CN111129031A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括柔性基底层以及阵列基板层；其中，所述柔性基底层设有凹槽。所述显示面板的制备方法包括硬质基板提供步骤、柔性基底层制备步骤、阵列基板层制备步骤以及硬质基板剥离步骤。本发明的技术效果在于，增强显示面板的稳定性及可弯折性，降低柔性基底被剥离的风险，延长显示面板的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示器领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
近年来，随着显示技术的发展，采用柔性OLED基板的柔性显示技术由于其独特的性质，吸引众多业界投资者和消费者的目光，众多终端生产厂商均推出基于柔性OLED基板的全面屏产品，如三星S和Note系列，Iphone X，XS等，并加速研发可折叠式移动终端产品，以实现装载有大屏幕的终端产品的便携化和功能多样化。
OLED器件因其较传统LCD相比具有重量轻巧，广视角，响应时间快，耐低温，发光效率高等优点，因此在显示行业一直被视其为下一代新型显示技术，特别是OLED可以在柔性基板上做成能弯曲的柔性显示屏，这更是OLED显示面板的巨大优势。
现阶段，已实现量产的柔性OLED显示装置其基板均采用塑料基板，利用某些塑料的可形变特性，在此基础上构筑TFT器件，OLED，封装器件及相关的模组构件。现阶段，量产型柔性塑料基板采用的材料主要为聚酰亚胺，同时，相关从业者也在积极开发不同的基底材料以制作出性能更优异的柔性面板基底。
由于塑料基底存在水氧隔离能力不足的缺点，单一的塑料基板存在水氧侵蚀基板上部TFT和OLED器件的风险，行业内通常采用叠层结构克服这一缺点，即采用两层聚酰亚胺作为柔性基底，并且在双层聚酰亚胺中采用CVD形成一层致密的SiO2作为无机水氧阻挡层，如图1所示，现有的显示面板包括柔性基底层100及阵列基板层200，柔性基底层100包括第一基底110、阻隔层120及第二基底130。双层塑料基底可释放SiO2在弯折时的应力，SiO2则可克服水氧从基底侧对TFT和OLED器件的侵蚀。
但现有的量产型柔性OLED产品的柔性基底在长时间高温高湿情况下仍存在发生叠层基底peeling的风险，导致水汽从柔性基底侧入侵到EL层并使OLED材料失效，可折叠式柔性OLED产品由于其对基底存在20万+次弯折需求，此缺陷会更容易暴露，所以叠层柔性基底peeling风险是制约柔性OLED量产基板品质，影响可弯折OLED面板耐久性的一大阻碍。
发明内容
本发明的目的在于，解决现有的显示面板中柔性基底弯折时易被剥离的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：柔性基底层；以及阵列基板层，设于所述柔性基底层一侧的表面；其中，所述柔性基底层设有凹槽。
进一步地，所述柔性基底层包括：第一基底，所述凹槽设于所述第一基底层上；阻隔层，设于所述凹槽内，且延伸至所述第一基底的表面；以及第二基底，设于所述阻隔层远离所述第一基底一侧的表面。
进一步地，所述第一基底的厚度为1μm～30μm；和/或，所述阻隔层的厚度为0.1μm～5μm；和/或，所述第二基底的厚度为1μm～30μm。
进一步地，所述凹槽的深度为0.1μm～3μm；和/或，所述凹槽的宽度为1μm～1000μm。
进一步地，所述阻隔层的宽度大于所述第一基底的宽度；所述阻隔层的长度大于所述第一基底的长度。
进一步地，所述柔性基底层包括第三基底；所述凹槽设于所述第三基底的上表面；所述阵列基板层部分地设于所述凹槽内。
进一步地，所述凹槽顶部的内径小于所述凹槽底部的内径。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：硬质基板提供步骤，提供一硬质基板；柔性基底层制备步骤，在所述硬质基板的上表面制备出柔性基底层；阵列基板层制备步骤，在所述柔性基底层的上表面制备出阵列基板层；以及硬质基板剥离步骤，剥离所述硬质基板；其中，所述柔性基底层包括凹槽制备步骤。
进一步地，所述柔性基底层制备步骤包括以下步骤：第一基底制备步骤，在所述硬质基板的上表面制备出第一基底；凹槽制备步骤，在所述柔性基底层上制备出凹槽；阻隔层制备步骤，在所述凹槽内及所述第一基底的上表面制备出阻隔层；以及第二基底制备步骤，在所述阻隔层的上表面制备出第二基底。
进一步地，所述柔性基底层制备步骤还包括：第三基底层制备步骤，在所述硬质基板的上表面制备出第三基底层；以及凹槽制备步骤，在所述第三基底层的上表面制备出凹槽。
本发明的技术效果在于，柔性基底层与阵列基板层之间不易脱离，柔性基底层中的第一基底与阻隔层之间也不易脱离，提高显示面板的稳定性及可弯折性，进一步延长显示面板的使用寿命。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中显示面板的结构图；
图2为本发明实施例1所述显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例1所述柔性基底结构的结构示意图；
图4为本发明实施例1所述柔性基底结构的俯视图；
图5为本发明实施例1所述显示面板的制备方法的流程图；
图6为本发明实施例1所述柔性基底层的制备步骤的流程图；
图7本发明实施例2所述显示面板的结构示意图；
图8为本发明实施例2所述柔性基底结构的结构示意图；
图9为本发明实施例2所述柔性基底结构的俯视图；
图10为本发明实施例2另一种所述柔性基底结构的俯视图；
图11为本发明实施例2所述显示面板的制备方法的流程图。
部分组件标识如下：
100、柔性基底层；200、阵列基板层；
110、第一基底；120、阻隔层；130、第二基底；
1、柔性基底层；2、阵列基板层；3、阳极层；
10、硬质基板；
11、第一基底；12、凹槽；13、阻隔层；14、第二基底；15；第三基底；
21、缓冲层；22、有源层；23、第一栅极绝缘层；24、第一栅极层；25、第二栅极绝缘层；26、第二栅极层；27、介电层；28、源漏极层；29、平坦层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
实施例1
如图2所示，本实施例提供一种显示面板，包括柔性基底层1、阵列基板层2及阳极层3。
如图3～4所示，柔性基底层1包括：第一基底11、阻隔层13以及第二基底14。
第一基底11为柔性衬底层，第一基底11的材质包括聚对苯二甲酸类塑料(Polyethylene terephthalate，PET)或聚酰亚胺(Polyimide，PI)等高分子材料。第一基底11的厚度为1μm～30μm。
第一基底11上设有凹槽12，凹槽12的深度为0.1μm～3μm，凹槽12的宽度为1μm～1000μm。
阻隔层13设于凹槽12内，且延伸至第一基底11的上表面，起到阻隔水氧的作用。阻隔层13的厚度为0.1μm～5μm，阻隔层13的材质为二氧化硅(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等无机材料。
阻隔层13的在第一基底11上的正投影面积大于第一基底11的面积(参见图4)，即阻隔层13可完全覆盖第一基底11，阻隔层13的长度比第一基底11的长度长10mm，阻隔层13的宽度比第一基底11的宽度长10mm，使得阻隔层13可完全阻隔外界水氧对柔性基底层1的入侵。
第二基底14设于阻隔层13的上表面，且部分地设于凹槽12内，使得第一基底11与第二基底14相互咬合，防止在弯折过程中，第一基底11与第二基底14之间发生脱离状况，提高显示面板的稳定性及可弯折性。第二基底14的厚度为1μm～30μm。
第一基底11的厚度与第二基底14的厚度可设为相同厚度，在其他实施例中，第一基底11的厚度与第二基底14的厚度也可设为不同厚度，一般来说，背向弯折方向一侧的基底的厚度大一些，即第二基底14的厚度可大于第一基底11的厚度。
阵列基板层2设于柔性基底层1的上表面，用以实现控制电路的开关功能。阵列基板层2包括缓冲层21、有源层22、第一栅极绝缘层23、第一栅极层24、第二栅极绝缘层25、第二栅极成26、介电层27、源漏极层28及平坦层29。
缓冲层21设于第二基底14的上表面，缓冲层21起到缓冲作用，缓冲层21的材质为二氧化硅SiO2或者硅的氮化物SiNx，可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于顶层。
有源层22设于缓冲层21的上表面，有源层22包括半导体部及导体部，所述导体部设于所述半导体部的外侧，所述半导体部保持半导体特性。有源层22的材质为氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物IGZO，厚度为300A～500A。
第一栅极绝缘层23设于有源层22及缓冲层21的上表面，第一栅极绝缘层23可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于底层。第一栅极绝缘层23起到绝缘层作用，防止阵列基板层3内部发生短路问题。
第一栅极层24设于第一栅极绝缘层23的上表面，且与有源层22相对设置。第一栅极层24的材质为金属，如铜Cu或钼Mo。
第二栅极绝缘层25设于第一栅极绝缘层23及栅极层34的上表面，第二栅极绝缘层33可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于底层。第二栅极绝缘层25起到绝缘层作用，防止阵列基板层3内部发生短路问题。
第二栅极层26设于第二栅极绝缘层25的上表面，且与第一栅极层24相对设置。第二栅极层26的材质为金属，如铜Cu或钼Mo。
介电层27设于第二栅极绝缘层25的上表面，介电层27上设有两个以上介电层过孔，所述介电层过孔穿过介电层27，且与有源层22的导体部相对设置，所述介电层过孔用以为后续源漏极层提供通道。
源漏极层28设于所述介电层过孔内，且延伸至阻隔层37的上表面，源漏极层28连接至有源层22的导体部，形成源漏极层28与有源层22的电性连接。源漏极层28的材质为金属。
平坦层29设于源漏极层28及阻隔层37的上表面，平坦层29用以保证阵列基板层2的表面平整性，便于后续膜层的制备，避免出现因表面不平造成的膜层脱离的技术问题。
阳极层3设于平坦层29的上表面，且穿过平坦层29，电连接至源漏极层28，实现阳极层3与阵列基板层2的电路导通，为后续发光层发光提供电信号。
本实施例所述显示面板的技术效果在于，在第一基底上增加凹槽，使得第一基底与第二基底相互咬合设置，防止在弯折过程中，第一基底与第二基底之间发生相互脱离的状况，提高显示面板的稳定性及可弯折性，进一步延长显示面板的使用寿命。
如图5所示，本实施例化提供一种显示面板的制备方法，包括步骤S101～S105。
S101硬质基板提供步骤，提供一硬质基板，所述硬质基板可为玻璃基板，起到衬底作用，将所述硬质基板传入涂布机台，并进行真空吸附处理。
S102柔性基底层制备步骤，在所述硬质基板的上表面制备出柔性基底层。
如图6所示，所述柔性基底层制备步骤包括S112～S142。
S112第一基底制备步骤，在所述硬质基板的上表面涂布一层高分子材料，经紫外线固化处理后，所述硬质基板被传入高温炉内高温固化处理，形成第一基底层。所述高分子材料包括聚对苯二甲酸类塑料(Polyethylene terephthalate，PET)或聚酰亚胺(Polyimide，PI)等。所述第一基底的厚度为1μm～30μm，在本实施例中，所述第一基底的厚度为10μm。
S122凹槽制备步骤，采用激光，在所述第一基底的上表面刻蚀出沟道，可通过调节激光的焦距及图案大小控制所述沟道的深度及宽度，所述沟道的深度为0.1μm～3μm，所述沟道的宽度为1μm～1000μm，在本实施例中，所述沟道的深度为3μm，所述沟道的宽度为50μm。清洗所述硬质基板，将刻蚀产生的碳粉洗净并烘干，形成凹槽。
S132阻隔层制备步骤，将所述硬质基板传送至化学气相沉积(CVD)机台内部，在所述凹槽内及所述第一基底的上表面沉积一层无机材料，所述无机材料包括二氧化硅(SiO2)、硅的氮化物(SiNx)或氮氧化硅(SiON)等，形成阻隔层，所述阻隔层的厚度为0.1μm～5μm，在本实施例中，所述阻隔层的厚度为0.5μm，所述阻隔层用以阻隔外界水氧。
S142第二基底制备步骤，将所述硬质基板重新传送至涂布机台内部，在所述阻隔层的上表面涂布一层高分子材料，调节分散液喷淋和涂布速度，可将构筑第二基底的分散液铺满所述阻隔层的表面，使得所述分散液完全填充入所述第一基底的沟道中，经紫外线固化处理后，所述硬质基板被传入高温炉内高温固化处理，形成第二基底层。所述高分子材料包括聚对苯二甲酸类塑料(Polyethylene terephthalate，PET)或聚酰亚胺(Polyimide，PI)等。所述第二基底的厚度为1μm～30μm，在本实施例中，所述第二基底的厚度为10μm。
S103阵列基板层制备步骤，在所述第二基底层的上表面制备出阵列基板层，在所述阵列基板层制备步骤中，需要依次制备出缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、介电层、源漏极层及平坦层。具体的制备过程在这不作具体阐述，与现有的阵列基板层的制备方法相同。
S104阳极层制备步骤，在所述阵列基板层的上表面制备出阳极层，使得所述阳极层与所述阵列基板层之间形成电路导通。
S105硬质基板剥离步骤，可采用激光剥离或机械剥离的方式剥离所述硬质基板，完成显示面板的完整制备。
本实施例所述显示面板的制备方法的技术效果在于，在柔性基底层中的第一基底上制备凹槽，使得所述第一基底与其上方的第二基底形成相互咬合的形状，使得所述第一基底与所述第二基底在弯折时不易相互脱离，有效提高了显示面板的稳定性及可弯折性，进一步延长显示面板的使用寿命。
实施例2
如图7所示，本实施例提供一种显示面板，包括柔性基底层1、阵列基板层2及阳极层3。
如图9所示，柔性基底层1为柔性衬底层，柔性基底层1的材质包括聚对苯二甲酸类塑料(Polyethylene terephthalate，PET)或聚酰亚胺(Polyimide，PI)等高分子材料。柔性基底层1的厚度为1μm～80μm。
柔性基底层1包括第三基底层15，第三基底层15上设有凹槽12，凹槽12的内径从上往下逐渐增大，及凹槽12顶部的内径小于凹槽12底部的内径，凹槽12的截面形状可为梯形、弧形等形状，在平面方向上，凹槽12的形状可为圆形、矩形、菱形等，各个凹槽12可整齐阵列排布(参见图9)，也可交错排布(参见图10)。
阵列基板层2设于柔性基底层1的上表面，用以实现控制电路的开关功能。阵列基板层2部分地设于凹槽21内，使得阵列基板层2与柔性基底层1相互咬合设置，可防止在弯折过程中，阵列基板层2与柔性基底层1之间发生脱离状况，提高显示面板的稳定性及可弯折性。
阵列基板层2包括缓冲层21、有源层22、第一栅极绝缘层23、第一栅极层24、第二栅极绝缘层25、第二栅极成26、介电层27、源漏极层28及平坦层29。
缓冲层21设于第二基底14的上表面，缓冲层21起到缓冲作用，缓冲层21的材质为二氧化硅SiO2或者硅的氮化物SiNx，可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于顶层。
有源层22设于缓冲层21的上表面，有源层22包括半导体部及导体部，所述导体部设于所述半导体部的外侧，所述半导体部保持半导体特性。有源层22的材质为氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物IGZO，厚度为300A～500A。
第一栅极绝缘层23设于有源层22及缓冲层21的上表面，第一栅极绝缘层23可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于底层。第一栅极绝缘层23起到绝缘层作用，防止阵列基板层3内部发生短路问题。
第一栅极层24设于第一栅极绝缘层23的上表面，且与有源层22相对设置。第一栅极层24的材质为金属，如铜Cu或钼Mo。
第二栅极绝缘层25设于第一栅极绝缘层23及栅极层34的上表面，第二栅极绝缘层33可为单层SiO2膜层或者二氧化硅SiO2、硅的氮化物SiNx的多层堆叠，且二氧化硅SiO2膜层设于底层。第二栅极绝缘层25起到绝缘层作用，防止阵列基板层3内部发生短路问题。
第二栅极层26设于第二栅极绝缘层25的上表面，且与第一栅极层24相对设置。第二栅极层26的材质为金属，如铜Cu或钼Mo。
介电层27设于第二栅极绝缘层25的上表面，介电层27上设有两个以上介电层过孔，所述介电层过孔穿过介电层27，且与有源层22的导体部相对设置，所述介电层过孔用以为后续源漏极层提供通道。
源漏极层28设于所述介电层过孔内，且延伸至阻隔层37的上表面，源漏极层28连接至有源层22的导体部，形成源漏极层28与有源层22的电性连接。源漏极层28的材质为金属。
平坦层29设于源漏极层28及阻隔层37的上表面，平坦层29用以保证阵列基板层2的表面平整性，便于后续膜层的制备，避免出现因表面不平造成的膜层脱离的技术问题。
阳极层3设于平坦层29的上表面，且穿过平坦层29，电连接至源漏极层28，实现阳极层3与阵列基板层2的电路导通，为后续发光层发光提供电信号。
本实施例所述显示面板的技术效果在于，在柔性基底层上增加凹槽，使得柔性基底层与阵列基板层相互咬合设置，防止在弯折过程中，柔性基底层与阵列基板层之间发生相互脱离的状况，提高显示面板的稳定性及可弯折性，进一步延长显示面板的使用寿命。
如图11所示，本实施例化提供一种显示面板的制备方法，包括步骤S201～S206。
S201硬质基板提供步骤，提供一硬质基板，所述硬质基板可为玻璃基板，起到衬底作用，将所述硬质基板传入涂布机台，并进行真空吸附处理。
S202柔性基底层制备步骤，所述柔性基底层制备步骤包括第三基底层制备步骤以及凹槽制备步骤。所述柔性基底层的厚度为1μm～80μm。
在所述第三基底层制备步骤中，在所述硬质基板的上表面涂布一层高分子材料，经紫外线固化处理后，所述硬质基板被传入高温炉内高温固化处理，形成第三基底层。所述高分子材料包括聚对苯二甲酸类塑料(Polyethylene terephthalate，PET)或聚酰亚胺(Polyimide，PI)等。
在所述凹槽制备步骤中，采用激光，在所述第三基底层的上表面刻蚀出沟道，可通过调节激光的焦距及图案大小控制所述沟道的深度及宽度，在本实施例中，所述沟道的深度为0.1μm～3μm，所述沟道的宽度为1μm～1000μm。清洗所述硬质基板，将刻蚀产生的碳粉洗净并烘干，形成凹槽。
S203阵列基板层制备步骤，在所述柔性基底层的上表面制备出阵列基板层，在所述阵列基板层制备步骤中，需要依次制备出缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、介电层、源漏极层及平坦层。具体的制备过程在这不作具体阐述，与现有的阵列基板层的制备方法相同。
S204阳极层制备步骤，在所述阵列基板层的上表面制备出阳极层，使得所述阳极层与所述阵列基板层之间形成电路导通。
S205硬质基板剥离步骤，可采用激光剥离或机械剥离的方式剥离所述硬质基板，完成显示面板的完整制备。
本实施例所述显示面板的制备方法的技术效果在于，在柔性基底层上制备凹槽，使得柔性基底层与阵列基板层相互咬合设置，防止在弯折过程中，柔性基底层与阵列基板层之间发生相互脱离的状况，提高显示面板的稳定性及可弯折性，进一步延长显示面板的使用寿命。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
柔性基底层；以及
阵列基板层，设于所述柔性基底层一侧的表面；
其中，所述柔性基底层设有凹槽。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，：
所述柔性基底层包括：
第一基底，所述凹槽设于所述第一基底层上；
阻隔层，设于所述凹槽内，且延伸至所述第一基底的表面；以及
第二基底，设于所述阻隔层远离所述第一基底一侧的表面。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述第一基底的厚度为1μm～30μm；和/或，
所述阻隔层的厚度为0.1μm～5μm；和/或，
所述第二基底的厚度为1μm～30μm。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述凹槽的深度为0.1μm～3μm；和/或，
所述凹槽的宽度为1μm～1000μm。
5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述阻隔层的宽度大于所述第一基底的宽度；
所述阻隔层的长度大于所述第一基底的长度。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述柔性基底层包括第三基底；
所述凹槽设于所述第三基底的上表面；
所述阵列基板层部分地设于所述凹槽内。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述凹槽顶部的内径小于所述凹槽底部的内径。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
硬质基板提供步骤，提供一硬质基板；
柔性基底层制备步骤，在所述硬质基板的上表面制备出柔性基底层；
阵列基板层制备步骤，在所述柔性基底层的上表面制备出阵列基板层；以及
硬质基板剥离步骤，剥离所述硬质基板；
其中，所述柔性基底层包括凹槽制备步骤。
9.如权利要求8所述的柔性基底结构的制备方法，其特征在于，
所述柔性基底层制备步骤包括以下步骤：
第一基底制备步骤，在所述硬质基板的上表面制备出第一基底；
凹槽制备步骤，在所述第一基底上制备出凹槽；
阻隔层制备步骤，在所述凹槽内及所述第一基底的上表面制备出阻隔层；以及
第二基底制备步骤，在所述阻隔层的上表面制备出第二基底。
10.如权利要求8所述的柔性基底结构的制备方法，其特征在于，
所述柔性基底层制备包括：
第三基底层制备步骤，在所述硬质基板的上表面制备出第三基底层；以及
凹槽制备步骤，在所述第三基底层的上表面制备出凹槽。
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