TWI635893B - 用於氫氣分離之膜組件及包含其之燃料處理器與燃料電池系統 - Google Patents

用於氫氣分離之膜組件及包含其之燃料處理器與燃料電池系統 Download PDF

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Abstract

本文中揭示用於氫氣分離的膜組件以及包括彼之燃料處理器及燃料電池系統。該膜組件包括複數個膜部件。每個膜部件包括第一氫氣選擇性膜、第二氫氣選擇性膜及位於第一氫氣選擇性膜與第二氫氣選擇性膜之間的流體可滲透的支撐結構。在一些具體實例中，膜組件亦包括滲透側框架構件及混合氣體側框架構件，且該滲透側框架構件之厚度可小於該混合氣體側框架構件之厚度。在一些具體實例中，該支撐結構包括篩狀結構，該篩狀結構包括兩個細篩網。該兩個細篩網可包括平織細篩網及/或荷蘭編織細篩網。該等細篩網可經選擇以在該等氫氣選擇性膜中提供至多100微米的起伏。

Description

用於氫氣分離之膜組件及包含其之燃料處理器與燃料電池系統
本揭示內容係關於用於氫氣分離的膜組件及關於用於包括膜組件的燃料處理器與燃料電池系統。
經純化之氫氣用於製造許多產品，包括金屬、食用脂肪及油以及半導體及微電子。經純化之氫氣亦是許多節能裝置的重要燃料源。例如，燃料電池使用經純化之氫氣及氧化劑來產生電流。可以使用各種方法及裝置來產生氫氣。然而，許多氫氣生產方法產生不純的氫氣流，其亦可被稱為重整流及/或含有氫氣及其它氣體的混合氣流。在將此種不純的氫氣流輸送至燃料電池堆疊或其它消耗氫氣之裝置之前，該混合氣流可以被淨化，例如去除至少一部分該等其它氣體。
可以使用分離組合件以促進該純化，該等分離組合件可以包括及/或可以在本文中被稱為分離區域、氫氣純化器及/或氫氣分離組合件，此種分離組合件可以包括安置在膜組件內的一或多個氫氣選擇性膜。該等氫氣選擇性膜可對氫氣是可滲透的，但是對該等其它氣體是不可滲透的或至少基本上不可滲透的。此種氫氣選擇性膜在本文中亦可以被稱為膜。
該分離組合件可以經配置以使該混合氣流流過該等氫氣選擇性膜之第一(或混合氣體)之面或側，並且該氫氣可以通過該等氫氣選擇性膜擴散至該等氫氣選擇性膜之第二(或滲透物)之面或側。然後可以從該等氫氣選擇性膜之滲透物側收集經純化之氫氣。並未通過該等氫氣選擇性膜擴散之該混合氣流的一部分(其包括大部分之該等其它氣體)可以作為副產物流從該分離組合件排出。
氫氣選擇性膜通常由貴金屬形成，該等貴金屬諸如鈀、鈀合金及/或鈀-銅(Pd-Cu)合金，且獲得此等貴金屬成本高。此外，通過氫氣選擇性膜之氫氣的擴散速率可與該等氫氣選擇膜的厚度或該氫氣必須通過擴散的距離成比例。因此，可能需要減小該等氫氣選擇性膜的厚度及/或使用極薄的氫氣選擇性膜，關於習知的氫氣選擇性膜通常具有15-25微米的厚度。
使用較薄的氫氣選擇性膜增加對於氫氣選擇性膜給定壓力差及對於氫氣選擇性膜之混合氣體面上的固定濃度的氫氣可被分離的氫氣體積。此，反之，允許為了從使用氫氣選擇性膜的分離組合件獲得氫氣之期望的、目標的或經設計的流量或體積所需的氫氣選擇性膜之總面積減少。因此，較薄的膜減少了為了從分離組合件獲得期望的氫氣流量所需的貴金屬之總質量或體積，從而降低了分離組合件的整體成本。
儘管存在厚度小於15微米的Pd-Cu氫氣選擇性膜，但是由於膜的脆性，將之摻入基於膜之氫分離組合件中係一挑戰。此困難可能係由於可能對該薄膜造成不可逆的機械損傷，其可能由在使用該分離組合件及/或熱循環期間支撐該膜的膜支撐物件造成，及/或由在該分離組合件中 之零組件的機械裝載造成。已經使用各種膜支撐物件來支撐該等氫氣分離裝置中的較薄膜，但是它們已被證明是成本高昂的及/或難以實現的。因此，需要改進用於氫氣分離的膜組件。
本文中揭示用於氫氣分離的膜組件及包括彼等的燃料處理器與燃料電池系統。該等膜組件包括複數個膜部件，其可以是或包括膜部件之堆疊，且其可以彼此相鄰地設置。每個膜部件包括第一氫氣選擇性膜、第二氫氣選擇性膜及位於第一氫氣選擇性膜與第二氫氣選擇性膜之間的流體可滲透之支撐結構。
在一些具體實例中，該等膜組件亦包括至少一個滲透側框架構件及至少一個混合氣體側框架構件。該滲透側框架構件的厚度可以小於該混合氣體側框架構件的厚度。
在一些具體實例中，該支撐結構包括篩狀結構，該篩狀結構包括兩個細篩網。該兩個細篩網可以包括平織細篩網(plain weave fine mesh screen)及/或荷蘭編織細篩網(Dutch weave fine mesh screen)。該等細篩網可以經選擇以在該第一氫氣選擇性膜內及亦在該第二氫氣選擇性膜內提供至多100微米的起伏。
9‧‧‧能量消耗及生產裝置
10‧‧‧燃料電池系統
11‧‧‧燃料處理系統
12‧‧‧燃料處理器
14‧‧‧產物氫氣流
16‧‧‧進料流
15‧‧‧氧化劑
17‧‧‧進料流輸送系統
18‧‧‧原料
19‧‧‧供應
20‧‧‧水
21‧‧‧泵
22‧‧‧燃料電池堆疊
23‧‧‧端板
24‧‧‧燃料電池
25‧‧‧耗能裝置
26‧‧‧閥組合件(assembly)
27‧‧‧電流
30‧‧‧蒸汽重整器
32‧‧‧氫氣生產區域
34‧‧‧蒸汽重整催化劑
36‧‧‧重整產物流
38‧‧‧氫氣純化器
40‧‧‧副產物流
42‧‧‧富氫流
43‧‧‧提純(polish)區域
44‧‧‧膜組件
45‧‧‧甲烷化催化劑
46‧‧‧氫氣選擇性膜
461‧‧‧第一氫氣選擇性膜
462‧‧‧第二氫氣選擇性膜
48‧‧‧混合氣體面
481‧‧‧第一混合氣體面
482‧‧‧第二混合氣體面
484‧‧‧混合氣體區域
62‧‧‧氫氣氣體
63‧‧‧其他氣體
64‧‧‧支撐結構
65‧‧‧堆疊
66‧‧‧膜部件
67‧‧‧膜區域/表面
68‧‧‧滲透面
681‧‧‧第一滲透面
682‧‧‧第二滲透面
684‧‧‧(68之)中心區域
686‧‧‧周邊區域
69‧‧‧收集管道
70‧‧‧篩狀結構
71‧‧‧表面
73‧‧‧篩狀構件
74‧‧‧粗篩網
76‧‧‧細篩網
78‧‧‧緯紗線
88‧‧‧滲透側框架構件
881‧‧‧第一滲透側框架構件
882‧‧‧第二滲透側框架構件
89‧‧‧混合氣體側框架構件
891‧‧‧第一混合氣體側框架構件
892‧‧‧第二混合氣體側框架構件
90‧‧‧滲透框架
91‧‧‧滲透板組合件
96‧‧‧順應性墊片
100‧‧‧進料板組合件
102‧‧‧進料板
104‧‧‧中心區域
105‧‧‧開口
106‧‧‧供應區域
108‧‧‧排氣區域
110‧‧‧供應歧管
112‧‧‧排氣歧管
114‧‧‧供應通道
116‧‧‧排氣通道
118‧‧‧進料框架
119‧‧‧開放體積
120‧‧‧外部進料板
122‧‧‧進料板墊片
140‧‧‧端板
1401‧‧‧第一端板
1402‧‧‧第二端板
142‧‧‧圓柱形外殼
144‧‧‧供應管
146‧‧‧封閉容積
148‧‧‧排氣管
150‧‧‧順應性墊片
152‧‧‧順應性墊片
154‧‧‧順應性墊片
250‧‧‧阻塞墊片
260‧‧‧最後一個通道
484‧‧‧開放體積(混合氣體區域)
圖1是描述含有根據本揭示內容之燃料處理器及氫氣純化器的燃料電池系統之示例的示意圖。
圖2是適用於圖1之燃料電池系統的燃料處理器之示例的示意圖。
圖3是描述包括根據本揭示內容之包括氫氣純化器的燃料處理器的淨化區域之示例的示意圖。
圖4是描述用於根據本揭示內容之氫氣純化器之膜部件之示例的局部側視圖。
圖5是描述根據本揭示內容之膜部件之示例的示意圖。
圖6是描述根據本揭示內容之包括支撐結構之膜部件之示例的分解等距視圖，該支撐結構包括複數個篩狀構件。
圖7是描述根據本揭示內容之被使用於氫氣純化器中之膜部件之示例的分解等距視圖。
圖8是描述根據本揭示內容之用於氫氣純化器之膜部件之實例的等距視圖。
圖9是描述根據本揭示內容之氫氣純化器之膜部件之另一示例的等距視圖。
圖10是描述根據本揭示內容之被使用於氫氣純化器中之膜部件之另一示例的分解等距視圖。
圖11是通過包括根據本揭示內容之氫氣選擇性薄膜之示意性膜部件的局部橫截面圖。
圖12是根據本揭示內容之氫氣純化器的分解等距視圖，該氫氣純化器包括氫氣選擇性薄膜及順應性墊片(compliance gasket)。
圖13是根據本揭示內容之氫氣純化器的橫截面圖，該氫氣純化器具有薄膜及阻塞墊片。
圖14顯示圖13之橫截面圖的細節。
圖1-14提供了根據本發明之氫氣純化器38的膜組件44及/或包括及/或利用膜組件44之燃料處理器12，及/或包括及/或利用膜組件44之燃料電池系統10的示例。用於相似或至少實質上相似之目的的元件(element)在各個圖1-14中以相同的數字標註，且參考各個圖1-14，此等元件在本文中不再贅述。類似地，所有元件可能不被標記在各個圖1-14中，但是可以在本文中使用與之相關聯的參考符號來保持一致。參考圖1-14中一或多者在本文中被討論的元件、零組件(component)及/或特徵可以包括及/或用於圖1-14中任一者而不脫離本揭示內容之範圍。通常，可能被包括在特定具體實例中的元件以實線表示，而視情況的元件則以虛線表示。然而，以實線表示之元件可能並非是必需的，且在一些具體實例中可以被省略而不脫離本揭示之範圍。
圖1描述可以包括及/或利用根據本揭示內容之膜組件44的燃料電池系統10的示例。燃料電池系統10在本文中也可以被稱為系統10，且包括至少一個燃料處理器12及至少一個燃料電池堆疊22。燃料處理器12經配置以生產含有來自含有原料18之進料流16之氫氣的產物氫氣流14。該燃料電池堆疊經配置以自輸送至其的產物氫氣流14之一部分生產電流27及氧化劑(例如氧氣)15。
燃料處理器12經配置通過任何一些合適之氫氣生產機制以生產氫氣。合適之氫氣生產機制之示例包括蒸汽重整及自熱重整，其中使用重整催化劑以從包括原料18及水20之進料流16生產氫氣。在此配置中，原料18亦可在本文中被稱為，或者可以係含碳原料18。其它合適之氫氣生 產機制包括熱解及催化部分氧化含碳原料18，在此情況下，該進料流不包括水。
合適之含碳原料的示例包括至少一種烴或醇。合適之烴的示例包括甲烷、丙烷、天然氣、柴油、煤油及汽油等。合適之醇的示例包括甲醇、乙醇及多元醇，諸如乙二醇，及/或丙二醇。
進料流16可以通過一或多個進料流被輸送至燃料處理器12。當含碳原料18可與水混溶，該原料可以與進料流16之水20一同輸送，諸如圖1所示。當含碳原料18是與水不混溶的或僅略微混溶，此等組分典型地以或在分別或不同的進料流被輸送至燃料處理器12，如圖1中以虛線表示。當使用分別的進料流時，其可以在燃料處理器內組合。在進一步的示例中，含碳原料及水可以被蒸發並作為單一的進料流被輸送。
圖1中的進料流16被顯示係藉由進料流輸送系統17被輸送至燃料處理器12。進料流輸送系統17在本文中亦可被稱為輸送系統17，且可包括一或多個泵21。當存在泵21時，其可以從供應19輸送進料流16之組分。輸送系統17另外地或可替代地可包括閥組合件(valve assembly)26，其經配置以調節來自至少一個加壓供應19之進料流16的組分流。加壓供應19可以位於燃料電池系統10的外部，及/或可以被包含在該燃料電池系統內或相鄰於該燃料電池系統。
燃料處理器12包括氫氣生產區域32及包括膜組件44之氫氣純化器38。如在本文中更詳細討論的，氫氣生產區域生產含有氫氣及其它氣體的富氫流42。氫氣純化器38接收至少部分的富氫料流，其亦可被稱為混合氣體流42，且藉由使用膜組件44，生產含有純的或實質上純的氫氣 之產物氫氣流14。氫氣純化器38亦生產副產物流40，其含有(若非所有的或幾乎所有的)至少一個實質部分之其它氣體。此等其它氣體之示例包括二氧化碳、一氧化碳、未反應的原料及甲烷。該副產物流亦可以包括氫氣，但其較在產物氫氣流14中的純度及濃度低。
燃料電池堆疊22含有至少一個，且通常多個燃料電池24，其經配置以生產來自輸送至其的產物氫氣流14之一部分的電流27及氧化劑15(例如氧氣)。燃料電池堆疊22典型地包括多個燃料電池單元24，其於共同端板23之間接合在一起，其可包括流體輸送/移除管道。合適之燃料電池的示例包括質子交換膜(PEM)燃料電池及鹼性燃料電池。燃料電池堆疊22可接收所有的產物氫氣流14。一些或全部產物氫氣流14另外地或可替代地可以經由合適的管道被輸送以用於另一個耗氫過程、被燃燒用於燃料或熱及/或被存儲以備後用。
藉由燃料電池堆疊22產生此電流可以被用於滿足耗能裝置25之能源需求或施加負載，耗能裝置25之說明性示例包括機動車、休閒車、船、工具、光或照明組合件、電器(如家用或其它電器)、住宅、建築物、信號設備、通訊設備等。包括或以其它方式與耗能裝置25連接之燃料電池系統10可以被稱為能量消耗及生產裝置9。氫氣純化器38可以在不脫離本揭示內容之範圍的情況下被使用以從除了燃料處理器12以外的來源生產純化之氫氣，諸如含有氫氣及混合氣體的儲存氣體或來自工業或商業過程的不純氫氣流。氫氣純化器38及/或燃料處理器12亦可與燃料電池堆疊分開來使用，諸如生產用於儲存或用於其他耗氫裝置或過程之產物氫氣流14。當使用獨立的燃料電池堆疊22，燃料處理器12及氫氣純化器38可以被稱 為燃料處理系統11。
如所討論的，合適之燃料處理器12的一示例係蒸汽重整器。合適之蒸汽重整器的示例被顯示於圖2中且如30所示。蒸汽重整器30亦可在本文中被稱為重整器30，並包括重整或氫氣生產區域32，其包括蒸汽重整催化劑34。可替代地，重整器30可以是自熱重整器，其包括自熱重整催化劑。在重整區域32，重整產物流36從水及含碳原料形成之進料流16生產。該重整產物流亦可在本文中被稱為混合氣體流36及通常含有氫氣和雜質或其它氣體。該重整產物流通常被輸送至氫氣純化器38。當被使用作燃料處理器12的零組件，氫氣純化器38可以在本文中被稱為純化區域38、分離區域38及/或分離組合件38。如所討論的，氫氣純化器38經配置以接收重整產物流36及以生產及/或產生富氫流42及一或多個其副產物流40，該富氫流亦可在本文中被稱為產物氫氣流42及/或純化氫氣流42。
氫氣純化器38可使用任何合適之壓力驅動的分離過程。在圖2中，富氫流42被描述為形成產物氫氣流14，其可以被提供給燃料電池堆疊，如本文中參考圖1所討論的。在本揭示內容中，氫氣純化器38包括膜組件44，其包括一或多個氫氣選擇性膜46。
使用一或多個氫氣選擇性膜之氫氣純化係壓力驅動的分離過程，其中該一或多個氫氣選擇性膜被包含在壓力容器中。該混合氣流接觸該(等)膜之混合氣體的表面，且該產物氫氣流由滲透通過該(等)膜之混合氣流的至少一部分形成，該副產物流由滲透通過該(等)膜之混合氣流的至少一部分形成。該壓力容器典型地經密封以防止氣體進入或離開該壓力容器，除非通過經界定之入口及出口端口，或通過管道。
氫氣純化器38及/或其膜組件44可經配置以生產純的，或至少實質上純的氫氣。如本文所用，實質上純的氫氣氣體可以是大於90%純的、大於95%純的、大於99%純的、大於99.5%純的及/或大於99.9%純的。
在某些情況下，可能期望以進一步純化或提純(polish)富氫流42以生產及/或生成產物氫氣流14。在此等例子且如在圖2中用虛線所示，燃料處理器12進一步可以包括提純區域43。當存在提純區域43時，自氫氣純化器38接收富氫流42且進一步藉由減少或刪除在其中經選擇之成分的濃度，從而生產產物氫氣流14。
例如，當意圖使富氫流42用於燃料電池堆疊時，諸如圖1之燃料電池堆疊22，可能會損壞該燃料電池堆疊之組成物，諸如一氧化碳及二氧化碳，若必要的話可從該富氫流中被移除。一氧化碳的濃度可以小於10ppm(百萬分之幾)以防止控制系統分離燃料電池堆疊，諸如以防止損壞該燃料電池堆疊及/或防止催化劑中毒，該催化劑是存在於該燃料電池堆疊內。例如，該系統可以將一氧化碳之濃度限制至小於5ppm，或甚至小於1ppm。二氧化碳之濃度可以大於一氧化碳之濃度，例如，二氧化碳之濃度小於25%可能是可接受的。例如，二氧化碳之濃度可以小於10%，或甚至小於1%。二氧化碳之濃度可以小於50ppm。應理解本文提出之濃度是說明性示例，且可以使用不同於本文提出之其他濃度，且係在本揭示內容之範圍之內。例如，特定使用者或製造商可能需要不同於本文所認定之最小或最大濃度之程度或範圍。
提純區域43可以包括用於去除或減少在富氫流42中經選擇 之組成物之濃度的任何合適的結構。例如，當意圖使該產物流被用於質子交換膜(PEM)燃料電池堆疊或若該流含有高於經確定之一氧化碳或二氧化碳之濃度而將會被損壞之其他設備中時，包括至少一個甲烷化催化劑床45可能係理想的。甲烷化催化劑床45將一氧化碳及二氧化碳轉化成甲烷及水，其二者均不會損壞PEM燃料電池堆疊。提純區域43另外地或可替代地可以包括另一個氫氣生產區域，諸如另一重整催化劑床以將任何未反應之原料轉化成氫氣。當重整催化劑床及甲烷化催化劑床二者(第二或另外的)存在於提純區域43時，該重整催化劑床可以在甲烷化催化劑床上游，從而不在甲烷化催化劑床下游重新引入二氧化碳或一氧化碳。
膜組件44經配置用作或用在氫氣純化器的示例在圖3中被示意性地描述。因此，氫氣純化器38可形成膜組件44的整體，或該膜組件可包括額外的結構及/或零組件。如圖所示，含有氫氣62及其它氣體63之重整產物流36被輸送至氫氣純化器38，其包括根據本揭示內容之膜組件44。該膜組件含有至少一個氫氣選擇性膜46，並且將該混合氣流分離成含有至少實質上純的氫氣62之富氫流42及含有其它氣體63之副產物流40。另一種方式來描述氫氣純化器係該富氫流含有混合氣體流中的至少一個實質部分或大部分之氫氣及該副產品流含有至少一個實質部分或大部分之其它氣體。又以另一方式換言之，富氫流中之氫氣的濃度可以比該重整產物流中之氫氣的濃度高。類似地，產物氫氣流中之其他氣體的濃度可以小於重整產物流中之氫氣的濃度。氫氣純化器38可以與氫氣生產裝置整合，例如燃料處理器，以提供具有經整合之氫氣純化之氫氣生產裝置。另外地或可替代地，氫氣純化器38可以與耗氫裝置整合，例如燃料電池，以提供具 有經整合之氫氣純化之耗氫裝置。
用於氫氣純化之膜組件44的另一示例被描述於圖4。如圖4所示，膜組件44包括至少兩個可氫氣可滲透或氫氣選擇性膜46。該等氫氣選擇性膜經安置成對圍繞共同的支撐結構或流體可滲透的支撐結構64以形成膜部件66。膜組件44可以包括複數個膜部件66，其可被堆疊或以其它方式安置。
支撐結構64界定表面71，且各個表面71支撐相應的氫氣選擇性膜46。如本文中更詳細討論的，該支撐結構可以包括或可以由一或多個篩狀結構70形成。
各個氫氣選擇性膜46包括面朝向及/或由支撐結構64支撐之滲透面68。滲透面68至少部分地圍繞或界定該膜組件之收集管道69。收集管道69亦可以在本文中被稱為該膜組件之滲透區域69。
在膜組件44操作期間，重整產物流36流動與氫氣選擇性膜46之混合氣體面48流體接觸。混合氣體面48亦可以在本文中被稱為混合氣體面向區域48、重整面48及/或氫氣選擇性膜46之面向重整區域。如本文中更詳細討論的，該重整產物流可以包括氫氣62和其它氣體63。該氫氣可通過氫氣選擇性膜46擴散並進入收集管道69，其可以作為富氫流42從該膜組件被去除。相反地，該等其它氣體可以不通過該等氫氣選擇性膜擴散及/或可以作為副產物流40從該膜組件被去除。
氫氣選擇性膜之合適材料的示例係貴金屬、鈀、鈀合金及鈀-銅(Pd-Cu)合金。通常，此般金屬及金屬合金之薄膜被使用作氫氣選擇性膜。為了減少膜成本，鈀(或其他貴金屬)合金之含量以及該膜之厚度可 以是低的。
在本揭示內容中，薄氫氣選擇性膜被理解為具有的厚度小於25微米之氫選擇性膜。作為示例，氫氣選擇性膜之厚度可以為至多25微米、至多20微米、至多15微米、至多10微米、至多5微米、至少1微米、至少2微米、至少4微米、至少6微米、至少8微米、至少10微米及/或至少12微米。
氫氣選擇性膜可具有任何合適之組成物。作為示例，氫氣選擇性膜可包括具有至少15重量百分比(wt%)、至少20重量%、至少25重量%、至少30重量%、至少35重量%、至少40重量%、至少45重量%、至少50重量%、至多60重量%、至多55重量%、至多53重量%、至多50重量%、至多45重量%、至多40重量%、至多35重量%、至多30重量%及/或至多25重量%之銅組成物的Pd-Cu合金，氫氣選擇性膜可以從除了上述所討論的那些以外其它的氫氣選擇金屬及金屬合金來形成，此為本揭示內容之範圍內。此般氫氣選擇金屬合金之示例包括鈀合金(包括二元及三元鈀合金)、鈀-銀合金、鈀-釔合金及/或鈀-釕合金。
可以被包括於及或與本文所揭示之系統中一起被使用之氫氣生產系統、燃料處理器及/或燃料電池系統的氫處理組合件的另外的示例被揭示於美國專利號7,972,4205中，其完整之揭示內容以引用之方式被併入本文。
圖5是描述根據本揭示內容之膜組件44之示例的示意圖。圖5所描述之膜組件44可以包括或者為圖1-4所描述之膜組件44的更詳細說明；且本文所討論之參考圖5之膜組件44的任何結構、功能及/或特徵可 以被包括在及/或與圖1-4中之膜組件44一起被使用而不脫離本揭示內容的範圍內。類似地，本文所討論之參考圖1-4之膜組件44、燃料電池系統10、燃料處理器12及/或氫氣純化器38的任何結構、功能及/或特徵可以被包括在及/或與圖5中之膜組件44一起被使用而不脫離本揭示內容的範圍內。
本文所揭示之膜組件44可包括及/或為可單獨地在氫氣純化是被期望的任何合適之組合件及/或系統內被製造及隨後被安裝之模組零組件。另外地或可替代地，模組件44簡單地可以指或者為此般系統的部分及/或零組件且可以與此般系統之任何合適的部件及/或結構同時被製造及/或被整合成此般系統之任何合適的零組件及/或結構。此般系統的示例包括在本文中所揭示之能量消耗及生產裝置9、燃料電池系統10及/或燃料加工系統11。
如圖5所示，膜組件44包括膜部件66之堆疊65，其被佈置及/或設置成彼此相鄰。換言之，膜組件44包括複數個膜部件66。各個膜部件66包括複數個氫氣選擇性膜46，其包括第一氫氣選擇性膜461及第二氫氣選擇性膜462。各個氫氣選擇性膜46界定滲透面68及混合氣體面48。第一氫氣選擇性膜461在本文中可被指為限定第一滲透面681及相對的第一混合氣體面481。類似地，第二氫氣選擇性膜462在本文中可被指為界定第二滲透面682及相對的第二混合氣體面482。
膜組件44亦包括位於第一氫氣選擇性膜及第二氫氣選擇性膜之間之支撐結構64。支撐結構64亦包括、為及/或在本文中被稱為流體可滲透之支撐結構64，且經配置為物理性接觸並支撐第一滲透面681中的至少一個中心區域684及第二滲透面682中的至少一個中心區域684。此外， 該支撐結構保持第一滲透面之中心區域與第二滲透面之中心區域的間隔關係。
如圖5中虛線所示，膜組件44之膜部件66亦可包括複數個滲透側框架構件88及複數個混合氣體側框架構件89。該複數個滲透側框架構件可包括第一滲透側框架構件881及第二滲透側框架構件882。類似地，該複數個混合氣體側框架構件可包括第一混合氣體側框架構件891及第二混合氣體側框架構件892。
第一滲透側框架構件881可以插入或位於第一氫氣選擇性膜461與支撐結構64之間使得該第一滲透側框架構件物理性接觸及支撐第一滲透面681之周邊區域686及支撐結構64之周邊區域。類似地，第二滲透側框架構件882可以插入或位於第二氫氣選擇性膜462與支撐結構64之間使得第二滲透側框架構件物理性接觸及支撐第二滲透面682之周邊區域及支撐結構64之周邊區域。第一混合氣體側框架構件891可經定位以物理性接觸及支撐第一混合氣體面481之周邊區域，而第二混合氣體側框架構件892可經定位以物理性接觸及支撐第二混合氣體面482之周邊區域。
本文所揭示之包括滲透側框架構件88及/或混合氣體側框架構件89的框架構件可包括及/或為墊片及/或可以經配置以形成膜組件44內及/或其膜部件66內之各種流體密封件的密封件。由此，該滲透側框架構件及/或該混合氣體側框架構件亦可以在本文中被稱為、可以包括及/或可以為密封構件、墊片及/或石墨墊片。換言之，第一滲透側框架構件可以經配置以形成第一氫氣選擇性膜之第一滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域之間的流體密封件。類似地，第二滲透側框架構件可以經配置以形成第 二氫氣選擇性膜之第二滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域之間的流體密封件。
在本揭示內容的範圍內，該滲透側框架構件88及混合氣體側框架構件89可以由相同或不同的材料形成、可以具有相同的密度及/或可以具有相同的厚度。亦在本揭示內容的範圍內，滲透側框架構件88之厚度可與混合氣體側框架構件89之厚度不同。作為更具體的示例，第一滲透側框架構件881之厚度可以小於第一混合氣體側框架構件891之厚度及/或第二滲透側框架構件882之厚度可以小於第二混合氣體側框架構件892之厚度。這種厚度差異可以減小氫氣選擇性膜46上之應力及/或氫氣選擇性膜46的變形，其在圖11中被更詳細地描述，並且在本文中基於其參考被更詳細地討論。
該滲透側框架構件之厚度可以與混合氣體側框架構件之厚度以任何合適的量不同。作為示例，該滲透側框架構件之厚度可以小於95%、小於90%、小於85%、小於80%、小於75%、小於70%、小於65%、小於60%、小於55%、小於52%、小於50%及/或小於45%的混合氣體側部框架構件之厚度。
滲透側框架構件之厚度的示例包括至少0.05毫米(mm)、至少0.075mm、至少0.1mm或至少0.125mm、至多0.25mm、至多0.20mm、至多0.175mm、至多0.15mm及/或至多0.125mm之厚度。混合氣體側框架構件之厚度的示例包括至少0.15毫米(mm)、至少0.2mm、至少0.25mm或至少0.3毫米、至多0.6mm、至多0.5mm、至多0.45mm、至多0.4mm及/或至多0.35mm之厚度。
另外地或可替代地在本揭示內容的範圍內，該等滲透側框架構件之密度可以與該等混合氣體側框架構件之密度不同。作為示例，該等混合氣體側框架構件的密度可以小於該等滲透側框架構件之密度的閾值分數。該閾值分數之示例包括95%、90%、85%、80%、78%、75%、70%及/或65%之閾值分數。當被裝配至膜組件44時，此般配置以不損壞氫氣選擇性膜46的方式可以有助於膜組件44之裝配及/或可允許膜部件66之壓縮。
滲透側框架構件之密度的示例包括每立方公分至少0.7克(g/cc)、至少0.8g/cc、至少0.9g/cc，至少1.0g/cc，至少1.1g/cc、至少1.2g/cc、至少1.3g/cc、至少1.4g/cc、至少1.5g/cc、至多1.8g/cc、至多1.7g/cc、至多1.6g/cc、至多1.5g/cc及/或1.4g/cc之密度。該混合氣體側框架構件之密度的示例包括至少0.7g/cc、至少0.8g/cc、至少0.9g/cc、至少1g/cc、至少1.1g/cc、至1.2g/cc，至多1.4g/cc，至多1.3g/cc、至多1.2g/cc、至多1.1g/cc及/或至多1g/cc之密度。
支撐結構64可以包括及/或為位於第一氫氣選擇性膜與第二氫氣選擇性膜之間的任何合適的結構，其可以保持第一氫氣選擇性膜與第二氫氣選擇性膜之間的間隔關係及/或其可以是流體可滲透的。另外地或可替代地，支撐結構64可以至少部分地形成及/或界定收集管道69，其中從混合氣體區域484滲透過氫氣選擇性膜46的氫氣可以流過及/或該氫氣可以從中被收集。收集管道69在本文中亦可被稱為滲透區域69。
支撐結構64的示例包括篩狀結構70，其在圖5中示意性地被描述及在圖6中較不示意性地被描述。如圖6所示，篩狀結構70可以包括複數個篩狀構件73。複數個篩狀構件可以包括至少粗篩網74及/或細篩網 76。在一個具體實例中，篩狀結構70包括兩個彼此相鄰放置或彼此分層之細篩網76。在另一個具體實例中，粗篩網或粗平面篩網74位於兩個細篩網之間。如本文所述，支撐結構64之表面71可以支撐氫氣選擇性膜46之相應滲透面68。此外，篩狀結構70可允許在收集管道69內與氫氣選擇性膜46之滲透面68平行及垂直方向上之流體流動。
應當理解術語「細」及「粗」係相對術語。由於該篩狀結構需要提供用於大致平行於膜之滲透氣體的流動，所以可以使用相對較粗的內部篩狀構件來提供用於增強的平行流動管道。換言之，較精細的篩網提供對膜更好的保護，而較粗的篩網提供通常平行於膜的更好的流動。在本揭示內容之範圍內，粗篩網74可以由具有粗線直徑之粗線形成，而細篩網76可以由具有細線直徑之細線形成。粗線直徑可以大於細線直徑。作為示例，粗線直徑可以比細線直徑大至少2倍、至少3倍、至少4倍、至少5倍、至少6倍、至少8倍及/或至少10倍。
該等篩狀構件可以具有相同或不同的結構，並且可以使用更多或更少的篩狀構件。例如，在一些具體實例中，如所討論的，粗篩網74不被使用，且篩狀結構可以僅包括兩個細篩網。
通常，支撐結構64可以包括任何合適的支撐介質，其使經滲透之氣體能夠在收集管道中大致上平行且橫向於該等膜流動。例如，可以使用多孔陶瓷、多孔碳、多孔金屬、陶瓷泡沫、碳泡沫及/或金屬泡沫以單獨或與一或多個篩狀構件73組合形成篩狀結構70。作為示例，細篩網76可由多孔金屬而非織網材料形成。
篩狀結構70可以由耐腐蝕材料形成，其不會損害該膜組件 的操作及使用該膜組件的裝置。適用於篩狀構件73之材料的實例包括不銹鋼、鋯及其合金、耐腐蝕合金(包括諸如800TM及HastelloyTM合金的鎳鎳合金)以及銅與鎳的合金(諸如MonelTM)。此般金屬篩狀構視情況地可以包括在表面71上的塗層。該塗層可以包括或為金屬氧化物或氮化物。合適之塗層的示例包括氧化鋁、碳化鎢、氮化鎢、碳化鈦、氮化鈦、氧化鉻或氧化鈦、銅、銀或金以及其混合物。
回到圖5，膜組件44亦可以包括位於膜部件之堆疊中之每對相鄰之膜部件66之間的相應進料板組合件100。此外，膜組件44亦可以包括複數個端板140，其包括在堆疊65之第一端上的第一端板1401及在堆疊65之第二端上的第二端板1402以及外殼142。端板140及外殼142一起可以形成及/或界定容納及/或含有堆疊65的封閉體積146。
進料板組合件100可以經配置為將混合氣體流36提供至混合氣體區域484及/或從混合氣體區域接收副產物流40。混合氣體區域484可以至少部分地由相鄰的膜部件對中之第一膜部件的第一氫氣選擇性膜的第一混合氣體面界定以及亦可以至少部分地由該相鄰的膜部件對中之第二膜部件的第二氫氣選擇性膜的第二混合氣體面界定。
進料板組合件100可以包括進料板102，其可以包括及/或界定供應通道114及/或排氣通道116。進料板102可以位於相鄰的膜部件66之間。另外地或可替代地，進料板100可以位於堆疊65與端板140之間。進料板組合件100亦可以包括進料框架118。進料框架118可以圍繞進料板102的周邊形成以在該進料板與該端板之間形成開放體積119。
開放體積119可以允許相應的供應通道114與相應的排氣通 道116之間的流體連通。然而，開放體積119可以不具有與其相關聯之相應的氫氣選擇性膜。因此，混合氣流在供應通道114與排氣通道116之間的開放體積的流動可以表示不具有從其中回收氫氣之可能性之混合氣流的浪費。因此，並且如圖5中的虛線所示，膜組件44可以包括阻塞墊片250。當存在阻塞墊片250時，可以將阻塞墊片250定位在該進料板與該端板之間，並且可以經配置以阻擋在該供應通道與該排氣通道之間的流體流動。如所示，該阻塞墊片可以在該開放體積之中心部分內及/或圍繞該進料板之周邊延伸。
如圖5中虛線所示，膜組件44亦可以包括供應歧管110及/或排氣歧管112。供應歧管110可以經配置以將混合氣體流36提供至混合氣體區域484，諸如經由供應通道114。排氣歧管112可以經配置以從混合氣體區域接收副產物流40，諸如經由排氣通道116。
且亦如圖5中虛線所示，膜組件44可以包括順應性墊片96。順應性墊片96可位於至少一對相鄰之膜組件之間及/或可位於堆疊65與一或多個端板140之間。當存在順應性墊片96時，其可以經配置以在裝配膜組件44時被壓縮，從而減小該膜組件被過度壓縮或損壞的可能性。
考慮此點，順應性墊片96可以具有至少是滲透側框架構件88及/或混合氣體側框架構件89之厚度的閾值倍數的厚度。該閾值倍數之示例包括閾值倍數為至少2、至少4、至少6、至少8、至少10、至少12、至少14、至少16、至少18及/或至少20。該順應性墊片之厚度的示例包括厚度為至少0.25毫米(mm)、至少0.5mm、至少0.75mm、至少1mm、至少1.25mm、至少1.5mm、至多2.5mm、至多2.25mm、至多2mm、至多1.75mm 及/或至多1.5mm。
圖7-14提供根據本揭示內容之膜組件44、膜組件44之零組件及/或氫氣純化器38、燃料處理器12及/或包括及/或使用膜組件44燃料電池系統10之更詳細及/或更少示意性的描述。圖7-14可以是本文參考圖1-6所討論之燃料電池系統、燃料處理器、氫氣純化器及/或膜組件的替代性說明，且本文參考圖7-14所揭示之任何結構、功能及/或特徵可以被包括於及/或被使用於圖1-6而不脫離本揭示內容之範圍。類似地，本文參考圖1-6所揭示之任何結構、功能及/或特徵可以被包括於及/或被使用於圖7-14而不脫離本揭示內容之範圍。
如所討論的，氫氣可滲透或氫氣選擇性膜46可以成對地安置在共同的支撐結構或滲透支撐結構64周圍以形成膜部件66，諸如如圖4-6中所示意性描述的。在此般配置中，該膜對可以被稱為膜部件66，因為它們界定共同的滲透通道或收集管道69，如圖1-4所示，該經滲透氣體可以通過該通道收集及去除以形成富氫流42或產物氫流14。
該膜對可以採取各種合適的形狀，諸如平面部件及管狀部件。類似地，該等膜可以被獨立地支撐，諸如相對於端板或圍繞中心通道。為了說明目的，以下描述及相關圖示將膜組件描述為包括一或多個膜部件66。形成該部件的膜可以是兩個分離的膜或者可以是折疊、捲起或以其他方式配置以界定兩個膜區域，或具有滲透面68之表面67，該滲透面68朝向彼此定位以在其間限定收集管道69，從該收集管道69可以收集及收回滲透氣體。
如所討論的，支撐結構64及氫氣選擇性膜46可以被結合至 膜部件66中，該膜部件66亦包括滲透側框架構件88及/或混合氣體側框架構件89，其被配製以密封、支撐及/或互連該等膜部件以用於燃料處理系統、氣體淨化系統等。圖7中描述此般膜部件66及相應的進料板組合件100的示例。圖7之支撐結構64包括裝配在滲透框架90內及/或至少部分地在該滲透框架之表面上延伸以形成滲透板組合件91的篩狀結構70。如本文更詳細地所討論的，滲透側框架構件88延伸及/或位於滲透板組合件91的各個平面側，且可以被使用以將該滲透板組件密封至膜部件66之另一結構。
進料板組合件100位於相鄰的膜部件之間以將富氫重整產物流輸送至該膜部件以從該重整產物流中分離氫氣，並從該膜部件中除去所得的貧氫流。如圖7所示，進料板組合件100包括中心進料板102，其將堆疊中之一個膜部件與另一個膜部件分離。如圖8進一步所示，中心進料板102具有中心區域104以及在中心進料板102之周邊上的供應區域106及排氣區域108。中心區域104可以是流體不可滲透的或至少實質上流體不可滲透的。供應區域106經由一或多個供應通道114將供應歧管110流體地連接至混合氣體區域484。類似地，排氣區域108經由一或多個排氣通道116將排氣歧管112流體地連接至混合氣體區域484。混合氣體區域484在本文中亦可被稱為開放體積484。供應通道114及排氣通道116通過進料板之厚度或整個厚度形成。換言之，供應通道114及排氣通道116分別提供供應歧管110及排氣歧管112之間的流體連通以及中心進料板102之頂及底側或面之間的流體連通。
圖8之中心進料板102並未包括其中心區域104中的流動通道等。換言之，中心區域104可以是固體及/或流體不可滲透的。相反地， 進料框架118與該進料板之每一側的周邊重疊以在中心區域104與其相鄰的膜部件之間形成開放體積，如圖7所示，該開放體積由進料框架118之厚度及相鄰膜部件之混合氣體側框架構件89之厚度形成。如圖8所示，在一些氫氣純化器中，進料框架118與通道114、116的中心部分重疊(即在它們的末端不與通道114、116重疊)。因此，從供應歧管110提供的重整產物流36流過該供給區域(並且在進料框架118下方)之通道114，然後進入由進料框架118及/或混合氣體側框架構件89之厚度所形成的開放體積484。類似地，副產物流40從該開放體積通過該排氣區域(並且在進料框架118下方)之通道116流出，然後至排氣歧管112。因此，與中心進料板102之通道114、116之中心部分重疊之區域中之進料框架118的寬度必須小於通道114、116之跨度或長度，使得供應歧管及排氣歧管110、112流體地連接至該開放體積。
然而，如圖9所示，包括開放中心區域104之中心進料板102亦在本揭示內容之範圍內。在此般中心進料板中，供應通道114及排氣通道116可以部分地或完全地延伸通過該中心進料板的厚度，並且與被界定在中心區域104內及/或至少部分地界定開放體積484之開口105流體連通。圖7、10及12-14描述包括中心進料板102之膜組件44，該中心進料板包括流體不滲透之中心區域104；然而，在本揭示內容之範圍內，圖9之中心進料板102可以被包括於及/或與圖7、10及12-14之膜組件44一起使用。
對於膜組件的平行流動設計，該重整產物流之總質量流量在該等膜部件之間分配，這導致每個膜部件之低氣體速度及該供應與排氣歧管之間通常小於5psi之低壓降。因此，重整產物流之流速可以在層流區域 中，在其情況下，該膜表面之氫濃度係由擴散決定。然而，這對於該重整產物流的所有流而言並非必需的，並且在本揭示內容之範圍內，該重整產物流之流速可以處於湍流狀態。對於薄膜，通過該膜之氫通量相對較高，因此膜的表面具有高氫濃度係理想的(即在垂直於膜表面之方向上的低氫濃度梯度)，使得通過該膜的氫通量最大化，其提高氫分離裝置之效率。
在一些氫氣純化器中，進料框架118可以包含兩個或更多個分開的部件。例如，如圖10所示，進料框架118可以包含外部進料板120及插入在外部進料板120與中心進料板102之間的進料板墊片122。外部進料板120及進料板墊片122之厚度在該膜上方形成開放體積484。本領域技術人員將能夠基於活性區域中之氣體體積的理想有效高度及每個部件之功能限制來選擇該板及墊片之合適厚度。再次，外部進料板120及進料板墊片122與通道114及116之中心部分重疊，使得入口歧管110及出口歧管112流體地連接至該開放體積。
在上述膜部件中，可以使用各種厚度的氫氣選擇性膜。本揭示內容允許在該等膜組件中使用薄膜，其經配置用作上述的氫氣純化器，其優點在於降低總體成本。本發明人已發現許多方法來保護Pd-Cu薄膜不受不可逆的機械損傷，如下面進一步描述的，因此允許根據本揭示內容之膜組件相較於習知膜組件使用更薄的氫氣選擇性膜。
如圖5所示，且在圖11中更詳細地示出，根據本揭示內容之膜組件44可以使用不同厚度之滲透側框架構件88及混合氣體側框架構件89。更具體地，如圖11所示，滲透側框架構件之厚度T1可以小於相應之混合氣體側框架構件89之厚度T2。換言之，位於靠近及/或密封支撐結構64 之給定膜46的低壓側上之框架構件88的厚度T1與位於進料板組合件100之該膜之高壓側上之框架構件89的厚度不同。膜46之邊緣位於框架構件88與89之間，且膜之其餘部分由細篩網76支撐。更薄的框架構件88可以將該膜從該框架構件支撐平滑地過渡至該篩網支撐、可以在膜上施加較少的機械應變及/或可以增加該膜之壽命。如所討論的，框架構件88較佳地由具有較框架構件89之材料更高密度的材料製成，其使得它更容易處理並降低裝配期間機械損壞的風險。
在生產過程中，氫氣選擇性膜46(諸如在本文揭示之膜組件44中使用的那些)通過軋製進行厚度減小過程以獲得理想的膜厚度。在該過程中，隨著膜藉由軋製而減小厚度，氫氣選擇性膜的硬度增加。因此，膜通常進行退火熱處理以在進行厚度減小過程之前軟化它們。在本具體實例中，該膜之硬度可以藉由限制膜厚減少的量來限制，使得安裝在該氫氣純化器中的該膜在其最終退火過程之後具有膜厚度之約70%至約95%的厚度。這可以允許使用更薄的膜，否則其會太脆弱及/或易於發生故障，特別是在該膜被該支撐結構支撐的區域中。
可以選擇細篩網76以降低對膜之機械損傷的風險，且本文揭示該等細篩網之示例。如圖11所示，當由框架構件及由細篩網支撐時，膜46不平整。相反地，氫氣選擇性膜因為其符合細篩網的形狀而具有起伏。可以通過測試及/或通過諸如FEA的建模技術來確定降低膜之機械損傷潛力之膜起伏幅度A的最大允許值。據此，形成細篩網之線的尺寸可以被選擇在預定範圍內，使得該膜起伏的最大幅度保持在允許的範圍內。
在氫氣純化器中使用的細篩網76可以是任何合適的編織樣 式或圖案。作為示例，細篩網76可以使用或為平紋編織、荷蘭編織及/或荷蘭斜紋編織。根據本揭示內容，可以選擇細篩網以將膜起伏的幅度A保持在最大期望的起伏幅度以下。本文所使用之氫氣選擇性薄膜46的最大期望起伏幅度A的示例包括至多100微米、至多90微米、至多80微米、至多70微米、至多60微米、至多50微米、至多45微米、至多40微米、至多35微米、至多30微米及/或至多25微米之最大期望的起伏幅度A。
考慮到這一點，且當細篩網76包括荷蘭或荷蘭斜紋編織時，可以選擇荷蘭編織或荷蘭斜紋編織之緯紗線78的直徑為該氫氣選擇性膜內之最大期望起伏幅度的至少1.5倍、至少1.6倍、至少1.7倍、至少1.8倍、至少1.9倍及/或至少2倍。另外地或可替代地，荷蘭編織或荷蘭斜紋編織之緯紗線的直徑可以經選擇為該氫氣選擇性膜內之最大期望起伏幅度的至多2.5倍、至多2.4倍、至多2.3倍、至多2.2倍、至多2.1倍或至多2倍。
另外地或可替代地，當該細篩網包括平紋編織時，該平紋編織的緯紗線直徑可以經選擇為在該第一氫氣選擇性膜內以及亦在該第二氫氣選擇性膜內的最大期望起伏幅度的至少0.6倍、至少0.7倍、至少0.8倍、至少0.9倍、至多0.9倍、至多1.0倍、至多1.1倍、至多1.2倍、至多1.4倍及/或至多1.5倍。可以提供小於該氫氣選擇性膜內的最大期望起伏幅度A之平織細篩網之緯紗線的緯紗線直徑的示例包括至少0.01mm、至少0.015mm、至少0.02mm、至少0.025mm、至少0.03mm、至少0.035mm、至少0.04mm、至少0.045mm、至多0.06mm、至多0.055mm、至多0.05mm、至多0.045mm、至多0.04mm、至多0.035mm及/或至多0.03mm之直徑。可 以提供小於氫氣選擇性膜內的最大期望起伏幅度A之平織細篩網的網格計數的示例包括每英吋至少150個、至少175個、至少200個、至少225個、至少250個、至少275個、至少300個、至少325個、至少350個、至少375個及/或至少400個緯紗線的網格計數。對於平紋編織，經紗線的直徑通常等於緯紗線的直徑。
根據本揭示內容之膜組件44的具體實例的分解圖示於圖12，其經配置以在氫氣純化器38中使用或作為氫氣純化器38。該膜組件包含多個膜部件66、位於外部進料板120與進料板墊片122之間的中心進料板102，其被堆疊在兩個端板140之間並且當裝配在一起時被封閉在圓柱形外殼142中。該具體實例包含幾個順應性墊片96，其在150、152、154處表示，且在此示例中，其被放置在膜堆疊65的兩端。該等順應性墊片可以放置在沿著該堆疊長度的任何位置的該等膜部件間。
此等相應性墊片可以補償該等膜部件之金屬零組件的尺寸公差變化，或者補償由於該等膜部件之裝配(例如通過焊接或其它裝配方法(例如，螺栓連接))而導致的尺寸變化。該等相應性墊片在裝配過程中允許更大的位移範圍，同時將施加至該等膜部件的負載保持在可接受的限度內。可以使用幾個較薄的墊片，例如墊片150及152，或一個較厚的墊片，例如墊片154。該等相應性墊片之總厚度係重要的且該理想的總厚度可以藉由一個厚墊片或幾個較薄的墊片實現。該(等)相應性墊片的總厚度係基於裝配過程中該堆疊的估計收縮，並取決於所使用的裝配方法。例如，在螺栓連接的組合件中，該(等)相應性墊片的厚度可以小於焊接組合件中的厚度。在一些具體實例中，在焊接組合件中已經使用了各具有約1.5mm 厚度之三個相應性襯墊以防止該膜組件裝配期間對氫氣選擇性膜46之機械損傷。
圖13描述根據本揭示內容之通過膜組件44的橫截面，其經配置用作氫氣純化器，而圖14描述圖13之該膜組件之一部分的更詳細視圖。膜組件44包括兩個端板140及一個圓柱形殼體142，其包圍由膜組件66、進料板102以及各種框架構件及/或墊片所組成之零組件的堆疊65。膜組件44可以類似於圖10之分解圖中所示的該膜組件。
重整產物氣體36通過供應管144供應至該膜組件之供應歧管110。如圖8所示，從供應歧管110將重整產物氣體分隔在膜組件66之間並流過該等膜部件之各供應通道，並且跨過該等膜組件朝向排氣歧管112。副產物流可以通過排氣管148流出該膜組件。
如圖13-14所示，阻塞墊片250可以位於該堆疊中之最後的板組合件與端板之間。當存在阻塞墊片250時，其覆蓋與其接觸之進料板102中之供應通道114的出口。因此，阻塞墊片250阻塞、限制及/或不允許流體從供應歧管110流入由膜組件44之最後一個通道260所界定的開放體積119。當無阻塞墊片250時，一部分從供應歧管供應至開放體積119之重整產物氣體將被引導至排氣管148，如圖13所示。然而，阻塞墊片250的存在阻止了該重整產物流通過開放體積119的流動，從而提高了包括阻塞墊片250之膜組件44的總體效率。測試已經顯示阻塞墊片250的存在導致總氫氣回收率提高至少1~2%。
應當理解圖中所示之框架構件、墊片、膜及篩狀構件的幾何形狀被提供作為說明性示例，並且應當理解此等零組件可以是任何合適的 形狀。類似地，通過墊片及板之通道的構型及取向可以取決於會被使用之該膜組件的具體應用而變化。
亦應當理解該產物流之氫氣純度、該副產物流之氫氣含量、來自形成該副產物流之該混合氣流中的氫氣百分比以及該產物與該副產物流之類似組成物可以取決於該膜組件之構造及/或使用該膜組件之操作條件而有選擇地變化。例如，該產物及副產物流的組成物可以至少部分地回應至少以下因素而變化：該膜組件之溫度，該膜組件中該進料氣體與該滲透氣體之間的壓差、該氫氣選擇性膜之組成物、該氫氣選擇性膜之降解、該氫氣選擇性膜之厚度、該混合氣流之組成物、該膜組件中使用之氫氣選擇性膜的數量以及該混合氣體、產物及/或副產物流可以通過之該等順序膜之數量與流動配置。
如本文所使用的，置於第一實體與第二實體之間的術語「及/或」意指(1)第一實體、(2)第二實體及(3)第一實體與第二實體之一。以「及/或」列出的多個實體應以相同的方式來解釋，即所連接的實體中的「一或多個」。其他實體可以視情況地存在於藉由「及/或」子句而具體確定的實體之外，無論其與具體確定的彼等實體相關或不相關。因此，作為非限制性示例，當結合諸如「包含」的開放式語言使用時，對「A及/或B」的引用在一個具體實例中可以僅指A(視情況地包括B以外之實體)；在另一個具體實例中，僅指B(視情況地包括A以外之實體)；在另一個具體實例中，指A與B二者(視情況地包括其它實體)。此等實體可以指元件、動作、結構、步驟、操作及數值等。
如本文所使用的，關於一或多個實體的列表的短語「至少一 個」應被理解為表示從該實體列表中之任何一或多個實體中選擇至少一個實體，但不一定包括在該實體列表中具體列出之各個或每個實體中的至少一個實體，且不排除該實體列表中之任何實體組合。該定義亦使得實體可以視情況地存在而非在短語「至少一個」所指的實體列表中具體確定的實體，無論其與具體確定的彼等實體相關或不相關。因此，作為非限制性示例，「A及B中至少一個」(或等同地，「A或B中至少一個」或等同地「A及/或B中至少一個」)可以在一個具體實例中指至少一個A，視情況地包括多於一個A，而無B存在(並且視情況地包括B以外之實體)；在另一個具體實例中，至少一個B，視情況地包括多於一個B，而無A存在(並且視情況地包括A以外之實體)；在另一個具體實例中，至少一個A，視情況地包括多於一個A，以及至少一個B，視情況地包括多於一個B(以及視情況地包括其他實體)。換言之，短語「至少一個」、「一或多個」以及「及/或」在操作中是聯合的與分離的開放式表達式。例如，「A、B及C中至少一個」、「A、B或C中至少一個」、「A」B及C中一或多個」、「一或多個A、B或C」及「A、B及/或C」可以表示單獨的A、單獨的B、單獨的C、A與B一起、A與C一起、B與C一起、A、B與C一起以及視情況地上述任何一個與至少一個其他實體組合。
如果任何專利、專利申請案或其他參考文獻藉由引用併入本文且(1)以與下列方面不一致的方式界定術語及/或(2)與下列方面不一致：本揭示內容之非被併入部分或任何其他被併入的參考文獻，則本揭示內容之非被併入部分應控制，並且該術語或被併入其中之揭示內容僅對於該術語被界定及/或該被併入之揭示內容最初出現之參考文獻控制。
如本文所使用的，術語「經適配」及「經配置」指元件、零組件或其他標的經設計及/或意圖執行給定功能。因此，術語「經適配」及「經配置」的使用不應被解釋為意味著給定元件、零組件或其他標的簡單地「能夠」執行給定功能，而是該元件、零組件及/或其他標的被具體選擇、創建、實施、使用、編程及/或設計用於執行該功能。在本揭示內容之範圍內亦可以另外地或可替代地將被記載為經適配以執行特定功能的元件、零組件及/或其他被記載之標的描述為經配置以執行該功能，反之亦然。
如本文所使用的，當參考根據本揭示內容之一或多個零組件、特徵、細節、結構、具體實例及/或方法而使用之短語「例如」、短語「作為示例」及/或僅術語「示例」意圖傳達所描述之零組件、特徵、細節、結構、具體實例及/或方法是根據本揭示內容之零組件、特徵、細節、結構、具體實例及/或方法之示例性的、非排他性的示例。因此，所描述之零組件、特徵、細節、結構、具體實例及/或方法並非意圖限制、需要或排他/窮盡；且其它零組件、特徵、細節、結構、具體實例及/或方法(包括結構及/或功能上類似的及/或等同的零組件、特徵、細節、結構、具體實例及/或方法)亦在本揭示內容之範圍內。
根據本揭示內容之膜組件、氫氣純化器、燃料處理器及燃料電池系統的示例性、非排他性示例在以下列舉的段落中呈現。
A1一種用於氫氣分離的膜組件，該膜組件包含：複數個膜部件，其視情況地包括彼此相鄰佈置的膜部件之堆疊，其中每個膜部件包含：(i)第一氫氣選擇性膜，其界定第一滲透面及相對之第一混合氣體面； (ii)第二氫氣選擇性膜，其界定第二滲透面及相對之第二混合氣體面；(iii)流體可滲透之支撐結構，其位於該第一氫氣選擇性膜與該第二氫氣選擇性膜之間，使得該支撐結構物理接觸並支撐該第一滲透面之至少中心區域及該第二滲透面之至少中心區域且亦使得該第一滲透面之該中心區域與該第二滲透面之中心區域間隔開來。
A2段落A1之膜組件，其中每個膜部件亦包括：(i)第一滲透側框架構件，其插入在該第一氫氣選擇性膜與該支撐結構之間，使得該第一滲透側框架構件物理接觸並支撐該第一滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域；(ii)第二滲透側框架構件，其插入在該第二氫氣選擇性膜與該支撐結構之間，使得該第二滲透側框架構件物理接觸並支撐該第二滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域；(iii)第一混合氣體側框架構件，其定位以物理接觸並支撐該第一混合氣體面之周邊區域；及(iv)第二混合氣體側框架構件，其定位以物理接觸並支撐該第二混合氣體面之周邊區域。
A3段落A1-A2中任一段落的膜組件，其中：(i)該第一滲透側框架構件經配置以在該第一滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域之間形成流體密封；及(ii)該第二滲透側框架構件經配置以在該第二滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域之間形成流體密封。
A4段落A1-A3中任一段落的膜組件，其中以下至少一者： (i)該第一滲透側框架構件之厚度小於該第一混合氣體側框架構件之厚度；及(ii)該第二滲透側框架構件之厚度小於該第二混合氣體側框架構件之厚度。
A5.段落A4之膜組件，其中以下至少一者：(i)該第一滲透側框架件之厚度小於第一混合氣體側框架構件之厚度的95%、90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、52%、50%或45%；及(ii)該第二滲透側框架構件之厚度小於第二混合氣體側框架構件之厚度的95%、90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、52%、50%或45%。
A6.段落A4-A5中任一段落的膜組件，其中該第一滲透側框架構件之厚度及該第二滲透側框架構件之厚度中至少一者是以下至少一者：(i)至少0.05毫米(mm)、至少0.075mm、至少0.1mm或至少0.125mm；及(ii)至多0.25mm、至多0.20mm、至多0.175mm、至多0.15mm或至多0.125mm。
A7.段落A4-A6中任一段落的膜組件，其中該第一混合氣體側框架構件之厚度及該第二混合氣體側框架構件之厚度中的至少一者是以下至少一者：(i)至少0.15毫米(mm)、至少0.2mm、至少0.25mm或至少0.3mm；及 (ii)至多0.6mm、至多0.5mm、至多0.45mm、至多0.4mm或至多0.35mm。
A8.段落A2-A7中任一段落的膜組件，其中以下至少一者：(i)該第一滲透側框架構件具有第一滲透側框架構件密度，且進一步其中該第一混合氣體側框架構件具有小於該第一滲透側框架構件密度之閾值分數的第一混合氣體側框架構件密度；及(ii)該第二滲透側框架構件具有第二滲透側框架構件密度，且進一步其中該第二混合氣體側框架構件具有小於該第一滲透側框架構件密度之閾值分數的第二混合氣體側框架構件密度。
A9.段落A8的膜組件，其中該閾值分數為95%、90%、85%、80%、78%、75%、70%或65%。
A10.段落A8-A9中任一段落的膜組件，其中所述該第一滲透側框架構件密度與該第二滲透側框架構件密度中至少一者是以下至少一者：(i)每立方公分至少1克(g/cc)、至少1.1g/cc、至少1.2g/cc、至少1.3g/cc、至少1.4g/cc或至少1.5g/cc；及(ii)至多1.8g/cc、至多1.7g/cc、至多1.6g/cc、至多1.5g/cc或至多1.4g/cc。
A11.段落A8-A10中任一段落的膜組件，其中該第一混合氣體側框架構件密度與該第二混合氣體側框架構件密度中至少一者是以下至少一者：(i)每立方公分至少0.7克(g/cc)、至少0.8g/cc、至少0.9g/cc、至少1g/cc、至少1.1g/cc或至少1.2g/cc；及(ii)至多1.4g/cc、至多1.3g/cc、至多1.2g/cc、至多1.1g/cc或至多1g/cc。
A12.段落A1-A11中任一段落的膜組件，其中該第一滲透側框架構件、該第二滲透側框架構件、該第一混合氣體側框架構件及該第二混合氣體側框架構件中至少一者包括墊片及石墨墊片中至少一者。
A13.段落A1-A12中任一段落的膜組件，其中該支撐結構包括篩狀結構。
A14.段落A13的膜組件，其中該篩狀結構包括兩個細篩網。
A15.段落A14的膜組件，其中該兩個細篩網包括至少一個平織細篩網。
A16.段落A15的膜組件，其中平織細篩網之緯紗線(shute wire)直徑經選擇以在第一氫氣選擇性膜內且亦在第二氫氣選擇性膜內提供小於最大期望的起伏幅度。
A17.段落A14-A15中任一段落的膜組件，其中該平織細篩網的一個/該緯紗線之一個/該直徑為在該第一氫氣選擇性膜內以及亦在該第二氫氣選擇性膜內的最大期望起伏幅度的至多0.9、至多1.0、至多1.1、至多1.2、至多1.4及/或至多1.5倍。
A18.段落A16-A17中任一段落的膜組件，其中該最大期望的起伏幅度為至多100微米、至多90微米、至多80微米、至多70微米、至多60微米、至多50微米、至多45微米、至多40微米、至多35微米、至多30微米或至多25微米。
A19.段落A14-A18中任一段落的膜組件，其中該平織細篩網的一/該緯紗線之一/該直徑為至少0.01mm、至少0.015mm、至少0.02 mm、至少0.025mm、至少0.03mm、至少0.035mm、至少0.04mm、至少0.045mm、至多0.06mm、至多0.055mm、至多0.05mm、至多0.045mm、至多0.04mm、至多0.035mm及/或至多0.03mm。
A20.段落A14-A18中任一段落的膜組件，其中該平織細篩網包括每英吋至少150個、至少175個、至少200個、至少225個、至少250個、至少275個、至少300個、至少325個、至少350個、至少375個及/或至少400個緯紗線。
A21.段落A14-A20中任一段落的膜組件，其中該兩個細篩網包括至少一個荷蘭編織細篩網，視情況其中該至少一個荷蘭編織細篩網包括至少一個荷蘭斜紋編織細篩網。
A22.段落A21的膜組件，其中該荷蘭紡織細篩網之緯紗線直徑經選擇以在第一氫氣選擇性膜內且亦在第二氫氣選擇性膜內提供小於最大期望的起伏幅度。
A23.段落A21-A22中任一段落的膜組件，其中該荷蘭編織細篩網的一個/該緯紗線的一個/該直徑為以下中至少一者：(i)在該第一氫氣選擇性膜內以及亦在該第二氫氣選擇性膜內的最大期望起伏幅度的至少1.5倍、至少1.6倍、至少1.7倍、至少1.8倍、至少1.9倍或至少2倍；及(ii)在該第一氫氣選擇性膜內以及亦在該第二氫氣選擇性膜內的最大期望起伏幅度的至多2.5倍、至多2.4倍、至多2.3倍、至多2.2倍、至多2.1倍或至少2倍。
A24.段落A22-A23中任一段落的膜組件，其中該最大期 望起伏幅度為至多100微米、至多90微米、至多80微米、至多70微米、至多60微米、至多50微米、最多45微米、至多40微米、至多35微米、至多30微米或至多25微米。
A25.段落A14-A24中任一段落的膜組件，其中該篩網結構進一步包括位於該兩個細篩網之間的粗平面篩網。
A26.段落A25的膜組件，其中該粗平面篩網由具有粗線直徑之粗線形成，其中該兩個細篩網由具有細線直徑之細線形成，且進一步其中該粗線直徑比細線直徑大至少2倍、至少3倍、至少4倍、至少5倍、至少6倍、至少8倍或至少10倍。
A27.段落A1-A26中任一段落的膜組件，其中該複數個膜部件包括膜部件之堆疊，且進一步其中該膜組件包括：(i)相應的進料板組合件，其位於該膜部件之堆疊中的每個相鄰膜部件對之間；(ii)第一端板，其在該膜部件之堆疊之第一端上；及(iii)第二端板，其在該膜部件之堆疊之第二端上。
A28.段落A27的膜組件，其中該相應的進料板組合件經配置以：(i)提供混合氣體流至相應的混合氣體區域，該相應的混合氣體區域至少部分地藉由每個相鄰的膜部件對之第一膜部件的第一氫氣選擇性膜的第一混合氣體面以及亦藉由每個相鄰的膜部件對之第二膜部件的第二氫氣選擇性膜的第二混合氣體面界定；及(ii)從該混合氣體區域接收副產物流。
A29.段落A27-A28中任一段落的膜組件，其中該膜組件進一步包括順應性墊片，該順應性墊片為以下至少一者：(i)位於至少一相鄰膜部件對之間；及(ii)位於該膜組件之堆疊與該第一端板及該第二端板中至少一者之間。
A30.段落A29的膜組件，其中該順應性墊片之厚度至少為一/該第一滲透側框架構件、一/該第二滲透側框架構件、一/該混合氣體側框架構件及一/該第二混合氣體側框架構件之一/該厚度的閾值倍數，其中該閾值倍數為至少2、至少4、至少6、至少8、至少10、至少12、至少14、至少16、至少18或至少20。
A31.段落A29-A30中任一段落的膜組件，其中該順應性墊片經配置以在該膜組件裝配時被壓縮，以減小該膜組件之過度壓縮的可能性。
A32.段落A29-A31中任一段落的膜組件，其中該順應性墊片之一個/該厚度為至少0.25毫米(mm)、至少0.5mm、至少0.75mm、至少1mm、至少1.25mm、至少1.5mm、至多2.5mm、至多2.25mm、至多2mm、至多1.75mm及/或至多1.5mm。
A33.段落A27-A32中任一段落的膜組件，其中該膜組件進一步包括：(i)供應歧管，其用於將一/該混合氣流供應至界定於相鄰膜組件之間的一/該相應混合氣體區域；及(ii)排氣歧管，其用於從該相應混合氣體區域除去一/該副產物流。
A34.段落A33之膜組件，其中該相應的進料板組合件包 括：(i)進料板，其包括至少一個供應通道及至少一個排氣通道，其中該進料板位於該膜部件之堆疊與該第一端板及該第二端板的經選擇端板之間；及(ii)進料框架，其位於該進料板與該經選擇端板之間，該進料框架係圍繞該進料板的周邊形成並在該進料板與經選擇端板之間形成開放體積。
A35.段落A34的膜組件，其中該膜組件進一步包括位於該進料板與經選擇端板之間的阻塞墊片，該阻塞墊片經配置以經由該開放體積阻擋該至少一個供應通道與該至少一個排氣通道之間的流體流動，視情況其中該阻塞墊片係圍繞該進料板的周邊形成。
A36.段落A1-A35中任一段落的膜組件，其中該第一氫氣選擇性膜之第一厚度及該第二氫氣選擇性膜之第二厚度為以下至少一者：至多25微米、至多20微米、至多15微米、至多10微米、至多5微米、至少1微米、至少2微米、至少4微米、至少6微米、至少8微米、至少10微米及至少12微米。
A37.段落A1-A36中任一段落的膜組件，其中該第一氫氣選擇性膜及該第二氫氣選擇性膜中之至少一者係由金屬、貴金屬、金屬合金、二元合金、三元合金、鈀、鈀合金、鈀-銅(Pd-Cu)合金、鈀-釔合金及鈀-釕合金之至少一者形成。
A38.段落A1-A37中任一段落的膜組件，其中該第一氫氣選擇性膜及該第二氫氣選擇性膜中至少一者包括一/該Pd/Cu合金，且進一步其中該Pd-Cu合金具有至少15重量%(wt%)、至少20wt%、至少25wt%、至少30wt%、至少35wt%、至少40wt%、至少45wt%、至少50wt %、至多60wt%、至多55wt%、至多53wt%、至多50wt%、至多45wt%、至多40wt%、至多35wt%、至多30wt%及至多25wt%之銅組成物。
A39.一種燃料處理器，其包含：氫氣生產區域，其經配置以接收進料流並從其中生產混合氣流；及氫氣純化器，其包括段落A1-A38中任一段落的膜組件，其中該膜組件經配置以接收該混合氣流並將該混合氣流分離成產物氫氣流及副產物流。
A40.段落A39的燃料處理器，其中該氫氣生產區域包括重整區域。
A41.段落A39-A40中任一段落的燃料處理器，其中該燃料處理器進一步包括進料流輸送系統，其經配置以將該進料流供應至該氫氣生產區域。
A42.一種燃料電池系統，其包含：段落A39-A41中任一段落的燃料處理器；及燃料電池堆疊，其中該燃料電池堆疊經配置以從該燃料處理器接收該產物氫氣流並從其產生電流。
A43.段落A42的燃料電池堆疊，其中該燃料電池系統進一步包括能量消耗裝置，其經配置以從該燃料電池堆疊接收該電流。
工業適用性
本文所揭示之膜組件、氫氣純化器、燃料處理器及燃料電池適用於氫氣生產、淨化及消費產業。
咸信上述揭示內容包括具有獨立效用的多個不同發明。雖然此等發明中的每一者已以其較佳形式被揭示，但是如本文所揭示及描述之 其特定具體實例並不被認為是限制性的，因為許多變化是可能的。本發明的標的包括本文所揭示之各種元件、特徵、功能及/或性質之所有新穎及非顯而易見的組合及子組合。類似地，若請求項記載「一(a)」或「第一(a first)」元件或其等同物，則此等請求項應被理解為包括一個或多個此般元件的併入，既未要求亦未排除兩個或更多個此般元件。
咸信以下申請專利範圍具體指出了針對所揭示之發明之一並且為新穎的及非顯而易見的某些組合及子組合。體現特徵、功能、元件及/或性質的其他組合及子組合的發明可以藉由在本申請案或相關申請案中修正本申請專利範圍或提出新的申請專利範圍來請求。此等修正或新申請專利範圍，無論是針對不同的發明還是針對同一發明、不論是否與原始申請專利範圍之範圍不同、更廣泛更狹窄或相等，其亦被視為被包括在本揭示內容之發明的標的內。

Claims (27)

  1. 一種用於氫氣分離的膜組件，該膜組件包含：複數個膜部件，其中每個膜部件包含：(i)第一氫氣選擇性膜，其界定第一滲透面及相對之第一混合氣體面；(ii)第二氫氣選擇性膜，其界定第二滲透面及相對之第二混合氣體面；(iii)流體可滲透之支撐結構，其位於該第一氫氣選擇性膜與該第二氫氣選擇性膜之間，使得該支撐結構物理接觸並支撐該第一滲透面之至少中心區域及該第二滲透面之至少中心區域且亦使得該第一滲透面之該中心區域與該第二滲透面之中心區域間隔開來；(iv)第一滲透側框架構件，其插入在該第一氫氣選擇性膜與該支撐結構之間，使得該第一滲透側框架構件物理接觸並支撐該第一滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域；(v)第二滲透側框架構件，其插入在該第二氫氣選擇性膜與該支撐結構之間，使得該第二滲透側框架構件物理接觸並支撐該第二滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域；(vi)第一混合氣體側框架構件，其定位以物理接觸並支撐該第一混合氣體面之周邊區域；及(vii)第二混合氣體側框架構件，其定位以物理接觸並支撐該第二混合氣體面之周邊區域；其中以下至少一者：(i)該第一滲透側框架構件之厚度小於該第一混合氣體側框架構件之厚度；及(ii)該第二滲透側框架構件之厚度小於該第二混合氣體側框架構件之厚度。
  2. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中：(i)該第一滲透側框架構件經配置以在該第一滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域之間形成流體密封；及(ii)該第二滲透側框架構件經配置以在該第二滲透面之周邊區域與該支撐結構之周邊區域之間形成流體密封。
  3. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中以下至少一者：(i)該第一滲透側框架構件具有第一滲透側框架構件密度，且進一步其中該第一混合氣體側框架構件具有小於該第一滲透側框架構件密度的90%之第一混合氣體側框架構件密度；及(ii)該第二滲透側框架構件具有第二滲透側框架構件密度，且進一步其中該第二混合氣體側框架構件具有小於該第一滲透側框架構件密度的90%之第二混合氣體側框架構件密度。
  4. 根據申請專利範圍第3項之膜組件，其中該第一滲透側框架構件密度及該第二滲透側框架構件密度中至少一者為至少1.5g/cc且至多1.8g/cc。
  5. 根據申請專利範圍第3項之膜組件，其中該第一混合氣體側框架構件密度及該第二混合氣體側框架構件密度中至少一者為至少1.2g/cc且至多1.4g/cc。
  6. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中該第一滲透側框架構件、該第二滲透側框架構件、該第一混合氣體側框架構件及該第二混合氣體側框架構件中之至少一者包括墊片及石墨墊片中至少一者。
  7. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中該支撐結構包括篩狀結構。
  8. 根據申請專利範圍第7項之膜組件，其中該篩狀結構包括兩個細篩網。
  9. 根據申請專利範圍第8項之膜組件，其中該兩個細篩網包括至少一個平織細篩網。
  10. 根據申請專利範圍第9項之膜組件，其中該平織細篩網之緯紗線(shute wire)直徑經選擇以在該第一氫氣選擇性膜內且亦在該第二氫氣選擇性膜內提供小於最大期望的起伏幅度，其中該最大期望的起伏幅度為至多100微米。
  11. 根據申請專利範圍第9項之膜組件，其中該平織細篩網之緯紗線直徑為在該第一氫氣選擇性膜內且亦在該第二氫氣選擇性膜內之最大期望的起伏幅度的至多1.5倍，其中該最大期望的起伏幅度為至多100微米。
  12. 根據申請專利範圍第9項之膜組件，其中該平織細篩網之緯紗線直徑為至少0.01mm且至多0.06mm。
  13. 根據申請專利範圍第9項之膜組件，其中該平織細篩網每英吋包括至少150條緯紗線。
  14. 根據申請專利範圍第8項之膜組件，其中該兩個細篩網包括至少一個荷蘭編織細篩網(Dutch weave fine mesh screen)。
  15. 根據申請專利範圍第14項之膜組件，其中該荷蘭編織細篩網之緯紗線直徑經選擇以在該第一氫氣選擇性膜內且亦在該第二氫氣選擇性膜內提供小於最大期望的起伏幅度，其中該最大期望的起伏幅度為至多100微米。
  16. 根據申請專利範圍第14項之膜組件，其中該荷蘭編織細篩網之緯紗線直徑為在該第一氫氣選擇性膜內且亦在該第二氫氣選擇性膜內之最大期望的起伏幅度的至少1.5倍且至多2.5倍，其中該最大期望的起伏幅度為至多100微米。
  17. 根據申請專利範圍第8項之膜組件，其中該篩狀結構進一步包括位於該兩個細篩網之間的粗平面篩網。
  18. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中該複數個膜部件包括膜部件之堆疊，且進一步其中該膜組件包括：(i)相應的進料板組合件(assembly)，其位於該膜部件之堆疊中的每個相鄰膜部件對之間；(ii)第一端板，其在該膜部件之堆疊之第一端上；及(iii)第二端板，其在該膜部件之堆疊之第二端上。
  19. 根據申請專利範圍第18項之膜組件，其中該膜組件進一步包括順應性墊片，其中該順應性墊片經配置以在裝配該膜組件時被壓縮，以減小該膜組件過度壓縮的可能性，及進一步其中該順應性墊片為以下至少一者：(i)位於至少一相鄰膜部件對之間；及(ii)位於該膜組件之堆疊與該第一端板及該第二端板中至少一者之間。
  20. 根據申請專利範圍第18項之膜組件，其中該膜組件進一步包括：(i)供應歧管，其用於將混合氣流供應至界定於相鄰膜組件之間的相應混合氣體區域；及(ii)排氣歧管，其用於從該相應混合氣體區域除去副產物流；其中該相應的進料板組合件包括：(i)進料板，其包括至少一個供應通道及至少一個排氣通道，其中該進料板位於該膜部件之堆疊與該第一端板及該第二端板的經選擇端板之間；及(ii)進料框架，其位於該進料板與該經選擇端板之間，該進料框架係圍繞該進料板的周邊形成並在該進料板與該經選擇端板之間形成開放體積。
  21. 根據申請專利範圍第20項之膜組件，其中該膜組件進一步包括位於該進料板與該經選擇端板之間的阻塞墊片，該阻塞墊片經配置以經由該開放體積阻擋該至少一個供應通道與該至少一個排氣通道之間的流體流動。
  22. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中該第一氫氣選擇性膜之第一厚度及該第二氫氣選擇性膜之第二厚度為至多15微米。
  23. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中該第一氫氣選擇性膜及該第二氫氣選擇性膜中之至少一者係由鈀、鈀合金、鈀-銅(Pd-Cu)合金、鈀-釔合金及鈀-釕合金中之至少一者形成。
  24. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中該第一氫氣選擇性膜及該第二氫氣選擇性膜中之至少一者係由金屬及貴金屬中之至少一者形成。
  25. 根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中：(i)該支撐結構包括篩狀結構，該篩狀結構包括兩個細篩網；(ii)該兩個細篩網包括平織細篩網及荷蘭編織細篩網中之至少一者；及(iii)該平織細篩網及該荷蘭編織細篩網中之至少一者具有經選擇以在該第一氫氣選擇性膜內且亦在該第二氫氣選擇性膜內提供起伏為至多100微米之緯紗線直徑。
  26. 一種燃料處理器，其包含：氫氣生產區域，其經配置以接收進料流並從其中生產混合氣流；及氫氣純化器，其包括根據申請專利範圍第1項之膜組件，其中該膜組件經配置以接收該混合氣流並將該混合氣流分離成產物氫氣流及副產物流。
  27. 一種燃料電池系統，其包含：根據申請專利範圍第26項之燃料處理器；及燃料電池堆疊，其中該燃料電池堆疊經配置以從該燃料處理器接收該產物氫氣流並從其產生電流。
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