CN107681060A - 一种柔性基板及柔性oled器件 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 219
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 64
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 13
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
- H01L21/7813—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate leaving a reusable substrate, e.g. epitaxial lift off
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性基板和柔性OLED器件，该柔性基板包括：第一有机层；第一无机层，设置于第一有机层上；非晶硅和/或多晶硅层，设置于第一无机层上；第二有机层，设置于所述非晶硅和/或多晶硅层上。通过上述方式，本发明能够减小制作过程中对柔性OLED器件中的薄膜晶体管背板中的半导体层的影响，保证薄膜晶体管背板的电性正常，提升产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性基板及柔性OLED器件。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light Emission Display，简称OLED)器件因具有较多的优点，例如：具有制作成本低、全固态、主动发光、亮度高、对比度高、低电压直流驱动、低功耗、视角宽、响应速度快、厚度薄、工作温度范围宽、可实现柔性显示等众多特点，从而获得了越来越多研究者的关注和研究，也正逐渐成为显示技术领域的新宠。
OLED器件一般采用柔性基板，请参阅图1，传统的OLED器件100制作过程中，通常在玻璃基板110上形成柔性基板120，柔性基板120的两个聚酰亚胺层121、122之间夹设氧化硅层123，以增强柔性基板120的可弯折性，接着在柔性基板120背离玻璃基板110的表面依次制作薄膜晶体管背板130、阳极140、像素界定层150以及发光层160，待封装完成后，采用激光剥离技术将柔性基板120从玻璃基板110的表面剥离，即完成了OLED器件100的制作。
本申请的发明人在长期的研发过程中，发现传统OLED器件的制作方法中，用激光剥离技术将柔性基板从玻璃基板上剥离下来时激光照射产生的能量过大，对聚酰亚胺层和薄膜晶体管中的半导体层会造成损坏，从而使得薄膜晶体管的电性异常，影响产品的良率。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种柔性基板及柔性OLED器件，能够减小制作过程中对柔性OLED器件中的薄膜晶体管中半导体层的影响，保证薄膜晶体管的电性正常，提升产品良率。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种柔性基板，包括：
第一有机层；
第一无机层，设置于第一有机层上；
非晶硅和/或多晶硅层，设置于第一无机层上；
第二有机层，设置于所述非晶硅和/或多晶硅层上。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种柔性OLED器件，包括：
柔性基板，所述柔性基板包括：
第一有机层；
第一无机层，设置于第一有机层上；
非晶硅和/或多晶硅层，设置于第一无机层上；
第二有机层，设置于所述非晶硅和/或多晶硅层上；
薄膜晶体管背板，设置于所述第二有机层上；
图案化的第一电极层，间隔设置于所述薄膜晶体管背板上；
像素界定层，间隔设置于所述薄膜晶体管背板上，且位于所述第一电极层在所述薄膜晶体管背板上的间隔区域内，所述像素界定层的高度大于所述第一电极层的高度；
发光层，设置于所述第一电极层上，且位于所述像素界定层与所述第一电极层所界定的区域内。
本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明提供一种柔性基板，包括：第一有机层；第一无机层，设置于第一有机层上；非晶硅和/或多晶硅层，设置于第一无机层上；第二有机层，设置于所述非晶硅和/或多晶硅层上。通过设置一非晶硅和/或多晶硅层，使得柔性基板应用至柔性OLED器件时，非晶硅和/或多晶硅层中的非晶硅材料能够消耗激光照射时产生的大量能量，从而减小激光照射对柔性OLED器件中的薄膜晶体管中半导体层造成的不良影响，保证薄膜晶体管的电性正常，提升产品的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是现有柔性OLED器件一实施方式的结构示意图；
图2是本发明柔性基板一实施方式的结构示意图；
图3是本发明柔性OLED器件一实施方式的结构示意图；
图4是本发明柔性OLED器件另一实施方式的结构示意图；
图5是本发明柔性OLED器件一实施方式的制作流程示意图；
图6是本发明柔性OLED器件制作过程中采用激光剥离技术时的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参阅图2，图2是本实施方式中柔性基板200的结构示意图。本实施方式提供的柔性基板200包括依次设置的第一有机层210、第一无机层220、非晶硅和/或多晶硅层230、第二无机层240以及第二有机层250。
第一有机层210及第二有机层250的材料为聚酰亚胺，厚度范围均是6-10微米，例如7微米、8微米、9微米等。
第一无机层220设置于第一有机层210上，第一无机层220为氧化硅层，第一无机层220的厚度范围是400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
可以理解，第一无机层220用于隔开非晶硅和/或多晶硅层230与第一有机层210。
非晶硅和/或多晶硅层230的材料为非晶硅和/或多晶硅。具体的，非晶硅和/或多晶硅层230可以为非晶硅层、多晶硅层或非晶硅与多晶硅的混合层，其中，非晶硅与多晶硅的混合层可以理解为非晶硅层中掺杂有多晶硅材料或多晶硅层中掺杂有非晶硅材料。
当柔性基板200保留着玻璃基板而作为中间产品时，柔性基板200包括非晶硅层，其材料为非晶硅，当柔性基板200去掉玻璃基板而作为中间产品时，柔性基板200包括多晶硅层，其材料为多晶硅，或者，柔性基板200包括非晶硅和多晶硅层，其为非晶硅和多晶硅的混合层。例如：当通过激光照射的方式去掉玻璃基板时，非晶硅可能全部转换为多晶硅，也可能不全部转换为多晶硅。
其中，多晶硅层是非晶硅材料经激光诱导结晶形成的，非晶硅和/或多晶硅层230的厚度范围是400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
可以理解，柔性基板200应用至柔性OLED器件时，在制作柔性OLED器件过程中，需使用激光照射，激光照射时会产生能量，使得非晶硅材料结晶形成多晶硅，如此，能消耗激光照射时产生的大量能量，从而减小激光照射对柔性OLED器件中的薄膜晶体管中的半导体层造成不良影响，保证薄膜晶体管的电性正常，提升产品的良率。
可以理解，当非晶硅和/或多晶硅层230为非晶硅层时，柔性基板200还包括玻璃基板，设置于第一有机层210背离第一无机层220的表面。
第二无机层240可以为氧化硅层或氧化硅与氮化硅的复合层，其设置于非晶硅和/或多晶硅层230上，第二无机层240的厚度范围是400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
可以理解，柔性基板200应用至柔性OLED器件时，在制作柔性OLED器件过程中，需使用激光照射，会产生能量，第二无机层240作为无机材料，能够吸收能量，将激光照射时所产生的能量进一步消耗掉，从而减小激光照射对柔性OLED器件中的薄膜晶体管的半导体层造成不良影响。
第二有机层250设置于第二无机层240上。
区别于现有技术，本实施方式提供一种柔性基板200，包括：第一有机层210；第一无机层220，设置于第一有机层210上；非晶硅和/或多晶硅层230，设置于第一无机层220上；第二有机层240，设置于非晶硅和/或多晶硅层230上。通过设置一非晶硅和/或多晶硅层230，使得柔性基板200应用至柔性OLED器件时，非晶硅和/或多晶硅层230中的非晶硅材料能够消耗激光照射时产生的大量能量，从而减小激光照射对柔性OLED器件中的薄膜晶体管中的半导体层造成不良影响，保证薄膜晶体管的电性正常，提升产品的良率。
请参阅图3，本发明还提供一实施方式的柔性OLED器件300，该柔性OLED器件300包括柔性基板310、薄膜晶体管背板320、图案化的第一电极层330、像素界定层340以及发光层350。
其中，柔性基板310包括依次设置的第一有机层311、第一无机层312、非晶硅和/或多晶硅层313、第二无机层314以及第二有机层315。
第一有机层311和第二有机层315的材料均为聚酰亚胺，厚度范围均是6-10微米，例如7微米、8微米、9微米等。
第一无机层312设置于第一有机层311上，第一无机层312为氧化硅层，其厚度范围是400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
可以理解，第一无机层312用于隔开非晶硅和/或多晶硅层313与第一有机层311。
非晶硅和/或多晶硅层313的材料为非晶硅和/或多晶硅。具体的，非晶硅和/或多晶硅层313可以为非晶硅层、多晶硅层或非晶硅与多晶硅的混合层，其中，非晶硅与多晶硅的混合层可以理解为非晶硅层中掺杂有多晶硅材料或多晶硅层中掺杂有非晶硅材料。
当柔性基板310保留着玻璃基板而使柔性OLED器件300作为半产品时，柔性基板310包括非晶硅层，其材料为非晶硅，当柔性基板310去掉玻璃基板而使柔性OLED器件300作为成品时，柔性基板310包括多晶硅层，其材料为多晶硅，或者，柔性基板310包括非晶硅和多晶硅层，其为非晶硅和多晶硅的混合层。例如：当通过激光照射的方式去掉玻璃基板时，非晶硅可能全部转换为多晶硅，也可能不全部转换为多晶硅。
在另一实施方式中，请参阅图4，柔性OLED器件300还包括玻璃基板360，柔性基板310包括非晶硅层，其材料为非晶硅。
其中，多晶硅层是非晶硅材料经激光诱导结晶形成的，非晶硅和/或多晶硅层313的厚度范围是400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
可以理解，在制作柔性OLED器件300过程中，需使用激光照射，激光照射时会产生能量，使得非晶硅材料结晶形成多晶硅，如此，能消耗激光照射时产生的大量能量，减小激光照射对柔性OLED器件300中的薄膜晶体管中的半导体层造成不良影响，保证薄膜晶体管的电性正常，提升产品的良率。
第二无机层314设置于非晶硅和/或多晶硅层313上，第二无机层314可以为氧化硅层或氧化硅与氮化硅的复合层，第二无机层314的厚度范围是400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
可以理解，在制作柔性OLED器件300过程中，需使用激光照射，会产生能量，第二无机层314作为无机材料，能够吸收能量，从而将激光照射时所产生的能量进一步消耗掉，从而减小激光照射对柔性OLED器件300中的薄膜晶体管中的半导体层造成不良影响。
第二有机层315设置于第二无机层314上。
薄膜晶体管背板320设置于第二有机层315上。
可以理解，薄膜晶体管背板320包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括半导体层，其中半导体层为多晶硅材料制成。
图案化的第一电极层330间隔设置于薄膜晶体管背板320上。
第一电极层330为多层复合薄膜，多层复合薄膜包括表层的掺锡氧化铟ITO膜、夹层的银Ag膜和底层的ITO膜，其中掺锡氧化铟ITO膜的厚度范围为10-20纳米，例如12纳米、15纳米、17纳米等，银Ag膜的厚度范围为100-200纳米，例如120纳米、150纳米、170纳米等。
在本实施方式中，第一电极层330为阳极。
像素界定层340间隔设置于薄膜晶体管背板320上，且位于第一电极层330在薄膜晶体管背板上的间隔区域内，像素界定层340的高度大于第一电极层330的高度。
像素界定层340的材料为聚酰亚胺，其厚度范围为1-2微米，例如1.2微米、1.5微米、1.7微米等。
发光层350设置于第一电极层330上，且位于像素界定层340与第一电极层330所界定的区域内。
发光层350的材料为本领域技术中的通用有机发光材料，在此不做限定。
区别于现有技术，本实施方式提供的柔性OLED器件300包括：柔性基板310，柔性基板310包括：第一有机层311；第一无机层312，设置于第一有机层311上；非晶硅和/或多晶硅层313，设置于第一无机层312上；第二有机层315，设置于非晶硅和/或多晶硅层313上；膜晶体管背板320，设置于第二有机层315上；图案化的第一电极层330，间隔设置于薄膜晶体管背板320上；像素界定层340，间隔设置于薄膜晶体管背板320上，且位于第一电极层330在薄膜晶体管背板320上的间隔区域内，像素界定层340的高度大于第一电极层330的高度；发光层350，设置于第一电极层330上，且位于像素界定层340与第一电极层330所界定的区域内。柔性OLED器件300中的柔性基板310通过设置一非晶硅和/或多晶硅层313，在柔性OLED器件300制作过程中，采用激光照射时，非晶硅和/或多晶硅层313中的非晶硅材料能够消耗激光照射时产生的大量能量，从而减小激光照射对柔性OLED器件300中的薄膜晶体管中的半导体层造成不良影响，保证薄膜晶体管的电性正常，提升产品的良率。
请参阅图5，图5为本实施方式柔性OLED器件的制作方法流程示意图。本发明还提供上述柔性OLED器件300一实施方式的制作方法，包括如下步骤：
101)在玻璃基板360的表面涂覆聚酰亚胺，经退火处理形成第一有机层311。
其中，进行退火处理的温度为400-450度，例如415度、425度、440度等，退火时间为0.5-1h，例如0.65h、0.8h、0.9h等，第一有机层311的厚度范围是6-10微米，例如7微米、8微米、9微米等。
102)通过化学气相沉淀在第一有机层311沉积第一无机层312。
其中，第一无机层312的厚度范围是400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
103)通过化学气相沉淀在第一无机层312上形成非晶硅层。
其中，非晶硅层的厚度范围为400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
104)通过化学气相沉淀在非晶硅层上沉积第二无机层314。
其中，第二无机层314可以为氧化硅层、氮化硅层或氧化硅与氮化硅的复合层，第二无机层314的厚度范围是400-600纳米，例如450纳米、500纳米、550纳米等。
105)在第二无机层314涂覆聚酰亚胺，退火形成第二有机层315。
其中，进行退火处理的温度为400-450度，例如415度、425度、440度等，退火时间为0.5-1h，例如0.65h、0.8h、0.9h等，第二有机层315的厚度范围是6-10微米，例如7微米、8微米、9微米等。
106)在第二有机层315上制作薄膜晶体管背板320。
107)通过物理气相沉淀在薄膜晶体管背板320上形成第一电极层330，并对第一电极层330进行图案化处理，使其间隔设置于薄膜晶体管背板320上。
其中，第一电极层330为多层复合薄膜，多层复合薄膜包括表层的掺锡氧化铟ITO膜、夹层的银Ag膜和底层的ITO膜，其中掺锡氧化铟ITO膜的厚度范围为10-20纳米，例如12纳米、15纳米、17纳米等，银Ag膜的厚度范围为100-200纳米，例如120纳米、150纳米、170纳米等。
108)通过黄光工艺在薄膜晶体管背板320形成像素界定层340。
其中，像素界定层340位于第一电极层330在薄膜晶体管背板上的间隔区域内，像素界定层340的高度大于第一电极层330的高度。
像素界定层340的材料为聚酰亚胺，其厚度范围为1-2微米，例如1.2微米、1.5微米、1.7微米等。
109)通过蒸镀的方式在第一电极层330上形成发光层350并封装，其中发光层350位于像素界定层340与第一电极层330所界定的区域内。
110)请结合参阅图6，通过激光剥离技术将第一有机层311从玻璃基板360上脱离，制成柔性OLED器件300。
可以理解，激光剥离技术是采用308nm的激光照射玻璃基板360背离第一有机层311的表面，使得第一有机层311与玻璃基板之间分离。
本实施方式提供的柔性OLED器件300的制作方法中，激光剥离技术时所产生的能量传导至非晶硅层时，其中大部分能量使得非晶硅层中的部分或全部非晶硅材料结晶形成多晶硅，从而形成非晶硅和/或多晶硅层313，能有效减少激光照射时产生的能量传导至薄膜晶体管中的半导体层；进一步的，因第二无机层314能够吸收能量，具有保温的作用，可以进一步减少激光照射时产生的能量传导至薄膜晶体管中的半导体层，保证薄膜晶体管的导电性，提升产品的良率。
上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种柔性基板，其特征在于，包括：
第一有机层；
第一无机层，设置于所述第一有机层上；
非晶硅和/或多晶硅层，设置于所述第一无机层上；
第二有机层，设置于所述非晶硅和/或多晶硅层上。
2.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述柔性基板还包括：
第二无机层，设置于所述非晶硅和/或多晶硅层和所述第二有机层之间。
3.根据权利要求2所述的柔性基板，其特征在于，所述第二无机层为氧化硅层或氧化硅与氮化硅的复合层，所述第二无机层的厚度范围是400-600纳米。
4.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，
所述第一无机层的厚度范围是400-600纳米，所述第一有机层和所述第二有机层的厚度范围是6-10微米，所述非晶硅和/或多晶硅层的厚度范围是400-600纳米。
5.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述第一有机层和所述第一有机层的材料为聚酰亚胺。
6.一种柔性OLED器件，其特征在于，包括：
柔性基板，所述柔性基板包括：
第一有机层；
第一无机层，设置于所述第一有机层上；
非晶硅和/或多晶硅层，设置于所述第一无机层上；
第二有机层，设置于所述非晶硅和/或多晶硅层上；
薄膜晶体管背板，设置于所述第二有机层上；
图案化的第一电极层，间隔设置于所述薄膜晶体管背板上；
像素界定层，间隔设置于所述薄膜晶体管背板上，且位于所述第一电极层在所述薄膜晶体管背板上的间隔区域内，所述像素界定层的高度大于所述第一电极层的高度；
发光层，设置于所述第一电极层上，且位于所述像素界定层与所述第一电极层所界定的区域内。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述柔性基板还包括：
第二无机层，设置于所述非晶硅和/或多晶硅层和所述第二有机层之间。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第二无机层为氧化硅层或氧化硅与氮化硅的复合层，所述第二无机层的厚度范围是400-600纳米。
9.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一无机层的厚度范围是400-600纳米，所述第一有机层和所述第二有机层的厚度范围是6-10微米，所述非晶硅和/或多晶硅层的厚度范围是400-600纳米。
10.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一有机层和所述第一有机层的材料为聚酰亚胺，所述第一电极层为多层复合薄膜，所述多层复合薄膜包括表层的掺锡氧化铟ITO膜、夹层的银Ag膜和底层的ITO膜；所述像素界定层的材料为聚酰亚胺。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710870119.8A Pending CN107681060A (zh) | 2017-09-19 | 2017-09-19 | 一种柔性基板及柔性oled器件 |
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| CN (1) | CN107681060A (zh) |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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