JP2008050211A - 選択透過膜型反応器及び水素ガスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】選択透過膜型反応器は、高濃度水素含有ガス中に含まれる一酸化炭素を低減するためのCO除去手段を備え、CO除去手段は、高濃度水素含有ガスから一酸化炭素を低減するメタネーション反応を行うための触媒層と、メタネーション反応を行う触媒層の温度を制御する反応温度制御手段とを有する。触媒層は、2つ以上の異なる温度領域が形成され、触媒層の温度は、上流側にて400℃以上600℃以下、下流側にて100℃以上400℃以下に設定される。これにより、COを低減させ、効率よくCOが処理された水素ガスを製造する。
【選択図】図2
Description
本実施の形態に用いられる原料ガス供給手段1としては特に制限はないが、例えば、貯蔵容器から流量制御器を通ってパイプによって原料ガスを供給するものとすることができる。なお、原料ガス供給手段1は、装置の小型化のため反応管2と一体的に構成してもよく、反応管2から離れたところに取り外し可能に別体で構成してもよい。
本発明の選択透過膜型反応器の反応管は、ガス供給手段から供給された原料ガスを取り入れるガス入口部、取り入れられた原料ガスを内部で所定の改質反応をさせて反応ガスを生成する本体部、反応ガス、及び未反応の原料ガスを取り出すガス出口部を有するものである。具体的には、本実施の形態に用いられる反応管2は、原料ガス1の入口であるガス入口部21と、未分離ガスの出口であるガス出口部23と、所定の内部空間を有する本体部22とからなる筒状体(例えば、円筒体)から構成されている。
本発明の選択透過膜型反応器の分離管は、上記反応管に連通して配設された、未反応の原料ガス及び反応管で生成された反応ガスのうち水素を選択的に透過して、一酸化炭素(CO)を含む高濃度水素含有ガスとして分離する選択透過膜と、分離された高濃度水素含有ガスを排出する分離排出口とを有するものである。具体的には、本実施の形態に用いられる分離管3としては、例えば、選択透過膜31を多孔質基体管33上に成膜した、一端部が閉じられた有底円筒状のものを挙げることができる。
本発明の改質反応触媒は、反応管と分離管との間に配設された、原料ガスの改質反応を促進するものである。改質反応触媒はペレット形状で、反応管と分離管との間の空隙にパックドベッド(Packed Bed)状等に充填されており、反応管の入口から供給された水蒸気を含む原料ガスが、この改質反応触媒に接触し、水蒸気改質反応等により水素ガス等に分解される。具体的には、本実施の形態に用いられる改質反応触媒4は、分離管3の配設空間を除いた本体部22の内部空間に改質反応を促進させるために配設される。改質反応触媒としては、例えば、ニッケル−アルミナ、ルテニウム−アルミナ、ロジウム−アルミナ等を挙げることができる。例えば、メタンの水蒸気改質では、改質反応、及びシフト反応が促進されることによって、炭化水素(メタン)が水素、一酸化炭素、二酸化炭素等の反応生成物に分解され、これらの反応生成物を含む混合ガス(生成ガス)が得られる。
本発明のCO除去手段は、分離管に連通され、この分離管の前記分離排出口から排出される前記高濃度水素含有ガス中に含まれる前記一酸化炭素(CO)を低減するためのものである。このようなCO除去手段により、一酸化炭素(CO)を含む高濃度水素含有ガス(以下「透過ガス」と記す場合がある)中の一酸化炭素(CO)を10ppm以下に低減することが可能である。CO除去手段としては、メタネーション法によって処理する。即ち、メタネーション触媒を用いたメタネーション反応によって、透過ガスを直接処理して、この透過ガス中の一酸化炭素(CO)を低減させることができる。
本実施の形態に用いられるメタネーション触媒5は、選択透過膜31の下流側に配設され、選択透過膜31からリークした一酸化炭素(CO)(即ち、高濃度水素含有ガスG3中に含有される一酸化炭素(CO))を、メタネーション反応によって低減する。そして、一酸化炭素(CO)が低減された高濃度水素含有ガスG3を一酸化炭素(CO)処理ガスG4として分離することが可能である。このとき、高濃度水素含有ガスG3に含有されていた一酸化炭素(CO)は、水素化されてCO以外のガス(例えば、メタン)に転換される。転換されるCO以外のガスとしては、メタンの他に、例えば、エタン、メタノール、エタノール等の炭化水素であってもよい。
本発明の水素ガスの製造方法は、原料ガスを改質反応させて反応ガスを生成する生成工程と、反応ガスのうち水素を選択的に透過する選択透過膜によって、一酸化炭素(CO)を含む高濃度水素含有ガスを分離する分離工程と、高濃度水素含有ガス中に含有される一酸化炭素(CO)を低減させる除去工程と、を備え、除去工程において、高濃度水素含有ガスから一酸化炭素を低減するメタネーション反応を異なる2つ以上の温度にて行って、一酸化炭素を処理する。除去工程は、上流側にて400℃以上600℃以下、下流側にて100℃以上400℃以下に設定されている、高濃度水素含有ガスから一酸化炭素を低減するメタネーション反応を行うための触媒層を流通させて行う。
すなわち、分離管として、一端部が閉じられた有底円筒状のアルミナ多孔体(外径10mm、長さ75mm)を用い、その表面に選択透過膜として水素を選択的に透過するパラジウム(Pd)−銀(Ag)合金膜をメッキ法により成膜した。選択透過膜の組成は、水素透過性能を考慮してパラジウム(Pd)が75質量%、銀(Ag)が25質量%となるようにし、膜厚は2.5μm、水素透過係数は50ml/cm2・min・atm1/2であった。CO除去手段としてのメタネーション触媒は、市販のルテニウム−アルミナ触媒(エヌ・イーケムキャット社製)を用いた。改質触媒は、市販のルテニウム−アルミナ触媒(エヌ・イーケムキャット社製)を採用し、反応管と選択透過膜との間に、メタネーション触媒は透過側下流に充填した。
試験方法は以下の通りである。先ず、対象となる選択透過膜型反応器へ、原料ガスとして炭化水素と水蒸気をモル比でH2O/CH4=3で供給した。炭化水素と水蒸気による改質反応とそれに付随して生ずる反応を行わせ、反応生成物から水素を選択的に分離した。反応温度は550℃に調整し、反応側圧力は3atm、透過側圧力は0.2atmとした。又、原料ガスの流量は、炭化水素が250cc/min、水蒸気が750cc/minとなるようにした。メタネーション触媒は、選択透過膜型反応器の分離管内部或いは、後段に別途設けた反応管に設置した。膜透過側及び膜非透過側のそれぞれにおけるガスの流量とガスの組成を調べることにより、炭化水素転化率と透過ガスの水素純度を算出した。
比較例1では、メタネーション反応を200℃の低温でのみ行っているため触媒活性が不足し、CO<10ppmを達成するために、多量の触媒が必要となった。一方、実施例1〜3においては、触媒活性の面で有利な高温で予めある程度までCO濃度を低減した上で、低温で処理した。そのため、CO<10ppmを達成でき、用いる触媒量も少量で済んだ。
Claims (8)
- 原料ガス供給手段と、
前記ガス供給手段から供給された前記原料ガスを取り入れるガス入口部、取り入れられた前記原料ガスを内部で所定の改質反応をさせて反応ガスを生成する本体部、前記反応ガス、及び未反応の前記原料ガスを取り出すガス出口部を有する反応管と、
前記反応管に連通して配設された、未反応の前記原料ガス及び前記反応管で生成された前記反応ガスのうち水素を選択的に透過して、一酸化炭素(CO)を含む高濃度水素含有ガスとして分離する選択透過膜と、分離された前記高濃度水素含有ガスを排出する分離排出口とを有する分離管と、
前記反応管と前記分離管との間に配設された、前記原料ガスの前記改質反応を促進する改質反応触媒と、
前記分離管に連通され、この分離管の前記分離排出口から排出される前記高濃度水素含有ガス中に含まれる前記一酸化炭素を低減するためのCO除去手段と、
を備え、
前記CO除去手段は、前記高濃度水素含有ガスから一酸化炭素を低減するメタネーション反応を行うための触媒層と、前記メタネーション反応を行う前記触媒層の温度を制御する反応温度制御手段とを有し、
前記触媒層は、2つ以上の異なる温度領域が形成された選択透過膜型反応器。 - 前記触媒層は、第一触媒層と、前記高濃度水素含有ガスの流通方向の前記第一触媒層よりも下流側に配置された第二触媒層によって構成され、前記第一触媒層と前記第二触媒層とが前記反応温度制御手段によって異なる温度に制御されている請求項1に記載の選択透過膜型反応器。
- 前記第一触媒層よりも前記第二触媒層は、低い温度に制御されている請求項2に記載の選択透過膜型反応器。
- 前記触媒層は、前記高濃度水素含有ガスの流通方向に前記反応温度制御手段によって温度勾配が設けられている請求項1に記載の選択透過膜型反応器。
- 前記温度勾配は、上流側から下流側へ温度が低下するように設けられている請求項4に記載の選択透過膜型反応器。
- 前記触媒層の温度は、上流側にて400℃以上600℃以下、下流側にて100℃以上400℃以下に設定されている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の選択透過膜型反応器。
- 原料ガスを改質反応させて反応ガスを生成する生成工程と、
前記反応ガスのうち水素を選択的に透過する選択透過膜によって、一酸化炭素(CO)を含む高濃度水素含有ガスを分離する分離工程と、
前記高濃度水素含有ガス中に含有される前記一酸化炭素を低減させる除去工程と、を備え、
前記除去工程において、前記高濃度水素含有ガスから一酸化炭素を低減するメタネーション反応を異なる2つ以上の温度にて行う水素ガスの製造方法。 - 前記除去工程は、上流側にて400℃以上600℃以下、下流側にて100℃以上400℃以下に設定されている前記メタネーション反応を行うための触媒層に前記高濃度水素含有ガスを流通させて行う請求項7に記載の水素ガスの製造方法。
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