CN110911455A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板和显示装置。本发明中，在显示面板的第一柔性基底和多晶硅有源层之间设置非晶硅吸光层，由于非晶硅的禁带宽度与多晶硅的禁带宽度近似，通过设置非晶硅吸光层对面板显示自发光和经过反射的外界光进行有效吸收，减少了进入多晶硅有源层内光量，从而防止多晶硅有源层产生光生电子‑空穴对导致的漏电问题，提高画面显示效果稳定性，如在灰阶显示时有利于显示正常。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
光学指纹识别AMOLED(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置主要包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板和AMOLED的各功能层。其中，对于TFT阵列基板，根据有源层的材料的不同，阵列基板可分为非晶硅(amorphous-Silicon)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)、高温多晶硅(High Temperature Poly-Silicon，简称HTPS)、氧化物等多种类型。其中，低温多晶硅阵列基板相对于其它类型的阵列基板具有电子迁移速率更快、薄膜电路面积更小、显示分辨率更高等优点，是目前领域内研究的热点。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：多晶硅有源层受到光照射容易产生阈值电压漂移，使TFT阵列基板的阈值电压发生漂移，导致灰阶显示不正常，画面显示效果下降。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板和显示装置，使得多晶硅有源层受光的影响降低，提高画面显示效果稳定性。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板，包括：堆叠设置的第一柔性基底以及第二柔性基底；多晶硅有源层，所述多晶硅有源层位于所述第二柔性基底远离所述第一柔性基底的一侧；非晶硅吸光层，所述非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底与所述多晶硅有源层之间，所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影与所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影至少部分重合。
相应地，本发明的实施方式还提供了一种显示装置，所述显示装置包含上述实施方式中的显示面板。
另外，与所述多晶硅有源层正对的所述非晶硅吸光层，与所述多晶硅有源层的厚度之差的绝对值与所述多晶硅有源层的厚度的比值小于或等于30％。通过合理设置非晶硅吸光层的厚度，使得非晶硅吸光层的光吸收量达到预期。
另外，与所述多晶硅有源层正对的所述非晶硅吸光层，与所述多晶硅有源层的厚度相同。通过设置非晶硅吸光层的厚度与多晶硅有源层的厚度相同，使得非晶硅吸光层的光吸收效果最佳。
另外，所述非晶硅吸光层位于所述第二柔性基底上的正投影面积小于所述第二柔性基底朝向所述多晶硅有源层一侧的表面面积。通过图形化设置非晶硅吸光层，既能保证非晶硅吸光层的光吸收量达到预期，又有利于设置非晶硅吸光层时进行应力匹配。
另外，所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影位于所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影内。通过使多晶硅有源层在第二柔性基底上的正投影位于非晶硅吸光层在第二柔性基底上的正投影内，既能保证非晶硅吸光层的光吸收量达到预期，又减少了非晶硅吸光层的制作成本。
另外，所述非晶硅吸光层包括第一非晶硅吸光层，所述第一非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底朝向所述第二柔性基底一侧。提供了一种非晶硅吸光层的设置位置。
另外，所述显示面板还包括缓冲层，所述显示面板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一柔性基底和所述第二柔性基底之间；优选地，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层位于所述第二柔性基底和所述非晶硅吸光层之间，所述第二缓冲层位于所述第一柔性基底和所述非晶硅吸光层之间。通过在非晶硅吸光层与第二柔性基底之间设置缓冲层，改善非晶硅吸光层与第二柔性基底的应力匹配，提升了显示面板结构的稳定性。
另外，所述非晶硅吸光层包括第二非晶硅吸光层，所述第二非晶硅吸光层位于所述第二柔性基底朝向所述多晶硅有源层一侧。提供了一种非晶硅吸光层的设置位置。
另外，所述显示面板还包括第三缓冲层，所述第三缓冲层位于所述第二非晶硅层与所述第二柔性基底之间。通过在第二非晶硅吸光层与多晶硅有源层之间设置第三缓冲层，改善非晶硅吸光层与多晶硅有源层的应力匹配，提升了显示面板结构的稳定性。
与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：
上述技术方案中，在显示面板的第一柔性基底和多晶硅有源层之间设置非晶硅吸光层，由于非晶硅的禁带宽度与多晶硅的禁带宽度近似，通过设置非晶硅吸光层对面板显示自发光和经过反射的外界光进行有效吸收，减少了进入多晶硅有源层内光量，从而防止多晶硅有源层产生光生电子-空穴对导致的漏电问题，提高画面显示效果稳定性，如在灰阶显示时有利于显示正常。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本发明第一实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图2为本发明第二实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图3为本发明第三实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图4为本发明第四实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
分析发现，在低温多晶硅TFT显示面板中，多晶硅有源层受到光照射容易产生阈值电压漂移，影响显示面板的显示效果。举例来说，对于具有AMOLED显示装置而言，外界光和经过(阴极金属层和源/漏极金属层的)多次发射的显示装置自发光会照射至晶体管的多晶硅有源层上，多晶硅有源层中的价带电子和禁带缺陷能级中捕获的电子能够轻易吸收能量跃迁至导带，产生光生电子-空穴对，使晶体管的阈值电压发生漂移，导致灰阶显示不正常，画面显示效果下降。
为此，本发明实施例提供一种显示面板，包括：堆叠设置的第一柔性基底以及第二柔性基底；多晶硅有源层，所述多晶硅有源层位于所述第二柔性基底远离所述第一柔性基底的一侧；非晶硅吸光层，所述非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底与所述多晶硅有源层之间，所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影与所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影至少部分重合。本发明有利于降低照射光对多晶硅有源层的影响，从而提高画面显示效果的稳定性。
为使本发明实施例的目的、技术方案以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本发明第一实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。
参考图1，本实施例中显示面板包括：堆叠设置的第一柔性基底11以及第二柔性基底12；多晶硅有源层13，多晶硅有源层13位于第二柔性基底12远离第一柔性基底11的表面上；非晶硅吸光层14，非晶硅吸光层14位于第一柔性基底11朝向多晶硅有源层13的一侧，非晶硅吸光层14在第二柔性基底12上的正投影与多晶硅有源层13在第二柔性基底12上的正投影至少部分重合，第二柔性基底12位于非晶硅吸光层14远离第一柔性基底11一侧的表面以及第一柔性基底11朝向第二柔性基底12一侧的部分表面，且第二柔性基底12覆盖非晶硅吸光层14的侧壁。
以下将结合附图对本发明实施例提供的显示面板进行详细说明。
在本实施例中，第一柔性基底11和第二柔性基底12对多晶硅有源层13提供支撑和保护作用。
显示面板中具有晶体管，且本实施例中，晶体管为低温多晶硅TFT(薄膜晶体管)。多晶硅有源层13，多晶硅有源层13作为晶体管的导电沟道，其材料具体为多晶硅(p型硅，poly-Silicon)。多晶硅的禁带宽度Ep为1.21eV，理论上，多晶硅会对波长小于L1(
其中c为光速、h为普朗克常数)的入射光进行吸收。
在本实施例中，非晶硅吸光层14的材料为非晶硅(a型硅，amorphous-Silicon)，非晶硅的禁带宽度Ea随制备条件的不同约为1.5-2.0eV，其禁带宽度可以通过调整非晶硅的氢含量进行调整，理论上，非晶硅会对波长小于L2 
的入射光进行吸收。
在本实施例中，由于将非晶硅吸光层14设置于多晶硅有源层13下方的第一柔性基底11和第二柔性基底12之间，并且对于多晶硅有源层13会进行吸收的波长范围内的光，非晶硅吸光层14也能够进行吸收(L1和L2非常接近)，因此，非晶硅吸光层14能够对于多晶硅有源层13下方的入射光进行有效吸收，减少了多晶硅有源层13对入射光的吸收量，从而防止多晶硅有源层13因为吸收入射光产生光生电子-空穴对导致晶体管漏电问题。
本实施例中，与多晶硅有源层13正对的非晶硅吸光层14，即多晶硅有源层13与非晶硅吸光层14在第二柔性基底12上重合部分所对应的非晶硅吸光层14，与多晶硅有源层13的厚度之差的绝对值与多晶硅有源层13的厚度的比值小于或等于预设阈值。如果上述比值过大，相应地，非晶硅吸光层14与多晶硅有源层13的厚度差值较大，如非晶硅吸光层14的厚度大于多晶硅有源层13的厚度，此时非晶硅吸光层14厚度较厚，因此非晶硅吸光层14易带来应力匹配问题，不利于显示面板的结构稳定性，且存在散热问题；如果上述比值过大，如多晶硅有源层13的厚度大于非晶硅吸光层14的厚度时，此时非晶硅吸光层14太薄，非晶硅吸光层14对入射光的吸收能力有限。因此，本实施例中，与多晶硅有源层13正对的非晶硅吸光层14与多晶硅有源层13的厚度之差的绝对值与多晶硅有源层13的厚度的比值小于或等于30％，如此，可以在便于进行非晶硅吸光层14的应力匹配的同时保证非晶硅吸光层14的光吸收量达到预期。举例来说，上述比值可以为0、5％、10％、20％。
在一实施例中，多晶硅有源层13的厚度具体为
至
与多晶硅有源层13正对的非晶硅吸光层14，与多晶硅有源层13的厚度之差的绝对值与多晶硅有源层13的厚度的比值小于或等于30％。举例来说，若多晶硅有源层13的厚度具体为
则非晶硅吸光层14的厚度应大于等于
且不超过
在一实施例中，与多晶硅有源层13正对的非晶硅吸光层14的厚度与多晶硅有源层13的厚度相同，此时非晶硅吸光层14的吸光效果较佳且便于进行非晶硅吸光层14的设置。
在本实施例中，非晶硅吸光层14在第一柔性基底11上的正投影面积小于第一柔性基底11朝向非晶硅吸光层14的表面面积，也就是说，非晶硅吸光层14设置于第一柔性基底11的部分表面。要使非晶硅吸光层14吸收可能会从多晶硅有源层13下方的入射光线，可以通过图形化设置非晶硅吸光层14，使得非晶硅吸光层14尽可能地挡住会照射到多晶硅有源层13的光线并对光线进行吸收，故不需要使非晶硅吸光层14铺满第一柔性基底11，这样，通过图形化设置非晶硅吸光层14，既能保证非晶硅吸光层14的光吸收量达到预期，又有利于设置非晶硅吸光层14时进行应力匹配。
需要说明的是，其他实施例中，非晶硅吸光层14可以位于第一柔性基底11的整个表面。
在本实施例中，多晶硅有源层13在第二柔性基底12上的正投影位于非晶硅有源层115在第二柔性基底12上的正投影内。只要使多晶硅有源层13在第二柔性基底12上的正投影位于非晶硅有源层115在第二柔性基底12上的正投影内，就能保证可能会穿过第二柔性基底12照射到多晶硅有源层13的大部分光线被非晶硅吸光层14吸收掉，这样，通过使多晶硅有源层13在第二柔性基底12的正投影位于非晶硅吸光层14的正投影内，保证非晶硅吸光层14的光吸收量的同时节省了非晶硅吸光层14的制作成本。
本实施例中，在显示面板的多晶硅有源层13和第一柔性基底11之间设置一层非晶硅吸光层14，由于非晶硅的禁带宽度与多晶硅的禁带宽度近似，通过设置非晶硅吸光层14对外界光和经过反射的自发光进行有效吸收，使得多晶硅有源层13对光的吸收量减少，从而防止多晶硅有源层13产生光生电子-空穴对导致的漏电问题，提高画面显示效果稳定性，如在灰阶显示时有利于显示正常。
本发明第二实施例提供了一种显示面板，与第一实施例不同的是，本实施例中，显示面板还包括缓冲层，缓冲层位于非晶硅吸光层和第二柔性基底之间。以下将结合附图进行详细说明，需要说明的是，与前述实施例相同或相应的特征，可参考第一实施例的相应说明，以下不做赘述。
图2为本发明第二实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。
参考图2，本实施例中显示面板包括：堆叠设置的第一柔性基底21以及第二柔性基底22；多晶硅有源层23，多晶硅有源层23位于第二柔性基底22远离第一柔性基底21的表面上；非晶硅吸光层24，非晶硅吸光层24位于第一柔性基底21朝向多晶硅有源层23的一侧，非晶硅吸光层24在第二柔性基底22上的正投影与多晶硅有源层23在第二柔性基底22上的正投影至少部分重合；缓冲层25，缓冲层25位于非晶硅吸光层24远离第一柔性基底21一侧的表面以及第一柔性基底21朝向第二柔性基底22一侧的部分表面，且缓冲层25覆盖非晶硅吸光层24的侧壁。
在本实施例中，缓冲层25主要用于改善非晶硅吸光层24与第二柔性基底25之间的应力匹配。在非晶硅吸光层24与第二柔性基底22之间设置缓冲层25，相对于将非晶硅吸光层24与第二柔性基底22直接相接触而言，有利于改善非晶硅吸光层24与第二柔性基底22之间的进行应力匹配，有利于提升显示面板的稳定性。
需要说明的是，本实施例中，缓冲层25除位于非晶硅吸光层24朝向多晶硅有源层23的表面外，还覆盖非晶硅吸光层24的侧壁表面，还位于第二柔性基底22远离多晶硅有源层23的表面外，即缓冲层25为整面覆盖的连续膜层。
本实施例中，缓冲层25的材料为氮化硅和氧化硅。在其他实施例中，缓冲层25的材料还可以为氧化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种。
本实施例中，非晶硅吸光层24即为第一非晶硅吸光层24，即第一非晶硅吸光层24位于第一柔性基底21朝向第二柔性基底22一侧。
本实施例中相对于上一实施例而言，在显示面板的非晶硅吸光层24与第二柔性基底22之间设置了缓冲层25，由于改善了非晶硅吸光层24与第二柔性基底22之间的应力匹配，提升了显示面板结构的稳定性。
本发明第三实施例提供了一种显示面板，与前一实施例不同的是，本实施例中，显示面板中缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，第一缓冲层位于第二柔性基底和非晶硅吸光层之间，第二缓冲层位于第一柔性基底和非晶硅吸光层之间。以下将结合附图进行详细说明，需要说明的是，与前述实施例相同或相应的特征，可参考前述实施例的相应说明，以下不做赘述。
图3为本发明第三实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。
参考图3，本实施例中显示面板包括：堆叠设置的第一柔性基底31以及第二柔性基底32；多晶硅有源层33，多晶硅有源层33位于第二柔性基底32远离第一柔性基底31的表面上；第一缓冲层35，第一缓冲层35位于第二柔性基底32朝向第一柔性基底31一侧的表面上；第二缓冲层36，第二缓冲层36位于第一柔性基底31朝向第二柔性基底32一侧的表面上；非晶硅吸光层34，非晶硅吸光层34位于第二缓冲层36远离第一柔性基底31的一侧，第一缓冲层35位于非晶硅吸光层34远离第二缓冲层36一侧的表面以及第二缓冲层36远离第一柔性基底31的部分表面，且第一缓冲层35覆盖非晶硅吸光层34的侧壁，非晶硅吸光层34在第二柔性基底32上的正投影与多晶硅有源层33在第二柔性基底32上的正投影至少部分重合。
在本实施例中，第一缓冲层35的作用与第二实施例中的缓冲层作用相同，在此不作赘述。
在本实施例中，第二缓冲层36主要用于改善非晶硅吸光层34与第一柔性基底31之间的应力匹配。在非晶硅吸光层34与第一柔性基底31之间设置第二缓冲层36，相对于将非晶硅吸光层34与第一柔性基底31直接相接触而言，有利于改善非晶硅吸光层34与第一柔性基底31之间的进行应力匹配，有利于提升显示面板的稳定性。
需要说明的是，本实施例中，第二缓冲层36除位于非晶硅吸光层34朝向多晶硅有源层33的表面外，还覆盖非晶硅吸光层34的侧壁表面，还位于第一柔性基底31朝向多晶硅有源层33的表面，即第二缓冲层36为整面覆盖的连续膜层。
本实施例中，第二缓冲层36的材料为氮化硅和氧化硅。在其他实施例中，第二缓冲层36的材料还可以为氧化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种。
本实施例中相对于上一实施例而言，在显示面板的非晶硅吸光层34与第一柔性基底31之间设置了第二缓冲层36，由于改善了非晶硅吸光层34与第一柔性基底31之间的应力匹配，提升了显示面板结构的稳定性。
本发明第四实施例提供了一种显示面板，与前一实施例不同的是，本实施例中，显示面板中缓冲层还包括第二非晶硅吸光层和第三缓冲层，第二非晶硅吸光层位于第二柔性基底朝向多晶硅有源层一侧的表面，第三缓冲层位于第二非晶硅吸光层和多晶硅有源层之间。以下将结合附图进行详细说明，需要说明的是，与前述实施例相同或相应的特征，可参考前述实施例的相应说明，以下不做赘述。
图4为本发明第四实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。
参考图4，本实施例中显示面板包括：堆叠设置的第一柔性基底41以及第二柔性基底42；多晶硅有源层43，多晶硅有源层43位于第二柔性基底42远离第一柔性基底41的表面上；第一缓冲层45，第一缓冲层45位于第二柔性基底42朝向第一柔性基底41一侧的表面上；第二缓冲层46，第二缓冲层46位于第一柔性基底41朝向第二柔性基底42一侧的表面上；第一非晶硅吸光层44，第一非晶硅吸光层44位于第二缓冲层46远离第一柔性基底41的一侧，第一缓冲层45位于非晶硅吸光层34远离第二缓冲层46一侧的表面以及第二缓冲层46远离第一柔性基底41的部分表面，且第一缓冲层45覆盖第一非晶硅吸光层44的侧壁，第一非晶硅吸光层44在第二柔性基底42上的正投影与多晶硅有源层43在第二柔性基底42上的正投影至少部分重合；第二非晶硅吸光层47，第二非晶硅吸光层47位于第二柔性基底42朝向多晶硅有源层43一侧的表面上，第二非晶硅吸光层47在第二柔性基底42上的正投影与多晶硅有源层43在第二柔性基底42上的正投影至少部分重合；第三缓冲层48，第三缓冲层48位于第二非晶硅吸光层47远离第二柔性基底42一侧的表面以及第二柔性基底42远离第一柔性基底41的部分表面，第三缓冲层48覆盖第二非晶硅吸光层47的侧壁。
在本实施例中，在第二柔性基底42朝向多晶硅有源层43一侧的表面设置了第二非晶硅吸光层47，第二非晶硅吸光层47的作用与第一非晶硅吸光层44的作用类似。具体地，用于吸收经过反射且未被第一非晶硅吸光层44吸收的多晶硅有源层43上方的入射光线。
需要说明的是，第一非晶硅吸光层44和第二非晶硅吸光层47的厚度之和与多晶硅有源层43的厚度差的绝对值与多晶硅有源层43的厚度的比值小于30％。这样，通过分层设置非晶硅吸光层，在非晶硅层厚度不变的情况下，提升了非晶硅吸光层的总面积，从而提升了非晶硅吸光层的吸光效果。此外，厚度更薄的非晶硅吸光层更容易进行应力匹配，使用双层非晶硅吸光层相对于使用厚度与双层非晶硅吸光层相同的单层非晶硅吸光层，提升了显示面板结构的稳定性。
在本实施例中，第二非晶硅吸光层47在第二柔性基底41上的正投影面积小于第二柔性基底41朝向第二非晶硅吸光层47的表面面积，也就是说，第二非晶硅吸光层47设置于第二柔性基底41的部分表面。要使第二非晶硅吸光层47吸收可能会照射到多晶硅有源层43的光线，可以通过图形化设置第二非晶硅吸光层47，使得第二非晶硅吸光层47尽可能地挡住会照射到多晶硅有源层43的光线并对光线进行吸收，故不需要使第二非晶硅吸光层47铺满第二柔性基底41，这样，通过图形化设置第二非晶硅吸光层47，既能保证第二非晶硅吸光层47的光吸收量达到预期，又有利于设置第二非晶硅吸光层47时进行应力匹配。
需要说明的是，其他实施例中，第二非晶硅吸光层47可以位于第二柔性基底41的整个表面。
在本实施例中，多晶硅有源层43在第二柔性基底42上的正投影位于非晶硅有源层415在第二柔性基底42上的正投影内。只要使多晶硅有源层43在第二柔性基底42上的正投影位于非晶硅有源层415在第二柔性基底42上的正投影内，就能保证可能会穿过第二柔性基底42照射到多晶硅有源层43的大部分光线被第二非晶硅吸光层47吸收掉，这样，通过使多晶硅有源层43在第二柔性基底42的正投影位于第二非晶硅吸光层47的正投影内，保证第二非晶硅吸光层47的光吸收量的同时节省了第二非晶硅吸光层47的制作成本。
在本实施例中，第三缓冲层48主要用于改善第二非晶硅吸光层47与多晶硅有源层43之间的应力匹配。在第二非晶硅吸光层47与多晶硅有源层43之间设置第三缓冲层48，相对于将第二非晶硅吸光层47与多晶硅有源层43直接相接触而言，有利于改善非晶硅吸光层47与多晶硅有源层43之间的进行应力匹配，有利于提升显示面板的稳定性。
需要说明的是，本实施例中，第三缓冲层48除位于非晶硅吸光层44朝向多晶硅有源层43的表面外，还覆盖非晶硅吸光层44的侧壁表面，还位于第二柔性基底42朝向多晶硅有源层43的表面，即第三缓冲层48为整面覆盖的连续膜层。
本实施例中，第三缓冲层48的材料为氮化硅和氧化硅。在其他实施例中，第三缓冲层48的材料还可以为氧化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种。
本实施例中相对于上一实施例而言，在显示面板的第二柔性基底42朝向多晶硅有源层43一侧的表面设置了第二非晶硅吸光层47，在第二非晶硅吸光层47和多晶硅有源层43之间设置了第三缓冲层48，通过设置双层非晶硅吸光层，提升了非晶硅吸光层的表面积，进而提升了非晶硅吸光层的吸光效果，减少了光线对多晶硅有源层43的影响，从而提升画面显示效果稳定性。
本发明的第五实施例提供了一种显示装置，其包括本文前述实施例中的显示面板。合适的显示装置的示例包括但不限于电子纸、移动电话、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相册、GPS等。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
堆叠设置的第一柔性基底以及第二柔性基底；
多晶硅有源层，所述多晶硅有源层位于所述第二柔性基底远离所述第一柔性基底的一侧；
非晶硅吸光层，所述非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底与所述多晶硅有源层之间，所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影与所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，与所述多晶硅有源层正对的所述非晶硅吸光层，与所述多晶硅有源层的厚度之差的绝对值与所述多晶硅有源层的厚度的比值小于或等于30％。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，与所述多晶硅有源层正对的所述非晶硅吸光层，与所述多晶硅有源层的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底上的正投影面积小于所述第一柔性基底朝向所述多晶硅有源层一侧的表面面积。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多晶硅有源层在所述第二柔性基底上的正投影位于所述非晶硅吸光层在所述第二柔性基底上的正投影内。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非晶硅吸光层包括第一非晶硅吸光层，所述第一非晶硅吸光层位于所述第一柔性基底朝向所述第二柔性基底一侧。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一柔性基底和所述第二柔性基底之间；优选地，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层位于所述第二柔性基底和所述非晶硅吸光层之间，所述第二缓冲层位于所述第一柔性基底和所述非晶硅吸光层之间。
8.根据权利要求1或6所述的显示面板，其特征在于，所述非晶硅吸光层包括第二非晶硅吸光层，所述第二非晶硅吸光层位于所述第二柔性基底朝向所述多晶硅有源层一侧。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第三缓冲层，所述第三缓冲层位于所述第二非晶硅层与所述第二柔性基底之间。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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