
可选地,所述第一柔性衬底为聚酰亚胺薄膜;和/或,所述第二柔性衬底为聚酰亚胺薄膜。
可选地,所述显示结构层包括低温多晶硅薄膜晶体管。
本发明第二方面,提供了一种柔性显示面板的制备方法,包括:在载体基板上形成第一柔性衬底;在所述第一柔性衬底固化后,利用激光对所述第一柔性衬底远离所述载体基板一侧的表面进行炭化,形成第一炭化层;在所述第一炭化层上形成显示结构层;利用激光对所述第一柔性衬底靠近所述载体基板一侧的表面进行炭化,使得所述第一柔性衬底与所述载体基板分离。
可选地,形成第一炭化层之后,还包括:在所述第一炭化层上形成阻隔层;在所述阻隔层远离所述第一炭化层一侧形成第二柔性衬底;在所述第二柔性衬底远离阻隔层的一侧形成显示结构层。
可选地,在所述阻隔层远离所述第一炭化层一侧形成第二柔性衬底之后,所述方法还包括:在所述第二柔性衬底固化之后,利用激光对所述第二柔性衬底远离所述载体基板一侧的表面进行炭化,形成第二炭化层。
可选地,形成第一炭化层之后,还包括:将所述第一柔性衬底从所述载体基板上剥离;在所述载体基板上形成第二柔性衬底;在所述第二柔性衬底远离载体基板的一侧形成阻隔层;将剥离的所述第一柔性衬底粘附在所述阻隔层上;在所述第一柔性衬底上形成显示结构层;利用激光对所述第二柔性衬底靠近所述载体基板一侧的表面进行炭化,使得所述第二柔性衬底与所述载体基板分离。
可选地,在所述载体基板上形成第二柔性衬底之后,所述方法还包括:在所述第二柔性衬底固化之后,利用激光对所述第二柔性衬底远离所述载体基板一侧的表面进行炭化,形成第二炭化层。
可选地,在所述第一炭化层上形成阻隔层之前,在所述第一炭化层上形成无机膜层;或者,在所述第二柔性衬底上形成阻隔层之前,在所述第二炭化层上形成无机膜层。
可选地,在所述第一炭化层上形成阻隔层之前,对所述第一炭化层远离所述载体基板一侧的表面进行粗化;或者,在所述第二柔性衬底上形成阻隔层之前,对所述第二炭化层远离所述载体基板一侧的表面进行粗化。
可选地,所述载体基板为玻璃基板。
本发明第三方面,提供了一种显示设备,包括如本发明第一方面中任一所述的柔性显示面板。
本发明实施例技术方案,具有如下优点:
1.本发明实施例提供了一种柔性显示面板,包括:依次层叠设置第一柔性衬底、第一炭化层、显示结构层,所述第一炭化层的透过率小于所述第一柔性衬底的透过率。上述柔性显示面板中的第一炭化层的透过率较第一柔性衬底的透过率小,能够有效阻挡从第一柔性衬底远离显示结构层一侧的表面射入到显示结构层的激光,使得进入显示结构层的激光能量减少,降低激光的透过率,避免了显示结构层受到激光的影响,进而降低激光对显示结构层中的薄膜晶体管的电学性能产生影响,延长了显示器件的使用寿命。
2.本发明实施例提供了一种柔性显示面板,其中,柔性显示面板的制备方法包括在载体基板上形成第一柔性衬底;在该第一柔性衬底固化后,利用激光对该第一柔性衬底远离载体基板一侧的表面进行炭化,形成第一炭化层,在第一炭化层上形成显示结构层,激光炭化后柔性衬底中碳元素含量上升,碳元素的增加会对激光透射率有一定的阻隔,当柔性衬底与基板进行激光剥离时,炭化层的存在降低了激光能量的透过率,避免了显示结构层受到激光的影响,从而解决了现有技术中采用激光将柔性衬底与载体基板进行分离,激光能量会对薄膜晶体管的电学性能产生影响的问题,在保障剥离效果的同时,延长了显示器件的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例的柔性显示面板的一个具体示例的示意图;
图2是根据本发明实施例的柔性显示面板的另一个具体示例的示意图;
图3是根据本发明实施例的柔性显示面板的另一个具体示例的示意图;
图4是根据本发明实施例的柔性显示面板的另一个具体示例的示意图;
图5是根据本发明实施例的柔性显示面板的另一个具体示例的示意图;
图6是根据本发明实施例的柔性显示面板的另一个具体示例的示意图;
图7是根据本发明实施例的柔性显示面板的另一个具体示例的示意图;
图8是根据本发明实施例的柔性显示面板的另一个具体示例的示意图;
图9是根据本发明实施例的柔性显示面板的另一个具体示例的示意图;
图10是根据本发明实施例的柔性显示面板的制备方法的一个具体示例的流程图;
图11是根据本发明实施例的柔性显示面板的制备工艺的一个具体示例的流程图;
图12是根据本发明实施例的柔性显示面板的制备方法的另一个具体示例的流程图;
图13是根据本发明实施例的柔性显示面板的制备方法的另一个具体示例的流程图;
图14是根据本发明实施例的柔性显示面板的制备方法的另一个具体示例的流程图;
图15是根据本发明实施例的柔性显示面板的制备方法的另一个具体示例的流程图。
附图标记:
1、第一柔性衬底;2、第一炭化层;3、显示结构层;4、阻隔层;5、第二柔性衬底;6、第二炭化层;7、无机膜层。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外,下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
本发明实施例提供了一种柔性显示面板,如图1所示,包括:依次层叠设置第一柔性衬底1、第一炭化层2、显示结构层3,第一炭化层2的激光透过率小于第一柔性衬底1的激光透过率,第一炭化层2用于阻挡从第一柔性衬底1远离显示结构层3一侧的表面射入到显示结构层3的激光。
在一实施例中,第一柔性衬底1的激光透过率不小于80%,第一炭化层2的激光透过率为30%-50%;第一柔性衬底1的激光透过率和第一炭化层2的激光透过率的具体数值在本实施例中仅作示意性说明,并不以此为限,在实际应用中,可根据实际需要合理确定。
在一实施例中,第一柔性衬底1可以是聚酰亚胺(PI)衬底;当然,在其它实施例中,第一柔性衬底1还可以是其它有机衬底,例如PET衬底、PMMA衬底等,本实施例仅作示意性说明,并不以此为限,在实际应用中可根据需要合理设置。在一实施例中,第一炭化层2是利用激光对第一柔性衬底1靠近显示结构层3的一侧的表面进行炭化后得到的。具体地,采用激光对第一柔性衬底1靠近显示结构层3一侧的表面进行炭化处理,炭化处理后的第一柔性衬底1靠近显示结构层3一侧的表面形成第一炭化层2。激光炭化第一柔性衬底1的表面,第一柔性衬底膜会发生脱氢和脱氧的缩聚反应,并伴随着C—O键和C—N键的断裂,及C—C键的形成,同时碳元素含量上升,碳元素的增加会对激光透射率有一定的阻隔,从而在柔性衬底与基板剥离时,降低了激光能量的透过率。
在一实施例中,显示结构层3包括薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)和发光层,薄膜晶体管可以是顶栅TFT器件也可以是底栅TFT器件,发光层可以是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)或者LCD;当然,在其它实施例中,显示结构层还可以包括电容等,根据实际需要合理确定即可。
上述柔性显示面板中的第一炭化层2的激光透过率较第一柔性衬底1的激光透过率小,能够有效阻挡从第一柔性衬底1远离显示结构层3一侧的表面射入到显示结构层3的激光,使得进入显示结构层3的激光能量减少,降低激光的透过率,进而降低激光对显示结构层3中的薄膜晶体管的电学性能产生影响。
在上述柔性显示面板的基础上,还包括:阻隔层4,设置于第一炭化层2靠近显示结构层3一侧的表面,或者设置于第一柔性衬底1远离显示结构层3一侧的表面;第二柔性衬底5,设置于阻隔层4远离第一柔性衬底1的一侧。具体地,可通过CVD的方式在炭化后的第一柔性衬底1上形成阻隔层4,该阻隔层4的材料可以是SiN、SiO等无机绝缘材料。
在一实施例中,第二柔性衬底5可以是有机衬底,第二柔性衬底5的材料可以与第一柔性衬底1的材料相同,也可以不相同。例如,第一柔性衬底1和第二柔性衬底5均为PI衬底;又例如,第一柔性衬底1为PET衬底,第二柔性衬底5为PMMA衬底。
由于两层柔性衬底直接粘结时的粘附力较低,故在两层柔性衬底之间增加一层阻隔层4,使得设置在其上的第二柔性衬底的形成过程更加简单、便捷且粘附性较高,增加第一柔性衬底1和第二柔性衬底5的粘合。
在一实施例中,阻隔层的材料为铟镓锌氧化物。铟镓锌氧化物对308nm波长的紫外光具有较强的吸收能力,能够有效吸收激光能量,使得进入显示结构层的激光能量减少,进而降低激光对显示结构层中的薄膜晶体管的电学性能产生影响。阻隔层的厚度可以根据实际情况灵活进行设置,例如其厚度可以是300埃。另外,具体地,可以通过磁控溅射沉积形成在柔性衬底上。
在一实施例中,如图2所示,阻隔层4设置于第一炭化层2靠近显示结构层3一侧的表面,第二柔性衬底5设置于阻隔层4靠近显示结构层3一侧的表面。具体地,该柔性显示面板包括依次层叠的第一柔性衬底1、第一炭化层2、阻隔层4、第二柔性衬底5和显示结构层3。
在一可替换实施例中,如图3所示,阻隔层4设置于第一柔性衬底1远离显示结构层3一侧的表面,第二柔性衬底5设置于阻隔层4远离显示结构层3一侧的表面上。具体地,该柔性显示面板包括依次层叠的第二柔性衬底5、阻隔层4、第一柔性衬底1、第一炭化层2和显示结构层3。
上述柔性显示面板中的柔性衬底包括两层,即第一柔性衬底1和第二柔性衬底5,相较于一层柔性衬底来说,为了满足柔性衬底的厚度需求采用两层叠层设置,降低了对每一层柔性衬底的厚度要求,使得每一层的制作难度降低,工艺可控性更高,并且每一层的膜层厚度更易控制,形成的膜层均一性较好。
在上述柔性显示面板的基础上,如图4和5所示,第二炭化层6设置于第二柔性衬底5靠近显示结构层3一侧的表面,第二炭化层6的激光透过率小于第二柔性衬底5的激光透过率,第二炭化层6用于阻挡从第二柔性衬底5远离显示结构层3一侧的表面射入到显示结构层3的激光。
在一实施例中,第二炭化层6是利用激光对第二柔性衬底5靠近显示结构层3的一侧的表面进行炭化后得到的。具体地,采用激光对第二柔性衬底5靠近显示结构层3一侧的表面进行炭化处理,炭化处理后的第二柔性衬底5靠近显示结构层一侧的表面形成第二炭化层6。激光炭化第二柔性衬底5表面,第二柔性衬底膜会发生脱氢和脱氧的缩聚反应,并伴随着C—O键和C—N键的断裂,及C—C键的形成,同时碳元素含量上升,碳元素的增加会对激光透射率有一定的阻隔,从而在柔性衬底与基板剥离时,降低了激光能量的透过率。
上述柔性显示面板通过将双层柔性衬底上表面炭化,使得在LLO激光剥离过程中激光透过率进一步降低,达到LLO剥离对TFT器件电学性能影响降低的效果,同时对整个显示结构起到了保护作用。
由于炭化后的第一柔性衬底1、第二柔性衬底5的粘附性降低,使得后续CVD成膜的阻隔层4粘附力不够,较为容易脱离,为了解决上述技术问题,在上述柔性显示面板的基础上,该柔性显示面板还包括:无机膜层7,设置于第一炭化层2和阻隔层4之间;或者,无机膜层7,设置于第二炭化层6和阻隔层4之间。具体地,如图6所示,无机膜层7设置于第一炭化层2和阻隔层4之间;如图7所示,无机膜层7设置于第二炭化层6和阻隔层4之间。
具体地,该无机膜层可以是一层a-si,以增加第二柔性衬底5与阻隔层4的接触表面的粗糙度,进而增加粘附力。当然,在其它实施例中,无机膜层7也可以由其它具有一定粗糙度的材料构成。
该柔性显示面板,在第一炭化层2和阻隔层4之间设置无机膜层7,以增加第一柔性衬底1与阻隔层4之间的接触面的粗糙度进而增加粘附性;或者在第二炭化层6和阻隔层4之间设置无机膜层7,以增加第二柔性衬底5与阻隔层4之间的接触面的粗糙度进而增加粘附性;避免了膜层间的分离。
在上述柔性显示面板的基础上,第一炭化层2中碳元素的质量含量为60%~80%;和/或,第二炭化层6中碳元素的质量含量为60%~80%,这样既能够有效阻挡激光的透过,又能够使得对柔性衬底的炭化过程更加简单、易控制,降低生产成本。
在一实施例中,具体地,第一炭化层2中碳元素的质量含量为60%~80%;并且,第二炭化层6中碳元素的质量含量为60%~80%,本实施例仅作示意性说明,并不以此为限。需要说明的是,炭化层中碳元素的含量越多,对激光的阻挡作用越强;但是与其它膜层之间的粘附性会随着碳含量的增加而降低,进而造成炭化层与相邻膜层的粘附力下降,导致膜层间的剥离(pelling),降低使用寿命;因此,在实际应用中,可根据实际情况合理确定碳元素的含量。发明人经过创造性的劳动发现当碳元素质量含量在60%-80%之间时,柔性衬底对激光的阻挡作用和其粘附特性均较佳,能够较好的满足各个特性的需要。优选地,炭化层中碳元素质量含量为70%;当然,在其它实施例中,也可以是60%或者80%等,根据需要合理设置即可,本实施例对此不作任何限制。
在一实施例中,第一炭化层2和/或第二炭化层6为图案化结构层,即第一炭化层2和/或第二炭化层6包括多个子炭化区域,相邻所述子炭化区域之间具有间隙,第一柔性衬底1和/或第二柔性衬底5填充于所述间隙中,显示结构层3包括多个TFT器件,多个子炭化区域在显示结构层3上的投影分别位于多个TFT器件区域内。即在第一炭化层2和/或第二炭化层6中,在TFT器件区域所对应的位置上设置子炭化区域,非TFT器件区域与相邻所述子炭化区域之间的间隙所对应,炭化层仅保留必要区域,从而使得炭化层的设置位置更加灵活多样,并且,相邻子炭化区域之间具有间隙,第一柔性衬底1和/或第二柔性衬底5填充于所述间隙中,间隙位置处的粘附性较大,增加了相邻膜层之间的粘合以降低膜层间的剥离,子炭化区域可根据TFT器件的具体设置位置合理确定。具体地,在激光照射过程中增加一层掩膜板来实现仅对TFT器件区域所对应的位置上的柔性衬底进行炭化。
上述柔性显示面板将第一炭化层2和/或第二炭化层6在显示结构层上的投影设置于TFT器件区域内,这样既能保护TFT器件不受激光的影响,又能够增大柔性衬底与相邻膜层之间的粘合力,使得相邻膜层间不易剥离。
具体地,在柔性显示面板包括两层柔性衬底时,每一层柔性衬底靠近显示结构层3一侧的表面均形成有炭化层,即第一炭化层2和第二炭化层6,如图8所示,第一炭化层2包括多个子炭化区域,第二炭化层6同样包括多个子炭化区域,其中相邻子炭化区域之间具有间隙,第一柔性衬底1填充于第一炭化层2的间隙中,第二柔性衬底5填充于第二炭化层6的间隙中,同时满足多个子炭化区域在显示结构层3上的投影分别位于多个TFT器件区域内,在进行激光剥离时,既能够使得TFT器件免受激光的影响,同时也不会影响衬底与其他膜层之间的黏附力。对于另一种实施方式,如图9所示,第二炭化层6的子炭化区域在显示结构层3上的投影位于显示结构层3中的TFT器件区域内,第一炭化层2为一整面的炭化区域。当然,在其它实施例中也可以仅是第一炭化层2的子炭化区域在显示结构层上的投影位于显示结构层3中的TFT器件区域内,此时,第二炭化层6可以是一整面炭化区域,也可以是仅有部分的子炭化区域在显示结构上的投影位于显示结构层3中的TFT器件区域内,具体可根据需要合理设置。在其它可替换实施例中,柔性显示面板也可仅包括一层柔性衬底,此种情况下,可对该柔性衬底靠近显示结构层的一侧进行炭化形成炭化层,炭化层的子炭化区域与TFT器件的设置位置相对应。
本发明实施例还提供了一种柔性显示面板的制备方法,如图10所示,包括步骤S101-S104。
步骤S101:在载体基板上形成第一柔性衬底。在本实施例中,具体地,将第一柔性衬底材料(例如聚酰亚胺材料)涂布在载体基板上。
在一实施例中,载体基板可以是玻璃基板;当然,在其它实施例中,载体基板也可以是其它具有一定透光性的基板,后续需要激光照射使其分离,透光性能够在后续激光炭化工艺制程中使得载体基板与第一柔性衬底很好的分离。
在一实施例中,第一柔性衬底可以是聚酰亚胺(PI)衬底;当然,在其它实施例中,第一柔性衬底还可以是其它有机衬底,例如PET衬底、PMMA衬底等,本实施例仅作示意性说明,并不以此为限,在实际应用中可根据需要合理设置。
步骤S102:在第一柔性衬底固化后,利用激光对第一柔性衬底远离载体基板一侧的表面进行炭化,形成第一炭化层。激光炭化第一柔性衬底表面,第一柔性衬底膜会发生脱氢和脱氧的缩聚反应,并伴随着C—O键和C—N键的断裂,及C—C键的形成,同时碳元素含量上升,碳元素的增加会对激光透射率有一定的阻隔,从而在柔性衬底与基板剥离时,降低了激光能量的透过率。
需要说明的是,本实施例中,将第一柔性衬底与载体基板接触的一侧的表面记为下表面,第一柔性衬底远离载体基板的一侧的表面记为上表面。具体地,可采用高温固化的方式对第一柔性衬底进行固化处理,固化后采用激光对第一柔性衬底的上表面进行炭化,炭化后的第一柔性衬底中的碳元素含量增加,碳元素降低了激光的透射率,在后续柔性衬底与基板剥离时,降低了激光能量的透过率。
步骤S103:在第一炭化层上形成显示结构层。具体地,显示结构层包括低温多晶硅薄膜晶体管和发光结构。低温多晶硅薄膜晶体管可以是顶栅结构、也可以是底栅结构,根据需要合理确定即可。设置于薄膜晶体管上的发光结构可以是OLED,也可以是LCD,根据需要合理确定即可。
在一实施例中,具体地,在炭化后的第一柔性衬底上形成由薄膜晶体管构成的像素电路,像素电路上形成平坦化层,平坦化层上形成第一电极层,第一电极层上形成发光结构层,在发光结构上形成第二电极层。第一电极层为阳极,第二电极层为阴极,发光结构层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
步骤S104:利用激光对第一柔性衬底靠近载体基板一侧的表面进行炭化,使得第一柔性衬底与载体基板分离。具体地,采用激光对第一柔性衬底的下表面进行炭化,降低第一柔性衬底与载体基板的粘附性,从而将第一柔性衬底与载体基板分离。
上述柔性显示面板的制备方法,激光炭化柔性衬底表面,柔性衬底膜会发生脱氢和脱氧的缩聚反应,并伴随着C—O键和C—N键的断裂,及C—C键的形成,同时碳元素含量上升,碳元素的增加会对激光透射率有一定的阻隔作用,对激光透射率大大降低,降低TFT器件受激光的影响。通过上述步骤,解决现有技术中采用激光将柔性衬底与载体基板进行分离,激光能量会对薄膜晶体管的电学性能产生影响的问题,从而在降低了激光的透过性,避免了显示结构层受到激光的影响。
本发明实施例还提供了另一种柔性显示面板的制备方法,其对应的柔性显示面板的制备工艺如图11所示,该柔性显示面板的制备方法,如图12所示,包括步骤S301-S306。
步骤S301:在载体基板上形成第一柔性衬底。在本实施例中,具体地,将衬底材料(例如聚酰亚胺材料)涂布在载体基板上,形成第一柔性衬底。
具体地,该载体基板可以是玻璃基板,第一柔性衬底可以是PI衬底。当然,在其它实施例中,载体基板和第一柔性衬底的材料还可根据需要合理设置,本实施例对此不作限制。
步骤S302:在第一柔性衬底固化后,利用激光对该第一柔性衬底远离载体基板一侧的表面进行炭化,形成第一炭化层。具体过程请详见上述步骤S102所述,在此不再赘述。
步骤S303:在第一炭化层上形成阻隔层。具体地,可通过CVD的方式在炭化后的第一柔性衬底上形成阻隔层,该阻隔层的材料可以是SiN、SiO等无机绝缘材料,阻隔层使得设置在其上的第二柔性衬底的形成过程更加简单、便捷。
步骤S304:在阻隔层远离第一炭化层一侧形成第二柔性衬底。具体地,通过涂布的方式在阻隔层上制备第二柔性衬底。
在一实施例中,第二柔性衬底可以是有机衬底,第二柔性衬底的材料可以与第一柔性衬底的材料相同,也可以不相同。例如,第一柔性衬底和第二柔性衬底均为PI衬底;又例如,第一柔性衬底为PET衬底,第二柔性衬底为PMMA衬底。
步骤S305:在第二柔性衬底远离阻隔层的一侧形成显示结构层。
在一实施例中,显示结构层可包括TFT器件和OLED层,具体地,在第二柔性衬底远离阻隔层的一侧的表面上依次制作TFT器件和OLED层。该TFT器件可以包括薄膜晶体管和电容,也可以仅包括薄膜晶体管。
步骤S306:利用激光对第一柔性衬底靠近载体基板一侧的表面进行炭化,使得第一柔性衬底与载体基板分离。具体过程请详见上述步骤S104所述,在此不再赘述。
本实施例中的衬底包括两层,即第一柔性衬底和第二柔性衬底,相较于一层柔性衬底来说,为了满足柔性衬底的厚度需求采用两层叠层设置,降低了对每一层柔性衬底的厚度要求,使得每一层的制作难度降低,工艺可控性更高,并且每一层的膜层厚度更易控制,形成的膜层均一性较好。
通过上述步骤在基板上形成两层柔性衬底,待第一柔性衬底固化后,用激光器照射第一柔性衬底上表面使其炭化,由于第一柔性衬底对激光能量有一定的阻隔能力,所以第一柔性衬底与基板接触的表面炭化程度较低,不能使两者分离;其次,在第一柔性衬底上形成阻隔层,在阻隔层上形成第二柔性衬底。通过炭化后的第一柔性衬底、阻隔层和第二柔性衬底,在剥离时上述各个膜层能够有效阻挡激光,使得激光的透过性大大降低,降低了激光能量的透过率,保护了薄膜晶体管器件免受激光能量的影响。
为了进一步降低激光透射率,在上述柔性显示面板的制备方法的基础上,步骤S304在阻隔层远离第一炭化层一侧形成第二柔性衬底之后,如图13所示,该方法还包括步骤S307。
步骤S307:在第二柔性衬底固化之后,利用激光对第二柔性衬底远离载体基板一侧的表面进行炭化。激光炭化第二柔性衬底表面,第二柔性衬底膜也会发生脱氢和脱氧的缩聚反应,并伴随着C—O键和C—N键的断裂,及C—C键的形成,同时碳元素含量上升,碳元素的增加会进一步增强对激光透射率的阻隔作用,从而在柔性衬底与基板剥离时,激光需要穿透两层炭化的柔性衬底,进一步降低了激光能量的透过率。
上述方法在基板上形成第一柔性衬底,待第一柔性衬底固化后,用激光器照射第一柔性衬底上表面使其炭化,由于第一柔性衬底对激光能量有一定的阻隔能力,所以第一柔性衬底与载体基板接触的下表面炭化程度较低,不能使两者分离;其次,在第一柔性衬底上形成阻隔层,在阻隔层上形成第二柔性衬底,待其固化后,对第二柔性衬底的上表面进行炭化。两层炭化的柔性衬底中的碳元素能够有效阻挡激光的透过,使得剥离时激光的透过性大大降低,减少了激光透过衬底到达薄膜晶体管的能量,保护了薄膜晶体管器件免受激光能量的影响。也就是说,通过上述步骤中两层炭化的柔性衬底,在激光剥离技术(LLO)剥离过程中,在保障剥离效果的同时,可双重阻隔激光的透过,进一步降低激光的透过率,进而降低激光能量对薄膜晶体管器件的影响,降低或者避免了LLO激光剥离对薄膜晶体管器件电学性能的影响。
由于碳化后的第一柔性衬底的粘附性降低,CVD成膜的阻隔层粘附力不够,较为容易脱离,为了解决上述技术问题,在一个可选实施例中,该方法还包括:在炭化后的第一柔性衬底(即第一炭化层)上形成阻隔层之前,在第一炭化层靠近显示结构层一侧形成无机膜层,从而增加与第一柔性衬底的粘附性,然后再镀SiN、SiO等阻隔层。
具体地,该无机膜层可以是一层a-si,以增加第一柔性衬底与阻隔层的接触表面的粗糙度,进而增加粘附力。当然,在其它实施例中,无机膜层也可以由其它具有一定粗糙度的材料构成。
在一可替换实施例中,在第一炭化层形成阻隔层之前,还可通过对第一炭化层远离载体基板一侧的表面进行粗化处理,增加炭化后的第一柔性衬底上表面的粗糙程度。
具体地,粗化处理可以通过机械或化学方法对第一柔性衬底的上表面进行处理,例如通过喷砂处理来粗化。
本发明实施例还提供了另一种柔性显示面板的制备方法,如图14所示,包括步骤S501-S508。
步骤S501:在载体基板上形成第一柔性衬底。在本实施例中,具体地,在载体基板上涂布衬底材料(例如聚酰亚胺材料)形成第一柔性衬底。
具体地,该载体基板可以是玻璃基板,第一柔性衬底可以是PI衬底。当然,在其它实施例中,载体基板和第一柔性衬底的材料还可根据需要合理设置,本实施例对此不作限制。
步骤S502:第一柔性衬底固化后,利用激光对第一柔性衬底远离载体基板一侧的表面进行炭化。具体过程请详见上述步骤S102所述或者步骤S302所述,在此不再赘述。
步骤S503:将第一柔性衬底从载体基板上剥离。具体地,利用激光对第一柔性衬底靠近载体基板一侧的表面进行炭化,使得第一柔性衬底与载体基板分离。
步骤S504:在载体基板上形成第二柔性衬底。分离后,在载体基板上涂布衬底材料(例如聚酰亚胺材料)形成第二柔性衬底。
在一实施例中,第二柔性衬底可以是有机衬底,具体可以是PI衬底,PET衬底或者PMMA衬底等。第二柔性衬底的材料可以与第一柔性衬底的材料相同,也可以不相同;根据实际需要合理设置即可。
步骤S505:在第二柔性衬底远离载体基板的一侧形成阻隔层。具体地,可通过CVD的方式在炭化后的第二柔性衬底远离载体基板的一侧的表面上形成阻隔层,该阻隔层的材料可以是SiN、SiO等无机绝缘材料。
步骤S506:将剥离的第一柔性衬底粘附在该阻隔层上。具体地,在阻隔层上先涂覆一层粘结材料,之后,将第一柔性衬底粘附在阻隔层上,第一柔性衬底未炭化的一侧的表面靠近阻隔层,第一柔性衬底炭化的一侧的表面远离阻隔层。
步骤S507:在第一柔性衬底上形成显示结构层。在一实施例中,显示结构层可包括TFT器件和OLED层,具体地,在第一柔性衬底上依次制作TFT器件和OLED层。
步骤S508:利用激光对第二柔性衬底靠近载体基板一侧的表面进行炭化,使得第二柔性衬底与载体基板分离。具体过程请详见上述步骤S104所述或者步骤S306所述,在此不再赘述。
该方法先制备第一柔性衬底,之后将第一柔性衬底剥离,然后再粘附到第二柔性衬底上,使得第一柔性衬底和第二柔性衬底的炭化程度较高,可阻隔更多的激光能量,对薄膜晶体管器件的保护性更强。此外,通过将双层柔性衬底的上表面炭化,使得在LLO激光剥离过程中激光透过率降低,在保证剥离效果的同时,进一步降低LLO剥离对TFT器件电学性能影响。
为了进一步降低激光透射率,在上述方法的基础上,步骤S504在载体基板上形成第二柔性衬底之后,如图15所示,该方法还包括步骤S509。
步骤S509:在第二柔性衬底固化之后,利用激光对第二柔性衬底远离载体基板一侧的表面进行炭化。激光炭化第二柔性衬底表面,第二柔性衬底膜也会发生脱氢和脱氧的缩聚反应,并伴随着C—O键和C—N键的断裂,及C—C键的形成,同时碳元素含量上升,碳元素的增加会进一步增强对激光透射率的阻隔作用,从而在柔性衬底与基板剥离时,激光需要穿透两层炭化的柔性衬底,进一步降低了激光能量的透过率。
需要说明的是,本实施例中的炭化与炭化过程中所采用的激光器的波长、频率、发射功率等因素相关,不同的激光器所对应的炭化程度不同,在实际应用中可根据实际情况合理确定,本实施例对此不作任何限制。
还需要说明的是,本实施例中在对第一柔性衬底和第二柔性衬底进行炭化时所需炭化的具体位置只需要至少覆盖TFT器件区域即可,可以是柔性衬底炭化后形成的第一炭化层和/或第二炭化层在显示结构层上的投影位于显示结构层中的TFT器件区域内,也可以是对整面的柔性衬底均炭化形成整面的炭化层,在实际使用中可根据需要合理设置。
由于碳化后的第二柔性衬底的粘附性降低,CVD成膜的阻隔层粘附力不够,较为容易脱离,为了解决上述技术问题,在一个可选实施例中,该方法还包括:在炭化后的第二柔性衬底上形成阻隔层之前,在第二炭化层上形成无机膜层,从而增加与第二柔性衬底的粘附性,然后再镀SiN、SiO等阻隔层。
具体地,该无机膜层可以是一层a-si,以增加第二柔性衬底与阻隔层的接触表面的粗糙度,进而增加粘附力。当然,在其它实施例中,无机膜层也可以由其它具有一定粗糙度的材料构成。
在一可替换实施例中,在第二柔性衬底上形成阻隔层之前,还可通过对第二炭化层远离载体基板一侧的表面进行粗化处理,增加炭化后的第二柔性衬底上表面的粗糙程度。
具体地,粗化处理可以通过机械或化学方法对第二柔性衬底的上表面进行处理,例如通过喷砂处理来粗化。
在一实施例中,阻隔层的材料为铟镓锌氧化物。铟镓锌氧化物对308nm波长的紫外光具有较强的吸收能力,能够有效吸收激光能量。阻隔层的厚度可以根据实际情况灵活进行设置,例如其厚度可以是300埃。另外,具体地,可以通过磁控溅射沉积形成在柔性衬底上的上述阻挡层。
在一实施例中,第一柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜),第二柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。
本发明实施例还提供了一种显示设备,该显示设备包括如上述实施例中所提及的任一所述的柔性显示面板。上述显示设备可以为手机、平板、电视机、显示器、掌上电脑、ipad、数码相机、导航仪等具有显示功能的产品或者部件。
综上所述,通过本发明在第一柔性衬底固化后,利用激光对第一柔性衬底的上表面进行炭化,在炭化后的第一柔性衬底上形成显示结构。由于激光炭化柔性衬底表面,碳元素的增加会对激光透射率有一定的阻隔作用,解决了现有技术中采用激光将柔性衬底与载体基板进行分离,激光能量会对薄膜晶体管的电学性能产生影响的问题,从而在降低了激光的透过性,避免了显示结构层受到激光的影响。
虽然结合附图描述了本发明的实施例,但是本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下作出各种修改和变型,这样的修改和变型均落入由所附权利要求所限定的范围之内。
Claims (13)
1.一种柔性显示面板,其特征在于,包括:
依次层叠设置的第一柔性衬底、第一炭化层、显示结构层,所述第一炭化层的激光透过率小于所述第一柔性衬底的激光透过率;
所述第一炭化层包括多个子炭化区域,相邻所述子炭化区域之间具有间隙,第一柔性衬底还填充于所述间隙中,所述显示结构层包括多个TFT器件,多个所述子炭化区域在所述显示结构层上的投影分别位于多个所述TFT器件区域内。
2.根据权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,还包括:
阻隔层,设置于所述第一炭化层靠近所述显示结构层一侧的表面,或者设置于所述第一柔性衬底远离所述显示结构层一侧的表面;
第二柔性衬底,设置于所述阻隔层远离所述第一柔性衬底的一侧。
3.根据权利要求2所述的柔性显示面板,其特征在于,还包括第二炭化层,设置于所述第二柔性衬底靠近所述显示结构层一侧的表面,所述第二炭化层的激光透过率小于所述第二柔性衬底的激光透过率。
4.根据权利要求3所述的柔性显示面板,其特征在于,还包括:无机膜层,设置于所述第一炭化层和所述阻隔层之间;或者,设置于所述第二炭化层和所述阻隔层之间。
5.根据权利要求3所述的柔性显示面板,其特征在于,
所述第一炭化层中碳元素质量含量为60%~80%;和/或,所述第二炭化层中碳元素质量含量为60%~80%。
6.根据权利要求3-5任一项所述的柔性显示面板,其特征在于,所述第二炭化层包括多个子炭化区域,第二炭化层的相邻所述子炭化区域之间具有间隙,所述第二柔性衬底填充于所述第二炭化层的相邻所述子炭化区域之间的间隙中。
7.一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在载体基板上形成第一柔性衬底;
在所述第一柔性衬底固化后,利用激光对所述第一柔性衬底远离所述载体基板一侧的表面进行炭化,形成第一炭化层;所述第一炭化层包括多个子炭化区域,相邻所述子炭化区域之间具有间隙,第一柔性衬底还填充于所述间隙中,显示结构层包括多个TFT器件,多个所述子炭化区域在所述显示结构层上的投影分别位于多个所述TFT器件区域内;
在所述第一炭化层上形成显示结构层;
利用激光对所述第一柔性衬底靠近所述载体基板一侧的表面进行炭化,使得所述第一柔性衬底与所述载体基板分离。
8.根据权利要求7所述的柔性显示面板的制备方法,其特征在于,形成第一炭化层之后,形成所述显示结构层之前,还包括:
在所述第一炭化层上形成阻隔层;
在所述阻隔层远离所述第一炭化层一侧形成第二柔性衬底;
形成所述显示结构层之后,所述显示结构层位于所述第二柔性衬底远离阻隔层的一侧。
9.根据权利要求8所述的柔性显示面板的制备方法,其特征在于,在所述阻隔层远离所述第一炭化层一侧形成第二柔性衬底之后,形成显示结构层之前,所述方法还包括:在所述第二柔性衬底固化之后,利用激光对所述第二柔性衬底远离所述载体基板一侧的表面进行炭化,形成第二炭化层。
10.根据权利要求9所述的柔性显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述第一炭化层上形成阻隔层之前,在所述第一炭化层上形成无机膜层;或者,
在所述第一炭化层上形成阻隔层之前,对所述第一炭化层远离所述载体基板一侧的表面进行粗化。
11.一种柔性显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在载体基板上形成第一柔性衬底;
在所述第一柔性衬底固化后,利用激光对所述第一柔性衬底远离所述载体基板一侧的表面进行炭化,形成第一炭化层;
利用激光对所述第一柔性衬底靠近所述载体基板一侧的表面进行炭化,使得所述第一柔性衬底与所述载体基板分离;
利用激光对所述第一柔性衬底靠近所述载体基板一侧的表面进行炭化,使得所述第一柔性衬底与所述载体基板分离之后,在所述载体基板上形成第二柔性衬底;
在所述第二柔性衬底远离载体基板的一侧形成阻隔层;
将剥离的所述第一柔性衬底粘附在所述阻隔层上;
在所述第一柔性衬底上形成显示结构层;
利用激光对所述第二柔性衬底靠近所述载体基板一侧的表面进行炭化,使得所述第二柔性衬底与所述载体基板分离。
12.根据权利要求11所述的柔性显示面板的制备方法,其特征在于,在所述载体基板上形成第二柔性衬底之后,形成阻隔层之前,所述方法还包括:在所述第二柔性衬底固化之后,利用激光对所述第二柔性衬底远离所述载体基板一侧的表面进行炭化,形成第二炭化层。
13.根据权利要求12所述的柔性显示面板的制备方法,其特征在于,
在所述第二柔性衬底上形成阻隔层之前,在所述第二炭化层上形成无机膜层;或者,
在所述第二柔性衬底上形成阻隔层之前,对所述第二炭化层远离所述载体基板一侧的表面进行粗化。
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